WO2018193756A1 - 電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法、当該皮膜、及び当該皮膜を備える摺動部材 - Google Patents
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Abstract
Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法において、Niイオン、亜リン酸イオン、アルキルアミンボラン、酢酸、少なくとも一種の一次光沢剤、及び少なくとも一種の界面活性剤を含む二次光沢剤を含むめっき浴中において電気めっきを行なう。上記めっき浴において、アルキルアミンボランの濃度は1.37mmol/L以上であり、酢酸の濃度は0.70mol/L以上であり且つ2.80mol/L未満である。これにより、電流密度を80A/dm2以上に高めて成膜速度を高めてもヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ、ベーキング処理を施すこと無くHv700以上の高い硬度を有するめっき皮膜を高い生産効率にて成膜することができる。
Description
本発明は、電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法、当該皮膜、及び当該皮膜を備える摺動部材に関する。
当該技術分野においては、例えば耐食性、耐摩耗性、疲労強度及び審美性等の向上を目的として、例えばクラッチハブ、ハイブリッドダンパー、ピストン及び歯車等の摺動部材の表面に例えばニッケル(Ni)を含む合金からなるめっき皮膜を成膜することが知られている。このようなめっき皮膜の成膜方法は、無電解めっき(「化学めっき」と称される場合がある)及び電気めっき(「電解析出」と称される場合がある)に大別される。
例えば、Ni-P系及びNi-P-B系等のめっき皮膜を無電解めっきにより成膜した後に当該めっき皮膜をリン酸塩溶液と接触させて当該めっき皮膜上にリン酸塩皮膜を形成させることにより初期摺動特性等を改善することが提案されている(例えば、特許文献1を参照)。しかしながら、無電解めっきは金属イオンと還元剤との化学反応によって金属イオンを素材上に金属として還元析出させる方法であるため、成膜速度(析出速度)が非常に遅く生産効率が低い。また、めっき浴中の各種成分の配合比を一定に維持するために浴液を頻繁に交換する必要があり、生産コストが高い。更に、めっき皮膜の硬度及び密着性等を十分に高める必要がある場合は、めっき皮膜をベーキング処理に付す必要があるため、生産効率が更に低下する。ベーキング処理には、その処理条件に応じた加熱装置等の処理設備及び所定の処理時間が必要とされるため、生産コストの増大及び生産効率の低下の要因となり得る。
一方、電気めっきは、無電解めっきよりも成膜速度(進行速度)が速く、電流密度を増大させることにより成膜速度を高めることができる(例えば、特許文献2を参照)。しかしながら、電流密度を過度に増大させると、成膜される皮膜の緻密性が低下して硬度が低下したり、所謂「ヤケ」等の外観不良が発生したりする虞がある。従って、電流密度の増大による成膜速度の上昇には限界がある。また、電気めっきにおいても、めっき皮膜の硬度及び密着性等を十分に高める必要がある場合は、めっき皮膜をベーキング処理に付す必要があるため、電気めっきによる生産効率の向上にも限界がある。
上述したように、当該技術分野においては、高い硬度を有するめっき皮膜を高い生産効率にて成膜すべく種々の試みがなされてきたが、めっき皮膜の硬度と生産効率とを十分に高いレベルにて両立することができる技術は未だ確立されていない。本発明は、ベーキング処理を施すこと無く高い硬度を有するめっき皮膜を高い生産効率にて成膜することができる技術を提供することを1つの目的とする。
本発明者は、鋭意研究の結果、ニッケル(Ni)-リン(P)-ホウ素(B)系めっき皮膜を電気めっきにより成膜する方法において、めっき浴中のアルキルアミンボラン及び酢酸の濃度をそれぞれ所定の範囲に収めることにより、例えば所謂「ヤケ」及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて、ベーキング処理を施すこと無く高い硬度を有するめっき皮膜を高い生産効率にて成膜することができることを見出した。
具体的には、本発明に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「本発明方法」と称される場合がある。)は、Niイオン、亜リン酸イオン、アルキルアミンボラン、酢酸、少なくとも一種の一次光沢剤、及び少なくとも一種の界面活性剤を含む二次光沢剤を含むめっき浴中において電気めっきを行なうNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。上記めっき浴において、アルキルアミンボランの濃度は1.37mmol/L以上であり、酢酸の濃度は0.70mol/L以上であり且つ2.80mol/L未満である。
更に、本発明に係るNi-P-B系めっき皮膜(以降、「本発明皮膜」と称される場合がある。)において、Niの含有率は90at%以上であり且つ98at%以下であり、Pの含有率は1at%以上であり且つ9at%以下であり、Bの含有率は0.1at%以上であり且つ1at%未満である。更に、本発明皮膜の硬度はHv700以上であり、本発明皮膜のX線回折(XRD:X-Ray Diffraction)によって求められる結晶子の大きさは4nm以上であり且つ10nm以下である。
加えて、本発明に係る摺動部材(以降、「本発明部材」と称される場合がある。)は、上述した本発明皮膜が少なくとも摺動部の表面に形成されている摺動部材である。
