JPS6191384A - 電気めつき方法 - Google Patents
電気めつき方法Info
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- JPS6191384A JPS6191384A JP21233484A JP21233484A JPS6191384A JP S6191384 A JPS6191384 A JP S6191384A JP 21233484 A JP21233484 A JP 21233484A JP 21233484 A JP21233484 A JP 21233484A JP S6191384 A JPS6191384 A JP S6191384A
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- nickel
- electroplating
- bath
- plating bath
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
はニッケル合金めっき被膜を与える電気めっき方法に関
する。
する。
従来、ハンダ付は性の良好な電気めっき破膜としては、
ハンダめっき、錫めっき、金めつき、銀めっき等の被膜
が知られているが、これらのめつき法は材料が高価であ
ったシ、めっき浴管理が難かしい等の問題がるる。
ハンダめっき、錫めっき、金めつき、銀めっき等の被膜
が知られているが、これらのめつき法は材料が高価であ
ったシ、めっき浴管理が難かしい等の問題がるる。
これに対し、電気ニッケルめっきや電気ニッケル合金め
っき法は、材料も比較的安価で６Ｄ、浴管理も容易てお
るが、得られるめっき被膜は、光沢浴、半光沢浴、添加
剤無含有の無光沢浴のいずれからのものもハンダ付は性
に劣る。また、無電解ニッケルーリン合金めっき被膜の
ハンダ付は性も必ずしも十分でない。更に、ジメチルア
ミ／ボランを還元剤とする無電解ニッケルーリン合金め
っき被膜のハンダ付は性は上記のニッケルめつき破膜に
比べて比較的良好であるといわれているが、この無電解
二，ケルーホウ素めっき法はめつき速度が遅い等の問題
があ夛、またいずれにしても無を屏めつき法は電気めり
き法に比較してめっきコストが高くつく。
っき法は、材料も比較的安価で６Ｄ、浴管理も容易てお
るが、得られるめっき被膜は、光沢浴、半光沢浴、添加
剤無含有の無光沢浴のいずれからのものもハンダ付は性
に劣る。また、無電解ニッケルーリン合金めっき被膜の
ハンダ付は性も必ずしも十分でない。更に、ジメチルア
ミ／ボランを還元剤とする無電解ニッケルーリン合金め
っき被膜のハンダ付は性は上記のニッケルめつき破膜に
比べて比較的良好であるといわれているが、この無電解
二，ケルーホウ素めっき法はめつき速度が遅い等の問題
があ夛、またいずれにしても無を屏めつき法は電気めり
き法に比較してめっきコストが高くつく。
発明の概要
本発明者らは、上記事情に鑑み、眠気ニッケル又は二，
ケル合金めりき法により・・ンダ付は性に優れた電気め
りき破膜全与える方法につき鋭意研究を行なった結平、
第４級アンモニウム塩又は第４級アンモニウム塩とアミ
ンゲラン化合物とを添加した電気ニッケルめっき浴又は
眠気ニッケル合金めっき浴から得られためっき被膜のハ
ンダ付は性が非常に優れていることｔ知見した。即ち、
第４級アンモニウム塩を添加した電気ニッケル又はニッ
ケル合金めっき浴から得られためっき被膜は、従来の′
ｔ１気二、７ケル及びニッケル合金めっき浴から得られ
ろめっき被１摸は勿論、ツメチルアミンゲラン等のホウ
素系化合物を還元剤とする無電解ニッケルーホウ素合金
めっき被膜よシもハンダ付は注に優れ、また第４級アン
モニウムイ窩トアミンポラン化合物を併用した場合には
、従来よシハンダ付は注が優れているとされているハン
ダめっきや錫めっき破膜と同等もしくはそれ以上のハン
ダ付は性を有するめっき被膜が得られることを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
ケル合金めりき法により・・ンダ付は性に優れた電気め
りき破膜全与える方法につき鋭意研究を行なった結平、
第４級アンモニウム塩又は第４級アンモニウム塩とアミ
ンゲラン化合物とを添加した電気ニッケルめっき浴又は
眠気ニッケル合金めっき浴から得られためっき被膜のハ
ンダ付は性が非常に優れていることｔ知見した。即ち、
第４級アンモニウム塩を添加した電気ニッケル又はニッ
ケル合金めっき浴から得られためっき被膜は、従来の′
ｔ１気二、７ケル及びニッケル合金めっき浴から得られ
ろめっき被１摸は勿論、ツメチルアミンゲラン等のホウ
素系化合物を還元剤とする無電解ニッケルーホウ素合金
めっき被膜よシもハンダ付は注に優れ、また第４級アン
モニウムイ窩トアミンポラン化合物を併用した場合には
、従来よシハンダ付は注が優れているとされているハン
ダめっきや錫めっき破膜と同等もしくはそれ以上のハン
ダ付は性を有するめっき被膜が得られることを知見し、
本発明をなすに至ったものである。
従って、本発明は第４級アンモニウム塩又は第４級アン
モニウム塩とアミンゲラン化合物とを含有する電気ニッ
ケル又はニッケル合金めっさイ谷中ンて破めっき物を浸
漬し、電気めっきすることｒ４イ徴とする電気めっき方
法を提供するものである・本発明によれば、電気めっき
法を採用するので、無電解めっき法に比較してめっき速
度が大きく、まためっき被膜の内部応力を小さくするこ
ともでき、しかもめつきコストも安価である上、全硫酸
塩浴、全塩化物浴、ワット浴、スルファミン酸浴等の錯
化剤を含有しないいわゆる単純塩浴を使用することも可
能で、これによｐ排水処理上の問題を少なくすることが
できる。
モニウム塩とアミンゲラン化合物とを含有する電気ニッ
ケル又はニッケル合金めっさイ谷中ンて破めっき物を浸
漬し、電気めっきすることｒ４イ徴とする電気めっき方
法を提供するものである・本発明によれば、電気めっき
法を採用するので、無電解めっき法に比較してめっき速
