TWI715439B - 在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法 - Google Patents

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Abstract

一種在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，包括：提供一影像感測器晶圓，其中影像感測器晶圓包括多個感測區及這些感測區之間與周圍的非感測區；在非感測區上形成圖案化犧牲層；整面形成一濾光層，而使濾光層的一第一部分覆蓋圖案化犧牲層，且使濾光層的一第二部分覆蓋這些感測區；以及移除圖案化犧牲層。當圖案化犧牲層被移除時，第一部分也一併被移除，而留下來的第二部分則形成分別位於這些感測區上的多個濾光片。

Description

在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法
本發明是有關於一種光學元件的製作方法，且特別是有關於一種在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法。
隨著光電技術的進步，影像感測器已被廣泛地應用，並取代傳統的感光底片。影像感測器可應用於一般拍攝照片的場合，也可應用於拍攝使用者的生物特徵（如指紋、掌紋、瞳孔或靜脈紋等），進而作為身分辨識的用途。
為了解決影像感測器在室外太陽光下使用容易有過曝的情形，一般會在影像感測器的模組上外加一片紅外光截止濾光片（infrared cut-off filter）來阻絕紅外光，以避免過曝。然而，在模組上外加紅外光截止濾光片容易使模組的厚度過厚，而不利於目前電子裝置小型化的發展。
本發明提供一種在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，利用此種方法可以製作出厚度較薄的影像感測模組，且可以有效解決將濾光片製程整合至晶圓製程時所產生的應力問題。
本發明的實施例提出一種在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，包括：提供一影像感測器晶圓，其中影像感測器晶圓包括多個感測區及這些感測區之間與周圍的非感測區；在非感測區上形成圖案化犧牲層；整面形成一濾光層，而使濾光層的一第一部分覆蓋圖案化犧牲層，且使濾光層的一第二部分覆蓋這些感測區；以及移除圖案化犧牲層。當圖案化犧牲層被移除時，第一部分也一併被移除，而留下來的第二部分則形成分別位於這些感測區上的多個濾光片。
在本發明實施例在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法中，由於採用預先形成圖案化犧牲層的方法來圖案化濾光層，因此當濾光層整面形成於影像感測器晶圓上時，圖案化犧牲層所產生的高度差使得濾光層會有斷開而不連續的部分，進而降低形成濾光層時在晶圓上所產生的應力。如此一來，便能夠將濾光片製程整合至晶圓製程中，且不會有應力問題的產生。因此，利用本發明的實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法可以有效降低後端所製作而成的影像感測模組的厚度，且可解決將濾光片製程整合至晶圓製程時所產生的應力問題，有效提升影像感測器的良率。
圖1至圖5為繪示本發明的一實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法的流程的剖面示意圖。請參照圖1至圖5，本實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法包括下列步驟。首先，如圖1所繪示，提供一影像感測器晶圓100，其中影像感測器晶圓100包括多個感測區110及這些感測區110之間與周圍的非感測區120。在本實施例中，影像感測器晶圓100例如為互補式金氧半導體影像感測器晶圓（complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor wafer, CIS wafer），但本發明不以此為限。在其他實施例中，影像感測器晶圓100亦可以是電荷耦合元件（charge coupled device, CCD）晶圓。每一感測區110即為影像感測器中用以感測一個影像的感光區域，其內含多個排成陣列的畫素，以感測影像，當製程完畢時，可以透過切割影像感測器晶圓100而使這些感測區110分開在多個影像感測器晶片中。非感測區120中可包括多個導電接墊122或其他周邊線路。在圖1中，僅以兩個感測區110作為說明，但在實作上，一個影像感測器晶圓100通常會有排成陣列（例如二維陣列）的多個（例如大於3個）感測區110，以便在製程完成時切割出多個影像感測器晶片。
