WO2018190140A1 - シール装置 - Google Patents

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WO2018190140A1
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roll
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崇 土居
勝司 笠井
輝彦 戸部
琢実 小山
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Jfeスチール株式会社
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    • F27D7/00Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/06Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers

Definitions

  • the present invention relates to a sealing device installed in a heat treatment facility for a steel strip such as a steel plate.
  • the present invention relates to a sealing apparatus installed in a heat treatment furnace for producing a high silicon steel plate (6.5% Si steel) in a continuous siliconization treatment facility equipped with a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as CVD) treatment furnace.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the atmosphere in the furnace is maintained in a specific state to improve the appearance performance of the heat treatment material or improve the material.
  • a method of obtaining a high silicon steel plate (6.5% Si steel) in a continuous siliconization processing facility equipped with a CVD processing furnace is an example of performing heat treatment in a specific furnace atmosphere and improving the material. It is described in Patent Document 1.
  • a siliceous processing equipment 100 as shown in FIG. 1 is constituted by a furnace body 1 composed of a refractory furnace wall forming a tunnel-like space.
  • a steel strip (steel plate) S to be improved in quality is supported by rolls 2 in the order of heating furnace A-CVD processing furnace B-diffusion processing furnace C-cooling furnace D and passes continuously.
  • the steel strip S is heated to the CVD processing temperature in the non-oxidizing atmosphere in the heating furnace A, and then guided to the CVD processing furnace B.
  • a reactive gas containing SiCl 4 is supplied to the CVD processing furnace B, and the reactive gas is sprayed onto the surface of the steel strip S from the spray nozzle 3 to perform a siliconizing process.
  • the steel strip S is guided to the diffusion processing furnace C, where it is kept soaked at a predetermined temperature and Si is diffused. After such a process, it is cooled to room temperature or an appropriate temperature in the cooling furnace D, and wound around a coil.
  • Patent Document 2 discloses a hard material rotating damper and a roll.
  • a sealing device in which a smaller portion is provided in a rotary damper is described. As a result, the gap between the steel strip and other steel strips is extremely small, and high sealability is obtained.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a sealing device capable of maintaining high sealing performance.
  • the inventors diligently studied the sealing properties between the heating furnace A and the CVD processing furnace B and between the CVD processing furnace B and the diffusion processing furnace C.
  • a sealing device that obtains a sealing property by sandwiching a steel strip with a rotary damper and a roll as in Patent Document 2
  • two rotary dampers are arranged in series, and N 2 or the like is inactive between the rotary dampers.
  • N 2 or the like is inactive between the rotary dampers.
  • the present invention has been made on the basis of such knowledge and has the following gist.
  • a rotary damper disposed above the steel strip and capable of contacting the steel strip, and a position facing the rotary damper, below the steel strip
  • a sealing device including a roll disposed, and passing a steel strip between opposing portions of the rotary damper and the roll, two pairs of rotary dampers and rolls are arranged in series in the plate passing direction in the heat treatment equipment.
  • a sealing device in which an inert gas is supplied into a space that is arranged and partitioned by the pair of rotary dampers and rolls arranged in series.
  • the sealing performance is improved. Therefore, the back flow of the atmospheric gas in the furnace can be reduced. Moreover, according to this invention, the replacement frequency and repair frequency of each apparatus can be reduced by the improvement of sealing performance.
  • FIG. 1 is a schematic view of a continuous siliconization treatment facility.
  • FIG. 2 is a diagram of a sealing device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a sealing device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view of a sealing device showing another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a graph comparing defect occurrence rates when the sealing device of the present invention is used and when a conventional sealing device is used.
  • FIG. 6 is a graph comparing the replacement period of the rotary damper when the sealing device of the present invention is used and when the conventional sealing device is used.
  • FIG. 2 is a view showing a sealing device according to an embodiment of the present invention.
  • the sealing device 4 of the present invention is provided in the furnace body 1 in the siliconization treatment facility (heat treatment facility) 100 and includes two pairs of rotating dampers 5 and two rolls 6.
  • Rotating damper 5 is arranged on the upper side of steel strip S.
  • the rotary damper 5 is provided so as to be able to rotate in a direction transverse to the inside of the furnace body 1, that is, in the longitudinal direction of the steel strip.