度が大きく、まためっき被膜の内部応力を小さくするこ
ともでき、しかもめつきコストも安価である上、全硫酸
塩浴、全塩化物浴、ワット浴、スルファミン酸浴等の錯
化剤を含有しないいわゆる単純塩浴を使用することも可
能で、これによｐ排水処理上の問題を少なくすることが
できる。
本発明方法から得られるめっき被膜は、上述したように
ハンダ付は注が良好でらる力；、更に梯々のろう付は性
、溶接性にも優れているものである。
ハンダ付は注が良好でらる力；、更に梯々のろう付は性
、溶接性にも優れているものである。
また、通常の眠気ニッケルめっき被、・漢は４００℃程
度の高温に加熱すると著しく変色する場合があるが、特
にアミンボラン化合物を添加しためっき浴から得られる
めっき被膜は４００℃程度の高温で加熱しても変色がな
く、めっきしたままの光沢が維持されるという特徴を有
する（なお、この耐変色性能は、本発明者の検討による
と、アミンピラン類のゲランへの付加体として用いられ
ているアミン類−と単独でめっき浴中に添加しても、得
られるめっき被膜には耐変色性能がないので、この性能
はボラン類に由来するものと考えられた）。
度の高温に加熱すると著しく変色する場合があるが、特
にアミンボラン化合物を添加しためっき浴から得られる
めっき被膜は４００℃程度の高温で加熱しても変色がな
く、めっきしたままの光沢が維持されるという特徴を有
する（なお、この耐変色性能は、本発明者の検討による
と、アミンピラン類のゲランへの付加体として用いられ
ているアミン類−と単独でめっき浴中に添加しても、得
られるめっき被膜には耐変色性能がないので、この性能
はボラン類に由来するものと考えられた）。
それ故、本発明によυ得られるめっき被膜は、このよう
に優れたハンダ付は性等の性能を有するため、現在ハン
ダ付は等の目的で行なわれているハンダ、錫、金、銀め
りき等の代υに本発明電気ニッケル及びニッケル合金め
っき方法を採用でき、例えばリードフレーム、フープ、
半導体部品、コンデンサー、抵抗体、コイル、リレー、
スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント配線基
板等、種々の電気、ζ子部品のめっきに好適に採用し得
る。
に優れたハンダ付は性等の性能を有するため、現在ハン
ダ付は等の目的で行なわれているハンダ、錫、金、銀め
りき等の代υに本発明電気ニッケル及びニッケル合金め
っき方法を採用でき、例えばリードフレーム、フープ、
半導体部品、コンデンサー、抵抗体、コイル、リレー、
スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント配線基
板等、種々の電気、ζ子部品のめっきに好適に採用し得
る。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
発明の購成
本発明に係るめっき方法は、第４級アンモニウム塩又は
これにアミンゲラン化合物を添加した電気ニッケルめっ
き浴又は’ｌｆｉニッケル合金めっき浴中に被めっき物
を浸漬し、所用の電気を通じて電気めっきを行なうもの
である。
これにアミンゲラン化合物を添加した電気ニッケルめっ
き浴又は’ｌｆｉニッケル合金めっき浴中に被めっき物
を浸漬し、所用の電気を通じて電気めっきを行なうもの
である。
ここで、電気ニッケル合金めっき浴を使用する場合、ニ
ッケルと合金を形成する金属又は非金属としては、コバ
ルト、鉄、鳩、鉛、銅、クロム、亜鉛、ビスマス、イン
ジウム、タングステン、モリブデン、砒素、アンチモン
、リン等が挙げられるが、ハンダ付は性の点からは、コ
バルト、鉄、タングステン、リンが好ましい。これらの
合金成分の含有量は必ずしも制限されないが、めっき被
膜中に２０チ（重量％゛、以下同じ）以下、特に５チ以
下含有することが好ましい。
ッケルと合金を形成する金属又は非金属としては、コバ
ルト、鉄、鳩、鉛、銅、クロム、亜鉛、ビスマス、イン
ジウム、タングステン、モリブデン、砒素、アンチモン
、リン等が挙げられるが、ハンダ付は性の点からは、コ
バルト、鉄、タングステン、リンが好ましい。これらの
合金成分の含有量は必ずしも制限されないが、めっき被
膜中に２０チ（重量％゛、以下同じ）以下、特に５チ以
下含有することが好ましい。
また、電気ニッケルめりき浴及び電気ニッケル合金めっ
き浴としては、全硫酸浴、全塩化物浴、ワット浴、スル
ファミン酸浴、凛機又は有機化合物による錯化浴、ホウ
７ツ化浴等が用いられる。
き浴としては、全硫酸浴、全塩化物浴、ワット浴、スル
ファミン酸浴、凛機又は有機化合物による錯化浴、ホウ
７ツ化浴等が用いられる。
これらめっき浴の−、それにめっき条件は、使用するめ
っき浴の４ｊｉＤ等によって違定され、例えば…は約１
〜１４、特に約２〜１３、めっき温度は約１０〜９０℃
、特に約３５〜６０℃、陰極；流ヱ度（ｐｋ）は約０．
０１〜１００ Ａ７ｄｍ２、特に約０１〜Ｉ ＯＡ／ｄ
ｍ２とすることができる。また、必要によυ液撹拌を行
なうこともてきるが、この場合液撹拌方ン去としては、
空気Ｘｆ拌、カソードロッキング、ポンプによる液循環
、プロペラ式攪拌機による液塚拌等の方法が採用し得る
。
っき浴の４ｊｉＤ等によって違定され、例えば…は約１
〜１４、特に約２〜１３、めっき温度は約１０〜９０℃
、特に約３５〜６０℃、陰極；流ヱ度（ｐｋ）は約０．
０１〜１００ Ａ７ｄｍ２、特に約０１〜Ｉ ＯＡ／ｄ
ｍ２とすることができる。また、必要によυ液撹拌を行
なうこともてきるが、この場合液撹拌方ン去としては、
空気Ｘｆ拌、カソードロッキング、ポンプによる液循環
、プロペラ式攪拌機による液塚拌等の方法が採用し得る
。
なお、めっき浴中の塩類５式を高くすると共に、めっき
温度を高くし、かつ強攪拌を採用することによジ１１７
ｉ速めつきを行なうことができ、また通常のラックを用
いるめっき法以外に、めっき浴中の塩濃度、めっき条件
を適宜選定することによシ、バレルめりき、撮動めっき
等の各種めっき法を採用し得る。
