WO2019240174A1 - モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法 - Google Patents

モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法 Download PDF

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eye transfer
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淳 谷口
浩幸 菅原
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学校法人東京理科大学
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Definitions

  • the present invention relates to a moth-eye transfer mold, a moth-eye transfer mold manufacturing method, and a moth-eye structure transfer method.
  • display devices used in televisions, smartphones, tablet terminals, and the like and optical elements such as camera lenses are provided with antireflection technology in order to reduce surface reflection and increase light transmission.
  • This method utilizes the principle of a so-called moth-eye structure, and the refractive index for light incident on the substrate is determined from the refractive index of the incident medium along the depth direction of the irregularities, to the refractive index of the substrate.
  • the reflection in the wavelength region that is desired to be prevented from being reflected is suppressed by continuously changing the wavelength.
  • the moth-eye structure has an advantage that it can exhibit an antireflection effect with a small incident angle dependency over a wide wavelength range, can be applied to many materials, and can form an uneven pattern directly on a substrate. As a result, a low-cost and high-performance antireflection film (or antireflection surface) can be provided.
  • a step of forming a porous alumina layer having a plurality of fine recesses by partially anodizing an aluminum alloy layer, and the porous layer after the step The step of expanding the plurality of fine recesses of the porous alumina layer by contacting the alumina layer with an etching solution, and the step of growing the plurality of fine recesses by further anodizing after the step
  • a method including a process (patent document 1).
  • the method for producing a transfer mold having a moth-eye structure described in Patent Document 1 is a multi-stage process in which an aluminum alloy layer is anodized to form a porous alumina layer and then an etching process is repeated. There was a problem of becoming longer.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a moth-eye transfer mold manufacturing method and a moth-eye transfer mold that are simpler and less expensive than the prior art. Another object of the present invention is to provide a moth-eye structure transfer method using a moth-eye transfer mold that is simpler and less expensive than the prior art.
  • the object includes a base material, a base layer formed on the base material, and a glassy carbon layer formed on the base layer.
  • the carbon layer has an inverted moth-eye structure on its surface, which is solved by the inverted moth-eye structure being randomly arranged conical holes.
  • the base material contains one or more substances selected from the group including resin, glass, metal, alloy, ceramics, silicon wafer, compound semiconductor, silicon carbide, and solar cell material.
  • the underlayer contains one or more substances selected from the group including metals, alloys, ceramics, and silicon.
  • the glassy carbon layer in which the inverted moth-eye structure constitutes the fine structure of glassy carbon has an average diameter of 10 nm to 400 nm, an average height of 30 nm to 1000 nm, and an average pitch of 10 nm to It is preferable to be in the range of 500 nm.
  • the shape of the moth-eye transfer mold includes one or more shapes selected from the group including a roll shape, a flat plate shape, and an irregular shape.
  • the subject is a moth-eye transfer mold manufacturing method, in which a base material preparing step of preparing a base material and forming a base layer on the base material Performing a base layer forming step, a glassy carbon layer forming step for forming a glassy carbon layer on the underlayer by a sputtering method, and an etching step for etching the glassy carbon layer with an oxygen ion beam or oxygen plasma. It is solved by. With the above configuration, the manufacturing process becomes simple and inexpensive, the material and shape of the base material can be freely selected, and the area of the inverted moth-eye structure can be increased.
  • the sputtering power is 0.5 kW or more and 5 kW or less and the film forming pressure is 1.0 Pa or less.
  • the high-frequency power output is 200 W to 1000 W
  • the bias power output is 0 W to 100 W
  • the processing time is 30 seconds to 500 seconds.
  • the moth-eye transfer mold preparing step for preparing the moth-eye transfer mold, the step of preparing the object to be processed, the surface of the moth-eye transfer mold and the object to be processed From the step of curing the photocurable resin by irradiating the photocurable resin with light in a state where the photocurable resin is applied between the surface fine structure and the surface microstructure formed by the cured photocurable resin And the step of peeling the moth-eye transfer mold.
  • the manufacturing process is simpler and less expensive than the prior art, and the material and shape of the substrate can be freely selected, and the moth-eye structure is inverted.
  • the area can be increased.
  • the transfer method of the moth-eye structure it is possible to transfer a surface fine structure (moth-eye structure) having an ultra-low reflection and a high antifouling effect to the object to be processed.
  • FIG. 2 is an electron micrograph showing a moth-eye structure transferred using a moth-eye transfer mold of the sample of Example 1.
  • FIG. 4 is an electron micrograph showing a moth-eye structure transferred using a moth-eye transfer mold of a sample of Example 2.
  • FIG. 4 is a graph showing the transmittance of a moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 1. It is a graph which shows the reflectance of the moth-eye structure transcribe
  • FIG. 1 It is an electron micrograph which shows the state of the surface after the etching process of the moth-eye transfer type
  • FIG. 7 It is an electron micrograph which shows the state of the surface after the etching process of the moth-eye transfer type
  • FIG. It is a graph which shows the moth-eye transfer type
  • the moth-eye transfer mold 1 of the present embodiment includes a base material 10, a base layer 20 formed on the base material 10, and a glassy carbon layer formed on the base layer 20.
  • the glassy carbon layer 30 has an inverted moth-eye structure RM on the surface 30a.
  • Base material 10 is resin, rubber, glass, metal, alloy, ceramics (metal oxide, metal nitride, metal oxynitride), silicon wafer (Si wafer), compound semiconductor used for compound semiconductor substrate, for power device
  • One or more substances selected from the group including solar cell materials such as silicon carbide (SiC) and silicon used for the substrate are contained.
  • a flexible material such as rubber
  • the moth-eye structure is transferred using the moth-eye transfer mold 1
  • the moth-eye transfer mold 1 can be brought into close contact with the shape.
  • the underlayer 20 contains one or more substances selected from the group including metals, alloys, ceramics (metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides), and silicon (Si).
  • the thickness of the underlayer 20 is preferably 10 nm or more and 500 nm or less.
  • a material including a resin (plastic or film) is employed as the base material 10
  • Cr, Ti, Ta 2 O 5 and combinations thereof is employed as the underlayer 20.
  • Table 1 below shows a combination of the material of the base material 10 and a preferable underlayer 20.
  • the glassy carbon layer 30 is a layer containing glassy carbon formed on the underlayer 20.
  • the glassy carbon is also referred to as glassy carbon or amorphous carbon, and has a homogeneous and dense structure with black appearance and glassy amorphous carbon.
  • Glassy carbon has excellent characteristics that the surface of the material is not pulverized and falls off, in addition to the performances such as conductive performance, chemical stability, heat resistance, and high purity, which are the same characteristics as other carbon materials.
  • the general characteristics of glassy carbon are as follows: density is 1.45 to 1.60 g / cm 3 , light weight, bending strength is 50 to 200 MPa, and strength is strong against acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid. is there.
  • the electrical conductivity has a specific electrical resistance of 4 to 20 m ⁇ cm, which is slightly higher than that of graphite, but has a characteristic that the gas permeability is as low as 10 ⁇ 9 to 10 ⁇ 12 cm 2 / s.
  • the film thickness of the glassy carbon layer 30 is preferably 300 nm or more and 5 ⁇ m or less.
  • the glassy carbon layer 30 has a moth-eye structure RM inverted on the surface 30a.
  • the inverted moth-eye structure refers to a surface structure of a moth-eye transfer type capable of forming a moth-eye structure.
  • the inverted moth-eye structure RM is formed by randomly arranging conical holes.
  • the fine structure of the glassy carbon constituting the inverted moth-eye structure RM has an average diameter (D) in the range of 10 nm to 400 nm, preferably 30 nm to 300 nm, particularly preferably 50 nm to 150 nm.
  • the height (H) is in the range of 30 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 700 nm, particularly preferably 100 nm to 500 nm, and the average pitch (P) is 10 nm to 500 nm, preferably 30 nm to 400 nm, particularly preferably 50 nm. Within the range of ⁇ 300 nm.
  • the shape of the moth-eye transfer mold 1 includes one or more shapes selected from the group including a roll shape, a flat plate shape, and an irregular shape.
  • the moth-eye transfer mold 1 of this embodiment is manufactured by the following method for manufacturing a moth-eye transfer mold.
  • the moth-eye transfer mold manufacturing method of the present embodiment includes a base material preparation step (step S1) for preparing the base material 10, and a base layer forming step for forming the base layer 20 on the base material 10. (Step S2), a glassy carbon layer forming step (step S3) for forming the glassy carbon layer 30 on the underlayer 20 by sputtering, and an etching step for etching the glassy carbon layer 30 with oxygen plasma (step S3). Step S4) is performed.
  • Base material preparation process In the base material preparation step (step S1), the base material 10 is prepared. At this time, a pretreatment for improving the film formability (stackability) of the underlayer 20 may be performed in advance, such as cleaning the surface 10a of the base material 10 or performing a charging treatment.
  • the underlayer 20 is formed on the base material 10.
  • the sputtering method, the ion plating method, the vacuum deposition method, the chemical vapor deposition method, and the like can be used, but the method is limited to these methods. It is not a thing.
  • the glassy carbon layer 30 is formed on the underlayer 20 by a sputtering method.
  • the output condition is preferably a DC power source.
  • a glassy carbon layer film forming step is performed by a sputtering method using a DC power source, a glassy carbon layer having a small grain boundary and a high film density is formed by setting sputtering power, film forming pressure, and the like to appropriate conditions. I can do it.