本発明方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて、高い硬度を有するめっき皮膜を高い生産効率にて成膜することができる。また、詳しくは後述するように、本発明方法によれば、電気めっき直後のNi-P-B系めっき皮膜において高い硬度を達成することができる。即ち、本発明方法においては上述したベーキング処理は必須の構成要件ではない。従って、このような観点からも、本発明方法によれば、めっき皮膜の成膜速度を高め、生産効率を高めることができる。
更に、本発明皮膜は、ベーキング処理を施すこと無く高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。加えて、本発明部材は、少なくとも摺動部の表面に本発明皮膜が形成されているので、高い摺動特性を発揮することができる。以上のように、本発明によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを十分に高いレベルにて両立することができる。
本発明の他の目的、他の特徴及び付随する利点は、以下の図面を参照しつつ記述される本発明の各実施形態についての説明から容易に理解されるであろう。
《第1実施形態》
以下、本発明の第1実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第1方法」と称される場合がある。)について説明する。
以下、本発明の第1実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第1方法」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第1方法は、ニッケル(Ni)-リン(P)-ホウ素(B)系めっき皮膜の成膜方法である。第1方法においては、Niイオン、亜リン酸イオン、アルキルアミンボラン、酢酸、少なくとも一種の一次光沢剤、及び少なくとも一種の界面活性剤を含む二次光沢剤を含むめっき浴中における電気めっきが行なわれる。
第1方法は、ニッケル(Ni)-リン(P)-ホウ素(B)系めっき皮膜の成膜方法である。第1方法においては、Niイオン、亜リン酸イオン、アルキルアミンボラン、酢酸、少なくとも一種の一次光沢剤、及び少なくとも一種の界面活性剤を含む二次光沢剤を含むめっき浴中における電気めっきが行なわれる。
Niイオンの供給源としては、例えば、硫酸ニッケル(NiSO4)、スルファミン酸ニッケル(Ni(NH2SO3)2)及び塩化ニッケル(NiCl2)等、当業者に周知の物質を採用することができる。亜リン酸イオンの供給源としては、例えば、亜リン酸ナトリウム(Na2HPO3)及び亜リン酸カリウム(K2HPO3)等、当業者に周知の物質を採用することができる。
アルキルアミンボランの具体例としては、例えば、トリアルキルアミンボラン及びジアルキルアミンボラン等を挙げることができる。トリアルキルアミンボランの具体例としては、例えば、トリメチルアミンボラン及びトリエチルアミンボラン等を挙げることができる。ジアルキルアミンボランの具体例としては、例えば、ジメチルアミンボラン及びジエチルアミンボラン等を挙げることができる。
一次光沢剤としては、例えば、ベンゼンスルホン酸等の芳香族スルホン酸類、p-トルエンスルホンアミド等の芳香族スルホンアミド類、並びにサッカリン及びサッカリンナトリウム等の芳香族スルホンイミド類等、当業者に周知の物質を採用することができる。二次光沢剤としては、例えば、ホルムアルデヒド等のアルデヒド類、アリルスルホン酸等のアリル化合物(ビニル化合物)、2-ブチン-1,4-ジオール等のアセチレン化合物、及びエチルシアンヒドリン等のニトリル類等、当業者に周知の物質を採用することができる。但し、第1方法において使用されるめっき浴に含まれる二次光沢剤は必須の構成成分として界面活性剤を含む。換言すれば、当該二次光沢剤は少なくとも一種の界面活性剤を含む。
上記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のノニオン性(非イオン性)界面活性剤、ラウリルアミン及びドデシルアミン等のカチオン性(陽イオン性)界面活性剤、並びにラウリル硫酸ナトリウム及びドデシル硫酸ナトリウム等のアニオン性(陰イオン性)界面活性剤等、当業者に周知の界面活性剤を採用することができる。
更に、上記めっき浴におけるアルキルアミンボランの濃度は1.37mmol/L以上である。例えば、アルキルアミンボランとしてトリメチルアミンボランを採用する場合、上記めっき浴におけるトリメチルアミンボランの濃度は0.1g/L以上である。これにより、めっき皮膜中へのホウ素(B)の共析が促進され、Ni-P-B系の三元合金皮膜がより確実に形成され、Ni-P-B系めっき皮膜の硬度を高めることができる。
加えて、上記めっき浴における酢酸の濃度は0.70mol/L以上であり且つ2.80mol/L未満である。換言すれば、上記めっき浴における酢酸の濃度は40mL/L以上であり且つ160mL/L未満である。酢酸の濃度を0.70mol/L以上とすることにより、めっき皮膜の成膜時における電流密度を高めても、ヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減することができる。換言すれば、ヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつめっき皮膜の成膜時における電流密度を高めることができる。その結果、めっき皮膜の成膜速度を高め、生産効率を高めることができる。また、酢酸の濃度が2.80mol/L以上である場合、Niイオンの供給源(例えば、硫酸ニッケル(NiSO4)等)のめっき浴における溶解度が低下して、Niイオンの供給源の一部が固体のまま溶け残り、Niイオンの濃度を高めることが困難となるので好ましくない。
尚、前述したように、第1方法を始めとする本発明の各種実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(本発明方法)によれば、電気めっき直後のNi-P-B系めっき皮膜において高い硬度を達成することができる。即ち、第1方法においては前述したベーキング処理は必須の構成要件ではない。従って、このような観点からも、第1方法によれば、めっき皮膜の成膜速度を高め、生産効率を高めることができる。