温度を高くし、かつ強攪拌を採用することによジ１１７
ｉ速めつきを行なうことができ、また通常のラックを用
いるめっき法以外に、めっき浴中の塩濃度、めっき条件
を適宜選定することによシ、バレルめりき、撮動めっき
等の各種めっき法を採用し得る。
本発明に使用し得る電気ニッケルめっき浴の代表的な例
を下記に示す。
を下記に示す。
１、 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０？／ＩＮ ｉ Ｃｌ
−２・６Ｈ２０４５Ｎ Ｈ３ＢＯ３４０〃 ｐｔ４ ５．０温度
５５℃ Ｄｋ ５ Ａ／ｄｍ”２、
ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０２８０めｑＨ５ＢＯ３４０１
／ ｄ（５，０ 温度 ５５Ｃ Ｄｋ４ Ａ７ｄｍ” ３、 ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０６０ｈクエチレンノアミ
ン １２０ 〃ＮａＯＨ８０／／ ＰＨ１２，５ 温度 ５５℃ Ｄｋ
３ Ａ／／ｄｍス４、 ＮｌＳ
Ｏ４・６Ｈ２０８０３句クエン酸ナトリウム
４０ Ｋ乳酸 ２０ 〃 ｐ）１ ７．０温度
４０℃ Ｄｋ ３ Ａ７ｄｍ”５、
ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０６０５！−／ｌＮＩＣ１２・６
Ｈ２０２０＃ ピロリン酸カリウム １５０ 〃ＰＨ１
０，０ 温度 ６０℃Ｄｋ
３ Ｖｄｒｎ２６
、 ＮｉＳＯ４・７Ｈ２０２５０？／ｌＮ１ｃｔ２・
６１（２０４０１ （ＮＨ４）２Ｓｏ４Ｚｏｏ ＃ ｐＨ（アンモニアで調整→ ８．５温度
５０℃ Ｄｋ ４ Ａ７ｄ
ｍ２７、 〜５（ＢＦ４）２ ２２
ｏｐ、／ｚＨ，ＢＯ３３０＃ ｐ）１ ３．０〜４．５
温度 ５０〜６０℃Ｄｋ
７ Ａ／ｄｍ”８、 スル
ファミン酸二、ケル ３００ ＩＰ／１ＮＩＣ
６２・６Ｈ２０１０Ｎ Ｈ３ＢＯ３３０〃 Ｐｉ−１３，５〜４．５ 温度 ３０〜６０℃Ｄｋ
２〜２５ Ａ／ｄｒｒ＋”９
スルファミン緻ニッケル ４５０ ！！−／
１）Ｉ、ＢＯ３３０〃 ｐ）（３〜５ 温度 ４０〜６０℃Ｄｋ
２〜３ Ａ／ｄｍ２１
０、 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０８０〜１５０ ｆ／ＩＮ
ＩＣｊ２・６Ｈ２０４０〜１１０〃 硫酸第１鉄 ５〜２０〃 Ｈ３Ｂ０３４０〜５０Ｉ ｐ！（２，８〜３．５ 温度 ５５〜６５℃Ｄｋ
２〜８．．’Ａ／ｄｍ２な
お、合金めっきの場合は上記の浴に合金化に必要な適宜
な垣類を添加する。
−２・６Ｈ２０４５Ｎ Ｈ３ＢＯ３４０〃 ｐｔ４ ５．０温度
５５℃ Ｄｋ ５ Ａ／ｄｍ”２、
ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０２８０めｑＨ５ＢＯ３４０１
／ ｄ（５，０ 温度 ５５Ｃ Ｄｋ４ Ａ７ｄｍ” ３、 ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０６０ｈクエチレンノアミ
ン １２０ 〃ＮａＯＨ８０／／ ＰＨ１２，５ 温度 ５５℃ Ｄｋ
３ Ａ／／ｄｍス４、 ＮｌＳ
Ｏ４・６Ｈ２０８０３句クエン酸ナトリウム
４０ Ｋ乳酸 ２０ 〃 ｐ）１ ７．０温度
４０℃ Ｄｋ ３ Ａ７ｄｍ”５、
ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０６０５！−／ｌＮＩＣ１２・６
Ｈ２０２０＃ ピロリン酸カリウム １５０ 〃ＰＨ１
０，０ 温度 ６０℃Ｄｋ
３ Ｖｄｒｎ２６
、 ＮｉＳＯ４・７Ｈ２０２５０？／ｌＮ１ｃｔ２・
６１（２０４０１ （ＮＨ４）２Ｓｏ４Ｚｏｏ ＃ ｐＨ（アンモニアで調整→ ８．５温度
５０℃ Ｄｋ ４ Ａ７ｄ
ｍ２７、 〜５（ＢＦ４）２ ２２
ｏｐ、／ｚＨ，ＢＯ３３０＃ ｐ）１ ３．０〜４．５
温度 ５０〜６０℃Ｄｋ
７ Ａ／ｄｍ”８、 スル
ファミン酸二、ケル ３００ ＩＰ／１ＮＩＣ
６２・６Ｈ２０１０Ｎ Ｈ３ＢＯ３３０〃 Ｐｉ−１３，５〜４．５ 温度 ３０〜６０℃Ｄｋ
２〜２５ Ａ／ｄｒｒ＋”９
スルファミン緻ニッケル ４５０ ！！−／
１）Ｉ、ＢＯ３３０〃 ｐ）（３〜５ 温度 ４０〜６０℃Ｄｋ
２〜３ Ａ／ｄｍ２１
０、 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０８０〜１５０ ｆ／ＩＮ
ＩＣｊ２・６Ｈ２０４０〜１１０〃 硫酸第１鉄 ５〜２０〃 Ｈ３Ｂ０３４０〜５０Ｉ ｐ！（２，８〜３．５ 温度 ５５〜６５℃Ｄｋ
２〜８．．’Ａ／ｄｍ２な
お、合金めっきの場合は上記の浴に合金化に必要な適宜
な垣類を添加する。
本発明においては、上述した電気ニッケル又は二、ケル
合金めっき浴に第４！＆アンモニウム塩を添加するもの
であるが、この場合第４級アンモニウム塩としては、下
記（Ａ）式で示されるピリジン骨格を有する第４Ｒアン
モニウム塩並びに（Ｂ）式及び（Ｃ）式で示される化合
物が好適に用いられる。
合金めっき浴に第４！＆アンモニウム塩を添加するもの
であるが、この場合第４級アンモニウム塩としては、下
記（Ａ）式で示されるピリジン骨格を有する第４Ｒアン
モニウム塩並びに（Ｂ）式及び（Ｃ）式で示される化合
物が好適に用いられる。
但し、（Ａ）式において、
Ｒ５は（１）炭素数１〜１８の鎖状アルキル基：（２）
炭素数１〜１８の環状アルキル基；（３）合計炭素数６
〜１８で、１１固以上の芳香環を含有する基； ＜４＞］１３〜１５のへテロ環を含有する基； （５）炭素数９〜１８の芳香環及びヘテロ環を含有する
基； （６）ヒドロキシエチル基； （７）ヒドロキシグロピル基；又は （３）エチレンオキシド及び／又ハフロヒレンオキシド
の重合物で重合度２０まで のもの であシ、 Ｒ２及びＲ３はそれぞれ （１）炭素数１〜４のアルキル基； （２）カル？キシル基又はその水素原子が金属原子で置
換されたもの； （３） −ＣＯＮＨ２又はその誘導体；又は（４）水素
