JPS6379993A - 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 - Google Patents
電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴Info
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Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高速性が達成され、かつ均一・電着性に優れる
電解ニッケル−ホウ素合金めっき浴に関する。
電解ニッケル−ホウ素合金めっき浴に関する。
(背景技術)
従来のニッケル−ホウ素合金めっきは、専ら無電解めっ
きによって行われでいる。しかしながらごの無重量:め
っきによるときは、1μm程度の股Pfを11?るのに
10分前後の長時間のめっき時間を要する。したがって
、例えば半導体装置に用いるリードフレーム等の長尺物
に、金、銀等の電解めっきとニソう−ルーホウ素合金の
無電解めっきとを同一めっきラインで連続的に行おうと
しても、電解めっきが短時間で済むのに対し、無電解め
っきし、1上記のように長時間を要するから、この両者
のめっき時間の差が大きすぎること、および無電解めっ
き浴が不安定で浴寿命が短いことから事実上不−r+J
fiピてあった。
きによって行われでいる。しかしながらごの無重量:め
っきによるときは、1μm程度の股Pfを11?るのに
10分前後の長時間のめっき時間を要する。したがって
、例えば半導体装置に用いるリードフレーム等の長尺物
に、金、銀等の電解めっきとニソう−ルーホウ素合金の
無電解めっきとを同一めっきラインで連続的に行おうと
しても、電解めっきが短時間で済むのに対し、無電解め
っきし、1上記のように長時間を要するから、この両者
のめっき時間の差が大きすぎること、および無電解めっ
き浴が不安定で浴寿命が短いことから事実上不−r+J
fiピてあった。
したがって、ニッケル−ホウ素合金めっきを電解で行え
るめっき浴が要望されている。
るめっき浴が要望されている。
このような電解ニッケル−ホウ素合金めっき浴とし゛(
特願昭Go−190269号に示されるものがある。
特願昭Go−190269号に示されるものがある。
このめっき浴はワット浴あるいはスルファミン酸浴を−
、−スとしている。
、−スとしている。
しかしながらごのようなワット浴やスルファミン酸浴を
ヘースとする浴は、めっきのつきまわり、均一電着性に
劣るという問題点がある。
ヘースとする浴は、めっきのつきまわり、均一電着性に
劣るという問題点がある。
近年特に電子部品等は、小型で複雑な形状を自する製品
が多いが、被めっき物がこのような製品の場合には、膜
厚が厚い所とン)髪い所とでは10数倍もハラ゛ンキが
でてしまうごと力(ある。ま)こl′j4体装置用パノ
ケーンであるり一トレスヂノプギ士リア(LCC)のめ
っき工程においては、細径のスルーポール内壁にもめっ
きを必要とするが、ワット浴やスルファミン酸浴をヘー
スとするものでiJこのようなスルーボール内壁にはほ
とんどめっきがつかない問題点がある。
が多いが、被めっき物がこのような製品の場合には、膜
厚が厚い所とン)髪い所とでは10数倍もハラ゛ンキが
でてしまうごと力(ある。ま)こl′j4体装置用パノ
ケーンであるり一トレスヂノプギ士リア(LCC)のめ
っき工程においては、細径のスルーポール内壁にもめっ
きを必要とするが、ワット浴やスルファミン酸浴をヘー
スとするものでiJこのようなスルーボール内壁にはほ
とんどめっきがつかない問題点がある。
本発明はト記事情に泥みてなされたものであり、その目
的とするところは、高速セIかi!Iられ、がっ均一電
着性に優れる電解ニソう“ルーホウ素合金めっき浴を提
供するにある。
的とするところは、高速セIかi!Iられ、がっ均一電
着性に優れる電解ニソう“ルーホウ素合金めっき浴を提
供するにある。
(発明の概要)
」−記目的による本発明の電解ニッケル−ホウ素合金め
っき浴は、ニッケル源および陽極/8解促進剤として塩
化ニッケル、臭化ニッケル等のハ1−Iリーン化ニッケ
ル、もしくは二、ケル源として硫IWニッケルまたはス
ルファミン酸ニッケルおよび陽極?6 hii促進剤と
して塩化すI・リウJえ、臭化カリウム等のハロゲン化
物と、電気伝導度塩として硫酸、スルファミン酸または
メタンスルホン酸のアルカリ塩と、緩衝剤と、さらにホ
ウ素源として第2もしくは第3アミ7ボランとを含むこ
とを特徴とする。
っき浴は、ニッケル源および陽極/8解促進剤として塩
化ニッケル、臭化ニッケル等のハ1−Iリーン化ニッケ
ル、もしくは二、ケル源として硫IWニッケルまたはス
ルファミン酸ニッケルおよび陽極?6 hii促進剤と
して塩化すI・リウJえ、臭化カリウム等のハロゲン化
物と、電気伝導度塩として硫酸、スルファミン酸または
