TWI600147B - 製造影像感測器之方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種影像感測器,且特別是有關於製造具紅外光偵測功能的影像感測器之方法。
影像感測器已廣泛使用在各種影像應用和產品上,例如智慧型手機、數位相機、掃描器等。另外,具有紅外光偵測功能的影像感測器可偵測紅外光和可見光,以得到更多的資訊。具有紅外光偵測功能的影像感測器可應用在例如虹膜辨識、物件偵測和類似的安全應用上。
本發明的目的是在於提供製造具紅外光偵測功能的影像感測器之方法,藉由本發明之方法所製造出的影像感測器相較於習知方法所製造出的影像感測器具有高影像感測準確度。
根據本發明之上述目的,提出一種製造影像感測器之方法,此方法包含:提供基板;在基板之第一區域上形成第一紅外線濾光元件;在基板和第一紅外線濾光元件上沉積第二紅外線濾光元件,其中沉積之第二紅外線濾光元件
覆蓋第一紅外線濾光元件;以及降低第二紅外線濾光元件之高度至暴露出第一紅外線濾光元件,其中降低之第二紅外線濾光元件在基板之第二區域上且鄰接第一紅外線濾光元件。
依據本發明之一實施例,上述降低之第二紅外線濾光元件之高度等於或低於上述第一紅外線濾光元件之高度。
依據本發明之又一實施例,上述方法更包含:在第一紅外線濾光元件和降低之第二紅外線濾光元件上形成平坦層;在平坦層上形成第三紅外線濾光元件,其中第三紅外線濾光元件位於第一紅外線濾光元件之上方;以及在平坦層上形成彩色濾光元件,其中彩色濾光元件位於降低之第二紅外線濾光元件之上方。
依據本發明之又一實施例,上述第三紅外線濾光元件係紅外線通過濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述彩色濾光元件係形成以具有紅色光濾光部、藍色光濾光部和綠色光濾光部。
依據本發明之又一實施例,上述第一紅外線濾光元件係紅外線通過濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第一紅外線濾光元件係白色濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第二紅外線濾光元件係紅外線截止濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第一紅外線濾光元件係形成以包含光敏感性材料。
依據本發明之又一實施例,上述基板係提供以在第一區域中具有用以偵測紅外線光之第一光二極體且在第二區域中具有用以偵測可見光之第二光二極體。
根據本發明之上述目的,另提出一種製造影像感測器之方法,此方法包含:提供基板,其中基板具有第一區域和第二區域;在基板上形成平坦層;在平坦層上形成第一紅外線濾光元件,其中第一紅外線濾光元件位於基板之第一區域之上方;在平坦層上形成彩色濾光元件,其中彩色濾光元件位於基板之第二區域之上方;在第一紅外線濾光元件上形成第二紅外線濾光元件;在第二紅外線濾光元件和彩色濾光元件上沉積第三紅外線濾光元件,其中沉積之第三紅外線濾光元件覆蓋第二紅外線濾光元件;以及降低第三紅外線濾光元件之高度至暴露出第二紅外線濾光元件,其中降低之第三紅外線濾光元件在基板之第二區域上方且鄰接第二紅外線濾光元件。
依據本發明之一實施例,上述降低之第三紅外線濾光元件之高度等於或低於上述第二紅外線濾光元件之高度。
依據本發明之又一實施例,上述第一紅外線濾光元件係紅外線通過濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第二紅外線濾光元件係紅外線通過濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第二紅外線濾光元件係白色濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第三紅外線濾光元件係紅外線截止濾光元件。
依據本發明之又一實施例,上述第二紅外線濾光元件係形成以包含光敏感性材料。