  • the sputtering power is 0.5 kW to 5 kW, preferably 1.0 kW to 3.0 kW, more preferably 1.0 kW to 2.0 kW
  • the deposition pressure is 1.0 Pa or less, preferably Is 8 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less, more preferably 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • the glassy carbon layer 30 is etched with an oxygen ion beam or oxygen plasma.
  • an oxygen ion beam or oxygen plasma In order to increase ionization efficiency and plasma density, a gas that is easily ionized, such as argon, may be mixed.
  • the gas type is not limited to argon.
  • the etching step can be performed using an ECR (electron cyclotron resonance) or ICP (inductively coupled plasma) type ion beam processing apparatus (plasma etching apparatus).
  • ECR electron cyclotron resonance
  • ICP inductively coupled plasma
  • a sample on which a glassy carbon layer is formed in the glassy carbon layer forming step is set in a holder of an ion beam processing apparatus or a plasma etching apparatus.
  • the shape of the sample to be used may be not only a plate shape, but also a surface on which ion beam processing is performed may be a curved surface.
  • a reactive gas is introduced and a predetermined acceleration voltage is applied to the surface 30a of the glassy carbon layer 30 to perform ion beam processing.
  • a reaction gas a gas containing oxygen is used, and only oxygen may be used, or a gas in which a CF-based gas such as CF 4 is mixed with oxygen may be used.
  • a rare gas such as argon may be mixed in order to change the ion current density or the plasma density.
  • an acceleration voltage is applied to the ions by adjusting the high-frequency power output and the bias power output.
  • the high-frequency power output is 200 W to 1000 W, preferably 300 W to 700 W, more preferably 400 W to 600 W
  • the bias power output is 0 W to 100 W, preferably 30 W to 70 W, and more preferably 40 W to 60 W.
  • the gas flow rate is 10 SCCM or more and 100 SCCM or less, preferably 20 SCCM or more and 80 SCCM or less, more preferably 25 SCCM or more and 70 SCCM or less, and particularly preferably 30 SCCM or more and 60 SCCM or less (SCCM: 1 atm). , Gas flow rate converted to 25 ° C., cc / min).
  • the machining time is 30 seconds to 500 seconds, preferably 50 seconds to 400 seconds, more preferably 60 seconds to 300 seconds, and particularly preferably 80 seconds to 190 seconds.
  • the ion current density and the plasma density are stable in terms of time because the height of the moth-eye shape can be easily controlled and processed uniformly.
  • the moth-eye transfer mold 1 for transferring the antireflection structure capable of easily surface-treating the glassy carbon layer 30 and exhibiting a high antireflection effect is manufactured. be able to.
  • the moth-eye structure RM (the surface 30a of the glassy carbon layer 30) of the moth-eye transfer mold 1 thus obtained can be subjected to a mold release treatment.
  • the moth-eye structure can be transferred to the surface of the object to be processed as shown in FIG.
  • the moth-eye transfer method of the present embodiment includes a moth-eye transfer mold preparation step (step S11) for preparing a moth-eye transfer mold, a step of preparing an object to be processed (step S12), and the moth-eye transfer mold. And curing the photo-curing resin by irradiating the photo-curing resin with light in a state where the photo-curing resin is applied between the surface of the workpiece and the surface of the object to be processed (step S13). And a step (step S14) of peeling the moth-eye transfer mold from the surface microstructure formed of the photo-curing resin.
  • the moth-eye transfer mold preparation step (step S11), the moth-eye transfer mold 1 shown in FIG. 1, specifically, the base material 10, the base layer 20 formed on the base material 10, and the base layer 20 The glassy carbon layer 30 formed thereon is prepared, and the glassy carbon layer 30 prepares the moth-eye transfer mold 1 having the inverted moth-eye structure RM on the surface 30a.
  • the inverted moth-eye structure RM is formed by randomly arranging conical holes.
  • the fine structure of the glassy carbon constituting the inverted moth-eye structure RM has an average diameter (D) in the range of 10 nm to 400 nm, preferably 30 nm to 300 nm, particularly preferably 50 nm to 150 nm, and an average height ( H) is in the range of 30 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 700 nm, particularly preferably 100 nm to 500 nm, and the average pitch (P) is 10 nm to 500 nm, preferably 30 nm to 400 nm, particularly preferably 50 nm to 300 nm. Within range.
  • a workpiece 100 (article 100) to be processed is prepared.
  • a pretreatment is performed in advance to improve the film formability (laminate property) of the photocurable resin, such as cleaning the surface 100a of the object 100 or performing a charging process. Also good.
  • Step S13 the light curing resin is irradiated with light in a state where the photocurable resin is applied between the moth-eye transfer mold and the surface of the object to be processed. Cure the cured resin.
  • the inverted moth-eye structure RM that is the surface structure of the moth-eye transfer mold 1 is obtained by rotating the roll-shaped moth-eye transfer mold 1 about its axis. Can be continuously transferred to the workpiece 100.
  • a roll-shaped film is used as the workpiece, a roll-to-roll method can be adopted.
  • the flexible moth-eye transfer mold 1 when a flexible material is used as the base material 10 of the moth-eye transfer mold 1, the flexible moth-eye transfer mold 1 is in close contact with the workpiece 100 by combining decompression and pressurization. By irradiating the photocurable resin with light, the photocurable resin can be cured. By using the flexible moth-eye transfer mold 1, it is possible to transfer the moth-eye structure to the irregularly shaped workpiece 100.
  • the photocurable resin is not particularly limited as long as it can be cured by light such as ultraviolet rays, and acrylic resin, epoxy resin, urethane resin, and the like can be used.
  • step S14 the moth-eye transfer mold is peeled from the surface microstructure formed of the cured photo-curing resin.
  • an article 200 having a surface microstructure of the present embodiment includes an article 100 that is a workpiece, and a surface microstructure M formed on the article 100, and the surface microstructure
  • the structure M is formed by randomly arranging fine protrusions having a needle-like or conical shape whose diameter is reduced from the root toward the tip and the tip is sharpened.
  • an object 100 that is a target for forming a surface microstructure is an object that imparts functionality such as antifouling properties, antifogging properties, and low reflectivity.
  • the article is not particularly limited.
  • the object 100 to be processed include various display devices such as smartphones, tablet terminals, liquid crystal displays, organic EL displays, various computers, televisions, plasma display panels, touch panels and displays, outdoor monitoring cameras, and the like.
  • Various optical lenses such as scanning optical systems used for laser beam printers, projection optical systems used in projection devices such as liquid crystal projectors, observation optical systems such as eyeglasses, observation optical systems such as binoculars, liquid crystal projectors, etc. Examples include optical members such as instrument covers, solar cell
  • the workpiece 100 has a workpiece surface 100a.
  • the shape of the workpiece surface 100a is not limited to a flat surface (flat plate shape), and a curved shape such as a curved surface (for example, a roll shape)
  • the inner surface of the hollow member may be a complicated shape (an irregular shape) in which a flat surface or a curved surface is combined.
  • a process for processing at a high temperature is not required, and therefore, the method can be suitably applied to an object to be processed 100 containing a heat-sensitive material (material) such as a resin. is there.
  • the resin contained in the object to be processed may be either a thermoplastic resin or a thermosetting resin, for example, polyethylene (high density, medium density or low density), polypropylene (isotactic type or syndiotactic type).
  • Polyolefins such as polybutene, ethylene-propylene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-propylene-butene copolymer, cyclic polyolefin, modified polyolefin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyamide , Polyimide, polyamideimide, polycarbonate, poly- (4-methylbenten-1), ionomer, acrylic resin, polymethyl methacrylate, polybutyl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate-butyl (meth) acrylate copolymer, Chill (meth) acrylate-styrene copo
  • Examples of the glass contained in the object to be treated include silicate glass (quartz glass), alkali silicate glass, soda lime glass, potash lime glass, lead (alkali) glass, barium glass, and borosilicate glass.
  • Examples of the metal contained in the workpiece include gold, chromium, silver, copper, platinum, indium, palladium, iron, titanium, nickel, manganese, zinc, tin, tungsten, tantalum, and aluminum.
  • stainless steels such as SUS316L, shape memory alloys such as Ti—Ni alloys or Cu—Al—Mn alloys, Cu—Zn alloys, Ni—Al alloys, titanium alloys, tantalum alloys, platinum alloys, which are alloys of the above metals.
  • an alloy such as a tungsten alloy can be used.
  • An alloy is obtained by adding one or more metal elements or non-metal elements to the metal element.
  • the alloy structure includes eutectic alloys in which the component elements become separate crystals, solid solutions in which the component elements are completely dissolved, and those in which the component elements form an intermetallic compound or a compound of a metal and a nonmetal. Although there is, it is not necessarily limited to this.
  • Examples of the ceramic contained in the object to be processed include oxides (for example, aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon oxide, zirconia, barium titanate), nitrides (for example, silicon nitride, boron nitride), carbides ( Examples thereof include silicon carbide) and oxynitrides. A mixture of these can also be used.
  • oxides for example, aluminum oxide, zinc oxide, titanium oxide, silicon oxide, zirconia, barium titanate
  • nitrides for example, silicon nitride, boron nitride
  • carbides Examples thereof include silicon carbide
  • oxynitrides A mixture of these can also be used.
  • Examples of the metal oxide contained in the object to be processed include an oxide containing, for example, aluminum, copper, gold, silver, platinum, indium, palladium, iron, nickel, titanium, chromium, manganese, zinc, tin, tungsten, or the like as a metal. , Indium tin oxide (ITO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), tin oxide (SnO 2 , SnO), iron oxide (Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 ), composite oxides having a perovskite structure, a spinel structure, and an ilmenite structure, but are not necessarily limited thereto.