  • the shape of the rotary damper 5 is not particularly limited, but may be any shape as long as the gap can be adjusted as shown in FIG.
  • a lift damper 7 is provided above the rotary damper 5, and can be moved up and down at the ceiling of the furnace body 1.
  • the rotating damper 5 can be rotated by raising the elevating damper 7 and the rotating operation of the rotating damper 5 is appropriately controlled by lowering the elevating damper 7.
  • the notch position of the rotary damper 5 is selected so as to be a distance corresponding to the thickness of the steel strip S to be heat-treated, and the elevator damper 7 is lowered to fix the rotary damper 5 so as not to rotate.
  • the sealing property for the steel strip S is appropriately operated.
  • the roll 6 is disposed on the lower side of the steel strip S at a position facing the rotary damper 5.
  • the roll 6 is a support roll that supports the steel strip S in the steel strip width direction, and the steel strip S passes between the rotating damper 5 and the opposing portion of the roll 6.
  • a partition plate 8, which is a seal wall, rises from the floor portion of the furnace body 1 and is in contact with the roll 6 at a position facing the rotary damper 5.
  • a pair of rotating dampers 5 and two rolls 6 are arranged in series in the plate passing direction. That is, as shown in FIG. 2, two pairs of the rotary damper 5 and the roll 6 are arranged in series in the plate passing direction.
  • an inert gas is supplied into a space 9 partitioned by a pair of rotating dampers 5 and rolls 6 arranged in series. By filling the space 9 with an inert gas, it can be maintained at a pressure higher than the pressure in the furnace, so that the sealing performance is improved and the atmospheric gas in the furnace can be prevented from flowing back to another furnace.
  • the inert gas supplied into the space 9 is preferably N 2.
  • the method for supplying the inert gas is not particularly limited, and for example, an inert gas supply port (not shown) may be provided on the side wall of the furnace body 1 and the inert gas may be supplied into the space 9 from the supply port. .
  • the rotary damper 5 has a hole 10 for injecting an inert gas toward the steel strip S in the steel strip width direction.
  • the rotary damper 5 and the steel strip S can be blocked by an inert gas curtain. As a result, higher sealing performance can be obtained.
  • the arrangement of the holes 10 for injecting the inert gas it is sufficient that a plurality of the holes 10 are arranged in the steel strip width direction.
  • the arrangement of the holes 10 is not particularly limited, and examples thereof include series, staggered, and multi-row arrangement.
  • FIG. 3 is an example of multi-row arrangement.
  • the shape of the hole 10 is not particularly limited, and examples thereof include a round hole, an ellipse (long in the width direction), and a slit hole.
  • the method of supplying the inert gas to the rotary damper 5 is not particularly limited.
  • the inert gas is supplied from the rotary shaft portion (not shown) of the rotary damper 5 and provided to the rotary damper 5 main body from the shaft portion. An inert gas may be ejected through the formed hole.
  • the pressure of the inert gas ejected from the hole 10 is too high or the temperature is too low, there is a risk of adverse effects such as deformation on the steel strip that is heat-treated at a high temperature of 1000 ° C. or more. Therefore, the pressure of the inert gas blown from the hole of the rotary damper 5 to the steel band, 100 mm H 2 0 or less, the temperature is preferably set to more than 1000 degrees.
  • the pressure of the inert gas it is preferable that the pressure in the space 9 is set to be 5mmH 2 O ⁇ 100mmH 2 O. If the pressure in the space 9 is less than 5 mmH 2 O, the pressure is too low and control is difficult. On the other hand, if the pressure in the space 9 exceeds 100 mmH 2 O, it is difficult to maintain the pressure because there is a gap between the rotary damper 5 and the steel strip S. More preferably, it is 10 mmH 2 O to 50 mmH 2 O.
  • the sealing device 4 of the present invention is preferably provided in the CVD processing furnace B in the siliconization processing facility 100.
  • the reaction gas containing SiCl 4 is supplied to the CVD processing furnace B, and the reaction gas is sprayed from the spray nozzle 3 onto the surface of the steel strip S, whereby the siliconization process is performed.
  • iron chloride (gas) is contained as a by-product during the siliconization process.
  • the atmospheric gas in the CVD processing furnace containing iron chloride (gas) flows backward, it is cooled in the heating furnace A or the diffusion heat treatment furnace C, and when it falls below 1100 ° C., it agglomerates and adheres to the steel strip S.
