JPWO2020100696A1 - 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルム - Google Patents

Abstract

主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの電極が設けられている側に、基材及び粘着剤層を含むバックグラインドテープと、粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを貼り付け、積層体を得る工程と、半導体ウエハを研削して半導体ウエハを薄厚化する工程と、薄厚化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、バックグラインドテープの厚さが７５〜３００μｍであり、粘着剤層の厚さが接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体装置の製造方法。

Description

本開示は半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムに関する。

近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、回路部材に形成された回路の高密度化が進展し、隣接する電極同士の間隔及び電極の幅が非常に狭くなる傾向がある。これに伴い、半導体パッケージの薄型化及び小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体チップの実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップ電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板電極とチップ電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式が注目されている。

フリップチップ接続方式としては、はんだバンプを用いる方式、金バンプと導電性接着剤を用いる方式、熱圧着方式、超音波方式等が知られている。これらの方式では、チップと基板との熱膨張係数差に由来する熱ストレスが接続部分に集中して接続信頼性が低下するという問題がある。このような接続信頼性の低下を防止するために、一般に、チップと基板との間隙を充填するアンダーフィルが樹脂により形成される。熱ストレスがアンダーフィルへ分散することで緩和されるため、接続信頼性を向上させることが可能である。

一般に、アンダーフィルを形成する方法としては、半導体チップと基板をはんだ等を用いて接続した後、空隙に液状封止樹脂を毛細管現象を利用して注入する方式が採用されている。チップと基板を接続する際には、はんだ表面の酸化膜を還元除去して金属接合を容易にするために、ロジン又は有機酸等からなるフラックスを用いているが、フラックスの残渣が残ると、液状樹脂を注入した場合にボイドと呼ばれる気泡発生の原因になったり、酸成分によって配線の腐食が発生し、接続信頼性が低下したりすることから、残渣を洗浄する工程が必須であった。しかし、微細接続化に伴い半導体チップと基板の間の空隙が狭くなっているため、フラックス残渣の洗浄が困難になる場合があった。さらに、半導体チップと基板の間の狭い空隙に液状樹脂を注入するのに長時間を要して生産性が低下するという問題があった。

このような液状封止樹脂の課題を解決するために、はんだ表面の酸化膜を還元除去する性質（以下フラックス活性と記す）を備えた封止樹脂を用いて、封止樹脂を基板に供給した後、半導体チップと基板を接続すると同時に、半導体チップと基板の間の空隙を樹脂で封止充填し、フラックス残渣の洗浄を省略することが可能となる先供給方式と呼ばれる接続方法が提案されている。そして、この接続方法に対応した封止樹脂の開発が行われている。

さらに、半導体装置の更なる薄型化の要求に伴い、半導体ウエハをより薄くするために、ウエハの裏面を研削する、いわゆるバックグラインドが行われており、半導体装置の製造工程は煩雑になっている。そこで、工程の簡略化に適した方法としてバックグラインド時に半導体ウエハを保持する機能とアンダーフィル機能とを兼ね備える樹脂の提案がなされてきている（特許文献１〜３参照）。

特開２００１−３３２５２０号公報 特開２００５−０２８７３４号公報 特開２００９−２３９１３８号公報

しかし、先供給方式では、半導体チップの実装後にフィレットと呼ばれるチップ外への樹脂のはみ出しが発生しやすい。このフィレットが大きい場合、隣接するチップの実装が困難になることから、フィレットの抑制が必要となる。フィレットを抑制する手法としては、例えば、封止樹脂として供給するフィルム状樹脂（接着剤層）の厚さを、バンプの高さと同じもしくは薄くすることが考えられている。

但し、半導体ウエハ上にはバンプ及びダイシング加工時の目安となるスクライブライン等の凹凸が形成されているため、薄膜化したフィルム状樹脂をラミネートした場合、ボイドが残りやすくなるという問題がある。バンプ周辺部にボイドが残った場合は、実装後にもボイドが残りやすくなる。そして、そのボイドが信頼性試験時に膨張することで、接続部を補強すべき樹脂にクラックが入る、又は、接続部の破断が発生するといった問題が生じやすくなる。また、スクライブライン上にボイドが残った場合は、ダイシング加工時にボイドが起点となってフィルム状樹脂がウエハから剥離するといった問題が生じやすくなる。

ボイドを抑制する方法として、半導体ウエハ上の凹凸へのフィルム状樹脂の追従性を向上させることが考えられる。追従性を向上させるためには、フィルム状樹脂を流動性の高いものとすること、及び、ラミネート温度を上げること等が考えられる。しかしながら、前者の方法では、ボイドは抑制できてもフィレットが発生しやすくなるという問題がある。また、後者の場合は、ラミネート時にかかった熱により、ラミネート後にバックグラインドテープの基材の収縮量が大きくなる。そのため、バックグラインド後のウエハが基材の収縮を抑制できず、ウエハの反りが大きくなるという問題が発生する。

本開示は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本開示は、主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを上記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄厚化する工程と、上記薄厚化した半導体ウエハ及び上記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有し、上記バックグラインドテープの厚さが７５〜３００μｍであり、上記粘着剤層の厚さが上記接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体装置の製造方法を提供する。

上記製造方法によれば、基材及び粘着剤層で構成されるバックグラインドテープの厚さを７５〜３００μｍとし、且つ、粘着剤層の厚さを接着剤層の厚さの３倍以上とすることにより、接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。ここで、半導体ウエハ加工用接着フィルムにおけるバックグラインドテープ及びその粘着剤層は、バックグラインド時に半導体ウエハを保持できるものであればよく、また、半導体ウエハに直接接するものではないため、従来、バックグラインドテープ及びその粘着剤層の厚さとボイドとの関係性は検討されていなかった。しかしながら、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、バックグラインドテープ及びその粘着剤層の厚さを上記条件を満たすように調整することで、バックグラインドテープ全体を低弾性率化して半導体ウエハ上の凹凸への半導体ウエハ加工用接着フィルムの追従性を向上させることができることを見出した。これにより、接着剤層の流動性を高めたりラミネート温度を上げたりすることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。また、上記製造方法は、ボイドの発生を抑制するために接着剤層の組成及びラミネート条件を変更する必要がないため、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることがない。更に、上記製造方法は、バックグラインド性にも悪影響を与えることがないことを確認している。

上記製造方法において、上記バックグラインドテープの３５℃での弾性率は、１．５ＧＰａ以下であってもよい。この場合、半導体ウエハ加工用接着フィルムの半導体ウエハ上の凹凸への追従性をより向上させることができ、接着剤層のラミネート時のボイドの発生をより抑制することができる。

上記製造方法において、上記基材はポリエチレンテレフタレートフィルムであってもよい。この場合、ラミネート装置における搬送時の張力による基材の変形をより抑制することができると共に、半導体ウエハ加工用接着フィルムをウエハサイズにプリカットする場合の切断性を良好にでき、バリの発生を抑制することができる。

上記製造方法において、上記粘着剤層と上記接着剤層との間の接着力は、上記接着剤層と上記半導体ウエハとの間の接着力より低くてもよい。この場合、半導体ウエハのバックグラインド後に、接着剤層を半導体ウエハ上に残して、バックグラインドテープのみを容易に剥離することが可能となる。

上記製造方法において、上記接着剤層の厚さは、上記半導体ウエハの上記電極の高さ未満であってもよい。本開示の製造方法は、接着剤層の厚さを半導体ウエハの電極の高さ未満にまで薄膜化した場合に好適である。このように接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。

上記製造方法において、上記半導体ウエハは、上記電極を有する主面に溝を有していてもよい。本開示の製造方法は、表面にスクライブラインのような溝を有する半導体ウエハを用いる場合に好適である。このように溝を有する半導体ウエハを用いた場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。

本開示はまた、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備え、上記バックグラインドテープの厚さが７５〜３００μｍであり、上記粘着剤層の厚さが上記接着剤層の厚さの３倍以上である、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供する。

上記接着フィルムによれば、基材及び粘着剤層で構成されるバックグラインドテープの厚さを７５〜３００μｍとし、且つ、粘着剤層の厚さを接着剤層の厚さの３倍以上とすることにより、接着剤層を薄膜化した場合であっても、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。

