WO2015194259A1 - 冷却器及び冷却器の固定方法 - Google Patents

冷却器及び冷却器の固定方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015194259A1
WO2015194259A1 PCT/JP2015/062411 JP2015062411W WO2015194259A1 WO 2015194259 A1 WO2015194259 A1 WO 2015194259A1 JP 2015062411 W JP2015062411 W JP 2015062411W WO 2015194259 A1 WO2015194259 A1 WO 2015194259A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cooler
hole
wall
wall portion
fixing
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/062411
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
諒 丸山
Original Assignee
富士電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士電機株式会社 filed Critical 富士電機株式会社
Priority to US15/108,275 priority Critical patent/US10319665B2/en
Priority to JP2016529144A priority patent/JP6315091B2/ja
Priority to CN201580003586.XA priority patent/CN105874592B/zh
Priority to EP15810584.1A priority patent/EP3076428B1/en
Publication of WO2015194259A1 publication Critical patent/WO2015194259A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4075—Mechanical elements
    • H01L2023/4087—Mounting accessories, interposers, clamping or screwing parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1425—Converter
    • H01L2924/14252—Voltage converter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Definitions

  • the present invention relates to a cooler for cooling a semiconductor module.
  • the cooler has a refrigerant flow path in a connection region for fixing the cooler to a substrate, has a high cooling efficiency, and is excellent in space saving. It relates to the fixing method.
  • a power semiconductor element may be incorporated into a circuit board as a single unit, but a semiconductor module that combines multiple power semiconductor elements into a single package, or an intelligent power module that includes a control circuit, drive circuit, protection circuit, etc. Modules (IPM) are also used.
  • a semiconductor module on which a plurality of power semiconductor elements are mounted has a large calorific value, and is preferably liquid-cooled in terms of cooling efficiency.
  • additional devices such as a circulation pump and a secondary cooler are added, and the number of parts increases. Therefore, it is necessary to make each part as small as possible.
  • downsizing of the semiconductor module and the cooler has become one of the highest priority issues.
  • Optimizing the structure of the partition walls and cooling fins installed in the flow path for circulating the refrigerant is the most important for downsizing the cooler, but there are other assembly parts required for mounting the cooler on the base. The size reduction is important.
  • Reference documents 1 to 4 disclose a fixing method in which a semiconductor module and a cooler are fastened and fixed with screws.
  • JP-A-8-321570 Japanese Patent Laid-Open No. 9-22971 JP 2002-141450 A JP 2008-235725 A
  • an object of the present invention is to provide a cooler that cools a semiconductor module and that also has a refrigerant flow path in a connection region for fixing the cooler to a base, has a high cooling efficiency, and is excellent in space saving.
  • An object of the present invention is to provide a method for fixing the cooler.
  • a cooler is a cooler that is fixed to a base body and cools a semiconductor module, wherein a first wall portion having a first through hole is disposed opposite to the first wall portion and the first wall portion is disposed.
  • a cooler body having a flow path and a lid that closes the first through hole are provided.
  • a second through hole is provided in the connection region of the second wall portion, and the second through hole is large enough to pass through the first through hole. It is preferable to provide a fixing member that is inserted to fix the cooler body to the base.
  • an inner diameter of the second through hole on the refrigerant flow path side is wider than an inner diameter of the second through hole on the base side.
  • the fixing member is a screw having a head portion and a screw portion, and the coolant passage side of the second through hole is a groove so that the head portion of the screw is accommodated. It is preferable that the head is disposed so as not to protrude into the refrigerant flow path.
  • a seal member is provided between the second through hole and the fixing member.
  • a wall portion having a wall thickness that is thinner than a wall thickness of another region is provided in the connection region of the second wall portion.
  • a plurality of fins are connected to the refrigerant flow path side of the first wall portion so as not to block the first through hole.
  • the lid is formed to be detachable from the first wall portion.
  • the lid is installed so as not to protrude into the refrigerant flow path.
  • the semiconductor module is fixed to the outside of the first wall portion, and the thickness of the first wall portion is thinner than the thickness of the second wall portion.
  • the method for fixing a cooler is a fixing method for fixing a cooler that cools a semiconductor module to a base.
  • a first wall portion having a first through hole, the first wall portion being disposed opposite to the first wall portion.
  • Refrigerant flow surrounded by a second wall having a connection region connected to the base at a position facing the through hole, and a side wall connecting the periphery of the first wall and the periphery of the second wall
  • a first step of preparing a cooler comprising a cooler body having a path and a lid for closing the first through hole; and a second step of positioning and contacting the outer side of the second wall portion to the base body Including a step, a third step of inserting a connection means through the first through-hole to fix the connection region to the base body, and a fourth step of closing the first through-hole with the lid.
  • the cooler fixing method of the present invention in the first step, the cooler having a second through hole in the connection region of the second wall is used as the cooler, and the third step.
  • the connecting means is a fixing member that is sized to pass through the first through-hole and is inserted into the second through-hole to fix the cooler body to the base.
  • a fixing hole is provided in a portion where the region contacts, the fixing member is inserted into the cooler through the first through hole, and further inserted into the second through hole from the inside of the cooler, and the base body It is preferable to fix to the fixing hole.
  • a welding tool is used as the connection means, the welding tool is inserted into the cooler through the first through hole, and the connection region Is preferably fixed to the base by welding.
  • connection region for fixing the cooler to the base body is also provided with a refrigerant flow path, has a high cooling efficiency, and is excellent in space saving, and the cooling A method of fixing the vessel can be provided.
  • the configuration of the semiconductor module is not particularly limited, but can be applied to, for example, a semiconductor module having an inverter circuit as described below.
  • FIG. 1 shows an inverter circuit 1 that converts power from direct current to three-phase alternating current.
  • an element pair 2 is constituted by one each of a semiconductor element (transistor) 11a and a semiconductor element (diode) 11b, and the element pair 2 is connected in series to constitute a half bridge 3, and the half bridge 3 Are connected in parallel.
