WO2020196645A1

WO2020196645A1 - 研磨用組成物

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Publication number: WO2020196645A1
Application number: PCT/JP2020/013389
Authority: WO
Inventors: 公亮土屋; 真希浅田; 大輝市坪
Original assignee: 株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority date: 2019-03-28
Filing date: 2020-03-25
Publication date: 2020-10-01
Also published as: EP3950875A1; CN113631680B; JPWO2020196645A1; CN113631680A; US20220186078A1; TWI832999B; CN117165263A; KR20210144815A; EP3950875A4; TW202043364A

Abstract

研磨対象物表面のヘイズを低減する性能に優れた研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒と塩基性化合物と水溶性高分子と水とを含む。上記水溶性高分子は、少なくとも水溶性高分子Ｐ１と水溶性高分子Ｐ２を含む。ここで、上記水溶性高分子Ｐ１はアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーであり、上記水溶性高分子Ｐ２はアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子である。

Description

研磨用組成物

　本発明は研磨用組成物に関する。本出願は、２０１９年３月２８日に出願された日本国特許出願２０１９－６３７４１号に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。

　金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して、研磨用組成物を用いた精密研磨が行われている。例えば、半導体装置の構成要素等として用いられるシリコンウェーハの表面は、一般に、ラッピング工程（粗研磨工程）とポリシング工程（精密研磨工程）とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備ポリシング工程（予備研磨工程）と仕上げポリシング工程（最終研磨工程）とを含む。シリコンウェーハ等の半導体基板を研磨する用途で主に使用される研磨用組成物に関する技術文献として、特許文献１～３が挙げられる。

日本国特許第５８９１１７４号公報日本国特許第６２３２２４３号公報日本国特許第６１８５４３２号公報

　近年、シリコンウェーハ等の半導体基板その他の基板について、より高品位の表面が要求されるようになってきている。特に、シリコンウェーハ等の半導体基板その他の基板の仕上げポリシング工程に用いられる研磨用組成物には、研磨後において優れた表面品位を示す表面を実現する性能が求められる。特に、よりヘイズの低い基板表面を実現可能な研磨用組成物が求められている。

　そこで本発明は、研磨対象物表面のヘイズを低減する性能に優れた研磨用組成物を提供することを目的とする。

　本発明によると、砥粒と塩基性化合物と水溶性高分子と水とを含む研磨用組成物が提供される。上記水溶性高分子は、少なくとも水溶性高分子Ｐ１と水溶性高分子Ｐ２とを含む。ここで、上記水溶性高分子Ｐ１はアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーである。また上記水溶性高分子Ｐ２は、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子である。

　ここで、本明細書において、「アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー」とは、ポリビニルアルコール系ポリマーに含まれるヒドロキシ基の少なくとも一部がアセタール化されたポリマーを指す。このように分子中のヒドロキシ基の少なくとも一部がアセタール化されたポリビニルアルコール系ポリマーである水溶性高分子Ｐ１と、それ以外の水溶性高分子である水溶性高分子Ｐ２とを併せて含む構成によると、研磨対象物表面のヘイズを低減する性能に優れた研磨用組成物が好適に実現し得る。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記水溶性高分子Ｐ１は、アセタール化度が１モル％以上６０モル％未満であるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーである。かかる範囲のアセタール化度であるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーと水溶性高分子Ｐ２とを併せて含む研磨用組成物は、より優れたヘイズ低減性能を示し得る。

　ここで、本明細書において、「アセタール化度」とは、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを構成する全繰返し単位に占めるアセタール化された構造単位の割合のことを指す。また「アセタール化された構造単位」とは、下記の一般式（１）で表される構造単位のことを指す。

　（式（１）中、Ｒは水素原子、または、直鎖または分枝アルキル基であり、該アルキル基は官能基によって置換されていてもよい。）

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様において、上記水溶性高分子Ｐ２は、窒素原子を含有するポリマー、アセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマー、オキシアルキレン単位を含むポリマー、デンプン誘導体およびセルロース誘導体からなる群から選択される一種または二種以上である。かかる水溶性高分子Ｐ２とアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーとを併せて含む研磨用組成物は、より改善したヘイズ低減性能を示し得る。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記研磨用組成物は、さらに界面活性剤を含む。かかる構成によると、界面活性剤により研磨対象面が保護されることにより研磨対象面の表面品位が向上し易く、ヘイズ低減性能が向上しやすい。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記研磨用組成物は、上記界面活性剤として、ノニオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤からなる群から選択される二種以上の界面活性剤を含む。かかる構成によると、研磨対象表面に吸着する性質が互いに異なり得る二種以上の界面活性剤で研磨対象表面が密に保護され易いため、研磨対象面の表面品位が向上し易く、ヘイズ低減性能が向上しやすい。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記界面活性剤として、重量平均分子量が１０００未満の界面活性剤Ｓｆ_Ｓと、重量平均分子量が１０００以上の界面活性剤Ｓｆ_Ｌとを含む。かかる構成によると、研磨対象面に吸着する性質が互いに異なり得る界面活性剤Ｓｆ_Ｓと界面活性剤Ｓｆ_Ｌとで研磨対象面がより密に保護され易いため、研磨対象面の表面品位が向上し易い。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、上記水溶性高分子Ｐ１の重量平均分子量が１０×１０^４以下である。重量平均分子量が大きすぎるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーは基板表面への作用効果が十分でないことがある。このため、重量平均分子量が上記所定値以下であるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを用いると、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの基板表面への作用効果が向上し、ヘイズ低減性能が改善し易い。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい他の一態様では、上記砥粒はシリカ粒子である。砥粒としてシリカ粒子を用いる研磨において、研磨レートを維持しつつ、ヘイズ低減性能がより効果的に発揮され得る。

　ここに開示される好ましい一態様に係る研磨用組成物は、シリコンからなる表面の研磨に用いられる。ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物がシリコンからなる表面である研磨において、優れたヘイズ低減性能が発揮され得る。

　以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜砥粒＞
　ここに開示される研磨用組成物は、砥粒を含む。砥粒は、研磨対象物の表面を機械的に研磨する働きをする。砥粒の材質や性状は特に制限されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子（ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。）、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。このような砥粒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

　上記砥粒としては、無機粒子が好ましく、なかでも金属または半金属の酸化物からなる粒子が好ましく、シリカ粒子が特に好ましい。後述するシリコンウェーハ等のようにシリコンからなる表面を有する研磨対象物の研磨（例えば仕上げ研磨）に用いられ得る研磨用組成物では、砥粒としてシリカ粒子を採用することが特に有意義である。ここに開示される技術は、例えば、上記砥粒が実質的にシリカ粒子からなる態様で好ましく実施され得る。ここで「実質的に」とは、砥粒を構成する粒子の９５重量％以上（好ましくは９８重量％以上、より好ましくは９９重量％以上であり、１００重量％であってもよい。）がシリカ粒子であることをいう。

　シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ等が挙げられる。シリカ粒子は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。研磨後において表面品位に優れた研磨面が得られやすいことから、コロイダルシリカの使用が特に好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば、イオン交換法により水ガラス（珪酸Ｎａ）を原料として作製されたコロイダルシリカや、アルコキシド法コロイダルシリカ（アルコキシシランの加水分解縮合反応により製造されたコロイダルシリカ）を好ましく採用することができる。コロイダルシリカは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　砥粒構成材料（例えば、シリカ粒子を構成するシリカ）の真比重は、１．５以上であることが好ましく、より好ましくは１．６以上、さらに好ましくは１．７以上である。砥粒構成材料（例えばシリカ）の真比重の上限は特に限定されないが、典型的には２．３以下、例えば２．２以下である。砥粒構成材料（例えばシリカ）の真比重としては、置換液としてエタノールを用いた液体置換法による測定値を採用し得る。

　砥粒（典型的にはシリカ粒子）のＢＥＴ径は特に限定されないが、研磨効率等の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。より高い研磨効果（例えば、ヘイズの低減、欠陥の除去等の効果）を得る観点から、上記ＢＥＴ径は、１５ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上（例えば２０ｎｍ超）がより好ましい。また、スクラッチ防止等の観点から、砥粒のＢＥＴ径は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下である。ここに開示される技術は、高品位の表面（例えば、ＬＰＤ数が少ない表面）が得られやすいことから、研磨後に高品位の表面が求められる研磨に適用されることが好ましい。かかる研磨用組成物に用いる砥粒としては、ＢＥＴ径が３５ｎｍ以下（典型的には３５ｎｍ未満、より好ましくは３２ｎｍ以下、例えば３０ｎｍ未満）の砥粒が好ましい。