  • the sealing apparatus of the present invention in the CVD processing furnace B, high sealing performance can be maintained, and the backflow of the atmospheric gas in the CVD processing furnace B can be prevented. As a result, yield deterioration due to iron chloride adhesion can be prevented.
  • the sealing device 4 of the present invention is provided on each of the upstream side and the downstream side in the steel strip passing plate direction.
  • the sealing devices By providing the sealing devices on the upstream side and the downstream side, it is possible to prevent the atmospheric gas in the furnace from flowing back to other furnaces. More preferably, it is preferable to provide the sealing devices 4 on the upstream side and the downstream side in the steel strip passage direction in the CVD processing furnace B (see FIG. 4).
  • FIG. 4 by providing the sealing device 4 of the present invention at a position before and after the siliconization treatment, the backflow of the atmospheric gas in the CVD treatment furnace B can be further prevented, and the yield due to iron chloride adhesion can be prevented. Deterioration can be prevented more.
  • the number of the sealing devices 4 according to the present invention is not particularly limited, but is preferably about 2 to 3 from the viewpoint of equipment restrictions and maintenance.
  • the rotating damper 5 may be a hard material, for example.
  • the shape and the like are not particularly limited, but may be provided so as to be rotatable in a state of being buried in the ceiling portion of the furnace body 1, and a part of the peripheral surface may be exposed in the furnace body 1.
  • the rotation damper 5 should just be provided so that it may be parallel to the perpendicular
  • the distance between the axes of the rotary damper 5 and the roll 6 is fixed as in Patent Document 2, and the radius of the rotary damper 5 and the roll 6 is set. It is preferable to provide the rotary damper with a portion where the total is smaller than the distance between the axes of the rotary damper 5 and the roll 6.
  • the lifting damper 7 is not particularly limited.
  • it may be made of a dam plate-like ceramic fiber that is in contact with and separated from the upper portion of the rotary damper 5 and the ceiling portion of the furnace body 1 may be provided so as to be movable up and down.
  • a steel gas having a thickness of 0.1 mm is subjected to a siliconization treatment using a treatment gas containing SiCl 4, and a high silicon steel strip (6.5 mass) is used. % Si material).
  • the sealing device of the present invention shown in FIG. 2 was used as the sealing device. Two pairs of the rotary damper 5 and the roll 6 were installed on the upstream side and the downstream side in the CVD processing furnace B, respectively.
  • the pressure in the space 9 formed by the rotary damper 5 and the roll 6 was kept at 30 mmH 2 O. Note that the pressure is higher than each furnace pressure (20 mmH 2 O) of the heating furnace A, the CVD processing furnace B, and the diffusion processing furnace C.
  • the defect occurrence rate due to iron chloride adhering to the steel strip surface due to the backflow of the atmospheric gas was determined.
  • the method for obtaining the defect occurrence rate is as follows. ⁇ Defect occurrence rate> When a defect occurs, 1 m before and after the defective portion is defined as the defect length, and the total defect length in one coil divided by the length of the coil is defined as the defect occurrence rate. A comparison was made based on the averaged results for the coils.
  • the defect occurrence rate when using the sealing device of the present invention was reduced to 0.4 compared to the comparative example. Therefore, by using the sealing device of the present invention, the sealing performance can be improved and the defect occurrence rate can be reduced.
  • a high silicon steel strip was produced in the same manner as in Example 1, and the exchange period of the rotary damper used was examined.
  • the replacement cycle was determined as the replacement timing when the pressure difference between the sealing device and the front and rear furnace zones was continuously 5 mmH 2 O or less.
  • FIG. 6 shows the result of comparison of the replacement cycle of the rotary damper when the conventional (before change) replacement cycle is 1, and the sealing device of the present invention is used.
  • FIG. 6 shows that the replacement period when the sealing device of the present invention is used (invention example) is 1.5 times that of the comparative example. Therefore, by using the sealing device of the present invention, the sealing performance can be improved and the replacement frequency can be reduced.