メタンスルホン酸のアルカリ塩と、緩衝剤と、さらにホ
ウ素源として第2もしくは第3アミ7ボランとを含むこ
とを特徴とする。
本発明ではニッケル源および陽極溶解促進剤として塩化
ニッケル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルを用い
るのが好適であるが、ニッケル源を硫酸ニッケルまたは
スルフ1ミン酸ニツケルとし、塩化ナトリウム、臭化カ
リウム等のハロゲン化物とを合わせて用いてもよい。
ニッケル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルを用い
るのが好適であるが、ニッケル源を硫酸ニッケルまたは
スルフ1ミン酸ニツケルとし、塩化ナトリウム、臭化カ
リウム等のハロゲン化物とを合わせて用いてもよい。
ニッケル塩濃度は金属ニッケルとして0.1〜0.4M
/l程度が好適である。これは前述のワット浴、スルフ
1ミン酸浴をヘースとするものが金属ニッケルとして]
、7M/ 7!前後であるのに比してかなりイーシい。
/l程度が好適である。これは前述のワット浴、スルフ
1ミン酸浴をヘースとするものが金属ニッケルとして]
、7M/ 7!前後であるのに比してかなりイーシい。
電気伝導度塩としては硫酸ナトリウム等の硫酸のアルカ
リ塩、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリ
ウム等のスルファミン酸のアルカリ塩またはメタンスル
ホン酸ナトリウムなどのメタンスルポン酸のアルカリ塩
が好適である。
リ塩、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カリ
ウム等のスルファミン酸のアルカリ塩またはメタンスル
ホン酸ナトリウムなどのメタンスルポン酸のアルカリ塩
が好適である。
ホウ素源としてはトリメチルアミンポラン、シメヂルア
ミンボラン、メチルモルポリンボラン等の第2または第
3アミンホランを用いる。
ミンボラン、メチルモルポリンボラン等の第2または第
3アミンホランを用いる。
第2または第3アミンポランはニッケルイオンの強力な
還元剤として作用する。そして通電により金属ニッケル
の析出が起こり、同時に??I1.fflのホウ素が共
析するのである。
還元剤として作用する。そして通電により金属ニッケル
の析出が起こり、同時に??I1.fflのホウ素が共
析するのである。
このようにしてニッケル−ホウ素合金めっき股を得る。
この第2または第3アミンボランの安定剤として、千オ
シグリコール酸、1.2工タンジ羽−ル、ジエチルジチ
オカルバミン酸ナトリウム等の2価のイオウを含む化合
物、ヨード酢酸、Y)−田−I−アニリン等のヨード置
換化合物、硫酸タリウム、酢酸鉛等が有効であり、これ
らの安定剤をO,1mH/l2以上単独または併用して
lK’= IJII−J−ることで第2または第37ミ
ンボランの自己分解を抑制できる。
シグリコール酸、1.2工タンジ羽−ル、ジエチルジチ
オカルバミン酸ナトリウム等の2価のイオウを含む化合
物、ヨード酢酸、Y)−田−I−アニリン等のヨード置
換化合物、硫酸タリウム、酢酸鉛等が有効であり、これ
らの安定剤をO,1mH/l2以上単独または併用して
lK’= IJII−J−ることで第2または第37ミ
ンボランの自己分解を抑制できる。
緩衝剤としてはホウ酸を用い、その含有量は0.1M/
7!〜飽和が有効である。
7!〜飽和が有効である。
(実施例)
実施例1
塩化ニッケル 0.25M/ 1硫酸−ノ・
トリウム 0.5M#!ホウ酸
0.75M/ pトリメチルアミンホラン
1.0 g/β上記浴記音い、円15.3.45“C1
IA、15分のハルセル試験を行ったところ全面光沢の
ニッケル−ホウ素合金めっきが得られた。また第1図に
示す試験片に′IδLJる4点の膜厚をケイ光X線欣厚
測1定器(セイコー電子工業製5Ii7157)を用い
、測定したところ表1のようになった。
トリウム 0.5M#!ホウ酸
0.75M/ pトリメチルアミンホラン
1.0 g/β上記浴記音い、円15.3.45“C1
IA、15分のハルセル試験を行ったところ全面光沢の
ニッケル−ホウ素合金めっきが得られた。また第1図に
示す試験片に′IδLJる4点の膜厚をケイ光X線欣厚
測1定器(セイコー電子工業製5Ii7157)を用い
、測定したところ表1のようになった。
なお、それぞれ4J応する点の電流密度は寺門、長板の
式より求めた。
式より求めた。
表 1
上記の値をフィールドの式に入れ、均一電着性を求めた
ところ均一電着性は54%であった。同様にワット浴ヘ
ースのニッケル−ホウ素合金めっき浴の均一電着性を求
めたところ、均一電着性は一1O%であっノこ。
ところ均一電着性は54%であった。同様にワット浴ヘ
ースのニッケル−ホウ素合金めっき浴の均一電着性を求
めたところ、均一電着性は一1O%であっノこ。
このように上記音はずくれた均・電着性を有することが
わかる。また得られたニソう一ルーホウ素合金めっき膜