接著，請參考圖2與圖3所繪示，在本實施例中，在影像感測器晶圓100上整面形成一光阻層210，例如是將光阻層210旋轉塗佈於影像感測器晶圓100上。然後，對光阻層210進行圖案化曝光。舉例而言，如圖2所繪示，當光阻層210是採用負光阻材料時(此方式較適合採用之光阻型態，但本發明不以此為限)，可對光阻層210於非感測區120上的部分212曝光，並利用光罩50使光阻層210於感測區110上的部分214不曝光。接著，對圖案化曝光後的光阻層210進行顯影，以使光阻層210在非感測區120上的部分212留下來，以形成圖案化犧牲層200，如圖3所繪示。
之後，如圖4所繪示，整面形成一濾光層300，此濾光層製程可為濺鍍(sputter)或是其他物理氣象沉積(physical vapor deposition, PVD) ，而使濾光層300的一第一部分310覆蓋圖案化犧牲層200，且使濾光層300的一第二部分320覆蓋感測區110。在本實施例中，整面形成濾光層300的步驟例如是將濾光層300濺鍍於圖案化犧牲層200與這些感測區110上。在本實施例中，濾光層300為多層膜，例如是應用薄膜干涉原理來濾光的多層膜。此外，濾光層300例如為紅外光截止濾光層。
在此之後，如圖5所繪示，移除圖案化犧牲層200。當圖案化犧牲層200被移除時，第一部分310也一併被移除，而留下來的第二部分320則形成分別位於這些感測區110上的多個濾光片。至此，即完成在影像感測器晶圓100上製作濾光片。在本實施例中，這些濾光片例如是由上述紅外光截止濾光層所形成的紅外光截止濾光片。此外，在本實施例中，移除圖案化犧牲層200的步驟例如是利用溶劑洗去圖案化犧牲層200。
在本實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法中，由於採用預先形成圖案化犧牲層200的方法來圖案化濾光層300，因此當濾光層300整面形成於影像感測器晶圓100上時，圖案化犧牲層200所產生的高度差使得濾光層300會有斷開而不連續的部分（例如第一部分310與第二部分320是斷開的），進而降低形成濾光層300時在晶圓上所產生的應力。如此一來，便能夠將濾光片製程整合至晶圓製程中，且不會有應力問題的產生。因此，利用本實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法可以有效降低後端所製作而成的影像感測模組的厚度（因為濾光片與晶圓整合在一起），且可有效提升影像感測器的良率。本實施例的將濾光片與影像感測器晶圓100整合後而切割出的濾光片與影像感測器晶片的整合結構，可用來組裝成光學式指紋感測模組（例如是屏下式指紋感測模組）或一般的相機模組。
在本實施例中，所形成的濾光片的範圍可以是涵蓋且略大於感測區110的範圍，以避免紅外光從濾光片的邊緣斜向入射至感測區110。因此，在形成圖案化犧牲層200時，可使圖案化犧牲層200的邊緣與感測區110保持適當的微小間距，以便在圖4的步驟中能夠形成涵蓋且略大於感測區110的第二部分320，進而在圖5的步驟中形成涵蓋且略大於感測區110的濾光片。然而，本發明不以此為限，在其他實施例中，也可以是使濾光片的邊緣與感測區110的邊緣切齊。
綜上所述，在本發明的實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法中，由於採用預先形成圖案化犧牲層的方法來圖案化濾光層，因此當濾光層整面形成於影像感測器晶圓上時，圖案化犧牲層所產生的高度差使得濾光層會有斷開而不連續的部分，進而降低形成濾光層時在晶圓上所產生的應力。如此一來，便能夠將濾光片製程整合至晶圓製程中，且不會有應力問題的產生。因此，利用本發明的實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法可以有效降低後端所製作而成的影像感測模組的厚度，且可有效解決將濾光片製程整合至晶圓製程時所產生的應力問題，提升影像感測器的良率。
100:影像感測器晶圓 110:感測區 120:非感測區 122:導電接墊 200:圖案化犧牲層 210:光阻層 212、214:部分 300:濾光層 310:第一部分 320:第二部分
圖1至圖5為繪示本發明的一實施例的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法的流程的剖面示意圖。
100:影像感測器晶圓
110:感測區
120:非感測區
122:導電接墊
200:圖案化犧牲層
300:濾光層
310:第一部分
320:第二部分