依據本發明之又一實施例,上述彩色濾光元件係形成以具有紅色光濾光部、藍色光濾光部和綠色光濾光部。
依據本發明之又一實施例,上述基板係提供以在第一區域中具有用以偵測紅外線光之第一光二極體且在第二區域中具有用以偵測可見光之第二光二極體。
根據本發明之上述目的,另提出一種製造影像感測器之方法,此方法包含:提供基板,其中基板具有第一區域和第二區域;在基板上形成平坦層;在平坦層上形成彩色濾光元件,其中彩色濾光元件位於基板之第一區域之上方;在平坦層上形成紅外線通過濾光元件,其中紅外線通過濾光元件位於基板之第二區域之上方;在彩色濾光元件和紅外線通過濾光元件上沉積紅外線截止濾光元件,其中沉積之紅外線截止濾光元件覆蓋紅外線通過濾光元件;以及降低紅外線截止濾光元件之高度至暴露出紅外線通過濾光元件,其中降低之紅外線截止濾光元件在基板之第一區域上方且鄰接紅外線通過濾光元件。
100、200、300、400、500‧‧‧影像感測器
100B、300B‧‧‧藍色像素區
100C、300C‧‧‧彩色像素區
100G、300G‧‧‧綠色像素區
100IR、300IR‧‧‧紅外線像素區
100R、300R‧‧‧紅色像素區
110、210、310、410、510‧‧‧基板
110A、210A、310A、410A、510A‧‧‧可見光感測區域
110B、210B、310B、410B、510B‧‧‧紅外光感測區域
121、221、331、431、541‧‧‧第一紅外線濾光元件
122、222、341、441、542‧‧‧第二紅外線濾光元件
130、230、320、420、520‧‧‧平坦層
141、241、342、442‧‧‧第三紅外線濾光元件
142、242、332、432、530‧‧‧彩色濾光元件
142B、242B、332B、432B、530B‧‧‧藍色光濾光部
142G、242G、332G、432G、530G‧‧‧綠色光濾光部
142R、242R、332R、432R、530R‧‧‧紅色光濾光部
150、250、350、450、550‧‧‧間隔層
160、260、360、460、560‧‧‧微透鏡層
H221、H222、H441、H442‧‧‧高度
為了更完整了解實施例及其優點,現參照結合所附圖式所做之下列描述,其中:〔圖1〕係繪示依據本發明實施例之影像感測器的剖面示意圖;〔圖2A〕至〔圖2E〕係繪示依據本發明實施例之製造影像感測器的各種中間階段之示意圖;〔圖3〕係繪示依據本發明實施例之影像感測器的剖面示意圖;〔圖4A〕至〔圖4E〕係繪示依據本發明實施例之製造影像感測器的各種中間階段之示意圖;以及〔圖5〕係繪示依據本發明實施例之影像感測器的剖面示意圖。
請參照圖1,其繪示依據本發明實施例之影像感測器100的剖面示意圖。影像感測器100可為背側照光式(back-side illuminated;BSI)或前側照光式(front-side illuminated;FSI)互補式金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor;CMOS)影像感測器、電荷耦合元件(charge coupled device;CCD)影像感測器或其他相似的影像感測器。影像感測器100包含排列為一矩陣的多個感測像素。每一個感測像素具有用以偵測可見光的彩色像素區100C和用以偵測紅外光的紅外線像素區100IR。為方便說明,圖1僅繪示出一個彩色
像素區100C和一個紅外線像素區100IR(即一個感測像素)。彩色像素區100C包含用以偵測在紅色光頻帶中之入射光的紅色像素區100R、用以偵測在藍色光頻帶中之入射光的藍色像素區100B和用以偵測在綠色光頻帶中之入射光的綠色像素區100G。
影像感測器100包含基板110、第一紅外線濾光元件121、第二紅外線濾光元件122、平坦層130、第三紅外線濾光元件141、彩色濾光元件142、間隔層150和微透鏡層160。如圖1所示,基板110在每一個感測像素中具有可見光感測區域110A和紅外光感測區域110B。在基板110中,三個光二極體(圖未繪示)可分別配置在紅色像素區100R、藍色像素區100B和綠色像素區100G中,以分別偵測紅色光、藍色光和綠色光,且紅外線光二極體(圖未繪示)可配置在紅外線像素區100IR中以偵測紅外光。
