WO2021056950A1 - 在影像传感器晶片上制作滤光片的方法 - Google Patents

在影像传感器晶片上制作滤光片的方法 Download PDF

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范成至
周正三
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神盾股份有限公司
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    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof

Definitions

  • the invention relates to a method for manufacturing an optical component, and more particularly to a method for manufacturing a filter on an image sensor wafer.
  • the image sensor can be used for general photographing occasions, and can also be used for photographing the user's biological characteristics (such as fingerprints, palm prints, pupils or vein patterns, etc.), and then used for body identification purposes.
  • biological characteristics such as fingerprints, palm prints, pupils or vein patterns, etc.
  • an infrared cut-off filter is generally added to the image sensor module to block infrared light to avoid overexposure.
  • adding an infrared cut filter to the module easily makes the thickness of the module too thick, which is not conducive to the development of the current miniaturization of electronic devices.
  • the present invention is directed to a method for fabricating a filter on an image sensor wafer.
  • a thinner image sensor module can be fabricated, and can effectively solve the problem of integrating the filter process To the stress problem generated during wafer process.
  • An embodiment of the present invention provides a method for fabricating a filter on an image sensor chip, including: providing an image sensor chip, wherein the image sensor chip includes a plurality of sensing regions and non-sensing between and surrounding the sensing regions Measuring area; forming a patterned sacrificial layer on the non-sensing area; forming a filter layer on the entire surface, so that a first part of the filter layer covers the patterned sacrificial layer, and a second part of the filter layer covers these Sensing area; and removing the patterned sacrificial layer.
  • the patterned sacrificial layer is removed, the first part is also removed, and the remaining second part forms a plurality of filters respectively located on the sensing regions.
  • the method for fabricating a filter on an image sensor wafer in the embodiment of the present invention since the method of pre-forming a patterned sacrificial layer is used to pattern the filter layer, when the entire surface of the filter layer is formed on the image sensor wafer, The height difference generated by the patterned sacrificial layer causes the filter layer to have disconnected and discontinuous parts, thereby reducing the stress generated on the wafer when the filter layer is formed. In this way, the filter process can be integrated into the wafer process without stress problems. Therefore, the method of fabricating a filter on an image sensor chip using the embodiment of the present invention can effectively reduce the thickness of the image sensor module fabricated at the back end, and can solve the problem of integrating the filter process into the chip process. The resulting stress problem effectively improves the yield of the image sensor.
  • 1 to 5 are schematic cross-sectional views illustrating the process of a method of fabricating a filter on an image sensor chip according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 to 5 are schematic cross-sectional views illustrating the process of a method of fabricating a filter on an image sensor chip according to an embodiment of the present invention.
  • the method of fabricating a filter on an image sensor chip of this embodiment includes the following steps.
  • an image sensor chip 100 is provided.
  • the image sensor chip 100 includes a plurality of sensing regions 110 and non-sensing regions 120 between and around the sensing regions 110.
  • the image sensor chip 100 is, for example, a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor wafer (CIS wafer), but the invention is not limited thereto.
  • the image sensor chip 100 may also be a charge coupled device (CCD) chip.
  • CCD charge coupled device
  • Each sensing area 110 is a photosensitive area for sensing an image in the image sensor, which contains a plurality of pixels arranged in an array to sense the image.
  • the image sensor chip 100 can be cut through The sensing regions 110 are separated in a plurality of image sensor chips.
  • the non-sensing area 120 may include a plurality of conductive pads 122 or other peripheral circuits.
  • an image sensor chip 100 usually has multiple (for example, more than 3) sensors arranged in an array (for example, a two-dimensional array).
  • the area 110 is used to cut out a plurality of image sensor chips when the process is completed.
  • a photoresist layer 210 is formed on the entire surface of the image sensor wafer 100, for example, the photoresist layer 210 is spin-coated on the image sensor wafer 100 up. Then, the photoresist layer 210 is patterned and exposed. For example, as shown in FIG.
  • the photoresist layer 210 is made of a negative photoresist material (this method is more suitable for the photoresist type used, but the present invention is not limited to this).
  • the part 212 of the photoresist layer 210 on the non-sensing area 120 is exposed, and the photomask 50 is used to keep the part 214 of the photoresist layer 210 on the sensing area 110 from being exposed.
  • the patterned and exposed photoresist layer 210 is developed to leave the portion 212 of the photoresist layer 210 on the non-sensing area 120 to form a patterned sacrificial layer 200, as shown in FIG. 3 .
  • a filter layer 300 is formed on the entire surface.
  • the filter layer process can be sputtering or other physical vapor deposition (PVD), so that the filter layer 300 A first portion 310 of the patterned sacrificial layer 200 covers the patterned sacrificial layer 200, and a second portion 320 of the filter layer 300 covers the sensing area 110.
  • the step of forming the filter layer 300 on the entire surface is, for example, sputtering the filter layer 300 on the patterned sacrificial layer 200 and the sensing regions 110.
  • the filter layer 300 is a multilayer film, for example, a multilayer film that applies the principle of thin film interference to filter light.
  • the filter layer 300 is, for example, an infrared cut filter layer.
  • the patterned sacrificial layer 200 is removed.
  • the first part 310 is also removed, and the remaining second part 320 forms a plurality of filters located on the sensing regions 110, respectively. So far, the production of the filter on the image sensor chip 100 is completed.
  • these filters are, for example, infrared light cut filters formed by the above infrared light cut filter layer.
  • the step of removing the patterned sacrificial layer 200 is, for example, washing off the patterned sacrificial layer 200 with a solvent.
  • the method of fabricating a filter on an image sensor wafer of this embodiment since the method of forming a patterned sacrificial layer 200 in advance is used to pattern the filter layer 300, when the entire surface of the filter layer 300 is formed on the image sensor wafer When the patterned sacrificial layer 200 is above 100, the height difference generated by the patterned sacrificial layer 200 causes the filter layer 300 to have disconnected and discontinuous parts (for example, the first part 310 and the second part 320 are disconnected), thereby reducing the formation of the filter layer The stress generated on the wafer at 300 hours. In this way, the filter process can be integrated into the wafer process without stress problems.
  • using the method of fabricating a filter on an image sensor chip of this embodiment can effectively reduce the thickness of the image sensor module fabricated at the back end (because the filter is integrated with the chip), and can effectively improve The yield rate of the image sensor.
  • the integrated structure of the filter and the image sensor chip cut out by integrating the filter and the image sensor chip 100 of this embodiment can be used to assemble an optical fingerprint sensor module (for example, an under-screen fingerprint sensor module). ) Or a general camera module.
  • the range of the formed filter may cover and be slightly larger than the range of the sensing area 110 to prevent the infrared light from obliquely incident on the sensing area 110 from the edge of the filter. Therefore, when the patterned sacrificial layer 200 is formed, the edge of the patterned sacrificial layer 200 and the sensing area 110 can be kept at a proper minute distance, so that the first step that covers and is slightly larger than the sensing area 110 can be formed in the step of FIG. 4
  • the second part 320 further forms a filter covering and slightly larger than the sensing area 110 in the step of FIG. 5.
  • the present invention is not limited to this.
  • the edge of the filter may be aligned with the edge of the sensing area 110.
  • the method for fabricating a filter on an image sensor wafer in an embodiment of the present invention since the method of forming a patterned sacrificial layer in advance is used to pattern the filter layer, when the entire surface of the filter layer is formed When it is on an image sensor wafer, the height difference generated by the patterned sacrificial layer causes the filter layer to have disconnected and discontinuous parts, thereby reducing the stress generated on the wafer when the filter layer is formed. In this way, the filter process can be integrated into the wafer process without stress problems.
  • the method of fabricating a filter on an image sensor chip using the embodiment of the present invention can effectively reduce the thickness of the image sensor module fabricated at the back end, and can effectively solve the problem of integrating the filter process into the chip process The stress problem caused by the time, improve the yield of the image sensor.

