WO2017064955A1

WO2017064955A1 - 送電装置及び非接触給電システム

Info

Publication number: WO2017064955A1
Application number: PCT/JP2016/076547
Authority: WO
Inventors: 義弘生藤
Original assignee: ローム株式会社
Priority date: 2015-10-15
Filing date: 2016-09-09
Publication date: 2017-04-20
Also published as: US10432029B2; US20180342898A1; JP2017077093A; JP6634261B2

Abstract

送電側コイルを含む送電側共振回路を有する送電装置と受電側コイルを含む受電側共振回路を有する受電装置とから成り、磁界共鳴方式で電力の送受電が可能な非接触給電システムにおいて、送電装置の制御回路は、送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を送電側共振回路に供給し、その時の送電側コイルの電流振幅を検出する。そして、電流振幅検出値（Ｖ_Ｒ）を所定の基準値（Ｖ_ＲＲＥＦ）と比較し、電流振幅検出値が基準値以下であるならば適正な受電が可能であると判定して送電の実行を許可し、そうでない場合には送電の実行を制限する。

Description

送電装置及び非接触給電システム

　本発明は、送電装置及び非接触給電システムに関する。

　近接無線通信の一種として、１３．５６ＭＨｚを搬送波周波数として用いるＮＦＣ（Near　field　communication）による無線通信がある。一方、ＮＦＣ通信に利用されるコイルを利用して、磁界共鳴方式で非接触給電を行う技術も提案されている。

　磁界共鳴を利用した非接触給電では、送電側コイルを含む送電側共振回路を給電機器に配置すると共に受電側コイルを含む受電側共振回路を受電機器としての電子機器に配置し、それらの共振回路の共振周波数を共通の基準周波数に設定しておく。そして、送電側コイルに交流電流を流すことで送電側コイルに基準周波数の交番磁界を発生させる。すると、この交番磁界が、基準周波数で共鳴する受電側共振回路に伝わって受電側コイルに交流電流が流れる。つまり、送電側コイルを含む送電側共振回路から受電側コイルを含む受電側共振回路へ電力が伝達されることになる。

特開２０１４－３３５０４号公報

　通常、電力伝送が行われる際には電子機器が定められた所定領域（例えば、給電機器における所定の給電台の上）に配置されることになるが、場合によっては、給電機器からの距離が或る程度近いものの、電子機器が所定領域に配置されないこともある。このような場合に送電動作を行ったならば、電力伝送効率が過度に低い状態で（即ち望ましくない状態で）電力伝送が行われるおそれがあり、また過度の不要輻射が発生するおそれもある。このような状況をも考慮した、送電制御の適正化が望まれる。

　そこで本発明は、送電制御の適正化に寄与する送電装置及び非接触給電システムを提供することを目的とする。

　本発明に係る送電装置は、受電装置に対し磁界共鳴方式で電力を送電可能な送電装置において、前記送電を行うための送電側コイルを含む送電側共振回路と、前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路と、前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路と、前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行うことを特徴とする。

　具体的には例えば、前記送電装置において、前記制御回路は、前記判定用振幅検出値が所定の基準値以下である場合に前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定して前記送電の実行を許可し、そうでない場合には前記送電の実行を制限すると良い。

　また具体的には例えば、前記送電装置において、前記制御回路は、当該送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を前記受電装置から受信した後、前記判定用振幅検出値の取得を含む処理を実行すると良い。

　本発明に係る非接触給電システムは、電力を送電するための送電側コイルを含む送電側共振回路を有する送電装置と、前記電力を受電するための受電側コイルを含む受電側共振回路を有する受電装置と、を備え、磁界共鳴方式で前記電力の送受電が可能な非接触給電システムにおいて、前記送電装置は、前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路と、前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路と、前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行うことを特徴とする。

　具体的には例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記制御回路は、前記判定用振幅検出値が所定の基準値以下である場合に前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定して前記送電の実行を許可し、そうでない場合には前記送電の実行を制限すると良い。

　また具体的には例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記制御回路は、前記送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を前記受電装置から受信した後、前記判定用振幅検出値の取得を含む処理を実行すると良い。

　また例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記受電装置は、前記受電側共振回路の共振周波数を前記受電の際の共振周波数である基準周波数から変更可能な又は前記受電側コイルを短絡可能な変更／短絡回路を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、前記受電装置と異なり且つ前記送電側コイルの発生磁界に基づく電流を発生させられる異物の存否を判定する第１処理と、前記受電装置による適正な受電の可否を判定する第２処理と、を実行可能であり、前記第１処理では、前記送電装置からの通信による信号に従い前記受電装置にて前記受電側共振回路の共振周波数の変更又は前記受電側コイルの短絡が行われている状態で、所定の異物判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させ、そのときの前記検出回路による検出値を異物検出用振幅検出値として取得して、前記異物検出用振幅検出値に基づき前記異物の存否を判定し、前記異物が存在すると判定された場合、前記送電の実行は制限されるようにしても良い。

　この際例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記制御回路は、前記異物が存在しないと判定し且つ前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定した場合に、前記送電の実行を許可すると良い。

　この際例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記制御回路は、前記第１処理において、前記異物検出用振幅検出値が所定範囲を逸脱しているか否かを判定することで前記異物の存否を判定すると良い。

　また例えば、前記非接触給電システムにおいて、前記判定用振幅検出値が取得される際、前記変更／短絡回路による前記変更又は前記短絡は非実行とされると良い。

　本発明によれば、送電制御の適正化に寄与する送電装置及び非接触給電システムを提供することが可能である。

（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係る給電機器及び電子機器の概略外観図である。は、本発明の実施形態に係る給電機器及び電子機器の概略内部構成図である。は、本発明の実施形態に係る給電機器及び電子機器の概略内部構成図である。は、本発明の実施形態に係り、給電機器内のＩＣの内部ブロック図を含む、給電機器の一部構成図である。は、本発明の実施形態に係り、電子機器内のＩＣの内部ブロック図を含む、電子機器の一部構成図である。は、ＮＦＣ通信及び電力伝送が交互に行われるときの磁界強度の変化の様子を示す図である。は、給電機器内における、送電回路と負荷検出回路と共振回路の関係を示す図である。は、図７のセンス抵抗の電圧降下の波形図である。は、本発明の実施形態に係る共振状態変更回路の一例を示す回路図である。は、本発明の実施形態に係る共振状態変更回路の他の例を示す回路図である。（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係る異物の概略外形図及び概略内部構成図である。は、給電機器にて実行されるｐＦＯＤ処理の動作フローチャートである。（ａ）～（ｄ）は、給電台、電子機器及び異物の配置関係を例示する図である。は、給電台、電子機器及び異物の一配置関係を示す図である。は、給電台及び電子機器の配置関係例を示す図である。は、給電機器にて実行される受電適正判定処理の動作フローチャートである。は、本発明の実施形態に係る給電機器及び電子機器間の信号のやりとりを説明するための図である。は、本発明の実施形態に係り、ＮＦＣ通信とｐＦＯＤ処理と受電適正判定処理と電力伝送が順番に繰り返し実行される様子を示す図である。は、本発明の実施形態に係る給電機器の動作フローチャートである。は、図１９の動作に連動する電子機器の動作フローチャートである。は、給電機器にて実行されるｍＦＯＤ処理の動作フローチャートである。（ａ）及び（ｂ）は、電力伝送中において異物の挿入が行われたときの、送電側コイルの電流振幅変化を説明するための図である。は、給電機器にて実行される初期設定処理の動作フローチャートである。は、初期設定処理に関する複数の電圧波形と判定基準値との関係を示す図である。

　以下、本発明の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、状態量又は部材等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、状態量又は部材等の名称を省略又は略記することがある。また、後述の任意のフローチャートにおいて、任意の複数のステップにおける複数の処理は、処理内容に矛盾が生じない範囲で、任意に実行順序を変更できる又は並列に実行できる。

　図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係る給電機器１及び電子機器２の概略外観図である。但し、図１（ａ）は、給電機器１及び電子機器２が離間状態にあるときのそれらの外観図であり、図１（ｂ）は、給電機器１及び電子機器２が基準配置状態にあるときのそれらの外観図である。離間状態及び基準配置状態の意義については後に詳説する。給電機器１及び電子機器２によって非接触給電システムが形成される。給電機器１は、商用交流電力を受けるための電源プラグ１１と、樹脂材料にて形成された給電台１２と、を備える。

　図２に、給電機器１と電子機器２の概略内部構成図を示す。給電機器１は、電源プラグ１１を介して入力された商用交流電圧から所定の電圧値を有する直流電圧を生成して出力するＡＣ／ＤＣ変換部１３と、ＡＣ／ＤＣ変換部１３の出力電圧を用いて駆動する集積回路である送電側ＩＣ１００（以下、ＩＣ１００とも言う）と、ＩＣ１００に接続された送電側共振回路ＴＴ（以下、共振回路ＴＴとも言う）と、を備える。ＡＣ／ＤＣ変換部１３、送電側ＩＣ１００及び共振回路ＴＴを、給電台１２内に配置しておくことができる。ＡＣ／ＤＣ変換部１３の出力電圧を用いて駆動する回路が、ＩＣ１００以外にも、給電機器１に設けられうる。

　電子機器２は、集積回路である受電側ＩＣ２００（以下、ＩＣ２００とも言う）と、ＩＣ２００に接続された受電側共振回路ＲＲ（以下、共振回路ＲＲとも言う）と、二次電池であるバッテリ２１と、バッテリ２１の出力電圧に基づき駆動する機能回路２２と、を備える。詳細は後述するが、ＩＣ２００はバッテリ２１に対して充電電力を供給することができる。ＩＣ２００は、バッテリ２１の出力電圧にて駆動しても良いし、バッテリ２１以外の電圧源からの電圧に基づき駆動しても良い。或いは、給電機器１から受信したＮＦＣ通信（詳細は後述）のための信号を整流することで得た直流電圧が、ＩＣ２００の駆動電圧となっても良い。この場合、バッテリ２１の残容量が無くなってもＩＣ２００は駆動可能となる。

　電子機器２は、任意の電子機器であって良く、例えば、携帯電話機（スマートホンに分類される携帯電話機を含む）、携帯情報端末、タブレット型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、ＭＰ３プレイヤー、歩数計、又は、Bluetooth（登録商標）ヘッドセットである。機能回路２２は、電子機器２が実現すべき任意の機能を実現する。従って例えば、電子機器２がスマートホンであれば、機能回路２２は、相手側機器との間の通話を実現するための通話処理部、及び、ネットワーク網を介して他機器と情報を送受信するための通信処理部などを含む。或いは例えば、電子機器２がデジタルカメラであれば、機能回路２２は、撮像素子を駆動する駆動回路、撮像素子の出力信号から画像データを生成する画像処理回路などを含む。機能回路２２は、電子機器２の外部装置に設けられる回路であると考えても良い。

　図３に示す如く、共振回路ＴＴは、送電側コイルであるコイルＴ_Ｌと送電側コンデンサであるコンデンサＴ_Ｃとを有し、共振回路ＲＲは、受電側コイルであるコイルＲ_Ｌと受電側コンデンサであるコンデンサＲ_Ｃとを有する。以下では、説明の具体化のため、特に記述無き限り、送電側コイルＴ_Ｌ及び送電側コンデンサＴ_Ｃが互いに並列接続されることで共振回路ＴＴが並列共振回路として形成され、且つ、受電側コイルＲ_Ｌ及び受電側コンデンサＲ_Ｃが互いに並列接続されることで共振回路ＲＲが並列共振回路として形成されているものとする。但し、送電側コイルＴ_Ｌ及び送電側コンデンサＴ_Ｃが互いに直列接続されることで共振回路ＴＴが直列共振回路として形成されていても良いし、受電側コイルＲ_Ｌ及び受電側コンデンサＲ_Ｃが互いに直列接続されることで共振回路ＲＲが直列共振回路として形成されていても良い。