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Abstract

高いシール性を維持することができるシール装置を提供することを目的とする。 鋼帯が通板する熱処理設備内において、前記鋼帯の上側に配置され、前記鋼帯に接触可能な回転ダンパと、前記回転ダンパに対向する位置で、前記鋼帯の下側に配置されるロールとを備え、前記回転ダンパと前記ロールとの対向部間に鋼帯を通板させるシール装置において、一対の回転ダンパおよびロールが2つ前記熱処理設備内に通板方向に直列に配置され、前記直列に配置された前記一対の回転ダンパおよびロール同士で仕切られる空間内に、不活性ガスが供給されるシール装置。

Description

シール装置
 本発明は、例えば鋼板などの鋼帯の熱処理設備内に設置するシール装置に関するものである。特に、化学気相蒸着(以下、CVDと称する。)処理炉を備えた連続浸珪処理設備で、高珪素鋼板(6.5%Si鋼)を製造する熱処理炉内に設置するシール装置に関する。
 従来、金属材料の加熱炉、または熱処理炉では、炉内の雰囲気を特定状態に維持して、熱処理材の外観上の性能の向上、あるいは材質の改善を図ることが行われている。熱処理を特定の炉内雰囲気で行い、材質の改善を図るものとして、例えば、CVD処理炉を備えた連続浸珪処理設備で、高珪素鋼板(6.5%Si鋼)を得る方法が、例えば特許文献1に記載されている。
 連続浸珪処理設備は、図1に示すような浸珪処理設備100がトンネル状の空間を形成する耐火物の炉壁からなる炉本体1により構成されている。材質改善される鋼帯(鋼板)Sは加熱炉A-CVD処理炉B-拡散処理炉C-冷却炉Dの順に炉内をロール2で支持されて連続的に通過する。その際、鋼帯Sは加熱炉Aにおいて無酸化性雰囲気中でCVD処理温度まで加熱された後、CVD処理炉Bに導かれる。このCVD処理炉BにはSiClを含有する反応ガスが供給され、吹き付けノズル3から鋼帯Sの表面に反応ガスが吹き付けられ、浸珪処理がなされる。次いで、鋼帯Sは拡散処理炉Cに導かれ、ここで所定の温度に均熱保持されてSiの拡散処理がなされる。このような処理の後、冷却炉Dで常温もしくは適当な温度まで冷却され、コイルに巻き取られる。
 連続浸珪処理設備のような熱処理炉では、各炉内の雰囲気を特定状態に維持すべく、材料の出入口等をシールすることが必要である。すなわち、加熱炉AとCVD処理炉Bとの間、およびCVD処理炉Bと拡散処理炉Cとの間のシールを確実に行わなければならない。このため、図1に示すように、各炉間にシール装置4が設けられている
 このような、シール装置によるシール性の向上については、例えば特許文献2に、硬質材の回転ダンパ及びロールと、前記回転ダンパの上方に接触して炉内をシールする昇降ダンパとを備え、回転ダンパとロールの軸間距離を固定し、回転ダンパとロールの半径の合計が回転ダンパとロールの軸間距離よりも小さくなる部分を回転ダンパに設けたシール装置が記載されている。これにより、鋼板などの鋼帯との隙間を極めて微小なものとし、高シール性が得られるとしている。
特開昭63-24038号公報 特開平7-268490号公報
 しかしながら、特許文献2のようなシール装置の場合、1000度以上の高温での熱処理になると、回転ダンパの直下にある炉内ロールが偏芯してしまう。その結果、鋼帯と回転ダンパとの隙間が大きくなり、炉内雰囲気ガスのリーク経路となってしまう。また、回転ダンパや炉内ロールの周辺に近接している耐火物(ファイバー)は、CVD処理に用いるSiClの影響で劣化し、減肉や気孔率の低下が生じる。そのため、回転ダンパや炉内ロールの周辺にも隙間が生じ、ここがリーク経路となり得る。
 本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、高いシール性を維持することができるシール装置を提供することを目的とする。
 本発明者らは、加熱炉AとCVD処理炉Bとの間、およびCVD処理炉Bと拡散処理炉Cとの間のシール性について鋭意検討した。その結果、特許文献2のような回転ダンパとロールで鋼帯を上下に挟むことでシール性を得るシール装置において、2つの回転ダンパを直列配置し、その回転ダンパ間にN等の不活性ガスを投入することにより、高いシール性を確保できるという知見を得た。
