JPS63171892A - 電気めっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 彦、１１１１分１一 本発明はハンダ付は性に優れた電気ニッケル又はニッケ
ル合金めっき被膜を与える電気めっき方法に関する。

来の　　　び　日が　°しようと　る 従来、ハンダ付は性の良好な電気めっき被膜としては、
ハンダめっき、錫めっき、金めつき、銀めっき等の被膜
が知られているが、これらのめっき法は材料が高価であ
ったり、めっき浴管理が難しい等の問題がある。

これに対し、電気ニッケルめっきや電気ニッケル合金め
っき法は、材料も比較的安価であり、浴管理も容易であ
るが、得られるめっき被膜は、光沢浴、半光沢浴、添加
剤無含有の無光沢浴のいずれからのものもハンダ付は性
に劣る。また、無電解ニッケルーリン合金めっき被膜の
ハンダ付は性も必ずしも十分でない。更に、ジメチルア
ミンボランを還元剤とする無電解ニッケルーホウ素合金
めっき被膜のハンダ付は性は上記のニッケルめっき被膜
に比べて比較的良好であるといわれているが、この無電
解ニッケルーホウ素めっき法はめっき速度が遅い等の問
題があり、またいずれにしても無電解めっき法は電気め
っき法に比較してめっきコストが高くつく。

を　　しようとする手　　び 本発明者らは、上記事情に鑑み、電気ニッケル又はニッ
ケル合金めっき法によりハンダ付は性に優れた電気めっ
き被膜を与える方法につき鋭意研究を行なった結果、第
４級アンモニウム塩とアミンボラン化合物とを添加した
電気ニッケルめっき浴又は電気ニッケル合金めっき浴か
ら得られためっき被膜のハンダ付は性が非常に優れてい
ることを知見した。即ち、第４級アンモニウム塩及びア
ミンボラン化合物を添加した電気ニッケル又はニッケル
合金めっき浴から得られためっき被膜は、従来の電気ニ
ッケル及びニッケル合金めっき浴から得られるめっき被
膜は勿論、ジメチルアミンボラン等のホウ素系化合物を
還元剤とする無電解二〜ッケルーホウ素合金めっき被膜
よりもハンダ付は性に優れ、従来よりハンダ付は性が優
れているとされているハンダめっきや錫めっき被膜と同
等もしくはそれ以上のハンダ付は性を有するめっき被膜
が得られることを知見し、本発明をなすに至ったもので
ある。

従って、本発明は第４級アンモニウム塩とアミンボラン
化合物とを含有する電気ニッケル又はニッケル合金めっ
き浴中に被めっき物を浸漬し、電気めっきすることを特
徴とする電気めっき方法を提供するものである。

本発明によれば、電気めっき法を採用するので、無電解
めっき法に比較してめっき速度が大きく、まためっき被
膜の内部応力を小さくすることもでき、しかもめっきコ
ストも安価である上、全硫酸塩浴、全塩化物浴、ワット
浴、スルファミン酸浴等の錯化剤を含有しないいわゆる
単純塩浴を使用することも可能で、これにより排水処理
上の問題を少なくすることができる。

本発明方法から得られるめっき被膜は、上述したように
ハンダ付は性が良好であるが、更に種々のろう付は性、
溶接性にも優れているものである。

また１通常の電気ニッケルめっき被膜は４００℃程度の
高温に加熱すると著しく変色する場合があるが、特にア
ミンボラン化合物を添加しためっき浴から得られるめっ
き被膜は４００℃程度の高温で加熱しても変色がなく、
めっきしたままの光沢が維持されるという特徴を有する
（なお、この耐変色性能は、本発明者の検討によると、
アミンボラン類のボランへの付加体として用いられてい
るアミン類を単独でめっき浴中に添加しても、得られる
めっき被膜には耐変色性能がないので、この性能はボラ
ン類に由来するものと考えられた）。