上記接着フィルムにおいて、上記バックグラインドテープの３５℃での弾性率は１．５ＧＰａ以下であってもよい。また、上記基材はポリエチレンテレフタレートフィルムであってもよい。

本開示によれば、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることなく、接着剤層のラミネート時のボイドの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法、及び、半導体ウエハ加工用接着フィルムを提供することができる。

本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 本開示の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。

以下、場合により図面を参照しつつ本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

本明細書において、「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はそれに対応するメタクリルを意味する。

本開示の半導体装置の製造方法の一実施形態は、主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの上記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、上記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを上記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、上記半導体ウエハの上記電極が設けられている側とは反対側を研削して上記半導体ウエハを薄厚化する工程と、上記薄厚化した半導体ウエハ及び上記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、上記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、を有する。

図１は、本開示の半導体ウエハ加工用接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示される半導体ウエハ加工用接着フィルム１０は、支持基材１、フィルム状接着剤（接着剤層）２、及び、バックグラインドテープ５から構成されている。バックグラインドテープ５は、粘着剤層３及び基材４から構成されている。本実施形態の接着フィルム１０において、バックグラインドテープ５の厚さは７５〜３００μｍであり、粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３倍以上である。本実施形態の接着フィルム１０は、バックグラインド及び回路部材接続の両用途を兼ね備えることができるフィルムであり、接着剤層２が、半導体ウエハの電極が設けられている側の主面に貼り付けられる。

まず、接着剤層２を構成する接着剤組成物について説明する。

本実施形態の接着剤組成物は、例えば、エポキシ樹脂（以下、場合により「（ａ）成分」という。）、硬化剤（以下、場合により「（ｂ）成分」という。）、及び、フラックス剤（以下、場合により「（ｃ）成分」という。）を含有する。

本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分（以下、場合により「（ｄ）成分」という。）を含有していてもよい。また、本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、フィラー（以下、場合により「（ｅ）成分」という。）を含有していてもよい。

以下、本実施形態の接着剤組成物を構成する各成分について説明する。

（ａ）成分：エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。（ａ）成分として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。

（ａ）成分は、高温での接続時に分解して揮発成分が発生することを抑制する観点から、接続時の温度が２５０℃の場合は、２５０℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、接続時の温度が３００℃の場合は、３００℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

（ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、例えば５〜７５質量％であり、好ましくは１０〜５０質量％であり、より好ましくは１５〜３５質量％である。

（ｂ）成分：硬化剤
（ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤が挙げられる。（ｂ）成分がフェノール性水酸基、酸無水物、アミン類又はイミダゾール類を含むと、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示し、接続信頼性・絶縁信頼性を向上させることができる。以下、各硬化剤について説明する。

（ｉ）フェノール樹脂系硬化剤
フェノール樹脂系硬化剤としては、分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールナフトールホルムアルデヒド重縮合物、トリフェニルメタン型多官能フェノール樹脂及び各種多官能フェノール樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。

上記（ａ）成分に対するフェノール樹脂系硬化剤の当量比（フェノール性水酸基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のフェノール性水酸基が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。

（ｉｉ）酸無水物系硬化剤
酸無水物系硬化剤としては、例えば、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物及びエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテートを使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。

上記（ａ）成分に対する酸無水物系硬化剤の当量比（酸無水物基／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から、０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応の酸無水物が過剰に残存することがなく、吸水率が低く抑えられ、絶縁信頼性が向上する傾向がある。

（ｉｉｉ）アミン系硬化剤
アミン系硬化剤としては、例えばジシアンジアミドを使用することができる。

上記（ａ）成分に対するアミン系硬化剤の当量比（アミン／エポキシ基、モル比）は、良好な硬化性、接着性及び保存安定性の観点から０．３〜１．５が好ましく、０．４〜１．０がより好ましく、０．５〜１．０が更に好ましい。当量比が０．３以上であると、硬化性が向上し接着力が向上する傾向があり、１．５以下であると未反応のアミンが過剰に残存することがなく、絶縁信頼性が向上する傾向がある。

（ｉｖ）イミダゾール系硬化剤
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。これらの中でも、優れた硬化性、保存安定性及び接続信頼性の観点から、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノ−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤としてもよい。

イミダゾール系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。イミダゾール系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、２０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤組成物が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。

（ｖ）ホスフィン系硬化剤
ホスフィン系硬化剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート及びテトラフェニルホスホニウム（４−フルオロフェニル）ボレートが挙げられる。

ホスフィン系硬化剤の含有量は、（ａ）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。ホスフィン系硬化剤の含有量が０．１質量部以上であると硬化性が向上する傾向があり、１０質量部以下であると金属接合が形成される前に接着剤組成物が硬化することがなく、接続不良が発生しにくい傾向がある。

フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤及びアミン系硬化剤は、それぞれ１種を単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤はそれぞれ単独で用いてもよく、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤と共に用いてもよい。

保存安定性が一層向上し、吸湿による分解又は劣化が起こりにくくなる観点から、（ｂ）成分は、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤及びホスフィン系硬化剤からなる群より選択される硬化剤であることが好ましい。また、硬化速度の調整の容易さの観点、及び、速硬化性により生産性向上を目的とした短時間接続が実現できる観点からは、（ｂ）成分は、フェノール樹脂系硬化剤、アミン系硬化剤及びイミダゾール系硬化剤からなる群より選択される硬化剤であることがより好ましい。

接着剤組成物が（ｂ）成分として、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はアミン系硬化剤を含む場合、酸化膜を除去するフラックス活性を示し、接続信頼性をより向上することができる。

（ｃ）成分：フラックス剤
（ｃ）成分は、フラックス活性（酸化物、不純物等を除去する活性）を有する化合物である。（ｃ）成分としては、非共有電子対を有する含窒素化合物（イミダゾール類、アミン類等。ただし、（ｂ）成分に含まれるものを除く）、カルボン酸類、フェノール類及びアルコール類等が挙げられる。なお、アルコール類に比べてカルボン酸類の方がフラックス活性を強く発現し、接続性を向上し易い。（ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（ｃ）成分は、下記式（１）で表される基を有する化合物（以下、場合により「フラックス化合物」という。）であってもよい。

式（１）中、Ｒ^１は、電子供与性基を示す。

電子供与性基としては、例えば、アルキル基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基及びアルキルアミノ基が挙げられる。電子供与性基としては、他の成分（例えば、（ａ）成分のエポキシ樹脂）と反応しにくい基が好ましく、具体的には、アルキル基、水酸基又はアルコキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。

電子供与性基の電子供与性が強くなると、上述のエステル結合の分解を抑制する効果が得られ易くなる傾向にある。また、電子供与性基の立体障害は、大きいと、上述のカルボキシル基とエポキシ樹脂との反応を抑制する効果が得られ易くなる。電子供与性基は、電子供与性及び立体障害をバランス良く有していることが好ましい。

アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素数は、多いほど電子供与性及び立体障害が大きくなる傾向にある。炭素数が上記範囲であるアルキル基は、電子供与性及び立体障害のバランスに優れるため、当該アルキル基によれば、耐リフロー性及び接続信頼性を向上させることができる。

また、アルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよいが、中でも直鎖状が好ましい。アルキル基が直鎖状であるとき、電子供与性及び立体障害のバランスの観点から、アルキル基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数以下であることが好ましい。例えば、フラックス化合物が下記式（２）で表される化合物であり、電子供与性基が直鎖状のアルキル基であるとき、当該アルキル基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数（ｎ＋１）以下であることが好ましい。

アルコキシ基としては、炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜５のアルコキシ基がより好ましい。アルコキシ基の炭素数は、多いほど電子供与性及び立体障害が大きくなる傾向がある。炭素数が上記範囲であるアルコキシ基は、電子供与性及び立体障害のバランスに優れるため、当該アルコキシ基によれば、耐リフロー性及び接続信頼性を向上させることができる。

また、アルコキシ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、中でも直鎖状が好ましい。アルコキシ基が直鎖状であるとき、電子供与性及び立体障害のバランスの観点から、アルコキシ基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数以下であることが好ましい。例えば、フラックス化合物が下記式（２）で表される化合物であり、電子供与性基が直鎖状のアルコキシ基であるとき、当該アルコキシ基の炭素数は、フラックス化合物の主鎖の炭素数（ｎ＋１）以下であることが好ましい。

