WO2017043544A1 - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

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Definitions

  • the first embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition.
  • the second embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition and the like.
  • the third embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition and the like.
  • the fourth embodiment of the present invention relates to a photosensitive resin composition.
  • a printed wiring board is generally manufactured by photolithography.
  • photolithography a layer made of a photosensitive resin composition is formed on a substrate, a resist pattern is formed by pattern exposure and development on the coating film, and then a conductor pattern is formed by etching or plating, In this method, a desired wiring pattern is formed on the substrate by removing the resist pattern on the substrate.
  • a photosensitive resin composition layer is formed on a substrate, a method of removing the solvent after applying the composition solution; a photosensitive element formed by laminating a support and a photosensitive resin composition layer A method of peeling the support after laminating a dry film resist on a substrate is known.
  • Photosensitive elements are often used in the production of printed wiring boards.
  • a method for forming a wiring pattern using this photosensitive element and a photosensitive resin composition suitable for this method discloses a method capable of easily forming a copper wiring pattern having a good cross-sectional shape, and a photosensitive resin composition used in the method;
  • Patent Document 2 discloses a photosensitive resin composition containing an addition polymerizable monomer having a specific ethylenic double bond.
  • Patent Document 3 discloses a photosensitive resin composition containing a binder polymer having a low degree of dispersion (Mw / Mn), a photopolymerizable compound, and an acridine compound. It is described that a resist film having excellent tenting properties can be formed.
  • a printed wiring board is generally manufactured by photolithography.
  • photolithography a coating film including a layer made of a photosensitive resin composition is formed on a substrate, the coating film is subjected to pattern exposure and development to form a resist pattern, and then a conductor pattern is formed by etching or plating treatment. Thereafter, a desired wiring pattern is formed on the substrate by removing the resist pattern on the substrate.
  • Photosensitive elements are often used in the production of printed wiring boards.
  • a method for forming a wiring pattern using this photosensitive element and a photosensitive resin composition suitable for this method For example, Patent Document 1 discloses a method for easily forming a copper wiring pattern having a good cross-sectional shape, and a photosensitive resin composition used in the method.
  • Patent Document 4 discloses a specific ethylenic double layer. A photosensitive resin composition containing an addition polymerizable monomer having a bond is disclosed.
  • a printed wiring board is generally manufactured by a photolithography method.
  • the photolithography method first, pattern exposure is performed on the photosensitive resin composition layer laminated on the substrate.
  • the exposed portion of the photosensitive resin composition is polymerized and cured (in the case of a negative type) or solubilized in a developer (in the case of a positive type).
  • the unexposed portion (in the case of negative type) or the exposed portion (in the case of positive type) is removed with a developer to form a resist pattern on the substrate.
  • the resist pattern is peeled off from the substrate. Through these steps, a conductor pattern is formed on the substrate.
  • the photolithography method is a method in which a solution of a photosensitive resin composition is applied to a substrate and dried, or a dry film resist (photosensitive resin laminate in which a photosensitive resin composition layer is laminated on a support). Any method of laminating the conductive resin composition layer on the substrate is used. The latter is frequently used in the production of printed wiring boards.
  • a printed wiring board is generally manufactured by photolithography.
  • photolithography a layer made of a photosensitive resin composition is formed on a substrate, a resist pattern is formed by pattern exposure and development on the coating film, and then a conductor pattern is formed by etching or plating, In this method, a desired wiring pattern is formed on the substrate by removing the resist pattern on the substrate.
  • Patent Documents 1 and 2 A method for forming a wiring pattern using this photosensitive element and a photosensitive resin composition suitable for this method are known (Patent Documents 1 and 2).
  • Patent Document 1 describes a general method for forming a copper wiring pattern having a good cross-sectional shape and a photosensitive resin composition used therefor.
  • Patent Document 2 describes a photosensitive resin composition containing an addition polymerizable monomer having a specific ethylenically unsaturated bond.
  • JP 2011-233769 A International Publication No. 2009/022724 JP 2013-109321 A Japanese Patent Laid-Open No. 2015-60120 International Publication No. 2015/098870 JP 2014-048340 A
  • the manufacture of a wiring board is usually performed by a line process in which processing is sequentially performed while a substrate is conveyed in a certain direction.
  • a conductor pattern of a line / space pattern is formed on a substrate
  • the conductor line is parallel (MD direction line) or perpendicular to the substrate transport direction (TD direction) Line) and an oblique case.
  • MD direction line parallel
  • TD direction substrate transport direction
  • the wiring width is different between the MD direction line and the TD direction line, and a so-called vertical / horizontal difference in wiring width occurs.
  • the MD direction line is more easily affected by the etchant than the TD direction line, and thus the etching amount increases and the wiring width tends to be narrow.
  • the wiring width difference between the MD wiring and the TD wiring is reduced.
  • an object of the first embodiment of the present invention is to provide a resist material in which a vertical and horizontal difference in wiring width is suppressed when a fine conductor pattern is formed by a line process.
  • a development process is performed.
  • a resist pattern is formed by dissolving and removing the composition in the exposed region in the positive composition and the composition in the exposed region in the negative composition.
  • not all of the composition in the unnecessary region is “dissolved” in the developer, but at least a part of the composition is removed from the substrate by being dispersed in the developer while remaining insoluble. Therefore, each time the development process is repeated, the amount of unnecessary substances in the developer increases, and finally insoluble components with poor dispersibility may form aggregates. Such agglomerates may remain attached to a substrate to be developed later, which may cause a short circuit failure. Accordingly, it is strongly desired that the photosensitive resin composition to be used has good developer dispersibility from the viewpoint of improving the product yield in the development process and reducing the production cost of the printed wiring board.
  • the second embodiment of the present invention has been made in view of such a current situation. Therefore, the object of the second embodiment of the present invention is to provide a novel photosensitivity that has a high level of performance such as resolution, which is generally required for photosensitive materials, and is excellent in development dispersibility and fine pattern adhesion. Is to provide a sex material.
  • Patent Document 5 from the viewpoint of developability of the photosensitive resin composition and resolution, adhesion, and flexibility of the resist pattern, in the photosensitive resin composition, a structural unit of (meth) acrylic acid, styrene or ⁇ - A binder polymer having a structural unit of methylstyrene and a structural unit of a hydroxyalkyl ester of (meth) acrylic acid having a hydroxyalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an ethyleneoxy group having 1 to 20 structural units, and A combination with a bisphenol-type di (meth) acrylate monomer having a propyleneoxy group having 0 to 7 structural units has been studied.
  • Patent Document 6 proposes a content of a structural unit of styrene or a styrene derivative in the alkali-soluble polymer of 30% by mass or more from the viewpoint of the space width and tent property of the positive resist pattern, and addition polymerization is proposed. A weight average molecular weight of 1,100 or more has been proposed.
  • Patent Documents 5 and 6 focus on a photosensitive resin composition containing a polymer having a specific proportion of styrene structural units and a specific monomer, but are described in Patent Documents 5 and 6.
  • the photosensitive resin composition that has been used still has room for improvement from the viewpoint of achieving both a tent property of the resist pattern and a water residue short-circuit defect suppressing property.
  • the problem to be solved by the third embodiment of the present invention is to provide a photosensitive resin composition capable of satisfying both the tent property of a resist pattern and the water residue short-circuit defect suppressing property.
  • the manufacture of a wiring board is usually performed by a line process in which processing is sequentially performed while a substrate is conveyed in a certain direction.
  • the processing of the developing solution or the etching solution on the substrate is performed by spraying.
  • the developing time is a time during which the substrate stays in the developing tank and is developed, and is determined as, for example, a time twice as long as the minimum developing time.
  • the minimum development time is the minimum time required for the unexposed part of the photosensitive resin layer to be completely dissolved and removed.
  • the developer concentration or temperature, spray direction or spray amount, pressure, and oscillation frequency It changes depending on etc.
  • the dissolution reaction of the resist by development is considered to occur almost at the diffusion-limited rate of the developer. Therefore, from the viewpoint of promoting development, it is necessary to positively supply the developer onto the substrate by spraying or the like. Since this supply takes some time, it is considered that when the development time is short, the supply of the developer does not sufficiently spread over the entire surface of the substrate, and the variation of the resist line width becomes remarkably large. On the other hand, when the development time is long, it is considered that the supply of the developer on the substrate becomes uniform, and therefore the variation in line width is also reduced. Therefore, it is considered effective to use a photosensitive resin composition having a slow minimum development time itself from the viewpoint of suppressing variation in line width.
  • Patent Document 5 from the viewpoint of developability of the photosensitive resin composition and resolution, adhesion, and flexibility of the resist pattern, in the photosensitive resin composition, a structural unit of (meth) acrylic acid, styrene or ⁇ - A binder polymer having a structural unit of methylstyrene and a structural unit of a hydroxyalkyl ester of (meth) acrylic acid having a hydroxyalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an ethyleneoxy group having 1 to 20 structural units, and A combination with a bisphenol-type di (meth) acrylate monomer having a propyleneoxy group having 0 to 7 structural units has been studied.
  • Patent Document 6 proposes a content of a structural unit of styrene or a styrene derivative in the alkali-soluble polymer of 30% by mass or more from the viewpoint of the space width and tent property of the positive resist pattern, and addition polymerization is proposed. A weight average molecular weight of 1,100 or more has been proposed.
  • Patent Documents 5 and 6 focus on a photosensitive resin composition containing a polymer having a specific proportion of styrene structural units and a specific monomer, but are described in Patent Documents 5 and 6.
  • the photosensitive resin composition described above still has room for improvement from the viewpoint of achieving both good resolution of the resist pattern and extending the minimum development time.
  • the problem to be solved by the fourth embodiment of the present invention is to provide a photosensitive resin composition capable of achieving both good resolution of a resist pattern and extension of the minimum development time.
  • the present inventors have found that the above object can be achieved by the following technical means, and have reached the first embodiment of the present invention.
  • a cured resist pattern is formed through the treatment, and after performing a copper etching process at 50 ° C. for 55 seconds, the bottom width of the copper line pattern obtained by removing the cured resist pattern is 38 ⁇ m or more.
  • the photosensitive resin composition [2] The photosensitive resin composition according to [1], wherein the component (A) is a copolymer having a (meth) acrylic acid unit content of 10% by mass to 24% by mass. [3] The photosensitive resin composition according to [1] or [2], wherein the component (A) is a copolymer having a styrene unit content of 32% by mass to 60% by mass.
  • the following components (A) to (C) (A) component: alkali-soluble polymer, (B) component: a compound having an ethylenic double bond, and (C) component: a photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator,
  • the component (A) includes a copolymer having a (meth) acrylic acid unit content of 10% by mass to 24% by mass and a styrene unit content of 32% by mass or more.
  • the component (C) is a photosensitive resin composition containing an acridine compound.
  • the component (A) includes a copolymer having a (meth) acrylic acid unit content of 10% by mass to 24% by mass and a styrene unit content of 32% by mass to 60% by mass.
  • the photosensitive resin composition according to [8]. [10] The photosensitive resin composition according to [8] or [9], wherein the component (B) contains a pentaerythritol compound. [11] The photosensitive resin composition according to any one of [8] to [10], wherein the component (B) contains a trimethylolpropane compound. [12] The photosensitive resin composition according to any one of [8] to [11], wherein the component (B) contains a bisphenol A compound.
  • a method of forming a resist pattern comprising: [15] The method for forming a resist pattern according to [14], wherein the laminating step is a step of laminating a photosensitive resin layer of a photosensitive element on a conductor substrate via a wetting agent.
  • the present inventors have found that the above object can be achieved by the following technical means, and have reached the second embodiment of the present invention.
  • the second embodiment of the present invention is as follows. [1] The following components (A) to (C) (A) component: an alkali-soluble polymer having an acid equivalent of 100 to 600, (B) component: a compound having an ethylenic double bond, and (C) component: a photosensitive resin composition containing a photopolymerization initiator,
  • the component (A) contains a copolymer containing 50% by mass or more of styrene units,
  • the component (B) is represented by the following general formula (I): ⁇ Wherein R is independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n1, n2 and n3 are each independently an integer of 0 to 30, provided that n1 + n2 + n3 ⁇ 6 Meet the conditions.
  • the content of the compound represented by the general formula (I) is 5% by mass or more based on the solid content of the photosensitive resin composition, and the component (C) Contains the acridine compound.
  • a photosensitive element wherein a photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition according to any one of [4] is laminated on a support.
  • a method of forming a resist pattern comprising: [7] A laminating step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element according to [5] on a conductive substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; A developing step of removing the unexposed portion after the exposure with a developer; A conductor pattern forming step of etching or plating a conductive substrate on which a resist pattern is formed by the development; and a peeling step of peeling the resist pattern;
  • a method for producing a wiring board comprising:
  • the third embodiment of the present invention is as follows. [1] (A) an alkali-soluble polymer; (B) an ethylenically unsaturated bond-containing compound; and (C) a photopolymerization initiator; A photosensitive resin composition comprising: The (A) alkali-soluble polymer comprises 10% by mass to 24% by mass of (meth) acrylic structural unit and 35% by mass based on the total mass of the monomers constituting the (A) alkali-soluble polymer.
  • the photosensitive resin composition comprising ⁇ 90% by mass of styrene structural units, and wherein the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound has a weight average molecular weight of 1,200 or more.
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound has the following general formula (III): ⁇ Wherein R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, X represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, m 2 , m 3 and m 4 are Each independently represents an integer of 0 to 40, m 2 + m 3 + m 4 is 1 to 40, and when m 2 + m 3 + m 4 is 2 or more, the plurality of Xs are the same as each other May or may be different ⁇
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound has the following general formula (IV): ⁇ Wherein R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, Y represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, Z represents a divalent organic group, s and t is each independently an integer of 0 to 40, and s + t ⁇ 1 ⁇
  • the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [7], wherein the (A) alkali-soluble polymer further includes a structural unit of butyl (meth) acrylate.
  • a resist pattern forming method including: [11] [1] to [9] a laminating step of laminating a photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition according to any one of [9] on a substrate; An exposure step of exposing the photosensitive resin layer; A development step of developing the exposed photosensitive resin layer to obtain a substrate on which a resist pattern is formed; A conductor pattern forming step of etching or plating the substrate on which the resist pattern is formed; and a peeling step of peeling off the resist pattern;
  • a method of manufacturing a wiring board including:
  • the fourth embodiment of the present invention is as follows. [1] (A) an alkali-soluble polymer; (B) an ethylenically unsaturated bond-containing compound; and (C) a photopolymerization initiator; A photosensitive resin composition comprising: The (A) alkali-soluble polymer contains a first copolymer having an acid monomer unit content of less than 25% by mass and an aromatic monomer unit content of 30% by mass or more, and the (B) ethylene The weight average molecular weight of the unsaturated unsaturated bond-containing compound is 900 or less, The photosensitive resin composition.
  • the photoinitiator is the photosensitive resin composition as described in [1] containing an acridine compound.
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound has the following general formula (III): ⁇ Wherein R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, X represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, m 2 , m 3 and m 4 are Each independently represents an integer of 0 to 40, m 2 + m 3 + m 4 is 0 to 40, and when m 2 + m 3 + m 4 is 2 or more, the plurality of Xs are the same as each other May or may be different ⁇
  • the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [3], comprising a tri (meth) acrylate compound represented by: [5]
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound has the following general formula (II): ⁇ In the formula, R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, A is C 2 H 4 , B is
  • a branched alkyl group, a cyclohexyl group via a divalent linking group or an aryl group via a divalent linking group, and R 52 , R 53 and R 54 are each independently hydrogen or substituted.
  • a linear alkyl group, a branched alkyl group, an aryl group, a cyclohexyl group, a linear alkyl group via a divalent linking group, a branched alkyl group via a divalent linking group, or a divalent linking group. Represents an aryl group via a cyclohexyl group or a divalent linking group.
  • a method for forming a resist pattern comprising: [10] A laminating step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element according to [8] on a conductive substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; A development step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a resist pattern on the conductive substrate; A conductor pattern forming step of etching or plating the conductor substrate on which the resist pattern is formed; and a peeling step of peeling the resist pattern;
  • a method for manufacturing a wiring board comprising:
  • a resist material in which a vertical and horizontal difference in wiring width is suppressed when a fine conductor pattern is formed by a line process.
  • the photosensitive resin composition which can make compatible the tent property of a resist pattern, and water residue short defect inhibitory property is provided.
  • a photosensitive resin composition capable of ensuring good resolution of a resist pattern and extending a minimum development time, and a resist pattern or a wiring board using the same A forming method is provided.
  • the first embodiment a mode for carrying out the first embodiment of the present invention (hereinafter abbreviated as “the first embodiment”) will be specifically described.
  • the photosensitive resin composition comprises the following components (A) to (C): (A) component: alkali-soluble polymer, (B) component: a compound having an ethylenic double bond, and (C) component: a photopolymerization initiator, Containing.
  • the component (A) is not particularly limited as long as it is soluble in the developer described later.
  • it is a copolymer of (meth) acrylic acid and other monomers.
  • the degree of dispersion of the copolymer represented by the ratio of the weight average molecular weight (described later) and the number average molecular weight of the copolymer is preferably 1 or more and 6 or less.
  • (meth) acrylic acid include (meth) acrylic acid, pentenoic acid, unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and hydroxystyrene.
  • the unsaturated dicarboxylic acid anhydride include maleic acid anhydride, itaconic acid anhydride, fumaric acid, citraconic acid anhydride, and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.
  • the copolymerization ratio of the (meth) acrylic acid unit in the component (A) is preferably 10% by mass to 24% by mass, and 15% by mass to 23% by mass with respect to the total mass of all monomer units. More preferably.
  • the content ratio of the (meth) acrylic acid unit within this range means that the etching rate when the conductor pattern is formed is suppressed (the bottom width of the conductor line pattern described above is maintained above a certain level), and the wiring width. It is preferable from the viewpoint of suppressing the aspect ratio.
  • Examples of other monomers include unsaturated aromatic compounds (sometimes referred to as “aromatic monomers”), (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid aralkyl esters, conjugated diene compounds, polar monomers, A crosslinkable monomer etc. can be mentioned.
  • unsaturated aromatic compound include styrene, ⁇ -methylstyrene, vinylnaphthalene and the like. Of these, styrene is preferred.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester is a concept including both a chain alkyl ester and a cyclic alkyl ester. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meta) ) Acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2 -Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, n-tetradecyl (meth) acrylate, stearyl (meth)
  • Examples of (meth) acrylic acid aralkyl esters include benzyl (meth) acrylate and the like;
  • Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-phenyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 2-methyl-1, Examples thereof include 3-pentadiene, 1,3-hexadiene, 4,5-diethyl-1,3-octadiene, 3-butyl-1,3-octadiene, and the like.
  • polar monomers examples include: Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, pentenol; Amino group-containing monomers such as 2-aminoethyl methacrylate; Amide group-containing monomers such as (meth) acrylamide and N-methylol (meth) acrylamide; Cyano group-containing monomers such as acrylonitrile, methacrylonitrile, ⁇ -chloroacrylonitrile, ⁇ -cyanoethyl acrylate; Epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate and (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl; Etc.
  • Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth)
  • crosslinkable monomer examples include trimethylolpropane triacrylate and divinylbenzene.
  • the component (A) is particularly preferably a copolymer of (meth) acrylic acid, styrene, and other monomers.
  • the copolymerization ratio of styrene units in the component (A) is preferably 32% by mass or more, and more preferably 35% by mass or more with respect to the total mass of all monomer units.
  • the copolymerization ratio of styrene units in the component (A) is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, based on the total mass of all monomer units. Setting the copolymerization ratio of styrene, which is highly hydrophobic and hardly compatible with the developer and the washing water for developing water, in the above range is preferable from the viewpoint of suppressing the vertical and horizontal differences in the wiring width.
  • the weight average molecular weight of the component (A) (when the component (A) includes a plurality of types of copolymers, the weight average molecular weight of the whole mixture) is 5,000 to 1,000,000. Is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 15,000 to 100,000. It is preferable to adjust the weight average molecular weight of the component (A) within this range from the viewpoint of adapting the development time in forming the resist pattern to the operating state of the line process to be used.
  • the content of the component (A) in the photosensitive resin composition is based on the total solid content of the photosensitive resin composition (hereinafter, unless otherwise specified, the same for each component). 10% by mass to 90% by mass, more preferably 20% by mass to 80% by mass, and still more preferably 40% by mass to 60% by mass. This content is preferably 10% by mass or more from the viewpoint of maintaining alkali developability, while 90% by mass from the viewpoint that the resist pattern formed by exposure sufficiently exhibits the performance as a resist. The following is preferable.
  • a copolymer having a (meth) acrylic acid unit content of 10% to 24% by mass and a styrene unit content of 32% to 60% by mass is based on the total solid content of the photosensitive resin composition. Is preferably 8% or more, more preferably 10% by mass or more, and particularly preferably 13.5 / 99.19 ⁇ 100% by mass or more.
  • a copolymer having a (meth) acrylic acid unit content of 10% to 24% by mass and a styrene unit content of 32% to 60% by mass is based on the total solid content of the photosensitive resin composition. 50 mass% or less, 40 mass% or less, 30 mass% or less, 27 / 99.19 ⁇ 100 mass% or less, and 20 mass % Or less.
  • Component (B) Compound having an ethylenic double bond
  • the component (B) only needs to have one or more ethylenic double bonds. It is preferable to use a compound having two or more ethylenic double bonds.
  • Examples of the (B) compound having two ethylenic double bonds include, for example, a bisphenol A compound, particularly a polyalkylene glycol di (meta) having an average of 2 to 15 moles of alkylene oxide added to both ends of bisphenol A. ) Acrylate or the like is preferably used.
  • the (B) compound having three ethylenic double bonds is, for example, a trimethylolpropane compound, particularly a polyalkylenetriol trimethylolpropane obtained by adding an average of 3 to 25 mol of alkylene oxide to trimethylolpropane.
  • Acrylate or the like is preferably used.
  • the (B) compound having four ethylenic double bonds for example, a pentaerythritol compound, in particular, a tetra (meth) acrylate of a polyol obtained by adding an average of 4 mol to 35 mol of alkylene oxide to pentaerythritol, etc.
  • a pentaerythritol compound in particular, a tetra (meth) acrylate of a polyol obtained by adding an average of 4 mol to 35 mol of alkylene oxide to pentaerythritol, etc.
  • a pentaerythritol compound in particular
  • Examples of these commercially available products include “BPE-500”, “A-TMPT-3EO”, “A-9300-1CL” and the like (all of which are manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.): “Aronix M-327” (manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and the like.
  • the content of the component (B) in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 1% by mass to 70% by mass, more preferably 5% by mass to 60% by mass, and 10% by mass to 50% by mass. Is more preferable. This content is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of suppressing poor curing and delay in development time, and on the other hand, it is 70% by mass or less from the viewpoint of suppressing cold flow and delayed peeling of the cured resist. Is preferred.
  • the component (B) it is preferable to use a high molecular weight compound having a molecular weight of 1,000 or more.
  • the molecular weight of the high molecular weight compound is more preferably 1,300 or more and 3,000 or less. It is preferable to contain such a high molecular weight compound from the viewpoints of suppressing the etching rate when forming the conductor pattern and suppressing the vertical / horizontal difference of the wiring width.
  • the proportion of such a high molecular weight compound in the component (B) is preferably 20% by mass or more, and more preferably 20 to 50% by mass.
  • a DD value is defined as an index of the double bond concentration of the component (B).
  • the DD value is the number of double bonds per weight average molecular weight of the monomer, and has a unique value for each monomer.
  • the photocured film tends to be flexible.
  • the component (B) comprises a plurality of types
  • the DD value of each ethylenically unsaturated bond-containing compound and the weighted average of the blending ratio are considered as the DD value of the composition.
  • the DD value range of the preferred composition is 0.10 to 0.13. More preferably, it is 0.10 to 0.125.
  • the component (C) is a component that generates a radical capable of initiating polymerization of the component (B) by light irradiation.
  • Examples of such component (C) include aromatic ketone compounds, quinone compounds, benzoin ether compounds, benzoin compounds, benzyl compounds, hexaarylbisimidazole compounds, and acridine compounds. Among these, it is preferable to use an acridine compound from the viewpoint of high resolution and good tenting properties.
  • the content of the acridine compound in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.2% by mass, and 3 mass% is more preferable, and 0.4 mass% is more preferable.
  • the content of the acridine compound in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 2.0% by mass or less, more preferably 1.8% by mass or less, and more preferably 1.7% by mass or less. .6% by mass or less is more preferable. Within the above range, it is possible to provide a resist material that suppresses the vertical and horizontal differences in the wiring width, which is preferable.
  • acridine compound examples include acridine, 9-phenylacridine, 1,6-bis (9-acridinyl) hexane, 1,7-bis (9-acridinyl) heptane, 1,8-bis (9-acridinyl) octane, 1,9-bis (9-acridinyl) nonane, 1,10-bis (9-acridinyl) decane, 1,11-bis (9-acridinyl) undecane, 1,12-bis (9-acridinyl) dodecane, etc. be able to.
  • an acridine compound and a hexaarylbisimidazole compound as the component (C).
  • the hexaarylbisimidazole compound include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, 2,2 ′, 5-tris- (o-chlorophenyl) -4- (3,4 -Dimethoxyphenyl) -4 ', 5'-diphenylimidazolyl dimer, 2,4-bis- (o-chlorophenyl) -5- (3,4-dimethoxyphenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2,4, 5-tris- (o-chlorophenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2- (o-chlorophenyl) -bis-4,5- (3,4-dimethoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2′-bis -(2-F
  • the content of the component (C) in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 0.1% by mass to 2% by mass, and is in the range of 0.2% by mass to 1.8% by mass. Is more preferably in the range of 0.3% by mass to 1.7% by mass, and particularly preferably in the range of 0.4% by mass to 1.6% by mass. Setting the content of the component (C) in such a range is preferable from the viewpoint of obtaining good photosensitivity and peeling characteristics.
  • the component (C) can further contain a sensitizer from the viewpoint of improving sensitivity and resolution.
  • sensitizers include N-aryl amino acids, organic halogen compounds, and other sensitizers.
  • the N-aryl amino acid include N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine and the like;
  • the organic halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris ( 2,3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chloroph
  • Examples of the other sensitizers include 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone.
  • Quinone compounds such as 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3-chloro-2-methylanthraquinone; Aromatic ketone compounds such as benzophenone, Michler's ketone [4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone], 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone; Benzoin ether compounds such as benzoin, benzoin ethyl ether, benzoin phenyl ether, methyl benzoin, ethyl benzoin; Oxime esters such as benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoin oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxy
  • the content of the sensitizer in the first embodiment is preferably 0.01% by mass to 5% by mass, and preferably 0.05% by mass to 3% from the viewpoints of the photosensitivity of the composition and the peelability of the resist cured film. % By mass is more preferable, and 0.1% by mass to 2% by mass is still more preferable.
  • an acridine compound and an N-aryl amino acid are used as the component (C), and these may be used in combination within the above usage ratio range. It is preferable from the viewpoints of suppressing the etching rate when forming the film and suppressing the vertical and horizontal differences of the wiring width.
  • the photosensitive resin composition of the first embodiment may contain other components in addition to the components (A) to (C) described above.
  • other components include leuco dyes, base dyes, plasticizers, antioxidants, stabilizers, radical polymerization inhibitors, solvents, and the like.
  • the leuco dye can be blended in the photosensitive resin composition of the first embodiment in order to impart suitable color developability and excellent peeling properties to the resist cured film.
  • Specific examples of the leuco dye include leuco crystal violet (tris [4- (dimethylamino) phenyl] methane), 3,3-bis (p-dimethylaminophenyl) -6-dimethylaminophthalide, 3- ( 4-diethylaminophenyl) -3- (1-ethyl-2-methylindol-3-yl) phthalide, 3- (4-diethylamino-2-ethoxyphenyl) -3- (1-ethyl-2-methylindole-3) -Yl) -4-azaphthalide, 1,3-dimethyl-6-diethylaminofluorane, 2-chloro-3-methyl-6-dimethylaminofluorane, 3-dibutylamino-6-methyl-7-anilinofluoran
  • the content of the leuco dye in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 0.6% by mass to 1.6% by mass, and 0.7% by mass to 1.2% by mass. It is more preferable. By setting the use ratio of the leuco dye within this range, it is possible to realize good color developability and good peelability.
  • Base dye examples include basic green 1 [CAS number (hereinafter the same): 633-03-4] (for example, Aizen Diamond Green GH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), malachite green oxalate [ 2437-29-8] (for example, Aizen Malachite Green, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), brilliant green [633-03-4], fuchsin [632-99-5], methyl violet [603-47-4] , Methyl violet 2B [8004-87-3], crystal violet [548-62-9], methyl green [82-94-0], Victoria Blue B [2580-56-5], basic blue 7 [2390-60 -5] (for example, Aizen Victoria Pur e Blue BOH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), rhodamine B [81-88-9], rhodamine 6G [989-38-8], basic yellow 2 [2465
  • the content of the base dye in the photosensitive resin composition of the first embodiment is preferably 0.001% by mass to 3% by mass, more preferably 0.01% by mass to 2% by mass, and further Preferably, it is in the range of 0.01% by mass to 1.2% by mass. By setting the use ratio within this range, both good color developability and high sensitivity can be achieved.
  • the photosensitive resin composition of the first embodiment can be a mixture of the above components (A) to (C) and other components optionally used, or a suitable solvent for these components. You may use as a photosensitive resin composition formulation liquid comprised by adding.
  • a solvent used here for example, Ketone compounds such as methyl ethyl ketone (MEK); Alcohols such as ethanol, ethanol, and isopropyl alcohol; Etc.
  • the proportion of the solvent used is preferably such that the viscosity of the photosensitive resin composition preparation liquid at 25 ° C. is 500 to 4,000 mPa ⁇ sec.
  • the photosensitive element is a laminate (photosensitive resin laminate) in which a photosensitive resin layer made of the above-described photosensitive resin composition is laminated on a support. If necessary, a protective layer may be provided on the surface of the photosensitive resin layer opposite to the support.
  • a transparent substrate that transmits light emitted from the exposure light source is preferable.
  • a support examples include a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film, Examples thereof include a polystyrene film, a polyacrylonitrile film, a styrene copolymer film, a polyamide film, and a cellulose derivative film. As these films, those stretched as necessary can be used.
  • the haze of the support is preferably 5 or less. A thinner support is advantageous in terms of image formation and economy, but it is necessary to maintain strength. Considering both of these, a support of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m can be preferably used.
  • the photosensitive resin composition used for forming the photosensitive resin composition layer contains a solvent
  • the solvent is preferably removed in the photosensitive resin composition layer, but the solvent remains. It doesn't matter.
  • the thickness of the photosensitive resin composition layer is preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 7 ⁇ m to 60 ⁇ m. The thinner the thickness, the higher the resolution, and the thicker the film strength. Therefore, the thickness of the composition layer can be appropriately selected within the above range depending on the application.
  • the protective layer An important characteristic of the protective layer is that the adhesive strength with the photosensitive resin composition layer is sufficiently smaller than the adhesive strength between the support and the photosensitive resin composition layer and can be easily peeled off.
  • the protective layer for example, a polyethylene film, a polypropylene film and the like can be preferably used, and for example, a film having excellent peelability disclosed in JP-A-59-202457 can be used.
  • the thickness of the protective layer is preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the photosensitive element can be produced by sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and, if necessary, a protective layer.
  • a method for laminating the support, the photosensitive resin layer, and the protective layer a known method can be employed.
  • a photosensitive resin composition is prepared as the above-mentioned photosensitive resin composition preparation liquid, first, coated on a support using a bar coater or a roll coater and dried, and then the photosensitive resin composition is formed on the support. A photosensitive resin composition layer is formed.
  • a photosensitive element can be produced by laminating a protective layer on the formed photosensitive resin composition layer.
  • a resist pattern can be formed on a substrate using the photosensitive element as described above.
  • the resist pattern formation method is: A laminating step of laminating a photosensitive resin layer of a photosensitive element on a conductive substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin composition layer, and a development step of removing an unexposed portion after the exposure with a developer, Are preferably included in the order described above.
  • a lamination process is a process of laminating
  • wetting agent one or more selected from pure water, deionized water, and electrolyzed water, and a copper chelating agent (for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds).
  • a copper chelating agent for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds.
  • the above compound is preferably included.
  • a photosensitive resin composition layer is formed on a substrate using a laminator.
  • the photosensitive element has a protective layer
  • the photosensitive resin composition layer is heat-pressed and laminated on the substrate surface using a laminator.
  • the substrate an insulating substrate having a metal plate or a metal film is used.
  • the metal material include copper, stainless steel (SUS), glass, and indium tin oxide (ITO). These substrates may have through holes for accommodating multilayer substrates.
  • the photosensitive resin composition layer may be laminated on only one surface of the substrate surface, or may be laminated on both surfaces of the substrate as necessary.
  • the heating temperature at this time is preferably 40 ° C. to 160 ° C. It is preferable to perform the thermocompression bonding twice or more from the viewpoint of further improving the adhesion of the obtained resist pattern to the substrate.
  • a two-stage laminator equipped with two rolls may be used, or a laminate of the substrate and the photosensitive resin composition layer is repeated several times to form a roll. It may be crimped through.
  • the photosensitive resin composition layer is exposed using an exposure machine. This exposure may be performed through the support without peeling off the support, or may be performed after peeling off the support, if necessary.
  • a resist film (resist pattern) having a desired pattern can be obtained after a development process described later.
  • the pattern exposure may be performed by either a method of exposing through a photomask or a maskless exposure method.
  • the exposure amount is determined by the light source illuminance and the exposure time.
  • the exposure amount may be measured using a light meter.
  • a photomask is not used and exposure is performed directly on the substrate by a drawing apparatus.
  • a semiconductor laser having a wavelength of 350 nm to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used.
  • the drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount is determined by the illuminance of the exposure light source and the moving speed of the substrate.
  • the unexposed part of the photosensitive resin composition layer is removed with a developer.
  • a development step after removing the support.
  • the unexposed area is developed and removed using a developer comprising an alkaline aqueous solution to obtain a resist image.
  • an alkaline aqueous solution for example, an aqueous solution of Na 2 CO 3 , K 2 CO 3 or the like is preferably used.
  • the alkaline aqueous solution is selected according to the characteristics of the photosensitive resin composition layer, but an aqueous Na 2 CO 3 solution having a concentration of 0.2% by mass to 2% by mass is preferably used.
  • a surfactant In the alkaline aqueous solution, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating development, and the like may be mixed.
  • the temperature of the developer in the development step is preferably maintained at a constant temperature in the range of 20 ° C to 40 ° C.
  • a resist pattern is obtained by the above-described process.
  • a heating step of 100 ° C. to 300 ° C. may be further performed. It is preferable to perform this heating step from the viewpoint of further improving chemical resistance.
  • a heating furnace of an appropriate system such as hot air, infrared rays, far infrared rays or the like can be used.
  • the method of forming the wiring board of the first embodiment is as follows: A laminating step of laminating the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element on the conductor substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin composition layer; A developing step of removing the unexposed portion after the exposure with a developer; A conductor pattern forming step of etching or plating a conductive substrate on which a resist pattern is formed by the development; and a peeling step of peeling the resist pattern; Are preferably included in the order described above. Moreover, it is preferable that a lamination process is a process of laminating
  • wetting agent one or more selected from pure water, deionized water, and electrolyzed water, and a copper chelating agent (for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds).
  • a copper chelating agent for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds.
  • the above compound is preferably included.
  • the conductor pattern can be formed on the substrate surface (for example, a copper surface) exposed by the developing step on the substrate on which the resist pattern is formed by using a known etching method or plating method.
  • the stripping solution used in the stripping step is preferably an alkaline aqueous solution.
  • This alkaline aqueous solution it is preferable to use, for example, a 2% by mass to 5% by mass NaOH aqueous solution or a KOH aqueous solution.
  • a small amount of a water-soluble solvent such as alcohol may be added to the stripping solution.
  • the temperature of the stripping solution in the stripping step is preferably 40 ° C to 70 ° C.
  • the etching time for a desired wiring width can be adjusted regardless of the etching rate, for example, by adjusting the conveyance speed of the etching line.
  • the transfer rate becomes too high, which may cause a problem that the etching time cannot be set practically.
  • the production of wiring boards is usually performed by a line process in which processing is performed sequentially while a substrate is conveyed in a certain direction, and conductor lines are parallel to the substrate conveyance direction. Case (MD direction line), vertical (TD direction line), and diagonal.
  • the etching rate is high, the vertical and horizontal differences in the wiring width tend to become more prominent.
  • the photosensitive resin composition of the first embodiment is obtained by laminating a photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition with a thickness of 25 ⁇ m on a copper clad laminate on which a copper foil with a thickness of 18 ⁇ m is laminated.
  • Line / space 50 ⁇ m / 30 ⁇ m patterned light irradiation and development treatment to form a cured resist pattern, and after performing a copper etching treatment at 50 ° C. for 55 seconds, the cured resist pattern is removed.
  • the bottom width of the copper line pattern is 38 ⁇ m or more (preferably 38 ⁇ m to 50 ⁇ m, more preferably 40 ⁇ m to 45 ⁇ m).
  • the resist pattern swells / shrinks in each of the development, the washing step, and the etching step, and particularly, the swelling / shrinkage in the washing step is large.
  • This swelling / shrinkage of the resist pattern is considered to reduce the adhesion between the wiring and the resist pattern.
  • the resist pattern formed from the photosensitive resin composition of the first embodiment has small swelling / shrinkage in any of the development, washing step, and etching step, and etching proceeds at the interface between the resist pattern and the wiring. It is difficult to suppress vertical and horizontal differences in wiring width.
  • the specific photosensitive resin composition is discriminated by paying attention to the characteristics (the bottom width of the conductor line width is not less than a certain value) when a specific analysis method (specific etching condition) is used.
  • This is a means for producing the effects of the invention.
  • Such adjustment of the bottom width of the conductor line width can be adjusted by appropriately setting the composition of the photosensitive resin composition.
  • the conductor pattern (wiring) formed by the wiring board forming method of the first embodiment as described above can have a very small vertical / horizontal difference in the wiring width of the conductor pattern.
  • the vertical / horizontal difference in the wiring width is a difference between the wiring width (TD) of the conductor line in the TD direction and the wiring width (MD) of the conductor line in the MD direction, which is expressed by TD ⁇ MD.
  • the absolute value of the vertical / horizontal difference of the wiring width in the conductor pattern formed by the conductor pattern forming method of the first embodiment is preferably 0 ⁇ m to 5 ⁇ m, more preferably 0 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the photosensitive resin composition, the photosensitive element, and the method for forming the wiring board in the first embodiment are extremely suitable for the production of, for example, a printed wiring board, a lead frame, a substrate having a concavo-convex pattern, and a semiconductor package. Can be applied to.
  • the measurement methods for the various parameters described above are measured according to the measurement methods in the examples described later unless otherwise specified.
  • the second embodiment a mode for carrying out the second embodiment of the present invention (hereinafter abbreviated as “the second embodiment”) will be specifically described.
  • the photosensitive resin composition comprises the following components (A) to (C): (A) component: an alkali-soluble polymer having an acid equivalent of 100 to 600, (B) component: a compound having an ethylenic double bond, and (C) component: a photopolymerization initiator, Containing.
  • the component (A) contains a copolymer having an acid equivalent of 100 to 600 (preferably 200 to 500, more preferably 250 to 450) and containing 50% by mass or more of styrene units.
  • the styrene unit means substituted or unsubstituted styrene.
  • an alkyl group, a halogen group, a hydroxyl group etc. are mentioned, for example.
  • the component (A) is a copolymer of a styrene derivative and preferably another monomer such as an acid monomer.
  • the acid monomer include (meth) acrylic acid, pentenoic acid, unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and hydroxystyrene.
  • the unsaturated dicarboxylic acid anhydride include maleic acid anhydride, itaconic acid anhydride, fumaric acid, citraconic acid anhydride, and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.
  • Examples of other monomers include unsaturated aromatic compounds (sometimes referred to as “aromatic monomers”), (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid aralkyl esters, conjugated diene compounds, polar monomers, A crosslinkable monomer etc. can be mentioned.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester is a concept including both a chain alkyl ester and a cyclic alkyl ester. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meta) ) Acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2 -Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, n
  • Examples of (meth) acrylic acid aralkyl esters include benzyl (meth) acrylate and the like;
  • Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-phenyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 2-methyl-1, 3-pentadiene, 1,3-hexadiene, 4,5-diethyl-1,3-octadiene, 3-butyl-1,3-octadiene, etc .; Each can be mentioned.
  • polar monomers examples include: Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, pentenol; Amino group-containing monomers such as 2-aminoethyl methacrylate; Amide group-containing monomers such as (meth) acrylamide and N-methylol (meth) acrylamide; Cyano group-containing monomers such as acrylonitrile, methacrylonitrile, ⁇ -chloroacrylonitrile, ⁇ -cyanoethyl acrylate; Epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate and (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl; Etc.
  • Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth)
  • crosslinkable monomer examples include trimethylolpropane triacrylate and divinylbenzene.
  • the component (A) is particularly preferably a copolymer of (meth) acrylic acid, styrene, and other monomers.
  • a component contains the copolymer 1 which contains 50 mass% or more of styrene units.
  • the amount of styrene units in the copolymer 1 is preferably 50% by mass to 80% by mass, and more preferably 51% by mass to 70% by mass.
  • the component (A) in the second embodiment may be composed only of the copolymer 1 or may be a mixture of the copolymer 1 and other polymers.
  • the content of the copolymer 1 in the component (A) is preferably 5% by mass to 90% by mass, more preferably 10% by mass to 80% by mass, and still more preferably 20% by mass to 70% by mass.
  • copolymer 2 a copolymer of the acid monomer and the other monomer described above and not corresponding to the copolymer 1 (copolymer 2) is preferable.
  • the weight average molecular weight of the component (A) (when the component (A) includes a plurality of types of copolymers, the weight average molecular weight of the mixture as a whole) is 5,000 to 1,000,000. It is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 15,000 to 100,000. It is preferable to adjust the weight average molecular weight of the component (A) within this range from the viewpoint of adapting the development time in forming the resist pattern to the operating state of the line process to be used.
  • the degree of dispersion of the copolymer represented by the ratio of the weight average molecular weight and the number average molecular weight of the component (A) is preferably 1 or more and 6 or less.
  • the content of the component (A) in the photosensitive resin composition is based on the total solid content of the photosensitive resin composition (hereinafter, unless otherwise specified, the same for each component). 10% by mass to 90% by mass, more preferably 20% by mass to 80% by mass, and still more preferably 40% by mass to 60% by mass. This content is preferably 10% by mass or more from the viewpoint of maintaining alkali developability, while 90% by mass from the viewpoint that the resist pattern formed by exposure sufficiently exhibits the performance as a resist. The following is preferable.
  • Component (B) Compound having an ethylenic double bond
  • the component (B) is not particularly limited as long as it has one or more ethylenic double bonds.
  • the component (B) in the second embodiment is represented by the following general formula (I) as the essential compound (B1): ⁇ Wherein R is independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n1, n2 and n3 are each independently an integer of 0 to 30, provided that n1 + n2 + n3 ⁇ 6 Meet the conditions. ⁇ Is included.
  • each R is preferably independently a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a hydrogen atom.
  • n1, n2 and n3 are each independently preferably an integer of 1 to 30, more preferably an integer of 3 to 21.
  • n1 + n2 + n3 is preferably more than 9 and 20 or less, more preferably 15 or more and 20 or less, from the viewpoint of improving development dispersibility.
  • At least one R is preferably a hydrogen atom, and more preferably all R are hydrogen atoms.
  • the compound represented by the formula (I) is synthesized by using a known method. For example, an adduct obtained by adding 6 equivalents or more of ethylene oxide to trimethylolpropane is further added with 3 mol of (meth) acrylic. It can be obtained by addition or transesterification of the acid.
  • Preferable specific examples of the compound represented by the formula (I) include ethylene oxide (EO) -modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (the total number of added EO is 6 to 20).
  • the component (B) in the second embodiment may be composed only of the compound (B1), or may be a mixture of the compound (B1) and another component (B).
  • the content of the compound (B1) in the mixture is preferably 10% by mass or more, more preferably based on the total mass of the mixture. It is 10% by mass to 50% by mass, and more preferably 15% by mass to 35% by mass.
  • the content of the compound (B1) in the photosensitive resin composition of the second embodiment is preferably 5% by mass or more, more preferably 5.5%, based on the total solid content of the photosensitive resin composition.
  • the content is from 30% by mass to 30% by mass, and more preferably from 6% by mass to 20% by mass.
  • an alkali-soluble polymer having a specific acid equivalent and a specific amount of styrene units, the component (B1), and acridine both development dispersibility and fine pattern adhesion are achieved.
  • the component (B) preferably contains a pentaerythritol-modified monomer (hereinafter referred to as “compound (B2)”) together with the compound (B1). .
  • compound (B2) a tetra (meth) acrylate of a polyol obtained by adding an average of 4 mol to 35 mol, more preferably 8 mol to 28 mol, more preferably 12 mol to 20 mol of alkylene oxide to pentaerythritol. Is used.
  • the content of the compound (B2) in the component (B) is preferably 10% by mass to 40% by mass, more preferably 15% by mass to 30% by mass, based on the total mass of the component (B).
  • the content of the compound (B2) in the photosensitive resin composition of the second embodiment is preferably 1% by mass or more, more preferably 1% by mass to 20% by mass, and further preferably 5% by mass. To 15% by mass.
  • the component (B) may include a compound having an ethylenic double bond other than the compounds (B1) and (B2).
  • (B) component is the following components: Bisphenol A compounds, for example, di (meth) acrylates of polyalkylene glycol obtained by adding an average of 2 to 15 moles of alkylene oxide to both ends of bisphenol A; Compounds having three ethylenic double bonds (excluding B1), for example, tri (meth) acrylate of polyalkylenetriol obtained by adding an average of 3 to 25 mol of alkylene oxide to trimethylolpropane; May be included.
  • Bisphenol A compounds for example, di (meth) acrylates of polyalkylene glycol obtained by adding an average of 2 to 15 moles of alkylene oxide to both ends of bisphenol A
  • Compounds having three ethylenic double bonds (excluding B1) for example, tri (meth) acrylate of polyalkylenetriol obtained by adding an average of 3 to 25 mol of alkylene oxide to trimethylolpropane; May be included.
  • the content of the component (B) in the photosensitive resin composition of the second embodiment is preferably 1% by mass to 70% by mass, more preferably 5% by mass to 60% by mass, and 10% by mass to 50% by mass. Is more preferable. This content is preferably 1% by mass or more from the viewpoint of suppressing poor curing and delay in development time, and on the other hand, it is 70% by mass or less from the viewpoint of suppressing generation of aggregates in the developer. Is preferred.
  • the component (C) is a component that generates a radical capable of initiating polymerization of the component (B) by light irradiation.
  • an acridine compound can be used as the (B) photopolymerization initiator.
  • the acridine compound is preferably used for improving the sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition of the second embodiment.
  • acridine compound examples include 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, 9-phenylacridine, 9-methylacridine, 9-ethylacridine, 9-chloroethylacridine, 9-methoxyacridine, 9- Ethoxyacridine, 9- (4-methylphenyl) acridine, 9- (4-ethylphenyl) acridine, 9- (4-n-propylphenyl) acridine, 9- (4-n-butylphenyl) acridine, 9- ( 4-tert-butylphenyl) acridine, 9- (4-methoxyphenyl) acridine, 9- (4-ethoxyphenyl) acridine, 9- (4- (4-acetylphenyl) acridine, 9- (4-dimethylaminophenyl) acridine, 9- (4
  • photopolymerization initiators include, for example, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, 2,2 ′, 5-tris- (o-chlorophenyl) -4- (3,4-dimethoxyphenyl) -4 ′, 5′- Diphenylimidazolyl dimer, 2,4-bis- (o-chlorophenyl) -5- (3,4-dimethoxyphenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2,4,5-tris- (o-chlorophenyl) -diphenyl Imidazolyl dimer, 2- (o-chlorophenyl) -bis-4,5- (3,4-dimethoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2′-bis- (2-fluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-Tetrakis- (3-methoxyphenyl) -imidazolyl
  • Benzophenone N, N′-tetramethyl-4,4′-dimethylaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4′-dimethylaminobenzophenone, 2- Aromatic ketones such as benzyl-2-dimethylamino-1- (4-monofornophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propanone-1; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinon
  • the content of the acridine compound in the photosensitive resin composition of the second embodiment is preferably 0.001% by mass to 2% by mass, more preferably 0.01% by mass to 1.5% by mass, and still more preferably. It is within the range of 0.1% by mass to 1% by mass.
  • the content of the component (C) in the photosensitive resin composition of the second embodiment is 0.1% by mass to 2% by mass. It is preferably 0.2% by mass to 1.8% by mass, more preferably 0.3% by mass to 1.7% by mass, and further preferably 0.4% by mass to 1.6% by mass. It is particularly preferred.
  • the component (C) can further contain a sensitizer from the viewpoint of improving sensitivity and resolution.
  • a sensitizer examples include N-aryl amino acids, organic halogen compounds, and other sensitizers.
  • N-aryl amino acid examples include N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine and the like;
  • organic halogen compound examples include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris ( 2,3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, chlorinated triazine compounds and the like; Each can be mentioned.
  • Examples of the other sensitizers include: 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10- Quinone compounds such as phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3-chloro-2-methylanthraquinone; Aromatic ketone compounds such as benzophenone, Michler's ketone [4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone], 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone; Benzoin ether compounds such as benzoin, benzoin ethyl ether
  • the content of the sensitizer in the photosensitive resin composition of the second embodiment is preferably 0.01% by mass to 5% by mass from the viewpoint of the photosensitivity of the composition and the peelability of the resist cured film, and is preferably 0%. 0.05 mass% to 3 mass% is more preferable, and 0.1 mass% to 2 mass% is still more preferable.
  • the photosensitive resin composition of the second embodiment may contain other components in addition to the components (A) to (C) described above.
  • other components include coloring substances, halogen compounds, stabilizers, solvents, and the like.
  • Coloring substances include leuco dyes and other coloring substances;
  • stabilizers include radical polymerization inhibitors, benzotriazole compounds, carboxybenzotriazole compounds, and the like; Each can be mentioned.
  • leuco dye examples include tris (4-dimethylaminophenyl) methane [leuco crystal violet], bis (4-dimethylaminophenyl) phenylmethane [leucomalachite green], and the like. In particular, it is preferable to use leuco crystal violet from the viewpoint of good contrast.
  • the content of the leuco dye in the photosensitive resin composition is preferably 0.1% by mass to 10% by mass. Adjusting the content of the leuco dye to 0.1% by mass or more is preferable from the viewpoint of obtaining the contrast between the exposed part and the unexposed part, while adjusting the content to 10% by mass or less, It is preferable from the viewpoint of maintaining storage stability.
  • ⁇ Other coloring substances examples include fuchsin, phthalocyanine green, auramin base, paramadienta, crystal violet, methyl orange, Nile Blue 2B, Victoria Blue, Malachite Green (Eizen (registered trademark) MALACHITE GREEN manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), Basic Blue 20, Diamond Green (Eizen (registered trademark) DIAMOND GREEN GH manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) and the like.
  • the content of other coloring substances in the photosensitive resin composition is preferably 0.001% by mass to 1% by mass. Adjusting the content to 0.001% by mass or more is preferable from the viewpoint of improving the handleability, while adjusting the content to 1% by mass or less maintains storage stability. It is preferable from the viewpoint.
  • halogen compounds Using a combination of a leuco dye and the following halogen compound in the photosensitive resin composition is a preferred embodiment from the viewpoint of adhesion and contrast.
  • the halogen compound include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2 , 3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, chlorinated triazine compounds and the like. Tribromomethylphenyl sulfone is particularly preferable.
  • the content of the halogen compound in the photosensitive resin composition is preferably
  • radical polymerization inhibitor examples include p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, 2,2′-methylenebis. (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis (4-ethyl-6-tert-butylphenol), nitrosophenylhydroxyamine aluminum salt, diphenylnitrosamine and the like.
  • benzotriazole compound examples include 1,2,3-benzotriazole, 1-chloro-1,2,3-benzotriazole, bis (N-2-ethylhexyl) aminomethylene-1,2,3-benzotriazole, Examples thereof include bis (N-2-ethylhexyl) aminomethylene-1,2,3-tolyltriazole, bis (N-2-hydroxyethyl) aminomethylene-1,2,3-benzotriazole.
  • carboxybenzotriazole compound examples include 4-carboxy-1,2,3-benzotriazole, 5-carboxy-1,2,3-benzotriazole, and N- (N, N-di-2-ethylhexyl) aminomethylene. Examples thereof include carboxybenzotriazole, N- (N, N-di-2-hydroxyethyl) aminomethylenecarboxybenzotriazole, N- (N, N-di-2-ethylhexyl) aminoethylenecarboxybenzotriazole and the like.
  • the total content of the radical polymerization inhibitor, benzotriazole compound and carboxybenzotriazole compound in the photosensitive resin composition is preferably 0.01% by mass to 3% by mass, more preferably 0.05% by mass to 1%. % By mass. Adjusting this content to 0.01% by mass or more is preferable from the viewpoint of imparting storage stability to the photosensitive resin composition, while adjusting this content to 3% by mass or less, It is preferable from the viewpoint of maintaining sensitivity and suppressing decolorization of the dye.
  • the photosensitive resin composition may contain a plasticizer as necessary.
  • the plasticizer include phthalic acid esters such as diethyl phthalate, o-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid amide, tributyl citrate, triethyl citrate, acetyl triethyl citrate, and tri-n-propyl acetyl citrate.
  • Acetyl citrate tri-n-butyl, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyethylene glycol alkyl ether, polypropylene glycol alkyl ether, and the like.
  • the content of the plasticizer in the photosensitive resin composition is preferably 1% by mass to 50% by mass, more preferably 1% by mass to 30% by mass. Adjusting this content to 1% by mass or more is preferable from the viewpoint of suppressing delay in development time and imparting flexibility to the cured film, while adjusting this content to 50% by mass or less. From the viewpoint of suppressing insufficient curing and edge fuse.
  • the photosensitive resin composition may contain a solvent.
  • the solvent include ketones typified by methyl ethyl ketone (MEK); alcohols typified by methanol, ethanol, and isopropanol.
  • MEK methyl ethyl ketone
  • the solvent is preferably added to the photosensitive resin composition so that the viscosity of the solution of the photosensitive resin composition applied on the support film is 500 mPa ⁇ s to 4,000 mPa ⁇ s at 25 ° C.
  • the photosensitive element is a laminate (photosensitive resin laminate) in which a photosensitive resin layer made of the above-described photosensitive resin composition is laminated on a support. If necessary, the photosensitive element may have a protective layer on the surface of the photosensitive resin layer opposite to the support.
  • the support a transparent substrate that transmits light emitted from the exposure light source is preferable.
  • the support for example, polyethylene terephthalate film, polyvinyl alcohol film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyvinylidene chloride film, vinylidene chloride copolymer film, polymethyl methacrylate copolymer film, polystyrene film, Examples include polyacrylonitrile films, styrene copolymer films, polyamide films, and cellulose derivative films. As these films, those stretched as necessary can be used.
  • the haze of the support is preferably 5 or less. A thinner support is advantageous in terms of image formation and economy, but it is necessary to maintain strength. Considering both of these, a support of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m can be preferably used.
  • Photosensitive resin layer When the photosensitive resin composition used for forming the photosensitive resin layer contains a solvent, the solvent is preferably removed from the photosensitive resin layer, but may remain in the photosensitive resin layer.
  • the thickness of the photosensitive resin layer is preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 7 ⁇ m to 60 ⁇ m. The thinner the thickness, the higher the resolution, and the thicker the film strength. Therefore, the thickness of the photosensitive resin layer can be appropriately selected within the range of 5 ⁇ m to 100 ⁇ m depending on the application.
  • the protective layer An important characteristic of the protective layer is that the adhesive force with the photosensitive resin layer is sufficiently smaller than the adhesive force between the support and the photosensitive resin layer and can be easily peeled off.
  • the protective layer for example, a polyethylene film, a polypropylene film and the like can be preferably used, and a film having excellent peelability disclosed in, for example, JP-A-59-202457 can also be used.
  • the thickness of the protective layer is preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the photosensitive element can be produced by sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and, if necessary, a protective layer.
  • a method for laminating the support, the photosensitive resin layer, and the protective layer a known method can be employed. For example, a solvent is added to the photosensitive resin composition and mixed to prepare a preparation solution, which is further coated on a support using a bar coater or roll coater and dried, and then the photosensitive resin composition is formed on the support. A photosensitive resin layer is formed. Next, if necessary, a photosensitive element can be produced by laminating a protective layer on the formed photosensitive resin layer.
  • a resist pattern can be formed on a substrate using the photosensitive element as described above.
  • the resist pattern formation method is: A laminating step of laminating a photosensitive resin layer of a photosensitive element on a conductive substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; and a development step of removing the unexposed portion after the exposure with a developer; Are preferably included in the order described above.
  • the laminating step is preferably a step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element on the conductor substrate via a wetting agent.
  • a wetting agent one or more selected from pure water, deionized water, and electrolyzed water, and a copper chelating agent (for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds). The above compound) is preferably included.
  • a photosensitive resin layer is formed on a substrate using a laminator. Specifically, when the photosensitive element has a protective layer, the protective layer is peeled off, and then the photosensitive resin layer is heat-pressed and laminated to the substrate surface using a laminator.
  • an insulating substrate having a metal plate or a metal film is used as the substrate.
  • the metal material include copper, stainless steel (SUS), glass, and indium tin oxide (ITO). These substrates may have through holes for accommodating multilayer substrates.
  • the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface, or may be laminated on both sides of the substrate as necessary.
  • the heating temperature during lamination is preferably 40 ° C to 160 ° C. It is preferable to perform the thermocompression bonding twice or more from the viewpoint of further improving the adhesion of the obtained resist pattern to the substrate.
  • a two-stage laminator equipped with two rolls may be used, or the laminate of the substrate and the photosensitive resin layer is repeatedly passed through the roll. You may crimp.
  • the photosensitive resin layer is exposed using an exposure machine.
  • the exposure may be performed through the support without peeling off the support, or may be performed after peeling off the support if necessary.
  • a resist film (resist pattern) having a desired pattern can be obtained after a development process described later.
  • the pattern exposure may be performed by any of a method of exposing through a photomask and a maskless exposure method.
  • the exposure amount is determined by the light source illuminance and the exposure time. The exposure amount may be measured using a light meter.
  • a photomask is not used and exposure is performed directly on the substrate with a drawing apparatus.
  • a semiconductor laser having a wavelength of 350 nm to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used.
  • the drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount is determined by the illuminance of the exposure light source and the moving speed of the substrate.
  • the unexposed portion of the photosensitive resin layer is removed with a developer. After exposure, when there is a support on the photosensitive resin layer, it is preferable to use it for the development step after removing it.
  • the unexposed area is developed and removed using a developer comprising an alkaline aqueous solution to obtain a resist image.
  • an alkaline aqueous solution for example, an aqueous solution of Na 2 CO 3 , K 2 CO 3 or the like is preferably used.
  • the alkaline aqueous solution is selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, but it is preferable to use an aqueous Na 2 CO 3 solution having a concentration of 0.2% by mass to 2% by mass.
  • a surfactant In the alkaline aqueous solution, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for promoting development, and the like may be mixed.
  • the temperature of the developer in the development step is preferably maintained at a constant temperature in the range of 20 ° C to 40 ° C.
  • a resist pattern is obtained by the above-described process.
  • a heating step of 100 ° C. to 300 ° C. may be further performed.
  • the implementation of this heating step is suitable from the viewpoint of further improving chemical resistance.
  • a heating furnace of an appropriate system such as hot air, infrared rays, far infrared rays or the like can be used.
  • the method of forming the wiring board of the second embodiment is as follows: A laminating step of laminating a photosensitive resin layer of a photosensitive element on a conductive substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; A developing step of removing the unexposed portion after the exposure with a developer; A conductor pattern forming step of etching or plating a conductive substrate on which a resist pattern is formed by the development; and a peeling step of peeling the resist pattern; Are preferably included in the order described above.
  • the laminating step is preferably a step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element on the conductor substrate via a wetting agent.
  • a wetting agent one or more selected from pure water, deionized water, and electrolyzed water, and a copper chelating agent (for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds). The above compound) is preferably included.
  • the conductor pattern can be formed on the substrate surface (for example, a copper surface) exposed by the developing step on the substrate on which the resist pattern is formed by using a known etching method or plating method.
  • the resist pattern is stripped and removed by bringing the substrate on which the conductor pattern is formed into contact with an appropriate stripping solution. By this step, a desired wiring board is obtained.
  • the stripping solution used in the stripping step is preferably an alkaline aqueous solution.
  • this alkaline aqueous solution it is preferable to use, for example, a 2% by mass to 5% by mass NaOH aqueous solution or a KOH aqueous solution.
  • a small amount of a water-soluble solvent such as alcohol may be added to the stripping solution.
  • the temperature of the stripping solution in the stripping step is preferably 40 ° C to 70 ° C.
  • the photosensitive resin composition, the photosensitive element, and the method for forming the wiring board in the second embodiment are extremely suitable for the production of, for example, a printed wiring board, a lead frame, a substrate having a concavo-convex pattern, and a semiconductor package. Can be applied to.
  • the measurement methods for the various parameters described above are measured according to the measurement methods in the examples described later unless otherwise specified.
  • the third embodiment a mode for carrying out the third embodiment of the present invention (hereinafter abbreviated as “the third embodiment”) will be specifically described.
  • the photosensitive resin composition includes (A) an alkali-soluble polymer, (B) an ethylenically unsaturated bond-containing compound, and (C) a photopolymerization initiator. If desired, the photosensitive resin composition may further contain other components such as (D) an additive.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid
  • (meth) acryloyl group means acryloyl group or methacryloyl group
  • (meth) acrylate "Means” acrylate "or” methacrylate ".
  • Alkali-soluble polymer (A) An alkali-soluble polymer is a polymer that can be dissolved in an alkaline substance.
  • the alkali-soluble polymer is (A) the whole of the monomers constituting the alkali-soluble polymer. It is preferable to contain 10% by mass to 24% by mass of (meth) acrylic acid structural units and 35% by mass to 90% by mass of styrene structural units based on the mass.
  • the content of the structural unit of (meth) acrylic acid in the alkali-soluble polymer is that the shortage of water short-circuit is suppressed based on the total mass of the monomer constituting the (A) alkali-soluble polymer. From a viewpoint, it is preferable that it is 24 mass% or less, and it is preferable that it is 10 mass% or more from a viewpoint of ensuring alkali developability and alkali peelability.
  • the upper limit of this content is more preferably 23% by mass or 22.5% by mass, and the lower limit is more preferably 11% by mass, 15% by mass, 18% by mass or 20% by mass. .
  • the remaining water short circuit has a strong correlation with the hydrophobicity of the cured resist, and it is possible to suppress the remaining water short circuit by increasing the hydrophobicity of the resist, that is, the water contact angle.
  • (A) In relation to the content of structural units of (meth) acrylic acid in alkali-soluble polymer, (A) acid equivalent of alkali-soluble polymer (when component (A) contains a plurality of types of copolymers)
  • the acid equivalent of the whole mixture) is preferably 100 or more from the viewpoint of the development resistance of the photosensitive resin layer and the development resistance, resolution, and adhesion of the resist pattern. It is preferable that it is 900 or less from a viewpoint of developability of this and peelability.
  • the acid equivalent of the alkali-soluble polymer is more preferably from 250 to 600, and even more preferably from 350 to 500.
  • An acid equivalent means the mass of the linear polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in it.
  • the content of the structural unit of styrene in the (A) alkali-soluble polymer is 90% by mass or less from the viewpoint of developability, based on the total mass of the monomer constituting the (A) alkali-soluble polymer. It is preferable that the content is 35% by mass or more from the viewpoint of resolution and water residue short circuit defect suppression.
  • the upper limit of this content is more preferably 85% by mass, 80% by mass, 70% by mass, or 60% by mass from the viewpoint of developability and prevention of delay in peeling time, and the lower limit is resolution and water. From the viewpoint of suppressing the remaining short circuit failure, it is more preferably 36% by mass, 38% by mass, 40% by mass, or 42% by mass.
  • the alkali-soluble polymer preferably further contains a structural unit of butyl (meth) acrylate from the viewpoint of improving the tent property of the resist pattern.
  • the structural unit of butyl (meth) acrylate includes a repeating unit derived from at least one selected from the group consisting of n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate and tert-butyl (meth) acrylate. Good.
  • the content of the structural unit of butyl (meth) acrylate in the alkali-soluble polymer is a single amount constituting the (A) alkali-soluble polymer from the viewpoint of achieving both a tent property and a water residue short-circuit defect suppressing property. It is preferably in the range of 0.1% to 5% by weight, more preferably 0.3% to 1% by weight, based on the total weight of the body.
  • the (A) alkali-soluble polymer comprises (A) 10% by mass to 24% by mass of (meth) acrylic structural unit and 35% by mass to 90% by mass based on the total mass of the monomers constituting the alkali-soluble polymer.
  • it may be a single kind of copolymer, a mixture of plural kinds of copolymers and / or a mixture of plural kinds of homopolymers.
  • Alkali-soluble polymer is poly (meth) acrylic acid, poly (meth) butyl acrylate, polystyrene, (meth) acrylic acid and / or styrene and one or more of the first monomers described below and / or Or the copolymer etc. which are obtained by copolymerizing the copolymerization component which consists of 1 or more types of the 2nd monomer mentioned later may be included.
  • the first monomer is a monomer containing a carboxyl group in the molecule (excluding (meth) acrylic acid).
  • examples of the first monomer include fumaric acid, cinnamic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and maleic acid half ester.
  • the second monomer is a non-acidic monomer (excluding styrene) having at least one polymerizable unsaturated group in the molecule.
  • examples of the second monomer include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth) acrylate.
  • n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, or tert-butyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of improving the tent property of the resist pattern, and n-butyl (meth) acrylate is preferable from the viewpoint of tent property.
  • (Meth) acrylate is more preferable, and a polymerizable styrene derivative is preferable from the viewpoint of improving the resolution and suppressing the residual short circuit failure.
  • polymerizable styrene derivative examples include methyl styrene, vinyl toluene, tert-butoxy styrene, acetoxy styrene, 4-vinyl benzoic acid, styrene dimer, styrene trimer and the like.
  • the alkali-soluble polymer is prepared by mixing the above monomers and diluting with a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, normal propyl alcohol, or isopropanol, to a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide,
  • a solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, methanol, ethanol, normal propyl alcohol, or isopropanol
  • a radical polymerization initiator such as benzoyl peroxide
  • the synthesis is preferably carried out by adding an appropriate amount of azoisobutyronitrile and stirring with heating. In some cases, the synthesis is performed while a part of the mixture is dropped into the reaction solution. After completion of the reaction, a solvent may be further added to adjust to a desired concentration.
  • synthesis means bulk polymerization, suspension polymerization, or emulsion polymerization may be used in addition to solution polymerization.
  • the weight average molecular weight of the alkali-soluble polymer (when the component (A) includes a plurality of types of copolymers, the weight average molecular weight of the entire mixture) is preferably 5,000 to 500,000. .
  • the weight average molecular weight of the alkali-soluble polymer is preferably 5,000 or more from the viewpoint of maintaining the thickness of the dry film resist uniformly and obtaining resistance to the developer. It is preferable that it is 500,000 or less from a viewpoint of maintaining.
  • the weight average molecular weight of the alkali-soluble polymer is more preferably 10,000 to 200,000, and further preferably 20,000 to 100,000.
  • the degree of dispersion of the alkali-soluble polymer is preferably 1.0 to 6.0.
  • the content of the (A) alkali-soluble polymer in the photosensitive resin composition is based on the total solid content of the photosensitive resin composition (hereinafter, unless otherwise specified) In the range of 10% by mass to 90% by mass, more preferably 20% by mass to 80% by mass, and still more preferably 40% by mass to 60% by mass.
  • the content of the alkali-soluble polymer is preferably 10% by mass or more from the viewpoint of maintaining the alkali developability of the photosensitive resin layer, and the resist pattern formed by exposure has performance as a resist material. It is preferable that it is 90 mass% or less from a viewpoint of fully exhibiting.
  • Ethylenically unsaturated bond-containing compound (B) An ethylenically unsaturated bond-containing compound is a compound having polymerizability by having an ethylenically unsaturated group in its structure.
  • the ethylenically unsaturated bond is preferably a terminal ethylenically unsaturated group from the viewpoint of addition polymerization.
  • the weight average molecular weight of the saturated bond-containing compound is preferably 1,200 or more.
  • the weight average molecular weight of the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is defined as (B) when the ethylenically unsaturated bond-containing compound is a single species, Means the weight average molecular weight derived from the structural formula.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound comprises a plurality of types, it means the weighted average of the weight average molecular weight and blending ratio of each ethylenically unsaturated bond-containing compound. To do.
  • the weight average molecular weight of the ethylenically unsaturated bond-containing compound is more preferably 1,300 or more, still more preferably 1,400 or more, from the viewpoint of further improving the tent property of the resist pattern. From the viewpoint of resolution and peelability, it is more preferably 5,000 or less, further preferably 4,000 or less, and particularly preferably 3,000 or less.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound includes the following (b 1 ) to (b 5 ): (B 1 ) The following general formula (I): ⁇ Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and m 1 is a number satisfying 2 to 40.
  • R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • A is C 2 H 4
  • B is C 3 H 6
  • the arrangement of the repeating units of — (A—O) — and — (B—O) — is random
  • either-(AO)-or-(BO)- may be on the bisphenyl group side.
  • m 1 is preferably 2 or more from the viewpoint of peeling time and peeling piece size, and is preferably 40 or less from the viewpoint of resolution, plating resistance, and etching resistance. m 1 is more preferably 4 to 20, and further preferably 6 to 12.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound contains an alkylene oxide-modified bisphenol A type di (meth) acrylate compound represented by (b 2 ) general formula (II) from the viewpoint of resolution and tentability. Is preferred. B in the general formula (II) may be —CH 2 CH 2 CH 2 — or —CH (CH 3 ) CH 2 —.
  • the hydrogen atom on the aromatic ring in the general formula (II) may be substituted with a hetero atom and / or a substituent.
  • the hetero atom include a halogen atom
  • the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and a phenacyl group.
  • substituents may form a condensed ring, or a hydrogen atom in these substituents may be substituted with a hetero atom such as a halogen atom.
  • the aromatic ring in the general formula (II) has a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.
  • R 3 and R 4 in the general formula (II) may be each independently a hydrogen atom or a methyl group, but from the viewpoint of ensuring contrast immediately after exposure of the photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition,
  • One or both of R 3 and R 4 are preferably hydrogen atoms, and both R 3 and R 4 are more preferably hydrogen atoms.
  • 40% by mass or more of the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is preferably (b 2 ) an alkylene oxide-modified bisphenol A type di (meta) represented by the general formula (II) )
  • (B) 50% by mass, more preferably 55% by mass or more, most preferably 60% by mass of the ethylenically unsaturated bond-containing compound is (b 2 ) an alkylene represented by the general formula (II) It is an oxide-modified bisphenol A di (meth) acrylate compound.
  • (B 2 ) As a preferred specific example of the alkylene oxide-modified bisphenol A type di (meth) acrylate compound represented by the general formula (II), polyethylene glycol obtained by adding an average of 1 unit of ethylene oxide to both ends of bisphenol A is used.
  • poly (alkylene glycol) di (meth) acrylates each having an average of 15 units of ethylene oxide and an average of 2 units of propylene oxide.
  • X in the general formula (III) is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, such as —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH 2 —, etc. Good.
  • the tri (meth) acrylate compound represented by the general formula (III) preferably has a relatively long chain alkylene oxide moiety from the viewpoint of tent properties. More specifically, in the general formula (III), m 2 + m 3 + m 4 is preferably 10 to 40, more preferably 20 to 40.
  • Preferred specific examples of the tri (meth) acrylate compound represented by the general formula (III) include ethylene oxide (EO) -modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (EO average added mole number: 10 to 40). ), Propylene oxide (PO) -modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (PO average added mole number: 10 to 40), and the like.
  • an ethylenically unsaturated bond-containing compound from the viewpoint of tent properties, preferably contains (b 4) urethane di represented by the general formula (IV) (meth) acrylate compound.
  • Z represents a divalent organic group, for example, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an alkylene oxide group having 2 to 10 carbon atoms, or an optionally substituted carbon number. It may be a 3 to 10 divalent alicyclic group or the like.
  • Y represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, such as —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH 2 —, etc. Good.
  • the — (YO) s — moiety and the — (YO) t — moiety in the general formula (IV) are each independently — (C 2 H 5 O). -(C 3 H 6 O) 9 It is also preferred that it is substituted with-.
  • urethane di (meth) acrylate compound represented by the general formula (IV) include a (meth) acryl monomer having a hydroxyl group at the ⁇ -position, isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2, Addition reaction products with 4-isocyanate compounds such as 4-toluene diisocyanate and 1,6-hexamethylene diisocyanate, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate and EO, PO Modified urethane di (meth) acrylate is mentioned.
  • EO represents ethylene oxide
  • PO represents propylene oxide
  • PO-modified compound has a block structure of propylene oxide groups.
  • examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include a product name “UA-11” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • Examples of the EO and PO-modified urethane di (meth) acrylates include trade name “UA-13” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. These are used singly or in combination of two or more.
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound may contain an addition polymerizable monomer other than the components (b 1 ) to (b 4 ) as the component (b 5 ).
  • Tri (meth) acrylates other than (b 3 ) component for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, ethoxylated isocyanuric acid tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate etc; Tetra (meth) acrylates such as ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol (poly) alkoxytetra (meth) acrylate, etc .; Penta (meth) acrylate, such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate; Hexa (meth) acrylate,
  • the total content of all the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compounds in the photosensitive resin composition is preferably 1% by mass from the viewpoint of tent properties and adhesion of the resist pattern. It is in the range of ⁇ 70% by mass, more preferably 2% by mass to 60% by mass, and further preferably 4% by mass to 50% by mass.
  • Photoinitiator is a compound which polymerizes a monomer by light.
  • the photosensitive resin composition contains a compound generally known in the art as a photopolymerization initiator.
  • the content of the (C) photopolymerization initiator in the photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 20% by mass, more preferably 0.05 to 10% by mass, and still more preferably 0.1% by mass. Within the range of ⁇ 7% by mass.
  • the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01% by mass or more from the viewpoint of obtaining sufficient sensitivity, and sufficiently transmits light to the bottom surface of the resist to provide good high resolution. It is preferable that it is 20 mass% or less from a viewpoint of obtaining.
  • Photopolymerization initiators include quinones, aromatic ketones, acetophenones, acylphosphine oxides, benzoin or benzoin ethers, dialkyl ketals, thioxanthones, dialkylaminobenzoic acid esters, oxime esters And acridines, and further include hexaarylbiimidazole, pyrazoline compounds, N-aryl amino acids or ester compounds thereof (for example, N-phenylglycine), and organic halogen compounds. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, acridines are particularly suitable for direct imaging exposure.
  • acridines examples include acridine, 9-phenylacridine, 1,6-bis (9-acridinyl) hexane, 1,7-bis (9-acridinyl) heptane, 1,8-bis (9-acridinyl) octane, Acridine such as 1,9-bis (9-acridinyl) nonane, 1,10-bis (9-acridinyl) decane, 1,11-bis (9-acridinyl) undecane, 1,12-bis (9-acridinyl) dodecane Derivatives.
  • the content of acridines in the photosensitive resin composition is preferably 0.1% by mass to 5% by mass, more preferably 0.3% by mass to 3% by mass, and still more preferably. Is in the range of 0.5% to 2% by weight.
  • aromatic ketones examples include benzophenone, Michler's ketone [4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone], 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4′-dimethylaminobenzophenone. Can do. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone is preferable from the viewpoint of adhesion. Furthermore, from the viewpoint of transmittance, the content of aromatic ketones in the photosensitive resin composition is preferably 0.01% by mass to 0.5% by mass, more preferably 0.02% by mass to 0.3%. It is in the range of mass%.
  • hexaarylbiimidazole examples include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylbiimidazole, 2,2 ′, 5-tris- (o-chlorophenyl) -4- (3,4-dimethoxyphenyl) -4 ', 5'-diphenylbiimidazole, 2,4-bis- (o-chlorophenyl) -5- (3,4-dimethoxyphenyl) -diphenylbiimidazole, 2,4,5-tris- (o-chlorophenyl) ) -Diphenylbiimidazole, 2- (o-chlorophenyl) -bis-4,5- (3,4-dimethoxyphenyl) -biimidazole, 2,2′-bis- (2-fluorophenyl) -4,4 ′ , 5,5′-tetrakis- (3-methoxyphenyl) -biimid
  • the content of the hexaarylbisimidazole compound in the photosensitive resin composition is preferably 0.05% by mass from the viewpoint of improving the peeling characteristics and / or sensitivity of the photosensitive resin layer. -7% by mass, more preferably 0.1% by mass to 6% by mass, and still more preferably 1% by mass to 4% by mass.
  • N-aryl amino acid examples include N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine and the like. Of these, N-phenylglycine is particularly preferred.
  • the content of the N-aryl amino acid in the photosensitive resin composition is 0.05% by mass to 5% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition from the viewpoint of improving the peeling characteristics and / or sensitivity. % Is preferable, and 0.1 to 2% by mass is more preferable.
  • organic halogen compound examples include amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris ( 2,3-dibromopropyl) phosphate, trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chlorophenyl) ethane, and chlorinated triazine compounds, among others
  • tribromomethylphenylsulfone is preferably used.
  • the content of the organic halogen compound in the photosensitive resin composition is 0.05% by mass to 5% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition from the viewpoint of improving the peeling characteristics and / or sensitivity.
  • the content is 0.1% by mass to 3% by mass.
  • photosensitizers examples include 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone.
  • Quinones such as 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, and 3-chloro-2-methylanthraquinone, benzoin, benzoin Benzoin ethers such as ethyl ether, benzoin phenyl ether, methyl benzoin, and ethyl benzoin, benzyl dimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, and 1-phenyl-1,2-propanedione-2-O-benzoin oxime, and Oxime esters such as 1-phenyl-1,2-propane-dione-2-(O-ethoxycarbonyl) oxime and the like.
  • the content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition is 0.05% by mass to 5% by mass with respect to the total solid content of the photosensitive resin composition from the viewpoint of improving the peeling characteristics and / or sensitivity. %, Preferably 0.1% by mass to 3% by mass.
  • the photosensitive resin composition preferably also contains a pyrazoline compound as a photosensitizer.
  • pyrazoline compounds include 1-phenyl-3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1- (4- (benzoxazol-2-yl) phenyl) -3- (4-tert-butyl-styryl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -pyrazoline, 1-phenyl-3- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butyl-phenyl) -Pyrazolin and 1-phenyl-3- (4-biphenyl) -5- (4-tert-octyl-phenyl) -pyrazoline are preferred.
  • the photosensitive resin composition may contain additives such as a color changing agent, a dye, a plasticizer, an antioxidant, and a stabilizer, as desired.
  • additives such as a color changing agent, a dye, a plasticizer, an antioxidant, and a stabilizer, as desired.
  • the additives listed in JP2013-156369A and International Publication No. 2009/093706 may be used.
  • the color changing agent examples include leuco dyes and fluoran dyes.
  • the use of the color changing agent is preferable from the viewpoint of visibility due to coloration of the exposed portion. Further, when an inspection machine or the like reads an alignment marker for exposure, it is advantageous that the position of the exposed portion and the unexposed portion has a higher contrast because the position can be easily recognized.
  • the leuco dye examples include tris (4-dimethylaminophenyl) methane [leuco crystal violet], bis (4-dimethylaminophenyl) phenylmethane [leucomalachite green], and the like.
  • leuco crystal violet as the leuco dye.
  • the content of the leuco dye in the photosensitive resin composition is preferably 0.1% by mass to 10% by mass. This content is preferably 0.1% by mass or more from the viewpoint of the contrast between the exposed part and the unexposed part, and preferably 10% by mass or less from the viewpoint of maintaining storage stability.
  • Examples of the base dye include Basic Green 1 [CAS number (hereinafter the same): 633-03-4] (for example, Aizen Diamond Green GH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), Malachite Green Oxalate [2437 -29-8] (for example, Aizen Malachite Green, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Industry), Brilliant Green [633-03-4], Fuchsin [632-99-5], Methyl Violet [603-47-4], Methyl violet 2B [8004-87-3], Crystal violet [548-62-9], Methyl green [82-94-0], Victoria blue B [2580-56-5], Basic blue 7 [2390-60- 5] (for example, Aizen Victoria Pure Blue BOH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical), rhodamine B [81-88-9], rhodamine 6G [989-38-8], Basic Yellow 2 [2465-27-2], and the like. Of these, basic green 1, mal
  • the content of the base dye in the photosensitive resin composition is preferably 0.001% by mass to 3% by mass, more preferably 0.01% by mass to 2% by mass, and still more preferably. It is within the range of 0.01% by mass to 1% by mass.
  • the content of the dye is preferably 0.001% by mass or more from the viewpoint of obtaining good colorability, and preferably 3% by mass or less from the viewpoint of maintaining the sensitivity of the photosensitive resin layer.