それ故、本発明により得られるめっき被膜は、このよう
に優れたハンダ付は性等の性能を有するため、現在ハン
ダ付は等の目的で行なわれているハンダ、錫、金、銀め
っき等の代りに本発明電気ニッケル及びニッケル合金め
っき方法を採用でき、例えばリードフレーム、フープ、
半導体部品、コンデンサー、抵抗体、コイル、リレー、
スイッチ。

コネクター、電気接点部品、プリント配線基板等。

種々の電気、電子部品のめっきに好適に採用し得る。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

見匪立青双 本発明に係るめっき方法は、第４級アンモニウム塩及び
アミンボラン化合物を添加した電気ニッケルめっき浴又
は電気ニッケル合金めっき浴中に被めっき物を浸漬し、
所用の電気を通じて電気めっきを行なうものである。

ここで、電気ニッケル合金めっき浴を使用する場合、ニ
ッケルと合金を形成する金属又は非金属としでは、コバ
ルト、鉄、錫、鉛、銅、クロム。

亜鉛、ビスマス、インジウム、タングステン、モリブデ
ン、砒素、アンチモン、リン等が挙げられるが、ハンダ
付は性の点からは、コバルト、鉄。

タングステン、リンが好ましい。これらの合金成分の含
有量は必ずしも制限されないが、めっき被膜中に２０％
（重量％、以下同じ）以下、特に５％以下含有すること
が好ましい。

また、電気ニッケルめっき浴及び電気ニッケル合金めっ
き浴としては、全硫酸浴、全塩化物浴。

ワット浴、スルファミン酸浴、無機又は有機化合物によ
る錯化浴、ホウフッ化浴等が用いられる。

これらめっき浴のｐＨ１それにめっき条件は、使用する
めっき浴の種類等によって選定され、例えばＰＨは約１
〜１４．特に約２〜１３、めっき温度は約１０〜９０℃
、特に約３５〜６０℃、陰極を流密度（Ｄｋ）ハ約０．
０１〜１００Ａ／　ｄ　ｍ、特に約０．１〜１ｏＡ／ｄ
ｒｒ？とすることができる。

また、必要により液撹拌を行なうこともできるが、この
場合液撹拌方法としては、空気攪拌、カソードロンキン
グ、ポンプによる液循環、プロペラ式攪拌機による液撹
拌等の方法が採用し得る。

なお、めっき浴中の塩類濃度を高くすると共に、めっき
温度を高くし、かつ強攪拌を採用することにより高速め
っきを行なうことができ、また通常のラックを用いるめ
っき法以外に、めっき浴中の塩濃度、めっき条件を適宜
選定することにより、バレルめっき、振動めっき等の各
種めっき法を採用し得る。