原子 でらるか（なお、Ｒ２とＲ３は互に同一であっても異な
っていてもよく、またオルト、メタ、）そう位のいずれ
の装置関係にあってもよい）、或いは（５） Ｒ２とＲ
３とで環を形成する （例えばベンゼン環を形成することによシ、ピリジン環
との間でキノリン、イソキノリン等の環状体を形成する
）ものでアシ、そして Ｘ’ ｆｄ ハＯ’ｒ’ ンイオン、Ｎｏ−１Ｓ０２−
１ＣＨ５ＣＯＯ−等でおる。
炭素数１〜１８の環状アルキル基；（３）合計炭素数６
〜１８で、１１固以上の芳香環を含有する基； ＜４＞］１３〜１５のへテロ環を含有する基； （５）炭素数９〜１８の芳香環及びヘテロ環を含有する
基； （６）ヒドロキシエチル基； （７）ヒドロキシグロピル基；又は （３）エチレンオキシド及び／又ハフロヒレンオキシド
の重合物で重合度２０まで のもの であシ、 Ｒ２及びＲ３はそれぞれ （１）炭素数１〜４のアルキル基； （２）カル？キシル基又はその水素原子が金属原子で置
換されたもの； （３） −ＣＯＮＨ２又はその誘導体；又は（４）水素
原子 でらるか（なお、Ｒ２とＲ３は互に同一であっても異な
っていてもよく、またオルト、メタ、）そう位のいずれ
の装置関係にあってもよい）、或いは（５） Ｒ２とＲ
３とで環を形成する （例えばベンゼン環を形成することによシ、ピリジン環
との間でキノリン、イソキノリン等の環状体を形成する
）ものでアシ、そして Ｘ’ ｆｄ ハＯ’ｒ’ ンイオン、Ｎｏ−１Ｓ０２−
１ＣＨ５ＣＯＯ−等でおる。
但し、（Ｂ）及び（Ｃ）式において、
Ｒ４及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又は
ヒドロキシアルキル基で１（Ｒ１とＲ２ハ互に同じでも
異なっていてもよい）、 Ｒ３は炭素数１〜１８の鎖状アルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、環状アルキル基、炭素数６〜１８で芳香＠を
含有する基、炭素数３〜１５でヘテロ環を含有する基、
又は炭素数９〜１８で芳香環とへテロ環とを含有する基
であり、 Ｒ４は−ＣＨ２Ｃ０ＯＨ基、その水素原子を金属原子で
置換したもの、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシグロピ
ル基、エチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド
の重合物で重合度２０″１でのもの、又はペンノル基又
はその誘導体でろシ、Ｒ５は炭素数１〜１０の直鎖又は
分枝鎖のアルキレン基でおシ、そして ｚ３ ハハＯｙ ンイオン、Ｎｏ−１ｓｏ２−１Ｃ）（
３ＣＯＯ−等である。
ヒドロキシアルキル基で１（Ｒ１とＲ２ハ互に同じでも
異なっていてもよい）、 Ｒ３は炭素数１〜１８の鎖状アルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、環状アルキル基、炭素数６〜１８で芳香＠を
含有する基、炭素数３〜１５でヘテロ環を含有する基、
又は炭素数９〜１８で芳香環とへテロ環とを含有する基
であり、 Ｒ４は−ＣＨ２Ｃ０ＯＨ基、その水素原子を金属原子で
置換したもの、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシグロピ
ル基、エチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド
の重合物で重合度２０″１でのもの、又はペンノル基又
はその誘導体でろシ、Ｒ５は炭素数１〜１０の直鎖又は
分枝鎖のアルキレン基でおシ、そして ｚ３ ハハＯｙ ンイオン、Ｎｏ−１ｓｏ２−１Ｃ）（
３ＣＯＯ−等である。
以下に本発明に用いる第４級アンモニウム塩の代表例を
示す。
示す。
ＯＯＨ
＜５） （６ン（７
） ＜８）ＯＨ （但し、ｎは約１０） ａや ＣＩ（３０Ｈ２ＣＯＯＨ 上述した第４級アンモニウム塩は、その１種を単独で使
用しても２ ｔ＊以上を組合せて用いてもよい。その添
加蓋は必ずしも制限されない妙：、０．０１〜１０１−
／ｌ 、特に０．１〜１νｌとすること妙：好ましい。
） ＜８）ＯＨ （但し、ｎは約１０） ａや ＣＩ（３０Ｈ２ＣＯＯＨ 上述した第４級アンモニウム塩は、その１種を単独で使
用しても２ ｔ＊以上を組合せて用いてもよい。その添
加蓋は必ずしも制限されない妙：、０．０１〜１０１−
／ｌ 、特に０．１〜１νｌとすること妙：好ましい。
また、勾発明においては、上述した第４級アンモニウム
夷に加えてアミンプラン化合物を添加することができ、
第４級アンモニウム塩と７ミンデラン化合物とを併用す
ることによシ、めっき被膜のハンダ付は性を更に向上さ
せることができる。
夷に加えてアミンプラン化合物を添加することができ、
第４級アンモニウム塩と７ミンデラン化合物とを併用す
ることによシ、めっき被膜のハンダ付は性を更に向上さ
せることができる。
ここで、アミンプラン化合物としては、例えばトリメチ
ルアミンピラン、モルフｔりンゲラン、Ｎ−メチルモル
フォリンポラン、モルフォリンジエチルゲラン、タージ
ャリープチルアミンボラン、ジメチルアミンブラン、ジ
エチルアミンプラン、ピリジンビラン、ピコリンボラン
、ジメチルグロビルアミソビラン、アニリンゲラ／、ジ
メチルアミンジメチルブラ／、トリエチルアミンプラン
、ソメチルドデシルアミンデラン、ビリランゲラン、ビ
４ラノンゼラン、２−メトキシエテルジメチルアミンボ
ラン、ジイソプロピルアミンポラン等が挙げられ、これ
らの１種又は２種以上を組合せて使用することができる
が、これらのうちでは下記ミンの？ラン付加体が好適に
用いられる。
ルアミンピラン、モルフｔりンゲラン、Ｎ−メチルモル
フォリンポラン、モルフォリンジエチルゲラン、タージ
ャリープチルアミンボラン、ジメチルアミンブラン、ジ
エチルアミンプラン、ピリジンビラン、ピコリンボラン
、ジメチルグロビルアミソビラン、アニリンゲラ／、ジ
メチルアミンジメチルブラ／、トリエチルアミンプラン
、ソメチルドデシルアミンデラン、ビリランゲラン、ビ
