JPS62113735A - 平板デイスプレイ装置用ストロンチウムアルミノシリケ−トガラス基板 - Google Patents

平板デイスプレイ装置用ストロンチウムアルミノシリケ−トガラス基板

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JPS62113735A
JPS62113735A JP61239000A JP23900086A JPS62113735A JP S62113735 A JPS62113735 A JP S62113735A JP 61239000 A JP61239000 A JP 61239000A JP 23900086 A JP23900086 A JP 23900086A JP S62113735 A JPS62113735 A JP S62113735A
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
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    • C03C3/085Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は平板ディスプレイ装置、およびそのためのスト
ロンチウムアルミノシリケートガラス基板に関する。
(従来技術と発明が解決しようとする問題点)2つの最
近の技術的進歩は、平板ディスプレイ装置について明ら
かに実際的な次に示す可能性を大ぎくした。すなわち、 (1)改良された特性を示す液晶の調製;および(2)
  微粒ポリシリコンの表面層の製造である。
液晶の発達は、小型カラーテレビ受像機を液晶から製造
し、非常に大きな情報ディスプレイパネルが技術的に可
能な所まで進んだ。液晶は本来、電気信号に対して遅い
応答を示ずので、能動マトリックスディスプレイを組立
てるためには電気的!ill激に対して素早く応答する
「スイッチ」が必要である。薄膜トランジスタ(TPT
)がこの機能を果たす。
TPTが単結晶シリコンから製造できることは良く取ら
れているが、単結晶シリコンのその性質によって、それ
から作られるTPTの大きさに制限がある。基板上に付
着させた微粒ポリシリコン層をレーザーのような熱源を
用いてスキャンすることにより、粗粒ポリシリコンに再
結晶させることができることが見出された。粗粒ポリシ
リコンから調製されたTPTは、単結晶シリコンから作
られたTPTに比べ電気特性においてわずかな悪化しか
示さず、また液晶ディスプレイを多重送信する場合、極
めて満足に働くことが認められた。
粗粒ポリシリコン能動マトリックスディスプレイは透明
で、平らで、なめらかで、不活性であり、熱膨張に関し
てシリコンと一致しており、また少なくとも850℃の
処理温度に耐えられる基板が必要である。従って、ガラ
スはアルカリ金属イオンを含まなければこれらの要求を
満たし、はぼ30〜40X 10’ / ℃の線熱膨張
係数(25°〜300℃)と少なくとも850℃、好ま
しくは875℃以上のアニール点を示す。米国特許第3
,338,696号に記述されている方法を成すガラス
板を用いるためには、ガラスは少なくとも100,00
0ポアズ、好ましくは250.000ポアズ以上の液相
線粘度を示さなければならない。また、900℃付近の
アニール点を有する透明で均質なガラスを約1800℃
以下の温度の溶融バッチで得ることは非常に難しい。1
800℃は酸化雰囲気下で用いられる白金−ロジウムお
よび多くの耐火物と接触する溶融材料についての実際的
な制限を意味する。最後に、従来の装置と技術を用いて
行うガラス生成を可能にするために、約1400℃を越
えない液相線温度が非常に好ましい。
従って、本発明の主な目的は約30〜40X 10’ 
/℃の線熱膨張係数(25°〜300℃)、少なくとも
850℃のアニール点、約1400℃以下の液相線温度
、少なくともioo、oooポアズの液相線粘度を示し
、約1800°Cを超えない温度で溶融できる透明で均
質なガラスを調製することである。
〈問題点を解決するための手段) 本発明の目的を満足するガラスは、酸化物を基礎とした
モルパーセントで表される約9〜12%のsro、9〜
12%のA9,203、およヒフ7〜82%の5iOz
から本質的に成る組成を有する三成分のSr 0−A9
Jz 03  S!02系内に殆んどアルカリ金属酸化
物を含まないガラスの制限された範囲から調製できるこ
とを見出した。これらの組成割合の制限は、極めて臨界
的である。例証すると、SrOの水準が高すぎるとアニ
ール点は所望の目標以下に下がり、線熱膨張係数は満足