本発明に使用し得る電気ニッケルめっき浴の代表的な例
を下記に示す。

１、　Ｎ１５Ｏ，・６Ｈ２０２８０ｇ／ＱＮｉＣＱ２・
６Ｈ，Ｏ４５ｎ ＨｌＢｏ、　　　　　　　　　　　　４０　　ｌｌｐＨ
５，０ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　　５５℃Ｄｋ
　　　　　　　５Ａ／ｄイ ２、　ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０ｇ／ＱＨ３Ｂ０，４
０〃 ｐＨ５，０ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　　５５℃Ｄｋ
４Ａ／ｄｒｒｒ ３、　ＮｌＳＯ４・６Ｈｚ０　　　６０ｇ／Ｑエチレン
ジアミン　　　　１２０＃ ＮａＯＨ３Ｑ　　ｎ ｐ）Ｉ　　　　　　　　　　　　　１２．５温　　度　
　　　　　　　　　　　　　　５５℃Ｄｋ３Ａ／ｄｒ＋
（ ４、ＮｉＳＯ４・６Ｈｚ０　　　８０　ｇ／Ｑクエン酸
ナトリウム　　　　　４Ｑｎ 乳　　酸　　　　　　　　　　　　　　　２０１ＩｐＨ
７，０ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　４０”ＣＤｋ
　　　　　　　３Ａ／ｄイ ５、　ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０６０ｇ／ＱＮｉＣＱ□・６
Ｈ２０２０ＩＴ ピロリン酸カリウム　　　　１５０　〃ｐＨ１０，０ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　６０℃Ｄｋ　
　　　　　　３Ａ／ｄイ ６、　ＮｉＳＯ４・７Ｈ２０２５０ｇ／ＱＮｉＣＱ２・
６Ｈ，０４Ｑ　ｎ （ＮＨ４）、５ｏ４１００　Ｊｌ ｐＨ（アンモニアで調整）８．５ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　５０°ＣＤｋ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４Ａ／ｄｒｒ
ｆ７、　Ｎ１（Ｂ　Ｆ４）ｚ　　　　　　　　　　　　
　２２０　ｇ　／　ＱＨ，Ｂｏ、　　　　　　　　　　
　　　　　　３ＱｔｒｐＨ３，０〜４．５ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　５０〜６０’
ＣＤｋ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７Ａ
／ｄイ８、スルファミン酸ニッケル　　　　　　　３０
０ｇ／ＱＮｉＣＱ、・６Ｈ２０１０ｎ ＨｌＢｏ３　　　　　　　　　　　　　　　３ｏ　〃Ｐ
Ｈ３，５〜４．５ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　　３０〜６０
℃Ｄｋ　　　　　　　　　　　　　　　　　　２〜２５
Ａ／ｄイ９、スルファミン酸ニッケル　　　　　　　４
５０ｇ／ｆｌＨ３Ｂ○３　　　　　　　　　　　　　　
　３ｏ　〃ｐＨ３〜５ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　　４０〜６０
℃Ｄｋ　　　　　　　　　　　　　　　　　　２〜３Ａ
／ｄボ１０、Ｎ１５ｏ４・６Ｈ２０８ｏ〜１５０ｇ／Ｑ
ＮｉＣＱ２・６Ｈ２０４ｏ〜１１０　〃硫酸第１鉄　　
　　５〜２ｏ〃 Ｈ２ＢＯ３４０〜５０　　　ｌｌ ｐＨ２，８〜３．５ 温　　度　　　　　　　　　　　　　　　　５５〜６５
℃Ｄｋ　　　　　　　　　　　　　　　　　　２〜８Ａ
／ｄボなお、合金めっきの場合は上記の浴に合金化に必
要な適宜な塩類を添加する。

本発明においては、上述した電気ニッケル又はニッケル
合金めっき浴に第４級アンモニウム塩を添加するもので
あるが、この場合第４級アンモニウム塩としては、下記
（Ａ）式で示されるピリジン骨格を有する第４級アンモ
ニウム塩並びに（Ｂ）式及び（Ｃ）式で示される化合物
が好適に用いられる。

但し、（Ａ）式において、 Ｒ１は（１）炭素数１〜１８の鎖状アルキル基；（２）
炭素数１〜１８の環状アルキル基；（３）合計炭素数６
〜１８で、１個以上の芳香環を含有する基１ （４）炭素数３〜１５のへテロ環を含有する基； （５）炭素数９〜１８の芳香環及びヘテロ環を含有する
基； （６）ヒドロキシエチル基； （７）ヒドロキシプロピル基；又は （８）エチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド
の重合物で重合度２０ までのもの であり、 Ｒ２及びＲ１はそれぞれ （１）炭素数１〜４のアルキル基； （２）カルボキシル基又はその水素原子が金属原子で置
換されたもの； （３）−ＣＯＮＨ２又はその誘導体；又は（４）水素原
子 であるか（なお、Ｒ２とＲ３は互に同一であっても異な
っていてもよく、またオルト、メタ、パラ位のいずれの
位置関係にあってもよい）、或いは（５）　Ｒ，とＲ３
とで環を形成する （例えばベンゼン環を形成することにより、ピリジン環
との間でキノリン、イソキノリン等の環状体を形成する
）ものであり、そして ）（ｅはハロゲンイオン、ＮＯ３−１ＳＯ”−５ＣＨ，
ＣＯＯ−等である。