  • ITO Indium tin oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • TiO 2 titanium oxide
  • silicon oxide SiO 2
  • tin oxide SnO 2 , SnO
  • iron oxide Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4
  • composite oxides having a perovskite structure,
  • Examples of the metal nitride contained in the workpiece include titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), vanadium nitride (VN), niobium nitride (NbN), tantalum nitride (TaN), and chromium nitride (CrN, Cr 2 N ) And hafnium nitride (HfN), but are not necessarily limited thereto.
  • examples of materials included in the object to be processed include silicon wafers, compound semiconductors used for compound semiconductor substrates, silicon carbide (SiC) used for power device substrates, and solar cell materials such as silicon.
  • the material is not limited.
  • the surface microstructure M (moth eye structure M) is a microstructure laminated on the workpiece surface 100a of the workpiece 100 (article 100).
  • the surface fine structure M is formed by a moth-eye structure transfer method using the moth-eye transfer mold 1 according to this embodiment.
  • the surface microstructure M is composed of a cured photo-curing resin, and has a needle-like or cone-like shape with a reduced diameter from the root toward the tip and a sharp tip, arranged randomly. Is formed.
  • the protrusions constituting the surface microstructure M have an average diameter (D) in the range of 10 nm to 400 nm, preferably 30 nm to 300 nm, particularly preferably 50 nm to 150 nm, and the average height (H) is 30 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 700 nm, particularly preferably 100 nm to 500 nm, and the average pitch (P) is 10 nm to 500 nm, preferably 30 nm to 400 nm, particularly preferably 50 nm to 300 nm. .
  • the thickness of the surface microstructure M may be appropriately selected according to the shape and application of the object 100 to be processed, and is preferably several nm to several ⁇ m, more preferably several nm to 30 ⁇ m, more The thickness is preferably several nm to 10 ⁇ m, more preferably 10 nm to 5.0 ⁇ m, and still more preferably 10 nm to 1.0 ⁇ m. If the surface microstructure M is too thin, it is not preferable from the viewpoint of durability. On the other hand, if the surface microstructure M is too thick, depending on the use of the workpiece 100, it may not be preferable from the viewpoints of a decrease in transmittance, a decrease in flexibility, a reduction in weight, a cost, and the like.
  • the article 200 having the surface microstructure has a reduced surface reflectance due to the lamination of the surface microstructure M, and the reflectance at a wavelength of 300 nm to 1000 nm of the surface is 15% or less, preferably 10%. Below, more preferably 6% or less, still more preferably 4% or less, and particularly preferably 2% or less. Since the value of the reflectance of the surface is in the above range, reflection of the surface of the workpiece 100 can be suppressed.
  • Article 200 having a surface microstructure has improved surface water repellency by laminating surface microstructure M, and has a water contact angle of 120 ° or more, preferably 130 ° or more, more preferably Is 140 ° or more. Since the water contact angle on the surface of the surface microstructure M is in the above range, it has high water repellency with respect to water and can easily remove adhered dirt and foreign matters by washing with water. It is possible to prevent fogging.
  • the moth-eye transfer mold, the moth-eye transfer mold manufacturing method, the moth-eye structure transfer method, and the article provided with the surface microstructure according to the present invention have been mainly described.
  • said embodiment is only an example for making an understanding of this invention easy, and does not limit this invention.
  • the present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and the present invention includes the equivalents thereof.
  • an underlayer of Ti or Cr is provided, and for plastic substrates such as plastic film substrates, Ti, Cr, Ti / Ta 2 O 5 , Cr / It was found that when a base layer such as Ta 2 O 5 was provided, the glassy carbon layer was appropriately formed without peeling.
  • FIGS. 5 is an electron micrograph showing the surface state of the sample of Example 1 before and after the moth-eye transfer type etching process
  • FIG. 6 is the state of the surface of the sample of Example 2 before the moth-eye transfer type etching process. It is an electron micrograph which shows.
  • conical holes having a diameter of less than 100 nm, a pitch of 100 nm, and a depth of 200 nm or more are uniformly formed in a random arrangement on the surface after the moth-eye transfer type etching process. It had an inverted shape of an ideal moth-eye structure.
  • the fine structure of the glassy carbon was more uniform and finer than that of the sample of Example 1, so that the sputtering power in the glassy carbon layer deposition process was 2 kW or more. It has been found that the film forming pressure is preferably as low as 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less.
  • an ultraviolet curable resin (acrylic resin, manufactured by Origin Electric Co., Ltd., product name: UV coat TP) is applied to the surface of each moth-eye transfer mold, and the TAC film as the object to be treated is adhered to the ultraviolet light (metal halide lamp)
  • the TAC film provided with a moth-eye structure (surface microstructure) was obtained by peeling the moth-eye transfer mold from the surface microstructure formed of the cured photo-curing resin.
  • FIG. 7 is an electron micrograph showing a moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 1
  • FIG. 8 is a moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 2. It is an electron micrograph which shows. As shown in FIG. 7 and FIG. 8, fine protrusions having a needle-like or cone-like shape with a reduced diameter from the root toward the tip and a sharp tip are arranged at random on the surface of the TAC film. The moth-eye structure was well formed.
  • the fine protrusions corresponded to the inverted moth-eye structure formed on the surface of the moth-eye transfer mold, and had a diameter of less than 100 nm, a pitch of 100 nm, and a height of 200 nm or more.
  • FIGS. 9 is a graph showing the transmittance of the moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 1
  • FIG. 10 is a moth-eye transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 1. It is a graph which shows the reflectance of a structure.
  • FIG. 11 is a graph showing the transmittance of the moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 2.
  • FIG. 12 shows the moth-eye transferred using the moth-eye transfer mold of the sample of Example 2. It is a graph which shows the reflectance of a structure.
  • the Y value (luminous reflectance) was 0.2% or less.
  • the reflectance was 3% or less at 300 nm to 1000 nm.
  • the reflectance was 0.5% or less at 300 nm to 1000 nm.
  • the sputtering power and deposition pressure in the glassy carbon layer deposition process are different, and it is preferable that the sputtering power is 2 kW or more and the deposition pressure is 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less. It has been shown.
  • the contact angle on the surface of the transferred moth-eye structure was measured at 25 ° C. using a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Chemical Co., Ltd., model number CA-X).
  • the contact angle on the surface of the moth-eye structure of Example 1 was 155.8 °, and the contact angle on the surface of the moth-eye structure of Example 2 was 142.8 °.
  • haze value The haze (haze value) was measured at 25 ° C. using a haze meter (manufactured by Suga Test Co., Ltd., model number HGM-2DP). The haze value was 0.3% (Example 2).
  • ⁇ Test 5 Examination of plasma irradiation time (processing time) in etching process> Under the same conditions as in Example 2, a base material preparation step, an underlayer formation step, and a glassy carbon layer formation step were performed. Then, the etching process was performed by setting the processing time for dry-etching the glassy carbon layer with oxygen plasma to 80 to 170 seconds (Examples 3 to 7).
  • each sample was set in a holder of an ICP plasma processing apparatus (Elionix Corporation, trade name: EIS-700), and etching was performed under the following etching conditions.
  • Sample size ⁇ 6 inch wafer
  • High frequency power supply 500W Bias power supply: 50W Degree of vacuum: 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa
  • Example 6 160 seconds
  • Example 3 The surface state of the moth-eye transfer mold according to Example 3 to Example 7 was observed. Electron micrographs are shown in FIGS. Table 2 shows the results of measuring the average height, average diameter, and average pitch of the glassy carbon microstructure for Example 3, Example 5, and Example 7.
  • the inverted moth-eye structure was formed by randomly arranging conical holes on the surface of the moth-eye structure transferred.
  • the fine structure of the glassy carbon constituting the inverted moth-eye structure has an average diameter (D) in the range of 40 nm to 300 nm, an average height (H) in the range of 100 nm to 500 nm, and an average pitch ( P) was in the range of 50 nm to 300 nm.
  • the reflectance of the surface of the moth-eye transfer mold according to Example 3 to Example 7 was measured using a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, UV-3100PC) in the wavelength region of 300 nm to 1000 nm. Shown in As a reference example, a sample with a processing time of 200 seconds (Reference Example A) is also plotted.
  • the reflectance of the surface of the moth-eye transfer mold of Examples 3 to 7 was 5% or less at 300 nm to 1000 nm.
  • the reflectance greatly increased and was larger than 5%.
  • Example 3 the measurement of the contact angle on the surface of the moth-eye transfer mold according to Example 3 to Example 7 and Reference Example A was performed under the condition of 25 ° C. using a contact angle meter (model number CA-X, manufactured by Kyowa Interface Chemical Co., Ltd.).
  • Table 3 shows the measurement results.
  • Table 3 shows water contact angles before plasma processing, after plasma processing, and after mold release processing.
  • a fluorine-based mold release agent manufactured by Daikin Industries, product name: UD-509 was used as the mold release material.
  • the water contact angle on the surfaces of the moth-eye transfer molds of Examples 3 to 7 was as small as 3.5 ° to 4.9 ° after plasma processing. After the release treatment, a large value of 147.3 ° to 154.1 ° was shown.
  • the moth-eye structure was transferred in the same manner as in Test 3, and a TAC film having a moth-eye structure (surface microstructure) was obtained.