〈効果〉
以上のように、第1方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を成膜することができる。即ち、第1方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを十分に高いレベルにて両立することができる。
以上のように、第1方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を成膜することができる。即ち、第1方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを十分に高いレベルにて両立することができる。
《第2実施形態》
以下、本発明の第2実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第2方法」と称される場合がある。)について説明する。
以下、本発明の第2実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第2方法」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第2方法は、上述した第1方法のより好ましい実施形態の1つであり、アルキルアミンボランとしてトリアルキルアミンボラン又はジアルキルアミンボランを採用し、界面活性剤としてアニオン性界面活性剤を採用することを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
第2方法は、上述した第1方法のより好ましい実施形態の1つであり、アルキルアミンボランとしてトリアルキルアミンボラン又はジアルキルアミンボランを採用し、界面活性剤としてアニオン性界面活性剤を採用することを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
〈効果〉
第2方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜をより確実に成膜することができる。即ち、第2方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とをより高いレベルにて両立することができる。
第2方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜をより確実に成膜することができる。即ち、第2方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とをより高いレベルにて両立することができる。
《第3実施形態》
以下、本発明の第3実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第3方法」と称される場合がある。)について説明する。
以下、本発明の第3実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第3方法」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第3方法は、上述した第2方法のより好ましい実施形態の1つであり、アルキルアミンボランとしてトリメチルアミンボラン又はジメチルアミンボランを採用し、界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウムを採用することを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
第3方法は、上述した第2方法のより好ましい実施形態の1つであり、アルキルアミンボランとしてトリメチルアミンボラン又はジメチルアミンボランを採用し、界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウムを採用することを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
〈効果〉
第3方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を更により確実に成膜することができる。即ち、第3方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを更により高いレベルにて両立することができる。
第3方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を更により確実に成膜することができる。即ち、第3方法によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを更により高いレベルにて両立することができる。
《第4実施形態》
以下、本発明の第4実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第4方法」と称される場合がある。)について説明する。
以下、本発明の第4実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(以降、「第4方法」と称される場合がある。)について説明する。
上述した第1方法乃至第3方法を始めとする本発明の各種実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(本発明方法)においては、めっき浴における酢酸の濃度を上述した所定の範囲(具体的には、0.70mol/L以上且つ2.80mol/L未満)に収めることにより、めっき皮膜の成膜時における電流密度を高めても、ヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減することができる。