第一紅外線濾光元件121設置在基板110的紅外光感測區域110B上,其允許紅外光通過。在一些實施例中,第一紅外線濾光元件121為紅外線通過濾光元件,其可阻擋波長小於850奈米的入射光。
第二紅外線濾光元件122設置在基板110的可見光感測區域110A上且鄰接第一紅外線濾光元件121,其允許可見光通過。在一些實施例中,第二紅外線濾光元件122為紅外線截止濾光元件,其可阻擋波長大於850奈米的入射光。
平坦層130設置在第一紅外線濾光元件121和第二紅外線濾光元件122上,其提供平坦表面以使第三紅外線濾光元件141和彩色濾光元件142設置在其上。第三紅外線濾光元件141和彩色濾光元件142分別設置在紅外線像素區100IR和彩色像素區100C中。與第一紅外線濾光元件121相同,第三紅外線濾光元件141允許紅外光通過。在一些實施例中,第三紅外線濾光元件141為紅外線通過濾光元件,其可阻擋波長小於850奈米的入射光。在此情況下,第一紅外線濾光元件121可另為白色濾光元件,其允許紅外光和可見光通過,以提升光通量。彩色濾光元件142具有紅色光濾光部142R、藍色光濾光部142B和綠色光濾光部142G,其分別允許紅色光、藍色光和綠色光通過。
間隔層150設置在第三紅外線濾光元件141和彩色濾光元件142上,且微透鏡層160設置在間隔層150上。間隔層150被設置以使微透鏡層160與第三紅外線濾光元件141和彩色濾光元件142保持分離。如圖1所示,在微透鏡層160的光接收側具有多個凸狀結構,其用以聚焦入射光至光二極體(圖未繪示)和紅外線光二極體(圖未繪示),以為了增加影像感測器100的感光度。每一個凸狀結構對應至一次像素區域(即紅色像素區域、藍色像素區域、綠色像素區域或紅外光像素區域)。在另一實施例中,微透鏡層160可另為直接設置在第三紅外線濾光元件141和彩色濾光元件142上。
請參照圖2A至圖2E,其繪示依據本發明實施例之製造影像感測器200的各種中間階段之示意圖。影像感測器200可為圖1所示之影像感測器100或其他相似的影像感測器。在圖2A中,基板210被提供,且第一紅外線濾光元件221被形成在基板210上。基板210可被形成以包含半導體晶圓、絕緣層覆矽基板或玻璃基板,但不限於此。基板210在每一個感測像素中具有可見光感測區域210A和紅外光感測區域210B,且可被提供以在可見光感測區域210A中具有三個光二極體(圖未繪示),其分別用以偵測紅色光、藍色光和綠色光,且在紅外光感測區域210B中具有紅外線光二極體(圖未繪示),其用以偵測紅外光。第一紅外線濾光元件221可為紅外線通過濾光元件,其可被形成以允許紅外光通過。第一紅外線濾光元件221可被形成以包含光敏感性材料,且可藉由利用微影圖案化製程或其他合適的製程形成在基板210上且在紅外光感測區域210B之上方。在其他實施例中,第一紅外線濾光元件221可為白色濾光元件,其被形成以允許紅外光和可見光通過,以提升光通量。
在圖2B中,第二紅外線濾光元件222被形成在第一紅外線濾光元件221上。第二紅外線濾光元件222可為紅外線截止濾光元件,其藉由利用塗佈製程或其他合適的製程完成而形成,且其包含可蝕刻材料。
在圖2C中,藉由利用回蝕刻(etching back)製程降低第二紅外線濾光元件222的高度至暴露出第一紅外線濾光元件221。在降低第二紅外線濾光元件222的高度
後,第二紅外線濾光元件222的高度H222等於或低於第一紅外線濾光元件221的高度H221。在特定實施例中,第二紅外線濾光元件222之上表面的粗糙度大於第一紅外線濾光元件221的粗糙度。
在圖2D中,平坦層230被形成在第一紅外線濾光元件221和第二紅外線濾光元件222上。平坦層230可藉由利用塗佈製程形成以包含丙烯酸(acrylic)材料、環氧樹脂(epoxy)材料或其他合適的材料。