　図１（ｂ）に示す如く、電子機器２を給電台１２上の所定範囲内に載置したとき、磁界共鳴方式にて（即ち、磁界共鳴を利用して）、機器１及び２間における通信、送電及び受電が可能となる。磁界共鳴は、磁界共振などとも呼ばれる。

　機器１及び２間における通信は、ＮＦＣ（Near　field　communication）による無線通信（以下、ＮＦＣ通信と呼ぶ）であり、通信の搬送波の周波数は１３．５６ＭＨｚ（メガヘルツ）である。以下では、１３．５６ＭＨｚを基準周波数と呼ぶ。機器１及び２間におけるＮＦＣ通信は、共振回路ＴＴ及びＲＲを利用した磁界共鳴方式で行われるため、共振回路ＴＴ及びＲＲの共振周波数は、共に、基準周波数に設定されている。但し、後述されるように、共振回路ＲＲの共振周波数は、一時的に基準周波数から変更され得る。

　機器１及び２間における送電及び受電は、給電機器１から電子機器２に対するＮＦＣによる送電と、電子機器２におけるＮＦＣによる受電である。この送電と受電をまとめてＮＦＣ電力伝送又は単に電力伝送と称する。磁界共鳴方式によりコイルＴ_ＬからコイルＲ_Ｌに対して電力を伝達することで、電力伝送が非接触で実現される。

　磁界共鳴を利用した電力伝送では、送電側コイルＴ_Ｌに交流電流を流すことで送電側コイルＴ_Ｌに基準周波数の交番磁界を発生させる。すると、この交番磁界が、基準周波数で共鳴（換言すれば共振）する共振回路ＲＲに伝わって受電側コイルＲ_Ｌに交流電流が流れる。つまり、送電側コイルＴ_Ｌを含む共振回路ＴＴから受電側コイルＲ_Ｌを含む共振回路ＲＲへ電力が伝達される。尚、以下では、記述が省略されることがあるが、ＮＦＣ通信又は電力伝送においてコイルＴ_Ｌ又はコイルＲ_Ｌにより発生する磁界は、特に記述無き限り、基準周波数で振動する交番磁界である。

　電子機器２が給電台１２上の所定範囲内に載置され、上述のＮＦＣ通信及び電力伝送が実現できる状態を、基準配置状態と呼ぶ（図１（ｂ）参照）。磁気共鳴を利用した場合、相手側距離との距離が比較的大きくても通信及び電力伝送が可能であるが、電子機器２が給電台１２から相当距離離れれば、ＮＦＣ通信及び電力伝送は実現できなくなる。電子機器２が給電台１２から十分に離れていて、上述のＮＦＣ通信及び電力伝送を実現できない状態を、離間状態と呼ぶ（図１（ａ）参照）。尚、図１（ａ）に示す給電台１２では、表面が平らになっているが、載置されるべき電子機器２の形状に合わせた窪み等が給電台１２に形成されていても構わない。

　図４に、ＩＣ１００の内部ブロック図を含む、給電機器１の一部の構成図を示す。ＩＣ１００には、符号１１０、１２０、１３０、１４０、１５０及び１６０によって参照される各部位が設けられる。図５に、ＩＣ２００の内部ブロック図を含む、電子機器２の一部の構成図を示す。ＩＣ２００には、符号２１０、２２０、２３０、２４０及び２５０によって参照される各部位が設けられる。また、ＩＣ２００に対し、ＩＣ２００の駆動電圧を出力するコンデンサ２３を接続しておいても良い。コンデンサ２３は、給電機器１から受信したＮＦＣ通信のための信号を整流することで得た直流電圧を出力可能である。

　切り替え回路１１０は、制御回路１６０の制御の下、ＮＦＣ通信回路１２０及びＮＦＣ送電回路１３０のどちらかを共振回路ＴＴに接続させる。共振回路ＴＴと回路１２０及び１３０との間に介在する複数のスイッチにて、切り替え回路１１０を構成することができる。本明細書にて述べる任意のスイッチは、電界効果トランジスタ等の半導体スイッチング素子を用いて形成されて良い。

　切り替え回路２１０は、制御回路２５０の制御の下、共振回路ＲＲをＮＦＣ通信回路２２０及びＮＦＣ受電回路２３０のどちらかに接続させる。共振回路ＲＲと回路２２０及び２３０との間に介在する複数のスイッチにて、切り替え回路２１０を構成することができる。

　共振回路ＴＴが切り替え回路１１０を介してＮＦＣ通信回路１２０に接続され、且つ、共振回路ＲＲが切り替え回路２１０を介してＮＦＣ通信回路２２０に接続されている状態を、通信用接続状態と呼ぶ。通信用接続状態にてＮＦＣ通信が可能となる。通信用接続状態において、ＮＦＣ通信回路１２０は、基準周波数の交流信号（交流電圧）を共振回路ＴＴに供給することができる。機器１及び２間のＮＦＣ通信は半二重方式で実行される。

　通信用接続状態において給電機器１が送信側であるとき、ＮＦＣ通信回路１２０が共振回路ＴＴに供給する交流信号に任意の情報信号を重畳させることで、当該情報信号が給電機器側アンテナコイルとしてのコイルＴ_Ｌから送信され且つ電子機器側アンテナコイルとしてのコイルＲ_Ｌにて受信される。コイルＲ_Ｌにて受信された情報信号はＮＦＣ通信回路２２０にて抽出される。通信用接続状態において電子機器２が送信側であるとき、ＮＦＣ通信回路２２０は、任意の情報信号（応答信号）を共振回路ＲＲのコイルＲ_Ｌから共振回路ＴＴのコイルＴ_Ｌに送信できる。この送信は、周知の如く、ＩＳＯ規格（例えばＩＳＯ１４４４３規格）に基づき、コイルＴ_Ｌ（給電機器側アンテナコイル）から見たコイルＲ_Ｌ（電子機器側アンテナコイル）のインピーダンスを変化させる負荷変調方式にて実現される。電子機器２から伝達された情報信号はＮＦＣ通信回路１２０にて抽出される。

　共振回路ＴＴが切り替え回路１１０を介してＮＦＣ送電回路１３０に接続され、且つ、共振回路ＲＲが切り替え回路２１０を介してＮＦＣ受電回路２３０に接続されている状態を、給電用接続状態と呼ぶ。

　給電用接続状態において、ＮＦＣ送電回路１３０は送電動作を行うことができ、ＮＦＣ受電回路２３０は受電動作を行うことができる。送電動作と受電動作にて電力伝送が実現される。送電動作において、送電回路１３０は、共振回路ＴＴに基準周波数の送電用交流信号（送電用交流電圧）を供給することで送電側コイルＴ_Ｌに基準周波数の送電用磁界（送電用交番磁界）を発生させ、これによって、共振回路ＴＴ（送電側コイルＴ_Ｌ）から共振回路ＲＲに対し磁界共鳴方式で電力を送電する。送電動作に基づき受電側コイルＲ_Ｌにて受電された電力は受電回路２３０に送られ、受電動作において、受電回路２３０は、受電した電力から任意の直流電力を生成して出力する。受電回路２３０の出力電力にてバッテリ２１を充電することができる。

　通信用接続状態にてＮＦＣ通信を行う場合も、コイルＴ_Ｌ又はＲ_Ｌにて磁界が発生するが、ＮＦＣ通信における磁界強度は、所定の範囲内に収まる。その範囲の下限値及び上限値は、ＮＦＣの規格で定められ、夫々、１．５Ａ／ｍ、７．５Ａ／ｍである。これに対し、電力伝送（即ち送電動作）において送電側コイルＴ_Ｌにて発生する磁界の強度（送電用磁界の磁界強度）は、上記の上限値より大きく、例えば４５～６０Ａ／ｍ程度である。機器１及び２を含む非接触給電システムにおいて、ＮＦＣ通信及び電力伝送（ＮＦＣ電力伝送）を交互に行うことができ、その時の磁界強度の様子を図６に示す。

　負荷検出回路１４０は、送電側コイルＴ_Ｌの負荷の大きさ、即ち、送電回路１３０から送電側コイルＴ_Ｌに交流信号が供給されるときにおける送電側コイルＴ_Ｌにとっての負荷の大きさを検出する。図７に、給電用接続状態における送電回路１３０と負荷検出回路１４０と共振回路ＴＴとの関係を示す。尚、図７では、切り替え回路１１０の図示が省略されている。

　送電回路１３０は、基準周波数の正弦波信号を生成する信号生成器１３１と、信号生成器１３１にて生成された正弦波信号を増幅し、増幅した正弦波信号をライン１３４の電位を基準としてライン１３４及び１３５間に出力する増幅器（パワーアンプ）１３２と、コンデンサ１３３とを備える。但し、コンデンサ１３３は、送電回路１３０と共振回路ＴＴとの間に挿入されていると考えても良い。一方、負荷検出回路１４０は、センス抵抗１４１、包絡線検波器１４２、増幅器１４３及びＡ／Ｄ変換器１４４を備える。信号生成器１３１が生成する正弦波信号の信号強度は一定値に固定されているが、増幅器１３２の増幅率は制御回路１６０により可変設定される。

　コンデンサ１３３の一端はライン１３５に接続される。給電用接続状態において、コンデンサ１３３の他端はコンデンサＴ_Ｃ及びコイルＴ_Ｌの各一端に共通接続され、且つ、コイルＴ_Ｌの他端はセンス抵抗１４１を介してライン１３４及びコンデンサＴ_Ｃの他端に共通接続される。

　送電動作は、増幅器１３２からコンデンサ１３３を介し共振回路ＴＴに交流信号（送電用交流電圧）を供給することで実現される。給電用接続状態において、増幅器１３２からの交流信号が共振回路ＴＴに供給されると送電側コイルＴ_Ｌに基準周波数の交流電流が流れ、結果、センス抵抗１４１に交流の電圧降下が発生する。図８の実線波形は、センス抵抗１４１における電圧降下の電圧波形である。共振回路ＴＴに関し、送電側コイルＴ_Ｌの発生磁界強度が一定の下、電子機器２を給電台１２に近づけると、送電側コイルＴ_Ｌの発生磁界に基づく電流が受電側コイルＲ_Ｌに流れる一方で、受電側コイルＲ_Ｌに流れた電流に基づく逆起電力が送電側コイルＴ_Ｌに発生し、その逆起電力は送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流を低減するように作用する。このため、図８に示す如く、基準配置状態におけるセンス抵抗１４１の電圧降下の振幅は、離間状態におけるそれよりも小さい。

　包絡線検波器１４２は、センス抵抗１４１における電圧降下の信号の包絡線を検波することで、図８の電圧ｖに比例するアナログの電圧信号を出力する。増幅器１４３は、包絡線検波器１４２の出力信号を増幅して出力する。Ａ／Ｄ変換器１４４は、増幅器１４３の出力電圧信号をデジタル信号に変換することでデジタルの電圧値Ｖ_ＤＥＴを出力する。上述の説明から理解されるように、電圧値Ｖ_ＤＥＴは、センス抵抗１４１に流れる電流の振幅（従って、送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅）に比例する値を持つ（当該振幅の増大に伴って電圧値Ｖ_ＤＥＴも増大する）。故に、負荷検出回路１４０は、送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅（以下、電流振幅とも言う）を検出する電流振幅検出回路であるとも言え、その振幅検出値が電圧値Ｖ_ＤＥＴであると考えることができる。尚、包絡線検波器１４２を増幅器１４３の後段に設けるようにしても良い。但し、図７に示す如く、包絡線検波器１４２を増幅器１４３の前段に設けた方が、高周波への応答性能がより低いものを増幅器１４３として採用可能となり有利である。

