WO2016125640A1 - データ信号線駆動回路、データ信号線駆動方法、および表示装置 - Google Patents

データ信号線駆動回路、データ信号線駆動方法、および表示装置 Download PDF

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WO2016125640A1
WO2016125640A1 PCT/JP2016/052236 JP2016052236W WO2016125640A1 WO 2016125640 A1 WO2016125640 A1 WO 2016125640A1 JP 2016052236 W JP2016052236 W JP 2016052236W WO 2016125640 A1 WO2016125640 A1 WO 2016125640A1
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signal line
circuit
voltage
delay
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航平 細谷地
村上 祐一郎
佐々木 寧
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a data signal line driving circuit having an analog switch for giving and holding an analog video signal to each of a plurality of data signal lines connected to a plurality of pixel forming portions for forming an image to be displayed, And a display device including the same.
  • a display device such as an active matrix liquid crystal display device
  • a plurality of data signal lines also referred to as “source lines”
  • a plurality of scanning signal lines also referred to as “gate lines” intersecting the plurality of data signal lines
  • the plurality of data signal lines and the plurality of pixel formation portions arranged in a matrix along the plurality of scanning signal lines are formed in a display portion such as a liquid crystal panel.
  • Some of such active matrix display devices adopt a dot sequential drive system, an SSD (Source Shared Shared) system, or the like.
  • the SSD system means that a plurality of data signal lines in the display unit are grouped into a plurality of data signal line groups, each of which is a set of two or more predetermined number of data signal lines, and the predetermined number of data signals in each set.
  • an analog video signal is given to a line in a time division manner.
  • an analog video signal is given to each data signal line via an analog switch that is turned on, and then the control of the analog switch is performed.
  • the analog switch is turned off by changing the signal level, the voltage of the analog video signal is held in the data signal line.
  • the activated scanning signal The voltage of the data signal line is written as pixel data in the pixel formation portion connected to the line.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a portion (hereinafter referred to as “unit sample hold circuit”) corresponding to “target data signal line SLk” (see Patent Documents 1 and 2).
  • This unit sample-and-hold circuit has an N-channel field effect transistor (hereinafter abbreviated as “Nch transistor”) SWk as an analog switch, an inverter IV that logically inverts the control signal Sck of this analog switch, A correction capacitive element Cc connected to the target data signal line SL and having the other terminal connected to the output terminal of the inverter IV, a gate terminal of the Nch transistor SWk, and one conduction terminal connected to the target data signal line SL. And a parasitic capacitance Cgd formed therebetween.
  • the analog video signal Sv1 is supplied to the other conduction terminal of the Nch transistor SWk, and the control signal Sck described above is supplied to the gate terminal of the Nch transistor SWk.
  • the Nch transistor SWk (including the parasitic capacitance Cgd), the correction capacitive element Cc, and the inverter IV constitute a sampling circuit for the analog video signal Sv1, and the capacitance of the sampling circuit and the target data signal line (target data signal line)
  • the unit sample-and-hold circuit is constituted by the total capacity (Csl) formed by SLk and other electrodes.
  • a predetermined on-voltage (a high-level voltage (hereinafter referred to as “H-level voltage VH” when the analog switch is configured by an Nch transistor)) is used as the control signal Sck.
  • H-level voltage VH high-level voltage
  • the control signal Sck has a predetermined off voltage (if the analog switch is composed of Nch transistors, a low level voltage (hereinafter referred to as “L level voltage”). VL ”)) is applied to the gate terminal of the Nch transistor SWk.
  • the voltage of the control signal Sck is set to the H level voltage VH as the on voltage.
  • the voltage difference between the gate terminal and the source terminal of the Nch transistor SWk becomes the threshold voltage Vth of the transistor SWk, that is, the voltage of the control signal Sck is a video signal.
  • this voltage Vv1 + Vth is referred to as “off transition voltage Voff”
  • the transistor SWk is turned off.
  • control voltage Vg the voltage of the control signal Sck
  • data signal line voltage the voltage (hereinafter referred to as “data signal line voltage”) Vsl of the data signal line SLk of interest through the parasitic capacitance Cgd. Therefore, in the sampling circuit shown in FIG. 6B, an inverted signal Sr obtained by logically inverting the control signal Sck is generated by the inverter IV, and this inverted signal Sr is supplied to the target data signal line SLk via the correcting capacitance element Cc. Is configured to give. Thereby, a decrease in the data signal line voltage Vsl due to the parasitic capacitance Cgd is suppressed.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-17816 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-55461 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-350261 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-195834
  • the inverted signal Sr is H before the time t1 when the analog switch SWk is turned off.
  • the level voltage VH toward the L level voltage VL.
  • the above-described decrease in the data signal line voltage Vsl due to the parasitic capacitance Cgd may not be sufficiently suppressed. That is, as shown in FIG. 7A, of the voltage change of the inverted signal Sr when the Nch transistor SWk is turned off, the voltage change amount that contributes to the correction of the decrease in the data signal line voltage Vsl caused by the parasitic capacitance Cgd. ⁇ Vc is small.
  • the voltage change ⁇ Vc that contributes to the correction of the decrease in the data signal line voltage Vsl is affected by the change timing of the inverted signal Sr, that is, the signal delay amount. For this reason, the decrease in the data signal line voltage Vsl cannot be reliably and sufficiently corrected.
  • the inverted signal Sr is output before the time t1 when the Nch transistor SWk is turned off.
  • the present invention provides a data signal line driving circuit capable of reliably and sufficiently correcting fluctuations in the data signal line voltage that occur during sampling of an analog video signal while suppressing an increase in layout area, and a display device including the data signal line driving circuit.
  • the purpose is to provide.
  • data having an analog switch for supplying an analog video signal to each of a plurality of data signal lines connected to a plurality of pixel forming portions for forming an image to be displayed.
  • a signal line driving circuit comprising: A first conduction terminal that is provided for each of the plurality of data signal lines and that receives an analog video signal to be supplied to a pixel formation portion connected to the corresponding data signal line, and is connected to the corresponding data signal line
  • An analog switch including a field effect transistor having a second conduction terminal connected to the control terminal and a control terminal for receiving a control signal for switching between an on state and an off state; A correction capacitive element having one terminal connected to the corresponding data signal line;
  • the control signal is logically inverted, and the transistor is turned off after the control signal starts changing from a first level voltage for turning on the transistor to a second level voltage for turning off the transistor.
  • An inversion delay circuit that generates an inversion delay signal by delaying the control signal by a predetermined time according to the
  • the inversion delay circuit is configured such that when the transistor is turned off, the inversion delay signal starts changing from the second level voltage to the first level voltage after the transistor is turned off. Is generated.
  • the inversion delay circuit is configured such that when the transistor is turned off, the inversion delay signal starts changing from the second level voltage to the first level voltage after the control signal reaches the second level voltage.
  • the inverted delay signal is generated.
  • the capacitance value of the correcting capacitive element is the parasitic capacitance between the control terminal and the second conduction terminal in the transistor, the difference between the first level voltage and the second level voltage, and the control signal. It is a predetermined value determined based on the voltage of the control signal that turns off the transistor when it changes from the first level voltage toward the second level voltage.
  • the inversion delay circuit includes three or more odd number of inverters connected in cascade.
  • the inverting delay circuit includes an inverting delay device having at least one Schmitt trigger type inverter and generating the inverting delay signal from the control signal.
  • a seventh aspect of the present invention is the sixth aspect of the present invention.
  • the Schmitt trigger type inverter in the inverting delay circuit includes a multi-gate transistor.
  • the inversion delay circuit is provided in each data signal line.
  • the analog switch is disposed at one end of the corresponding data signal line
  • the correction capacitive element is arranged at the other end of the corresponding data signal line.
  • the plurality of data signal lines are grouped into a plurality of data signal line groups, with a predetermined number of data signal lines of two or more as one set,
  • the inversion delay circuit includes a predetermined number of inversion delay units respectively corresponding to the predetermined number of data signal lines;
  • Each of the predetermined number of inversion delays receives a control signal to be supplied to an analog switch connected to a corresponding data signal line among the predetermined number of data signal lines constituting each set of data signal line groups, An inverted delay signal is generated from the control signal, and the inverted delay signal is applied to the other terminal of the correction capacitive element connected to the corresponding data signal line.
  • An eleventh aspect of the present invention is the tenth aspect of the present invention,
  • the predetermined number of inversion delay elements are distributed and arranged at one end and the other end in a direction perpendicular to a direction in which the plurality of data signal lines extend in the data signal line driving circuit. .
  • the correcting capacitance element includes a predetermined portion of an insulating layer formed to form a gate insulating film of the transistor, a predetermined portion of a conductive layer formed to manufacture a gate electrode of the transistor, and the transistor And a predetermined portion of a semiconductor layer formed in order to manufacture the channel portion.
  • a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines intersecting with the plurality of data signal lines, a matrix shape along the plurality of data signal lines and the plurality of scanning signal lines are provided.
  • a display device having a display unit provided with a plurality of pixel formation units arranged in A data signal line driving circuit according to the first aspect of the present invention; And a scanning signal line driving circuit for selectively driving the plurality of scanning signal lines.
  • a fourteenth aspect of the present invention is the thirteenth aspect of the present invention,
  • the display unit is non-rectangular,
  • the lengths of at least two data signal lines among the plurality of data signal lines are different from each other depending on the shape of the display unit.
  • data having an analog switch for applying and holding an analog video signal to each of a plurality of data signal lines connected to a plurality of pixel forming portions for forming an image to be displayed.
  • a data signal line driving method by a signal line driving circuit Providing the analog video signal to the data signal line of any one of the plurality of data signal lines via the analog switch; After the analog video signal is applied to the one data signal line through the analog switch, the analog switch is turned off by changing a level of a control signal applied to the analog switch; The control signal is logically inverted, and the transistor is turned off after the control signal starts changing from a first level voltage for turning on the analog switch to a second level voltage for turning off the analog switch. Generating an inverted delay signal by delaying the control signal by a predetermined time corresponding to the time until the state is reached; Providing the inverted delay signal to the one data signal line through a correction capacitor.
  • the inverted delay signal generated from the control signal is applied to the data signal line via the correction capacitive element.
  • the field effect transistor included in the analog switch has a parasitic capacitance
  • the voltage change of the control signal affects the data signal line voltage via the parasitic capacitance, and the data signal line
  • the voltage fluctuates from the original value (the data signal line voltage decreases or rises from the original value).
  • the inverted delay signal is supplied to each data signal line via the correction capacitive element, whereby the fluctuation of the data signal voltage is corrected.
  • the inverted delay signal is delayed with respect to the control signal by a predetermined time corresponding to the time from when the control signal starts changing from the first level voltage to the second level voltage until the transistor is turned off. is doing. For this reason, a large part of the voltage change of the inverted delay signal contributes to the correction of the data signal line voltage fluctuation. As a result, it is not necessary to increase the capacitance value of the correcting capacitive element, and even if the delay amount of the inverted delay signal slightly varies, the correction is not affected. Therefore, the fluctuation of the data signal line voltage caused by the parasitic capacitance that occurs when the analog video signal is sampled by the analog switch can be reliably and sufficiently corrected while suppressing an increase in the layout area.
  • the inverted delay signal is changed from the second level voltage to the first level after the transistor is turned off. Initiate a change to voltage.
  • all the voltage changes of the inversion delay signal contribute to the correction of the data signal line voltage fluctuation, and even if the delay amount of the inversion delay signal fluctuates, the correction is not affected. Therefore, fluctuations in the data signal line voltage caused by parasitic capacitance that occur when sampling an analog video signal by the analog switch can be corrected more reliably and sufficiently while suppressing an increase in layout area.
  • the control signal when a transistor in an analog switch provided in each data signal line is turned off, the control signal reaches a second level voltage for turning the transistor off.
  • the inverted delay signal begins to change from the second level voltage to the first level voltage.
  • the capacitance value of the correction capacitor element is the parasitic capacitance between the control terminal of the transistor and the second conduction terminal in the analog switch provided in each data signal line, the first level. Determined based on the difference between the voltage and the second level voltage and the voltage of the control signal that turns the transistor off when the control signal of the transistor changes from the first level voltage to the second level voltage Has been.
  • an inversion delay signal is generated from the control signal of the analog switch by an inversion delay circuit including three or more odd number of inverters cascaded together, and the inversion delay signal is It is used for correcting data signal line voltage fluctuations caused by parasitic capacitance that occurs when analog video signals are sampled by an analog switch.
  • fluctuations in the data signal line voltage can be reliably and sufficiently corrected while suppressing an increase in layout area.
  • the inverting delay device that generates the inverting delay signal from the control signal of the analog switch includes at least one Schmitt trigger type inverter, the inverting delay can be performed only by a normal inverter.
  • the delay time in the inverting delay device can be made longer than in the case where the device is configured. This makes it possible to generate an inverted delay signal that is more suitable for correction of fluctuations in the data signal line voltage caused by parasitic capacitance.
  • the Schmitt trigger type inverter in the inverting delay circuit includes a multi-gated transistor. Therefore, the data signal line voltage fluctuation caused by the parasitic capacitance is reduced while reducing the power consumption. An inverted delay signal more suitable for correction can be generated.
  • the inversion delay circuit is provided in each data signal line and the inversion delay circuit is evenly arranged in the display area, the degree of freedom in circuit arrangement is high. Further, by changing the configuration of each inverted delay signal, the correction amount of the voltage fluctuation can be changed for each data signal line.
  • each analog switch is disposed at one end of the corresponding data signal line, and the correction capacitor is disposed at the other end of the corresponding data signal line. Therefore, in the area on the analog switch side in the outer edge portion of the display area, the area of each correction capacitor element and the wiring area for transmitting the inverted delay signal are vacant, and as a result, the circuit block is increased without routing the wiring. Wiring can be performed with a degree of freedom.
  • the same effect as that of the first or ninth aspect of the present invention can be obtained in an SSD display device.
  • two or more predetermined number of inversion delays constituting the inversion delay circuit are in the direction in which the data signal line extends in the end portion of the data signal line driving circuit.
  • the area for circuit arrangement required at the outer edge of the display area is not biased to one of the end parts. it can.
  • the correcting capacitive element is for producing a predetermined portion of an insulating layer formed for producing a gate insulating film of a transistor in each analog switch and a gate electrode of the transistor. And a predetermined portion of a semiconductor layer formed in order to form a channel portion of the transistor. For this reason, if the capacitance value of the parasitic capacitance of the transistor varies due to variations in the thickness of the gate insulating film during manufacture, the capacitance value of the correction capacitive element also changes accordingly. As a result, even if the variation amount of the voltage of the data signal line due to the parasitic capacitance varies due to the variation in the capacitance value of the parasitic capacitance, the voltage variation is appropriately corrected.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a data signal line driving circuit in the first embodiment.
  • 4 is a timing chart for explaining the operation of the data signal line driving circuit in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a signal waveform diagram illustrating a video signal sample and hold operation in the data signal line driving circuit according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram (A) showing a configuration of a unit sample hold circuit in the first embodiment and a circuit diagram (B) showing a configuration of a conventional unit sample hold circuit. It is a signal waveform diagram (A, B) which shows the operation
  • FIG. 6 is a signal waveform diagram (A, B) showing the operation of the unit sample hold circuit in the first embodiment. It is a circuit diagram which shows the 1st Example for the sampling of the video signal in the data signal line drive circuit in the said 1st Embodiment, and correction
  • the signal waveform diagram (A) which shows the operation
  • the signal waveform diagram (B) which shows the operation
  • It is a circuit diagram (A, B, C) which shows the 1st-3rd structural example of the Schmitt trigger type inverter as an inverting delay device in the said 2nd Example of the said 1st Embodiment.
  • FIG. 20 It is a schematic diagram which shows the structure of the display part (display area) in the liquid crystal display device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 20 It is a figure which shows the example of arrangement
  • A, B for demonstrating the expression method of one demultiplexer in the data signal line drive circuit in the said 2nd Embodiment, and the correction
  • FIG. 1 shows distribution of the data signal line voltage fall amount which arises at the time of sampling of a video signal in the said 2nd Embodiment, and distribution of the capacity
  • FIG. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing a preferable structure of a correction capacitive element in each embodiment of the present invention, and a plan view and a cross-sectional view showing a structure of a thin film transistor.
  • FIG. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing a preferable structure of a correction capacitive element in each embodiment of the present invention, and a plan view and a cross-sectional view showing a structure of a thin film transistor.
  • circuit diagram (A, B, C) for demonstrating other embodiment of this invention. It is a circuit diagram (A, B, C) for demonstrating the 1st modification of the said other embodiment. It is a block diagram which shows the structure of the data signal line drive circuit in the 2nd modification of the said other embodiment. It is a timing chart for demonstrating operation
  • the gate terminal corresponds to a control terminal
  • one of the drain terminal and the source terminal corresponds to a first conduction terminal
  • the other corresponds to a second conduction terminal.
  • FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal display device includes a display panel 100 including an active matrix display unit 120, a scanning signal line driver circuit (also referred to as “gate driver”) 200, and a data signal line driver circuit (also referred to as “source driver”) 300.
  • the display control circuit 400 is provided with an input signal Sin from the outside.
  • the input signal Sin includes an image signal representing an image to be displayed and a timing control signal for displaying the image.
  • the display unit 120 includes a plurality (3n) of data signal lines (also referred to as “source lines”) SL1 to SL3n and a plurality (m) of scanning signal lines (also referred to as “gate lines”) GL1 to GLm.
  • a plurality of (m ⁇ 3n) pixel forming portions 10 arranged in a matrix along the data signal lines SL1 to SL3n and the scanning signal lines GL1 to GLn are arranged (in this way, in a matrix form).
  • the plurality of pixel formation portions arranged in the above are also referred to as “pixel matrix” below).
  • Each pixel forming unit 10 corresponds to any one of these data signal lines SL1 to SL3n, and also corresponds to any one of these scanning signal lines GL1 to GLm.
  • data signal lines SL when the 3n data signal lines SL1 to SL3n are not distinguished, they are simply referred to as “data signal lines SL”, and when the m scanning signal lines GL1 to GLm are not distinguished, they are simply referred to as “scanning signals”. Line GL ".
  • Each pixel forming unit 10 is a thin film transistor (hereinafter abbreviated as “TFT”) as a switching element having a gate terminal as a control terminal connected to a corresponding scanning signal line GL and a source terminal connected to a corresponding data signal line SL.
  • TFT thin film transistor
  • a pixel capacitor Cp is constituted by a liquid crystal capacitor formed by the pixel electrode Ep and the common electrode Ec.
  • an auxiliary capacitor is provided in parallel with the liquid crystal capacitor in order to reliably hold the voltage in the pixel capacitor Cp.
  • the auxiliary capacitor is not directly related to the present invention, its description and illustration are omitted.
  • the type of TFT 12 included in each pixel forming portion 10 is not particularly limited, and the channel layer of the TFT 12 includes amorphous silicon, polysilicon, microcrystalline silicon, continuous grain boundary crystalline silicon (CG silicon), oxide semiconductor, and the like. Either of these may be used.
  • the method of the liquid crystal panel (display panel 100) including the display unit 120 is not limited to a VA (Vertical Alignment) method in which an electric field is applied in a direction perpendicular to the liquid crystal layer, a TN (Twisted Nematic) method, or the like.
  • IPS In-Plane Switching
  • the display control circuit 400 receives the input signal Sin from the outside, and generates a digital image signal Sdv, a data side control signal SCT, a scanning side control signal GCT, and a common voltage Vcom (not shown) based on the input signal Sin. Output.
  • the digital image signal Sdv and the data side control signal SCT are supplied to the data signal line driving circuit 300, the scanning side control signal GCT is supplied to the scanning signal line driving circuit 200, and the common voltage Vcom is supplied to the common electrode Ec in the display unit 120. It is done.
  • the data signal line driving circuit 300 generates data signals S1 to S3n based on the digital image signal Sdv and the data side control signal SCT and applies them to the data signal lines SL1 to SL3n, respectively. Details of the data signal line driving circuit 300 will be described later.
  • the scanning signal line driving circuit 200 generates the scanning signals G1 to Gm based on the scanning side control signal GCT and applies them to the scanning signal lines GL1 to GLm, thereby applying the active scanning signals to the scanning signal lines GL1 to GLm. Is repeated at a predetermined cycle.
  • the scanning side control signal GCT includes a gate clock signal and a gate start pulse signal.
  • the scanning signal line driving circuit 200 operates a shift register (not shown) and the like to generate scanning signals G1 to Gm.
  • a backlight unit (not shown) is provided on the back side of the display panel 100, so that the back light of the display panel 100 is irradiated with the backlight light.
  • the backlight unit is also driven by the display control circuit 400, but may be driven by other methods.
  • a backlight unit is unnecessary.
  • the data signal is applied to the data signal line SL
  • the scanning signal is applied to the scanning signal line GL
  • the backlight is irradiated on the back surface of the display panel 100.
  • An image represented by Sin is displayed on the display unit 120 constituting the display area of the display panel 100.