  • Example 3 Evaluation of the transferred moth-eye structure according to Example 3 to Example 7 was performed in the same manner as in Test 4. Specifically, the transferred moth-eye structure was subjected to surface state observation, contact angle evaluation, haze measurement (haze value) measurement, and spectroscopic measurement.
  • 19 to 23 show electron micrographs showing the moth-eye structure transferred using the moth-eye transfer mold of each sample.
  • Table 4 shows the results of measuring the average diameter and average pitch of the moth-eye structure for each sample of Examples 3 to 7.
  • the moth-eye structure was transferred to the surface of the TAC film by the cured photo-curing resin.
  • the moth-eye structure was formed by randomly arranging fine protrusions having a needle-like or cone-like shape with a diameter reduced from the root toward the tip and the tip sharpened.
  • the protrusions constituting the moth-eye structure had an average diameter (D) in the range of 30 nm to 100 nm and an average pitch (P) in the range of 60 nm to 200 nm.
  • the contact angle and haze value of each sample are shown in Table 5 below.
  • Table 5 as a reference example, a sample with a processing time of 200 seconds (Reference Example A) is shown together with the contact angle and haze value.
  • the plasma irradiation time (processing time) in the etching process is preferably 80 seconds or more and 170 seconds or less, and 150 seconds or more and 170 seconds or less. It turned out to be particularly preferred. When the plasma irradiation time (processing time) was 200 seconds or more, unevenness was observed on the surface of the TAC film.
  • the transmittance was 90% to 95% and the reflectance was within 6% within the wavelength range of 400 nm to 1000 nm.
  • the reflectance was as low as 2% or less within a range of 1000 nm or less.

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Abstract

製造工程が簡易で安価なモスアイ転写型及びモスアイ転写型の製造方法を提供する。　基材１０と、該基材１０の上に形成された下地層２０と、該下地層２０の上に形成されたグラッシーカーボン層３０と、を備え、該グラッシーカーボン層３０は、反転されたモスアイ構造ＲＭを表面３０ａに有し、前記反転されたモスアイ構造ＲＭは、ランダムに配列された錐状の穴であることを特徴とするモスアイ転写型１である。

Description

モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法
　本発明は、モスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法及びモスアイ構造の転写方法に関する。
　テレビ、スマートフォンやタブレット端末などに用いられる表示装置や、カメラレンズなどの光学素子には、通常、表面反射を低減して光の透過量を高めるために反射防止技術が施されている。
　反射防止技術として、凹凸の周期が可視光（λ＝３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）の波長以下に制御された微細な凹凸パターンを基板表面に形成する方法が注目されている。この方法は、いわゆるモスアイ（Ｍｏｔｈｅｙｅ、蛾の目）構造の原理を利用したものであり、基板に入射した光に対する屈折率を凹凸の深さ方向に沿って入射媒体の屈折率から基板の屈折率まで連続的に変化させることによって反射防止したい波長域の反射を抑えている。
　モスアイ構造は、広い波長域にわたって入射角依存性の小さい反射防止作用を発揮できるほか、多くの材料に適用でき、凹凸パターンを基板に直接形成できるなどの利点を有している。その結果、低コストで高性能の反射防止膜（または反射防止表面）を提供できる。
　モスアイ構造の転写型（転写版）の製造方法として、アルミニウム合金層を部分的に陽極酸化することによって、複数の微細な凹部を有するポーラスアルミナ層を形成する工程と、前記工程の後に、前記ポーラスアルミナ層を、エッチング液に接触させることによって、前記ポーラスアルミナ層の前記複数の微細な凹部を拡大させる工程と、前記工程の後に、さらに陽極酸化することによって、前記複数の微細な凹部を成長させる工程とを包含する方法がある（特許文献１）。
特許第５６１５９７１号公報
　特許文献１に記載のモスアイ構造の転写型の製造方法は、アルミニウム合金層を陽極酸化することによって、ポーラスアルミナ層を形成した後に、エッチング工程を行うことを繰り返す多段処理であり、製造のサイクルが長くなってしまうという課題があった。
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、従来技術よりも製造工程が簡易で安価なモスアイ転写型の製造方法及びモスアイ転写型を提供することにある。
　本発明の別の目的は、従来技術よりも製造工程が簡易で安価なモスアイ転写型を用いたモスアイ構造の転写方法を提供することにある。
　前記課題は、本発明のモスアイ転写型によれば、基材と、該基材の上に形成された下地層と、該下地層の上に形成されたグラッシーカーボン層と、を備え、該グラッシーカーボン層は、反転されたモスアイ構造を表面に有し、前記反転されたモスアイ構造は、ランダムに配列された錐状の穴であること、により解決される。
　上記構成により、基材の材料や形状を自由に選定でき、反転されたモスアイ構造の面積を大きくすることが可能となる。
　このとき、前記基材が、樹脂、ガラス、金属、合金、セラミクス、シリコンウエハ、化合物半導体、炭化ケイ素、太陽電池材料を含む群より選択される一種以上の物質を含有すると好適である。
　このとき、前記下地層が、金属、合金、セラミクス、ケイ素を含む群より選択される一種以上の物質を含有すると好適である。
　このとき、前記グラッシーカーボン層が、前記反転されたモスアイ構造を構成するグッラシーカーボンの微細構造は、平均直径が１０ｎｍ～４００ｎｍであり、平均高さが３０ｎｍ～１０００ｎｍであり、平均ピッチが１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であると好適である。
　このとき、前記モスアイ転写型の形状が、ロール状、平板状、異形形状を含む群より選択される一種以上の形状を含むと好適である。
　前記課題は、本発明のモスアイ転写型の製造方法によれば、モスアイ転写型の製造方法であって、基材を用意する基材用意工程と、前記基材の上に下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層の上にスパッタリング法によりグラッシーカーボン層を成膜するグラッシーカーボン層成膜工程と、前記グラッシーカーボン層を酸素イオンビーム又は酸素プラズマでエッチングするエッチング工程と、を行うことにより解決される。
　上記構成により、製造工程が簡易かつ安価なものとなり、基材の材料や形状を自由に選定でき、反転されたモスアイ構造の面積を大きくすることが可能となる。
　このとき、前記グラッシーカーボン層成膜工程において、スパッタ電力が０．５ｋＷ以上５ｋＷ以下であり、成膜圧力が１．０Ｐａ以下であると好適である。
　このとき、前記エッチング工程において、高周波電源出力が２００Ｗ以上１０００Ｗ以下であり、バイアス電源出力が０Ｗ以上１００Ｗ以下であり、加工時間が、３０秒以上５００秒以下であると好適である。
　前記課題は、本発明のモスアイ転写型の製造方法によれば、モスアイ転写型を用意するモスアイ転写型用意工程と、被処理物を用意する工程と、前記モスアイ転写型と前記被処理物の表面との間に光硬化樹脂を付与した状態で、前記光硬化樹脂に光を照射することによって前記光硬化樹脂を硬化させる工程と、前記硬化させられた光硬化樹脂で形成された表面微細構造から前記モスアイ転写型を剥離する工程と、を行うことにより解決される。
　上記構成により、被処理物に対して、超低反射で、且つ防汚効果も高い表面微細構造（モスアイ構造）を転写することが可能となる。また、被処理物に直接転写する場合には、モスアイ構造を形成したフィルムを貼り付ける場合に問題となるフィルム基材に起因する反射率を低減することが可能となる。
　本発明のモスアイ転写型の製造方法及びモスアイ転写型によれば、従来技術よりも製造工程が簡易で安価なものとなるとともに、基材の材料や形状を自由に選定でき、反転されたモスアイ構造の面積を大きくすることが可能となる。
　また、モスアイ構造の転写方法によれば、被処理物に対して、超低反射で、且つ防汚効果も高い表面微細構造（モスアイ構造）を転写することが可能となる。