在圖2E中,第三紅外線濾光元件241和彩色濾光元件242被形成在平坦層230上,且間隔層250和微透鏡層260依序被形成在第三紅外線濾光元件241和彩色濾光元件242上。第三紅外線濾光元件241可為紅外線通過濾光元件,其可被形成以包含光敏感性材料,且可藉由利用微影圖案化製程或其他合適的製程形成在平坦層230上且在紅外光感測區域210B之上方。彩色濾光元件242被形成在可見光感測區域210A之上方,其具有紅色光濾光部242R、藍色光濾光部242B和綠色光濾光部242G,且紅色光濾光部242R、藍色光濾光部242B和綠色光濾光部242G之每一者可藉由利用圖案化製程或其他習知合適的製程形成以具有所需顏色之染料或顏料有機聚合物。間隔層250可藉由利用沉積製程或其他習知製程形成以具有玻璃材料或其他光學透明材料。微透鏡層260可被形成以具有任何具高穿透率的合適材料,例如丙烯酸或其他合適的材料。微透鏡層260可藉由利用旋轉塗佈(spin-on)技術形成,在其光接收側具
有多個凸狀結構,其中每一個凸狀結構分別對應紅色光濾光部242R、藍色光濾光部242B和綠色光濾光部242G。此方法被進行以產生微透鏡層260,其中每一凸出部分具有實質相同的厚度。在一些實施例中,其他製程,例如物理氣相沈積(physical vapor deposition;PVD)、化學氣相沈積(chemical vapor deposition;CVD)和/或類似者,亦可用於形成微透鏡層260。在其他實施例中,微透鏡層260直接被形成在第三紅外線濾光元件241和彩色濾光元件242上。
在圖2A至圖2E所繪示之方法中,第二紅外線濾光元件222藉由回蝕刻製程形成,而非藉由圖案化製程形成,且因此可確保第一紅外線濾光元件221和第二紅外線濾光元件222形成後不會有間隙在此兩者之間,使得影像感測器提供高影像偵測準確度。
請參照圖3,其繪示依據本發明實施例之影像感測器300的剖面示意圖。與圖1之影像感測器100相似,影像感測器300可為背側照光式或前側照光式互補式金屬氧化物半導體影像感測器、電荷耦合元件影像感測器或其他相似的影像感測器。影像感測器300包含排列為一矩陣的多個感測像素。每一個感測像素具有用以偵測可見光的彩色像素區300C和用以偵測紅外光的紅外線像素區300IR。為方便說明,圖3僅繪示出一個彩色像素區300C和一個紅外線像素區300IR(即一個感測像素)。彩色像素區300C包含用以偵測在紅色光頻帶中之入射光的紅色像素區300R、用以偵測
在藍色光頻帶中之入射光的藍色像素區300B和用以偵測在綠色光頻帶中之入射光的綠色像素區300G。
影像感測器300包含基板310、平坦層320、第一紅外線濾光元件331、彩色濾光元件332、第二紅外線濾光元件341、第三紅外線濾光元件342、間隔層350和微透鏡層360。如圖3所示,基板310在每一個感測像素中具有可見光感測區域310A和紅外光感測區域310B。在基板310中,三個光二極體(圖未繪示)可分別配置在紅色像素區300R、藍色像素區300B和綠色像素區300G中,以分別偵測紅色光、藍色光和綠色光,且紅外線光二極體(圖未繪示)可配置在紅外線像素區300IR中以偵測紅外光。
平坦層320設置在基板310上,其提供平坦表面以使第一紅外線濾光元件331和彩色濾光元件332設置在其上。第一紅外線濾光元件331和彩色濾光元件332分別設置在紅外線像素區300IR和彩色像素區300C中,以分別允許紅外光和可見光通過。在一些實施例中,第一紅外線濾光元件331為紅外線通過濾光元件,其可阻擋波長小於850奈米的入射光。彩色濾光元件332具有紅色光濾光部332R、藍色光濾光部332B和綠色光濾光部332G,其分別允許紅色光、藍色光和綠色光通過。
第二紅外線濾光元件341設置在第一紅外線濾光元件331上且位於基板310之紅外光感測區域310B的上方,其允許紅外光通過。在一些實施例中,第二紅外線濾光元件341為紅外線通過濾光元件,其可阻擋波長小於850奈