４ラノンゼラン、２−メトキシエテルジメチルアミンボ
ラン、ジイソプロピルアミンポラン等が挙げられ、これ
らの１種又は２種以上を組合せて使用することができる
が、これらのうちでは下記ミンの？ラン付加体が好適に
用いられる。
ＦＬ−ＮＢＨ，・・・（Ｄ）
（但口、Ｒ１，Ｒ２及びＲ３はそれぞれメチル基又はエ
チル基を示し、Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は互に同じでおって
も異なっていてもよい。） ＣＩ（、（ＯＣＲ２ＣＩ（２）ｎＮ（ＣＩ（、）２ＢＨ
３・・・（Ｅ）（但し、ｎは１〜４の整数である。） （但し、Ｒはメチル基又はエチル基を示す。）上記の第
３級アミンボランは、水及びニッケル、コバルト、鉄イ
オン等によって分解され雌いため、全硫酸浴、全垣化物
浴、ワット浴、スルファミン酸浴等の錯化剤を含まない
単純塩浴に対して好適にイφ用り揚る、これに対ｔ−１
筆１巧アミンボランや第２級アミンビランは水、ニッケ
ル、コバルト、鉄イオン等によって若干分解されること
がおるので、めっき浴のＰＨを上げたシ、これらのイオ
ンを封鎖する錯化剤を添加することが好ましい。
チル基を示し、Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は互に同じでおって
も異なっていてもよい。） ＣＩ（、（ＯＣＲ２ＣＩ（２）ｎＮ（ＣＩ（、）２ＢＨ
３・・・（Ｅ）（但し、ｎは１〜４の整数である。） （但し、Ｒはメチル基又はエチル基を示す。）上記の第
３級アミンボランは、水及びニッケル、コバルト、鉄イ
オン等によって分解され雌いため、全硫酸浴、全垣化物
浴、ワット浴、スルファミン酸浴等の錯化剤を含まない
単純塩浴に対して好適にイφ用り揚る、これに対ｔ−１
筆１巧アミンボランや第２級アミンビランは水、ニッケ
ル、コバルト、鉄イオン等によって若干分解されること
がおるので、めっき浴のＰＨを上げたシ、これらのイオ
ンを封鎖する錯化剤を添加することが好ましい。
なお、上述したアミンボラン化合物の添加量は４がｌ以
下、好ましくは１〜２？／ｌ、特に０．５〜１がｌ以下
である。
下、好ましくは１〜２？／ｌ、特に０．５〜１がｌ以下
である。
また、上記アミンボラン化合物を使用する場合、特に第
１級及び第２級アミンを使用する場合、めっき液による
これらアミンボラン化合物の分解及びアノード表面にお
けるアミンボラン化合物の分解を抑制する添加剤、例示
すると２．２７−チオノエタノール、３．３’−チオノ
プロピオニトリル、２−メルカノトベンゾチアゾール、
２−メルカプト−１−メチルイミダゾール、３．３’−
イミノジプロピオニトリル、４−アミノベンゾニトリル
、カド０ミウムノ藩、水−Ｉｉ！！塩、鉛塩、タリウム
塩、１，１，３．３−テトラメチルチオ尿素、チオ尿素
、ヨウ素酸塩、臭素ぼ塩等の１ａ又は２８以上を通常０
．１ジノ以下のα度で添加することができる。
１級及び第２級アミンを使用する場合、めっき液による
これらアミンボラン化合物の分解及びアノード表面にお
けるアミンボラン化合物の分解を抑制する添加剤、例示
すると２．２７−チオノエタノール、３．３’−チオノ
プロピオニトリル、２−メルカノトベンゾチアゾール、
２−メルカプト−１−メチルイミダゾール、３．３’−
イミノジプロピオニトリル、４−アミノベンゾニトリル
、カド０ミウムノ藩、水−Ｉｉ！！塩、鉛塩、タリウム
塩、１，１，３．３−テトラメチルチオ尿素、チオ尿素
、ヨウ素酸塩、臭素ぼ塩等の１ａ又は２８以上を通常０
．１ジノ以下のα度で添加することができる。
更に、上記アミンビラン化合物に加えて、Ｎ息ＢＨ４、
ＫＢＨ４、ノブ２ン、テトラボラン、デカプラン化合物
等を添加することができる。
ＫＢＨ４、ノブ２ン、テトラボラン、デカプラン化合物
等を添加することができる。
本発明において、電気ニッケル又はニッケル合金めっき
浴には必敦に応じて通常これらめっき浴に使用する一次
光沢剤又は応力減少剤や二次光沢剤又はレベラーを加え
ても差支えない。
浴には必敦に応じて通常これらめっき浴に使用する一次
光沢剤又は応力減少剤や二次光沢剤又はレベラーを加え
ても差支えない。
この場合、−次光沢剤又は応力減少剤としては、サッカ
リンナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、２．
７−ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６−
ナフタリントリスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホ
ンアミド、３．３−チオノプロピオニトリル、チオ硫酸
ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、アゾジスルホン敵ナト
リウム、クマリン、安息香酸、フタル酸、樟脳酸、酢酸
等が例示され、これらのＩｆｌｍ又は２種以上を通常０
６０１〜１０？／１％特に０．０１〜０．３５？−／ｌ
の範囲で添加することができるが、有機又は無機硫黄化
合物を多量に添加するとめつき被膜中の硫黄量が多くな
シ、めっき被膜のハンダ付は性全低下させたり、加熱に
よる２色を生じさせたり、更には耐食性を低下させ、詭
黄脆住を生じさせる場合があるので、硫黄 。
リンナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、２．
７−ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１．３．６−
ナフタリントリスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホ
ンアミド、３．３−チオノプロピオニトリル、チオ硫酸
ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、アゾジスルホン敵ナト
リウム、クマリン、安息香酸、フタル酸、樟脳酸、酢酸