  • FIG. 2 (a) shows a schematic plan view of the semiconductor module 10 on which the inverter circuit 1 is mounted. That is, the semiconductor element (transistor) 11a and the semiconductor element (diode) 11b are mounted on the substrate 12 one by one and electrically connected by a conductor wire (not shown), and the element shown in FIG. Pair 2 can be configured.
  • the semiconductor module 10 a total of six substrates 12 are mounted in two rows and three columns, and according to the circuit diagram shown in FIG. 1, the inverter circuit 1 can be configured by being electrically connected by conductor wires.
  • the semiconductor module 10 may be equipped with a control integrated circuit 13 having gate drive control of the semiconductor element (transistor) 11a and / or circuit protection functions (short circuit, overcurrent, control power supply voltage drop, overheat). it can.
  • the power semiconductor module including the control integrated circuit 13 is called IPM (Intelligent Power Module).
  • the semiconductor module 10 can be mounted with a passive element 14 such as a capacitor, a resistor, and / or a thermistor as necessary for noise suppression and temperature measurement.
  • a passive element 14 such as a capacitor, a resistor, and / or a thermistor as necessary for noise suppression and temperature measurement.
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the semiconductor module 10.
  • Conductive layers 12b and 12c are formed on the front surface and the back surface of the insulating substrate 12a to constitute the substrate 12.
  • the insulating substrate 12a is preferably a ceramic substrate such as aluminum nitride or aluminum oxide that has excellent thermal conductivity.
  • the conductor layers 12b and 12c can be formed of a metal such as copper.
  • the semiconductor element (transistor) 11 a and the semiconductor element (diode) 11 b can be bonded to the conductor layer 12 b via the solder layer 15.
  • the substrate 12 can directly bond the conductor layer 12c on the back surface thereof to the cooler 20 via the solder layer 16.
  • the substrate 12 has a conductor layer 12c on its back surface joined to a base plate 17 such as copper or nickel plated aluminum via the solder layer 16, and this base. Thermal grease can be applied to the back surface of the plate 17 and pressed against the cooler 20.
  • the semiconductor module 10 includes a semiconductor element (transistor) 11a, a semiconductor element (diode) 11b, a control integrated circuit 13, a passive element 14 and a substrate 12 wired with conductor wires, and then thermosetting containing silicone gel or glass filler. It can be filled with a functional resin and sealed.
  • the cooler of the present invention can be used not only for cooling the semiconductor module as described above but also for cooling a large-scale integrated circuit, a discrete semiconductor, or a passive element, a chip resistor, and a chip inductor composed of one chip.
  • an IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • SiC-MOSFET SiC-MOSFET having a low on-resistance and a high switching speed
  • the semiconductor element (diode) 11b a SiC diode having a low on-resistance and a high withstand voltage can be used.
  • a power MOSFET having a conventional structure formed on a Si substrate has a higher on-resistance and lower performance than an IGBT or SiC-MOSFET, but has a built-in body diode.
  • the semiconductor element (diode) 11b becomes unnecessary. Therefore, the inverter circuit can be integrated on one chip and used for low power applications.
  • the present invention relates to a cooler 20 used for cooling the semiconductor module 10 as described above and a fixing method thereof. That is, as shown in FIG. 3B, the cooler 20 in which the semiconductor module 10 is installed is used by being fixed to some base body 30.
  • the cooler 20 has a through hole formed in a portion other than the refrigerant flow path, and the cooler 20 is attached to the base 30 by screws such as bolts inserted through the through hole. It was fixed.
  • the present invention has been made to solve such problems.
  • FIG. 3A is a schematic plan view of the cooler 20 according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A ′ thereof.
  • the cooler 20 of the present invention includes a wall portion 21, cooling fins 22, a refrigerant introduction port 23, and a refrigerant discharge port 24.
  • the wall portion 21 is joined to the semiconductor module 10 and has a first through hole 26.
  • a first wall portion 21a, a second wall portion 21b provided with a connection region 27 connected to the base body 30 at a position facing the first wall portion 21a and facing the first through hole 26, and the first wall portion 21a. It consists of a side wall part 21c that connects the periphery and the periphery of the second wall part 21b, and the second wall part 21b includes a second through hole 28 in the connection region 27.
  • a refrigerant introduction flow path 25a, a cooling flow path 25b, and a refrigerant discharge flow path 25c are formed in a space surrounded by the first wall portion 21a, the second wall portion 21b, and the side wall portion 21c. In the present invention, all these channels are collectively referred to as a refrigerant channel.
  • the cooling fins 22 are connected to the first wall portion 21a.
  • a pin fin, a blade fin, or a corrugated fin can be used.
  • a pin of the pin fin a cylindrical or quadrangular prism pin can be used, and a square arrangement or a staggered arrangement can be used.
  • Blade fins and corrugated fins may have a straight shape so as to form a straight flow path, but a waving fin that undulates the fins so that the flow path meanders, and the fin is divided in the longitudinal direction and offset in the lateral direction. You may make it an offset fin arranged and attached.
  • the wall 21 and the cooling fin 22 are preferably formed using a metal material having high thermal conductivity, for example, aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, etc. More preferably, it is integrally formed by welding or casting.
  • the refrigerant inlet 23 and the refrigerant outlet 24 are arranged on the diagonal line of the wall 21 of the cooler. Moreover, the 1st through-hole 26 and the 2nd through-hole 28 are arrange
  • the refrigerant flows into the refrigerant introduction flow path 25 a from the refrigerant introduction port 23, flows dispersedly in the plurality of cooling flow paths 25 b formed between the cooling fins 22, and the refrigerant discharge flow Collected in the passage 25c and discharged from the refrigerant outlet 24.
  • the first wall 21a and the cooling fins 22 are cooled by the refrigerant, and the semiconductor module 10 is cooled by the cooled first wall 21a.
  • FIG. 4A shows a state before the cooler 20 is fixed.
  • FIG. 2B shows a state in which the cooler 20 is being fixed.
  • FIG. 2C shows a state after the fixing operation of the cooler 20.
  • the base body 30 is provided with a fixing hole 31 for fixing the cooler 20.
  • the inner diameter of the first through hole 26 is set to a size that allows the fixing member 40 and the seal member 41 to pass therethrough, and the cooling fins 22 are arranged so as not to close the first through hole 26 so that the fixing member 40 and the seal member 41 are sealed. The passage of the member 41 is not hindered.
  • the inner diameter of the second through hole 28 on the refrigerant introduction flow path 25a and the refrigerant discharge flow path 25c side is made wider than the inner diameter of the second through hole 28 on the base body 30 side.
  • a portion where the inner diameter of the second through hole 28 is widened constitutes a “groove” in the present invention.