本発明者は、鋭意研究の結果、本発明方法によれば、驚くべきことに、80A/dm2以上に及ぶ高い電流密度にて電気めっきを行っても、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を成膜することができることを見出した。
〈構成〉
そこで、第4方法は、上述した第1方法乃至第3方法のより好ましい実施形態の1つであり、電気めっきを行うときの電流密度が80A/dm2以上であることを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
そこで、第4方法は、上述した第1方法乃至第3方法のより好ましい実施形態の1つであり、電気めっきを行うときの電流密度が80A/dm2以上であることを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法である。
〈効果〉
第4方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜をより高い生産効率にて成膜することができる。即ち、第4方法によれば、高い硬度及び品質を有するNi-P-B系めっき皮膜をより高い生産効率にて成膜することができる。
第4方法によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ、高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜をより高い生産効率にて成膜することができる。即ち、第4方法によれば、高い硬度及び品質を有するNi-P-B系めっき皮膜をより高い生産効率にて成膜することができる。
《第5実施形態》
本明細書の冒頭において述べたように、本発明は、上述した電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法のみならず、電気Ni-P-B系めっき皮膜にも関する。以下、本発明の第5実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(以降、「第5皮膜」と称される場合がある。)について説明する。
本明細書の冒頭において述べたように、本発明は、上述した電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法のみならず、電気Ni-P-B系めっき皮膜にも関する。以下、本発明の第5実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(以降、「第5皮膜」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第5皮膜は、Ni-P-B系の三元合金からなるめっき皮膜である。第5皮膜において、ニッケル(Ni)の含有率は90at%以上であり且つ98at%以下であり、リン(P)の含有率は1at%以上であり且つ9at%以下であり、ホウ素(B)の含有率は0.1at%以上であり且つ1at%未満である。このような皮膜中に含まれる各成分の含有率は、例えば、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)等、当業者に周知の分析方法によって測定することができる。
第5皮膜は、Ni-P-B系の三元合金からなるめっき皮膜である。第5皮膜において、ニッケル(Ni)の含有率は90at%以上であり且つ98at%以下であり、リン(P)の含有率は1at%以上であり且つ9at%以下であり、ホウ素(B)の含有率は0.1at%以上であり且つ1at%未満である。このような皮膜中に含まれる各成分の含有率は、例えば、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)等、当業者に周知の分析方法によって測定することができる。
更に、第5皮膜の硬度はHv700以上である。即ち、例えばビッカース硬度計を用いるビッカース硬さ試験(JIS Z 2244)によって測定される第5皮膜の硬度はHv700以上である。加えて、第5皮膜のX線回折によって求められる結晶子の大きさは4nm以上であり且つ10nm以下である。
尚、上記のような構成を有する第5皮膜は、例えば、上述した第1方法乃至第4方法を始めとする本発明の各種実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法(本発明方法)によって成膜することができる。
〈効果〉
以上のように、第5皮膜は極めて小さい結晶子からなる緻密な構造を有する。その結果、第5皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、例えば摺動部材の摺動部の表面に第5皮膜を成膜することにより、当該摺動部材の摺動特性を向上させることができる。
以上のように、第5皮膜は極めて小さい結晶子からなる緻密な構造を有する。その結果、第5皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、例えば摺動部材の摺動部の表面に第5皮膜を成膜することにより、当該摺動部材の摺動特性を向上させることができる。
《第6実施形態》
以下、本発明の第6実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(以降、「第6皮膜」と称される場合がある。)について説明する。
以下、本発明の第6実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(以降、「第6皮膜」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第6皮膜は、上述した第5皮膜であって、Ni-P-B系めっき皮膜において、炭素(C)の含有率が0.1at%以上であり、且つ、硫黄(S)の含有率は0.1at%以上である。このような皮膜中に含まれる炭素(C)及び硫黄(S)の含有率もまた、例えば、二次イオン質量分析法(SIMS)等、当業者に周知の分析方法によって測定することができる。