  • the delay of the resist pattern peeling due to the alkali-soluble polymer whose content of the structural unit of (meth) acrylic acid is 10% by mass to 24% by mass is suppressed and the peeling time is shortened. Therefore, it is preferable that toluene sulfonic acid amide such as o-toluenesulfonic acid amide and p-toluenesulfonic acid amide is contained in the photosensitive resin composition as a plasticizer.
  • the content of toluenesulfonic amide in the photosensitive resin composition is preferably in the range of 0.1% by mass to 5% by mass, more preferably 1% by mass to 4% by mass.
  • plasticizers examples include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxypropylene polyoxyethylene ether, polyoxyethylene monomethyl ether, polyoxypropylene monomethyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene monomethyl ether, and polyoxyethylene monoethyl ether.
  • Glycol esters such as polyoxypropylene monoethyl ether and polyoxyethylene polyoxypropylene monoethyl ether
  • phthalic acid esters such as diethyl phthalate
  • propylene oxide on each side of bisphenol A Adding propylene glycol, ethylene glycol, and the like obtained by adding each of ethylene oxide on either side of the Bisphenol A.
  • the photosensitive resin composition is used as a stabilizer, for example, a radical polymerization inhibitor such as p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butyl.
  • a radical polymerization inhibitor such as p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butyl.
  • Epolight 4000 1,6-hexanediol diglycidyl ether (e.g., Kyoeisha Chemical Co., Ltd. Epolight 1600) and the like; It is preferable to include at least one selected from the group consisting of:
  • the total content of all stabilizers in the photosensitive resin composition is preferably 0.001% by mass to 3% by mass, more preferably 0.01% by mass to 1% by mass. More preferably, it is in the range of 0.05% by mass to 0.7% by mass.
  • the total content of the stabilizer is preferably 0.001% by mass or more from the viewpoint of imparting good storage stability to the photosensitive resin composition, and from the viewpoint of maintaining the sensitivity of the photosensitive resin layer. It is preferable that it is 3 mass% or less.
  • a photosensitive resin composition preparation liquid can be formed by adding a solvent to the photosensitive resin composition.
  • Suitable solvents include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK) and the like; and alcohols such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol and the like. It is preferable to add a solvent to the photosensitive resin composition so that the viscosity of the photosensitive resin composition preparation liquid is 500 mPa ⁇ sec to 4000 mPa ⁇ sec at 25 ° C.
  • a photosensitive resin laminate having a support and a photosensitive resin layer made of the photosensitive resin composition and laminated on the support.
  • the photosensitive resin laminate may have a protective layer on the side opposite to the support side of the photosensitive resin layer, if desired.
  • the support is not particularly limited, but is preferably a transparent one that transmits light emitted from the exposure light source.
  • a support include a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film, Examples include polystyrene film, polyacrylonitrile film, styrene copolymer film, polyamide film, and cellulose derivative film. These films may be stretched as necessary.
  • the haze is preferably 0.01% to 5.0%, more preferably 0.01% to 2.5%, and still more preferably 0.01% to 1.0%.
  • an important characteristic of the protective layer used in the photosensitive resin laminate is that the protective layer is smaller than the support in terms of adhesion to the photosensitive resin layer and can be easily peeled off.
  • a protective layer a polyethylene film, a polypropylene film, etc. are preferable, for example.
  • a film having excellent peelability described in JP-A-59-202457 can be used.
  • the thickness of the protective layer is preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the thickness of the photosensitive resin layer in the photosensitive resin laminate is preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 7 ⁇ m to 60 ⁇ m. As the thickness of the photosensitive resin layer is smaller, the resolution of the resist pattern is improved. On the other hand, the larger the thickness is, the more the strength of the cured film is improved.
  • a known method may be used as a method for preparing a photosensitive resin laminate by sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and if desired, a protective layer.
  • the photosensitive resin composition preparation liquid is prepared, and then coated on the support using a bar coater or a roll coater and dried, and the photosensitive resin comprising the photosensitive resin composition preparation liquid on the support. Laminate the layers. Furthermore, if desired, a photosensitive resin laminate can be produced by laminating a protective layer on the photosensitive resin layer.
  • the resist pattern is formed by laminating a photosensitive resin layer composed of the above-described photosensitive resin composition on a support, an exposure step of exposing the photosensitive resin layer, and developing the exposed photosensitive resin layer. Development steps are preferably included in this order. An example of a specific method for forming a resist pattern in the third embodiment will be described below.
  • a photosensitive resin layer is formed on a substrate using a laminator. Specifically, when the photosensitive resin laminate has a protective layer, the protective layer is peeled off, and then the photosensitive resin layer is heat-pressed and laminated on the substrate surface with a laminator.
  • the material of the substrate include copper, stainless steel (SUS), glass, indium tin oxide (ITO), and the like.
  • the photosensitive resin layer may be laminated only on one side of the substrate surface, or may be laminated on both sides as necessary.
  • the heating temperature during lamination is generally 40 ° C to 160 ° C.
  • substrate of the resist pattern obtained can be improved by performing the thermocompression bonding at the time of lamination twice or more.
  • a two-stage laminator provided with two rolls may be used, or the lamination of the substrate and the photosensitive resin layer may be repeated several times and passed through the roll.
  • the photosensitive resin assembly layer is exposed to active light using an exposure machine.
  • the exposure can be performed after peeling the support, if desired.
  • the exposure amount is determined by the light source illuminance and the exposure time, and may be measured using a light meter.
  • direct imaging exposure may be performed.
  • direct imaging exposure exposure is performed directly on a substrate by a drawing apparatus without using a photomask.
  • the light source a semiconductor laser having a wavelength of 350 nm to 410 nm or an ultrahigh pressure mercury lamp is used.
  • the drawing pattern is controlled by a computer, the exposure amount is determined by the illuminance of the exposure light source and the moving speed of the substrate.
  • the unexposed or exposed portion of the exposed photosensitive resin layer is removed with a developer using a developing device. If there is a support on the photosensitive resin layer after exposure, this is excluded. Subsequently, an unexposed portion or an exposed portion is developed and removed using a developer composed of an alkaline aqueous solution to obtain a resist image.
  • an aqueous solution of Na 2 CO 3 , K 2 CO 3 or the like is preferable.
  • the alkaline aqueous solution is selected according to the characteristics of the photosensitive resin layer, and an aqueous Na 2 CO 3 solution having a concentration of 0.2% by mass to 2% by mass is generally used.
  • a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating development, and the like may be mixed.
  • the temperature of the developer in the development process is preferably kept constant within a range of 20 ° C. to 40 ° C.
  • a heating process can be further performed at 100 ° C. to 300 ° C. if desired. By performing this heating step, the chemical resistance of the resist pattern can be improved.
  • a heating furnace using hot air, infrared rays, or far infrared rays can be used for the heating step.
  • the photosensitive resin composition of the third embodiment can be suitably used for forming a printed circuit board.
  • a subtractive process and a semi-additive process (SAP) are used as a circuit formation method for a printed circuit board.
  • the subtractive process is a method of forming a circuit by removing only a non-circuit portion from a conductor disposed on the entire surface of a substrate by etching.
  • SAP is a method in which a resist is formed on a non-circuit portion on a conductor seed layer disposed on the entire surface of a substrate, and then only a circuit portion is formed by plating.
  • the method for producing a conductor pattern includes a lamination step of laminating a photosensitive resin layer composed of the above-described photosensitive resin composition on a substrate such as a metal plate or a metal film insulating plate, an exposure step of exposing the photosensitive resin layer, and an exposure step.
  • the conductor pattern manufacturing method is performed by using a metal plate or a metal film insulating plate as a substrate, forming a resist pattern by the above-described resist pattern forming method, and then performing a conductor pattern forming step. Is called.
  • a conductor pattern is formed on a substrate surface (for example, a copper surface) exposed by development using a known etching method or plating method.
  • the third embodiment is suitably applied in the following applications, for example.
  • the resist pattern is further separated from the substrate with an aqueous solution having alkalinity stronger than that of the developer, whereby a wiring board having a desired wiring pattern (for example, Printed wiring board).
  • the alkaline aqueous solution for stripping (hereinafter, also referred to as “stripping solution”) is not particularly limited, but an aqueous solution of NaOH or KOH having a concentration of 2% by mass to 5% by mass, or an organic amine-based stripping solution is used. Generally used. A small amount of a water-soluble solvent may be added to the stripping solution. As a water-soluble solvent, alcohol etc. are mentioned, for example.
  • the temperature of the stripping solution in the stripping step is preferably within the range of 40 ° C to 70 ° C.
  • a lead frame can be manufactured by forming a resist pattern by a resist pattern forming method using a metal plate such as copper, copper alloy, or iron-based alloy as a substrate, and then performing the following steps. First, a step of etching the substrate exposed by development to form a conductor pattern is performed. Thereafter, a desired lead frame can be obtained by performing a peeling process for peeling the resist pattern by a method similar to the method for manufacturing a wiring board.
  • the resist pattern formed by the resist pattern forming method can be used as a protective mask member when processing the substrate by the sandblasting method.
  • the substrate include glass, silicon wafer, amorphous silicon, polycrystalline silicon, ceramic, sapphire, and metal material.
  • a resist pattern is formed on these substrates by the same method as the resist pattern forming method. Thereafter, a blasting material is sprayed from the formed resist pattern to cut to a desired depth, and a resist pattern remaining on the substrate is removed from the substrate with an alkali stripping solution or the like.
  • substrate can be manufactured.
  • a known blasting material may be used.
  • fine particles having a particle diameter of 2 ⁇ m to 100 ⁇ m including SiC, SiO 2 , Al 2 O 3 , CaCO 3 , ZrO, glass, stainless steel and the like are generally used.
  • a semiconductor package can be manufactured by forming a resist pattern on a wafer by a resist pattern forming method using a wafer on which a large-scale integrated circuit (LSI) has been formed as a substrate, and then performing the following steps. .
  • LSI large-scale integrated circuit
  • a step of forming a conductor pattern by performing columnar plating such as copper or solder on the opening exposed by development is performed.
  • a peeling process for peeling the resist pattern is performed by a method similar to the method for manufacturing the wiring board, and further, a thin metal layer other than the columnar plating is removed by etching, thereby obtaining a desired semiconductor package.
  • the photosensitive resin composition is used for the manufacture of printed wiring boards; the manufacture of lead frames for mounting IC chips; the precision processing of metal foils such as the manufacture of metal masks; ball grid arrays (BGA), Manufacturing of packages such as size packages (CSP); Manufacturing of tape substrates such as chip-on-film (COF) and tape automated bonding (TAB); Manufacturing of semiconductor bumps; and ITO electrodes, address electrodes, electromagnetic wave shields, etc. It can be used for manufacturing a partition wall of a flat panel display. In addition, unless otherwise indicated, the value of each parameter mentioned above is measured according to the measuring method in the Example mentioned later.
  • the fourth embodiment a mode for carrying out the fourth embodiment of the present invention (hereinafter abbreviated as “the fourth embodiment”) will be specifically described.
  • the photosensitive resin composition contains (A) an alkali-soluble polymer, (B) an ethylenically unsaturated bond-containing compound, and (C) a photopolymerization initiator. If desired, the photosensitive resin composition may further contain other components such as (D) a stabilizer.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid
  • (meth) acryloyl group means acryloyl group or methacryloyl group
  • (meth) acrylate "Means” acrylate "or” methacrylate ".
  • the (A) alkali-soluble polymer is a first polymer having an acid monomer unit content of less than 25% by mass and an aromatic monomer unit content of 30% by mass or more from the viewpoint of resolution and extension of the minimum development time.
  • the first copolymer may contain other monomer units in addition to acid monomer units and aromatic monomer units, if desired.
  • the degree of dispersion of the copolymer represented by the ratio of the weight average molecular weight (described later) and the number average molecular weight of the copolymer is preferably 1 or more and 6 or less.
  • Examples of the acid monomer include (meth) acrylic acid, pentenoic acid, unsaturated dicarboxylic acid anhydride, and hydroxystyrene.
  • Examples of the unsaturated dicarboxylic acid anhydride include maleic acid anhydride, itaconic acid anhydride, fumaric acid, citraconic acid anhydride, and the like. Of these, (meth) acrylic acid is preferred.
  • the copolymerization ratio of the acid monomer units in the component (A) is preferably less than 25% by mass, more preferably 10% by mass to 24% by mass, with respect to the total mass of all monomer units. More preferably, it is 15% by mass to 23% by mass.
  • the content ratio of the acid monomer unit within this range is preferable from the viewpoint of improving the resolution and extending the minimum development time.
  • Aromatic monomers are also called unsaturated aromatic compounds.
  • the aromatic monomer include styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl naphthalene and the like; (meth) acrylic acid aralkyl ester and the like.
  • (meth) acrylic acid aralkyl esters include benzyl (meth) acrylate.
  • the copolymerization ratio of aromatic monomer units (preferably styrene units) in the component (A) is preferably 30% by mass or more, and 32% by mass to 60% by mass with respect to the total mass of all monomer units. It is more preferable that the content is 35% by mass to 55% by mass. Setting the copolymerization ratio of the aromatic monomer, which is highly hydrophobic and difficult to be combined with the developing solution and the washing water with the developing water, in the above range is preferable from the viewpoint of improving the resolution and extending the minimum developing time.
  • Examples of other monomers include (meth) acrylic acid alkyl esters, conjugated diene compounds, polar monomers, crosslinkable monomers, and the like.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester is a concept including both a chain alkyl ester and a cyclic alkyl ester. Specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meta) ) Acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2 -Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, n-tetradecyl (meth) acrylate, stearyl (meth)
  • Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-phenyl-1,3-butadiene, 1,3-pentadiene, 2-methyl-1, Examples include 3-pentadiene, 1,3-hexadiene, 4,5-diethyl-1,3-octadiene, 3-butyl-1,3-octadiene, and the like.
  • polar monomers include: Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate, pentenol; amino group-containing monomers such as 2-aminoethyl methacrylate; Amide group-containing monomers such as (meth) acrylamide and N-methylol (meth) acrylamide; Cyano group-containing monomers such as acrylonitrile, methacrylonitrile, ⁇ -chloroacrylonitrile, ⁇ -cyanoethyl acrylate; Epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate and (meth) acrylic acid 3,4-epoxycyclohexyl; Etc.
  • Hydroxy group-containing monomers such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxybutyl (meth) acrylate,
  • crosslinkable monomer examples include trimethylolpropane triacrylate and divinylbenzene.
  • the first copolymer is particularly preferably a copolymer of (meth) acrylic acid, styrene, and other monomers.
  • the second copolymer having the aromatic monomer unit content described above of 45% by mass to 90% by mass is included. It is also preferable.
  • the content of the aromatic monomer unit is 45% by mass, the hydrophobicity of the resist pattern including the second copolymer tends to be ensured.
  • the weight ratio of the second copolymer to the total weight of all the copolymers is preferably 25% by mass or more from the viewpoint of improving the cohesiveness.
  • the second copolymer may contain the acid monomer unit described above and other monomer units.
  • an aromatic monomer for polymerizing the second copolymer styrene is preferable from the viewpoint of hydrophobicity.
  • the upper limit of the content ratio of the aromatic monomer unit in the second copolymer is more preferably 80% by mass or 70% by mass from the viewpoint of developability.
  • the second copolymer may contain the acid monomer unit described above and other monomer units. From the viewpoint of resolution, developability, and aggregation, the content ratio of the acid monomer unit described above is The content is preferably 25% by mass to 50% by mass, and more preferably 25% by mass to 40% by mass.
  • the acid monomer for polymerizing the second copolymer is preferably (meth) acrylic acid from the viewpoint of developability.
  • the weight average molecular weight of the component (A) (when the component (A) includes a plurality of types of copolymers, the weight average molecular weight of the whole mixture) is 5,000 to 1,000,000. Is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 15,000 to 100,000. It is preferable to adjust the weight average molecular weight of the component (A) within this range from the viewpoint of adapting the development time in forming the resist pattern to the operating state of the line process to be used.
  • the content of the component (A) in the photosensitive resin composition is based on the total solid content of the photosensitive resin composition (hereinafter, unless otherwise specified, the same for each component). 10% by mass to 90% by mass, more preferably 20% by mass to 80% by mass, and still more preferably 40% by mass to 60% by mass. This content is preferably 10% by mass or more from the viewpoint of maintaining alkali developability, while 90% by mass from the viewpoint that the resist pattern formed by exposure sufficiently exhibits the performance as a resist. The following is preferable.
  • the first copolymer having an acid monomer unit content of less than 25% by mass and an aromatic monomer unit content of 30% by mass or more is 5% by mass to 50% based on the total solid content of the photosensitive resin composition. It is preferable that it is below mass%. More preferably, it is 10 mass% or more and 40 mass% or less.
  • An ethylenically unsaturated bond containing compound is a compound which has polymerizability by having an ethylenically unsaturated group in the structure.
  • the ethylenically unsaturated bond is preferably a terminal ethylenically unsaturated group from the viewpoint of addition polymerization.
  • the resist pattern has good resolution and the minimum development time is extended.
  • the weight average molecular weight of the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is preferably 900 or less.
  • the average molecular weight of the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is the structure of a single type of ethylenically unsaturated bond-containing compound when the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is a single type.
  • the weight average molecular weight of the ethylenically unsaturated bond-containing compound is more preferably 850 or less, and still more preferably 800 or less, from the viewpoint of improving the resolution and extending the minimum development time. From the viewpoint of suppressing edge fuse properties in the body, it is preferably 50 or more, more preferably 100 or more.
  • the edge fuse property is a phenomenon in which the photosensitive resin composition layer protrudes from the end face of the roll when the photosensitive resin laminate is rolled up.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound includes the following (b 1 ) to (b 6 ): (B 1 ) The following general formula (I): ⁇ Wherein R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and m 1 is a number satisfying 2 to 40.
  • R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group
  • A is C 2 H 4
  • B is C 3 H 6
  • the arrangement of the repeating units of — (A—O) — and — (B—O) — is random
  • either-(AO)-or-(BO)- may be on the bisphenyl group side.
  • m 1 is preferably 2 or more from the viewpoint of peeling time and peeling piece size, and is preferably 40 or less from the viewpoint of resolution, plating resistance, and etching resistance. m 1 is more preferably 4 to 20, and further preferably 6 to 12.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound is represented by (b 2 ) general formula (II) from the viewpoint of suppressing the generation of aggregates during development of the photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition. It is preferable that an alkylene oxide modified bisphenol A type di (meth) acrylate compound is included. B in the general formula (II) may be —CH 2 CH 2 CH 2 — or —CH (CH 3 ) CH 2 —.
  • the hydrogen atom on the aromatic ring in the general formula (II) may be substituted with a hetero atom and / or a substituent.
  • the hetero atom include a halogen atom
  • the substituent include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and a phenacyl group.
  • substituents may form a condensed ring, or a hydrogen atom in these substituents may be substituted with a hetero atom such as a halogen atom.
  • the aromatic ring in the general formula (II) has a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.
  • R 3 and R 4 in the general formula (II) may be each independently a hydrogen atom or a methyl group, but from the viewpoint of ensuring contrast immediately after exposure of the photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition,
  • One or both of R 3 and R 4 are preferably hydrogen atoms, and both R 3 and R 4 are more preferably hydrogen atoms.
  • the alkylene oxide-modified bisphenol A type di (meth) acrylate compound represented by the general formula (II) includes a relatively short chain alkylene oxide from the viewpoint of improving resolution and extending the minimum development time. Is preferably added.
  • 40% by mass or more of the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound is preferably represented by (b 2 ) the general formula (II).
  • (B) 50% by mass, more preferably 55% by mass or more, most preferably 60% by mass of the ethylenically unsaturated bond-containing compound is (b 2 ) an alkylene represented by the general formula (II) It is an oxide-modified bisphenol A di (meth) acrylate compound.
  • (B 2 ) As a preferred specific example of the alkylene oxide-modified bisphenol A type di (meth) acrylate compound represented by the general formula (II), polyethylene glycol obtained by adding an average of 1 unit of ethylene oxide to both ends of bisphenol A is used.
  • poly (alkylene glycol) di (meth) acrylates each having an average of 15 units of ethylene oxide and an average of 2 units of propylene oxide.
  • (B) an ethylenically unsaturated bond-containing compound, from the viewpoint of suppressing the occurrence of aggregates during development of the photosensitive resin layer made of a photosensitive resin composition is represented by (b 3) the general formula (III) It is preferable that a tri (meth) acrylate compound is included.
  • X in the general formula (III) is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, such as —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH 2 —, etc. Good.
  • the tri (meth) acrylate compound represented by the general formula (III) preferably has a relatively short-chain alkylene oxide moiety from the viewpoint of resolution. More specifically, in the general formula (III), m 2 + m 3 + m 4 is preferably 8 to 40, more preferably 9 to 25.
  • Preferred specific examples of the tri (meth) acrylate compound represented by the general formula (III) include ethylene oxide (EO) -modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (EO average added mole number: 1 to 40). ), Propylene oxide (PO) -modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate (PO average added mole number: 1 to 40), and the like.
  • Z represents a divalent organic group, for example, an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, an alkylene oxide group having 2 to 10 carbon atoms, or an optionally substituted carbon number. It may be a 3 to 10 divalent alicyclic group or the like.
  • Y represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, such as —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH 2 —, etc. Good.
  • the — (Y—O) s — moiety and the — (Y—O) t — moiety in the general formula (IV) are each independently — (C 2 H 5 O )-(C 3 H 6 O) 9- It is also preferable that it is substituted with.
  • urethane di (meth) acrylate compound represented by the general formula (IV) include a (meth) acryl monomer having a hydroxyl group at the ⁇ -position, isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2, Addition reaction products with 4-isocyanate compounds such as 4-toluene diisocyanate and 1,6-hexamethylene diisocyanate, tris ((meth) acryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate, EO-modified urethane di (meth) acrylate and EO, PO Modified urethane di (meth) acrylate is mentioned.
  • EO represents ethylene oxide
  • PO represents propylene oxide
  • PO-modified compound has a block structure of propylene oxide groups.
  • examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include a product name “UA-11” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • Examples of the EO and PO-modified urethane di (meth) acrylates include trade name “UA-13” manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. These are used singly or in combination of two or more.
  • the ethylenically unsaturated bond-containing compound is represented by (b 5 ) general formula (XI) from the viewpoint of suppressing the generation of aggregates during development of the photosensitive resin layer comprising the photosensitive resin composition. It is preferable to contain a tetra (meth) acrylate compound.
  • X in the general formula (XI) is an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, such as —CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH 2 —, etc. Good.
  • Preferred specific examples of the tetra (meth) acrylate compound represented by the general formula (XI) include pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol (poly) alkoxytetra (meth) acrylate and the like.
  • the (B) ethylenically unsaturated bond-containing compound may contain an addition polymerizable monomer other than the components (b 1 ) to (b 5 ) as the component (b 6 ).
  • Tri (meth) acrylates other than (b 3 ) component for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethoxylated glycerin tri (meth) acrylate, ethoxylated isocyanuric acid tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate etc;
  • B 5 tetra (meth) acrylates other than the component, for example, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, etc .
  • penta (meth) acrylate for example, dipentaerythritol penta (meth) acrylate etc
  • Hexa (meth) acrylate for example, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, hexapenta (me
  • the total content of all (B) ethylenically unsaturated bond-containing compounds in the photosensitive resin composition is preferably from the viewpoint of edge fuse property and adhesion in the photosensitive resin laminate. Is in the range of 1% to 70% by weight, more preferably 2% to 60% by weight, and still more preferably 4% to 50% by weight.
  • the component (C) is a component that generates a radical capable of initiating polymerization of the component (B) by light irradiation.
  • component (C) for example, aromatic ketone compounds, quinone compounds, benzoin ether compounds, benzoin compounds, benzyl compounds, hexaarylbisimidazole compounds, acridine compounds, and the like can be used.
  • aromatic ketone compounds, quinone compounds, benzoin ether compounds, benzoin compounds, benzyl compounds, hexaarylbisimidazole compounds, acridine compounds, and the like can be used.
  • the component (C) preferably contains an acridine compound.
  • Examples of the hexaarylbisimidazole compound include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazolyl dimer, 2,2 ′, 5-tris- (o-chlorophenyl) -4- (3,4 -Dimethoxyphenyl) -4 ', 5'-diphenylimidazolyl dimer, 2,4-bis- (o-chlorophenyl) -5- (3,4-dimethoxyphenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2,4, 5-tris- (o-chlorophenyl) -diphenylimidazolyl dimer, 2- (o-chlorophenyl) -bis-4,5- (3,4-dimethoxyphenyl) -imidazolyl dimer, 2,2′-bis -(2-Fluorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis- (3-methoxyphenyl
  • Examples of the acridine compound include: Acridine, 9-phenylacridine, 1,6-bis (9-acridinyl) hexane, 1,7-bis (9-acridinyl) heptane, 1,8-bis (9-acridinyl) octane, 1,9-bis (9 -Acridinyl) nonane, 1,10-bis (9-acridinyl) decane, 1,11-bis (9-acridinyl) undecane, 1,12-bis (9-acridinyl) dodecane and the like.
  • the content of the component (C) in the photosensitive resin composition of the fourth embodiment is preferably 0.1% by mass to 2% by mass, and is in the range of 0.2% by mass to 1.8% by mass. Is more preferably in the range of 0.3% by mass to 1.7% by mass, and particularly preferably in the range of 0.4% by mass to 1.6% by mass. Setting the content of the component (C) in such a range is preferable from the viewpoint of obtaining good photosensitivity and peeling characteristics.
  • the component (C) can further contain a sensitizer from the viewpoint of improving sensitivity and resolution.
  • sensitizers include N-aryl amino acids, organic halogen compounds, and other sensitizers.
  • the N-aryl amino acid include: N-phenylglycine, N-methyl-N-phenylglycine, N-ethyl-N-phenylglycine and the like;
  • an organic halogen compound for example, Amyl bromide, isoamyl bromide, isobutylene bromide, ethylene bromide, diphenylmethyl bromide, benzyl bromide, methylene bromide, tribromomethylphenyl sulfone, carbon tetrabromide, tris (2,3-dibromopropyl) phosphate Trichloroacetamide, amyl iodide, isobutyl iodide, 1,1,1-trichloro-2,2-bis (p-chloroph
  • Examples of the other sensitizers include: 2-ethylanthraquinone, octaethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10- Quinone compounds such as phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, 3-chloro-2-methylanthraquinone; Aromatic ketone compounds such as benzophenone, Michler's ketone [4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone], 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone; Benzoin ether compounds such as benzoin, benzoin ethyl ether
  • the content of the sensitizer in the fourth embodiment is preferably 0.01% by mass to 5% by mass, and preferably 0.05% by mass to 3% from the viewpoint of the photosensitivity of the composition and the peelability of the resist cured film. % By mass is more preferable, and 0.1% by mass to 2% by mass is still more preferable.
  • the photosensitive resin composition of the fourth embodiment it is possible to use an acridine compound and an N-aryl amino acid as the component (C), and to use these together within the range of the above usage ratio. It is preferable from the viewpoints of suppressing the etching rate when forming the film and suppressing the vertical / horizontal difference of the wiring width.
  • the photosensitive resin composition may contain a stabilizer, if desired.
  • a stabilizer it is preferable to use hindered phenol as the stabilizer from the viewpoint of improving the resolution.
  • hindered phenol refers to phenol with large steric hindrance.
  • the photosensitive resin composition has the following general formula (V) as a hindered phenol: ⁇ Wherein R 51 is an optionally substituted linear alkyl group, branched alkyl group, aryl group, cyclohexyl group, linear alkyl group via a divalent linking group, via a divalent linking group.
  • a branched alkyl group, a cyclohexyl group via a divalent linking group or an aryl group via a divalent linking group, and R 52 , R 53 and R 54 are each independently hydrogen or substituted.
  • the compound represented by the general formula (V) is excellent from the viewpoint of improving the resolution of the photosensitive resin composition and suppressing the decrease in sensitivity of the photosensitive resin composition.
  • the compound represented by the general formula (V) does not have two or more phenolic hydroxyl groups in one aromatic ring, and is substituted only in one ortho position of both ortho positions of the phenolic hydroxyl group. And has a feature in controlling steric hindrance around the phenolic hydroxyl group. With such a structure, it is considered that the above-described excellent performance is exhibited.
  • the compound represented by the general formula (V) is R 51 or R in the formula (V) from the viewpoint of improving the resolution of the photosensitive resin composition and suppressing the decrease in sensitivity of the photosensitive resin composition. It is preferable that at least one of 52 , R 53 and R 54 has an aromatic ring. From the same viewpoint, the hydroxyl group concentration of the hindered phenol is preferably 0.10 mol / 100 g to 0.75 mol / 100 g. From the same viewpoint, in the general formula (V), at least one of R 51 , R 52 , R 53 and R 54 is a linear or branched alkyl group or an aryl group via a divalent linking group.
  • Preferred alkyl groups include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group and the like.
  • the preferable divalent linking group include a thioether group, a substituted or unsubstituted alkylene group, and the aryl group may be substituted with a hydroxyl group or an alkyl group.
  • examples of the compound represented by the general formula (V) include the following general formula (VI): ⁇ In the formula, R 55 represents the general formula (VII): [Wherein, R 59 and R 60 each independently represent hydrogen or an optionally substituted linear alkyl group, branched alkyl group, aryl group, or cyclohexyl group. And R 56 , R 57 and R 58 each independently represent hydrogen or the above general formula (VII). ⁇ , The following general formula (VIII): ⁇ Wherein R 61 and R 64 each independently represent a linear or branched alkyl group, and R 62 , R 63 , R 65 and R 66 are each independently hydrogen or a linear or branched alkyl group.
  • ⁇ The following general formula (IX): ⁇ Wherein R 67 , R 70 and R 73 each independently represents a linear or branched alkyl group, and R 68 , R 69 , R 71 , R 72 , R 74 and R 75 are each independently , Hydrogen, or a linear or branched alkyl group, Y 1 represents a trivalent linking group.
  • R 76 , R 79 , R 82 and R 85 each independently represents a linear or branched alkyl group
  • R 77 , R 78 , R 80 , R 81 , R 83 , R 84 , R 86 and R 87 each independently represent hydrogen or a linear or branched alkyl group
  • Z 1 represents a tetravalent linking group.
  • X 1 in formula (VIII) a thioether group, and a substituted or unsubstituted alkylene group.
  • the compound represented by the general formula (V) has a molecular weight of about 130 to about 1,000 from the viewpoint of improving the resolution of the photosensitive resin composition and suppressing the decrease in sensitivity of the photosensitive resin composition. And preferably has a molecular weight of about 200 to about 800, more preferably about 300 to about 500, and most preferably about 300 to about 400. In addition, it has a specific gravity of about 1.02 to about 1.12 or a melting point of about 155 ° C. or higher (eg, about 208 ° C. or higher), or is hardly soluble in water, and methanol, acetone, toluene, etc. It is preferable that it is easily soluble in an organic solvent, or is solid (eg, powder, crystal, etc.) or liquid when used.
  • Examples of the compound represented by the general formula (V) include 4,4′-thiobis (6-tert-butyl-m-cresol) and 4,4′-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol). And styrenated phenol (manufactured by Kawaguchi Chemical Industry Co., Ltd., Antage SP), tribenzylphenol (manufactured by Kawaguchi Chemical Industry Co., Ltd., TBP, phenol having 1 to 3 benzyl groups), and the like.
  • the ratio of the compound represented by the general formula (V) to the total mass of the photosensitive resin composition is 0.001% by mass to 10% by mass.
  • This ratio is 0.001% by mass or more, preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, from the viewpoint of improving resolution.
  • the content is more preferably at least 0.5% by mass, particularly preferably at least 0.5% by mass, and most preferably at least 0.7% by mass.
  • this ratio is 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, in terms of less sensitivity reduction and improved resolution.
  • the content is more preferably 2% by mass or less, and particularly preferably 1.5% by mass or less.
  • the hindered phenol may further contain a compound other than the compound represented by the general formula (V).
  • compounds other than the compound represented by the general formula (V) include 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-tert-amylhydroquinone, 2,5-di- tert-butylhydroquinone, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), bis (2-hydroxy-3-tert-butyl-5-ethylphenyl) methane, triethylene glycol-bis [3- (3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], penta Erythrityl tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate
  • the total content of all hindered phenols in the photosensitive resin composition is 0.001% by mass to 10% by mass with respect to the total mass of the photosensitive resin composition. Is preferred.
  • the photosensitive resin composition may include a stabilizer other than the hindered phenol.
  • Stabilizers other than hindered phenols include radical polymerization inhibitors such as p-methoxyphenol, hydroquinone, pyrogallol, naphthylamine, tert-butylcatechol, cuprous chloride, 2,6-di-tert-butyl-p.
  • the total content of all the stabilizers in the photosensitive resin composition is preferably 0.001% by mass to 3% by mass, more preferably 0.01% by mass to 1% by mass. More preferably, it is in the range of 0.05% by mass to 0.7% by mass.
  • the total content of the stabilizer is preferably 0.001% by mass or more from the viewpoint of imparting good storage stability to the photosensitive resin composition, and from the viewpoint of maintaining the sensitivity of the photosensitive resin layer. It is preferable that it is 3 mass% or less.
  • the photosensitive resin composition of the fourth embodiment may contain other components in addition to the components (A) to (D) described above.
  • other components include leuco dyes, base dyes, plasticizers, antioxidants, radical polymerization inhibitors, solvents, and the like.
  • the leuco dye can be blended in the photosensitive resin composition of the fourth embodiment in order to impart suitable color developability and excellent release properties to the resist cured film.
  • Specific examples of the leuco dye include leuco crystal violet (tris [4- (dimethylamino) phenyl] methane), 3,3-bis (p-dimethylaminophenyl) -6-dimethylaminophthalide, 3- ( 4-diethylaminophenyl) -3- (1-ethyl-2-methylindol-3-yl) phthalide, 3- (4-diethylamino-2-ethoxyphenyl) -3- (1-ethyl-2-methylindole-3) -Yl) -4-azaphthalide, 1,3-dimethyl-6-diethylaminofluorane, 2-chloro-3-methyl-6-dimethylaminofluorane, 3-dibutylamino-6-methyl-7-anilinofluorane
  • the content of the leuco dye in the photosensitive resin composition of the fourth embodiment is preferably 0.6% by mass to 1.6% by mass, and more preferably 0.7% by mass to 1.2% by mass. It is more preferable. By setting the use ratio of the leuco dye within this range, it is possible to realize good color developability and good peelability.
  • Base dye examples include basic green 1 [CAS number (hereinafter the same): 633-03-4] (for example, Aizen Diamond Green GH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), malachite green oxalate [ 2437-29-8] (for example, Aizen Malachite Green, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), brilliant green [633-03-4], fuchsin [632-99-5], methyl violet [603-47-4] , Methyl violet 2B [8004-87-3], crystal violet [548-62-9], methyl green [82-94-0], Victoria Blue B [2580-56-5], basic blue 7 [2390-60 -5] (for example, Aizen Victoria Pur e Blue BOH, trade name, manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.), rhodamine B [81-88-9], rhodamine 6G [989-38-8], basic yellow 2 [2465
  • the content of the base dye in the photosensitive resin composition of the fourth embodiment is preferably 0.001% by mass to 3% by mass, more preferably 0.01% by mass to 2% by mass, and further Preferably, it is in the range of 0.01% by mass to 1.2% by mass. By setting the use ratio within this range, both good color developability and high sensitivity can be achieved.
  • the photosensitive resin composition of the fourth embodiment can be a mixture of the above components (A) to (C) and other components optionally used, or a suitable solvent for these components. You may use as a photosensitive resin composition formulation liquid comprised by adding.
  • the solvent used here include ketone compounds such as methyl ethyl ketone (MEK); alcohols such as ethanol, ethanol, and isopropyl alcohol;
  • the proportion of the solvent used is preferably such that the viscosity of the photosensitive resin composition preparation at 25 ° C. is 500 to 4,000 mPa ⁇ s.
  • the photosensitive element is a laminate (photosensitive resin laminate) in which a photosensitive resin layer made of the above-described photosensitive resin composition is laminated on a support. If necessary, a protective layer may be provided on the surface of the photosensitive resin layer opposite to the support.
  • a transparent substrate that transmits light emitted from the exposure light source is preferable.
  • a support examples include a polyethylene terephthalate film, a polyvinyl alcohol film, a polyvinyl chloride film, a vinyl chloride copolymer film, a polyvinylidene chloride film, a vinylidene chloride copolymer film, a polymethyl methacrylate copolymer film, Examples thereof include a polystyrene film, a polyacrylonitrile film, a styrene copolymer film, a polyamide film, and a cellulose derivative film. As these films, those stretched as necessary can be used.
  • the haze of the support is preferably 5 or less. A thinner support is advantageous in terms of image formation and economy, but it is necessary to maintain strength. Considering both of these, a support of 10 ⁇ m to 30 ⁇ m can be preferably used.
  • the photosensitive resin composition used for forming the photosensitive resin layer contains a solvent
  • the solvent may remain in the photosensitive resin layer, but it is preferably removed.
  • the thickness of the photosensitive resin layer is preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 7 ⁇ m to 60 ⁇ m. The thinner the thickness, the higher the resolution, and the thicker the film strength. Therefore, the thickness of the composition layer can be appropriately selected within the above range depending on the application.
  • the protective layer An important characteristic of the protective layer is that the adhesive force with the photosensitive resin layer is sufficiently smaller than the adhesive force between the support and the photosensitive resin layer and can be easily peeled off.
  • the protective layer for example, a polyethylene film, a polypropylene film and the like can be preferably used, and for example, a film having excellent peelability disclosed in JP-A-59-202457 can be used.
  • the thickness of the protective layer is preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the photosensitive element can be produced by sequentially laminating a support, a photosensitive resin layer, and, if necessary, a protective layer.
  • a method for laminating the support, the photosensitive resin layer, and the protective layer a known method can be employed.
  • a photosensitive resin composition is prepared as the above-mentioned photosensitive resin composition preparation liquid, first, coated on a support using a bar coater or a roll coater and dried, and then the photosensitive resin composition is formed on the support. A photosensitive resin layer is formed.
  • a photosensitive element can be produced by laminating a protective layer on the formed photosensitive resin layer.
  • a resist pattern can be formed on a substrate using the photosensitive element as described above.
  • the resist pattern formation method includes the following steps: A laminating step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element on the conductor substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; and a development step of developing the exposed photosensitive resin layer; Are preferably included in the order described above.
  • a photosensitive resin layer is formed on a substrate using a laminator in a laminating step. Specifically, when the photosensitive element has a protective layer, the protective layer is peeled off, and then the photosensitive resin layer is heat-pressed and laminated to the substrate surface using a laminator.
  • the substrate an insulating substrate having a metal plate or a metal film is used. Examples of the metal material include copper, stainless steel (SUS), glass, and indium tin oxide (ITO). These substrates may have through holes for accommodating multilayer substrates.
  • the photosensitive resin layer may be laminated on only one surface of the substrate surface, or may be laminated on both surfaces of the substrate as necessary.
  • the heating temperature at this time is preferably 40 ° C. to 160 ° C. It is preferable to perform the thermocompression bonding twice or more from the viewpoint of further improving the adhesion of the obtained resist pattern to the substrate.
  • a two-stage laminator equipped with two rolls may be used, or the laminate of the substrate and the photosensitive resin layer is repeatedly passed through the roll. You may crimp.
  • the photosensitive resin layer of the photosensitive element can be laminated on the conductor substrate via a wetting agent.
  • a wetting agent one or more selected from pure water, deionized water, and electrolyzed water, and a copper chelating agent (for example, one selected from the group consisting of imidazole compounds, triazole compounds, pyridine compounds, and pyrazole compounds). The above compound) is preferably included.
  • the photosensitive resin layer is exposed using an exposure machine. This exposure may be performed through the support without peeling off the support, or may be performed after peeling off the support, if necessary.
  • a resist film (resist pattern) having a desired pattern can be obtained after a development process described later.
  • the pattern exposure may be performed by either a method of exposing through a photomask or a maskless exposure method.
  • the exposure amount is determined by the light source illuminance and the exposure time.
  • the exposure amount may be measured using a light meter.
  • a photomask is not used and exposure is performed directly on the substrate by a drawing apparatus.
  • a semiconductor laser having a wavelength of 350 nm to 410 nm, an ultrahigh pressure mercury lamp, or the like is used.
  • the drawing pattern is controlled by a computer, and the exposure amount is determined by the illuminance of the exposure light source and the moving speed of the substrate.
  • the exposed photosensitive resin layer is developed.
  • the unexposed portion of the photosensitive resin layer is removed with a developer.
  • the unexposed area is developed and removed using a developer comprising an alkaline aqueous solution to obtain a resist image.
  • an alkaline aqueous solution for example, an aqueous solution of Na 2 CO 3 , K 2 CO 3 or the like is preferably used.