１　）（ｅ Ｒ，−Ｎ−Ｒ４−−−−−−（Ｂ） Ｒ３ 但し、（Ｂ）及び（Ｃ）式において。

Ｒ１及びＲ２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基又は
ヒドロキシアルキル基であり（ＲＬとＲ２は互に同じで
も異なっていてもよい）、 Ｒ１は炭素数１〜１８の鎖状アルキル基、ヒドロキシア
ルキル基、環状アルキル基、炭素数６〜１８で芳香環を
含有する基、炭素数３〜１５でペテロ環を含有する基、
又は炭素数９〜１８で芳香環とへテロ環とを含有する基
であり。

Ｒ４は一〇Ｈ，Ｃ０ＯＨ基、その水素原子を金属原子で
置換したもの、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基、エチレンオキシド及び／又はプロピレンオキシド
の重合物で重合度２０までのもの、又はベンジル基又は
その誘導体であり、Ｒ２は炭素数１〜１０の直鎖又は分
枝鎖のアルキレン基であり、そして Ｘｅはハロゲンイオン、ＮＯ，−１ｓｏｉ−１ＣＨ，Ｃ
ＯＯ−等である。

以下に本発明に用いる第４級アンモニウム塩の代表例を
示す。

（１）　　　　　　　’　（２）　　　　　　　（３）
すｈ 上述した第４級アンモニウム塩は、その１種を単独で使
用しても２種以上を組合せて用いてもよい。その添加量
は必ずしも制限されないが、０．０１〜１０　ｇ　／　
Ｑ、特に０．１〜１ｇ／Ｑとすることが好ましい。

また１本発明においては、上述した第４級アンモニウム
塩に加えてアミンボラン化合物を添加するものである。

ここで、アミンボラン化合物としては、例えばトリメチ
ルアミンボラン、モルフォリンボラン。

Ｎ−メチルモルフォリンボラン、モルフォリンジエチル
ボラン、ターシャリ−ブチルアミンボラン、ジメチルア
ミンボラン、ジエチルアミンボラン、ピリジンボラン、
ピコリンボラン、ジメチルプロピルアミンボラン、アニ
リンボラン、ジメチルアミンジメチルボラン、トリエチ
ルアミンボラン、ジメチルドデシルアミンボラン、ピリ
ジンボラン、ピペラジンボラン、２−メトキシエチルジ
メチルアミンボラン、ジイソプロピルアミンボラン等が
挙げられ、これらの１種又は２種以上を組合せて使用す
ることができるが、これらのうちでは下記（Ｄ）、　（
Ｅ）及び（Ｆ）式で示される第３級アミンのボラン付加
体が好適に用いられる。

Ｒ３ （但し、　Ｒ１，Ｒ，及びＲ１はそれぞれメチル基又は
エチル基を示し、Ｒ工、Ｒ２及びＲ３は互に同じであっ
ても異なっていてもよい、） ＣＨ，（ＯＣＨ，ＣＨ２）ｎＮ（ＣＨ，）２ＢＨ，−・
−・−・（Ｅ）（但し、ｎは１〜４の整数である。） （但し、Ｒはメチル基又はエチル基を示す、）上記の第
３Ｒアミンボランは、水及びニッケル、コバルト、鉄イ
オン等によって分解され難いため、全硫酸浴、全塩化物
浴、ワット浴、スルファミン酸浴等の錯化剤を含まない
単純塩浴に対して好適に使用し得る。これに対し、第１
Ｒアミンボランや第２級アミンボランは水、ニッケル、
コバルト、鉄イオン等によって若干分解されることがあ
るので、めっき浴のｐＨを上げたり、これらのイオンを
封鎖する錯化剤を添加することが好ましい。

なお、上述したアミンボラン化合物の添加量は４　ｇ　
／　Ｑ以下、好ましくは０．１〜２ｇ／Ｑ、特に０．５
〜１　ｇ　／　Ｑである。

また、上記アミンボラン化合物を使用する場合。

特に第１級及び第２級アミンを使用する場合、めっき液
によるこれらアミンボラン化合物の分解及びアノード表
面におけるアミンボラン化合物の分解を抑制する添加剤
、例示すると、２，２′−チオジェタノール、３．３’
−チオジプロピオニトリル。