できない高い値に上がる。逆にSrO含量が低すぎる場
合、ガラスは溶融が非常に難しくなり、および/または
液相線温度が満足できない水準まで上がる。
明記したものより低いA、Q、z031度では、アニー
ル点が低すぎてしまう。明記した以上のA9,203含
聞は、望ましくない高い液相線温度をもたらす。S!O
zの分量が規定した最大値をこえると、ガラスは溶融が
非常に難しくなる。S + 02水準が示した最小値以
下の場合、アニール点が非常に低くなるかまたは液相線
温度が非常に高くなる。
モルパーセントで表示された組成範囲を重ωパーセント
の範囲に正確に変換することはできないが、重量パーセ
ントで表された三成分系の近似値は約13〜18%のS
rO、13〜18%のA9J203、および66〜72
%の5iOzである。
三成分系中のSrOの代りにM(] O,Ca 01z
no、Laz 03 、およびMnOを少量置換すると
、ガラスの線膨張係数および/またはアニール点および
/または液相線温度に望ましくない影響を及ぼす。従っ
て、所望のガラス特性を維持するには、これらの物質を
非常に少量だけ添加することが許される。アルカリ金f
il!!l化物のような強力な融剤は、本質的に存在し
ないことが望ましい。
SrOの一部をBaOで置換すると線膨張係数がわずか
に上昇し、またガラスの粘度に逆影響を及ぼさずにかな
りの程度まで液相線温度を非常に望ましく減らすことが
できる。従って、SrOの代りにBaOを@換してもア
ニール点は少しも変わらない。このBaOの性能は、S
rOとBaO濃度のバランスによって熱膨張係数を変化
させ、注意深く調節するのに実際的意義がある。SrO
の代りに8モルパーセントまで好ましくは約6モルパー
ヒントを超えないでlea○を置換することができるが
、1800℃の溶融温度を採用する場合、BaOの揮発
が問題となる。SiOは1800℃で揮発を受けにくい
さらに、ガラス溶融の観点からも一助重要であるが、大
量のBaOを含むとガラス中に気泡の発生をもたらす。
例えば、SrOの代りにBaOをすべて置換すると、1
800℃を超えない溶融温度で少しも気泡を含まないガ
ラスを生成することは実質的に不可能である。これに対
して、ラボ実験ひは、三成分系Sr 0−A9,203
  Si 02の上述した範囲のガラスから殆ど気泡を
含まないガラスが調製できた。従って、BaOを混合す
るとガラスに有益な特性を与えるが、その存在は、揮発
物が環境を汚染し、またガラスを良い品質に溶融するこ
とを一層困難にする。
従来技術と本発明との比較 「酸化ストロンチウム−酸化アルミニウムー二酸化ケイ
素系におけるガラス形成の領域J(Kh。
Sh 、  l5khakov 、 Uzb、 Khi
m 、 Zh 、15  (1)。
10〜12(1971))には、モルパーセントで25
〜60%のSrO、5〜30%のA9J203、おヨヒ
35〜65%の3i02から成るガラスを1500°〜
1550゜で1〜1.5時間溶融することにより調製す
ることが記述されている。SrO含最は明らかに、本発
明のものから全く離れている。
[ストロンチア−アルミナ−シリカ系におけるガラスの
調製J  (Kh 、 Sh 、  l 5khako
v 、 (Jzb。
Khiln 、 Zh 、 、 15  (2)、 7
9〜81 (1971) )には、上記参照文献の範囲
内の組成を有するガラスに関し決定されたいくつかの物
理的特性について記述されている。ガラスは64〜97
X 10°7/”Cの熱膨張係数を示ずことが認められ
た。SrO含ωが増すと、熱膨張係数が上がることが述
べられている。
「ガラスJ  (G 、  I 、 Z huravl
avら、Glass。
USSRSU 870. 365.1984年1月7日
)は、重量パーセントで25〜35%の3rQ、11〜
20%のA9J203、J3よび41〜63%の810
2を含み、一層高い軟化点と特別な電気抵抗率を示すガ
ラスの調製を発表している。温度を比較すると一般に、
SrO水準は本発明のガラスより高く、5iOz水準は
低い。
「電気泳動デポジションによりニオブ基板上に二酸化ケ
イ素−酸化アルミニウム・酸化ストロンチウム系を分散
させたガラスの応用J  (G、I。
Zhuravlavら、zh 、  prikl、 l
(him 、  (1enin111rad) 54 
 (711601〜4 (1981) )は、上記の参
照文献に示された範囲内の組成を有するガラスの電気泳
動デポジションによる、保護電気絶縁コーティングの高
圧ランプのニオブパーツへの応用について記述している
米国特許第4,180,618号は、基板上に付着させ
たケイ素の薄膜から成る電子装置の製造について発表し