 本発明は、このような知見に基づきなされたもので、以下を要旨とするものである。
[1]鋼帯が通板する熱処理設備内において、前記鋼帯の上側に配置され、前記鋼帯に接触可能な回転ダンパと、前記回転ダンパに対向する位置で、前記鋼帯の下側に配置されるロールとを備え、前記回転ダンパと前記ロールとの対向部間に鋼帯を通板させるシール装置において、一対の回転ダンパおよびロールが2つ前記熱処理設備内に通板方向に直列に配置され、前記直列に配置された前記一対の回転ダンパおよびロール同士で仕切られる空間内に、不活性ガスが供給されるシール装置。
[2]前記回転ダンパは、前記鋼帯に向けて不活性ガスを噴出させる穴を鋼帯幅方向に有する[1]に記載のシール装置。
[3]前記不活性ガスの圧力は、前記空間内の圧力が5mmHO~100mmHOになるように設定される[1]または[2]に記載のシール装置。
[4]前記熱処理設備内におけるCVD処理炉内に設けられる[1]~[3]のいずれかに記載のシール装置。
[5]前記熱処理設備内の鋼帯通板方向上流側および下流側にそれぞれ設けられる[1]~[4]のいずれかに記載のシール装置。
 本発明によれば、所定の空間内に不活性ガスを投入するため、シール性が向上する。したがって、炉内雰囲気ガスの逆流を低減することができる。また、本発明によれば、シール性の向上により、各機器の交換頻度や補修頻度を低減することができる。
図1は、連続浸珪処理設備の概略図である。 図2は、本発明の一実施形態であるシール装置の図である。 図3は、本発明の一実施形態であるシール装置の拡大図である。 図4は、本発明の別の実施形態を示すシール装置の図である。 図5は、本発明のシール装置を用いた場合と、従来のシール装置を用いた場場合における、欠陥発生率を比較するグラフである。 図6は、本発明のシール装置を用いた場合と、従来のシール装置を用いた場合における、回転ダンパの交換周期を比較するグラフである。
 図2は、本発明の一実施形態であるシール装置を示す図である。本発明のシール装置4は、浸珪処理設備(熱処理設備)100における炉本体1内に設けられており、一対の回転ダンパ5およびロール6を2つ備える。
 回転ダンパ5は鋼帯Sの上側に配置される。回転ダンパ5は炉本体1内を横断する方向、すなわち鋼帯長手方向に回転可能に設けられている。回転ダンパ5の形状については特に制限されないが、図2に示すように、半径方向に切り欠いた部分が設けられているような、隙間調整ができるような形状であればよい。回転ダンパ5の上方には昇降ダンパ7が設けられており、炉本体1の天井部において上下動可能に設けられている。昇降ダンパ7の上昇によって回転ダンパ5は回転可能となるとともに、昇降ダンパ7を下降させることで回転ダンパ5の回転動作が適宜制御される。このため、熱処理される鋼帯Sの厚さに応じた距離になるように回転ダンパ5の切欠き位置を選択し、昇降ダンパ7を下降させて回転ダンパ5が回転しないように固定することで、鋼帯Sに対するシール性が適宜操作される。
 ロール6は回転ダンパ5に対向する位置で、鋼帯Sの下側に配置される。ロール6は鋼帯Sを鋼帯幅方向に支持する支持ロールであり、鋼帯Sは、回転ダンパ5およびロール6の対向部間を通板する。また、炉本体1の床部から、シール壁である仕切板8が立ち上がっており、回転ダンパ5に対向する位置でロール6に接している。
 本発明では、一対の回転ダンパ5およびロール6が2つ通板方向に直列に配置される。すなわち、図2に示すように、一対の回転ダンパ5およびロール6が、通板方向に直列に2組配置される。図2に示すように、直列に配置された一対の回転ダンパ5およびロール6同士で仕切られる空間9内に、不活性ガスが供給される。空間9内を不活性ガスで満たすことにより、炉内圧力よりも高圧に維持できるため、シール性が向上し、炉内雰囲気ガスが他の炉に逆流することを防止することができる。また、一定のシール性を維持することができるため、回転ダンパや炉内ロールの周辺に近接している耐火物(ファイバー)は、CVD処理に用いるSiClの影響で劣化するといったことを低減できる。したがって、炉内ロールなどの各機器の交換頻度、周辺の耐火物の補修頻度を低減することが可能である。