２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプト−１
−メチルイミダゾール、３，３′−イミノジプロピオニ
トリル、４−アミノベンゾニトリル、カドミウム塩、水
銀塩、鉛塩、タリウム塩、１．１，３，３−テトラメチ
ルチオ尿素、チオ尿素、ヨウ素酸塩、臭素酸塩等の１種
又は２種以上を通常０．１ｇ／Ｑ以下の濃度で添加する
ことができる。

更に、上記アミンボラン化合物に加えて、ＮａＢＨ４，
ＫＢＨいジボラン、テトラボラン、デカボラン化合物等
を添加することができる。

本発明において、電気ニッケル又はニッケル合金めっき
浴には必要に応じて通常これらめっき浴に使用する一次
光沢剤又は応力減少剤や二次光沢剤又はレベラーを加え
ても差支えない。

この場合、−次光沢剤又は応力減少剤としては、サッカ
リンナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、２，
７−ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１，３．６−
ナフタリントリスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホ
ンアミド、３，３−チオジプロピオニトリル、チオ硫酸
ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、アゾジスルホン酸ナト
リウム、クマリン、安息香酸、フタル酸、樟脳酸、酢酸
等が例示され、これらの１種又は２種以上を通常０．０
１〜Ｌｏｇ／Ｑ、特に０．０１〜０．３　ｇ／ｎの範囲
で添加することができるが、有機又は無機硫黄化合物を
多量に添加するとめっき被膜中の硫黄量が多くなり、め
っき被膜のハンダ付は性を低下させたり、加熱による変
色を生じさせたり、更には耐食性を低下させ、硫黄脆性
を生じさせる場合があるので、硫黄化合物は添加しない
か、添加しても少量とすることが好ましい。

また、二次光沢剤又はレベラーとしては、２−ブチン−
１，４−ジオール、プロパギルアルコール、２−ブチン
−１，４−ジオールにエチレンオキシドやプロピレンオ
キシドを付加した化合物。

プロパギルアルコールにエチレンオキシドやプロピレン
オキシドを付加した化合物、アリールスルホン酸ナトリ
ウム、プロパルギルスルホン酸ナトリウム、３，３−チ
オジプロピオニトリル、ホルマリン、更には１−ジメチ
ルアミノ−２−プロピン、１−ジエチルアミノ−２−プ
ロピン、１−ジメチルアミノ−４−ヒドロキシ−２−プ
ロピン。

１−ジエチルアミノ−４−ヒドロキシ−２−プロピンな
どといったアミノアセチレン化合物やアミノアセチレン
アルコール等が例示され、これらの１種又は２種以上が
使用し得るが、これらの中では特にハンダ付は性の点で
アミノアセチレン化合物、アミノアセチレンアルコール
が好適に用いられる。その添加量は、多量に添加すると
めっき応力が増大するので少なめとすることが望ましく
、０．０１〜０．５ｇ／ｕ、特ニ０．０１〜０．３　ｇ
／Ｑ程度が適当である。

本発明に係るめっき方法は、上記の第４級アンモニウム
塩及びアミンボラン化合物を加えた電気ニッケル又はニ
ッケル合金めっき浴に被めっき物を浸漬し、これを陰極
として陽極との間に所用の電圧を印加し、電気めっきを
行なうものであるが、この場合被めっき物としては、ス
チール、鉄、銅、ニッケル、コバルト、亜鉛、これらの
合金等の金属素材、プラスチックやセラミック等の非金
属素材に導電化処理を施したものなどが使用し得、また
これらに直接本発明のめっき処理を施すこともできるが
、銅、無光沢ニッケル、半光沢ニッケル、光沢ニッケル
などの下地めっき被膜を単層又は複層形成した上に本発
明めっき処理を施すこともできる。なお、陽極としては
、炭素棒、白金板等の不溶性陽極を用いてもよいが、ニ
ッケル板、ニッケルボール等のニッケル陽極が好ましく
１例えば電気ニッケル、デポラライズドニッケル、カー
ボナイズドニッケル等を用いることができる。