ており、ここで基板は本質的に@wペパーントで55〜
75%のSi02.5〜25%のA9.zO3、および
9〜15%のCaO114〜20%のSrO、および1
8〜26%のBaOの割合で示された群から選ばれた少
なくとも1種のアルカリ土類酸化物から成るガラスで構
成される。Ca O,!:Ba O含覆は、本発明のガ
ラスに許容できるものより高い。
3r o、A免z 03 、および5iOzの広い範囲
は本発明のガラスのものと重なるが、組成を本発明の狭
く制限した範囲内に確保することができるすぐれた特性
のマトリックスは認められず、また本発明のガラスの制
限内にある実施例も示されていない。
(実 施 例) 表工は、酸化物を基礎とするモルパーセントで表された
多数のガラス組成を示し、本発明のパラメーターを例示
する。実際のバッチ成分は共に溶融した時、適当な割合
で所望の酸化物に変化する酸化物または他の化合物の任
意の材料を含む。以下に示すラボ実験では、バッチ材料
は高純度砂、A!2.z O3、Sr CO3、[3a
 CO3、MIJ O。
Ca O,Zn O,Mn OlおよびLa z Os
から成る。
バッチ材料を配合し、均一な溶融体になるようにボール
ミル粉砕し、白金または白金−ロジウムるつぼに詰めた
。77%のS!Oxおよびそれ以下を含むこれらのバッ
チを電熱炉内にて1600〜1650℃で4〜16時間
溶融した。Si○2含ωが一層高いバッチは、気体酸素
点火炉にて1700”〜1800℃で16時間溶融した
。それぞれの場合について、溶融体を鉄の鋳型に流し込
み、約30.5cm(12インチ)の直径と約1.9c
a+ (0,75インチ)の厚さの円形スラブを形成し
、これらのスラブをすぐに焼なまし器に移した。表IA
は表■の組成を酸化物を基礎とする重量パーセントによ
り示した。
人−エ ニー」し、L二156 SiOz     80  80  80  80  
80  80A9!zo310  10  10  1
0  10  10sro     io    8 
  6   8   6   4Mg0     − 
  2   4   −   −   −CaO・24
・ 3aQ・・e 7   B   g   10  11  12SiO
z     80  80  80  80  80 
 80A9,20310  10  10  10  
10  10SrO868686 ZnQ      2   4   −   −   
−   −1−aQl、5   −   −   2 
  4   −   −MnO・・24 A9JzO31010101o   10  10Sr
O8654−11 8aO+CaO245610− AfLzO38IQ   12   8  10  1
2SrO1513ii    17   15   1
3表 ■(続) A9JzO38101215127 5rQ     19  17  15  15  1
7  13A免203   9  11   8   
9  10  11SrO131312121212 A9.zos    7   8   9  10  
 8   93rQ     11  11  11 
 11  10  10A9.zO31t   12 
 13   8   9  10SrO1010109
99 A9J20s    11  12  13   8 
  9  10SrO999888 A9.zo310  10  10 SrQ     7   3   2 8aO−78 表IA A9Jzo、14.9  15,2  15,4  1
5,1  15,3  14.33rO15,112,
39,412,39,35,8M(JO・1,22,5
・ CaO・1,63,A   ・ BaO・・12,8 A9J20315.0  15,1  15.O15,
115,015,2SrO12,29,212,29,
212,29,2ZnO2,34,8・・ La01.5−−   2.3  4.6  −   
−MnQ      ・・2,14,2 A9.zo314.7  14,5  14,3  1
4,9  13.9  14.8SrO11,98,8
7,36,0−16,5Ba O+Ca○ 4.4  
8.7  10,8  9.2  20.8  −A9
JzO311,714,617,311,514,41
7,l5rO22,219,316,424,922,
019,IA9.zo311,4  14,2  16
.8  20,8  16,7  10.4SrO27
,524,621,821,424,419,6表 I
A(続) 31   32’   33   34   35  
 36Sin267.4 64,9 70.1 68.