アルキルアミノ基としては、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基が挙げられる。モノアルキルアミノ基としては、炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基が好ましく、炭素数１〜５のモノアルキルアミノ基がより好ましい。モノアルキルアミノ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。

ジアルキルアミノ基としては、炭素数２〜２０のジアルキルアミノ基が好ましく、炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基がより好ましい。ジアルキルアミノ基のアルキル基部分は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。

フラックス化合物は、カルボキシル基を２つ有する化合物（ジカルボン酸）であることが好ましい。カルボキシル基を２つ有する化合物は、カルボキシル基を１つ有する化合物（モノカルボン酸）と比較して、接続時の高温によっても揮発し難く、ボイドの発生を一層抑制できる。また、カルボキシル基を２つ有する化合物を用いると、カルボキシル基を３つ以上有する化合物を用いた場合と比較して、保管時・接続作業時等における接着剤組成物の粘度上昇を一層抑制することができ、半導体装置の接続信頼性を一層向上させることができる。

フラックス化合物としては、下記式（２）で表される化合物を好適に用いることができる。下記式（２）で表される化合物によれば、半導体装置の耐リフロー性及び接続信頼性を一層向上させることができる。

式（２）中、Ｒ^１は電子供与性基を示し、Ｒ^２は水素原子又は電子供与性基を示し、ｎは０又は１以上の整数を示し、複数存在するＲ^２は互いに同一でも異なっていてもよい。

式（２）におけるｎは、１以上であることが好ましい。ｎが１以上であると、ｎが０である場合と比較して、接続時の高温によってもフラックス化合物が揮発し難く、ボイドの発生を一層抑制することができる。また、式（２）におけるｎは、１５以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましく、６以下又は４以下であってもよい。ｎが１５以下であると、一層優れた接続信頼性が得られる。

また、フラックス化合物としては、下記式（３）で表される化合物がより好適である。下記式（３）で表される化合物によれば、半導体装置の耐リフロー性及び接続信頼性をより一層向上させることができる。

式（３）中、Ｒ^１は電子供与性基を示し、Ｒ^２は水素原子又は電子供与性基を示し、ｍは０又は１以上の整数を示す。

式（３）におけるｍは、１０以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましく、３以下であることがさらに好ましい。ｍが１０以下であると、一層優れた接続信頼性が得られる。

式（３）において、Ｒ^２は、水素原子であっても電子供与性基であってもよい。Ｒ^２が水素原子であると、融点が低くなる傾向があり、半導体装置の接続信頼性をより向上させることができる場合がある。また、Ｒ^１とＲ^２とが異なる電子供与性基であると、Ｒ^１とＲ^２とが同じ電子供与性基である場合と比較して、融点が低くなる傾向があり、半導体装置の接続信頼性をより向上させることができる場合がある。

式（３）で表される化合物のうち、Ｒ^２が水素原子である化合物としては、メチルコハク酸、２−メチルグルタル酸、２−メチルアジピン酸、２−メチルピメリン酸、２−メチルスベリン酸等が挙げられる。これらの化合物によれば、半導体装置の接続信頼性を一層向上させることができる。また、これらの化合物のうち、メチルコハク酸及び２−メチルグルタル酸が特に好ましい。

なお、式（３）において、Ｒ^１とＲ^２とが同じ電子供与性基であると、対称構造となり融点が高くなる傾向があるが、この場合でも耐リフロー性及び接続信頼性の向上効果は十分に得られる。特に融点が１５０℃以下と十分に低い場合には、Ｒ^１とＲ^２とが同じ基であっても、Ｒ^１とＲ^２とが異なる基である場合と同程度の接続信頼性が得られる。

フラックス化合物としては、例えば、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸及びドデカン二酸から選択されるジカルボン酸の２位に電子供与性基が置換した化合物を用いることができる。

フラックス化合物の融点は、１５０℃以下が好ましく、１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下がさらに好ましい。このようなフラックス化合物は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応が生じる前にフラックス活性が十分に発現しやすい。そのため、このようなフラックス化合物を含有する接着剤組成物によれば、接続信頼性に一層優れる半導体装置を実現できる。また、フラックス化合物の融点は、２５℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。また、フラックス化合物は、室温（２５℃）で固形であるものが好ましい。

フラックス化合物の融点は、一般的な融点測定装置を用いて測定できる。融点を測定する試料は、微粉末に粉砕され且つ微量を用いることで試料内の温度の偏差を少なくすることが求められる。試料の容器としては一方の端を閉じた毛細管が用いられることが多いが、測定装置によっては２枚の顕微鏡用カバーグラスに挟み込んで容器とするものもある。また急激に温度を上昇させると試料と温度計との間に温度勾配が発生して測定誤差を生じるため、融点を計測する時点での加温は毎分１℃以下の上昇率で測定することが望ましい。

前述のように微粉末として調整するので、表面での乱反射により融解前の試料は不透明である。試料の外見が透明化し始めた温度を融点の下限点とし、融解しきった温度を上限点とすることが通常である。測定装置は種々の形態のものが存在するが、最も古典的な装置は二重管式温度計に試料を詰めた毛細管を取り付けて温浴で加温する装置が使用される。二重管式温度計に毛細管を貼り付ける目的で温浴の液体として粘性の高い液体が用いられ、濃硫酸ないしはシリコンオイルが用いられることが多く、温度計先端の溜めの近傍に試料が来るように取り付ける。また、融点測定装置としては金属のヒートブロックを使って加温し、光の透過率を測定しながら加温を調整しつつ自動的に融点を決定するものを使用することもできる。

なお、本明細書中、融点が１５０℃以下とは、融点の上限点が１５０℃以下であることを意味し、融点が２５℃以上とは、融点の下限点が２５℃以上であることを意味する。

（ｃ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、０．５〜１０質量％であることが好ましく、０．５〜５質量％であることがより好ましい。

（ｄ）成分：重量平均分子量が１００００以上の高分子成分
本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、重量平均分子量が１００００以上の高分子成分（（ｄ）成分）を含有していてもよい。（ｄ）成分を含有する接着剤組成物は、耐熱性及びフィルム形成性に一層優れる。

（ｄ）成分としては、例えば、優れた耐熱性、フィルム形成性及び接続信頼性が得られる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びアクリルゴムが好ましい。これらの中でも耐熱性及びフィルム形成性に一層優れる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、アクリル樹脂、シアネートエステル樹脂及びポリカルボジイミド樹脂がより好ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム及びアクリル樹脂がさらに好ましく、フェノキシ樹脂が特に好ましい。これらの（ｄ）成分は単独で又は２種以上の混合物もしくは共重合体として使用することもできる。但し、（ｄ）成分には、（ａ）成分であるエポキシ樹脂が含まれない。

（ｄ）成分の重量平均分子量は、１００００以上であり、２００００以上であることが好ましく、３００００以上であることがより好ましい。このような（ｄ）成分によれば、接着剤組成物の耐熱性及びフィルム形成性を一層向上させることができる。

また、（ｄ）成分の重量平均分子量は、１００００００以下であることが好ましく、５０００００以下であることがより好ましい。このような（ｄ）成分によれば、高耐熱性という効果が得られる。

なお、上記重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）を用いて測定された、ポリスチレン換算の重量平均分子量を示す。ＧＰＣ法の測定条件の一例を以下に示す。
装置：ＨＣＬ−８３２０ＧＰＣ、ＵＶ−８３２０（製品名、東ソー社製）、又はＨＰＬＣ−８０２０（製品名、東ソー社製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ｓｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ−Ｍ×２、又は２ｐｉｅｃｅｓ ｏｆ ＧＭＨＸＬ ＋ １ｐｉｅｃｅ ｏｆ Ｇ−２０００ＸＬ
検出器：ＲＩ又はＵＶ検出器
カラム温度：２５〜４０℃
溶離液：高分子成分が溶解する溶媒を選択する。例えば、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）、トルエン。尚、極性を有する溶剤を選択する場合は、リン酸の濃度を０．０５〜０．１ｍｏｌ／Ｌ（通常は０．０６ｍｏｌ／Ｌ）、ＬｉＢｒの濃度を０．５〜１．０ｍｏｌ／Ｌ（通常は０．６３ｍｏｌ／Ｌ）と調整してもよい。
流速：０．３０〜１．５ｍＬ／分
標準物質：ポリスチレン