第6皮膜は、上述した第5皮膜であって、Ni-P-B系めっき皮膜において、炭素(C)の含有率が0.1at%以上であり、且つ、硫黄(S)の含有率は0.1at%以上である。このような皮膜中に含まれる炭素(C)及び硫黄(S)の含有率もまた、例えば、二次イオン質量分析法(SIMS)等、当業者に周知の分析方法によって測定することができる。
第6皮膜においては、皮膜中の炭素(C)及び硫黄(S)の含有率を上記範囲に収まるように成膜することにより、めっき皮膜を構成する結晶構造を微細化し、高い硬度をより確実に達成することができる。
〈効果〉
以上のように、第6皮膜によれば、極めて小さい結晶子からなる緻密な構造をより確実に達成することができる。その結果、第6皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、例えば摺動部材の摺動部の表面に第6皮膜を成膜することにより、当該摺動部材の摺動特性を向上させることができる。
以上のように、第6皮膜によれば、極めて小さい結晶子からなる緻密な構造をより確実に達成することができる。その結果、第6皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、例えば摺動部材の摺動部の表面に第6皮膜を成膜することにより、当該摺動部材の摺動特性を向上させることができる。
《第7実施形態》
本明細書の冒頭において述べたように、本発明は、上述した電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法及び当該皮膜のみならず、電気Ni-P-B系めっき皮膜を備える摺動部材にも関する。以下、本発明の第7実施形態に係る摺動部材(以降、「第7部材」と称される場合がある。)について説明する。
本明細書の冒頭において述べたように、本発明は、上述した電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法及び当該皮膜のみならず、電気Ni-P-B系めっき皮膜を備える摺動部材にも関する。以下、本発明の第7実施形態に係る摺動部材(以降、「第7部材」と称される場合がある。)について説明する。
〈構成〉
第7部材は、少なくとも摺動部の表面に形成されためっき皮膜を備える摺動部材であって、当該めっき皮膜は上述した第5皮膜及び第6皮膜を始めとする本発明の各種実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(本発明皮膜)である。
第7部材は、少なくとも摺動部の表面に形成されためっき皮膜を備える摺動部材であって、当該めっき皮膜は上述した第5皮膜及び第6皮膜を始めとする本発明の各種実施形態に係るNi-P-B系めっき皮膜(本発明皮膜)である。
〈効果〉
上述したように、本発明皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、少なくとも摺動部の表面に形成された本発明皮膜を備える第7部材は、高い摺動特性を発揮することができる。
上述したように、本発明皮膜は高い硬度を有し、高い耐摩耗性及び疲労強度等を達成することができる。従って、少なくとも摺動部の表面に形成された本発明皮膜を備える第7部材は、高い摺動特性を発揮することができる。
ここで、本発明の実施例に係る電気Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法及び当該皮膜の各種特性につき、幾つかの比較例と対比しながら詳しく説明する。
《評価用サンプルの作成》
〈めっき浴〉
従来技術の例としての比較例1乃至比較例6並びに本発明の例としての実施例1乃至実施例9に係るめっき皮膜を成膜するためのめっき浴として、以下の表1及び表2に列挙する各種めっき浴(500mL)を調製した。尚、表1及び表2においては、比較例は「CE」、実施例は「WE」と表記する。
〈めっき浴〉
従来技術の例としての比較例1乃至比較例6並びに本発明の例としての実施例1乃至実施例9に係るめっき皮膜を成膜するためのめっき浴として、以下の表1及び表2に列挙する各種めっき浴(500mL)を調製した。尚、表1及び表2においては、比較例は「CE」、実施例は「WE」と表記する。
表1に示す例においては、Niイオンの供給源として硫酸ニッケル6水和物(NiSO4・6H2O)を、亜リン酸イオンの供給源として亜リン酸ナトリウム(Na2HPO3)を、ホウ素(B)の供給源としてトリメチルアミンボラン(TMAB)を、それぞれ採用した。また、一次光沢剤としてサッカリンナトリウム2水和物(C7H4NNaO3S・2H2O)を、二次光沢剤として2-ブチン-1,4-ジオール(C4H6O2)及びドデシル硫酸ナトリウム(NaC12H25SO4)を、それぞれ採用した。一方、表2に示す例においては、詳しくは後述するように、ホウ素(B)の供給源として、トリメチルアミンボラン(TMAB)、ジメチルアミンボラン(DMAB)、及びジメチルスルフィドボラン(DMSB)を使い分けた。また、一部のめっき浴においては一次光沢剤及び二次光沢剤を配合しなかった。
〈電気めっき〉
表1及び表2に列挙した各種めっき浴を65℃に加熱し、マグネットスターラーを使用して1000rpmの回転数にて撹拌しながら、不溶性のTi/Pt電極を対極として、100A/dm2の電流密度において1分間に亘って電気めっきを行い、10μmの厚みを有するめっき皮膜を20mm×20mmの正方形の鉄(Fe)製のテストピースの表面上に成膜し、比較例1乃至比較例6並びに実施例1乃至実施例9に係る各種評価用サンプルを作成した。尚、何れの評価用サンプルについても、成膜後のベーキング処理は施さなかった。
表1及び表2に列挙した各種めっき浴を65℃に加熱し、マグネットスターラーを使用して1000rpmの回転数にて撹拌しながら、不溶性のTi/Pt電極を対極として、100A/dm2の電流密度において1分間に亘って電気めっきを行い、10μmの厚みを有するめっき皮膜を20mm×20mmの正方形の鉄(Fe)製のテストピースの表面上に成膜し、比較例1乃至比較例6並びに実施例1乃至実施例9に係る各種評価用サンプルを作成した。尚、何れの評価用サンプルについても、成膜後のベーキング処理は施さなかった。