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Abstract

一种在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，包括：提供一影像传感器晶片（100），其中影像传感器晶片（100）包括多个感测区（110）及这些感测区（110）之间与周围的非感测区（120）。在非感测区（120）上形成图案化牺牲层（200），整面形成一滤光层（300），而使滤光层（300）的第一部分（310）覆盖图案化牺牲层（200），使滤光层的一第二部分（320）覆盖这些感测区（110），以及移除图案化牺牲层（200）。当图案化牺牲层（200）被移除时，第一部分（310）也一并被移除，而留下来的第二部分（320）形成分别位于这些感测区（110）上的多个滤光片。

Description

在影像传感器晶片上制作滤光片的方法 技术领域
本发明涉及一种光学组件的制作方法，且特别是涉及一种在影像传感器晶片上制作滤光片的方法。
背景技术
随着光电技术的进步，影像传感器已被广泛地应用，并取代传统的感光底片。影像传感器可应用于一般拍摄照片的场合，也可应用于拍摄用户的生物特征(如指纹、掌纹、瞳孔或静脉纹等)，进而作为身分辨识的用途。
为了解决影像传感器在室外太阳光下使用容易有过曝的情形，一般会在影像传感器的模块上外加一片红外光截止滤光片(infrared cut-off filter)来阻绝红外光，以避免过曝。然而，在模块上外加红外光截止滤光片容易使模块的厚度过厚，而不利于目前电子装置小型化的发展。
发明内容
本发明是针对一种在影像传感器晶片(wafer)上制作滤光片的方法，利用此种方法可以制作出厚度较薄的影像感测模块，且可以有效解决将滤光片工艺(process)整合至晶片工艺时所产生的应力问题。
本发明的实施例提出一种在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，包括：提供一影像传感器晶片，其中影像传感器晶片包括多个感测区及这些感测区之间与周围的非感测区；在非感测区上形成图案化牺牲层；整面形成一滤光层，而使滤光层的一第一部分覆盖图案化牺牲层，且使滤光层的一第二部分覆盖这些感测区；以及移除图案化牺牲层。当图案化牺牲层被移除时，第一部分也一并被移除，而留下来的第二部分则形成分别位于这些感测区上的多个滤光片。
在本发明实施例在影像传感器晶片上制作滤光片的方法中，由于采用预先形成图案化牺牲层的方法来图案化滤光层，因此当滤光层整面形成于影像 传感器晶片上时，图案化牺牲层所产生的高度差使得滤光层会有断开而不连续的部分，进而降低形成滤光层时在晶片上所产生的应力。如此一来，便能够将滤光片工艺整合至晶片工艺中，且不会有应力问题的产生。因此，利用本发明的实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法可以有效降低后端所制作而成的影像感测模块的厚度，且可解决将滤光片工艺整合至晶片工艺时所产生的应力问题，有效提升影像传感器的良率。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1至图5为绘示本发明的一实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法的流程的剖面示意图。
附图标号说明
100：影像传感器晶片；
110：感测区；
120：非感测区；
122：导电接垫；
200：图案化牺牲层；
210：光刻胶层；
212、214：部分；
300：滤光层；
310：第一部分；
320：第二部分。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1至图5为绘示本发明的一实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法的流程的剖面示意图。请参照图1至图5，本实施例的在影像传感器 晶片上制作滤光片的方法包括下列步骤。首先，如图1所绘示，提供一影像传感器晶片100，其中影像传感器晶片100包括多个感测区110及这些感测区110之间与周围的非感测区120。在本实施例中，影像传感器晶片100例如为互补式金氧半导体影像传感器晶片(complementary metal oxide semiconductor(CMOS)image sensor wafer,CIS wafer)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，影像传感器晶片100亦可以是电荷耦合组件(charge coupled device,CCD)晶片。每一感测区110即为影像传感器中用以感测一个影像的感光区域，其内含多个排成阵列的像素，以感测影像，当工艺完毕时，可以透过切割影像传感器晶片100而使这些感测区110分开在多个影像传感器芯片(chip)中。非感测区120中可包括多个导电接垫122或其他周边线路。在图1中，仅以两个感测区110作为说明，但在实作上，一个影像传感器晶片100通常会有排成阵列(例如二维阵列)的多个(例如大于3个)感测区110，以便在工艺完成时切割出多个影像传感器芯片。