  • the fixing member 40 is preferably a screw composed of a head portion and a screw portion.
  • the fixing hole 31 is a screw hole into which the screw is screwed.
  • the groove is provided on the refrigerant flow path side of the second through hole 28 so that the head of the fixing member 40 and the seal member 41 are accommodated, and the head of the fixing member 40 does not protrude into the refrigerant flow path. Has been.
  • the shape of the screw is not particularly limited, but the head is preferably flat, such as a low head screw, a flat screw, a pan head screw, and a flat head screw, and a low head screw and a flat screw are more preferable.
  • the seal member 41 is not particularly limited, and an O-ring, a rubber gasket, a PTFE punched gasket, a seal tape, or a liquid seal material can be used.
  • the process of preparing the cooler 20 as described above is the first process in the present invention.
  • the cooler 20 is positioned on the base body 30 and the outside of the second wall portion 21b is brought into contact with the base body 30. .
  • This step is the second step in the present invention.
  • the fixing member 40 and the seal member 41 are inserted from the first through hole 26, and the fixing member 40 is inserted into the second through hole 28 from the inside of the cooler 20 through the seal member 41 to fix the base body 30. Insert into the service hole 31 and fix.
  • the fixing member 40 is a screw
  • the fixing member 40 can be fixed by being screwed into the fixing hole 31 and tightened.
  • the second through hole 28 is hermetically sealed by a seal member 41 sandwiched between the head of the fixing member 40 and the second wall portion 21b.
  • the first through hole 26 can be hermetically closed by inserting and fixing the lid 50 to the first through hole 26 via the seal member 51.
  • This step is the fourth step in the present invention.
  • the lid 50 is preferably installed so as not to protrude into the refrigerant flow path. Moreover, it is preferable that the lid
  • the screw which consists of a head and a screw part can be used. In that case, a screw groove into which the screw portion of the lid 50 is screwed is formed on the inner periphery of the first through hole 26.
  • the refrigerant introduction flow path 25a and the refrigerant discharge flow path 25c are secured between the lid 50 that closes the first through hole 26 and the fixing member 40 that is inserted into the second through hole 28, thereby forming a connection region. Since the refrigerant flow path can be formed also in the first through hole 26 and the second through hole 28, the cooler 20 can be made compact, and the refrigerant introduction flow path 25a and the refrigerant discharge flow path 25c are straightened, The flow can be improved.
  • FIG. 5A is a schematic plan view of a cooler 20a according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A ′.
  • the cooler 20 a includes a wall portion 21, a cooling fin 22, a refrigerant introduction port 23, and a refrigerant discharge port 24, and the wall portion 21 is joined to the semiconductor module 10 and has a first through hole 26.
  • 21a a second wall portion 21b that is disposed opposite to the first wall portion 21a and includes a connection region 27 that is connected to the base body 30 at a position facing the first through hole 26, and the first wall portion 21a. It consists of a side wall portion 21c that connects the periphery and the periphery of the second wall portion 21b.
  • a recess is formed from the inside of the cooler 20 in the connection region 27 to reduce the thickness of the second wall portion 21b.
  • the cooler 20a is the same as the first embodiment of the present invention for the wall 21, the cooling fins 22, the refrigerant inlet 23, and the refrigerant outlet 24 except for the shape of the connection region 27. it can.
  • FIG. 6A shows a state before the fixing operation of the cooler 20a.
  • FIG. 2B shows a state during the fixing operation of the cooler 20a.
  • FIG. 2C shows a state after the fixing operation of the cooler 20a.
  • the base 30 in the connection region 32, may be formed with a depression on the surface opposite to the surface in contact with the cooler 20a to reduce the thickness.
  • the inner diameter of the first through hole 26 is set to a size that allows the connection means 60 to pass therethrough, and the cooling fins 22 are arranged so as not to block the first through hole 26 so as not to prevent the passage of the connection means 60. be able to.
  • the process of preparing such a cooler 20a is the first process in the present invention.
  • a welding tool is used as the connection means 60.
  • spot welding lap resistance welding
  • laser welding with less damage to the base material of the cooler 20a is preferable.
  • the cooler 20a is positioned and installed on the base body 30, and the outside of the second wall portion 21b is brought into contact with the base body 30.
  • This step is the second step of the present invention.
  • This step is the third step of the present invention.
  • This step is the fourth step of the present invention.
  • connection means 60 a brazing tool or the like can be used in addition to the welding tool.
  • a brazing material is provided between the connection region 27 of the second wall portion 21 b and the connection region 32 of the base body 30.
  • a portion excluding the cooling fins 22 is provided in the central portion of the refrigerant flow path, and the first through hole 26 and the second through hole 28 are also provided there.
  • the central part of the coolant channel can also be fixed to the base body, it can be firmly fixed even if the size of the cooler is increased.
  • the first through hole 26 and the second through hole 28 arranged at the four corners of the wall portion 21 of the cooler are reduced to two diagonal corners, and the guide wall 29 is formed in an empty place. It is arranged to control the flow of refrigerant and prevent the occurrence of hot spots.
  • the refrigerant introduction port 23, the refrigerant discharge port 24, the first through-hole 26, and the second through-hole 28 are arranged on the center line of the wall portion 21 of the cooler, and guides are provided at four empty corners.
  • a wall 29 is arranged.
  • the refrigerant introduction port 23 and the refrigerant discharge port 24 are arranged on one side of the wall 21 of the cooler, and the refrigerant introduction flow path 25a and the refrigerant introduction flow are provided in order to equalize the flow rate.
  • a guide wall 29 is disposed on the path 25c.
  • the positions of the first through hole 26 and the second through hole 28 can be set relatively freely according to the design of the refrigerant flow path, and the cooling efficiency of the cooler can be improved. Can contribute.
  • Inverter circuit 2 Element pair 3: Half bridge 10: Semiconductor module 11: Semiconductor element 11a: Semiconductor element (transistor) 11b: Semiconductor element (diode) 12: substrate 12a: insulating substrate 12b, 12c: conductor layer 13: control integrated circuit 14: passive element 15, 16: solder layer 17: base plates 20, 20a, 20b, 20c, 20d, 20e: cooler 21: wall Part 21a: First wall part 21b: Second wall part 21c: Side wall part 22: Cooling fin 23: Refrigerant inlet 24: Refrigerant outlet 25a: Refrigerant inlet channel 25b: Cooling channel 25c: Refrigerant outlet channel 26: First through holes 27, 32: Connection region 28: Second through hole 29: Guide wall 30: Base 31: Fixing hole 40: Fixing member 41, 51: Seal member 50: Lid 60: Connection means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