8 67.5 66.2A免203   13.2 1
5.9 11.9 13.3 14.7 16.lSr
O、9,419,218,017,917,817,7
8in272.6 71.3 70.0 68.4 7
2,7 71.3A9,20310,5 12.0 1
3.4 14,9 12.0 13.53r○    
16.9 16.7 16,6 16.7 15.3 
 15.2S10□    6B、7 67.6 66
.3 74,0 72,6 71.3A9J20316
,3 17,4 18.8 12.1 13.6 15
.08rO15,015,014,913,913,8
13,7SiO□    70,0 68.9 67.
6 75.4 74,0 72.7Ai2Q316.4
 17.5 18.9 12.2 13.7 15.l
SrO、3,613,613,512,412,312
,2Si 02    74.0 66.7 66.2
AL203   15.2  14.1  14.0S
rO10,84,32,9 3aQ      −14,916,9表■は、上記ガ
ラスについて測定した若干の物理的特性を示す。℃で表
されたアニール点およびひずみ点は、ASTMC598
に記述されているビーム曲り法に従って測定した。X1
0−’/℃で表された25°〜300℃の範囲の線熱膨
張係数は、溶融シリカ膨張針を用いるASTM  E 
 228に従って確認した。℃で表された内部液相線湯
度は、ガラスを白金ボートに入れ、このボートを液相線
温度まで段々に温度グラジェントする炉内に入れ、この
炉内にボートを24時間保持させることによって求めた
。105ポアズで表された液相線でのガラスの粘度は、
ガラスを2℃/分で冷却しながら回転粘度計を用いて求
めた。オーム−αで表された直流抵抗率(250℃およ
び350℃)、室温および1KHzでの誘電率、室温お
よびI KH2での誘電正接は、ASTM  D 15
0、D257、およびD657に示されている方法に従
って求めた。また、5%I−I Cλ水溶液に24時間
、5%Na OH水溶液に6時間、オヨび0.02 N
Na 2 CO3水溶液に6時間、それぞれ浸漬し、各
浸漬を95℃で行い、各減量をq/c!R2で表した際
の化学的耐久性は、視覚による外観と重量損失によって
、磨いたガラス板で確認した。外観に関して、変化なし
、わずかなフロスト、およびわずかな曇りの表示を用い
て示した。
ガラス19〜28を電熱炉内にて1650℃で16時間
溶融した。ガラス25と26は透明で、粘性があり、気
泡がなかった。ガラス20.22および24は透明であ
るが気泡が入っていた。また他のガラスは、いくらかの
気泡を含み、透明であった。例示的組成の残りのものは
、気体酸素炉内にて1800℃で16時間溶融した。8
1モルパーセントまでのS i Oz水準では、ガラス
は透明で粘性があり、気泡がなかった。82モルパーセ
ントの5iOz1度で、ガラスは透明で、非常に粘性が
あり、また意外にも気泡がなかった。83モルパーセン
トのS!02含岳で、ガラスは透明であったが、わずか
に動くほどの粘性があり、またいくらか気泡を含んでい
た。
表II ひずみ点  839 848 791 822 812
 827線熱膨張係数     36,2  31,9
  27,8  34,0  33,9  36.9液
相線温度 1363 1408 1427 14’28
 1446 1319液相線での粘度    1.1 
  −   −−   −   14直流抵抗率 250   12.74 − − − − 11.97
350   10.76 − − − − 10.09
誘電率   5.43 − − − − 6.00誘電
正接  ・・0,0022 5%H012゜ 外    観    変化なし  ・・変化なし重量損
失  0.02 − 、− − − 0.015%Na
 OH僅かな 外    観   僅かな曇り  ・・フロスト重量損
失  1.2 − − − − 1.30.02 N 
 Na z CO3 外    観    変化なし  ・・価かな曇り重量
損失  0.02 − − − − 0.02アニ一ル
点 846 821 870 861 857 841
ひずみ点  789 763 811 804 799
 785線熱膨張係数     □□□、2  26,
5  33.3  32.0  31,7  27.8
液相線温度 1408 1443 1418 1436
 1486 1417表 工■(続) アニ一ル点 888 890 880 871 873
 884ひずみ点  829 828 816 811
 810 826線熱膨張係数     36,6  
36,0  37.2  34,5  39.338液
相線潟度 1414 1387 1375 1399 
1336 1365アニ一ル点 809 848 90
1 794 829 880ひずみ点  755 79
0 837 743 769 820線熱膨張係数  
   45.1  41,2  37.0  48.3
  44,3  41.2液相線温度 1320 13
46 1375 1301 1313 1426アニ一
ル点 785 807 849 885 820 81
1ひずみ点  736 750 797 832 77
2 758線熱膨張係数     51,6  48.