 空間9内に供給される不活性ガスとしては特に制限されないが、Nであることが好ましい。また、不活性ガスの供給方法についても特に制限されず、例えば炉本体1の側壁に不活性ガスの供給口を設け(図示しない)、供給口から空間9内に不活性ガスを供給すればよい。
 本発明では、回転ダンパ5は、鋼帯Sに向けて不活性ガスを噴出させる穴10を鋼帯幅方向に有することが好ましい。回転ダンパ5の穴10から鋼帯Sに向けて不活性ガスを噴出することにより、回転ダンパ5と鋼帯Sとの間を不活性ガスのカーテンで遮断することができる。その結果、より高いシール性を得ることができる。
 不活性ガスを噴出する穴10の配列については、鋼帯幅方向に複数配列されていればよい。穴10の配置についても特に限定されず、例えば、直列、千鳥、多列配置などが挙げられる。なお、図3は、多列配置の例である。また、穴10の形状についても特に限定されず、例えば、丸穴、楕円(幅方向に長い)、スリット穴などが上げられる。また、回転ダンパ5への不活性ガスの供給方法についても特に制限されず、例えば、回転ダンパ5の回転軸部(図示しない)から不活性ガスを供給し、軸部から回転ダンパ5本体に設けられた穴を通じて不活性ガスが噴出されればよい。
 なお、穴10から噴出する不活性ガスの圧力が高すぎたり、温度が低すぎたりした場合には、1000度以上の高温で熱処理される鋼帯に変形等の悪影響を与える恐れがある。このため、回転ダンパ5の穴から鋼帯へ吹き付ける不活性ガスの圧力は、100mmH0以下、温度は1000度以上とすることが望ましい。
 不活性ガスの圧力としては、空間9内の圧力が5mmHO~100mmHOになるように設定されることが好ましい。空間9内の圧力が5mmHO未満では、圧力が低すぎて制御が難しい。一方、空間9内の圧力が100mmHO超えでは、回転ダンパ5と鋼帯S間に隙間があることから、圧力を保持することが難しい。より好ましくは、10mmHO~50mmHOである。
 本発明のシール装置4は、浸珪処理設備内100内におけるCVD処理炉B内に設けられることが好ましい。前述したように、CVD処理炉BにはSiClを含有する反応ガスが供給され、吹き付けノズル3から鋼帯Sの表面に反応ガスが吹き付けられることで、浸珪処理がなされる。このCVD処理炉Bにおける雰囲気ガス中には、塩化鉄(ガス)が浸珪処理時の副産物として含まれている。この塩化鉄(ガス)を含むCVD処理炉中の雰囲気ガスが逆流すると、加熱炉Aや拡散熱処理炉C内で冷却され、1100℃を下回ると凝集化し、鋼帯Sに付着することで、製品の外観を悪化させ、欠陥発生率が増加する。したがって、CVD処理炉Bに本発明のシール装置を設けることにより、高いシール性を維持することができ、CVD処理炉B内の雰囲気ガスの逆流を防止することができる。その結果、塩化鉄付着による歩留悪化を防止することができる。
 また、本発明のシール装置4は、鋼帯通板方向の上流側および下流側にそれぞれ設けられることが好ましい。上流側および下流側にそれぞれシール装置を設けることにより、炉内雰囲気ガスが他の炉に逆流するのを防止することができる。さらに好ましくは、CVD処理炉B内の鋼帯通板方向上流側および下流側に、それぞれシール装置4を設けることが好ましい(図4参照)。図4に示すように、浸珪処理前後の位置に本発明のシール装置4を設けることにより、CVD処理炉B内の雰囲気ガスの逆流をより防止することができるとともに、塩化鉄付着による歩留悪化をより防止することができる。
 なお、本発明のシール装置4の設置数については特に制限されないが、設備上の制約やメンテナンスの点から、2~3個程度であることが好ましい。
 回転ダンパ5については、例えば、硬質材であればよい。形状等についても特に限定されないが、炉本体1の天井部に埋没する状態で回動可能に設けられ、周面の一部が炉本体1内に露出していればよい。また、回転ダンパ5は、ロール6の垂直な上方へ平行するように設けられていればよい。