米的入射光。在其他實施例中,第二紅外線濾光元件341為白色濾光元件,其允許紅外光和可見光通過,以提升光通量。
第三紅外線濾光元件342設置在彩色濾光元件332上且位於基板310之可見光感測區域310A的上方,其鄰接第二紅外線濾光元件341且允許可見光通過。在一些實施例中,第三紅外線濾光元件342為紅外線截止濾光元件,其可阻擋波長大於850奈米的入射光。
間隔層350設置在第二紅外線濾光元件341和第三紅外線濾光元件342上,且微透鏡層360設置在間隔層350上。間隔層350被設置以使微透鏡層360與第二紅外線濾光元件341和第三紅外線濾光元件342保持分離。如圖3所示,在微透鏡層360的光接收側具有多個凸狀結構,其用以聚焦入射光至光二極體(圖未繪示)和紅外線光二極體(圖未繪示),以為了增加影像感測器300的感光度。每一個凸狀結構對應至一次像素區域(即紅色像素區域、藍色像素區域、綠色像素區域或紅外光像素區域)。在另一些實施例中,微透鏡層360可另為直接設置在第二紅外線濾光元件341和第三紅外線濾光元件342上。
請參照圖4A至圖4E,其繪示依據本發明實施例之製造影像感測器400的各種中間階段之示意圖。影像感測器400可為圖3所示之影像感測器300或其他相似的影像感測器。在圖4A中,基板410被提供,平坦層420被形成在基板410上,且第一紅外線濾光元件431和彩色濾光元件432被形成在平坦層420上。基板410可被形成以包含半導體晶
圓、絕緣層覆矽基板或玻璃基板,但不限於此。基板410在每一個感測像素中具有可見光感測區域410A和紅外光感測區域410B,且可被提供以在可見光感測區域410A中具有三個光二極體(圖未繪示),其分別用以偵測紅色光、藍色光和綠色光,且在紅外光感測區域410B中具有紅外線光二極體(圖未繪示),其用以偵測紅外光。平坦層420可藉由利用塗佈製程形成以包含丙烯酸材料、環氧樹脂材料或其他合適的材料。第一紅外線濾光元件431可為紅外線通過濾光元件,其可被形成以包含光敏感性材料,且可藉由利用微影圖案化製程或其他合適的製程形成在平坦層420上且在紅外光感測區域410B之上方。彩色濾光元件432被形成在可見光感測區域410A之上方,其具有紅色光濾光部432R、藍色光濾光部432B和綠色光濾光部432G,且紅色光濾光部432R、藍色光濾光部432B和綠色光濾光部432G之每一者可藉由利用圖案化製程或其他習知合適的製程形成以具有所需顏色之染料或顏料有機聚合物。
在圖4B中,第二紅外線濾光元件441被形成在第一紅外線濾光元件431上。第二紅外線濾光元件441可為紅外線通過濾光元件,其可被形成以允許紅外光通過。第二紅外線濾光元件441可藉由利用微影圖案化製程或其他合適的製程形成,其包含光敏感性材料。在其他實施例中,第二紅外線濾光元件441可為白色濾光元件,其被形成以允許紅外光和可見光通過,以提升光通量。
在圖4C中,第三紅外線濾光元件442被形成在彩色濾光元件432和第二紅外線濾光元件441上。第三紅外線濾光元件442可為紅外線截止濾光元件,其藉由利用塗佈製程或其他合適的製程完成而形成,且其包含可蝕刻材料。
在圖4D中,藉由利用回蝕刻製程降低第三紅外線濾光元件442的高度至暴露出第二紅外線濾光元件441。在降低第三紅外線濾光元件442的高度後,第三紅外線濾光元件442的高度H442等於或低於第二紅外線濾光元件441的高度H441。在特定實施例中,第三紅外線濾光元件442之上表面的粗糙度大於第二紅外線濾光元件441的粗糙度。
在圖4E中,間隔層450和微透鏡層460依序被形成在第二紅外線濾光元件441和第三紅外線濾光元件442上。間隔層450可藉由利用沉積製程或其他習知製程形成以具有玻璃材料或其他光學透明材料。微透鏡層460可被形成以具有任何具高穿透率的合適材料,例如丙烯酸或其他合適的材料。微透鏡層460可藉由利用旋轉塗佈技術形成,在其光接收側具有多個凸狀結構,其中每一個凸狀結構分別對應紅色光濾光部432R、藍色光濾光部432B和綠色光濾光部432G。此方法被進行以產生微透鏡層460,其中每一凸出部分具有實質相同的厚度。在一些實施例中,其他製程,例如物理氣相沈積、化學氣相沈積和/或類似者,亦可用於形成微透鏡層460。在其他實施例中,微透鏡層460直接被形成在第二紅外線濾光元件441和第三紅外線濾光元件442上。