具体的には、被めっき物として、リードフレーム、フー
プ、半導体部品、コンデンサー、抵抗体、コイル、リレ
ー、スイッチ、コネクター、電気接点部品、プリント配
線基板等を挙げることができ、これら被めっき物の種類
に応じた前処理を施した後、本発明めっき法を適用する
ことができる。

ここで、本発明めっき法によりめっき被膜を形成する場
合、そのめっき被膜の膜厚は必ずしも制限されず、被め
っき物の種類等により適宜選定されるが、一般に１〜２
０ＩＩｍ、特に２〜５−とすることが好ましい。

ｌ五匹羞求 以上述べたように、本発明によれば、ハンダ付は性に優
れた電気ニッケル又はニッケル合金めっき被膜を得るこ
とができ、種々の電気、電子部品等に対し、ハンダ付は
性を付与するためのめっき法として有効に採用すること
ができる。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。

〔実施例１〕 パフ研磨した銅板を５０Ｘ５Ｘ０．５＋ｎｍに切断し、
これを脱脂、水洗、酸洗、水洗した後、下記組成のめっ
き浴を用い、下記のめっき条件で電気ニッケルめっきを
行なった。

めっき浴組成 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０ｇ／Ｑ ＮｉＣＱ２・６Ｈ２０２ｏ〃 Ｈ３Ｂ０．　　　　　　　　　　　　４Ｑ　　ｎ第４級
アンモニウム塩＊　　　　　　Ｑ、３　ｎジメチルアミ
ンボラン　　　　　　０．５〃ｐＨ５，２ 本エピクロルヒドリンでピリジン核の窒素原子を４級化
したニコチン酸アミドを使用 めっき条件 陰極電流密度　　　　　　　３Ａ／ｄｒｒｆめっき温度
　　　　　　４５℃ 攪　　拌　　　　　　　　　　　　　　　　　空　気陽
　極　　　　　　　　　　　　　ニッケルめっき膜厚　
　　　　　　３− 〔実施例２〕 下記組成のめっき浴を用い、実施例１と同様にしてめっ
きを行なった。

めっき浴組成 ＮｉＳＯ４・６Ｈ２ｏ２８０ｇ／Ｑ ＮｉＣＱ２・６Ｈ２０２０〃 Ｈ，ＢＯ３４Ｑ　　　ｎ Ｎ−ベンジルニコチン酸無水物０．３ｎトリメチルアミ
ンボラン　　　　　０．５〃１−ジエチルアミノ−２−
プロパン　０．１〃ｐＨ５，２ 〔実施例３〕 実施例１の第４級アンモニウム塩の代わりにＮ−フェニ
ルニコチン酸アミド臭化物を使用した以外は実施例１と
同様にしてめっきを行なった。

〔実施例４〕 実施例１の第４級アンモニウム塩の代わりにＮ−メチル
ニコチン酸塩化物を使用した以外は実施例１と同様にし
てめっきを行なった。

〔比較例１〕 下記組成のめっき浴を用い、下記の条件で電気ニッケル
めっきを行なった。

めっき浴組成 Ｎ１５Ｏ，・６Ｈ２０２８０ｇ／ρ Ｎ１ＣＱ２・６Ｈ２０２０〃 Ｈ，ＢＯ３４Ｑ　　ｎ ＰＨ５，２ めっき条件 陰極電流密度　　　　　　　３Ａ／ｄｒｒｒめっき温度
　　　　　　４５℃ 攪　　拌　　　　　　　　　　　　　　　　　空　気陽
　極　　　　　　　　　　　　　ニッケルめっき膜厚　
　　　　　　３Ｐ 〔比較例２〕 比較例１のめっき液にサッカリンナトリウム２ｇ／Ｑと
２−ブチン−１，４−ジオール０．２ｇを添加しためっ
き浴を用い、比較例１と同様にしてめっきを行なった。