　半導体モジュールを冷却する冷却器において、基体に冷却器を固定するための接続領域にも冷媒流路を備え、冷却効率が高く、省スペースに優れた冷却器、及び該冷却器の固定方法を提供する。基体に半導体モジュール１０を冷却する冷却器２０を固定する固定方法において、第１貫通孔２６を持った第１壁部２１ａ、第１壁部２１ａと対向配置され第１貫通孔２６と対向する位置に基体３０と接続される接続領域２７を備える第２壁部２１ｂ、及び、第１壁部２１ａの周囲と第２壁部２１ｂの周囲とを接続する側壁部２１ｃで囲まれる冷媒流路を備えた冷却器本体と、第１貫通孔２６を塞ぐ蓋５０とを備える冷却器２０を用い、前記第２壁部２１ｂの外側を基体３０に位置決めして接触させた状態で、第１貫通孔２６を通して固定手段４０を挿入して、前記接続領域２７を前記基体３０に固定し、第１貫通孔２６を前記蓋で塞ぐことが好ましい。

Description

冷却器及び冷却器の固定方法
　本発明は半導体モジュールを冷却する冷却器に係り、基体に冷却器を固定するための接続領域にも冷媒流路を備え、冷却効率が高く、省スペースに優れた冷却器、及び該冷却器の固定方法に関する。
　低炭素社会の実現に向け、エネルギー変換効率の高いインバータ回路を使用した、電源や電動機、及びそれらを応用したハイブリットカー、電気自動車等の導入が加速している。これらの分野では、パワー半導体素子と呼ばれる、整流ダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ，ＩＧＢＴ、サイリスタ等が大電流制御に用いられている。パワー半導体素子は回路基板に単体で組み込まれることもあるが、複数個のパワー半導体素子を一つのパッケージにまとめた半導体モジュール、もしくは制御回路・駆動回路・保護回路なども含めてモジュール化したインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）も使用されている。
　パワー半導体素子ではオン抵抗を下げる設計がなされているものの、高出力化にともなう発熱量の増大は避けられず、すでに空冷式から液冷式に移行している分野もある。特に、複数個のパワー半導体素子を搭載した半導体モジュールについては、発熱量が大きいため、冷却効率の点では、液冷式であることが好ましい。ただし、液冷式にすると、循環ポンプや２次冷却器などの付属装置が加わり、部品点数が増えるため、個々の部品は可能な限り小型化することが必要とされている。特に、電気自動車用途においては、実装空間が限られているため、半導体モジュール及び冷却器の小型化は、最も優先度の高い課題の一つになっている。
　冷却器の小型化には、冷媒を流通させる流路に設置された、隔壁や冷却フィンの構造最適化が最も重要であるが、その他にも、基体に冷却器を取り付けるために要する、組立部のサイズ縮小が重要である。
　引用文献１～４には、半導体モジュールと冷却器をネジで締結して固定する固定法が開示されている。
特開平８－３２１５７０号公報 特開平９－２２９７１号公報 特開２００２－１４１４５０号公報 特開２００８－２３５７２５号公報
　しかしながら、従来は、冷却器本体を貫通するボルトやネジ等の固定部材によって、冷却器を基体に締結する構造を採用しており、前記固定部材が貫通する場所には、冷媒の流路を設けることができず、迂回した流路を設置することになり、冷却不足によってホットスポットになる危険性があった。また、冷却器内部に冷却フィン又は隔壁を設置する場合、前記固定部材の貫通場所は冷却フィン又は隔離壁の設置の障害となり、冷却効率を優先した配置にすることが難しかった。
　よって、本発明の目的は、半導体モジュールを冷却する冷却器において、基体に冷却器を固定するための接続領域にも冷媒流路を備え、冷却効率が高く、省スペースに優れた冷却器、及び該冷却器の固定方法を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の冷却器は、基体に固定され半導体モジュールを冷却する冷却器において、第１貫通孔を持った第１壁部、前記第１壁部と対向配置され前記第１貫通孔と対向する位置に前記基体と接続される接続領域を備える第２壁部、及び、前記第１壁部の周囲と前記第２壁部の周囲とを接続する側壁部で囲まれる冷媒流路を備えた冷却器本体と、前記第１貫通孔を塞ぐ蓋と、を備えることを特徴とする。
　また、本発明の冷却器において、前記第２壁部の前記接続領域には、第２貫通孔が設けられ、前記第１貫通孔を通過可能な大きさであって、前記第２貫通孔に挿入されて前記冷却器本体を前記基体に固定する、固定部材を備えることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記第２貫通孔の前記冷媒流路側の内径は、前記第２貫通孔の前記基体側の内径よりも広いことが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記固定部材が、頭部とネジ部からなるネジであり、前記第２貫通孔の前記冷媒流路側は、前記ネジの前記頭部が収容されるように溝が設けられ、前記頭部が前記冷媒流路に突出しないように配置されていることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記第２貫通孔と前記固定部材との間にシール部材を備えることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記第２壁部の前記接続領域には、肉厚が他の領域の肉厚よりも薄くなっている壁部が設けられていることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記第１壁部の冷媒流路側には、前記第１貫通孔を閉塞しないように、複数のフィンが接続されていることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記蓋は、前記第１壁部から着脱自在に形成されていることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記蓋は、前記冷媒流路に突出しないように設置されていることが好ましい。
　また、本発明の冷却器において、前記半導体モジュールが前記第１壁部の外側に固定され、前記第１壁部の厚さは、前記第２壁部の厚さより薄いことが好ましい。
　本発明の冷却器の固定方法は、基体に半導体モジュールを冷却する冷却器を固定する固定方法において、第１貫通孔を持った第１壁部、前記第１壁部と対向配置され前記第１貫通孔と対向する位置に前記基体と接続される接続領域を備える第２壁部、及び、前記第１壁部の周囲と前記第２壁部の周囲とを接続する側壁部で囲まれる冷媒流路を備えた冷却器本体と、前記第１貫通孔を塞ぐ蓋とを備える冷却器を用意する第１の工程と、前記第２壁部の外側を前記基体に位置決めして接触させる第２の工程と、前記第１貫通孔を通して接続手段を挿入して、前記接続領域を前記基体に固定する第３の工程と、前記第１貫通孔を前記蓋で塞ぐ第４の工程とを含むことを特徴とする。
　また、本発明の冷却器の固定方法においては、前記第１の工程において、前記冷却器として、前記第２壁部の前記接続領域に第２貫通孔を有するものを用い、前記第３の工程において、前記接続手段として、前記第１貫通孔を通過可能な大きさであって前記第２貫通孔に挿入されて前記冷却器本体を前記基体に固定する固定部材を用い、前記基体の前記接続領域が接する部分には、固定用孔を設け、前記第１貫通孔を通して前記固定部材を前記冷却器内に挿入し、更に前記冷却器の内側から前記第２貫通孔に挿入して、前記基体の固定用孔に固定することが好ましい。
　また、本発明の冷却器の固定方法においては、前記第３の工程において、前記接続手段として溶接工具を用い、前記第１貫通孔を通して前記溶接工具を前記冷却器内に挿入し、前記接続領域を前記基体に溶接して固定することが好ましい。
　本発明によれば、半導体モジュールを冷却する冷却器において、基体に冷却器を固定するための接続領域にも冷媒流路を備え、冷却効率が高く、省スペースに優れた冷却器、及び該冷却器の固定方法を提供することができる。