接着剤組成物が（ｄ）成分を含有するとき、（ｄ）成分の含有量Ｃ_ｄに対する（ａ）成分の含有量Ｃ_ａの比Ｃ_ａ／Ｃ_ｄ（質量比）は、０．０１〜５であることが好ましく、０．０５〜３であることがより好ましく、０．１〜２であることがさらに好ましい。比Ｃ_ａ／Ｃ_ｄを０．０１以上とすることで、より良好な硬化性及び接着力が得られ、比Ｃ_ａ／Ｃ_ｄを５以下とすることでより良好なフィルム形成性が得られる。

（ｅ）成分：フィラー
本実施形態の接着剤組成物は、必要に応じて、フィラー（（ｅ）成分）を含有していてもよい。（ｅ）成分によって、接着剤組成物の粘度、接着剤組成物の硬化物の物性等を制御することができる。具体的には、（ｅ）成分によれば、例えば、接続時のボイド発生の抑制、接着剤組成物の硬化物の吸湿率の低減、等を図ることができる。

（ｅ）成分としては、絶縁性無機フィラー、ウィスカー、樹脂フィラー等を用いることができる。また、（ｅ）成分としては、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

絶縁性無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ及び窒化ホウ素が挙げられる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン及び窒化ホウ素が好ましく、シリカ、アルミナ及び窒化ホウ素がより好ましい。

ウィスカーとしては、例えば、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム及び窒化ホウ素が挙げられる。

樹脂フィラーとしては、例えば、ポリウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるフィラーが挙げられる。

樹脂フィラーは、有機成分（エポキシ樹脂及び硬化剤等）と比較して熱膨張率が小さいため接続信頼性の向上効果に優れる。また、樹脂フィラーによれば、接着剤組成物の粘度調整を容易に行うことができる。また、樹脂フィラーは、無機フィラーと比較して応力を緩和する機能に優れるため、樹脂フィラーによればリフロ試験等での剥離を一層抑制することができる。

無機フィラーは、樹脂フィラーと比較して熱膨張率が小さいため、無機フィラーによれば、接着剤組成物の低熱膨張率化が実現できる。また、無機フィラーには汎用品で粒径制御されたものが多いため、粘度調整にも好ましい。

樹脂フィラー及び無機フィラーはそれぞれに有利な効果があるため、用途に応じていずれか一方を用いてもよく、双方の機能を発現するため双方を混合して用いてもよい。

（ｅ）成分の形状、粒径及び含有量は特に制限されない。また、（ｅ）成分は、表面処理によって物性を適宜調整されたものであってもよい。

（ｅ）成分の含有量は、接着剤組成物の全量（溶剤を除く）基準で、１０〜８０質量％であることが好ましく、１５〜６０質量％であることがより好ましい。

（ｅ）成分は、絶縁物で構成されていることが好ましい。（ｅ）成分が導電性物質（例えば、はんだ、金、銀、銅等）で構成されていると、絶縁信頼性（特にＨＡＳＴ耐性）が低下するおそれがある。

（その他の成分）
本実施形態の接着剤組成物には、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤を配合してもよい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの配合量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。

フィルム状接着剤（接着剤層）２は、上述した各成分を含有する接着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを支持基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。

支持基材１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルムが挙げられる。支持基材１の厚さは、１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚さが１０μｍ未満では塗工の際、支持基材１が破れやすくなる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。

上記ワニスを支持基材１上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。

加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０〜１５０℃程度が好ましい。

用いる溶剤は、特に限定されないが、接着剤層形成時の揮発性等を沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は接着剤層形成時に接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させる目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、２〜５０μｍであってもよく、５〜２０μｍが好ましく、実装後の樹脂のはみ出しを抑制する観点から、５〜１６μｍがさらに好ましい。

フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、半導体ウエハの接続前の電極の高さの０．６〜１．５倍であってもよく、０．７〜１．３倍であってもよく、０．８〜１．２倍であってもよい。フィルム状接着剤（接着剤層）２の厚さは、半導体ウエハの接続前の電極の高さ未満であってもよい。接着剤層２の厚さが電極の高さの０．６倍以上であると、接着剤の未充填によるボイドの発生を十分に抑制することができ、接続信頼性を一層向上させることができる。また、厚さが１．５倍以下であると、接続時にチップ接続領域から押し出される接着剤の量を十分に抑制することができるため、フィレットの発生を抑制できると共に、不要な部分への接着剤の付着を十分に防止することができる。

フィルム状接着剤（接着剤層）２は、８０℃における粘度が４０００〜１００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、５０００〜９０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。粘度が上記の範囲にあると、圧着時の樹脂溶融が容易になり、樹脂が十分に流動することができるため、電極及び溝の周りにボイドが発生しにくく、さらには良好な接続をとるための前段階として対向する電極間の接触をより確実に図ることができる。接着剤層２の粘度は、以下の手順で測定される。まず、複数のフィルム状接着剤を６０〜８０℃の温度で貼り合わせることにより、４００〜６００μｍ厚の測定用試料を作製する。この測定用試料について、ＡＲＥＳ（ＴＡ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製、製品名）を用いて、測定治具直径：８ｍｍ、測定周波数：１０Ｈｚ、測定温度範囲：２５℃〜２６０℃、昇温速度：１０℃／分の条件で粘度を測定し、所定の温度における粘度が求められる。

フィルム状接着剤（接着剤層）２の粘度の調整は、例えば、高分子量成分の選定、フィラーの選定、及びこれらの配合量の調整によって行うことができる。

次に、バックグラインドテープ５について説明する。

粘着剤層３は、室温で粘着力があり、被着体に対する必要な密着力を有することが好ましい。また、放射線等の高エネルギー線又は熱によって硬化する（粘着力が低下する）特性を備えることが好ましいが、放射線等の高エネルギー線又は熱を加えなくとも接着剤層から容易に剥離可能であることがより好ましい。また、粘着剤層３は、感圧型の粘着剤層であってもよい。粘着剤層３は例えば、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、ポリイミド樹脂を用いて形成することができる。

粘着剤層３が放射線等の高エネルギー線によって硬化する（粘着力が低下する）特性を備えるものである場合、粘着剤層３は、例えば、主成分をなすアクリル系共重合体と、架橋剤と、光重合開始剤とを含有することができる。以下、これらの成分について説明する。なお、本明細書における「主成分」とは、対象の層を構成する組成物１００質量部に対して含有量が５０質量部を超える成分を意味する。

上記アクリル系共重合体は、主鎖に対して、少なくとも放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基、水酸基をそれぞれ有する。

アクリル系共重合体としてのアクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂（以下、「（メタ）アクリル系樹脂」という。）は、側鎖に不飽和結合を含有し且つ樹脂自体が粘着性を有するものであることができる。このような樹脂は、ガラス転移温度が−４０℃以下、水酸基価が２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、連鎖重合可能な官能基が０．３〜１．５ｍｍｏｌ／ｇ含まれ、且つ酸価が実質検出されず、重量平均分子量が３０万以上である樹脂が挙げられる。

このような特徴を有する（メタ）アクリル系樹脂は、既知の方法で合成することで得ることができるが、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法などが用いられる。また重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモーダル重合などの他、ＡＴＲＰ又はＲＡＦＴといった手法も用いることができる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の配合の簡便さもあるため好ましい。

ここでは、溶液重合法を用いてラジカル重合により（メタ）アクリル系樹脂を得る方法を例に挙げ、詳細に説明する。

（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリル基を有するものであれば特に制限はないが、具体的に例示するのであれば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ−ビフェニル（メタ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレート、２−ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ−クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２−ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（ｏ−フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（１−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（２−ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２−テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−Ｎ−カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート；これらのカプロラクトン変性体；ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート；グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物が挙げられ、これらを適宜組み合わせて目的とする組成物を得ることができる。