　磁界を発生させる送電側コイルＴ_Ｌにとって、受電側コイルＲ_Ｌのような、送電側コイルＴ_Ｌと磁気結合するコイルは、負荷であると考えることができ、その負荷の大きさに依存して、負荷検出回路１４０の検出値である電圧値Ｖ_ＤＥＴが変化する。このため、負荷検出回路１４０は電圧値Ｖ_ＤＥＴの出力によって負荷の大きさを検出している、と考えることもできる。ここにおける負荷の大きさとは、送電の際における送電側コイルＴ_Ｌにとっての負荷の大きさとも言えるし、送電の際における給電装置１から見た電子機器２の負荷としての大きさとも言える。尚、センス抵抗１４１はＩＣ１００の内部に設けられても良いし、ＩＣ１００の外部に設けられても良い。

　メモリ１５０（図４参照）は、不揮発性メモリから成り、任意の情報を不揮発的に記憶する。制御回路１６０は、ＩＣ１００内の各部位の動作を統括的に制御する。制御回路１６０が行う制御には、例えば、切り替え回路１１０の切り替え動作の制御、通信回路１２０及び送電回路１３０による通信動作及び送電動作の内容制御及び実行有無制御、負荷検出回路１４０の動作制御、メモリ１５０の記憶制御及び読み出し制御が含まれる。制御回路１６０は、タイマ（不図示）を内蔵しており任意のタイミング間の時間長さを計測できる。

　電子機器２における共振状態変更回路２４０（図５参照）は、共振回路ＲＲの共振周波数を基準周波数から他の所定周波数ｆ_Ｍに変更可能な共振周波数変更回路、又は、共振回路ＲＲにおける受電側コイルＲ_Ｌを短絡可能なコイル短絡回路である。

　図９の共振周波数変更回路２４０Ａは、共振状態変更回路２４０としての共振周波数変更回路の例である。共振周波数変更回路２４０Ａは、コンデンサ２４１とスイッチ２４２の直列回路から成り、該直列回路の一端はコンデンサＲ_Ｃ及びコイルＲ_Ｌの各一端に共通接続される一方、該直列回路の他端はコンデンサＲ_Ｃ及びコイルＲ_Ｌの各他端に共通接続される。スイッチ２４２は、制御回路２５０の制御の下、オン又はオフとなる。スイッチ２４２がオフのとき、コンデンサ２４１はコンデンサＲ_Ｃ及びコイルＲ_Ｌから切り離されるため、共振回路ＲＲは、寄生インダクタンス及び寄生容量を無視すれば、コイルＲ_Ｌ及びコンデンサＲ_Ｃのみで形成されて、共振回路ＲＲの共振周波数は基準周波数と一致する。即ち、スイッチ２４２がオフのとき、共振回路ＲＲの共振周波数を決定する受電側容量は、コンデンサＲ_Ｃそのものである。スイッチ２４２がオンのとき、コンデンサＲ_Ｃにコンデンサ２４１が並列接続されることになるため、共振回路ＲＲはコイルＲ_ＬとコンデンサＲ_Ｃ及び２４１の合成容量とで形成され、結果、共振回路ＲＲの共振周波数は基準周波数よりも低い周波数ｆ_Ｍとなる。即ち、スイッチ２４２がオンのとき、共振回路ＲＲの共振周波数を決定する受電側容量は、上記の合成容量である。ここでは、スイッチ２４２がオンのとき共振回路ＲＲが送電側コイルＴ_Ｌの負荷として機能しない程度に（即ち、共振回路ＴＴ及びＲＲ間で磁気共鳴が十分に発生しない程度に）、周波数ｆ_Ｍが基準周波数から離れているものとする。例えば、スイッチ２４２のオンのときにおける共振回路ＲＲの共振周波数（即ち周波数ｆ_Ｍ）は、数１００ｋＨｚ～１ＭＨｚとされる。

　共振回路ＲＲの共振周波数を周波数ｆ_Ｍに変更できる限り、変更回路２４０としての共振周波数変更回路は共振周波数変更回路２４０Ａに限定されず、周波数ｆ_Ｍは基準周波数より高くても良い。つまり、受電側共振回路ＲＲが直列共振回路でありうることをも考慮すれば、以下のことが言える。受電側共振回路ＲＲは受電側コイル（Ｒ_Ｌ）と受電側容量の並列回路又は直列回路を有し、受電側容量が所定の基準容量と一致しているとき、受電側共振回路ＲＲの共振周波数ｆ_Ｏは基準周波数と一致する。共振周波数変更回路は、必要なタイミングにおいて、受電側容量を基準容量から増加又は減少させる。これにより、受電側共振回路ＲＲにおいて、受電側コイル（Ｒ_Ｌ）と、基準容量より大きい又は小さい受電側容量とで、並列回路又は直列回路が形成され、結果、受電側共振回路ＲＲの共振周波数ｆ_Ｏが基準周波数から変更される。

　図１０のコイル短絡回路２４０Ｂは、共振状態変更回路２４０としてのコイル短絡回路の例である。コイル短絡回路２４０Ｂは、共振回路ＲＲにおけるコンデンサＲ_Ｃの一端及びコイルＲ_Ｌの一端が共通接続されるノードと、共振回路ＲＲにおけるコンデンサＲ_Ｃの他端及びコイルＲ_Ｌの他端が共通接続されるノードとの間に接続（挿入）されたスイッチ２４３から成る。スイッチ２４３は、制御回路２５０の制御の下、オン又はオフとなる。スイッチ２４３がオンとなると共振回路ＲＲにおけるコイルＲ_Ｌが短絡される（より詳細にはコイルＲ_Ｌの両端が短絡される）。受電側コイルＲ_Ｌが短絡された状態では受電側共振回路ＲＲが存在しなくなる（受電側共振回路ＲＲが存在しない状態と等価な状態となる）。従って、受電側コイルＲ_Ｌの短絡中では、送電側コイルＴ_Ｌにとっての負荷が十分に軽くなる（即ち、あたかも、給電台１２上に電子機器２が存在しないかのような状態となる）。受電側コイルＲ_Ｌを短絡できる限り、変更回路２４０としてのコイル短絡回路はコイル短絡回路２４０Ｂに限定されない。

　以下では、受電側共振回路ＲＲの共振周波数ｆ_Ｏを基準周波数から所定周波数ｆ_Ｍに変更する動作を、共振周波数変更動作と呼び、コイル短絡回路を用いて受電側コイルＲ_Ｌを短絡する動作を、コイル短絡動作と呼ぶ。また、記述の簡略化上、共振周波数変更動作又はコイル短絡動作をｆ_Ｏ変更／短絡動作と称することがある。

　制御回路２５０（図５参照）は、ＩＣ２００内の各部位の動作を統括的に制御する。制御回路２５０が行う制御には、例えば、切り替え回路２１０の切り替え動作の制御、通信回路２２０及び受電回路２３０による通信動作及び受電動作の内容制御及び実行有無制御、変更回路２４０の動作制御が含まれる。制御回路２５０は、タイマ（不図示）を内蔵しており任意のタイミング間の時間長さを計測できる。一つの例として、制御回路２５０におけるタイマは、ｆ_Ｏ変更／短絡動作による共振周波数ｆ_Ｏの所定周波数ｆ_Ｍへの変更又は受電側コイルＲ_Ｌの短絡が維持される時間の計測（即ち後述の時間Ｔ_Ｍ１の計測；図２０のステップＳ２０７参照）を行うことできる。

　ところで、給電機器１の制御回路１６０は、給電台１２上における異物の存否を判断し、異物が無い場合にのみ送電動作を行うよう送電回路１３０を制御できる。本実施形態における異物は、電子機器２及び電子機器２の構成要素（受電側コイルＲ_Ｌなど）と異なる物体であって、且つ、給電機器１に近づいたときに、送電側コイルＴ_Ｌの発生磁界に基づいて電流（異物内での電流）を発生させられる物体を含む。本実施形態において、異物の存在とは、送電側コイルＴ_Ｌの発生磁界に基づく、無視できない程度の電流が異物内で流れるような位置に異物が存在することを意味する、と解して良い。尚、送電側コイルＴ_Ｌの発生磁界に基づき異物内で流れることになった電流は、異物に対向、結合するコイル（Ｔ_ＬやＲ_Ｌ）に起電力（又は逆起電力）を発生させるため、そのコイルを含む回路の特性に無視できない影響を与えうる。

　図１１（ａ）に、異物の一種である異物３の概略外形図を示し、図１１（ｂ）に異物３の概略内部構成図を示す。異物３は、コイルＪ_Ｌ及びコンデンサＪ_Ｃの並列回路から成る共振回路ＪＪと、共振回路ＪＪに接続された異物内回路３００と、を備える。共振回路ＪＪの共振周波数は基準周波数に設定されている。異物３は、電子機器２とは異なり、給電機器１に対応しない機器である。例えば、異物３は、ＮＦＣ通信に応答しない１３．５６ＭＨｚのアンテナコイル（コイルＪ_Ｌ）を持つ無線ＩＣタグを有した物体（非接触ＩＣカード等）である。また例えば、異物３は、ＮＦＣ通信機能自体は有しているものの、その機能が無効とされている電子機器である。例えば、ＮＦＣ通信機能を有するスマートホンではあるが、ソフトウェア設定で当該機能をオフにされているスマートホンは、異物３となりうる。また、ＮＦＣ通信機能が有効となっているスマートホンでも、受電機能を持たないスマートホンも異物３に分類される。

　このような異物３が給電台１２上に配置されている状態において、仮に、給電機器１が送電動作を行うと、送電側コイルＴ_Ｌが発生した強磁界（例えば、１２Ａ／ｍ以上の磁界強度を持つ磁界）にて異物３が破壊されることがある。例えば、送電動作時における強磁界は、給電台１２上の異物３のコイルＪ_Ｌの端子電圧を１００Ｖ～２００Ｖまで増大させることもあり、そのような高電圧に耐えられるように異物３が形成されていなければ、異物３が破壊される。故に、異物の存否検出を介した送電制御が重要となる。

［ｐＦＯＤ処理（電力伝送前の異物検出処理）］
　図１２を参照し、異物の存否を検出するための異物検出処理を説明する。図１２は、電力伝送前に給電機器１により実行される異物検出処理（以下、ｐＦＯＤ処理という）のフローチャートである。

　ｐＦＯＤ処理の実行時には、送電回路１３０が共振回路ＴＴに接続される。ｐＦＯＤ処理において、制御回路１６０は、まずステップＳ１１にて、送電回路１３０を制御することで共振回路ＴＴに所定の大きさを有するｐＦＯＤ用交流電圧を供給する。ｐＦＯＤ用交流電圧の大きさ（振幅）は、送電動作にて送電回路１３０が共振回路ＴＴに供給する送電用交流電圧の大きさよりも小さい。例えば、送電用交流電圧の波高値の２倍は７０Ｖ程度とされる一方、ｐＦＯＤ用交流電圧の波高値の２倍は１０Ｖ程度とされる。共振回路ＴＴに対するｐＦＯＤ用交流電圧の供給により、送電側コイルＴ_ＬにてｐＦＯＤ用磁界が発生する。ｐＦＯＤ用磁界は、所定の磁界強度を有した、基準周波数で振動する交番磁界である。ｐＦＯＤ用磁界の磁界強度は、電力伝送（即ち送電動作）中にて発生する送電用磁界の磁界強度（例えば、４５～６０Ａ／ｍ）よりも相当に小さく、ＮＦＣ通信時の発生磁界強度における下限値“１．５Ａ／ｍ”から上限値“７．５Ａ／ｍ”までの範囲内に収まる。故に、ｐＦＯＤ用磁界によって異物３が破損等するおそれは無い又は少ない。送電回路１３０による共振回路ＴＴへの供給電圧とは、図７においては、ライン１３４及び１３５間の交流電圧、又は、コンデンサＴ_Ｃへの印加電圧と解して良い。