相似於圖2A至圖2E所繪示之方法,在圖4A至圖4E所繪示之方法中,第三紅外線濾光元件442藉由回蝕刻製程形成,而非藉由圖案化製程形成,且因此可確保第二紅外線濾光元件441和第三紅外線濾光元件442形成後不會有間隙在此兩者之間,使得影像感測器提供高影像偵測準確度。
請參照圖5,其繪示依據本發明實施例之影像感測器500的剖面示意圖。影像感測器500包含基板510(其具有可見光感測區域510A和紅外光感測區域510B)、平坦層520、彩色濾光元件530(其具有紅色光濾光部530R、藍色光濾光部530B和綠色光濾光部530G)、第一紅外線濾光元件541、第二紅外線濾光元件542、間隔層550和微透鏡層560。相較於影像感測器300,在影像感測器500中,僅有一紅外線濾光元件結構(即第一紅外線濾光元件541)設置在紅外光感測區域510B之上方。相同於影像感測器400中的第一紅外線濾光元件431,第一紅外線濾光元件541可為紅外線通過濾光元件,其可藉由利用微影圖案化製程或其他合適的製程形成,且其包含光敏感性材料,且在基板210上且在紅外光感測區域210B之上方。影像感測器500中的其他元件,即基板510、平坦層520、彩色濾光元件530、第二紅外線濾光元件542、間隔層550和微透鏡層560等,分別與影像感測器300中的基板310、平坦層320、彩色濾光元件332、第三紅外線濾光元件342、間隔層350微透鏡層360大致相同,故相關說明在此不贅述。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧影像感測器
100B‧‧‧藍色像素區
100C‧‧‧彩色像素區
100G‧‧‧綠色像素區
100IR‧‧‧紅外線像素區
100R‧‧‧紅色像素區
110‧‧‧基板
110A‧‧‧可見光感測區域
110B‧‧‧紅外光感測區域
121‧‧‧第一紅外線濾光元件
122‧‧‧第二紅外線濾光元件
130‧‧‧平坦層
141‧‧‧第三紅外線濾光元件
142‧‧‧彩色濾光元件
142B‧‧‧藍色光濾光部
142G‧‧‧綠色光濾光部
142R‧‧‧紅色光濾光部
150‧‧‧間隔層
160‧‧‧微透鏡層
Claims (20)
- 一種製造一影像感測器之方法,包含:提供一基板;在該基板之一第一區域上形成一第一紅外線濾光元件;在該基板和該第一紅外線濾光元件上沉積一第二紅外線濾光元件,其中該沉積之第二紅外線濾光元件覆蓋該第一紅外線濾光元件;以及降低該第二紅外線濾光元件之高度至暴露出該第一紅外線濾光元件,其中該降低之第二紅外線濾光元件在該基板之一第二區域上且鄰接該第一紅外線濾光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該降低之第二紅外線濾光元件之高度等於或低於該第一紅外線濾光元件之高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包含:在該第一紅外線濾光元件和該降低之第二紅外線濾光元件上形成一平坦層;在該平坦層上形成一第三紅外線濾光元件,其中該第三紅外線濾光元件位於該第一紅外線濾光元件之上方;以及在該平坦層上形成一彩色濾光元件,其中該彩色濾光元件位於該降低之第二紅外線濾光元件之上方。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法,其中該第三紅外線濾光元件係一紅外線通過濾光元件。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法,其中該彩色濾光元件係形成以具有一紅色光濾光部、一藍色光濾光部和一綠色光濾光部。