WO2016159345A1 - ガラス - Google Patents

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敦己 斉藤
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日本電気硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a high heat-resistant glass, for example, a glass substrate for producing a semiconductor crystal for LED at a high temperature.
  • a heat-resistant sapphire substrate is generally used.
  • a semiconductor crystal is formed at a high temperature (for example, 700 ° C. or higher)
  • a sapphire substrate is used.
  • a glass substrate is used instead of a sapphire substrate, it is considered that the substrate can be increased in area.
  • a conventional glass substrate has insufficient heat resistance, thermal deformation is likely to occur due to high-temperature heat treatment.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its technical problem is to create a glass that has high heat resistance and a high thermal expansion coefficient and can be molded into a flat plate shape.
  • the present inventor has found that the above technical problem can be solved by regulating the glass composition within a predetermined range, and proposes as the present invention. That is, the glass of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 55-80%, Al 2 O 3 11-30%, B 2 O 3 0-3%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 0- 3%, MgO + CaO + SrO + BaO 5 to 35%, and has a strain point higher than 700 ° C.
  • “Li 2 O + Na 2 O + K 2 O” refers to the total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O.
  • MgO + CaO + SrO + BaO refers to the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO.
  • the “strain point” refers to a value measured based on the method of ASTM C336.
  • Al 2 O 3 in the glass composition is 11 mol% or more, B 2 O 3 content is 3 mol% or less, and Li 2 O + Na 2 O + K 2 O content is 3 mol% or less. It is regulated. If it does in this way, a strain point will raise notably and the heat resistance of a glass substrate can be improved significantly.
  • the glass of the present invention contains 5 to 25 mol% of MgO + CaO + SrO + BaO in the glass composition. If it does in this way, devitrification resistance can be improved, raising a thermal expansion coefficient.
  • the glass of the present invention preferably has a B 2 O 3 content of less than 1 mol%.
  • the glass of the present invention preferably has a Li 2 O + Na 2 O + K 2 O content of 0.2 mol% or less.
  • the glass of the present invention preferably has a molar ratio (MgO + CaO + SrO + BaO) / Al 2 O 3 of 0.5 to 5.
  • “(MgO + CaO + SrO + BaO) / Al 2 O 3 ” is a value obtained by dividing the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO by the content of Al 2 O 3 .
  • the glass of the present invention preferably has a molar ratio MgO / (MgO + CaO + SrO + BaO) of less than 0.5.
  • MgO / (MgO + CaO + SrO + BaO) is a value obtained by dividing the content of MgO by the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO.
  • the glass of the present invention preferably has a thermal expansion coefficient of 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or higher in the temperature range of 30 to 380 ° C.
  • thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C.” refers to an average value measured with a dilatometer.
  • the glass of the present invention preferably has a strain point of 800 ° C. or higher.
  • the glass of the present invention preferably has a (temperature-strain point at 10 2.5 dPa ⁇ s) of 900 ° C. or lower.
  • temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s refers to a value measured by a platinum ball pulling method.
  • the glass of the present invention preferably has a temperature at a viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s of 1750 ° C. or lower.
  • the glass of the present invention preferably has a flat plate shape.
  • the glass of the present invention is preferably used for a substrate for growing a semiconductor crystal.
  • the glass of the present invention has a glass composition of mol%, SiO 2 55-80%, Al 2 O 3 11-30%, B 2 O 3 0-3%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 0-3%. MgO + CaO + SrO + BaO 5 to 35%.
  • the reason why the content of each component is regulated as described above will be described below. In the description of each component, the following% display indicates mol%.
  • the preferred lower limit range of SiO 2 is 55% or more, 58% or more, 60% or more, 65% or more, particularly 68% or more, and the preferred upper limit range is preferably 80% or less, 75% or less, 73% or less, 72% or less, 71% or less, particularly 70% or less.
  • the content of SiO 2 is too small, the defects due to devitrification crystals containing Al 2 O 3 is likely to occur, the strain point tends to decrease. Moreover, high temperature viscosity falls and it becomes easy to fall liquid phase viscosity.
  • the preferred lower limit range of Al 2 O 3 is 11% or more, 12% or more, 13% or more, 14% or more, particularly 15% or more, and the preferred upper limit range is 30% or less, 25% or less, 20% or less, 18% or less, 17% or less, particularly 16% or less.
  • Al 2 O 3 content is too small, or is easily strain point is lowered, it has high becomes meltability temperature viscosity tends to decrease.
  • the content of Al 2 O 3 is too large, devitrification crystals more likely to occur, which comprises Al 2 O 3.
  • the molar ratio SiO 2 / Al 2 O 3 is preferably 2 to 6, 3 to 5.5, 3.5 to 5.5, 4 to 5 from the viewpoint of achieving both a high strain point and high devitrification resistance. .5, 4.5 to 5.5, especially 4.5 to 5.
  • SiO 2 / Al 2 O 3 is a value obtained by dividing the content of SiO 2 by the content of Al 2 O 3 .
  • a preferable upper limit range of B 2 O 3 is 3% or less, 1% or less, less than 1%, particularly 0.1% or less. When the content of B 2 O 3 is too large, there is a possibility that the strain point is significantly reduced.
  • a suitable upper limit range of Li 2 O + Na 2 O + K 2 O is 3% or less, 1% or less, less than 1%, 0.5% or less, particularly 0.2% or less.
  • Li content of 2 O + Na 2 O + K 2 O is too large, there is a possibility that characteristics of a semiconductor crystal formed on the glass is deteriorated.
  • the preferable upper limit ranges of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O are 3% or less, 1% or less, less than 1%, 0.5% or less, 0.3% or less, particularly 0.2%, respectively. It is as follows.
  • the preferred lower limit range of MgO + CaO + SrO + BaO is 5% or more, 7% or more, 9% or more, 11% or more, 13% or more, particularly 14% or more, and the preferred upper limit range is 35% or less, 30% or less, 25% or less. 20% or less, 18% or less, 17% or less, particularly 16% or less.