　ステップＳ１１に続くステップＳ１２において、制御回路１６０は、負荷検出回路１４０を用い、ｐＦＯＤ用磁界を発生させているときの電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤとして取得する。電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤは、ｐＦＯＤ用磁界を送電側コイルＴ_Ｌに発生させているときの、送電側コイルＴ_Ｌの電流振幅に応じた値を持つ。尚、ｐＦＯＤ処理が実行される期間中には、ＮＦＣ通信を介した給電機器１からの指示に従い電子機器２においてｆ_Ｏ変更／短絡動作（共振周波数変更動作又はコイル短絡動作）が実行されている。故に、共振回路ＲＲ（受電側コイルＲ_Ｌ）は実質的に送電側コイルＴ_Ｌの負荷として機能せず、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤの減少を全く又は殆どもたらさない。

　ステップＳ１２に続くステップＳ１３において、制御回路１６０は、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが所定のｐＦＯＤ正常範囲内に収まるか否かを判断する。そして、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤがｐＦＯＤ正常範囲内に収まる場合、制御回路１６０は、異物３が給電台１２上に存在していないと判定する（ステップＳ１４）。この判定を異物無判定と称する。一方、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤがｐＦＯＤ正常範囲を逸脱する場合、制御回路１６０は、異物３が給電台１２上に存在していると判定する（ステップＳ１５）。この判定を異物有判定と称する。制御回路１６０は、異物無判定を成した場合、送電回路１３０による送電動作の実行が可能であると判断して送電動作の実行（共振回路ＴＴを用いた送電）を許可し、異物有判定を成した場合、送電回路１３０による送電動作の実行が不可であると判断して送電動作の実行を制限（禁止）する。但し、異物無判定が成されても、後述の受電適正判定処理の結果によっては、送電動作の実行が制限（禁止）されることがある。

　ｐＦＯＤ正常範囲は、所定の下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}以上且つ所定の上限値Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}以下の範囲である（０＜Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}＜Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}）。故に、判定不等式“Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}≦Ｖ_ｐＦＯＤ≦Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}”が満たされる場合には異物無判定が成され、そうでない場合には異物有判定が成される。

　ｐＦＯＤ処理の実行時において、給電台１２上に異物３が存在している場合、異物３の共振回路ＪＪ（コイルＪ_Ｌ）が送電側コイルＴ_Ｌの負荷として機能し、結果、給電台１２上に異物３が存在しない場合と比べて、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤの減少がみられる。

　また、異物として、異物３と異なる異物３ａ（不図示）も考えられる。異物３ａは、例えば、アルミニウムを含んで形成された金属体（アルミニウム箔やアルミニウム板）や銅を含んで形成された金属体である。ｐＦＯＤ処理の実行時において、給電台１２上に異物３ａが存在している場合、給電台１２上に異物３ａが存在しない場合と比べて、電気的及び磁気的な作用により、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤの増大がみられる。

　電力伝送の実行前において、給電台１２上に異物３が存在している場合には電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}を下回るように、且つ、給電台１２上に異物３ａが存在している場合には電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが上限値Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}を上回るように、且つ、給電台１２上に異物（３又は３ａ）が存在していない場合には電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤがｐＦＯＤ正常範囲内に収まるように、実験及び／又は理論計算を介して、下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}が予め設定されてメモリ１５０に記憶されている。

　尚、給電台１２上に異物３ａが存在する状態で送電用磁界を発生させると、異物３ａにて電力が吸収され、異物３ａが発熱するおそれがある。本実施形態では、電力伝送の搬送波周波数としての基準周波数が１３．５６ＭＨｚであることを想定しているため、そのような発熱のおそれは十分に少ないとも言える。故に、異物３ａの存在を考慮することなく、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}を下回った場合に限って異物有判定を行い、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}以上であれば常に異物無判定を行うようにしてもよい（即ち上限値Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}を撤廃しても良い）。しかしながら、本実施形態に係る発明において基準周波数は１３．５６ＭＨｚに限定されず、基準周波数を例えば数１００ｋＨｚ程度にした場合には、異物３ａの発熱のおそれが高くなるため、下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}だけでなく上限値Ｖ_{ｐＲＥＦＨ}をｐＦＯＤ正常範囲に定める、上述の方法の採用が望ましい。

　図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して、異物３の検出に関する第１～第４ケースを考える。第１ケースでは、給電台１２上に電子機器２のみが存在している。第２ケースでは、給電台１２上に電子機器２及び異物３が存在している。第３ケースでは、給電台１２上に異物３のみが存在している。第４ケースでは、給電台１２上に電子機器２も異物３も存在していない。

　上述したように、ｐＦＯＤ処理が実行される期間中には電子機器２においてｆ_Ｏ変更／短絡動作が実行されているため、第１ケースでは、送電側コイルＴ_Ｌにとっての負荷が十分に軽くなり（即ち、あたかも、給電台１２上に電子機器２が存在しないかのような状態となり）、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが十分に大きくなって異物無判定が成される。一方、第２ケースでは、共振回路ＲＲの共振周波数が上記周波数ｆ_Ｍへと変更されるものの又は受電側コイルＲ_Ｌが短絡されるものの、異物３は送電側コイルＴ_Ｌの負荷として存在し続けるため（異物３の共振回路ＪＪの共振周波数は基準周波数のままであるため）、電流振幅検出値Ｖ_ｐＦＯＤが十分に小さくなって異物有判定が成される。

　第３及び第４ケースでは、ＮＦＣ通信に応答する電子機器２が給電台１２上に存在しないため、そもそも送電動作は不要であり、従ってｐＦＯＤ処理自体が実行されない。給電機器１は、ＮＦＣ通信により、電力伝送に対応可能な電子機器２が給電台１２上に存在しているか否かを判断できる。尚、異物３が給電台１２上に存在する状態は、異物３が給電台１２に直接接触している状態に限定されない。例えば、図１４に示す如く、給電台１２上に電子機器２が直接接触する形で存在し且つ電子機器２の上に異物３が存在しているような状態も、異物有判定が成される限り、異物３が給電台１２上に存在する状態に属する。

［受電適正判定処理］
　次に、図１５に示すような、電子機器２が給電台１２から若干離れた位置に存在する状況を考える。例えば、電子機器２のユーザが給電台１２の上方で電子機器２を把持したり、給電台１２と電子機器２との間に本などを挟んだりした場合に、電子機器２が給電台１２から若干離れた位置に存在することになる。このような状況において、給電機器１及び電子機器２間の距離がＮＦＣ通信が不能な程度に大きいのであれば、当該状況は図１（ａ）の離間状態と等価であると考えられ、送電動作が開始されないので問題は無い（後述されるが、送電動作はＮＦＣ通信を経た後にしか実行されないため）。但し、給電機器１及び電子機器２間の距離が、電力伝送に適しているとは言えないもののＮＦＣ通信が可能な程度に近い場合も考えられ、そのような場合に送電動作を行ったならば、電力伝送効率の相当に低い状態で（即ち望ましくない状態で）電力伝送が行われることになるし、また、給電機器１からの送電電力の内、電子機器２にて受電できない分が、大きな不要輻射として放射されることになる。

　これを考慮し、給電機器１では、送電動作の実行に先立ち、上述のｐＦＯＤ処理とは別に、電子機器２による適正な受電の可否を判定する受電適正判定処理を実行する。

　図１６は、受電適正判定処理のフローチャートである。受電適正判定処理は、給電機器１及び電子機器２が給電用接続状態にあるときに実行される。即ち、給電機器１にて送電回路１３０が共振回路ＴＴに接続され且つ電子機器２にて共振回路ＲＲが受電回路２３０に接続されている状態で、受電適正判定処理が実行される。また、受電適正判定処理が実行されているとき、電子機器２においてｆ_Ｏ変更／短絡動作が実行されておらず、よって共振回路ＲＲの共振周波数は基準周波数となっている。つまり、受電適正判定処理は、電力伝送が行われるときと同様の状態で実行される。

　受電適正判定処理において、制御回路１６０は、まずステップＳ２１にて、送電回路１３０を制御することで共振回路ＴＴに所定の大きさを有する判定用交流電圧を供給する。これにより、送電側コイルＴ_Ｌにて判定用磁界が発生する。判定用磁界は、所定の磁界強度を有した、基準周波数で振動する交番磁界である。

　交流電圧の大きさ（振幅）において、判定用交流電圧は、送電動作にて送電回路１３０が共振回路ＴＴに供給する送電用交流電圧と同じであっても良いし、ｐＦＯＤ処理にて送電回路１３０が共振回路ＴＴに供給するｐＦＯＤ用交流電圧と同じであっても良いし、それらと異なっていても良い。判定用交流電圧の大きさを送電用交流電圧のそれと同じにすれば、判定用磁界の磁界強度は送電用磁界の磁界強度と同じになる。判定用交流電圧の大きさをｐＦＯＤ用交流電圧のそれと同じにすれば、判定用磁界の磁界強度はｐＦＯＤ用磁界の磁界強度と同じになる。判定用交流電圧の大きさを送電用交流電圧及びｐＦＯＤ用交流電圧のそれらと異ならせれば、判定用磁界の磁界強度は送電用磁界及びｐＦＯＤ用磁界の磁界強度と相違することになる。

　詳細は後述されるが、ｐＦＯＤ処理及び受電適正判定処理の内、ｐＦＯＤ処理を先に実行し、ｐＦＯＤ処理にて異物無判定が成された後に限って受電適正判定処理を行うようにすると良い。そうすれば、給電台１２上に異物が存在しないと判断された場合に限って受電適正判定処理が実行されるようになるため、例えば、判定用磁界の磁界強度を送電用磁界の磁界強度にまで高めたとしても、異物の破損等のおそれは無い。

　ステップＳ２１に続くステップＳ２２において、制御回路１６０は、負荷検出回路１４０を用い、判定用磁界を発生させているときの電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_Ｒとして取得する。電流振幅検出値Ｖ_Ｒは、判定用磁界を送電側コイルＴ_Ｌに発生させているときの、送電側コイルＴ_Ｌの電流振幅に応じた値を持つ。

　ステップＳ２２に続くステップＳ２３において、制御回路１６０は、電流振幅検出値Ｖ_Ｒを所定の判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦと比較する。そして、“Ｖ_Ｒ≦Ｖ_ＲＲＥＦ”が成立する場合、制御回路１６０は、電子機器２にて適正な受電が可能であると判定する（ステップＳ２４）。この判定を受電適正判定と称する。一方、“Ｖ_Ｒ≦Ｖ_ＲＲＥＦ”が成立しない場合、制御回路１６０は、電子機器２にて適正な受電が不可であると判定する（ステップＳ２５）。この判定を受電不適正判定と称する。制御回路１６０は、受電適正判定を成した場合、送電回路１３０による送電動作の実行が可能であると判断して送電動作の実行（共振回路ＴＴを用いた送電）を許可し、受電不適正判定を成した場合、送電回路１３０による送電動作の実行が不可であると判断して送電動作の実行を制限（禁止）する。ｐＦＯＤ処理と受電適正判定処理を組み合わせたならば、ｐＦＯＤ処理にて異物無判定が成され且つ受電適正判定処理にて受電適正判定が成された場合に限って、送電動作の実行が許可され、異物有判定又は受電不適正判定が成された場合には送電動作の実行が制限（禁止）されることになる。

　送電動作の実行時において受電側コイルＲ_Ｌでの受電電力が最大化されるように電子機器２を給電台１２上に載置したときの受電側コイルＲ_Ｌの受電電力を、最大受電可能電力と称する。電子機器２にて適正な受電が可能であるとは、送電動作を実行した際に、受電側コイルＲ_Ｌにて最大受電可能電力のｋ_Ｚ倍以上の電力が受電されることを指す。ここで、ｋ_Ｚは１未満の正の所定値を持ち、例えば、０．２５～０．７５の範囲内から選ばれて良い。