〔比較例３〕 下記組成の無電解ニッケルーホウ素合金めっき浴を使用
し、上記銅板上に３１１ｎの無電解ニッケルーホウ素合
金めっき被膜を形成した。

めっき浴組成 ＮｉＣ偶・６Ｈ２０：２５ｇ／Ｑ ＣＨ３ＣＯＯＮａ　　　　　　　　　　　１５　　ｕジ
メチルアミンボラン　　　　　　４　　〃ｐＨ６ めっき温度　　　　　　５５℃ 次に、上記めっき浴から得られためっき被膜のハンダ付
は性を下記方法によって評価した。

ハンダ・け　　　ゞ めっき終了後、水洗し、次いでメタノールに浸漬して素
早く乾燥しためっき試片を用い、下記Ｎα１〜３のハン
ダ付は性試験用サンプルを作成した。

Ｎα１：室内に７日間自然放置したもの。

Ｎα２：ＡＳＴＭ　Ｂ−５４５規格に準じ、１００℃で
１時間の沸騰蒸気処理を行なったもの。

Ｎα３：電気炉によって４００℃±５℃で５分間加熱処
理を行なったもの。

次に、上記サンプルにつき、ＲＨＥＳＣＡＣＯ，ＬＴＤ
製５ＡＴ−２０００型（７）ＳＯＬＤＥＲＣＨＥＣＫＥ
Ｒを用い、メニスコグラフ法によってハンダ付は性試験
を下記の試験条件で行なった。

即ち、ハンダ温度２３０℃のハンダへの浸漬時間は１０
秒、浸漬深さは２ｍ、浸漬温度は１．６ｎｎ／秒の試験
条件で、上記サンプルに活性ロジンフラックスを塗布し
た後、浸漬開始から表面張力による浮力がＯになるまで
の時間１２秒及びハンダ表面張力による浮力のピーク値
ＷＢｇｒを測定することによってハンダ付は性（ぬれ性
）を下記基準により評価した。ここで、Ｔ、、Ｗ、の値
が小さい程ハンダ付は性は良好である。

ハンダ・け　　　基゛ Ｔ２及びＷ、を上記サンプルにつきＡ−Ｈの５段階で評
価した。

サンプルＮα１ 評価段階　　　Ｔ２Ｗ。

Ａ　　０，６−６〜０．７０秒　０．５６〜０．５８ｇ
ｒＢ　　　Ｏ，７１〜０．７５　０．５９〜０．６１Ｃ
０，７６〜０．８０　０．６２〜０．６４Ｄ　　　０．
８１〜０．８５　０．６５〜０．６７Ｅ　　　０．８６
〜０．９０　０．６８〜０．７０サンプルＮα２ 評価段階　　　Ｔ２Ｗ。

Ａ　　　Ｏ，７５〜０．８２秒　０．６５〜０．６８ｇ
ｒＢ　　　０．８３〜０．９０　０．６９〜０．７２Ｃ
０，９１〜０．９８　０．７３〜０．７６Ｄ　　　Ｏ，
９９〜１，０６　０．７７〜０．８１Ｅ　　　１．０７
〜１．１４　０．８２〜０．８５サンプルＮα３ 評価段階　　　Ｔ、　　　　　　　Ｗ。

Ａ　　ｏ、６８〜０．８２秒　０．５４〜０．５９ｇｒ
Ｂ　　　Ｏ，８３〜０．９７　０．６０〜０．６５Ｇ　
　　Ｏ，９８〜１，１２　０．６６〜０．７１Ｄ　　　
１．１３〜１，２７　０．７２〜０．７７Ｅ　　　　　
１．２８以上　　　０．７８〜０．８３ハンダ付は性３
価結果 上記めっき浴から得られためっき被膜のハンダ付は性結
果を第１表に示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第４級アンモニウム塩及びアミンボラン化合物を含
   有する電気ニッケルめっき浴又は電気ニッケル合金めっ
   き浴中に被めっき物を浸漬し、電気めっきすることを特
   徴とする電気めっき方法。