  • both or one of the data signal line driving circuit 300 and the scanning signal line driving circuit 200 may be provided in the display control circuit 400. Further, both or one of the data signal line driving circuit 300 and the scanning signal line driving circuit 200 may be formed integrally with the display unit 120. In this case, only a part of the data signal line driver circuit 300 (for example, only the demultiplex circuit 320 and the correction circuit 330 shown in FIG. 2 described later) may be formed integrally with the display unit 120.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the data signal line driving circuit 300 in the present embodiment.
  • the data signal line driving circuit 300 includes a demultiplexer corresponding to the SSD system in addition to the data signal generating circuit 310 that generates n video signals Sv1 to Svn as data signals for driving the display panel 100.
  • the demultiplexer circuit 320 includes a correction circuit 330 for compensating for a decrease in signal level that occurs when the video signals Sv1 to Svn are sampled.
  • the correction circuit 330 includes a correction capacitor circuit 350 and an inversion delay circuit 340.
  • the digital image signal Sdv from the display control circuit 400 is given to the data signal generation circuit 310.
  • the source start pulse signal SSP, the source clock signal SCK, the latch strobe signal Ls, and the polarity switching control signal Cpn are given to the data signal generation circuit 310, and the connection switching control signal Sc1 to Sc3 are given to the demultiplexing circuit 320.
  • the data signal generation circuit 310 Based on the source start pulse signal SSP, the source clock signal SCK, and the latch strobe signal Ls, the data signal generation circuit 310 operates based on the digital image signal Sdv by operating a shift register, a sampling latch circuit, and the like (not shown) therein. By generating n digital signals and converting these n digital signals into analog signals by a DA converter circuit (not shown), n video signals Sv1 to Svn as analog data signals for driving the display panel 100 are generated. Is generated. In this embodiment, since the SSD system is adopted as described above, each video signal Svi is distributed to three data signals S3i-2, S3i-1, and S3i, and the data signal line SL3i-2 of the display unit 120.
  • the polarity switching control signal Cpn is a control signal for AC driving the display unit 120 to prevent deterioration of the liquid crystal, and is used for switching the polarity of the video signals Sv1 to Svn at a predetermined timing.
  • this AC drive is well known to those skilled in the art, since it is not directly related to the features of the present invention, detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 3 is a timing chart for explaining the operation of the data signal line driving circuit 300 in the present embodiment. The operation of the data signal line driving circuit 300 will be described below with reference to FIG. 3 together with FIG.
  • Connection switching control signals Sc1 to Sc3 as shown are input. Assuming that the periods obtained by dividing each horizontal period into three are called the first, second, and third periods in order, the first connection switching control signal among these connection switching control signals Sc1 to Sc3. Sc1 is active only in the first period, the second connection switching control signal Sc2 is active only in the second period, and the third connection switching control signal Sc3 is active only in the third period.
  • the high level (H level) is active and the low level (L level) is inactive.
  • each demultiplexer 322 three data signal lines SL3i-2, SL3i-1, and SL3i to which a video signal (hereinafter referred to as “input video signal”) Svi inputted thereto is applied in a time-division manner have a correction capacitor circuit 350. It is connected through.
  • Each demultiplexer 322 supplies the input video signal Svi to the data signal line SL3i-2 when the first connection switching control signal Sc1 is active (H level), and the second connection switching control signal Sc2 is active (H Level) to the data signal line SL3i-1, and to the data signal line SL3i when the third connection switching control signal Sc3 is active (H level).
  • the data signal line to which the input video signal Svi is applied is sequentially switched among the three data signal lines SL3i-2, SL3i-1, and SL3i in each horizontal period.
  • data signals S1 to S3 as shown in FIG. 3 are applied to the data signal lines SL1 to SL3, respectively.
  • the same applies to the other data signal lines SL3i-2, SL3i-1, and SL3i (i 2 to n).
  • FIG. 3 shows that not only the polarity of the data signal applied to each pixel forming unit 10 is inverted every frame period, but also the data signals having opposite polarities are applied to the pixel forming units adjacent in the direction in which the data signal line SL extends.
  • a method of driving the display panel 100 that is, a dot inversion driving method is adopted so that data signals having opposite polarities are also given to pixel forming portions adjacent to each other in the extending direction of the scanning signal line GL.
  • the AC driving method of the liquid crystal display device according to the present invention is not limited to the dot inversion driving method.
  • data signals having opposite polarities are given to pixel forming portions adjacent to each other in the extending direction of the data signal line SL.
  • a method of driving the display panel 100 that is, a line inversion driving method, may be employed so that data signals having the same polarity are supplied to the pixel forming portions adjacent to each other in the extending direction of the scanning signal line GL.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration for sampling the video signal Svi and correcting the sample value in the data signal line driving circuit 300 in this embodiment, that is, a demultiplexing circuit 320 and a correction circuit 330 (correction capacity circuit 350).
  • 2 is a circuit diagram showing a detailed configuration of an inversion delay circuit 340).
  • the demultiplex circuit 320, the correction capacitor circuit 350, and the inversion delay circuit 340 of the data signal line driving circuit 300 are integrally formed with the display unit (pixel matrix) 120.
  • the present invention is not limited to this.
  • each demultiplexer 322 in the demultiplexing circuit 320 includes three thin film transistors SW1 to SW3 that are Nch transistors as analog switches.
  • the first conduction terminals of the Nch transistors SW1 to SW3 in each demultiplexer are connected to each other and supplied with the video signal Svi.
  • first to third connection switching control signals Sc1 to Sc3 are applied to gate terminals as control terminals of the Nch transistors SW1 to SW3 in each demultiplexer 322, respectively.
  • the inverting delay circuit 340 includes first, second, and third inverting delay devices 342.
  • the first to third inverting delay devices 342 are supplied with first to third connection switching control signals Sc1 to Sc3, respectively.
  • the first to third inverting delay devices 342 are connected to the first to third connections.
  • the switching control signals Sc1 to Sc3 are logically inverted and delayed by a predetermined time to generate first to third inverted delay signals Srd1 to Srd3, respectively. These first to third inverted delay signals Srd1 to Srd3 are supplied to the correction capacitor circuit 350.
  • the correction capacitance circuit 350 includes one correction capacitance element Cc for each data signal line SL, and one terminal of each correction capacitance element Cc is connected to the corresponding data signal line SL.
  • the voltage of the data signal line SL3 (i-1) + k immediately after the Nch transistor SWk is turned off that is, the voltage of the data signal S3 (i-1) + k (data signal line voltage Vsl) is equal to the Nch transistor SWk. Is lower than the voltage of the video signal Svi applied to the data signal S3 (i-1) + k when the signal is on. That is, the data signal line voltage Vsl obtained by sampling the video signal Svi with the connection switching control signal Sck is lower than the original voltage due to the parasitic capacitance Cgd.
  • the inverted delay signal Srk is given to each data signal line SL3 (i-1) + k via the correction capacitance element Cc, thereby correcting the decrease in the data signal line voltage Vsl. (See waveforms of signals S1, S4, S2, S5, S3, and S6 shown in FIG. 5).
  • FIG. 6A shows a portion corresponding to a circuit for sampling the video signal Sv1 and holding it on one data signal line (target data signal line) SLk in this embodiment, that is, a circuit showing a configuration of a unit sample hold circuit.
  • FIG. FIG. 6B shows a configuration of a unit sample hold circuit (hereinafter referred to as “conventional unit sample hold circuit”) corresponding to the unit sample hold circuit of FIG. 6A in a conventional display device adopting the SSD method or the like.
  • FIG. FIG. 7 is a signal waveform diagram showing the operation of the conventional unit sample and hold circuit shown in FIG. 6B
  • FIG. 8 shows the operation of the unit sample and hold circuit in the present embodiment shown in FIG. FIG.
  • connection switching control signal Sck as the sampling pulse signal changes from the H level voltage VH as the off voltage to the L level voltage VL as the off voltage.
  • the Nch transistor SWk as an analog switch is switched from the on state to the off state.
  • the inverted signal Sr obtained by the inverter IV is given to the data signal line SLk of interest through the correcting capacitive element Cc.
  • the inverted signal Sr starts changing from the L level voltage VL to the H level voltage VH before the time t1 when the Nch transistor SWk switches from the on state to the off state. Therefore, the voltage change ⁇ Vc that contributes to the correction of the voltage change of the inverted signal Sr while the data signal line SLk of interest is in the floating state, that is, the decrease in the data signal line voltage Vsl caused by the parasitic capacitance Cgd is Nch.
  • connection switching control signal Sck starts to change from the H level voltage VH to the L level voltage VL, it reaches the off transition voltage Voff (when the Nch transistor SWk is in the off state).
  • the inverted signal Sr completes the change from the L level voltage VL to the H level voltage VH before t1
  • the inverted delay signal Srdk obtained by the inversion delay device 342 is given to the data signal line SLk of interest through the correction capacitor element Cc.
  • the inverted delay signal Srdk starts changing from the L level voltage VL to the H level voltage VH after the time point t1 when the Nch transistor SWk switches from the on state to the off state. Therefore, the data signal line SLk is in a floating state while the inverted delay signal Srdk changes from the L level voltage VL to the H level voltage VH.
  • the voltage change ⁇ Vcd VH ⁇ VL of the inverted delay signal Srdk during this period contributes to the correction of the data signal line voltage drop due to the parasitic capacitance.
  • the voltage change ⁇ Vcd VH ⁇ VL contributing to this correction is larger than the voltage change ⁇ Vc contributing to this correction in the conventional unit sample and hold circuit.
  • the capacitance value of the correcting capacitive element Cc as described later without increasing the capacitance value, the data signal line caused by the parasitic capacitance can be obtained by the voltage change ⁇ Vcd of the inverted delay signal Srdk.
  • the voltage drop ⁇ Vsl can be canceled (see FIG. 8A).
  • the voltage change ⁇ Vc that contributes to the correction among the voltage change of the inverted signal Sr is the timing at which the inverted signal Sr starts to change from the L level voltage VL to the H level voltage VH.
  • the correction of the data signal line voltage drop due to the parasitic capacitance is affected by the delay amount of the inverted signal Sr.
  • the delayed inversion signal Srdk starts changing from the L level voltage VL to the H level voltage VH after the Nch transistor SWk is switched from the on state to the off state, this temporal condition is satisfied. As long as the inverting delay device 342 operates, the delay amount of the inverting delay signal Srdk does not affect the correction of the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance.
  • the inverted delay signal Srdk is applied to the data signal line SL3 (i-1) + k via the correction capacitor element Cc in order to correct the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance.
  • this capacitance value is also indicated by the symbol “Cc”).
  • Cc the capacitance value of the correction capacitive element Cc
  • Vo is the voltage of the other electrode forming the data signal line capacitor Csl (the data signal line is one electrode forming the capacitor Csl).
  • the Nch transistor SWk as an analog switch is switched from the on state to the off state instantaneously when the connection switching control signal Sck drops from the H level voltage VH and reaches the off transition voltage Voff, the time point t1 to the time point t2 Until then, the target data signal line SLk is in a floating state, and there is no inflow or outflow of electric charge with respect to the target data signal line SLk.
  • an appropriate capacitance value of the correcting capacitive element Cc can be obtained from the above equation (4).
  • the correction capacitance element Cc having the capacitance value thus obtained in the correction capacitance circuit 350 the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance can be canceled by the inverted delay signal Srdk.
  • the capacitance value of the correcting capacitive element Cc at this time is smaller than the parasitic capacitance Cgd.
  • the fixed value Vvf a temporal average value, an intermediate value, or a mode value of the voltage Vvi of the video signal Svi can be used. Further, the maximum value or the minimum value of the voltage Vvi of the video signal Svi may be used as the fixed value Vvf.
  • the Nch transistor SWk as an analog switch is instantaneously switched from the on state at the time t1 when the connection switching control signal Sck (gate terminal voltage Vg) decreases from the H level voltage VH and reaches the off transition voltage Voff. It is assumed that this is an ideal switching element that switches to the off state. However, actually, various parameters of the Nch transistor SWk other than the threshold value Vth also contribute to the data signal line voltage drop ⁇ Vsl.
  • the actual characteristics of the Nch transistor SWk (the gate-source voltage, the drain-source voltage, and the drain of the Nch transistor SWk) Based on the characteristics representing the relationship with the current), the temporal change of the data signal line voltage Vsl at the time of sampling the video signal Sv1 is obtained by computer simulation of the operation of the circuit shown in FIG.
  • the capacitance value of the correcting capacitive element Cc may be determined based on the simulation result. Thereby, the capacitance value of the correction capacitive element Cc for canceling the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance can be obtained more accurately.
  • connection switching control signal Sck reaches the L level voltage VL (off voltage) and the Nch transistor SWk is completely turned on. Even if the inversion delay device 342 is configured so that the inversion delay signal Srdk starts to change from the L level voltage VL to the H level voltage VH after being in the OFF state (after time t3 shown in FIG. 8). Good. In this way, it is possible to reliably eliminate the influence of the delay amount of the inverted delay signal Srdk on the correction of the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a first example for sampling the video signal Svi and correcting the sample value in the data signal line driving circuit 300 in the present embodiment.
  • each inverting delay circuit 342 in the inverting delay circuit 340 is realized by cascading three inverters. Since the configuration other than the inverting delay circuit 340 in the present embodiment is the same as the configuration described above shown in FIGS. 2 and 4, the same portions are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of a unit sample hold circuit which is a portion corresponding to a circuit for sampling the video signal Sv1 and holding it on one data signal line (target data signal line) SLk in this embodiment. is there.
  • This unit sample and hold circuit is configured by three inverters IVA, IVB, and IC in which inverting delay devices 342 are cascade-connected to each other in the unit sample and hold circuit shown in FIG.
  • This unit sample and hold circuit operates in the same manner as the unit sample and hold circuit shown in FIG.
  • a signal waveform diagram showing this operation is as shown in FIG. 11 and is the same as the signal waveform diagram shown in FIG.
  • the required time is a time necessary for appropriately correcting the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance by the inverted delay signal Srdk.
  • the connection switching control signal Sck is changed from the H level voltage VH to the L level. This is the time for the inverted delay signal Srdk to start changing from the L level voltage VL toward the H level voltage VH after the time t1 when the change to the voltage VL is started and the OFF state transition voltage Voff is reached.
  • the inverted delay signal Srdk changes from the L level voltage VL to the H level voltage VH after the time t3 when the connection switching control signal Sck reaches the L level voltage VL and the Nch transistor SWk is completely turned off.
  • the required time may be set so as to start the change (see FIG. 8B).
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing a preferred detailed configuration of each inverting delay device 342 shown in FIG.
  • each of the inverters IVA, IVB, and IVC includes a CMOS (Complementary Metal-Oxide-) having a configuration in which a P-channel field effect transistor (hereinafter referred to as “Pch transistor”) and an Nch transistor are connected as shown in FIG.
  • CMOS Complementary Metal-Oxide-
  • Pch transistor P-channel field effect transistor
  • the channel width W of the Pch transistor of the first stage inverter IVA, the Nch transistor of the second stage inverter IVB, and the Pch transistor of the third stage inverter IVC becomes smaller than usual, and
  • the channel width W of the Nch transistor of the second inverter IVA, the Pch transistor of the second stage inverter IVB, and the Nch transistor of the third stage inverter IVC is configured to be larger than usual.
  • the rise time of the output signal VA of the first stage inverter IVA, the fall time of the output signal VB of the second stage inverter IVB, and the third stage The rise time of the inverted delay signal Srdk as the output signal of the inverter IVC becomes longer than usual. Therefore, the delay time in the inverting delay device 342 is increased when the connection switching control signal Sck falls (when the inverting delay signal Srdk rises) as compared with the case of using normal channel width Nch and Pch transistors. Can do.
  • the inverting delay device 342 at the time of falling of the connection switching control signal Sck.
  • the delay time can be made equal to the required time.
  • the delay time longer than normal is realized by setting the channel width W in the inverting delay 342 to a size different from the normal size, but the channel length L is replaced with the channel width.
  • the delay time longer than usual may be realized by setting the ratio W / L between the channel width and the channel length to a value different from usual.
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing a second example for sampling the video signal Svi and correcting the sample value in the data signal line driving circuit 300 in the present embodiment.
  • each inverting delay circuit 342 in the inverting delay circuit 340 is formed of a Schmitt trigger type inverter. Since the configuration other than the inverting delay circuit 340 in the present embodiment is the same as the configuration described above shown in FIGS. 2 and 4, the same portions are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration of a unit sample hold circuit which is a portion corresponding to a circuit for sampling the video signal Sv1 and holding it on one data signal line (target data signal line) SLk in this embodiment. is there.
  • This unit sample hold circuit uses a Schmitt trigger type inverter as the inverting delay device 342 in the unit sample hold circuit shown in FIG.
  • FIG. 16A is a signal waveform diagram showing the operation of the Schmitt trigger type inverter used as the inverting delay device 342 in this embodiment
  • FIG. 16B shows the conventional waveform shown in FIG. It is a signal waveform diagram which shows operation
  • the threshold of the input signal (connection switching control signal Sck) at which the inverted signal Sr as the output signal starts to be inverted is The value Vir is the same when the signal rises and falls.
  • connection switching control signal Sck connection switching control signal
  • Vir is the same when the signal rises and falls.
  • the threshold value of the control signal Sck is different between the rising edge and the falling edge of the input signal. That is, the threshold VirR at which the output signal (inverted delay signal Srdk) is inverted at the rising edge of the input signal is larger than the threshold VirF at which the output signal (inverted delay signal Srdk) is inverted at the falling edge of the input signal.
  • the delay time in the Schmitt trigger type inverter becomes longer than the delay time in the normal inverter. Therefore, in this embodiment, by using such a Schmitt trigger type inverter, an inverting delay device 342 that delays signal propagation by a time equal to the required time described above is realized.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing first to third configuration examples of a Schmitt trigger type inverter used as the inverting delay device 342.
  • FIG. 17A shows a first configuration example which is a basic configuration of a Schmitt trigger type inverter.
  • the Schmitt trigger type inverter according to the first configuration example is realized by connecting the Pch transistors TA, TB, TD and the Nch transistor TC as shown in FIG.
  • the threshold of the input signal when the output signal is switched from the L level voltage VL to the H level voltage VH by the action of the Pch transistor TD that is, the threshold VirF when the input signal falls
  • the threshold VirF when the input signal falls is It becomes smaller than the threshold value of the input signal when switching from the H level voltage VH to the L level voltage VL, that is, the threshold value VirR at the time of rising of the input signal (see FIG. 16A).
  • FIG. 17B shows a second configuration example of the Schmitt trigger type inverter used as the inverting delay device 342.
  • the Schmitt trigger type inverter according to the first configuration example, the largest current flows between the source and drain of the Pch transistors TA and TD during the operation.
  • the Pch transistor TA in order to reduce current consumption in the current path (power supply line of H level voltage ⁇ transistor TA ⁇ transistor TD ⁇ power supply line of L level voltage), the Pch transistor TA has a multi-gate structure. Transistors (dual-gate transistors in the example of FIG. 17B) are used. In this multi-gate transistor, since the resistance between the source and the drain in the on state is increased, the current consumption is reduced in the second configuration example.
  • FIG. 17C shows a third configuration example of the Schmitt trigger type inverter used as the inverting delay device 342.
  • the third configuration example not only the Pch transistor TA but also the Pch transistor TB and the Nch transistor TC are multi-gate transistors (dual-gate transistors in the example of FIG. 17C).
  • This third configuration example is effective not only in reducing the current consumption but also in suppressing the driving capability of the Schmitt trigger type inverter, so that the delay time is lengthened.
  • FIG. 18 is a circuit diagram showing a unit sample-and-hold circuit using an inverting delay device 342 according to another configuration example in this embodiment.
  • the inverting delay circuit 342 is configured by three or more odd number of inverters connected in cascade, and at least one of the odd number of inverters is a Schmitt trigger type inverter.
  • the first-stage inverter of the three inverters constituting the inverting delay device 342 is a Schmitt trigger type inverter.
  • All of the three inverters constituting the device 342 are Schmitt trigger type inverters.
  • the inverting delay device 342 when the inverting delay device 342 is composed of one Schmitt trigger type inverter (see FIG. 15), or when three or more odd number of normal inverters are cascaded (FIG. 10). Compared with the reference), the delay time in the inverting delay device 342 can be increased.
  • the present embodiment is the same as the configuration shown in FIG. 15 except for the configuration of the inverting delay unit 342 and operates in the same manner. Therefore, the same reference numerals are assigned to the corresponding parts other than the inverting delay unit 342. Therefore, the description is omitted.
  • the data signal line due to the parasitic capacitance can be obtained with the voltage change ⁇ Vcd of the inverted delay signal Srdk.
  • the voltage drop ⁇ Vsl can be canceled (see FIG. 8).
  • the delay amount of the inverted delay signal Srdk is the data signal line due to the parasitic capacitance. Does not affect voltage drop compensation. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to reliably and sufficiently correct the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance that occurs during sampling of the video signal Svi while suppressing an increase in layout area.