　受電側コイルＲ_Ｌの受電電力が最大受電可能電力となる位置を内包する所定の電力伝送可能領域内に電子機器２が存在するとき、“Ｖ_Ｒ≦Ｖ_ＲＲＥＦ”が成立し、且つ、所定の電力伝送可能領域外に電子機器２が存在するとき、“Ｖ_Ｒ≦Ｖ_ＲＲＥＦ”が成立しない。故に、電子機器２にて適正な受電が可能であることと所定の電力伝送可能領域内に電子機器２が存在することとは等価であり、電子機器２にて適正な受電が不可であることと所定の電力伝送可能領域外に電子機器２が存在することとは等価である、と言える。

　電力伝送可能領域内に電子機器２が存在するとは、詳細には、電子機器２の中心若しくは重心又は受電側コイルＲ_Ｌの中心若しくは重心が電力伝送可能領域内に位置していることを意味し、電力伝送可能領域外に電子機器２が存在するとは、詳細には、電子機器２の中心若しくは重心又は受電側コイルＲ_Ｌの中心若しくは重心が電力伝送可能領域外に位置していることを意味する。従って、受電適正判定処理は、所定の電力伝送可能領域内に電子機器２又は受電側コイルＲ_Ｌが存在しているか否かを判定する処理である、とも言える。

　ｋ_Ｚの値を考慮しつつ、適宜、実験及び／又は理論計算を介し、判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを予め定めてメモリ１５０に記憶しておくと良い。

　上述の受電適正判定処理を介して送電動作の実行制御を行うことにより、不適正な受電しか行われ得ないような状況下での送電動作の実行が抑制され、大きな不要輻射の発生や無駄な電力消費を抑制することが可能となる。

［電力伝送までの信号のやりとり：図１７］
　図１７を参照して、電力伝送が行われるまでの機器１及び２間の信号のやりとりを説明する。図１７及び後述の図１８では、電子機器２が基準配置状態（図１（ｂ））にて給電台１２上に存在しており（従って電子機器２にて適正な受電が可能であり）、且つ、給電台１２上に異物がないことが想定されている。

　まず、給電機器１が送信側且つ電子機器２が受信側となり、給電機器１（ＩＣ１００）が、ＮＦＣ通信によって、問い合わせ信号５１０を給電台２上の機器（以下、給電対象機器とも言う）に送信する。給電対象機器は、電子機器２を含み、異物３を含みうる。問い合わせ信号５１０は、例えば、給電対象機器の固有識別情報を問い合わせる信号、給電対象機器がＮＦＣ通信を実行可能な状態にあるかを問い合わせる信号、及び、給電対象機器が電力を受け取れるか又は電力の送電を求めているかを問い合わせる信号を含む。

　問い合わせ信号５１０を受信した電子機器２（ＩＣ２００）は、問い合わせ信号５１０の問い合わせ内容に答える応答信号５２０を、ＮＦＣ通信によって給電機器１に送信する。応答信号５２０を受信した給電機器１（ＩＣ１００）は、応答信号５２０を解析し、給電対象機器がＮＦＣ通信を可能であって且つ電力を受け取れる又は電力の送電を求めている場合に、テスト用要求信号５３０をＮＦＣ通信によって給電対象機器に送信する。テスト用要求信号５３０を受信した給電対象機器としての電子機器２（ＩＣ２００）は、テスト用要求信号５３０に対する応答信号５４０をＮＦＣ通信によって給電機器１に送信してから、速やかに、ｆ_Ｏ変更／短絡動作（共振周波数変更動作又はコイル短絡動作）を実行する。テスト用要求信号５３０は、例えば、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行を要求、指示する信号であり、電子機器２の制御回路２５０は、テスト用要求信号５３０の受信を契機としてｆ_Ｏ変更／短絡動作を共振状態変更回路２４０に実行させる。テスト用要求信号５３０の受信前においてｆ_Ｏ変更／短絡動作は非実行とされている。ｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行の契機となるならばテスト用要求信号５３０はどのような信号でも良く、問い合わせ信号５１０に内包されるものであっても良い。

　応答信号５４０を受信した給電機器１（ＩＣ１００）は、上述のｐＦＯＤ処理を実行する。ｐＦＯＤ処理の実行期間中、電子機器２（ＩＣ２００）は、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行を継続する。具体的には、電子機器２（ＩＣ２００）は、内蔵タイマを用いて、ｐＦＯＤ処理の実行期間の長さに応じた時間だけｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行を維持してからｆ_Ｏ変更／短絡動作を停止する。電子機器２は、ｆ_Ｏ変更／短絡動作を停止させると速やかに共振回路ＲＲを受電回路２３０に接続する。

　ｐＦＯＤ処理において、給電台１２上に異物が無いと判断すると、給電機器１（ＩＣ１００）は、ｐＦＯＤ処理に続いて受電適正判定処理を実行する。そして、受電適正判定処理にて受電適正判定が成されると認証信号５５０をＮＦＣ通信により給電対象機器に送信する。認証信号５５０は、例えば、これから送電を行うことを給電対象機器に通知する信号を含む。電子機器２では、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の停止後、共振回路ＲＲを受電回路２３０に接続してから受電適正判定処理の実行期間の長さに応じた時間が経過すると共振回路ＲＲを通信回路２２０に接続して認証信号５５０の受信を待機する。認証信号５５０を受信した電子機器２（ＩＣ２００）は、認証信号５５０に対応する応答信号５６０を、ＮＦＣ通信によって給電機器１に送信する。応答信号５６０は、例えば、認証信号５５０が示す内容を認識したことを通知する信号又は認証信号５５０が示す内容に許可を与える信号を含む。応答信号５６０を受信した給電機器１（ＩＣ１００）は、送電回路１３０を共振回路ＴＴに接続して送電動作を実行し、これにより電力伝送５７０が実現される。

　図１３（ａ）の第１ケースでは、上記の流れで電力伝送５７０が実行されるが、図１３（ｂ）の第２ケースの場合においては、応答信号５４０の送受信まで処理が進行するものの、ｐＦＯＤ処理において給電台１２上に異物があると判断されるため、電力伝送５７０が実行されない。また、図１５に示す如く、給電台１２上に異物がないものの、電子機器２が給電台１２から相応に離れていて受電不適正判定が成された場合にも電力伝送５７０が実行されない。１回分の電力伝送５７０は所定時間だけ行われるものであっても良く、問い合わせ信号５１０の送信から電力伝送５７０までの一連の処理を、繰り返し実行するようにしても良い。実際には、図１８に示す如く、ＮＦＣ通信とｐＦＯＤ処理と受電適正判定処理と電力伝送（ＮＦＣ電力伝送）とを順番に且つ繰り返し実行することができる（但し、異物無判定及び受電適正判定が成されると仮定）。つまり、非接触給電システムでは、ＮＦＣ通信とｐＦＯＤ処理と受電適正判定処理と電力伝送とを、時分割で順番に且つ繰り返し行うことができる（但し、異物無判定及び受電適正判定が成されると仮定）。尚、図１８では、受電適正判定処理にて発生する判定用磁界の磁界強度が、電力伝送中の送電用磁界の磁界強度と同じであることが想定されているが、前者の磁界強度は後者の磁界強度よりも小さくても良い。

　また、ＮＦＣ通信が可能となる通信可能領域を上述の電力伝送可能領域が包含していたならば、信号５１０～５４０のやり取りが可能な時点で、電子機器２が電力伝送可能領域内に位置していることが確定する。故に、電力伝送可能領域が通信可能領域を包含するように非接触給電システムを構成できたとすれば受電適正判定処理は不要となる。しかしながら、各種の設計パラメータによっては通信可能領域の方が電力伝送可能領域より広くなることも少なくないと考えられる。また、非接触給電システムを所謂オープンシステムとして構成する場合、即ち、複数の設計者及び製造者が、給電機器１として形状及び特性が互いに異なる様々な給電機器を構成可能であって、且つ、電子機器２として形状及び特性が互いに異なる様々な電子機器を構成可能である場合、給電機器と電子機器の組み合わせの夫々において、電力伝送可能領域内への通信可能領域の包含を要求することは容易ではないと考えられる。

［給電機器及び電子機器の動作フローチャート］
　次に、給電機器１の動作の流れを説明する。図１９は、給電機器１の動作フローチャートである。通信回路１２０及び送電回路１３０の動作は、制御回路１６０の制御の下で実行される。

　給電機器１が起動すると、まずステップＳ１０１において、制御回路１６０は、切り替え回路１１０の制御を通じて通信回路１２０を共振回路ＴＴに接続する。続くステップＳ１０２において、制御回路１６０は、通信回路１２０及び共振回路ＴＴを用いたＮＦＣ通信により問い合わせ信号５１０を給電対象機器に送信し、その後、ステップＳ１０３において、応答信号５２０の受信を待機する。通信回路１２０にて応答信号５２０が受信されると、制御回路１６０は、応答信号５２０を解析し、給電対象機器がＮＦＣ通信を可能であって且つ電力を受け取れる又は電力の送電を求めている場合に送電対象があると判断して（ステップＳ１０４のＹ）ステップＳ１０５に進み、そうでない場合（ステップＳ１０４のＮ）、ステップＳ１０２に戻る。

　ステップＳ１０５において、制御回路１６０は、通信回路１２０及び共振回路ＴＴを用いたＮＦＣ通信によりテスト用要求信号５３０を給電対象機器に送信し、その後、ステップＳ１０６において、応答信号５４０の受信を待機する。通信回路１２０にて応答信号５４０が受信されると、ステップＳ１０７において、制御回路１６０は、切り替え回路１１０の制御を通じて送電回路１３０を共振回路ＴＴに接続し、続くステップＳ１０８にて上述のｐＦＯＤ処理を行う。その後、ステップＳ１０９にてｐＦＯＤ処理の結果が確認され、ｐＦＯＤ処理にて異物有判定が成されている場合にはステップＳ１０１に戻るが、異物無判定が成されている場合にはステップＳ１１０に進む。ステップＳ１１０にて上述の受電適正判定処理を行う。その後、ステップＳ１１１にて受電適正判定処理の結果が確認され、受電適正判定処理にて受電不適正判定が成されている場合にはステップＳ１０１に戻るが、受電適正判定が成されている場合にはステップＳ１１２に進む。ステップＳ１１２にて、制御回路１６０は、切り替え回路１１０の制御を通じて通信回路１２０を共振回路ＴＴに接続し、ステップＳ１１３に進む。

　ステップＳ１１３において、制御回路１６０は、通信回路１２０及び共振回路ＴＴを用いたＮＦＣ通信により認証信号５５０を給電対象機器に送信し、その後、ステップＳ１１４において、応答信号５６０の受信を待機する。通信回路１２０にて応答信号５６０が受信されると、ステップＳ１１５において、制御回路１６０は、切り替え回路１１０の制御を通じて送電回路１３０を共振回路ＴＴに接続し、ステップＳ１１６に進む。

　制御回路１６０は、ステップＳ１１６にて送電許可フラグにＯＮを設定すると共に、送電動作及びｍＦＯＤ処理を開始し、その後、ステップＳ１１７に進む。詳細は後述されるが、ｍＦＯＤ処理によって電力伝送中における異物の存否が検出され、異物が検出された場合に送電許可フラグがＯＦＦとされる。制御回路１６０は、送電動作の開始時点からの経過時間を計測し、ステップＳ１１７において、その経過時間を所定の時間ｔ_Ａ（例えば１０分）と比較すると共に送電許可フラグの状態をチェックする。その経過時間が所定の時間ｔ_Ａに達すると、又は、ｍＦＯＤ処理によって送電許可フラグにＯＦＦが設定されると、ステップＳ１１８に進む。ステップＳ１１８において、制御回路１６０は、送電許可フラグをＯＮからＯＦＦに切り替える又は送電許可フラグをＯＦＦに維持すると共に、送電動作及びｍＦＯＤ処理を停止させ、その後ステップＳ１０１に戻る。

　次に、電子機器２の動作の流れを説明する。図２０は、電子機器２の動作フローチャートであり、ステップＳ２０１から始まる処理は、図１９に示す給電機器１の動作に連動して実行される。通信回路２２０及び受電回路２３０の動作は、制御回路２５０の制御の下で実行される。