半導体モジュールの回路の一例を示す模式図である。 半導体モジュールの構造の一例を示す模式図である。 本発明の冷却器の第１の実施形態に係る構造模式図である。 本発明の冷却器の第１の実施形態に係る組立手順を示す模式図である。 本発明の冷却器の第２の実施形態に係る構造模式図である。 本発明の冷却器の第２の実施形態に係る組立手順を示す模式図である。 本発明の冷却器の接続領域を変更した他の実施形態を示す構造模式図である。 本発明の冷却器の接続領域を変更した更に他の実施形態を示す構造模式図である。 本発明の冷却器の接続領域を変更した更に他の実施形態を示す構造模式図である。 本発明の冷却器の接続領域を変更した更に他の実施形態を示す構造模式図である。
　本発明において、半導体モジュールの構成は特に限定されないが、例えば下記のようなインバータ回路を有する半導体モジュール等に適用できる。
　図１には、直流を３相交流に電力変換するインバータ回路１が示されている。このインバータ回路１は、半導体素子（トランジスタ）１１ａと、半導体素子（ダイオード）１１ｂの各１個から素子ペア２を構成し、素子ペア２を直列接続してハーフブリッジ３を構成し、ハーフブリッジ３を並列接続して構成されている。
　図２（ａ）には、このインバータ回路１を搭載した半導体モジュール１０の平面模式図が示されている。すなわち、基板１２上に、半導体素子（トランジスタ）１１ａと、半導体素子（ダイオード）１１ｂを１個ずつ搭載し、導体ワイヤ（図示していない）によって電気的に接続して、図１に示した素子ペア２を構成することができる。半導体モジュール１０には、基板１２が２行３列に合計６個搭載され、図１に示す回路図にしたがい、導体ワイヤによって電気的に接続して、インバータ回路１を構成することができる。
　また、半導体モジュール１０は、半導体素子（トランジスタ）１１ａのゲート駆動制御、及び／又は、回路保護機能（短絡、過電流、制御電源電圧低下、過熱）を備える制御用集積回路１３を搭載することができる。制御用集積回路１３を備える電力用半導体モジュールは、ＩＰＭ（Intelligent Power Module）と呼ばれている。
　また、半導体モジュール１０は、ノイズ抑制や温度測定のため、必要に応じて、容量、抵抗及び／又はサーミスタなどの受動素子１４を搭載することができる。
　図２（ｂ）には、半導体モジュール１０の断面模式図が示されている。
　絶縁基板１２ａの表面及び裏面には導体層１２ｂ及び１２ｃが形成され、基板１２を構成している。絶縁基板１２ａは、熱伝導性に優れる、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等のセラミック基板であることが好ましい。導体層１２ｂ及び１２ｃは、銅等の金属によって形成することができる。
　半導体素子（トランジスタ）１１ａ及び半導体素子（ダイオード）１１ｂは、半田層１５を介して、導体層１２ｂに接合することができる。
　本発明の一つの実施形態によれば、基板１２は、その裏面の導体層１２ｃを、半田層１６を介して、冷却器２０に直接接合することができる。
　また、本発明の別の実施形態によれば、基板１２は、その裏面の導体層１２ｃを、半田層１６を介して、銅又はニッケルメッキされたアルミニウム等のベース板１７に接合し、このベース板１7の裏面にサーマルグリースを塗布して、冷却器２０に押し付けることができる。
　なお、半導体モジュール１０は、半導体素子（トランジスタ）１１ａ、半導体素子（ダイオード）１１ｂ、制御用集積回路１３、受動素子１４及び基板１２を導体ワイヤで配線した後、シリコーンゲル又はガラスフィラを含む熱硬化性樹脂を充填して封止することができる。
　本発明の冷却器は、上記のような半導体モジュールのみならず、１チップから構成される、大規模集積回路、ディスクリート半導体、又は受動素子、チップ抵抗、チップインダクタの冷却に用いることができる。
　半導体素子（トランジスタ）１１ａには、オン抵抗が低く、スイッチング速度が速い、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)、又はＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを使用することができる。
　また、半導体素子（ダイオード）１１ｂには、オン抵抗が低く、耐圧が高い、ＳｉＣダイオードを使用することができる。
　半導体素子（トランジスタ）１１ａとして、Ｓｉ基板上に形成された従来構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、ＩＧＢＴやＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴと比べて、オン抵抗が高く、性能は劣るが、ボディーダイオードを内蔵しているため、半導体素子（ダイオード）１１ｂは不要になる。このため、インバータ回路を１チップ上に集積し、小電力用途で使用することができる。
　本発明は、上記のような半導体モジュール１０の冷却に用いられる冷却器２０及びその固定方法に関するものである。すなわち、図３（ｂ）に示されるように、半導体モジュール１０を設置した冷却器２０は、何らかの基体３０に固定されて使用される。
　従来、基体３０への固定のため、冷却器２０には、冷媒流路以外の部分に、貫通孔が形成され、この貫通孔を通して挿入されたボルト等のネジによって、冷却器２０を基体３０に固定していた。しかし、そのような構造では、貫通孔を避けて冷媒流路を形成する必要があり、冷却器が大型化したり、冷媒流路の流れが悪くなったりする問題があった。本発明は、このような課題を解決するためになされたものである。
　次に、図３，４を参照して、本発明の冷却器及びその固定方法の第１の実施形態を説明する。図３（ａ）には本発明の第１の実施形態による冷却器２０の平面模式図が、同図（ｂ）にはそのＡ－Ａ’断面模式図が示されている。
　本発明の冷却器２０は、壁部２１、冷却フィン２２、冷媒導入口２３、及び冷媒排出口２４からなり、壁部２１は、半導体モジュール１０と接合され第１貫通孔２６を持つ第１壁部２１ａと、前記第１壁部２１ａと対向配置され前記第１貫通孔２６と対向する位置に基体３０と接続される接続領域２７を備える第２壁部２１ｂと、前記第１壁部２１ａの周囲と前記第２壁部２１ｂの周囲とを接続する側壁部２１ｃからなり、第２壁部２１ｂは接続領域２７に第２貫通孔２８を備える。そして、第１壁部２１ａ、第２壁部２１ｂ、側壁部２１ｃで囲まれた空間に、冷媒導入流路２５ａ、冷却流路２５ｂ、冷媒排出流路２５ｃが形成されている。本発明では、これらの全ての流路を合わせて冷媒流路と言う。
　第１壁部２１ａには冷却フィン２２が接続されている。冷却フィン２２は、ピンフィン、ブレードフィン、コルゲートフィンを用いることかできる。ピンフィンのピンは、円柱又は四角柱のピンを用いることができ、方形配置又は千鳥配置にすることができる。ブレードフィンとコルゲートフィンは、直線流路になるようにストレート形状にしてもよいが、流路が蛇行するようにフィンを波状にうねらせるウェービングフィン、フィンを長手方向に分割し横方向にオフセットをつけて配列するオフセットフィンにしてもよい。
　壁部２１及び冷却フィン２２は、熱伝導性の高い材料、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の金属材料を用いて形成されていることが好ましく、熱伝導性を高めるために、溶接又は鋳造によって、一体成型されていることがより好ましい。
　この冷却器２０では、冷媒導入口２３と、冷媒排出口２４が、冷却器の壁部２１の対角線上に配置されている。また、第１貫通孔２６と第２貫通孔２８は、冷却器の壁部２１の四隅に配置されている。
　冷却器２０は、使用時において、冷媒が、冷媒導入口２３から冷媒導入流路２５ａに流入し、冷却フィン２２の間に形成された複数の冷却流路２５ｂに分散して流れ、冷媒排出流路２５ｃに集められ冷媒排出口２４から排出される。冷媒によって、第１壁部２１ａと冷却フィン２２は冷却され、冷却された第１壁部２１ａによって、半導体モジュール１０が冷却される。