　なお、本明細書においてＢＥＴ径とは、ＢＥＴ法により測定される比表面積（ＢＥＴ値）から、ＢＥＴ径（ｎｍ）＝６０００／（真密度（ｇ／ｃｍ^３）×ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ））の式により算出される粒子径をいう。例えばシリカ粒子の場合、ＢＥＴ径（ｎｍ）＝２７２７／ＢＥＴ値（ｍ^２／ｇ）によりＢＥＴ径を算出することができる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて行うことができる。

　砥粒の形状（外形）は、球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形をなす粒子の具体例としては、ピーナッツ形状（すなわち、落花生の殻の形状）、繭型形状、金平糖形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。例えば、粒子の多くがピーナッツ形状または繭型形状をした砥粒を好ましく採用し得る。

　特に限定するものではないが、砥粒の長径／短径比の平均値（平均アスペクト比）は、原理的に１．０以上であり、好ましくは１．０５以上、さらに好ましくは１．１以上である。平均アスペクト比の増大によって、より高い研磨能率が実現され得る。また、砥粒の平均アスペクト比は、スクラッチ低減等の観点から、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは２．０以下、さらに好ましくは１．５以下である。

　砥粒の形状（外形）や平均アスペクト比は、例えば、電子顕微鏡観察により把握することができる。平均アスペクト比を把握する具体的な手順としては、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、独立した粒子の形状を認識できる所定個数（例えば２００個）の砥粒粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。そして、各粒子画像に対して描かれた長方形について、その長辺の長さ（長径の値）を短辺の長さ（短径の値）で除した値を長径／短径比（アスペクト比）として算出する。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、平均アスペクト比を求めることができる。

＜水溶性高分子＞
　ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子を含む。水溶性高分子としては、分子中に、カチオン性基、アニオン性基およびノニオン性基から選ばれる少なくとも一種の官能基を有するポリマーを、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。より具体的には、例えば、分子中に水酸基、カルボキシ基、アシルオキシ基、スルホ基、第１級アミド構造、複素環構造、ビニル構造、ポリオキシアルキレン構造等を有するポリマーから選択される一種または二種以上のポリマーを水溶性高分子として使用し得る。凝集物の低減や洗浄性向上等の観点から、一態様において、水溶性高分子としてノニオン性のポリマーを好ましく採用し得る。

　（水溶性高分子Ｐ１）
　ここに開示される技術における研磨用組成物は、水溶性高分子として、分子中のヒドロキシ基の一部がアセタール化されたポリビニルアルコール系ポリマー（以下、「アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー」ともいう。）である水溶性高分子Ｐ１を含む。このような水溶性高分子Ｐ１と、後に詳述する水溶性高分子Ｐ２とを併せて含む研磨用組成物は、ヘイズ低減性能に優れたものとなり得る。

　アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーは、ポリビニルアルコール系ポリマーのヒドロキシ基の一部をアルデヒド化合物またはケトン化合物と反応させ、アセタール化することにより得ることができる。典型的には、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーはポリビニルアルコール系ポリマーとアルデヒド化合物とのアセタール化反応により得られる。ここに開示される技術における好ましい一態様において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーは、以下に説明する非変性ポリビニルアルコール系ポリマーとアルデヒド化合物とのアセタール化反応により得られる水溶性高分子である。

　（ポリビニルアルコール系ポリマー）
　本明細書において、ポリビニルアルコール系ポリマーとは、その繰返し単位としてビニルアルコール単位を含むポリマーを指す。また、ビニルアルコール単位（以下「ＶＡ単位」ともいう。）とは、次の化学式：－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＨ）－；により表される構造部分である。ここで非変性ポリビニルアルコールとは、ポリ酢酸ビニルを加水分解（けん化）することにより生成し、酢酸ビニルがビニル重合した構造の繰返し単位（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）－）およびＶＡ単位以外の繰返し単位を実質的に含まないポリビニルアルコール系ポリマーをいう。上記非変性ＰＶＡのけん化度は、例えば６０％以上であってよく、水溶性の観点から７０％以上でもよく、８０％以上でもよく、９０％以上でもよい。

　ここに開示される技術において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを生成するのに使用されるポリビニルアルコール系ポリマーとしては、非変性ＰＶＡを用いてもよく、変性ＰＶＡを用いてもよい。ここに開示される技術は、好ましい一態様において、上記ポリビニルアルコール系ポリマーとして、一種または二種以上の非変性ＰＶＡのみを用いることができる。

　（アルデヒド化合物）
　ここに開示される技術において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを生成するのに用いられるアルデヒド化合物は特に限定されない。好ましい一態様において、上記アルデヒド化合物の炭素原子数は１～７であり、より好ましくは２～７である。

　上記アルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド；アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ｎ－ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ｔ－ブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド等の直鎖または分岐アルキルアルデヒド類；シクロヘキサンカルバルデヒド、ベンズアルデヒド等の脂環式または芳香族アルデヒド類；が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。また、ホルムアルデヒドを除き、１以上の水素原子がハロゲン等により置換されたものであってもよい。なかでも、水に対する溶解性が高くアセタール化反応が容易である点から、直鎖または分岐アルキルアルデヒド類であることが好ましく、その中でもアセトアルデヒド、ｎ－プロピルアルデヒド、ｎ－ブチルアルデヒド、ｎ－ペンチルアルデヒドであることがより好ましい。

　アルデヒド化合物としては、上記の他にも、２－エチルヘキシルアルデヒド、ノニルアルデヒド、デシルアルデヒド等の炭素原子数８以上のアルデヒド化合物を用いてもよい。

　（アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの構造）
　ここに開示される技術において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーは、次の化学式：－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＨ）－；により表される構造部分であるＶＡ単位と、次の一般式（１）により表されるアセタール化された構造単位（以下、「ＶＡＣ単位」ともいう。）とを含む。

　ここに開示される技術の好ましい一態様において、上記式（１）中のＲは水素原子または炭素原子数１～６の直鎖または分枝アルキル基である。Ｒは、これらのうち一種でもよく、二種以上が組み合わさっていてもよい。ヘイズ低減性能向上の観点から、Ｒは炭素原子数１～６の直鎖または分枝アルキル鎖であることが好ましい。

　ここに開示される技術における好ましい一態様において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーは分子中に上記式（１）で表されるＶＡＣ単位を１モル％以上６０モル％未満の割合で含む。（言い換えると、好ましい一態様において、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのアセタール化度は１モル％以上６０モル％未満である）。アセタール化度が１モル％以上であるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを用いると、後に詳述する水溶性高分子Ｐ２と併用されて、優れたヘイズ低減性能を示し易い。また、アセタール化度が６０モル％より大きすぎると、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの水への溶解性が不十分となり易く、ヘイズ低減性能に悪影響を与える可能性がある。

　ヘイズ低減性能の向上の観点から、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのアセタール化度は５モル％以上とすることができ、１０モル％以上であることが好ましく、より好ましくは１５モル％以上、さらに好ましくは２０モル％以上、特に好ましくは２５モル％以上（例えば２７モル％以上）である。親水性向上の観点から、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのアセタール化度は５０モル％以下であることが好ましく、より好ましくは４０モル％以下、特に好ましくは３５モル％以下（例えば３３モル％以下）である。

　ここに開示される研磨用組成物に使用されるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されない。アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのＭｗは、通常、１００×１０^４以下が適当であり、３０×１０^４以下が好ましく、２０×１０^４以下（例えば１０×１０^４以下）であってもよい。研磨対象物の表面保護の観点からは、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのＭｗは５×１０^４以下であってもよく、３×１０^４以下でもよく、２×１０^４以下でもよい。また、研磨レート向上の観点から、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーのＭｗは、通常は４×１０^３以上であり、１×１０^４以上であってもよく、１．２×１０^４以上であってもよい。

　なお、本明細書において水溶性高分子および界面活性剤の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、水系のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）に基づく値（水系、ポリエチレンオキサイド換算）を採用することができる。ＧＰＣ測定装置としては、東ソー株式会社製の機種名「ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ」を用いるとよい。測定条件は以下のとおりとするとよい。また、界面活性剤の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、計算によって求められた値を採用することもできる。後述の実施例についても同様の方法が採用される。
　　［ＧＰＣ測定条件］
　　サンプル濃度：０．１重量％
　　カラム：ＴＳＫｇｅｌ　ＧＭＰＷ_ＸＬ
　　検出器：示差屈折計
　　溶離液：１００ｍＭ　硝酸ナトリウム水溶液／アセトニトリル＝１０～８／０～２
　　流速：１ｍＬ／分
　　測定温度：４０℃
　　サンプル注入量：２００μＬ

　研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ１の含有量は、特に制限されず、０．０００１重量％以上とすることができ、例えば０．０００５重量％以上とすることができる。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、好ましい含有量は０．００１重量％以上であり、より好ましくは０．００２重量％以上であり、さらに好ましくは０．００３重量％以上である。また、研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ１の含有量は、例えば１．０重量％以下とすることができる。ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、水溶性高分子Ｐ１の含有量は、通常、０．１重量％以下とすることが適当であり、０．０５重量％以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記含有量を０．０２重量％以下としてもよく、０．０１重量％以下でもよく、０．００８重量％以下でもよい。

　特に限定するものではないが、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、例えば０．１ｇ以上とすることができ、通常は０．２ｇ以上とすることが適当である。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、好ましくは０．５ｇ以上であり、より好ましくは１．０ｇ以上であり、２．０ｇ以上としてもよい。また、ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、当該研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、通常、５０ｇ以下とすることが適当であり、３０ｇ以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ１の含有量は、１０ｇ以下であってもよく、５ｇ以下であってもよい。

　（水溶性高分子Ｐ２）
　ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子として、上述した水溶性高分子Ｐ１に加えて、さらに水溶性高分子Ｐ２を含む。ここで水溶性高分子Ｐ２は、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子である。

　水溶性高分子Ｐ２の例としては、セルロース誘導体、デンプン誘導体、オキシアルキレン単位を含むポリマー、アセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマー、窒素原子を含有するポリマー等が挙げられる。なかでも、窒素原子を含有するポリマー、セルロース誘導体、およびアセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマーが好ましい。

　セルロース誘導体は、主たる繰返し単位としてβ－グルコース単位を含むポリマーである。セルロース誘導体の具体例としては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。なかでもＨＥＣが好ましい。

　デンプン誘導体は、主たる繰返し単位としてα－グルコース単位を含むポリマーである。デンプン誘導体の具体例としては、アルファ化デンプン、プルラン、カルボキシメチルデンプン、シクロデキストリン等が挙げられる。なかでもプルランが好ましい。

　オキシアルキレン単位を含むポリマーとしては、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）や、エチレンオキサイド（ＥＯ）とプロピレンオキサイド（ＰＯ）またはブチレンオキサイド（ＢＯ）とのブロック共重合体、ＥＯとＰＯまたはＢＯとのランダム共重合体等が例示される。そのなかでも、ＥＯとＰＯのブロック共重合体またはＥＯとＰＯのランダム共重合体が好ましい。ＥＯとＰＯとのブロック共重合体は、ＰＥＯブロックとポリプロピレンオキサイド（ＰＰＯ）ブロックとを含むジブロック共重合体、トリブロック共重合体等であり得る。上記トリブロック共重合体の例には、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型トリブロック共重合体およびＰＰＯ－ＰＥＯ－ＰＰＯ型トリブロック共重合体が含まれる。通常は、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型トリブロック共重合体がより好ましい。

　なお、本明細書中において共重合体とは、特記しない場合、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等の各種の共重合体を包括的に指す意味である。

　ＥＯとＰＯとのブロック共重合体またはランダム共重合体において、該共重合体を構成するＥＯとＰＯとのモル比（ＥＯ／ＰＯ）は、水への溶解性や洗浄性等の観点から、１より大きいことが好ましく、２以上であることがより好ましく、３以上（例えば５以上）であることがさらに好ましい。

　アセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマーとは、典型的には、主たる繰返し単位としてビニルアルコール単位（ＶＡ単位）を含むポリマーでありながら、上記一般式（１）により表されるアセタール化された構造単位（ＶＡＣ単位）を含まないポリマーである。ここに開示される技術において、水溶性高分子Ｐ２として用いられ得るポリビニルアルコール系ポリマーについて以下説明する。

　（ポリビニルアルコール系ポリマー）
　本明細書において、ポリビニルアルコール系ポリマーとは、その繰返し単位としてビニルアルコール単位を含むポリマーを指す。また、ビニルアルコール単位（以下「ＶＡ単位」ともいう。）とは、次の化学式：－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＨ）－；により表される構造部分である。ポリビニルアルコール系ポリマーは、繰返し単位としてＶＡ単位のみを含んでいてもよく、ＶＡ単位に加えてＶＡ単位以外の繰返し単位（以下「非ＶＡ単位」ともいう。）を含んでいてもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーは、ＶＡ単位と非ＶＡ単位とを含むランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体やグラフト共重合体であってもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーは、一種類の非ＶＡ単位のみを含んでもよく、二種類以上の非ＶＡ単位を含んでもよい。

　上記ポリビニルアルコール系ポリマーは、変性されていないポリビニルアルコール（非変性ＰＶＡ）であってもよく、変性ポリビニルアルコール（変性ＰＶＡ）であってもよい。ここで非変性ＰＶＡとは、ポリ酢酸ビニルを加水分解（けん化）することにより生成し、酢酸ビニルがビニル重合した構造の繰返し単位（－ＣＨ_２－ＣＨ（ＯＣＯＣＨ_３）－）およびＶＡ単位以外の繰返し単位を実質的に含まないポリビニルアルコール系ポリマーをいう。上記非変性ＰＶＡのけん化度は、例えば６０％以上であってよく、水溶性の観点から７０％以上でもよく、８０％以上でもよく、９０％以上でもよい。

　ポリビニルアルコール系ポリマーは、ＶＡ単位と、オキシアルキレン基、カルボキシ基、スルホ基、アミノ基、水酸基、アミド基、イミド基、ニトリル基、エーテル基、エステル基、およびこれらの塩から選ばれる少なくとも１つの構造を有する非ＶＡ単位とを含む変性ＰＶＡであってもよい。また、変性ＰＶＡに含まれ得る非ＶＡ単位としては、例えば後述するＮ－ビニル型のモノマーやＮ－（メタ）アクリロイル型のモノマーに由来する繰返し単位、エチレンに由来する繰返し単位、アルキルビニルエーテルに由来する繰返し単位、炭素原子数３以上のモノカルボン酸のビニルエステルに由来する繰返し単位、等であってもよいが、これらに限定されない。上記Ｎ－ビニル型のモノマーの一好適例として、Ｎ－ビニルピロリドンが挙げられる。上記Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマーの一好適例として、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリンが挙げられる。上記アルキルビニルエーテルは、例えばプロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、２－エチルヘキシルビニルエーテル等の、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を有するビニルエーテルであり得る。上記炭素原子数３以上のモノカルボン酸のビニルエステルは、例えばプロパン酸ビニル、ブタン酸ビニル、ペンタン酸ビニル、ヘキサン酸ビニル等の、炭素原子数３以上７以下のモノカルボン酸のビニルエステルであり得る。ポリビニルアルコール系ポリマーとして、第四級アンモニウム構造等のカチオン性基が導入されたカチオン変性ポリビニルアルコールを使用してもよい。上記カチオン変性ポリビニルアルコールとしては、例えば、ジアリルジアルキルアンモニウム塩、Ｎ－（メタ）アクリロイルアミノアルキル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリアルキルアンモニウム塩等のカチオン性基を有するモノマーに由来するカチオン性基が導入されたものが挙げられる。

　ポリビニルアルコール系ポリマーを構成する全繰返し単位のモル数に占めるＶＡ単位のモル数の割合は、例えば５％以上であってよく、１０％以上でもよく、２０％以上でもよく、３０％以上でもよい。特に限定するものではないが、いくつかの態様において、上記ＶＡ単位のモル数の割合は、５０％以上であってよく、６５％以上でもよく、７５％以上でもよく、８０％以上でもよく、９０％以上（例えば９５％以上、または９８％以上）でもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーを構成する繰返し単位の実質的に１００％がＶＡ単位であってもよい。ここで「実質的に１００％」とは、少なくとも意図的にはポリビニルアルコール系ポリマーに非ＶＡ単位を含有させないことをいい、典型的には全繰返し単位のモル数に占める非ＶＡ単位のモル数の割合が２％未満（例えば１％未満）であり、０％である場合を包含する。他のいくつかの態様において、ポリビニルアルコール系ポリマーを構成する全繰返し単位のモル数に占めるＶＡ単位のモル数の割合は、例えば９５％以下であってよく、９０％以下でもよく、８０％以下でもよく、７０％以下でもよい。

　ポリビニルアルコール系ポリマーにおけるＶＡ単位の含有量（重量基準の含有量）は、例えば５重量％以上であってよく、１０重量％以上でもよく、２０重量％以上でもよく、３０重量％以上でもよい。特に限定するものではないが、いくつかの態様において、上記ＶＡ単位の含有量は、５０重量％以上（例えば５０重量％超）であってよく、７０重量％以上でもよく、８０重量％以上（例えば９０重量％以上、または９５重量％以上、または９８重量％以上）でもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーを構成する繰返し単位の実質的に１００重量％がＶＡ単位であってもよい。ここで「実質的に１００重量％」とは、少なくとも意図的にはポリビニルアルコール系ポリマーを構成する繰返し単位として非ＶＡ単位を含有させないことをいい、典型的にはポリビニルアルコール系ポリマーにおける非ＶＡ単位の含有量が２重量％未満（例えば１重量％未満）であることをいう。他のいくつかの態様において、ポリビニルアルコール系ポリマーにおけるＶＡ単位の含有量は、例えば９５重量％以下であってよく、９０重量％以下でもよく、８０重量％以下でもよく、７０重量％以下でもよい。

　ポリビニルアルコール系ポリマーは、ＶＡ単位の含有量の異なる複数のポリマー鎖を同一分子内に含んでいてもよい。ここでポリマー鎖とは、一分子のポリマーの一部を構成する部分（セグメント）を指す。例えば、ポリビニルアルコール系ポリマーは、ＶＡ単位の含有量が５０重量％より高いポリマー鎖Ａと、ＶＡ単位の含有量が５０重量％より低い（すなわち、非ＶＡ単位の含有量が５０重量％より多い）ポリマー鎖Ｂとを、同一分子内に含んでいてもよい。

　ポリマー鎖Ａは、繰返し単位としてＶＡ単位のみを含んでいてもよく、ＶＡ単位に加えて非ＶＡ単位を含んでいてもよい。ポリマー鎖ＡにおけるＶＡ単位の含有量は、６０重量％以上でもよく、７０重量％以上でもよく、８０重量％以上でもよく、９０重量％以上でもよい。いくつかの態様において、ポリマー鎖ＡにおけるＶＡ単位の含有量は、９５重量％以上でもよく、９８重量％以上でもよい。ポリマー鎖Ａを構成する繰返し単位の実質的に１００重量％がＶＡ単位であってもよい。

　ポリマー鎖Ｂは、繰返し単位として非ＶＡ単位のみを含んでいてもよく、非ＶＡ単位に加えてＶＡ単位を含んでいてもよい。ポリマー鎖Ｂにおける非ＶＡ単位の含有量は、６０重量％以上でもよく、７０重量％以上でもよく、８０重量％以上でもよく、９０重量％以上でもよい。いくつかの態様において、ポリマー鎖Ｂにおける非ＶＡ単位の含有量は、９５重量％以上でもよく、９８重量％以上でもよい。ポリマー鎖Ｂを構成する繰返し単位の実質的に１００重量％が非ＶＡ単位であってもよい。

　ポリマー鎖Ａとポリマー鎖Ｂとを同一分子中に含むポリビニルアルコール系ポリマーの例として、これらのポリマー鎖を含むブロック共重合体やグラフト共重合体が挙げられる。上記グラフト共重合体は、ポリマー鎖Ａ（主鎖）にポリマー鎖Ｂ（側鎖）がグラフトした構造のグラフト共重合体であってもよく、ポリマー鎖Ｂ（主鎖）にポリマー鎖Ａ（側鎖）がグラフトした構造のグラフト共重合体であってもよい。一態様において、ポリマー鎖Ａにポリマー鎖Ｂがグラフトした構造のポリビニルアルコール系ポリマーを用いることができる。

　ポリマー鎖Ｂの例としては、Ｎ－ビニル型のモノマーに由来する繰返し単位を主繰返し単位とするポリマー鎖、Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマーに由来する繰返し単位を主繰返し単位とするポリマー鎖、オキシアルキレン単位を主繰返し単位とするポリマー鎖等が挙げられる。なお、本明細書において主繰返し単位とは、特記しない場合、５０重量％を超えて含まれる繰返し単位をいう。

　ポリマー鎖Ｂの一好適例として、Ｎ－ビニル型のモノマーを主繰返し単位とするポリマー鎖、すなわちＮ－ビニル系ポリマー鎖が挙げられる。Ｎ－ビニル系ポリマー鎖におけるＮ－ビニル型モノマーに由来する繰返し単位の含有量は、典型的には５０重量％超であり、７０重量％以上であってもよく、８５重量％以上であってもよく、９５重量％以上であってもよい。ポリマー鎖Ｂの実質的に全部がＮ－ビニル型モノマーに由来する繰返し単位であってもよい。

　この明細書において、Ｎ－ビニル型のモノマーの例には、窒素を含有する複素環（例えばラクタム環）を有するモノマーおよびＮ－ビニル鎖状アミドが含まれる。Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの具体例としては、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルモルホリノン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－ビニル－１，３－オキサジン－２－オン、Ｎ－ビニル－３，５－モルホリンジオン等が挙げられる。Ｎ－ビニル鎖状アミドの具体例としては、Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ－ビニルプロピオン酸アミド、Ｎ－ビニル酪酸アミド等が挙げられる。ポリマー鎖Ｂは、例えば、その繰返し単位の５０重量％超（例えば７０重量％以上、または８５重量％以上、または９５重量％以上）がＮ－ビニルピロリドン単位であるＮ－ビニル系ポリマー鎖であり得る。ポリマー鎖Ｂを構成する繰返し単位の実質的に全部がＮ－ビニルピロリドン単位であってもよい。

　ポリマー鎖Ｂの他の例として、Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマーに由来する繰返し単位を主繰返し単位とするポリマー鎖、すなわち、Ｎ－（メタ）アクリロイル系ポリマー鎖が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル系ポリマー鎖におけるＮ－（メタ）アクリロイル型モノマーに由来する繰返し単位の含有量は、典型的には５０重量％超であり、７０重量％以上であってもよく、８５重量％以上であってもよく、９５重量％以上であってもよい。ポリマー鎖Ｂの実質的に全部がＮ－（メタ）アクリロイル型モノマーに由来する繰返し単位であってもよい。

　この明細書において、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドおよびＮ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドが含まれる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドの例としては、（メタ）アクリルアミド；Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド等のＮ－アルキル（メタ）アクリルアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジ（ｎ－ブチル）（メタ）アクリルアミド等のＮ，Ｎ－ジアルキル（メタ）アクリルアミド；等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドの例としては、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン、Ｎ－（メタ）アクリロイルピロリジン等が挙げられる。

　ポリマー鎖Ｂの他の例として、オキシアルキレン単位を主繰返し単位として含むポリマー鎖、すなわちオキシアルキレン系ポリマー鎖が挙げられる。オキシアルキレン系ポリマー鎖におけるオキシアルキレン単位の含有量は、典型的には５０重量％超であり、７０重量％以上であってもよく、８５重量％以上であってもよく、９５重量％以上であってもよい。ポリマー鎖Ｂに含まれる繰返し単位の実質的に全部がオキシアルキレン単位であってもよい。

　オキシアルキレン単位の例としては、オキシエチレン単位、オキシプロピレン単位、オキシブチレン単位等が挙げられる。このようなオキシアルキレン単位は、それぞれ、対応するアルキレンオキサイドに由来する繰返し単位であり得る。オキシアルキレン系ポリマー鎖に含まれるオキシアルキレン単位は、一種類であってもよく、二種類以上であってもよい。例えば、オキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とを組合せで含むオキシアルキレン系ポリマー鎖であってもよい。二種類以上のオキシアルキレン単位を含むオキシアルキレン系ポリマー鎖において、それらのオキシアルキレン単位は、対応するアルキレンオキシドのランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体やグラフト共重合体であってもよい。

　ポリマー鎖Ｂのさらに他の例として、アルキルビニルエーテル（例えば、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を有するビニルエーテル）に由来する繰返し単位を含むポリマー鎖、モノカルボン酸ビニルエステル（例えば、炭素原子数３以上のモノカルボン酸のビニルエステル）に由来する繰返し単位を含むポリマー鎖、カチオン性基（例えば、第四級アンモニウム構造を有するカチオン性基）が導入されたポリマー鎖、等が挙げられる。

　ヘイズ低減性能向上の観点から、ここに開示される技術における水溶性高分子Ｐ２としてのポリビニルアルコール系ポリマーは、ＶＡ単位および非ＶＡ単位を含む共重合体である変性ポリビニルアルコールであることが好ましい。また、水溶性高分子Ｐ２としてのポリビニルアルコール系ポリマーのけん化度は、通常は５０モル％以上であり、好ましくは６５モル％以上、より好ましくは７０モル％以上、例えば７５モル％以上である。なお、ポリビニルアルコール系ポリマーのけん化度は、原理上、１００モル％以下である。

　窒素原子を含有するポリマーの非限定的な例には、Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマー；イミン誘導体；Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマー；等が含まれる。

　Ｎ－ビニル型のモノマー単位を含むポリマーの例には、窒素を含有する複素環（例えばラクタム環）を有するモノマーに由来する繰返し単位を含むポリマーが含まれる。このようなポリマーの例には、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニルラクタム型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）、Ｎ－ビニル鎖状アミドの単独重合体および共重合体（例えば、Ｎ－ビニル鎖状アミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）等が含まれる。

　Ｎ－ビニルラクタム型モノマー（すなわち、一分子内にラクタム構造とＮ－ビニル基とを有する化合物）の具体例としては、Ｎ－ビニルピロリドン（ＶＰ）、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルモルホリノン、Ｎ－ビニルカプロラクタム（ＶＣ）、Ｎ－ビニル－１，３－オキサジン－２－オン、Ｎ－ビニル－３，５－モルホリンジオン等が挙げられる。Ｎ－ビニルラクタム型のモノマー単位を含むポリマーの具体例としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカプロラクタム、ＶＰとＶＣとのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方と他のビニルモノマー（例えば、アクリル系モノマー、ビニルエステル系モノマー等）とのランダム共重合体、ＶＰおよびＶＣの一方または両方を含むポリマー鎖を含むブロック共重合体やグラフト共重合体等が挙げられる。
　Ｎ－ビニル鎖状アミドの具体例としては、Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ－ビニルプロピオン酸アミド、Ｎ－ビニル酪酸アミド等が挙げられる。

　Ｎ－（メタ）アクリロイル型のモノマー単位を含むポリマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの単独重合体および共重合体（典型的には、Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が含まれる。Ｎ－（メタ）アクリロイル型モノマーの例には、Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドおよびＮ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドが含まれる。

　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドの例としては、（メタ）アクリルアミド；Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－イソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド等のＮ－アルキル（メタ）アクリルアミド；Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジ（ｎ－ブチル）（メタ）アクリルアミド等のＮ，Ｎ－ジアルキル（メタ）アクリルアミド；等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する鎖状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの単独重合体およびＮ－イソプロピルアクリルアミドの共重合体（例えば、Ｎ－イソプロピルアクリルアミドの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。

　Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドの例としては、Ｎ－アクリロイルモルホリン、Ｎ－アクリロイルチオモルホリン、Ｎ－アクリロイルピペリジン、Ｎ－アクリロイルピロリジン、Ｎ－メタクリロイルモルホリン、Ｎ－メタクリロイルピペリジン、Ｎ－メタクリロイルピロリジン等が挙げられる。Ｎ－（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として、アクリロイルモルホリン系ポリマー（ＰＡＣＭＯ）が挙げられる。アクリロイルモルホリン系ポリマーの典型例として、Ｎ－アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）の単独重合体およびＡＣＭＯの共重合体（例えば、ＡＣＭＯの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）が挙げられる。アクリロイルモルホリン系ポリマーにおいて、全繰返し単位のモル数に占めるＡＣＭＯ単位のモル数の割合は、通常は５０％以上であり、８０％以上（例えば９０％以上、典型的には９５％以上）であることが適当である。水溶性高分子の全繰返し単位が実質的にＡＣＭＯ単位から構成されていてもよい。

　ここに開示される研磨用組成物に使用される水溶性高分子Ｐ２の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されない。水溶性高分子Ｐ２のＭｗは、通常、４×１０^３以上であることが適当であり、１×１０^４以上であってもよく、５×１０^４以上であってもよく、１０×１０^４以上でもよく、２０×１０^４以上でもよく、２５×１０^４以上でもよく、３０×１０^４以上でもよい。水溶性高分子Ｐ２のＭｗは、通常、１００×１０^４以下が適当であり、８０×１０^４以下が好ましく、５０×１０^４以下（例えば４０×１０^４以下）であってもよい。

　ここに開示される研磨用組成物の好ましい一態様では、水溶性高分子Ｐ１の重量平均分子量は、水溶性高分子Ｐ２の重量平均分子量よりも小さい。相対的に重量平均分子量が小さいアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーと、相対的に重量平均分子量が大きいその他の水溶性高分子とを併用することにより、ヘイズ低減性能がより改善し得る。

　ここに開示される技術においては、水溶性高分子Ｐ２として一種の水溶性高分子を単独で、または二種以上の水溶性高分子を組み合わせて用いることができる。また、ここに開示される研磨用組成物は、その一態様において、水溶性高分子Ｐ１と水溶性高分子Ｐ２に加えてさらに一種または二種以上の水溶性高分子を含むことができる。

　研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ２の含有量は、特に制限されず、例えば０．０００５重量％以上とすることができる。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、好ましい含有量は０．００１重量％以上であり、より好ましくは０．００１５重量％以上であり、さらに好ましくは０．００２重量％以上である。また、研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ２の含有量は、例えば１．０重量％以下とすることができる。ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、水溶性高分子Ｐ２の含有量は、通常、０．１重量％以下とすることが適当であり、０．０５重量％以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、上記含有量を０．０２重量％以下としてもよく、０．０１重量％以下でもよく、０．００５重量％以下でもよい。

　特に限定するものではないが、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ２の含有量は、例えば０．１ｇ以上とすることができ、通常は０．２ｇ以上とすることが適当である。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ２の含有量は、好ましくは０．５ｇ以上であり、より好ましくは１．０ｇ以上であり、２．０ｇ以上としてもよい。また、ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、当該研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ２の含有量は、通常、５０ｇ以下とすることが適当であり、３０ｇ以下とすることが好ましい。より高い加工力を得る観点から、砥粒１００ｇに対する水溶性高分子Ｐ２の含有量は、１０ｇ以下であってもよく、５ｇ以下であってもよい。

　特に限定するものではないが、研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ２の含有量（重量％）に対する水溶性高分子Ｐ１の含有量（重量％）の比（Ｐ１／Ｐ２）は、０．０１以上とすることができ、通常は０．１以上であることが適当であり、０．２５以上であることが好ましく、０．５以上であってもよく、０．８以上でもよく、１以上でもよい。研磨用組成物における水溶性高分子Ｐ２の含有量（重量％）に対する水溶性高分子Ｐ１の含有量（重量％）の比（Ｐ１／Ｐ２）は、通常は１０以下であることが適当であり、５以下であることが好ましく、４以下であってもよく、３以下でもよく、２以下でもよい。かかる範囲で水溶性高分子Ｐ１と水溶性高分子Ｐ２とを含む構成によると、ヘイズ低減性能がより効果的に発揮され得る。

＜界面活性剤＞
　ここに開示される研磨用組成物は、好ましい一態様において、界面活性剤を含み得る。界面活性剤は、研磨液またはその濃縮液の分散安定性向上に寄与し得る。界面活性剤としては、特に限定されず、両性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤およびノニオン性界面活性剤のいずれも使用可能である。また、界面活性剤としては、例えば、Ｍｗが４０００未満の有機化合物が用いられる。研磨液の濾過性や研磨対象物の洗浄性等の観点から界面活性剤のＭｗは３５００以下であることが好ましい。また、ここに開示される技術の好ましい一態様において、界面活性剤のＭｗは、１００以上であり、より好ましくは２００以上であり、さらに好ましくは２５０以上、特に好ましくは３００以上である。界面活性剤のＭｗの増大によって研磨速度が向上する傾向がある。

　界面活性剤の例としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のオキシアルキレン重合体や、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のポリオキシアルキレン付加物や、複数種のオキシアルキレンの共重合体（ジブロック型、トリブロック型、ランダム型、交互型）等のノニオン性の界面活性剤が挙げられる。

　ノニオン性界面活性剤の具体例としては、オキシエチレン（ＥＯ）とオキシプロピレン（ＰＯ）とのブロック共重合体（ジブロック体、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型トリブロック体、ＰＰＯ－ＰＥＯ－ＰＰＯ型トリブロック体等）、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体、ポリエチレンオキサイド、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシエチレンプロピルエーテル、ポリオキシエチレンブチルエーテル、ポリオキシエチレンペンチルエーテル、ポリオキシエチレンヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレン－２－エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレンノニルエーテル、ポリオキシエチレンデシルエーテル、ポリオキシエチレンイソデシルエーテル、ポリオキシエチレントリデシルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンイソステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンドデシルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン、ポリオキシエチレンステアリルアミド、ポリオキシエチレンオレイルアミド、ポリオキシエチレンモノラウリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンジステアリン酸エステル、ポリオキシエチレンモノオレイン酸エステル、ポリオキシエチレンジオレイン酸エステル、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルチミン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油等が挙げられる。これらの中でも好ましい界面活性剤として、ＥＯとＰＯとのブロック共重合体（特に、ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック体）、ＥＯとＰＯとのランダム共重合体、およびポリオキシエチレンアルキルエーテル（例えばポリオキシエチレンデシルエーテル）が挙げられる。

　また、アニオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルの硫酸エステルおよびその塩、スルホン酸およびその塩、カルボン酸およびその塩、並びにリン酸エステルおよびその塩が挙げられる。

　アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンミリスチルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンパルミチルエーテル硫酸；ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸トリエタノールアミン、ポリオキシエチレンミリスチルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンミリスチルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンミリスチルエーテル硫酸トリエタノールアミン、ポリオキシエチレンパルミチルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンパルミチルエーテル硫酸アミン、ポリオキシエチレンパルミチルエーテル硫酸トリエタノールアミン、ポリオキシエチレンオクチルスルホン酸、ポリオキシエチレンドデシルスルホン酸、ポリオキシエチレンセチルスルホン酸、ポリオキシエチレンオクチルベンゼンスルホン酸、ポリオキシエチレンドデシルベンゼンスルホン酸；ポリオキシエチレンオクチルスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンドデシルスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンセチルスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸、ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンオクチルエーテル酢酸；ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸ナトリウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸アンモニウム、ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸ナトリウム、ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸アンモニウム、ポリオキシエチレンオクチルエーテル酢酸ナトリウム、ポリオキシエチレンオクチルエーテル酢酸アンモニウム、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンアルキル（１２－１５）エーテルリン酸；ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンオレイルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンセチルエーテルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキル（１２－１５）エーテルリン酸カリウム、ポリオキシエチレンラウリルスルホコハク酸二ナトリウム塩、スルホコハク酸ポリオキシエチレンラウロイルエタノールアミド二ナトリウム塩等が挙げられる。

　好ましい一態様において、ここに開示される研磨用組成物は、ノニオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤からなる群から選択される二種以上の界面活性剤を含む。かかる構成によると、ヘイズ低減性能がさらに向上する傾向がある。

　ここに開示される技術における好ましい一態様において、研磨用組成物は、界面活性剤として、ノニオン性界面活性剤から選ばれる二種以上の界面活性剤のみを含み得る。例えば、界面活性剤として、ポリオキシエチレンアルキルエーテルおよびオキシエチレン（ＥＯ）とオキシプロピレン（ＰＯ）との共重合体を組み合わせて用いることができる。かかる構成によると、ヘイズ低減性能がより発揮され得る。

　ここに開示される技術における他の好ましい一様態様において、研磨用組成物は、界面活性剤として、一種または二種以上のノニオン性界面活性剤と、一種または二種以上のアニオン性界面活性剤とを併せて含み得る。例えば、界面活性剤として、ポリオキシエチレンアルキルエーテルおよびポリオキシエチレンオキシアルキルエーテル硫酸塩を組み合わせて用いることができる。

　好ましい一態様において、研磨用組成物は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００未満（典型的には１００以上１０００未満）の界面活性剤Ｓｆ_Ｓと、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００以上（典型的には１０００以上１×１０^４未満）の界面活性剤Ｓｆ_Ｌとを含む。かかる構成によると、ヘイズ低減性能がより向上し得る。

　界面活性剤Ｓｆ_Ｓとしては、上述した界面活性剤の例示の中から選択される一種を単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。また、界面活性剤Ｓｆ_Ｌとしては、上述した界面活性剤の例示の中から選択される一種を単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。好ましい一態様において、界面活性剤Ｓｆ_Ｓとして、ポリオキシエチレンアルキルエーテルを用いることができる。また、界面活性剤Ｓｆ_Ｌとして、オキシエチレン（ＥＯ）とオキシプロピレン（ＰＯ）との共重合体および／またはポリオキシエチレンオキシアルキルエーテル硫酸塩を用いることができる。

　研磨用組成物における界面活性剤の含有量（二種以上の界面活性剤を含む場合はその合計含有量）は、特に制限されず、例えば０．００００１重量％以上とすることができる。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、好ましい含有量は０．０００１重量％以上であり、より好ましくは０．０００５重量％以上である。また、研磨用組成物における界面活性剤の含有量（合計含有量）は、例えば０．０５重量％以下とすることができる。ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、界面活性剤の含有量（合計含有量）は、通常、０．０１重量％以下とすることが適当であり、０．００５重量％以下とすることが好ましく、０．００３重量％以下としてもよい。

　特に限定するものではないが、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する界面活性剤の含有量（二種以上の界面活性剤を含む場合はその合計含有量）は、例えば０．００５ｇ以上とすることができ、通常は０．０１ｇ以上とすることが適当である。より優れたヘイズ低減性能を得る観点から、研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する界面活性剤の含有量（合計含有量）は、０．０５ｇ以上としてもよく、０．１ｇ以上としてもよく、０．２ｇ以上としてもよい。また、ここに開示される研磨用組成物が用いられる研磨工程に適した加工力を得る観点から、当該研磨用組成物に含まれる砥粒１００ｇに対する界面活性剤の含有量（合計含有量）は、通常、１０ｇ以下とすることが適当であり、５ｇ以下とすることが好ましく、２ｇ以下であってもよい。

　界面活性剤として界面活性剤Ｓｆ_Ｓおよび界面活性剤Ｓｆ_Ｌとを併用する場合において、界面活性剤Ｓｆ_Ｌの含有量（重量％）に対する界面活性剤Ｓｆ_Ｓの含有量（重量％）の比（Ｓｆ_Ｓ／Ｓｆ_Ｌ）は、通常０．５以上が適当であり、好ましくは１以上であり、より好ましくは１．２以上である。好ましい一態様において、Ｓｆ_Ｓ／Ｓｆ_Ｌは１．５以上であってもよく、１．８以上でもよく、２以上でもよく、３以上でもよい。Ｍｗが異なる二種以上の界面活性剤を用いる効果を生かす観点からは、界面活性剤Ｓｆ_Ｌの含有量に対する界面活性剤Ｓｆ_Ｓの含有量の比Ｓｆ_Ｓ／Ｓｆ_Ｌは、通常１５以下であることが適当であり、好ましくは１０以下、より好ましくは８以下である。

＜水＞
　ここに開示される研磨用組成物に含まれる水としては、イオン交換水（脱イオン水）、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。

＜塩基性化合物＞
　ここに開示される研磨用組成物は、塩基性化合物を含有する。本明細書において塩基性化合物とは、水に溶解して水溶液のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、第四級ホスホニウム化合物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。窒素を含む塩基性化合物の例としては、第四級アンモニウム化合物、アンモニア、アミン（好ましくは水溶性アミン）等が挙げられる。このような塩基性化合物は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。

　アルカリ金属の水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。炭酸塩または炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類等が挙げられる。第四級ホスホニウム化合物の具体例としては、水酸化テトラメチルホスホニウム、水酸化テトラエチルホスホニウム等の水酸化第四級ホスホニウムが挙げられる。

　第四級アンモニウム化合物としては、テトラアルキルアンモニウム塩、ヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩（典型的には強塩基）を好ましく用いることができる。かかる第四級アンモニウム塩におけるアニオン成分は、例えば、ＯＨ^－、Ｆ^－、Ｃｌ^－、Ｂｒ^－、Ｉ^－、ＣｌＯ_４ ^－、ＢＨ_４ ^－等であり得る。なかでも好ましい例として、アニオンがＯＨ^－である第四級アンモニウム塩、すなわち水酸化第四級アンモニウムが挙げられる。水酸化第四級アンモニウムの具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウムおよび水酸化テトラヘキシルアンモニウム等の水酸化テトラアルキルアンモニウム；水酸化２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム（コリンともいう。）等の水酸化ヒドロキシアルキルトリアルキルアンモニウム；等が挙げられる。

　これらの塩基性化合物のうち、例えば、アルカリ金属水酸化物、水酸化第四級アンモニウムおよびアンモニアから選択される少なくとも一種の塩基性化合物を好ましく使用し得る。なかでも水酸化カリウム、水酸化テトラアルキルアンモニウム（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム）およびアンモニアがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。

＜その他の成分＞
　その他、ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、防腐剤、防カビ剤等の、研磨スラリー（典型的には、シリコンウェーハのポリシング工程に用いられる研磨スラリー）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

　ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を実質的に含まないことが好ましい。研磨用組成物中に酸化剤が含まれていると、当該組成物が供給されることで研磨対象物（典型的にはシリコン基板）の表面が酸化されて酸化膜が生じ、これにより研磨レートが低下してしまうことがあり得るためである。ここで、研磨用組成物が酸化剤を実質的に含有しないとは、少なくとも意図的には酸化剤を配合しないことをいい、原料や製法等に由来して微量の酸化剤が不可避的に含まれることは許容され得る。上記微量とは、研磨用組成物における酸化剤のモル濃度が０．０００５モル／Ｌ以下（好ましくは０．０００１モル／Ｌ以下、より好ましくは０．００００１モル／Ｌ以下、特に好ましくは０．０００００１モル／Ｌ以下）であることをいう。好ましい一態様に係る研磨用組成物は、酸化剤を含有しない。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、過酸化水素、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムおよびジクロロイソシアヌル酸ナトリウムをいずれも含有しない態様で好ましく実施され得る。

＜ｐＨ＞
　ここに開示される研磨用組成物のｐＨは、典型的には８．０以上であり、好ましくは８．５以上、より好ましくは９．０以上、さらに好ましくは９．３以上、例えば９．５以上である。研磨用組成物のｐＨが高くなると、研磨能率が向上する傾向にある。一方、砥粒（例えばシリカ粒子）の溶解を防いで機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、研磨用組成物のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．０以下であることが好ましく、１０．８以下であることがより好ましく、１０．５以下であることがさらに好ましい。

　ｐＨは、ｐＨメーター（例えば、堀場製作所製のガラス電極式水素イオン濃度指示計（型番Ｆ－２３））を使用し、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：１０．０１（２５℃））を用いて３点校正した後で、ガラス電極を測定対象の組成物に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定することにより把握することができる。

＜用途＞
　ここに開示される技術における研磨用組成物は、種々の材質および形状を有する研磨対象物の研磨に適用され得る。研磨対象物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金；石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質；アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料；炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料；ポリイミド樹脂等の樹脂材料；等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。

　ここに開示される技術における研磨用組成物は、シリコンからなる表面の研磨（典型的にはシリコンウェーハの研磨）に特に好ましく使用され得る。ここでいうシリコンウェーハの典型例はシリコン単結晶ウェーハであり、例えば、シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコン単結晶ウェーハである。

　ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物（例えばシリコンウェーハ）のポリシング工程に好ましく適用することができる。研磨対象物には、ここに開示される研磨用組成物によるポリシング工程の前に、ラッピングやエッチング等の、ポリシング工程より上流の工程において研磨対象物に適用され得る一般的な処理が施されていてもよい。

　ここに開示される研磨用組成物は、例えば、上流の工程によって表面粗さ０．１ｎｍ～１００ｎｍの表面状態に調製された研磨対象物（例えばシリコンウェーハ）のポリシングにおいて好ましく用いられ得る。研磨対象物の表面粗さＲａは、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製のレーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」を用いて測定することができる。ファイナルポリシング（仕上げ研磨）またはその直前のポリシングでの使用が効果的であり、ファイナルポリシングにおける使用が特に好ましい。ここで、ファイナルポリシングとは、目的物の製造プロセスにおける最後のポリシング工程（すなわち、その工程の後にはさらなるポリシングを行わない工程）を指す。

＜研磨用組成物＞
　ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物に供給されて、その研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を希釈（典型的には、水により希釈）して調製されたものであり得る。あるいは、該研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液（すなわち、研磨液の原液）との双方が包含される。ここに開示される研磨用組成物を含む研磨液の他の例として、該組成物のｐＨを調整してなる研磨液が挙げられる。

　（研磨液）
　研磨液における砥粒の含有量は特に制限されないが、典型的には０．０１重量％以上であり、０．０５重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１０重量％以上、例えば０．１５重量％以上である。砥粒の含有量の増大によって、より高い研磨速度が実現され得る。研磨液中の粒子の分散安定性の観点から、通常、研磨液における砥粒の含有量は、１０重量％以下が適当であり、好ましくは７重量％以下、より好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下、例えば１重量％以下であり、０．７重量％以下であってもよい。好ましい一態様において、研磨液における砥粒の含有量は、０．５重量％以下であってもよく、０．２重量％以下であってもよい。

　研磨液における水溶性高分子の濃度（合計濃度）は特に制限されず、例えば０．０００１重量％以上とすることができる。ヘイズ低減等の観点から、好ましい濃度は０．０００５重量％以上であり、より好ましくは０．００１重量％以上、例えば０．００３重量％以上であり、０．００５重量％以上であってもよい。また、研磨速度等の観点から、研磨液における水溶性高分子の濃度は、通常、０．２重量％以下とすることが好ましく、０．１重量％以下とすることがより好ましく、０．０５重量％以下（例えば０．０１重量％以下）であってもよい。

　研磨液における塩基性化合物の濃度は特に制限されない。研磨速度向上等の観点から、通常は、研磨液における塩基性化合物の濃度は０．００１重量％以上とすることが好ましく、０．００３重量％以上（例えば０．００５重量％以上）とすることがより好ましい。また、ヘイズ低減等の観点から、研磨液における塩基性化合物の濃度は、０．３重量％未満とすることが適当であり、０．１重量％未満とすることが好ましく、０．０５重量％未満（例えば０．０３重量％未満）とすることがより好ましい。

　（濃縮液）
　ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態（すなわち、研磨液の濃縮液の形態であり、研磨液の原液としても把握され得る。）であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は特に限定されず、例えば、体積換算で２倍～１００倍程度とすることができ、通常は５倍～５０倍程度（例えば１０倍～４０倍程度）が適当である。

　このような濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨液（ワーキングスラリー）を調製し、該研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば、上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。

　上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば５０重量％以下とすることができる。上記濃縮液の取扱い性（例えば、砥粒の分散安定性や濾過性）等の観点から、通常、上記濃縮液における砥粒の含有量は、好ましくは４５重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。また、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から、上記濃縮液における砥粒の含有量は、例えば０．５重量％以上とすることができ、好ましくは１重量％以上、より好ましくは３重量％以上である。

　（研磨用組成物の調製）
　ここに開示される技術において使用される研磨用組成物は、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、研磨用組成物の構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートＡと、残りの成分の少なくとも一部を含むパートＢとを混合し、これらを必要に応じて適切なタイミングで混合および希釈することにより研磨液が調製されるように構成されていてもよい。

　研磨用組成物の調製方法は特に限定されない。例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置を用いて、研磨用組成物を構成する各成分を混合するとよい。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。

＜研磨＞
　ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物（例えばシリコンウェーハ）を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
　すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）、ｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

　次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、シリコンウェーハの仕上げ研磨を行う場合、典型的には、ラッピング工程を経たシリコンウェーハを一般的な研磨装置にセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記シリコンウェーハの研磨対象面に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、シリコンウェーハの研磨対象面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。

　上記研磨工程に使用される研磨パッドは、特に限定されない。例えば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の研磨パッドを用いることができる。各研磨パッドは、砥粒を含んでもよく、砥粒を含まなくてもよい。通常は、砥粒を含まない研磨パッドが好ましく用いられる。

　ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨された研磨対象物は、典型的には洗浄される。洗浄は、適当な洗浄液を用いて行うことができる。使用する洗浄液は特に限定されず、例えば、半導体等の分野において一般的なＳＣ－１洗浄液（水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と水（Ｈ_２Ｏ）との混合液）、ＳＣ－２洗浄液（ＨＣｌとＨ_２Ｏ_２とＨ_２Ｏとの混合液）等を用いることができる。洗浄液の温度は、例えば室温（典型的には約１５℃～２５℃）以上、約９０℃程度までの範囲とすることができる。洗浄効果を向上させる観点から、５０℃～８５℃程度の洗浄液を好ましく使用し得る。

　以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「部」および「％」は、特に断りがない限り重量基準である。

＜研磨用組成物の調製＞
　　（例１）
　砥粒と、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーと、ポリアクリロイルモルホリン（以下「ＰＡＣＭＯ」と表記）と、塩基性化合物と、界面活性剤とを含み、残部が水からなる研磨用組成物を調製し、例１に係る研磨用組成物とした。砥粒としては、ＢＥＴ径２５ｎｍのコロイダルシリカを使用した。上記ＢＥＴ径は、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて測定されたものである。アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーとしては、Ｍｗが１．３×１０^４、３０モル％のアセタール化度でアセタール化したものを使用した。ＰＡＣＭＯとしては、Ｍｗが３５×１０^４のものを使用した。界面活性剤としては、Ｍｗが３７８のポリオキシエチレン（エチレンオキサイド付加モル数５）デシルエーテル（以下、「Ｃ１０ＰＥＯ５」と表記）を使用した。塩基性化合物としてはアンモニアを使用した。例１に係る研磨用組成物における各成分の含有量は、砥粒が０．１７％、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーが０．００５０％、ＰＡＣＭＯが０．００３８％、塩基性化合物が０．０１１％であった。

　　（例２）
　アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーとして、Ｍｗが６×１０^３、１０モル％のアセタール化度でアセタール化したものを使用した他は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

　　（例３）
　アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーとして、Ｍｗが２．６×１０^４、２０モル％のアセタール化度でアセタール化したものを使用した他は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

　　（例４）
　界面活性剤として、Ｃ１０ＰＥＯ５に加えて、さらにＭｗが１０５８のポリオキシエチレン（エチレンオキサイド付加モル数１８）ラウリルエーテル硫酸アンモニウム（以下、「Ｃ１２ＰＥＯ１８－ＳＯ３ＮＨ３」と表記）を使用し、組成物中に含まれるＣ１２ＰＥＯ１８－ＳＯ３ＮＨ３の含有量を０．０００２％とした他は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

　　（例５）
　界面活性剤として、Ｃ１０ＰＥＯ５に加えて、さらにＭｗが３２００のＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ型のトリブロック共重合体（中心部がＰＰＯ、両端がＰＥＯ、以下「ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ」と表記する。）を使用し、組成物中に含まれるＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯの含有量を０．０００４％とした他は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。上記ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯにおけるＥＯ単位とＰＯ単位のモル比は、ＥＯ：ＰＯ＝８５：１５であった。

　　（例６）
　アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーに代えて、Ｍｗが７×１０^４、けん化度が９８モル％以上であるアセタール化されていないポリビニルアルコールを使用した他は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

　　（例７）
　ＰＡＣＭＯを使用しなかったこと以外は例１と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。

＜シリコンウェーハの研磨＞
　各例に適用した前段研磨工程の内容を示す。
　（前段研磨工程）
　砥粒０．９５％および塩基性化合物０．０６５％を含み、残部が水からなる前段研磨用組成物を調製した。砥粒としては、ＢＥＴ径３５ｎｍのコロイダルシリカを使用した。塩基性化合物としては水酸化カリウム（ＫＯＨ）を使用した。
　この前段研磨用組成物をそのまま研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、研磨対象物としてのシリコンウェーハを下記の前段研磨条件で研磨した。シリコンウェーハとしては、ラッピングおよびエッチングを終えた直径３００ｍｍの市販シリコン単結晶ウェーハ（伝導型：Ｐ型、結晶方位：＜１００＞、抵抗率：１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満、ＣＯＰフリー）を使用した。

　　［前段研磨条件］
　研磨装置：株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨機、型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：１９ｋＰａ
　定盤回転数：３２ｒｐｍ
　ヘッド（キャリア）回転数：３０ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製、製品名「ＳＵＢＡ４００」
　研磨液供給レート：１リットル／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：２分３０秒

　各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、上記前段研磨工程を終えたシリコンウェーハを、下記の仕上げ研磨条件で研磨した。

　　［仕上げ研磨条件］
　研磨装置：株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨機、型式「ＰＮＸ－３３２Ｂ」
　研磨荷重：１６ｋＰａ
　定盤回転数：２６ｒｐｍ
　ヘッド（キャリア）回転数：２５ｒｐｍ
　研磨パッド：フジボウ愛媛社製の研磨パッド、商品名「ＰＯＬＹＰＡＳ２７ＮＸ」
　研磨液供給レート：０．５リットル／分
　研磨液の温度：２０℃
　定盤冷却水の温度：２０℃
　研磨時間：２分３０秒

　研磨後のシリコンウェーハを研磨装置から取り外し、ＮＨ_４ＯＨ（２９％）：Ｈ_２Ｏ_２（３１％）：脱イオン水（ＤＩＷ）＝２：５．３：４８（体積比）の洗浄液を用いて洗浄した（ＳＣ－１洗浄）。より具体的には、周波数７２０ｋＨｚの超音波発振器を取り付けた洗浄槽を用意し、洗浄槽に上記洗浄液を収容して６０℃に保持し、研磨後のシリコンウェーハを洗浄槽に６分浸漬し、その後超純水によるリンスを行った。この工程を２回繰り返した後、シリコンウェーハを乾燥させた。

＜ヘイズ測定＞
　洗浄後のシリコンウェーハ表面につき、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置、商品名「Ｓｕｒｆｓｃａｎ　ＳＰ２^ＸＰ」を用いて、ＤＷＯモードでヘイズ（ｐｐｍ）を測定した。得られた結果を、例４のヘイズ値を１００％とする相対値に換算して表１に示した。

　表１に示されるように、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーと、ＰＡＣＭＯとを併用した例１～５の研磨用組成物は、いずれも優れたヘイズ低減性能を示した。ここで、アセタール化ポリビニルアルコールを用いた例１～３と、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの代わりにアセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマーを用いた例６とを比較すると、例１～３の研磨用組成物のヘイズ低減性能が優れていることから、水溶性高分子としてアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーを用いることのヘイズ低減性能の観点からの優位性が示された。また、アセタール化度によらずヘイズ低減性能が確認された。アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーの他にＰＡＣＭＯを含む例１～３と、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子を含まない例７との比較により、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーに加えてＰＡＣＭＯを用いることにより、ヘイズ低減性能が顕著に改善することが示された。

　また、二種類の界面活性剤を併用した例４および例５の研磨用組成物は、一種類の界面活性剤を単独で使用した例１と比較して、より優れたヘイズ低減性能を示した。なかでも、Ｍｗが３７８のＣ１０ＰＥＯ５と、Ｍｗが３２００のＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯとを併用した例５の研磨用組成物は、特に優れたヘイズ低減性能を示した。

　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、請求の範囲を限定するものではない。請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims

　砥粒と塩基性化合物と水溶性高分子と水とを含む研磨用組成物であって、
　前記水溶性高分子は、少なくとも水溶性高分子Ｐ１と水溶性高分子Ｐ２とを含み、
　前記水溶性高分子Ｐ１はアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーであり、
　前記水溶性高分子Ｐ２は、アセタール化ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子である、研磨用組成物。
　前記水溶性高分子Ｐ１は、アセタール化度が１モル％以上６０モル％未満であるアセタール化ポリビニルアルコール系ポリマーである、請求項１に記載の研磨用組成物。
　前記水溶性高分子Ｐ２は、窒素原子を含有するポリマー、アセタール化されていないポリビニルアルコール系ポリマー、オキシアルキレン単位を含むポリマー、デンプン誘導体およびセルロース誘導体からなる群から選択される一種または二種以上である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
　さらに界面活性剤を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　前記界面活性剤として、ノニオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤からなる群から選択される二種以上の界面活性剤を含む、請求項４に記載の研磨用組成物。
　前記界面活性剤として、重量平均分子量が１０００未満の界面活性剤Ｓｆ_Ｓと、重量平均分子量が１０００以上の界面活性剤Ｓｆ_Ｌとを含む、請求項４または５に記載の研磨用組成物。
　前記水溶性高分子Ｐ１の重量平均分子量が１０×１０^４以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　前記砥粒はシリカ粒子である、請求項１から７のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　シリコンからなる表面の研磨に用いられる、請求項１から８のいずれか一項に記載の研磨用組成物。