  • the alkaline aqueous solution is selected in accordance with the characteristics of the photosensitive resin layer, but it is preferable to use an aqueous Na 2 CO 3 solution having a concentration of 0.2% by mass to 2% by mass.
  • a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for accelerating development, and the like may be mixed.
  • the temperature of the developer in the development step is preferably maintained at a constant temperature in the range of 20 ° C to 40 ° C.
  • a resist pattern is obtained by the above-described process.
  • a heating step of 100 ° C. to 300 ° C. may be further performed. It is preferable to perform this heating step from the viewpoint of further improving chemical resistance.
  • a heating furnace of an appropriate system such as hot air, infrared rays, far infrared rays or the like can be used.
  • the method for forming a wiring board according to the fourth embodiment includes the following steps: A laminating step of laminating the photosensitive resin layer of the photosensitive element on the conductor substrate; An exposure step of exposing the laminated photosensitive resin layer; A development step of developing the exposed photosensitive resin layer; A conductor pattern forming step of etching or plating a conductive substrate on which a resist pattern is formed by development; and a peeling step of peeling the resist pattern; Are preferably included in the order described above.
  • the conductor pattern can be formed on the substrate surface (for example, a copper surface) exposed by the developing step on the substrate on which the resist pattern is formed by using a known etching method or plating method.
  • the stripping solution used in the stripping step is preferably an alkaline aqueous solution.
  • This alkaline aqueous solution it is preferable to use, for example, a 2% by mass to 5% by mass NaOH aqueous solution or a KOH aqueous solution.
  • a small amount of a water-soluble solvent such as alcohol may be added to the stripping solution.
  • the temperature of the stripping solution in the stripping step is preferably 40 ° C to 70 ° C.
  • the photosensitive resin composition, photosensitive element, resist pattern forming method and wiring board manufacturing method according to the fourth embodiment are, for example, a printed wiring board, a lead frame, a substrate having a concavo-convex pattern, a semiconductor package, etc.
  • the present invention can be applied extremely favorably.
  • it measures according to the measuring method in the below-mentioned Example.
  • moving bed solvent tetrahydrofuran
  • polystyrene standard sample use of calibration curve by Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK
  • an acid equivalent means the mass (gram) of the polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in a molecule
  • the acid equivalent was measured by a potentiometric titration method using a 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution using a Hiranuma automatic titrator (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.
  • Methyl ethyl ketone (MEK) was added to prepare a photosensitive resin composition having a solid content concentration of 53% by mass.
  • the numbers in each component column in Table 1 are amounts (parts by mass) of the respective components used for the preparation of the composition.
  • a substrate for evaluation of tenting properties a substrate in which 1,008 through-holes having a diameter of 6 mm are formed on a copper-clad laminated substrate having a thickness of 1.6 mm obtained by laminating a copper foil having a thickness of 35 ⁇ m;
  • a substrate for evaluation other than the tenting property a copper clad laminated substrate having a thickness of 0.4 mm in which a copper foil having a thickness of 18 ⁇ m is laminated; Each was used.
  • the substrate for evaluation of tenting properties was subjected to evaluation after being leveled by surface treatment using a jet scrub polishing machine.
  • the substrate for evaluation other than the tenting property was prepared by sequentially performing a surface treatment using a soft etching agent (manufactured by Hishoe Chemical Co., Ltd., CPE-900) and a surface cleaning with a 10 mass% H 2 SO 4 aqueous solution. After facing, it was used for evaluation.
  • a soft etching agent manufactured by Hishoe Chemical Co., Ltd., CPE-900
  • the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer was dissolved and removed by spraying twice as long as.
  • the substrate was washed with pure water for 1.5 times the development time, drained with an air knife, and then dried with warm air to obtain a substrate having a cured film for evaluation.
  • the minimum development time refers to the minimum time required until the unexposed portion of the photosensitive resin composition layer is completely dissolved and removed.
  • the measurement location of the resist line was the fifth line from the end of the 10 lines and the position of about 5 mm from the end in the length direction, and the average value of three measurements was used as the measurement value.
  • the line width differs between the edge and the center of the pattern due to the diffusion of the developer and the rinsing water, and the edge-side resist line tends to be thin.
  • ⁇ Adhesion> For the evaluation of adhesion, a laminate substrate after 15 minutes had elapsed after the above ⁇ laminate> was used. The laminate substrate was directly drawn and exposed to patterns of independent lines of various sizes, and then developed by the method described in ⁇ Development> above. The obtained pattern was observed with an optical microscope, and adhesion was evaluated according to the following criteria.
  • etching rate (wiring bottom width)>
  • a laminate substrate after 15 minutes had elapsed after the above ⁇ laminate> was used.
  • a pattern having 10 lines at a line / space 50 ⁇ m / 30 ⁇ m was directly drawn and exposed on the laminate substrate.
  • the support was peeled from the photosensitive resin composition layer, and a 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution at 30 ° C. using an alkali developing machine (Fuji Kiko Co., Ltd., dry film developing machine).
  • an alkali developing machine Fluji Kiko Co., Ltd., dry film developing machine
  • the film was washed with pure water for 1.5 times the development time.
  • the direction of the line / space of the substrate is perpendicular to the transport direction (MD) in a copper chloride etching apparatus (NLE-2000, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.).
  • MD transport direction
  • NLE-2000 copper chloride etching apparatus
  • a bottom width of the wiring pattern in the MD direction of the copper line obtained by peeling off and removing the cured film on the substrate at a temperature of 50 ° C. using a NaOH aqueous solution having a concentration of 3.0% by mass as a stripping solution was measured with an optical microscope. It was measured by.
  • the measurement place of the line of the wiring pattern was the fifth line from the end of the ten lines and the position of about 5 mm from the end in the length direction, and the average value of the three measurements was used as the measurement value. Since the influence on the resist due to the diffusion of the developer and the washing water is different between the end and the center of the pattern, the line width of the finished wiring is different and the end side wiring width tends to be narrow.
  • the film was washed with pure water for 1.5 times the development time.
  • the direction of the line / space of the substrate is perpendicular to the transport direction (MD), and a copper chloride vacuum etching apparatus (Fuji Kiko Co., Ltd., inlet width 750 mm) , Introduced into the tank length 2.6m), 14 rows in the etching solution piping MD direction (pipe interval about 18cm), 14 spray nozzles per pipe in the TD direction (slit nozzle, injection direction is parallel to the TD direction) Nozzle spacing: about 14 cm, distance to substrate: about 5 cm), no oscillation, hydrochloric acid concentration 2.85 mol / L, cupric chloride concentration 2.0 mol / L, etching spray pressure 0.3 MPa, vacuum pressure 0. Etching was performed for 71 seconds at a line speed of 2.2 m
  • Examples 1 to 23 and Comparative Examples 1 to 8 The composition of the photosensitive resin composition used in Examples and Comparative Examples is shown in Table 1. Details of each component name described in Table 1 are shown in Table 2, respectively. The amount of each component in Table 1 is in mass parts in terms of solid content. The results of evaluation performed using each composition are shown in Table 1.
  • the acid equivalent means the mass of the alkali-soluble polymer having 1 equivalent of a carboxyl group therein.
  • the acid equivalent is measured by potentiometric titration using an automatic titrator (for example, Hiranuma Auto titrator (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.) and using 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution. .
  • an automatic titrator for example, Hiranuma Auto titrator (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.
  • the weight average molecular weight of the polymer was determined by gel permeation chromatography (GPC) manufactured by JASCO Corporation (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) (KF-807, manufactured by Showa Denko KK). Using KF-806M, KF-806M, KF-802.5) in series, moving bed solvent: tetrahydrofuran, polystyrene standard sample (use of calibration curve by Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK), polystyrene conversion Obtained as a value.
  • GPC gel permeation chromatography
  • ⁇ Substrate used for evaluation> As the substrate for evaluation, a 1.6 mm thick copper clad laminate on which 35 ⁇ m rolled copper foil was laminated was used to adjust the surface by wet buffalo polishing. Polishing was performed twice using Scotch Bright (registered trademark) HD # 600 manufactured by 3M Co., Ltd.
  • ⁇ Development> After peeling the support from the photosensitive resin layer after exposure, alkali development machine (Fuji Kiko Co., Ltd., dry film developing machine) using a minimum developing time to 1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution 30 ° C. 2 The unexposed portion of the photosensitive resin layer was dissolved and removed by spraying for twice the time. After development, the substrate was washed with pure water for 1.5 times the development time, drained with an air knife, and then dried with warm air to obtain a substrate having a cured film for evaluation.
  • the minimum development time refers to the minimum time required until the unexposed portion of the photosensitive resin layer is completely dissolved and removed.
  • a composition having good developer cohesiveness does not generate such aggregates at all, or even if they are generated, they can be easily washed away with water.
  • the state of occurrence of aggregates was ranked by visual observation as follows. A (remarkably good): no aggregates are generated. ⁇ (Good): There is no aggregate on the bottom or side of the spray device, and a very small amount of aggregate that can be visually confirmed is observed in the developer, but it is easily washed away when washed with water. ⁇ (possible): Aggregates are floating in the bottom or part of the side surface of the spray device and in the developer. Even if washed with water, not all of the aggregates can be washed away. X (defect): Aggregates are observed in the entire spray apparatus, and aggregates are floating in the developer. It is impossible to wash away all the aggregates even with water washing, and most of them remain.
  • Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 5 The composition of the photosensitive resin composition used in Examples and Comparative Examples is shown in Table 3, and details of each component name in Table 3 are shown in Table 4. The compounding amounts of the components in Table 4 are all parts by mass in terms of solid content. Table 4 also shows the results of evaluation performed using each composition.
  • the weight average molecular weight or number average molecular weight of the polymer is determined by gel permeation chromatography (GPC) manufactured by JASCO Corporation (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) manufactured by Showa Denko KK). KF-807, KF-806M, KF-806M, KF-802.5) in series, moving bed solvent: tetrahydrofuran, polystyrene standard sample (use of calibration curve with Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK) It calculated
  • an acid equivalent means the mass (gram) of the polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in a molecule
  • Hiranuma automatic titrator (COM-555) was used, and the acid equivalent was measured by potentiometric titration using a 0.1 mol / L aqueous sodium hydroxide solution.
  • a 19 ⁇ m-thick polyethylene film (manufactured by Tamapoly Co., Ltd., GF-818) was bonded as a protective layer on the surface of the photosensitive resin composition layer on which the polyethylene terephthalate film was not laminated. A laminate was obtained.
  • ⁇ Laminate> Using a hot roll laminator (ALA-700, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.), the photosensitive resin laminate was applied to a copper clad laminate that had been leveled and preheated to 60 ° C. while peeling the polyethylene film of the photosensitive resin laminate. A test piece was obtained by laminating at a roll temperature of 105 ° C. The air pressure was 0.35 MPa, and the laminating speed was 1.5 m / min.
  • ALA-700 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.
  • Exposure was performed at an exposure amount of 15 mJ / cm 2 using a direct drawing type exposure apparatus (DE-1DH, manufactured by Via Mechanics, Inc., main wavelength 405 nm).
  • DE-1DH direct drawing type exposure apparatus
  • ⁇ Contact angle (residual short circuit defect suppression)> In the evaluation of the contact angle (water remaining short circuit defect suppression property), after laminating by the method described in ⁇ Laminate> above, the entire surface development is performed by the method described in ⁇ Exposure>, and then in ⁇ Development> above. Development was carried out by the method described. Samples were subjected to contact angle measurements within 30 minutes after development. The contact angle is measured according to the JIS R3257 sessile drop method, using an optical microscope contact angle meter “LSE-B100” manufactured by Nick Co., Ltd., on the cured film in an environment of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50 RH%.
  • the contact angle is 35 ° or more.
  • the weight average molecular weight of the polymer was determined by gel permeation chromatography (GPC) manufactured by JASCO Corporation (pump: Gulliver, PU-1580 type, column: Shodex (registered trademark) (KF-807, manufactured by Showa Denko KK).
  • moving bed solvent tetrahydrofuran
  • polystyrene standard sample use of calibration curve by Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK
  • an acid equivalent means the mass (gram) of the polymer which has a 1 equivalent carboxyl group in a molecule
  • the acid equivalent was measured by a potentiometric titration method using a 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution using a Hiranuma automatic titrator (COM-555) manufactured by Hiranuma Sangyo Co., Ltd.
  • the photosensitive resin layer having a thickness of 33 ⁇ m was formed on the support by heating and drying for 3 minutes and 20 seconds in a drier adjusted to 95 ° C.
  • ⁇ Substrate used for evaluation> As the substrate for evaluation, a 1.6 mm thick copper clad laminate on which 35 ⁇ m rolled copper foil was laminated was used to adjust the surface by wet buffalo polishing. Polishing was performed twice using Scotch Bright (registered trademark) HD # 600 manufactured by 3M Co., Ltd.
  • ⁇ Development> After peeling off the support from the photosensitive resin layer after exposure, a minimum development time of 0.8 mass% Na 2 CO 3 aqueous solution at 29 ° C. using an alkali developer (produced by Fuji Kiko Co., Ltd., dry film developer). The unexposed portion of the photosensitive resin layer was dissolved and removed by spraying twice as long as. After development, the substrate was washed with pure water for the same time as the development time, and after washing with water, the substrate was naturally dried without performing hot air drying, thereby obtaining a substrate having a cured film for evaluation.
  • the minimum development time is the minimum time required for the unexposed portion of the photosensitive resin layer to be completely dissolved and removed.
  • the developer concentration or temperature, spray direction or spray amount, pressure, and oscillation It varies depending on the frequency.
  • the minimum development time was ranked as follows: ⁇ : Minimum development time exceeds 30 seconds.
  • X Minimum development time is 30 seconds or less.
  • the measurement location of the resist line was the fifth line from the end of the 10 lines and the position of about 5 mm from the end in the length direction, and the average value of three measurements was used as the measurement value. It is important to specify the measurement position because the line width differs between the edge and the center of the pattern due to the influence of the diffusion of the developing solution and washing water, and the resist line on the edge side tends to be thin.
  • the sensitivity was ranked according to the exposure amount as follows: ⁇ : The exposure amount at which the line width is 39 ⁇ m is 28 mJ / cm 2 or less. X: The exposure amount with a 39 ⁇ m line width exceeds 28 mJ / cm 2 .
  • ⁇ Evaluation of adhesion> For the evaluation of adhesion, a laminate substrate after 15 minutes had elapsed after the above ⁇ laminate> was used. The laminate substrate was directly drawn and exposed to patterns of independent lines of various sizes, and then developed by the method described in ⁇ Development> above. The obtained pattern was observed with an optical microscope, and adhesion was evaluated according to the following criteria.
  • the case where the line pattern is not normally formed means that the line pattern is tilted, the line pattern is meandering, or the line pattern is not present on the substrate.
  • A The minimum pattern width formed is 28 ⁇ m or less.
  • X The minimum pattern width formed exceeds 28 ⁇ m.
  • a photosensitive layer (resist layer) having a thickness of 50 ⁇ m and an area of 0.6 m 2 in the photopolymerizable resin laminate is dissolved in 200 ml of a 1% by mass Na 2 CO 3 aqueous solution, and the spray pressure is 0 using a circulating spray device. Spraying was performed at 1 MPa for 3 hours. Thereafter, the developer was allowed to stand for 1 day, and the generation of aggregates was observed. When a large amount of aggregates are generated, powdery or oily substances are observed on the bottom and side surfaces of the spray device. In a composition having good developer cohesiveness, the above aggregates are not generated at all.
  • Aggregability was ranked as follows based on the state of occurrence of aggregates: ⁇ : Aggregates are not generated at all. ⁇ : Agglomerates are seen at the bottom or part of the side of the spray device. X: Aggregates are observed in the entire spray device.
  • Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 4 The composition of the photosensitive resin composition used in Examples and Comparative Examples is shown in Table 8, and the details of each component name shown in Table 8 are shown in Table 9, respectively. All the compounding amounts of the components in Table 8 are parts by mass in terms of solid content. Table 8 also shows the results of evaluation performed using each composition.

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Abstract

アルカリ可溶性高分子、エチレン性二重結合を有する化合物、及び光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、１８μｍ厚みの銅箔が積層された銅張積層板上に、前記感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を２５μｍ厚みで積層し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍのパターン状の光照射及び現像処理を経て硬化レジストパターンを形成し、５０℃において５５秒間の銅エッチング処理を施した後に、前記硬化レジストパターンを除去して得られる銅ラインパターンのボトム幅が３８μｍ以上であることを特徴とする、前記感光性樹脂組成物。

Description

感光性樹脂組成物
＜本発明の第一の実施形態に関する技術分野＞
　本発明の第一の実施形態は感光性樹脂組成物に関する。
＜本発明の第二の実施形態に関する技術分野＞
　本発明の第二の実施形態は、感光性樹脂組成物等に関する。
＜本発明の第三の実施形態に関する技術分野＞
　本発明の第三の実施形態は、感光性樹脂組成物、等に関する。
＜本発明の第四の実施形態に関する技術分野＞
　本発明の第四の実施形態は感光性樹脂組成物に関する。
＜本発明の第一の実施形態に関する背景技術＞
　プリント配線板は、一般的にはフォトリソグラフィーによって製造される。フォトリソグラフィーとは、基板上に感光性の樹脂組成物から成る層を形成し、該塗膜にパターン露光及び現像してレジストパターンを形成し、次いでエッチング又はめっき処理により導体パターンを形成した後、基板上のレジストパターンを除去することによって、基板上に所望の配線パターンを形成する方法である。
　このフォトリソグラフィーにおいては、基板上に感光性樹脂組成物層を形成する際、組成物溶液を塗布した後に溶媒を除去する方法；支持体及び感光性樹脂組成物層を積層して成る感光性エレメント乃至ドライフィルムレジストを、基板上にラミネートした後に前記支持体を剥離する方法、等が知られている。
　プリント配線板の製造においては、感光性エレメントを使用することが多い。この感光性エレメントを用いる配線パターンの形成方法、及びこれに好適な感光性樹脂組成物として、多くの公知例が存在する。
　例えば、特許文献１には、良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成し得る方法、及び該方法に用いられる感光性樹脂組成物が；
特許文献２には、特定のエチレン性二重結合を有する付加重合性モノマーを含有する感光性樹脂組成物が、それぞれ開示されている。
　ところで近年は、プリント配線板の高密度化のために、基板が多層化されることが多い。多層基板では、上下に積層され基板間の導通のためにスルーホールが設けられる。多層基板に用いられるスルーホールを有する基板上にフォトリソグラフィーによって配線パターンを形成する場合には、該スルーホール上に形成されたレジスト膜（テント膜）が、現像、水洗等の際のスプレー圧によって破れない性質（耐テント膜破れ性乃至テンティング性）を有することが求められる。
　この点、特許文献３には、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）の小さいバインダーポリマーと、光重合性化合物と、アクリジン化合物と、を含有する感光性樹脂組成物が開示されており、該組成物によってテンティング性に優れるレジスト膜を形成することができると説明されている。
＜本発明の第二の実施形態に関する背景技術＞
　プリント配線板は、一般的にはフォトリソグラフィーによって製造される。フォトリソグラフィーとは、基板上に感光性樹脂組成物から成る層を含む塗膜を形成し、塗膜をパターン露光及び現像してレジストパターンを形成し、次いでエッチング又はめっき処理により導体パターンを形成した後、基板上のレジストパターンを除去することによって、基板上に所望の配線パターンを形成する方法である。
　フォトリソグラフィーにおいては、基板上に感光性樹脂層を形成する際、組成物溶液を塗布した後に溶媒を除去する方法；支持体及び感光性樹脂層を積層して成る感光性エレメント乃至ドライフィルムレジストを、基板上にラミネートした後に前記支持体を剥離する方法、等が知られている。
　プリント配線板の製造においては、感光性エレメントを使用することが多い。この感光性エレメントを用いる配線パターンの形成方法、及びこれに好適な感光性樹脂組成物として、多くの公知例が存在する。
　例えば、特許文献１には、良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成し得る方法、及び該方法に用いられる感光性樹脂組成物が、特許文献４には、特定のエチレン性二重結合を有する付加重合性モノマーを含有する感光性樹脂組成物が、それぞれ開示されている。
＜本発明の第三の実施形態に関する背景技術＞
　従来、プリント配線板は一般に、フォトリソグラフィー法によって製造されていた。フォトリソグラフィー法においては、まず、基板上に積層された感光性樹脂組成物層に対し、パターン露光する。感光性樹脂組成物の露光部は、重合硬化（ネガ型の場合）又は現像液に対して可溶化（ポジ型の場合）する。次に、未露光部（ネガ型の場合）又は露光部（ポジ型の場合）を現像液で除去して基板上にレジストパターンを形成する。更に、エッチング又はめっき処理を施して導体パターンを形成した後、レジストパターンを基板から剥離除去する。これらの工程を経ることによって、基板上に導体パターンが形成される。
　フォトリソグラフィー法では一般に、感光性樹脂組成物の溶液を基板に塗布して乾燥させる方法、又はドライフィルムレジスト（支持体上に感光性樹脂組成物層が積層された感光性樹脂積層体）の感光性樹脂組成物層を基板に積層する方法のいずれかが使用される。プリント配線板の製造においては後者が多用される。
　近年のプリント配線板における配線間隔の微細化に伴い、ドライフィルムレジストには種々の特性が要求されていた。配線間隔の微細化に伴い、ドライフィルムレジストの厚みも薄膜化する傾向にあるが、依然として基板上のスルーホールを保護するために強靭なテント性が要求されている。
　また、レジストパターンを現像する際に、パターン間に残留した水分により、レジスト成分がパターン間に溶出し、水残りショート不良を発生させる。この水残りショート不良を低減させるためには、硬化レジストの疎水性を向上させる必要がある。
　レジストの特性を向上させるために、様々な感光性樹脂組成物が提案されている（特許文献５及び６）。
＜本発明の第四の実施形態に関する背景技術＞
　プリント配線板は、一般的にはフォトリソグラフィーによって製造される。フォトリソグラフィーとは、基板上に感光性の樹脂組成物から成る層を形成し、該塗膜にパターン露光及び現像してレジストパターンを形成し、次いでエッチング又はめっき処理により導体パターンを形成した後、基板上のレジストパターンを除去することによって、基板上に所望の配線パターンを形成する方法である。
　フォトリソグラフィーにおいては、基板上に感光性樹脂層を形成する際、組成物溶液を塗布した後に溶媒を除去する方法；支持体及び感光性樹脂層を積層して成る感光性エレメント乃至ドライフィルムレジストを、基板上にラミネートした後に前記支持体を剥離する方法、等が知られている。
　プリント配線板の製造においては、感光性エレメントを使用することが多い。この感光性エレメントを用いる配線パターンの形成方法、及びこれに好適な感光性樹脂組成物が知られている（特許文献１及び２）。特許文献１には、良好な断面形状を有する銅配線パターンの一般的な形成方法、及びそれに用いられる感光性樹脂組成物が記述されている。特許文献２には、特定のエチレン性不飽和結合を有する付加重合性モノマーを含む感光性樹脂組成物が記述されている。
　ところで、近年のプリント配線板における配線間隔の微細化に伴い、ドライフィルムレジストには解像性等の特性が要求されている。例えば、レジストパターンの特性を向上させるために、様々な感光性樹脂組成物が提案されている（特許文献５及び６）。
特開２０１１－２３３７６９号公報 国際公開第２００９／０２２７２４号 特開２０１３－１０９３２１号公報 特開２０１５－６０１２０号公報 国際公開第２０１５／０９８８７０号 特開２０１４－０４８３４０号公報
＜本発明の第一の実施形態が解決しようとする課題＞
　近年では、配線板の製造は、基板を一定の方向に搬送しつつ順次に処理を行うラインプロセスによって行われるのが通常である。ここで、基板上に、例えばライン／スペースパターンの導体パターンを形成する場合、基板の搬送方向に対して、導体のラインが平行である場合（ＭＤ方向のライン）、垂直である場合（ＴＤ方向のライン）、及び斜めである場合が考えられる。従来技術のレジスト材料を用いてラインプロセスによってライン／スペースパターンの導体パターンを形成すると、ＭＤ方向のラインとＴＤ方向のラインとで、配線幅が相異なり、いわゆる配線幅の縦横差が生じる。多くの場合、ＭＤ方向のラインの方がＴＤ方向のラインよりもエッチング液によって侵され易く、従ってエッチング量が多くなり配線幅が細くなる傾向にある。ラインプロセスによって微細な導体パターンを形成するためには、このようなＭＤ方向の配線とＴＤ方向の配線の配線幅差が低減されていることが好ましい。
　しかしながら、上記の特許文献１～３に代表される従来技術においては、このような観点からの検討はなされておらず、配線幅の縦横差を小さくするためのレジスト材料は知られていない。
　本発明の第一の実施形態は上記の現状に鑑みてなされたものである。従って、本発明の第一の実施形態の目的は、ラインプロセスによって微細な導体パターンを形成するに際し、配線幅の縦横差が抑制されたレジスト材料を提供することである。
＜本発明の第二の実施形態が解決しようとする課題＞
　感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成するためには、現像工程を経由する。この現像工程においては、ポジ型の組成物においては露光領域の組成物が、ネガ型の組成物においては露光領域の組成物が、それぞれ溶解除去されることによって、レジストパターンが形成される。この現像工程においては、不要領域の組成物の全てが現像液に「溶解」するわけではなく、少なくともその一部は不溶のまま現像液中に分散することにより、基板上から除去される。従って、現像工程を重ねるごとに、現像液中の不要物の量が増加し、遂には分散性の悪い不溶解成分が凝集物を形成する場合がある。このような凝集物は、後に現像される基板上に付着して残留し、ショート不良等の原因となる場合がある。
　従って、使用する感光性樹脂組成物の現像液分散性が良いことは、現像工程における製品歩留まりの向上、更にはプリント配線板の製造コスト削減の観点から、強く望まれるところである。
　ところで近年、プリント配線板の微細化、精細化の要求が益々激しくなっている。そのため、該プリント配線板の形成に用いられる感光性樹脂組成物に対しても、微細パターンの形成が可能であることが求められる。ここで、基板上に形成されるパターンの最小サイズは、露光波長に依存するから、使用する露光波長に応じた感光性重合開始剤を採用することにより、微細化されたパターンを露光形成すること自体は、論理的にはさほど困難なことではない。一方で、例えば数十μｍ以下のサイズで露光形成された微細パターンは、現像工程等の後工程において基板上から剥落する現象が起こる場合があり、その結果、プリント配線板の微細化が制限されている。
　従って、微細なプリント配線板を形成するためには、微細パターンの密着性が高い感光性樹脂組成物が必要となる。
　しかしながら、特許文献１及び４に記述されている感光性樹脂組成物では、現像分散性と微細パターンの密着性の双方について、今日の過酷な要求に耐えられず、この分野において未だ改良の余地が存在しているのである。
　本発明の第二の実施形態は、このような現状に鑑みて為されたものである。
　従って本発明の第二の実施形態の目的は、解像度等の、感光性材料に一般的に要求される性能を高いレベルで具備するとともに、現像分散性及び微細パターンの密着性に優れる新規な感光性材料を提供することである。
＜本発明の第三の実施形態が解決しようとする課題＞
　特許文献５では、感光性樹脂組成物の現像性並びにレジストパターンの解像性、密着性及び屈曲性の観点から、感光性樹脂組成物において、（メタ）アクリル酸の構造単位、スチレン又はα―メチルスチレンの構造単位及び炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基を有する（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの構造単位を有するバインダー高分子と、エチレンオキシ基の構造単位数が１～２０であり、かつプロピレンオキシ基の構造単位数が０～７であるビスフェノール型ジ（メタ）アクリレート単量体との組み合わせが検討されている。
　特許文献６では、ポジ型レジストパターンのスペース幅及びテント性の観点から、アルカリ可溶性高分子中のスチレン又はスチレン誘導体の構造単位の含有量として３０質量％以上が提案されており、かつ付加重合性単量体の重量平均分子量として１，１００以上が提案されている。
　特許文献５と６のいずれも、スチレンの構造単位を特定の割合で有する高分子と、特定の単量体とを含む感光性樹脂組成物に着目しているが、特許文献５及び６に記述されている感光性樹脂組成物は、レジストパターンのテント性と水残りショート不良抑制性を両立するという観点から、なお改良の余地を有するものであった。
　したがって、本発明の第三の実施形態が解決しようとする課題は、レジストパターンのテント性と水残りショート不良抑制性を両立することができる感光性樹脂組成物を提供することである。
＜本発明の第四の実施形態が解決しようとする課題＞
　近年では、配線板の製造は、基板を一定の方向に搬送しつつ順次に処理を行うラインプロセスによって行われるのが通常である。この際、基板への現像液又はエッチング液の処理はスプレーによって行われる。フォトリソグラフィーによるレジストパターンの形成においては、現像後のレジスト線幅にばらつきが生じないことが重要である。しかし、スプレー現像によるレジストパターンの形成では、現像時間が短い場合に現像液の基板面内ばらつきが生じ易く、上記の問題が生じることがあるため、現像時間の延長化が求められている。
　ここで現像時間とは、基板が現像槽に滞留し現像処理される時間であり、例えば最小現像時間の２倍の時間などのように決定する。最小現像時間とは、感光性樹脂層の未露光部分が完全に溶解除去されるまでに要する最小の時間をいい、現像液の濃度又は温度、スプレーの向き又は噴霧量、圧力、オシレーションの周波数などに依存して変化する。
　ここで、現像によるレジストの溶解反応は、概ね現像液の拡散律速で起こるものと考えられる。従って、現像を促進する観点からは、スプレー等による基板上への現像液の供給を積極的に行う必要がある。この供給には幾らかの時間がかかるため、現像時間が短い場合には、現像液の供給が基板の全面に十分に行き渡らず、レジスト線幅のばらつきが顕著に大きくなるものと考えられる。一方で、現像時間が長い場合には、基板上における現像液の供給が均一になり、従って線幅のばらつきも小さくなると考えられる。そのため、最小現像時間自体が遅い感光性樹脂組成物を用いることは、線幅のばらつきを抑制する観点から有効であると考えられる。
　特許文献５では、感光性樹脂組成物の現像性並びにレジストパターンの解像性、密着性及び屈曲性の観点から、感光性樹脂組成物において、（メタ）アクリル酸の構造単位、スチレン又はα―メチルスチレンの構造単位及び炭素数１～１２のヒドロキシアルキル基を有する（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルの構造単位を有するバインダー高分子と、エチレンオキシ基の構造単位数が１～２０であり、かつプロピレンオキシ基の構造単位数が０～７であるビスフェノール型ジ（メタ）アクリレート単量体との組み合わせが検討されている。
　特許文献６では、ポジ型レジストパターンのスペース幅及びテント性の観点から、アルカリ可溶性高分子中のスチレン又はスチレン誘導体の構造単位の含有量として３０質量％以上が提案されており、かつ付加重合性単量体の重量平均分子量として１，１００以上が提案されている。
　特許文献５と６のいずれも、スチレンの構造単位を特定の割合で有する高分子と、特定の単量体とを含む感光性樹脂組成物に着目しているが、特許文献５及び６に記述されている感光性樹脂組成物は、レジストパターンの良好な解像性と最小現像時間の延長を両立するという観点から、なお改良の余地を有するものであった。
　したがって、本発明の第四の実施形態が解決しようとする課題は、レジストパターンの良好な解像性と最小現像時間の延長を両立することができる感光性樹脂組成物を提供することである。
＜第一の課題を解決するための手段＞
　本発明者らは、以下の技術的手段によって、上記の目的を達成できることを見出し、本発明の第一の実施形態に至った。本発明の第一の実施形態は以下のとおりのものである。
[１]
　下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
（Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子、
（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
（Ｃ）成分：光重合開始剤
を含有する感光性樹脂組成物であって、
１８μｍ厚みの銅箔が積層された銅張積層板上に、前記感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を２５μｍ厚みで積層し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍのパターン状の光照射及び現像処理を経て硬化レジストパターンを形成し、５０℃において５５秒間の銅エッチング処理を施した後に、前記硬化レジストパターンを除去して得られる銅ラインパターンのボトム幅が３８μｍ以上であることを特徴とする、前記感光性樹脂組成物。
[２]
　前記（Ａ）成分が、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下の共重合体である、[１]に記載の感光性樹脂組成物。
[３]
　前記（Ａ）成分が、スチレン単位の含有割合が３２質量％以上６０質量％以下の共重合体である、[１]または[２]に記載の感光性樹脂組成物。
[４]
　前記（Ｃ）成分がアクリジン化合物を含有する、[１]～[３]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[５]
　前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール化合物を含有する、[１]～[４]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[６]
　前記（Ｂ）成分がトリメチロールプロパン化合物を含有する、[１]～[５]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[７]