　次に、上記冷却器２０を基体３０に固定する方法について説明する。図４（ａ）には、冷却器２０の固定作業前の状態が示されている。同図（ｂ）には、冷却器２０の固定作業中の状態が示されている。同図（ｃ）には、冷却器２０の固定作業後の状態が示されている。
　この実施形態では、基体３０には、冷却器２０を固定するための固定用孔３１が設けられている。また、第１貫通孔２６の内径は、固定部材４０及びシール部材４１が通過可能な大きさとされ、冷却フィン２２は、第１貫通孔２６を閉塞しないように配置して、固定部材４０及びシール部材４１の通過を妨げないようにされている。
　また、第２貫通孔２８の冷媒導入流路２５ａ及び冷媒排出流路２５ｃ側の内径は、前記第２貫通孔２８の前記基体３０側の内径よりも広くされている。第２貫通孔２８の内径を広くされた部分が、本発明における「溝」を構成している。
　また、固定部材４０は、頭部とネジ部からなるネジであることが好ましい。固定部材４０がネジからなる場合には、固定用孔３１は、該ネジが螺合するネジ孔とする。また、第２貫通孔２８の冷媒流路側には、固定部材４０の頭部とシール部材４１が収容されるように上記溝が設けられ、固定部材４０の頭部が前記冷媒流路に突出しないようにされている。
　ネジの形状は、特に限定されないが、低頭ネジ、平ネジ、ナベネジ、皿ネジのように頭部が平らであることが好ましく、低頭ネジと平ネジがより好ましい。
　シール部材４１は、特に限定されず、Ｏリング、ゴムガスケット、ＰＴＦＥ打ち抜きガスケット、シールテープ、液状シール材を用いることができる。
　以上のような冷却器２０を用意する工程が、本発明における第１の工程となる。
　上記冷却器２０を基体３０に固定するには、図４（ｂ）に示すように、冷却器２０を基体３０上に位置決めして設置し、第２壁部２１ｂの外側を基体３０に接触させる。この工程が、本発明における第２の工程となる。
　この状態で、第１貫通孔２６から固定部材４０とシール部材４１を挿入し、シール部材４１を介して固定部材４０を冷却器２０の内側から第２貫通孔２８に挿入し、基体３０の固定用孔３１に挿入して固定する。固定部材４０がネジからなる場合は、固定用孔３１に螺着させて締め付けることにより固定できる。第２貫通孔２８は、固定用部材４０の頭部と第２壁部２１ｂとで挟持されたシール部材４１によって、気密的にシールされる。以上の工程が、本発明における第３の工程となる。
　次いで、第１貫通孔２６に、シール部材５１を介して、蓋５０を挿入して固定することにより、第１貫通孔２６を気密的に塞ぐことができる。この工程が、本発明における第４の工程となる。
　蓋５０は、前記冷媒流路に突出しないように設置されることが好ましい。また、蓋５０は、第１壁部２１ａから着脱自在であることが好ましく、例えば頭部とネジ部からなるネジを用いることができる。その場合、第１貫通孔２６の内周には、蓋５０のネジ部が螺合するネジ溝を形成しておく。
　その結果、第１貫通孔２６を塞ぐ蓋５０と、第２貫通孔２８に挿入された固定部材４０との間に、冷媒導入流路２５ａ、冷媒排出流路２５ｃが確保され、接続領域となる第１貫通孔２６、第２貫通孔２８の部分にも冷媒流路を形成できるので、冷却器２０をコンパクト化できると共に、冷媒導入流路２５ａ、冷媒排出流路２５ｃをストレートにして、冷媒の流れを良好にすることができる。
　次に、図５，６を参照して、本発明の冷却器及びその固定方法の第２の実施形態について説明する。図５（ａ）には本発明の第２の実施形態に係る冷却器２０ａの平面模式図が、同図（ｂ）にはそのＡ－Ａ’断面模式図が示されている。
　この冷却器２０ａは、壁部２１、冷却フィン２２、冷媒導入口２３、及び冷媒排出口２４を有し、壁部２１は、半導体モジュール１０と接合され第１貫通孔２６を持つ第１壁部２１ａと、前記第１壁部２１ａと対向配置され、前記第１貫通孔２６と対向する位置に基体３０と接続される接続領域２７を備える第２壁部２１ｂと、前記第１壁部２１ａの周囲と前記第２壁部２１ｂの周囲とを接続する側壁部２１ｃとからなる。
　本発明の第２の実施形態によれば、接続領域２７において、冷却器２０の内側から窪みを形成し、第２壁部２１ｂの肉厚を薄くすることが好ましい。
　なお、冷却器２０ａは、接続領域２７の形状を除けば、壁部２１、冷却フィン２２、冷媒導入口２３、及び冷媒排出口２４について、本発明の第１の実施形態と同様のものが使用できる。
　次に、この冷却器２０ａを基体３０に固定する方法を説明する。図６（ａ）には、冷却器２０ａの固定作業前の状態が示されている。同図（ｂ）には、冷却器２０ａの固定作業中の状態が示されている。同図（ｃ）には、冷却器２０ａの固定作業後の状態が示されている。
　本発明の第２の実施形態においては、基体３０は、接続領域３２において、冷却器２０ａに接する面と反対側の面に窪みを形成し、肉厚を薄くしてもよい。
　また、第１貫通孔２６の内径は、接続手段６０が通過可能な大きさとし、冷却フィン２２は、第１貫通孔２６を閉塞しないように配置し、接続手段６０の通過を妨げないようにすることができる。このような冷却器２０ａを用意する工程が、本発明における第１の工程となる。
　そして、この実施形態では、接続手段６０として、溶接工具が用いられる。溶接工具としては、冷却器２０ａの母材に対するダメージの少ないスポット溶接（重ね抵抗溶接）又はレーザー溶接が好ましい。
　まず、冷却器２０ａを基体３０上に位置決めして設置し、第２壁部２１ｂの外側を基体３０に接触させた状態とする。この工程が、本発明の第２の工程となる。
　その状態で、第１貫通孔２６から接続手段６０をなす溶接工具を挿入し、冷却器２０ａの接続領域２７を基体３０の接続領域３２に溶接することにより、冷却器２０ａを基体３０上に固定する。この工程が、本発明の第３の工程となる。
　その後、溶接工具からなる接続手段６０を第１貫通孔２６から抜き出し、第１貫通孔２６を蓋５０とシール部材４１で塞ぐ。この工程が、本発明の第４の工程となる。
　本発明の第２の実施形態において、前記接続手段６０としては、溶接工具の他にろう付け工具等を使用することもできる。その場合には、第２壁部２１ｂの接続領域２７と、基体３０の接続領域３２との間に、ろう材を設けておく。
　次に、本発明の冷却器２０の他の実施形態について説明する。
　図７に示す冷却器２０ｂでは、冷媒流路の中央部に、冷却フィン２２を除いた部分を設け、そこにも第１貫通孔２６及び第２貫通孔２８を設けている。この場合、冷媒流路の中央部も基体に固定できるので、冷却器が大型化しても、しっかりと固定することができる。
　図８に示す冷却器２０ｃでは、冷却器の壁部２１の四隅に配置された第１貫通孔２６及び第２貫通孔２８を、対角線上の二隅に減らし、空いた場所にガイド壁２９を配置して、冷媒の流れを制御し、ホットスポットの発生を防止するようにしている。
　図９に示す冷却器２０ｄでは、冷却器の壁部２１の中心線上に、冷媒導入口２３、冷媒排出口２４、第１貫通孔２６、第２貫通孔２８を配置し、空いた四隅にガイド壁２９を配置している。
　図１０に示す冷却器２０ｅでは、冷却器の壁部２１の一側に冷媒導入口２３及び冷媒排出口２４を配置し、流量の均一化をはかるために、冷媒導入流路２５ａ及び冷媒導入流路２５ｃ上に、ガイド壁２９を配置している。
　このように、本発明によれば、第１貫通孔２６及び第２貫通孔２８の位置を、冷媒流路の設計に合わせて比較的自由に設定することができ、冷却器の冷却効率の向上に寄与することができる。
１：インバータ回路
２：素子ペア
３：ハーフブリッジ
１０：半導体モジュール
１１： 半導体素子
１１ａ：半導体素子（トランジスタ）
１１ｂ： 半導体素子（ダイオード）
１２：基板
１２ａ：絶縁基板
１２ｂ、１２ｃ：導体層
１３：制御用集積回路
１４：受動素子
１５、１６：半田層
１７：ベース板
２０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ：冷却器
２１：壁部
２１ａ：第１壁部
２１ｂ：第２壁部
２１ｃ：側壁部
２２：冷却フィン
２３：冷媒導入口
２４：冷媒排出口
２５ａ：冷媒導入流路
２５ｂ：冷却流路
２５ｃ：冷媒排出流路
２６：第１貫通孔
２７、３２：接続領域
２８：第２貫通孔
２９：ガイド壁
３０：基体
３１：固定用孔
４０：固定部材
４１、５１：シール部材
５０：蓋
６０：接続手段