〈評価方法〉
(1)硬度
ビッカース硬度計を使用し、25gの荷重にて10秒間に亘って各種テストピースの表面を圧子によって押圧し、ビッカース硬さを測定した。
(2)皮膜組成
二次イオン質量分析法(SIMS)により、皮膜中の各成分の含有率を測定した。但し、表2に示した比較例5及び6並びに実施例3乃至9については、被膜組成の分析を省略した。
(3)結晶子サイズ
X線回折(XRD)によって測定される回折チャート(スペクトル)に基づきシェラー(Scherrer)の式を用いて結晶の配向面(200)における結晶子サイズを測定した。
(1)硬度
ビッカース硬度計を使用し、25gの荷重にて10秒間に亘って各種テストピースの表面を圧子によって押圧し、ビッカース硬さを測定した。
(2)皮膜組成
二次イオン質量分析法(SIMS)により、皮膜中の各成分の含有率を測定した。但し、表2に示した比較例5及び6並びに実施例3乃至9については、被膜組成の分析を省略した。
(3)結晶子サイズ
X線回折(XRD)によって測定される回折チャート(スペクトル)に基づきシェラー(Scherrer)の式を用いて結晶の配向面(200)における結晶子サイズを測定した。
〈評価結果〉
比較例1については、一次光沢剤及び二次光沢剤を何れもめっき浴に配合しなかったため、テストピースの全面に異常析出が発生し、皮膜の硬度はHv350と不十分であった。これは、めっき浴の組成を反映し、ホウ素(B)、炭素(C)及び硫黄(S)を皮膜中に取り込むことができず、結晶の微細化が進まず(結晶子サイズ=22nm)、緻密な皮膜構造を形成することができなかったためであると考えられる。
比較例1については、一次光沢剤及び二次光沢剤を何れもめっき浴に配合しなかったため、テストピースの全面に異常析出が発生し、皮膜の硬度はHv350と不十分であった。これは、めっき浴の組成を反映し、ホウ素(B)、炭素(C)及び硫黄(S)を皮膜中に取り込むことができず、結晶の微細化が進まず(結晶子サイズ=22nm)、緻密な皮膜構造を形成することができなかったためであると考えられる。
比較例2は、特許文献2に記載されためっき皮膜に類似するめっき皮膜を有する評価用サンプルである。比較例2については、一次光沢剤及び二次光沢剤をめっき浴に配合したにもかかわらず、テストピースの全面に異常析出が発生し、皮膜の硬度はHv450と不十分であった。これは、めっき浴の組成を反映してホウ素(B)を皮膜中に取り込むことができず、また炭素(C)及び硫黄(S)についても極微量しか皮膜中に取り込むことができず、結晶の微細化が進まず(結晶子サイズ=20nm)、緻密な皮膜構造を形成することができなかったためであると考えられる。
比較例3においては、めっき浴における酢酸の濃度を0.52mmol/L(30mL/L)から0.70mmol/L(40mL/L)まで高めた点を除き、比較例2と同様のめっき浴を使用した。比較例3については、酢酸の増量により異常析出を抑制することができた。しかしながら、結晶子サイズは6nmとなり結晶の微細化が促進されたものの、皮膜の硬度はHv550と依然として不十分であった。また、皮膜中の炭素(C)及び硫黄(S)については僅かに増大したものの、めっき浴の組成を反映して皮膜中にホウ素(B)の存在は認められなかった。
比較例4においては、めっき浴における酢酸濃度を1.40mmol/L(80mL/L)まで更に高めた点を除き、比較例3と同様のめっき浴を使用した。比較例4については、酢酸の更なる増量により異常析出を抑制することができ、良好な外観を達成することができた。しかしながら、結晶子サイズは6nmであり結晶の微細化が促進されたものの、皮膜の硬度はHv650と依然として不十分であった。また、皮膜中の炭素(C)及び硫黄(S)については更に微増したものの、めっき浴の組成を反映して皮膜中にホウ素(B)の存在は認められなかった。
一方、本発明に係る実施例1においては、5.48mmol/L(0.4g/L)のトリメチルアミンボラン(TMAB)をめっき浴に追加した点を除き、比較例4と同様のめっき浴を使用した。実施例1については、TMABの添加により異常析出を抑制することができ、良好な外観を達成することができた。更に、結晶子サイズは4nmであり結晶の微細化が促進された。その結果、成膜後のベーキング処理は施さなかったにも拘わらず、Hv720と十分に高い皮膜硬度を達成することができた。また、皮膜中のホウ素(B)、炭素(C)及び硫黄(S)は増加した。
実施例2においては、めっき浴におけるTMABの濃度を10.97mmol/L(0.8g/L)まで更に高めた点を除き、実施例1と同様のめっき浴を使用した。実施例2についても、異常析出を抑制することができ、良好な外観を達成することができた。更に、結晶子サイズは4nmであり結晶の微細化が促進された。また、TMABの増量に伴い、Hv760と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。皮膜中のホウ素(B)及び炭素(C)の含有率は実施例1よりも微増した。
比較例5においては、一次光沢剤及び二次光沢剤をめっき浴に配合していない点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズが12nmとなった。つまり、実施例2と比較して、結晶の微細化が抑制された。その結果、皮膜硬度はHv670であり、依然として不十分であった。
実施例3においては、TMABの濃度を高めて16.44mmol/Lとした点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv720と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例4においては、TMABの濃度を更に高めて21.92mmol/Lとした点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv730と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例5においては、TMABの濃度を低くして2.74mmol/Lとした点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv710と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例6においては、TMABの濃度を更に低くして1.37mmol/Lとした点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv700と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例7においては、酢酸の濃度を高めて2.10mol/Lとした点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv710と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例8においては、ホウ素(B)の供給源としてTMABの代わりにジメチルアミンボラン(DMAB)を用いた点を除き、実施例1と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv710と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
実施例9においては、TMABの代わりにDMABを用いた点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。この場合、結晶子サイズは4nmであった。その結果、Hv700と非常に高い皮膜硬度を達成することができた。
比較例6においては、ホウ素(B)の供給源としてTMABの代わりにジメチルスルフィドボラン(DMSB)を用いた点を除き、実施例2と同様のめっき浴を使用した。その結果、皮膜硬度はHv665であり、依然として不十分であった。
以上の結果から、本発明によれば、例えばヤケ及び異常析出等の外観不良の発生を低減しつつ電流密度を高めて生産効率を高めることができ、且つ、ベーキング処理を施すこと無く高い硬度を有するNi-P-B系めっき皮膜を成膜することができることが確認された。即ち、本発明によれば、めっき皮膜の硬度と生産効率とを十分に高いレベルにて両立することができることが確認された。
以上、本発明を説明することを目的として、特定の構成を有する幾つかの実施形態及び実施例につき、時に添付図面を参照しながら説明してきたが、本発明の範囲は、これらの例示的な実施形態及び実施例に限定されると解釈されるべきではなく、特許請求の範囲及び明細書に記載された事項の範囲内で、適宜修正を加えることが可能であることは言うまでも無い。
Claims (7)
- Ni-P-B系めっき皮膜の成膜方法であって、
Niイオン、亜リン酸イオン、アルキルアミンボラン、酢酸、少なくとも一種の一次光沢剤、及び少なくとも一種の界面活性剤を含む二次光沢剤を含むめっき浴中において電気めっきを行ない、
前記めっき浴におけるアルキルアミンボランの濃度は1.37mmol/L以上であり、
前記めっき浴における酢酸の濃度は0.70mol/L以上であり且つ2.80mol/L未満である、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法。 - 請求項1に記載のNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法において、
前記アルキルアミンボランはトリアルキルアミンボラン又はジアルキルアミンボランであり、
前記界面活性剤はアニオン性界面活性剤である、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法。 - 請求項2に記載のNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法において、
前記アルキルアミンボランはトリメチルアミンボラン又はジメチルアミンボランであり、
前記界面活性剤はドデシル硫酸ナトリウムである、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法。 - 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載のNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法であって、
前記電気めっきを行うときの電流密度は80A/dm2以上である、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜の成膜方法。 - Ni-P-B系めっき皮膜であって、
前記Ni-P-B系めっき皮膜において、
Niの含有率は90at%以上であり且つ98at%以下であり、
Pの含有率は1at%以上であり且つ9at%以下であり、
Bの含有率は0.1at%以上であり且つ1at%未満であり、
前記Ni-P-B系めっき皮膜の硬度はHv700以上であり、
前記Ni-P-B系めっき皮膜のX線回折によって求められる結晶子の大きさは4nm以上であり且つ10nm以下である、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜。 - 請求項5に記載のNi-P-B系めっき皮膜であって、
前記Ni-P-B系めっき皮膜において、
Cの含有率は0.1at%以上であり、
Sの含有率は0.1at%以上である、
ことを特徴とするNi-P-B系めっき皮膜。 - 少なくとも摺動部の表面に形成されためっき皮膜を備える摺動部材であって、
前記めっき皮膜は請求項5又は請求項6に記載のNi-P-B系めっき皮膜である、