等が例示され、これらのＩｆｌｍ又は２種以上を通常０
６０１〜１０？／１％特に０．０１〜０．３５？−／ｌ
の範囲で添加することができるが、有機又は無機硫黄化
合物を多量に添加するとめつき被膜中の硫黄量が多くな
シ、めっき被膜のハンダ付は性全低下させたり、加熱に
よる２色を生じさせたり、更には耐食性を低下させ、詭
黄脆住を生じさせる場合があるので、硫黄 。
化合物は添加しない〃ユ、添加しても少量とすることが
好ましい。
好ましい。
また、二次光沢剤又はレペラーとしては、２−グテンー
１，４−ジオール、７’ｅｒノ（ギルアルコール、２−
ブチン−１，４−ジオールにエチレンオキシドやプロピ
レンオキシドを付加した化合物、プロパイルアルコール
にエチレンオキシドやプロピレンオキシドを付加した化
合物、アリールスルホン醒ナトリウム、プロノールギル
スルホン酸ナトリウム、３．３−チオノプロピオニトリ
ル、ホルマリン、更には１−ジメチルアミノ−２−グロ
ビン、１−ジエチルアミノ−２−プロピン、１−ジメチ
ルアミン−４−ヒドロキシ−２−プロピン、１−ジエチ
ルアミン−４−ヒドロキ／−２−プロピンなトドいった
アミノアセチレン化合物やアミノアセチレンアルコール
等が例示され、これらの１棟又は２棟以上が使用し得る
が、これらの中では特にハンダ付は性の点でアミノアセ
チレン什公物−丁タノアセチレンアルコールが好適に用
いられる。その添加量は、多量に添加するとめつき応力
が増大するので少なめとすることが望ましく、０．０１
〜０．５？／ｌ 、 ＠に０．０１〜０．３１”／ｌ
６匹が適当である。
１，４−ジオール、７’ｅｒノ（ギルアルコール、２−
ブチン−１，４−ジオールにエチレンオキシドやプロピ
レンオキシドを付加した化合物、プロパイルアルコール
にエチレンオキシドやプロピレンオキシドを付加した化
合物、アリールスルホン醒ナトリウム、プロノールギル
スルホン酸ナトリウム、３．３−チオノプロピオニトリ
ル、ホルマリン、更には１−ジメチルアミノ−２−グロ
ビン、１−ジエチルアミノ−２−プロピン、１−ジメチ
ルアミン−４−ヒドロキシ−２−プロピン、１−ジエチ
ルアミン−４−ヒドロキ／−２−プロピンなトドいった
アミノアセチレン化合物やアミノアセチレンアルコール
等が例示され、これらの１棟又は２棟以上が使用し得る
が、これらの中では特にハンダ付は性の点でアミノアセ
チレン什公物−丁タノアセチレンアルコールが好適に用
いられる。その添加量は、多量に添加するとめつき応力
が増大するので少なめとすることが望ましく、０．０１
〜０．５？／ｌ 、 ＠に０．０１〜０．３１”／ｌ
６匹が適当である。
本発明に係るめっき方法は、上記の第４級アンモニウム
塩又はこれに７ミンボラン化合物を加えた電気品′ツケ
ル又はニッケル合金めっき浴に被めっき物を浸漬し、こ
れを陰極として陽極との間に所用の電圧を印加し、電気
めっきを行なうものでおるが、この場合被め・つき物と
しては、スチール、鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛
、これらの合金等の金属素材、プラスチックやセラミッ
ク等の非金属累材に導電化処理を施したものなどが使用
し得、またこれらに直接本発明のめつき処理を施すこと
もできるが、銅、無光沢二／ケル、半光沢ニッケル、光
沢ニッケルなどの下地めっき破膜を単層又は複層形成し
た上に本発明めっき処理を施すこともてきる。なお、陽
極としては、炭素棒、白金板等の不溶性陽極を用いても
よいが、ニッケル板、ニッケルボール等のニッケル陽極
が好ましく、例えば１気ニッケル、デボラライズドニッ
ケル、カーボナイズドニッケル等を用いることができる
Ｏ 具体的には、被めっき物として、リードフレーム、フー
プ、半導体部品、コ／７″ンサー、抵抗体、コイル、リ
レー、スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント
配線基板等を挙げることができ、これら抜めつき物の種
類に応じた前処理を箔した後、本発明めっき法を適用す
ることができる。
塩又はこれに７ミンボラン化合物を加えた電気品′ツケ
ル又はニッケル合金めっき浴に被めっき物を浸漬し、こ
れを陰極として陽極との間に所用の電圧を印加し、電気
めっきを行なうものでおるが、この場合被め・つき物と
しては、スチール、鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛
、これらの合金等の金属素材、プラスチックやセラミッ
ク等の非金属累材に導電化処理を施したものなどが使用
し得、またこれらに直接本発明のめつき処理を施すこと
もできるが、銅、無光沢二／ケル、半光沢ニッケル、光
沢ニッケルなどの下地めっき破膜を単層又は複層形成し
た上に本発明めっき処理を施すこともてきる。なお、陽
極としては、炭素棒、白金板等の不溶性陽極を用いても
よいが、ニッケル板、ニッケルボール等のニッケル陽極
が好ましく、例えば１気ニッケル、デボラライズドニッ
ケル、カーボナイズドニッケル等を用いることができる
Ｏ 具体的には、被めっき物として、リードフレーム、フー
プ、半導体部品、コ／７″ンサー、抵抗体、コイル、リ
レー、スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント
配線基板等を挙げることができ、これら抜めつき物の種
類に応じた前処理を箔した後、本発明めっき法を適用す
ることができる。
ここで、本発明めっき法によりめっき被膜を形成する場
合、そのめっき被膜の膜厚は必ずしも制限されず、被め
っき物の禎頓等によシ適宜選定されるが、一般に１〜２
０μｍ％％に２〜５μｍとすることが好ましい。
合、そのめっき被膜の膜厚は必ずしも制限されず、被め
っき物の禎頓等によシ適宜選定されるが、一般に１〜２
０μｍ％％に２〜５μｍとすることが好ましい。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、ハンダ付は性に優
れた電気ニッケル又は二、ケル合金めつき被膜を得るこ
とができ、種々の電気、を子部品等に対し、ハンダ付は
性を付与するためのめつき法として有効に採用すること
ができる。
れた電気ニッケル又は二、ケル合金めつき被膜を得るこ
とができ、種々の電気、を子部品等に対し、ハンダ付は
性を付与するためのめつき法として有効に採用すること
ができる。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。
〔実施例１〕
・ぐフ研孝した銅板を５０Ｘ５ＸＱ、５ｍ に切断し、
これを脱脂、水洗、酸洗、水洗した後、下記組成のめっ
き浴を用い、下記のめつき条件で′慕気ニアケルめりき
を行なった。
これを脱脂、水洗、酸洗、水洗した後、下記組成のめっ
き浴を用い、下記のめつき条件で′慕気ニアケルめりき
を行なった。
めっき浴組成
ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０２８０ｊ；ｉ−／ｌＮＩＣ１２・
６）（２０２０Ｎ ）（、ＢＱ３４０ Ｉ Ｎ−ベンジルニコチン［塩化物０．３ ｙｐＨ５，２ めっき１条件 陰ｆｉｂ ｔ ｆＮ、密度 ３ Ａ
／ｄｍ”めっき温度 ４５ Ｃ攪拌
空気 陽極 ニッケルめつき
膜厚 ３ μｍ〔実施例２〕 Ｎ−ベンジルニコチン酸塩化物の代りにエピクロルヒド
リンでピリジン核の窒素原子を４級化したニコチン酸ア
ミドを使用した以外は実施例１と同様にしてめっきを行
なった。
６）（２０２０Ｎ ）（、ＢＱ３４０ Ｉ Ｎ−ベンジルニコチン［塩化物０．３ ｙｐＨ５，２ めっき１条件 陰ｆｉｂ ｔ ｆＮ、密度 ３ Ａ
／ｄｍ”めっき温度 ４５ Ｃ攪拌
空気 陽極 ニッケルめつき
膜厚 ３ μｍ〔実施例２〕 Ｎ−ベンジルニコチン酸塩化物の代りにエピクロルヒド
リンでピリジン核の窒素原子を４級化したニコチン酸ア
ミドを使用した以外は実施例１と同様にしてめっきを行
なった。
〔実施例３〕
下記組成のめつき浴を用い、実施例１と同様にしてめっ
きを行なった□ めっき浴組成 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０Ｊｉ’／ＩＮ ｓ Ｃ６２
・６Ｈ２０２０〃 ）（３Ｂ０． ４０ 〃
第４Ｒアンモニウム塩＊０．３ ７ ノメチルアミ／ポラン ０．５〃ｐ＋
４ ５．２＊
エピクロルヒドリンでピリジン核の窒素原子を４級化し
たニコチン酸アミドを使用。
きを行なった□ めっき浴組成 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０Ｊｉ’／ＩＮ ｓ Ｃ６２
・６Ｈ２０２０〃 ）（３Ｂ０． ４０ 〃
第４Ｒアンモニウム塩＊０．３ ７ ノメチルアミ／ポラン ０．５〃ｐ＋
４ ５．２＊
エピクロルヒドリンでピリジン核の窒素原子を４級化し
たニコチン酸アミドを使用。
〔実施例４〕
下記組成のめつき浴を用い、実施例１と同様にしてめっ
きを行なった。
きを行なった。
めっき浴組成
ＮｌＳＯ４・６Ｈ２０２８０ν！
Ｎ ｉ Ｃ１２・６Ｈ２０２０Ｎ
Ｈ３Ｂ０． ４０ ｔｒＮ−
ベンジルニコチン［無７ｊＪ）ＩＩ Ｏ，３７
Ｆトリメチルアミンプラン ０．５１１
−ジエチルアミノ−２−フ″ロノそン ０，１〃ＰＩ
（５・２ 〔比較例１〕 下記組成のめつき浴を用い、下記の条件で電気ニッケル
めっきを行な巳だ。
ベンジルニコチン［無７ｊＪ）ＩＩ Ｏ，３７
Ｆトリメチルアミンプラン ０．５１１
−ジエチルアミノ−２−フ″ロノそン ０，１〃ＰＩ
（５・２ 〔比較例１〕 下記組成のめつき浴を用い、下記の条件で電気ニッケル
めっきを行な巳だ。
めっき浴組成
ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０Ｐ／ｌ
ＮＩＣＩ２・６Ｈ２０２０ｆ
Ｈ３Ｂ０３４０ Ｎ
ＰＦ（５，２
めっき条件
陰極二元密度 ３ Ａ／’ｄｍ２めつ
き温度 ４５℃ 攪拌 空気 陽極 ニッケルめつき
膜厚 ３ μｍ〔比較例２〕 比較例１のめっき液にサッカリンナ） ＩＪウム２、り
′【と２−ブチン−１，４−ジオール０．２Ｊ？を添加
しためつき浴を用ｂ１比収例１と同様にしてめっきを行
なった。
き温度 ４５℃ 攪拌 空気 陽極 ニッケルめつき
膜厚 ３ μｍ〔比較例２〕 比較例１のめっき液にサッカリンナ） ＩＪウム２、り
′【と２−ブチン−１，４−ジオール０．２Ｊ？を添加
しためつき浴を用ｂ１比収例１と同様にしてめっきを行
なった。
〔比較例３〕
下記組成の無電解ニッケルーホウ素合金めつき浴を使用
し、上記銅板上に３μｍの無電解ニッ＋ルーホウ素合金
めっき被膜を形成した。
し、上記銅板上に３μｍの無電解ニッ＋ルーホウ素合金
めっき被膜を形成した。
めっき浴組成
Ｎｉ Ｃ１２・６）Ｉ２０ ２５ ｊｉ
’／ｌＣＨ３ＣＯＯＮａ １５
’ツメチルアミンプラン ４Ｉｐｉ
（６ めっき温度 ５５℃ 次に、上記めっき浴から得られためっき被膜のハンダ付
は注を下記方法によって評価した。
’／ｌＣＨ３ＣＯＯＮａ １５
’ツメチルアミンプラン ４Ｉｐｉ
（６ めっき温度 ５５℃ 次に、上記めっき浴から得られためっき被膜のハンダ付
は注を下記方法によって評価した。
めっキ終了後、水洗し、次いでメタノールに浸漬して素
早く乾燥しためっき試片を用ｂ、下記屋１〜３のハング
付は性試験用サンプルを作成した。
早く乾燥しためっき試片を用ｂ、下記屋１〜３のハング
付は性試験用サンプルを作成した。
１５１：室内に７日間自然放置したもの。
＆２ ： ＡＳＴＭ Ｂ −５４５規格に（ｔへじ、１
００℃で１時間の沸騰蒸気処理を行なったもの。
００℃で１時間の沸騰蒸気処理を行なったもの。
Ａ ３ ： ＠、気炉によって４００℃±５℃で５分間
加熱処理を行なったもの。
加熱処理を行なったもの。
次に、上記サンプルにつき、ＲＨＥＳＣＡ Ｃｏ、 Ｌ
ＴＤ製ＳＡＴ −２０００型の５ＯＬＤＥＲＣＨＥＣＫ
ＥＲを用い、メースコグラフ法によりてハンダ付は注試
、にを下記の試験条件で行なった。即ち、ハンダ温度２