Claims (8)

  1. 一種在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，包括：提供一影像感測器晶圓，其中該影像感測器晶圓包括多個感測區及該些感測區之間與周圍的非感測區；在該非感測區上形成圖案化犧牲層，其中該圖案化犧牲層在該影像感測器晶圓的垂直投影與該些感測區之間具備一間距；整面形成一濾光層，而使該濾光層的一第一部分覆蓋該圖案化犧牲層，且使該濾光層的一第二部分覆蓋該些感測區；以及移除該圖案化犧牲層，其中當該圖案化犧牲層被移除時，該第一部分也一併被移除，而留下來的該第二部分則形成分別位於該些感測區上的多個濾光片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中在該非感測區上形成該圖案化犧牲層的步驟包括：在該影像感測器晶圓上整面形成一光阻層；對該光阻層進行圖案化曝光；以及對圖案化曝光後的該光阻層進行顯影，以使該光阻層在該非感測區上的部分留下來，以形成該圖案化犧牲層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中移除該圖案化犧牲層的步驟包括利用溶劑洗去該圖案化犧牲層。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中在該影像感測器晶圓上整面形成該光阻層的步驟包括將該光阻層旋轉塗佈於該影像感測器晶圓上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中該濾光層為多層膜。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中該些濾光片為紅外光截止濾光片。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中整面形成該濾光層的步驟包括將該濾光層濺鍍於該圖案化犧牲層與該些感測區上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的在影像感測器晶圓上製作濾光片的方法，其中該非感測區中包括多個導電接墊。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM596974U (zh) * 2019-09-23 2020-06-11 神盾股份有限公司 影像感測模組
CN111860469A (zh) * 2020-04-24 2020-10-30 神盾股份有限公司 指纹感测模块及电子装置
CN111627948B (zh) * 2020-06-05 2023-04-28 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种具有片上滤光片的ccd结构
TWI733533B (zh) * 2020-07-23 2021-07-11 眾福科技股份有限公司 顯示裝置及其之透光蓋板
CN113298028A (zh) * 2020-11-03 2021-08-24 神盾股份有限公司 电子装置以及指纹影像校正方法
TWI799943B (zh) * 2021-08-12 2023-04-21 致伸科技股份有限公司 鏡頭模組與應用於其中之製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200516715A (en) * 2003-11-12 2005-05-16 United Microelectronics Corp Manufacturing method of image sensor device
TW200822351A (en) * 2006-11-03 2008-05-16 Taiwan Semiconductor Mfg Image sensor devices and methods for forming the same
TW201210006A (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Pixart Imaging Inc Image sensing device
TW201712846A (zh) * 2015-06-25 2017-04-01 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路、正照式感測器、背照式感測器、與三維積體電路
TW201937208A (zh) * 2014-06-18 2019-09-16 美商唯亞威方案公司 金屬介電光學濾光器、感測器裝置及製造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784409B2 (en) * 2000-03-28 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same
JP2003198897A (ja) * 2001-12-27 2003-07-11 Seiko Epson Corp 光モジュール、回路基板及び電子機器
JP2004064272A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 West Electric Co Ltd カメラモジュール
CN100459140C (zh) * 2004-06-15 2009-02-04 富士胶片株式会社 固态成像器件及其制造方法和照相机模块
US7329856B2 (en) * 2004-08-24 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method
DE102006004802B4 (de) * 2006-01-23 2008-09-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bilderfassungssystem und Verfahren zur Herstellung mindestens eines Bilderfassungssystems
CN101039381B (zh) * 2006-03-17 2011-03-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测模块及其制造方法
JP4950542B2 (ja) * 2006-04-07 2012-06-13 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US7528420B2 (en) * 2007-05-23 2009-05-05 Visera Technologies Company Limited Image sensing devices and methods for fabricating the same
US9231012B2 (en) * 2007-08-01 2016-01-05 Visera Technologies Company Limited Image sensor package
JP5162607B2 (ja) * 2010-02-10 2013-03-13 株式会社ＡＡＣ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｊａｐａｎ Ｒ＆Ｄ Ｃｅｎｔｅｒ カメラモジュールの組み立て方法
KR20110137700A (ko) * 2010-06-17 2011-12-23 삼성전자주식회사 광학 장치 및 광학장치를 이용한 이미징 장치
US8598672B2 (en) * 2011-01-26 2013-12-03 Maxim Integrated Products, Inc Light sensor having IR cut interference filter with color filter integrated on-chip
US20120293474A1 (en) * 2011-05-18 2012-11-22 Intersil Americas Inc. Systems and methods for facilitating lift-off processes
CN103633102B (zh) * 2012-08-21 2016-12-28 光宝电子(广州)有限公司 窗口式影像感测芯片的模块结构
CN103367382B (zh) * 2013-07-23 2016-03-09 格科微电子（上海）有限公司 一种图像传感器芯片的晶圆级封装方法
US9699393B2 (en) * 2014-06-26 2017-07-04 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems for infrared and visible imaging with patterned infrared cutoff filters
CN104954651B (zh) * 2015-06-17 2018-10-02 南昌欧菲光电技术有限公司 摄像模组及其制造方法、电子产品
KR102472566B1 (ko) * 2015-12-01 2022-12-01 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US9906706B2 (en) * 2015-12-23 2018-02-27 Visera Technologies Company Limited Image sensor and imaging device
CN107591419B (zh) * 2016-07-07 2019-09-17 艾普特佩克股份有限公司 光传感器封装体模块及相机模块
CN108696672A (zh) * 2017-04-07 2018-10-23 宁波舜宇光电信息有限公司 基于红外吸收结构的摄像模组及其应用
CN107071253A (zh) * 2017-05-27 2017-08-18 深圳奥比中光科技有限公司 结构紧凑的光场相机
US10763296B2 (en) * 2017-11-22 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Biometric sensor and methods thereof
CN110120397A (zh) * 2018-02-05 2019-08-13 上海珏芯光电科技有限公司 成像器件、摄像头模组及制造方法
CN109246348B (zh) * 2018-11-05 2021-10-19 中芯集成电路（宁波）有限公司 镜头模组及其封装方法、电子设备
TWM596974U (zh) * 2019-09-23 2020-06-11 神盾股份有限公司 影像感測模組

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200516715A (en) * 2003-11-12 2005-05-16 United Microelectronics Corp Manufacturing method of image sensor device
TW200822351A (en) * 2006-11-03 2008-05-16 Taiwan Semiconductor Mfg Image sensor devices and methods for forming the same
TW201210006A (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Pixart Imaging Inc Image sensing device
TW201937208A (zh) * 2014-06-18 2019-09-16 美商唯亞威方案公司 金屬介電光學濾光器、感測器裝置及製造方法
TW201712846A (zh) * 2015-06-25 2017-04-01 台灣積體電路製造股份有限公司 積體電路、正照式感測器、背照式感測器、與三維積體電路

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