KR20230088349A - 도금 장치 - Google Patents

Abstract

이온 저항체의 구멍에 부착된 기포를 제거할 수 있는 기술을 제공한다.
도금 장치는, 애노드와, 상기 애노드보다도 상방에 배치되어, 복수의 구멍을 갖는 이온 저항체가 배치된 도금조와, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 이온 저항체보다도 상방 또한 상기 기판보다도 하방에 배치됨과 함께, 상기 이온 저항체의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 교대로 구동되어, 상기 도금조에 저류된 도금액을 교반하도록 구성된 패들을 구비하고, 상기 패들은, 상하 방향으로 연장되는 다각형의 관통 구멍을 갖는 교반 부재를 복수 구비하는, 하니컴 구조를 갖고, 복수의 상기 교반 부재는, 평면으로 보아, 사각 형상의 각형 부위와, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제1 방향 측의 측면으로부터 상기 제1 방향 측으로 돌출되는 제1 돌출 부위와, 상기 각형 부위의 상기 제2 방향 측의 측면으로부터 상기 제2 방향 측으로 돌출되는 제2 돌출 부위를 갖는다..

Description

도금 장치 {PLATING EQUIPMENT}

본 발명은 도금 장치에 관한 것이다.

종래, 기판에 도금 처리를 실시하는 것이 가능한 도금 장치로서, 소위 컵식의 도금 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 도금 장치는, 도금액을 저류하는 도금조와, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구와, 기판 홀더를 승강시키는 승강 기구를 구비하고 있다.

또한, 종래, 예를 들어 도금 피막의 막 두께의 면내 균일성을 도모하기 위해, 도금조의 내부에, 복수의 구멍을 갖는 이온 저항체를 배치하는 기술이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).

일본 특허 공개 제2008-19496호 공보 일본 특허 공개 제2004-363422호 공보

상술한 특허문헌 1에 예시되는 바와 같은 컵식의 도금 장치의 도금조의 내부에 이온 저항체를 배치한 경우에 있어서, 가령, 도금조의 도금액에 포함되는 기포가 이온 저항체의 구멍에 다량으로 부착된 경우, 이 구멍에 부착된 기포에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화될 우려가 있다.

본 발명은 상기의 것에 비추어 이루어진 것으로, 이온 저항체의 구멍에 부착된 기포를 제거할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.

(양태 1)

상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 도금 장치는, 애노드와, 상기 애노드보다도 상방에 배치되어, 복수의 구멍을 갖는 이온 저항체가 배치된 도금조와, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 이온 저항체보다도 상방 또한 상기 기판보다도 하방에 배치됨과 함께, 상기 이온 저항체의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 교대로 구동되어, 상기 도금조에 저류된 도금액을 교반하도록 구성된 패들을 구비하고, 상기 패들은, 상하 방향으로 연장되는 다각형의 관통 구멍을 갖는 교반 부재를 복수 구비하는, 하니컴 구조를 갖고, 복수의 상기 교반 부재는, 평면으로 보아, 사각 형상의 각형 부위와, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제1 방향 측의 측면으로부터 상기 제1 방향 측으로 돌출되는 제1 돌출 부위와, 상기 각형 부위의 상기 제2 방향 측의 측면으로부터 상기 제2 방향 측으로 돌출되는 제2 돌출 부위를 갖는다.

이 양태에 의하면, 기포가 이온 저항체의 구멍에 부착된 경우에도, 패들에 의한 도금액의 교반에 의해, 구멍에 부착된 기포의 상방으로의 이동을 촉진시킬 수 있다. 이에 의해, 이온 저항체의 구멍에 부착된 기포를 제거할 수 있다.

또한, 이 양태에 의하면, 패들의 복수의 교반 부재가 하니컴 구조를 갖고 있고, 또한 패들의 복수의 교반 부재가, 각형 부위와 제1 돌출 부위와 제2 돌출 부위를 갖고 있으므로, 전술한 바와 같이, 패들에 의해 도금액을 보다 효과적으로 교반할 수 있어, 이온 저항체의 구멍에 부착된 기포를 효과적으로 제거할 수 있다.

(양태 2)

상기의 양태 1에 있어서, 상기 제1 돌출 부위와 상기 제2 돌출 부위과의 거리의 최댓값인 패들 폭은, 도금 처리가 실시되는 상기 기판의 피도금면의 상기 제1 방향에 있는 외연과 상기 제2 방향에 있는 외연과의 거리의 최댓값인 기판 폭보다도 작아도 된다.

(양태 3)

상기의 양태 1에 있어서, 상기 제1 돌출 부위는, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제1 방향 측의 측면으로부터 상기 제1 방향 측으로 원호상으로 돌출하고, 상기 제2 돌출 부위는, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제2 방향 측의 측면으로부터 상기 제2 방향 측으로 원호상으로 돌출한다.

도 1은 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 도금 장치에 있어서의 도금 모듈의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 4는 실시 형태에 관한 기판이 도금액에 침지된 상태를 도시하는 모식도이다.
도 5는 실시 형태에 관한 패들의 모식적인 평면도이다.
도 6은 실시 형태에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다.
도 7은 실시 형태의 변형예 1에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다.
도 8은 실시 형태의 변형예 2에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다.
도 9는 실시 형태의 변형예 3에 관한 패들의 모식적인 평면도이다.
도 10은 실시 형태의 변형예 4에 관한 패들의 모식적인 평면도이다.
도 11은 실시 형태의 변형예 5에 관한 패들의 모식적인 평면도이다.
도 12는 실시 형태에 관한 도금조의 내부에 막이 배치된 경우의 도금조의 내부 구성의 일례를 도시하는 모식적 단면도이다.

(실시 형태)

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면은, 구성 요소의 특징의 이해를 용이하게 하기 위해 모식적으로 도시되어 있고, 각 구성 요소의 치수 비율 등은 실제의 것과 동일한 것만은 아니다. 또한, 몇몇 도면에는, 참고용으로서, X-Y-Z의 직교 좌표가 도시되어 있다. 이 직교 좌표 중, Z 방향은 상방에 상당하고, -Z 방향은 하방(중력이 작용하는 방향)에 상당한다.

도 1은 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 사시도이다. 도 2는 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 평면도(상면도)이다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 도금 장치(1000)는, 로드 포트(100), 반송 로봇(110), 얼라이너(120), 프리웨트 모듈(200), 프리소크 모듈(300), 도금 모듈(400), 세정 모듈(500), 스핀 린스 드라이어(600), 반송 장치(700), 및 제어 모듈(800)을 구비한다.

로드 포트(100)는 도금 장치(1000)에 도시하고 있지 않은 FOUP 등의 카세트에 수용된 기판을 반입하거나, 도금 장치(1000)로부터 카세트에 기판을 반출하기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 4대의 로드 포트(100)가 수평 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 로드 포트(100)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 로봇(110)은 기판을 반송하기 위한 로봇이고, 로드 포트(100), 얼라이너(120), 프리웨트 모듈(200) 및 스핀 린스 드라이어(600) 사이에 기판을 주고받도록 구성된다. 반송 로봇(110) 및 반송 장치(700)는 반송 로봇(110)과 반송 장치(700) 사이에 기판을 주고받을 때에는, 임시 거치대(도시하지 않음)를 통해 기판의 수수를 행할 수 있다.

얼라이너(120)는 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞추기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 얼라이너(120)가 수평 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 얼라이너(120)의 수 및 배치는 임의이다. 프리웨트 모듈(200)은 도금 처리 전의 기판의 피도금면을 순수 또는 탈기수 등의 처리액으로 적심으로써, 기판 표면에 형성된 패턴 내부의 공기를 처리액으로 치환한다. 프리웨트 모듈(200)은 도금 시에 패턴 내부의 처리액을 도금액으로 치환함으로써 패턴 내부에 도금액을 공급하기 쉽게 하는 프리웨트 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리웨트 모듈(200)이 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 프리웨트 모듈(200)의 수 및 배치는 임의이다.

프리소크 모듈(300)은 예를 들어 도금 처리 전의 기판의 피도금면에 형성한 시드층 표면 등에 존재하는 전기 저항이 큰 산화막을 황산이나 염산 등의 처리액으로 에칭 제거하여 도금 하지 표면을 세정 또는 활성화하는 프리소크 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리소크 모듈(300)이 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 프리소크 모듈(300)의 수 및 배치는 임의이다. 도금 모듈(400)은 기판에 도금 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 상하 방향으로 3대 또한 수평 방향으로 4대 나란히 배치된 12대의 도금 모듈(400)의 세트가 2개 있고, 합계 24대의 도금 모듈(400)이 마련되어 있지만, 도금 모듈(400)의 수 및 배치는 임의이다.

세정 모듈(500)은 도금 처리 후의 기판에 남은 도금액 등을 제거하기 위해 기판에 세정 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 세정 모듈(500)이 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 세정 모듈(500)의 수 및 배치는 임의이다. 스핀 린스 드라이어(600)는 세정 처리 후의 기판을 고속 회전시켜 건조시키기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 스핀 린스 드라이어(600)가 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 스핀 린스 드라이어(600)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 장치(700)는 도금 장치(1000) 내의 복수의 모듈 사이에 기판을 반송하기 위한 장치이다. 제어 모듈(800)은, 도금 장치(1000)의 복수의 모듈을 제어하도록 구성되고, 예를 들어 오퍼레이터와의 사이의 입출력 인터페이스를 구비하는 일반적인 컴퓨터 또는 전용 컴퓨터로 구성할 수 있다.

도금 장치(1000)에 의한 일련의 도금 처리의 일례를 설명한다. 먼저, 로드 포트(100)에 카세트에 수용된 기판이 반입된다. 계속해서, 반송 로봇(110)은 로드 포트(100)의 카세트로부터 기판을 빼내고, 얼라이너(120)에 기판을 반송한다. 얼라이너(120)는 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞춘다. 반송 로봇(110)은 얼라이너(120)로 방향을 맞춘 기판을 프리웨트 모듈(200)에 전달한다.

프리웨트 모듈(200)은 기판에 프리웨트 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는 프리웨트 처리가 실시된 기판을 프리소크 모듈(300)에 반송한다. 프리소크 모듈(300)은 기판에 프리소크 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는 프리소크 처리가 실시된 기판을 도금 모듈(400)에 반송한다. 도금 모듈(400)은 기판에 도금 처리를 실시한다.

반송 장치(700)는 도금 처리가 실시된 기판을 세정 모듈(500)에 반송한다. 세정 모듈(500)은 기판에 세정 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는 세정 처리가 실시된 기판을 스핀 린스 드라이어(600)에 반송한다. 스핀 린스 드라이어(600)는 기판에 건조 처리를 실시한다. 반송 로봇(110)은 스핀 린스 드라이어(600)로부터 기판을 수취하고, 건조 처리를 실시한 기판을 로드 포트(100)의 카세트에 반송한다. 마지막으로, 로드 포트(100)로부터 기판을 수용한 카세트가 반출된다.

또한, 도 1이나 도 2에서 설명한 도금 장치(1000)의 구성은, 일례에 지나지 않고, 도금 장치(1000)의 구성은, 도 1이나 도 2의 구성에 한정되는 것은 아니다.

계속해서, 도금 모듈(400)에 대하여 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)가 갖는 복수의 도금 모듈(400)은 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로, 1개의 도금 모듈(400)에 대하여 설명한다.

도 3은 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)에 있어서의 도금 모듈(400)의 구성을 도시하는 모식도이다. 구체적으로는, 도 3은 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지되기 전의 상태에 있어서의 도금 모듈(400)을 모식적으로 도시하고 있다. 도 4는 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지된 상태를 도시하는 모식도이다. 또한, 도 4의 일부에는, A1 부분의 확대도도 함께 도시되어 있지만, 이 A1 부분의 확대도에 있어서, 후술하는 패들(70)의 도시는 생략되어 있다.

본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)는, 컵식의 도금 장치이다. 도금 장치(1000)의 도금 모듈(400)은 도금조(10)와, 오버플로 조(20)와, 기판 홀더(30)와, 패들(70)을 구비하고 있다. 또한, 도금 모듈(400)은, 도 3에 예시하는 바와 같이, 회전 기구(40)와, 경사 기구(45)와, 승강 기구(50)를 구비하고 있어도 된다.

본 실시 형태에 관한 도금조(10)는 상방에 개구를 갖는 바닥이 있는 용기로 구성되어 있다. 구체적으로는, 도금조(10)는 저벽(10a)과, 이 저벽(10a)의 외주연으로부터 상방으로 연장되는 외주벽(10b)을 갖고 있고, 이 외주벽(10b)의 상부가 개구되어 있다. 또한, 도금조(10)의 외주벽(10b)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 관한 외주벽(10b)은, 일례로서 원통 형상을 갖고 있다. 도금조(10)의 내부에는, 도금액 Ps가 저류되어 있다. 또한, 도금조(10)에는, 도금조(10)에 도금액 Ps를 공급하기 위한 공급구(13)가 마련되어 있다.

도금액 Ps로서는, 도금 피막을 구성하는 금속 원소의 이온을 포함하는 용액이면 되고, 그 구체예는 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에 있어서는, 도금 처리의 일례로서, 구리 도금 처리를 사용하고 있고, 도금액 Ps의 일례로서, 황산구리 용액을 사용하고 있다. 또한, 도금액 Ps에는 소정의 첨가제가 포함되어 있어도 된다.

도금조(10)의 내부에는, 애노드(11)가 배치되어 있다. 애노드(11)의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 불용해 애노드여도 되고, 용해 애노드여도 된다. 본 실시 형태에서는, 애노드(11)의 일례로서, 불용해 애노드를 사용하고 있다. 이 불용해 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 백금이나 산화 이리듐 등을 사용할 수 있다.

도금조(10)의 내부에 있어서, 애노드(11)보다도 상방에는, 이온 저항체(12)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 도 4(A1 부분의 확대도)에 도시하는 바와 같이, 이온 저항체(12)는 복수의 구멍(12a)(세공)을 갖는 다공질의 판 부재로 구성되어 있다. 구멍(12a)은 이온 저항체(12)의 하면과 상면을 연통하도록 마련되어 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 이온 저항체(12)에 있어서의 복수의 구멍(12a)이 형성된 영역을 「구멍 형성 에어리어 PA」라고 칭한다. 본 실시 형태에 관한 구멍 형성 에어리어 PA는, 평면으로 보아 원 형상을 갖고 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 구멍 형성 에어리어 PA의 면적은, 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 면적과 동일하거나, 또는 이 피도금면 Wfa의 면적보다도 크다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 구멍 형성 에어리어 PA의 면적은, 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 면적보다도 작아도 된다.

이 이온 저항체(12)는 애노드(11)와 캐소드로서의 기판 Wf(부호는 후술하는 도 6에 도시되어 있음) 사이에 형성되는 전기장의 균일화를 도모하기 위해 마련되어 있다. 본 실시 형태와 같이, 도금조(10)에 이온 저항체(12)가 배치됨으로써, 기판 Wf에 형성되는 도금 피막(도금층)의 막 두께의 균일화를 용이하게 도모할 수 있다.

오버플로 조(20)는, 도금조(10)의 외측에 배치된, 바닥이 있는 용기로 구성되어 있다. 오버플로 조(20)는, 도금조(10)의 외주벽(10b)의 상단을 넘은 도금액 Ps(즉, 도금조(10)로부터 오버플로된 도금액 Ps)를 일시적으로 저류하기 위해 마련되어 있다. 오버플로 조(20)에 저류된 도금액 Ps는, 배출구(14)로부터 배출된 후에, 유로(15)를 통과하여, 리저버 탱크(80)(도 4 참조)에 일시적으로 저류된다. 이 리저버 탱크(80)에 저류된 도금액 Ps는, 그 후, 펌프(81)(도 4 참조)에 의해 압송되어, 공급구(13)로부터 다시 도금조(10)로 순환된다.

도금 모듈(400)은 도금조(10)의 도금액 Ps의 액면의 위치를 검출하기 위한 레벨 센서(60a)를 구비하고 있어도 된다. 이 레벨 센서(60a)의 검출 결과는, 제어 모듈(800)에 전달된다.

또한, 도금 모듈(400)은 도금조(10)로부터 오버플로된 도금액 Ps의 유량(L/min)을 검출하기 위한 유량 센서(60b)를 구비하고 있어도 된다. 이 유량 센서(60b)의 검출 결과는, 제어 모듈(800)에 전달된다. 또한, 유량 센서(60b)의 구체적인 배치 개소는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 관한 유량 센서(60b)는, 일례로서, 오버플로 조(20)의 배출구(14)와 리저버 탱크(80)를 연통하는 유로(15)에 배치되어 있다.

기판 홀더(30)는 캐소드로서의 기판 Wf를, 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 애노드(11)에 대향하도록 보유 지지하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 기판 Wf의 피도금면 Wfa는, 구체적으로는, 기판 Wf의 하방 측을 향한 면(하면)에 마련되어 있다.

도 3에 예시하는 바와 같이, 기판 홀더(30)는 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 외주연보다도 하방으로 돌출되도록 설치된 링(31)을 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 링(31)은, 하면으로 보아, 링 형상을 갖고 있다.

기판 홀더(30)는 회전 기구(40)에 접속되어 있다. 회전 기구(40)는 기판 홀더(30)를 회전시키기 위한 기구이다. 도 3에 예시되어 있는 「R1」은, 기판 홀더(30)의 회전 방향의 일례이다. 회전 기구(40)로서는, 공지의 회전 모터 등을 사용할 수 있다. 경사 기구(45)는 회전 기구(40) 및 기판 홀더(30)를 경사지게 하기 위한 기구이다. 승강 기구(50)는 상하 방향으로 연장되는 지지축(51)에 의해 지지되어 있다. 승강 기구(50)는 기판 홀더(30), 회전 기구(40) 및 경사 기구(45)를 상하 방향으로 승강시키기 위한 기구이다. 승강 기구(50)로서는, 직동식의 액추에이터 등의 공지의 승강 기구를 사용할 수 있다.

또한, 도 12에 예시하는 바와 같이, 도금조(10)의 내부에 있어서, 애노드(11)보다도 상방 또한 이온 저항체(12)보다도 하방의 개소에는, 막(16)이 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 도금조(10)의 내부는, 막(16)에 의해, 막(16)보다도 하방의 애노드 실(17a)과, 막(16)보다도 상방의 캐소드 실(17b)로 구획된다. 애노드(11)는 애노드 실(17a)에 배치되고, 이온 저항체(12)는 캐소드 실(17b)에 배치된다. 막(16)은 도금액 Ps에 포함되는 금속 이온을 포함하는 이온종이 막(16)을 통과하는 것을 허용하면서, 도금액 Ps에 포함되는 비이온계의 도금 첨가제가 막(16)을 통과하는 것을 억제하도록 구성되어 있다. 이러한 막(16)으로서, 예를 들어 이온 교환막을 사용할 수 있다.

또한, 도금조(10)의 내부가 막(16)에 의해 애노드 실(17a)과 캐소드 실(17b)로 구획되는 경우, 공급구(13)는 애노드 실(17a) 및 캐소드 실(17b)에 각각 마련되는 것이 바람직하다. 또한, 애노드 실(17a)에는, 애노드 실(17a)의 도금액 Ps를 배출하기 위한 배출구(14a)가 마련되는 것이 바람직하다.

도 5는 패들(70)의 모식적인 평면도이다. 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여, 패들(70)은 이온 저항체(12)보다도 상방 또한 기판 Wf보다도 하방의 개소에 배치되어 있다. 패들(70)은 구동 장치(77)에 의해 구동된다. 패들(70)이 구동됨으로써, 도금조(10)의 도금액 Ps는 교반된다.

본 실시 형태에 관한 패들(70)은, 일례로서, 이온 저항체(12)의 상면과 평행한 「제1 방향(본 실시 형태에서는, 일례로서, X 방향)」, 및 제1 방향과는 반대인 「제2 방향(본 실시 형태에서는, 일례로서, -X 방향)」으로 교호로 구동된다. 즉, 본 실시 형태에 관한 패들(70)은, 일례로서, X축의 방향으로 왕복 이동한다. 이 패들(70)의 구동 동작은, 제어 모듈(800)이 제어하고 있다.

도 5에 예시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 패들(70)은, 일례로서, 패들(70)의 제1 방향 및 제2 방향에 대하여 수직인 방향(Y축의 방향)으로 연장되는 교반 부재(71a)를 복수 갖고 있다. 인접하는 교반 부재(71a) 사이에는, 간극이 마련되어 있다. 복수의 교반 부재(71a)의 일단은 연결 부재(72a)에 연결되고, 타단은 연결 부재(72b)에 연결되어 있다.

패들(70)은, 평면으로 보아, 도금액 Ps의 교반 시의 패들(70)의 이동 영역 MA(즉, 패들(70)이 왕복 이동하는 범위)가 이온 저항체(12)의 구멍 형성 에어리어 PA의 전체면을 덮도록 구성되어 있는 것이, 바람직하다. 이 구성에 의하면, 이온 저항체(12)의 구멍 형성 에어리어 PA보다도 상방의 도금액 Ps를, 패들(70)에 의해 효과적으로 교반할 수 있다.

또한, 패들(70)은, 적어도 도금액 Ps를 교반할 때, 도금조(10)의 내부에 배치되어 있으면 되고, 도금조(10)의 내부에 항상 배치되어 있을 필요는 없다. 예를 들어, 패들(70)의 구동이 정지되어 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 행해지지 않는 경우에는, 패들(70)은 도금조(10)의 내부에 배치되어 있지 않은 구성으로 할 수도 있다.

제어 모듈(800)은, 마이크로컴퓨터를 구비하고 있고, 이 마이크로컴퓨터는, 프로세서로서의 CPU(Central Processing Unit)(801)나, 비일시적인 기억 매체로서의 기억 장치(802) 등을 구비하고 있다. 제어 모듈(800)은, 기억 장치(802)에 기억된 프로그램의 지령에 기초하여, 프로세서로서의 CPU(801)가 작동함으로써, 도금 모듈(400)의 동작을 제어한다.

그런데, 도금조(10)의 도금액 Ps에 기포 Bu가 발생하는 경우가 있다. 구체적으로는, 예를 들어 도금조(10)에 도금액 Ps를 공급할 때 공기가 도금액 Ps와 함께 도금조(10)에 유입된 경우에, 이 공기가 기포 Bu가 될 우려가 있다.

상술한 바와 같이, 도금조(10)의 도금액 Ps에 기포 Bu가 발생한 경우에, 이 기포 Bu가 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착되는 경우가 있다. 가령, 기포 Bu가 구멍(12a)에 다량으로 부착된 상태에서, 기판 Wf에 도금 처리를 실시했을 경우, 이 기포 Bu에 기인하여, 기판 Wf의 도금 품질이 악화될 우려가 있다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 이 문제에 대처하기 위해, 이하에 설명하는 기술을 사용하고 있다.

도 6은 본 실시 형태에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다. 본 실시 형태에 관한 도금 방법은, 스텝 S10 내지 스텝 S60을 포함하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도금 방법은, 제어 모듈(800)이 자동적으로 실행해도 된다. 또한, 본 실시 형태에 관한 스텝 S10의 실행 개시 전에 있어서, 도금조(10)의 내부에 도금액 Ps는 저류되어 있지 않은 것으로 하거나, 또는 도금조(10)의 내부에 도금액 Ps가 저류되어 있는 경우에도, 이 도금조(10)의 도금액 Ps의 액면은 이온 저항체(12)보다도 하방에 위치하고 있는 것으로 한다.

스텝 S10에 있어서는, 도금조(10)에 도금액 Ps를 공급함으로써, 애노드(11) 및 이온 저항체(12)를 도금액 Ps에 침지시킨다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 공급구(13)로부터 도금액 Ps를 도금조(10)에 공급하여, 애노드(11) 및 이온 저항체(12)를 도금액 Ps에 침지시킨다.

또한, 스텝 S10에 있어서, 전술한 레벨 센서(60a)의 검출 결과에 기초하여, 도금액 Ps의 액면의 위치를 취득하고, 이 취득된 도금액 Ps의 액면의 위치가 애노드(11) 및 이온 저항체(12)보다도 상방의 소정 위치가 되었다고 판단될 때까지, 도금액 Ps를 도금조(10)에 공급해도 된다.

혹은, 스텝 S10에 있어서, 전술한 유량 센서(60b)의 검출 결과에 기초하여, 도금조(10)로부터 오버플로된 도금액 Ps의 유량을 취득하고, 이 취득된 유량이 제로보다도 큰 소정 유량이 되었다고 판단될 때까지, 도금액 Ps를 도금조(10)에 공급해도 된다. 이 경우에 있어서도, 도금조(10)의 도금액 Ps의 액면을 애노드(11) 및 이온 저항체(12)보다도 상방에 위치시켜, 애노드(11) 및 이온 저항체(12)를 도금액 Ps에 침지시킬 수 있다.

스텝 S10 후에, 스텝 S20이 실행된다. 구체적으로는, 스텝 S10에 관한 도금조(10)에의 도금액 Ps의 공급 개시 후이며, 도금조(10)의 도금액 Ps의 액면이 패들(70)에 의해 도금액 Ps를 교반할 수 있는 위치로 되어 있는 경우(예를 들어, 도금액 Ps의 액면이 패들(70)보다도 상방에 위치하고 있는 경우)에, 스텝 S20이 실행된다.

스텝 S20에 있어서는, 이온 저항체(12)보다도 상방 또한 기판 Wf보다도 하방에 배치된 패들(70)을 구동함으로써, 패들(70)에 의해 도금액 Ps를 교반한다. 즉, 스텝 S20에 있어서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 개시시킨다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 패들(70)을 제1 방향 및 제2 방향으로 교대로 구동함으로써, 도금액 Ps를 교반한다.

본 실시 형태에 의하면, 예를 들어, 도금조(10)에의 도금액 Ps의 공급 시에 도금액 Ps에 포함되는 기포 Bu가 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 경우에도, 스텝 S20에 관한 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반에 의해, 기포 Bu의 상방으로의 이동을 촉진시킬 수 있다. 이에 의해, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다.

또한, 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량(L/min)이 많은 편이, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거할 수 있다는 점에서, 바람직하다.

그래서, 예를 들어, 스텝 S20에 있어서의 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량을, 후술하는 스텝 S60에 있어서의 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량보다도 많게 하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의하면, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거할 수 있다.

또한, 예를 들어, 펌프(81)(이것은, 리저버 탱크(80)의 도금액 Ps를 도금조(10)를 향하여 압송하기 위한 펌프임)의 회전수를 상승시킴으로써, 리저버 탱크(80)와 도금조(10) 사이를 순환하는 도금액 Ps의 순환 유량을 많게 할 수 있다. 이에 의해, 도금조(10)의 내부를 유동하는 도금액 Ps의 유량을 많게 할 수 있으므로, 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량을 많게 할 수 있다.

즉, 본 실시 형태에 있어서, 스텝 S20에 있어서의 도금액 Ps의 순환 유량(L/min)은 스텝 S60에 있어서의 도금액 Ps의 순환 유량(이것을 「기준 유량(L/min)」이라고 칭함)보다도 많은 것이 바람직하다. 이에 의해, 스텝 S20에 있어서의 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량은, 스텝 S60에 있어서의 이온 저항체(12)의 하면 측으로부터 복수의 구멍(12a)을 통과하여 이온 저항체(12)의 상면 측을 향하여 유동하는 도금액 Ps의 유량보다도 많아진다. 이 결과, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거할 수 있다.

스텝 S20 후에, 스텝 S30이 실행된다. 스텝 S30에 있어서는, 패들(70)의 구동을 정지시켜, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 정지시킨다.

또한, 스텝 S20에서 패들(70)에 의한 교반이 개시되고 나서 스텝 S30에서 패들(70)에 의한 교반이 정지될 때까지의 시간(즉, 패들(70)에 의한 교반 시간)의 구체예는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 2초 이상 10초 이하 중에서 선택된 소정 시간을 사용할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 패들(70)에 의해 도금액 Ps를 단시간 교반하는 것만으로, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다.