更に必要に応じて、上述モノマーと共重合可能なスチレン、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−プロピルマレイミド、Ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２，２−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−ヒドロキシメチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシエチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−２−メチル−３−ヒドロキシ−２−プロピルマレイミド、Ｎ−２−メチル−２−ヒドロキシ−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−５−ヒドロキシ−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−５−ヒドロキシ−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−２−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−プロピルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−プロピルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−１−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−４−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−５−ヘキシルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−６−ヘキシルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−４−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−２−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−４−メチル、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−３−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−４−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−メチル−５−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−メチル−１−ペンチルマレイミド、Ｎ−３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ペンチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２−エチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−４−ヒドロキシ−３−エチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−２，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−３−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−２，２−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−２−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−１−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−２−ブチルマレイミド、Ｎ−１−ヒドロキシ−３，３−ジメチル−４−ブチルマレイミド等のアルキルマレイミド；Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド、Ｎ−２−メチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ−２−エチルシクロヘキシルマレイミド、Ｎ−２−クロロシクロヘキシルマレイミド等のシクロアルキルマレイミド；Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−２−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−２−エチルフェニルマレイミド、Ｎ−２−クロロフェニルマレイミド等のアリールマレイミドなどを、適宜用いることができる。

この中でも、Ｃ８〜Ｃ２３の脂肪族エステルである（メタ）アクリルエステルから選ばれる少なくとも１種を用いるのが好ましい。このようなモノマー成分を共重合して得られた（メタ）アクリル系樹脂はガラス転移温度が低いため、優れた粘着特性を示すだけでなく、疎水性相互作用が強いため紫外線又は電子線を照射した後においては、粘着剤層３と接着剤層２との界面における剥離性が優れるため好ましい。

またこのような（メタ）アクリル系樹脂を得るために必要な重合開始剤としては、３０℃以上の加熱によりラジカルを発生する化合物であれば特に制限はないが、例えばメチルエチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メチルシクロヘキサノンパーオキシド等のケトンパーオキシド；１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等のパーオキシケタール；ｐ−メンタンヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド；α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド等のジアルキルパーオキシド；オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシカーボネート等のパーオキシカーボネート；ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウリレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２’−ジメチルバレロニトリル）などが挙げられる。

また溶液重合の際に用いられる反応溶媒としては、（メタ）アクリル系樹脂を溶解し得るものであれば、特に制限はないが、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ−シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドなどが挙げられ、更にこれらの有機溶剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。更に超臨界二酸化炭素などを溶媒に用いて重合することもできる。

（メタ）アクリル系樹脂に、紫外線、電子線、又は可視光線の照射によって反応し得る官能基を化学的に結合させることによって、感光性を付与することができる。ここでいう、紫外線、電子線、又は可視光線の照射によって反応し得る官能基とは、具体的に例示するのであれば、（メタ）アクリル基、ビニル基、アリル基、グリシジル基、脂環式エポキシ基、オキセタン基などが挙げられる。

（メタ）アクリル系樹脂に感光性を付与する方法としては、特に制限はないが、例えば上記の（メタ）アクリル系樹脂を合成する際に、前もって付加反応し得る官能基、例えば水酸基、カルボキシル基、無水マレイル基、グリシジル基、アミノ基などを有するモノマーと共重合することで（メタ）アクリル系樹脂に付加反応可能な官能基を導入し、そこに少なくとも１つのエチレン性不飽和基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、カルボキシル基などから選ばれる少なくともの１つの官能基を有する化合物とを付加反応させて側鎖にエチレン性不飽和基を導入することで、（メタ）アクリル系樹脂に感光性を付与することができる。

このような化合物としては特に制限はなく、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α−ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２−プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α−エチル−６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基を有する化合物；（２−エチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２−メチル−２−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２−（２−エチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２−（２−メチル−２−オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３−（２−エチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−メチル−２−オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基を有する化合物；メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基を有する化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基を有する化合物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、コハク酸（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）、２−フタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−テトラヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、２−ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、３−ビニル安息香酸、４−ビニル安息香酸等のエチレン性不飽和基とカルボキシル基を有する化合物などが挙げられる。

これらの中でもコスト及び反応性の観点から、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、イソシアン酸エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、２−ヘキサヒドロフタロイルエチル（メタ）アクリレートなどを用いて、（メタ）アクリル系樹脂と反応させ、感光性を付与することが好ましい。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。また必要に応じて、付加反応を促進する触媒を添加したり、反応中の二重結合の開裂を避ける目的で重合禁止剤を添加することもできる。また更に好ましくは、ＯＨ基を含有する（メタ）アクリル系樹脂と２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネートから選ばれる少なくとも１種との反応物である。

上記架橋剤は、（メタ）アクリル系樹脂に導入された水酸基、グリシジル基及びアミノ基などから選ばれる少なくとも１種と、これらの官能基と反応し得る官能基を１分子中に２つ以上有する化合物であり、その構造には制限はない。このような架橋剤で形成される結合としては、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合及びウレア結合などが挙げられる。その中でも架橋剤に、芳香族基含有のイソシアネート基を有する場合、紫外線照射量が増加しても、粘着剤層３と接着剤層２との間の剥離力が高くなりにくいため好ましい。

粘着剤層３に含まれる架橋剤の量は、アクリル系共重合体１００質量部に対して１０〜１３質量部であることが好ましい。架橋剤の量が１０質量部未満であると、紫外線照射前における粘着剤層３の破断伸びが高くなり、ダイシング工程時の切削性が不十分となりやすい。これに加え、紫外線照射後における粘着剤層３と接着剤層２間の剥離力が十分に低下せず、ピックアップ工程時の突き上げ量を比較的大きく設定する必要が生じやすい。他方、架橋剤の量が１３質量部を超えると、紫外線照射前における粘着剤層３との粘着力が不十分となりやすい。

架橋剤としては、架橋剤１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有するものが好ましい。このような化合物を用いると、（メタ）アクリル系樹脂に導入された水酸基、グリシジル基、アミノ基などと容易に反応し、強固な架橋構造を形成し、ダイボンディング工程後の半導体チップへの粘着剤層３の付着を抑制することができる。

ここで、１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する架橋剤とは、具体的に例示すれば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどのイソシアネート化合物が挙げられる。

また更に上述のイソシアネート化合物と、１分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコール類を反応させることで得られるイソシアナート基含有オリゴマーを用いることもできる。そのようなオリゴマーを得る場合、１分子中に２つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、１，１０−デカンジオール、１，１１−ウンデカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオールなどが挙げられる。

これらの中でも、架橋剤が、１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、１分子中に３つ以上のＯＨ基を有する多価アルコールの反応物であることが更に望ましい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成することができる。

上記光重合開始剤は、紫外線、電子線及び可視光線から選択される１種以上の光の照射によって上記アクリル系共重合体の連鎖重合を生じさせ得る活性種を発生するものであれば特に制限はなく、例えば、光ラジカル重合開始剤であっても、光カチオン重合開始剤であってもよい。連鎖重合可能な活性種としては、上記アクリル系共重合体の官能基と反応することで重合反応が開始されるものであれば特に制限はない。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、１，２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン等のα−アミノケトン；１−［４−（フェニルチオ）フェニル］−１，２−オクタジオン−２−（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９’−アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。

また、上述した２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体において、２つのトリアリールイミダゾール部位のアリール基の置換基は、同一で対称な化合物を与えてもよく、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン化合物と３級アミンとを組み合わせてもよい。

光カチオン重合開始剤としては、例えばｐ−メトキシベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート等のアリールジアゾニウム塩、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアリールヨードニウム塩；トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフルオロヒドロキシアンチモネート等のトリアリールスルホニウム塩；トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレノニウムヘキサフルオロアンチモネート等のトリアリールセレノニウム塩；ジメチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジエチルフェナシルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキルフェナシルスルホニウム塩；４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のジアルキル−４−ヒドロキシ塩；α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート、α−スルホニロキシケトン、β−スルホニロキシケトン等のスルホン酸エステルなどが挙げられるが、これらのカチオン重合開始剤は、単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。更に、適切な増感剤と組み合わせて用いることもできる。