　電子機器２が起動すると、まずステップＳ２０１において、制御回路２５０は、切り替え回路２１０の制御を通じて通信回路２２０を共振回路ＲＲに接続する。電子機器２の起動時においてｆ_Ｏ変更／短絡動作は非実行とされている。続くステップＳ２０２において、制御回路２５０は、通信回路２２０を用い、問い合わせ信号５１０の受信を待機する。通信回路２２０にて問い合わせ信号５１０が受信されると、ステップＳ２０３において、制御回路２５０は、問い合わせ信号５１０を解析して応答信号５２０を生成し、通信回路２２０を用いたＮＦＣ通信により応答信号５２０を給電機器１に送信する。このとき、制御回路２５０は、バッテリ２１の状態を確認し、バッテリ２１が満充電状態でなく且つバッテリ２１に異常が認められなければ、電力を受け取れる又は電力の送電を求める信号を応答信号５２０に含める。一方、バッテリ２１が満充電状態あれば又はバッテリ２１に異常が認められれば、電力を受け取れない旨の信号を応答信号５２０に含める。

　その後のステップＳ２０４においてテスト用要求信号５３０が通信回路２２０にて受信されると、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５において、制御回路２５０は、通信回路２２０を用いたＮＦＣ通信により応答信号５４０を給電機器１に送信し、続くステップＳ２０６にて共振状態変更回路２４０を用いてｆ_Ｏ変更／短絡動作を実行する。即ち、共振周波数ｆ_Ｏを基準周波数から周波数ｆ_Ｍに変更する又は受電側コイルＲ_Ｌを短絡する。制御回路２５０は、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行を開始してからの経過時間を計測し（ステップＳ２０７）、その経過時間が所定時間ｔ_Ｍ１に達するとｆ_Ｏ変更／短絡動作を停止する（ステップＳ２０８）。即ち、共振周波数ｆ_Ｏを基準周波数に戻す又は受電側コイルＲ_Ｌの短絡を解消する。

　ｆ_Ｏ変更／短絡動作の停止と同時に又は該停止のあと速やかに、ステップＳ２０９において、制御回路２５０は、切り替え回路２１０の制御を通じて受電回路２３０を共振回路ＲＲに接続する。そして、制御回路２５０は、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の停止及び受電回路２３０の共振回路ＲＲへの接続が成されてからの経過時間を計測し（ステップＳ２１０）、その経過時間が所定時間ｔ_Ｍ２に達するとステップＳ２１１に進む。ステップＳ２１１において、制御回路２５０は、切り替え回路２１０の制御を通じて通信回路２２０を共振回路ＲＲに接続し、その後、ステップＳ２１２に進む。

　給電機器１にてｐＦＯＤ処理が実行されている期間中、ｆ_Ｏ変更／短絡動作の実行が維持され、その期間が終了すると速やかにｆ_Ｏ変更／短絡動作が停止されるように時間ｔ_Ｍ１が予め設定されている。給電機器１にて受電適正判定処理が実行されている期間中、受電回路２３０の共振回路ＲＲへの接続が維持され、その期間が終了すると速やかに共振回路ＲＲへの接続先が通信回路２２０に切り替えられるように時間ｔ_Ｍ２が予め設定されている。テスト用要求信号５３０の中で時間ｔ_Ｍ１及びｔ_Ｍ２が指定されていても良い。

　ステップＳ２１２において、制御回路２５０は、通信回路２２０を用い、認証信号５５０の受信を待機する。通信回路２２０にて認証信号５５０が受信されると、ステップＳ２１３において、制御回路２５０は、認証信号５５０に対する応答信号５６０を通信回路２２０を用いたＮＦＣ通信により給電機器１へ送信する。尚、異物が給電台１２上に存在する場合には、認証信号５５０が給電機器１から送信されないので、ステップＳ２１２にて認証信号５５０が一定時間受信されない場合にはステップＳ２０１に戻ると良い。

　応答信号５６０の送信後、ステップＳ２１４において、制御回路２５０は、切り替え回路２１０の制御を通じて受電回路２３０を共振回路ＲＲに接続し、続くステップＳ２１５にて受電回路２３０を用いた受電動作を開始させる。制御回路２５０は、受電動作の開始時点からの経過時間を計測し、その経過時間と所定の時間ｔ_Ｂとを比較する（ステップＳ２１６）。そして、その経過時間が時間ｔ_Ｂに達すると（ステップＳ２１６のＹ）、ステップＳ２１７にて、制御回路２５０は、受電動作を停止させてステップＳ２０１に戻る。

　受電動作の行われる期間が給電機器１にて送電動作が行われている期間と実質的に一致するように、時間ｔ_Ｂは、予め定められている又は認証信号５５０の中で指定されている。受電動作の開始後、制御回路２５０は、バッテリ２１への充電電流を監視し、充電電流値が所定値以下になった時点で送電動作が終了したと判断して、受電動作の停止及びステップＳ２０１への移行を行うようにしても良い。

［ｍＦＯＤ処理］
　送電動作の開始後に異物が給電台１２上に置かれることもある。ｍＦＯＤ処理は、電力伝送中の異物検出処理として機能し、ｍＦＯＤ処理により電力伝送中において異物の存否が継続監視される。

　図２１は、ｍＦＯＤ処理の動作フローチャートである。制御回路１６０は、送電動作を行っている期間において、図２１のｍＦＯＤ処理を繰り返し実行する。ｍＦＯＤ処理において、制御回路１６０は、まずステップＳ５１にて最新の電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤとして取得する。電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤは、送電用磁界を送電側コイルＴ_Ｌに発生させているときの、送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅に応じた値を持つ。続くステップＳ５２において、制御回路１６０は、電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤが所定のｍＦＯＤ正常範囲内に収まっているか否かを判断する。電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤがｍＦＯＤ正常範囲内に収まっている場合、異物無判定が成されて（ステップＳ５３）ステップＳ５１に戻りステップＳ５１及びＳ５２の処理が繰り返されるが、電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤがｍＦＯＤ正常範囲を逸脱している場合、ステップＳ５４にて異物有判定が成されて送電許可フラグにＯＦＦが設定される。送電許可フラグは、制御回路１６０にて管理されるフラグであってＯＮ又はＯＦＦに設定される。送電許可フラグがＯＮのとき制御回路１６０は送電動作の実行を許可し、送電許可フラグがＯＦＦのとき制御回路１６０は送電動作の実行を禁止する又は実行中の送電動作を停止する。

　ｍＦＯＤ正常範囲は、所定の下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}以上且つ所定の上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}以下の範囲である（０＜Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}＜Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}）。故に、判定不等式“Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}≦Ｖ_ｍＦＯＤ≦Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}”が満たされる場合には異物無判定が成され、そうでない場合には異物有判定が成される。

　図２２（ａ）を参照し、例えば、送電動作が実行されているときに、給電機器１の給電台１２と電子機器２との間に非接触ＩＣカードとして形成された異物３が挿入された場合を考える。この場合、電子機器２の受電側コイルＲ_Ｌと異物３のコイルＪ_Ｌが磁気的に結合して、異物３の共振回路ＪＪの共振周波数と共に電子機器２の共振回路ＲＲの共振周波数が基準周波数（１３．５６ＭＨｚ）からずれる。そうすると、受電側コイルＲ_Ｌでの受電電力が低下して送電側コイルＴ_Ｌから見た送電の負荷が軽くなり、結果として、送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅が大きくなる（この場合に“Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}＜Ｖ_ｍＦＯＤ”となるように上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を定めておけばよい）。

　また例えば、図２２（ｂ）を参照し、送電動作が実行されているときに、給電機器１の給電台１２と電子機器２との間に、鉄板又はフェライトシートとしての異物３ｂが挿入されると、電気的及び磁気的な作用を通じて異物３ｂ内に電流が流れ、結果として、送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅が小さくなる（この場合に“Ｖ_ｍＦＯＤ＜Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}”となるように下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}を定めておけばよい）。

　このように、異物３及び３ｂを含む異物の存否により電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤに変化が生じる。考えられる異物の種類及び配置状態を想定した実験等を介し、予め適切に決定された下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を、メモリ１５０に記憶させておくと良い。また、電力伝送中に、異物が存在することで電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤがどの程度変化するのかを理論計算により推定し、その推定結果に基づき、実験を必要とすることなく、下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を定めてメモリ１５０に記憶させても良い。この際例えば、ｍＦＯＤ正常範囲の中心値を基準として電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤを所定の変化率以上変化させるような物体を異物と定義するようにしても良い。

　また、下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を以下のように定めるようにしても良い。電力伝送の実行中、制御回路１６０は、電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤを周期的に次々と取得するが、周期的に取得された電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤの移動平均値を順次求めることができる。ここでは、連続する１６個のＶ_ｍＦＯＤの移動平均値を求められるものとする。

　制御回路１６０は、電力伝送の開始後、直近過去に得られた１６個のＶ_ｍＦＯＤの移動平均値を基準値Ｖ_ｍＲＥＦに設定する。そして、制御回路１６０は、基準値Ｖ_ｍＲＥＦに基づいて下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を設定する。具体的には、（Ｖ_ｍＲＥＦ－ΔＶ_ｍＲＥＦ）及び（Ｖ_ｍＲＥＦ＋ΔＶ_ｍＲＥＦ）を夫々下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}に設定する、或いは、（Ｖ_ｍＲＥＦ－ｋ_ｍＲＥＦ・Ｖ_ｍＲＥＦ）及び（Ｖ_ｍＲＥＦ＋ｋ_ｍＲＥＦ・Ｖ_ｍＲＥＦ）を夫々下限値Ｖ_{ｍＲＥＦＬ}及び上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}に設定する。ΔＶ_ｍＲＥＦは正の所定値であり、ｋ_ｍＲＥＦは１未満の正の所定係数である。初回の基準値Ｖ_ｍＲＥＦの設定後、新たにＶ_ｍＦＯＤが取得される度に、その新たなＶ_ｍＦＯＤを含む１６個のＶ_ｍＦＯＤの移動平均値にて基準値Ｖ_ｍＲＥＦが更新される。尚、電力伝送の開始後におけるＶ_ｍＦＯＤの取得個数が１６個未満である場合においては、電力伝送の開始後に取得された全てのＶ_ｍＦＯＤの平均値を基準値Ｖ_ｍＲＥＦに設定すると良い。また、電力伝送の開始後、最初に取得されたＶ_ｍＦＯＤに対しては図２１のステップＳ５２～Ｓ５４の処理は非実行とされる（基準値Ｖ_ｍＲＥＦが未設定であるため）。

　本方法を用いれば、過去に取得された１以上の電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤを用いてＶ_{ｍＲＥＦＬ}及びＶ_{ｍＲＥＦＨ}が設定されることになる。ｍＦＯＤ処理は、電力伝送の開始後、電力伝送の途中にて挿入されうる異物の存否を判断するものであって、当該判断は、過去のＶ_ｍＦＯＤに基づく基準値Ｖ_ｍＲＥＦからの変化分を監視すれば実現できる。また、移動平均を利用することで、ノイズ等の突発的な変動による誤動作を抑制することが可能である。尚、電力伝送の開始直後に得られた１６個のＶ_ｍＦＯＤの移動平均値を基準値Ｖ_ｍＲＥＦに設定した後、当該電力伝送中において基準値Ｖ_ｍＲＥＦを固定するようにしても良い（即ち基準値Ｖ_ｍＲＥＦの更新を行わないようにしても良い）。