接着，请参考图2与图3所绘示，在本实施例中，在影像传感器晶片100上整面形成一光刻胶层210，例如是将光刻胶层210旋转涂布于影像传感器晶片100上。然后，对光刻胶层210进行图案化曝光。举例而言，如图2所绘示，当光刻胶层210是采用负性光刻胶材料时(此方式较适合采用的光刻胶型态，但本发明不以此为限)，可对光刻胶层210于非感测区120上的部分212曝光，并利用光罩50使光刻胶层210于感测区110上的部分214不曝光。接着，对图案化曝光后的光刻胶层210进行显影，以使光刻胶层210在非感测区120上的部分212留下来，以形成图案化牺牲层200，如图3所绘示。
之后，如图4所绘示，整面形成一滤光层300，此滤光层工艺可为溅镀(sputter)或是其他物理气象沉积(physical vapor deposition,PVD)，而使滤光层300的一第一部分310覆盖图案化牺牲层200，且使滤光层300的一第二部分320覆盖感测区110。在本实施例中，整面形成滤光层300的步骤例如是将滤光层300溅镀于图案化牺牲层200与这些感测区110上。在本实施例中，滤光层300为多层膜，例如是应用薄膜干涉原理来滤光的多层膜。此外，滤光层300例如为红外光截止滤光层。
在此之后，如图5所绘示，移除图案化牺牲层200。当图案化牺牲层200被移除时，第一部分310也一并被移除，而留下来的第二部分320则形成分 别位于这些感测区110上的多个滤光片。至此，即完成在影像传感器晶片100上制作滤光片。在本实施例中，这些滤光片例如是由上述红外光截止滤光层所形成的红外光截止滤光片。此外，在本实施例中，移除图案化牺牲层200的步骤例如是利用溶剂洗去图案化牺牲层200。
在本实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法中，由于采用预先形成图案化牺牲层200的方法来图案化滤光层300，因此当滤光层300整面形成于影像传感器晶片100上时，图案化牺牲层200所产生的高度差使得滤光层300会有断开而不连续的部分(例如第一部分310与第二部分320是断开的)，进而降低形成滤光层300时在晶片上所产生的应力。如此一来，便能够将滤光片工艺整合至晶片工艺中，且不会有应力问题的产生。因此，利用本实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法可以有效降低后端所制作而成的影像感测模块的厚度(因为滤光片与晶片整合在一起)，且可有效提升影像传感器的良率。本实施例的将滤光片与影像传感器晶片100整合后而切割出的滤光片与影像传感器芯片的整合结构，可用来组装成光学式指纹感测模块(例如是屏下式指纹感测模块)或一般的相机模块。
在本实施例中，所形成的滤光片的范围可以是涵盖且略大于感测区110的范围，以避免红外光从滤光片的边缘斜向入射至感测区110。因此，在形成图案化牺牲层200时，可使图案化牺牲层200的边缘与感测区110保持适当的微小间距，以便在图4的步骤中能够形成涵盖且略大于感测区110的第二部分320，进而在图5的步骤中形成涵盖且略大于感测区110的滤光片。然而，本发明不以此为限，在其他实施例中，也可以是使滤光片的边缘与感测区110的边缘切齐。
综上所述，在本发明的实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法中，由于采用预先形成图案化牺牲层的方法来图案化滤光层，因此当滤光层整面形成于影像传感器晶片上时，图案化牺牲层所产生的高度差使得滤光层会有断开而不连续的部分，进而降低形成滤光层时在晶片上所产生的应力。如此一来，便能够将滤光片工艺整合至晶片工艺中，且不会有应力问题的产生。因此，利用本发明的实施例的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法可以有效降低后端所制作而成的影像感测模块的厚度，且可有效解决将滤光片工艺整合至晶片工艺时所产生的应力问题，提升影像传感器的良率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