  • the content of MgO + CaO + SrO + BaO is too small, the liquidus temperature is greatly increased, and devitrification crystals are likely to occur in the glass, or the high-temperature viscosity is increased and the meltability is liable to be lowered.
  • the content of MgO + CaO + SrO + BaO is too large, the strain point tends to be lowered and devitrification crystals containing alkaline earth elements are likely to occur.
  • the preferred lower limit range of MgO is 0% or more, 1% or more, 2% or more, 3% or more, 4% or more, particularly 5% or more, and the preferred upper limit range is 15% or less, 10% or less, 8% or less. In particular, it is 7% or less.
  • MgO has the effect of increasing the thermal expansion coefficient, but the effect is the smallest among the alkaline earth oxides.
  • the preferable lower limit range of CaO is 2% or more, 3% or more, 4% or more, 5% or more, 6% or more, particularly 7% or more, and the preferable upper limit range is 20% or less, 15% or less, 12% or less. 11% or less, 10% or less, particularly 9% or less.
  • a meltability will fall easily.
  • liquidus temperature will rise and it will become easy to produce a devitrification crystal
  • CaO has a greater effect of improving the liquid phase viscosity and lowering the meltability without lowering the strain point than other alkaline earth oxides, and also increases the thermal expansion coefficient than MgO. Great effect.
  • the preferred lower limit range of SrO is 0% or more, 1% or more, particularly 2% or more, and the preferred upper limit range is 10% or less, 8% or less, 7% or less, 6% or less, 5% or less, especially 4%. It is as follows. When there is too little content of SrO, a strain point will fall easily. On the other hand, when the content of SrO is too large, the liquidus temperature rises, devitrification crystals tend to occur in the glass, and the meltability tends to decrease. Furthermore, when the content of SrO increases in the presence of CaO, the devitrification resistance tends to decrease. SrO has a greater effect of increasing the thermal expansion coefficient than MgO and CaO.
  • the preferable lower limit range of BaO is 0% or more, 3% or more, 4% or more, 5% or more, 6% or more, 7% or more, particularly 8% or more, and the preferable upper limit range is 15% or less, 12% or less. 11% or less, particularly 10% or less.
  • a strain point and a thermal expansion coefficient will fall easily.
  • liquidus temperature will rise and it will become easy to produce a devitrification crystal
  • the meltability tends to be lowered.
  • BaO has the largest effect of increasing the thermal expansion coefficient and strain point among alkaline earth metal oxides.
  • the lower limit range of the molar ratio MgO / CaO is preferably 0.1 or more, 0.2 or more, 0.3 or more, particularly 0.4 or more, and the upper limit range is preferably 2 or less, 1 or less, 0.8 or less, 0.7 or less, particularly 0.6 or less.
  • MgO / CaO refers to a value obtained by dividing the content of MgO by the content of CaO.
  • the lower limit range of the molar ratio BaO / CaO is preferably 0.2 or more, 0.5 or more, 0.6 or more, 0.7 or more, particularly 0.8 or more, and the upper limit.
  • the range is preferably 5 or less, 4.5 or less, 3 or less, 2.5 or less, particularly 2 or less.
  • BaO / CaO indicates a value obtained by dividing the content of BaO by the content of CaO.
  • the lower limit range of the molar ratio (MgO + CaO + SrO + BaO) / Al 2 O 3 is preferably 0.5 or more, 0.6 or more, 0.7 or more, particularly 0.8 or more.
  • the upper limit range is preferably 5.0 or less, 4.0 or less, 3.0 or less, 2.0 or less, 1.5 or less, 1.2 or less, particularly 1.1 or less.
  • the molar ratio MgO / (MgO + CaO + SrO + BaO) is preferably 0.6 or less, less than 0.5, 0.4 or less, 0.3 or less, 0.2 or less, particularly 0.1 or less.
  • MgO is a component that significantly lowers the strain point, and the effect of lowering the strain point is remarkable in a region where the content of MgO is low. Therefore, it is preferable that the content of MgO in the alkaline earth metal oxide is small.
  • 7 ⁇ [MgO] + 5 ⁇ [CaO] + 4 ⁇ [SrO] + 4 ⁇ [BaO] is preferably 100% or less, 90% or less, 80% or less, 70% or less, 65% or less, particularly 60% or less. .
  • Alkaline earth metal elements all have the effect of lowering the strain point, but the effect is greater for elements with smaller ionic radii. Therefore, if the upper limit range of 7 ⁇ [MgO] + 5 ⁇ [CaO] + 4 ⁇ [SrO] + 4 ⁇ [BaO] is regulated so that the proportion of alkaline earth elements having a small ion radius is not increased, the strain point is given priority. Can be increased.
  • [MgO] is the content of MgO
  • [CaO] is the content of CaO
  • [SrO] is the content of SrO
  • [BaO] is the content of BaO.
  • “7 ⁇ [MgO] + 5 ⁇ [CaO] + 4 ⁇ [SrO] + 4 ⁇ [BaO]” is 7 times [MgO], 5 times [CaO], 4 times [SrO] and 4 times [SrO]. Refers to the total amount of [BaO].
  • 21 ⁇ [MgO] + 20 ⁇ [CaO] + 15 ⁇ [SrO] + 12 ⁇ [BaO] is preferably 200% or more, 210% or more, 220% or more, 230% or more, 240% or more, 250% or more, particularly 300 ⁇ 1000%.
  • Alkaline earth metal elements all have an effect of improving the melting property, but the influence becomes larger as the ion radius is smaller. Therefore, if the lower limit range of 21 ⁇ [MgO] + 20 ⁇ [CaO] + 15 ⁇ [SrO] + 12 ⁇ [BaO] is regulated so that the proportion of the alkaline earth element having a small ionic radius is increased, the melting property is preferential. Can be increased.
  • 21 ⁇ [MgO] + 20 ⁇ [CaO] + 15 ⁇ [SrO] + 12 ⁇ [BaO] is too large, the strain point may be lowered.