も空気中450°C12分加熱しても変色せず、優れた
耐熱性を有していた。
わかる。また得られたニソう一ルーホウ素合金めっき膜
も空気中450°C12分加熱しても変色せず、優れた
耐熱性を有していた。
また」、記音を用い、第2図に示すような半導体装置用
セラミックパッケージに、2Δ/ d rrfで4μm
ねらいでニッケル−ホウ素合金めっきを施した。ステー
ジ部10、インナーリード部12、ソールリング部14
のめっき厚はそれぞれ3.2 μm、5.1 μm、4
.8 IImとなり、130%以内に入っていた。同様
にワット浴・\−スの場合には、2.7x1m、9.3
μm、7.9μmであった。
セラミックパッケージに、2Δ/ d rrfで4μm
ねらいでニッケル−ホウ素合金めっきを施した。ステー
ジ部10、インナーリード部12、ソールリング部14
のめっき厚はそれぞれ3.2 μm、5.1 μm、4
.8 IImとなり、130%以内に入っていた。同様
にワット浴・\−スの場合には、2.7x1m、9.3
μm、7.9μmであった。
得られためっき膜も、空気中450°C82分加熱して
も変色せず無電解ニッケル−ホウ素合金めっき膜と同程
度の耐タハ性を有するめっき脱力叶1られまたニッケル
塩として臭化ニッケル、電気伝導度塩としてスルファミ
ン酸ナトリウムを使用した場合も、ステージ部10、イ
ンナーリード部12、シールリング部14のめっき厚バ
ラツキは130%以内に納まり、空気中450°C12
分加熱しても変色−1ず無電解二、ケルーホウ素合金め
っき膜と同程度の耐熱性を有するめっき膜が得られた。
も変色せず無電解ニッケル−ホウ素合金めっき膜と同程
度の耐タハ性を有するめっき脱力叶1られまたニッケル
塩として臭化ニッケル、電気伝導度塩としてスルファミ
ン酸ナトリウムを使用した場合も、ステージ部10、イ
ンナーリード部12、シールリング部14のめっき厚バ
ラツキは130%以内に納まり、空気中450°C12
分加熱しても変色−1ず無電解二、ケルーホウ素合金め
っき膜と同程度の耐熱性を有するめっき膜が得られた。
実施例2
1A化ニツケル 0.25M/ 1ス
ルフアミン酸ナトリウム 0.5M/7!ホウ酸
0.75M/ pメチルモル
ボリンポラン 5 g/βチオ尿素(安定剤)
0.05g/AL記浴を用い記音II
5.3.40’Cで電流密度3A/d rlで2pmの
ニッケル−ホウ素合金めっきを施した。得られためっき
膜は450°C32分加熱しても変色せず、またロジン
系の弱いフラックスを使用しても十分なはんだ付&ノ惺
が得られた。
ルフアミン酸ナトリウム 0.5M/7!ホウ酸
0.75M/ pメチルモル
ボリンポラン 5 g/βチオ尿素(安定剤)
0.05g/AL記浴を用い記音II
5.3.40’Cで電流密度3A/d rlで2pmの
ニッケル−ホウ素合金めっきを施した。得られためっき
膜は450°C32分加熱しても変色せず、またロジン
系の弱いフラックスを使用しても十分なはんだ付&ノ惺
が得られた。
安定剤としては他にシエヂルジチオ力ルハミン酸ナトリ
ウム、ヂオシグリコール酸、1.2−エタンジオール等
の2価のイオウを含む化合物、ニー1−1酢酸、P−ヨ
ードアニリン等のヨー1置換化合物、硫酸タリウム、酢
酸鉛について検削した結果いずれもその有効性が確認で
きた。
ウム、ヂオシグリコール酸、1.2−エタンジオール等
の2価のイオウを含む化合物、ニー1−1酢酸、P−ヨ
ードアニリン等のヨー1置換化合物、硫酸タリウム、酢
酸鉛について検削した結果いずれもその有効性が確認で
きた。
(発明の効果)
以上のように本発明に係るめっき浴によれば均一電着性
に優れ、電子部品等の小型かつ複雑な形状の製品にもニ
ッケル−ホウ素合金めっきを均・に施ずことができる。
に優れ、電子部品等の小型かつ複雑な形状の製品にもニ
ッケル−ホウ素合金めっきを均・に施ずことができる。
また無電解めっきによればめっき厚がl p m当番
り約10分の時間を要したのに対し、本発明に係る浴に
よれば1μm当り約1分のめっき時1jjjとなり、高
速性を達成し得た。
よれば1μm当り約1分のめっき時1jjjとなり、高
速性を達成し得た。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第1図はハルセル試験片のめっき膜厚測定点を示す説明
図、第2図は半導体装置用セラミックパッケージの平面
説明図を示す。 10・・・ステージ部、 12・・・インナーリード
部、 14・・・シールリング部。
図、第2図は半導体装置用セラミックパッケージの平面
説明図を示す。 10・・・ステージ部、 12・・・インナーリード
部、 14・・・シールリング部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ニッケル源および陽極溶解促進剤として塩化ニッケ
ル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケル、もしくはニ