  1. 一种在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，包括：
    提供影像传感器晶片，其中所述影像传感器晶片包括多个感测区及所述多个感测区之间与周围的非感测区；
    在所述非感测区上形成图案化牺牲层；
    整面形成滤光层，而使所述滤光层的第一部分覆盖所述图案化牺牲层，且使所述滤光层的第二部分覆盖所述多个感测区；以及
    移除所述图案化牺牲层，其中当所述图案化牺牲层被移除时，所述第一部分也一并被移除，而留下来的所述第二部分则形成分别位于所述多个感测区上的多个滤光片。
  2. 根据权利要求1所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，在所述非感测区上形成所述图案化牺牲层的步骤包括：
    在所述影像传感器晶片上整面形成光刻胶层；
    对所述光刻胶层进行图案化曝光；以及
    对图案化曝光后的所述光刻胶层进行显影，以使所述光刻胶层在所述非感测区上的部分留下来，以形成所述图案化牺牲层。
  3. 根据权利要求2所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，移除所述图案化牺牲层的步骤包括利用溶剂洗去所述图案化牺牲层。
  4. 根据权利要求2所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，在所述影像传感器晶片上整面形成所述光刻胶层的步骤包括将所述光刻胶层旋转涂布于所述影像传感器晶片上。
  5. 根据权利要求1所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，所述滤光层为多层膜。
  6. 根据权利要求1所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，所述多个滤光片为红外光截止滤光片。
  7. 根据权利要求1所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，整面形成所述滤光层的步骤包括将所述滤光层溅镀于所述图案化牺 牲层与所述多个感测区上。
  8. 根据权利要求1所述的在影像传感器晶片上制作滤光片的方法，其特征在于，所述非感测区中包括多个导电接垫。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM596974U (zh) * 2019-09-23 2020-06-11 神盾股份有限公司 影像感測模組
CN111860469A (zh) * 2020-04-24 2020-10-30 神盾股份有限公司 指纹感测模块及电子装置
CN111627948B (zh) * 2020-06-05 2023-04-28 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种具有片上滤光片的ccd结构
TWI733533B (zh) * 2020-07-23 2021-07-11 眾福科技股份有限公司 顯示裝置及其之透光蓋板
CN113298028A (zh) * 2020-11-03 2021-08-24 神盾股份有限公司 电子装置以及指纹影像校正方法
TWI799943B (zh) * 2021-08-12 2023-04-21 致伸科技股份有限公司 鏡頭模組與應用於其中之製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102620826A (zh) * 2011-01-26 2012-08-01 美士美积体产品公司 具有集成于芯片上的红外截止干涉滤光片与色彩滤光片的光传感器
CN102789142A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 英特赛尔美国股份有限公司 用于促进剥离工艺的系统及方法
CN204887163U (zh) * 2014-06-26 2015-12-16 半导体元件工业有限责任公司 图像像素阵列和照相机模块
CN106910756A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 采钰科技股份有限公司 影像传感器及拍摄装置
CN109815783A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 台湾积体电路制造股份有限公司 感测设备