  • 21 ⁇ [MgO] + 20 ⁇ [CaO] + 15 ⁇ [SrO] + 12 ⁇ [BaO] is 21 times [MgO], 20 times [CaO], 15 times [SrO] and 12 times [SrO]. Refers to the total amount of [BaO].
  • the following components may be introduced into the glass composition.
  • ZnO is a component that enhances the meltability, but if it is contained in a large amount in the glass composition, the glass tends to devitrify and the strain point tends to decrease. Therefore, the content of ZnO is preferably 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 0.5%, 0 to 0.3%, particularly 0 to 0.1%.
  • ZrO 2 is a component that increases the Young's modulus.
  • the content of ZrO 2 is preferably 0 to 5%, 0-3%, 0 to 0.5% 0 to 0.2% particular from 0 to 0.02%.
  • the content of ZrO 2 is too large, the liquidus temperature increases, devitrification zircon crystals are easily precipitated.
  • TiO 2 is a component that lowers the high-temperature viscosity and improves the meltability, and is a component that suppresses solarization. However, when it is contained in a large amount in the glass composition, the glass tends to be colored. Therefore, the content of TiO 2 is preferably 0 to 5%, 0 to 3%, 0 to 1%, 0 to 0.1%, particularly 0 to 0.02%.
  • P 2 O 5 is a component that enhances devitrification resistance. However, if it is contained in a large amount in the glass composition, the glass tends to undergo phase separation and opalescence, and the water resistance may be greatly reduced. Therefore, the content of P 2 O 5 is preferably 0 to 5%, 0 to 4%, 0 to 3%, 0 to less than 2%, 0 to 1%, 0 to 0.5%, particularly 0 to 0. .1%.
  • SnO 2 is a component having a good clarification action in a high temperature region and a component that lowers the high temperature viscosity.
  • the SnO 2 content is preferably 0 to 1%, 0.01 to 0.5%, 0.01 to 0.3%, particularly 0.04 to 0.1%. When the content of SnO 2 is too large, the devitrification crystal SnO 2 is likely to precipitate.
  • the glass of the present invention is suitably added with SnO 2 as a fining agent.
  • CeO 2 , SO 3 , C, metal powder for example, Al, Si) Etc.
  • metal powder for example, Al, Si
  • each content is preferably less than 0.1%, particularly preferably less than 0.05%.
  • Rh 2 O 3 may be mixed from a platinum production container.
  • the content of Rh 2 O 3 is preferably 0 to 0.0005%, more preferably 0.00001 to 0.0001%.
  • SO 3 is a component mixed from the raw material as an impurity, but if the content of SO 3 is too large, bubbles called reboil may be generated during melting and molding, which may cause defects in the glass. is there.
  • a preferable lower limit range of SO 3 is 0.0001% or more, and a preferable upper limit range is 0.005% or less, 0.003% or less, 0.002% or less, and particularly 0.001% or less.
  • Content of rare earth oxides (Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc.) content is preferably less than 2% 1% or less, less than 0.5%, particularly less than 0.1%.
  • the content of La 2 O 3 + Y 2 O 3 is preferably less than 2%, less than 1%, less than 0.5%, in particular less than 0.1%.
  • the content of La 2 O 3 is preferably less than 2%, less than 1%, less than 0.5%, in particular less than 0.1%. If the content of the rare earth oxide is too large, the batch cost tends to increase.
  • “Y 2 O 3 + La 2 O 3 ” is the total amount of Y 2 O 3 and La 2 O 3 .
  • the glass of the present invention preferably has the following characteristics.
  • Density is preferably 3.20 g / cm 3 or less, 3.00 g / cm 3 or less, 2.90 g / cm 3 or less, in particular 2.80 g / cm 3 or less. If the density is too high, it is difficult to achieve weight reduction of the electronic device.
  • the thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is preferably 40 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or higher, 42 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or higher, 44 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or higher, 46 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. or higher. In particular, 48 ⁇ 10 ⁇ 7 to 80 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C. is preferable. If the thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380 ° C. is too low, the thermal expansion coefficients of the semiconductor crystal (for example, nitride semiconductor crystal) and the glass substrate do not match, the glass substrate tends to warp, and the semiconductor crystal has cracks. It tends to occur.
  • the semiconductor crystal for example, nitride semiconductor crystal
  • the strain point is preferably more than 700 ° C., 750 ° C. or more, 780 ° C. or more, 800 ° C. or more, 810 ° C. or more, 820 ° C. or more, and particularly preferably 830 to 1000 ° C. If the strain point is too low, the heat treatment temperature cannot be increased, and it becomes difficult to improve the semiconductor characteristics of the semiconductor crystal.
  • the SiO 2 —Al 2 O 3 —RO (RO refers to an alkaline earth metal oxide) glass according to the present invention is generally difficult to melt. For this reason, improvement of meltability becomes a problem. When the meltability is increased, the defect rate due to bubbles, foreign matters, and the like is reduced, so that a high-quality glass substrate can be supplied in large quantities at a low cost. On the other hand, if the high-temperature viscosity is too high, defoaming is hardly promoted in the melting step. Therefore, the temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s is preferably 1750 ° C. or lower, 1700 ° C. or lower, 1680 ° C. or lower, 1670 ° C. or lower, 1650 ° C. or lower, particularly 1630 ° C. or lower. The temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s corresponds to the melting temperature, and the lower this temperature, the better the meltability.
  • Temporal-strain point at 10 2.5 dPa ⁇ s is preferably 900 ° C. or lower, 850 ° C. or lower, particularly 800 ° C. or lower, from the viewpoint of achieving both a high strain point and a low melting temperature.
  • the liquidus temperature is preferably 1450 ° C. or lower, 1400 ° C. or lower, particularly 1300 ° C. or lower.
  • the liquid phase viscosity is preferably 10 3.0 dPa ⁇ s or more, 10 3.5 dPa ⁇ s or more, particularly 10 4.0 dPa ⁇ s or more.