本発明の一実施形態に係るモスアイ転写型を示す模式断面図である。 本発明の一実施形態に係るモスアイ転写型の製造方法を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係るモスアイ構造の転写方法を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係る表面微細構造を備える物品を示す模式断面図である。 実施例１の試料のモスアイ転写型のエッチング工程前後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例２の試料のモスアイ転写型のエッチング工程前における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の透過率を示すグラフである。 実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の反射率を示すグラフである。 実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の透過率を示すグラフである。 実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の反射率を示すグラフである。 実施例３の試料のモスアイ転写型のエッチング工程後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例４の試料のモスアイ転写型のエッチング工程後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例５の試料のモスアイ転写型のエッチング工程後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例６の試料のモスアイ転写型のエッチング工程後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例７の試料のモスアイ転写型のエッチング工程後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。 実施例３乃至７の試料のモスアイ転写型反射率を示すグラフである。 実施例３の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例４の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例５の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例６の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例７の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。 実施例３乃至７の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の分光測定の結果を示すグラフである（ＴＡＣフィルムの厚み＝１２０μｍ）。 実施例３乃至７の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の分光測定の結果を示すグラフである（ＴＡＣフィルムの厚み＝６０μｍ）。
　以下、本発明の一実施形態（以下、本実施形態という）に係るモスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法、モスアイ構造の転写方法及び表面微細構造を備える物品について図１乃至２５を参照して説明する。
＜モスアイ転写型１＞
　本実施形態のモスアイ転写型１は、図１に示すように、基材１０と、該基材１０の上に形成された下地層２０と、該下地層２０の上に形成されたグラッシーカーボン層３０と、を備え、該グラッシーカーボン層３０は、反転されたモスアイ構造ＲＭを表面３０ａに有している。
（基材１０）
　基材１０は、樹脂、ゴム、ガラス、金属、合金、セラミクス（金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物）、シリコンウエハ（Ｓｉウエハ）、化合物半導体基板に用いられる化合物半導体、パワーデバイス用基板に用いられる炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコンなどの太陽電池材料を含む群より選択される一種以上の物質を含有する。
　基材１０として、ゴムなど柔軟性を有するものを採用した場合、モスアイ転写型１を用いてモスアイ構造を転写する際に、湾曲形状や異形の物品（被処理物）に対しても、物品の形状に沿ってモスアイ転写型１を密着させることができるため好適である。
（下地層２０）
　下地層２０は、金属、合金、セラミクス（金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物）、ケイ素（Ｓｉ）を含む群より選択される一種以上の物質を含有する。
　下地層２０の膜厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
　基材１０として樹脂（プラスチックやフィルム）を含む材料を採用した場合、下地層２０として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ２Ｏ５及びこれらの組み合わせ等を用いることが好ましい。
　以下の表１に基材１０の材料と、好ましい下地層２０の組み合わせを示す。下地層を基材１０の表面に付加することで、グラッシーカーボン層３０の密着性が向上するとともに、グラッシーカーボン層３０における膜クラックの発生も抑制することが可能となる。
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（グラッシーカーボン層３０）
　グラッシーカーボン層３０は、下地層２０の上に形成されたグラッシーカーボンを含む層である。
　ここで、グラッシーカーボン（Ｇｌａｓｓｙ　ｃａｒｂｏｎ）とは、ガラス状炭素やアモルファス状炭素とも呼ばれ、外観が黒色、かつ、ガラス状で非晶質の炭素であり、均質かつ緻密な構造を有する。グラッシーカーボンは、他の炭素材料と同様の特徴である導電性能、化学的安定性、耐熱性、高純度等の性能に加え、材料表面が粉化し脱落することがないという優れた特徴を有する。ガラス状炭素の一般的な特性としては、密度が１．４５～１．６０ｇ／ｃｍ３と軽量であり、曲げ強度が５０～２００ＭＰａと高強度であり、硫酸や塩酸などの酸に強く耐食性がある。導電性は比電気抵抗が４～２０ｍΩｃｍであり黒鉛と比べるとやや高い値を示すが、ガス透過性が１０－９～１０－１２ｃｍ２／ｓと非常に小さいなどの特徴がある。
　グラッシーカーボン層３０の膜厚は、３００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
　グラッシーカーボン層３０は、その表面３０ａに反転されたモスアイ構造ＲＭを有している。
　ここで、反転されたモスアイ構造とは、モスアイ構造を形成することができるモスアイ転写型の表面の構造をいう。
　本実施形態に係るモスアイ転写型１における、反転されたモスアイ構造ＲＭは、ランダムに円錐状の穴が配列して形成されている。このとき、反転されたモスアイ構造ＲＭを構成するグッラシーカーボンの微細構造は、平均直径（Ｄ）が、１０ｎｍ～４００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～３００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内であり、平均高さ（Ｈ）が、３０ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ～７００ｎｍ、特に好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であり、平均ピッチ（Ｐ）が、１０ｎｍ～５００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～４００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内である。
　モスアイ転写型１の形状は、ロール状、平板状、異形形状を含む群より選択される一種以上の形状を含む。
＜モスアイ転写型の製造方法＞
　本実施形態のモスアイ転写型１は、図２に示すように、以下のモスアイ転写型の製造方法よって製造される。
　具体的には、本実施形態のモスアイ転写型の製造方法は、基材１０を用意する基材用意工程（ステップＳ１）と、前記基材１０の上に下地層２０を形成する下地層形成工程（ステップＳ２）と、前記下地層２０の上にスパッタリング法によりグラッシーカーボン層３０を成膜するグラッシーカーボン層成膜工程（ステップＳ３）と、前記グラッシーカーボン層３０を酸素プラズマでエッチングするエッチング工程（ステップＳ４）と、を行うことを特徴とする。
　以上のステップＳ１～Ｓ４で、モスアイ転写型１を得ることができる。
　以下、各ステップについて、詳細に説明をする。
（基材用意工程）
　基材用意工程（ステップＳ１）では、基材１０を用意する。このとき、事前に、基材１０の表面１０ａを洗浄したり、帯電処理をしたりするなど、下地層２０の成膜性（積層性）を向上させるような前処理を行ってもよい。
（下地層形成工程）
　下地層形成工程（ステップＳ２）では、前記基材１０の上に下地層２０を形成する。基材１０や下地層２０の材料などに応じて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、化学蒸着法などの方法を用いて行うことが可能であるが、これらの方法に限定されるものではない。
（グラッシーカーボン層成膜工程）
　グラッシーカーボン層成膜工程（ステップＳ３）では、前記下地層２０の上にスパッタリング法によりグラッシーカーボン層３０を成膜する。このとき、出力の条件がＤＣ電源であると好適である。
　ＤＣ電源を用いたスパッタリング法により、グラッシーカーボン層成膜工程を行う場合、スパッタ電力、成膜圧力などを適切な条件とすることで、粒界が小さく膜密度の高いグラッシーカーボン層を成膜することが出来る。
　具体的には、スパッタ電力を０．５ｋＷ以上５ｋＷ以下、好ましくは、１．０ｋＷ以上３．０ｋＷ以下、より好ましくは１．０ｋＷ以上２．０ｋＷ以下とし、成膜圧力を１．０Ｐａ以下、好ましくは８×１０－１Ｐａ以下、より好ましくは５×１０－１Ｐａとするとよい。
（エッチング工程）
　エッチング工程（ステップＳ４）では、前記グラッシーカーボン層３０を酸素イオンビーム又は酸素プラズマでエッチングする。また、イオン化効率やプラズマ密度を上げるために、アルゴン等電離しやすい気体を混合することもある。ガス種に関してはアルゴンに限定されるものではない。
　エッチング工程では、ＥＣＲ（電子サイクロトン共鳴）又はＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型のイオンビーム加工装置（プラズマエッチング装置）を用いて行うことが可能である。
　まず、グラッシーカーボン層成膜工程でグラッシーカーボン層を成膜した試料をイオンビーム加工装置やプラズマエッチング装置のホルダにセットする。ここで、用いる試料の形状は、板状はもちろん、イオンビーム加工を施す面が曲面となっているものでもよい。
　試料をイオンビーム加工装置やプラズマエッチング装置内に設置した後、反応ガスを導入するとともに所定の加速電圧をかけてグラッシーカーボン層３０の表面３０ａにイオンビーム加工を施す。
　反応ガスとしては酸素を含むガスを用い、酸素のみでもよいし、酸素にＣＦ４等のＣＦ系のガスを混ぜたガスも用いることができる。また、アルゴンなどの希ガスもイオン電流密度やプラズマ密度を変化させるために混合してもよい。
　このようなグラッシーカーボン層３０の表面３０ａにイオンビーム加工を施すことで、針状等、先端に向けて縮径する形状を有する微小な突起群（微細構造）を形成することができる。そして、特に、加速電圧、ガス流量、及び加工時間を制御することで、突起の形状（大きさ、幅、角度等）及びピッチを制御することができる。