  • FIG. 19 is a schematic diagram showing a display unit constituting an image display area in the liquid crystal display device according to the present embodiment.
  • the number of data signal lines is 18 and the number of scanning signal lines is 20.
  • This liquid crystal display device includes a display unit 120 that forms a circular display region, unlike a normal display device having a rectangular display region (see, for example, FIG. 1).
  • the data signal lines SL1 to SL18 formed in the display area 120 in the present embodiment hereinafter, the “display area” is identified with the “display section” and is given the same reference numeral “120”).
  • the data signal lines SL1 to SL10 have different lengths
  • the data signal lines SL10 to SL18 have different lengths.
  • FIG. 20 is a circuit diagram showing a configuration for sampling the video signal Svi and correcting the sample value in the data signal line driving circuit in this embodiment, that is, a demultiplexing circuit 320 and a correction circuit (inversion delay circuit 340 and correction). It is a circuit diagram which shows the structure of the capacity
  • the demultiplexing circuit 320 as the sampling circuit and the inverting delay circuit 340 and the correction capacitance circuit 350 constituting the correction circuit in the present embodiment are the same as those in the first embodiment from the circuit viewpoint. (See FIG. 4).
  • the inverting delay device 342 in the present embodiment may have any configuration of various configuration examples (see FIGS. 10, 15, and 18) in the first embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram showing an arrangement example of the circuit having the configuration shown in FIG. 20 in the present embodiment.
  • analog switches (Nch transistors) SW1 to SW3 in the demultiplexing circuit 320 and the correction capacitive element Cc in the correction capacitance circuit 350 are arranged in a non-rectangular display area (in this embodiment). It is preferable that the outer edge of the circular shape is arranged along the display area. Thereby, it is possible to reduce the size of the entire device by setting the shape of the display device according to the shape of the display area.
  • the circuit representation is slightly different from the representation of FIG. 20, and the circuit shown in FIG. 22B is represented by the circuit diagram of FIG.
  • the data signal line capacitance Csl in the display region 120 is formed between the TFT 12 and the intersection with the scanning signal line GL in the pixel formation portion 10 connected to the data signal line SL.
  • the data signal line capacitance Csl increases as the number of. Therefore, in the present embodiment having a circular display region having the configuration as shown in FIG. 21, the data signal line capacitance Csl is the center of the display region, that is, the length of the data signal line SL, as shown in FIG. Is the largest at the longest portion, and is the smallest at both ends of the display area, that is, the portion where the length of the data signal line SL is shortest.
  • the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance that occurs when the video signal Svi is sampled by the demultiplexing circuit 320 is the smallest in the central portion of the display region and the largest at both ends of the display region. Therefore, the case where the data signal line voltage drop ⁇ Vsl due to the parasitic capacitance is not corrected, or the correction does not correspond to the distribution of the data signal line voltage drop ⁇ Vsl due to the parasitic capacitance as shown in FIG. In this case, the voltage of the common electrode Ec in the display unit 120 (common voltage Vcom) cannot be set to an appropriate value that compensates for the data signal line voltage drop ⁇ Vsl over the entire display region, and is not locally displayed in the display image. Flicker (in-plane flicker) occurs.
  • the magnitude of the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance is the parasitic capacitance Cgd and the data signal of interest. Is proportional to the ratio Cgd / (Csl + Cgd + Cc) of the total capacity of the line SLk (the sum of the data signal line capacity Csl, the parasitic capacity Cgd, and the correction capacity Cc), and the data signal line voltage Vsl due to the voltage change ⁇ Vcd of the inverted delay signal Srdk.
  • the data signal line voltage drop ⁇ Vsl due to the parasitic capacitance is large, but the voltage change ⁇ Vcd of the inverted delay signal Srdk.
  • the amount of correction of the data signal line voltage Vsl due to is increased to the same extent, and the voltage drop ⁇ Vsl is canceled out.
  • the data signal line capacitance Csl depends on the data signal line SL. Even in a different case, the data signal line voltage drop ⁇ Vsl caused by the parasitic capacitance is appropriately corrected over the entire display area, and thus the occurrence of the in-plane flicker as described above is suppressed.
  • each Nch transistor SWk As an analog switch in the demultiplex circuit 320.
  • the parasitic capacitance Cgd is also reduced, so that the data signal line voltage drop ⁇ Vsl is reduced over the entire display region, and as a result, in-plane flicker is further suppressed.
  • the channel width W of each Nch transistor SWk as an analog switch is reduced, the charging capability and electrostatic withstand voltage of the data signal line SL are reduced. From this point, there is a limit to the reduction of the channel width W. It is necessary to pay attention to.
  • the display area is circular, but the display area is a non-rectangular shape other than circular, and therefore has data signal lines SL having different lengths (and therefore the data signal line capacitances Csl are different).
  • the present invention can be similarly applied and the same effect can be obtained.
  • FIG. 25 is a circuit diagram showing a first example for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit according to the present embodiment.
  • the correction capacitance circuit 350 is disposed on the opposite side of the demultiplexing circuit 320 with respect to the display area (display unit 120), and analog switches (of both ends of each data signal line SL)
  • the circuit representation is slightly different from the representation in FIG. 4, and the circuit illustrated in FIG. 25C is represented in the circuit diagram in FIG.
  • each correction capacitive element Cc is arranged on the opposite side of the display area from the analog switch SWk, so that the analog at the outer edge of the display area is displayed.
  • the area of each correction capacitive element Cc and the wiring area for transmitting the inverted delay signal Srdk are vacant, and as a result, the circuit block can be arranged with a high degree of freedom without routing the wiring. Become.
  • the inverting delay circuit 340 is arranged directly beside the demultiplexing circuit 320 including each analog switch SWk (adjacent to the demultiplexing circuit 320 in the direction orthogonal to the data signal line SL). Instead of this, the inversion delay circuit 340 may be arranged in another empty area in the outer edge of the display area 120.
  • FIG. 26 is a circuit diagram showing a second example for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit in the present embodiment.
  • the three inverting delay devices 342 constituting the inverting delay circuit 340 are arranged as one circuit block (FIGS. 4, 9, and 14).
  • the devices 342 may be arranged in a distributed manner.
  • the inverting delay circuit 340 in the first embodiment includes an inverting delay circuit 340a composed of two inverting delays 342 and one inverting delay 342.
  • the inverting delay circuit 340b is divided into two inverting delay circuits 340a and 340b that are divided into left and right in the drawing (adjacent to one end and the other end of the demultiplex circuit 320 in a direction orthogonal to the data signal line SL, respectively). To be arranged). According to the second embodiment as described above, the area for circuit arrangement required at the outer edge of the display area 120 is not biased to one of the left and right of the drawing (to one side in the direction orthogonal to the data signal line SL). Can be.
  • the inverting delay circuits 340a and 340b are arranged right next to the demultiplexing circuit 320 including each analog switch SWk (adjacent to the demultiplexing circuit 320 in the direction orthogonal to the data signal line SL). However, instead of this, the inversion delay circuits 340a and 304b may be distributed in other vacant areas in the outer edge of the display area 120.
  • FIG. 27 is a circuit diagram showing a third example for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit according to this embodiment.
  • the correcting capacitive element Cc is connected to the end opposite to the connected end, and the three inverting delay devices 342 constituting the inverting delay circuit 340 are arranged in a distributed manner.
  • the inverting delay circuits 340a and 340b are arranged right next to the demultiplexing circuit 320 including each analog switch SWk (adjacent to the demultiplexing circuit 320 in the direction orthogonal to the data signal line SL). However, instead of this, the inversion delay circuits 340a and 304b may be distributed in other vacant areas in the outer edge of the display area 120.
  • This embodiment has a configuration in which the features of the third embodiment shown in FIGS. 25 to 27 are incorporated in the second embodiment shown in FIGS.
  • FIG. 28 is a circuit diagram showing a first example for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit in the liquid crystal display device according to the present embodiment.
  • the correction capacitance element Cc is changed to be connected to the end opposite to the end.
  • the same effect as that of the first example (FIG. 25) of the third embodiment is obtained, and the same modification is made for the arrangement of the inverting delay circuit 340. Is possible.
  • FIG. 29 is a circuit diagram showing a second example for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit in the liquid crystal display device according to the present embodiment.
  • the configuration of the second embodiment shown in FIG. 21 having a circular display area is changed as follows. That is, the three inverting delay circuits 342 constituting the inverting delay circuit 340 are changed in a distributed manner. In the example of FIG. 29, the inverting delay circuit 340 is changed from the two inverting delay circuits 342.
  • inverting delay circuit 340a and an inverting delay circuit 340b composed of one inverting delay
  • these two inverting delay circuits 340a and 340b are divided into left and right in the figure (decoding in a direction orthogonal to the data signal line SL).
  • the same effect as that of the second example (FIG. 26) of the third embodiment is obtained, and the same modification is made for the arrangement of the inverting delay circuit 340. Is possible.
  • FIG. 30 is a circuit diagram showing a third embodiment for sampling a video signal and correcting a sample value in the data signal line driving circuit in the liquid crystal display device according to the present embodiment.
  • the correction capacitive element Cc is connected to the end opposite to the end, and the three inversion delay devices 342 constituting the inversion delay circuit 340 are arranged in a distributed manner.
  • the same effects as those of the third example (FIG. 27) of the third embodiment are obtained, and the arrangement of the inverting delay circuit 340 is similarly modified. Is possible.
  • FIG. 31A is a plan view showing a preferred structure of the correcting capacitive element Cc in each of the above embodiments
  • FIG. 31B is a cross-sectional view showing the preferred structure
  • FIG. 31C is a plan view showing the structure of the TFT formed in the display panel 100 in each of the above embodiments
  • FIG. 31D is a cross-sectional view showing the structure of the TFT.
  • FIG. 31C corresponds to a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
  • the correction capacitive element Cc When the correction capacitive element Cc having the above-described preferred structure is used in each of the embodiments, the correction capacitive element Cc is used as a pixel switch in the pixel forming unit 10 on the glass substrate constituting the display panel 100.
  • the TFT 12 and the TFT as a transistor constituting the analog switch SWk in the demultiplex circuit 320 are integrally formed by the same process.
  • this TFT has two regions composed of regions having a high impurity concentration in the silicon layer SiL formed on the glass substrate 102 constituting the display panel 100.
  • a gate electrode Gel is formed on the silicon layer SiL so as to face the channel region SiLc ⁇ via a gate insulating film (hereinafter referred to as “GI film”) 104.
  • GI film gate insulating film
  • the TFT includes a source electrode Sel and a drain electrode Del formed on the interlayer film 106 formed on the gate electrode Gel, and the source electrode Sel is electrically connected to the source region SiLs + through a contact hole.
  • the drain electrode Del is electrically connected to the drain region SiLd + through a contact hole.
  • the correction capacitor element Cc is formed on the glass substrate 102 constituting the display panel 100 (for producing the channel region of the TFT).
  • silicon SiLcc + in a predetermined region having a high impurity concentration is provided as one electrode (one terminal), and silicon as the one electrode is interposed through a gate insulating film (GI film) 104 on the silicon layer.
  • a gate electrode Gel formed so as to face SiLcc + is provided as the other electrode (the other terminal).
  • An interlayer film 106 is formed on the gate electrode Gel.
  • the capacitance value of the parasitic capacitance Cgd varies according to this variation. That is, the capacitance value of the parasitic capacitance Cgd increases correspondingly when the GI film 104 is formed thinner than usual, and decreases correspondingly when the GI film 104 is formed thicker than usual.
  • the magnitude ( ⁇ Vsl) of the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance varies according to the variation. For this reason, there is a possibility that the data signal line voltage drop due to the parasitic capacitance cannot be corrected appropriately.
  • the correction capacitive element Cc having the structure as shown in FIGS. 31A and 31B
  • the correction capacitive element Cc and the TFT are integrally formed in the same process. It is formed.
  • the one electrode (SiLcc +), the other electrode (Gel), and the insulating film (104) between the two electrodes in the correction capacitive element Cc are used to manufacture the channel region SiLc ⁇ and the like in the TFT, respectively.
  • the capacitance value of the correction capacitive element Cc varies in the same manner according to the variation of the GI film 104.
  • the capacitance value of the correction capacitive element Cc increases accordingly, and the amount of correction of the data signal line voltage by the inverted delay signal Srdk also increases.
  • the capacitance value of the correction capacitive element Cc is also reduced accordingly, so that the correction amount of the data signal line voltage by the inverted delay signal Srdk is also reduced.
  • the correction circuit (the inversion delay circuit 340 and the correction capacitance circuit 350) in each embodiment may change.
  • each of the above embodiments includes the three inverting delays 342 for generating the inverting delay signals Srd1 to Srd3 to be supplied to the data signal lines SL1 to SL3n via the correcting capacitive element Cc (see FIG. 4, FIG. 9, FIG. 14, FIG. 20, FIG. 25 to FIG. 27, etc., instead, as shown in FIG. 32, each data signal line SL3 (i-1) + k includes an inverting delay 342.
  • the inverting delay circuits 342 can be distributed and arranged, and the degree of freedom in circuit arrangement can be increased. Further, by changing the configuration of the inverting delay device 342 for each data signal line SL, the correction amount of the data signal line voltage can be set for each data signal line SL. For example, when the channel width W of the transistor SWk as an analog switch connected to each data signal line SL is different, the amount of voltage drop is different for each data signal line SL, but if each output voltage of the inverting delay device 342 is changed. Thus, it is possible to perform correction in accordance with the voltage drop amount of each data signal line SL.
  • the inverter constituting the inverting delay device 342 has been described by taking a CMOS inverter using an Nch transistor and a Pch transistor as an example (see FIGS. 12 and 17).
  • the inverting delay device 342 may be configured by an inverter using only one of the transistor and the Pch transistor.
  • the analog switch SWk in the demultiplexing circuit 320 as a sampling circuit is configured by an Nch transistor (FIGS. 4, 9, 14, 20, etc.), but instead, As shown in FIG. 33A, a Pch transistor may be used.
  • FIG. 33A shows a unit sample hold circuit when a Pch transistor is used as the analog switch SWk.
  • the connection switching control signal Sck in this case is a signal obtained by switching the L level voltage VL and the H level voltage VH in the connection switching control signal Sck in each of the above embodiments.
  • the voltage change of the connection switching control signal Sck when the Pch transistor SWk as the analog switch is switched from the on state to the off state acts in the direction of increasing the voltage Vsl of the data signal line SLk via the parasitic capacitance Cgd.
  • this increase in data signal line voltage is referred to as “data signal line voltage increase due to parasitic capacitance”.
  • the inversion delay device 342 generates an inversion delay signal Srdk as shown in FIG. 33B, and is connected to the other terminal of the correction capacitance element Cc (the data signal line SLk out of the two terminals of the correction capacitance element Cc). To the terminal that is not).
  • FIG. 34 shows a unit sample and hold circuit when a CMOS analog switch is used as the analog switch SWk.
  • connection switching control signal Sck is given to the gate terminal of the Nch transistor Tn constituting the CMOS analog switch, and the connection switching control signal Sck is logically inverted by the inverter INV to the gate terminal of the Pch transistor Tp.
  • a signal SckR is provided.
  • the voltage change of the connection switching control signal Sck and the logic inversion signal SckR when the Pch transistor Tp and the Nch transistor Tn constituting the analog switch SWk are switched from the on state to the off state is a parasitic change.
  • the voltage Vsl of the data signal line SLk is changed (decreased or increased) through the capacitors CgdN and CgdP, respectively (FIG. 34B shows a case where the direction of change is reduced).
  • the direction of the change is determined by the parasitic capacitance CgdN of the Nch transistor Tn, the parasitic capacitance CgdP of the Pch transistor Tp, the delay amount of the logical inversion signal SckR with respect to the connection switching control signal Sck, and the direction of the change is simulated by a computer. Etc. can be confirmed.
  • the inversion delay unit 342 When the change is in the direction of decrease, the inversion delay unit 342 generates an inversion delay signal Srdk as shown in FIG. 34B, and the other terminal of the correction capacitance element Cc (2 of the correction capacitance element Cc). Of the two terminals that are not connected to the data signal line SLk).
  • the analog switch SWk is a CMOS analog switch including the Pch transistor Tp and the Nch transistor Tn, the same effects as those of the above embodiments can be obtained.
  • the voltage change of the connection switching control signal Sck and its logical inversion signal SckR when the Pch transistor Tp and the Nch transistor Tn constituting the analog switch SWk are switched from the on state to the off state is a data signal via the parasitic capacitances CgdN and CgdP, respectively.
  • the same effects as those of the above embodiments can be obtained as follows. That is, when the change in the voltage Vsl of the data signal line SLk is in the rising direction, a non-inverting delay device obtained by removing the logic inverting function from the inverting delay device 342 is used instead of the inverting delay device 342.
  • a non-inverted delay signal generated by the delay device is applied to the other terminal of the correcting capacitive element Cc.
  • the present invention is applied to an SSD liquid crystal display device.
  • the present invention is not limited to this, and the voltage of an analog video signal is sampled and held in a data signal line. Any display device that writes the holding voltage of the data signal line to the pixel formation portion of the display portion can be applied to a liquid crystal display device other than the SSD method and a display device other than the liquid crystal display device.
  • FIG. 35A is a diagram illustrating a configuration of a data signal line driver circuit in a dot sequential drive display device to which the present invention is applicable, together with a detailed configuration of an analog switch portion. Since the configuration other than the data signal line driving circuit in the dot sequential driving type display device is substantially the same as that of the first embodiment (see FIG. 1), the same reference is made to the same or corresponding part. A detailed description is omitted with reference numerals.
  • the data signal line driving circuit includes a sampling pulse generation circuit 510, a plurality of analog switch sections 521, 522,..., 52N corresponding to the plurality of data signal lines SL1, SL2,.
  • Each of the lines SL1, SL2,..., SLN includes a video line 54 connected via any one of the plurality of analog switch sections 521, 522,.
  • the sampling pulse generation circuit 510 receives a start pulse SSP that becomes H level every horizontal period and a clock signal SCK, and an analog video signal Video is applied to the video line 54.
  • the sampling pulse generation circuit 510 includes a shift register that sequentially shifts the start pulse SSP from the input end to the output end during one horizontal period according to the clock signal SCK. Based on the output signal of each stage of the shift register.
  • a plurality of sampling signals SAM1, SAM2,..., SAMN that are sequentially activated every predetermined time are output.
  • the plurality of sampling signals SAM1, SAM2,..., SAMN correspond to the plurality of data signal lines SL1, SL2,.
  • each data signal line SLj is supplied with the analog video signal Video when the corresponding sampling signal SAMj is active, and is electrically disconnected from the video line 54 when inactive. Since each data signal line SLj has the same capacity Csl as in the first embodiment, the analog video signal Video is sequentially sampled by the sampling signal SAMi and the capacity of each data signal line SLi (data signal line capacity). ) It is held at Csl.
  • FIG. 35B is a circuit diagram showing a portion relating to one data signal line SLj in the data signal line driving circuit of the dot sequential driving method as described above, that is, a unit sample hold circuit.
  • the unit sample / hold circuit of FIG. 35 (B) corresponds to the unit sample / hold circuit (FIG. 6 (A)) in the first embodiment, and the analog given to the unit sample / hold circuit of FIG. 35 (B).
  • the video signal Video and the sampling signal SAMj respectively correspond to the video signal Sv1 and the connection switching control signal Sck given to the unit sample hold circuit (FIG. 6A) in the first embodiment.
  • Each analog switch unit 52j includes an Nch transistor 61, and a parasitic capacitance CgdN is formed between the gate terminal of the Nch transistor 61 and the data signal line SLj. For this reason, also in the unit sample-and-hold circuit of FIG. 35B, the data signal line voltage drop due to the parasitic capacitance occurs as in the first embodiment.
  • each unit sample hold circuit in order to correct this data signal line voltage drop by applying the present invention, it is conceivable to change each unit sample hold circuit from the configuration shown in FIG. 35B to the configuration shown in FIG. .
  • the unit sample and hold circuit shown in FIG. 35C includes an inverting delay 342 and a correction capacitive element Cc similar to those in the first embodiment, and the inverting delay generated from the sampling signal SAMj by the inverting delay 342.
  • the signal is configured to be supplied to the data signal line SLj through the correcting capacitive element Cc.
  • the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance during sampling of the analog video signal Video can be reduced. By canceling out the change, it is possible to reliably and sufficiently suppress the data signal line drop.
  • each analog switch unit 52j is composed of only the Nch transistor 61 (including the parasitic capacitance CgdN).
  • a configuration in which an Nch transistor 61 and a Pch transistor 62 are connected in parallel, that is, a CMOS analog switch may be used as the analog switch unit 52j.
  • each analog switch unit 52j includes an inverter 60 for logically inverting the sampling signal SAMj, and a signal obtained by logically inverting the sampling signal SAMj by the inverter 60 is applied to the gate terminal of the Pch transistor.
