WO2020100696A1 - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム - Google Patents

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幸一 茶花
徹弥 谷口
明子 林出
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Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device and an adhesive film for processing a semiconductor wafer.
  • a flip chip connection method As a flip chip connection method, a method using a solder bump, a method using a gold bump and a conductive adhesive, a thermocompression bonding method, an ultrasonic method, etc. are known. In these methods, there is a problem that thermal stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the chip and the substrate concentrates on the connection portion and the connection reliability decreases. In order to prevent such a decrease in connection reliability, an underfill that fills the gap between the chip and the substrate is generally formed of resin. Since the thermal stress is relieved by being dispersed in the underfill, it is possible to improve the connection reliability.
  • a method of forming an underfill a method of connecting a semiconductor chip and a substrate using solder or the like, and then injecting a liquid sealing resin into a void by utilizing a capillary phenomenon is adopted.
  • a flux composed of rosin or an organic acid is used, but if a flux residue remains, Since a bubble called a void is generated when the liquid resin is injected, or the wiring is corroded due to an acid component and the connection reliability is deteriorated, a step of cleaning the residue is essential.
  • the encapsulating resin having the property of reducing and removing the oxide film on the solder surface (hereinafter referred to as flux activity) is used to supply the encapsulating resin to the substrate.
  • flux activity the encapsulating resin having the property of reducing and removing the oxide film on the solder surface
  • JP 2001-332520 A JP, 2005-028734, A JP, 2009-239138, A
  • the resin which is called a fillet
  • the resin tends to squeeze out of the chip after the semiconductor chip is mounted.
  • this fillet is large, it is difficult to mount the adjacent chips, and therefore it is necessary to suppress the fillet.
  • the thickness of the film-shaped resin (adhesive layer) supplied as the sealing resin is equal to or thinner than the height of the bump.
  • the film-shaped resin As a method of suppressing voids, it is possible to improve the ability of the film-shaped resin to follow the irregularities on the semiconductor wafer. In order to improve the followability, it is conceivable that the film-shaped resin has high fluidity and that the laminating temperature is increased. However, the former method has a problem that fillets are likely to occur even if voids can be suppressed. In the latter case, the amount of shrinkage of the base material of the back grind tape increases after the lamination due to the heat applied during the lamination. Therefore, the wafer after the back grinding cannot suppress the contraction of the base material, which causes a problem that the warp of the wafer becomes large.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing the same and an adhesive film for processing a semiconductor wafer.
  • the present disclosure provides a semiconductor wafer having a plurality of electrodes on one of its main surfaces, and on the side of the semiconductor wafer on which the electrodes are provided, a base material and a base material on the base material.
  • a step of thinning the semiconductor wafer by grinding the side of the semiconductor wafer opposite to the side where the electrodes are provided, and an adhesive layer by dicing the thinned semiconductor wafer and the adhesive layer.
  • a method for manufacturing a semiconductor device wherein the thickness is 75 to 300 ⁇ m, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 times or more the thickness of the adhesive layer.
  • the thickness of the back grind tape composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 75 to 300 ⁇ m, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 times or more the thickness of the adhesive layer.
  • the back grinding tape and the pressure-sensitive adhesive layer thereof in the adhesive film for processing a semiconductor wafer may be any as long as they can hold the semiconductor wafer at the time of back grinding, and since they are not in direct contact with the semiconductor wafer, the back grinding tape is conventionally used. The relationship between the thickness of the tape and its adhesive layer and the void was not examined.
  • the entire back grind tape is made to have a low elastic modulus and a semiconductor wafer
  • the followability of the adhesive film for semiconductor wafer processing to the irregularities of can be improved. This makes it possible to suppress the occurrence of voids during the lamination of the adhesive layer without increasing the fluidity of the adhesive layer or raising the laminating temperature.
  • the fillet and the wafer warp are not adversely affected. Furthermore, it has been confirmed that the above manufacturing method does not adversely affect the back grindability.
  • the elastic modulus at 35 ° C. of the back grind tape may be 1.5 GPa or less. In this case, it is possible to further improve the conformability of the adhesive film for semiconductor wafer processing to the irregularities on the semiconductor wafer, and it is possible to further suppress the occurrence of voids during lamination of the adhesive layer.
  • the base material may be a polyethylene terephthalate film.
  • the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer may be lower than the adhesive force between the adhesive layer and the semiconductor wafer. In this case, after backgrinding the semiconductor wafer, only the backgrind tape can be easily peeled off while leaving the adhesive layer on the semiconductor wafer.
  • the thickness of the adhesive layer may be less than the height of the electrodes of the semiconductor wafer.
  • the manufacturing method of the present disclosure is suitable when the thickness of the adhesive layer is reduced to less than the height of the electrodes of the semiconductor wafer. Even when the adhesive layer is thinned in this way, it is possible to suppress the occurrence of voids during lamination of the adhesive layer.
  • the semiconductor wafer may have a groove on the main surface having the electrode.
  • the manufacturing method of the present disclosure is suitable when using a semiconductor wafer having a groove such as a scribe line on the surface. Even when a semiconductor wafer having a groove is used, it is possible to suppress the occurrence of voids when laminating the adhesive layer.
  • the present disclosure also includes a back grinding tape including a substrate and an adhesive layer formed on the substrate, and an adhesive layer formed on the adhesive layer, the thickness of the back grinding tape. Is 75 to 300 ⁇ m, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 times or more the thickness of the adhesive layer.
  • the thickness of the back grind tape composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 75 to 300 ⁇ m, and the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 3 times or more the thickness of the adhesive layer. As a result, even when the adhesive layer is thinned, it is possible to suppress the occurrence of voids during the lamination of the adhesive layer.
  • the elastic modulus at 35 ° C. of the back grind tape may be 1.5 GPa or less.
  • the base material may be a polyethylene terephthalate film.
  • a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing the occurrence of voids during lamination of an adhesive layer without adversely affecting fillet and wafer warp, and an adhesive film for semiconductor wafer processing. Can be provided.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of the method for manufacturing the semiconductor device of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of the method for manufacturing the semiconductor device of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of the method for manufacturing the semiconductor device of the present disclosure.
  • the numerical range indicated by using “to” indicates the range including the numerical values before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of a certain stage can be arbitrarily combined with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another stage.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the values shown in the examples.
  • “A or B” may include either one of A and B, or may include both.
  • the materials exemplified in the present specification can be used alone or in combination of two or more kinds.
  • “(meth) acryl” means acryl or methacryl corresponding thereto.
  • One embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present disclosure is to prepare a semiconductor wafer having a plurality of electrodes on one of the main surfaces, and to a side of the semiconductor wafer where the electrodes are provided, a base material and the base material.
  • a back grinding tape including a pressure-sensitive adhesive layer formed above, and an adhesive film formed on the pressure-sensitive adhesive layer, a semiconductor wafer processing adhesive film is attached from the adhesive layer side to form a laminate.
  • a step of thinning the semiconductor wafer by grinding the side of the semiconductor wafer opposite to the side where the electrodes are provided, and dicing the thinned semiconductor wafer and the adhesive layer to bond them.
  • the method includes a step of dividing the semiconductor chip with the agent layer into individual pieces, and a step of electrically connecting the electrode of the semiconductor chip with the adhesive layer to an electrode of another semiconductor chip or a wiring circuit board.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an adhesive film for processing a semiconductor wafer of the present disclosure.
  • the semiconductor wafer processing adhesive film 10 shown in FIG. 1 includes a supporting substrate 1, a film adhesive (adhesive layer) 2, and a back grinding tape 5.
  • the back grinding tape 5 is composed of the adhesive layer 3 and the base material 4.
  • the thickness of the back grind tape 5 is 75 to 300 ⁇ m, and the thickness of the adhesive layer 3 is 3 times or more the thickness of the adhesive layer 2.
  • the adhesive film 10 of the present embodiment is a film that can be used for both back grinding and circuit member connection, and the adhesive layer 2 is attached to the main surface of the semiconductor wafer on the side where the electrodes are provided. ..
  • the adhesive composition of the present embodiment includes, for example, an epoxy resin (hereinafter, sometimes referred to as “(a) component”), a curing agent (hereinafter, sometimes referred to as “(b) component”), and a flux agent. (Hereinafter, it may be referred to as “component (c)” in some cases).
  • an epoxy resin hereinafter, sometimes referred to as “(a) component”
  • a curing agent hereinafter, sometimes referred to as “(b) component”
  • a flux agent hereinafter, it may be referred to as “component (c)” in some cases.
  • the adhesive composition of the present embodiment may contain a polymer component having a weight average molecular weight of 10,000 or more (hereinafter, sometimes referred to as “(d) component”), if necessary. Further, the adhesive composition of the present embodiment may contain a filler (hereinafter, sometimes referred to as “component (e)”), if necessary.
  • the component (a) include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, triphenyl.
  • Methane type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and various polyfunctional epoxy resins can be used. These can be used alone or as a mixture of two or more kinds.
  • the component (a) has a thermal weight loss rate of 5% or less at 250 ° C. when the temperature at the time of connection is 250 ° C., from the viewpoint of suppressing decomposition at the time of connection at high temperature and generation of volatile components. It is preferable to use an epoxy resin, and when the temperature at the time of connection is 300 ° C., it is preferable to use an epoxy resin having a thermal weight loss rate at 300 ° C. of 5% or less.
  • the content of the component (a) is, for example, 5 to 75% by mass, preferably 10 to 50% by mass, and more preferably 15 to 35% by mass, based on the total amount of the adhesive composition (excluding the solvent). Is.
  • Component (b) Curing Agent
  • the component (b) include phenol resin curing agents, acid anhydride curing agents, amine curing agents, imidazole curing agents and phosphine curing agents.
  • the component (b) contains a phenolic hydroxyl group, an acid anhydride, amines or imidazoles, it exhibits a flux activity that suppresses the formation of an oxide film at the connection part, and improves the connection reliability and insulation reliability. it can.
  • each curing agent will be described.
  • Phenolic resin-based curing agent is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, and examples thereof include phenol novolac resin, cresol novolac resin, and phenol aralkyl resin. , Cresol naphthol formaldehyde polycondensate, triphenylmethane type polyfunctional phenol resin and various polyfunctional phenol resins can be used. These can be used alone or as a mixture of two or more kinds.
  • the equivalent ratio (phenolic hydroxyl group / epoxy group, molar ratio) of the phenol resin-based curing agent to the component (a) is 0.3 to 1.5 from the viewpoint of good curability, adhesiveness and storage stability. It is preferably 0.4 to 1.0, more preferably 0.5 to 1.0.
  • the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability and the adhesive strength tend to be improved, and when it is 1.5 or less, the unreacted phenolic hydroxyl group does not remain excessively and the water absorption is It tends to be kept low and the insulation reliability tends to be improved.
  • Acid Anhydride Curing Agent examples include methylcyclohexanetetracarboxylic dianhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, and ethylene glycol bis.
  • Anhydrotrimellitate can be used. These can be used alone or as a mixture of two or more kinds.
  • the equivalent ratio (acid anhydride group / epoxy group, molar ratio) of the acid anhydride-based curing agent to the above component (a) is 0.3 to 1 from the viewpoint of good curability, adhesiveness and storage stability. 5 is preferable, 0.4 to 1.0 is more preferable, and 0.5 to 1.0 is further preferable. If the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability and the adhesive strength tend to be improved, and if it is 1.5 or less, the unreacted acid anhydride does not remain excessively and the water absorption is It tends to be kept low and the insulation reliability tends to be improved.
  • (Iii) Amine-Based Curing Agent As the amine-based curing agent, for example, dicyandiamide can be used.
  • the equivalent ratio (amine / epoxy group, molar ratio) of the amine-based curing agent to the component (a) is preferably 0.3 to 1.5 from the viewpoint of good curability, adhesiveness and storage stability, and 0. 4-1.0 is more preferable, and 0.5-1.0 is still more preferable.
  • the equivalent ratio is 0.3 or more, the curability and the adhesive strength tend to be improved, and when it is 1.5 or less, unreacted amine does not remain excessively and the insulation reliability is improved. Tend to do.
  • Imidazole type curing agent examples include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6 -[2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2, 4-diamino-6- [2'-ethyl-4'-methylimid
  • 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitic acid from the viewpoint of excellent curability, storage stability and connection reliability.
  • Tate 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-Ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine
  • Isocyanuric acid adducts 2-phenylimidazole isocyanuric acid adducts, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole are preferred. These can be used alone or in combination of two or more. Further, these may be microencapsulated latent curing agents.
  • the content of the imidazole-based curing agent is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (a).
  • the content of the imidazole-based curing agent is 0.1 parts by mass or more, the curability tends to be improved, and when it is 20 parts by mass or less, the adhesive composition may be cured before the metal bond is formed. No connection failure tends to occur.
  • (V) Phosphine-Based Curing Agent examples include triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetra (4-methylphenyl) borate and tetraphenylphosphonium (4-fluorophenyl) borate. Can be mentioned.
  • the content of the phosphine-based curing agent is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (a).
  • the content of the phosphine-based curing agent is 0.1 part by mass or more, the curability tends to be improved, and when it is 10 parts by mass or less, the adhesive composition may be cured before the metal bond is formed. No connection failure tends to occur.
  • Each of the phenol resin-based curing agent, the acid anhydride-based curing agent and the amine-based curing agent may be used alone or as a mixture of two or more kinds.
  • the imidazole-based curing agent and the phosphine-based curing agent may be used alone or in combination with a phenol resin-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent or an amine-based curing agent.
  • the component (b) is selected from the group consisting of a phenol resin curing agent, an amine curing agent, an imidazole curing agent and a phosphine curing agent. It is preferably the curing agent of choice. Further, from the viewpoint of easy adjustment of the curing speed and the viewpoint of realizing short-time connection for the purpose of improving productivity by the rapid curing property, the component (b) is a phenol resin curing agent or an amine curing agent. It is more preferable that the curing agent is selected from the group consisting of agents and imidazole curing agents.
  • the adhesive composition contains a phenol resin-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, or an amine-based curing agent as the component (b), it exhibits flux activity for removing an oxide film and further improves connection reliability.
  • Component (c) Flux agent
  • the component (c) is a compound having flux activity (activity for removing oxides, impurities, etc.).
  • Examples of the component (c) include nitrogen-containing compounds having an unshared electron pair (imidazoles, amines and the like, excluding those contained in the component (b)), carboxylic acids, phenols and alcohols. .. It should be noted that carboxylic acids more strongly develop flux activity than alcohols and are more likely to improve connectivity.
  • one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the component (c) may be a compound having a group represented by the following formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “flux compound”).
  • R 1 represents an electron donating group.
  • the electron donating group examples include an alkyl group, a hydroxyl group, an amino group, an alkoxy group and an alkylamino group.
  • the electron-donating group is preferably a group that is difficult to react with other components (for example, the epoxy resin as the component (a)), and specifically, an alkyl group, a hydroxyl group or an alkoxy group is preferable, and an alkyl group is more preferable.
  • the electron-donating group When the electron-donating group has a stronger electron-donating property, the above-mentioned effect of suppressing the decomposition of the ester bond tends to be easily obtained. When the steric hindrance of the electron-donating group is large, the effect of suppressing the reaction between the carboxyl group and the epoxy resin described above can be easily obtained.
  • the electron-donating group preferably has a well-balanced electron-donating property and steric hindrance.
  • an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable.
  • the carbon number of the alkyl group increases, the electron donating property and the steric hindrance tend to increase.
  • An alkyl group having a carbon number in the above range is excellent in the balance between electron donating property and steric hindrance, so that the alkyl group can improve reflow resistance and connection reliability.
  • the alkyl group may be linear or branched, but the linear one is preferable.
  • the carbon number of the alkyl group is preferably not more than the carbon number of the main chain of the flux compound from the viewpoint of the balance between electron donating property and steric hindrance.
  • the carbon number of the alkyl group is the carbon number of the main chain of the flux compound ( It is preferably n + 1) or less.
  • an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable.
  • the carbon number of the alkoxy group increases, the electron donating property and the steric hindrance tend to increase.
  • An alkoxy group having a carbon number in the above range is excellent in the balance of electron donating property and steric hindrance. Therefore, according to the alkoxy group, reflow resistance and connection reliability can be improved.
  • the alkyl group portion of the alkoxy group may be linear or branched, and among them, linear is preferable.
  • the number of carbon atoms of the alkoxy group is preferably equal to or less than the number of carbon atoms of the main chain of the flux compound from the viewpoint of the balance between electron donating property and steric hindrance.
  • the carbon number of the alkoxy group is the carbon number of the main chain of the flux compound ( It is preferably n + 1) or less.
  • alkylamino group examples include a monoalkylamino group and a dialkylamino group.
  • a monoalkylamino group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and a monoalkylamino group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable.
  • the alkyl group portion of the monoalkylamino group may be linear or branched, and is preferably linear.
  • the dialkylamino group is preferably a dialkylamino group having 2 to 20 carbon atoms, and more preferably a dialkylamino group having 2 to 10 carbon atoms.
  • the alkyl group portion of the dialkylamino group may be linear or branched, and is preferably linear.
  • the flux compound is preferably a compound having two carboxyl groups (dicarboxylic acid).
  • the compound having two carboxyl groups is less likely to volatilize even at a high temperature at the time of connection as compared with the compound having one carboxyl group (monocarboxylic acid), and the generation of voids can be further suppressed. Further, when a compound having two carboxyl groups is used, it is possible to further suppress an increase in the viscosity of the adhesive composition during storage, connection work, etc., as compared with the case where a compound having three or more carboxyl groups is used. Therefore, the connection reliability of the semiconductor device can be further improved.
  • a compound represented by the following formula (2) can be preferably used as the flux compound.
  • the compound represented by the following formula (2) can further improve the reflow resistance and connection reliability of the semiconductor device.
  • R 1 represents an electron-donating group
  • R 2 represents a hydrogen atom or an electron-donating group
  • n represents an integer of 0 or 1 or more
  • plural R 2 s are the same or different from each other. May be.
  • N in the formula (2) is preferably 1 or more.
  • n in the formula (2) is preferably 15 or less, more preferably 11 or less, and may be 6 or less or 4 or less. When n is 15 or less, more excellent connection reliability can be obtained.
  • a compound represented by the following formula (3) is more preferable.
  • the compound represented by the following formula (3) can further improve the reflow resistance and connection reliability of the semiconductor device.
  • R 1 represents an electron donating group
  • R 2 represents a hydrogen atom or an electron donating group
  • m represents 0 or an integer of 1 or more.
  • M in formula (3) is preferably 10 or less, more preferably 5 or less, and further preferably 3 or less. When m is 10 or less, further excellent connection reliability can be obtained.
  • R 2 may be a hydrogen atom or an electron donating group.
  • R 2 is a hydrogen atom
  • the melting point tends to be low, and the connection reliability of the semiconductor device may be improved in some cases.
  • R 1 and R 2 are different electron donating groups
  • the melting point tends to be lower than in the case where R 1 and R 2 are the same electron donating group, so that the semiconductor device is connected. In some cases, reliability can be further improved.
  • the flux compound examples include an electron-donating group at the 2-position of a dicarboxylic acid selected from succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid and dodecanedioic acid. Substituted compounds can be used.
  • the melting point of the flux compound is preferably 150 ° C or lower, more preferably 140 ° C or lower, and further preferably 130 ° C or lower. Such a flux compound is likely to exhibit sufficient flux activity before the curing reaction between the epoxy resin and the curing agent occurs. Therefore, according to the adhesive composition containing such a flux compound, a semiconductor device having more excellent connection reliability can be realized.
  • the melting point of the flux compound is preferably 25 ° C or higher, more preferably 50 ° C or higher.
  • the flux compound is preferably solid at room temperature (25 ° C).
  • the melting point of the flux compound can be measured using a general melting point measuring device.
  • the sample whose melting point is to be measured is pulverized into fine powder and it is required to reduce the temperature deviation in the sample by using a trace amount.
  • a capillary tube with one end closed is often used, but depending on the measuring device, there is also one that is sandwiched between two microscope cover glasses to form a container. Also, if the temperature is rapidly increased, a temperature gradient will be generated between the sample and the thermometer, causing a measurement error. Therefore, the heating at the time of measuring the melting point should be measured at an increase rate of 1 ° C or less per minute. Is desirable.
  • the powder is prepared as fine powder, so the sample before melting is opaque due to diffuse reflection on the surface. It is usual to set the temperature at which the appearance of the sample begins to become transparent as the lower limit point of the melting point and the temperature at which the sample has completely melted as the upper limit point.
  • the most classical device is a device in which a double tube thermometer is attached with a capillary tube filled with a sample and heated in a warm bath. A highly viscous liquid is used as the liquid in the hot bath for the purpose of attaching a capillary tube to the double-tube thermometer, and concentrated sulfuric acid or silicone oil is often used. Install.
  • the melting point measuring device it is possible to use a device that heats using a metal heat block and automatically determines the melting point while adjusting the heating while measuring the light transmittance.
  • the melting point of 150 ° C. or lower means that the upper limit of the melting point is 150 ° C. or lower, and the melting point of 25 ° C. or higher means that the lower limit of the melting point is 25 ° C. or higher. means.
  • the content of the component (c) is preferably 0.5 to 10% by mass, and more preferably 0.5 to 5% by mass, based on the total amount of the adhesive composition (excluding the solvent).
  • Component (d) Polymer component having a weight average molecular weight of 10,000 or more
  • the adhesive composition of the present embodiment contains a polymer component having a weight average molecular weight of 10,000 or more (component (d)), if necessary. May be.
  • the adhesive composition containing the component (d) is further excellent in heat resistance and film formability.
  • the component (d) examples include, for example, phenoxy resin, polyimide resin, polyamide resin, polycarbodiimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, polyester resin, from the viewpoint of obtaining excellent heat resistance, film formability, and connection reliability.
  • Polyethylene resin, polyether sulfone resin, polyetherimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin and acrylic rubber are preferred.
  • phenoxy resin, polyimide resin, acrylic rubber, acrylic resin, cyanate ester resin and polycarbodiimide resin are more preferable from the viewpoint of further excellent heat resistance and film forming property
  • phenoxy resin, polyimide resin, acrylic rubber and acrylic resin are More preferably, phenoxy resin is particularly preferable.
  • These components (d) can be used alone or as a mixture or copolymer of two or more kinds.
  • the epoxy resin which is the component (a) is not included in the component (d).
  • the weight average molecular weight of the component (d) is 10,000 or more, preferably 20,000 or more, and more preferably 30,000 or more. According to such a component (d), the heat resistance and the film forming property of the adhesive composition can be further improved.
  • the weight average molecular weight of the component (d) is preferably 1,000,000 or less, more preferably 500000 or less. According to such a component (d), an effect of high heat resistance can be obtained.
  • the said weight average molecular weight shows the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured using GPC (gel permeation chromatography, Gel Permeation Chromatography).
  • GPC gel permeation chromatography, Gel Permeation Chromatography
  • Equipment HCL-8320GPC, UV-8320 (product name, manufactured by Tosoh Corporation), or HPLC-8020 (product name, manufactured by Tosoh Corporation)
  • Eluent Select a solvent in which the polymer component dissolves.
  • THF tetrahydrofuran
  • DMF N, N-dimethylformamide
  • DMA N, N-dimethylacetamide
  • NMP N-methylpyrrolidone
  • phosphoric acid 0.05 to 0.1 mol / L (usually 0.06 mol / L)
  • LiBr concentration of LiBr
  • Flow rate 0.30-1.5 mL / min
  • Standard substance polystyrene
  • the ratio C a / C d (mass ratio) of the content C a of the component (a) to the content C d of the component (d) is 0.01 to. It is preferably 5, more preferably 0.05 to 3, and even more preferably 0.1 to 2.
  • Component (e) Filler
  • the adhesive composition of the present embodiment may contain a filler (component (e)), if necessary.
  • the viscosity of the adhesive composition, the physical properties of the cured product of the adhesive composition, and the like can be controlled by the component (e). Specifically, according to the component (e), for example, it is possible to suppress the occurrence of voids at the time of connection, reduce the moisture absorption rate of the cured product of the adhesive composition, and the like.
  • Insulating inorganic fillers, whiskers, resin fillers, etc. can be used as the component (e).
  • the component (e) one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • Examples of the insulating inorganic filler include glass, silica, alumina, titanium oxide, carbon black, mica and boron nitride. Among these, silica, alumina, titanium oxide and boron nitride are preferable, and silica, alumina and boron nitride are more preferable.
  • whiskers examples include aluminum borate, aluminum titanate, zinc oxide, calcium silicate, magnesium sulfate, and boron nitride.
  • resin fillers examples include fillers made of resins such as polyurethane and polyimide.
  • the resin filler has a small coefficient of thermal expansion compared to organic components (epoxy resin, curing agent, etc.), so it is excellent in improving connection reliability.
  • the resin filler can easily adjust the viscosity of the adhesive composition.
  • the resin filler since the resin filler has an excellent function of relieving stress as compared with the inorganic filler, the resin filler can further suppress peeling in a reflow test or the like.
  • the inorganic filler has a smaller coefficient of thermal expansion than the resin filler, the inorganic filler can realize a low coefficient of thermal expansion of the adhesive composition.
  • many inorganic fillers are general-purpose products whose particle size is controlled, they are also preferable for viscosity adjustment.
  • each of the resin filler and the inorganic filler has an advantageous effect, either one may be used depending on the application, or both may be mixed and used to exhibit the functions of both.
  • component (e) The shape, particle size and content of component (e) are not particularly limited. Further, the component (e) may be one whose physical properties are appropriately adjusted by surface treatment.
  • the content of the component (e) is preferably 10 to 80% by mass, more preferably 15 to 60% by mass based on the total amount (excluding the solvent) of the adhesive composition.
  • the component (e) is preferably composed of an insulator. If the component (e) is composed of a conductive material (for example, solder, gold, silver, copper, etc.), the insulation reliability (particularly HAST resistance) may decrease.
  • a conductive material for example, solder, gold, silver, copper, etc.
  • the adhesive composition of the present embodiment may contain additives such as an antioxidant, a silane coupling agent, a titanium coupling agent, a leveling agent, and an ion trap agent. These may be used alone or in combination of two or more. The blending amount of these may be appropriately adjusted so that the effect of each additive is exhibited.
  • the film adhesive (adhesive layer) 2 is a varnish prepared by dissolving or dispersing an adhesive composition containing the above-mentioned components in a solvent, coating the varnish on the supporting substrate 1, and heating the solvent to remove the solvent. It can be formed by removing.
  • the supporting substrate 1 for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate can be used.
  • Examples of commercially available products include polyethylene terephthalate films such as "A-31" manufactured by Teijin DuPont Films Ltd.
  • the thickness of the supporting substrate 1 is preferably 10 to 100 ⁇ m, more preferably 30 to 75 ⁇ m, and particularly preferably 35 to 50 ⁇ m. If the thickness is less than 10 ⁇ m, the supporting base material 1 tends to be easily broken during coating, and if it exceeds 100 ⁇ m, the cost tends to be poor.
  • the temperature condition for removing the solvent by heating is preferably about 70 to 150 ° C.
  • the solvent to be used is not particularly limited, but it is preferable to determine it in consideration of volatility at the time of forming the adhesive layer from the boiling point.
  • a relatively low boiling point solvent such as methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methylethylketone, acetone, methylisobutylketone, toluene, xylene adheres when the adhesive layer is formed. It is preferable because the agent layer is hard to cure.
  • a solvent having a relatively high boiling point such as dimethylacetamide, dimethylformamide, N-methylpyrrolidone or cyclohexanone may be used. These solvents can be used alone or in combination of two or more kinds.
  • the thickness of the film adhesive (adhesive layer) 2 may be 2 to 50 ⁇ m, preferably 5 to 20 ⁇ m, and more preferably 5 to 16 ⁇ m from the viewpoint of suppressing the protrusion of the resin after mounting.
  • the thickness of the film adhesive (adhesive layer) 2 may be 0.6 to 1.5 times, or 0.7 to 1.3 times the height of the electrode before connection of the semiconductor wafer. Or may be 0.8 to 1.2 times.
  • the thickness of the film adhesive (adhesive layer) 2 may be less than the height of the electrodes before the connection of the semiconductor wafer. When the thickness of the adhesive layer 2 is 0.6 times or more the height of the electrode, it is possible to sufficiently suppress the generation of voids due to unfilled adhesive, and further improve the connection reliability. .
  • the thickness is 1.5 times or less, the amount of the adhesive agent extruded from the chip connection region at the time of connection can be sufficiently suppressed, so that the generation of fillet can be suppressed and the adhesion to the unnecessary portion can be suppressed. Adhesion of the agent can be sufficiently prevented.
  • the viscosity of the film adhesive (adhesive layer) 2 at 80 ° C. is preferably 4000 to 10000 Pa ⁇ s, more preferably 5000 to 9000 Pa ⁇ s.
  • the viscosity of the adhesive layer 2 is measured by the following procedure. First, a plurality of film adhesives are attached at a temperature of 60 to 80 ° C.
  • the viscosity of the film adhesive (adhesive layer) 2 can be adjusted by, for example, selecting a high molecular weight component, selecting a filler, and adjusting the blending amount thereof.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 preferably has an adhesive force at room temperature and has a necessary adhesive force to an adherend. Further, it is preferable to have a property that it is cured by high energy rays such as radiation or heat (the adhesive strength is reduced), but it can be easily peeled from the adhesive layer without applying high energy rays such as radiation or heat. Is more preferable.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be formed using, for example, an acrylic resin, various synthetic rubbers, natural rubber, or a polyimide resin.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 When the pressure-sensitive adhesive layer 3 has the property of being hardened by high-energy rays such as radiation (the pressure-sensitive adhesive force is reduced), the pressure-sensitive adhesive layer 3 may include, for example, an acrylic copolymer as a main component and a cross-linking agent. And a photopolymerization initiator.
  • a main component means the component whose content exceeds 50 mass parts with respect to 100 mass parts of compositions which comprise a target layer.
  • the above acrylic copolymer has at least a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group and a hydroxyl group in the main chain.
  • an acrylic resin or a methacrylic resin as an acrylic copolymer (hereinafter, referred to as "(meth) acrylic resin”) has an unsaturated bond in a side chain and the resin itself has adhesiveness. be able to.
  • a resin has a glass transition temperature of ⁇ 40 ° C. or lower, a hydroxyl value of 20 to 150 mgKOH / g, a chain-polymerizable functional group of 0.3 to 1.5 mmol / g, and an acid value substantially detected.
  • the (meth) acrylic resin having such characteristics can be obtained by synthesizing by a known method, and for example, a solution polymerization method, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, a precipitation polymerization method. , A gas phase polymerization method, a plasma polymerization method, a supercritical polymerization method and the like are used. Further, as the type of polymerization reaction, radical polymerization, cationic polymerization, anionic polymerization, living radical polymerization, living cationic polymerization, living anionic polymerization, coordination polymerization, immodal polymerization, etc., as well as ATRP or RAFT can be used.
  • the synthesis by radical polymerization using the solution polymerization method is advantageous in terms of economy, high reaction rate, easy control of polymerization, and the like, and the resin solution obtained by polymerization can be used as it is for blending. It is preferable because it is easy to mix.
  • the monomer used when synthesizing the (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it has one (meth) acrylic group in one molecule, but if specifically exemplified, Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate , 2-ethylhexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octylheptyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, tridecyl (meth
  • the (meth) acrylic resin obtained by copolymerizing such a monomer component has a low glass transition temperature and thus exhibits not only excellent adhesive properties, but also strong hydrophobic interaction, so that it is irradiated with ultraviolet rays or electron beams. After that, the peeling property at the interface between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 2 is excellent, which is preferable.
  • the polymerization initiator necessary for obtaining such a (meth) acrylic resin is not particularly limited as long as it is a compound that generates a radical by heating at 30 ° C. or higher, and examples thereof include methyl ethyl ketone peroxide and cyclohexanone peroxide.
  • Ketone ketones such as methylcyclohexanone peroxide; 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t -Butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane
  • Peroxyketals such as; hydroperoxides such as p-menthane hydroperoxide; ⁇ , ⁇ '-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, di-t- Dialkyl peroxides such as butyl peroxide; diacyl peroxides such as octanoy
  • the reaction solvent used in the solution polymerization is not particularly limited as long as it can dissolve the (meth) acrylic resin, and examples thereof include aromas such as toluene, xylene, mesitylene, cumene and p-cymene.
  • hydrocarbons such as cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, ethylene glycol, propylene glycol; acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl -Ketones such as 2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone; carbonic acid esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether , Ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glyco
  • Photosensitivity can be imparted to a (meth) acrylic resin by chemically bonding a functional group capable of reacting with irradiation of ultraviolet rays, electron beams, or visible rays.
  • the functional group capable of reacting with irradiation of ultraviolet rays, electron beams, or visible rays is a (meth) acryl group, vinyl group, allyl group, glycidyl group, alicyclic group. Examples thereof include an epoxy group and an oxetane group.
  • the method of imparting photosensitivity to the (meth) acrylic resin is not particularly limited, but, for example, when synthesizing the above (meth) acrylic resin, a functional group capable of undergoing an addition reaction in advance, for example, a hydroxyl group or a carboxyl group.
  • a maleic anhydride group, a glycidyl group, an amino group and the like are copolymerized to introduce a functional group capable of undergoing an addition reaction into a (meth) acrylic resin, and at least one ethylenically unsaturated group and epoxy Group, an oxetanyl group, an isocyanate group, a hydroxyl group, and a compound having at least one functional group selected from a carboxyl group and the like, by introducing an ethylenically unsaturated group into the side chain, (meth) acryl Photosensitivity can be imparted to the resin.
  • the compound is not particularly limited, and glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -propylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -butylglycidyl (meth) acrylate, 2-methylglycidyl (meth) ) Acrylate, 2-ethylglycidyl (meth) acrylate, 2-propylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3,4-epoxyheptyl (meth) acrylate, ⁇ -ethyl-6,7 -Epoxy heptyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p
  • a catalyst that accelerates the addition reaction may be added, or a polymerization inhibitor may be added for the purpose of avoiding double bond cleavage during the reaction. Still more preferably, it is a reaction product of an (meth) acrylic resin containing an OH group and at least one selected from 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and 2-acryloyloxyethyl isocyanate.
  • the cross-linking agent has at least one selected from a hydroxyl group, a glycidyl group, an amino group, and the like introduced into a (meth) acrylic resin, and two or more functional groups capable of reacting with these functional groups in one molecule. It is a compound and its structure is not limited. Examples of the bond formed by such a crosslinking agent include an ester bond, an ether bond, an amide bond, an imide bond, a urethane bond and a urea bond. Among them, when the cross-linking agent has an aromatic group-containing isocyanate group, the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 2 is unlikely to increase even if the ultraviolet irradiation amount increases, which is preferable.
  • the amount of the crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably 10 to 13 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.
  • the amount of the cross-linking agent is less than 10 parts by mass, the elongation at break of the pressure-sensitive adhesive layer 3 before irradiation with ultraviolet rays becomes high, and the machinability during the dicing process tends to be insufficient.
  • the peeling force between the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the adhesive layer 2 after ultraviolet irradiation is not sufficiently reduced, and it is likely to be necessary to set a relatively large push-up amount during the pickup step.
  • the amount of the cross-linking agent exceeds 13 parts by mass, the adhesive force with the pressure-sensitive adhesive layer 3 before irradiation with ultraviolet rays tends to be insufficient.
  • the cross-linking agent preferably has two or more isocyanate groups in one molecule of the cross-linking agent.
  • a compound When such a compound is used, it easily reacts with the hydroxyl group, glycidyl group, amino group, etc. introduced into the (meth) acrylic resin to form a strong crosslinked structure, and adheres to the semiconductor chip after the die bonding process. Adhesion of the agent layer 3 can be suppressed.
  • a cross-linking agent having two or more isocyanate groups in one molecule is, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate.
  • an isocyanate group-containing oligomer obtained by reacting the above-mentioned isocyanate compound with a polyhydric alcohol having two or more OH groups in one molecule can also be used.
  • examples of the polyhydric alcohol having two or more OH groups in one molecule include ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, 1,6-hexanediol, and 1,8-octanediol.
  • 1,9-nonanediol 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12-dodecanediol, glycerin, pentaerythritol, dipentaerythritol, 1,4-cyclohexanediol, 1,3-cyclohexane Examples include diols.
  • the cross-linking agent is a reaction product of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more OH groups in one molecule.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 can form a dense crosslinked structure.
  • the photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it generates an active species capable of causing chain polymerization of the acrylic copolymer by irradiation with one or more kinds of light selected from ultraviolet rays, electron rays and visible rays. However, for example, it may be a photo-radical polymerization initiator or a photo-cationic polymerization initiator.
  • the chain-polymerizable active species is not particularly limited as long as it reacts with the functional group of the acrylic copolymer to initiate the polymerization reaction.
  • photoradical polymerization initiator examples include benzoin ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane- ⁇ -hydroxyketone such as 1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one; 2-benzyl-2-dimethylamino-1 ⁇ -aminoketone such as-(4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one; 1- [ Oxime esters such as 4- (phenylthio) phenyl] -1,2-octadione-2- (benzoyl) oxime; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2,6-tri
  • the substituents of the aryl groups of the two triarylimidazole moieties may give the same and symmetrical compounds, and different asymmetrical compounds may be obtained. May be given.
  • a thioxanthone compound and a tertiary amine may be combined, such as a combination of diethylthioxanthone and dimethylaminobenzoic acid.
  • Examples of the cationic photopolymerization initiator include aryldiazonium salts such as p-methoxybenzenediazonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diaryliodonium salts such as diphenyliodonium hexafluoroantimonate; triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenyl.
  • aryldiazonium salts such as p-methoxybenzenediazonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diaryliodonium salts such as diphenyliodonium hexafluoroantimonate; triphenylsulfonium hexafluorophosphate, triphenyl.
  • Triarylsulfonium salts such as sulfonium hexafluoroantimonate, diphenyl-4-thiophenoxyphenylsulfonium hexafluorophosphate, diphenyl-4-thiophenoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate, diphenyl-4-thiophenoxyphenylsulfonium pentafluorohydroxyantimonate
  • Triarylselenonium salts such as triphenylselenonium hexafluorophosphate, triphenylselenonium tetrafluoroborate, triphenylselenonium hexafluoroantimonate; dimethylphenacylsulfonium hexafluoroantimonate, diethylphenacylsulfonium hexafluoroantimonate
  • Dialkyl phenacyl sulfonium salts such as; 4-hydroxyphenyl
  • a photoradical initiator when the adhesive layer 3 requires strict insulation and insulation reliability, it is preferable to use a photoradical initiator.
  • 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one and the like are preferable.
  • the optimum amount of the photopolymerization initiator varies depending on the intended thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 and the light source used, but is 0.5 to 1.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. Preferably. When the amount of the photopolymerization initiator is 0.5 parts by mass or more, the peeling force from the adhesive layer 2 after ultraviolet irradiation can be sufficiently reduced. When the amount of the photopolymerization initiator is 1.5 parts by mass or less, it is possible to suppress the decomposition of the pressure-sensitive adhesive layer 3 when it is irradiated with ultraviolet rays.
  • the thickness of the adhesive layer 3 is three times or more the thickness of the adhesive layer 2. However, if the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is excessively increased, the thickness variation becomes large and the cost of raw materials increases, so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is 3 to 3 times that of the adhesive layer 2. 5 times is more preferable.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3 is preferably 25 to 295 ⁇ m, more preferably 50 to 150 ⁇ m, and further preferably 50 to 100 ⁇ m.
  • this thickness is 25 ⁇ m or more, it becomes easier to suppress the occurrence of voids during the lamination of the adhesive layer 2, and even when the difference between the height of the electrode and the thickness of the adhesive layer 2 becomes large, the voids are large. Tends to be easily suppressed.
  • the thickness is 295 ⁇ m or less, it is possible to suppress an increase in the residual solvent amount of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and it is possible to suppress the occurrence of variations in the adhesive force due to the influence of the residual solvent.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed by dissolving or dispersing the pressure-sensitive adhesive composition containing each of the above-mentioned components in a solvent to form a varnish, applying the varnish on the base material 4, and removing the solvent by heating.
  • the base material 4 examples include plastic films such as polyester film, polytetrafluoroethylene film, polyethylene film, polypropylene film, and polymethylpentene film. Among these, a polyester film is preferable, and a polyethylene terephthalate film is more preferable.
  • the substrate 4 may be a mixture of two or more selected from the above materials, or a multilayer of the above film.
  • the temperature condition for removing the solvent by heating is preferably about 70 to 150 ° C.
  • the solvent used may be the same as the solvent used when forming the adhesive layer 2.
  • the thickness of the base material 4 is preferably 5 to 50 ⁇ m, more preferably 12 to 38 ⁇ m.
  • the thickness is 5 ⁇ m or more, it is easy to prevent the base material 4 from being deformed due to heat shrinkage during the drying process of the pressure-sensitive adhesive layer 3, and it is easy to suppress occurrence of thickness variation of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • it is 50 ⁇ m or less, the warp of the wafer after back grinding tends to be more sufficiently suppressed.
  • the thickness of the back grind tape 5 is 75 to 300 ⁇ m, preferably 75 to 175 ⁇ m, and more preferably 85 to 125 ⁇ m.
  • the thickness is 75 ⁇ m or more, it is easy to suppress the occurrence of insufficient embedding of the peripheral portion of the bump and the scribe line, and when it is 300 ⁇ m or less, it is easy to suppress the occurrence of exudation of the adhesive layer 3, and The peeling of the adhesive layer 2 from the wafer also tends to be easily suppressed when the back grinding tape is peeled off.
  • the elastic modulus of the back grind tape 5 at 35 ° C. is 1.5 GPa or less from the viewpoint of improving the followability of the adhesive film for semiconductor wafer processing to the irregularities on the semiconductor wafer and further suppressing the occurrence of voids. Is preferred.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the semiconductor device according to this embodiment.
  • a semiconductor device is manufactured using the above-mentioned adhesive film 10 for semiconductor wafer processing.
  • 2A is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor wafer
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view for explaining one step in the method for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment. Is.
  • the semiconductor wafer used in the present embodiment has a bump electrode (solder bump) 26 on one main surface of the semiconductor wafer 20.
  • the bump electrode 26 includes the bump 22 and a solder ball 24 provided on the bump 22.
  • the semiconductor wafer 20 may be a 6-inch wafer, an 8-inch wafer, a 12-inch wafer, etc., whose surface is treated with an oxide film.
  • the bumps 22 include, but are not limited to, bumps made of copper, silver, gold, or the like.
  • Examples of the solder balls 24 include those made of conventionally known solder materials such as lead-containing solder and lead-free solder.
  • grooves 28 are formed as scribe lines that serve as marks during dicing.
  • the groove 28 is a recess having a depth of about 5 to 15 ⁇ m.
  • the thickness of the semiconductor wafer 20 before being thinned can be in the range of 250 to 800 ⁇ m.
  • the cut semiconductor wafer has a thickness of 625 to 775 ⁇ m in a size of 6 to 12 inches.
  • the height of the bump 22 is preferably 5 to 50 ⁇ m from the viewpoint of miniaturization of the semiconductor.
  • the height of the solder balls 24 is preferably 2 to 30 ⁇ m from the viewpoint of miniaturization of the semiconductor.
  • the surface of the semiconductor wafer 20 on which the solder bumps are formed (hereinafter, “functional surface”) is obtained by peeling the supporting substrate 1 from the semiconductor wafer processing adhesive film 10.
  • Film-like adhesive (adhesive layer) 2, pressure-sensitive adhesive layer 3, and base material 4 are arranged in this order on the semiconductor wafer 20 so that the tips of the solder balls 24 penetrate the adhesive layer 2.
  • a pressure is applied to the base material 4 (see FIG. 2B). It is most preferable that the tip of the solder ball penetrates the adhesive layer.
  • the adhesive layer of about several microns remains on the tip of the solder ball, the printed circuit board and the semiconductor chip can pass through the solder ball. There is no problem as long as it does not affect the connectivity when electrically connected.
  • the bumps can be easily located by bonding the adhesive layer 2 to the functional surface of the semiconductor wafer 20 by vacuum lamination.
  • the diaphragm method is preferable from the viewpoint of embedding property.
  • Lamination conditions lamination temperature: 50 ° C to 100 ° C, linear pressure: 0.5 to 3.0 kgf / cm, feed rate: 0.2 to 2.0 m / min are preferable.
  • the conditions for using the vacuum laminating diaphragm system are as follows: stage temperature: 20 ° C. to 60 ° C., diaphragm temperature: 50 ° C. to 100 ° C., degassing time: 10 to 100 sec, pressurizing time: 10 to 100 sec, pressurizing: 0.1 to 1.0 MPa is preferable.
  • the laminating temperature refers to the diaphragm temperature.
  • laminating is preferably performed at 50 to 80 ° C.
  • a step (back grinding step) of thinning the semiconductor wafer 20 by polishing the surface of the semiconductor wafer 20 opposite to the side where the solder bumps (projection electrodes) are formed is performed. Be seen.
  • Polishing can be done using a back grinder. Further, in this step, it is preferable that the thickness of the semiconductor wafer 20 is reduced to 10 to 150 ⁇ m. When the thickness of the thinned semiconductor wafer 20 is less than 10 ⁇ m, the semiconductor wafer is likely to be damaged, while when it exceeds 150 ⁇ m, it becomes difficult to meet the demand for miniaturization of the semiconductor device.
  • the polishing surface side of the thinned semiconductor wafer 20 is attached to the dicing tape 6, and the semiconductor wafer 20 and the adhesive layer 2 are formed in the grooves 28 by using a dicing device.
  • a semiconductor chip with an adhesive is obtained by cutting the semiconductor chip 20a along with the adhesive layer 2a cut into pieces ((b) of FIG. 4).
  • the back grind tape 5 including the base material 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is peeled from the adhesive layer 2 before dicing.
  • the semiconductor chip with an adhesive layer thus obtained is manufactured by using the adhesive film 10 for processing a semiconductor wafer according to the present disclosure, so that the vicinity of the protruding electrode 26 and the portion where the groove 28 was present are sufficiently filled with the adhesive. The voids do not remain and the tips of the solder balls are sufficiently exposed from the adhesive.
  • the semiconductor chip with adhesive is picked up using a pick-up device and thermocompression bonded onto the printed circuit board.
  • the semiconductor layer with the adhesive layer and the semiconductor chip mounting support member having another semiconductor chip having an electrode or an electrode are lower than the melting point of the solder having the solder bump in the direction in which the solder bump and the electrode face each other.
  • Two-step thermocompression bonding is performed, which is a first thermocompression bonding step of pressing at a temperature and a second thermocompression bonding step of melting the solder contained in the solder bump by heating to bond the solder bump and the electrode.
  • the pressure in the first thermocompression bonding step may be performed at a temperature higher than the melting point or softening point of the flux component and lower than the melting point of the solder contained in the solder bump. In this case, a stronger connection state can be obtained.
  • the conditions for thermocompression bonding in the first thermocompression bonding process are preferably 100 ° C. to 200 ° C., pressure: 0.1 MPa to 1.5 MPa, time: 1 second to 15 seconds, temperature: 100 ° C. to 180 ° C., pressure: More preferably, the pressure is 0.1 MPa to 1.0 MPa, and the time is 1 second to 10 seconds.
  • the conditions of the thermocompression bonding in the second thermocompression bonding process are preferably temperature: 230 ° C. to 350 ° C., pressure: 0.1 MPa to 1.5 MPa, time: 1 second to 15 seconds, and temperature: 230 ° C. to 300 ° C. C., pressure: 0.1 MPa to 1.0 MPa, time: 1 second to 15 seconds are more preferable.
  • the electrodes 36 of the printed circuit board 7 and the bumps 22 of the semiconductor chip 20a shown in FIG. 5 are electrically connected to each other via the solder balls 24, and the wiring circuit board 7 and the semiconductor chip 20a are connected to each other.
  • the semiconductor device 100 having a structure in which is sealed with the adhesive 2b is obtained.
  • the thickness of the adhesive layer 2 is the height of the solder bump 26.
  • the total height T of the bumps 22 and the solder balls 24 is smaller, and the total thickness of the adhesive layer 2 and the base material 4 is larger than the total height.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes a semiconductor chip, a substrate, another semiconductor chip, or a semiconductor wafer including a portion corresponding to the other semiconductor chip, and a film-like adhesive disposed between them. And a substrate or another semiconductor chip electrode (connecting portion) is arranged so as to face each other, and the laminated body is sandwiched between a pair of pressing members for temporary pressure bonding that face each other.
  • the method may include a step of electrically connecting the connecting portion) by metal bonding (main pressure bonding step) in this order.
  • At least one of the pair of pressing members for temporary pressure bonding used in the temporary pressure bonding step is made of a metal material that forms the surface of the connecting portion of the semiconductor chip when the laminated body is heated and pressed. It is heated to a temperature lower than the melting point and the melting point of the metal material forming the surface of the connection portion of the substrate or other semiconductor chip.
  • the laminated body has a melting point of the metal material forming the surface of the connecting portion of the semiconductor chip or the melting point of the metal material forming the surface of the connecting portion of the substrate or another semiconductor chip. It is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of at least one of them.
  • the main pressure bonding step can be performed, for example, by the following method.
  • the laminated body is heated and pressed by sandwiching it between a pair of opposed main pressure bonding pressure members prepared separately from the temporary pressure bonding pressure members, thereby connecting the semiconductor chip connection portion to the substrate or another semiconductor chip.
  • the parts are electrically connected by metal bonding.
  • at least one of the pair of main pressure-bonding pressing members when the laminated body is heated and pressed, the melting point of the metal material forming the surface of the connecting portion of the semiconductor chip, or the substrate or another semiconductor chip. It is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of at least one of the melting points of the metal material forming the surface of the connection portion.
  • the step of temporarily pressure-bonding at a temperature lower than the melting point of the metal material forming the surface of the connection portion and the main pressure-bonding at a temperature equal to or higher than the melting point of the metal material forming the surface of the connection portion By performing the process and the pressure-bonding pressing member separately, the time required for heating and cooling the pressure-bonding pressing members can be shortened. Therefore, it is possible to manufacture the semiconductor device with high productivity in a shorter time than in the case of pressing with one pressing member for pressing. As a result, many highly reliable semiconductor devices can be manufactured in a short time. Connections can be made collectively in the main pressure bonding step.
  • a crimping pressing member having a crimping head having a large area can be used. As described above, if a plurality of semiconductor chips can be collectively press-bonded to secure the connection, the productivity of the semiconductor device is improved.
  • the plurality of stacked bodies are collectively heated and pressed by being sandwiched between and, thereby electrically connecting the connecting portion of the semiconductor chip and the connecting portion of the substrate or another semiconductor chip by metal bonding.
  • at least one of the stage and the pressure bonding head has a melting point of the metal material forming the surface of the connecting portion of the semiconductor chip or a metal material forming the surface of the connecting portion of the substrate or another semiconductor chip. It is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of at least one of the melting points.
  • the raw material of the sheet for collective connection is not particularly limited, for example, polytetrafluoroethylene resin, polyimide resin, phenoxy resin, epoxy resin, polyamide resin, polycarbodiimide resin, cyanate ester resin, acrylic resin, polyester resin, polyethylene resin, poly Examples thereof include ether sulfone resin, polyetherimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin, and acrylic rubber.
  • the sheet for collective connection is selected from polytetrafluoroethylene resin, polyimide resin, epoxy resin, phenoxy resin, acrylic resin, acrylic rubber, cyanate ester resin, and polycarbodiimide resin from the viewpoint of excellent heat resistance and film forming property. It may be a sheet containing at least one kind of resin.
  • the resin of the sheet for collective connection is a sheet containing at least one resin selected from polytetrafluoroethylene resin, polyimide resin, phenoxy resin, acrylic resin and acrylic rubber from the viewpoint of being particularly excellent in heat resistance and film formability. It may be. These resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the laminated body In the heating furnace or on a hot plate, the laminated body is melted with the melting point of the metal material forming the surface of the connecting portion of the semiconductor chip, or of the metal material forming the surface of the connecting portion of the substrate or another semiconductor chip.
  • the temperature is higher than at least one of the melting points.
  • the time required for heating and cooling the pressing member for temporary pressure bonding can be shortened by separately performing the temporary pressure bonding step and the main pressure bonding step. Therefore, it is possible to manufacture the semiconductor device with high productivity in a shorter time than in the case of pressing with one pressing member for pressing. As a result, many highly reliable semiconductor devices can be manufactured in a short time. Further, in the above method, a plurality of laminated bodies may be collectively heated in a heating furnace or on a hot plate. As a result, the semiconductor device can be manufactured with higher productivity.
  • a polyphenol solid epoxy containing a triphenolmethane skeleton as an epoxy resin manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name “EP1032H60”
  • bisphenol F type liquid epoxy manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd. trade name “YL983U”
  • zirconia beads having a diameter of 0.8 mm and zirconia having a diameter of 2.0 mm are prepared.
  • the beads were added in the same mass as the solid content, and stirred for 30 minutes with a bead mill (Fritsch Japan Co., Ltd., planetary fine pulverizer P-7).
  • phenoxy resin manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., trade name “ZX1356-2”, Tg: about 71 ° C., Mw: about 63000
  • Tg about 71 ° C.
  • Mw about 63000
  • the obtained resin varnish is applied on a supporting substrate (manufactured by Teijin DuPont Films Ltd., trade name "Purex A53") with a small precision coating device (Ranui Seiki) and a clean oven (made by ESPEC). And dried (70 ° C./10 min) to form an adhesive layer (film adhesive) having a thickness of 16 ⁇ m.
  • a film-like adhesive with a substrate which was composed of a supporting substrate and an adhesive layer, was obtained.
  • ⁇ Preparation of back grind tape 1000 ml of ethyl acetate, 650 g of 2-ethylhexyl acrylate, 350 g of 2-hydroxyethyl acrylate, and 3.0 g of azobisisobutyronitrile were mixed into an autoclave with a capacity of 4000 ml equipped with a three-one motor, a stirring blade and a nitrogen introducing tube, and uniformly mixed. Stir until complete. Then, bubbling was carried out at a flow rate of 100 ml / min for 60 minutes to degas the dissolved oxygen in the system. The temperature was raised to 60 ° C. over 1 hour, and after the temperature was raised, polymerization was carried out for 4 hours. Thereafter, the temperature was raised to 90 ° C. over 1 hour, the temperature was further maintained at 90 ° C. for 1 hour, and then cooled to room temperature.
  • ethyl acetate was added to adjust the nonvolatile content in the acrylic resin solution to be 35% by mass to obtain an acrylic resin solution having a chain-polymerizable functional group.
  • the hydroxyl value of the obtained resin was 121 mgKOH / g.
  • SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation is used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is used as a column, and tetrahydrofuran is used as an eluent.
  • the polystyrene reduced weight average molecular weight was 420,000.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying the pressure-sensitive adhesive varnish on a polyethylene terephthalate base material (manufactured by Unitika Ltd., trade name “Embred S25”) having a thickness of 25 ⁇ m is 50 ⁇ m.
  • the coating was performed while adjusting the gap, and dried at 80 ° C. for 5 minutes. As a result, a back grind tape having a UV-curable pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate was obtained.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying the above-mentioned pressure-sensitive adhesive varnish on a polyethylene terephthalate (PET) base material (manufactured by Unitika Ltd., trade name “Embred S25”) having a thickness of 25 ⁇ m or 50 ⁇ m using an applicator.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Embred S25 a thickness of 25 ⁇ m or 50 ⁇ m using an applicator.
  • a back grind tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on the substrate was obtained.
  • Example 1 A UV curable back grind tape is laminated with a film adhesive with a substrate using a roll laminator (laminating temperature: 30 ⁇ 10 ° C.) to obtain a PET substrate / adhesive layer / adhesive layer / supporting substrate. An adhesive film for semiconductor wafer processing having a laminated structure was obtained.
  • Example 2 and Comparative Examples 1 to 3 A pressure-sensitive back grinding tape having a PET base material and a pressure-sensitive adhesive layer having the thickness shown in Table 1 was laminated with a film adhesive with a base material using a roll laminator (laminating temperature: 55 ⁇ 10 ° C.), An adhesive film for semiconductor wafer processing having a laminated structure of PET substrate / adhesive layer / adhesive layer / supporting substrate was obtained.
  • the back grind tape used in each of the examples and the comparative examples was cut into a predetermined size (length 40 mm ⁇ width 4.0 mm, thickness is the thickness of each back grind tape) to obtain a test sample.
  • the elastic modulus (storage elastic modulus) at 35 ° C. of the test sample was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device. Details of the method of measuring the elastic modulus are as follows. The measurement results are shown in Table 1. Although the elastic modulus was not measured for Comparative Example 3, the PET base material was thicker and the pressure-sensitive adhesive layer was thinner than Comparative Examples 1 and 2, so that the elastic modulus of Comparative Example 1 was lower than that of Comparative Examples 1 and 2. Is also expected to be high.
  • the semiconductor wafer processing adhesive films obtained in the respective examples and comparative examples were treated with a vacuum laminator V130 (manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) from the adhesive layer side exposed by peeling off the supporting substrate to obtain the above-mentioned 12-inch silicon. It was laminated on a wafer and it was confirmed whether a void remained in the groove.
  • the laminating conditions were a laminating temperature of 80 ° C., a laminating pressure of 0.5 MPa and a laminating time of 60 seconds. As a result of observing the groove portion after the lamination, it was evaluated as “A” when there was no void remaining and lamination was performed, and as “B” when the void remained. The results are shown in Table 1.
  • the semiconductor device manufacturing method and the semiconductor wafer processing adhesive film of the present disclosure it is possible to suppress the occurrence of voids during wafer lamination even when the film adhesive is thinned for the purpose of suppressing fillets. Therefore, according to the semiconductor device manufacturing method and the semiconductor wafer processing adhesive film of the present disclosure, it is possible to manufacture a semiconductor device in which generation of voids is suppressed.
  • SYMBOLS 1 Supporting base material, 2 ... Film adhesive (adhesive layer), 3 ... Adhesive layer, 4 ... Base material, 5 ... Back grinding tape, 6 ... Dicing tape, 7 ... Wiring circuit board, 10 ... Semiconductor wafer
  • Adhesive film for processing 20 ... Semiconductor wafer, 20a ... Semiconductor chip, 22 ... Bump, 24 ... Solder ball, 26 ... Solder bump (projection electrode), 28 ... Groove, 36 ... Electrode, 100 ... Semiconductor device.

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Abstract

主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの電極が設けられている側に、基材及び粘着剤層を含むバックグラインドテープと、粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを貼り付け、積層体を得る工程と、半導体ウエハを研削して半導体ウエハを薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、粘着剤層の厚さが接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体装置の製造方法。

Description

半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム
　本開示は半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムに関する。
　近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、回路部材に形成された回路の高密度化が進展し、隣接する電極同士の間隔及び電極の幅が非常に狭くなる傾向がある。これに伴い、半導体パッケージの薄型化及び小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体チップの実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップ電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板電極とチップ電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式が注目されている。
　フリップチップ接続方式としては、はんだバンプを用いる方式、金バンプと導電性接着剤を用いる方式、熱圧着方式、超音波方式等が知られている。これらの方式では、チップと基板との熱膨張係数差に由来する熱ストレスが接続部分に集中して接続信頼性が低下するという問題がある。このような接続信頼性の低下を防止するために、一般に、チップと基板との間隙を充填するアンダーフィルが樹脂により形成される。熱ストレスがアンダーフィルへ分散することで緩和されるため、接続信頼性を向上させることが可能である。
　一般に、アンダーフィルを形成する方法としては、半導体チップと基板をはんだ等を用いて接続した後、空隙に液状封止樹脂を毛細管現象を利用して注入する方式が採用されている。チップと基板を接続する際には、はんだ表面の酸化膜を還元除去して金属接合を容易にするために、ロジン又は有機酸等からなるフラックスを用いているが、フラックスの残渣が残ると、液状樹脂を注入した場合にボイドと呼ばれる気泡発生の原因になったり、酸成分によって配線の腐食が発生し、接続信頼性が低下したりすることから、残渣を洗浄する工程が必須であった。しかし、微細接続化に伴い半導体チップと基板の間の空隙が狭くなっているため、フラックス残渣の洗浄が困難になる場合があった。さらに、半導体チップと基板の間の狭い空隙に液状樹脂を注入するのに長時間を要して生産性が低下するという問題があった。
　このような液状封止樹脂の課題を解決するために、はんだ表面の酸化膜を還元除去する性質（以下フラックス活性と記す）を備えた封止樹脂を用いて、封止樹脂を基板に供給した後、半導体チップと基板を接続すると同時に、半導体チップと基板の間の空隙を樹脂で封止充填し、フラックス残渣の洗浄を省略することが可能となる先供給方式と呼ばれる接続方法が提案されている。そして、この接続方法に対応した封止樹脂の開発が行われている。
　さらに、半導体装置の更なる薄型化の要求に伴い、半導体ウエハをより薄くするために、ウエハの裏面を研削する、いわゆるバックグラインドが行われており、半導体装置の製造工程は煩雑になっている。そこで、工程の簡略化に適した方法としてバックグラインド時に半導体ウエハを保持する機能とアンダーフィル機能とを兼ね備える樹脂の提案がなされてきている（特許文献１～３参照）。
特開２００１－３３２５２０号公報 特開２００５－０２８７３４号公報 特開２００９－２３９１３８号公報
　しかし、先供給方式では、半導体チップの実装後にフィレットと呼ばれるチップ外への樹脂のはみ出しが発生しやすい。このフィレットが大きい場合、隣接するチップの実装が困難になることから、フィレットの抑制が必要となる。フィレットを抑制する手法としては、例えば、封止樹脂として供給するフィルム状樹脂（接着剤層）の厚さを、バンプの高さと同じもしくは薄くすることが考えられている。
　但し、半導体ウエハ上にはバンプ及びダイシング加工時の目安となるスクライブライン等の凹凸が形成されているため、薄膜化したフィルム状樹脂をラミネートした場合、ボイドが残りやすくなるという問題がある。バンプ周辺部にボイドが残った場合は、実装後にもボイドが残りやすくなる。そして、そのボイドが信頼性試験時に膨張することで、接続部を補強すべき樹脂にクラックが入る、又は、接続部の破断が発生するといった問題が生じやすくなる。また、スクライブライン上にボイドが残った場合は、ダイシング加工時にボイドが起点となってフィルム状樹脂がウエハから剥離するといった問題が生じやすくなる。
　ボイドを抑制する方法として、半導体ウエハ上の凹凸へのフィルム状樹脂の追従性を向上させることが考えられる。追従性を向上させるためには、フィルム状樹脂を流動性の高いものとすること、及び、ラミネート温度を上げること等が考えられる。しかしながら、前者の方法では、ボイドは抑制できてもフィレットが発生しやすくなるという問題がある。また、後者の場合は、ラミネート時にかかった熱により、ラミネート後にバックグラインドテープの基材の収縮量が大きくなる。そのため、バックグラインド後のウエハが基材の収縮を抑制できず、ウエハの反りが大きくなるという問題が発生する。
　本開示は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本開示は、主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを上記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄厚化する工程と、上記薄厚化した半導体ウエハ及び上記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、上記バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、上記粘着剤層の厚さが上記接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体装置の製造方法を提供する。
　上記製造方法によれば、基材及び粘着剤層で構成されるバックグラインドテープの厚さを７５～３００μｍとし、且つ、粘着剤層の厚さを接着剤層の厚さの３倍以上とすることにより、接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。ここで、半導体ウエハ加工用接着フィルムにおけるバックグラインドテープ及びその粘着剤層は、バックグラインド時に半導体ウエハを保持できるものであればよく、また、半導体ウエハに直接接するものではないため、従来、バックグラインドテープ及びその粘着剤層の厚さとボイドとの関係性は検討されていなかった。しかしながら、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、バックグラインドテープ及びその粘着剤層の厚さを上記条件を満たすように調整することで、バックグラインドテープ全体を低弾性率化して半導体ウエハ上の凹凸への半導体ウエハ加工用接着フィルムの追従性を向上させることができることを見出した。これにより、接着剤層の流動性を高めたりラミネート温度を上げたりすることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。また、上記製造方法は、ボイドの発生を抑制するために接着剤層の組成及びラミネート条件を変更する必要がないため、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることがない。更に、上記製造方法は、バックグラインド性にも悪影響を与えることがないことを確認している。
　上記製造方法において、上記バックグラインドテープの３５℃での弾性率は、１．５ＧＰａ以下であってもよい。この場合、半導体ウエハ加工用接着フィルムの半導体ウエハ上の凹凸への追従性をより向上させることができ、接着剤層のラミネート時のボイドの発生をより抑制することができる。
　上記製造方法において、上記基材はポリエチレンテレフタレートフィルムであってもよい。この場合、ラミネート装置における搬送時の張力による基材の変形をより抑制することができると共に、半導体ウエハ加工用接着フィルムをウエハサイズにプリカットする場合の切断性を良好にでき、バリの発生を抑制することができる。
　上記製造方法において、上記粘着剤層と上記接着剤層との間の接着力は、上記接着剤層と上記半導体ウエハとの間の接着力より低くてもよい。この場合、半導体ウエハのバックグラインド後に、接着剤層を半導体ウエハ上に残して、バックグラインドテープのみを容易に剥離することが可能となる。
　上記製造方法において、上記接着剤層の厚さは、上記半導体ウエハの上記電極の高さ未満であってもよい。本開示の製造方法は、接着剤層の厚さを半導体ウエハの電極の高さ未満にまで薄膜化した場合に好適である。このように接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。
　上記製造方法において、上記半導体ウエハは、上記電極を有する主面に溝を有していてもよい。本開示の製造方法は、表面にスクライブラインのような溝を有する半導体ウエハを用いる場合に好適である。このように溝を有する半導体ウエハを用いた場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。
　本開示はまた、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備え、上記バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、上記粘着剤層の厚さが上記接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供する。
　上記接着フィルムによれば、基材及び粘着剤層で構成されるバックグラインドテープの厚さを７５～３００μｍとし、且つ、粘着剤層の厚さを接着剤層の厚さの３倍以上とすることにより、接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。
　上記接着フィルムにおいて、上記バックグラインドテープの３５℃での弾性率は１．５ＧＰａ以下であってもよい。また、上記基材はポリエチレンテレフタレートフィルムであってもよい。
　本開示によれば、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することができる。
本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
　以下、場合により図面を参照しつつ本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
　本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はそれに対応するメタクリルを意味する。
　本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態は、主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを上記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄厚化する工程と、上記薄厚化した半導体ウエハ及び上記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有する。
　図１は、本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される半導体ウエハ加工用接着フィルム１０は、支持基材１、フィルム状接着剤（接着剤層）２、及び、バックグラインドテープ５から構成されている。バックグラインドテープ５は、粘着剤層３及び基材４から構成されている。本実施形態の接着フィルム１０において、バックグラインドテープ５の厚さは７５～３００μｍであり、粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３倍以上である。本実施形態の接着フィルム１０は、バックグラインド及び回路部材接続の両用途を兼ね備えることができるフィルムであり、接着剤層２が、半導体ウエハの電極が設けられている側の主面に貼り付けられる。
　まず、接着剤層２を構成する接着剤組成物について説明する。
　本実施形態の接着剤組成物は、例えば、エポキシ樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という。）、硬化剤（以下、場合により「（ｂ）成分」という。）、及び、フラックス剤（以下、場合により「（ｃ）成分」という。）を含有する。
　本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分（以下、場合により「（ｄ）成分」という。）を含有していてもよい。また、本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、フィラー（以下、場合により「（ｅ）成分」という。）を含有していてもよい。
　以下、本実施形態の接着剤組成物を構成する各成分について説明する。
（ａ）成分：エポキシ樹脂
　エポキシ樹脂としては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。（ａ）成分として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
　（ａ）成分は、高温での接続時に分解して揮発成分が発生することを抑制する観点から、接続時の温度が２５０℃の場合は、２５０℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、接続時の温度が３００℃の場合は、３００℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
　（ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、例えば５～７５質量％であり、好ましくは１０～５０質量％であり、より好ましくは１５～３５質量％である。
（ｂ）成分：硬化剤
　（ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。（ｂ）成分がフェノール性水酸基、酸無水物、アミン類又はイミダゾール類を含むと、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示し、接続信頼性・絶縁信頼性を向上させることができる。以下、各硬化剤について説明する。
（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
　フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
　上記（ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
　酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。
　上記（ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
　アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。
　上記（ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から０．３～１．５が好ましく、０．４～１．０がより好ましく、０．５～１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が向上する傾向がある。
（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
　イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。
　イミダゾール系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１～２０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤組成物が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
（ｖ）ホスフィン系硬化剤
　ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４－メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４－フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。
　ホスフィン系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤組成物が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。
　フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種を単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよく、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。
　保存安定性が一層向上し、吸湿による分解又は劣化が起こりにくくなる観点から、（ｂ）成分は、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤からなる群より選択される硬化剤であることが好ましい。また、硬化速度の調整の容易さの観点、及び、速硬化性により生産性向上を目的とした短時間接続が実現できる観点からは、（ｂ）成分は、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤及びイミダゾール系硬化剤からなる群より選択される硬化剤であることがより好ましい。
　接着剤組成物が（ｂ）成分として、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤を含む場合、酸化膜を除去するフラックス活性を示し、接続信頼性をより向上することができる。
（ｃ）成分：フラックス剤
　（ｃ）成分は、フラックス活性（酸化物、不純物等を除去する活性）を有する化合物である。（ｃ）成分としては、非共有電子対を有する含窒素化合物（イミダゾール類、アミン類等。ただし、（ｂ）成分に含まれるものを除く）、カルボン酸類、フェノール類及びアルコール類等が挙げられる。なお、アルコール類に比べてカルボン酸類の方がフラックス活性を強く発現し、接続性を向上し易い。（ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
（ｃ）成分は、下記式（１）で表される基を有する化合物（以下、場合により「フラックス化合物」という。）であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　式（１）中、Ｒ１は、電子供与性基を示す。
　電子供与性基としては、例えば、アルキル基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基及びアルキルアミノ基が挙げられる。電子供与性基としては、他の成分（例えば、（ａ）成分のエポキシ樹脂）と反応しにくい基が好ましく、具体的には、アルキル基、水酸基又はアルコキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
　電子供与性基の電子供与性が強くなると、上述のエステル結合の分解を抑制する効果が得られ易くなる傾向にある。また、電子供与性基の立体障害は、大きいと、上述のカルボキシル基とエポキシ樹脂との反応を抑制する効果が得られ易くなる。電子供与性基は、電子供与性及び立体障害をバランス良く有していることが好ましい。
　アルキル基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素数は、多いほど電子供与性及び立体障害が大きくなる傾向にある。炭素数が上記範囲であるアルキル基は、電子供与性及び立体障害のバランスに優れるため、当該アルキル基によれば、耐リフロー性及び接続信頼性を向上させることができる。
　また、アルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよいが、中でも直鎖状が好ましい。アルキル基が直鎖状であるとき、電子供与性及び立体障害のバランスの観点から、アルキル基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数以下であることが好ましい。例えば、フラックス化合物が下記式（２）で表される化合物であり、電子供与性基が直鎖状のアルキル基であるとき、当該アルキル基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数（ｎ＋１）以下であることが好ましい。
　アルコキシ基としては、炭素数１～１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～５のアルコキシ基がより好ましい。アルコキシ基の炭素数は、多いほど電子供与性及び立体障害が大きくなる傾向がある。炭素数が上記範囲であるアルコキシ基は、電子供与性及び立体障害のバランスに優れるため、当該アルコキシ基によれば、耐リフロー性及び接続信頼性を向上させることができる。
　また、アルコキシ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、中でも直鎖状が好ましい。アルコキシ基が直鎖状であるとき、電子供与性及び立体障害のバランスの観点から、アルコキシ基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数以下であることが好ましい。例えば、フラックス化合物が下記式（２）で表される化合物であり、電子供与性基が直鎖状のアルコキシ基であるとき、当該アルコキシ基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数（ｎ＋１）以下であることが好ましい。
　アルキルアミノ基としては、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基が挙げられる。モノアルキルアミノ基としては、炭素数１～１０のモノアルキルアミノ基が好ましく、炭素数１～５のモノアルキルアミノ基がより好ましい。モノアルキルアミノ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。
　ジアルキルアミノ基としては、炭素数２～２０のジアルキルアミノ基が好ましく、炭素数２～１０のジアルキルアミノ基がより好ましい。ジアルキルアミノ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。
　フラックス化合物は、カルボキシル基を２つ有する化合物（ジカルボン酸）であることが好ましい。カルボキシル基を２つ有する化合物は、カルボキシル基を１つ有する化合物（モノカルボン酸）と比較して、接続時の高温によっても揮発し難く、ボイドの発生を一層抑制できる。また、カルボキシル基を２つ有する化合物を用いると、カルボキシル基を３つ以上有する化合物を用いた場合と比較して、保管時・接続作業時等における接着剤組成物の粘度上昇を一層抑制することができ、半導体装置の接続信頼性を一層向上させることができる。
　フラックス化合物としては、下記式（２）で表される化合物を好適に用いることができる。下記式（２）で表される化合物によれば、半導体装置の耐リフロー性及び接続信頼性を一層向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（２）中、Ｒ１は電子供与性基を示し、Ｒ２は水素原子又は電子供与性基を示し、ｎは０又は１以上の整数を示し、複数存在するＲ２は互いに同一でも異なっていてもよい。
　式（２）におけるｎは、１以上であることが好ましい。ｎが１以上であると、ｎが０である場合と比較して、接続時の高温によってもフラックス化合物が揮発し難く、ボイドの発生を一層抑制することができる。また、式（２）におけるｎは、１５以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましく、６以下又は４以下であってもよい。ｎが１５以下であると、一層優れた接続信頼性が得られる。
　また、フラックス化合物としては、下記式（３）で表される化合物がより好適である。下記式（３）で表される化合物によれば、半導体装置の耐リフロー性及び接続信頼性をより一層向上させることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（３）中、Ｒ１は電子供与性基を示し、Ｒ２は水素原子又は電子供与性基を示し、ｍは０又は１以上の整数を示す。
　式（３）におけるｍは、１０以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましく、３以下であることがさらに好ましい。ｍが１０以下であると、一層優れた接続信頼性が得られる。
　式（３）において、Ｒ２は、水素原子であっても電子供与性基であってもよい。Ｒ２が水素原子であると、融点が低くなる傾向があり、半導体装置の接続信頼性をより向上させることができる場合がある。また、Ｒ１とＲ２とが異なる電子供与性基であると、Ｒ１とＲ２とが同じ電子供与性基である場合と比較して、融点が低くなる傾向があり、半導体装置の接続信頼性をより向上させることができる場合がある。
　式（３）で表される化合物のうち、Ｒ２が水素原子である化合物としては、メチルコハク酸、２－メチルグルタル酸、２－メチルアジピン酸、２－メチルピメリン酸、２－メチルスベリン酸等が挙げられる。これらの化合物によれば、半導体装置の接続信頼性を一層向上させることができる。また、これらの化合物のうち、メチルコハク酸及び２－メチルグルタル酸が特に好ましい。
　なお、式（３）において、Ｒ１とＲ２とが同じ電子供与性基であると、対称構造となり融点が高くなる傾向があるが、この場合でも耐リフロー性及び接続信頼性の向上効果は十分に得られる。特に融点が１５０℃以下と十分に低い場合には、Ｒ１とＲ２とが同じ基であっても、Ｒ１とＲ２とが異なる基である場合と同程度の接続信頼性が得られる。
　フラックス化合物としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸及びドデカン二酸から選択されるジカルボン酸の２位に電子供与性基が置換した化合物を用いることができる。
　フラックス化合物の融点は、１５０℃以下が好ましく、１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下がさらに好ましい。このようなフラックス化合物は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応が生じる前にフラックス活性が十分に発現しやすい。そのため、このようなフラックス化合物を含有する接着剤組成物によれば、接続信頼性に一層優れる半導体装置を実現できる。また、フラックス化合物の融点は、２５℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。また、フラックス化合物は、室温（２５℃）で固形であるものが好ましい。
　フラックス化合物の融点は、一般的な融点測定装置を用いて測定できる。融点を測定する試料は、微粉末に粉砕され且つ微量を用いることで試料内の温度の偏差を少なくすることが求められる。試料の容器としては一方の端を閉じた毛細管が用いられることが多いが、測定装置によっては２枚の顕微鏡用カバーグラスに挟み込んで容器とするものもある。また急激に温度を上昇させると試料と温度計との間に温度勾配が発生して測定誤差を生じるため、融点を計測する時点での加温は毎分１℃以下の上昇率で測定することが望ましい。
　前述のように微粉末として調整するので、表面での乱反射により融解前の試料は不透明である。試料の外見が透明化し始めた温度を融点の下限点とし、融解しきった温度を上限点とすることが通常である。測定装置は種々の形態のものが存在するが、最も古典的な装置は二重管式温度計に試料を詰めた毛細管を取り付けて温浴で加温する装置が使用される。二重管式温度計に毛細管を貼り付ける目的で温浴の液体として粘性の高い液体が用いられ、濃硫酸ないしはシリコンオイルが用いられることが多く、温度計先端の溜めの近傍に試料が来るように取り付ける。また、融点測定装置としては金属のヒートブロックを使って加温し、光の透過率を測定しながら加温を調整しつつ自動的に融点を決定するものを使用することもできる。
　なお、本明細書中、融点が１５０℃以下とは、融点の上限点が１５０℃以下であることを意味し、融点が２５℃以上とは、融点の下限点が２５℃以上であることを意味する。
　（ｃ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、０．５～１０質量％であることが好ましく、０．５～５質量％であることがより好ましい。
（ｄ）成分：重量平均分子量が１００００以上の高分子成分
　本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分（（ｄ）成分）を含有していてもよい。（ｄ）成分を含有する接着剤組成物は、耐熱性及びフィルム形成性に一層優れる。
　（ｄ）成分としては、例えば、優れた耐熱性、フィルム形成性及び接続信頼性が得られる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びアクリルゴムが好ましい。これらの中でも耐熱性及びフィルム形成性に一層優れる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、アクリル樹脂、シアネートエステル樹脂及びポリカルボジイミド樹脂がより好ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム及びアクリル樹脂がさらに好ましく、フェノキシ樹脂が特に好ましい。これらの（ｄ）成分は単独で又は２種以上の混合物もしくは共重合体として使用することもできる。但し、（ｄ）成分には、（ａ）成分であるエポキシ樹脂が含まれない。
　（ｄ）成分の重量平均分子量は、１００００以上であり、２００００以上であることが好ましく、３００００以上であることがより好ましい。このような（ｄ）成分によれば、接着剤組成物の耐熱性及びフィルム形成性を一層向上させることができる。
　また、（ｄ）成分の重量平均分子量は、１００００００以下であることが好ましく、５０００００以下であることがより好ましい。このような（ｄ）成分によれば、高耐熱性という効果が得られる。
　なお、上記重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いて測定された、ポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。ＧＰＣ法の測定条件の一例を以下に示す。
　装置：ＨＣＬ－８３２０ＧＰＣ、ＵＶ－８３２０（製品名、東ソー社製）、又はＨＰＬＣ－８０２０（製品名、東ソー社製）
　カラム：ＴＳＫｇｅｌ　ｓｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ－Ｍ×２、又は２ｐｉｅｃｅｓ　ｏｆ　ＧＭＨＸＬ　＋　１ｐｉｅｃｅ　ｏｆ　Ｇ－２０００ＸＬ
　検出器：ＲＩ又はＵＶ検出器
　カラム温度：２５～４０℃
　溶離液：高分子成分が溶解する溶媒を選択する。例えば、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡ（Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド）、ＮＭＰ（Ｎ－メチルピロリドン）、トルエン。尚、極性を有する溶剤を選択する場合は、リン酸の濃度を０．０５～０．１ｍｏｌ／Ｌ（通常は０．０６ｍｏｌ／Ｌ）、ＬｉＢｒの濃度を０．５～１．０ｍｏｌ／Ｌ（通常は０．６３ｍｏｌ／Ｌ）と調整してもよい。
　流速：０．３０～１．５ｍＬ／分
　標準物質：ポリスチレン
　接着剤組成物が（ｄ）成分を含有するとき、（ｄ）成分の含有量Ｃｄに対する（ａ）成分の含有量Ｃａの比Ｃａ／Ｃｄ（質量比）は、０．０１～５であることが好ましく、０．０５～３であることがより好ましく、０．１～２であることがさらに好ましい。比Ｃａ／Ｃｄを０．０１以上とすることで、より良好な硬化性及び接着力が得られ、比Ｃａ／Ｃｄを５以下とすることでより良好なフィルム形成性が得られる。
（ｅ）成分：フィラー
　本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、フィラー（（ｅ）成分）を含有していてもよい。（ｅ）成分によって、接着剤組成物の粘度、接着剤組成物の硬化物の物性等を制御することができる。具体的には、（ｅ）成分によれば、例えば、接続時のボイド発生の抑制、接着剤組成物の硬化物の吸湿率の低減、等を図ることができる。
　（ｅ）成分としては、絶縁性無機フィラー、ウィスカー、樹脂フィラー等を用いることができる。また、（ｅ）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ及び窒化ホウ素が挙げられる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン及び窒化ホウ素が好ましく、シリカ、アルミナ及び窒化ホウ素がより好ましい。
　ウィスカーとしては、例えば、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム及び窒化ホウ素が挙げられる。
　樹脂フィラーとしては、例えば、ポリウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるフィラーが挙げられる。
　樹脂フィラーは、有機成分（エポキシ樹脂及び硬化剤等）と比較して熱膨張率が小さいため接続信頼性の向上効果に優れる。また、樹脂フィラーによれば、接着剤組成物の粘度調整を容易に行うことができる。また、樹脂フィラーは、無機フィラーと比較して応力を緩和する機能に優れるため、樹脂フィラーによればリフロ試験等での剥離を一層抑制することができる。
　無機フィラーは、樹脂フィラーと比較して熱膨張率が小さいため、無機フィラーによれば、接着剤組成物の低熱膨張率化が実現できる。また、無機フィラーには汎用品で粒径制御されたものが多いため、粘度調整にも好ましい。
　樹脂フィラー及び無機フィラーはそれぞれに有利な効果があるため、用途に応じていずれか一方を用いてもよく、双方の機能を発現するため双方を混合して用いてもよい。
　（ｅ）成分の形状、粒径及び含有量は特に制限されない。また、（ｅ）成分は、表面処理によって物性を適宜調整されたものであってもよい。
　（ｅ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、１０～８０質量％であることが好ましく、１５～６０質量％であることがより好ましい。
　（ｅ）成分は、絶縁物で構成されていることが好ましい。（ｅ）成分が導電性物質（例えば、はんだ、金、銀、銅等）で構成されていると、絶縁信頼性（特にＨＡＳＴ耐性）が低下するおそれがある。
（その他の成分）
　本実施形態の接着剤組成物には、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤を配合してもよい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの配合量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。
　フィルム状接着剤（接着剤層）２は、上述した各成分を含有する接着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを支持基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。
　支持基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製の「Ａ－３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルムが挙げられる。支持基材１の厚さは、１０～１００μｍであることが好ましく、３０～７５μｍであることがより好ましく、３５～５０μｍであることが特に好ましい。この厚さが１０μｍ未満では塗工の際、支持基材１が破れやすくなる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。
　上記ワニスを支持基材１上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。
　加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０～１５０℃程度が好ましい。
　用いる溶剤は、特に限定されないが、接着剤層形成時の揮発性等を沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、メタノール、エタノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は接着剤層形成時に接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させる目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
　フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、２～５０μｍであってもよく、５～２０μｍが好ましく、実装後の樹脂のはみ出しを抑制する観点から、５～１６μｍがさらに好ましい。
　フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、半導体ウエハの接続前の電極の高さの０．６～１．５倍であってもよく、０．７～１．３倍であってもよく、０．８～１．２倍であってもよい。フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、半導体ウエハの接続前の電極の高さ未満であってもよい。接着剤層２の厚さが電極の高さの０．６倍以上であると、接着剤の未充填によるボイドの発生を十分に抑制することができ、接続信頼性を一層向上させることができる。また、厚さが１．５倍以下であると、接続時にチップ接続領域から押し出される接着剤の量を十分に抑制することができるため、フィレットの発生を抑制できると共に、不要な部分への接着剤の付着を十分に防止することができる。
　フィルム状接着剤（接着剤層）２は、８０℃における粘度が４０００～１００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、５０００～９０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。粘度が上記の範囲にあると、圧着時の樹脂溶融が容易になり、樹脂が十分に流動することができるため、電極及び溝の周りにボイドが発生しにくく、さらには良好な接続をとるための前段階として対向する電極間の接触をより確実に図ることができる。接着剤層２の粘度は、以下の手順で測定される。まず、複数のフィルム状接着剤を６０～８０℃の温度で貼り合わせることにより、４００～６００μｍ厚の測定用試料を作製する。この測定用試料について、ＡＲＥＳ（ＴＡ　ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製、製品名）を用いて、測定治具直径：８ｍｍ、測定周波数：１０Ｈｚ、測定温度範囲：２５℃～２６０℃、昇温速度：１０℃／分の条件で粘度を測定し、所定の温度における粘度が求められる。
　フィルム状接着剤（接着剤層）２の粘度の調整は、例えば、高分子量成分の選定、フィラーの選定、及びこれらの配合量の調整によって行うことができる。
　次に、バックグラインドテープ５について説明する。
　粘着剤層３は、室温で粘着力があり、被着体に対する必要な密着力を有することが好ましい。また、放射線等の高エネルギー線又は熱によって硬化する（粘着力が低下する）特性を備えることが好ましいが、放射線等の高エネルギー線又は熱を加えなくとも接着剤層から容易に剥離可能であることがより好ましい。また、粘着剤層３は、感圧型の粘着剤層であってもよい。粘着剤層３は例えば、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂を用いて形成することができる。
　粘着剤層３が放射線等の高エネルギー線によって硬化する（粘着力が低下する）特性を備えるものである場合、粘着剤層３は、例えば、主成分をなすアクリル系共重合体と、架橋剤と、光重合開始剤とを含有することができる。以下、これらの成分について説明する。なお、本明細書における「主成分」とは、対象の層を構成する組成物１００質量部に対して含有量が５０質量部を超える成分を意味する。
　上記アクリル系共重合体は、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素－炭素二重結合含有基、水酸基をそれぞれ有する。
　アクリル系共重合体としてのアクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂（以下、「（メタ）アクリル系樹脂」という。）は、側鎖に不飽和結合を含有し且つ樹脂自体が粘着性を有するものであることができる。このような樹脂は、ガラス転移温度が－４０℃以下、水酸基価が２０～１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、連鎖重合可能な官能基が０．３～１．５ｍｍｏｌ／ｇ含まれ、且つ酸価が実質検出されず、重量平均分子量が３０万以上である樹脂が挙げられる。
　このような特徴を有する（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができるが、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法などが用いられる。また重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合などの他、ＡＴＲＰ又はＲＡＦＴといった手法も用いることができる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の配合の簡便さもあるため好ましい。
　ここでは、溶液重合法を用いてラジカル重合により（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に挙げ、詳細に説明する。
　（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリル基を有するものであれば特に制限はないが、具体的に例示するのであれば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２－テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ－（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２－（メタ）アクリロイロキシエチル－Ｎ－カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする組成物を得ることができる。
　更に必要に応じて、上述モノマーと共重合可能なスチレン、Ｎ－メチルマレイミド、Ｎ－エチルマレイミド、Ｎ－プロピルマレイミド、Ｎ－イソプロピルマレイミド、Ｎ－ブチルマレイミド、Ｎ－イソブチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－２－プロピルマレイミド、Ｎ－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－３－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－３－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－４－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－４－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２，２－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－３，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－３，３－ジメチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－２，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２，３－ジメチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－ヒドロキシメチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－１－プロピルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－１－プロピルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－１－プロピルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－プロピルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－プロピルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－１－ブチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－１－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－ブチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－２－ブチルマレイミド、Ｎ－２－メチル－３－ヒドロキシ－１－プロピルマレイミド、Ｎ－２－メチル－３－ヒドロキシ－２－プロピルマレイミド、Ｎ－２－メチル－２－ヒドロキシ－１－プロピルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－５－ヒドロキシ－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－５－ヒドロキシ－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－２－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－２－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，２－ジメチル－１－プロピルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２，２－ジメチル－１－プロピルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－１－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－４－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－５－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－６－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－１－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－５－ヘキシルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－６－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－１－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－３－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－４－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－５－ヘキシルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－６－ヘキシルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－４－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－２－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－４－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－４－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－４－メチル、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－３－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－４－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－メチル－５－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－３－メチル－１－ペンチルマレイミド、Ｎ－３－ヒドロキシ－３－メチル－２－ペンチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３－エチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３－エチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２－エチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－３－エチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－３－エチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－３－エチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－４－ヒドロキシ－３－エチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－２，３－ジメチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，２－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，２－ジメチル－３－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－２，２－ジメチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－２－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－４－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－１－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－２－ブチルマレイミド、Ｎ－１－ヒドロキシ－３，３－ジメチル－４－ブチルマレイミド等のアルキルマレイミド；Ｎ－シクロプロピルマレイミド、Ｎ－シクロブチルマレイミド、Ｎ－シクロペンチルマレイミド、Ｎ－シクロヘキシルマレイミド、Ｎ－シクロヘプチルマレイミド、Ｎ－シクロオクチルマレイミド、Ｎ－２－メチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ－２－エチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ－２－クロロシクロヘキシルマレイミド等のシクロアルキルマレイミド；Ｎ－フェニルマレイミド、Ｎ－２－メチルフェニルマレイミド、Ｎ－２－エチルフェニルマレイミド、Ｎ－２－クロロフェニルマレイミド等のアリールマレイミドなどを、適宜用いることができる。
　この中でも、Ｃ８～Ｃ２３の脂肪族エステルである（メタ）アクリルエステルから選ばれる少なくとも１種を用いるのが好ましい。このようなモノマー成分を共重合して得られた（メタ）アクリル系樹脂はガラス転移温度が低いため、優れた粘着特性を示すだけでなく、疎水性相互作用が強いため紫外線又は電子線を照射した後においては、粘着剤層３と接着剤層２との界面における剥離性が優れるため好ましい。
　またこのような（メタ）アクリル系樹脂を得るために必要な重合開始剤としては、３０℃以上の加熱によりラジカルを発生する化合物であれば特に制限はないが、例えばメチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メチルシクロヘキサノンパーオキシド等のケトンパーオキシド；１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）－２－メチルシクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１－ビス（ｔ－ヘキシルパーオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン等のパーオキシケタール；ｐ－メンタンヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド；α、α’－ビス（ｔ－ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキシド、ｔ－ブチルクミルパーオキシド、ジ－ｔ－ブチルパーオキシド等のジアルキルパーオキシド；オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ビス（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ－２－エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ－２－エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ－３－メトキシブチルパーオキシカーボネート等のパーオキシカーボネート；ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウリレート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２’－ジメチルバレロニトリル）などが挙げられる。
　また溶液重合の際に用いられる反応溶媒としては、（メタ）アクリル系樹脂を溶解し得るものであれば、特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミドなどが挙げられ、更にこれらの有機溶剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。更に超臨界二酸化炭素などを溶媒に用いて重合することもできる。
　（メタ）アクリル系樹脂に、紫外線、電子線、又は可視光線の照射によって反応し得る官能基を化学的に結合させることによって、感光性を付与することができる。ここでいう、紫外線、電子線、又は可視光線の照射によって反応し得る官能基とは、具体的に例示するのであれば、（メタ）アクリル基、ビニル基、アリル基、グリシジル基、脂環式エポキシ基、オキセタン基などが挙げられる。
　（メタ）アクリル系樹脂に感光性を付与する方法としては、特に制限はないが、例えば上記の（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に、前もって付加反応し得る官能基、例えば水酸基、カルボキシル基、無水マレイル基、グリシジル基、アミノ基などを有するモノマーと共重合することで（メタ）アクリル系樹脂に付加反応可能な官能基を導入し、そこに少なくとも１つのエチレン性不飽和基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、カルボキシル基などから選ばれる少なくともの１つの官能基を有する化合物とを付加反応させて側鎖にエチレン性不飽和基を導入することで、（メタ）アクリル系樹脂に感光性を付与することができる。
　このような化合物としては特に制限はなく、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；メタクリロイルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）、２－フタロイルエチル（メタ）アクリレート、２－テトラヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、２－ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、３－ビニル安息香酸、４－ビニル安息香酸等のエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物などが挙げられる。
　これらの中でもコスト及び反応性の観点から、２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、イソシアン酸エチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、２－ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレートなどを用いて、（メタ）アクリル系樹脂と反応させ、感光性を付与することが好ましい。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。また必要に応じて、付加反応を促進する触媒を添加したり、反応中の二重結合の開裂を避ける目的で重合禁止剤を添加することもできる。また更に好ましくは、ＯＨ基を含有する（メタ）アクリル系樹脂と２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネートから選ばれる少なくとも１種との反応物である。
　上記架橋剤は、（メタ）アクリル系樹脂に導入された水酸基、グリシジル基及びアミノ基などから選ばれる少なくとも１種と、これらの官能基と反応し得る官能基を１分子中に２つ以上有する化合物であり、その構造には制限はない。このような架橋剤で形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合及びウレア結合などが挙げられる。その中でも架橋剤に、芳香族基含有のイソシアネート基を有する場合、紫外線照射量が増加しても、粘着剤層３と接着剤層２との間の剥離力が高くなりにくいため好ましい。
　粘着剤層３に含まれる架橋剤の量は、アクリル系共重合体１００質量部に対して１０～１３質量部であることが好ましい。架橋剤の量が１０質量部未満であると、紫外線照射前における粘着剤層３の破断伸びが高くなり、ダイシング工程時の切削性が不十分となりやすい。これに加え、紫外線照射後における粘着剤層３と接着剤層２間の剥離力が十分に低下せず、ピックアップ工程時の突き上げ量を比較的大きく設定する必要が生じやすい。他方、架橋剤の量が１３質量部を超えると、紫外線照射前における粘着剤層３との粘着力が不十分となりやすい。
　架橋剤としては、架橋剤１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有するものが好ましい。このような化合物を用いると、（メタ）アクリル系樹脂に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基などと容易に反応し、強固な架橋構造を形成し、ダイボンディング工程後の半導体チップへの粘着剤層３の付着を抑制することができる。
　ここで、１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する架橋剤とは、具体的に例示すれば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどのイソシアネート化合物が挙げられる。
　また更に上述のイソシアネート化合物と、１分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコール類を反応させることで得られるイソシアナート基含有オリゴマーを用いることもできる。そのようなオリゴマーを得る場合、１分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオールなどが挙げられる。
　これらの中でも、架橋剤が、１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、１分子中に３つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成することができる。
　上記光重合開始剤は、紫外線、電子線及び可視光線から選択される１種以上の光の照射によって上記アクリル系共重合体の連鎖重合を生じさせ得る活性種を発生するものであれば特に制限はなく、例えば、光ラジカル重合開始剤であっても、光カチオン重合開始剤であってもよい。連鎖重合可能な活性種としては、上記アクリル系共重合体の官能基と反応することで重合反応が開始されるものであれば特に制限はない。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン、１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９’－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。
　また、上述した２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体において、２つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えてもよく、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と３級アミンとを組み合わせてもよい。
　光カチオン重合開始剤としては、例えばｐ－メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等のアリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアリールヨードニウム塩；トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル－４－チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル－４－チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル－４－チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフルオロヒドロキシアンチモネート等のトリアリールスルホニウム塩；トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロアンチモネート等のトリアリールセレノニウム塩；ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキルフェナシルスルホニウム塩；４－ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４－ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキル－４－ヒドロキシ塩；α－ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシイミドスルホネート、α－スルホニロキシケトン、β－スルホニロキシケトン等のスルホン酸エステルなどが挙げられるが、これらのカチオン重合開始剤は、単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。更に、適切な増感剤と組み合わせて用いることもできる。
　その中でも粘着剤層３に厳しい絶縁性及び絶縁信頼性が必要な場合は、光ラジカル開始剤を用いるのが好ましく、その中でも２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン、ベンゾフェノン、２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９’－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどは、保存安定性に優れるため好ましく、更に２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、ベンゾフェノンは一般の紫外線遮光型蛍光灯の元での取り扱いが可能であり、イエロールーム等の設備が必要でないため更に好ましい。
　光重合開始剤の配合量は、目的とする粘着剤層３の厚さ及び用いる光源によって最適値は異なるが、アクリル系共重合体１００質量部に対して０．５～１．５質量部であることが好ましい。光重合開始剤の量が０．５質量部以上であると紫外線照射後における接着剤層２との剥離力を十分に低下させることができる。光重合開始剤の量が１．５質量部以下であると、紫外線を照射した際に、粘着剤層３の分解が起こることを抑制することができる。
　粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３倍以上である。ただし、粘着剤層３の厚さを増やしすぎると厚さばらつきが大きくなること、及び、原材料の費用が大きくなることから、粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３～５倍がより好ましい。
　粘着剤層３の厚さは、２５～２９５μｍであることが好ましく、５０～１５０μｍであることがより好ましく、５０～１００μｍであることが更に好ましい。この厚さが２５μｍ以上であると、接着剤層２のラミネート時のボイドの発生をより抑制し易くなり、特に電極の高さと接着剤層２の厚さとの差が大きくなった場合でも、ボイドの噛み込みを抑制し易い傾向がある。一方、この厚さが２９５μｍ以下であると、粘着剤層３の残溶剤量が多くなることを抑制でき、残溶剤の影響による粘着力のばらつきの発生を抑制できる傾向がある。
　粘着剤層３は、上述した各成分を含有する粘着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを基材４上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。
　基材４としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のプラスチックフィルムが挙げられる。これらの中でも、ポリエステルフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましい。また、基材４は、上記の材料から選ばれる２種以上が混合されたもの、又は、上記のフィルムが複層化されたものでもよい。
　上記ワニスを基材４上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ダイコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。
　加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０～１５０℃程度が好ましい。
　用いる溶剤としては、接着剤層２を形成する際に用いる溶剤と同様のものが挙げられる。
　基材４の厚さは、５～５０μｍであることが好ましく、１２～３８μｍであることがより好ましい。この厚さが５μｍ以上であると、基材４が粘着剤層３の乾燥プロセス中に熱収縮により変形することを抑制し易く、粘着剤層３の厚みばらつきが発生することを抑制し易い傾向があり、５０μｍ以下であると、バックグラインド後のウエハの反りをより十分に抑制し易い傾向がある。
　バックグラインドテープ５の厚さは、７５～３００μｍであり、７５～１７５μｍであることが好ましく、８５～１２５μｍであることがより好ましい。この厚さが７５μｍ以上であると、バンプ周辺部及びスクライブラインの埋め込み不足の発生を抑制し易い傾向があり、３００μｍ以下であると、粘着剤層３の染み出しの発生を抑制し易い共に、バックグラインドテープ剥離時に接着剤層２もウエハから剥離することを抑制し易い傾向がある。
　バックグラインドテープ５の３５℃での弾性率は、半導体ウエハ上の凹凸への半導体ウエハ加工用接着フィルムの追従性を向上させ、ボイドの発生をより抑制する観点から、１．５ＧＰａ以下であることが好ましい。
　次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の各工程について説明する。
　図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図である。本実施形態においては、上述した半導体ウエハ加工用接着フィルム１０を用いて半導体装置が製造される。図２の（ａ）は、半導体ウエハの一実施形態を示す模式断面図であり、図２の（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法における一工程を説明するための模式断面図である。
　本実施形態で用いられる半導体ウエハは、半導体ウエハ２０の一方の主面上に、突起電極（ハンダバンプ）２６を備える。突起電極２６は、バンプ２２と、バンプ２２上に設けられたはんだボール２４とからなる。
　半導体ウエハ２０としては、表面が酸化膜処理された６インチウエハ、８インチウエハ、１２インチウエハ等が挙げられる。バンプ２２としては、特に限定されないが、銅、銀、金などで構成されるものが挙げられる。はんだボール２４としては、鉛含有のはんだ又は鉛フリーはんだ等の従来公知のはんだ材料から構成されるものが挙げられる。
　また、半導体ウエハ２０の突起電極２６が設けられている主面上には、ダイシング時の目印となるスクライブラインとしての溝２８が形成されている。溝２８は、深さ５～１５μｍ程度の凹部からなる。
　薄厚化する前の半導体ウエハ２０の厚さは、２５０～８００μｍの範囲とすることができる。通常、切り出された半導体ウエハは、６～１２インチのサイズでは６２５～７７５μｍの厚さを有する。
　バンプ２２の高さは、半導体小型化の観点から、５～５０μｍが好ましい。はんだボール２４の高さは、半導体小型化の観点から、２～３０μｍが好ましい。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウエハ加工用接着フィルム１０から支持基材１を剥離して、上記の半導体ウエハ２０のハンダバンプが形成されている面（以下、「機能面」という。）上に、フィルム状接着剤（接着剤層）２、粘着剤層３、基材４をこの順に配置し、はんだボール２４の先端が接着剤層２を貫通するように半導体ウエハ２０と基材４とに圧力を加える（図２の（ｂ）を参照）。なお、はんだボールの先端が接着剤層を貫通することが最も望ましいが、数ミクロン程度の接着剤層がはんだボールの先端に残っていても、配線回路基板と半導体チップとがはんだボールを介して電気的に接続されるときの接続性に影響が無い程度であれば、なんら問題ない。本実施形態においては、半導体ウエハ２０の機能面上に、真空ラミネートにより、接着剤層２を貼り合わせることにより、バンプの頭出しが容易となる。
　真空ラミネートには、ダイヤフラムを用いた方式、ロールを用いた方式、また、プレス式などが存在するが、埋込性の観点よりダイヤフラム方式が好ましい。
　ラミネートの条件としては、ラミネート温度：５０℃～１００℃、線圧：０．５～３．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度：０．２～２．０ｍ／分が好ましい。
　真空ラミネートのダイヤフラム方式を用いる場合の条件としては、ステージ温度：２０℃～６０℃、ダイヤフラム温度：５０℃～１００℃、脱気時間：１０～１００ｓｅｃ、加圧時間：１０～１００ｓｅｃ、加圧：０．１～１．０ＭＰａが好ましい。ダイヤフラム方式の場合、ラミネート温度はダイヤフラム温度を指す。
　ラミネートを、８０℃を超える高温で行うと、バックグラインド後のウエハ反りが大きくなってしまう傾向がある。一方、ラミネート温度が低すぎると、バンプ周辺を埋め込むことが難しくなる傾向がある。そのため、ラミネートは５０～８０℃で行うことが好ましい。
　次に、図３に示すように、半導体ウエハ２０のハンダバンプ（突起電極）が形成されている側とは反対側の面を研磨して半導体ウエハ２０を薄厚化する工程（バックグラインド工程）が行われる。
　研磨は、バックグラインダーを用いて行うことができる。また、この工程では、半導体ウエハ２０を厚さ１０～１５０μｍにまで薄厚化することが好ましい。薄厚化された半導体ウエハ２０の厚さが１０μｍ未満であると、半導体ウエハの破損が生じやすく、他方、１５０μｍを超えると、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。
　その後、図４の（ａ）に示すように、薄厚化された半導体ウエハ２０の研磨面側をダイシングテープ６に貼り付け、ダイシング装置を用いて、半導体ウエハ２０及び接着剤層２を溝２８に沿って切断し、個片化された半導体チップ２０ａと切断された接着剤層２ａとからなる接着剤付き半導体チップを得る（図４の（ｂ））。基材４及び粘着剤層３からなるバックグラインドテープ５は、ダイシング前に接着剤層２から剥離される。
　こうして得られる接着剤層付き半導体チップは、本開示に係る半導体ウエハ加工用接着フィルム１０を用いて作製されることにより、突起電極２６付近及び溝２８があった部分付近が接着剤によって十分埋め込まれ、ボイドの残存がなく、且つ、はんだボールの先端が接着剤から十分露出するものにすることができる。
　ダイシング工程の終了後、ピックアップ装置を用いて接着剤付き半導体チップをピックアップし、これを配線回路基板上に熱圧着する。
　本実施形態においては、接着剤層付き半導体チップと、電極を有する他の半導体チップ又は電極を有する半導体チップ搭載用支持部材とを、ハンダバンプ及び電極が対向する方向にハンダバンプが有するハンダの融点より低い温度で加圧する第１の熱圧着工程、及び、加熱によりハンダバンプが有するハンダを溶融させてハンダバンプと電極とを接合する第２の熱圧着工程の２段階の熱圧着を行う。
　接着剤層がフラックス成分を更に含有する場合、上記第１の熱圧着工程の加圧をフラックス成分の融点又は軟化点より高い温度かつハンダバンプが有するハンダの融点より低い温度で行ってもよい。この場合、より強固な接続状態を得ることができる。
　第１の熱圧着工程における熱圧着の条件としては、１００℃～２００℃、圧力：０．１ＭＰａ～１．５ＭＰａ、時間：１秒～１５秒が好ましく、温度：１００℃～１８０℃、圧力：０．１ＭＰａ～１．０ＭＰａ、時間：１秒～１０秒がより好ましい。また、第２の熱圧着工程における熱圧着の条件としては、温度：２３０℃～３５０℃、圧力：０．１ＭＰａ～１．５ＭＰａ、時間：１秒～１５秒が好ましく、温度：２３０℃～３００℃、圧力：０．１ＭＰａ～１．０ＭＰａ、時間：１秒～１５秒がより好ましい。
　なお、上記の温度及び圧力の条件は、接着剤層にかかる温度及び圧力を指す。
　このようにして、図５に示される、配線回路基板７の電極３６と半導体チップ２０ａのバンプ２２とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板７と半導体チップ２０ａとの間が接着剤２ｂにより封止された構造を有する半導体装置１００が得られる。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、はんだボールの先端を接着剤層から十分に露出させて、より確実な接続を行う観点から、接着剤層２の厚さが、ハンダバンプ２６の高さ、本実施形態においてはバンプ２２及びはんだボール２４の合計高さＴよりも小さく、且つ、接着剤層２及び基材４の合計厚さが、上記合計高さよりも大きいことが好ましい。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップと、基板、他の半導体チップ、又は、他の半導体チップに相当する部分を含む半導体ウエハと、これらの間に配置されたフィルム状接着剤とを有し、半導体チップの電極（接続部）と基板又は他の半導体チップの電極（接続部）とが対向配置されている、積層体を、対向する一対の仮圧着用押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧し、それにより半導体チップに基板、他の半導体チップ又は半導体ウエハを仮圧着する工程（仮圧着工程）と、半導体チップの電極（接続部）と基板又は他の半導体チップの電極（接続部）とを金属接合によって電気的に接続する工程（本圧着工程）と、をこの順に備える方法であってもよい。
　上記製造方法においては、仮圧着工程で用いられる上記一対の仮圧着用押圧部材のうち少なくとも一方が、積層体を加熱及び加圧する時に、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、及び基板又は他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点よりも低い温度に加熱される。
　一方、本圧着工程において、積層体は、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。ここで、本圧着工程は、例えば以下の方法で行うことができる。
（第１の方法）
　積層体を、仮圧着用押圧部材とは別に準備された、対向する一対の本圧着用押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧し、それにより半導体チップの接続部と基板又は他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する。この場合、一対の本圧着用押圧部材のうち少なくとも一方が、積層体を加熱及び加圧する時に、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。
　上記方法によれば、接続部の表面を形成している金属材料の融点よりも低い温度で仮圧着する工程と、接続部の表面を形成している金属材料の融点以上の温度で本圧着する工程とを別々の圧着用押圧部材を用いて行うことで、それぞれの圧着用押圧部材の加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。そのため、１つの圧着用押圧部材で圧着するよりも短時間で生産性よく半導体装置を製造することができる。その結果、短時間で多くの高信頼性な半導体装置を製造できる。本圧着工程において一括して接続することができる。一括接続をする場合、本圧着では仮圧着と比較して、より多くの複数個の半導体チップを圧着するため、面積の大きな圧着ヘッドを備える圧着用押圧部材を使用することができる。このように複数の半導体チップを一括で本圧着して接続を確保することができると、半導体装置の生産性が向上する。
（第２の方法）
　ステージ上に配置された複数の積層体又は複数の半導体チップ、半導体ウエハ及び接着剤を有する積層体とそれらを覆うように配置された一括接続用シートとを、ステージと該ステージに対向する圧着ヘッドとで挟むことによって一括して複数の積層体を加熱及び加圧し、それにより半導体チップの接続部と基板又は他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する。この場合、ステージ及び圧着ヘッドのうち少なくとも一方が、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。
　上記方法によれば、複数の半導体チップと複数の基板、複数の他の半導体チップ又は半導体ウエハとを一括で本圧着する場合において、接続不良の半導体装置の割合を減らすことができる。
　一括接続用シートの原料は特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、及びアクリルゴムが挙げられる。一括接続用シートは、耐熱性及びフィルム形成性に優れるという観点から、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、及びポリカルボジイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むシートであってもよい。一括接続用シートの樹脂は、耐熱性及びフィルム形成性に特に優れるという観点から、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂及びアクリルゴムから選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むシートであってもよい。これらの樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
（第３の方法）
　積層体を、加熱炉内又はホットプレート上で、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱する。
　上記方法の場合も、仮圧着工程と、本圧着工程とを別々に行うことで、仮圧着用押圧部材の加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。そのため、１つの圧着用押圧部材で圧着するよりも短時間で生産性よく半導体装置を製造することができる。その結果、短時間で多くの高信頼性な半導体装置を製造できる。また、上記方法では、複数の積層体を加熱炉内又はホットプレート上で一括して加熱してもよい。これにより、更に高い生産性で半導体装置を製造することができる。
　以上、本開示の好適な実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。
　以下、実施例を挙げて本開示についてさらに具体的に説明する。ただし、本開示はこれら実施例に限定されるものではない。
＜基材付きフィルム状接着剤の作製＞
　エポキシ樹脂としてトリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＥＰ１０３２Ｈ６０」）２．４ｇ、ビスフェノールＦ型液状エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＹＬ９８３Ｕ」）０．４５ｇ、及び、柔軟性エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＹＬ７１７５」）０．１５ｇと、硬化剤として２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成株式会社製、商品名「２ＭＡＯＫ－ＰＷ」）０．１ｇと、フラックス剤として２－メチルグルタル酸０．１ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）と、無機フィラーとしてシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０」、平均粒径０．５μｍ）０．３８ｇ、エポキシシラン処理シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０－ＳＥＪ」、平均粒径０．５μｍ）０．３８ｇ、及び、アクリル表面処理ナノシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ－ＳＭ」、平均粒径約５０ｎｍ）１．１４ｇと、有機フィラー（ロームアンドハースジャパン株式会社製、商品名「ＥＸＬ－２６５５」、コアシェルタイプ有機微粒子）０．２５ｇと、メチルエチルケトン（固形分量が６３質量％になる量）とを仕込み、直径０．８ｍｍのジルコニアビーズ及び直径２．０ｍｍのジルコニアビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。その後、フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名「ＺＸ１３５６－２」、Ｔｇ：約７１℃、Ｍｗ：約６３０００）１．７ｇを加え、再度ビーズミルで３０分撹拌した後、撹拌に用いたジルコニアビーズをろ過によって除去し、樹脂ワニスを得た。
　得られた樹脂ワニスを、支持基材（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５３」）上に、小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工し、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（７０℃／１０ｍｉｎ）して、厚さ１６μｍの接着剤層（フィルム状接着剤）を形成した。これにより、支持基材及び接着剤層からなる基材付きフィルム状接着剤を得た。
＜バックグラインドテープ（ＵＶ硬化型）の作製＞
　スリーワンモータ、撹拌翼及び窒素導入管が備え付けられた容量４０００ｍｌのオートクレーブに酢酸エチル１０００ｇ、２－エチルヘキシルアクリレート６５０ｇ、２－ヒドロキシエチルアクリレート３５０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル３．０ｇを配合し、均一になるまで撹拌した。その後、流量１００ｍｌ／ｍｉｎにて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて６０℃まで昇温し、昇温後４時間重合させた。その後１時間かけて９０℃まで昇温し、更に９０℃にて１時間保持後、室温に冷却した。
　次に、上記オートクレーブに酢酸エチルを１０００ｇ加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを０．１ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．０５ｇ添加した後、２－メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工（株）製、商品名「カレンズＭＯＩ」）を１００ｇ加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。その後、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有するアクリル樹脂溶液を得た。得られた樹脂の水酸基価は１２１ｍｇＫＯＨ／ｇであった。また、東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定をした結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は４２万であった。
　上述の方法で得られた連鎖重合可能な二重結合を有するアクリル樹脂溶液を固形分として１００ｇ、架橋剤として多官能イソシアネート（日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」、固形分７５質量％）を固形分として１２．０ｇ、光重合開始剤として１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバスペシャリティケミカルズ（株）製、商品名「イルガキュア１８４」）を１．０ｇ、更に総固形分含有量が２７質量％となるように酢酸エチルを加え、１０分間均一に撹拌して粘着剤層用ワニスを得た。
　厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート基材（ユニチカ株式会社製、商品名「エンブレッドＳ２５」）上に、上記粘着剤用ワニスを、アプリケータを用いて乾燥後の粘着剤層の厚さが５０μｍとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、８０℃で５分間乾燥した。これにより、基材上にＵＶ硬化型の粘着剤層が形成されたバックグラインドテープを得た。
＜バックグラインドテープ（感圧型）の作製＞
　主モノマーとして２－エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は－３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＨＬ」）を１０質量部の割合で配合して、粘着剤用ワニスを調製した。
　厚さ２５μｍ又は５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（ユニチカ株式会社製、商品名「エンブレッドＳ２５」）上に、上記粘着剤用ワニスを、アプリケータを用いて乾燥後の粘着剤層の厚さが２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ又は６０μｍとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、８０℃で５分間乾燥した。これにより、基材上に感圧型の粘着剤層が形成されたバックグラインドテープを得た。
＜半導体ウエハ加工用接着フィルムの作製＞
（実施例１）
　ＵＶ硬化型のバックグラインドテープを、ロールラミネータ（ラミネート温度：３０±１０℃）を用いて基材付きフィルム状接着剤とラミネートし、ＰＥＴ基材／粘着剤層／接着剤層／支持基材の積層構造を有する半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。
（実施例２及び比較例１～３）
　表１に示した厚さのＰＥＴ基材及び粘着剤層を有する感圧型のバックグラインドテープを、ロールラミネータ（ラミネート温度：５５±１０℃）を用いて基材付きフィルム状接着剤とラミネートし、ＰＥＴ基材／粘着剤層／接着剤層／支持基材の積層構造を有する半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。
＜弾性率の測定＞
　各実施例及び比較例で用いたバックグラインドテープを、所定のサイズ（縦４０ｍｍ×横４．０ｍｍ、厚さは各バックグラインドテープの厚さ）に切り出して、試験サンプルを得た。上記試験サンプルについて、動的粘弾性測定装置を用いて、３５℃での弾性率（貯蔵弾性率）を測定した。弾性率の測定方法の詳細は以下のとおりである。測定結果を表１に示す。なお、比較例３については弾性率の測定を行わなかったが、比較例１～２よりもＰＥＴ基材が厚く、粘着剤層が薄くなっていることから、比較例１～２の弾性率よりも高い値になるものと考えられる。
　装置名：動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム株式会社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００）
　測定温度領域：３０～２７０℃
　昇温速度：５℃／ｍｉｎ
　周波数：１０Ｈｚ
　歪み：０．０５％
　測定モード：引張モード
＜ラミネート性の評価＞
　半導体ウエハ加工用接着フィルムのラミネート時の埋め込み性評価用のウエハとして、縦横１０ｍｍピッチで深さ１０μｍの溝を複数形成した１２インチシリコンウエハを用意した。
　各実施例及び比較例で得られた半導体ウエハ加工用接着フィルムを、真空ラミネータＶ１３０（ニチゴーモートン社製）を用いて、支持基材を剥離して露出した接着剤層側から上記の１２インチシリコンウエハにラミネートし、溝にボイドが残るかを確認した。ラミネート条件はラミネート温度を８０℃、ラミネート圧力０．５ＭＰａ、ラミネート時間６０秒とした。ラミネート後に溝部分を観察した結果、ボイドの残存が無くラミネートできている場合を「Ａ」、ボイドが残存している場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表１に示した結果から明らかなように、実施例１及び２の半導体ウエハ加工用接着フィルムをウエハにラミネートした場合、ウエハに溝があってもボイドの発生を抑制できることが確認された。また、この方法では、接着剤層の組成及びラミネート条件を変えることなくボイドの発生を抑制できるため、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることがなく、実際に実施例１及び２においてそれらの問題は生じなかった。
　本開示の半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムによれば、フィレット抑制を目的にフィルム状接着剤が薄膜化した場合でも、ウエハラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。そのため、本開示の半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムによれば、ボイドの発生が抑制された半導体装置を製造することができる。
　１…支持基材、２…フィルム状接着剤（接着剤層）、３…粘着剤層、４…基材、５…バックグラインドテープ、６…ダイシングテープ、７…配線回路基板、１０…半導体ウエハ加工用接着フィルム、２０…半導体ウエハ、２０ａ…半導体チップ、２２…バンプ、２４…はんだボール、２６…ハンダバンプ（突起電極）、２８…溝、３６…電極、１００…半導体装置。

Claims (9)

  1. 　主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの前記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを前記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、
    　前記半導体ウエハの前記電極が設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄厚化する工程と、
    　前記薄厚化した半導体ウエハ及び前記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、
    　前記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、
    を有し、
    　前記バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、
    　前記粘着剤層の厚さが前記接着剤層の厚さの３倍以上である、
    半導体装置の製造方法。
  2. 　前記バックグラインドテープの３５℃での弾性率が１．５ＧＰａ以下である、請求項１に記載の製造方法。
  3. 　前記基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 　前記粘着剤層と前記接着剤層との間の接着力が、前記接着剤層と前記半導体ウエハとの間の接着力よりも低い、請求項１～３のいずれか一項に記載の製造方法。
  5. 　前記接着剤層の厚さが、前記半導体ウエハの前記電極の高さ未満である、請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法。
  6. 　前記半導体ウエハが、前記電極を有する主面に溝を有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の製造方法。
  7. 　基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備え、
    　前記バックグラインドテープの厚さが７５～３００μｍであり、
    　前記粘着剤層の厚さが前記接着剤層の厚さの３倍以上である、
    半導体ウエハ加工用接着フィルム。
  8. 　前記バックグラインドテープの３５℃での弾性率が１．５ＧＰａ以下である、請求項７に記載の半導体ウエハ加工用接着フィルム。
  9. 　前記基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項７又は８に記載の半導体ウエハ加工用接着フィルム。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022002231A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 昭和電工マテリアルズ株式会社 多層フィルムの製造方法、多層フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2022153835A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JPWO2023074474A1 (ja) * 2021-10-29 2023-05-04
JP7552782B1 (ja) 2023-04-24 2024-09-18 株式会社レゾナック 半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2025177662A1 (ja) * 2024-02-20 2025-08-28 株式会社レゾナック 半導体用接着テープ、接着剤層付き半導体チップの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
WO2025177663A1 (ja) * 2024-02-20 2025-08-28 株式会社レゾナック 半導体用接着テープ、接着剤層付き半導体チップの製造方法、及び、半導体装置の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102660802B1 (ko) * 2021-08-11 2024-04-26 (주)이녹스첨단소재 웨이퍼 처리용 점착 필름

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340796A (ja) * 2004-04-28 2005-12-08 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハ表面保護フィルム及び該保護フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法
JP2012199374A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体チップの製造方法
JP2016121231A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 古河電気工業株式会社 電子部品加工用粘着テープ
WO2017159343A1 (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP2017188306A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 リンテック株式会社 回路部材接続用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2018145346A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 リンテック株式会社 回路部材接続用シートおよび半導体装置の製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4438973B2 (ja) 2000-05-23 2010-03-24 アムコア テクノロジー，インコーポレイテッド シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4170839B2 (ja) 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
JP5417729B2 (ja) 2008-03-28 2014-02-19 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5893479B2 (ja) * 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
JPWO2015064574A1 (ja) * 2013-10-30 2017-03-09 リンテック株式会社 半導体接合用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6595296B2 (ja) * 2015-10-19 2019-10-23 デクセリアルズ株式会社 保護テープ、及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340796A (ja) * 2004-04-28 2005-12-08 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハ表面保護フィルム及び該保護フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法
JP2012199374A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体チップの製造方法
JP2016121231A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 古河電気工業株式会社 電子部品加工用粘着テープ
WO2017159343A1 (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP2017188306A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 リンテック株式会社 回路部材接続用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2018145346A (ja) * 2017-03-08 2018-09-20 リンテック株式会社 回路部材接続用シートおよび半導体装置の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022002231A (ja) * 2020-06-19 2022-01-06 昭和電工マテリアルズ株式会社 多層フィルムの製造方法、多層フィルム及び半導体装置の製造方法
JP7521271B2 (ja) 2020-06-19 2024-07-24 株式会社レゾナック 多層フィルムの製造方法、多層フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2022153835A (ja) * 2021-03-30 2022-10-13 昭和電工マテリアルズ株式会社 支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP7661744B2 (ja) 2021-03-30 2025-04-15 株式会社レゾナック 支持部材の製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JPWO2023074474A1 (ja) * 2021-10-29 2023-05-04
WO2023074474A1 (ja) * 2021-10-29 2023-05-04 株式会社レゾナック 半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP7552782B1 (ja) 2023-04-24 2024-09-18 株式会社レゾナック 半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2024156394A (ja) * 2023-04-24 2024-11-06 株式会社レゾナック 半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2025177662A1 (ja) * 2024-02-20 2025-08-28 株式会社レゾナック 半導体用接着テープ、接着剤層付き半導体チップの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
WO2025177663A1 (ja) * 2024-02-20 2025-08-28 株式会社レゾナック 半導体用接着テープ、接着剤層付き半導体チップの製造方法、及び、半導体装置の製造方法

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