３０℃のハンダへの浸漬時間は１０秒、浸漬深さは２耀
、浸漬速度は１．６■／秒の試験条件で、上記サンプル
に活性ロジン２２ツクスを塗布した後、浸漬開始から表
面張力による浮力が０になるまでの時間７２秒及びハン
ダ表面張力による浮力のピーク値ｗＢ ｇｒを測定する
ことによって〕・ンダ付は注（ぬれ注）を下記基準によ
シ評価した。ここで、Ｔ２．Ｗ。
ＴＤ製ＳＡＴ −２０００型の５ＯＬＤＥＲＣＨＥＣＫ
ＥＲを用い、メースコグラフ法によりてハンダ付は注試
、にを下記の試験条件で行なった。即ち、ハンダ温度２
３０℃のハンダへの浸漬時間は１０秒、浸漬深さは２耀
、浸漬速度は１．６■／秒の試験条件で、上記サンプル
に活性ロジン２２ツクスを塗布した後、浸漬開始から表
面張力による浮力が０になるまでの時間７２秒及びハン
ダ表面張力による浮力のピーク値ｗＢ ｇｒを測定する
ことによって〕・ンダ付は注（ぬれ注）を下記基準によ
シ評価した。ここで、Ｔ２．Ｗ。
の値が小さい程ハンダ付は注は良好でるる。
Ｔ２及びＷｌを上記サングルにりきＡ−Ｅの５段階で評
１１ｍシた。
１１ｍシた。
評価段階 ’ｒ、 ｗ、。
Ａ Ｏ，６６〜０．７０秒 ０．５６〜０．５８
ｇｒＢ Ｏ，７１〜Ｑ、７５ ０．
５９〜０．６１Ｃ０，７６〜０．８０ ０．６２
〜０．６４Ｄ ０．８１〜０．８５
０．６５〜０．６７Ｅ ０．８６〜０．
９０ ０．６８−０．７０評価役階 Ｔ２
ＷＢＡ Ｏ，７５〜０．８２秒 ０
．６５〜０．６８ ｇｒＢ Ｏ，８３〜０．
９０ ０．６９〜０．７２Ｃ０，９１〜０．９８
０．７３〜０４７６Ｄ ０．９９
〜１．０６ ０．７７〜０．８１Ｅ
１０７〜１．１４ ０．８２〜０．８５評価段
階 Ｔ２ ＷＢＡ Ｏ，６８〜
０．８２秒 ０．５４〜０．５９ ｇｒＢ
Ｏ，８３〜０．９７ ０．６０〜０．６５ＣＯ
，９８〜１．１２ ０．６６〜０．７１Ｄ
１．１３〜１，２７ ０．７２〜０７
７ｇ １．２８以上 ０．７８〜０８３ハ
ンダ付は性評価結果 上記めっき浴から得られためつき被膜１のハンダ付は性
結果を第１表に示す。
ｇｒＢ Ｏ，７１〜Ｑ、７５ ０．
５９〜０．６１Ｃ０，７６〜０．８０ ０．６２
〜０．６４Ｄ ０．８１〜０．８５
０．６５〜０．６７Ｅ ０．８６〜０．
９０ ０．６８−０．７０評価役階 Ｔ２
ＷＢＡ Ｏ，７５〜０．８２秒 ０
．６５〜０．６８ ｇｒＢ Ｏ，８３〜０．
９０ ０．６９〜０．７２Ｃ０，９１〜０．９８
０．７３〜０４７６Ｄ ０．９９
〜１．０６ ０．７７〜０．８１Ｅ
１０７〜１．１４ ０．８２〜０．８５評価段
階 Ｔ２ ＷＢＡ Ｏ，６８〜
０．８２秒 ０．５４〜０．５９ ｇｒＢ
Ｏ，８３〜０．９７ ０．６０〜０．６５ＣＯ
，９８〜１．１２ ０．６６〜０．７１Ｄ
１．１３〜１，２７ ０．７２〜０７
７ｇ １．２８以上 ０．７８〜０８３ハ
ンダ付は性評価結果 上記めっき浴から得られためつき被膜１のハンダ付は性
結果を第１表に示す。
第１表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第４級アンモニウム塩を含有する電気ニッケルめっ
き浴又は電気ニッケル合金めっき浴中に被めっき物を浸
漬し、電気めっきすることを特徴とする電気めっき方法
。 ２、第４級アンモニウム塩及びアミンボラン化合物を含
有する電気ニッケルめっき浴又は電気ニッケル合金めっ
き浴中に被めっき物を浸漬し、電気めっきすることを特
徴とする電気めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21233484A JPS6191384A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電気めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21233484A JPS6191384A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電気めつき方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP550288A Division JPS63171892A (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | 電気めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191384A true JPS6191384A (ja) | 1986-05-09 |
| JPH0129879B2 JPH0129879B2 (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=16620815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21233484A Granted JPS6191384A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | 電気めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379993A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21233484A patent/JPS6191384A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379993A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電解ニツケル−ホウ素合金めつき浴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129879B2 (ja) | 1989-06-14 |
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