　具体的には、高周波電源出力とバイアス電源出力を調整することにより、イオンに加速電圧を印加し、このとき、高周波電源出力を２００Ｗ以上１０００Ｗ以下、好ましくは、３００Ｗ以上７００Ｗ以下、より好ましくは、４００Ｗ以上６００Ｗ以下とし、バイアス電源出力を０Ｗ以上１００Ｗ以下、好ましくは、３０Ｗ以上７０Ｗ以下、より好ましくは、４０Ｗ以上６０Ｗ以下とするとよい。
　ガス流量としては、反応ガスとして酸素ガスを用いた場合、１０ＳＣＣＭ以上１００ＳＣＣＭ以下、好ましくは２０ＳＣＣＭ以上８０ＳＣＣＭ以下、より好ましくは２５ＳＣＣＭ以上７０ＳＣＣＭ以下、特に好ましくは３０ＳＣＣＭ以上６０ＳＣＣＭ以下とするとよい（ＳＣＣＭ：１気圧、２５℃に換算したガス流量、ｃｃ／ｍｉｎ）。
　加工時間としては、３０秒以上５００秒以下、好ましくは５０秒以上４００秒以下、より好ましくは６０秒以上３００秒以下、特に好ましくは８０秒以上１９０秒以下とするとよい。
　このとき、イオン電流密度やプラズマ密度が時間的に安定した条件にすると、モスアイ形状の高さが制御しやすくなり、また、均一に加工できるので好適である。
　また、ＥＣＲまたはＩＣＰ型のイオンビーム加工装置を用いれば、比較的大きい面であっても一括して加工することができる。そして、このような方法によれば、グラッシーカーボン層３０を容易に表面加工することができ、高い反射防止効果を発揮することができる反射防止構造体を転写するためのモスアイ転写型１を製造することができる。
　このようにして得られた、モスアイ転写型１のモスアイ構造ＲＭ（グラッシーカーボン層３０の表面３０ａ）に離型処理を施すことも可能である。
＜モスアイ構造の転写方法＞
　本実施形態のモスアイ転写型１を利用して、図３に示すように、被処理物の表面にモスアイ構造を転写することができる。
　具体的には、本実施形態のモスアイ構造の転写方法は、モスアイ転写型を用意するモスアイ転写型用意工程（ステップＳ１１）と、被処理物を用意する工程（ステップＳ１２）と、前記モスアイ転写型と前記被処理物の表面との間に光硬化樹脂を付与した状態で、前記光硬化樹脂に光を照射することによって前記光硬化樹脂を硬化させる工程（ステップＳ１３）と、前記硬化させられた光硬化樹脂で形成された表面微細構造から前記モスアイ転写型を剥離する工程（ステップＳ１４）と、を行うことを特徴とする。
　以上のステップＳ１１～Ｓ１４で、被処理物の表面にモスアイ構造を転写することができる。
　以下、各ステップについて、詳細に説明をする。
（モスアイ転写型用意工程）
　モスアイ転写型用意工程（ステップＳ１１）では、図１に示すモスアイ転写型１、具体的には、基材１０と、該基材１０の上に形成された下地層２０と、該下地層２０の上に形成されたグラッシーカーボン層３０と、を備え、該グラッシーカーボン層３０は、反転されたモスアイ構造ＲＭを表面３０ａに有するモスアイ転写型１を用意する。ここで、反転されたモスアイ構造ＲＭは、ランダムに円錐状の穴が配列して形成されている。反転されたモスアイ構造ＲＭを構成するグッラシーカーボンの微細構造は、平均直径（Ｄ）が、１０ｎｍ～４００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～３００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内であり、平均高さ（Ｈ）が、３０ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ～７００ｎｍ、特に好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であり、平均ピッチ（Ｐ）が、１０ｎｍ～５００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～４００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内である。
（被処理物を用意する工程）
　被処理物を用意する工程（ステップＳ１２）では、処理の対象となる被処理物１００（物品１００）を用意する。このとき、事前に、被処理物１００の被処理物表面１００ａを洗浄したり、帯電処理をしたりするなど、光硬化樹脂の成膜性（積層性）を向上させるような前処理を行ってもよい。
（光硬化樹脂を硬化させる工程）
　光硬化樹脂を硬化させる工程（ステップＳ１３）では、前記モスアイ転写型と前記被処理物の表面との間に光硬化樹脂を付与した状態で、前記光硬化樹脂に光を照射することによって前記光硬化樹脂を硬化させる。
　このとき、モスアイ転写型１の形状がロール状である場合、ロール状のモスアイ転写型１を、その軸を中心に回転させることによって、モスアイ転写型１の表面構造である反転されたモスアイ構造ＲＭを被処理物１００に連続的に転写できる。被加工物として、ロール状のフィルムを用いる場合には、ロール・ツー・ロール方式を採用することが可能となる。
　また、モスアイ転写型１の基材１０として、柔軟性を有する材料を採用した場合、減圧・加圧を組み合わせることで柔軟なモスアイ転写型１を、被処理物１００に対して密着させた状態で光硬化樹脂に光を照射することで、光硬化樹脂を硬化させることが可能となる。柔軟性を有するモスアイ転写型１を用いることで、異形の被処理物１００に対してもモスアイ構造を転写することが可能となる。
　光硬化樹脂としては、紫外線などの光で硬化可能なものであれば、特に限定されず、アクリル系樹脂や、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等を用いることが可能である。
（モスアイ転写型を剥離する工程）
　モスアイ転写型を剥離する工程（ステップＳ１４）では、前記硬化させられた光硬化樹脂で形成された表面微細構造から前記モスアイ転写型を剥離する。
＜表面微細構造を備える物品＞
　本実施形態の表面微細構造を備える物品２００は、図４に示すように、被加工物である物品１００と、該物品１００の上に形成された表面微細構造Ｍと、を備え、該表面微細構造Ｍが、その根元から先端に向けて縮径し、先端が先鋭化した針状又は錐状の形状を有する微細な突起がランダムに配列して形成されている。
（被処理物１００）
　本実施形態の表面微細構造の形成方法において、表面微細構造を形成する対象となる被処理物１００（物品１００）は、防汚性、防曇性、低反射性などの機能性を付与する対象の物品であり、特に限定されるものではない。
　処理対象となる被処理物１００の具体的な例としては、スマートフォン、タブレット端末、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、各種コンピュータ、テレビ、プラズマディスプレイパネル等の各種表示機器やそのタッチパネルやディスプレイ、屋外監視カメラ（防犯カメラ）や人感センサーなどのレンズや窓部材（保護ガラス）、自動車、電車、航空機等の乗物の窓ガラスやミラー、住宅などの建築物の窓ガラス、車載カメラのレンズや窓部材（保護ガラス）、反射防止シート（反射防止フィルム）、防汚シート（防汚フィルム）、防曇シート（防曇フィルム）、液晶表示装置に用いる偏光板、透明プラスチック類からなるメガネレンズ、サングラスレンズ、カメラ用ファインダーレンズ、プリズム、フライアイレンズ、トーリックレンズなどの光学部材、さらにはそれらを用いた撮影光学系、双眼鏡などの観察光学系、液晶プロジェクタなど投影装置に用いる投射光学系、レーザービームプリンターなどに用いる走査光学系等の各種光学レンズ、各種計器のカバーなどの光学部材、太陽電池パネル（太陽電池の保護カバーガラス）、デジタルサイネージ、ショーケースなどが挙げられるが、これらの物品に限定されるものではない。
　被処理物１００は、被処理物表面１００ａを有するが、その被処理物表面１００ａの形状は、平面（平板状）に限定されるものではなく、曲面など湾曲した形状（例えば、ロール状）や平面や曲面が組み合わされた複雑な形状（異形形状）、中空部材の内部表面であってもよい。
　本実施形態の表面微細構造の形成方法では、高温で処理を行うプロセスが不要であるため、樹脂など熱に弱い物質（材料）を含有する被処理物１００にも好適に適用することが可能である。
　被処理物に含まれる樹脂としては、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン（高密度、中密度又は低密度）、ポロプロピレン（アイソタクチック型又はシンジオタクチック型）、ポリブテン、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－プロピレン－ブテン共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ－（４－メチルベンテン－１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート－ブチル（メタ）アクリレート共重合体、メチル（メタ）アクリレート－スチレン共重合体、アクリル－スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン－スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、エチレン－テレフタレート－イソフタレート共重合体、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ナイロン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、セルロースアセテートプロピオネート等のセルロース系樹脂等、又はこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせたもの（例えば２層以上の積層体としたもの）であってもよい。
　被処理物に含まれるガラスとしては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
　被処理物に含まれる金属としては、例えば、金、クロム、銀、銅、白金、インジウム、パラジウム、鉄、チタン、ニッケル、マンガン、亜鉛、錫、タングステン、タンタル、アルミニウム等が挙げられる。
　また、上記金属の合金である、ＳＵＳ３１６Ｌ等のステンレス鋼、Ｔｉ－Ｎｉ合金若しくはＣｕ－Ａｌ－Ｍｎ合金等の形状記憶合金、Ｃｕ－Ｚｎ合金、Ｎｉ－Ａｌ合金、チタン合金、タンタル合金、プラチナ合金又はタングステン合金等の合金を用いることもできる。
　なお、合金とは、前記金属元素に１種以上の金属元素または非金属元素を加えたものである。合金の組織には、成分元素が別個の結晶となる共晶合金、成分元素が完全に溶け合っている固溶体、成分元素が金属間化合物または金属と非金属との化合物を形成しているものなどがあるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
　被処理物に含まれるセラミックとしては、例えば、酸化物（例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ケイ素、ジルコニア、チタン酸バリウム）、窒化物（例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素）、炭化物（例えば、炭化ケイ素）、酸窒化物等が挙げられる。また、これらの混合物を用いることもできる。
　被処理物に含まれる金属酸化物としては、例えば、アルミニウム、銅、金、銀、白金、インジウム、パラジウム、鉄、ニッケル、チタン、クロム、マンガン、亜鉛、錫、タングステンなどを金属として含有する酸化物、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２、ＳｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４）や、ぺロブスカイト構造、スピネル構造、イルメナイト構造を有する複合酸化物などがあるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