Claims (13)

  1. 　基体に固定され半導体モジュールを冷却する冷却器において、
    　第１貫通孔を持った第１壁部、前記第１壁部と対向配置され前記第１貫通孔と対向する位置に前記基体と接続される接続領域を備える第２壁部、及び、前記第１壁部の周囲と前記第２壁部の周囲とを接続する側壁部で囲まれる冷媒流路を備えた冷却器本体と、
    　前記第１貫通孔を塞ぐ蓋と、
    を備えることを特徴とする冷却器。
  2. 　前記第２壁部の前記接続領域には、第２貫通孔が設けられ、
    　前記第１貫通孔を通過可能な大きさであって、前記第２貫通孔に挿入されて前記冷却器本体を前記基体に固定する、固定部材を備える請求項１記載の冷却器。
  3. 　前記第２貫通孔の前記冷媒流路側の内径は、前記第２貫通孔の前記基体側の内径よりも広い請求項２に記載の冷却器。
  4. 　前記固定部材が、頭部とネジ部からなるネジであり、
    　前記第２貫通孔の前記冷媒流路側は、前記ネジの前記頭部が収容されるように溝が設けられ、前記頭部が前記冷媒流路に突出しないように配置されている請求項３に記載の冷却器。
  5. 　前記第２貫通孔と前記固定部材との間にシール部材を備える請求項２～４のいずれか１項に記載の冷却器。
  6. 　前記第２壁部の前記接続領域には、肉厚が他の領域の肉厚よりも薄くなっている壁部が設けられている請求項１に記載の冷却器。
  7. 　前記第１壁部の冷媒流路側には、前記第１貫通孔を閉塞しないように、複数のフィンが接続されている請求項１に記載の冷却器。
  8. 　前記蓋は、前記第１壁部から着脱自在に形成されている請求項１に記載の冷却器。
  9. 　前記蓋は、前記冷媒流路に突出しないように設置されている請求項１に記載の冷却器。
  10. 　前記半導体モジュールが前記第１壁部の外側に固定され、
    　前記第１壁部の厚さは、前記第２壁部の厚さより薄い請求項１に記載の冷却器。
  11. 　基体に半導体モジュールを冷却する冷却器を固定する固定方法において、
    　第１貫通孔を持った第１壁部、前記第１壁部と対向配置され前記第１貫通孔と対向する位置に前記基体と接続される接続領域を備える第２壁部、及び、前記第１壁部の周囲と前記第２壁部の周囲とを接続する側壁部で囲まれる冷媒流路を備えた冷却器本体と、前記第１貫通孔を塞ぐ蓋とを備える冷却器を用意する第１の工程と、
    　前記第２壁部の外側を前記基体に位置決めして接触させる第２の工程と、
    　前記第１貫通孔を通して接続手段を挿入して、前記接続領域を前記基体に固定する第３の工程と、
    　前記第１貫通孔を前記蓋で塞ぐ第４の工程とを含むことを特徴とする、冷却器の固定方法。
  12. 　前記第１の工程において、前記冷却器として、前記第２壁部の前記接続領域に第２貫通孔を有するものを用い、
    　前記第３の工程において、前記接続手段として、前記第１貫通孔を通過可能な大きさであって前記第２貫通孔に挿入されて前記冷却器本体を前記基体に固定する固定部材を用い、前記基体の前記接続領域が接する部分には、固定用孔を設け、前記第１貫通孔を通して前記固定部材を前記冷却器内に挿入し、更に前記冷却器の内側から前記第２貫通孔に挿入して、前記基体の固定用孔に固定する請求項１１記載の冷却器の固定方法。
  13. 　前記第３の工程において、前記接続手段として溶接工具を用い、前記第１貫通孔を通して前記溶接工具を前記冷却器内に挿入し、前記接続領域を前記基体に溶接して固定する請求項１１記載の冷却器の固定方法。
PCT/JP2015/062411 2014-06-19 2015-04-23 冷却器及び冷却器の固定方法 WO2015194259A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/108,275 US10319665B2 (en) 2014-06-19 2015-04-23 Cooler and cooler fixing method
JP2016529144A JP6315091B2 (ja) 2014-06-19 2015-04-23 冷却器及び冷却器の固定方法
CN201580003586.XA CN105874592B (zh) 2014-06-19 2015-04-23 冷却器及冷却器的固定方法
EP15810584.1A EP3076428B1 (en) 2014-06-19 2015-04-23 Cooler and cooler fixing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-126315 2014-06-19
JP2014126315 2014-06-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015194259A1 true WO2015194259A1 (ja) 2015-12-23

Family

ID=54935254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/062411 WO2015194259A1 (ja) 2014-06-19 2015-04-23 冷却器及び冷却器の固定方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10319665B2 (ja)
EP (1) EP3076428B1 (ja)
JP (1) JP6315091B2 (ja)
CN (1) CN105874592B (ja)
WO (1) WO2015194259A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019041074A (ja) * 2017-08-29 2019-03-14 富士電機株式会社 半導体モジュール用の冷却器、栓部材、及びシステム
JP2020092250A (ja) * 2018-11-22 2020-06-11 富士電機株式会社 半導体モジュール、車両および製造方法
JP2020178088A (ja) * 2019-04-22 2020-10-29 三菱電機株式会社 冷却器
US10950522B2 (en) * 2017-02-13 2021-03-16 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Electronic device
US10971431B2 (en) 2018-05-30 2021-04-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device, cooling module, power converting device, and electric vehicle
JP2021144978A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 三菱電機株式会社 発熱素子冷却装置
US11201121B2 (en) 2017-04-14 2021-12-14 Fuji Electric Co., Ltd Semiconductor device
JP7431719B2 (ja) 2020-12-21 2024-02-15 日本軽金属株式会社 パワーデバイス用冷却器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108292640B (zh) * 2015-11-25 2021-10-08 三菱电机株式会社 半导体装置、逆变器装置及汽车
JP7124425B2 (ja) * 2018-05-02 2022-08-24 富士電機株式会社 冷却装置、半導体モジュールおよび車両
US10900412B2 (en) * 2018-05-31 2021-01-26 Borg Warner Inc. Electronics assembly having a heat sink and an electrical insulator directly bonded to the heat sink
US11129310B2 (en) * 2018-11-22 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module, vehicle and manufacturing method
DE102019105728B3 (de) * 2019-03-07 2020-03-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Flüssigkeitskühlkörper mit einem Grundkörper und mit einem Metallkörper
US11217502B2 (en) 2019-11-06 2022-01-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same
CN216361033U (zh) * 2020-05-11 2022-04-22 博格华纳公司 用于电致动涡轮增压器的电力耗散器组件
US11576280B2 (en) 2021-02-12 2023-02-07 Raytheon Company Cold plate branching flow pattern