その中でも粘着剤層３に厳しい絶縁性及び絶縁信頼性が必要な場合は、光ラジカル開始剤を用いるのが好ましく、その中でも２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン等のベンゾインケタール；１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシケトン、ベンゾフェノン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９’−アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物：Ｎ−フェニルグリシン、クマリンなどは、保存安定性に優れるため好ましく、更に２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、ベンゾフェノンは一般の紫外線遮光型蛍光灯の元での取り扱いが可能であり、イエロールーム等の設備が必要でないため更に好ましい。

光重合開始剤の配合量は、目的とする粘着剤層３の厚さ及び用いる光源によって最適値は異なるが、アクリル系共重合体１００質量部に対して０．５〜１．５質量部であることが好ましい。光重合開始剤の量が０．５質量部以上であると紫外線照射後における接着剤層２との剥離力を十分に低下させることができる。光重合開始剤の量が１．５質量部以下であると、紫外線を照射した際に、粘着剤層３の分解が起こることを抑制することができる。

粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３倍以上である。ただし、粘着剤層３の厚さを増やしすぎると厚さばらつきが大きくなること、及び、原材料の費用が大きくなることから、粘着剤層３の厚さは接着剤層２の厚さの３〜５倍がより好ましい。

粘着剤層３の厚さは、２５〜２９５μｍであることが好ましく、５０〜１５０μｍであることがより好ましく、５０〜１００μｍであることが更に好ましい。この厚さが２５μｍ以上であると、接着剤層２のラミネート時のボイドの発生をより抑制し易くなり、特に電極の高さと接着剤層２の厚さとの差が大きくなった場合でも、ボイドの噛み込みを抑制し易い傾向がある。一方、この厚さが２９５μｍ以下であると、粘着剤層３の残溶剤量が多くなることを抑制でき、残溶剤の影響による粘着力のばらつきの発生を抑制できる傾向がある。

粘着剤層３は、上述した各成分を含有する粘着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを基材４上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。

基材４としては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のプラスチックフィルムが挙げられる。これらの中でも、ポリエステルフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましい。また、基材４は、上記の材料から選ばれる２種以上が混合されたもの、又は、上記のフィルムが複層化されたものでもよい。

上記ワニスを基材４上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ダイコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。

加熱により溶剤を除去するときの温度条件は７０〜１５０℃程度が好ましい。

用いる溶剤としては、接着剤層２を形成する際に用いる溶剤と同様のものが挙げられる。

基材４の厚さは、５〜５０μｍであることが好ましく、１２〜３８μｍであることがより好ましい。この厚さが５μｍ以上であると、基材４が粘着剤層３の乾燥プロセス中に熱収縮により変形することを抑制し易く、粘着剤層３の厚みばらつきが発生することを抑制し易い傾向があり、５０μｍ以下であると、バックグラインド後のウエハの反りをより十分に抑制し易い傾向がある。

バックグラインドテープ５の厚さは、７５〜３００μｍであり、７５〜１７５μｍであることが好ましく、８５〜１２５μｍであることがより好ましい。この厚さが７５μｍ以上であると、バンプ周辺部及びスクライブラインの埋め込み不足の発生を抑制し易い傾向があり、３００μｍ以下であると、粘着剤層３の染み出しの発生を抑制し易い共に、バックグラインドテープ剥離時に接着剤層２もウエハから剥離することを抑制し易い傾向がある。

バックグラインドテープ５の３５℃での弾性率は、半導体ウエハ上の凹凸への半導体ウエハ加工用接着フィルムの追従性を向上させ、ボイドの発生をより抑制する観点から、１．５ＧＰａ以下であることが好ましい。

次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の各工程について説明する。

図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための模式断面図である。本実施形態においては、上述した半導体ウエハ加工用接着フィルム１０を用いて半導体装置が製造される。図２の（ａ）は、半導体ウエハの一実施形態を示す模式断面図であり、図２の（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法における一工程を説明するための模式断面図である。

本実施形態で用いられる半導体ウエハは、半導体ウエハ２０の一方の主面上に、突起電極（ハンダバンプ）２６を備える。突起電極２６は、バンプ２２と、バンプ２２上に設けられたはんだボール２４とからなる。

半導体ウエハ２０としては、表面が酸化膜処理された６インチウエハ、８インチウエハ、１２インチウエハ等が挙げられる。バンプ２２としては、特に限定されないが、銅、銀、金などで構成されるものが挙げられる。はんだボール２４としては、鉛含有のはんだ又は鉛フリーはんだ等の従来公知のはんだ材料から構成されるものが挙げられる。

また、半導体ウエハ２０の突起電極２６が設けられている主面上には、ダイシング時の目印となるスクライブラインとしての溝２８が形成されている。溝２８は、深さ５〜１５μｍ程度の凹部からなる。

薄厚化する前の半導体ウエハ２０の厚さは、２５０〜８００μｍの範囲とすることができる。通常、切り出された半導体ウエハは、６〜１２インチのサイズでは６２５〜７７５μｍの厚さを有する。

バンプ２２の高さは、半導体小型化の観点から、５〜５０μｍが好ましい。はんだボール２４の高さは、半導体小型化の観点から、２〜３０μｍが好ましい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウエハ加工用接着フィルム１０から支持基材１を剥離して、上記の半導体ウエハ２０のハンダバンプが形成されている面（以下、「機能面」という。）上に、フィルム状接着剤（接着剤層）２、粘着剤層３、基材４をこの順に配置し、はんだボール２４の先端が接着剤層２を貫通するように半導体ウエハ２０と基材４とに圧力を加える（図２の（ｂ）を参照）。なお、はんだボールの先端が接着剤層を貫通することが最も望ましいが、数ミクロン程度の接着剤層がはんだボールの先端に残っていても、配線回路基板と半導体チップとがはんだボールを介して電気的に接続されるときの接続性に影響が無い程度であれば、なんら問題ない。本実施形態においては、半導体ウエハ２０の機能面上に、真空ラミネートにより、接着剤層２を貼り合わせることにより、バンプの頭出しが容易となる。

真空ラミネートには、ダイヤフラムを用いた方式、ロールを用いた方式、また、プレス式などが存在するが、埋込性の観点よりダイヤフラム方式が好ましい。

ラミネートの条件としては、ラミネート温度：５０℃〜１００℃、線圧：０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ、送り速度：０．２〜２．０ｍ／分が好ましい。

真空ラミネートのダイヤフラム方式を用いる場合の条件としては、ステージ温度：２０℃〜６０℃、ダイヤフラム温度：５０℃〜１００℃、脱気時間：１０〜１００ｓｅｃ、加圧時間：１０〜１００ｓｅｃ、加圧：０．１〜１．０ＭＰａが好ましい。ダイヤフラム方式の場合、ラミネート温度はダイヤフラム温度を指す。

ラミネートを、８０℃を超える高温で行うと、バックグラインド後のウエハ反りが大きくなってしまう傾向がある。一方、ラミネート温度が低すぎると、バンプ周辺を埋め込むことが難しくなる傾向がある。そのため、ラミネートは５０〜８０℃で行うことが好ましい。

次に、図３に示すように、半導体ウエハ２０のハンダバンプ（突起電極）が形成されている側とは反対側の面を研磨して半導体ウエハ２０を薄厚化する工程（バックグラインド工程）が行われる。

研磨は、バックグラインダーを用いて行うことができる。また、この工程では、半導体ウエハ２０を厚さ１０〜１５０μｍにまで薄厚化することが好ましい。薄厚化された半導体ウエハ２０の厚さが１０μｍ未満であると、半導体ウエハの破損が生じやすく、他方、１５０μｍを超えると、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。

その後、図４の（ａ）に示すように、薄厚化された半導体ウエハ２０の研磨面側をダイシングテープ６に貼り付け、ダイシング装置を用いて、半導体ウエハ２０及び接着剤層２を溝２８に沿って切断し、個片化された半導体チップ２０ａと切断された接着剤層２ａとからなる接着剤付き半導体チップを得る（図４の（ｂ））。基材４及び粘着剤層３からなるバックグラインドテープ５は、ダイシング前に接着剤層２から剥離される。

こうして得られる接着剤層付き半導体チップは、本開示に係る半導体ウエハ加工用接着フィルム１０を用いて作製されることにより、突起電極２６付近及び溝２８があった部分付近が接着剤によって十分埋め込まれ、ボイドの残存がなく、且つ、はんだボールの先端が接着剤から十分露出するものにすることができる。

ダイシング工程の終了後、ピックアップ装置を用いて接着剤付き半導体チップをピックアップし、これを配線回路基板上に熱圧着する。

本実施形態においては、接着剤層付き半導体チップと、電極を有する他の半導体チップ又は電極を有する半導体チップ搭載用支持部材とを、ハンダバンプ及び電極が対向する方向にハンダバンプが有するハンダの融点より低い温度で加圧する第１の熱圧着工程、及び、加熱によりハンダバンプが有するハンダを溶融させてハンダバンプと電極とを接合する第２の熱圧着工程の２段階の熱圧着を行う。

接着剤層がフラックス成分を更に含有する場合、上記第１の熱圧着工程の加圧をフラックス成分の融点又は軟化点より高い温度かつハンダバンプが有するハンダの融点より低い温度で行ってもよい。この場合、より強固な接続状態を得ることができる。

第１の熱圧着工程における熱圧着の条件としては、１００℃〜２００℃、圧力：０．１ＭＰａ〜１．５ＭＰａ、時間：１秒〜１５秒が好ましく、温度：１００℃〜１８０℃、圧力：０．１ＭＰａ〜１．０ＭＰａ、時間：１秒〜１０秒がより好ましい。また、第２の熱圧着工程における熱圧着の条件としては、温度：２３０℃〜３５０℃、圧力：０．１ＭＰａ〜１．５ＭＰａ、時間：１秒〜１５秒が好ましく、温度：２３０℃〜３００℃、圧力：０．１ＭＰａ〜１．０ＭＰａ、時間：１秒〜１５秒がより好ましい。

なお、上記の温度及び圧力の条件は、接着剤層にかかる温度及び圧力を指す。

このようにして、図５に示される、配線回路基板７の電極３６と半導体チップ２０ａのバンプ２２とがはんだボール２４を介して電気的に接続され、配線回路基板７と半導体チップ２０ａとの間が接着剤２ｂにより封止された構造を有する半導体装置１００が得られる。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、はんだボールの先端を接着剤層から十分に露出させて、より確実な接続を行う観点から、接着剤層２の厚さが、ハンダバンプ２６の高さ、本実施形態においてはバンプ２２及びはんだボール２４の合計高さＴよりも小さく、且つ、接着剤層２及び基材４の合計厚さが、上記合計高さよりも大きいことが好ましい。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップと、基板、他の半導体チップ、又は、他の半導体チップに相当する部分を含む半導体ウエハと、これらの間に配置されたフィルム状接着剤とを有し、半導体チップの電極（接続部）と基板又は他の半導体チップの電極（接続部）とが対向配置されている、積層体を、対向する一対の仮圧着用押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧し、それにより半導体チップに基板、他の半導体チップ又は半導体ウエハを仮圧着する工程（仮圧着工程）と、半導体チップの電極（接続部）と基板又は他の半導体チップの電極（接続部）とを金属接合によって電気的に接続する工程（本圧着工程）と、をこの順に備える方法であってもよい。

上記製造方法においては、仮圧着工程で用いられる上記一対の仮圧着用押圧部材のうち少なくとも一方が、積層体を加熱及び加圧する時に、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、及び基板又は他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点よりも低い温度に加熱される。

一方、本圧着工程において、積層体は、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。ここで、本圧着工程は、例えば以下の方法で行うことができる。

（第１の方法）
積層体を、仮圧着用押圧部材とは別に準備された、対向する一対の本圧着用押圧部材で挟むことによって加熱及び加圧し、それにより半導体チップの接続部と基板又は他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する。この場合、一対の本圧着用押圧部材のうち少なくとも一方が、積層体を加熱及び加圧する時に、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。

上記方法によれば、接続部の表面を形成している金属材料の融点よりも低い温度で仮圧着する工程と、接続部の表面を形成している金属材料の融点以上の温度で本圧着する工程とを別々の圧着用押圧部材を用いて行うことで、それぞれの圧着用押圧部材の加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。そのため、１つの圧着用押圧部材で圧着するよりも短時間で生産性よく半導体装置を製造することができる。その結果、短時間で多くの高信頼性な半導体装置を製造できる。本圧着工程において一括して接続することができる。一括接続をする場合、本圧着では仮圧着と比較して、より多くの複数個の半導体チップを圧着するため、面積の大きな圧着ヘッドを備える圧着用押圧部材を使用することができる。このように複数の半導体チップを一括で本圧着して接続を確保することができると、半導体装置の生産性が向上する。

（第２の方法）
ステージ上に配置された複数の積層体又は複数の半導体チップ、半導体ウエハ及び接着剤を有する積層体とそれらを覆うように配置された一括接続用シートとを、ステージと該ステージに対向する圧着ヘッドとで挟むことによって一括して複数の積層体を加熱及び加圧し、それにより半導体チップの接続部と基板又は他の半導体チップの接続部とを金属接合によって電気的に接続する。この場合、ステージ及び圧着ヘッドのうち少なくとも一方が、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱される。

上記方法によれば、複数の半導体チップと複数の基板、複数の他の半導体チップ又は半導体ウエハとを一括で本圧着する場合において、接続不良の半導体装置の割合を減らすことができる。

一括接続用シートの原料は特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、及びアクリルゴムが挙げられる。一括接続用シートは、耐熱性及びフィルム形成性に優れるという観点から、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂、及びポリカルボジイミド樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むシートであってもよい。一括接続用シートの樹脂は、耐熱性及びフィルム形成性に特に優れるという観点から、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂及びアクリルゴムから選ばれる少なくとも１種の樹脂を含むシートであってもよい。これらの樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

（第３の方法）
積層体を、加熱炉内又はホットプレート上で、半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点、又は基板若しくは他の半導体チップの接続部の表面を形成している金属材料の融点のうち少なくともいずれか一方の融点以上の温度に加熱する。

上記方法の場合も、仮圧着工程と、本圧着工程とを別々に行うことで、仮圧着用押圧部材の加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。そのため、１つの圧着用押圧部材で圧着するよりも短時間で生産性よく半導体装置を製造することができる。その結果、短時間で多くの高信頼性な半導体装置を製造できる。また、上記方法では、複数の積層体を加熱炉内又はホットプレート上で一括して加熱してもよい。これにより、更に高い生産性で半導体装置を製造することができる。

以上、本開示の好適な実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。

以下、実施例を挙げて本開示についてさらに具体的に説明する。ただし、本開示はこれら実施例に限定されるものではない。

＜基材付きフィルム状接着剤の作製＞
エポキシ樹脂としてトリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＥＰ１０３２Ｈ６０」）２．４ｇ、ビスフェノールＦ型液状エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＹＬ９８３Ｕ」）０．４５ｇ、及び、柔軟性エポキシ（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「ＹＬ７１７５」）０．１５ｇと、硬化剤として２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加体（四国化成株式会社製、商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」）０．１ｇと、フラックス剤として２−メチルグルタル酸０．１ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）と、無機フィラーとしてシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０」、平均粒径０．５μｍ）０．３８ｇ、エポキシシラン処理シリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＳＥ２０５０−ＳＥＪ」、平均粒径０．５μｍ）０．３８ｇ、及び、アクリル表面処理ナノシリカフィラー（株式会社アドマテックス製、商品名「ＹＡ０５０Ｃ−ＳＭ」、平均粒径約５０ｎｍ）１．１４ｇと、有機フィラー（ロームアンドハースジャパン株式会社製、商品名「ＥＸＬ−２６５５」、コアシェルタイプ有機微粒子）０．２５ｇと、メチルエチルケトン（固形分量が６３質量％になる量）とを仕込み、直径０．８ｍｍのジルコニアビーズ及び直径２．０ｍｍのジルコニアビーズを固形分と同質量加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ−７）で３０分撹拌した。その後、フェノキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品名「ＺＸ１３５６−２」、Ｔｇ：約７１℃、Ｍｗ：約６３０００）１．７ｇを加え、再度ビーズミルで３０分撹拌した後、撹拌に用いたジルコニアビーズをろ過によって除去し、樹脂ワニスを得た。