  • FIG. 36A is a diagram showing the configuration of the data signal line driver circuit in the dot sequential drive type display device having such a configuration, together with the detailed configuration of the analog switch section. Since the configuration of the display device other than the data signal line driving circuit is substantially the same as that of the first embodiment (see FIG. 1), detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 36B is a circuit diagram showing a portion related to one data signal line SLj in the data signal line driving circuit of the dot sequential driving method as described above, that is, a unit sample hold circuit.
  • the unit sample / hold circuit of FIG. 36 (B) corresponds to the unit sample / hold circuit (FIG. 6 (A)) in the first embodiment, and the analog given to the unit sample / hold circuit of FIG. 36 (B).
  • the video signal Video and the sampling signal SAMj respectively correspond to the video signal Sv1 and the connection switching control signal Sck given to the unit sample hold circuit (FIG. 6A) in the first embodiment.
  • each analog switch unit 52j a parasitic capacitance CgdN is formed in the Nch transistor 61, and a parasitic capacitance CgdP is formed in the Pch transistor 62.
  • the data signal line voltage can be lowered or raised due to the parasitic capacitance as in the above modification shown in FIG.
  • the configuration of the unit sample and hold circuit of FIG. 36B is changed in the same manner as the modification shown in FIG. Can be considered.
  • each unit sample hold circuit from the configuration shown in FIG. 36B to the configuration shown in FIG.
  • the unit sample and hold circuit of FIG. 36C includes an inverting delay 342 and a correction capacitive element Cc similar to those in the first embodiment, and the inverting delay generated from the sampling signal SAMj by the inverting delay 342.
  • the signal is configured to be supplied to the data signal line SLj through the correcting capacitive element Cc.
  • the unit sample-and-hold circuit in FIG. 36C is substantially the same as the circuit shown in FIG. 34A as the unit sample-and-hold circuit in the modified example of each of the above embodiments, and is the same as the premise related to the modified example. Based on the above assumption, the same operation as that shown in FIG. As a result, as in the first embodiment, the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance at the time of sampling the analog video signal Video is canceled by the voltage change of the inverted delay signal. And it can suppress enough.
  • the time that can be secured for charging the pixel capacitance in each pixel forming portion is shorter than in the line sequential driving method. For this reason, when the resolution of the display image is high, the original voltage (voltage of the analog video signal Video) cannot be held in the pixel capacity, that is, the pixel capacity may be insufficiently charged.
  • a display device in order to secure a sufficient time for charging the pixel capacity, a display device is known that employs a method (called a “phase expansion method” or the like) in which the analog video signal is extended in the time axis to extend the sampling period. ing.
  • phase expansion signal a signal obtained by extending the analog video signal by p times (p is an integer of 2 or more) on the time axis is applied to the data signal line driving circuit by p video lines. It is done.
  • the present invention can be applied to such a phase expansion type display device as follows.
  • FIG. 37 is a block diagram showing the configuration of the data signal line driving circuit in the phase development type display device
  • FIG. 38 is a timing for explaining the operation of the data signal line driving circuit in the phase development type display device. It is a chart.
  • FIG. 1 the configuration other than the data signal line driving circuit in the phase expansion type display device
  • phase expansion type display device two-phase expansion signals Video1 and Video2 obtained by expanding the analog video signal by a time axis twice are generated by a display control circuit (not shown) and arranged in a data signal line driving circuit.
  • the two video lines 63 and 64 are respectively provided.
  • the analog video signals (two-phase expanded signals Video1 and Video2) are sampled at twice the sampling period as compared with the data signal line driving circuit of the dot sequential driving method shown in FIG.
  • each unit sample hold circuit is shown in FIG. It is conceivable to change from the configuration shown in FIG. 35C to the configuration shown in FIG. 35C, or from the configuration shown in FIG. 36B to the configuration shown in FIG. As a result, as in the first embodiment, the data signal line voltage drop caused by the parasitic capacitance during sampling of the analog video signals (two-phase expanded signals Video1 and Video2) is canceled by the voltage change of the inverted delay signal. Thus, it is possible to reliably and sufficiently suppress the data signal line drop and the like.
  • the present invention relates to a data signal line driving circuit having an analog switch for giving and holding an analog video signal to each of a plurality of data signal lines connected to a plurality of pixel forming portions for forming an image to be displayed,
  • the present invention can be applied to a display device including the data signal line driver circuit, and is particularly suitable for a display device including a non-rectangular display portion.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Pixel formation part 12 ... TFT (thin film transistor) 100 ... display panel 120 ... display section (display area) 200 ... Scanning signal line drive circuit (gate driver) 300 ... Data signal line drive circuit (source driver) 310 ... Data signal generation circuit 320 ... Demultiplexing circuit (sampling circuit) 322 ... Demultiplexer 330 ... Correction circuit 340 ... Inversion delay circuit 342 ... Inversion delay circuit 350 ... Correction capacitance circuit 400 ... Display control circuit Cc ... Correction capacitance element Cgd ... Parasitic capacitance Csl ... Data signal line capacitance SW1, SW2, SW3 ... Analog switch (transistor) GL1 to GLm ...
  • scanning signal lines (gate lines) SL1 to SL3n Data signal line (source line) S1 to S3n ... data signals Sc1, Sc2, Sc3 ... connection switching control signal (analog switch control signal) Srd1, Srd2, Srd3 ... Inverted delay signal Sv1 to Svn ...
  • Video signal (analog video signal) VH ... H level voltage (ON voltage, first level voltage) VL: L level voltage (off voltage, second level voltage)

Abstract

 本発明は、表示装置においてアナログビデオ信号のサンプリングの際に生じるデータ信号線電圧の変動をレイアウト面積の増大を抑えつつ確実かつ十分に補正する。アクティブマトリクス型液晶表示装置のデータ信号線駆動回路において、ビデオ信号SviをサンプリングするためのNchトランジスタ(SWk)の寄生容量(Cgd)に起因するデータ信号線SL3(i-1)+kの保持電圧の低下を補正すべく(i=1~n;k=1,2,3)、反転遅延器(342)は、そのトランジスタ(SWk)の制御信号Sckを論理反転させて所定時間だけ遅延させることにより反転遅延信号Srdkを生成し、この反転遅延信号Srdを補正用容量素子(Cc)を介して当該データ信号線3(i-1)+kに与える。反転遅延器(342)は、Nchトランジスタ(SWk)がオフ状態となった後に反転遅延信号SrdkがLレベル電圧からHレベル電圧への変化を開始するように構成されている。

Description

データ信号線駆動回路、データ信号線駆動方法、および表示装置
 本発明は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路、およびそれを備えた表示装置に関する。
 アクティブマトリクス型液晶表示装置等の表示装置では、複数のデータ信号線(「ソースライン」とも呼ばれる)と、当該複数データ信号線に交差する複数の走査信号線(「ゲートライン」とも呼ばれる)と、当該複数のデータ信号線および当該複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部とが液晶パネル等の表示部に形成されている。このようなアクティブマトリクス型表示装置において、点順次駆動方式またはSSD(Source Shared Driving)方式等が採用されているものがある。ここで、SSD方式とは、表示部における複数のデータ信号線を2以上の所定数のデータ信号線を1組として複数組のデータ信号線群にグループ化し、各組の当該所定数のデータ信号線に時分割的にアナログビデオ信号を与える方式である。
 アクティブマトリクス型表示装置において点順次駆動方式またはSSD方式等が採用されている場合には、各データ信号線にはオン状態のアナログスイッチを介してアナログビデオ信号が与えられ、その後、アナログスイッチの制御信号のレベルを変化させて当該アナログスイッチがオフ状態とされることで、アナログビデオ信号の電圧が当該データ信号線に保持される。このようにしてアナログビデオ信号の電圧が各データ信号線に保持された状態で、上記複数の走査信号線のいずれかが活性化される(選択される)ことにより、当該活性化された走査信号線に接続される画素形成部に当該データ信号線の電圧が画素データとして書き込まれる。
 図6(B)は、このような表示装置においてアナログビデオ信号をサンプリングして各データ信号線SLi(i=1~N)に保持させるためのサンプルホールド回路のうち1つのデータ信号線SLk(以下「着目データ信号線SLk」という)に対応する部分(以下「単位サンプルホールド回路」という)の構成を示す回路図である(特許文献1、2参照)。この単位サンプルホールド回路は、アナログスイッチとしてのNチャネル形の電界効果トランジスタ(以下「Nchトランジスタ」と略記する)SWkと、このアナログスイッチの制御信号Sckを論理反転させるインバータIVと、一方の端子が着目データ信号線SLに接続され他方の端子がインバータIVの出力端に接続された補正用容量素子Ccと、NchトランジスタSWkのゲート端子と着目データ信号線SLに接続される一方の導通端子との間に形成された寄生容量Cgdとを含んでいる。NchトランジスタSWkの他方の導通端子には、アナログビデオ信号Sv1が与えられ、NchトランジスタSWkのゲート端子には、既述の制御信号Sckが与えられる。このようなNchトランジスタSWk(寄生容量Cgdを含む)と補正用容量素子CcとインバータIVとによってアナログビデオ信号Sv1のサンプリング回路が構成され、このサンプリング回路と着目データ信号線の容量(着目データ信号線SLkと他の電極とで形成される総容量)Cslとによって上記単位サンプルホールド回路が構成される。
 上記サンプリング回路において、アナログスイッチSWをオンさせるときには、制御信号Sckとして所定のオン電圧(アナログスイッチがNchトランジスタで構成される場合にはハイレベルの電圧(以下「Hレベル電圧VH」という))がNchトランジスタSWkのゲート端子に与えられ、このアナログスイッチをオフさせるときには、制御信号Sckとして所定のオフ電圧(アナログスイッチがNchトランジスタで構成される場合には、ローレベルの電圧(以下「Lレベル電圧VL」という))がNchトランジスタSWkのゲート端子に与えられる。
 アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkを介してアナログビデオ信号Svを着目データ信号線SLkに与えた後に、このNchトランジスタSWkをオフさせるときに、制御信号Sckの電圧は、オン電圧としてのHレベル電圧VHからオフ電圧としてのLレベル電圧VLに向かって低下を開始し、NchトランジスタSWkのゲート端子とソース端子との電位差が当該トランジスタSWkの閾値電圧Vthになった時点すなわち制御信号Sckの電圧がビデオ信号Sv1の電圧Vv1と閾値電圧Vthとの和に相当する電圧Vv1+Vth(以下この電圧Vv1+Vthを「オフ遷移電圧Voff」という)に達した時点で、当該トランジスタSWkがオフ状態となる。その後、制御信号Sckの電圧(以下「制御電圧Vg」という)はオフ遷移電圧VoffからLレベル電圧VLまで低下する。このため、制御電圧Vgにおけるオフ遷移電圧VoffからLレベル電圧VLへの変化が寄生容量Cgdを介して着目データ信号線SLkの電圧(以下「データ信号線電圧」という)Vslを低下させる。そこで、図6(B)に示すサンプリング回路では、インバータIVにより制御信号Sckを論理反転させた反転信号Srを生成し、この反転信号Srを補正用容量素子Ccを介して着目データ信号線SLkに与えるように構成されている。これにより、寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの低下が抑制される。
日本国特開2011-17816号公報 日本国特開2005-55461号公報 日本国特開2004-350261号公報 日本国特開2003-195834号公報
 しかし、図6(B)に示したサンプリング回路を使用する従来技術では、図7(A)に示すように、アナログスイッチSWkがオフ状態になる時点t1よりも前に、上記反転信号SrがHレベル電圧VHからLレベル電圧VLに向かって変化を開始する可能性がある。このため、寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの上記低下を十分に抑制できない場合がある。すなわち、図7(A)に示すように、NchトランジスタSWkがオフされるときの反転信号Srの電圧変化のうち寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの低下の補正に寄与する電圧変化分ΔVcは、小さなものとなる。このため、データ信号線電圧Vslの低下を十分に補正することができない。この低下を十分に補正するために補正用容量素子Ccの容量値を大きくすることが考えられるが、この容量値を大きくするためには大きなレイアウト面積が必要となる。
 また、図7(A)からわかるように、データ信号線電圧Vslの低下の補正に寄与する電圧変化分ΔVcは、反転信号Srの変化のタイミングすなわち信号遅延量に影響される。このため、データ信号線電圧Vslの低下を確実かつ十分に補正することができない。
 さらにまた、図7(B)に示すように、制御信号SckがHレベル電圧VHからLレベル電圧VLへの変化を開始した後、NchトランジスタSWkがオフ状態となる時点t1以前に反転信号SrがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を完了する場合には、この反転信号Vrの電圧変化は、寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの低下の補正に寄与しない(ΔVc=0)。したがって、この場合、補正用容量素子Ccの容量値を大きくしてもデータ信号線電圧Vslの低下は補正されない。
 そこで本発明は、アナログビデオ信号のサンプリングの際に生じるデータ信号線電圧の変動をレイアウト面積の増大を抑えつつ確実かつ十分に補正することができるデータ信号線駆動回路およびそれを備えた表示装置を提供することを目的とする。
 本発明の第1の局面は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路であって、
 前記複数のデータ信号線のそれぞれに対して設けられ、対応するデータ信号線に接続された画素形成部に与えるべきアナログ映像信号を受け取るための第1導通端子と、当該対応するデータ信号線に接続された第2導通端子と、オン状態とオフ状態を切り替えるための制御信号を受け取るための制御端子とを有する電界効果トランジスタを含むアナログスイッチと、
 前記対応するデータ信号線に一方の端子が接続された補正用容量素子と、
 前記制御信号を論理反転させると共に、前記制御信号が前記トランジスタをオン状態とするための第1レベル電圧からオフ状態とするための第2レベル電圧への変化を開始してから前記トランジスタがオフ状態となるまでの時間に応じた所定時間だけ前記制御信号を遅延させることにより、反転遅延信号を生成し、当該反転遅延信号を前記補正用容量素子の他方の端子に与える反転遅延回路とを備えることを特徴とする。
 本発明の第2の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記反転遅延回路は、前記トランジスタがオフされるときには前記トランジスタがオフ状態となった後に前記反転遅延信号が前記第2レベル電圧から前記第1レベル電圧への変化を開始するように前記反転遅延信号を生成することを特徴とする。
 本発明の第3の局面は、本発明の第2の局面において、
 前記反転遅延回路は、前記トランジスタがオフされるときには前記制御信号が前記第2レベル電圧に達した後に前記反転遅延信号が前記第2レベル電圧から前記第1レベル電圧への変化を開始するように前記反転遅延信号を生成することを特徴とする。
 本発明の第4の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記補正用容量素子の容量値は、前記トランジスタにおける前記制御端子と前記第2導通端子との間の寄生容量、前記第1レベル電圧と前記第2レベル電圧との差、および、前記制御信号が前記第1レベル電圧から前記第2レベル電圧に向かって変化するときに前記トランジスタがオフ状態となる前記制御信号の電圧に基づき決定される所定値であることを特徴とする。
 本発明の第5の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記反転遅延回路は、互いに縦続接続された3個以上の奇数個のインバータを含むことを特徴とする。
 本発明の第6の局面は、本発明の第1または第5の局面において、
 前記反転遅延回路は、少なくとも1個のシュミットトリガ型インバータを有し前記制御信号から前記反転遅延信号を生成する反転遅延器を含むことを特徴とする。
 本発明の第7の局面は、本発明の第6の局面において、
 前記反転遅延回路におけるシュッミットトリガ型のインバータは、マルチゲート化されたトランジスタを含むことを特徴とする。
 本発明の第8の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記反転遅延回路は各データ信号線に設けられていることを特徴とする。