0  44.1  43.9  48.3  38.1
液相線温度 1209 1289 1433 1573
 1421 1441アニ一ル点 865 − 834
 893 855 −ひずみ点  804 − 778
 832 796 798線熱膨張係数     37
.0  39,5  38,4  35,3  38.
6  41.2液相線温度 1369 1418 14
08 1382 1359 1411表 IN続) ・一一一一――――■・開・・一■■■・叩・■・闇■
■自・――■■・一■■■・陳・―■―・■・■自・―
■■■■■p―・一■■■■――・■■瞭アニール点 
843 863 869 884 857 89Gヒス
ミ点  787 800 809 822 798 8
24線熱膨張係数     36.1  35゜4  
36.4  37,1  35.5  33.7液相線
温度 1486 1457 1384 1423 14
27 1400アニ一ル点 856 889 877 
904 900 896ひずみ点  803 831 
818 841 839 834線熱膨張係数    
 40.4  33.1  31.6  30.4  
34.1  32.1液相線温度 1387 1390
 1446 1457 1461 1445アニ一ル点
 893 − 884 908 907 901ひずみ
点  834 827 826 846 846 83
8線熱膨張係数      −31,830,429,
427,431,3液相線温度 1381 − 148
7 1436 1460 1461アニール点 897
 887 885 ひずみ点  835 824 822 線熱膨張係数     27,1  38.0  38
,0液相線温度 1450 1315 13.42表1
と表■を共に検討すると、約1800℃以下の温度で溶
融でき、また少なくとも850℃のアニール点、25°
〜300℃の温度範囲で約30〜40X10’/℃の線
熱膨張係数、約1400℃を超えない液相線温度、およ
び少なくとも100,000ポアズの液相線粘度を示す
ガラスを調製するために、Sr O,A9、z 03 
、および5iOz1度を規定した三成分系の範囲内に保
つことの重要性をはっきりと示している。またこの検討
では、MgO,CaO、ZnoSLa2’3および/ま
たはMn○の混入が上記特性に関して生成したガラスに
もたらす一般に好ましくない影響を示している。これに
対し、BaOの添加はガラスの粘度に重大な影響を及ぼ
さずに液相線温度を下げるのに有効であるが、この添加
の際には、BaOの連発とガラス中の気泡の発生に注意
をはられなければならない。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも850℃のアニール点、25°〜30
    0℃の温度範囲で約30〜40×10^−^7/℃の線
    熱膨張係数、1400℃を超えない液相線温度、および
    少なくとも1×10^5ポアズの液相線粘度を示す約1
    800℃以下の温度で溶融でき、本質的にアルカリ金属
    酸化物を含まず、酸化物を基礎とするモルパーセントで
    表した9〜12%のSrO、9〜12%のAl_2O_
    3、77〜82%のSiO_2から本質的に成る明るい
    透明なストロンチウムアルミノシリケートガラス。
  2. (2)SrOの代りに8モルパーセントまでのBaOを
    置換する特許請求の範囲第1項記載のガラス。
  3. (3)大きな結晶ポリシリコン半導体フィルムを上に生
    長させるために平らで透明な基板を有する平板ディスプ
    レイ装置において、前記基板が1800℃以下の温度で
    溶融でき、少なくとも850℃のアニール点、25°〜
    300℃の温度範囲で約30〜40×10^−^7/℃
    の線熱膨張係数、1400℃を超えない液相線温度、お
    よび少なくとも1×10^5ポアズの液相線粘度を示す
    ストロンチウムアルミノシリケートガラスであり、前記
    ガラスが本質的にアルカリ金属酸化物を含まず、本質的
    に酸化物を基礎とするモルパーセントで表した9〜12
    %のSrO、9〜12%のAl_2O_3、77〜82
    %のSiO_2から成る平板ディスプレイ装置。
  4. (4)SrOの代りに8モルパーセントまでのBaOを
    置換する特許請求の範囲第3項記載の装置。
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