ことを特徴とする摺動部材。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113061945A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-07-02 | 西南石油大学 | 一种脉冲电沉积Ni-B/B4C纳米复合镀层的制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000274361A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Hitachi Ltd | 耐摩耗摺動材 |
JP2002031234A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-31 | Nissan Motor Co Ltd | 低摩擦摺動部材 |
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---|---|---|---|---|
US4042382A (en) * | 1974-12-10 | 1977-08-16 | Rca Corporation | Temperature-stable non-magnetic alloy |
JPS6379993A (ja) | 1986-09-20 | 1988-04-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
US5779873A (en) * | 1995-12-29 | 1998-07-14 | Lucent Technologies Inc. | Electroplating of nickel on nickel ferrite devices |
US6406611B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-06-18 | University Of Alabama In Huntsville | Nickel cobalt phosphorous low stress electroplating |
JP4489232B2 (ja) * | 1999-06-14 | 2010-06-23 | 日鉱金属株式会社 | コネクタ用めっき材料 |
JP2003161259A (ja) | 2001-11-22 | 2003-06-06 | Toyota Industries Corp | 圧縮機用摺動材 |
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JP4705776B2 (ja) | 2004-12-17 | 2011-06-22 | 日本カニゼン株式会社 | リン酸塩被膜を有する無電解ニッケルめっき膜の形成方法およびその形成膜 |
JP4157117B2 (ja) | 2005-07-07 | 2008-09-24 | 大豊工業株式会社 | 電気Ni−Pめっき皮膜の成膜方法及びその皮膜 |
CN100410424C (zh) | 2006-03-31 | 2008-08-13 | 北京航空航天大学 | 在同一镀液中进行化学镀和电镀镀覆Ni-P镀层的方法 |
JP5834587B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-12-24 | Jfeスチール株式会社 | 温間プレス部材の製造方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000274361A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-10-03 | Hitachi Ltd | 耐摩耗摺動材 |
JP2002031234A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-01-31 | Nissan Motor Co Ltd | 低摩擦摺動部材 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
KISHIMOTO, KEISUKE ET AL.: "Effects of Various Additives on the Characteristics of Electroplated Nickel Thin Films", JOURNAL OF THE SURFACE FINISHING SOCIETY OF JAPAN, vol. 54, no. 10, October 2003 (2003-10-01), pages 82 - 84, XP055541733 * |
MORISAKI, S. ET AL.: "Contents of Boron and Phosphorous in the Nickel Alloy Films Deposited by Electroplating and Electroless Plating", ACTIVITY REPORT ON THE UTILIZATION OF RESEARCH REACTORS, 2002, pages 519 - 521 * |
SEMBA, HIROAKI: "Ni-P-B Electroless Plating", JOURNAL OF THE SURFACE FINISHING SOCIETY OF JAPAN , 2002, vol. 53, no. 1, 2002, pages 28 - 30 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020152982A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | アイシン精機株式会社 | Ni−P−B系めっき皮膜及び当該皮膜を備える摺動部材 |
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