 本発明の第9の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記アナログスイッチは、前記対応するデータ信号線の一方の端部に配置され、
 前記補正用容量素子は、前記対応するデータ信号線の他方の端部に配置されていることを特徴とする。
 本発明の第10の局面は、本発明の第1または第9の局面において、
 前記複数のデータ信号線は、2以上の所定数のデータ信号線を1組として複数組のデータ信号線群にグループ化されており、
 前記反転遅延回路は、前記所定数のデータ信号線にそれぞれ対応する所定数の反転遅延器を含み、
 前記所定数の反転遅延器のそれぞれは、各組のデータ信号線群を構成する前記所定数のデータ信号線のうち対応するデータ信号線に接続されたアナログスイッチに与えるべき制御信号を受け取り、当該制御信号から反転遅延信号を生成し、当該対応するデータ信号線に接続された前記補正用容量素子の前記他方の端子に当該反転遅延信号を与えることを特徴とする。
 本発明の第11の局面は、本発明の第10の局面において、
 前記所定数の反転遅延器は、前記データ信号線駆動回路における前記複数のデータ信号線が延びる方向と垂直な方向の端部の一方と他方とに分散して配置されていることを特徴とする。
 本発明の第12の局面は、本発明の第1の局面において、
 前記補正用容量素子は、前記トランジスタのゲート絶縁膜を作製するために形成される絶縁層の所定部分と、前記トランジスタのゲート電極を作製するために形成される導電層の所定部分と、前記トランジスタのチャネル部を作製するために形成される半導体層の所定部分とによって構成されていることを特徴とする。
 本発明の第13の局面は、複数のデータ信号線と、前記複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部とが設けられた表示部を有する表示装置であって、
 本発明の第1の局面に係るデータ信号線駆動回路と、
 前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路とを備えることを特徴とする。
 本発明の第14の局面は、本発明の第13の局面において、
 前記表示部は、非矩形状であり、
 前記複数のデータ信号線のうち少なくとも2つ以上のデータ信号線の長さは、前記表示部の形状に応じて互いに異なることを特徴とする。
 本発明の第15の局面は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路によるデータ信号線駆動方法であって、
 前記複数のデータ信号線のいずれか1つのデータ信号線に前記アナログスイッチを介して前記アナログ映像信号を与えるステップと、
 前記1つのデータ信号線に前記アナログスイッチを介して前記アナログ映像信号を与えた後に、前記アナログスイッチに与えられる制御信号のレベルを変化させることにより前記アナログスイッチをオフ状態とするステップと、
 前記制御信号を論理反転させると共に、前記制御信号が前記アナログスイッチをオン状態とするための第1レベル電圧からオフ状態とするための第2レベル電圧への変化を開始してから前記トランジスタがオフ状態となるまでの時間に応じた所定時間だけ前記制御信号を遅延させることにより、反転遅延信号を生成するステップと、
 前記反転遅延信号を補正用容量素子を介して前記1つのデータ信号線に与えるステップとを備えることを特徴とする。
 本発明の他の局面は、本発明の上記第1から第15の局面および後述の各実施形態に関する説明から明らかであるので、その説明を省略する。
 本発明の第1の局面によれば、各データ信号線に設けられたアナログスイッチがオフされるときには、その制御信号から生成される反転遅延信号が補正用容量素子を介して当該データ信号線に与えられる。上記アナログスイッチに含まれる電界効果トランジスタは寄生容量を有するので、上記アナログスイッチがオフされるときには、その制御信号の電圧変化がその寄生容量を介してデータ信号線電圧に影響を与え、データ信号線電圧が本来の値から変動する(データ信号線電圧が本来の値から低下または上昇する)。しかし、各データ信号線には上記反転遅延信号が補正用容量素子を介して与えられ、これによりデータ信号電圧の変動が補正される。この反転遅延信号は、上記制御信号が第1レベル電圧から第2レベル電圧への変化を開始してから上記トランジスタがオフ状態となるまでの時間に応じた所定時間だけ上記制御信号に対して遅延している。このため、この反転遅延信号の電圧変化のうち大きな部分がデータ信号線電圧変動の補正に寄与する。その結果、補正用容量素子の容量値を大きくする必要がなく、また、この反転遅延信号の遅延量が多少変動しても当該補正には影響しない。したがって、アナログスイッチによるアナログ映像信号のサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動をレイアウト面積の増大を抑えつつ確実かつ十分に補正することができる。
 本発明の第2の局面によれば、各データ信号線に設けられたアナログスイッチにおけるトランジスタがオフされるときには、当該トランジスタがオフ状態となった後に反転遅延信号が第2レベル電圧から第1レベル電圧への変化を開始する。これにより、この反転遅延号の電圧変化の全てがデータ信号線電圧変動の補正に寄与すると共に、この反転遅延信号の遅延量が変動しても当該補正には影響しない。したがって、アナログスイッチによるアナログ映像信号のサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動を、レイアウト面積の増大を抑えつつ、更に確実かつ十分に補正することができる。
 本発明の第3の局面によれば、各データ信号線に設けられたアナログスイッチにおけるトランジスタがオフされるときには、その制御信号が当該トランジスタをオフ状態とするための第2レベル電圧に達した後に反転遅延信号が第2レベル電圧から第1レベル電圧への変化を開始する。これにより、この反転遅延号の電圧変化の全てがデータ信号線電圧の変動の補正に確実に寄与すると共に、この反転遅延信号の遅延量が変動しても当該補正には影響しない。したがって、アナログスイッチによるアナログ映像信号のサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動を、レイアウト面積の増大を抑えつつ、更に確実かつ十分に補正することができる。
 本発明の第4の局面によれば、補正用容量素子の容量値は、各データ信号線に設けられたアナログスイッチにおけるトランジスタの制御端子と第2導通端子との間の寄生容量、第1レベル電圧と第2レベル電圧との差、および、当該トランジスタの制御信号が第1レベル電圧から第2レベル電圧に向かって変化するときに当該トランジスタがオフ状態となる当該制御信号の電圧に基づいて決定されている。これにより、アナログスイッチによるアナログ映像信号のサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動を適切に補正して当該変動を相殺することができる。
 本発明の第5の局面によれば、互いに縦続接続された3個以上の奇数個のインバータを含む反転遅延回路によってアナログスイッチの制御信号から反転遅延信号が生成され、この反転遅延信号が、当該アナログスイッチによるアナログ映像信号のサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧変動の補正に使用される。これにより、そのデータ信号線電圧の変動をレイアウト面積の増大を抑えつつ確実かつ十分に補正することができる。
 本発明の第6の局面によれば、アナログスイッチの制御信号から反転遅延信号を生成する反転遅延器には少なくとも1個のシュミットトリガ型インバータが含まれているので、通常のインバータのみで反転遅延器が構成される場合に比べ、反転遅延器における遅延時間を長くすることができる。これにより、寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動の補正により適した反転遅延信号を生成することができる。
 本発明の第7の局面によれば、反転遅延回路におけるシュッミットトリガ型インバータは、マルチゲート化されたトランジスタを含むので、消費電力を低減しつつ、寄生容量起因のデータ信号線電圧の変動の補正により適した反転遅延信号を生成することができる。
 本発明の第8の局面によれば、反転遅延回路が各データ信号線に設けられて、反転遅延回路が表示領域内に均等に配置されるので、回路配置の自由度が高い。また、各反転遅延信号の構成を変えることで、データ信号線毎にその電圧変動の補正量を変えることができる。
 本発明の第9の局面によれば、各アナログスイッチは、対応するデータ信号線の一方の端部に配置され、補正用容量素子は、当該対応するデータ信号線の他方の端部に配置されているので、表示領域の外縁部におけるアナログスイッチ側の領域において各補正用容量素子の領域と反転遅延信号を伝達するための配線の領域が空き、その結果、配線を引き回すことなく回路ブロックを高い自由度で配線することが可能となる。
 本発明の第10の局面によれば、SSD方式の表示装置において本発明の上記第1または第9の局面と同様の効果が得られる。
 本発明の第11の局面によれば、SSD方式の表示装置において反転遅延回路を構成する2以上の所定数の反転遅延器は、データ信号線駆動回路における端部のうちデータ信号線が延びる方向と垂直な方向の端部の一方と他方とに分散して配置されているので、表示領域の外縁部において必要な回路配置のための領域が上記端部の一方に偏らないようにすることができる。
 本発明の第12の局面によれば、補正用容量素子は、各アナログスイッチにおけるトランジスタのゲート絶縁膜を作製するために形成される絶縁層の所定部分と、当該トランジスタのゲート電極を作製するために形成される導電層の所定部分と、当該トランジスタのチャネル部を作製するために形成される半導体層の所定部分とによって構成されている。このため、ゲート絶縁膜の厚みの製造時のばらつきによって当該トランジスタの寄生容量の容量値がばらつくと、これに応じて補正容量素子の容量値も変化する。その結果、寄生容量の容量値のばらつきにより寄生容量起因のデータ信号線の電圧の変動量がばらついても、その電圧変動が適切に補正される。
 本発明の他の局面の効果は、本発明の上記第1から第12の局面の効果および下記実施形態についての説明から明らかであるので、その説明を省略する。
本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示すブロック図である。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成を示す回路図である。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路におけるビデオ信号のサンプルホールド動作を示す信号波形図である。 上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図(A)、および、従来の単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図(B)である。 従来の単位サンプルホールド回路の動作を示す信号波形図(A,B)である。 上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路の動作を示す信号波形図(A,B)である。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図である。 上記第1の実施形態の上記第1の実施例における単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図である。 上記第1の実施形態の上記第1の実施例における単位サンプルホールド回路の動作を示す信号波形図である。 上記第1の実施形態の上記第1の実施例における反転遅延器の詳細構成を示す回路図である。 図12に示す反転遅延器の動作を説明するための信号波形図である。 上記第1の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。 上記第1の実施形態の上記第2の実施例における単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図である。 上記第1の実施形態の上記第2の実施例における反転遅延器としてのシュミットトリガ型インバータの動作を示す信号波形図(A)、および、通常のインバータの動作を示す信号波形図(B)である。 上記第1の実施形態の上記第2の実施例における反転遅延器としてのシュミットトリガ型インバータの第1から第3の構成例を示す回路図(A,B,C)である。 上記第1の実施形態の上記第2の実施例において他の構成例による反転遅延器を使用した単位サンプルホールド回路を示す回路図(A,B)である。 本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置における表示部(表示領域)の構成を示す模式図である。 上記第2の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成を示す回路図である。 上記第2の実施形態における図20に示す構成の回路の配置例を示す図である。 上記第2の実施形態におけるデータ信号線駆動回路内の1つのデマルチプレクサおよびそれに対応する補正容量回路の表現方法を説明するための図(A,B)である。 上記第2の実施形態においてビデオ信号のサンプリングの際に生じるデータ信号線電圧低下量の分布および各データ信号線の容量の分布を示す図である。 上記第2の実施形態における容量の大きいデータ信号線についてのサンプリング動作を説明するための信号波形図(A)、および、容量の小さいデータ信号線についてのサンプリング動作を説明するための信号波形図(B)である。 本発明の第3の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図(A,B,C)である。 上記第3の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。 上記第3の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第3の実施例を示す回路図である。 本発明の第4の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図である。 上記第4の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。 上記第4の実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第3の実施例を示す回路図である。 本発明の各実施形態における補正用容量素子の好適な構造を示す平面図(A)および断面図(B)、ならびに、薄膜トランジスタの構造を示す平面図(C)および断面図(D)である。 本発明の各実施形態の第1の変形例を示す回路図である。 本発明の各実施形態の第2の変形例を説明するための回路図(A)および信号波形図(B)である。 本発明の各実施形態の第3の変形例を説明するための回路図(A)および信号波形図(B)である。 本発明の他の実施形態を説明するための回路図(A,B,C)である。 上記他の実施形態の第1の変形例を説明するための回路図(A,B,C)である。 上記他の実施形態の第2の変形例におけるデータ信号線駆動回路の構成を示すブロック図である。 上記他の実施形態の上記第2の変形例におけるデータ信号線駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
 以下、本発明の各実施形態について添付図面を参照して説明する。なお、以下で言及する各トランジスタにおいて、ゲート端子は制御端子に相当し、ドレイン端子およびソース端子の一方は第1導通端子に相当し、他方は第2導通端子に相当する。
<1.第1の実施形態>
<1.1 全体構成および動作>
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成を示すブロック図である。この液晶表示装置は、アクティブマトリクス型の表示部120を含む表示パネル100と、走査信号線駆動回路(「ゲートドライバ」とも呼ばれる)200と、データ信号線駆動回路(「ソースドライバ」とも呼ばれる)300と、表示制御回路400とを備えており、表示制御回路400には外部から入力信号Sinが与えられる。この入力信号Sinには、表示すべき画像を表す画像信号および当該画像の表示のためのタイミング制御信号が含まれている。
 表示部120には、複数本(3n本)のデータ信号線(「ソースライン」とも呼ばれる)SL1~SL3nと、複数本(m本)の走査信号線(「ゲートライン」とも呼ばれる)GL1~GLmと、これらのデータ信号線SL1~SL3nおよび走査信号線GL1~GLnに沿ってマトリクス状に配置された複数(m×3n個)の画素形成部10が配設されている(このようにマトリクス状に配置された複数の画素形成部を以下では「画素マトリクス」ともいう)。各画素形成部10は、これらのデータ信号線SL1~SL3nのいずれか1つに対応すると共に、これらの走査信号線GL1~GLmのいずれか1つに対応する。以下、3n本のデータ信号線SL1~SL3nを区別しない場合にはこれらを単に「データ信号線SL」といい、m本の走査信号線GL1~GLmを区別しない場合にはこれらを単に「走査信号線GL」という。各画素形成部10は、対応する走査信号線GLに制御端子としてのゲート端子が接続されると共に対応するデータ信号線SLにソース端子が接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ(以下「TFT」と略記する)12と、そのTFT12のドレイン端子に接続された画素電極Epと、m×3n個の画素形成部10に共通的に設けられた共通電極Ecと、画素電極Epと共通電極Ecとの間に挟持されm×3n個の画素形成部10に共通的に設けられた液晶層とにより構成される。そして、画素電極Epおよび共通電極Ecにより形成される液晶容量により画素容量Cpが構成される。なお典型的には、画素容量Cpに確実に電圧を保持すべく液晶容量に並列に補助容量が設けられるが、補助容量は本発明には直接に関係しないのでその説明および図示を省略する。また、各画素形成部10に含まれるTFT12の種類は特に限定されず、TFT12のチャネル層には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン、連続粒界結晶シリコン(CGシリコン)、酸化物半導体等のいずれを使用してもよい。また、表示部120を含む液晶パネル(表示パネル100)の方式も、液晶層に垂直な方向に電界が印加されるVA(Vertical Alignment)方式やTN(Twisted Nematic)方式等に限定されるものではなく、液晶層に略平行な方向に電界が印加されるIPS(In-Plane Switching)方式であってもよい。
 表示制御回路400は、上記入力信号Sinを外部から受け取り、この入力信号Sinに基づき、デジタル画像信号Sdv、データ側制御信号SCT、走査側制御信号GCT、および共通電圧Vcom(不図示)を生成し出力する。デジタル画像信号Sdvおよびデータ側制御信号SCTはデータ信号線駆動回路300に与えられ、走査側制御信号GCTは走査信号線駆動回路200に与えられ、共通電圧Vcomは表示部120における共通電極Ecに与えられる。
 データ信号線駆動回路300は、デジタル画像信号Sdvおよびデータ側制御信号SCTに基づき、データ信号S1~S3nを生成してデータ信号線SL1~SL3nにそれぞれ印加する。このデータ信号線駆動回路300の詳細は後述する。
 走査信号線駆動回路200は、走査側制御信号GCTに基づき走査信号G1~Gmを生成して走査信号線GL1~GLmに印加し、これによりアクティブな走査信号の走査信号線GL1~GLmへの印加を所定周期で繰り返す。例えば、走査側制御信号GCTには、ゲートクロック信号およびゲートスタートパルス信号が含まれる。走査信号線駆動回路200は、ゲートクロック信号およびゲートスタートパルス信号に応じて、その内部の図示しないシフトレジスタなどを動作させ、走査信号G1~Gmを生成する。
 表示パネル100の背面側には、図示しないバックライトユニットが設けられており、これにより表示パネル100の背面にバックライト光が照射される。このバックライトユニットも表示制御回路400により駆動されるが、その他の方法により駆動される構成であってもよい。なお、表示パネル100が反射型である場合には、バックライトユニットは不要である。
 以上のようにして、データ信号線SLにデータ信号が印加され、走査信号線GLに走査信号が印加され、表示パネル100の背面にバックライト光が照射されることにより、外部から与えられる入力信号Sinの表す画像が表示パネル100の表示領域を構成する表示部120に表示される。
 なお、図1に示す上記構成において、データ信号線駆動回路300および走査信号線駆動回路200の双方または一方は表示制御回路400内に設けられていてもよい。また、データ信号線駆動回路300および走査信号線駆動回路200の双方または一方は表示部120と一体的に形成されていてもよい。この場合、データ信号線駆動回路300については、その一部のみ(例えば後述の図2に示すデマルチプレクス回路320および補正回路330のみ)が表示部120と一体的に形成されていてもよい。
<1.2 データ信号線駆動回路の構成および動作>
 図2は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路300の構成を示すブロック図である。本実施形態に係る液晶表示装置では、表示パネル100において隣接する3本のデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3iを1組としてn組のデータ信号線群にグループ化し(i=1~n)、各組における3本のデータ信号線に時分割的にアナログビデオ信号を与えるSSD方式が採用されている。このため、データ信号線駆動回路300は、表示パネル100を駆動するためのデータ信号としてn個のビデオ信号Sv1~Svnを生成するデータ信号生成回路310に加えて、上記SSD方式に対応したデマルチプレクス回路320を備えるとともに、デマルチプレクス回路320におけるビデオ信号Sv1~Svnのサンプリング時に生じる信号レベルの低下を補償するために補正回路330を備えている。この補正回路330は、補正容量回路350と反転遅延回路340を含んでいる。
 表示制御回路400からのデジタル画像信号Sdvは、データ信号生成回路310に与えられる。表示制御回路400からのデータ側制御信号SCTのうち、ソーススタートパルス信号SSP、ソースクロック信号SCK、ラッチストローブ信号Ls、および極性切替制御信号Cpnはデータ信号生成回路310に与えられ、接続切替制御信号Sc1~Sc3はデマルチプレクス回路320に与えられる。
 データ信号生成回路310は、ソーススタートパルス信号SSP、ソースクロック信号SCK、およびラッチストローブ信号Lsに基づき、その内部の図示しないシフトレジスタおよびサンプリングラッチ回路等を動作させることにより、デジタル画像信号Sdvに基づくn個のデジタル信号を生成し、これらn個のデジタル信号を図示しないDA変換回路でアナログ信号に変換することにより、表示パネル100を駆動するためのアナログデータ信号としてn個のビデオ信号Sv1~Svnを生成する。本実施形態では上記のようにSSD方式が採用されているので、各ビデオ信号Sviは、3つのデータ信号S3i-2,S3i-1,S3iに振り分けられて表示部120のデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3iに印加される(i=1~n)。なお、極性切替制御信号Cpnは、液晶の劣化を防止すべく表示部120を交流駆動するための制御信号であり、所定のタイミングで上記ビデオ信号Sv1~Svnの極性を切り替えるために使用される。ただし、この交流駆動は、当業者には周知である一方、本発明の特徴とは直接的には関係しないので、詳しい説明を省略する。
 図3は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路300の動作を説明するためのタイミングチャートである。以下、図2と共に図3を参照して、このデータ信号線駆動回路300の動作を説明する。
 デマルチプレクス回路320はn個のデマルチプレクサ322を含み、i番目のデマルチプレクサ322にはi番目のビデオ信号Sviが入力され(i=1~n)、各デマルチプレクサ322には、図3に示すような接続切替制御信号Sc1~Sc3が入力される。各水平期間を3つに分割して得られる期間を順に第1、第2、および第3期間と呼ぶものとすると、これらの接続切替制御信号Sc1~Sc3のうち、第1の接続切替制御信号Sc1は第1期間でのみアクティブとなり、第2の接続切替制御信号Sc2は第2期間でのみアクティブとなり、第3の接続切替制御信号Sc3は第3期間でのみアクティブとなる。ここでは、ハイレベル(Hレベル)をアクティブとし、ローレベル(Lレベル)を非アクティブとする。各デマルチプレクサ322には、それに入力されるビデオ信号(以下「入力ビデオ信号」という)Sviを時分割で印加すべき3つのデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3iが補正容量回路350を貫通して接続されている。各デマルチプレクサ322は、入力ビデオ信号Sviを、第1の接続切替制御信号Sc1がアクティブ(Hレベル)のときにデータ信号線SL3i-2に与え、第2の接続切替制御信号Sc2がアクティブ(Hレベル)のときにデータ信号線SL3i-1に与え、 第3の接続切替制御信号Sc3がアクティブ(Hレベル)のときにデータ信号線SL3iに与える。これにより、入力ビデオ信号Sviの与えられるデータ信号線が、各水平期間において3つのデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3iの間で順に切り替えられる。
 このような動作により、図3に示すようなデータ信号S1~S3がデータ信号線SL1~SL3にそれぞれ印加される。他のデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3i(i=2~n)についても同様である。図3に示すビデオ信号Sv1~Sv3およびデータ信号S1~S3に付されている記号dijは、i番目の走査信号線GLiおよびj番目のデータ信号線SLjに接続される画素形成部10(の画素容量Cp)に書き込むべき画素データを示すものとする(i=1~m、j=1~3n)。各データ信号線SLjは、他の電極(共通電極Ecや走査信号線GLを構成する電極)との間に容量を形成されている(以下この容量を「データ信号線容量Csl」という)。このため、このデータ信号線容量Cslとデマルチプレクサ322との作用により、ビデオ信号Sviが接続切替制御信号Sckによってサンプリングされてデータ信号線SL3(i-1)+kに保持される(i=1~n;k=1,2,3)(図3のデータ信号S1~S3参照)。なお、ビデオ信号Sviの極性は既述の極性切替制御信号Cpnにしたがって変化し(不図示)、これに応じてデータ信号S3i-2,S3i-1,S3iの極性も変化する(図3のデータ信号S1~S3参照)。