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784409B2 (en) * 2000-03-28 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
JP2003198897A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 光モジュール、回路基板及び電子機器
JP2004064272A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 West Electric Co Ltd カメラモジュール
TWI222178B (en) * 2003-11-12 2004-10-11 United Microelectronics Corp Manufacturing method of image sensor device
CN100459140C (zh) * 2004-06-15 2009-02-04 富士胶片株式会社 固态成像器件及其制造方法和照相机模块
US7329856B2 (en) * 2004-08-24 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method
DE102006004802B4 (de) * 2006-01-23 2008-09-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bilderfassungssystem und Verfahren zur Herstellung mindestens eines Bilderfassungssystems
CN101039381B (zh) * 2006-03-17 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测模块及其制造方法
JP4950542B2 (ja) * 2006-04-07 2012-06-13 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US7732844B2 (en) * 2006-11-03 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Crosstalk improvement through P on N structure for image sensor
US7528420B2 (en) * 2007-05-23 2009-05-05 Visera Technologies Company Limited Image sensing devices and methods for fabricating the same
US9231012B2 (en) * 2007-08-01 2016-01-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor package
JP5162607B2 (ja) * 2010-02-10 2013-03-13 株式会社ＡＡＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｊａｐａｎ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｅｒ カメラモジュールの組み立て方法
KR20110137700A (ko) * 2010-06-17 2011-12-23 삼성전자주식회사 광학 장치 및 광학장치를 이용한 이미징 장치
TW201210006A (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Pixart Imaging Inc Image sensing device
CN103633102B (zh) * 2012-08-21 2016-12-28 光宝电子(广州)有限公司 窗口式影像感测芯片的模块结构
CN103367382B (zh) * 2013-07-23 2016-03-09 格科微电子（上海）有限公司 一种图像传感器芯片的晶圆级封装方法
TWI725449B (zh) * 2014-06-18 2021-04-21 美商唯亞威方案公司 金屬介電光學濾光器、感測器裝置及製造方法
CN104954651B (zh) * 2015-06-17 2018-10-02 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组及其制造方法、电子产品
US10038026B2 (en) * 2015-06-25 2018-07-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bond pad structure for bonding improvement
KR102472566B1 (ko) * 2015-12-01 2022-12-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
CN107591419B (zh) * 2016-07-07 2019-09-17 艾普特佩克股份有限公司 光传感器封装体模块及相机模块
CN108696672A (zh) * 2017-04-07 2018-10-23 宁波舜宇光电信息有限公司 基于红外吸收结构的摄像模组及其应用
CN107071253A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 深圳奥比中光科技有限公司 结构紧凑的光场相机
CN110120397A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 上海珏芯光电科技有限公司 成像器件、摄像头模组及制造方法
CN109246348B (zh) * 2018-11-05 2021-10-19 中芯集成电路（宁波）有限公司 镜头模组及其封装方法、电子设备
TWM596974U (zh) * 2019-09-23 2020-06-11 神盾股份有限公司 影像感測模組

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102620826A (zh) * 2011-01-26 2012-08-01 美士美积体产品公司 具有集成于芯片上的红外截止干涉滤光片与色彩滤光片的光传感器
CN102789142A (zh) * 2011-05-18 2012-11-21 英特赛尔美国股份有限公司 用于促进剥离工艺的系统及方法
CN204887163U (zh) * 2014-06-26 2015-12-16 半导体元件工业有限责任公司 图像像素阵列和照相机模块
CN106910756A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 采钰科技股份有限公司 影像传感器及拍摄装置
CN109815783A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 台湾积体电路制造股份有限公司 感测设备

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