ッケル源として硫酸ニッケルまたはスルファミン酸ニッ
ケルおよび陽極溶解促進剤として塩化ナトリウム、臭化
カリウム等のハロゲン化物と、電気伝導度塩として硫酸
、スルファミン酸またはメタンスルホン酸のアルカリ塩
と、緩衝剤と、さらにホウ素源として第2もしくは第3
アミンボランとを含む電解ニッケル−ホウ素合金めっき
浴。 2、浴中の金属ニッケルの含有量が0.01M/l〜1
.0M/lである特許請求の範囲第1項記載の電解ニッ
ケル−ホウ素合金めっき浴。 3、浴中の金属ニッケルと電気伝導度塩のモル比が1:
2以上である特許請求の範囲第1項または第2項記載の
電解ニッケル−ホウ素合金めっき浴。 4、緩衝剤としてホウ酸を用い、その含有量が0.1M
/l〜飽和である特許請求の範囲第1項、第2項または
第3項記載の電解ニッケル−ホウ素合金めっき浴。 5、第2または第3アミンボランの安定剤として2価の
イオウを含む有機化合物、ヨード置換化合物、タリウム
塩、鉛塩のうちより選択された化合物を0.1mg/l
以上単独または併用して添加して成る特許請求の範囲第
1項、第2項、第3項または第4項記載の電解ニッケル
−ホウ素合金めっき浴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22332386A JPS6379993A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22332386A JPS6379993A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379993A true JPS6379993A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16796351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22332386A Pending JPS6379993A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6379993A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11193215B2 (en) | 2017-04-20 | 2021-12-07 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Deposition method of Ni—P—B system electroplating film, the film, and slide member comprising the film |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6191384A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-09 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めつき方法 |
JPS6192778A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-10 | C Uyemura & Co Ltd | 被ハンダ付け部品 |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22332386A patent/JPS6379993A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6191384A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-09 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めつき方法 |
JPS6192778A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-10 | C Uyemura & Co Ltd | 被ハンダ付け部品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11193215B2 (en) | 2017-04-20 | 2021-12-07 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Deposition method of Ni—P—B system electroplating film, the film, and slide member comprising the film |
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