得られた樹脂ワニスを、支持基材（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５３」）上に、小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工し、クリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（７０℃／１０ｍｉｎ）して、厚さ１６μｍの接着剤層（フィルム状接着剤）を形成した。これにより、支持基材及び接着剤層からなる基材付きフィルム状接着剤を得た。

＜バックグラインドテープ（ＵＶ硬化型）の作製＞
スリーワンモータ、撹拌翼及び窒素導入管が備え付けられた容量４０００ｍｌのオートクレーブに酢酸エチル１０００ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート６５０ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレート３５０ｇ、アゾビスイソブチロニトリル３．０ｇを配合し、均一になるまで撹拌した。その後、流量１００ｍｌ／ｍｉｎにて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて６０℃まで昇温し、昇温後４時間重合させた。その後１時間かけて９０℃まで昇温し、更に９０℃にて１時間保持後、室温に冷却した。

次に、上記オートクレーブに酢酸エチルを１０００ｇ加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを０．１ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．０５ｇ添加した後、２−メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工（株）製、商品名「カレンズＭＯＩ」）を１００ｇ加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。その後、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有するアクリル樹脂溶液を得た。得られた樹脂の水酸基価は１２１ｍｇＫＯＨ／ｇであった。また、東ソー株式会社製ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定をした結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は４２万であった。

上述の方法で得られた連鎖重合可能な二重結合を有するアクリル樹脂溶液を固形分として１００ｇ、架橋剤として多官能イソシアネート（日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」、固形分７５質量％）を固形分として１２．０ｇ、光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバスペシャリティケミカルズ（株）製、商品名「イルガキュア１８４」）を１．０ｇ、更に総固形分含有量が２７質量％となるように酢酸エチルを加え、１０分間均一に撹拌して粘着剤層用ワニスを得た。

厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート基材（ユニチカ株式会社製、商品名「エンブレッドＳ２５」）上に、上記粘着剤用ワニスを、アプリケータを用いて乾燥後の粘着剤層の厚さが５０μｍとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、８０℃で５分間乾燥した。これにより、基材上にＵＶ硬化型の粘着剤層が形成されたバックグラインドテープを得た。

＜バックグラインドテープ（感圧型）の作製＞
主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業株式会社製、商品名「コロネートＨＬ」）を１０質量部の割合で配合して、粘着剤用ワニスを調製した。

厚さ２５μｍ又は５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材（ユニチカ株式会社製、商品名「エンブレッドＳ２５」）上に、上記粘着剤用ワニスを、アプリケータを用いて乾燥後の粘着剤層の厚さが２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ又は６０μｍとなるよう、ギャップを調整しながら塗工し、８０℃で５分間乾燥した。これにより、基材上に感圧型の粘着剤層が形成されたバックグラインドテープを得た。

＜半導体ウエハ加工用接着フィルムの作製＞
（実施例１）
ＵＶ硬化型のバックグラインドテープを、ロールラミネータ（ラミネート温度：３０±１０℃）を用いて基材付きフィルム状接着剤とラミネートし、ＰＥＴ基材／粘着剤層／接着剤層／支持基材の積層構造を有する半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。

（実施例２及び比較例１〜３）
表１に示した厚さのＰＥＴ基材及び粘着剤層を有する感圧型のバックグラインドテープを、ロールラミネータ（ラミネート温度：５５±１０℃）を用いて基材付きフィルム状接着剤とラミネートし、ＰＥＴ基材／粘着剤層／接着剤層／支持基材の積層構造を有する半導体ウエハ加工用接着フィルムを得た。

＜弾性率の測定＞
各実施例及び比較例で用いたバックグラインドテープを、所定のサイズ（縦４０ｍｍ×横４．０ｍｍ、厚さは各バックグラインドテープの厚さ）に切り出して、試験サンプルを得た。上記試験サンプルについて、動的粘弾性測定装置を用いて、３５℃での弾性率（貯蔵弾性率）を測定した。弾性率の測定方法の詳細は以下のとおりである。測定結果を表１に示す。なお、比較例３については弾性率の測定を行わなかったが、比較例１〜２よりもＰＥＴ基材が厚く、粘着剤層が薄くなっていることから、比較例１〜２の弾性率よりも高い値になるものと考えられる。
装置名：動的粘弾性測定装置（ユー・ビー・エム株式会社製、Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００）
測定温度領域：３０〜２７０℃
昇温速度：５℃／ｍｉｎ
周波数：１０Ｈｚ
歪み：０．０５％
測定モード：引張モード

＜ラミネート性の評価＞
半導体ウエハ加工用接着フィルムのラミネート時の埋め込み性評価用のウエハとして、縦横１０ｍｍピッチで深さ１０μｍの溝を複数形成した１２インチシリコンウエハを用意した。

各実施例及び比較例で得られた半導体ウエハ加工用接着フィルムを、真空ラミネータＶ１３０（ニチゴーモートン社製）を用いて、支持基材を剥離して露出した接着剤層側から上記の１２インチシリコンウエハにラミネートし、溝にボイドが残るかを確認した。ラミネート条件はラミネート温度を８０℃、ラミネート圧力０．５ＭＰａ、ラミネート時間６０秒とした。ラミネート後に溝部分を観察した結果、ボイドの残存が無くラミネートできている場合を「Ａ」、ボイドが残存している場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。

表１に示した結果から明らかなように、実施例１及び２の半導体ウエハ加工用接着フィルムをウエハにラミネートした場合、ウエハに溝があってもボイドの発生を抑制できることが確認された。また、この方法では、接着剤層の組成及びラミネート条件を変えることなくボイドの発生を抑制できるため、フィレット及びウエハ反りに対して悪影響を与えることがなく、実際に実施例１及び２においてそれらの問題は生じなかった。

本開示の半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムによれば、フィレット抑制を目的にフィルム状接着剤が薄膜化した場合でも、ウエハラミネート時のボイドの発生を抑制することができる。そのため、本開示の半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ加工用接着フィルムによれば、ボイドの発生が抑制された半導体装置を製造することができる。

１…支持基材、２…フィルム状接着剤（接着剤層）、３…粘着剤層、４…基材、５…バックグラインドテープ、６…ダイシングテープ、７…配線回路基板、１０…半導体ウエハ加工用接着フィルム、２０…半導体ウエハ、２０ａ…半導体チップ、２２…バンプ、２４…はんだボール、２６…ハンダバンプ（突起電極）、２８…溝、３６…電極、１００…半導体装置。

Claims (9)

1. 主面の一方に複数の電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの前記電極が設けられている側に、基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備える半導体ウエハ加工用接着フィルムを前記接着剤層側から貼り付け、積層体を得る工程と、
   前記半導体ウエハの前記電極が設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄厚化する工程と、
   前記薄厚化した半導体ウエハ及び前記接着剤層をダイシングして接着剤層付き半導体チップに個片化する工程と、
   前記接着剤層付き半導体チップの電極を、他の半導体チップ又は配線回路基板の電極と電気的に接続する工程と、
   を有し、
   前記バックグラインドテープの厚さが７５〜３００μｍであり、
   前記粘着剤層の厚さが前記接着剤層の厚さの３倍以上である、
   半導体装置の製造方法。
2. 前記バックグラインドテープの３５℃での弾性率が１．５ＧＰａ以下である、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１又は２に記載の製造方法。
4. 前記粘着剤層と前記接着剤層との間の接着力が、前記接着剤層と前記半導体ウエハとの間の接着力よりも低い、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
5. 前記接着剤層の厚さが、前記半導体ウエハの前記電極の高さ未満である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 前記半導体ウエハが、前記電極を有する主面に溝を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法。
7. 基材及び該基材上に形成された粘着剤層を含むバックグラインドテープと、前記粘着剤層上に形成された接着剤層と、を備え、
   前記バックグラインドテープの厚さが７５〜３００μｍであり、
   前記粘着剤層の厚さが前記接着剤層の厚さの３倍以上である、
   半導体ウエハ加工用接着フィルム。
8. 前記バックグラインドテープの３５℃での弾性率が１．５ＧＰａ以下である、請求項７に記載の半導体ウエハ加工用接着フィルム。
9. 前記基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項７又は８に記載の半導体ウエハ加工用接着フィルム。

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