　また、図７に示す増幅器１４３の増幅率は可変となっている。送電側コイルＴ_Ｌに流れる電流の振幅は、ｐＦＯＤ処理を行っているときよりも、送電動作及びｍＦＯＤ処理を行っているときの方が随分と大きい。故に、制御回路１６０は、ｍＦＯＤ処理を行う際において増幅器１４３の増幅率をｐＦＯＤ処理を行う際よりも小さく設定し、これによってＡ／Ｄ変換器１４４の入力信号範囲をｐＦＯＤ処理及びｍＦＯＤ処理間で同程度とする。受電適正判定処理についても同様のことがいえる。つまり例えば、受電適正判定処理にて送電側コイルＴ_Ｌに供給する判定用交流電圧の大きさを送電用交流電圧の大きさと同じとする場合においては、制御回路１６０は、受電適正判定処理を行う際において増幅器１４３の増幅率をｐＦＯＤ処理を行う際よりも小さく設定し、これによってＡ／Ｄ変換器１４４の入力信号範囲をｐＦＯＤ処理及び受電適正判定処理間で同程度とすると良い。

　また例えば、包絡線検波器１４２とＡ／Ｄ変換器１４４との間に（より具体的には、包絡線検波器１４２と増幅器１４３との間に、又は、増幅器１４３とＡ／Ｄ変換器１４４との間に）高域低減回路（不図示）を挿入するようにしても良い。この場合、センス抵抗１４１の電圧降下信号に高域低減処理（換言すれば平均化処理又は低域通過フィルタリング）を施して得られる振幅情報が、Ａ／Ｄ変換器１４４から電圧値Ｖ_ＤＥＴとして得られるようになる。ここにおける高域低減処理は、センス抵抗１４１の電圧降下信号における比較的低い周波数の信号成分を通過させる一方で比較的高い周波数の信号成分を低減（減衰）させる処理である。高域低減処理により、ノイズや給電台１２上の電子機器２の軽度な振動などによって送電禁止の制御が行われることが抑制される。

　或いは例えば、包絡線検波器１４２及びＡ／Ｄ変換器１４４間に高域低減回路を設ける代わりに、Ａ／Ｄ変換器１４４の出力信号による電圧値Ｖ_ＤＥＴに対し演算による高域低減処理を施して高域低減処理後の電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤとして用いるようにしても良い（ｐＦＯＤ処理におけるＶ_ｐＦＯＤ及び受電適正判定処理におけるＶ_Ｒに対しても同様であって良い）。演算による高域低減処理は、制御回路１６０にて実行される処理であって、Ａ／Ｄ変換器１４４の出力信号における比較的低い周波数の信号成分を通過させる一方で比較的高い周波数の信号成分を低減（減衰）させる処理である。

　尚、ｍＦＯＤ処理の役割は、異物の存否判定だけに限られない。即ち、ｍＦＯＤ処理は、電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤがｍＦＯＤ正常範囲を逸脱するような、送電動作の継続に不適切なあらゆる状況下で、送電許可フラグをＯＦＦとする役割を持つ。例えば、送電動作の開始後、電子機器２が給電台１２上から取り去られたとき、送電側コイルＴ_Ｌから見た送電の負荷が軽くなって電流振幅検出値Ｖ_ｍＦＯＤが上限値Ｖ_{ｍＲＥＦＨ}を超えるため送電許可フラグがＯＦＦとされる（図２１のステップＳ５４）。

　ｍＦＯＤ処理により、送電動作の開始後に異物が給電台１２上に置かれた場合など、送電動作の継続に不適切な状況下で、ｍＦＯＤ処理を通じて送電動作が停止されるため、送電動作の継続による異物の破損等を回避することができる。

［初期設定処理］
　次に、図１９及び図２０の動作に先立って、非接触給電システムにて行うことのできる初期設定処理について説明する。初期設定処理は、非接触給電システムによる電力伝送の実行前の任意のタイミングで行われて良い。例えば、非接触給電システムの製造時又は出荷時や、ユーザが給電機器１及び／又は電子機器２を新規に使用する前などに、初期設定処理が実行されることが想定される。

　図２３は、初期設定処理の動作フローチャートである。初期設定処理はステップＳ７１～Ｓ７８の処理から成る。初期設定処理は、第１初期設定環境及び第２初期設定環境の下で実行される。

　第１初期設定環境では、送電側コイルＴ_Ｌに対する負荷が全く無く又は無視できる程度に小さい。従って、図１（ａ）の離間状態は、第１初期設定環境を満たす。図１（ｂ）の基準配置状態の如く、電子機器２を給電台１２上に載置させておくものの電子機器２にてｆ_Ｏ変更／短絡動作が実行されている環境も、第１初期設定環境の一形態である。ｆ_Ｏ変更／短絡動作が実行されているのであれば、送電側コイルＴ_Ｌにとって受電側コイルＲ_Ｌは実質的に負荷として機能しないからである。第１初期設定環境はｐＦＯＤ処理が行われるときの環境と等価であると言える。

　第２初期設定環境では、基準配置状態にて電子機器２を給電台１２上に載置させ、且つ、電子機器２にてｆ_Ｏ変更／短絡動作を非実行とすると共に共振回路ＲＲを受電回路２３０に接続させる。即ち、第２初期設定環境は電力伝送が行われるときの環境と同様とされる。

　例えば、基準配置状態にて電子機器２を給電台１２上に載置させた状態で、ユーザが所定の初期設定用操作を給電機器１又は電子機器２に入力すると、ステップＳ７１～Ｓ７８から成る初期設定処理が実行されるようにしておくと良い。

　初期設定処理では、まずステップＳ７１において、第１初期設定環境の下、制御回路１６０が、送電回路１３０を制御することで共振回路ＴＴにｐＦＯＤ用交流電圧を供給する。これにより、送電側コイルＴ_ＬにてｐＦＯＤ用磁界が発生する。ここで述べるｐＦＯＤ用交流電圧及びｐＦＯＤ用磁界は、ｐＦＯＤ処理（図１２参照）にて供給及び発生せしめられるそれらと同じものである。ステップＳ７１に続くステップＳ７２において、制御回路１６０は、負荷検出回路１４０を用い、第１初期設定環境下でｐＦＯＤ用磁界を発生させているときの電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_１Ａとして取得する。その後のステップＳ７３において、制御回路１６０は、検出値Ｖ_１Ａに基づきｐＦＯＤ正常範囲の下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}を設定し、設定した下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}をメモリ１５０に記憶させる。下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}は、異物３の存在下においてのみｐＦＯＤ処理にて異物有判定が成されるよう、Ｖ_１Ａよりも低い値に設定される。例えば、“Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}＝Ｖ_１Ａ－Δ_１”、又は、“Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}＝Ｖ_１Ａ×ｋ_１”とすると良い。Δ_１は、所定の正の微小値である（但し、Δ_１＝０とすることも可能）。ｋ_１は、１未満の正の所定値を有する。

　ステップＳ７３の後、ステップＳ７４において、第１初期設定環境の下、制御回路１６０が、送電回路１３０を制御することで共振回路ＴＴに判定用交流電圧を供給する。これにより、送電側コイルＴ_Ｌにて判定用磁界が発生する。ここで述べる判定用交流電圧及び判定用磁界は、受電適正判定処理（図１６参照）にて供給及び発生せしめられるそれらと同じものである。ステップＳ７４に続くステップＳ７５において、制御回路１６０は、負荷検出回路１４０を用い、第１初期設定環境下で判定用磁界を発生させているときの電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_１Ｂとして取得する。尚、判定用交流電圧の大きさがｐＦＯＤ用交流電圧の大きさと同じである場合には、ステップＳ７４及びＳ７５の処理は不要であり、“Ｖ_１Ｂ＝Ｖ_１Ａ”とみなせば足る。

　ステップＳ７５の後、ステップＳ７６において、第２初期設定環境の下、制御回路１６０が、送電回路１３０を制御することで共振回路ＴＴに判定用交流電圧を供給する。これにより、送電側コイルＴ_Ｌにて判定用磁界が発生する。ステップＳ７６に続くステップＳ７７において、制御回路１６０は、負荷検出回路１４０を用い、第２初期設定環境下で判定用磁界を発生させているときの電圧値Ｖ_ＤＥＴを電流振幅検出値Ｖ_２Ｂとして取得する。その後のステップＳ７８において、制御回路１６０は、検出値Ｖ_１Ｂ及びＶ_２Ｂの少なくとも一方に基づき受電適正判定処理で用いる判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦ（図１６参照）を設定し、設定した判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦをメモリ１５０に記憶させる。尚、検出値Ｖ_１Ｂを用いずに判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを設定する場合にあってはステップＳ７４及びＳ７５の処理は不要であり、検出値Ｖ_２Ｂを用いずに判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを設定する場合にあってはステップＳ７６及びＳ７７の処理は不要である。

　図２４に、Ｖ_１Ａ、Ｖ_１Ｂ、Ｖ_２Ｂ及びＶ_ＲＲＥＦ間の大小関係のイメージ図を示す。但し、図２４では、判定用交流電圧の大きさがｐＦＯＤ用交流電圧の大きさよりも大きいことが想定されており且つ図７の増幅器１４３の増幅率が固定されていると仮定している。そうすると、原理上、“Ｖ_１Ｂ＞Ｖ_２Ｂ”が成立する。

　例えば、下記式（１Ａ）又は（１Ｂ）に従って判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを設定すると良い。Δ_２は、所定の正の所定値を持つ。ｋ_２は、１より大きな正の所定値を持つ。式（１Ａ）又は（１Ｂ）を用いる場合、第２初期設定環境下で共振回路ＴＴに判定用交流電圧を供給したときの電流振幅検出値Ｖ_２Ｂを基準にして、Ｖ_２Ｂよりも所定量だけ大きな値が判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦとして設定されることになる。但し、式（１Ａ）又は（１Ｂ）を用いる場合、Ｖ_ＲＲＥＦがＶ_１Ｂ以上とならないように制限が加えられる。
　Ｖ_ＲＲＥＦ＝Ｖ_２Ｂ＋Δ_２　　　　　　　　　　　…（１Ａ）
　Ｖ_ＲＲＥＦ＝Ｖ_２Ｂ×ｋ_２　　　　　　　　　　　…（１Ｂ）

　或いは例えば、下記式（２Ａ）又は（２Ｂ）に従って判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを設定するようにしても良い。Δ_３は、所定の正の所定値を持つ。ｋ_３は、１未満の正の所定値を持つ。式（２Ａ）又は（２Ｂ）を用いる場合、第１初期設定環境下で共振回路ＴＴに判定用交流電圧を供給したときの電流振幅検出値Ｖ_１Ｂを基準にして、Ｖ_１Ｂよりも所定量だけ小さな値が判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦとして設定されることになる。但し、式（２Ａ）又は（２Ｂ）を用いる場合、Ｖ_ＲＲＥＦがＶ_２Ｂ以下とならないように制限が加えられる。
　Ｖ_ＲＲＥＦ＝Ｖ_１Ｂ－Δ_３　　　　　　　　　　　…（２Ａ）
　Ｖ_ＲＲＥＦ＝Ｖ_１Ｂ×ｋ_３　　　　　　　　　　　…（２Ｂ）

　更に或いは例えば、下記式（３）に従って判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを設定するようにしても良い。ｋ_４は、１未満の正の所定値を持つ。式（３）を用いる場合、式（１Ａ）又は（１Ｂ）を用いる場合と同様、電流振幅検出値Ｖ_２Ｂを基準にして、Ｖ_２Ｂよりも所定量だけ大きな値が判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦとして設定されることになるが、該所定量は差分（Ｖ_１Ｂ－Ｖ_２Ｂ）に基づくことになる。
　Ｖ_ＲＲＥＦ＝Ｖ_２Ｂ＋ｋ_４（Ｖ_１Ｂ－Ｖ_２Ｂ）　　　　…（３）

　尚、第１初期設定環境下において送電側コイルＴ_ＬにｐＦＯＤ用交流電圧を供給したときに得られるであろう電圧値Ｖ_ＤＥＴを、理論計算により設計段階で推定することができる。この推定された値（即ち理論計算によるＶ_１Ａの推定値）に基づき、ステップＳ７１及びＳ７２の処理を行うことなく、下限値Ｖ_{ｐＲＥＦＬ}を決定してメモリ１５０に記憶させるようにしても良い。同様に、第１、第２初期設定環境下において送電側コイルＴ_Ｌに判定用交流電圧を供給したときに得られるであろう電圧値Ｖ_ＤＥＴを、理論計算により設計段階で推定することができる。この推定された各値（即ち理論計算によるＶ_１Ｂ及びＶ_２Ｂの推定値）に基づき、ステップＳ７４～Ｓ７７の処理を行うことなく、判定基準値Ｖ_ＲＲＥＦを決定してメモリ１５０に記憶させるようにしても良い。