 また、隙間を極めて微小にでき、完全なシール状態を実現できるという点から、特許文献2のように、回転ダンパ5とロール6の軸間距離を固定し、回転ダンパ5とロール6の半径の合計が回転ダンパ5とロール6の軸間距離よりも小さくなる部分を回転ダンパに設けていることが好ましい。
 また、昇降ダンパ7についても特に限定されない。例えば、回転ダンパ5の上部へ平行に接離する堰板状のセラミックスファイバーからなり、炉本体1の天井部を上下動可能に設けられていればよい。
 図1に示すような設備構成を有する連続浸珪処理設備において、SiClを含有する処理ガスを用い、板厚0.1mmの鋼帯に浸珪処理を施し、高珪素鋼帯(6.5mass%Si材)を製造した。その際、シール装置としては図2に示す本発明のシール装置を用いた。一対の回転ダンパ5およびロール6は、CVD処理炉B内の上流側および下流側にそれぞれ2対ずつ設置した。
 回転ダンパ5とロール6により形成される空間9の圧力は30mmHOに保持した。なお、加熱炉A、CVD処理炉B、拡散処理炉Cの各炉内圧力(20mmHO)よりも高圧である。
 雰囲気ガスの逆流により塩化鉄が鋼帯表面に付着することに起因する、欠陥発生率を求めた。欠陥発生率の求め方は以下のとおりである。
<欠陥発生率>
 欠陥が発生した場合、その欠陥部の前後1mを欠陥長とし、1コイル内におけるこの欠陥長の累計をこのコイルの長さで除したものを欠陥発生率とし、コイル毎の欠陥発生率を10コイル分で平均した結果で、比較を行った。
 従来のシール装置として、特許文献2のシール装置を用いた場合(比較例)の欠陥発生率を1とした場合の、本発明のシール装置を用いた場合の欠陥発生率について比較した結果を図5に示す。
 図5から、比較例に比べて本発明のシール装置を用いた場合(本発明例)の欠陥発生率は、0.4に減少した。したがって、本発明のシール装置を用いることにより、シール性が向上し、欠陥発生率を低減することができる。
 実施例1と同様に高珪素鋼帯を製造し、使用する回転ダンパの交換周期について調べた。交換周期は、シール装置間圧力と前後炉帯との差圧が連続して5mmHO以下となってしまった場合を交換のタイミングと判断した。従来(変更前)の交換周期を1として、本発明のシール装置を用いた場合の回転ダンパの交換周期について比較した結果を図6に示す。
 図6から、比較例に比べて本発明のシール装置を用いた場合(本発明例)の交換周期は、1.5倍となった。したがって、本発明のシール装置を用いることにより、シール性が向上し、交換頻度を低減することができる。
 1  炉本体
 2  ロール
 3  吹き付けノズル
 4  シール装置
 5  回転ダンパ
 6  ロール
 7  昇降ダンパ
 8  仕切板
 9  空間
 10 穴
 100 浸珪処理設備
 A  加熱炉
 B  CVD処理炉
 C  拡散処理炉
 D  冷却炉
 S  鋼帯(鋼板)

Claims (5)

  1.  鋼帯が通板する熱処理設備内において、
    前記鋼帯の上側に配置され、前記鋼帯に接触可能な回転ダンパと、
    前記回転ダンパに対向する位置で、前記鋼帯の下側に配置されるロールと
    を備え、前記回転ダンパと前記ロールとの対向部間に鋼帯を通板させるシール装置において、
    一対の回転ダンパおよびロールが2つ前記熱処理設備内に通板方向に直列に配置され、前記直列に配置された前記一対の回転ダンパおよびロール同士で仕切られる空間内に、不活性ガスが供給されるシール装置。
  2.  前記回転ダンパは、前記鋼帯に向けて不活性ガスを噴出させる穴を鋼帯幅方向に有する請求項1に記載のシール装置。
  3.  前記不活性ガスの圧力は、前記空間内の圧力が5mmHO~100mmHOになるように設定される請求項1または2に記載のシール装置。
  4.  前記熱処理設備内におけるCVD処理炉内に設けられる請求項1~3のいずれかに記載のシール装置。
  5.  前記熱処理設備内の鋼帯通板方向上流側および下流側にそれぞれ設けられる請求項1~4のいずれかに記載のシール装置。
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