스텝 S30 후에, 스텝 S40이 실행된다. 스텝 S40에 있어서는, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 정지된 상태에서, 기판 Wf를 도금액 Ps에 침지시킨다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 있어서는, 승강 기구(50)가 기판 홀더(30)를 하강시킴으로써, 기판 Wf의 적어도 피도금면 Wfa를 도금액 Ps에 침지시킨다.

본 실시 형태와 같이, 스텝 S30에 있어서 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 정지된 상태에서, 스텝 S40에 있어서 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지되므로, 기판 Wf의 도금액 Ps에의 침지 시에, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반에 기인하여 도금액 Ps의 액면이 물결치는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 기판 Wf의 도금액 Ps에의 침지 시에 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 기포 Bu가 다량으로 부착되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 스텝 S40에 있어서, 경사 기구(45)에 의해 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 수평 방향에 대하여 경사지도록(즉, 피도금면 Wfa가 수평면에 대하여 경사지도록), 기판 홀더(30)를 경사지게 한 상태에서, 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 도금액 Ps에 접액시켜도 된다. 이 구성에 의하면, 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 수평 방향인 상태에서 피도금면 Wfa가 도금액 Ps에 접액되는 경우와 비교하여, 피도금면 Wfa에 기포 Bu가 부착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.

스텝 S40 후에, 스텝 S50이 실행된다. 스텝 S50에 있어서는, 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지된 상태에서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 재개시킨다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지된 상태에서, 이온 저항체(12)보다도 상방 또한 기판 Wf보다도 하방에 배치된 패들(70)을 제1 방향 및 제2 방향으로 교대로 구동함으로써, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 재개시킨다.

이와 같이, 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지된 상태에서 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 재개됨으로써, 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 도금액 Ps를 효과적으로 공급할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어, 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 배선 패턴의 내부에 잔존한 프리웨트 처리액을, 도금액 Ps로 효과적으로 치환할 수 있다.

또한, 전술한 바와 같이, 스텝 S40에 있어서, 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 경사지게 한 상태에서 피도금면 Wfa를 도금액 Ps에 접액시키는 경우, 스텝 S50에 관한 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반의 재개는, 도금액 Ps에 침지된 상태의 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 수평 방향으로 되돌린 후에, 실행되는 것이 바람직하다. 즉, 이 경우, 스텝 S40에 있어서 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 경사지게 한 상태에서 피도금면 Wfa를 도금액 Ps에 접액시키고, 이어서 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 수평 방향으로 되돌리고(이것을 「스텝 S45」라고 칭함), 이어서 스텝 S50에 관한 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 개시한다.

여기서, 가령, 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 수평 방향에 대하여 경사진 상태에서 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 재개되는 경우, 경사진 상태의 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 상단(피도금면 Wfa의 외연의 상단)이 도금액 Ps의 액면에 가까워지기 때문에, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반의 재개에 의해 도금액 Ps의 액면이 물결쳤을 때, 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 기포 Bu가 말려 들어가기 쉬워질 우려가 있다. 이에 반해, 이 구성에 의하면, 도금액 Ps에 침지된 상태의 기판 Wf의 피도금면 Wfa를 수평 방향으로 되돌린 후에 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 재개되므로, 가령 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반의 재개에 의해 도금액 Ps의 액면이 물결쳤을 경우에도, 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 기포 Bu가 말려 들어가는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.

스텝 S50 후에, 스텝 S60이 실행된다. 스텝 S60에 있어서는, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 재개된 상태에서(즉, 패들(70)에 의해 도금액 Ps를 교반한 상태에서), 기판 Wf와 애노드(11) 사이에 전기를 흐르게 함으로써, 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 도금 처리를 실시한다. 이에 의해, 피도금면 Wfa에, 금속으로 이루어지는 도금 피막이 형성된다.

스텝 S60과 같이, 기판 Wf에 대한 도금 처리 시에 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 행해짐으로써, 도금 처리 시에 도금액 Ps를 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 효과적으로 공급할 수 있다. 이에 의해, 기판 Wf에 도금 피막을 효과적으로 형성시킬 수 있다.

또한, 스텝 S50에 관한 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반의 재개와 동시에, 스텝 S60에 관한 기판 Wf에 대한 도금 처리를 개시해도 된다. 혹은, 스텝 S50에 관한 도금액 Ps의 교반의 재개로부터, 소정 시간 경과 후에, 스텝 S60에 관한 기판 Wf에 대한 도금 처리를 개시해도 된다. 이 소정 시간의 구체적인 값은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 기판 Wf의 피도금면 Wfa에 형성된 배선 패턴의 비아나 스루홀 등에 도금액 Ps를 널리 퍼지게 하는 데 충분한 시간을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 소정 시간의 일례를 들면, 예를 들어 30초 이상, 60초 이하 중에서 선택된 시간을 사용할 수 있다.

또한, 스텝 S60에 있어서, 회전 기구(40)는 기판 홀더(30)를 회전시켜도 된다. 또한, 스텝 S60에 있어서, 경사 기구(45)는 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 수평 방향에 대하여 경사지도록 기판 홀더(30)를 경사지도록 해도 된다.

또한, 스텝 S20에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도(제1 왕복 이동 속도)와, 스텝 S50 및 스텝 S60에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도(제2 왕복 이동 속도)는, 동일한 값이어도 되고, 상이한 값이어도 된다. 스텝 S20에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도와, 스텝 S50 및 스텝 S60에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도가 상이한 경우, 스텝 S20의 경우 쪽이 스텝 S50 및 스텝 S60의 경우보다도 빨라도 되고, 혹은 느려도 된다.

단, 패들(70)에 왕복 이동 속도가 빠를수록, 기포 Bu의 제거 효과가 높아지는 경향이 있다. 또한, 일반적으로, 스텝 S20의 실행 개시 전의 경우 쪽이, 스텝 S50의 실행 개시 전의 경우보다도, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착되어 있는 기포 Bu의 양이 많을 것으로 생각된다. 그래서, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거한다는 관점에서는, 스텝 S20에 있어서의 패들(70)의 이동 속도를, 스텝 S50 및 스텝 S60에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도보다도 빠르게 하는 것이 바람직하다.

스텝 S20, 스텝 S50, 및 스텝 S60에 있어서의 패들(70)의 왕복 이동 속도의 구체적인 수치는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일례를 들면, 25(rpm) 이상, 400(rpm) 이하의 범위에서 선택된 값을 사용할 수 있고, 구체적으로는, 100(rpm) 이상, 300(rpm) 이하의 범위에서 선택된 값을 사용할 수 있고, 보다 구체적으로는, 150(rpm) 이상, 250(rpm) 이하의 범위에서 선택된 값을 사용할 수 있다. 여기서, 「패들(70)의 왕복 이동 속도가 N(rpm)」이란, 구체적으로는, 패들(70)이 1왕복하는 것(즉, 패들(70)이 소정 위치로부터 출발하여 예를 들어 제1 방향으로 이동 후에 제2 방향으로 이동하여 다시 제1 방향으로 이동하여 소정 위치로 되돌아간다는 것)을 1분간에 N회 행한다는 것을 의미한다.

또한, 도 6에 관한 플로는, 예를 들어, 도금 장치(1000)의 메인터넌스 시에 있어서 새로운 도금액 Ps(미사용의 도금액)를 도금조(10)에 공급할 때 실행해도 된다. 혹은, 도 6에 관한 플로는, 예를 들어, 도금 장치(1000)의 운전 중에 있어서, 어떠한 원인으로, 도금조(10)의 도금액 Ps의 저류량이 감소하여, 도금액 Ps의 액면이 이온 저항체(12)보다도 하방에 위치했기 때문에, 도금조(10)에 도금액 Ps를 보급할 때 실행해도 된다.

이상 설명한 바와 같은 본 실시 형태에 의하면, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다. 이에 의해, 이 부착된 기포 Bu에 기인하여, 기판 Wf의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.

(변형예 1)

도 7은 실시 형태의 변형예 1에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다. 도 7에 예시하는 바와 같은, 본 변형예에 관한 도금 방법은, 스텝 S30과 스텝 S40 사이에, 스텝 S35를 더 포함하고 있다는 점에서, 도 6에서 설명한 도금 방법과 상이하다.

스텝 S35에 있어서는, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 정지된 상태에서, 도금조(10)로부터 도금액 Ps를 오버플로시킨다.

구체적으로는, 본 변형예에 있어서는, 공급구(13)로부터 도금액 Ps를 공급함으로써, 도금조(10)로부터 도금액 Ps를 오버플로시킨다. 도금조(10)로부터 오버플로된 도금액 Ps는 오버플로 조(20)에 유입한다. 또한, 스텝 S35는, 미리 설정된 소정 시간 동안, 실행되면 된다. 이 소정 시간의 구체예는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 2초 이상 120초 이하 중에서 선택된 시간을 사용할 수 있다.

본 변형예에 따르면, 스텝 S35가 실행되므로, 이온 저항체(12)보다도 상방으로 부상한 기포 Bu를, 도금조(10)로부터 오버플로되는 도금액 Ps와 함께 도금조(10)의 외부로 배출시킬 수 있다. 이에 의해, 스텝 S40에 있어서 기판 Wf가 도금액 Ps에 침지될 때, 기판 Wf에 기포 Bu가 부착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.

또한, 이 스텝 S35에 있어서 도금조(10)에 공급되는 도금액 Ps의 유량은, 스텝 S60에 관한 도금 처리의 실행 중에 도금조(10)에 공급되는 도금액 Ps의 유량인 「기준 유량(L/min)」보다도, 많아도 되고, 적어도 되고, 혹은 동일해도 된다.

단, 스텝 S35에서 도금조(10)에 공급되는 도금액 Ps의 유량이 기준 유량보다도 많은 경우 쪽이, 그렇지 않는 경우와 비교하여, 스텝 S35에 있어서 도금조(10)의 도금액 Ps의 기포 Bu를 조기에 도금조(10)의 외부로 배출시킬 수 있다는 점에서 바람직하다.

(변형예 2)

도 8은 실시 형태의 변형예 2에 관한 도금 방법을 설명하기 위한 흐름도의 일례이다. 도 8의 플로는, 전술한 도 6의 스텝 S60의 실행 후에 실행된다. 본 변형예에 관한 도금 방법은, 스텝 S60의 실행 후에, 스텝 S70, 스텝 S80, 스텝 S90, 스텝 S100, 스텝 S110, 및 스텝 S120을 더 실행한다는 점에서, 도 6에서 전술한 도금 방법과 상이하다.

스텝 S70에 있어서는, 기판 Wf에 도금 처리를 실시한 후에, 기판 Wf를 도금액 Ps로부터 끌어올린다. 구체적으로는, 본 변형예에 있어서는, 승강 기구(50)에 의해, 기판 홀더(30)를 상방으로 이동시켜, 기판 Wf를 도금액 Ps로부터 끌어올린다.

이어서, 스텝 S80에 있어서, 기판 Wf가 도금액 Ps로부터 끌어올려진 상태에서, 이온 저항체(12)보다도 상방에 배치된 패들(70)을 구동함으로써, 도금액 Ps를 교반한다. 또한, 스텝 S80에 관한 패들(70)의 구동 양태는, 전술한 스텝 S20에 관한 패들(70)의 구동 양태와 마찬가지이기 때문에, 스텝 S80의 상세한 설명은 생략한다.

본 변형예에 의하면, 후술하는 제2 기판 Wf'이 도금액 Ps에 침지되기 전의 상태에 있어서, 가령, 도금액 Ps에 포함되는 기포 Bu가 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 경우에도, 스텝 S80에 관한 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반에 의해, 기포 Bu의 상방으로의 이동을 촉진시킬 수 있다. 이에 의해, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다.

이어서, 스텝 S90에 있어서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 정지시킨다. 이어서, 스텝 S100에 있어서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 정지된 상태에서, 「제2 기판 Wf'」을 도금액 Ps에 침지시킨다. 또한, 이 제2 기판 Wf'은, 스텝 S60에서 도금 처리가 실시된 기판 Wf 다음에 도금 처리가 실시되는 기판이다. 본 변형예에 있어서, 제2 기판 Wf'의 구체적인 구성은, 기판 Wf와 마찬가지이다. 또한, 스텝 S100은, 기판 Wf 대신에 제2 기판 Wf'을 사용하고 있는 점 이외, 전술한 스텝 S40과 마찬가지이다. 이 때문에, 스텝 S100의 상세한 설명은 생략한다.

본 변형예에 따르면, 스텝 S100에 있어서 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 정지된 상태에서 제2 기판 Wf'이 도금액 Ps에 침지되므로, 제2 기판 Wf'의 도금액 Ps에의 침지 시에, 도금액 Ps의 액면이 물결치는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 제2 기판 Wf'의 피도금면 Wfa에 기포 Bu가 다량으로 부착되는 것을 억제할 수 있다.

이어서, 스텝 S110에 있어서, 제2 기판 Wf'이 도금액 Ps에 침지된 상태에서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 재개시킨다. 구체적으로는, 이온 저항체(12)보다도 상방 또한 제2 기판 Wf'보다도 하방에 배치된 패들(70)을 제1 방향 및 제2 방향으로 교대로 구동함으로써, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반을 재개시킨다. 또한, 스텝 S110은, 기판 Wf 대신에 제2 기판 Wf'을 사용하고 있는 점 이외, 전술한 스텝 S50과 마찬가지이다. 이 때문에, 스텝 S110의 상세한 설명은 생략한다.

이어서, 스텝 S120에 있어서, 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 재개된 상태에서, 제2 기판 Wf'과 애노드(11) 사이에 전기를 흐르게 함으로써, 제2 기판 Wf'의 피도금면 Wfa에 도금 처리를 실시한다. 이에 의해, 제2 기판 Wf'의 피도금면 Wfa에, 금속으로 이루어지는 도금 피막이 형성된다. 또한, 스텝 S120은, 기판 Wf 대신에 제2 기판 Wf'을 사용하고 있는 점 이외, 전술한 스텝 S60과 마찬가지이다. 이 때문에, 스텝 S120의 상세한 설명은 생략한다. 스텝 S120과 같이, 제2 기판 Wf'에 대한 도금 처리 시에 패들(70)에 의한 도금액 Ps의 교반이 행해짐으로써, 도금 처리 시에 도금액 Ps를 제2 기판 Wf'의 피도금면 Wfa에 효과적으로 공급할 수 있다. 이에 의해, 제2 기판 Wf'에 도금 피막을 효과적으로 형성시킬 수 있다.

또한, 제2 기판 Wf'에 도금 처리를 실시한 후에, 제3 기판에 도금 처리를 실시하는 경우에는, 이 제3 기판에 대하여, 다시 도 8의 플로와 마찬가지의 플로를 실행하면 된다.

또한, 본 변형예에 있어서, 스텝 S90과 스텝 S100 사이에, 전술한 도 7의 스텝 S35를 실행해도 된다. 이 경우, 전술한 변형예 1에 관한 발명의 작용 효과를 더 발휘할 수 있다.

(변형예 3)

도 9는 실시 형태의 변형예 3에 관한 패들(70A)의 모식적인 평면도이다. 본 변형예에 관한 패들(70A)은 「복수의 교반 부재(71a)(즉, 제1 교반 부재 군)」, 교반 부재(71a)와 비교하여 연장 방향의 길이가 짧은 「복수의 교반 부재(71b, 71c, 71d, 71e)(즉, 제2 교반 부재 군)」를 더 구비하고 있다는 점에서, 전술한 도 5에 예시하는 패들(70)과 상이하다.

구체적으로는, 본 변형예에 관한 패들(70A)은 복수의 교반 부재(71a)의 제1 방향 측 및 제2 방향 측에, 각각, 교반 부재(71b, 71c, 71d, 71e)를 구비하고 있다.

또한, 도 9에 예시하는 바와 같이, 교반 부재(71b, 71c, 71d, 71e)는, 교반 부재(71a)로부터 멀어질수록, 그 연장 방향의 길이가 짧게 되어 있어도 된다. 또한, 교반 부재(71b, 71c, 71d, 71e)의 일단은, 연결 부재(72c)에 연결되어 있어도 되고, 그 타단은, 연결 부재(72d)에 연결되어 있어도 된다.

본 변형예에 따르면, 패들(70A)이 교반 부재(71b, 71c, 71d, 71e)를 구비하고 있으므로, 예를 들어, 도 5의 패들(70)과 비교하여, 패들(70A)이 일정 거리 이동했을 때의 패들(70A)이 교반 가능한 에어리어를 넓게 할 수 있다.

또한, 본 변형예에 관한 패들(70A)을 갖는 도금 장치(1000)는, 전술한 도 6에서 설명한 플로를 실행한다. 또한, 전술한 변형예 1이나 변형예 2에 있어서, 패들(70) 대신에, 본 변형예에 관한 패들(70A)을 사용해도 된다.

(변형예 4)

도 10은 실시 형태의 변형예 4에 관한 패들(70B)의 모식적인 평면도이다. 본 변형예에 관한 패들(70B)은, 소정 방향으로 연장되는 복수의 교반 부재(71f)와, 각각의 교반 부재(71f)의 양단을 연결하는 연결 부재(72e)를 구비하고, 연결 부재(72e)가 평면으로 보아 링 형상을 갖는 점에서, 도 5에 예시하는 패들(70)과 상이하다.

또한, 본 변형예에 관한 패들(70B)은, 구동 장치(77a) 및 구동 장치(77b)에 의해, 수평면 내에서 회전하도록 구동되는 점에서도, 도 5에 예시하는 패들(70)과 상이하다. 구체적으로는, 구동 장치(77a)는 패들(70B)의 연결 부재(72e)를 Y 방향 및 -Y 방향으로 교대로 구동한다. 구동 장치(77b)는 연결 부재(72e)를 -Y 방향 및 Y 방향으로 교대로 구동한다. 이에 의해, 패들(70B)은 링 형상의 연결 부재(72e)의 중심을 회전 중심으로 하여, 수평면 내에서, 제1 회전 방향(예를 들어 평면으로 보아 시계 방향의 방향) 및 제1 회전 방향과는 반대인 제2 회전 방향(예를 들어 평면으로 보아 반시계 방향의 방향)으로, 교호로 회전한다.

본 변형예에 있어서도, 패들(70B)에 의해 도금액 Ps를 교반할 수 있으므로, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다.

또한, 본 변형예에 관한 패들(70B)을 갖는 도금 장치(1000)는, 전술한 도 6에서 설명한 플로를 실행한다. 또한, 전술한 변형예 1이나 변형예 2에 있어서, 패들(70) 대신에, 본 변형예에 관한 패들(70B)을 사용해도 된다.

(변형예 5)

도 11은 실시 형태의 변형예 5에 관한 패들(70C)의 모식적인 평면도이다. 본 변형예에 관한 패들(70C)은 하니컴 구조를 갖는 복수의 교반 부재(73)를 구비하고 있다는 점에서, 도 5에 예시하는 패들(70)과 상이하다. 또한, 본 변형예에 관한 패들(70C)은, 도 11에 예시하는 바와 같이, 피복 프레임(75)과, 외측 프레임(76a, 76b)을 더 구비하고 있어도 된다.

각각의 교반 부재(73)는 상하 방향(연직 방향)으로 연장되는 다각형의 관통 구멍(73a)을 갖고 있다. 관통 구멍(73a)이 갖는 다각형의 구체적인 형상은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 칠각형, 팔각형 등, 다양한 N각형(N은 3 이상의 자연수)을 사용할 수 있다. 본 변형예에서는, 다각형의 일례로서, 육각형이 사용되고 있다.

또한, 복수의 교반 부재(73)는, 평면으로 보아, 사각 형상을 갖는 각형 부위(74a)를 갖고 있다. 구체적으로는, 본 변형예에 관한 각형 부위(74a)는, 수평 방향으로 연장됨과 함께 제1 방향 및 제2 방향에 대하여 수직인 방향(Y축의 방향)을 길이 방향으로 하는, 직사각형의 형상을 갖고 있다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 각형 부위(74a)는, 제1 방향 및 제2 방향을 길이 방향으로 하는 직사각형의 형상을 갖고 있어도 되고, 혹은 정사각형의 형상을 갖고 있어도 된다.

또한, 복수의 교반 부재(73)는 각형 부위(74a)에 있어서의 제1 방향 측의 측면으로부터 제1 방향 측으로 돌출되는 제1 돌출 부위(74b)와, 각형 부위(74a)에 있어서의 제2 방향 측의 측면으로부터 제2 방향 측으로 돌출되는 제2 돌출 부위(74c)를 갖고 있다. 즉, 본 변형예에 관한 복수의 교반 부재(73)의 외연은, 평면으로 보아, 각형 부위(74a)와 제1 돌출 부위(74b)와 제2 돌출 부위(74c)를 갖는 외관 형상을 나타내고 있다. 본 변형예에 관한 제1 돌출 부위(74b)는, 제1 방향 측으로 원호상(환언하면, 활 형상)으로 돌출되어 있다. 또한, 본 변형예에 관한 제2 돌출 부위(74c)는, 제2 방향 측으로 원호상(환언하면, 활 형상)으로 돌출되어 있다.

피복 프레임(75)은 복수의 교반 부재(73)의 외연을 덮도록 마련되어 있다. 외측 프레임(76a)은 피복 프레임(75)의 한쪽 측(Y 방향 측)의 측면에 접속되어 있다. 외측 프레임(76b)은 피복 프레임(75)의 다른 쪽 측(-Y 방향 측)의 측면에 접속되어 있다. 패들(70C)은 구동 장치(77)에 접속되어 있고, 이 구동 장치(77)에 의해, 제1 방향 및 제2 방향으로 교대로 구동된다. 구체적으로는, 본 변형예에 관한 패들(70C)은 패들(70C)의 외측 프레임(76b)이 구동 장치(77)에 접속되어 있다.

본 변형예에 있어서도, 패들(70C)에 의해 도금액 Ps를 교반할 수 있으므로, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 제거할 수 있다.

또한, 본 변형예에 따르면, 패들(70C)이 하니컴 구조를 갖고 있으므로, 패들(70C)이 하니컴 구조를 갖지 않고, 예를 들어 패들(70C)의 구동 방향에 수직인 방향으로 연장되는 봉 형상 또는 판상의 부재로 구성되어 있는 경우(예를 들어, 전술한 도 5와 같은 경우)와 비교하여, 복수의 교반 부재(73)의 배치 밀도를 많게 할 수 있다. 이에 의해, 패들(70C)에 의해, 도금액 Ps를 효과적으로 교반할 수 있다. 이 결과, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거할 수 있다.

또한, 본 변형예에 의하면, 패들(70C)의 복수의 교반 부재(73)가 각형 부위(74a)와 제1 돌출 부위(74b)와 제2 돌출 부위(74c)를 갖고 있으므로, 예를 들어, 복수의 교반 부재(73)가 각형 부위(74a)를 갖고 있지만 제1 돌출 부위(74b) 및 제2 돌출 부위(74c)를 갖고 있지 않은 경우와 비교하여, 패들(70C)이 일정 거리 이동했을 때의 패들(70C)이 교반 가능한 에어리어를 넓게 할 수 있다.

또한, 제1 돌출 부위(74b)와 제2 돌출 부위(74c) 간의 거리의 최댓값인 「패들 폭 D2」은, 기판 Wf의 피도금면 Wfa의 제1 방향에 있는 외연과 제2 방향에 있는 외연 간의 거리의 최댓값인 「기판 폭 D1(이 부호는 도 3에 예시되어 있음)」보다도 커도 되고, 작아도 된다. 혹은, 패들 폭 D2는 기판 폭 D1과 동일한 값이어도 된다.

단, 패들 폭 D2가 기판 폭 D1보다도 작은 경우 쪽이, 패들 폭 D2가 기판 폭 D1과 동일한 경우 또는 기판 폭 D1보다도 큰 경우와 비교하여, 패들(70C)과 도금조(10)의 외주벽(10b) 사이의 간극을 크게 확보할 수 있다. 이 결과, 도금조(10)의 내부에서의 패들(70C)의 제1 방향 및 제2 방향으로의 이동 거리(즉, 패들(70C)의 왕복 이동 시의 스트로크)를 크게 할 수 있다. 이에 의해, 패들(70C)에 의해 도금액 Ps를 효과적으로 교반할 수 있으므로, 이온 저항체(12)의 구멍(12a)에 부착된 기포 Bu를 효과적으로 제거할 수 있다. 이러한 관점에서, 패들 폭 D2는 기판 폭 D1보다도 작은 것이 바람직하다.

또한, 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 원형인 경우, 기판 폭 D1은, 피도금면 Wfa의 직경에 상당한다. 기판 Wf의 피도금면 Wfa가 사각형인 경우, 기판 폭 D1은, 피도금면 Wfa의 제1 방향에 있는 변과, 이 변에 대향하는 변(제2 방향에 있는 변) 간의 간격의 최댓값에 상당한다.

본 변형예에 관한 패들(70C)을 갖는 도금 장치(1000)는, 전술한 도 6에서 설명한 플로를 실행한다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 다른 일례를 들면, 본 변형예에 관한 도금 장치(1000)는, 패들(70C)에 의한 도금액 Ps의 교반을, 도금조(10)에의 도금액 Ps의 공급 시(스텝 S10, 스텝 S20) 및 기판 Wf에 대한 도금 처리 시(스텝 S50, 스텝 S60) 중 어느 한쪽의 경우에만, 실행해도 된다. 또한, 전술한 변형예 1(도 7)이나 변형예 2(도 8)에 있어서, 패들(70) 대신에, 본 변형예에 관한 패들(70C)을 사용해도 된다.

이상, 본 발명의 실시 형태나 변형예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태나 변형예에 한정되는 것은 아니며, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위 내에 있어서, 또 다른 다양한 변형·변경이 가능하다.

10: 도금조
11: 애노드
12: 이온 저항체
12a: 구멍
30: 기판 홀더
70, 70A, 70B, 70C: 패들
73: 교반 부재
73a: 관통 구멍
74a: 각형 부위
74b: 제1 돌출 부위
74c: 제2 돌출 부위
1000: 도금 장치
Wf: 기판
Ps: 도금액
Bu: 기포

Claims (3)

1. 애노드와,
   상기 애노드보다도 상방에 배치되어, 복수의 구멍을 갖는 이온 저항체가 배치된 도금조와,
   캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와,
   상기 이온 저항체보다도 상방 또한 상기 기판보다도 하방에 배치됨과 함께, 상기 이온 저항체의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 교대로 구동되어, 상기 도금조에 저류된 도금액을 교반하도록 구성된 패들을 구비하고,
   상기 패들은, 상하 방향으로 연장되는 다각형의 관통 구멍을 갖는 교반 부재를 복수 구비하는, 하니컴 구조를 갖고,
   복수의 상기 교반 부재는, 평면으로 보아, 사각 형상의 각형 부위와, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제1 방향 측의 측면으로부터 상기 제1 방향 측으로 돌출되는 제1 돌출 부위와, 상기 각형 부위의 상기 제2 방향 측의 측면으로부터 상기 제2 방향 측으로 돌출되는 제2 돌출 부위를 갖는, 도금 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 돌출 부위와 상기 제2 돌출 부위와의 거리의 최댓값인 패들 폭은, 도금 처리가 실시되는 상기 기판의 피도금면의 상기 제1 방향에 있는 외연과 상기 제2 방향에 있는 외연과의 거리의 최댓값인 기판 폭보다도 작은, 도금 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 돌출 부위는, 상기 각형 부위에 있어서의 상기 제1 방향 측의 측면으로부터 상기 제1 방향 측으로 원호상으로 돌출하고,
   상기 제2 돌출 부위는, 상기 각형 부위의 상기 제2 방향 측의 측면으로부터 상기 제2 방향 측으로 원호상으로 돌출하는, 도금 장치.

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