　＜＜本発明の考察＞＞
　上述の実施形態にて具体化された本発明について考察する。

　本発明の一側面に係る送電装置Ｗ_１は、受電装置に対し磁界共鳴方式で電力を送電可能な送電装置において、前記送電を行うための送電側コイル（Ｔ_Ｌ）を含む送電側共振回路（ＴＴ）と、前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路（１３０）と、前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路（１４０）と、前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路（１６０）と、を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値（Ｖ_Ｒ）として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行うことを特徴とする。

　本発明の一側面に係る非接触給電システムＷ_２は、電力を送電するための送電側コイル（Ｔ_Ｌ）を含む送電側共振回路（ＴＴ）を有する送電装置と、前記電力を受電するための受電側コイル（Ｒ_Ｌ）を含む受電側共振回路（ＲＲ）を有する受電装置と、を備え、磁界共鳴方式で前記電力の送受電が可能な非接触給電システムにおいて、前記送電装置は、前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路（１３０）と、前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路（１４０）と、前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路（１６０）と、を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値（Ｖ_Ｒ）として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行うことを特徴とする。

　判定用振幅検出値を用いることで、適正な受電が可能な位置に受電装置が存在しているか否かを判定することができる。その結果を用いて送電の実行制御を行うことにより、例えば、適正な受電ができないと判断される場合には送電の実行を控えるといったことが可能となり、過大な不要輻射の発生や無駄な電力消費を抑制することが可能となる。

　具体的には例えば、送電装置Ｗ_１又は非接触給電システムＷ_２において、前記制御回路は、前記判定用振幅検出値が所定の基準値（Ｖ_ＲＲＥＦ）以下である場合に前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定して前記送電の実行を許可し、そうでない場合には前記送電の実行を制限すると良い。

　送電装置及び受電装置間の距離が比較的大きいとき、送電側コイル及び受電側コイル間の磁気結合の度合いが比較的小さくなって適正な受電が困難となる。一方、送電装置及び受電装置間の距離が比較的大きいとき、送電側コイルにとっての負荷の大きさが比較的小さくなって、判定用振幅検出値が比較的大きくなる。故に、判定用振幅検出値が比較的大きいとき（即ち所定の基準値よりも大きいとき）、送電の実行に制限を加えるようにすれば、過大な不要輻射の発生や無駄な電力消費を抑制することが可能となる。

　また具体的には例えば、送電装置Ｗ_１又は非接触給電システムＷ_２において、前記制御回路は、前記送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を前記受電装置から受信した後、前記判定用振幅検出値の取得を含む処理を実行すると良い。

　送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を受電装置から受信する状況は、送電装置から見て受電装置が通信可能領域に位置している状況に相当する。通信可能領域に受電装置が位置しているという事実だけでは、適正な受電が可能かは必ずしも明確でなく、よって当該事実だけで送電の実行に許可を与えることは適切ではない。そこで、通信可能領域に受電装置が位置していることが確認された後、判定用振幅検出値の取得を含む処理によって、適正な受電が可能か否かを判断するようにする。

　また例えば、非接触給電システムＷ_２において、前記受電装置は、前記受電側共振回路の共振周波数を前記受電の際の共振周波数である基準周波数から変更可能な又は前記受電側コイルを短絡可能な変更／短絡回路（２４０）を備え、前記制御回路は、前記送電に先立ち、前記受電装置と異なり且つ前記送電側コイルの発生磁界に基づく電流を発生させられる異物の存否を判定する第１処理（ｐＦＯＤ処理）と、前記受電装置による適正な受電の可否を判定する第２処理（受電適正判定処理）と、を実行可能であり、前記第１処理では、前記送電装置からの通信による信号に従い前記受電装置にて前記受電側共振回路の共振周波数の変更又は前記受電側コイルの短絡が行われている状態で、所定の異物判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させ、そのときの前記検出回路による検出値を異物検出用振幅検出値（Ｖ_ｐＦＯＤ）として取得して、前記異物検出用振幅検出値に基づき前記異物の存否を判定し、前記異物が存在すると判定された場合、前記送電の実行は制限されると良い。

　これにより、存在し得る異物の、送電の実行による破損等を回避することができる。

　この際例えば、非接触給電システムＷ_２において、前記制御回路は、前記異物が存在しないと判定し且つ前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定した場合に、前記送電の実行を許可すると良い。

　また例えば、非接触給電システムＷ_２において、前記制御回路は、前記第１処理において、前記異物検出用振幅検出値が所定範囲（ｐＦＯＤ正常範囲）を逸脱しているか否かを判定することで前記異物の存否を判定すると良い。

　また例えば、非接触給電システムＷ_２において、前記判定用振幅検出値が取得される際、前記変更／短絡回路による前記変更又は前記短絡は非実行とされると良い。

　本発明に係る送電装置に、複数の送電側コイル（従って各々に送電側コイルを含む複数の送電側共振回路）が設けられていても良い。同様に、本発明に係る受電装置に、複数の受電側コイル（従って各々に受電側コイルを含む複数の受電側共振回路）が設けられていても良い。

　また、上述の各実施形態における給電機器１そのものが本発明に係る送電装置として機能しても良いし、上述の各実施形態における給電機器１の一部が本発明に係る送電装置として機能しても良い。同様に、上述の各実施形態における電子機器２そのものが本発明に係る受電装置として機能しても良いし、上述の各実施形態における電子機器２の一部が本発明に係る受電装置として機能しても良い。

　＜＜変形等＞＞
　本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。上述の実施形態に適用可能な注釈事項として、以下に、注釈１～注釈３を記す。各注釈に記載した内容は、矛盾なき限り、任意に組み合わせることが可能である。

［注釈１］
　上述の実施形態では、各種の信号の周波数や共振周波数を、基準周波数としての１３．５６ＭＨｚに設定することを述べたが、１３．５６ＭＨｚは設定の目標値であって、実際の機器における、それらの周波数には誤差が含まれる。

［注釈２］
　本発明をＮＦＣの規格に沿って具現化したものを実施形態中に示したため、基準周波数が１３．５６ＭＨｚであると述べたが、基準周波数は１３．５６ＭＨｚ以外でも構わない。これに関連するが、本発明が適用される給電機器及び電子機器間の通信及び電力伝送は、ＮＦＣ以外の規格に沿った通信及び電力伝送であっても良い。

　本発明に係る非接触給電システムの基準周波数が１３．５６ＭＨｚ以外の周波数（例えば、６．７８ＭＨｚ）に設定されていて且つ非接触ＩＣカードとして形成された異物３における共振回路ＪＪの共振周波数が１３．５６ＭＨｚである場合にも、異物３が給電台１２に置かれた際には、ｐＦＯＤ処理又はｍＦＯＤ処理にて電圧値Ｖ_ＤＥＴに相応量の変化がみられるため、そのような場合にも、上述の方法により異物３の検出が可能である。

［注釈３］
　本発明に係る受電装置又は送電装置である対象装置を、集積回路等のハードウェア、或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせによって構成することができる。対象装置にて実現される機能の全部又は一部である任意の特定の機能をプログラムとして記述して、該プログラムを対象装置に搭載可能なフラッシュメモリに保存しておいても良い。そして、該プログラムをプログラム実行装置（例えば、対象装置に搭載可能なマイクロコンピュータ）上で実行することによって、その特定の機能を実現するようにしてもよい。上記プログラムは任意の記録媒体に記憶及び固定されうる。上記プログラムを記憶及び固定する記録媒体は対象装置と異なる機器（サーバ機器等）に搭載又は接続されても良い。

　　１　給電機器
　　２　電子機器
１３０　ＮＦＣ送電回路
１４０　負荷検出回路
１６０　制御回路
２４０　共振状態変更回路
　ＴＴ　送電側共振回路
　Ｔ_Ｌ　送電側コイル
　Ｔ_Ｃ　送電側コンデンサ
　ＲＲ　受電側共振回路
　Ｒ_Ｌ　受電側コイル
　Ｒ_Ｃ　受電側コンデンサ

Claims

　受電装置に対し磁界共鳴方式で電力を送電可能な送電装置において、
　前記送電を行うための送電側コイルを含む送電側共振回路と、
　前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路と、
　前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路と、
　前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路と、を備え、
　前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行う
ことを特徴とする送電装置。
　前記制御回路は、前記判定用振幅検出値が所定の基準値以下である場合に前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定して前記送電の実行を許可し、そうでない場合には前記送電の実行を制限する
ことを特徴とする請求項１に記載の送電装置。
　前記制御回路は、当該送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を前記受電装置から受信した後、前記判定用振幅検出値の取得を含む処理を実行する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の送電装置。
　電力を送電するための送電側コイルを含む送電側共振回路を有する送電装置と、前記電力を受電するための受電側コイルを含む受電側共振回路を有する受電装置と、を備え、磁界共鳴方式で前記電力の送受電が可能な非接触給電システムにおいて、
　前記送電装置は、
　前記送電側共振回路に交流電圧を供給可能な送電回路と、
　前記送電側コイルに流れる電流の振幅を検出する検出回路と、
　前記送電側共振回路への前記交流電圧の供給状態を制御することで前記電力の送電制御を行う制御回路と、を備え、
　前記制御回路は、前記送電に先立ち、所定の判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させたときの前記検出回路による検出値を判定用振幅検出値として取得し、前記判定用振幅検出値に基づき前記受電装置による適正な受電の可否の判定を介して前記送電の実行制御を行う
ことを特徴とする非接触給電システム。
　前記制御回路は、前記判定用振幅検出値が所定の基準値以下である場合に前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定して前記送電の実行を許可し、そうでない場合には前記送電の実行を制限する
ことを特徴とする請求項４に記載の非接触給電システム。
　前記制御回路は、前記送電装置から無線にて送信した所定の信号に対する応答信号を前記受電装置から受信した後、前記判定用振幅検出値の取得を含む処理を実行する
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の非接触給電システム。
　前記受電装置は、前記受電側共振回路の共振周波数を前記受電の際の共振周波数である基準周波数から変更可能な又は前記受電側コイルを短絡可能な変更／短絡回路を備え、
　前記制御回路は、前記送電に先立ち、前記受電装置と異なり且つ前記送電側コイルの発生磁界に基づく電流を発生させられる異物の存否を判定する第１処理と、前記受電装置による適正な受電の可否を判定する第２処理と、を実行可能であり、
　前記第１処理では、前記送電装置からの通信による信号に従い前記受電装置にて前記受電側共振回路の共振周波数の変更又は前記受電側コイルの短絡が行われている状態で、所定の異物判定用交流電圧を前記送電側共振回路に供給させ、そのときの前記検出回路による検出値を異物検出用振幅検出値として取得して、前記異物検出用振幅検出値に基づき前記異物の存否を判定し、
　前記異物が存在すると判定された場合、前記送電の実行は制限される
ことを特徴とする請求項４～６の何れかに記載の非接触給電システム。
　前記制御回路は、前記異物が存在しないと判定し且つ前記受電装置にて適正な受電が可能であると判定した場合に、前記送電の実行を許可する
ことを特徴とする請求項７に記載の非接触給電システム。
　前記制御回路は、前記第１処理において、前記異物検出用振幅検出値が所定範囲を逸脱しているか否かを判定することで前記異物の存否を判定する
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の非接触給電システム。
　前記判定用振幅検出値が取得される際、前記変更／短絡回路による前記変更又は前記短絡は非実行とされる
ことを特徴とする請求項７～９の何れかに記載の非接触給電システム。