　被処理物に含まれる金属窒化物としては、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ、Ｃｒ２Ｎ）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）などがあるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
　その他、被処理物に含まれる材料としては、シリコンウエハ、化合物半導体基板に用いられる化合物半導体、パワーデバイス用基板に用いられる炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコンなどの太陽電池材料などがあるが、必ずしもこれら材料に限定されるものではない。
（表面微細構造Ｍ）
　表面微細構造Ｍ（モスアイ構造Ｍ）は、被処理物１００（物品１００）の被処理物表面１００ａの上に積層された微細構造である。表面微細構造Ｍは、本実施形態に係るモスアイ転写型１を利用したモスアイ構造の転写方法によって形成される。
　表面微細構造Ｍは、硬化した光硬化樹脂によって構成されており、その根元から先端に向けて縮径し、先端が先鋭化した針状又は錐状の形状を有する微細な突起がランダムに配列して形成されている。ここで、表面微細構造Ｍを構成する突起は、平均直径（Ｄ）が、１０ｎｍ～４００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～３００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内であり、平均高さ（Ｈ）が、３０ｎｍ～１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ～７００ｎｍ、特に好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であり、平均ピッチ（Ｐ）が、１０ｎｍ～５００ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ～４００ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内である。
　表面微細構造Ｍの厚さは、被処理物１００の形状や用途などに応じて、適宜選択すればよく、数ｎｍ以上数μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは数ｎｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは数ｎｍ以上１０μｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以上５．０μｍ以下、更に好ましくは１０ｎｍ以上１．０μｍ以下であるとよい。表面微細構造Ｍの厚さが薄くなりすぎると、耐久性の観点から好ましくない。一方、表面微細構造Ｍが厚すぎると、被処理物１００の用途によっては、透過率の低下、柔軟性の低下、軽量化、コスト面などの観点から好ましくないことがある。
　表面微細構造を備える物品２００は、表面微細構造Ｍを積層したことにより、表面の反射率が低下しており、その表面の波長３００ｎｍ～１０００ｎｍにおける反射率が１５％以下であり、好ましくは１０％以下、より好ましくは６％以下、更に好ましくは４％以下、特に好ましくは２％以下である。表面の反射率の値が上記の範囲であるため、被処理物１００の表面の反射を抑制することが可能である。
　表面微細構造を備える物品２００は、表面微細構造Ｍを積層したことにより、表面のはっ水性が向上しており、表面の水接触角が１２０°以上であり、好ましくは１３０°以上、より好ましくは１４０°以上である。表面微細構造Ｍの表面の水接触角が上記の範囲であるため、水に対して高いはっ水性を有し、付着した汚れや異物を水洗によって容易に除去することができ、また、水滴付着による曇りを防ぐことが可能である。
　本実施形態では、主として本発明に係るモスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法、モスアイ構造の転写方法及び表面微細構造を備える物品について説明した。
　ただし、上記の実施形態は、本発明の理解を容易にするための一例に過ぎず、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。
　以下、本発明のモスアイ転写型、モスアイ転写型の製造方法、モスアイ構造の転写方法及び表面微細構造を備える物品の具体的実施例について説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
＜試験１　モスアイ転写型の製造＞
　以下、基材として、ガラス基材を用い、下地層の種類や、グラッシーカーボン層の成膜条件、グラッシーカーボン層のエッチング条件の検討を行った。
（１．基材用意工程）
　基材として、ガラス基材（サイズ１００×１００ｍｍ、厚み０．７ｍｍ）を用意し、純水を用いて洗浄を行った。
（２．下地層形成工程）
　以下の条件で、ガラス基材上に下地層を形成した。
　スパッタ装置　：カルーセル型バッチ式スパッタ装置
　ターゲット　　：５”×２５”、厚さ６ｍｍ　Ｔｉターゲット
　スパッタ方式　：ＲＦスパッタ
　排気装置　　　：ターボ分子ポンプ
　到達真空度　　：５×１０－４Ｐａ
　基材温度　　　：２５℃（室温）
　スパッタ電力　：１ｋＷ
　下地層の膜厚：１００±１０ｎｍ
　Ａｒ流量　　　：５００ｓｃｃｍ
（３．グラッシーカーボン層成膜工程）
　以下の条件で、下地層上にグラッシーカーボン層を形成した。
　スパッタ装置　：カルーセル型バッチ式スパッタ装置
　ターゲット　　：５”×２５”、厚さ６ｍｍ　ＧＣ（グラッシーカーボン）ターゲット
　スパッタ方式　：ＤＣスパッタ
　排気装置　　　：ターボ分子ポンプ
　到達真空度　　：６×１０－４Ｐａ
　基材温度　　　：２５℃（室温）
　スパッタ電力　：実施例１　１ｋＷ
　　　　　　　　　実施例２　２ｋＷ
　成膜圧力　　　：実施例１　８×１０－１Ｐａ
　　　　　　　　　実施例２　５×１０－１Ｐａ
　グラッシーカーボン層の膜厚：１．７５±０．２５μｍ
　Ａｒ流量　　　：５００ｓｃｃｍ
（４．エッチング工程）
　エッチング工程では、グラッシーカーボン層を酸素プラズマでドライエッチング処理した。
　具体的には、各試料をＩＣＰプラズマ加工装置（株式会社エリオニクス、商品名：ＥＩＳ－７００）のホルダにセットした。プラズマの場合は、高周波電源出力とバイアス電源出力を調整することにより、酸素イオンに加速電圧が印加される。これら電源出力を調整して加工を行った。また、エッチング条件は以下の通りである。
　試料台サイズ：Φ６インチウエハー
　高周波電源：５００Ｗ
　バイアス電源：５０Ｗ
　真空度　：１．３×１０－２Ｐａ
　反応ガス：酸素
　ガス流量：５０ＳＣＣＭ
　加工時間：２８０秒間（２５０秒間＋３０秒間）
　試験１の結果、ガラス基材に対して、Ｔｉの下地層を設けた場合、グラッシーカーボン層が剥離することなく、適切に製膜されることがわかった。また、下地層としてＣｒを用いた場合も同様に、グラッシーカーボン層が剥離することなく、適切に製膜された。
　なお、金属製の基材に対しては、ＴｉやＣｒの下地層を設け、プラスチックフィルム基材などのプラスチック製の基材に対しては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔｉ／Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ／Ｔａ２Ｏ５など下地層を設けた場合、グラッシーカーボン層が剥離することなく、適切に製膜されることがわかった。
＜試験２　モスアイ転写型の評価＞
　試験１において製造した実施例１及び実施例２に係るモスアイ転写型の評価を行った。
　具体的には、各試料の表面状態の観察と反射率の測定を行った。
（１．表面状態の観察）
　各試料のエッチング工程前後における表面の状態を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ、（株）日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ－４３００）を用いて観察した。
　結果を図５及び６に示す。
　図５は、実施例１の試料のモスアイ転写型のエッチング工程前後における表面の状態を示す電子顕微鏡写真であり、図６は、実施例２の試料のモスアイ転写型のエッチング工程前における表面の状態を示す電子顕微鏡写真である。
　図５の下図及び図６の下図に示すように、モスアイ転写型のエッチング工程後における表面には、直径１００ｎｍ未満、ピッチ１００ｎｍで深さ２００ｎｍ以上の円錐状の穴がランダムな配置で均一に形成されており、理想的なモスアイ構造の反転形状を有していた。実施例２の試料の方が、実施例１の試料よりも、グッラシーカーボンの微細構造が均一で細かなものとなっていたことから、グラッシーカーボン層成膜工程におけるスパッタ電力が２ｋＷ以上と大きい方が好ましく、成膜圧力が５×１０－１Ｐａ以下と低いことが好ましいことがわかった。
＜試験３　モスアイ構造の転写＞
　試験１において製造した実施例１及び実施例２に係るモスアイ転写型を用いて、モスアイ構造の転写を行った。
　実施例１及び実施例２に係るモスアイ転写型に、フッ素系離形剤（ダイキンン工業社製、製品名：ＵＤ－５０９）を塗布して離型処理を行った。
　被処理物として、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）フィルム（ＴＡＣフィルム）を用いた。
　次に、紫外線硬化樹脂（アクリル系樹脂、オリジン電気社製、製品名：ＵＶコート　ＴＰ）を各モスアイ転写型の表面に塗布し、被処理物であるＴＡＣフィルムを密着させ、紫外光（メタルハライドランプ光源、波長２００ｎｍ～４５０ｎｍ、強度６００ｍＪ、照射時間４０秒）を照射して硬化処理を行った。
　そして、硬化させられた光硬化樹脂で形成された表面微細構造からモスアイ転写型を剥離することで、モスアイ構造（表面微細構造）を備えるＴＡＣフィルムを得た。
＜試験４　モスアイ構造の評価＞
　試験３において転写された実施例１及び実施例２に係るモスアイ構造の評価を行った。
　具体的には、転写されたモスアイ構造について、表面状態の観察、分光測定、接触角の評価、摺動試験、曇り度（ヘイズ値）の測定を行った。
（１．表面状態の観察）
　転写されたモスアイ構造の表面の状態を電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ、（株）日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ－４３００）を用いて観察した。
　結果を図７及び８に示す。
　図７は、実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真であり、図８は、実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真である。
　図７及び図８に示すように、ＴＡＣフィルムの表面には、その根元から先端に向けて縮径し、先端が先鋭化した針状又は錐状の形状を有する微細な突起がランダムに配列したモスアイ構造が良好に形成されていた。微細な突起は、モスアイ転写型の表面に形成された反転されたモスアイ構造に対応しており、直径１００ｎｍ未満、ピッチ１００ｎｍで高さ２００ｎｍ以上であった。
（２．分光測定）