 図3は、各画素形成部10に与えられるデータ信号の極性が1フレーム期間毎に反転するだけでなく、データ信号線SLの延びる方向に隣接する画素形成部に互いに逆極性のデータ信号が与えられると共に、走査信号線GLの延びる方向に隣接する画素形成部にも互いに逆極性のデータ信号が与えられるように、表示パネル100が駆動される方式、すなわちドット反転駆動方式が採用されていることを前提としている。しかし、本発明に係る液晶表示装置の交流駆動方式はドット反転駆動方式に限定されるものではなく、例えば、データ信号線SLの延びる方向に隣接する画素形成部に互いに逆極性のデータ信号が与えられ、走査信号線GLの延びる方向に隣接する画素形成部には互いに同極性のデータ信号が与えられるように、表示パネル100が駆動される方式、すなわちライン反転駆動方式が採用されてもよい。
 図4は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路300でのビデオ信号Sviのサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成を示す回路図、すなわちデマルチプレクス回路320と補正回路330(補正容量回路350および反転遅延回路340)の詳細構成を示す回路図である。本実施形態では、データ信号線駆動回路300のうち少なくともデマルチプレクス回路320、補正容量回路350、および反転遅延回路340は表示部(画素マトリクス)120と一体的に形成されているものとするが、本発明はこれに限定されない。
 図4に示すように本実施形態では、デマルチプレクス回路320における各デマルチプレクサ322は、3個のアナログスイッチとしてのNchトランジスタである薄膜トランジスタSW1~SW3を含む。各デマルチプレクサにおけるNchトランジスタSW1~SW3の第1導通端子は互いに接続されてビデオ信号Sviを与えられ、これらNchトランジスタSW1~SW3の第2導通端子はデータ信号線SL3i-2,SL3i-1,SL3iにそれぞれ接続されている(i=1~n)。また、各デマルチプレクサ322におけるNchトランジスタSW1~SW3の制御端子としてのゲート端子には、第1から第3の接続切替制御信号Sc1~Sc3がそれぞれ与えられる。なお、NchトランジスタSW1~SW3の第1および第2導通端子のいずれがドレイン端子か(またはソース端子か)は、NchトランジスタSW1~SW3を流れる電流の方向に依存するが、以下では便宜上、上記第1導通端子をソース端子とし、上記第2導通端子をドレイン端子として説明を進める。
 反転遅延回路340は、第1、第2、および第3の反転遅延器342を含む。これら第1から第3の反転遅延器342には第1から第3の接続切替制御信号Sc1~Sc3がそれぞれ与えられ、第1から第3の反転遅延器342は、第1から第3の接続切替制御信号Sc1~Sc3をそれぞれ論理反転させるとともに所定時間だけ遅延させることにより、第1から第3の反転遅延信号Srd1~Srd3をそれぞれ生成する。これら第1から第3の反転遅延信号Srd1~Srd3は、補正容量回路350に与えられる。
 補正容量回路350は、各データ信号線SLにつき1個の補正用容量素子Ccを含み、各補正用容量素子Ccの一方の端子は、対応するデータ信号線SLに接続されている。各デマルチプレクサ322における各NchトランジスタSWkの第2導通端子(ドレイン端子)に接続されたデータ信号線SL3(i-1)+kに接続された補正用容量素子Ccの他方の端子には、第kの反転遅延信号Srdkが与えられる(k=1,2,3)。
 サンプリング回路としてのデマルチプレクス回路320における各デマルチプレクサ322の各NcnトランジスタSWkは、そのゲート端子と第2導通端子(ドレイン端子)との間に形成された寄生容量Cgdを有する。このため、i番目のデマルチプレクサ322におけるNchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態に変化するときの接続切替制御信号Sckの電圧変化が、この寄生容量Cgdを介してデータ信号線SL3(i-1)+kの電圧に影響を与える(i=1~n;k=1,2,3)。その結果、NchトランジスタSWkがオフされた直後におけるデータ信号線SL3(i-1)+kの電圧すなわちデータ信号S3(i-1)+kの電圧(データ信号線電圧Vsl)は、NchトランジスタSWkがオン状態のときに当該データ信号S3(i-1)+kに与えられるビデオ信号Sviの電圧よりも低下する。すなわち、ビデオ信号Sviを接続切替制御信号Sckでサンプリングすることにより得られるデータ信号線電圧Vslが寄生容量Cgdに起因して本来の電圧よりも低下する。しかし、容量補正回路350において、各データ信号線SL3(i-1)+kには補正用容量素子Ccを介して反転遅延信号Srkが与えられ、これにより上記データ信号線電圧Vslの低下が補正される(図5に示す信号S1,S4,S2,S5,S3,S6の波形参照)。
 以下、上記のようなビデオ信号Sviのサンプリングの際のデータ信号線電圧Vslの低下を補正するための動作を、1番目のビデオ信号Sv1のサンプリングを例にとり図6および図7を参照して更に詳しく説明する。
 図6(A)は、本実施形態においてビデオ信号Sv1をサンプリングして1つのデータ信号線(着目データ信号線)SLkに保持させるための回路に相当する部分すなわち単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図である。図6(B)は、SSD方式等が採用される従来の表示装置において図6(A)の単位サンプルホールド回路に対応する単位サンプルホールド回路(以下「従来の単位サンプルホールド回路」という)の構成を示す回路図である。また、図7は、図6(B)に示す従来の単位サンプルホールド回路の動作を示す信号波形図であり、図8は、図6(A)に示す本実施形態における単位サンプルホールド回路の動作を示す信号波形図である。
 図6(A)および図6(B)のいずれの単位サンプルホールド回路においても、サンプリングパルス信号としての接続切替制御信号Sckがオン電圧としてHレベル電圧VHからオフ電圧としてのLレベル電圧VLへと変化する過程において所定の電圧Voffに達したときに、アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態に切り替わる。
 図6(B)に示す従来の単位サンプルホールド回路では、インバータIVにより得られる反転信号Srが補正用容量素子Ccを介して着目データ信号線SLkに与えられる。図7(A)に示すように、この反転信号Srは、NchトランジスタSWkのオン状態からオフ状態への切り替わる時点t1よりも前にLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始する。このため、着目データ信号線SLkがフローティング状態である間での反転信号Srの電圧変化分、すなわち寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの低下の補正に寄与する電圧変化分ΔVcは、NchトランジスタSWkがオフするときの反転信号Srの電圧変化分VH-VLに比べて小さなものとなる。その結果、寄生容量Cgdに起因するデータ信号線電圧Vslの低下(以下「寄生容量起因のデータ信号線電圧低下」という)を十分に補正することができず、着目データ信号線SLkに実際に保持される電圧には、ビデオ信号Sv1をサンプリングして着目データ信号線SLkに保持させるべき本来の電圧Vv1に対し誤差ΔVseが生じる。
 特に、図7(B)に示すように、接続切替制御信号SckがHレベル電圧VHからLレベル電圧VLへの変化を開始した後、オフ遷移電圧Voffに達する時点(NchトランジスタSWkがオフ状態となる時点)t1以前に反転信号SrがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を完了する場合には、この反転信号Vrの電圧変化は寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正に寄与しない(ΔVc=0)。したがって、この場合、補正用容量素子Ccの容量値を大きくしても寄生容量起因のデータ信号線電圧低下は補正されない。
 これに対し、図6(A)に示す本実施形態における単位サンプルホールド回路では、反転遅延器342により得られる反転遅延信号Srdkが補正用容量素子Ccを介して着目データ信号線SLkに与えられる。図8(A)に示すように、この反転遅延信号Srdkは、NchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態への切り替わる時点t1よりも後にLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始する。このため、反転遅延信号SrdkがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHまで変化する間は、データ信号線SLkはフローティング状態となっている。その結果、この間における反転遅延信号Srdkの電圧変化分ΔVcd=VH-VLが、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正に寄与する。この補正に寄与する電圧変化分ΔVcd=VH-VLは、従来の単位サンプルホールド回路においてこの補正に寄与する電圧変化分ΔVcよりも大きい。このため本実施形態では、補正用容量素子Ccの容量値を大きくすることなく後述のように適切に設定することにより、反転遅延信号Srdkの上記電圧変化分ΔVcdで、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを相殺することができる(図8(A)参照)。
 また、従来の単位サンプルホールド回路では、反転信号Srの電圧変化のうち上記補正に寄与する電圧変化分ΔVcは、反転信号SrがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始するタイミングに依存する。その結果、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正が反転信号Srの遅延量によって影響されることになる。これに対し本実施形態では、NchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態に切り替わった後に遅延反転信号SrdkがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始するので、この時間的条件を満たすように反転遅延器342が動作する限り、反転遅延信号Srdkの遅延量は、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正には影響しない。
<1.3 補正用容量素子の容量値の設定>
 本実施形態において補正回路330(反転遅延回路340および補正容量回路350)が存在しないと仮定すると、ビデオ信号Sviの接続切替制御信号Sckによるサンプリングの際に、サンプリングスイッチとしてのアナログスイッチを構成するトランジスタS
Wkの寄生容量Cgdに起因して、データ信号線SL3(i-1)+kに保持すべき電圧が本来の電圧(ビデオ信号Sviの電圧Vvi)から低下する(i=1~n;k=1,2,3)。本実施形態では、この寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を補正すべく、反転遅延信号Srdkが補正用容量素子Ccを介してデータ信号線SL3(i-1)+kに与えられる。この補正により寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを相殺するには、補正用容量素子Ccの容量値(以下、この容量値も符号“Cc”で示すものとする)を適切に設定する必要がある。この補正用容量素子Ccの適切な容量値の求め方の一例を、図6(A)および図8(A)を参照して以下に述べる(i=1;k=1,2,3)。
 図8(A)に示すように、接続切替制御信号SckがHレベル電圧VH(オン電圧)から低下を開始し、時点t1において、オフ遷移電圧Voff(=Vv1+Vth)に達してNchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態に切り替わる。その後、反転遅延信号SrdkがLレベル電圧VLから上昇を開始し、時点t2でHレベル電圧VHに達する。接続切替制御信号Sckは、この時点t2までにLレベル電圧VL(オフ電圧)に達しているものとする。いま、時点t1でのデータ信号線電圧Vsl(着目データ信号線SLkの電圧)をVsl1とすると、この時点t1での着目データ信号線SLkにおける電荷量Q1は、
  Q1=Csl(Vs1-Vo)+Cgd(Vs1-Voff)+Cc(Vs1-VL)  …(1)
となる。ただし、Voは、データ信号線容量Cslを形成する他方の電極(データ信号線は当該容量Cslを形成する一方の電極)の電圧とする。一方、時点t2でのデータ信号線電圧VslをVs2とすると、この時点t2での着目データ信号線SLkにおける電荷量Q2は、
  Q2=Csl(Vs2-Vo)+Cgd(Vs2-VL)+Cc(Vs2-VH)  …(2)
となる。
 アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkは、接続切替制御信号SckがHレベル電圧VHから低下してオフ遷移電圧Voffに達した時点で瞬時にオン状態からオフ状態に切り替わるものとすると、時点t1から時点t2までの間は、着目データ信号線SLkはフローティング状態であり、着目データ信号線SLkについては電荷の流入や流出がない。このため、Q1=Q2であり、上記式(1)および(2)より、
  Csl(Vs1-Vo)+Cgd(Vs1-Voff)+Cc(Vs1-VL)
 =Csl(Vs2-Vo)+Cgd(Vs2-VL)+Cc(Vs2-VH)      …(3)
となる。
 ここで、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslが反転遅延信号Srdkの電圧変化ΔVcd(=VH-VL)により補正用容量素子Ccを介して相殺されるものとすると、Vs2=Vs1である。これを上記式(3)に代入して整理すると、
  Cc=Cgd・(Voff-VL)/(VH-VL)   …(4)
が得られる。
 したがって、上記式(4)により補正用容量素子Ccの適切な容量値を求めることができる。このようにして求めた容量値を有する補正用容量素子Ccを補正容量回路350で使用することにより、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを反転遅延信号Srdkによって相殺することができる。上記式(4)からわかるように、このときの補正用容量素子Ccの容量値は、寄生容量Cgdよりも小さなものとなる。
 ただし、オフ遷移電圧Voffは、Vv1+Vth、より一般的にはVvi+Vthであり(i=1~n)、ビデオ信号Sviの電圧Vviに依存する。このため、上記式(4)で決定される補正用容量素子Ccの容量値もビデオ信号Sviの電圧Vviに依存する。そこで本実施形態では、ビデオ信号Sviの電圧Vviとして代表的または典型的な固定値Vvfを予め決めておき、Vvi=Vvfのときのオフ遷移電圧Voff(固定値)を上記式(4)に代入することにより補正用容量素子の容量値Ccを決定する。ここで、上記固定値Vvfの具体例として、ビデオ信号Sviの電圧Vviの時間的な平均値、中間値、または、最頻値等を使用することができる。また、ビデオ信号Sviの電圧Vviの最大値または最小値を上記固定値Vvfとして使用してもよい。
 上記の例では、アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkは、接続切替制御信号Sck(ゲート端子の電圧Vg)がHレベル電圧VHから低下してオフ遷移電圧Voffに達した時点t1で瞬時にオン状態からオフ状態に切り替わる理想的なスイッチング素子であると仮定している。しかし実際には、閾値Vth以外のNchトランジスタSWkが持つ各種パラメータもデータ信号線電圧低下ΔVslに寄与する。これらの影響も加味して補正用容量素子Ccの適切な容量値を正確に決定するために、NchトランジスタSWkの実際の特性(NchトランジスタSWkのゲート・ソース間電圧とドレイン・ソース間電圧とドレイン電流との関係を表す特性)に基づき、図6(A)に示した回路の動作の計算機によるシミュレーションにより、ビデオ信号Sv1のサンプリングの際のデータ信号線電圧Vslの時間的変化等を求め、それらのシミュレーション結果に基づき、補正用容量素子Ccの容量値を決定するようにしてもよい。これにより、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを相殺するための補正用容量素子Ccの容量値をより正確に求めることができる。
 なお、アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkの実際の特性を考慮すると、図8(B)に示すように、接続切替制御信号SckがLレベル電圧VL(オフ電圧)に達してNchトランジスタSWkが完全にオフ状態となってから(図8に示す時点t3の後に)、反転遅延信号SrdkがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始するように、反転遅延器342が構成されていてもよい。このようにすれば、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslの補正に対する反転遅延信号Srdkの遅延量の影響を確実に排除することができる。
<1.4 第1の実施例>
 図9は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路300でのビデオ信号Sviのサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図である。既述のように本実施形態では、ビデオ信号Sviのサンプリングの際の寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を補正するための信号として反転遅延信号Srdkを生成するために、反転遅延回路340が使用される(k=1,2,3)。図9に示すように本実施例では、この反転遅延回路340における各反転遅延器342が3個のインバータを縦続接続することにより実現される。本実施例における反転遅延回路340以外の構成については、図2および図4に示した既述の構成と同様であるので、同一部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
 次に、本実施例における要部の構成および動作を、1つのデータ信号線SLkに着目して説明する。図10は、本実施例においてビデオ信号Sv1をサンプリングして1つのデータ信号線(着目データ信号線)SLkに保持させるための回路に相当する部分である単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図である。この単位サンプルホールド回路は、図6(A)に示した単位サンプルホールド回路において、反転遅延器342が互いに縦続接続された3個のインバータIVA,IVB,ICにより構成されたものである。この単位サンプルホールド回路は、図6(A)に示した単位サンプルホールド回路と同様に動作する。この動作を示す信号波形図は図11に示す通りであり、図8(A)に示した信号波形図と同様であるので詳しい説明を省略する。
 本実施例では、3個のインバータを互いに縦続接続することにより、接続切替制御信号Sckを論理反転すると共に所要時間だけ遅延させている。ここで、所要時間とは、反転遅延信号Srdkによって寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を適切に補正するのに必要な時間であり、例えば、接続切替制御信号SckがHレベル電圧VHからLレベル電圧VLへの変化を開始してオフ状態遷移電圧Voffに達した時点t1の後に反転遅延信号SrdkがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHに向かって変化を開始するようにするための時間である。また、これに代えて、接続切替制御信号SckがLレベル電圧VLに達してNchトランジスタSWkが完全にオフ状態になった時点t3の後に反転遅延信号SrdkがLレベル電圧VLからHレベル電圧VHに向かって変化を開始するように上記所要時間を設定してもよい(図8(B)参照)。
 図12は、図10に示した各反転遅延器342の好ましい詳細構成を示す回路図である。この詳細構成では、各インバータIVA,IVB,IVCは、Pチャネル形の電界効果トランジスタ(以下「Pchトランジスタ」という)とNchトランジスタを図12に示すように接続した構成のCMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)型インバータであり、1段目のインバータIVAのPchトランジスタ、2段目のインバータIVBのNchトランジスタ、および3段目のインバータIVCのPchトランジスタのチャネル幅Wが通常よりも小さくなり、1段目のインバータIVAのNchトランジスタ、2段目のインバータIVBのPchトランジスタ、および3段目のインバータIVCのNchトランジスタのチャネル幅Wが通常よりも大きくなるように構成されている。
 このような構成によれば、図13に示すように、1段目のインバータIVAの出力信号VAの立ち上がり時間、2段目のインバータIVBの出力信号VBの立ち下がり時間、および、3段目のインバータIVCの出力信号としての反転遅延信号Srdkの立ち上がり時間が通常よりも長くなる。したがって、通常のチャネル幅のNchおよびPchトランジスタを使用する場合に比べて、接続切替制御信号Sckの立ち下がり時(反転遅延信号Srdkの立ち上がり時)における反転遅延器342での遅延時間を長くすることができる。また、反転遅延器342を構成するインバータIVA,IVB,IVCのチャネル幅Wを上記のように通常と異なる適切なサイズに設定することにより、接続切替制御信号Sckの立ち下がり時における反転遅延器342での遅延時間を既述の所要時間に等しくすることができる。
 なお、図12に示した構成では、反転遅延器342におけるチャネル幅Wを通常と異なるサイズに設定することで、通常よりも長い遅延時間を実現しているが、チャネル幅に代えてチャネル長Lまたはチャネル幅とチャネル長との比W/Lを通常と異なる値に設定することにより、通常よりも長い遅延時間を実現するようにしてもよい。
<1.5 第2の実施例>
 図14は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路300でのビデオ信号Sviのサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。図9に示すように本実施例では、反転遅延回路340における各反転遅延器342がシュミットトリガ型インバータで構成されている。本実施例における反転遅延回路340以外の構成については、図2および図4に示した既述の構成と同様であるので、同一部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
 次に、本実施例における要部の構成および動作を、1つのデータ信号線SLkに着目して説明する。図15は、本実施例においてビデオ信号Sv1をサンプリングして1つのデータ信号線(着目データ信号線)SLkに保持させるための回路に相当する部分である単位サンプルホールド回路の構成を示す回路図である。この単位サンプルホールド回路は、図6(A)に示した単位サンプルホールド回路において、反転遅延器342としてシュミットトリガ型インバータを使用したものである。
 図16(A)は、本実施例において反転遅延器342として使用されるシュミットトリガ型インバータの動作を示す信号波形図であり、図16(B)は、図6(B)に示した従来の単位サンプルホールド回路で使用される通常のインバータIVの動作を示す信号波形図である。従来の単位サンプルホールド回路で使用されるインバータIVでは、図16(B)に示すように、出力信号としての反転信号Srが反転を開始する入力信号(接続切替制御信号Sck)の閾値は、入力信号の立ち上がり時と立ち下がり時とで同じ値Virである。これに対し、本実施例における単位サンプルホールド回路で使用されるシュミットトリガ型インバータでは、図16(A)に示すように、出力信号としての反転遅延信号Srdkが反転を開始する入力信号(接続切替制御信号Sck)の閾値は、入力信号の立ち上がり時と立ち下がり時とで異なる。すなわち、入力信号の立ち上がり時において出力信号(反転遅延信号Srdk)が反転する閾値VirRは、入力信号の立ち下がり時において出力信号(反転遅延信号Srdk)が反転する閾値VirFよりも大きい。このため、図16(A)および図16(B)に示すように、シュミットトリガ型インバータにおける遅延時間は、通常のインバータにおける遅延時間よりも長くなる。したがって、本構実施例では、このようなシュミットトリガ型インバータを使用することにより、既述の所要時間に等しい時間だけ信号伝搬を遅延させる反転遅延器342を実現している。
 図17は、反転遅延器342として使用されるシュミットトリガ型インバータの第1から第3の構成例を示す回路図である。これらのうち図17(A)は、シュミットトリガ型インバータの基本的な構成である第1の構成例を示している。この第1の構成例によるシュミットトリガ型インバータは、PchトランジスタTA,TB,TDとNchトランジスタTCを図17(A)に示すように接続することにより実現される。この第1の構成例では、PchトランジスタTDの働きにより、出力信号がLレベル電圧VLからHレベル電圧VHに切り替わるときの入力信号の閾値すなわち入力信号の立ち下がり時の閾値VirFが、出力信号がHレベル電圧VHからLレベル電圧VLに切り替わるときの入力信号の閾値すなわち入力信号の立ち上がり時の閾値VirRよりも小さくなる(図16(A)参照)。