　前記（Ｂ）成分がビスフェノールＡ化合物を含有する、[１]～[６]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[８]
下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
（Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子、
（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
（Ｃ）成分：光重合開始剤
を含有する感光性樹脂組成物であって、
前記（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％以上である共重合体を含み、
前記（Ｃ）成分は、アクリジン化合物を含む
感光性樹脂組成物。
[９]
　前記（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％以上６０質量％以下である共重合体を含む、[８]に記載の感光性樹脂組成物。
[１０]
　前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール化合物を含有する、[８]又は［９］に記載の感光性樹脂組成物。
[１１]
　前記（Ｂ）成分がトリメチロールプロパン化合物を含有する、[８]～［１０］のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[１２]
　前記（Ｂ）成分がビスフェノールＡ化合物を含有する、[８]～［１１］のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
[１３]
　［１］～[１２]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が支持体上に積層された、感光性エレメント。
[１４]
　［１３］に記載の感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、及び
前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
を含むことを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
[１５]
　前記ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程である、［１４］に記載のレジストパターンの形成方法。
[１６]
　［１３］に記載の感光性エレメントの感光性樹脂組成物層を導体基板上に積層するラミネート工程、
前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、
前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
前記現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程、及び
前記レジストパターンを剥離する剥離工程、
を含むことを特徴とする、配線板の製造方法。
[１７]
　前記ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程である、［１６］に記載の配線板の製造方法。
＜第二の課題を解決するための手段＞
　本発明者らは、以下の技術的手段によって、上記の目的を達成できることを見出し、本発明の第二の実施形態に至った。本発明の第二の実施形態は以下の通りのものである。
［１］
　下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
（Ａ）成分：酸当量１００～６００のアルカリ可溶性高分子、
（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
（Ｃ）成分：光重合開始剤
を含有する感光性樹脂組成物であって、
　前記（Ａ）成分が、スチレン単位を５０質量％以上含む共重合体を含有し、
　前記（Ｂ）成分が、下記一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 ｛式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基であり、ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に、０～３０の整数であり、ただし、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≧６の条件を満たす。｝で表される化合物を含有し、該一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が前記感光性樹脂組成物の固形分に対して５質量％以上であり、そして　前記（Ｃ）成分が、アクリジン化合物を含有することを特徴とする、前記感光性樹脂組成物。
［２］
　前記一般式（Ｉ）中のｎ１、ｎ２及びｎ３は、２０≧ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＞９を満たす、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］
　前記一般式（Ｉ）中のＲの全ては、水素原子である、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］
　前記（Ｂ）成分が、ペンタエリスリトール変性モノマーを更に含有する、［１］～［３］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［５］
　［１］～［４］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が支持体上に積層された、感光性エレメント。
［６］
　［５］に記載の感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
　前記積層された感光性樹脂層を露光する露光工程、及び
　前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
を含むことを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
［７］
　［５］に記載の感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
　前記積層された感光性樹脂層を露光する露光工程、
　前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
　前記現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程、及び
　前記レジストパターンを剥離する剥離工程、
を含むことを特徴とする、配線板の製造方法。
＜第三の課題を解決するための手段＞
　本発明者は、以下の技術的手段によって上記課題を解決することができることを見出した。本発明の第三の実施形態は以下のとおりのものである。
［１］
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子；
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物；及び
　（Ｃ）光重合開始剤；
を含む感光性樹脂組成物であって、
　前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として１０質量％～２４質量％の（メタ）アクリル酸の構造単位及び３５質量％～９０質量％のスチレンの構造単位を含み、かつ
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量が、１，２００以上である、前記感光性樹脂組成物。
［２］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の前記重量平均分子量が、１，３００以上である、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物のうちの４０質量％以上が、下記一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 ｛式中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、ＡはＣ２Ｈ４であり、ＢはＣ３Ｈ６であり、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～５０の関係を満たす整数であり、－（Ａ－Ｏ）－及び－（Ｂ－Ｏ）－の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、ブロックの場合、－（Ａ－Ｏ）－と－（Ｂ－Ｏ）－とのいずれがビスフェニル基側でもよい｝
で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物である、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］
　前記一般式（ＩＩ）中のｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝３０～５０の関係を満たす、［３］に記載の感光性樹脂組成物。
［５］
　前記一般式（ＩＩ）中のｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～１０の関係を満たす、［３］に記載の感光性樹脂組成物。
［６］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記一般式（ＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 ｛式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、ｍ２、ｍ３及びｍ４は、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、１～４０であり、そしてｍ２＋ｍ３＋ｍ４が２以上である場合には、複数のＸは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい｝
で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物を含む、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［７］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記一般式（ＩＶ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 ｛式中、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｙは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、Ｚは、２価の有機基を表し、ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、かつｓ＋ｔ≧１である｝
で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物を含む、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［８］
　前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、（メタ）アクリル酸ブチルの構造単位をさらに含む、［１］～［７］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［９］
　ダイレクトイメージング露光用である、［１］～［８］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１０］
　［１］～［９］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を支持体に積層するラミネート工程；
　該感光性樹脂層を露光する露光工程；及び
　該露光された感光性樹脂層を現像する現像工程；
を含むレジストパターンの形成方法。
［１１］
　［１］～［９］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を基板に積層するラミネート工程；
　該感光性樹脂層を露光する露光工程；
　該露光された感光性樹脂層を現像して、レジストパターンが形成された基板を得る現像工程；
　該レジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程；及び
　該レジストパターンを剥離する剥離工程；
を含む配線板の製造方法。
＜第四の課題を解決するための手段＞
　本発明者らは、以下の技術的手段によって、上記の目的を達成できることを見出し、本発明の第四の実施形態に至った。本発明の第四の実施形態は以下のとおりのものである。
[１]
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子；
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物；及び
　（Ｃ）光重合開始剤；
を含む感光性樹脂組成物であって、
　前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、酸モノマー単位の含有割合が２５質量％未満かつ芳香族モノマー単位の含有割合が３０質量％以上の第一の共重合体を含み、かつ
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量が、９００以下である、
　前記感光性樹脂組成物。
［２］
　前記（Ｃ）光重合開始剤は、アクリジン化合物を含む、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］
　前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、芳香族モノマー単位の含有割合が４５質量％～９０質量％である第二の共重合体を含む、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記一般式（ＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 ｛式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、ｍ２、ｍ３及びｍ４は、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、０～４０であり、そしてｍ２＋ｍ３＋ｍ４が２以上である場合には、複数のＸは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい｝
で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物を含む、［１］～［３］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［５］
　前記（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ｛式中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、ＡはＣ２Ｈ４であり、ＢはＣ３Ｈ６であり、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～５０の関係を満たす整数であり、－（Ａ－Ｏ）－及び－（Ｂ－Ｏ）－の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、ブロックの場合、－（Ａ－Ｏ）－と－（Ｂ－Ｏ）－とのいずれがビスフェニル基側でもよい｝
で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物を含む、［１］～［４］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［６］
　ヒンダードフェノールとして、下記一般式（Ｖ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 ｛式中、Ｒ５１は、置換されていてもよい、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、２価の連結基を介した直鎖アルキル基、２価の連結基を介した分岐アルキル基、２価の連結基を介したシクロヘキシル基又は２価の連結基を介したアリール基を表し、そしてＲ５２、Ｒ５３及びＲ５４は、各々独立に、水素、又は置換されていてもよい、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、２価の連結基を介した直鎖アルキル基、２価の連結基を介した分岐アルキル基、２価の連結基を介したシクロヘキシル基又は２価の連結基を介したアリール基を表す。｝で表される化合物をさらに含む、［１］～［５］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７］
　ダイレクトイメージング露光用である、［１］～［６］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［８］
　［１］～［７］のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が支持体上に積層された、感光性エレメント。
［９］
　［８］に記載の感光性エレメントの前記感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程；
　積層された前記感光性樹脂層を露光する露光工程；及び
　露光された前記感光性樹脂層を現像する現像工程；
を含む、レジストパターンの形成方法。
［１０］
　［８］に記載の感光性エレメントの前記感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程；
　積層された前記感光性樹脂層を露光する露光工程；
　露光された前記感光性樹脂層を現像して、前記導体基板上にレジストパターンを形成する現像工程；
　前記レジストパターンが形成された前記導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程；及び
　前記レジストパターンを剥離する剥離工程；
を含む、配線板の製造方法。
＜第一の実施形態の効果＞
　本発明の第一の実施形態によれば、ラインプロセスによって微細な導体パターンを形成するに際し、配線幅の縦横差が抑制されたレジスト材料が提供される。
＜第二の実施形態の効果＞
　本発明の第二の実施形態によれば、感度、解像度等の、感光性材料に一般的に要求される性能を高いレベルで具備するとともに、現像分散性と微細パターンの密着性の双方に優れる新規な感光性材料が提供される。
＜第三の実施形態の効果＞
　本発明の第三の実施形態によれば、レジストパターンのテント性と水残りショート不良抑制性を両立することができる感光性樹脂組成物が提供される。
＜第四の実施形態の効果＞
　本発明の第四の実施形態によれば、レジストパターンの良好な解像性を確保し、かつ最小現像時間を延長することができる感光性樹脂組成物、及びそれを用いたレジストパターン又は配線板の形成方法が提供される。
＜第一の実施形態＞
　以下、本発明の第一の実施形態を実施するための形態（以下、「本第一の実施形態」と略記する）について具体的に説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
　本第一の実施形態において、感光性樹脂組成物は、下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
（Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子、
（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
（Ｃ）成分：光重合開始剤、
を含有する。
［（Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子］
　前記（Ａ）成分は、後述する現像液に溶解するものである限り、特に限定されるものではない。好ましくは、（メタ）アクリル酸と、その他のモノマーとの共重合体である。共重合体の重量平均分子量（後述）と数平均分子量との比で表される共重合体の分散度は、１以上６以下であることが好ましい。
　（メタ）アクリル酸としては、例えば、（メタ）アクリル酸、ペンテン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、ヒドロキシスチレン等を挙げることができる。上記不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、フマル酸、シトラコン酸無水物等を挙げることができる。中でも、（メタ）アクリル酸が好ましい。
　前記（Ａ）成分における（メタ）アクリル酸単位の共重合割合としては、全モノマー単位の合計質量に対して、１０質量％～２４質量％であることが好ましく、１５質量％～２３質量％であることがより好ましい。（メタ）アクリル酸単位の含有割合がこの範囲にあることは、導体パターンを形成する際のエッチング速度の抑制（上述した導体ラインパターンのボトム幅が一定以上に保持されること）、及び配線幅の縦横差抑制の観点から好ましい。
　その他のモノマーとしては、例えば、不飽和芳香族化合物（「芳香族モノマー」とも記載することがある）、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アラルキルエステル、共役ジエン化合物、極性モノマー、架橋性モノマー等を挙げることができる。
　不飽和芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルナフタレン等を挙げることができる。中でも、スチレンが好ましい。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、鎖状アルキルエステル及び環状アルキルエステルの双方を包含する概念であり、具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ｎ－テトラデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
　（メタ）アクリル酸アラルキルエステルとしては、例えばベンジル（メタ）アクリレート等を；
共役ジエン化合物としては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、２－フェニル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－ペンタジエン、１，３－ヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン等を、それぞれ挙げることができる。
　極性モノマーとしては、例えば、
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ペンテンオール等のヒドロキシ基含有モノマー；
メタクリル酸２－アミノエチル等のアミノ基含有モノマー；
(メタ)アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマー；
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α－クロロアクリロニトリル、α－シアノエチルアクリレート等のシアノ基含有モノマー；
グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシル等のエポキシ基含有モノマー；
等を挙げることができる。
　架橋性モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。
　前記（Ａ）成分としては特に、（メタ）アクリル酸、スチレン、及びその他のモノマーの共重合体であることが好ましい。
　前記（Ａ）成分におけるスチレン単位の共重合割合としては、全モノマー単位の合計質量に対して、３２質量％以上であることが好ましく、３５質量％以上であることがより好ましい。また、前記（Ａ）成分におけるスチレン単位の共重合割合としては、全モノマー単位の合計質量に対して、６０質量％以下であることが好ましく、５５質量％以下であることがより好ましい。疎水性が高く、現像液及び現像水洗水と馴染み難いスチレンの共重合割合を上記範囲に設定することは、配線幅の縦横差抑制の観点から好ましい。
　前記（Ａ）成分の重量平均分子量（（Ａ）成分が複数種の共重合体を含む場合には、その混合物全体についての重量平均分子量）は、５，０００～１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００～５００，０００であることがより好ましく、１５，０００～１００，０００であることが更に好ましい。（Ａ）成分の重量平均分子量をこの範囲内に調整することは、レジストパターン形成の際の現像時間を、使用するラインプロセスの稼働状態に適合させる観点から好ましい。
　本第一の実施形態では、感光性樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として（以下、特に明示しない限り、各含有成分において同様である）、１０質量％～９０質量％が好ましく、２０質量％～８０質量％がより好ましく、４０質量％～６０質量％が更に好ましい。この含有量は、アルカリ現像性を維持するという観点から１０質量％以上であることが好ましく、一方で、露光によって形成されるレジストパターンがレジストとしての性能を十分に発揮するという観点から９０質量％以下であることが好ましい。
（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％～２４質量％で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％～６０質量％である共重合体は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として、８％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、１３．５／９９．１９×１００質量％以上であることが特に好ましい。（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％～２４質量％で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％～６０質量％である共重合体は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として、５０質量％以下であってもよく、４０質量％以下であってもよく、３０質量％以下であってもよく、２７／９９．１９×１００質量％以下であってもよく、２０質量％以下であってもよい。
［（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物］
　（Ｂ）成分は、エチレン性二重結合を１個以上有していればよい。エチレン性二重結合を２個以上有する化合物を用いることが好ましい。
　エチレン性二重結合を２個有する（Ｂ）化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ化合物、特に、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均２モル～１５モルずつのアルキレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。
　また、エチレン性二重結合を３個有する（Ｂ）化合物としては、例えば、トリメチロールプロパン化合物、特に、トリメチロールプロパンに平均３モル～２５モルのアルキレンオキサイドを付加したポリアルキレントリオールのトリ（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。
　更に、エチレン性二重結合を４個有する（Ｂ）化合物としては、例えば、ペンタエリスリトール化合物、特に、ペンタエリスリトールに平均４モル～３５モルのアルキレンオキサイドを付加したポリオールのテトラ（メタ）アクリレート等が好ましく用いられる。
　これらの市販品としては、例えば、「ＢＰＥ－５００」、「Ａ－ＴＭＰＴ－３ＥＯ」、「Ａ－９３００－１ＣＬ」等（以上、何れも新中村化学社製）：
「アロニックスＭ－３２７」等（東亞合成社製）等を挙げることができる。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物における（Ｂ）成分の含有量は、１質量％～７０質量％が好ましく、５質量％～６０質量％がより好ましく、１０質量％～５０質量％が更に好ましい。この含有量は、硬化不良及び現像時間の遅延を抑えるという観点から１質量％以上であることが好ましく、一方で、コールドフロー及び硬化レジストの剥離遅延を抑えるという観点から７０質量％以下であることが好ましい。
　（Ｂ）成分としては、分子量が１，０００以上の高分子量化合物を使用することが好ましい。この高分子量化合物の分子量は、より好ましくは１，３００以上３，０００以下である。このような高分子量化合物を含有することは、導体パターンを形成する際のエッチング速度抑制、及び配線幅の縦横差抑制の観点から好ましい。
　なお、このような高分子量化合物の、（Ｂ）成分中に占める割合は、２０質量％以上とすることが好ましく、２０～５０質量％とすることがより好ましい。
　ここで、（Ｂ）成分の二重結合濃度の指標として、ＤＤ値を定義する。ＤＤ値はモノマーの重量平均分子量あたりの二重結合数であり、モノマーごとに特有の値を有する。
ＤＤ値が小さいモノマーを感光性樹脂組成物に使用すると、光硬化後の膜が柔軟になりやすい傾向がある。
（Ｂ）成分が複数種から成るときには、それぞれのエチレン性不飽和結合含有化合物のＤＤ値と配合割合の加重平均をその組成物のＤＤ値と考える。
配線幅の縦横差抑制やテンティング性向上の観点から、好ましい組成物のＤＤ値の範囲は０．１０～０．１３である。さらに好ましくは０．１０～０．１２５である。
［（Ｃ）成分：光重合開始剤］
　（Ｃ）成分は、光の照射により前記（Ｂ）成分の重合を開始し得るラジカルを発生する成分である。
　このような（Ｃ）成分としては、例えば、芳香族ケトン化合物、キノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン化合物、ベンジル化合物、ヘキサアリールビスイミダゾール化合物、アクリジン化合物等が挙げられる。
これらのうち、高度の解像性及び良好なテンティング性の観点から、アクリジン化合物を使用することが好ましい。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物におけるアクリジン化合物の含有量は、０．０５質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．２質量％がより好ましく、０．３質量％がより好ましく、０．４質量％がより好ましい。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物におけるアクリジン化合物の含有量は、２．０質量％以下が好ましく、１．８質量％以下がより好ましく、１．７質量％以下がより好ましく、１．６質量％以下がより好ましい。上記範囲であると、配線幅の縦横差を抑制するレジスト材料を提供することが可能となり、好ましい。
　アクリジン化合物としては、例えば、アクリジン、９－フェニルアクリジン、１，６－ビス（９－アクリジニル）ヘキサン、１，７－ビス（９－アクリジニル）ヘプタン、１，８－ビス（９－アクリジニル）オクタン、１，９－ビス（９－アクリジニル）ノナン、１，１０－ビス（９－アクリジニル）デカン、１，１１－ビス（９－アクリジニル）ウンデカン、１，１２－ビス（９－アクリジニル）ドデカン等を挙げることができる。
（Ｃ）成分としてアクリジン化合物及びヘキサアリールビスイミダゾール化合物を使用することが好ましい。
　上記ヘキサアリールビスイミダゾール化合物としては、例えば、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，２’，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－４－（３，４－ジメトキシフェニル）－４’，５’－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４－ビス－（ｏ－クロロフェニル）－５－（３，４－ジメトキシフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－ビス－４，５－（３，４－ジメトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２－フルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３－ジフルオロメチルフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，５－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，６－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，６－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体等を挙げることができる。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物における（Ｃ）成分の含有量は、０．１質量％～２質量％が好ましく、０．２質量％～１．８質量％の範囲であることがより好ましく、０．３質量％～１．７質量％の範囲であることが更に好ましく、０．４質量％～１．６質量％であることが特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量をこのような範囲に設定することは、良好な光感度及び剥離特性を得るという観点から好ましい。
　（Ｃ）成分は、感度及び解像性の向上の観点から、増感剤を更に含有することができる。このような増感剤としては、例えば、Ｎ－アリールアミノ酸、有機ハロゲン化合物、その他の増感剤を挙げることができる。
　上記Ｎ－アリールアミノ酸としては、例えば、Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－メチル－Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－エチル－Ｎ－フェニルグリシン等を；
有機ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス（２，３－ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１－トリクロロ－２，２－ビス（ｐ－クロロフェニル）エタン、クロル化トリアジン化合物等を；
それぞれ挙げることができる。
　上記その他の増感剤としては、例えば、２－エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン、３－クロロ－２－メチルアントラキノン等のキノン化合物；
ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等の芳香族ケトン化合物；
ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾインエーテル化合物；
ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－Ｏ－ベンゾインオキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル化合物；
等を、挙げることができる。
　本第一の実施形態における増感剤の含有量は、組成物の光感度及びレジスト硬化膜の剥離性の観点から、０．０１質量％～５質量％が好ましく、０．０５質量％～３質量％がより好ましく、０．１質量％～２質量％が更に好ましい。
　なお、本第一の実施形態の感光性樹脂組成物においては、（Ｃ）成分としてアクリジン化合物及びＮ－アリールアミノ酸を使用し、これらを上記の使用割合の範囲内で併用することが、導体パターンを形成する際のエッチング速度抑制、及び配線幅の縦横差抑制の観点から好ましい。
［その他の成分］
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物は、上記に説明した（Ａ）～（Ｃ）成分に加え、その他の成分を含有していてもよい。このようなその他の成分としては、例えば、ロイコ染料、ベース染料、可塑剤、酸化防止剤、安定化剤、ラジカル重合禁止剤、溶媒等を挙げることができる。
［ロイコ染料］
　上記ロイコ染料は、レジスト硬化膜に対して、好適な発色性と、優れた剥離特性とを付与するために、本第一の実施形態の感光性樹脂組成物に配合することができる。
　ロイコ染料の具体例としては、例えば、ロイコクリスタルバイオレット（トリス［４－（ジメチルアミノ）フェニル］メタン）、３，３－ビス（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－６－ジメチルアミノフタリド、３－（４－ジエチルアミノフェニル）－３－（１－エチル－２－メチルインドール－３－イル）フタリド、３－（４－ジエチルアミノ－２－エトキシフェニル）－３－（１－エチル－２－メチルインドール－３－イル）－４－アザフタリド、１，３－ジメチル－６－ジエチルアミノフルオラン、２－クロロ－３－メチル－６－ジメチルアミノフルオラン、３－ジブチルアミノ－６－メチル－７－アニリ ノフルオラン、３－ジエチルアミノ－６－メチル－７－アニリノフルオラン、３－ジエチルアミノ－６－メチル－７－キシリジノフルオラン、２－（２－クロロアニリノ）－６－ジブチルアミノフルオラン、３，６－ジメトキシフルオラン、３，６－ジ－ｎ－ブトキシフルオラン、１，２－ベンツ－６－ジエチルアミノフルオラン、１，２－ベンツ－６－ジブチルアミノフルオラン、１，２－ベンツ－６－エチルイソアミルアミノフルオラン、２－メチル－６－（Ｎ－ｐ－トリル－Ｎ－エチルアミノ）フルオラン、２－（Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノ）－６－（Ｎ－ｐ－トリル－Ｎ－エチルアミノ）フルオラン、２－（３’－トリフ ルオロメチルアニリノ）－６－ジエチルアミノフルオラン、３－クロロ－６－シクロヘキシルアミノフルオラン、２－メチル－６－シクロヘキシルアミノフルオ ラン、３－メトキシ－４－ドデコキシスチリノキノリン等を挙げることができる。これらのうち、ロイコクリスタルバイオレットが好ましい。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物におけるロイコ染料の含有量は、０．６質量％～１．６質量％であることが好ましく、０．７質量％～１．２質量％であることがより好ましい。ロイコ染料の使用割合をこの範囲に設定することにより、良好な発色性と、良好な剥離性とを実現することができる。
［ベース染料］
　上記ベース染料としては、例えば、ベーシックグリーン１［ＣＡＳ番号（以下、同じ）：６３３－０３－４］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｇｒｅｅｎ　ＧＨ、商品名、保土谷化学工業製）、マラカイトグリーンシュウ酸塩［２４３７－２９－８］（例えばＡｉｚｅｎ　Ｍａｌａｃｈｉｔｅ　Ｇｒｅｅｎ、商品名、保土谷化学工業製）、ブリリアントグリーン［６３３－０３－４］、フクシン［６３２－９９－５］、メチルバイオレット［６０３－４７－４］、メチルバイオレット２Ｂ［８００４－８７－３］、クリスタルバイオレット［５４８－６２－９］、メチルグリーン［８２－９４－０］、ビクトリアブルーＢ［２５８０－５６－５］、ベーシックブルー７［２３９０－６０－５］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｖｉｃｔｏｒｉａ　Ｐｕｒｅ　Ｂｌｕｅ　ＢＯＨ、商品名、保土谷化学工業製）、ローダミンＢ［８１－８８－９］、ローダミン６Ｇ［９８９－３８－８］、ベーシックイエロー２［２４６５－２７－２］、ダイアモンドグリーン等が挙げられる。これらのうち、ベーシックグリーン１、マラカイトグリーンシュウ酸塩、ベーシックブルー７、及びダイアモンドグリーンから選択される１種以上が好ましく、色相安定性及び露光コントラストの観点から、ベーシックグリーン１が特に好ましい。
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物におけるベース染料の含有量は、０．００１質量％～３質量％が好ましく、より好ましくは０．０１質量％～２質量％の範囲であり、更に好ましくは、０．０１質量％～１．２質量％の範囲である。この範囲の使用割合とすることにより、良好な発色性と、高い感度とを両立することができる。
［溶媒］
　本第一の実施形態の感光性樹脂組成物は、上記の（Ａ）～（Ｃ）成分及び任意的に使用されるその他の成分の混合物であることができ、又はこれらの成分に適当な溶媒を添加して構成される感光性樹脂組成物調合液として用いてもよい。
　ここで使用される溶媒としては、例えば、
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等のケトン化合物；
エタノール、エタノール、及びイソプロピルアルコール等のアルコール；
等が挙げられる。
　溶媒の使用割合としては、感光性樹脂組成物調合液の２５℃における粘度が５００～４，０００ｍＰａ・ｓｅｃとなるような割合とすることが好ましい。
＜感光性エレメント＞
　本第一の実施形態において、感光性エレメントは、上述した感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が、支持体上に積層された積層体（感光性樹脂積層体）である。必要により、前記感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していてもよい。
［支持体］
　支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明な基材が好ましい。このような支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられる。これらのフィルムとしては、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。
　支持体のヘーズは、５以下であることが好ましい。
　支持体の厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要がある。これら双方を考慮すると、１０μｍ～３０μｍの支持体を好ましく用いることができる。
［感光性樹脂組成物層］
　感光性樹脂組成物層の形成に使用する感光性樹脂組成物が溶媒を含有している場合、溶媒は感光性樹脂組成物層においては除去されていることが好ましいが、溶媒が残存していてもかまわない。
　感光性樹脂組成物層の厚みは、好ましくは５μｍ～１００μｍであり、より好ましくは７μｍ～６０μｍである。この厚みが薄いほど解像度は向上し、厚いほど膜強度が向上する。従って、該組成物層の厚みは、用途に応じて上記の範囲内で適宜選択することができる。
［保護層］
　保護層の重要な特性は、感光性樹脂組成物層との密着力が、支持体と感光性樹脂組成物層との密着力よりも十分に小さく、容易に剥離できることである。保護層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が好ましく使用できる他、例えば特開昭５９－２０２４５７号公報に開示された剥離性の優れたフィルムを用いることができる。
　保護層の厚みは、１０μｍ～１００μｍが好ましく、１０μｍ～５０μｍがより好ましい。
［感光性エレメントの製造方法］
　感光性エレメントは、支持体及び感光性樹脂層、並びに必要により保護層を順次積層することにより、製造することができる。支持体、感光性樹脂層、及び保護層の積層方法としては、公知の方法を採用することができる。
　例えば、感光性樹脂組成物を前述の感光性樹脂組成物調合液として調製し、先ず、支持体上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布して乾燥させ、支持体上に感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂組成物層を形成する。次いで、必要により、形成された感光性樹脂組成物層上に保護層を積層することにより、感光性エレメントを製造することができる。
＜レジストパターンの形成方法＞
　上記のような感光性エレメントを用いて、基板上にレジストパターンを形成することができる。
　レジストパターンの形成方法は、
感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、及び
前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
を、上記に記載の順に含むことが好ましい。
　また、ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程であることが好ましい。湿潤剤としては、純水、脱イオン水、及び電解水から選ばれる１種以上と、銅キレート化剤（例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、及びピラゾール化合物から成る群から選ばれる１種以上の化合物）とを含むことが好ましい。
　本第一の実施形態のレジストパターンの形成方法においては、先ず、ラミネート工程において、ラミネーターを用いて基板上に感光性樹脂組成物層を形成する。具体的には、感光性エレメントが保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターを用いて感光性樹脂組成物層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。
　基板としては、金属板又は金属皮膜を有する絶縁性基板が用いられる。金属の材質としては、例えば、銅、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、ガラス、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの基板は、多層基板に対応するためのスルーホールを有していてもよい。
　ここで、感光性樹脂組成物層は、基板表面の片面だけにラミネートしてもよいし、必要に応じて基板両面にラミネートしてもよい。この時の加熱温度は、４０℃～１６０℃とすることが好ましい。加熱圧着を２回以上行うことは、得られるレジストパターンの基板に対する密着性をより向上させる観点から好ましい。２回以上の圧着を行う場合には、二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用してもよいし、基板と感光性樹脂組成物層との積層物を何回か繰り返してロールに通して圧着してもよい。
　次に、露光工程において、露光機を用いて感光性樹脂組成物層を露光する。この露光は、支持体を剥離せずに該支持体を介して行ってもよいし、必要ならば支持体を剥離した後に行ってもよい。
　この露光をパターン状に行うことにより、後述の現像工程を経由した後、所望のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）を得ることができる。パターン状の露光は、フォトマスクを介して露光する方法、及びマスクレス露光の何れの方法によってもよい。フォトマスクを介して露光する場合、露光量は、光源照度及び露光時間により決定される。露光量は、光量計を用いて測定してもよい。
　マスクレス露光においては、フォトマスクを使用せず、基板上に直接描画装置によって露光する。光源としては、波長３５０ｎｍ～４１０ｎｍの半導体レーザー、超高圧水銀灯等が用いられる。マスクレス露光において、描画パターンはコンピューターによって制御され、露光量は、露光光源の照度及び基板の移動速度によって決定される。
　次に、現像工程において、感光性樹脂組成物層の未露光部を、現像液により除去する。露光後、感光性樹脂組成物層上に支持体がある場合には、これを除いた後に現像工程に供することが好ましい。
　現像工程においては、アルカリ水溶液から成る現像液を用いて、未露光部を現像除去し、レジスト画像を得る。アルカリ水溶液としては、例えば、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３等の水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液は、感光性樹脂組成物層の特性に合わせて選択されるが、０．２質量％～２質量％の濃度のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いることが好ましい。該アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。
　現像工程における現像液の温度は、２０℃～４０℃の範囲で一定温度に保つことが好ましい。
　上述の工程によってレジストパターンが得られる。場合によっては、更に１００℃～３００℃の加熱工程を行ってもよい。この加熱工程を実施することは、更なる耐薬品性向上の観点から好適である。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の適宜の方式の加熱炉を用いることができる。
＜配線板の形成方法＞
　本第一の実施形態の配線板の形成方法は、
感光性エレメントの感光性樹脂組成物層を導体基板上に積層するラミネート工程、
前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、
前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
前記現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程、及び
前記レジストパターンを剥離する剥離工程、
を、好ましくは上記に記載の順に含む。
　また、ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程であることが好ましい。湿潤剤としては、純水、脱イオン水、及び電解水から選ばれる１種以上と、銅キレート化剤（例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、及びピラゾール化合物から成る群から選ばれる１種以上の化合物）とを含むことが好ましい。
　導体パターン形成工程においては、レジストパターンが形成された基板上で、現像工程によって露出した基板表面（例えば銅面）に、公知のエッチング法又はめっき法を用いて導体パターンを形成することができる。
　上記剥離工程においては、導体パターンが形成された基板を適当な剥離液と接触させることにより、レジストパターンが剥離除去される。この工程により、所望の配線板が得られる。
　剥離工程において使用される剥離液は、アルカリ水溶液であることが好ましい。このアルカリ水溶液としては、例えば、２質量％～５質量％のＮａＯＨ水溶液又はＫＯＨ水溶液を使用することが好ましい。剥離液には、少量の水溶性溶媒、例えばアルコール等、を加えてもよい。剥離工程における剥離液の温度は、４０℃～７０℃とすることが好ましい。
　一般に、エッチングによる導体パターン形成においては、エッチング速度の如何に関わらず、例えばエッチングラインの搬送速度を調整する等して、所望の配線幅となるエッチング時間を調整することができる。しかし、エッチング速度が速すぎる場合には、搬送速度も速くなりすぎてしまい、実用上エッチング時間を設定できない等の問題を来たすことがある。
　しかも近年では、配線板の製造は、基板を一定の方向に搬送しつつ順次に処理を行うラインプロセスによって行われるのが通常であり、基板の搬送方向に対して、導体のラインが平行である場合（ＭＤ方向のライン）、垂直である場合（ＴＤ方向のライン）、及び斜めである場合がある。特にエッチング速度が速い場合、配線幅の縦横差がより顕著となる傾向にある。
　本発明者らは鋭意検討の結果、硬化レジストパターンを形成する感光性樹脂組成物が特定の物性を有する場合に、ラインプロセスによって微細な導体パターンを形成するに際し、配線幅の縦横差が抑制されたレジスト材料を提供できることを見出した。
　即ち、本第一の実施形態の感光性樹脂組成物は、１８μｍ厚みの銅箔が積層された銅張積層板上に、前記感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を２５μｍ厚みで積層し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍのパターン状の光照射及び現像処理を経て硬化レジストパターンを形成し、５０℃において５５秒間の銅エッチング処理を施した後に、前記硬化レジストパターンを除去して得られる銅ラインパターンのボトム幅が３８μｍ以上（好ましくは３８μｍ～５０μｍ、より好ましくは４０μｍ～４５μｍ）である、という特徴を有するものである。
ところで、レジストパターンは、現像、水洗工程、及びエッチング工程のそれぞれにおいて膨潤／収縮が生じ、特に水洗工程での膨潤／収縮が大きい。このレジストパターンの膨潤／収縮が配線とレジストパターンとの密着性を低下させていると考えられる。本第一の実施形態の感光性樹脂組成物から形成されたレジストパターンは、現像、水洗工程、エッチング工程の何れの工程でも膨潤／収縮が小さく、レジストパターンと配線との界面でエッチングが進行しにくく、配線幅の縦横差を抑制することができると考えられている。
　本第一の実施形態においては、特定の分析手法（特定のエッチング条件）を用いた場合の特性（導体ライン幅のボトム幅が一定以上）に着目して特定の感光性樹脂組成物を峻別することを、発明の効果を奏する手段としている。
　なお、このような導体ライン幅のボトム幅の調整は、感光性樹脂組成物の組成を適宜に設定することで調整可能である。
　そして、上記のような本第一の実施形態の配線板の形成方法によって形成された導体パターン（配線）は、導体パターンの配線幅の縦横差を極めて小さいものとすることができる。配線幅の縦横差は、ＴＤ方向の導体ラインの配線幅（ＴＤ）と、ＭＤ方向の導体ラインの配線幅（ＭＤ）との差、ＴＤ－ＭＤによって表される量である。
　本第一の実施形態の導体パターンの形成方法によって形成された導体パターンにおける配線幅の縦横差の絶対値は、好ましくは０μｍ～５μｍであり、より好ましくは０μｍ～３μｍである。
　本第一の実施形態における感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及び配線板の形成方法は、例えば、プリント配線板、リードフレーム、凹凸パターンを有する基材、半導体パッケージ等の製造に、極めて好適に適用することができる。
　なお、上述した各種パラメータの測定方法については特に断りのない限り、後述の実施例における測定方法に準じて測定される。
＜第二の実施形態＞
　以下、本発明の第二の実施形態を実施するための形態（以下、「本第二の実施形態」と略記する）について具体的に説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
　本第二の実施形態において、感光性樹脂組成物は、下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
（Ａ）成分：酸当量１００～６００のアルカリ可溶性高分子、
（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
（Ｃ）成分：光重合開始剤、
を含有する。
［（Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子］
　前記（Ａ）成分は、酸当量が１００～６００（好ましくは、２００～５００、より好ましくは、２５０～４５０）であって、スチレン単位を５０質量％以上含む共重合体を含有する。ここで、本明細書において、スチレン単位とは、置換または非置換のスチレンを意味する。なお、置換基としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、ハロゲン基、水酸基等が挙げられる。
　（Ａ）成分は、スチレン誘導体と、好ましくは酸モノマー等の他のモノマーとの共重合体である。
　酸モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、ペンテン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、ヒドロキシスチレン等を挙げることができる。不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、フマル酸、シトラコン酸無水物等を挙げることができる。中でも、（メタ）アクリル酸が好ましい。
　その他のモノマーとしては、例えば、不飽和芳香族化合物（「芳香族モノマー」とも記載することがある）、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アラルキルエステル、共役ジエン化合物、極性モノマー、架橋性モノマー等を挙げることができる。
　不飽和芳香族化合物としては、例えば、ビニルナフタレン等を挙げることができる。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、鎖状アルキルエステル及び環状アルキルエステルの双方を包含する概念であり、具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ｎ－テトラデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
　（メタ）アクリル酸アラルキルエステルとしては、例えばベンジル（メタ）アクリレート等を；
　共役ジエン化合物としては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、２－フェニル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－ペンタジエン、１，３－ヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン等を；
それぞれ挙げることができる。
　極性モノマーとしては、例えば、
　ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ペンテンオール等のヒドロキシ基含有モノマー；
　メタクリル酸２－アミノエチル等のアミノ基含有モノマー；
　(メタ)アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマー；
　アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α－クロロアクリロニトリル、α－シアノエチルアクリレート等のシアノ基含有モノマー；
　グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシル等のエポキシ基含有モノマー；
等を挙げることができる。
　架橋性モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。
　前記（Ａ）成分は特に、（メタ）アクリル酸、スチレン、及びその他のモノマーの共重合体であることが好ましい。
　（Ａ）成分は、スチレン単位を５０質量％以上含む共重合体１を含有する。この共重合体１におけるスチレン単位の量は、５０質量％～８０質量％であることが好ましく、５１質量％～７０質量％であることがより好ましい。
　本第二の実施形態における（Ａ）成分は、共重合体１のみから構成されていてもよいし、共重合体１とその他の重合体との混合物であってもよい。（（Ａ）成分中の共重合体１の含有量は、５質量％～９０質量％が好ましく、１０質量％～８０質量％がより好ましく、２０質量％～７０質量％が更に好ましい。
　その他の重合体としては、上記に説明した酸モノマーとその他のモノマーとの共重合体であって、共重合体１に該当しないもの（共重合体２）が好適である。
　（Ａ）成分の重量平均分子量（（Ａ）成分が複数種の共重合体を含む場合には、その混合物全体についての重量平均分子量）は、５，０００～１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００～５００，０００であることがより好ましく、１５，０００～１００，０００であることが更に好ましい。（Ａ）成分の重量平均分子量をこの範囲内に調整することは、レジストパターン形成の際の現像時間を、使用するラインプロセスの稼働状態に適合させる観点から好ましい。（Ａ）成分の重量平均分子量と数平均分子量との比で表される共重合体の分散度は、１以上６以下であることが好ましい。
　本第二の実施形態では、感光性樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として（以下、特に明示しない限り、各含有成分において同様である）、１０質量％～９０質量％が好ましく、２０質量％～８０質量％がより好ましく、４０質量％～６０質量％が更に好ましい。この含有量は、アルカリ現像性を維持するという観点から１０質量％以上であることが好ましく、一方で、露光によって形成されるレジストパターンがレジストとしての性能を十分に発揮するという観点から９０質量％以下であることが好ましい。
［（Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物］
　（Ｂ）成分は、エチレン性二重結合を１個以上有していれば、特に限定されるものではない。ただし、本第二の実施形態における（Ｂ）成分は、必須的に含有する化合物（Ｂ１）として、下記一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ｛式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基であり、ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に、０～３０の整数であり、ただし、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３≧６の条件を満たす。｝で表される化合物を含む。
　式（Ｉ）において、Ｒとしては、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。ｎ１、ｎ２及びｎ３は、それぞれ独立に、１～３０の整数であることが好ましく、３～２１の整数であることがより好ましい。
　式（Ｉ）において、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３の値は、現像分散性を向上させるという観点から、９を超え、かつ２０以下であることが好ましく、１５以上２０以下であることがより好ましい。
　式（Ｉ）において、現像分散性を向上させるという観点から、少なくとも１つのＲが水素原子であることが好ましく、全てのＲが水素原子であることがより好ましい。
　さらに、式（Ｉ）において、現像分散性と密着性を両立する観点から、全てのＲが水素原子であり、かつｎ１＋ｎ２＋ｎ３の値が１５以上２０以下であることが特に好ましい。
　式（Ｉ）で表される化合物は、公知の方法を用いて合成され、例えば、トリメチロールプロパンに６当量以上のエチレンオキサイドを付加して得られる付加物に、更に３モルの（メタ）アクリル酸を付加又はエステル交換して得られることができる。
　式（Ｉ）で表される化合物の好ましい具体例としては、エチレンオキサイド（ＥＯ）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート（ＥＯ付加モル総数は６～２０である）等が挙げられる。
　本第二の実施形態における（Ｂ）成分は、化合物（Ｂ１）のみから構成されていてもよく、化合物（Ｂ１）と他の（Ｂ）成分との混合物であってもよい。
　本第二の実施形態の（Ｂ）成分が混合物であるとき、混合物中の化合物（Ｂ１）の含有量は、その混合物の総質量を基準として、好ましくは１０質量％以上であり、より好ましくは１０質量％～５０質量％であり、更に好ましくは１５質量％～３５質量％である。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物における化合物（Ｂ１）の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として、好ましくは５質量％以上であり、より好ましくは５．５質量％～３０質量％であり、更に好ましくは６質量％～２０質量％である。
　ここで、特定の酸当量を有し、かつ、スチレン単位を特定量有するアルカリ可溶性高分子と、前記（Ｂ１）成分と、アクリジンとを含むことにより、現像分散性と微細パターンの密着性の双方に優れる感光性樹脂組成物が実現させるメカニズムは定かではないが、スチレン単位とアクリジン成分との相互作用（π電子スタッキングによる）、および、酸モノマーと前記（Ｂ１）成分との相互作用（水素結合による）が、良好に発現され、全体として相溶性が向上することが、上記特性に寄与するものと推察される。
　本第二の実施形態には、現像分散性の観点から、（Ｂ）成分は、化合物（Ｂ１）と共に、ペンタエリスリトール変性モノマー（以下、「化合物（Ｂ２）」という。）を含有することが好ましい。化合物（Ｂ２）としては、ペンタエリスリトールに、好ましくは平均４モル～３５モル、より好ましくは８モル～２８モル、さらに好ましくは１２モル～２０モルのアルキレンオキサイドを付加したポリオールのテトラ（メタ）アクリレートが使用される。
　（Ｂ）成分における化合物（Ｂ２）の含有量は、（Ｂ）成分の総質量を基準として、好ましくは１０質量％～４０質量％であり、より好ましくは１５質量％～３０質量％である。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物における化合物（Ｂ２）の含有量は、好ましくは１質量％以上であり、より好ましくは１質量％～２０質量％であり、更に好ましくは５質量％～１５質量％である。
　（Ｂ）成分は、化合物（Ｂ１）及び（Ｂ２）以外のエチレン性二重結合を有する化合物を含んでよい。
　（Ｂ）成分は、以下の成分：
　ビスフェノールＡ化合物、例えば、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均２モル～１５モルずつのアルキレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート等；
　エチレン性二重結合を３個有する化合物（Ｂ１を除く）、例えば、トリメチロールプロパンに平均３モル～２５モルのアルキレンオキサイドを付加したポリアルキレントリオールのトリ（メタ）アクリレート等；
を含んでもよい。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物における（Ｂ）成分の含有量は、１質量％～７０質量％が好ましく、５質量％～６０質量％がより好ましく、１０質量％～５０質量％が更に好ましい。この含有量は、硬化不良及び現像時間の遅延を抑えるという観点から１質量％以上であることが好ましく、一方で、現像液中の凝集物の発生を抑えるという観点から７０質量％以下であることが好ましい。
［（Ｃ）成分：光重合開始剤］
　（Ｃ）成分は、光の照射により前記（Ｂ）成分の重合を開始し得るラジカルを発生する成分である。
　本第二の実施形態では、（Ｂ）光重合開始剤として、アクリジン化合物を用いることができる。更に、アクリジン化合物とその他の光重合開始剤とを併用してもよい。アクリジン系化合物は、本第二の実施形態の感光性樹脂組成物の感度及び解像度を向上するために使用することが好ましい。
　アクリジン化合物としては、例えば、１，７－ビス（９，９’－アクリジニル）ヘプタン、９－フェニルアクリジン、９－メチルアクリジン、９－エチルアクリジン、９－クロロエチルアクリジン、９－メトキシアクリジン、９－エトキシアクリジン、９－（４－メチルフェニル）アクリジン、９－（４－エチルフェニル）アクリジン、９－（４－ｎ－プロピルフェニル）アクリジン、９－（４－ｎ－ブチルフェニル）アクリジン、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アクリジン、９－（４－メトキシフェニル）アクリジン、９－（４－エトキシフェニル）アクリジン、９－（４－アセチルフェニル）アクリジン、９－（４－ジメチルアミノフェニル）アクリジン、９－（４－クロロフェニル）アクリジン、９－（４－ブロモフェニル）アクリジン、９－（３－メチルフェニル）アクリジン、９－（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アクリジン、９－（３－アセチルフェニル）アクリジン、９－（３－ジメチルアミノフェニル）アクリジン、９－（３－ジエチルアミノフェニル）アクリジン、９－（３－クロロフェニル）アクリジン、９－（３－ブロモフェニル）アクリジン、９－（２－ピリジル）アクリジン、９－（３－ピリジル）アクリジン、９－（４－ピリジル）アクリジン等を挙げることができる。
　その他の光重合開始剤としては、例えば、
　２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，２’，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－４－（３，４－ジメトキシフェニル）－４’，５’－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４－ビス－（ｏ－クロロフェニル）－５－（３，４－ジメトキシフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－ビス－４，５－（３，４－ジメトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２－フルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３－ジフルオロメチルフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，５－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，６－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，６－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体等のヘキサアリールビスイミダゾール化合物；
　２－（ｏ―クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ―クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ―フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ―メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ―メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体（ただし、上記ヘキサアリールビスイミダゾール化合物に該当するものを除く。）；
　ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モノホルノフェニル）―ブタノン－１、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノ－プロパノン－１等の芳香族ケトン；
　２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；
　ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物；
　ベンジルメチルケタール等のベンジル誘導体；
　Ｎ－フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等が挙げられる。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物におけるアクリジン化合物の含有量は、好ましくは０．００１質量％～２質量％、より好ましくは０．０１質量％～１．５質量％、更に好ましくは０．１質量％～１質量％の範囲内である。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物における（Ｃ）成分の含有量（アクリジン化合物を含めた（Ｃ）成分全体の含有量）は、０．１質量％～２質量％であることが好ましく、０．２質量％～１．８質量％であることがより好ましく、０．３質量％～１．７質量％であることが更に好ましく、０．４質量％～１．６質量％であることが特に好ましい。
　（Ｃ）成分は、感度及び解像性の向上の観点から、増感剤を更に含有することができる。このような増感剤としては、例えば、Ｎ－アリールアミノ酸、有機ハロゲン化合物、その他の増感剤を挙げることができる。
　上記Ｎ－アリールアミノ酸としては、例えば、Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－メチル－Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－エチル－Ｎ－フェニルグリシン等を；
　有機ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス（２，３－ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１－トリクロロ－２，２－ビス（ｐ－クロロフェニル）エタン、クロル化トリアジン化合物等を；
それぞれ挙げることができる。
　上記その他の増感剤としては、例えば、
　２－エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン、３－クロロ－２－メチルアントラキノン等のキノン化合物；
　ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等の芳香族ケトン化合物；
　ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾインエーテル化合物；
ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－Ｏ－ベンゾインオキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル化合物；
等を挙げることができる。
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物における増感剤の含有量は、組成物の光感度及びレジスト硬化膜の剥離性の観点から、０．０１質量％～５質量％が好ましく、０．０５質量％～３質量％がより好ましく、０．１質量％～２質量％が更に好ましい。
［その他の成分］
　本第二の実施形態の感光性樹脂組成物は、上記に説明した（Ａ）～（Ｃ）成分に加え、その他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、着色物質、ハロゲン化合物、安定化剤、溶剤等を挙げることができる。
　着色物質としては、ロイコ染料及びその他の着色物質を；
　安定化剤としては、例えばラジカル重合禁止剤、ベンゾトリアゾール化合物、カルボキシベンゾトリアゾール化合物等を；
それぞれ挙げることができる。
＜ロイコ染料＞
　ロイコ染料としては、例えば、トリス（４－ジメチルアミノフェニル）メタン［ロイコクリスタルバイオレット］、ビス（４－ジメチルアミノフェニル）フェニルメタン［ロイコマラカイトグリーン］等が挙げられる。とりわけ、良好なコントラストの観点から、ロイコクリスタルバイオレットを用いることが好ましい。
　感光性樹脂組成物中のロイコ染料の含有量は、０．１質量％～１０質量％であることが好ましい。ロイコ染料の含有量を０．１質量％以上に調整することは、露光部分と未露光部分のコントラストを得るという観点から好ましく、一方で、この含有量を１０質量％以下に調整することは、保存安定性を維持するという観点から好ましい。
＜その他の着色物質＞
　その他の着色物質としては、例えば、フクシン、フタロシアニングリーン、オーラミン塩基、パラマジエンタ、クリスタルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブルー２Ｂ、ビクトリアブルー、マラカイトグリーン（保土ヶ谷化学（株）製　アイゼン（登録商標）　ＭＡＬＡＣＨＩＴＥ　ＧＲＥＥＮ）、ベイシックブルー２０、ダイアモンドグリーン（保土ヶ谷化学（株）製　アイゼン（登録商標）　ＤＩＡＭＯＮＤ　ＧＲＥＥＮ　ＧＨ）等が挙げられる。
　感光性樹脂組成物中のその他の着色物質の含有量は、０．００１質量％～１質量％であることが好ましい。この含有量を０．００１質量％以上に調整することは、取扱い性を向上させるという観点から好ましく、一方で、この含有量を１質量％以下に調整することは、保存安定性を維持するという観点から好ましい。
＜ハロゲン化合物＞
　感光性樹脂組成物中にロイコ染料と下記ハロゲン化合物を組み合わせて用いることは、密着性及びコントラストの観点から、好ましい態様である。
　ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス（２，３－ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１－トリクロロ－２，２－ビス（ｐ－クロロフェニル）エタン、クロル化トリアジン化合物等が挙げられる。とりわけトリブロモメチルフェニルスルフォンが好ましい。感光性樹脂組成物中のハロゲン化合物の含有量は、０．０１質量％～３質量％であることが、感光層における色相の保存安定性を維持するという観点から好ましい。
＜ラジカル重合禁止剤、ベンゾトリアゾール化合物、及びカルボキシベンゾトリアゾール化合物＞
　ラジカル重合禁止剤としては、例えば、ｐ－メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、塩化第一銅、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－エチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、ニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、ジフェニルニトロソアミン等が挙げられる。
　ベンゾトリアゾール化合物としては、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－クロロ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－トリルトリアゾール、ビス（Ｎ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
　カルボキシベンゾトリアゾール化合物としては、例えば、４－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノエチレンカルボキシベンゾトリアゾール等が挙げられる。
　感光性樹脂組成物中のラジカル重合禁止剤、ベンゾトリアゾール化合物及びカルボキシベンゾトリアゾール化合物の合計含有量は、好ましくは０．０１質量％～３質量％であり、より好ましくは０．０５質量％～１質量％である。この含有量を０．０１質量％以上に調整することは、感光性樹脂組成物に保存安定性を付与するという観点から好ましく、一方で、この含有量を３質量％以下に調整することは、感度を維持し染料の脱色を抑える観点から好ましい。
＜可塑剤＞
　感光性樹脂組成物は、必要に応じて可塑剤を含有してもよい。可塑剤として、例えば、ジエチルフタレート等のフタル酸エステル類、ｏ－トルエンスルホン酸アミド、ｐ－トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ－ｎ－プロピル、アセチルクエン酸トリ－ｎ－ブチル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリプロプレンレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。
　感光性樹脂組成物中の可塑剤の含有量は、好ましくは１質量％～５０質量％、より好ましくは１質量％～３０質量％である。この含有量を１質量％以上に調整することは、現像時間の遅延を抑え、硬化膜に柔軟性を付与するという観点から好ましく、一方で、この含有量を５０質量％以下に調整することは、硬化不足及びエッジフューズを抑えるという観点から好ましい。
＜溶剤＞
　感光性樹脂組成物は溶剤を含んでもよい。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に代表されるケトン；メタノール、エタノール、及びイソプロパノールに代表されるアルコール等が挙げられる。溶剤は、支持フィルム上に塗布する感光性樹脂組成物の溶液の粘度が、２５℃で５００ｍＰａ・ｓ～４，０００ｍＰａ・ｓとなるように、感光性樹脂組成物に添加されることが好ましい。
＜感光性エレメント＞
　本第二の実施形態において、感光性エレメントは、上述した感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が、支持体上に積層された積層体（感光性樹脂積層体）である。感光性エレメントは、必要により、感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していてもよい。
［支持体］
　支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明な基材が好ましい。支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられる。これらのフィルムとしては、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。
　支持体のヘーズは、５以下であることが好ましい。
　支持体の厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要がある。これら双方を考慮すると、１０μｍ～３０μｍの支持体を好ましく用いることができる。
［感光性樹脂層］
　感光性樹脂層の形成に使用する感光性樹脂組成物が、溶媒を含む場合、溶媒は、感光性樹脂層から除去されていることが好ましいが、感光性樹脂層に残存していてもよい。
　感光性樹脂層の厚みは、好ましくは５μｍ～１００μｍであり、より好ましくは７μｍ～６０μｍである。この厚みが薄いほど解像度は向上し、厚いほど膜強度が向上する。従って、感光性樹脂層の厚みは、用途に応じて５μｍ～１００μｍの範囲内で適宜選択することができる。
［保護層］
　保護層の重要な特性は、感光性樹脂層との密着力が、支持体と感光性樹脂層との密着力よりも十分に小さく、容易に剥離できることである。保護層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等を好ましく使用できるだけでなく、例えば特開昭５９－２０２４５７号公報に開示された剥離性の優れたフィルムも用いることができる。
　保護層の厚みは、１０μｍ～１００μｍが好ましく、１０μｍ～５０μｍがより好ましい。
［感光性エレメントの製造方法］
　感光性エレメントは、支持体及び感光性樹脂層、並びに必要により保護層を順次積層することにより、製造することができる。支持体、感光性樹脂層、及び保護層の積層方法としては、公知の方法を採用することができる。
　例えば、感光性樹脂組成物に溶媒を加えて混合して、調合液を調製し、さらに支持体上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布して乾燥させ、支持体上に感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を形成する。次いで、必要により、形成された感光性樹脂層上に保護層を積層することにより、感光性エレメントを製造することができる。
＜レジストパターンの形成方法＞
　上記のような感光性エレメントを用いて、基板上にレジストパターンを形成することができる。
　レジストパターンの形成方法は、
　感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
　前記積層された感光性樹脂層を露光する露光工程、及び
　前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
を、上記に記載の順に含むことが好ましい。
　ラミネート工程は、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程であることが好ましい。湿潤剤としては、純水、脱イオン水、及び電解水から選ばれる１種以上と、銅キレート化剤（例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、及びピラゾール化合物から成る群から選ばれる１種以上の化合物）とを含むことが好ましい。
　本第二の実施形態のレジストパターンの形成方法においては、先ず、ラミネート工程において、ラミネーターを用いて基板上に感光性樹脂層を形成する。具体的には、感光性エレメントが保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターを用いて感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。
　基板としては、金属板又は金属皮膜を有する絶縁性基板が用いられる。金属の材質としては、例えば、銅、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、ガラス、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの基板は、多層基板に対応するためのスルーホールを有していてもよい。
　感光性樹脂層は、基板表面の片面だけにラミネートしてもよいし、必要に応じて基板両面にラミネートしてもよい。ラミネート時の加熱温度は、４０℃～１６０℃であることが好ましい。加熱圧着を２回以上行うことは、得られるレジストパターンの基板に対する密着性をより向上させる観点から好ましい。２回以上の圧着を行う場合には、二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用してもよいし、基板と感光性樹脂層との積層物を何回か繰り返してロールに通して圧着してもよい。
　次に、露光工程において、露光機を用いて感光性樹脂層を露光する。露光は、支持体を剥離せずに支持体を介して行ってもよいし、必要ならば支持体を剥離した後に行ってもよい。
　この露光をパターン状に行うことにより、後述の現像工程を経由した後、所望のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）を得ることができる。パターン状の露光は、フォトマスクを介して露光する方法、及びマスクレス露光法の何れにより行ってもよい。フォトマスクを介して露光する場合、露光量は、光源照度及び露光時間により決定される。露光量は、光量計を用いて測定してもよい。
　マスクレス露光においては、フォトマスクを使用せず、基板上に直接描画装置で露光する。光源としては、波長３５０ｎｍ～４１０ｎｍの半導体レーザー、超高圧水銀灯等が用いられる。マスクレス露光において、描画パターンはコンピューターによって制御され、露光量は、露光光源の照度及び基板の移動速度によって決定される。
　次に、現像工程において、感光性樹脂層の未露光部を、現像液により除去する。露光後、感光性樹脂層上に支持体がある場合には、これを除いた後に現像工程に供することが好ましい。
　現像工程においては、アルカリ水溶液から成る現像液を用いて、未露光部を現像除去し、レジスト画像を得る。アルカリ水溶液としては、例えば、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３等の水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液は、感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、０．２質量％～２質量％の濃度のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。
　現像工程における現像液の温度は、２０℃～４０℃の範囲で一定温度に保つことが好ましい。
　上述の工程によってレジストパターンが得られる。場合によっては、更に１００℃～３００℃の加熱工程を行ってもよい。この加熱工程の実施は、更なる耐薬品性向上の観点から好適である。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の適宜の方式の加熱炉を用いることができる。
＜配線板の形成方法＞
　本第二の実施形態の配線板の形成方法は、
　感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
　前記積層された感光性樹脂層を露光する露光工程、
　前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
　前記現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程、及び
　前記レジストパターンを剥離する剥離工程、
を、好ましくは上記に記載の順に含む。
　ラミネート工程は、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程であることが好ましい。湿潤剤としては、純水、脱イオン水、及び電解水から選ばれる１種以上と、銅キレート化剤（例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、及びピラゾール化合物から成る群から選ばれる１種以上の化合物）とを含むことが好ましい。
　導体パターン形成工程においては、レジストパターンが形成された基板上で、現像工程によって露出した基板表面（例えば銅面）に、公知のエッチング法又はめっき法を用いて導体パターンを形成することができる。
　剥離工程においては、導体パターンが形成された基板を適当な剥離液と接触させることにより、レジストパターンが剥離除去される。この工程により、所望の配線板が得られる。
　剥離工程において使用される剥離液は、アルカリ水溶液であることが好ましい。このアルカリ水溶液としては、例えば、２質量％～５質量％のＮａＯＨ水溶液又はＫＯＨ水溶液を使用することが好ましい。剥離液には、少量の水溶性溶媒、例えばアルコール等を加えてもよい。剥離工程における剥離液の温度は、４０℃～７０℃であることが好ましい。
　本第二の実施形態における感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及び配線板の形成方法は、例えば、プリント配線板、リードフレーム、凹凸パターンを有する基材、半導体パッケージ等の製造に、極めて好適に適用することができる。
　なお、上述した各種パラメータの測定方法については特に断りのない限り、後述の実施例における測定方法に準じて測定される。
＜第三の実施形態＞
　以下、本発明の第三の実施形態を実施するための形態（以下、「本第三の実施形態」と略記する）について具体的に説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
　本実第三の施形態では、感光性樹脂組成物が、（Ａ）アルカリ可溶性高分子、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物、及び（Ｃ）光重合開始剤を含む。所望により、感光性樹脂組成物は、（Ｄ）添加剤、といったその他の成分をさらに含んでよい。
　なお、本明細書において「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリロイル基」とは、アクリロイル基又はメタクリロイル基を意味し、かつ「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」又は「メタクリレート」を意味する。
（Ａ）アルカリ可溶性高分子
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、アルカリ物質に溶解可能な高分子である。本第三の実施形態では、レジストパターンのテント性と水残りショート不良抑制性を両立する観点から、（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として１０質量％～２４質量％の（メタ）アクリル酸の構造単位及び３５質量％～９０質量％のスチレンの構造単位を含むことが好ましい。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子中の（メタ）アクリル酸の構造単位の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として、水残りショート不良を抑制するという観点から、２４質量％以下であることが好ましく、アルカリ現像性及びアルカリ剥離性を確保するという観点から、１０質量％以上であることが好ましい。この含有量の上限値は、２３質量％、又は２２．５質量％であることがより好ましく、下限値は、１１質量％、１５質量％、１８質量％又は２０質量％であることがより好ましい。水残りショート不良は、硬化レジストの疎水性と強い相関があり、レジストの疎水性、すなわち水接触角を高めることにより水残りショート不良を抑制することが可能である。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子中の（メタ）アクリル酸の構造単位の含有量と関連して、（Ａ）アルカリ可溶性高分子の酸当量（（Ａ）成分が複数種の共重合体を含む場合には、その混合物全体についての酸当量）は、感光性樹脂層の耐現像性、並びにレジストパターンの現像耐性、解像性及び密着性の観点から１００以上であることが好ましく、感光性樹脂層の現像性及び剥離性の観点から９００以下であることが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性高分子の酸当量は、２５０～６００であることがより好ましく、３５０～５００であることがさらに好ましい。酸当量とは、その中に１当量のカルボキシル基を有する線状重合体の質量を言う。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子中のスチレンの構造単位の含有量は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として、現像性の観点から、９０質量％以下であることが好ましく、解像性及び水残りショート不良抑制性の観点から、３５質量％以上であることが好ましい。この含有量の上限値は、現像性及び剥離時間遅延防止の観点から８５質量％、８０質量％、７０質量％、又は６０質量％であることがより好ましく、下限値は、解像性及び水残りショート不良抑制性の観点から３６質量％、３８質量％、４０質量％、又は４２質量％であることがより好ましい。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、レジストパターンのテント性を向上させるという観点から、（メタ）アクリル酸ブチルの構造単位をさらに含むことが好ましい。（メタ）アクリル酸ブチルの構造単位は、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート及びｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレートから成る群から選択される少なくとも１つに由来する繰り返し単位を含んでよい。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子中の（メタ）アクリル酸ブチルの構造単位の含有量は、テント性と水残りショート不良抑制性を両立する観点から、（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として、好ましくは０．１質量％～５質量％、より好ましくは０．３質量％～１質量％の範囲内である。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子を構成する単量体の全質量を基準として１０質量％～２４質量％の（メタ）アクリル酸の構造単位及び３５質量％～９０質量％のスチレンの構造単位を含む限り、単一種の共重合体であってもよく、複数種の共重合体の混合物及び／又は複数種のホモポリマーの混合物であってもよい。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸ブチル、ポリスチレン、（メタ）アクリル酸及び／又はスチレンと後述する第一の単量体の１種以上及び／又は後述する第二の単量体の１種以上とから成る共重合成分を共重合させて得られる共重合体等を含んでよい。
　第一の単量体は、分子中にカルボキシル基を含有する単量体（（メタ）アクリル酸を除く）である。第一の単量体としては、例えば、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、及びマレイン酸半エステルなどが挙げられる。
　第二の単量体は、非酸性であり、かつ分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有する単量体（スチレンを除く）である。第二の単量体としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類；（メタ）アクリロニトリル；重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。
　これらの中でも、レジストパターンのテント性を向上させるという観点から、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、又はｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレートが好ましく、テント性の観点からｎ－ブチル（メタ）アクリレートがより好ましく、そして解像性及び水残りショート不良抑制性を向上させるという観点から、重合可能なスチレン誘導体が好ましい。
　重合可能なスチレン誘導体としては、例えば、メチルスチレン、ビニルトルエン、ｔｅｒｔ－ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、４－ビニル安息香酸、スチレンダイマー、スチレントリマー等が挙げられる。
　アルカリ可溶性高分子は、上記の単量体を混合し、溶剤、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ノルマルプロピルアルコール、又はイソプロパノールで希釈した溶液に、ラジカル重合開始剤、例えば、過酸化ベンゾイル、アゾイソブチロニトリルを適量添加し、加熱攪拌することにより合成を行うことが好ましい。混合物の一部を反応液に滴下しながら合成を行う場合もある。反応終了後、さらに溶剤を加えて、所望の濃度に調整する場合もある。合成手段としては、溶液重合以外に、塊状重合、懸濁重合、又は乳化重合を用いてもよい。
　（Ａ）アルカリ可溶性高分子の重量平均分子量（（Ａ）成分が複数種のコポリマーを含む場合には、その混合物全体についての重量平均分子量）は、５，０００～５００，０００であることが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性高分子の重量平均分子量は、ドライフィルムレジストの厚みを均一に維持し、現像液に対する耐性を得るという観点から５，０００以上であることが好ましく、ドライフィルムレジストの現像性を維持するという観点から５００，０００以下であることが好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性高分子の重量平均分子量は、１０，０００～２００，０００であることがより好ましく、２０，０００～１００，０００であることがさらに好ましい。（Ａ）アルカリ可溶性高分子の分散度は、１．０～６．０であることが好ましい。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物中の（Ａ）アルカリ可溶性高分子の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として（以下、特に明示しない限り、各含有成分において同様である）、好ましくは１０質量％～９０質量％、より好ましくは２０質量％～８０質量％、さらに好ましくは４０質量％～６０質量％の範囲内である。（Ａ）アルカリ可溶性高分子の含有量は、感光性樹脂層のアルカリ現像性を維持するという観点から１０質量％以上であることが好ましく、露光によって形成されるレジストパターンがレジスト材料としての性能を十分に発揮するという観点から９０質量％以下であることが好ましい。
（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、その構造中にエチレン性不飽和基を有することによって重合性を有する化合物である。エチレン性不飽和結合は、付加重合性の観点から、末端エチレン性不飽和基であることが好ましい。
　本第三の実施形態では、（Ａ）アルカリ可溶性高分子と（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物を併用するときに、レジストパターンのテント性を確保するという観点から、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量が、１，２００以上であることが好ましい。本明細書では、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量とは、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物が単一種であるとき、単一種のエチレン性不飽和結合含有化合物の構造式から導かれる重量平均分子量を意味し、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物が複数種から成るとき、それぞれのエチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量と配合割合の加重平均を意味する。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量は、レジストパターンのテント性をさらに向上させる観点から、より好ましくは１，３００以上、さらに好ましくは１，４００以上であり、そしてレジストパターンの解像性及び剥離性の観点から、より好ましくは５，０００以下、さらに好ましくは４，０００以下、特に好ましくは３，０００以下である。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記（ｂ１）～（ｂ５）：
　（ｂ１）下記一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ｛式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、かつｍ１は、２～４０を満たす数である。｝
で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ２）下記一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ｛式中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、ＡはＣ２Ｈ４であり、ＢはＣ３Ｈ６であり、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～５０の関係を満たす整数であり、－（Ａ－Ｏ）－及び－（Ｂ－Ｏ）－の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、ブロックの場合、－（Ａ－Ｏ）－と－（Ｂ－Ｏ）－とのいずれがビスフェニル基側でもよい。｝
で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ３）下記一般式（ＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 ｛式中、Ｒ５～Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、ｍ２、ｍ３及びｍ４は、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、１～４０であり、そしてｍ２＋ｍ３＋ｍ４が２以上である場合には、複数のＸは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい｝
で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ４）下記一般式（ＩＶ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 ｛式中、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｙは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、Ｚは、２価の有機基を表し、かつｓ及びｔは、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、かつｓ＋ｔ≧１である｝
で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物；及び
　（ｂ５）上記（ｂ１）～（ｂ４）以外の付加重合性単量体；
から成る群から選択される少なくとも１つを含んでよい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、レジストパターンの剥離時間及び剥離片のサイズを調整するという観点から、（ｂ１）一般式（Ｉ）で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。
　一般式（Ｉ）において、ｍ１は、剥離時間及び剥離片サイズの観点から２以上であることが好ましく、解像性、耐めっき性及び耐エッチング性の観点から４０以下であることが好ましい。ｍ１は、より好ましくは４～２０であり、さらに好ましくは６～１２である。
　一般式（Ｉ）で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物の具体例としては、ｍ１＝４のテトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ｍ１＝９のノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、又はｍ１＝１４のポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、解像性及びテント性の観点から、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。一般式（ＩＩ）中のＢは、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－でよい。
　一般式（ＩＩ）中の芳香環上の水素原子が、ヘテロ原子及び／又は置換基で置換されていてもよい。
　ヘテロ原子としては、例えば、ハロゲン原子等が挙げられ、そして置換基としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数３～１０のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、フェナシル基、アミノ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～２０のジアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、メルカプト基、炭素数１～１０のアルキルメルカプト基、アリール基、水酸基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、アルキル基の炭素数が１～１０のカルボキシアルキル基、アルキル基の炭素数が１～１０のアシル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２～１０のアルキルカルボニル基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数２～１０のＮ－アルキルカルバモイル基若しくは複素環を含む基、又はこれらの置換基で置換されたアリール基等が挙げられる。これらの置換基は縮合環を形成しているか、又はこれらの置換基中の水素原子がハロゲン原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。一般式（ＩＩ）中の芳香環が複数の置換基を有する場合には、複数の置換基は同一であるか、又は異なっていてよい。
　一般式（ＩＩ）中のＲ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基でよいが、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層の露光直後にコントラストを確保するという観点から、Ｒ３とＲ４の一方又は双方が水素原子であることが好ましく、Ｒ３とＲ４の双方が水素原子であることがより好ましい。
　（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物には、テント性の観点から、比較的長鎖のアルキレンオキシドが付加されていることが好ましい。より詳細には、一般式（ＩＩ）において、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝４～５０の関係を満たし、より好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝１０～５０の関係を満たし、さらに好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２０～５０の関係を満たし、特に好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝３０～５０の関係を満たす。
　テント性の観点から、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物のうちの４０質量％以上が、好ましくは、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物であり、より好ましくは、一般式（ＩＩ）中のｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４がｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝３０～５０の関係を満たすアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物である。より好ましくは（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物のうちの５０質量％、さらに好ましくは５５質量％以上、最も好ましくは６０質量％が、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物である。
　（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均２単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均５単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均７単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均６単位のエチレンオキサイドと平均２単位のプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１５単位のエチレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１５単位のエチレンオキサイドと平均２単位のプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　一般式（ＩＩ）において、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、解像度および水残りショート不良抑制性の観点から、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～１０の関係を満たすことも好ましく、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～４の関係を満たすことも特に好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、テント性と水残りショート不良抑制性の両立の観点から、一般式（ＩＩ）においてｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝３０～５０を満たす化合物、一般式（ＩＩ）においてＲ３とＲ４の一方又は双方が水素原子である化合物、及び一般式（ＩＩ）においてｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～１０を満たす化合物を同時に含有することが特に好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、解像性及びテント性の観点から、（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。一般式（ＩＩＩ）中のＸは、炭素数２～６のアルキレン基であり、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等でよい。
　（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物は、テント性の観点から、比較的長鎖のアルキレンオキサイド部分を有することが好ましい。より詳細には、一般式（ＩＩＩ）において、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、好ましくは１０～４０であり、より好ましくは２０～４０である。
　（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、エチレンオキサイド（ＥＯ）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート（ＥＯ平均付加モル数：１０～４０）、プロピレンオキサイド（ＰＯ）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート（ＰＯ平均付加モル数：１０～４０）等が挙げられる。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、テント性の観点から、（ｂ４）一般式（ＩＶ）で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。
　一般式（ＩＶ）において、Ｚは、２価の有機基を表し、例えば、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数２～１０のアルキレンオキサイド基、置換基を有していてもよい炭素数３～１０の２価の脂環式基等でよい。
　一般式（ＩＶ）において、Ｙは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等でよい。
　テント性をさらに向上させるという観点から、一般式（ＩＶ）中の－（Ｙ－Ｏ）ｓ－部分及び－（Ｙ－Ｏ）ｔ－部分は、それぞれ独立に、－（Ｃ２Ｈ５Ｏ）－（Ｃ３Ｈ６Ｏ）９
－で置換されていることも好ましい。
　（ｂ４）一般式（ＩＶ）で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、β位に水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、２，４－トルエンジイソシアネート及び１，６－ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス（（メタ）アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレート、ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレート並びにＥＯ，ＰＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートが挙げられる。なお、ＥＯはエチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有する。また、ＰＯはプロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有する。ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業株式会社製、商品名「ＵＡ－１１」等が挙げられる。また、ＥＯ，ＰＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業株式会社製、商品名「ＵＡ－１３」等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、（ｂ５）成分として、（ｂ１）～（ｂ４）成分以外の付加重合性単量体を含んでよい。
　（ｂ５）成分としては、以下の：
　（ｂ３）成分以外のトリ（メタ）アクリレート、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等；
　テトラ（メタ）アクリレート、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（ポリ）アルコキシテトラ（メタ）アクリレート等；
　ペンタ（メタ）アクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等；
　ヘキサ（メタ）アクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールの６つの末端に合計１～２４モルのエチレンオキサイドが付加されたヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールの６つの末端に合計１～１０モルのε-カプロラクトンが付加されたヘキサ（メタ）アクリレート等；
　１つの（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート化合物；
　多価アルコールにα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；
　グリシジル基含有化合物にα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；及び
　フタル酸系化合物、例えば、γ－クロロ－２－ヒロドキシプロピル－β’－（メタ）アクリロイルオキシエリル－ｏ－フタレート及びβ－ヒドロキシアルキル－β’－（メタ）アクリロルオキシアルキル－ｏ－フタレート等；
が挙げられる。
　本第三の実施形態では、レジストパターンのテント性及び密着性の観点から、感光性樹脂組成物中の全ての（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の総含有量は、好ましくは１質量％～７０質量％、より好ましくは２質量％～６０質量％、さらに好ましくは４質量％～５０質量％の範囲内である。
（Ｃ）光重合開始剤
　（Ｃ）光重合開始剤は、光により単量体を重合させる化合物である。感光性樹脂組成物は、光重合開始剤として本技術分野において一般に知られている化合物を含む。
　感光性樹脂組成物中の（Ｃ）光重合開始剤の含有量は、好ましくは０．０１～２０質量％、より好ましくは０．０５質量％～１０質量％、さらに好ましくは０．１質量％～７質量％の範囲内である。（Ｃ）光重合開始剤の含有量は、十分な感度を得るという観点から０．０１質量％以上であることが好ましく、レジスト底面まで光を充分に透過させて、良好な高解像性を得るという観点から２０質量％以下であることが好ましい。
　（Ｃ）光重合開始剤としては、キノン類、芳香族ケトン類、アセトフェノン類、アシルフォスフィンオキサイド類、ベンゾイン又はベンゾインエーテル類、ジアルキルケタール類、チオキサントン類、ジアルキルアミノ安息香酸エステル類、オキシムエステル類、アクリジン類等が挙げられ、更にヘキサアリールビイミダゾール、ピラゾリン化合物、Ｎ－アリールアミノ酸又はそのエステル化合物（例えばＮ－フェニルグリシン）、有機ハロゲン化合物等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用されることができる。これらの中でも、アクリジン類は、ダイレクトイメージング露光に特に適している。
　アクリジン類としては、例えば、アクリジン、９－フェニルアクリジン、１，６－ビス（９－アクリジニル）ヘキサン、１，７－ビス（９－アクリジニル）ヘプタン、１，８－ビス（９－アクリジニル）オクタン、１，９－ビス（９－アクリジニル）ノナン、１，１０－ビス（９－アクリジニル）デカン、１，１１－ビス（９－アクリジニル）ウンデカン、１，１２－ビス（９－アクリジニル）ドデカン等のアクリジン誘導体が挙げられる。ダイレクトイメージング露光に対する適性の観点から、感光性樹脂組成物中のアクリジン類の含有量は、好ましくは０．１質量％～５質量％、より好ましくは０．３質量％～３質量％、さらに好ましくは０．５質量％～２質量％の範囲内である。
　芳香族ケトン類としては、例えば、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノンを挙げることができる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用されることができる。これらの中でも、密着性の観点から、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンが好ましい。さらに、透過率の観点から、感光性樹脂組成物中の芳香族ケトン類の含有量は、好ましくは０．０１質量％～０．５質量％、さらに好ましくは０．０２質量％～０．３質量％の範囲内である。
　ヘキサアリールビイミダゾールの例としては、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルビイミダゾール、２，２’，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－４－（３，４－ジメトキシフェニル）－４’，５’－ジフェニルビイミダゾール、２，４－ビス－（ｏ－クロロフェニル）－５－（３，４－ジメトキシフェニル）－ジフェニルビイミダゾール、２，４，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－ジフェニルビイミダゾール、２－（ｏ－クロロフェニル）－ビス－４，５－（３，４－ジメトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２－フルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３－ジフルオロメチルフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，４－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，５－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，６－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３，４－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，４，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，４，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３，４，５－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、２，２’－ビス－（２，３，４，６－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール、及び２，２’－ビス－（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－ビイミダゾール等が挙げられ、これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用されることができる。高感度、解像性及び密着性の観点から、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体が好ましい。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物中のヘキサアリールビスイミダゾール化合物の含有量は、感光性樹脂層の剥離特性及び／又は感度を向上させるという観点から、好ましくは０．０５質量％～７質量％、より好ましくは０．１質量％～６質量％、さらに好ましくは１質量％～４質量％の範囲内である。
　Ｎ－アリールアミノ酸としては、例えば、Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－メチル－Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－エチル－Ｎ－フェニルグリシン等が挙げられる。中でも、Ｎ－フェニルグリシンが特に好ましい。感光性樹脂組成物中のＮ－アリールアミノ酸の含有量は、剥離特性及び／又は感度を向上させるという観点から、感光性樹脂組成物の固形分総量に対して、０．０５質量％～５質量％であることが好ましく、０．１～２質量％であることがより好ましい。
　有機ハロゲン化合物としては、例えば、臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス（２，３－ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１－トリクロロ－２，２－ビス（ｐ－クロロフェニル）エタン、及びクロル化トリアジン化合物が挙げられ、中でも特にトリブロモメチルフェニルスルフォンが好ましく用いられる。感光性樹脂組成物中の有機ハロゲン化合物の含有量は、剥離特性及び／又は感度を向上させるという観点から、感光性樹脂組成物の固形分総量に対して、０．０５質量％～５質量％であることが好ましく、０．１質量％～３質量％であることがより好ましい。
　その他の光増感剤としては、例えば、２－エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン、及び３－クロロ－２－メチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、及びエチルベンゾイン等のベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、並びに１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－Ｏ－ベンゾインオキシム、及び１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル類が挙げられる。感光性樹脂組成物中の光増感剤の含有量は、剥離特性及び／又は感度を向上させるという観点から、感光性樹脂組成物の固形分総量に対して、０．０５質量％～５質量％であることが好ましく、０．１質量％～３質量％であることがより好ましい。
　また、本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物は、光増感剤としてピラゾリン化合物を含有することも好ましい。ピラゾリン化合物としては、１－フェニル－３－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－スチリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－フェニル）－ピラゾリン、１－（４－（ベンゾオキサゾール－２－イル）フェニル）－３－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－スチリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－フェニル）－ピラゾリン、１－フェニル－３－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－フェニル）－ピラゾリン及び１－フェニル－３－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔｅｒｔ－オクチル－フェニル）－ピラゾリンが好ましい。
（Ｄ）添加剤
　感光性樹脂組成物は、所望により、変色剤、染料、可塑剤、酸化防止剤、安定化剤、等の添加剤を含んでよい。例えば、特開２０１３－１５６３６９号公報及び国際公開第２００９／０９３７０６号に列挙されている添加剤を使用してよい。
　変色剤としては、ロイコ染料、フルオラン染料等を例示できる。変色剤の使用は、露光部分が発色することによる視認性の点で好ましい。また、検査機等が露光のための位置合わせマーカーを読み取る場合、露光部と未露光部とのコントラストが大きい方が位置を認識し易く有利である。
　ロイコ染料としては、トリス（４－ジメチルアミノフェニル）メタン［ロイコクリスタルバイオレット］、ビス（４－ジメチルアミノフェニル）フェニルメタン［ロイコマラカイトグリーン］等が挙げられる。とりわけ、コントラストが良好となる観点から、ロイコ染料としては、ロイコクリスタルバイオレットを用いることが好ましい。感光性樹脂組成物中のロイコ染料の含有量は、０．１質量％～１０質量％であることが好ましい。この含有量は、露光部分と未露光部分とのコントラストの観点から、０．１質量％以上が好ましく、保存安定性を維持するという観点から１０質量％以下が好ましい。
　ベース染料としては、例えば、ベーシックグリーン１［ＣＡＳ番号（以下、同じ）：６３３－０３－４］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｇｒｅｅｎ　ＧＨ、商品名、保土谷化学工業製）、マラカイトグリーンシュウ酸塩［２４３７－２９－８］（例えばＡｉｚｅｎ　Ｍａｌａｃｈｉｔｅ　Ｇｒｅｅｎ、商品名、保土谷化学工業製）、ブリリアントグリーン［６３３－０３－４］、フクシン［６３２－９９－５］、メチルバイオレット［６０３－４７－４］、メチルバイオレット２Ｂ［８００４－８７－３］、クリスタルバイオレット［５４８－６２－９］、メチルグリーン［８２－９４－０］、ビクトリアブルーＢ［２５８０－５６－５］、ベーシックブルー７［２３９０－６０－５］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｖｉｃｔｏｒｉａ　Ｐｕｒｅ　Ｂｌｕｅ　ＢＯＨ、商品名、保土谷化学工業製）、ローダミンＢ［８１－８８－９］、ローダミン６Ｇ［９８９－３８－８］、ベーシックイエロー２［２４６５－２７－２］等が挙げられる。中でもベーシックグリーン１、マラカイトグリーンシュウ酸塩、及びベーシックブルー７が好ましく、色相安定性及び露光コントラストを向上させるという観点からベーシックグリーン１が特に好ましい。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物中のベース染料の含有量は、好ましくは０．００１質量％～３質量％、より好ましくは０．０１質量％～２質量％、さらに好ましくは０．０１質量％～１質量％の範囲内である。染料の含有量は、良好な着色性を得るという観点から０．００１質量％以上であることが好ましく、感光性樹脂層の感度を維持するという観点から３質量％以下であることが好ましい。
　本第三の実施形態では、（メタ）アクリル酸の構造単位の含有量が１０質量％～２４質量％であるアルカリ可溶性高分子に起因するレジストパターン剥離の遅れを抑制して、剥離時間を短縮するために、可塑剤として、ｏ－トルエンスルホン酸アミド、ｐ－トルエンスルホン酸アミド等のトルエンスルホン酸アミドを感光性樹脂組成物に含有させることが好ましい。感光性樹脂組成物中のトルエンスルホン酸アミドの含有量は、好ましくは０．１質量％～５質量％、より好ましくは１質量％～４質量％の範囲内である。
　その他の可塑剤としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシプロピレンポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレンモノメチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノメチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノメチルエーテル、ポリオキシエチレンモノエチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノエチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノエチルエーテル等のグリコール・エステル類；ジエチルフタレート等のフタル酸エステル類；クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ－ｎ－プロピル、及びアセチルクエン酸トリ－ｎ－ブチル；ビスフェノールＡの両側にそれぞれプロピレンオキサイドを付加したプロピレングリコール、ビスフェノールＡの両側にそれぞれエチレンオキサイドを付加したエチレングリコール等が挙げられる。
　感光性樹脂組成物の熱安定性又は保存安定性の観点から、感光性樹脂組成物は、安定化剤として、ラジカル重合禁止剤、例えば、ｐ－メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、塩化第一銅、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－エチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、ジフェニルニトロソアミン、トリエチレングリコール－ビス（３－３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニルプロピオネート）、及びニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩等；ベンゾトリアゾール類、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－クロロ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－トリルトリアゾール、１－（２－ジ－ｎ－オクチルアミノメチル）－ベンゾトリアゾール、及びビス（Ｎ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール等；カルボキシベンゾトリアゾール類、例えば、４－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、６－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－（２－ジ－ｎ－ブチルアミノメチル）－５－カルボキシルベンゾトリアゾールと１－（２－ジ－ｎ－ブチルアミノメチル）－６－カルボキシルベンゾトリアゾールの１：１混合物、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、及びＮ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノエチレンカルボキシベンゾトリアゾール等；及びグリシジル基を有するアルキレンオキサイド化合物、例えば、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト１５００ＮＰ）、ノナエチレングリコールジグリシジルエーテル（例えば共栄社化学（株）製エポライト４００Ｅ）、ビスフェノールＡ－プロピレンオキシド２モル付加物ジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト３００２）、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト４０００）、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト１６００）等；
から成る群から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物中の全ての安定化剤の総含有量は、好ましくは０．００１質量％～３質量％、より好ましくは０．０１質量％～１質量％、さらに好ましくは０．０５質量％～０．７質量％の範囲内である。安定化剤の総含有量は、感光性樹脂組成物に良好な保存安定性を付与するという観点から０．００１質量％以上であることが好ましく、感光性樹脂層の感度を維持するという観点から３質量％以下であることが好ましい。
　上記で説明された添加剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用されることができる。
＜感光性樹脂組成物調合液＞
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物に溶媒を添加することにより感光性樹脂組成物調合液を形成することができる。好適な溶媒としては、ケトン類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等；及びアルコール類、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。感光性樹脂組成物調合液の粘度が２５℃で５００ｍＰａ・秒～４０００ｍＰａ・秒となるように、溶媒を感光性樹脂組成物に添加することが好ましい。
＜感光性樹脂積層体＞
　本第三の実施形態では、支持体と、支持体上に積層された、上記感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層とを有する感光性樹脂積層体が提供されることができる。感光性樹脂積層体は、所望により、感光性樹脂層の支持体側と反対側に保護層を有していてもよい。
　支持体としては、特に限定されるものではないが、露光光源から放射される光を透過する透明なものが好ましい。このような支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、及びセルロース誘導体フィルムが挙げられる。これらのフィルムは、必要に応じて延伸されていてもよい。ヘーズは、好ましくは０．０１％～５.０％、より好ましくは０．０１％～２．５％、さらに好ましくは０．０１％～１．０％である。フィルムの厚みは、フィルムが薄いほど画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要から、１０μｍ～３０μｍであることが好ましい。
　また、感光性樹脂積層体に用いられる保護層の重要な特性は、感光性樹脂層との密着力について、支持体よりも保護層の方が小さく、容易に剥離できることである。保護層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が好ましい。例えば、特開昭５９－２０２４５７号公報に記載された剥離性の優れたフィルムを用いることができる。保護層の膜厚は、１０μｍ～１００μｍが好ましく、１０μｍ～５０μｍがより好ましい。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂積層体における感光性樹脂層の厚みは、好ましくは５μｍ～１００μｍ、より好ましくは７μｍ～６０μｍである。感光性樹脂層の厚みは、小さいほどレジストパターンの解像性が向上し、一方で、大きいほど硬化膜の強度が向上するので、用途に応じて選択されることができる。
　支持体、感光性樹脂層、及び所望により、保護層を順次積層して、感光性樹脂積層体を作製する方法としては、既知の方法を使用してよい。
　例えば、上記感光性樹脂組成物調合液を調製し、次に支持体上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布して乾燥させ、支持体上に感光性樹脂組成物調合液から成る感光性樹脂層を積層する。さらに、所望により、感光性樹脂層上に保護層を積層することにより感光性樹脂積層体を作製することができる。
＜レジストパターン形成方法＞
　レジストパターンの形成方法は、支持体に上述の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を積層するラミネート工程、感光性樹脂層を露光する露光工程、及び露光された感光性樹脂層を現像する現像工程を、好ましくはこの順に、含む。本第三の実施形態においてレジストパターンを形成する具体的な方法の一例を以下に示す。
　先ず、ラミネート工程において、ラミネーターを用いて基板上に感光性樹脂層を形成する。具体的には、感光性樹脂積層体が保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターで感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。基板の材料としては、例えば、銅、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、ガラス、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等が挙げられる。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂層は基板表面の片面だけにラミネートするか、又は必要に応じて両面にラミネートしてもよい。ラミネート時の加熱温度は一般的に４０℃～１６０℃である。また、ラミネート時の加熱圧着を２回以上行うことにより、得られるレジストパターンの基板に対する密着性を向上させることができる。加熱圧着時には、二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用するか、又は基板と感光性樹脂層との積層物を数回繰り返してロールに通すことにより圧着してもよい。
　次に、露光工程において、露光機を用いて感光性樹脂組層を活性光に露光する。露光は、所望により、支持体を剥離した後に行うことができる。フォトマスクを通して露光する場合には、露光量は、光源照度及び露光時間により決定され、光量計を用いて測定してもよい。露光工程では、ダイレクトイメージング露光を行なってもよい。ダイレクトイメージング露光においてはフォトマスクを使用せず基板上に直接描画装置によって露光する。光源としては波長３５０ｎｍ～４１０ｎｍの半導体レーザー又は超高圧水銀灯が用いられる。描画パターンがコンピューターによって制御される場合、露光量は、露光光源の照度及び基板の移動速度によって決定される。
　次に、現像工程において、露光後の感光性樹脂層における未露光部又は露光部を、現像装置を用いて現像液により除去する。露光後、感光性樹脂層上に支持体がある場合には、これを除く。続いてアルカリ水溶液から成る現像液を用いて、未露光部又は露光部を現像除去し、レジスト画像を得る。
　アルカリ水溶液としては、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３等の水溶液が好ましい。アルカリ水溶液は、感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、０．２質量％～２質量％の濃度のＮａ２ＣＯ３水溶液が一般的に使用される。アルカリ水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混ぜてもよい。現像工程における現像液の温度は、２０℃～４０℃の範囲内で一定に保たれることが好ましい。
　上記の工程によってレジストパターンが得られるが、所望により、さらに１００℃～３００℃で加熱工程を行うこともできる。この加熱工程を実施することにより、レジストパターンの耐薬品性を向上させることができる。加熱工程には、熱風、赤外線、又は遠赤外線を用いる方式の加熱炉を用いることができる。
　本第三の実施形態の感光性樹脂組成物は、プリント基板の回路を形成するために好適に使用されることができる。一般に、プリント基板の回路形成方法としては、サブトラクティブプロセス及びセミアディティブプロセス（ＳＡＰ）が使用される。
　サブトラクティブプロセスは、基板全面に配置された導体からエッチングで非回路部分のみを除去して、回路を形成する方法である。
　ＳＡＰは、基板全面に配置された導体シード層上の非回路部分にレジストを形成してから、回路部分のみをめっきで形成する方法である。
＜導体パターンの製造方法＞
　導体パターンの製造方法は、金属板、金属皮膜絶縁板等の基板に上述の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を積層するラミネート工程、感光性樹脂層を露光する露光工程、露光された感光性樹脂層の未露光部又は露光部を現像液で除去することによって、レジストパターンが形成された基板を得る現像工程、及びレジストパターンが形成された基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程を、好ましくはこの順に、含む。
　本第三の実施形態では、導体パターンの製造方法は、基板として金属板又は金属皮膜絶縁板を用い、上述のレジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、導体パターン形成工程を経ることにより行われる。導体パターン形成工程においては、現像により露出した基板表面（例えば、銅面）に既知のエッチング法又はめっき法を用いて導体パターンを形成する。
　さらに、本第三の実施形態は、例えば、以下の用途において好適に適用される。
＜配線板の製造方法＞
　導体パターンの製造方法により導体パターンを製造した後に、レジストパターンを、現像液よりも強いアルカリ性を有する水溶液により基板から剥離する剥離工程を更に行うことにより、所望の配線パターンを有する配線板（例えば、プリント配線板）を得ることができる。
　剥離用のアルカリ水溶液（以下、「剥離液」ともいう）については、特に制限されるものではないが、２質量％～５質量％の濃度のＮａＯＨ又はＫＯＨの水溶液、もしくは有機アミン系剥離液が一般に用いられる。剥離液には少量の水溶性溶媒を加えてよい。水溶性溶媒としては、例えば、アルコール等が挙げられる。剥離工程における剥離液の温度は、４０℃～７０℃の範囲内であることが好ましい。
＜リードフレームの製造＞
　基板として銅、銅合金、又は鉄系合金等の金属板を用いて、レジストパターン形成方法によってレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることにより、リードフレームを製造できる。先ず、現像により露出した基板をエッチングして導体パターンを形成する工程を行う。その後、配線板の製造方法と同様の方法でレジストパターンを剥離する剥離工程を行って、所望のリードフレームを得ることができる。
＜凹凸パターンを有する基材の製造＞
　レジストパターン形成方法により形成されるレジストパターンは、サンドブラスト工法により基板に加工を施す時の保護マスク部材として使用することができる。この場合、基板としては、例えば、ガラス、シリコンウエハー、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、セラミック、サファイア、金属材料等が挙げられる。これらの基板上に、レジストパターン形成方法と同様の方法によって、レジストパターンを形成する。その後、形成されたレジストパターン上からブラスト材を吹き付けて、目的の深さに切削するサンドブラスト処理工程、及び基板上に残存したレジストパターン部分をアルカリ剥離液等で基板から除去する剥離工程を行って、基板上に微細な凹凸パターンを有する基材を製造できる。
　サンドブラスト処理工程では、公知のブラスト材を使用してよいが、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＣＯ３、ＺｒＯ、ガラス、ステンレス等を含む粒径２μｍ～１００μｍの微粒子が一般に使用される。
＜半導体パッケージの製造＞
　基板として大規模集積化回路（ＬＳＩ）の形成が終了したウエハを用いて、レジストパターン形成方法によりウエハにレジストパターンを形成した後に、以下の工程を経ることによって、半導体パッケージを製造することができる。先ず、現像により露出した開口部に銅、はんだ等の柱状めっきを施して、導体パターンを形成する工程を行う。その後、配線板の製造方法と同様の方法でレジストパターンを剥離する剥離工程を行って、更に、柱状めっき以外の部分の薄い金属層をエッチングにより除去する工程を行うことにより、所望の半導体パッケージを得ることができる。
　本第三の実施形態では、感光性樹脂組成物は、プリント配線板の製造；ＩＣチップ搭載用リードフレーム製造；メタルマスク製造等の金属箔精密加工；ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等のパッケージの製造；チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）、テープオートメイテッドボンディング（ＴＡＢ）等のテープ基板の製造；半導体バンプの製造；及びＩＴＯ電極、アドレス電極、電磁波シールド等のフラットパネルディスプレイの隔壁の製造に利用されることができる。
　なお、上述した各パラメータの値については特に断りのない限り、後述する実施例での測定方法に準じて測定される。
＜第四の実施形態＞
　以下、本発明の第四の実施形態を実施するための形態（以下、「本第四の実施形態」と略記する）について具体的に説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
　本第四の実施形態において、感光性樹脂組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性高分子、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物、及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する。所望により、感光性樹脂組成物は、（Ｄ）安定化剤といったその他の成分をさらに含んでよい。
　なお、本明細書において「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリロイル基」とは、アクリロイル基又はメタクリロイル基を意味し、かつ「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」又は「メタクリレート」を意味する。
［（Ａ）アルカリ可溶性高分子］
　前記（Ａ）アルカリ可溶性高分子は、解像性及び最小現像時間の延長の観点から、酸モノマー単位の含有割合が２５質量％未満かつ芳香族モノマー単位の含有割合が３０質量％以上の第一の共重合体を含む。第一の共重合体は、所望により、酸モノマー単位及び芳香族モノマー単位に加えて、その他のモノマー単位を含んでもよい。共重合体の重量平均分子量（後述）と数平均分子量との比で表される共重合体の分散度は、１以上６以下であることが好ましい。
　酸モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、ペンテン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、ヒドロキシスチレン等を挙げることができる。上記不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、フマル酸、シトラコン酸無水物等を挙げることができる。中でも、（メタ）アクリル酸が好ましい。
　前記（Ａ）成分における酸モノマー単位の共重合割合としては、全モノマー単位の合計質量に対して、２５質量％未満であることが好ましく、１０質量％～２４質量％であることがより好ましく、１５質量％～２３質量％であることが更に好ましい。酸モノマー単位の含有割合がこの範囲にあることは、解像性の向上および最小現像時間の延長の観点から好ましい。
　芳香族モノマーは、不飽和芳香族化合物とも呼ばれる。芳香族モノマーとしては、例えば、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルナフタレン等；（メタ）アクリル酸アラルキルエステル等を挙げることができる。（メタ）アクリル酸アラルキルエステルとしては、例えばベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　前記（Ａ）成分における芳香族モノマー単位（好ましくはスチレン単位）の共重合割合としては、全モノマー単位の合計質量に対して、３０質量％以上であることが好ましく、３２質量％～６０質量％であることがより好ましく、３５質量％～５５質量％であることが更に好ましい。疎水性が高く、現像液及び現像水洗水と馴染み難い芳香族モノマーの共重合割合を上記範囲に設定することは、解像性の向上および最小現像時間の延長の観点から好ましい。
　その他のモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、共役ジエン化合物、極性モノマー、架橋性モノマー等を挙げることができる。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、鎖状アルキルエステル及び環状アルキルエステルの双方を包含する概念であり、具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ｎ－テトラデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
　共役ジエン化合物としては、例えば、１，３－ブタジエン、イソプレン、２，３－ジメチル－１，３－ブタジエン、２－フェニル－１，３－ブタジエン、１，３－ペンタジエン、２－メチル－１，３－ペンタジエン、１，３－ヘキサジエン、４，５－ジエチル－１，３－オクタジエン、３－ブチル－１，３－オクタジエン等を挙げることができる。
　極性モノマーとしては、例えば、
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ペンテンオール等のヒドロキシ基含有モノマー；メタクリル酸２－アミノエチル等のアミノ基含有モノマー；
(メタ)アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ)アクリルアミド等のアミド基含有モノマー；
アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α－クロロアクリロニトリル、α－シアノエチルアクリレート等のシアノ基含有モノマー；
グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシシクロヘキシル等のエポキシ基含有モノマー；
等を挙げることができる。
　架橋性モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。
　前記第一の共重合体は、特に、（メタ）アクリル酸、スチレン、及びその他のモノマーの共重合体であることが好ましい。
　本第四の実施形態では、解像性及び現像性及び凝集性の観点から、上記で説明した芳香族モノマー単位の含有割合が４５質量％～９０質量％である第二の共重合体を含むことも好ましい。第二の共重合体において、芳香族モノマー単位の含有割合が４５質量％であることによって、第二の共重合体を含むレジストパターンの疎水性が確保される傾向にある。また、全共重合体の合計重量に対する第二の共重合体の重量比率は２５質量％以上であることは、凝集性を向上させるという観点から好ましい。
　第二の共重合体は、上記で説明した酸モノマー単位と、その他のモノマー単位を含んでもよい。第二の共重合体を重合するための芳香族モノマーとしては、疎水性の観点から、スチレンが好ましい。第二の共重合体中の芳香族モノマー単位の含有割合の上限は、現像性の観点から、８０質量％又は７０質量％であることがより好ましい。
　第二の共重合体は、上記で説明した酸モノマー単位と、その他のモノマー単位を含んでもよく、解像性及び現像性及び凝集性の観点から、上記で説明した酸モノマー単位の含有割合が、好ましくは２５質量％～５０質量％であり、より好ましくは２５質量％～４０質量％である。第二の共重合体を重合するための酸モノマーとしては、現像性の観点から、（メタ）アクリル酸が好ましい。
　前記（Ａ）成分の重量平均分子量（（Ａ）成分が複数種の共重合体を含む場合には、その混合物全体についての重量平均分子量）は、５，０００～１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００～５００，０００であることがより好ましく、１５，０００～１００，０００であることが更に好ましい。（Ａ）成分の重量平均分子量をこの範囲内に調整することは、レジストパターン形成の際の現像時間を、使用するラインプロセスの稼働状態に適合させる観点から好ましい。
　本第四の実施形態では、感光性樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として（以下、特に明示しない限り、各含有成分において同様である）、１０質量％～９０質量％が好ましく、２０質量％～８０質量％がより好ましく、４０質量％～６０質量％が更に好ましい。この含有量は、アルカリ現像性を維持するという観点から１０質量％以上であることが好ましく、一方で、露光によって形成されるレジストパターンがレジストとしての性能を十分に発揮するという観点から９０質量％以下であることが好ましい。
　酸モノマー単位の含有割合が２５質量％未満かつ芳香族モノマー単位の含有割合が３０質量％以上の第一の共重合体は、感光性樹脂組成物の固形分総量を基準として５質量％以上５０質量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０質量％以上４０質量％以下である。
［（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物］
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、その構造中にエチレン性不飽和基を有することによって重合性を有する化合物である。エチレン性不飽和結合は、付加重合性の観点から、末端エチレン性不飽和基であることが好ましい。
　本第四の実施形態では、（Ａ）アルカリ可溶性高分子と（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物を併用するときに、レジストパターンの良好な解像性を確保し、かつ最小現像時間の延長という観点から、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量が、９００以下であることが好ましい。本明細書では、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の平均分子量とは、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物が単一種であるとき、単一種のエチレン性不飽和結合含有化合物の構造式から導かれる重量平均分子量を意味し、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物が複数種から成るとき、それぞれのエチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量と配合割合の加重平均を意味する。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の重量平均分子量は、解像性の向上及び最小現像時間の延長の観点から、より好ましくは８５０以下、さらに好ましくは８００以下であり、そして感光性樹脂積層体におけるエッジフューズ性を抑制するという観点から、好ましくは５０以上であり、より好ましくは１００以上である。ここで、エッジフューズ性とは、感光性樹脂積層体をロール状に巻き取った場合にロールの端面から感光性樹脂組成物層がはみ出す現象である。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、下記（ｂ１）～（ｂ６）：
　（ｂ１）下記一般式（Ｉ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 ｛式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、かつｍ１は、２～４０を満たす数である。｝
で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ２）下記一般式（ＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 ｛式中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、ＡはＣ２Ｈ４であり、ＢはＣ３Ｈ６であり、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～５０の関係を満たす整数であり、－（Ａ－Ｏ）－及び－（Ｂ－Ｏ）－の繰り返し単位の配列は、ランダムであってもブロックであってもよく、ブロックの場合、－（Ａ－Ｏ）－と－（Ｂ－Ｏ）－とのいずれがビスフェニル基側でもよい。｝
で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ３）下記一般式（ＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 ｛式中、Ｒ５～Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、ｍ２、ｍ３及びｍ４は、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、０～４０であり、そしてｍ２＋ｍ３＋ｍ４が２以上である場合には、複数のＸは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい｝
で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ４）下記一般式（ＩＶ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 ｛式中、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｙは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、Ｚは、２価の有機基を表し、かつｓ及びｔは、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、かつｓ＋ｔ≧１である｝
で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物；
　（ｂ５）下記一般式（ＸＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 ｛式中、Ｒ５～Ｒ８は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表し、Ｘは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、ｍ２、ｍ３、ｍ４及びｍ５は、それぞれ独立に、０～４０の整数であり、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５は、０～５０であり、そしてｍ２＋ｍ３＋ｍ４＋ｍ５が２以上である場合には、複数のＸは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい｝
で表されるテトラ（メタ）アクリレート化合物；及び
　（ｂ６）上記（ｂ１）～（ｂ５）以外の付加重合性単量体；
から成る群から選択される少なくとも１つを含んでよい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、レジストパターンの剥離時間及び剥離片のサイズを調整するという観点から、（ｂ１）一般式（Ｉ）で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。
　一般式（Ｉ）において、ｍ１は、剥離時間及び剥離片サイズの観点から２以上であることが好ましく、解像性、耐めっき性及び耐エッチング性の観点から４０以下であることが好ましい。ｍ１は、より好ましくは４～２０であり、さらに好ましくは６～１２である。
　一般式（Ｉ）で表されるエチレングリコールジ（メタ）アクリレート化合物の具体例としては、ｍ１＝４のテトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ｍ１＝９のノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、又はｍ１＝１４のポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層の現像時に凝集物の発生を抑制するという観点から、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。一般式（ＩＩ）中のＢは、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－又は－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－でよい。
　一般式（ＩＩ）中の芳香環上の水素原子が、ヘテロ原子及び／又は置換基で置換されていてもよい。
　ヘテロ原子としては、例えば、ハロゲン原子等が挙げられ、そして置換基としては、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数３～１０のシクロアルキル基、炭素数６～１８のアリール基、フェナシル基、アミノ基、炭素数１～１０のアルキルアミノ基、炭素数２～２０のジアルキルアミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボニル基、メルカプト基、炭素数１～１０のアルキルメルカプト基、アリール基、水酸基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、アルキル基の炭素数が１～１０のカルボキシアルキル基、アルキル基の炭素数が１～１０のアシル基、炭素数１～２０のアルコキシ基、炭素数１～２０のアルコキシカルボニル基、炭素数２～１０のアルキルカルボニル基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数２～１０のＮ－アルキルカルバモイル基若しくは複素環を含む基、又はこれらの置換基で置換されたアリール基等が挙げられる。これらの置換基は縮合環を形成しているか、又はこれらの置換基中の水素原子がハロゲン原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。一般式（ＩＩ）中の芳香環が複数の置換基を有する場合には、複数の置換基は同一であるか、又は異なっていてよい。
　一般式（ＩＩ）中のＲ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基でよいが、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層の露光直後にコントラストを確保するという観点から、Ｒ３とＲ４の一方又は双方が水素原子であることが好ましく、Ｒ３とＲ４の双方が水素原子であることがより好ましい。
　（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物には、解像性の向上と最小現像時間の延長の観点から、比較的短鎖のアルキレンオキシドが付加されていることが好ましい。より詳細には、一般式（ＩＩ）において、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０～３０の関係を満たし、より好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０～２５の関係を満たし、さらに好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０～２０の関係を満たし、特に好ましくはｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０～１０の関係を満たす。
　解像性の向上と最小現像時間の延長の観点から、（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物のうちの４０質量％以上が、好ましくは、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物であり、より好ましくは、一般式（ＩＩ）中のｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４がｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝０～２０の関係を満たすアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物である。より好ましくは（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物のうちの５０質量％、さらに好ましくは５５質量％以上、最も好ましくは６０質量％が、（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキシド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物である。
　（ｂ２）一般式（ＩＩ）で表されるアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型ジ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均２単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均５単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均７単位のエチレンオキサイドを付加したポリエチレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均６単位のエチレンオキサイドと平均２単位のプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１５単位のエチレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡの両端にそれぞれ平均１５単位のエチレンオキサイドと平均２単位のプロピレンオキサイドを付加したポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　一般式（ＩＩ）において、ｎ１、ｎ２、ｎ３及びｎ４は、解像度の向上の観点から、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～２０の関係を満たすことも好ましく、ｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～１０の関係を満たすことも特に好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、解像性の向上と最小現像時間の延長の観点から、一般式（ＩＩ）においてｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～２０を満たす化合物、一般式（ＩＩ）においてＲ３とＲ４の一方又は双方がメチル基である化合物、及び一般式（ＩＩ）においてｎ１＋ｎ２＋ｎ３＋ｎ４＝２～１６を満たす化合物を同時に含有することが特に好ましい。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層の現像時に凝集物の発生を抑制するという観点から、（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。一般式（ＩＩＩ）中のＸは、炭素数２～６のアルキレン基であり、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等でよい。
　（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物は、解像性の観点から、比較的短鎖のアルキレンオキサイド部分を有することが好ましい。より詳細には、一般式（ＩＩＩ）において、ｍ２＋ｍ３＋ｍ４は、好ましくは８～４０であり、より好ましくは９～２５である。
　（ｂ３）一般式（ＩＩＩ）で表されるトリ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、エチレンオキサイド（ＥＯ）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート（ＥＯ平均付加モル数：１～４０）、プロピレンオキサイド（ＰＯ）変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート（ＰＯ平均付加モル数：１～４０）等が挙げられる。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、解像性の観点から、（ｂ４）一般式（ＩＶ）で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。
　一般式（ＩＶ）において、Ｚは、２価の有機基を表し、例えば、炭素数１～１０のアルキレン基、炭素数２～１０のアルキレンオキサイド基、置換基を有していてもよい炭素数３～１０の２価の脂環式基等でよい。
　一般式（ＩＶ）において、Ｙは、炭素数２～６のアルキレン基を表し、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等でよい。
　解像性をさらに向上させるという観点から、一般式（ＩＶ）中の－（Ｙ－Ｏ）ｓ－部分及び－（Ｙ－Ｏ）ｔ－部分は、それぞれ独立に、－（Ｃ２Ｈ５Ｏ）－（Ｃ３Ｈ６Ｏ）９－
で置換されていることも好ましい。
　（ｂ４）一般式（ＩＶ）で表されるウレタンジ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、β位に水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーとイソホロンジイソシアネート、２，６－トルエンジイソシアネート、２，４－トルエンジイソシアネート及び１，６－ヘキサメチレンジイソシアネート等のジイソシアネート化合物との付加反応物、トリス（（メタ）アクリロキシテトラエチレングリコールイソシアネート）ヘキサメチレンイソシアヌレート、ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレート並びにＥＯ，ＰＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートが挙げられる。なお、ＥＯはエチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有する。また、ＰＯはプロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有する。ＥＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業株式会社製、商品名「ＵＡ－１１」等が挙げられる。また、ＥＯ，ＰＯ変性ウレタンジ（メタ）アクリレートとしては、例えば、新中村化学工業株式会社製、商品名「ＵＡ－１３」等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層の現像時に凝集物の発生を抑制するという観点から、（ｂ５）一般式（ＸＩ）で表されるテトラ（メタ）アクリレート化合物を含むことが好ましい。
　一般式（ＸＩ）中のＸは、炭素数２～６のアルキレン基であり、例えば、－ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２－等でよい。
　（ｂ５）一般式（ＸＩ）で表されるテトラ（メタ）アクリレート化合物の好ましい具体例としては、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（ポリ）アルコキシテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物は、（ｂ６）成分として、（ｂ１）～（ｂ５）成分以外の付加重合性単量体を含んでよい。
　（ｂ６）成分としては、以下の：
　（ｂ３）成分以外のトリ（メタ）アクリレート、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化グリセリントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等；
　（ｂ５）成分以外のテトラ（メタ）アクリレート、例えば、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等；　ペンタ（メタ）アクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等；
　ヘキサ（メタ）アクリレート、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールの６つの末端に合計１～２４モルのエチレンオキサイドが付加されたヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールの６つの末端に合計１～１０モルのε-カプロラクトンが付加されたヘキサ（メタ）アクリレート等；
　１つの（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート化合物；
　多価アルコールにα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；
　グリシジル基含有化合物にα，β－不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；及び
　フタル酸系化合物、例えば、γ－クロロ－２－ヒロドキシプロピル－β’－（メタ）アクリロイルオキシエリル－ｏ－フタレート及びβ－ヒドロキシアルキル－β’－（メタ）アクリロルオキシアルキル－ｏ－フタレート等；
が挙げられる。
　本第四の実施形態では、感光性樹脂積層体におけるエッジフューズ性及び密着性の観点から、感光性樹脂組成物中の全ての（Ｂ）エチレン性不飽和結合含有化合物の総含有量は、好ましくは１質量％～７０質量％、より好ましくは２質量％～６０質量％、さらに好ましくは４質量％～５０質量％の範囲内である。
［（Ｃ）光重合開始剤］
　（Ｃ）成分は、光の照射により前記（Ｂ）成分の重合を開始し得るラジカルを発生する成分である。
　このような（Ｃ）成分としては、例えば、芳香族ケトン化合物、キノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン化合物、ベンジル化合物、ヘキサアリールビスイミダゾール化合物、アクリジン化合物等を使用することができる。これらのうち、高度の解像性及び良好なテンティング性の観点から、ヘキサアリールビスイミダゾール化合物及びアクリジン化合物から選択される１種以上を使用することが好ましい。また、感光性樹脂組成物の感度の観点から、（Ｃ）成分は、アクリジン化合物を含むことが好ましい。
　上記ヘキサアリールビスイミダゾール化合物としては、例えば、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，２’，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－４－（３，４－ジメトキシフェニル）－４’，５’－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４－ビス－（ｏ－クロロフェニル）－５－（３，４－ジメトキシフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２，４，５－トリス－（ｏ－クロロフェニル）－ジフェニルイミダゾリル二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－ビス－４，５－（３，４－ジメトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２－フルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３－ジフルオロメチルフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，５－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，６－ジフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，５－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，４，６－トリフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，６－テトラフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体、２，２’－ビス－（２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラキス－（３－メトキシフェニル）－イミダゾリル二量体等を挙げることができる。
　また、上記アクリジン化合物としては、例えば、
アクリジン、９－フェニルアクリジン、１，６－ビス（９－アクリジニル）ヘキサン、１，７－ビス（９－アクリジニル）ヘプタン、１，８－ビス（９－アクリジニル）オクタン、１，９－ビス（９－アクリジニル）ノナン、１，１０－ビス（９－アクリジニル）デカン、１，１１－ビス（９－アクリジニル）ウンデカン、１，１２－ビス（９－アクリジニル）ドデカン等を挙げることができる。
　本第四の実施形態の感光性樹脂組成物における（Ｃ）成分の含有量は、０．１質量％～２質量％が好ましく、０．２質量％～１．８質量％の範囲であることがより好ましく、０．３質量％～１．７質量％の範囲であることが更に好ましく、０．４質量％～１．６質量％であることが特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量をこのような範囲に設定することは、良好な光感度及び剥離特性を得るという観点から好ましい。
　（Ｃ）成分は、感度及び解像性の向上の観点から、増感剤を更に含有することができる。このような増感剤としては、例えば、Ｎ－アリールアミノ酸、有機ハロゲン化合物、その他の増感剤を挙げることができる。
　上記Ｎ－アリールアミノ酸としては、例えば、
Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－メチル－Ｎ－フェニルグリシン、Ｎ－エチル－Ｎ－フェニルグリシン等を；
有機ハロゲン化合物としては、例えば、
臭化アミル、臭化イソアミル、臭化イソブチレン、臭化エチレン、臭化ジフェニルメチル、臭化ベンジル、臭化メチレン、トリブロモメチルフェニルスルフォン、四臭化炭素、トリス（２，３－ジブロモプロピル）ホスフェート、トリクロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化イソブチル、１，１，１－トリクロロ－２，２－ビス（ｐ－クロロフェニル）エタン、クロル化トリアジン化合物等を；
それぞれ挙げることができる。
　上記その他の増感剤としては、例えば、
２－エチルアントラキノン、オクタエチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン、３－クロロ－２－メチルアントラキノン等のキノン化合物；
ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン［４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン］、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等の芳香族ケトン化合物；
ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾインエーテル化合物；
ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－Ｏ－ベンゾインオキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等のオキシムエステル化合物；
等を、挙げることができる。
　本第四の実施形態における増感剤の含有量は、組成物の光感度及びレジスト硬化膜の剥離性の観点から、０．０１質量％～５質量％が好ましく、０．０５質量％～３質量％がより好ましく、０．１質量％～２質量％が更に好ましい。
　なお、本第四の実施形態の感光性樹脂組成物においては、（Ｃ）成分としてアクリジン化合物及びＮ－アリールアミノ酸を使用し、これらを上記の使用割合の範囲内で併用することが、導体パターンを形成する際のエッチング速度抑制、及び配線幅の縦横差抑制の観点から好ましい。
［（Ｄ）安定化剤］
　感光性樹脂組成物は、所望により、安定化剤を含んでよい。本第四の実施形態では、解像性向上の観点からは、安定化剤としては、ヒンダードフェノールを使用することが好ましい。一般に、ヒンダードフェノールとは、立体障害の大きいフェノールをいう。感光性樹脂組成物は、ヒンダードフェノールとして下記一般式（Ｖ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 ｛式中、Ｒ５１は、置換されていてもよい、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、２価の連結基を介した直鎖アルキル基、２価の連結基を介した分岐アルキル基、２価の連結基を介したシクロヘキシル基又は２価の連結基を介したアリール基を表し、そしてＲ５２、Ｒ５３及びＲ５４は、各々独立に、水素、又は置換されていてもよい、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アリール基、シクロヘキシル基、２価の連結基を介した直鎖アルキル基、２価の連結基を介した分岐アルキル基、２価の連結基を介したシクロヘキシル基又は２価の連結基を介したアリール基を表す。｝で表される化合物を含む。
　一般式（Ｖ）で表される化合物は、感光性樹脂組成物の解像性を向上させる観点、及び感光性樹脂組成物の感度低下を抑制する観点で優れている。なお、一般式（Ｖ）で表される化合物は、１個の芳香環にフェノール性水酸基を２個以上有することがなく、そして、フェノール性水酸基の両オルト位のうち一方のオルト位のみに置換基を有しており、フェノール性水酸基周辺の立体障害の制御に特徴がある。このような構造であることにより、上記の優れた性能が発現すると考えられる。
　一般式（Ｖ）で表される化合物は、感光性樹脂組成物の解像性を向上させる観点、及び感光性樹脂組成物の感度低下を抑制する観点から、式（Ｖ）においてＲ５１、Ｒ５２、Ｒ５３及びＲ５４の少なくとも１つが芳香環を有していることが好ましい。同様の観点から、ヒンダードフェノールの水酸基濃度は、０．１０ｍｏｌ／１００ｇ～０．７５ｍｏｌ／１００ｇであることが好ましい。また、同様の観点から、上記一般式（Ｖ）において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３及びＲ５４の少なくとも１つは、直鎖若しくは分岐アルキル基、又は２価の連結基を介したアリール基であることが好ましく、そして好ましいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基などが挙げられ、そして好ましい２価の連結基としては、例えば、チオエーテル基、置換若しくは無置換のアルキレン基などが挙げられ、そしてアリール基は水酸基若しくはアルキル基で置換されていてもよい。
　また、同様の観点から、上記一般式（Ｖ）で表される化合物としては、例えば、下記一般式（ＶＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 ｛式中、Ｒ５５は、一般式（ＶＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 ［式中、Ｒ５９及びＲ６０は、各々独立に、水素、又は置換されていてもよい、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、アリール基、シクロヘキシル基を表す。］を表し、そしてＲ５６、Ｒ５７及びＲ５８は、各々独立に、水素、又は上記一般式（ＶＩＩ）を表す。｝で表される化合物、下記一般式（ＶＩＩＩ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 ｛式中、Ｒ６１及びＲ６４は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、そしてＲ６２、Ｒ６３、Ｒ６５及びＲ６６は、各々独立に、水素、又は直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、Ｘ１は２価の連結基を表す。｝で表される化合物、下記一般式（ＩＸ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 ｛式中、Ｒ６７、Ｒ７０及びＲ７３は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、そしてＲ６８、Ｒ６９、Ｒ７１、Ｒ７２、Ｒ７４及びＲ７５は、各々独立に、水素、又は直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、Ｙ１は３価の連結基を表す。｝で表される化合物、下記一般式（Ｘ）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 ｛式中、Ｒ７６、Ｒ７９、Ｒ８２及びＲ８５は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、そしてＲ７７、Ｒ７８、Ｒ８０、Ｒ８１、Ｒ８３、Ｒ８４、Ｒ８６及びＲ８７は各々独立に、水素、又は直鎖若しくは分岐アルキル基を表し、Ｚ１は４価の連結基を表す。｝で表される化合物であることが好ましい。そして、上記一般式（ＶＩＩＩ）におけるＸ１としては、チオエーテル基、置換若しくは無置換のアルキレン基などが挙げられる。
　一般式（Ｖ）で表される化合物は、感光性樹脂組成物の解像性を向上させる観点、及び感光性樹脂組成物の感度低下を抑制する観点から、約１３０～約１，０００の分子量を有することが好ましく、約２００～約８００の分子量を有することがより好ましく、約３００～約５００の分子量を有することが更に好ましく、約３００～約４００の分子量を有することが最も好ましい。また、約１．０２～約１．１２の比重若しくは約１５５℃以上（例えば、約２０８℃以上）の融点を有するか、又は水に対して難溶性であり、かつメタノール、アセトン、トルエンなどの有機溶媒に易溶性であるか、又は使用時に固体（例えば、粉末、結晶など）若しくは液体であることが好ましい。
　一般式（Ｖ）で表される化合物としては、例えば、４，４’－チオビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、４，４’－ブチリデンビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、スチレン化フェノール（川口化学工業（株）製、アンテージＳＰ）、トリベンジルフェノール（川口化学工業（株）製、ＴＢＰ、ベンジル基を１～３個有するフェノール）等が挙げられる。これらの中では、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量が多いことにより、解像性を向上させる観点、及び感光性樹脂組成物の感度低下を抑制する観点から、４，４’－チオビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－ｍ－クレゾール）、４，４’－ブチリデンビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）が好ましい。
　上記一般式（Ｖ）で表される化合物の、感光性樹脂組成物の全質量に対する割合は０．００１質量％～１０質量％である。この割合は、解像性の向上の点で、０．００１質量％以上であり、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、０．１質量％以上であることが更に好ましく、０．５質量％以上であることが特に好ましく、０．７質量％以上であることが最も好ましい。一方で、この割合は、感度低下が少ない点及び解像性の向上の点で、１０質量％以下であり、５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、２質量％以下であることが更に好ましく、１．５質量％以下であることが特に好ましい。
　本第四の実施形態では、ヒンダードフェノールとしては、一般式（Ｖ）で表される化合物以外の化合物を更に含有してもよい。一般式（Ｖ）で表される化合物以外の化合物としては、例えば、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔｅｒｔ－アミルヒドロキノン、２，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルヒドロキノン、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、ビス（２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブチル－５－エチルフェニル）メタン、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリチル・テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジルフォスフォネート－ジエチルエステル、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレート等が挙げられる。
　本第四の実施形態では、感光性樹脂組成物中の全てのヒンダードフェノールの合計含有量は、感光性樹脂組成物の全質量に対して、０．００１質量％～１０質量％であることが好ましい。
　本第四の実施形態では、感光性樹脂組成物は、ヒンダードフェノール以外の安定化剤を含んでもよい。ヒンダードフェノール以外の安定化剤としては、ラジカル重合禁止剤、例えば、ｐ－メトキシフェノール、ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、塩化第一銅、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－エチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、ジフェニルニトロソアミン、トリエチレングリコール－ビス（３－３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニルプロピオネート）、及びニトロソフェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩等；ベンゾトリアゾール類、例えば、１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－クロロ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール、ビス（Ｎ－２－エチルヘキシル）アミノメチレン－１，２，３－トリルトリアゾール、１－（２－ジ－ｎ－オクチルアミノメチル）－ベンゾトリアゾール、及びビス（Ｎ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレン－１，２，３－ベンゾトリアゾール等；カルボキシベンゾトリアゾール類、例えば、４－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、６－カルボキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、１－（２－ジ－ｎ－ブチルアミノメチル）－５－カルボキシルベンゾトリアゾールと１－（２－ジ－ｎ－ブチルアミノメチル）－６－カルボキシルベンゾトリアゾールの１：１混合物、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－ヒドロキシエチル）アミノメチレンカルボキシベンゾトリアゾール、及びＮ－（Ｎ，Ｎ－ジ－２－エチルヘキシル）アミノエチレンカルボキシベンゾトリアゾール等；及びグリシジル基を有するアルキレンオキサイド化合物、例えば、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト１５００ＮＰ）、ノナエチレングリコールジグリシジルエーテル（例えば共栄社化学（株）製エポライト４００Ｅ）、ビスフェノールＡ－プロピレンオキシド２モル付加物ジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト３００２）、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト４０００）、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル（例えば、共栄社化学（株）製エポライト１６００）等；から成る群から選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。
　本第四の実施形態では、感光性樹脂組成物中の全ての安定化剤の総含有量は、好ましくは０．００１質量％～３質量％、より好ましくは０．０１質量％～１質量％、さらに好ましくは０．０５質量％～０．７質量％の範囲内である。安定化剤の総含有量は、感光性樹脂組成物に良好な保存安定性を付与するという観点から０．００１質量％以上であることが好ましく、感光性樹脂層の感度を維持するという観点から３質量％以下であることが好ましい。
［その他の成分］
　本第四の実施形態の感光性樹脂組成物は、上記に説明した（Ａ）～（Ｄ）成分に加え、その他の成分を含有していてもよい。このようなその他の成分としては、例えば、ロイコ染料、ベース染料、可塑剤、酸化防止剤、ラジカル重合禁止剤、溶媒等を挙げることができる。
［ロイコ染料］
　上記ロイコ染料は、レジスト硬化膜に対して、好適な発色性と、優れた剥離特性とを付与するために、本第四の実施形態の感光性樹脂組成物に配合することができる。
　ロイコ染料の具体例としては、例えば、ロイコクリスタルバイオレット（トリス［４－（ジメチルアミノ）フェニル］メタン）、３，３－ビス（ｐ－ジメチルアミノフェニル）－６－ジメチルアミノフタリド、３－（４－ジエチルアミノフェニル）－３－（１－エチル－２－メチルインドール－３－イル）フタリド、３－（４－ジエチルアミノ－２－エトキシフェニル）－３－（１－エチル－２－メチルインドール－３－イル）－４－アザフタリド、１，３－ジメチル－６－ジエチルアミノフルオラン、２－クロロ－３－メチル－６－ジメチルアミノフルオラン、３－ジブチルアミノ－６－メチル－７－アニリノフルオラン、３－ジエチルアミノ－６－メチル－７－アニリノフルオラン、３－ジエチルアミノ－６－メチル－７－キシリジノフルオラン、２－（２－クロロアニリノ）－６－ジブチルアミノフルオラン、３，６－ジメトキシフルオラン、３，６－ジ－ｎ－ブトキシフルオラン、１，２－ベンツ－６－ジエチルアミノフルオラン、１，２－ベンツ－６－ジブチルアミノフルオラン、１，２－ベンツ－６－エチルイソアミルアミノフルオラン、２－メチル－６－（Ｎ－ｐ－トリル－Ｎ－エチルアミノ）フルオラン、２－（Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノ）－６－（Ｎ－ｐ－トリル－Ｎ－エチルアミノ）フルオラン、２－（３’－トリフ　ルオロメチルアニリノ）－６－ジエチルアミノフルオラン、３－クロロ－６－シクロヘキシルアミノフルオラン、２－メチル－６－シクロヘキシルアミノフルオラン、３－メトキシ－４－ドデコキシスチリノキノリン等を挙げることができる。これらのうち、ロイコクリスタルバイオレットが好ましい。
　本第四の実施形態の感光性樹脂組成物におけるロイコ染料の含有量は、０．６質量％～１．６質量％であることが好ましく、０．７質量％～１．２質量％であることがより好ましい。ロイコ染料の使用割合をこの範囲に設定することにより、良好な発色性と、良好な剥離性とを実現することができる。
［ベース染料］
　上記ベース染料としては、例えば、ベーシックグリーン１［ＣＡＳ番号（以下、同じ）：６３３－０３－４］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｇｒｅｅｎ　ＧＨ、商品名、保土谷化学工業製）、マラカイトグリーンシュウ酸塩［２４３７－２９－８］（例えばＡｉｚｅｎ　Ｍａｌａｃｈｉｔｅ　Ｇｒｅｅｎ、商品名、保土谷化学工業製）、ブリリアントグリーン［６３３－０３－４］、フクシン［６３２－９９－５］、メチルバイオレット［６０３－４７－４］、メチルバイオレット２Ｂ［８００４－８７－３］、クリスタルバイオレット［５４８－６２－９］、メチルグリーン［８２－９４－０］、ビクトリアブルーＢ［２５８０－５６－５］、ベーシックブルー７［２３９０－６０－５］（例えば、Ａｉｚｅｎ　Ｖｉｃｔｏｒｉａ　Ｐｕｒｅ　Ｂｌｕｅ　ＢＯＨ、商品名、保土谷化学工業製）、ローダミンＢ［８１－８８－９］、ローダミン６Ｇ［９８９－３８－８］、ベーシックイエロー２［２４６５－２７－２］、ダイアモンドグリーン等が挙げられる。これらのうち、ベーシックグリーン１、マラカイトグリーンシュウ酸塩、ベーシックブルー７、及びダイアモンドグリーンから選択される１種以上が好ましく、色相安定性及び露光コントラストの観点から、ベーシックグリーン１が特に好ましい。
　本第四の実施形態の感光性樹脂組成物におけるベース染料の含有量は、０．００１質量％～３質量％が好ましく、より好ましくは０．０１質量％～２質量％の範囲であり、更に好ましくは、０．０１質量％～１．２質量％の範囲である。この範囲の使用割合とすることにより、良好な発色性と、高い感度とを両立することができる。
［溶媒］
　本第四の実施形態の感光性樹脂組成物は、上記の（Ａ）～（Ｃ）成分及び任意的に使用されるその他の成分の混合物であることができ、又はこれらの成分に適当な溶媒を添加して構成される感光性樹脂組成物調合液として用いてもよい。
　ここで使用される溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等のケトン化合物；エタノール、エタノール、及びイソプロピルアルコール等のアルコール；等が挙げられる。
　溶媒の使用割合としては、感光性樹脂組成物調合液の２５℃における粘度が５００～４，０００ｍＰａ・秒となるような割合とすることが好ましい。
＜感光性エレメント＞
　本第四の実施形態において、感光性エレメントは、上述した感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が、支持体上に積層された積層体（感光性樹脂積層体）である。必要により、前記感光性樹脂層の支持体と反対側の表面に保護層を有していてもよい。
［支持体］
　支持体としては、露光光源から放射される光を透過する透明な基材が好ましい。このような支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合フィルム、ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィルム等が挙げられる。これらのフィルムとしては、必要に応じ延伸されたものも使用可能である。
　支持体のヘーズは、５以下であることが好ましい。
　支持体の厚みは、薄い方が画像形成性及び経済性の面で有利であるが、強度を維持する必要がある。これら双方を考慮すると、１０μｍ～３０μｍの支持体を好ましく用いることができる。
［感光性樹脂層］
　感光性樹脂層の形成に使用する感光性樹脂組成物が溶媒を含有している場合、感光性樹脂層においては、溶媒は、残存していてもよいが、除去されていることが好ましい。
　感光性樹脂層の厚みは、好ましくは５μｍ～１００μｍであり、より好ましくは７μｍ～６０μｍである。この厚みが薄いほど解像度は向上し、厚いほど膜強度が向上する。従って、該組成物層の厚みは、用途に応じて上記の範囲内で適宜選択することができる。
［保護層］
　保護層の重要な特性は、感光性樹脂層との密着力が、支持体と感光性樹脂層との密着力よりも十分に小さく、容易に剥離できることである。保護層としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等が好ましく使用できる他、例えば特開昭５９－２０２４５７号公報に開示された剥離性の優れたフィルムを用いることができる。
　保護層の厚みは、１０μｍ～１００μｍが好ましく、１０μｍ～５０μｍがより好ましい。
［感光性エレメントの製造方法］
　感光性エレメントは、支持体及び感光性樹脂層、並びに必要により保護層を順次積層することにより、製造することができる。支持体、感光性樹脂層、及び保護層の積層方法としては、公知の方法を採用することができる。
　例えば、感光性樹脂組成物を前述の感光性樹脂組成物調合液として調製し、先ず、支持体上にバーコーター又はロールコーターを用いて塗布して乾燥させ、支持体上に感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を形成する。次いで、必要により、形成された感光性樹脂層上に保護層を積層することにより、感光性エレメントを製造することができる。
＜レジストパターンの形成方法＞
　上記のような感光性エレメントを用いて、基板上にレジストパターンを形成することができる。
　レジストパターンの形成方法は、以下の工程：
　感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程；
　積層された感光性樹脂層を露光する露光工程；及び
　露光された感光性樹脂層を現像する現像工程；
を、上記に記載の順に含むことが好ましい。
　本第四の実施形態に係るレジストパターンの形成方法においては、先ず、ラミネート工程において、ラミネーターを用いて基板上に感光性樹脂層を形成する。具体的には、感光性エレメントが保護層を有する場合には保護層を剥離した後、ラミネーターを用いて感光性樹脂層を基板表面に加熱圧着しラミネートする。
　基板としては、金属板又は金属皮膜を有する絶縁性基板が用いられる。金属の材質としては、例えば、銅、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、ガラス、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの基板は、多層基板に対応するためのスルーホールを有していてもよい。
　ここで、感光性樹脂層は、基板表面の片面だけにラミネートしてもよいし、必要に応じて基板両面にラミネートしてもよい。この時の加熱温度は、４０℃～１６０℃とすることが好ましい。加熱圧着を２回以上行うことは、得られるレジストパターンの基板に対する密着性をより向上させる観点から好ましい。２回以上の圧着を行う場合には、二連のロールを備えた二段式ラミネーターを使用してもよいし、基板と感光性樹脂層との積層物を何回か繰り返してロールに通して圧着してもよい。
　また、ラミネート工程では、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層することができる。これは、追従性および歩留りの向上の観点から好ましい積層方法である。湿潤剤としては、純水、脱イオン水、及び電解水から選ばれる１種以上と、銅キレート化剤（例えば、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、ピリジン化合物、及びピラゾール化合物から成る群から選ばれる１種以上の化合物）とを含むことが好ましい。
　次に、露光工程において、露光機を用いて感光性樹脂層を露光する。この露光は、支持体を剥離せずに該支持体を介して行ってもよいし、必要ならば支持体を剥離した後に行ってもよい。
　この露光をパターン状に行うことにより、後述の現像工程を経由した後、所望のパターンを有するレジスト膜（レジストパターン）を得ることができる。パターン状の露光は、フォトマスクを介して露光する方法、及びマスクレス露光の何れの方法によってもよい。フォトマスクを介して露光する場合、露光量は、光源照度及び露光時間により決定される。露光量は、光量計を用いて測定してもよい。
　マスクレス露光においては、フォトマスクを使用せず、基板上に直接描画装置によって露光する。光源としては、波長３５０ｎｍ～４１０ｎｍの半導体レーザー、超高圧水銀灯等が用いられる。マスクレス露光において、描画パターンはコンピューターによって制御され、露光量は、露光光源の照度及び基板の移動速度によって決定される。
　次に、現像工程において、露光された感光性樹脂層を現像する。例えば、感光性樹脂層の未露光部を、現像液により除去する。露光後、感光性樹脂層上に支持体がある場合には、これを除いた後に現像工程に供することが好ましい。
　現像工程においては、アルカリ水溶液から成る現像液を用いて、未露光部を現像除去し、レジスト画像を得る。アルカリ水溶液としては、例えば、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３等の水溶液を用いることが好ましい。アルカリ水溶液は、感光性樹脂層の特性に合わせて選択されるが、０．２質量％～２質量％の濃度のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いることが好ましい。該アルカリ水溶液中には、界面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。
　現像工程における現像液の温度は、２０℃～４０℃の範囲で一定温度に保つことが好ましい。
　上述の工程によってレジストパターンが得られる。場合によっては、更に１００℃～３００℃の加熱工程を行ってもよい。この加熱工程を実施することは、更なる耐薬品性向上の観点から好適である。加熱には、熱風、赤外線、遠赤外線等の適宜の方式の加熱炉を用いることができる。
＜配線板の形成方法＞
　本第四の実施形態に係る配線板の形成方法は、以下の工程：
　感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程；
　積層された感光性樹脂層を露光する露光工程；
　露光された感光性樹脂層を現像する現像工程；
　現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程；及び
　レジストパターンを剥離する剥離工程、
を、好ましくは上記に記載の順に含む。
　導体パターン形成工程においては、レジストパターンが形成された基板上で、現像工程によって露出した基板表面（例えば銅面）に、公知のエッチング法又はめっき法を用いて導体パターンを形成することができる。
　上記剥離工程においては、導体パターンが形成された基板を適当な剥離液と接触させることにより、レジストパターンが剥離除去される。この工程により、所望の配線板が得られる。
　剥離工程において使用される剥離液は、アルカリ水溶液であることが好ましい。このアルカリ水溶液としては、例えば、２質量％～５質量％のＮａＯＨ水溶液又はＫＯＨ水溶液を使用することが好ましい。剥離液には、少量の水溶性溶媒、例えばアルコール等、を加えてもよい。剥離工程における剥離液の温度は、４０℃～７０℃とすることが好ましい。
　本第四の実施形態に係る感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及び配線板の製造方法は、例えば、プリント配線板、リードフレーム、凹凸パターンを有する基材、半導体パッケージ等の製造に、極めて好適に適用することができる。
　なお、上述した各種パラメータの測定方法については、特に断りのない限り、後述の実施例における測定方法に準じて測定される。
＜第一の実施形態に関する実施例及び比較例＞
　以下、本第一の実施形態の感光性樹脂組成物について、実施例の形式により具体的に説明する。
（１）原料物性値の測定
＜重量平均分子量の測定＞
　高分子の重量平均分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（ポンプ：Ｇｕｌｌｉｖｅｒ、ＰＵ－１５８０型、カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ－８０７、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０２．５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル（昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ　ＳＴＡＮＤＡＲＤ　ＳＭ－１０５）による検量線使用）を用い、ポリスチレン換算値として求めた。
＜酸当量＞
　本明細書において、酸当量とは、分子中に１当量のカルボキシル基を有する重合体の質量（グラム）を意味する。平沼産業（株）製平沼自動滴定装置（ＣＯＭ－５５５）を使用し、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いる電位差滴定法により酸当量を測定した。
（２）評価用サンプルの作製方法と分析
＜感光性エレメントの作製＞
　表１に示した各成分、並びに以下の各成分：
着色物質として、ダイヤモンドグリーン０．０４質量部；
ロイコ染料として、ロイコクリスタルバイオレット０．６質量部；
ハロゲン化合物として、トリモブロモメチルフェニルスルフォン０．７質量部；
可塑剤として、ｐ－トルエンスルホンアミド２質量部；
ベンゾトリアゾール類として、カルボキシルベンゾトリアゾール０．０５質量部；
ベンゾトリアゾール類として、１－（２－ジ－ｎ－オクチルアミノメチル）－ベンゾトリアゾール０．１５質量部；
酸化防止剤として、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（共栄社化学、エポライト４０００）０．０５質量部；及び
ラジカル重合禁止剤として、トリス（ニトロソフェニルヒドロキシアミン）アルミニウム０．００４質量部
を混合し、更にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を追加して、固形分濃度５３質量％の感光性樹脂組成物を調製した。表１における各成分欄の数字は、組成物の調製に供した各成分の量（質量部）である。
　得られた感光性樹脂組成物を、支持体である厚み１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（三菱樹脂（株）製Ｒ３１０、ヘーズ値２．１％）上に、バーコーターを用いて均一に塗布した後、９５℃に調温した乾燥機中で２．５分間加熱乾燥させて、支持体上に厚み２５μｍの感光性樹脂組成物層を形成した。
　次いで、上記感光性樹脂組成物層の支持体と反対側の面上に、保護層である厚み１９μｍのポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製ＧＦ－１８）を貼付することにより、感光性エレメントを得た。
＜評価に使用した基板＞
　テンティング性評価用の基板としては、厚み３５μｍの銅箔を積層した厚み１．６ｍｍの銅張積層基板に、直径６ｍｍのスルーホールを１，００８孔形成した基板を；
テンティング性以外の評価用基板としては、厚み１８μｍの銅箔を積層した厚み０．４ｍｍの銅張積層基板を；
それぞれ用いた。
　テンティング性評価用の基板は、ジェットスクラブ研磨機を用いた表面処理により整面した後に評価に供した。
　テンティング性以外の評価用の基板は、ソフトエッチング剤（菱江化学（株）製、ＣＰＥ－９００）を用いた表面処理、及び１０質量％Ｈ２ＳＯ４水溶液による表面洗浄を順次に行って整面した後に評価に供した。
＜ラミネート＞
　整面後の基板上に、各実施例又は比較例で得た感光性エレメントのポリエチレンフィルムを剥がしながら、ホットロールラミネーター（旭化成（株）製、ＡＬ－７０）により、ロール温度１０５℃、エアー圧力０．３５ＭＰａ、及びラミネート速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートした。
＜露光＞
　直接描画式露光装置（日本オルボテック株式会社製、Ｐａｒａｇｏｎ　Ｕｌｔｒａ　２００、主波長３５５ｎｍ）を用いて、直接描画式露光方法にて露光した。
　露光パターンについては、各評価項目の項で後述する。
＜現像＞
　露光後の感光性樹脂組成物層から支持体を剥離した後、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて、３０℃の１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を最小現像時間の２倍の時間スプレーして、感光性樹脂組成物層の未露光部分を溶解除去した。現像後、現像時間の１．５倍の時間で純水で洗浄し、エアーナイフで水切り処理後温風乾燥を行うことによって、評価用硬化膜を有する基板を得た。
　上記最小現像時間とは、感光性樹脂組成物層の未露光部分が完全に溶解除去されるまでに要する最小の時間をいう。
＜感度の評価＞
　感度の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、ライン／スペース＝４０μｍ／４０μｍのライン１０本のマスクパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。得られたレジストパターンの、レジストトップ幅を光学顕微鏡により測定し、以下の基準によって感度を評価した。
　　レジストトップ幅が３９．０μｍとなる露光量が２８ｍJ以下：感度「○（良好）」
　　レジストトップ幅が３９．０μｍとなる露光量が２８ｍJを超える：感度「×（不良）」
　ここで、レジストラインの測定場所は、１０本あるラインのうちの端から５本目のライン、長さ方向の端から約５ｍｍの位置とし、測定値として３回測定の平均値を用いた。パターンの端と中央部とでは、現像液及び水洗水の拡散の影響で線幅が異なり、端側のレジストラインが細くなる傾向がある。
　以下の評価項目における露光量は、上記＜感度の評価＞に記載のとおり、ライン／スペース＝４０μｍ／４０μｍのマスクパターンに対してレジストトップ幅が３９．０μｍとなる露光量とした。
＜解像性の評価＞
　解像性の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、種々のサイズのライン／スペース＝１／１のパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。
　得られたパターンについて、形成されていた最小のパターン幅を光学顕微鏡により観察し、以下の基準によって解像性を評価した。
　　最小パターン幅が２０μｍ以下であった場合：解像性「○（良好）」
　　最小パターン幅が２０μｍを超え、２４μｍ以下であった場合：解像性「△（可）」
　　最小パターン幅が２４μｍを超えた場合：解像性「×（不良）」
＜密着性＞
　密着性の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、種々のサイズの独立ラインのパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。
　得られたパターンを光学顕微鏡により観察し、以下の基準によって密着性を評価した。
　　正常に形成された最小パターン幅が１８μｍ以下であった場合：密着性「○（良好）」
　　正常に形成された最小パターン幅が１８μｍを超え、２２μｍ以下であった場合：密着性「△（可）」
　　正常に形成された最小パターン幅が２２μｍを超える：密着性「×（不良）」
　ここで、ラインパターンが正常に形成されなかった場合とは、該ラインパターンが倒れていた場合、該ラインパターンが蛇行していた場合、又は基板上に該ラインパターンが存在していなかった場合をいう。
＜テンティング性＞
　テンティング性の評価は、スルーホールを有する基板を用いて得られた上記＜ラミネート＞後のラミネート基板を観察して行った。
　スルーホール上に形成された感光性樹脂組成物層（テント膜）が破れていた孔数を計測し、全部の孔に対する割合（テント膜破れ率）を算出し、以下の基準により評価した。
　　テント膜破れ率が０．１％未満であった場合：テンティング性「◎（極めて良好）」
　　テント膜破れ率が０．１％以上２％未満であった場合：テンティング性「○（良好）」
　　テント膜破れ率が２％以上であった場合：テンティング性「×（不良）」
＜エッチング速度（配線ボトム幅）＞
　エッチング速度（配線ボトム幅）の評価は、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　ラミネート基板に対し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍで、ラインが１０本あるパターンを直接描画露光した。露光から１５分経過した後、感光性樹脂組成物層から支持体を剥離し、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて、３０℃の１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を最小現像時間の２倍の時間スプレーして、感光性樹脂組成物層の未露光部分を溶解除去した。現像後、現像時間の１．５倍の時間で純水にて洗浄した。
　次いで、このライン／スペースパターンを有する水洗後の基板を乾燥せずに、該基板のライン／スペースの向きを搬送方向に直交（ＭＤ）として塩化銅エッチング装置（東京化工機製、ＮＬＥ－２０００）に導入し、塩酸濃度３．２モル／Ｌ、塩化第二銅濃度２．０モル／Ｌ、エッチングスプレー圧力０．２ＭＰａ、及びエッチング液温度５０℃の条件で、ライン速度２．０ｍ／分にて５５秒間エッチングした。
　上記エッチング後、剥離液として濃度３．０質量％のＮａＯＨ水溶液を用い、温度５０℃において基板上の硬化膜を剥離除去して得られた銅ラインのＭＤ方向の配線パターンのボトム幅を光学顕微鏡により測定した。
　ここで、配線パターンのラインの測定場所は、１０本あるラインの端から５本目のライン、長さ方向の端から約５ｍｍの位置とし、測定値として３回測定の平均値を用いた。パターンの端と中央部では現像液及び水洗水の拡散によるレジストへの影響が異なるために仕上がり配線の線幅が異なり、端側の配線幅が細くなる傾向がある。
＜配線幅の縦横差＞
　配線幅の縦横差の評価は、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　ラミネート基板に対し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍのライン１０本のパターンがＭＤ方向及びＴＤ方向にタイル状に配置された露光パターンを直接描画露光した。
露光から１５分経過した後、感光性樹脂組成物層から支持体を剥離し、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて、３０℃の１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を最小現像時間の２倍の時間スプレーして、感光性樹脂組成物層の未露光部分を溶解除去した。現像後、現像時間の１．５倍の時間で純水にて洗浄した。
　次いで、このライン／スペースパターンを有する水洗後の基板を乾燥せずに、該基板のライン／スペースの向きを搬送方向に直交（ＭＤ）として塩化銅バキュームエッチング装置（フジ機工製、投入口幅７５０ｍｍ、槽長２．６ｍ）に導入し、エッチング液配管ＭＤ方向に１４列（配管間隔 約１８ｃｍ）、配管１本あたりのスプレーノズル数ＴＤ方向に１４本（スリットノズル、噴射方向はＴＤ方向に平行、ノズル間隔 約１４ｃｍ、基板との距離 約５ｃｍ）、オシレーションなし、塩酸濃度２．８５モル／Ｌ、塩化第二銅濃度２．０モル／Ｌ、エッチングスプレー圧力０．３ＭＰａ、バキューム圧力０．１５ＭＰａ、及びエッチング液温度４８℃の条件で、ライン速度２．２ｍ／分にて７１秒間エッチングした。
　上記エッチング後、剥離液として濃度３．０質量％のＮａＯＨ水溶液を用い、温度５０℃において基板上の硬化膜を剥離除去して得られたＭＤ方向、ＴＤ方向の２組の銅のラインパターンについて、ボトム幅を光学顕微鏡により測定した。
　ここで、配線パターンのラインの測定場所は、１０本あるラインの端から５本目のライン、長さ方向の端から約５ｍｍの位置とし、測定値として３回測定値の平均値を用いた。パターンの端と中央部では現像液、水洗水の拡散によるレジストへの影響が異なるために仕上がり配線の線幅が異なり、端側の配線幅が細くなる傾向がある。
　そして、下記数式：
　　配線幅の縦横差（μｍ）＝ＴＤ－ＭＤ
により配線幅の縦横差を計算し、以下の基準により評価した。
　　配線幅の縦横差が１μｍ以下であった場合：配線ボトム幅　縦横差「◎（極めて良好）」
　　配線幅の縦横差が１μｍを超え２μｍ以下であった場合：配線ボトム幅　縦横差「○（良好）」
　　配線幅の縦横差が２μｍを超え４μｍ以下であった場合：配線ボトム幅　縦横差「△（可）」
　　配線幅の縦横差が４μｍを超えた場合：配線ボトム幅　縦横差「×（不良）」
実施例１～２３及び比較例１～８
　実施例及び比較例で用いた感光性樹脂組成物の組成を表１に、
　表１に記載の各成分名の詳細を表２に、それぞれ示した。表１における各成分の配合量は、いずれも、固形分換算の質量部である。
　各組成物を用いて行った評価結果を、表１に合わせて示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
＜第二の実施形態に関する実施例及び比較例＞
　以下、本第二の実施形態の感光性樹脂組成物について、実施例の形式により具体的に説明する。
（１）原料物性値の測定
＜酸当量＞
　酸当量とは、その中に１当量のカルボキシル基を有するアルカリ可溶性高分子の質量をいう。酸当量の測定は、自動滴定装置（例えば平沼産業（株）製平沼自動滴定装置（ＣＯＭ－５５５））を使用し、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により行われる。
＜重量平均分子量の測定＞
　高分子の重量平均分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（ポンプ：Ｇｕｌｌｉｖｅｒ、ＰＵ－１５８０型、カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ－８０７、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０２．５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル（昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ　ＳＴＡＮＤＡＲＤ　ＳＭ－１０５）による検量線使用）を用い、ポリスチレン換算値として求めた。
（２）評価用サンプルの作製方法
＜感光性エレメントの作製＞
　表３に示した各成分を混合し、更にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を追加して、固形分濃度５５質量％の感光性樹脂組成物を調製した。
　得られた感光性樹脂組成物を、支持体である厚み１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、ＧＲ－１６）上に、バーコーターを用いて均一に塗布した後、９５℃に調温した乾燥機中で４分間加熱乾燥させて、支持体上に厚み３３μｍの感光性樹脂層を形成した。
　次いで、上記感光性樹脂層の支持体と反対側の面上に、保護層である厚み１９μｍのポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製ＧＦ－１８）を貼付することにより、感光性エレメントを得た。
＜評価に使用した基板＞
　評価用基板としては、３５μｍ圧延銅箔を積層した１．６ｍｍ厚の銅張積層板の表面を湿式バフロール研磨により整面した物を用いた。研磨は、スリーエム（株）製、スコッチブライト（登録商標）ＨＤ♯６００を用い、２回通しにより行った。
＜ラミネート＞
　整面して６０℃に予熱した基板上に、各実施例又は比較例で得た感光性エレメントのポリエチレンフィルムを剥がしながら、ホットロールラミネーター（旭化成（株）製、ＡＬ－７０）により、ロール温度１０５℃、エアー圧力０．３５ＭＰａ、及びラミネート速度１．５ｍ／ｍｉｎの条件下でラミネートした。
＜露光＞
　直接描画露光機（日立ビアメカニクス（株）製、ＤＥ－１ＤＨ、光源：ＧａＮ青紫ダイオード、主波長４０５±５ｎｍ）により、ストウファ４１段ステップタブレット又は所定のＤＩ露光用のマスクパターンを用いて、照度８０ｍＷ／ｃｍ２の条件下で、ストウファ４１段ステップタブレットにおいて１４段を与えるのに相当する露光量で露光した。
＜現像＞
　露光後の感光性樹脂層から支持体を剥離した後、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて、３０℃の１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を最小現像時間の２倍の時間スプレーして、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。現像後、現像時間の１．５倍の時間に亘って純水で洗浄し、エアーナイフによる水切り処理後、温風乾燥を行うことによって、評価用硬化膜を有する基板を得た。
　最小現像時間とは、感光性樹脂層の未露光部分が完全に溶解除去されるまでに要する最小の時間をいう。
＜エッチング＞
　現像によって、レジストパターンが形成された評価基板に、塩銅エッチング装置（東京化工機（株）社製、塩銅エッチング装置）を用いて、５０℃の塩化第二銅エッチング液（塩化第二銅濃度２５０ｇ／Ｌ、ＨＣｌ濃度３ｍｏｌ／Ｌ）を６０秒間スプレーすることにより、銅張積層板上のレジストパターンにより被覆されていない部分の銅箔を溶解除去した。
＜剥離＞
　エッチング後の評価用基板に、５０℃に加温した３質量％の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーすることにより、硬化したレジストを剥離した。
（３）評価方法
（ｉ）現像凝集性試験
　光重合性樹脂積層体中の厚さ５０μｍ、面積０．６ｍ２の感光層（レジスト層）を、２００ｍｌの１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液に溶解させ、循環式スプレー装置を用いてスプレー圧０．１ＭＰａで３時間スプレーを行った。その後、現像液を１日放置し、凝集物の発生を観察した。凝集物が多量に発生するとスプレー装置の底部及び側面に粉状物又は油状物が観察される。また、現像液に凝集物が浮遊することもある。現像液凝集性が良好な組成は、このような凝集物が全く発生しないか、又は発生しても極微量で水洗により簡単に洗い流すことが可能である。凝集物の発生状態を目視観察により以下のようにランク分けした。
　◎（著しく良好）：凝集物が全く発生しない。
　○（良好）：スプレー装置の底部又は側面には凝集物がなく、現像液に目視で確認可能な極微量の凝集物の浮遊が観察されるが水洗すると簡単に洗い流される。
　△（可）：スプレー装置の底部又は側面の一部及び現像液に凝集物が浮遊している。水洗しても凝集物の全てを洗い流すことはできない。
　×（不良）：スプレー装置全体に凝集物が見られ且つ現像液に凝集物が浮遊している。水洗でも凝集物の全てを洗い流すことは不可能であり、その大半が残留する。
（ｉｉ）感度試験
　各実施例及び比較例で得た感光性エレメントを用いて上記の方法に従ってラミネート及び露光を行って、各露光量及び現像後に残った段数により、ストウファ４１段ステップタブレットにおいて１４段を与えるのに相当する露光量（ｍｊ／ｃｍ２、１４／４１ＳＴ露光量）を調べ、以下の基準により評価した。
　感度「〇」（良好）：１４／４１ＳＴ露光量が２５ｍｊ／ｃｍ２以下であった場合
　感度「×」（不良）：１４／４１ＳＴ露光量が２５ｍｊ／ｃｍ２を超えた場合
（ｉｉｉ）解像度試験
　各実施例及び比較例で得た感光性エレメントを用いて上記の方法に従ってラミネートを行った後、１５分経過した試料を用い、ライン／スペースを１／１に設定し、さらに上記の方法に従って直接描画露光を行った。次いで、上記の方法に従って現像を行なった。
　さらに、硬化レジストラインが正常に形成されている最小のマスクライン幅を調べ、以下の基準で評価した。
　解像度「〇」（良好）：最小ライン幅が２５μｍ未満であった場合
　解像度「△」（可）：最小ライン幅が２５μｍ以上３０μｍ未満であった場合
　解像度「×」（不良）：最小ライン幅が３０μｍ以上であった場合
（ｉｖ）密着性試験
　各実施例及び比較例で得た感光性エレメントを用いて上記の方法に従ってラミネートを行った後、１５分経過した試料を用い、上記の方法に従って直接描画露光を行った。次いで、上記の方法に従って現像した。
　さらに、ライン／スペース＝Ｘ／２００としたときに、Ｘとして、正常に形成されている最小のマスクライン幅を調べ、以下の基準で評価した。
　密着性「〇」（良好）：最小ライン幅が２５μｍ未満であった場合
　密着性「△」（可）：最小ライン幅が２５μｍ以上３０μｍ未満であった場合
　密着性「×」（不良）：最小ライン幅が３０μｍ以上であった場合
実施例１～６及び比較例１～５
　実施例及び比較例で用いた感光性樹脂組成物の組成を表３に示し、かつ表３中の各成分名の詳細を表４に示した。表４中の各成分の配合量は、いずれも、固形分換算の質量部である。
　各組成物を用いて行った評価結果も表４に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000028
＜第三の実施形態に関する実施例及び比較例＞
　以下、本第三の実施形態の感光性樹脂組成物について、実施例の形式により具体的に説明する。
　高分子及び単量体の物性値の測定、並びに実施例及び比較例の評価用サンプルの作製方法を説明し、次いで、得られたサンプルについての評価方法及びその評価結果を示す。
（１）物性値の測定又は計算
＜高分子の重量平均分子量又は数平均分子量の測定＞
　高分子の重量平均分子量又は数平均分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（ポンプ：Ｇｕｌｌｉｖｅｒ、ＰＵ－１５８０型、カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ－８０７、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０２．５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル（昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ　ＳＴＡＮＤＡＲＤ　ＳＭ－１０５）による検量線使用）によりポリスチレン換算として求めた。
　さらに、高分子の分散度は、数平均分子量に対する重量平均分子量の比（重量平均分子量／数平均分子量）として算出された。
＜酸当量＞
　本明細書において、酸当量とは、分子中に１当量のカルボキシル基を有する重合体の質量（グラム）を意味する。平沼産業（株）製平沼自動滴定装置（ＣＯＭ－５５５）を使用し、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いて電位差滴定法により酸当量を測定した。
（２）評価用サンプルの作製方法
　実施例１～１２及び比較例１～５における評価用サンプルは以下のように作製した。
＜感光性樹脂積層体の作製＞
　下記表５又は６に示す成分（但し、各成分の数字は固形分としての配合量（質量部）を示す）及び溶媒を十分に攪拌、混合して、感光性樹脂組成物調合液を得た。表５及び６中に略号で表した成分の名称を下記表７に示す。支持フィルムとして１６μｍ厚のポリエチレンテレフタラートフィルム（三菱樹脂（株）製、Ｒ３１０－１６Ｂ）を用い、その表面にバーコーターを用いて、この調合液を均一に塗布し、９５℃の乾燥機中で３分間乾燥して、感光性樹脂組成物層を形成した。感光性樹脂組成物層の乾燥厚みは３０μｍであった。
　次いで、感光性樹脂組成物層のポリエチレンテレフタラートフィルムを積層していない側の表面上に、保護層として１９μｍ厚のポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製、ＧＦ－８１８）を貼り合わせて感光性樹脂積層体を得た。
＜基板整面＞
　研削材（日本カーリット（株）製、サクランダムＲ（登録商標＃２２０））を用いて、３５μｍ圧延銅箔を積層した０．４ｍｍ厚の銅張積層板をスプレー圧０．２ＭＰａでジェットスクラブ研磨することにより、評価用基板を作製した。
＜ラミネート＞
　感光性樹脂積層体のポリエチレンフィルムを剥がしながら、整面して６０℃に予熱した銅張積層板に、ホットロールラミネーター（旭化成（株）社製、ＡＬ－７００）により、感光性樹脂積層体をロール温度１０５℃でラミネートして試験片を得た。エアー圧は０．３５ＭＰａとし、ラミネート速度は１．５ｍ／分とした。
＜露光＞
　直接描画式露光装置（ビアメカニクス株式会社製、ＤＥ－１ＤＨ、主波長４０５ｎｍ）により１５ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。
＜現像＞
　感光性樹脂積層体からポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、（株）フジ機工製現像装置を用い、フルコーンタイプのノズルにて、現像スプレー圧０．１５ＭＰａで、３０℃の１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を所定時間スプレーして現像し、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。このとき、未露光部分の感光性樹脂層が完全に溶解するのに要する最も少ない時間を最小現像時間として測定し、最小現像時間の２倍の時間で現像してレジストパターンを作製した。その際、水洗工程は、フラットタイプのノズルにて水洗スプレー圧０．１５ＭＰａで、現像工程と同時間処理した。
（３）サンプルの評価方法
＜テント性＞
　幅２．０ｍｍ×長さ１５ｍｍのスルーホールを有する０．６ｍｍ厚の両面銅張積層板を、ジェットスクラブ研磨機により表面処理した。上記＜ラミネート＞において説明した方法により両面にラミネートを行い、直接描画式露光装置（ビアメカニクス株式会社製、ＤＥ－１ＤＨ、主波長４０５ｎｍ）により両面を全面露光した。上記＜現像＞において説明した方法によって現像したときに、破れたテント穴数を計測し、全テント穴に対する破れ率を算出して、以下の基準によりランク分けした。
　◎◎（最良）：現像後の膜破れ率が、２％以下である。
　◎（極めて良好）：現像後の膜破れ率が、２％を超え、かつ４％以下である。
　○（良好）：現像後の膜破れ率が、４％を超え、かつ１０％以下である。
　×（不良）：現像後の膜破れ率が、１０％を超える。
＜接触角（水残りショート不良抑制性）＞
　接触角（水残りショート不良抑制性）の評価では、上記＜ラミネート＞において説明した方法によりラミネートを行なった後、上記＜露光＞において説明した方法によって全面現像を行い、続いて上記＜現像＞において説明した方法によって現像を行なった。
　現像後、３０分以内にサンプルを接触角の測定に供した。
　接触角の測定はＪＩＳ　Ｒ３２５７の静滴法に準拠し、株式会社ニック製の光学顕微鏡式接触角計「ＬＳＥ－Ｂ１００」を用い、温度２３℃、湿度５０ＲＨ％の環境下で硬化膜上に０．５μＬの純水を滴下した後、接触角の測定を開始し、１２０秒後の値を採用して、以下の基準によりランク分けした。接触角の値が大きい場合、硬化レジストの疎水性が高いことを示し、水残りショート不良を抑制することができる。
　◎（極めて良好）：接触角が、３５°以上である。
　○（良好）：接触角が、３０°以上３５°未満である。
　△（許容）：接触角が、２５°以上３０°未満である。
　×（不良）：接触角が、２５°未満である。
（４）評価結果
　実施例１～１２の評価結果を下記表５に示し、かつ比較例１～５の評価結果を下記表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
＜第四の実施形態に関する実施例及び比較例＞
　以下、本第四の実施形態の感光性樹脂組成物について、実施例の形式により具体的に説明する。
（１）原料物性値の測定
＜重量平均分子量の測定＞
　高分子の重量平均分子量は、日本分光（株）製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（ポンプ：Ｇｕｌｌｉｖｅｒ、ＰＵ－１５８０型、カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ（登録商標）（ＫＦ－８０７、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０６Ｍ、ＫＦ－８０２．５）４本直列、移動層溶媒：テトラヒドロフラン、ポリスチレン標準サンプル（昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ　ＳＴＡＮＤＡＲＤ　ＳＭ－１０５）による検量線使用）を用い、ポリスチレン換算値として求めた。
＜酸当量＞
　本明細書において、酸当量とは、分子中に１当量のカルボキシル基を有する重合体の質量（グラム）を意味する。平沼産業（株）製平沼自動滴定装置（ＣＯＭ－５５５）を使用し、０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液を用いる電位差滴定法により酸当量を測定した。
（２）評価用サンプルの作製方法と分析
＜感光性エレメントの作製＞
　表８に示した各成分を混合し、更にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を追加して、固形分濃度５６質量％の感光性樹脂組成物を調製した。表８における各成分欄の数字は、組成物の調製に供した各成分の量（質量部）である。
　得られた感光性樹脂組成物を、支持体である厚み１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製ＧＲ－１６、ヘーズ値２．７％）上に、バーコーターを用いて均一に塗布した後、９５℃に調温した乾燥機中で３分２０秒加熱乾燥させて、支持体上に厚み３３μｍの感光性樹脂層を形成した。
　次いで、上記感光性樹脂層の支持体と反対側の面上に、保護層である厚み１９μｍのポリエチレンフィルム（タマポリ（株）製ＧＦ－１８）を貼付することにより、感光性エレメントを得た。
＜評価に使用した基板＞
　評価用基板としては、３５μｍ圧延銅箔を積層した１．６ｍｍ厚の銅張積層板の表面を湿式バフロール研磨により整面した物を用いた。研磨は、スリーエム（株）製、スコッチブライト（登録商標）ＨＤ♯６００を用い、２回通しにより行った。
＜ラミネート＞
　整面後の基板上に、各実施例又は比較例で得た感光性エレメントのポリエチレンフィルムを剥がしながら、ホットロールラミネーター（旭化成（株）製、ＡＬ－７０）により、ロール温度１０５℃、エアー圧力０．３５ＭＰａ、及びラミネート速度１．５ｍ／分の条件下でラミネートした。
＜露光＞
　直接描画露光機（日立ビアメカニクス（株）製、ＤＥ－１ＡＨ、光源：ＧａＮ青紫ダイオード、主波長４０５±５ｎｍ）により、所定のＤＩ露光用のマスクパターンを用いて、照度１５ｍＷ／ｃｍ２の条件下で露光した。
　露光パターンおよび露光量については、各評価項目の項で後述する。
＜現像＞
　露光後の感光性樹脂層から支持体を剥離した後、アルカリ現像機（フジ機工製、ドライフィルム用現像機）を用いて、２９℃の０．８質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を最小現像時間の２倍の時間スプレーして、感光性樹脂層の未露光部分を溶解除去した。現像後、現像時間と同じ時間純水で洗浄し、水洗後は温風乾燥処理を行わず基板を自然乾燥させることによって、評価用硬化膜を有する基板を得た。
　上記最小現像時間とは、感光性樹脂層の未露光部分が完全に溶解除去されるまでに要する最小の時間をいい、現像液の濃度又は温度、スプレーの向き又は噴霧量、圧力、オシレーションの周波数などに依存して変化する。
ここで、最小現像時間を以下のようにランク分けした：
　○：最小現像時間が３０秒を超える。
　×：最小現像時間が３０秒以下。
＜感度の評価＞
　感度の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、ライン／スペース＝４０μｍ／４０μｍのライン１０本のマスクパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。得られたレジストパターンの、レジストトップ幅を光学顕微鏡により測定し、レジストトップ幅が３９μｍとなる露光量を感度の評価とした。
　ここで、レジストラインの測定場所は、１０本あるラインのうちの端から５本目のライン、長さ方向の端から約５ｍｍの位置とし、測定値として３回測定の平均値を用いた。パターンの端と中央部とでは、現像液及び水洗水の拡散の影響で線幅が異なり、端側のレジストラインが細くなる傾向があるため、測定位置を特定することは重要である。
　以下の評価項目における露光量は、上記＜感度の評価＞に記載のとおり、ライン／スペース＝４０μｍ／４０μｍのマスクパターンに対してレジストトップ幅が３９μｍとなる露光量とした。ここで、感度を露光量によって以下のようにランク分けした：
　○：３９μｍ線幅となる露光量が２８ｍＪ／ｃｍ２以下。
　×：３９μｍ線幅となる露光量が２８ｍＪ／ｃｍ２を超える。
＜解像性の評価＞
　解像性の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、種々のサイズのライン／スペース＝１／１のパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。
　得られたパターンについて、形成されていた最小のパターン幅を光学顕微鏡により観察し、以下の基準によって解像性を評価した。
　○：形成されていた最小のパターン幅が２８μｍ以下。
　×：形成されていた最小のパターン幅が２８μｍを超える。
＜密着性の評価＞
　密着性の評価には、上記＜ラミネート＞後、１５分経過後のラミネート基板を用いた。
　該ラミネート基板に対し、種々のサイズの独立ラインのパターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。
　得られたパターンを光学顕微鏡により観察し、以下の基準によって密着性を評価した。
　ここで、ラインパターンが正常に形成されなかった場合とは、該ラインパターンが倒れていた場合、該ラインパターンが蛇行していた場合、又は基板上に該ラインパターンが存在していなかった場合をいう。
　○：形成されていた最小のパターン幅が２８μｍ以下。
　×：形成されていた最小のパターン幅が２８μｍを超える。
＜凝集性の評価＞
　光重合性樹脂積層体中の厚さ５０μｍ、面積０．６ｍ２の感光層（レジスト層）を、２００ｍｌの１質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液に溶解させ、循環式スプレー装置を用いてスプレー圧０．１ＭＰａで３時間スプレーを行った。その後、現像液を１日静置し、凝集物の発生を観察した。凝集物が多量に発生するとスプレー装置の底面及び側面に粉状物又は油状物が観察される。現像液凝集性が良好な組成物においては、上記のような凝集物が全く発生しない。凝集性を、凝集物の発生状態に基づき、以下のようにランク分けした：
　○：凝集物が全く発生しない。
　△：スプレー装置の底部又は側面の一部に凝集物が見られる。
　×：スプレー装置全体に凝集物が見られる。
＜剥離性の評価＞
　上記＜ラミネート＞において説明した処理の後１５分経過した基板を用い、該ラミネート基板に対し、４ｃｍ×６ｃｍの長方形パターンを直接描画露光した後、上記＜現像＞に記載の方法によって現像した。
　得られた基板上の硬化レジストを５０℃、３質量％のＮａＯＨに浸し、レジストが基板から完全に剥離するまでの時間を測定し、剥離時間とした。
ここで、剥離性を以下のようにランク分けした：
　○：完全に剥離するまでの時間が４０秒以下。
　×：完全に剥離するまでの時間が４０秒を超える。
実施例１～７及び比較例１～４
　実施例及び比較例で用いた感光性樹脂組成物の組成を表８に、表８に記載の各成分名の詳細を表９に、それぞれ示した。表８における各成分の配合量は、いずれも、固形分換算の質量部である。
　各組成物を用いて行った評価結果も表８に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000033

Claims (17)

  1. 　下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
    （Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子、
    （Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
    （Ｃ）成分：光重合開始剤
    を含有する感光性樹脂組成物であって、
    １８μｍ厚みの銅箔が積層された銅張積層板上に、前記感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層を２５μｍ厚みで積層し、ライン／スペース＝５０μｍ／３０μｍのパターン状の光照射及び現像処理を経て硬化レジストパターンを形成し、５０℃において５５秒間の銅エッチング処理を施した後に、前記硬化レジストパターンを除去して得られる銅ラインパターンのボトム幅が３８μｍ以上であることを特徴とする、前記感光性樹脂組成物。
  2. 　前記（Ａ）成分が、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下の共重合体である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 　前記（Ａ）成分が、スチレン単位の含有割合が３２質量％以上６０質量％以下の共重合体である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 　前記（Ｃ）成分がアクリジン化合物を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 　前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール化合物を含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 　前記（Ｂ）成分がトリメチロールプロパン化合物を含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 　前記（Ｂ）成分がビスフェノールＡ化合物を含有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 　 下記（Ａ）～（Ｃ）の各成分、
    （Ａ）成分：アルカリ可溶性高分子、
    （Ｂ）成分：エチレン性二重結合を有する化合物、及び
    （Ｃ）成分：光重合開始剤
    を含有する感光性樹脂組成物であって、
    前記（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％以上である共重合体を含み、
    前記（Ｃ）成分は、アクリジン化合物を含む
    感光性樹脂組成物。
  9. 　 前記（Ａ）成分は、（メタ）アクリル酸単位の含有割合が１０質量％以上２４質量％以下で且つスチレン単位の含有割合が３２質量％以上６０質量％以下である共重合体を含む、請求項８に記載の感光性樹脂組成物。
  10. 　前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール化合物を含有する、請求項８又は９に記載の感光性樹脂組成物。
  11. 　前記（Ｂ）成分がトリメチロールプロパン化合物を含有する、請求項８～１０のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  12. 　前記（Ｂ）成分がビスフェノールＡ化合物を含有する、請求項８～１１のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  13. 　請求項１～１２のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物から成る感光性樹脂層が支持体上に積層された、感光性エレメント。
  14. 　請求項１３に記載の感光性エレメントの感光性樹脂層を導体基板上に積層するラミネート工程、
    前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、及び
    前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
    を含むことを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
  15. 　前記ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程である、請求項１４に記載のレジストパターンの形成方法。
  16. 　請求項１３に記載の感光性エレメントの感光性樹脂組成物層を導体基板上に積層するラミネート工程、
    前記積層された感光性樹脂組成物層を露光する露光工程、
    前記露光後の未露光部を現像液で除去する現像工程、
    前記現像によりレジストパターンが形成された導体基板をエッチング又はめっきする導体パターン形成工程、及び
    前記レジストパターンを剥離する剥離工程、
    を含むことを特徴とする、配線板の製造方法。
  17. 　前記ラミネート工程が、感光性エレメントの感光性樹脂層を、湿潤剤を介して導体基板上に積層する工程である、請求項１６に記載の配線板の製造方法。
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