　各試料の透過率及び反射率を、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製、Ｕ－４１００）を用い、３００ｎｍから１０００ｎｍの波長領域で測定した。
　分光測定の結果を図９乃至１２に示す。
　図９は、実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の透過率を示すグラフであり、図１０は、実施例１の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の反射率を示すグラフである。
　図１１は、実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の透過率を示すグラフであり、図１２は、実施例２の試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造の反射率を示すグラフである。
　分光測定の結果、Ｙ値（視感反射率）は０．２％以下であった。
　また、図１０に示すように、実施例１の試料では、３００ｎｍ～１０００ｎｍにおいて、反射率が３％以下であった。図１２に示すように、実施例２の試料では、３００ｎｍ～１０００ｎｍにおいて、反射率が０．５％以下であった。
　実施例１と実施例２では、グラッシーカーボン層成膜工程におけるスパッタ電力及び成膜圧力が異なっており、スパッタ電力が２ｋＷ以上、成膜圧力が５×１０－１Ｐａ以下であることが好ましいことが示された。
（３．接触角測定）
　転写されたモスアイ構造の表面における接触角の測定は、接触角計（協和界面化学社製、型番ＣＡ－Ｘ）を用いて２５℃の条件で測定した。
　実施例１のモスアイ構造の表面における接触角は１５５．８°であり、実施例２のモスアイ構造の表面における接触角は１４２．８°であった。
（４．摺動試験）
　摺動試験は、往復摩耗試験装置（新東科学社製、型番ＴＹＰＥ：３０／３０Ｓ）を用いて４．９Ｎ荷重の布を１００００回摺動させた。
　試験後の試料の接触角を、接触角計（協和界面化学社製、型番ＣＡ－Ｘ）を用いて２５℃の条件で測定した。
　摺動試験後の実施例１のモスアイ構造の表面における接触角は１４０°であり、高い接触角が維持されていた。
（５．曇り度（ヘイズ値）測定）
　曇り度（ヘイズ値）は、ヘイズメーター（スガ試験社製、型番ＨＧＭ－２ＤＰ）を用いて２５℃の条件で測定した。
　ヘイズ値は０．３％（実施例２）であった。
＜試験５　エッチング工程におけるプラズマ照射時間（加工時間）の検討＞
　実施例２と同じ条件で、基材用意工程、下地層形成工程、グラッシーカーボン層成膜工程を行った。そして、グラッシーカーボン層を酸素プラズマでドライエッチング処理する加工時間を、８０～１７０秒（実施例３～実施例７）として、エッチング工程を行った。
　具体的には、各試料をＩＣＰプラズマ加工装置（株式会社エリオニクス、商品名：ＥＩＳ－７００）のホルダにセットし、以下のエッチング条件でエッチングを行った。
　試料台サイズ：Φ６インチウエハー
　高周波電源：５００Ｗ
　バイアス電源：５０Ｗ
　真空度　：１．３×１０－２Ｐａ
　反応ガス：酸素
　ガス流量：５０ＳＣＣＭ
　加工時間：実施例３：８０秒間
　　　　　　実施例４：１００秒間
　　　　　　実施例５：１５０秒間
　　　　　　実施例６：１６０秒間
　　　　　　実施例７：１７０秒間
　実施例３乃至実施例７に係るモスアイ転写型の表面状態の観察を行った。電子顕微鏡写真を図１３乃至図１７に示す。実施例３、実施例５、実施例７について、グッラシーカーボン微細構造の、平均高さ、平均直径、平均ピッチを測定した結果を、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　上記の結果に示されるように、モスアイ構造が転写型の表面には、反転されたモスアイ構造が、ランダムに円錐状の穴が配列して形成されていた。反転されたモスアイ構造を構成するグッラシーカーボンの微細構造は、平均直径（Ｄ）が４０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内であり、平均高さ（Ｈ）が１００ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であり、平均ピッチ（Ｐ）が５０ｎｍ～３００ｎｍの範囲内であった。
　実施例３乃至実施例７に係るモスアイ転写型の表面の反射率を、分光光度計（（株）島津製作所製、ＵＶ－３１００ＰＣ）を用い、３００ｎｍから１０００ｎｍの波長領域で測定した結果を図１８に示す。なお、参考例として、加工時間２００秒（参考例Ａ）の試料についても合せてプロットしている。
　図１８に示すように、実施例３乃至実施例７のモスアイ転写型の表面の反射率は３００ｎｍ～１０００ｎｍにおいて５％以下であった。一方、参考例Ａの試料７００ｎｍ以上で反射率が大きく上昇し、５％より大きくなっていた。
　また、実施例３乃至実施例７及び参考例Ａに係るモスアイ転写型の表面における接触角の測定を、接触角計（協和界面化学社製、型番ＣＡ－Ｘ）を用いて２５℃の条件で測定した結果を表３に示す。表３には、プラズマ加工前、プラズマ加工後、離形処理後の水接触角をそれぞれ記載している。離型材として、フッ素系離型剤（ダイキン工業社製、製品名：ＵＤ－５０９）を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例３乃至実施例７のモスアイ転写型の表面の水接触角は、プラズマ加工後に３．５°以上４．９°以下と小さな値であった。離型処理後には、１４７．３°以上１５４．１°以下と大きな値を示した。
　実施例３乃至実施例７に係るモスアイ転写型を用いて、試験３と同様の方法でモスアイ構造の転写を行い、モスアイ構造（表面微細構造）を備えるＴＡＣフィルムを得た。
　転写された実施例３乃至実施例７に係るモスアイ構造の評価を、試験４と同様の方法で行った。具体的には、転写されたモスアイ構造について、表面状態の観察、接触角の評価、曇り度（ヘイズ値）の測定、分光測定を行った。
　各試料のモスアイ転写型を用いて転写されたモスアイ構造を示す電子顕微鏡写真を図１９乃至図２３に示す。実施例３乃至実施例７の各試料について、モスアイ構造の、平均直径、平均ピッチを測定した結果を、表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　上記の結果に示されるように、ＴＡＣフィルムの表面には、硬化した光硬化樹脂によってモスアイ構造が転写されていた。モスアイ構造は、その根元から先端に向けて縮径し、先端が先鋭化した針状又は錐状の形状を有する微細な突起がランダムに配列して形成されていた。モスアイ構造を構成する突起は、平均直径（Ｄ）が３０ｎｍ～１００ｎｍの範囲内であり、平均ピッチ（Ｐ）が６０ｎｍ～２００ｎｍの範囲内であった。
　各試料の接触角、ヘイズ値を以下の表５に示す。なお、表５には、参考例として、加工時間２００秒（参考例Ａ）の試料について、接触角、ヘイズ値を合せて記載している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　上記の結果を転写されたモスアイ構造の形状と併せて検討すると、エッチング工程におけるプラズマ照射時間（加工時間）が、８０秒以上１７０秒以下であることが好ましく、１５０秒以上１７０秒以下であると特に好ましいことがわかった。プラズマ照射時間（加工時間）が、２００秒以上となると、ＴＡＣフィルムの表面にムラが観察された。
　各試料の分光測定の結果を図２４（ＴＡＣフィルムの厚み＝１２０μｍ）及び図２５（ＴＡＣフィルムの厚み＝６０μｍ）に示す。
　図２４及び図２５に示すように、波長４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内で、透過率９０％以上９５％以下であり、反射率６％以内であった。なお、ＴＡＣフィルム面反射をなくすために、ＴＡＣフィルムのモスアイ構造が形成されている面と反対側の面を黒塗りした場合、図２４の下図及び図２５の下図に示すように、波長４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内で、反射率２％以下と低反射であった。
１　モスアイ転写型
１０　基材
　１０ａ　基材表面
２０　下地層
３０　グラッシーカーボン層
　３０ａ　グラッシーカーボン層の表面
ＲＭ　反転されたモスアイ構造
２００　表面微細構造を備える物品
１００　被処理物（物品）
　１００ａ　被処理物表面
Ｍ　表面微細構造（モスアイ構造）

Claims (9)

  1. 　基材と、
    　該基材の上に形成された下地層と、
    　該下地層の上に形成されたグラッシーカーボン層と、を備え、
    　該グラッシーカーボン層は、反転されたモスアイ構造を表面に有し、
    　前記反転されたモスアイ構造は、ランダムに配列された錐状の穴であることを特徴とするモスアイ転写型。
  2. 　前記基材が、樹脂、ガラス、金属、合金、セラミクス、シリコンウエハ、化合物半導体、炭化ケイ素、太陽電池材料を含む群より選択される一種以上の物質を含有することを特徴とする請求項１に記載のモスアイ転写型。
  3. 　前記下地層が、金属、合金、セラミクス、ケイ素を含む群より選択される一種以上の物質を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のモスアイ転写型。
  4. 　前記反転されたモスアイ構造を構成するグッラシーカーボンの微細構造は、
    　平均直径が１０ｎｍ～４００ｎｍであり、
    　平均高さが３０ｎｍ～１０００ｎｍであり、
    　平均ピッチが１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のモスアイ転写型。
  5. 　前記モスアイ転写型の形状が、ロール状、平板状、異形形状を含む群より選択される一種以上の形状を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のモスアイ転写型。
  6. 　モスアイ転写型の製造方法であって、
    　基材を用意する基材用意工程と、
    　前記基材の上に下地層を形成する下地層形成工程と、
    　前記下地層の上にスパッタリング法によりグラッシーカーボン層を成膜するグラッシーカーボン層成膜工程と、
    　前記グラッシーカーボン層を酸素イオンビーム又は酸素プラズマでエッチングするエッチング工程と、
    を行うことを特徴とするモスアイ転写型の製造方法。
  7. 　前記グラッシーカーボン層成膜工程において、
    　スパッタ電力が０．５ｋＷ以上５ｋＷ以下であり、
    　成膜圧力が１．０Ｐａ以下であることを特徴とする請求項６に記載のモスアイ転写型の製造方法。
  8. 　前記エッチング工程において、
    　高周波電源出力が２００Ｗ以上１０００Ｗ以下であり、
    　バイアス電源出力が０Ｗ以上１００Ｗ以下であり、
    　加工時間が、３０秒以上５００秒以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載のモスアイ転写型の製造方法。
  9. 　請求項１乃至５のいずれか一項に記載のモスアイ転写型を用意するモスアイ転写型用意工程と、
    　被処理物を用意する工程と、
    　前記モスアイ転写型と前記被処理物の表面との間に光硬化樹脂を付与した状態で、前記光硬化樹脂に光を照射することによって前記光硬化樹脂を硬化させる工程と、
    　前記硬化させられた光硬化樹脂で形成された表面微細構造から前記モスアイ転写型を剥離する工程と、を行うことを特徴とするモスアイ構造の転写方法。
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