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一紅外線濾光元件係一紅外線通過濾光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一紅外線濾光元件係一白色濾光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第二紅外線濾光元件係一紅外線截止濾光元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一紅外線濾光元件係形成以包含一光敏感性材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該基板係提供以在該第一區域中具有用以偵測紅外線光之一第一光二極體且在該第二區域中具有用以偵測可見光之至少一第二光二極體。
- 一種製造一影像感測器之方法,包含:提供一基板,其中該基板具有一第一區域和一第二區域;在該基板上形成一平坦層;在該平坦層上形成一第一紅外線濾光元件,其中該第一紅外線濾光元件位於該基板之第一區域之上方;在該平坦層上形成一彩色濾光元件,其中該彩色濾光元件位於該基板之第二區域之上方;在該第一紅外線濾光元件上形成一第二紅外線濾光元件;在該第二紅外線濾光元件和該彩色濾光元件上沉積一第三紅外線濾光元件,其中該沉積之第三紅外線濾光元件覆蓋該第二紅外線濾光元件;以及降低該第三紅外線濾光元件之高度至暴露出該第二紅外線濾光元件,其中該降低之第三紅外線濾光元件在該基板之第二區域上方且鄰接該第二紅外線濾光元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該降低之第三紅外線濾光元件之高度等於或低於該第二紅外線濾光元件之高度。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第一紅外線濾光元件係一紅外線通過濾光元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第二紅外線濾光元件係一紅外線通過濾光元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第二紅外線濾光元件係一白色濾光元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第三紅外線濾光元件係一紅外線截止濾光元件。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第二紅外線濾光元件係形成以包含一光敏感性材料。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該彩色濾光元件係形成以具有一紅色光濾光部、一藍色光濾光部和一綠色光濾光部。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該基板係提供以在該第一區域中具有用以偵測紅外線光之一第一光二極體且在該第二區域中具有用以偵測可見光之至少一第二光二極體。
- 一種製造一影像感測器之方法,包含:提供一基板,其中該基板具有一第一區域和一第二區域;在該基板上形成一平坦層; 在該平坦層上形成一彩色濾光元件,其中該彩色濾光元件位於該基板之第一區域之上方;在該平坦層上形成一紅外線通過濾光元件,其中該紅外線通過濾光元件位於該基板之第二區域之上方;在該彩色濾光元件和該紅外線通過濾光元件上沉積一紅外線截止濾光元件,其中該沉積之紅外線截止濾光元件覆蓋該紅外線通過濾光元件;以及降低該紅外線截止濾光元件之高度至暴露出該紅外線通過濾光元件,其中該降低之紅外線截止濾光元件在該基板之第一區域上方且鄰接該紅外線通過濾光元件。
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Citations (1)
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