 図17(B)は、反転遅延器342として使用されるシュミットトリガ型インバータの第2の構成例を示している。上記第1の構成例によるシュミットトリガ型インバータでは、その動作中においてPchトランジスタTAおよびTDのソース・ドレイン間に最も大きな電流が流れる。この第2の構成例では、この電流の経路(Hレベル電圧の電源ライン→トランジスタTA→トランジスタTD→Lレベル電圧の電源ライン)における消費電流を低減するために、PchトランジスタTAとしてマルチゲート構造のトランジスタ(図17(B)の例ではデュアルゲート構造のトランジスタ)が使用されている。このマルチゲート構造のトランジスタでは、オン状態におけるソース・ドレイン間の抵抗が大きくなるので、第2の構成例では上記消費電流が低減される。
 図17(C)は、反転遅延器342として使用されるシュミットトリガ型インバータの第3の構成例を示している。この第3の構成例では、PchトランジスタTAのみならず、PchトランジスタTBおよびNchトランジスタTCについてもマルチゲート構造のトランジスタ(図17(C)の例ではデュアルゲート構造のトランジスタ)が使用されている。この第3の構成例は、消費電流が低減されるだけでなく、シュミットトリガ型インバータの駆動能力も抑えられるので、遅延時間を長くする点においても有効である。
 図18は、本実施例において他の構成例による反転遅延器342を使用した単位サンプルホールド回路を示す回路図である。本構成例では、互いに縦続接続された3以上の奇数個のインバータにより反転遅延回路342が構成されており、当該奇数個のインバータのうち少なくとも1個はシュミットトリガ型インバータである。図18(A)に示した例では、反転遅延器342を構成する3個のインバータのうち1段目のインバータがシュミットトリガ型インバータであり、図18(B)に示した例では、反転遅延器342を構成する3個のインバータの全てがシュミットトリガ型インバータである。このような本構成例によれば、反転遅延器342が1個のシュミットトリガ型インバータで構成される場合(図15参照)や3以上の奇数個の通常のインバータを縦続接続する場合(図10参照)に比べ、反転遅延器342における遅延時間を長くすることができる。なお、本実施例は、反転遅延器342の構成を除き、図15に示す構成と同じであり同様に動作するので、反転遅延器342以外の構成については対応する部分に同一の参照符号を付して説明を省略する。
<1.6 効果>
 以上のように本実施形態では、反転遅延信号Srdkは、アナログスイッチとしてのNchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態への切り替わる時点(制御信号Sckがオフ遷移電圧Voffに達する時点)t1よりも後にLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始することから、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正に寄与する反転遅延信号Sdkの電圧変化分ΔVcd(=VH-VL)は、従来の単位サンプルホールド回路においてこの補正に寄与する電圧変化分ΔVcよりも大きい(図7および図8参照)。このため本実施形態によれば、補正用容量素子Ccの容量値を大きくすることなく上記のように適切に設定することにより、反転遅延信号Srdkの電圧変化分ΔVcdで、寄生容量起因データ信号線電圧低下ΔVslを相殺することができる(図8参照)。また本実施形態では、反転遅延信号Srdkは上記時点t1よりも後にLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化を開始するので、反転遅延信号Srdkの遅延量は、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の補正には影響しない。したがって、本実施形態によれば、ビデオ信号Sviのサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧低下をレイアウト面積の増大を抑えつつ確実かつ十分に補正することができる。
<2.第2の実施形態>
 次に、本発明の第2の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。ただし、この液晶表示装置における表示部ならびにデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成以外の構成は、上記第1の実施形態と同様であるので、同一または対応する部分に同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。
 図19は、本実施形態に係る液晶表示装置における画像の表示領域を構成する表示部を示す模式図である。なお図19では、便宜上、データ信号線数を18、走査信号線数を20としている。この液晶表示装置は、矩形の表示領域を有する通常の表示装置(例えば図1参照)とは異なり、円形の表示領域を構成する表示部120を備えている。このため、本実施形態における表示領域120(以下では「表示領域」を「表示部」と同一視して同じ参照符号“120”を付するものとする)に形成されるデータ信号線SL1~SL18は、長さの異なる複数のデータ信号線を含んでいる(図19に示す例では、データ信号線SL1~SL10の長さは互いに異なり、データ信号線SL10~SL18の長さも互いに異なる。
 図20は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号Sviのサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成を示す回路図、すなわちデマルチプレクス回路320と補正回路(反転遅延回路340および補正容量回路350)の構成を示す回路図である。本実施形態におけるサンプリング回路としてのデマルチプレクス回路320ならびに補正回路を構成する反転遅延回路340および補正容量回路350は、図20に示すように、回路的観点からは、第1の実施形態と同様である(図4参照)。また、本実施形態における反転遅延器342は、第1の実施形態における各種構成例(図10、図15、図18参照)のいずれの構成を有していてもよい。
 図21は、本実施形態における図20に示す構成の回路の配置例を示す図である。本実施形態では、図21に示すように、デマルチプレクス回路320におけるアナログスイッチ(Nchトランジスタ)SW1~SW3および補正容量回路350における補正用容量素子Ccを、非矩形の表示領域(本実施形態では円形)の外縁部にその表示領域に沿って配置する構成とすることが好ましい。これにより、表示装置の形状を表示領域の形状に応じたものとして装置全体のサイズを小さくすることができる。なお図21では、便宜上、回路表現が図20の表現と若干異なっており、図22(B)に示す回路が図22(A)の回路図で表現されている。
 次に、図23および図24を参照して本実施形態の動作について説明する。
 表示領域120におけるデータ信号線容量Cslは、そのデータ信号線SLに接続されている画素形成部10におけるTFT12や走査信号線GLとの交差部との間に形成され、そのようなTFT12や交差部の数が多いほどデータ信号線容量Cslは大きくなる。このことから、図21に示すような構成の円形の表示領域を有する本実施形態では、図23に示すように、データ信号線容量Cslは、表示領域の中央部すなわちデータ信号線SLの長さが最長となる部分で最も大きく、表示領域の両端部すなわちデータ信号線SLの長さが最短となる部分で最も小さい。このため、デマルチプレクス回路320によるビデオ信号Sviのサンプリングの際に生じる寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslは、表示領域の中央部において最も小さく、表示領域の両端部において最も大きい。したがって、このような寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを補正しない場合や、補正しても、図23に示すような寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslの分布に対応していない場合には、表示部120における共通電極Ecの電圧(共通電圧Vcom)を表示領域全体に亘ってデータ信号線電圧低下ΔVslが補償される適切な値に設定することができず、表示画像において局所的にフリッカ(面内フリッカ)が生じる。
 これに対し本実施形態では、図6(A)等に示した単位サンプルホールド回路の構成からわかるように、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslの大きさは、寄生容量Cgdと着目データ信号線SLkの総容量(データ信号線容量Cslと寄生容量Cgdと補正用容量Ccの和)との比Cgd/(Csl+Cgd+Cc)に比例し、反転遅延信号Srdkの電圧変化分ΔVcdによるデータ信号線電圧Vslの補正量は、補正用容量Ccと着目データ信号線Slkの総容量との比Cc/(Csl+Cgd+Cc)に比例する。このため、表示領域のうちデータ信号線容量Cslが大きい部分では、図24(A)に示すように、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslが小さくなるが、反転遅延信号Srdkの電圧変化分ΔVcdによるデータ信号線電圧Vslの補正量も同程度に小さくなって当該電圧低下ΔVslが相殺される。また、表示領域のうちデータ信号線容量Cslが小さい部分では、図24(B)に示すように、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslが大きくなるが、反転遅延信号Srdkの電圧変化分ΔVcdによるデータ信号線電圧Vslの補正量も同程度に大きくなって当該電圧低下ΔVslが相殺される。このように本実施形態によれば、表示領域が円形等のように非矩形であるために表示領域内でデータ信号線SLの長さが異なる場合(データ信号線容量Cslがデータ信号線SLによって異なる場合)であっても、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslが表示領域全体に亘って適切に補正されるので、上記のような面内フリッカの発生が抑制される。
 なお、上記面内フリッカを更に抑制するために、デマルチプレクス回路320におけるアナログスイッチとしての各NchトランジスタSWkのチャネル幅Wを小さくすることが考えられる。このチャネル幅Wを小さくすると、寄生容量Cgdも小さくなるので、データ信号線電圧低下ΔVslが表示領域全体に亘って小さくなり、その結果、面内フリッカが更に抑制される。ただし、アナログスイッチとしての各NchトランジスタSWkのチャネル幅Wを小さくすると、データ信号線SLの充電能力や静電耐圧が低下するので、この点から、当該チャネル幅Wの縮小には限界があることに留意する必要がある。
 本実施形態では、表示領域が円形であるが、表示領域が円形以外の非矩形であるために互いに長さの異なるデータ信号線SLを有する(したがってデータ信号線容量Cslが互い異なる)場合であっても、同様に本発明を適用することができ、同様の効果が得られる。
<3.第3の実施形態>
 次に、本発明の第3の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。ただし、この液晶表示装置における表示部ならびにデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成以外の構成は、上記第1の実施形態と同様であるので、同一または対応する部分には同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。
<3.1 第1の実施例>
 図25は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図である。この第1の実施例では、補正容量回路350が表示領域(表示部120)に対しデマルチプレクス回路320とは反対側に配置されていて、各データ信号線SLの両端部のうちアナログスイッチ(Nchトランジスタ)SWk(k=1,2,3)が接続される端部とは反対側の端部に補正用容量素子Ccが接続されている。なお図25(A)では、便宜上、回路表現が図4の表現と若干異なっており、図25(C)に示す回路が図25(B)の回路図で表現されている。
 上記第1の実施形態のように、各補正用容量素子Ccを表示領域に対してアナログスイッチSWk(k=1,2,3)と同じ側に配置される場合(図1、図2、図4等)には、表示領域(表示部120)の外縁部におけるアナログスイッチ側の領域が補正用容量素子Ccと反転遅延回路340を接続する配線および当該補正用容量素子Ccに圧迫され、レイアウトの自由度が低下する。また、この場合、配線の密度が高くなるので配線の引き回しが複雑になり、寄生容量が付加され易くなる。これに対し、本実施形態における上記第1の実施例によれば、各補正用容量素子Ccが表示領域に対しアナログスイッチSWkとは反対側に配置されることで、表示領域の外縁部におけるアナログスイッチ側の領域において各補正用容量素子Ccの領域と反転遅延信号Srdkを伝達するための配線の領域が空き、その結果、配線を引き回すことなく回路ブロックを高い自由度で配置することが可能となる。
 なお図25では、反転遅延回路340は、各アナログスイッチSWkを含むデマルチプレクス回路320の真横に(データ信号線SLに直交する方向でデマルチプレクス回路320に隣接して)配置されているが、これに代えて、表示領域120の外縁部における他の空いた領域に反転遅延回路340を配置してもよい。
<3.2 第2の実施例>
 図26は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。上記第1の実施形態では、反転遅延回路340を構成する3個の反転遅延器342は1つの回路ブロックとして配置されているが(図4、図9、図14)、これら3個の反転遅延器342を分散的に配置してもよい。この観点から図26に示す第2の実施例では、上記第1の実施形態における反転遅延回路340が、2個の反転遅延器342からなる反転遅延回路340aと1個の反転遅延器342からなる反転遅延回路340bとに分割され、これら2つの反転遅延回路340a,340bは図における左右に分けて(データ信号線SLに直交する方向でデマルチプレクス回路320の一方および他方の端部にそれぞれ隣接するように)配置されている。このような第2の実施例によれば、表示領域120の外縁部において必要な回路配置のための領域が図の左右の一方に(データ信号線SLに直交する方向の一方側に)偏らないようにすることができる。
 なお図26では、反転遅延回路340a,340bは、各アナログスイッチSWkを含むデマルチプレクス回路320の真横に(データ信号線SLに直交する方向でデマルチプレクス回路320に隣接して)配置されているが、これに代えて、表示領域120の外縁部における他の空いた領域に反転遅延回路340a,304bを分散的に配置してもよい。
<3.3 第3の実施例>
 図27は、本実施形態におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第3の実施例を示す回路図である。本実施例は、上記第1の実施例(図25)の特徴と上記第2の実施例(図26)の特徴を組み合わせた構成となっている。すなわち、補正容量回路350が表示領域120に対しデマルチプレクス回路320とは反対側に配置されていて、各データ信号線SLの両端部のうちアナログスイッチSWk(k=1,2,3)が接続される端部とは反対側の端部に補正用容量素子Ccが接続されていると共に、反転遅延回路340を構成する3個の反転遅延器342が分散的に配置されている。
 このような第3の実施例によれば、上記第1のおよび第2の実施例と同様の効果を奏することに加え、反転遅延回路340a,340bと各補正用容量素子Ccの間の配線、および、接続切替制御信号Sck(k=1,2,3)の入力端子と反転遅延回路340a,340bの間の配線を、図における左右に(データ信号線SLに直交する方向の一方側と他方側に)均等に配置することができる。
 なお図27では、反転遅延回路340a,340bは、各アナログスイッチSWkを含むデマルチプレクス回路320の真横に(データ信号線SLに直交する方向でデマルチプレクス回路320に隣接して)配置されているが、これに代えて、表示領域120の外縁部における他の空いた領域に反転遅延回路340a,304bを分散的に配置してもよい。
<4.第4の実施形態>
 次に、本発明の第4の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。ただし、この液晶表示装置における表示部ならびにデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための構成以外の構成は、上記第1の実施形態と同様であるので、同一または対応する部分には同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。
 本実施形態は、図25~図27に示す上記第3の実施形態の特徴を図19~図21に示す上記第2の実施形態に組み込んだ構成を有している。
 すなわち図28は、本実施形態に係る液晶表示装置におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第1の実施例を示す回路図である。この第1の実施例では、円形の表示領域を有する図21に示す上記第2の実施形態の構成が次のように変更されている。すなわち、補正容量回路350が表示領域120に対しデマルチプレクサ320とは反対側に配置されていて、各データ信号線SLの両端部のうちアナログスイッチSWk(k=1,2,3)が接続される端部とは反対側の端部に補正用容量素子Ccが接続されるように変更されている。このような本実施形態における第1の実施例においても、上記第3の実施形態における第1の実施例(図25)と同様の効果を奏し、また、反転遅延回路340の配置につき同様の変形が可能である。
 図29は、本実施形態に係る液晶表示装置におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第2の実施例を示す回路図である。この第2の実施例では、円形の表示領域を有する図21に示す上記第2の実施形態の構成が次のように変更されている。すなわち、反転遅延回路340を構成する3個の反転遅延器342が分散的に配置されるように変更されており、図29の例では、反転遅延回路340が、2個の反転遅延器342からなる反転遅延回路340aと1個の反転遅延器からなる反転遅延回路340bとに分割され、これら2つの反転遅延回路340a,340bは図における左右に分けて(データ信号線SLに直交する方向でデマルチプレクス回路320の一方および他方の端部にそれぞれ隣接するように)配置されている。このような本実施形態における第2の実施例においても、上記第3の実施形態における第2の実施例(図26)と同様の効果を奏し、また、反転遅延回路340の配置につき同様の変形が可能である。
 図30は、本実施形態に係る液晶表示装置におけるデータ信号線駆動回路でのビデオ信号のサンプリングおよびサンプル値の補正のための第3の実施例を示す回路図である。この第3の実施例では、円形の表示領域を有する図21に示す上記第2の実施形態の構成が次のように変更されている。すなわち、補正容量回路350が表示領域120に対しデマルチプレクサ320とは反対側に配置されていて、各データ信号線SLの両端部のうちアナログスイッチSWk(k=1,2,3)が接続される端部とは反対側の端部に補正用容量素子Ccが接続されていると共に、反転遅延回路340を構成する3個の反転遅延器342が分散的に配置されている。このような本実施形態における第3の実施例においても、上記第3の実施形態における第3の実施例(図27)と同様の効果を奏し、また、反転遅延回路340の配置につき同様の変形が可能である。
<5.補正用容量素子の構造>
 上述の本発明の各実施形態において、補正容量回路350における各補正用容量素子Ccの構造は特に限定されないが、アナログスイッチとしてのトランジスタSWk(k=1,2,3)の寄生容量の製造ばらつきを考慮し、各補正用容量素子Ccの構造を下記のような構造とするのが好ましい。
 図31(A)は、上記各実施形態における補正用容量素子Ccの好適な構造を示す平面図であり、図31(B)は、当該好適な構造を示す断面図であって図31(A)のB-B線における断面図に相当する。また、図31(C)は、上記各実施形態における表示パネル100に形成されるTFTの構造を示す平面図であり、図31(D)は、当該TFTの構造を示す断面図であって図31(C)のD-D線における断面図に相当する。上記各実施形態において上記好適な構造の補正用容量素子Ccが使用される場合には、この補正用容量素子Ccは、表示パネル100を構成するガラス基板上において、画素形成部10における画素スイッチとしてのTFT12や、デマルチプレクス回路320におけるアナログスイッチSWkを構成するトランジスタとしてのTFT等と同一プロセスで一体的に形成される。
 まず、上記TFTの構造について説明する。図31(C)および図31(D)に示すように、このTFTは、表示パネル100を構成するガラス基板102上に形成されるシリコン層SiLのうち不純物濃度の高い領域からなる2つの領域のシリコンSiLs+,SiLd+の一方であるソース領域SiLs+と、他方であるドレイン領域SiLd+と、これらソース領域SiLs+とドレイン領域SiLd+で挟まれた不純部濃度の低い領域であるチャネル領域SiLc-とを備えると共に、シリコン層SiL上にゲート絶縁膜(以下「GI膜」という)104を介してチャネル領域SiLc-と対向するように形成されたゲート電極Gelを備えている。また、このTFTは、ゲート電極Gel上に形成される層間膜106の上に形成されるソース電極Selおよびドレイン電極Delを備え、ソース電極Selは、コンタクトホールによってソース領域SiLs+と電気的に接続され、ドレイン電極Delは、コンタクトホールによってドレイン領域SiLd+と電気的に接続されている。
 次に、上記補正用容量素子Ccの構造について説明する。図31(A)および図31(B)に示すように、この補正用容量素子Ccは、表示パネル100を構成するガラス基板102上に(上記TFTのチャネル領域等の作製のために)形成されるシリコン層のうち不純物濃度の高い所定領域のシリコンSiLcc+を一方の電極(一方の端子)として備えると共に、そのシリコン層上のゲート絶縁膜(GI膜)104を介して当該一方の電極としてのシリコンSiLcc+と対向するように形成されたゲート電極Gelを他方の電極(他方の端子)として備えている。このゲート電極Gel上には層間膜106が形成される。
 ここで、上記TFTの製造時におけるGI膜104のばらつきを考えると、図31(D)からわかるように、このばらつきに応じて寄生容量Cgdの容量値もばらつく。すなわち、寄生容量Cgdの容量値は、GI膜104が通常よりも薄く形成されればそれに応じて大きくなり、GI膜104が通常よりも厚く形成されればそれに応じて小さくなる。寄生容量Cgdの容量値にこのようなばらつきが生じると、そのばらつき応じて寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の大きさ(ΔVsl)もばらつくことになる。このため、この寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を適切に補正できなくなるおそれがある。
 これに対し、図31(A)および図31(B)に示すような構造の補正用容量素子Ccを使用する場合には、この補正用容量素子Ccと上記TFTは同一のプロセスで一体的に形成される。このため、この補正用容量素子Ccにおける上記一方の電極(SiLcc+)、他方の電極(Gel)、および、両電極間の絶縁膜(104)は、それぞれ、上記TFTにおけるチャネル領域SiLc-等を作製するために形成されるシリコン層の所定部分、ゲート電極Gelを作製するために形成される導電層の所定部分、および、GI膜を作製するために形成される絶縁層の所定部分によって構成される。したがって、上記GI膜104のばらつきに応じて上記補正用容量素子Ccの容量値も同様にばらつく。その結果、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下が大きくなれば、それに応じて補正用容量素子Ccの容量値も大きくなるので、反転遅延信号Srdkによるデータ信号線電圧の補正量も大きくなる。また、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下が小さくなれば、それに応じて補正用容量素子Ccの容量値も小さくなるので、反転遅延信号Srdkによるデータ信号線電圧の補正量も小さくなる。したがって、GI膜104の厚みの製造ばらつきによって寄生容量起因のデータ信号線電圧低下の大きさ(ΔVsl)が変動しても、各実施形態における補正回路(反転遅延回路340および補正容量回路350)により当該データ信号線電圧低下を適切に補正し、各データ信号線SL3(i-1)+kに本来与えるべきビデオ信号Sviの電圧に実質的に等しい電圧を保持させることができる(i=1~n;k=1,2,3)。
<6.変形例>
 本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて種々の変形を施すことができる。また、上記実施形態のうち複数の実施形態を組み合わせた構成も、矛盾を生じない限り本発明の範囲に含まれる。
 例えば、上記各実施形態は、データ信号線SL1~SL3nに補正用容量素子Ccを介して与えるべき反転遅延信号Srd1~Srd3を生成するために3個の反転遅延器342を備えているが(図4、図9、図14、図20、図25~図27等)、これに代えて、図32に示すように、各データ信号線SL3(i-1)+kに反転遅延器342を備え、その反転遅延器342で生成される反転遅延信号Srdkを補正用容量素子を介して当該データ信号線SL3(i-1)+kに与えるようにしてもよい(i=1~n;k=1,2,3)。このような構成によれば、各反転遅延回路342を分散して配置することができ、回路配置の自由度を上げることができる。また、データ信号線SL毎に反転遅延器342の構成を変更することで、データ信号線電圧の補正量をデータ信号線SL毎に設定することができる。例えば、各データ信号線SLに接続されるアナログスイッチとしてのトランジスタSWkのチャネル幅Wが異なる場合、データ信号線SL毎に電圧低下量も異なるが、反転遅延器342の各出力電圧を変更すれば、各データ信号線SLの電圧低下量に合わせた補正が可能となる。
 また、上記各実施形態において、反転遅延器342を構成するインバータについては、NchトランジスタおよびPchトランジスタを使用するCMOS型インバータを例に挙げて説明されているが(図12、図17参照)、NchトランジスタまたはPchトランジスタのいずれか一方のトランジスタのみを使用したインバータによって反転遅延器342が構成されていてもよい。
 また、上記各実施形態では、サンプリング回路としてのデマルチプレクス回路320におけるアナログスイッチSWkはNchトランジスタで構成されているが(図4、図9、図14、図20等)、これに代えて、図33(A)に示すようにPchトランジスタで構成されていてもよい。図33(A)は、アナログスイッチSWkとしてPchトランジスタを使用した場合の単位サンプルホールド回路を示している。図33(B)に示すように、この場合の接続切替制御信号Sckは、上記各実施形態における接続切替制御信号SckにおけるLレベル電圧VLとHレベル電圧VHを入れ替えた信号となる。このため、アナログスイッチとしてのPchトランジスタSWkがオン状態からオフ状態に切り替わるときの接続切替制御信号Sckの電圧変化は、寄生容量Cgdを介してデータ信号線SLkの電圧Vslを上昇させる方向に作用する(以下このデータ信号線電圧の上昇を「寄生容量起因のデータ信号線電圧上昇」という)。反転遅延器342は、図33(B)に示すような反転遅延信号Srdkを生成して補正用容量素子Ccの他方の端子(補正用容量素子Ccの2つの端子のうちデータ信号線SLkに接続されない方の端子)に与える。これにより、反転遅延信号SrdkのHレベル電圧VHからLレベル電圧VLへの変化分ΔVcd=VH-VLが、寄生用容量起因のデータ信号線電圧上昇ΔVslを補正する方向に作用する。したがって、この場合も、補正用容量素子Ccの容量値を既述のように適切に設定することにより、このデータ信号線電圧上昇ΔVslを相殺することができる。したがって、アナログスイッチSWkがPchトランジスタで構成される場合においても、上記各実施形態と同様の効果が得られる。
 また、上記各実施形態において、Nchトランジスタで構成されたアナログスイッチSWk(図4、図9、図14、図20等)に代えて、図34(A)に示すようにPchトランジスタTpとNchトランジスタTnが互いに並列に接続された構成のアナログスイッチSWkを使用してもよい(以下この構成のアナログスイッチを「CMOSアナログスイッチ」という)。図34(A)は、アナログスイッチSWkとしてCMOSアナログスイッチを使用した場合の単位サンプルホールド回路を示している。この場合、そのCMOSアナログスイッチを構成するNchトランジスタTnのゲート端子には接続切替制御信号Sckが与えられ、PchトランジスタTpのゲート端子には、その接続切替制御信号SckをインバータINVによって論理反転させた信号SckRが与えられる。
 図34(B)に示すように、アナログスイッチSWkを構成するPchトランジスタTpおよびNchトランジスタTnがオン状態からオフ状態に切り替わるときの接続切替制御信号Sckおよびその論理反転信号SckRの電圧変化は、寄生容量CgdNおよびCgdPをそれぞれ介してデータ信号線SLkの電圧Vslを変化(低下または上昇)させる(図34(B)は、変化の方向が低下の場合を示している)。当該変化の方向は、NchトランジスタTnの寄生容量CgdN、PchトランジスタTpの寄生容量CgdP、および、接続切替制御信号Sckに対する論理反転信号SckRの遅延量等によって決定され、当該変化の方向は計算機によるシミュレーション等で確認することができる。当該変化が低下の方向である場合、反転遅延器342は、図34(B)に示すような反転遅延信号Srdkを生成して補正用容量素子Ccの他方の端子(補正用容量素子Ccの2つの端子のうちデータ信号線SLkに接続されない方の端子)に与える。これにより、反転遅延信号SrdkのLレベル電圧VLからHレベル電圧VHへの変化分ΔVcd=VH-VLが、寄生用容量起因のデータ信号線電圧低下ΔVslを補正する方向に作用する。したがって、この場合も、補正用容量素子Ccの容量値を既述のように適切に設定することにより、このデータ信号線電圧低下ΔVslを相殺することができる。このようにして、アナログスイッチSWkがPchトランジスタTpおよびNchトランジスタTnで構成されるCMOSアナログスイッチの場合においても、上記各実施形態と同様の効果が得られる。
 アナログスイッチSWkを構成するPchトランジスタTpおよびNchトランジスタTnがオン状態からオフ状態に切り替わるときの接続切替制御信号Sckおよびその論理反転信号SckRの電圧変化が、寄生容量CgdNおよびCgdPをそれぞれ介してデータ信号線SLkの電圧Vslを上昇させる場合には、次のようにして上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、データ信号線SLkの電圧Vslの変化が上昇の方向である場合、反転遅延器342に代えて、当該反転遅延器342から論理反転機能を除去した非反転遅延器を使用し、この非反転遅延器によって生成される非反転遅延信号を補正用容量素子Ccの上記他方の端子に与える。これにより、その非反転遅延信号のHレベル電圧VHからLレベル電圧VLへの変化分ΔVcd=VH-VLが、寄生用容量起因のデータ信号線電圧上昇ΔVslを補正する方向に作用する。したがって、補正用容量素子Ccの容量値を既述のように適切に設定することにより、上記と同様、寄生容量起因のデータ信号線電圧上昇ΔVslを相殺することができる。
<7.他の実施形態>
 上記各実施形態は、SSD方式の液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、これに限定されず、アナログビデオ信号の電圧をサンプリングしてデータ信号線に保持させ、そのデータ信号線の保持電圧を表示部の画素形成部に書き込む表示装置であれば、SSD方式以外の液晶表示装置や液晶表示装置以外の表示装置にも適用可能である。
 例えば、点順次駆動方式の表示装置にも本発明を適用することができる。図35(A)は、本発明が適用可能な点順次駆動方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路の構成をアナログスイッチ部の詳細構成と共に示す図である。この点順次駆動方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路以外の構成については、上記第1の実施形態と実質的に同様であるので(図1参照)、同一または対応する部分には同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。
 このデータ信号線駆動回路は、サンプリングパルス生成回路510と、複数のデータ信号線SL1,SL2,…,SLNにそれぞれ対応する複数のアナログスイッチ部521,522,…,52Nと、上記複数のデータ信号線SL1,SL2,…,SLNのそれぞれがそれら複数のアナログスイッチ部521,522,…,52Nのいずれか1つを介して接続されるビデオライン54とを備えている。サンプリングパルス生成回路510には、1水平期間毎にHレベルとなるスタートパルスSSPと、クロック信号SCKとが入力され、ビデオライン54にはアナログビデオ信号Videoが与えられる。サンプリングパルス生成回路510は、スタートパルスSSPをクロック信号SCKに応じて1水平期間の間に入力端から出力端まで順次シフトさせるシフトレジスタを含んでおり、このシフトレジスタの各段の出力信号に基づき、所定時間ずつ順次アクティブとなる複数のサンプリング信号SAM1,SAM2,…,SAMNを出力する。これら複数のサンプリング信号SAM1,SAM2,…,SAMNは、上記複数のデータ信号線SL1,SL2,…,SLNにそれぞれ対応している。各サンプリング信号SAMj(j=1,2,…,N)は、当該サンプリング信号SAMjに対応するデータ信号線SLjに接続されるアナログスイッチ部52jに制御信号として入力される。これにより、各アナログスイッチ部52jは、それに制御信号として入力されるサンプリング信号SAMjがアクティブのときにはオン状態となり、非アクティブのときにはオフ状態となる。したがって、各データ信号線SLjは、それに対応するサンプリング信号SAMjがアクティブのときにアナログビデオ信号Videoを与えられ、非アクティブのときにビデオライン54から電気的に切り離される。各データ信号線SLjは上記第1の実施形態と同様の容量Cslを有しているので、アナログビデオ信号Videoは、サンプリング信号SAMiで順次サンプリングされて各データ信号線SLiの容量(データ信号線容量)Cslに保持されていく。
 図35(B)は、上記のような点順次駆動方式のデータ信号線駆動回路における1つデータ信号線SLjに関する部分すなわち単位サンプルホールド回路を示す回路図である。この図35(B)の単位サンプルホールド回路は、上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路(図6(A))に相当し、この図35(B)の単位サンプルホールド回路に与えられるアナログビデオ信号Videoおよびサンプリング信号SAMjは、上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路(図6(A))に与えられるビデオ信号Sv1および接続切替制御信号Sckにそれぞれ対応している。また、各アナログスイッチ部52jは、Nchトランジスタ61で構成されており、このNchトランジスタ61のゲート端子とデータ信号線SLjとの間には寄生容量CgdNが形成されている。このため、図35(B)の単位サンプルホールド回路においても、上記第1の実施形態と同様、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下が生じる。
 そこで、本発明を適用してこのデータ信号線電圧低下を補正するために、各単位サンプルホールド回路を図35(B)に示す構成から図35(C)に示す構成に変更することが考えられる。この図35(C)の単位サンプルホールド回路は、上記第1の実施形態と同様の反転遅延器342および補正用容量素子Ccを備え、この反転遅延器342によりサンプリング信号SAMjから生成される反転遅延信号が補正用容量素子Ccを介してデータ信号線SLjに与えられるように構成されている。これより、上記第1の実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、このような構成によれば、補正用容量素子Ccの容量値を適切に設定することにより、アナログビデオ信号Videoのサンプリングの際における寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を反転遅延信号の電圧変化によって相殺することで、当該データ信号線低下を確実かつ十分に抑制することができる。
 上記の図35(A)に示した点順次駆動方式のデータ信号線駆動回路では、各アナログスイッチ部52jはNchトランジスタ61(寄生容量CgdNを含む)のみで構成されているが、これに代えて、各アナログスイッチ部52jがPchトランジスタ(寄生容量CgdPを含む)のみで構成されていてもよい(j=1~N)。また、これらに代えて、図36(A)に示すようにアナログスイッチ部52jとして、Nchトランジスタ61とPchトランジスタ62が互いに並列に接続された構成すなわちCMOSアナログスイッチを使用してもよい。この構成では、各アナログスイッチ部52jは、サンプリング信号SAMjを論理反転させるためのインバータ60を含み、このインバータ60により当該サンプリング信号SAMjを論理反転させた信号がPchトランジスタのゲート端子に与えられる。図36(A)は、このような構成を備えた点順次駆動方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路の構成をアナログスイッチ部の詳細構成と共に示す図である。当該表示装置におけるデータ信号線駆動回路以外の構成についても、上記第1の実施形態と実質的に同様であるので(図1参照)、詳しい説明を省略する。
 図36(B)は、上記のような点順次駆動方式のデータ信号線駆動回路における1つデータ信号線SLjに関する部分すなわち単位サンプルホールド回路を示す回路図である。この図36(B)の単位サンプルホールド回路は、上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路(図6(A))に相当し、この図36(B)の単位サンプルホールド回路に与えられるアナログビデオ信号Videoおよびサンプリング信号SAMjは、上記第1の実施形態における単位サンプルホールド回路(図6(A))に与えられるビデオ信号Sv1および接続切替制御信号Sckにそれぞれ対応している。また、各アナログスイッチ部52jにおいて、Nchトランジスタ61には寄生容量CgdNが、Pchトランジスタ62には寄生容量CgdPがそれぞれ形成されている。このため、図36(B)の単位サンプルホールド回路においても、図34に示した上記変形例と同様、寄生容量起因のデータ信号線電圧低下または上昇が生じうる。
 そこで、本発明を適用してこのデータ信号線電圧低下または上昇を補正するために、図34に示した上記変形例と同様に、図36(B)の単位サンプルホールド回路の構成を変更することが考えられる。例えば寄生容量起因のデータ信号線電圧低下が生じる場合には、各単位サンプルホールド回路を図36(B)に示す構成から図36(C)に示す構成に変更することが考えられる。この図36(C)の単位サンプルホールド回路は、上記第1の実施形態と同様の反転遅延器342および補正用容量素子Ccを備え、この反転遅延器342によりサンプリング信号SAMjから生成される反転遅延信号が補正用容量素子Ccを介してデータ信号線SLjに与えられるように構成されている。この図36(C)の単位サンプルホールド回路は、上記各実施形態の変形例における単位サンプルホールド回路として図34(A)に示した回路と実質的に同様であり、当該変形例に関する前提と同様の前提に基づき図34(B)に示した動作と同様の動作を行う。その結果、上記第1の実施形態等と同様、ナログビデオ信号Videoのサンプリングの際における寄生容量起因のデータ信号線電圧低下を反転遅延信号の電圧変化によって相殺することで、当該データ信号線低下を確実かつ十分に抑制することができる。
 上記のような点順次駆動方式では、線順次駆動方式に比べ、各画素形成部における画素容量の充電のために確保できる時間が短い。このため、表示画像の解像度が高い場合には、画素容量に本来の電圧(アナログビデオ信号Videoの電圧)を保持できない場合すなわち画素容量の充電不足が生じる場合がある。これに対し、画素容量の充電につき十分な時間を確保するためにアナログビデオ信号を時間軸伸張してサンプリング周期を長くする方式(「相展開方式」等と呼ばれる)を採用した表示装置が知られている。この相展開方式では、アナログビデオ信号をp倍(pは2以上の整数)に時間軸伸張した信号(「p相展開信号」と呼ばれる)がp本のビデオラインでデータ信号線駆動回路に与えられる。このような相展開方式の表示装置に対しても、下記のように本発明を適用することができる。
 図37は、相展開方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路の構成を示すブロック図であり、図38は、この相展開方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。このデータ信号線駆動回路は、サンプリングパルス生成回路610と、2本のビデオライン63,64と、各データ信号線SLjに対応して設けられたアナログスイッチ部62jを備えている(j=1~N)。この相展開方式の表示装置におけるデータ信号線駆動回路以外の構成については、上記第1の実施形態と基本的に同様であるので(図1参照)、同一または対応する部分には同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。なお、図38において、アナログビデオ信号としての2相展開信号Video1,Video2に付されている記号dijは、i番目の走査信号線GLiおよびj番目のデータ信号線SLjに接続される画素形成部10(の画素容量Cp)に書き込むべき画素データを示すものとする(i=1~m、j=1~N)。
 この相展開方式の表示装置では、アナログビデオ信号を2倍に時間軸伸張した2相展開信号Video1、Video2が表示制御回路(不図示)で生成され、データ信号線駆動回路内に配設された2本のビデオライン63,64にそれぞれ与えられる。これにより、図35または図36に示した点順次駆動方式のデータ信号線駆動回路に比べ、2倍のサンプリング周期でアナログビデオ信号(2相展開信号Video1,Video2)がサンプリングされる。しかし、このサンプリングのための各アナログスイッチ部62jは、図35または図36に示したデータ信号線駆動回路におけるアナログスイッチ52jと同じ構成を有している(j=1~N)。したがって、この相展開方式のデータ信号線駆動回路(図37)においても寄生容量起因のデータ信号線電圧低下等の問題が生じる。そこで、この相展開方式のデータ信号線駆動回路(図37)においても、本発明を適用してこのデータ信号線電圧低下等を補正するために、各単位サンプルホールド回路を図35(B)に示す構成から図35(C)に示す構成に変更すること、または、図36(B)に示す構成から図36(C)に示す構成に変更することが考えられる。これにより、上記第1の実施形態等と同様、アナログビデオ信号(2相展開信号Video1,Video2)のサンプリングの際における寄生容量起因のデータ信号線電圧低下等を反転遅延信号の電圧変化によって相殺することで、当該データ信号線低下等を確実かつ十分に抑制することができる。
 本発明は、表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路、およびそれを備えた表示装置に適用することができ、特に、そのようなデータ信号線駆動回路を備え非矩形状の表示部を有する表示装置に適している。
  10   …画素形成部
  12   …TFT(薄膜トランジスタ)
  100  …表示パネル
  120  …表示部(表示領域)
  200  …走査信号線駆動回路(ゲートドライバ)
  300  …データ信号線駆動回路(ソースドライバ)
  310  …データ信号生成回路
  320  …デマルチプレクス回路(サンプリング回路)
  322  …デマルチプレクサ
  330  …補正回路
  340  …反転遅延回路
  342  …反転遅延器
  350  …補正容量回路
  400  …表示制御回路
  Cc   …補正用容量素子
  Cgd  …寄生容量
  Csl  …データ信号線容量
  SW1,SW2,SW3 …アナログスイッチ(トランジスタ)
  GL1~GLm     …走査信号線(ゲートライン)
  SL1~SL3n     …データ信号線(ソースライン)
  S1~S3n       …データ信号
  Sc1,Sc2,Sc3 …接続切替制御信号(アナログスイッチの制御信号)
  Srd1,Srd2,Srd3 …反転遅延信号
  Sv1~Svn        …ビデオ信号(アナログ映像信号)
  VH  …Hレベル電圧(オン電圧、第1レベル電圧)
  VL  …Lレベル電圧(オフ電圧、第2レベル電圧)

Claims (17)

  1.  表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路であって、
     前記複数のデータ信号線のそれぞれに対して設けられ、対応するデータ信号線に接続された画素形成部に与えるべきアナログ映像信号を受け取るための第1導通端子と、当該対応するデータ信号線に接続された第2導通端子と、オン状態とオフ状態を切り替えるための制御信号を受け取るための制御端子とを有する電界効果トランジスタを含むアナログスイッチと、
     前記対応するデータ信号線に一方の端子が接続された補正用容量素子と、
     前記制御信号を論理反転させると共に、前記制御信号が前記トランジスタをオン状態とするための第1レベル電圧からオフ状態とするための第2レベル電圧への変化を開始してから前記トランジスタがオフ状態となるまでの時間に応じた所定時間だけ前記制御信号を遅延させることにより、反転遅延信号を生成し、当該反転遅延信号を前記補正用容量素子の他方の端子に与える反転遅延回路と
    を備えることを特徴とする、データ信号線駆動回路。
  2.  前記反転遅延回路は、前記トランジスタがオフされるときには前記トランジスタがオフ状態となった後に前記反転遅延信号が前記第2レベル電圧から前記第1レベル電圧への変化を開始するように前記反転遅延信号を生成することを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  3.  前記反転遅延回路は、前記トランジスタがオフされるときには前記制御信号が前記第2レベル電圧に達した後に前記反転遅延信号が前記第2レベル電圧から前記第1レベル電圧への変化を開始するように前記反転遅延信号を生成することを特徴とする、請求項2に記載のデータ信号線駆動回路。
  4.  前記補正用容量素子の容量値は、前記トランジスタにおける前記制御端子と前記第2導通端子との間の寄生容量、前記第1レベル電圧と前記第2レベル電圧との差、および、前記制御信号が前記第1レベル電圧から前記第2レベル電圧に向かって変化するときに前記トランジスタがオフ状態となる前記制御信号の電圧に基づき決定される所定値であることを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  5.  前記反転遅延回路は、互いに縦続接続された3個以上の奇数個のインバータを含むことを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  6.  前記反転遅延回路は、少なくとも1個のシュミットトリガ型インバータを有し前記制御信号から前記反転遅延信号を生成する反転遅延器を含むことを特徴とする、請求項1または5に記載のデータ信号線駆動回路。
  7.  前記反転遅延回路におけるシュッミットトリガ型インバータは、マルチゲート化されたトランジスタを含むことを特徴とする、請求項6に記載のデータ信号線駆動回路。
  8.  前記反転遅延回路は各データ信号線に設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  9.  前記アナログスイッチは、前記対応するデータ信号線の一方の端部に配置され、
     前記補正用容量素子は、前記対応するデータ信号線の他方の端部に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  10.  前記複数のデータ信号線は、2以上の所定数のデータ信号線を1組として複数組のデータ信号線群にグループ化されており、
     前記反転遅延回路は、前記所定数のデータ信号線にそれぞれ対応する所定数の反転遅延器を含み、
     前記所定数の反転遅延器のそれぞれは、各組のデータ信号線群を構成する前記所定数のデータ信号線のうち対応するデータ信号線に接続されたアナログスイッチに与えるべき制御信号を受け取り、当該制御信号から反転遅延信号を生成し、当該対応するデータ信号線に接続された前記補正用容量素子の前記他方の端子に当該反転遅延信号を与えることを特徴とする、請求項1または9に記載のデータ信号線駆動回路。
  11.  前記所定数の反転遅延器は、前記データ信号線駆動回路における前記複数のデータ信号線が延びる方向と垂直な方向の端部の一方と他方とに分散して配置されていることを特徴とする、請求項10に記載のデータ信号線駆動回路。
  12.  前記補正用容量素子は、前記トランジスタのゲート絶縁膜を作製するために形成される絶縁層の所定部分と、前記トランジスタのゲート電極を作製するために形成される導電層の所定部分と、前記トランジスタのチャネル部を作製するために形成される半導体層の所定部分とによって構成されていることを特徴とする、請求項1に記載のデータ信号線駆動回路。
  13.  複数のデータ信号線と、前記複数のデータ信号線と交差する複数の走査信号線と、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿ってマトリクス状に配置された複数の画素形成部とが設けられた表示部を有する表示装置であって、
     請求項1に記載のデータ信号線駆動回路と、
     前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路と
    を備えることを特徴とする、表示装置。
  14.  前記アナログスイッチは、前記対応するデータ信号線の一方の端部に配置され、
     前記補正用容量素子は、前記対応するデータ信号線の他方の端部に配置されていることを特徴とする、請求項13に記載の表示装置。
  15.  前記複数のデータ信号線は、2以上の所定数のデータ信号線を1組として複数組のデータ信号線群にグループ化されており、
     前記反転遅延回路は、前記所定数のデータ信号線にそれぞれ対応する所定数の反転遅延器を含み、
     前記所定数の反転遅延器のそれぞれは、各組のデータ信号線群を構成する前記所定数のデータ信号線のうち対応するデータ信号線に接続されたアナログスイッチに与えるべき制御信号を受け取り、当該受け取る制御信号から反転遅延信号を生成し、前記対応するデータ信号線に接続された補正用容量素子の前記他方の端子に当該生成された反転遅延信号を与え、
     前記所定数の反転遅延器は、前記データ信号線駆動回路における前記複数のデータ信号線が延びる方向と垂直な方向の端部の一方と他方とに分散して配置されていることを特徴とする、請求項13または14に記載の表示装置。
  16.  前記表示部は、非矩形状であり、
     前記複数のデータ信号線のうち少なくとも2つ以上のデータ信号線の長さは、前記表示部の形状に応じて互いに異なることを特徴とする、請求項13から15のいずれか1項に記載の表示装置。
  17.  表示すべき画像を形成するための複数の画素形成部に接続される複数のデータ信号線のそれぞれにアナログ映像信号を与えて保持させるためのアナログスイッチを有するデータ信号線駆動回路によるデータ信号線駆動方法であって、
     前記複数のデータ信号線のいずれか1つのデータ信号線に前記アナログスイッチを介して前記アナログ映像信号を与えるステップと、
     前記1つのデータ信号線に前記アナログスイッチを介して前記アナログ映像信号を与えた後に、前記アナログスイッチに与えられる制御信号のレベルを変化させることにより前記アナログスイッチをオフ状態とするステップと、
     前記制御信号を論理反転させると共に、前記制御信号が前記アナログスイッチをオン状態とするための第1レベル電圧からオフ状態とするための第2レベル電圧への変化を開始してから前記トランジスタがオフ状態となるまでの時間に応じた所定時間だけ前記制御信号を遅延させることにより、反転遅延信号を生成するステップと、
     前記反転遅延信号を補正用容量素子を介して前記1つのデータ信号線に与えるステップと
    を備えることを特徴とする、データ信号線駆動方法。
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