  • the “liquid phase temperature” is obtained by passing the standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m) and putting the glass powder remaining in 50 mesh (300 ⁇ m) into a platinum boat and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours to precipitate crystals. Refers to the value measured temperature.
  • “Liquid phase viscosity” refers to a value obtained by measuring the viscosity of glass at the liquid phase temperature by a platinum ball pulling method.
  • the glass of the present invention can be molded by various molding methods.
  • the glass substrate can be formed by an overflow downdraw method, a slot downdraw method, a redraw method, a float method, a rollout method, or the like.
  • a glass substrate is shape
  • the thickness thereof is preferably 1.0 mm or less, 0.7 mm or less, 0.5 mm or less, particularly 0.4 mm or less.
  • the smaller the plate thickness the easier it is to reduce the weight of the electronic device.
  • the smaller the plate thickness the easier the glass substrate bends.
  • the plate thickness can be adjusted by the flow rate at the time of molding, the plate drawing speed, and the like.
  • the strain point can be increased by lowering the ⁇ -OH value.
  • ⁇ -OH value is preferably 0.45 / mm or less, 0.40 / mm or less, 0.35 / mm or less, 0.30 / mm or less, 0.25 / mm or less, 0.20 / mm or less, In particular, it is 0.15 / mm or less. If the ⁇ -OH value is too large, the strain point tends to decrease. If the ⁇ -OH value is too small, the meltability tends to be lowered. Therefore, the ⁇ -OH value is preferably 0.01 / mm or more, particularly 0.05 / mm or more.
  • the following methods may be mentioned.
  • ⁇ -OH value refers to a value obtained by measuring the transmittance of glass using FT-IR and using the following equation.
  • ⁇ -OH value (1 / X) log (T 1 / T 2 )
  • X Glass wall thickness (mm)
  • T 1 Transmittance (%) at a reference wavelength of 3846 cm ⁇ 1
  • T 2 Minimum transmittance (%) in the vicinity of a hydroxyl group absorption wavelength of 3600 cm ⁇ 1
  • Tables 1 to 4 show examples of the present invention (sample Nos. 1 to 63).
  • Each sample was produced as follows. First, a glass batch in which glass raw materials were prepared so as to have the glass composition shown in the table was placed in a platinum crucible and melted at 1600 to 1750 ° C. for 24 hours. In melting the glass batch, the mixture was stirred and homogenized using a platinum stirrer. Next, the molten glass was poured onto a carbon plate and formed into a flat plate shape. About each obtained sample, density ⁇ , thermal expansion coefficient ⁇ , strain point Ps, annealing point Ta, softening point Ts, temperature at high temperature viscosity of 10 4.0 dPa ⁇ s, and high temperature viscosity at 10 3.0 dPa ⁇ s. The temperature, the temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s, the liquid phase temperature TL, and the liquid phase viscosity log ⁇ TL were evaluated.
  • the density ⁇ is a value measured by the well-known Archimedes method.
  • the thermal expansion coefficient ⁇ is an average value measured with a dilatometer in a temperature range of 30 to 380 ° C.
  • strain point Ps, the annealing point Ta, and the softening point Ts are values measured according to ASTM C336 or ASTM C338.
  • the temperature at a high temperature viscosity of 10 4.0 dPa ⁇ s, the temperature at a high temperature viscosity of 10 3.0 dPa ⁇ s, and the temperature at a high temperature viscosity of 10 2.5 dPa ⁇ s are values measured by a platinum ball pulling method.
  • the liquid phase temperature TL was obtained by crushing each sample, passing through a standard sieve 30 mesh (500 ⁇ m), putting the glass powder remaining on 50 mesh (300 ⁇ m) into a platinum boat, and holding it in a temperature gradient furnace for 24 hours. The platinum boat is taken out, and the temperature at which devitrification (devitrification crystal) is observed in the glass.
  • the liquid phase viscosity log ⁇ TL is a value obtained by measuring the viscosity of the glass at the liquid phase temperature TL by a platinum ball pulling method.
  • the ⁇ -OH value is a value calculated by the above formula.
  • sample no. Nos. 1 to 63 have a high strain point and a thermal expansion coefficient, and have devitrification resistance that can be formed into a flat plate shape. Therefore, sample no. Nos. 1 to 63 are considered to be suitable as substrates for crystal growth of semiconductor crystals (for example, nitride semiconductor crystals, particularly gallium nitride based semiconductor crystals) at high temperatures.
  • semiconductor crystals for example, nitride semiconductor crystals, particularly gallium nitride based semiconductor crystals
  • the glass of the present invention has a high strain point and a high thermal expansion coefficient and has good devitrification resistance. Therefore, the glass of the present invention is suitable not only for substrates for producing semiconductor crystals at high temperatures but also for display substrates such as OLED displays and liquid crystal displays, and in particular, display substrates driven by LTPS and oxide TFTs. It is suitable as.

Abstract

　耐熱性と熱膨張係数が高く、しかも平板形状に成形可能なガラスを創案する。　本発明のガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５５～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１１～３０％、Ｂ２Ｏ３　０～３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　５～３５％を含有し、且つ歪点が７００℃より高いことを特徴とする。

Description

ガラス
　本発明は、高耐熱性のガラスに関し、例えばＬＥＤ用半導体結晶を高温で作製するためのガラス基板に関する。
　ＬＥＤ等に用いられる半導体結晶は、高温で成膜する程、半導体特性が向上することが知られている。
　この用途では、高耐熱性のサファイア基板が一般的に用いられている。その他の用途でも、半導体結晶を高温（例えば７００℃以上）で成膜する場合、サファイア基板が用いられている。
特開平１１－２４３２２９号公報
　ところで、近年では、大面積の半導体結晶を成膜する技術が活発に検討されている。この技術は、大型ディスプレイの面発光光源としても有望であると考えられている。
　しかし、サファイア基板は、大面積化が難しく、上記用途には不向きである。
　サファイア基板に代わって、ガラス基板を用いると、基板を大面積化し得ると考えられるが、従来のガラス基板は、耐熱性が不十分であるため、高温の熱処理で熱変形が生じ易い。
　そして、従来のガラス基板の耐熱性を高めようとすると、ガラス基板の熱膨張係数が不当に低下して、半導体結晶の熱膨張係数に整合し難くなり、半導体結晶を作製した後に、ガラス基板が反り易くなったり、半導体膜にクラックが生じ易くなる。更に、ガラス基板の耐熱性を高めようとすると、耐失透性が低下して、平板形状のガラス基板に成形し難くなる。
　本発明は、上記事情に鑑み成されたものであり、その技術的課題は、耐熱性と熱膨張係数が高く、しかも平板形状に成形可能なガラスを創案することである。
　本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、ガラス組成を所定範囲に規制することにより、上記技術的課題を解決できることを見出し、本発明として、提案するものである。すなわち、本発明のガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５５～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１１～３０％、Ｂ２Ｏ３　０～３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　５～３５％を含有し、且つ歪点が７００℃より高いことを特徴とする。ここで、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量を指す。「ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ」は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量を指す。ここで、「歪点」は、ＡＳＴＭＣ３３６の方法に基づいて測定した値を指す。
　本発明のガラスは、ガラス組成中にＡｌ２Ｏ３を１１モル％以上、Ｂ２Ｏ３の含有量を３モル％以下、且つＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量を３モル％以下に規制している。このようにすれば、歪点が顕著に上昇して、ガラス基板の耐熱性を大幅に高めることができる。
　また本発明のガラスは、ガラス組成中にＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを５～２５モル％含む。このようにすれば、熱膨張係数を上昇させつつ、耐失透性を高めることができる。
　第二に、本発明のガラスは、Ｂ２Ｏ３の含有量が１モル％未満であることが好ましい。
　第三に、本発明のガラスは、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が０．２モル％以下であることが好ましい。
　第四に、本発明のガラスは、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５～５であることが好ましい。ここで、「（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３」は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量をＡｌ２Ｏ３の含有量で割った値である。
　第五に、本発明のガラスは、モル比ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５未満であることが好ましい。ここで、「ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）」は、ＭｇＯの含有量をＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量で割った値である。
　第六に、本発明のガラスは、３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上であることが好ましい。ここで、「３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数」は、ディラトメーターで測定した平均値を指す。
　第七に、本発明のガラスは、歪点が８００℃以上であることが好ましい。
　第八に、本発明のガラスは、（１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度－歪点）が９００℃以下であることが好ましい。ここで、「高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、白金球引き上げ法で測定した値を指す。
　第九に、本発明のガラスは、１０２．５ｄＰａ・ｓの粘度における温度が１７５０℃以下であることが好ましい。
　第十に、本発明のガラスは、平板形状であることが好ましい。
　第十一に、本発明のガラスは、半導体結晶を成長させるための基板に用いることが好ましい。
　本発明のガラスは、ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５５～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１１～３０％、Ｂ２Ｏ３　０～３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　５～３５％を含有する。上記のように、各成分の含有量を規制した理由を以下に説明する。なお、各成分の説明において、下記の％表示は、モル％を指す。
　ＳｉＯ２の好適な下限範囲は５５％以上、５８％以上、６０％以上、６５％以上、特に６８％以上であり、好適な上限範囲は好ましくは８０％以下、７５％以下、７３％以下、７２％以下、７１％以下、特に７０％以下である。ＳｉＯ２の含有量が少な過ぎると、Ａｌ２Ｏ３を含む失透結晶による欠陥が生じ易くなると共に、歪点が低下し易くなる。また高温粘度が低下して、液相粘度が低下し易くなる。一方、ＳｉＯ２の含有量が多過ぎると、熱膨張係数が不当に低下することに加えて、高温粘度が高くなって、溶融性の低下、更にはＳｉＯ２を含む失透結晶等が生じ易くなる。
　Ａｌ２Ｏ３の好適な下限範囲は１１％以上、１２％以上、１３％以上、１４％以上、特に１５％以上であり、好適な上限範囲は３０％以下、２５％以下、２０％以下、１８％以下、１７％以下、特に１６％以下である。Ａｌ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、歪点が低下し易くなったり、高温粘性が高くなり溶融性が低下し易くなる。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、Ａｌ２Ｏ３を含む失透結晶が生じ易くなる。
　モル比ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３は、高歪点と高耐失透性を両立する観点から、好ましくは、２～６、３～５．５、３．５～５．５、４～５．５、４．５～５．５、特に４．５～５である。なお、「ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３」は、ＳｉＯ２の含有量をＡｌ２Ｏ３の含有量で割った値である。
　Ｂ２Ｏ３の好適な上限範囲は３％以下、１％以下、１％未満、特に０．１％以下である。Ｂ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、歪点が大幅に低下する虞がある。
　Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの好適な上限範囲は３％以下、１％以下、１％未満、０．５％以下、特に０．２％以下である。Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が多過ぎると、ガラス上に形成される半導体結晶の特性が劣化する虞がある。なお、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの好適な上限範囲は、それぞれ３％以下、１％以下、１％未満、０．５％以下、０．３％以下、特に０．２％以下である。
　ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの好適な下限範囲は５％以上、７％以上、９％以上、１１％以上、１３％以上、特に１４％以上であり、好適な上限範囲は３５％以下、３０％以下、２５％以下、２０％以下、１８％以下、１７％以下、特に１６％以下である。ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が少な過ぎると、液相温度が大幅に上昇して、ガラス中に失透結晶が生じ易くなったり、高温粘性が高くなって溶融性が低下し易くなる。一方、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が多過ぎると、歪点が低下し易くなり、またアルカリ土類元素を含む失透結晶が生じ易くなる。
　ＭｇＯの好適な下限範囲は０％以上、１％以上、２％以上、３％以上、４％以上、特に５％以上であり、好適な上限範囲は１５％以下、１０％以下、８％以下、特に７％以下である。ＭｇＯの含有量が少な過ぎると、溶融性が低下し易くなったり、アルカリ土類元素を含む結晶の失透性が高くなり易い。一方、ＭｇＯの含有量が多過ぎると、Ａｌ２Ｏ３を含む失透結晶の析出を助長して液相粘度が低下してしまったり、歪点が大幅に低下してしまう。なお、ＭｇＯは、熱膨張係数を上昇させる効果を有するが、アルカリ土類酸化物の中ではその効果は最も小さい。
　ＣａＯの好適な下限範囲は２％以上、３％以上、４％以上、５％以上、６％以上、特に７％以上であり、好適な上限範囲は２０％以下、１５％以下、１２％以下、１１％以下、１０％以下、特に９％以下である。ＣａＯの含有量が少な過ぎると、溶融性が低下し易くなる。一方、ＣａＯの含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、ガラス中に失透結晶が生じ易くなる。なお、ＣａＯは、他のアルカリ土類酸化物と比較して、歪点を低下させずに液相粘度を改善する効果や溶融性を高める効果が大きく、またＭｇＯよりも熱膨張係数を上昇させる効果が大きい。
　ＳｒＯの好適な下限範囲は０％以上、１％以上、特に２％以上であり、好適な上限範囲は１０％以下、８％以下、７％以下、６％以下、５％以下、特に４％以下である。ＳｒＯの含有量が少な過ぎると、歪点が低下し易くなる。一方、ＳｒＯの含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、ガラス中に失透結晶が生じ易くなり、また溶融性が低下し易くなる。更にＣａＯとの共存下でＳｒＯの含有量が多くなると、耐失透性が低下する傾向がある。なお、ＳｒＯは、ＭｇＯやＣａＯよりも熱膨張係数を上昇させる効果が大きい。
　ＢａＯの好適な下限範囲は０％以上、３％以上、４％以上、５％以上、６％以上、７％以上、特に８％以上であり、好適な上限範囲は１５％以下、１２％以下、１１％以下、特に１０％以下である。ＢａＯの含有量が少な過ぎると、歪点や熱膨張係数が低下し易くなる。一方、ＢａＯの含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、ガラス中に失透結晶が生じ易くなる。また溶融性が低下し易くなる。なお、ＢａＯは、アルカリ土類金属酸化物の中では熱膨張係数や歪点を上昇させる効果が最も大きい。
　耐失透性を高める観点から、モル比ＭｇＯ／ＣａＯの下限範囲は、好ましくは０．１以上、０．２以上、０．３以上、特に０．４以上であり、上限範囲は、好ましくは２以下、１以下、０．８以下、０．７以下、特に０．６以下である。なお、「ＭｇＯ／ＣａＯ」は、ＭｇＯの含有量をＣａＯの含有量で割った値を指す。
　耐失透性を高める観点から、モル比ＢａＯ／ＣａＯの下限範囲は、好ましくは０．２以上、０．５以上、０．６以上、０．７以上、特に０．８以上であり、上限範囲は、好ましくは５以下、４．５以下、３以下、２．５以下、特に２以下である。なお、「ＢａＯ／ＣａＯ」は、ＢａＯの含有量をＣａＯの含有量で割った値を指す。
　歪点と溶融性のバランスを鑑みると、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３の下限範囲は、好ましくは０．５以上、０．６以上、０．７以上、特に０．８以上であり、上限範囲は、好ましくは５．０以下、４．０以下、３．０以下、２．０以下、１．５以下、１．２以下、特に１．１以下である。
　モル比ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）は、好ましくは０．６以下、０．５未満、０．４以下、０．３以下、０．２以下、特に０．１以下である。ＭｇＯは、歪点を大幅に低下させる成分であり、ＭｇＯの含有量が少ない領域では、歪点を低下させる効果が顕著である。よって、アルカリ土類金属酸化物の中でＭｇＯの含有割合は少ない方が好ましい。
　７×［ＭｇＯ］＋５×［ＣａＯ］＋４×［ＳｒＯ］＋４×［ＢａＯ］は、好ましくは１００％以下、９０％以下、８０％以下、７０％以下、６５％以下、特に６０％以下である。アルカリ土類金属元素は、何れも歪点を低下させる効果を有するが、その影響はイオン半径が小さい元素ほど大きくなる。よって、イオン半径が小さなアルカリ土類元素の割合が大きくならないように、７×［ＭｇＯ］＋５×［ＣａＯ］＋４×［ＳｒＯ］＋４×［ＢａＯ］の上限範囲を規制すると、歪点を優先的に高めることができる。なお、［ＭｇＯ］はＭｇＯの含有量、［ＣａＯ］はＣａＯの含有量、［ＳｒＯ］はＳｒＯの含有量、［ＢａＯ］はＢａＯの含有量をそれぞれ指す。そして、「７×［ＭｇＯ］＋５×［ＣａＯ］＋４×［ＳｒＯ］＋４×［ＢａＯ］」は、７倍の［ＭｇＯ］、５倍の［ＣａＯ］、４倍の［ＳｒＯ］及び４倍の［ＢａＯ］の合量を指す。
　２１×［ＭｇＯ］＋２０×［ＣａＯ］＋１５×［ＳｒＯ］＋１２×［ＢａＯ］は、好ましくは２００％以上、２１０％以上、２２０％以上、２３０％以上、２４０％以上、２５０％以上、特に３００～１０００％である。アルカリ土類金属元素は、何れも溶融性を高める効果があるが、その影響はイオン半径が小さい元素ほど大きくなる。よって、イオン半径が小さなアルカリ土類元素の割合が大きくなるように、２１×［ＭｇＯ］＋２０×［ＣａＯ］＋１５×［ＳｒＯ］＋１２×［ＢａＯ］の下限範囲を規制すると、溶融性を優先的に高めることができる。但し、２１×［ＭｇＯ］＋２０×［ＣａＯ］＋１５×［ＳｒＯ］＋１２×［ＢａＯ］が大き過ぎると、歪点が低下する虞がある。なお、「２１×［ＭｇＯ］＋２０×［ＣａＯ］＋１５×［ＳｒＯ］＋１２×［ＢａＯ］」は、２１倍の［ＭｇＯ］、２０倍の［ＣａＯ］、１５倍の［ＳｒＯ］及び１２倍の［ＢａＯ］の合量を指す。
　上記成分以外にも、以下の成分をガラス組成中に導入してもよい。
　ＺｎＯは、溶融性を高める成分であるが、ガラス組成中に多量に含有させると、ガラスが失透し易くなり、また歪点が低下し易くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～０．５％、０～０．３％、特に０～０．１％である。
　ＺｒＯ２は、ヤング率を高める成分である。ＺｒＯ２の含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～０．５％、０～０．２％、特に０～０．０２％である。ＺｒＯ２の含有量が多過ぎると、液相温度が上昇して、ジルコンの失透結晶が析出し易くなる。
　ＴｉＯ２は、高温粘性を下げて、溶融性を高める成分であると共に、ソラリゼーションを抑制する成分であるが、ガラス組成中に多く含有させると、ガラスが着色し易くなる。よって、ＴｉＯ２の含有量は、好ましくは０～５％、０～３％、０～１％、０～０．１％、特に０～０．０２％である。
　Ｐ２Ｏ５は、耐失透性を高める成分であるが、ガラス組成中に多量に含有させると、ガラスが分相、乳白し易くなり、また耐水性が大幅に低下する虞がある。よって、Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０～５％、０～４％、０～３％、０～２％未満、０～１％、０～０．５％、特に０～０．１％である。
　ＳｎＯ２は、高温域で良好な清澄作用を有する成分であると共に、高温粘性を低下させる成分である。ＳｎＯ２の含有量は、好ましくは０～１％、０．０１～０．５％、０．０１～０．３％、特に０．０４～０．１％である。ＳｎＯ２の含有量が多過ぎると、ＳｎＯ２の失透結晶が析出し易くなる。
　上記の通り、本発明のガラスは、清澄剤として、ＳｎＯ２の添加が好適であるが、ガラス特性を損なわない限り、清澄剤として、ＣｅＯ２、ＳＯ３、Ｃ、金属粉末（例えばＡｌ、Ｓｉ等）を１％まで添加してもよい。
　Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｆ、Ｃｌも清澄剤として有効に作用し、本発明のガラスは、これらの成分の含有を排除するものではないが、環境的観点から、これらの成分の含有量はそれぞれ０．１％未満、特に０．０５％未満が好ましい。
　ＳｎＯ２を０．０１～０．５％含む場合、Ｒｈ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、ガラスが着色し易くなる。なお、Ｒｈ２Ｏ３は、白金の製造容器から混入する可能性がある。Ｒｈ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０～０．０００５％、より好ましくは０．００００１～０．０００１％である。
　ＳＯ３は、不純物として、原料から混入する成分であるが、ＳＯ３の含有量が多過ぎると、溶融や成形中に、リボイルと呼ばれる泡を発生させて、ガラス中に欠陥を生じさせる虞がある。ＳＯ３の好適な下限範囲は０．０００１％以上であり、好適な上限範囲は０．００５％以下、０．００３％以下、０．００２％以下、特に０．００１％以下である。
　希土類酸化物（Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ等の酸化物）の含有量は、好ましくは２％未満、１％以下、０．５％未満、特に０．１％未満である。特に、Ｌａ２Ｏ３＋Ｙ２Ｏ３の含有量は、好ましくは２％未満、１％未満、０．５％未満、特に０．１％未満である。Ｌａ２Ｏ３の含有量は、好ましくは２％未満、１％未満、０．５％未満、特に０．１％未満である。希土類酸化物の含有量が多過ぎると、バッチコストが増加し易くなる。なお、「Ｙ２Ｏ３＋Ｌａ２Ｏ３」は、Ｙ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３の合量である。
　本発明のガラスは、以下の特性を有することが好ましい。
　密度は、好ましくは３．２０ｇ／ｃｍ３以下、３．００ｇ／ｃｍ３以下、２．９０ｇ／ｃｍ３以下、特に２．８０ｇ／ｃｍ３以下である。密度が高過ぎると、電子デバイスの軽量化を達成し難くなる。
　３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数は、好ましくは４０×１０－７／℃以上、４２×１０－７／℃以上、４４×１０－７／℃以上、４６×１０－７／℃以上、特に４８×１０－７～８０×１０－７／℃が好ましい。３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が低過ぎると、半導体結晶（例えば窒化物半導体結晶）とガラス基板の熱膨張係数が整合せず、ガラス基板が反り易くなったり、半導体結晶にクラックが発生し易くなる。
　歪点は、好ましくは７００℃超、７５０℃以上、７８０℃以上、８００℃以上、８１０℃以上、８２０℃以上、特に８３０～１０００℃が好ましい。歪点が低過ぎると、熱処理温度を高温化することができず、半導体結晶の半導体特性を高めることが困難になる。
　本発明に係るＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＲＯ（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物を指す）系ガラスは、一般的に、溶融し難い。このため、溶融性の向上が課題になる。溶融性を高めると、泡、異物等による不良率が軽減されるため、高品質のガラス基板を大量、且つ安価に供給することができる。一方、高温粘度が高過ぎると、溶融工程で脱泡が促進され難くなる。よって、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１７５０℃以下、１７００℃以下、１６８０℃以下、１６７０℃以下、１６５０℃以下、特に１６３０℃以下である。なお、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当し、この温度が低い程、溶融性に優れている。
　（１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度－歪点）は、高歪点と低溶融温度を両立させる観点から、好ましくは９００℃以下、８５０℃以下、特に８００℃以下である。
　平板形状に成形する場合、耐失透性が重要になる。本発明に係るＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３－ＲＯ系ガラスの成形温度を考慮すると、液相温度は、好ましくは１４５０℃以下、１４００℃以下、特に１３００℃以下である。また、液相粘度は、好ましくは１０３．０ｄＰａ・ｓ以上、１０３．５ｄＰａ・s以上、特に１０４．０ｄＰａ・s以上である。なお、「液相温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶の析出する温度を測定した値を指す。「液相粘度」は、液相温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値を指す。
　本発明のガラスは、種々の成形方法で成形可能である。例えば、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法、リドロー法、フロート法、ロールアウト法等でガラス基板を成形することが可能である。なお、オーバーフローダウンドロー法でガラス基板を成形すれば、表面平滑性が高いガラス基板を作製し易くなる。
　本発明のガラスは、平板形状である場合、その板厚は、好ましくは１．０ｍｍ以下、０．７ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、特に０．４ｍｍ以下である。板厚が小さい程、電子デバイスを軽量化し易くなる。一方、板厚が小さい程、ガラス基板が撓み易くなるが、本発明のガラスは、ヤング率や比ヤング率が高いため、撓みに起因する不具合が生じ難い。なお、板厚は、成形時の流量や板引き速度等で調整可能である。
　本発明のガラスにおいて、β－ＯＨ値を低下させると、歪点を高めることができる。β－ＯＨ値は、好ましくは０．４５／ｍｍ以下、０．４０／ｍｍ以下、０．３５／ｍｍ以下、０．３０／ｍｍ以下、０．２５／ｍｍ以下、０．２０／ｍｍ以下、特に０．１５／ｍｍ以下である。β－ＯＨ値が大き過ぎると、歪点が低下し易くなる。なお、β－ＯＨ値が小さ過ぎると、溶融性が低下し易くなる。よって、β－ＯＨ値は、好ましくは０．０１/ｍｍ以上、特に０．０５/ｍｍ以上である。
　β－ＯＨ値を低下させる方法として、以下の方法が挙げられる。（１）含水量の低い原料を選択する。（２）ガラス中の水分量を減少させる成分（Ｃｌ、ＳＯ３等）を添加する。（３）炉内雰囲気中の水分量を低下させる。（４）溶融ガラス中でＮ２バブリングを行う。（５）小型溶融炉を採用する。（６）溶融ガラスの流量を速くする。（７）電気溶融法を採用する。
　ここで、「β－ＯＨ値」は、ＦＴ－ＩＲを用いてガラスの透過率を測定し、下記の式を用いて求めた値を指す。
β－ＯＨ値　＝　（１／Ｘ）ｌｏｇ（Ｔ１／Ｔ２）
Ｘ：ガラス肉厚（ｍｍ）
Ｔ１：参照波長３８４６ｃｍ－１における透過率（％）
Ｔ２：水酸基吸収波長３６００ｃｍ－１付近における最小透過率（％）
　以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は単なる例示
である。本発明は以下の実施例に何ら限定されない。
　表１～４は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１～６３）を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　次のように、各試料を作製した。まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１６００～１７５０℃で２４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、平板形状に成形した。得られた各試料について、密度ρ、熱膨張係数α、歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓ、高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、液相温度ＴＬ、液相粘度ｌｏｇηＴＬを評価した。
　密度ρは、周知のアルキメデス法によって測定した値である。
　熱膨張係数αは、３０～３８０℃の温度範囲において、ディラトメーターで測定した平均値である。
　歪点Ｐｓ、徐冷点Ｔａ、軟化点Ｔｓは、ＡＳＴＭ　Ｃ３３６又はＡＳＴＭ　Ｃ３３８に準拠して測定した値である。
　高温粘度１０４．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０３．０ｄＰａ・ｓにおける温度、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。
　液相温度ＴＬは、各試料を粉砕し、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、ガラス中に失透（失透結晶）が認められた温度である。液相粘度ｌｏｇηＴＬは、液相温度ＴＬにおけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定した値である。
　β－ＯＨ値は、上記式により算出した値である。
　表１～４から明らかなように、試料Ｎｏ．１～６３は、歪点と熱膨張係数が高く、平板形状に成形可能な耐失透性を備えている。よって、試料Ｎｏ．１～６３は、半導体結晶（例えば窒化物半導体結晶、特に窒化ガリウム系半導体結晶）を高温で結晶成長させるための基板として好適であると考えられる。
　本発明のガラスは、歪点と熱膨張係数が高く、良好な耐失透性を備えている。よって、本発明のガラスは、半導体結晶を高温で作製するための基板以外にも、ＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ等のディスプレイ用基板にも好適であり、特にＬＴＰＳ、酸化物ＴＦＴで駆動するディスプレイ用基板として好適である。

Claims (11)

  1. 　ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ２　５５～８０％、Ａｌ２Ｏ３　１１～３０％、Ｂ２Ｏ３　０～３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　０～３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ　５～３５％を含有し、且つ歪点が７００℃より高いことを特徴とするガラス。
  2. 　Ｂ２Ｏ３の含有量が１モル％未満であることを特徴とする請求項１に記載のガラス。
  3. 　Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が０．２モル％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス。
  4. 　モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５～５であることを特徴とする請求項１～３の何れかに記載のガラス。
  5. 　モル比ＭｇＯ／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）が０．５未満であることを特徴とする請求項１～４の何れかに記載のガラス。
  6. 　３０～３８０℃の温度範囲における熱膨張係数が４０×１０－７／℃以上であることを特徴とする請求項１～５の何れかに記載のガラス。
  7. 　歪点が８００℃以上であることを特徴とする請求項１～６の何れかに記載のガラス。
  8. 　（１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度－歪点）が９００℃以下であることを特徴とする請求項１～７の何れかに記載のガラス。
  9. 　１０２．５ｄＰａ・ｓの粘度における温度が１７５０℃以下であることを特徴とする請求項１～８の何れかに記載のガラス。
  10. 　平板形状であることを特徴とする請求項１～９の何れかに記載のガラス。
  11. 　半導体結晶を作製するための基板に用いることを特徴とする請求項１～１０の何れかに記載のガラス。
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