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938280A (en) * 1988-11-07 1990-07-03 Clark William E Liquid-cooled, flat plate heat exchanger
JP2012044119A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Sanoh Industrial Co Ltd 冷却装置
JP2012222069A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2014020808A1 (ja) * 2012-08-03 2014-02-06 富士電機株式会社 冷却構造体及び電力変換装置
JP2014033095A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Toyota Industries Corp 半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4402185A (en) * 1982-01-07 1983-09-06 Ncr Corporation Thermoelectric (peltier effect) hot/cold socket for packaged I.C. microprobing
US4871015A (en) * 1988-07-13 1989-10-03 United Technologies Cooling arrangement
US5563447A (en) * 1993-09-07 1996-10-08 Delco Electronics Corp. High power semiconductor switch module
JPH08321570A (ja) 1995-03-17 1996-12-03 Nippondenso Co Ltd 沸騰冷却装置
JP3496695B2 (ja) 1995-07-04 2004-02-16 株式会社デンソー 沸騰冷却装置およびその製造方法
US5640852A (en) * 1995-10-06 1997-06-24 Atlas; Boris Compact thermal electric heat exchanger
US6533589B1 (en) * 1999-10-14 2003-03-18 Ironwood Electronics, Inc. Packaged device adapter assembly
US6808015B2 (en) * 2000-03-24 2004-10-26 Denso Corporation Boiling cooler for cooling heating element by heat transfer with boiling
JP2002141450A (ja) 2000-11-01 2002-05-17 Denso Corp 沸騰冷却装置
JP3912255B2 (ja) * 2002-10-28 2007-05-09 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
US20060245165A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Fang-Cheng Lin Elastic secure device of a heat radiation module
EP2003691B1 (en) * 2006-03-13 2019-01-09 Showa Denko K.K. Base for power module
JP2008235725A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Calsonic Kansei Corp 水冷式ヒートシンク
JP4485583B2 (ja) 2008-07-24 2010-06-23 トヨタ自動車株式会社 熱交換器及びその製造方法
JP5381561B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 富士電機株式会社 半導体冷却装置
US8542488B2 (en) * 2009-01-29 2013-09-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Cooling apparatus for an IC
US20120175094A1 (en) 2011-01-10 2012-07-12 Asetek A/S Liquid Cooling System Cold Plate Assembly
JP2013084674A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 発熱電子デバイスの放熱構造
US8804331B2 (en) * 2011-12-02 2014-08-12 Ati Technologies Ulc Portable computing device with thermal management
JP6201532B2 (ja) * 2013-08-30 2017-09-27 富士電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4938280A (en) * 1988-11-07 1990-07-03 Clark William E Liquid-cooled, flat plate heat exchanger
JP2012044119A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Sanoh Industrial Co Ltd 冷却装置
JP2012222069A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2014020808A1 (ja) * 2012-08-03 2014-02-06 富士電機株式会社 冷却構造体及び電力変換装置
JP2014033095A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Toyota Industries Corp 半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3076428A4 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10950522B2 (en) * 2017-02-13 2021-03-16 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Electronic device
US11201121B2 (en) 2017-04-14 2021-12-14 Fuji Electric Co., Ltd Semiconductor device
JP2019041074A (ja) * 2017-08-29 2019-03-14 富士電機株式会社 半導体モジュール用の冷却器、栓部材、及びシステム
JP7024258B2 (ja) 2017-08-29 2022-02-24 富士電機株式会社 半導体モジュール用の冷却器、栓部材、及びシステム
US10971431B2 (en) 2018-05-30 2021-04-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device, cooling module, power converting device, and electric vehicle
JP2020092250A (ja) * 2018-11-22 2020-06-11 富士電機株式会社 半導体モジュール、車両および製造方法
JP7367394B2 (ja) 2018-11-22 2023-10-24 富士電機株式会社 半導体モジュール、車両および製造方法
JP2020178088A (ja) * 2019-04-22 2020-10-29 三菱電機株式会社 冷却器
JP2021144978A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 三菱電機株式会社 発熱素子冷却装置
JP7229195B2 (ja) 2020-03-10 2023-02-27 三菱電機株式会社 発熱素子冷却装置
JP7431719B2 (ja) 2020-12-21 2024-02-15 日本軽金属株式会社 パワーデバイス用冷却器

Also Published As

Publication number Publication date
EP3076428A4 (en) 2017-10-11
JPWO2015194259A1 (ja) 2017-04-20
CN105874592B (zh) 2019-07-23
US10319665B2 (en) 2019-06-11
CN105874592A (zh) 2016-08-17
JP6315091B2 (ja) 2018-04-25
US20160307821A1 (en) 2016-10-20
EP3076428A1 (en) 2016-10-05
EP3076428B1 (en) 2019-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6315091B2 (ja) 冷却器及び冷却器の固定方法
US10214109B2 (en) Method for manufacturing cooler for semiconductor-module, cooler for semiconductor-module, semiconductor-module and electrically-driven vehicle
JP6384609B2 (ja) パワー半導体モジュール及び冷却器
US7687901B2 (en) Heat dissipating fins opposite semiconductor elements
JP5350456B2 (ja) 電力変換装置
JP6665655B2 (ja) 電力変換装置
WO2013157467A1 (ja) 半導体装置および半導体装置用冷却器
WO2014045766A1 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US10064310B2 (en) Power-module device, power conversion device, and method for manufacturing power-module device
JP2012105419A (ja) 電力変換装置
WO2013088864A1 (ja) 半導体装置
JP2006303290A (ja) 半導体装置
JP6286541B2 (ja) パワーモジュール装置及び電力変換装置
JP5267238B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6651828B2 (ja) 冷却器及びパワー半導体モジュール
JP2004128099A (ja) 水冷インバータ
JP2016100442A (ja) 半導体モジュール及び半導体装置
JP2011211017A (ja) 半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
JP5402778B2 (ja) 半導体モジュールを備えた半導体装置
JP2010062491A (ja) 半導体装置および複合半導体装置
JP6961047B1 (ja) 電力変換装置
JP2015065309A (ja) 冷却装置及び半導体装置
JP7233510B1 (ja) 電力変換装置
JP2015053775A (ja) 半導体電力変換装置
KR20180043040A (ko) 파워모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15810584

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15108275

Country of ref document: US

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2015810584

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2015810584

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016529144

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE