JP2006303290A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒートシンクを設けることなく、冷却性能に優れた小型の半導体装置を実現する。
【解決手段】 かかる半導体装置は、第1、第2のリードフレームと、互いに対向する第1、第2の主面に対して平行に延びる貫通孔を有する導電ベース板と、前記導電ベース板の前記第1、第2の主面上に配設された第1、第2の絶縁基板と、前記第1、第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1、第2の導電ブロックと、前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む第1の半導体チップと、前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む第2の半導体チップとを備えた。
【選択図】図1
【解決手段】 かかる半導体装置は、第1、第2のリードフレームと、互いに対向する第1、第2の主面に対して平行に延びる貫通孔を有する導電ベース板と、前記導電ベース板の前記第1、第2の主面上に配設された第1、第2の絶縁基板と、前記第1、第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1、第2の導電ブロックと、前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む第1の半導体チップと、前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む第2の半導体チップとを備えた。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関し、とりわけ半導体チップから生じる熱を放散させる冷却手段を有する半導体装置に関する。
電力用半導体装置(パワーモジュール)は、一般に、自動車や産業機器に搭載された高出力の交流モータなどに大電流を供給するための電源供給装置などに広く用いられている。こうしたパワーモジュールは、概略、ベース板の一方の主面上に固定された絶縁基板と、絶縁基板上に実装された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)チップや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなどの電力用スイッチング素子とを備える。また、パワーモジュールは、電源供給装置に組み込まれる際、金属などの良好な熱伝導性を有するヒートシンクとベース板の他方の主面との間に、高い熱伝導率を有するシリコーングリスを均一に塗布して、両者を密接に当接させることにより、電力用スイッチング素子から生じる熱を、ヒートシンクを介して確実に放散させる。
また、ヒートシンクを介して放熱させる代わりに、ベース板にその主面と平行に延びる冷却液体用流路を設けて、これに冷却材を流すことにより、電力用スイッチング素子からの熱を放熱させるパワーモジュールがいくつか提案されている。
例えば、特許文献1に開示されたパワーモジュールによれば、電力用トランジスタまたは電力用ダイオード1が絶縁基板2上に実装され、絶縁基板2が放熱ベース3の一方の主面上に配設されている。この放熱ベース3の内部には、冷却液体用流路31が穿設されている。使用に際しては、冷却液体用流路31に冷却水などの冷媒を流して放熱ベース3を冷却し、ヒートシンクを不要にすることが開示されている。
特開平9−92762号公報
同様に、特許文献2によれば、冷却基板10の上面中央に、半田などの接合層16を介して、半導体チップ18が固定された半導体素子が開示されている。冷却基板10は、2枚の金属板10A、10Bを接合してなり、一方の金属板10Bに断面半円状の連続的な凸部を形成することにより内部に冷却材通路12を形成することが示唆されている。このように構成された半導体素子において、冷却材通路12に冷却材を流すことにより、温度上昇を防ぐことが開示されている。
特開平4−61364号公報
さらに、特許文献3よれば、内部が中空で冷却流路19が構成されている冷却器12の上部に絶縁基板2が接台され、絶縁基板2の上部に金属電極3が接台され、金属電極3の上部に絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ41〜46とダイオード131〜136が接合された電力用半導体装置が開示されている。
特開2001−77260公報
一方、特許文献4の電気自動車の駆動装置は、3相インバータ回路32〜34を有し、各インバータ回路は、複数の冷却通路36cを含む冷却基板36の一方の主面上にベース33aが配設され、ベース33a上にはセラミックス基板33bが接合され、その上には1組のトランジスタ33c,33dが配設されている。また、冷却基板36の他方の主面上には、ベース35aが配設され、ベース35a上にはセラミックス基板35bが接合され、その上にはトランジスタ35cおよびトランス35dが配設されている。さらに、特許文献4は、液冷装置から供給される冷却水が冷却通路36cに流れることにより、冷却基板36が冷却されることを開示している。
特開平6−303704号公報
さらに、特許文献5の両面冷却型半導体カード型モジュールは、第1の伝熱部材5の上側主面上に半田を介して接合された半導体チップ2,3と、半導体チップ2,3上に配設されたスペーサ51,52と、同様に半田を介してスペーサ51,52上に接合された第2の伝熱部材6とを有する。また、この半導体カード型モジュールは、第1および第2の伝熱部材5,6を外側主面に被着されたセラミック薄膜11を有し、全体が冷凍サイクル装置101のエバポレータである冷却チューブ100により挟持されている。こうして、この半導体カード型モジュールの半導体チップ2,3を冷却することができる。
特開2001−308237号公報
しかしながら、上記特許文献1〜3の半導体装置によれば、複数の半導体チップが絶縁基板の同一主面上に実装されるため、半導体装置の電源供給装置(周辺装置)に対する実装面積が大きくなり、半導体装置自体の小型化を阻害するものであった。
また、上記特許文献4の電気自動車の駆動装置は、冷却基板の両方の主面上にベースおよびセラミック基板を介してトランスを含む構成部品が配設されており、駆動装置の全体の小型化を図るものであって、パワーモジュールを含む各構成部品の小型化を解決課題とするものではない。
さらに、特許文献5の両面冷却型半導体カード型モジュールによれば、半導体チップで生じた熱は、スペーサ、第1および第2の伝熱部材、およびその外側主面に被着されたセラミック薄膜を介して、すなわち数多くの部材を介して間接的に、冷却チューブにより放熱されるので、放熱性が必ずしも良好でなかった。
そこで本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、ヒートシンクを必要とせず、半導体装置の主面に平行な方向の寸法(実装面積)が低減された小型の半導体装置を提供することを目的とする。
また本発明は、半導体チップをより直接的に冷却する良好な冷却性能を有する半導体装置を提供することを目的とする。
また本発明は、半導体チップをより直接的に冷却する良好な冷却性能を有する半導体装置を提供することを目的とする。
本発明にかかる半導体装置は、第1および第2のリードフレームと、互いに対向する第1および第2の主面を含み、該第1および第2の主面に対して実質的に平行に延びる少なくとも1つの貫通孔を有する導電ベース板と、前記導電ベース板の前記第1および第2の主面上に配設された第1および第2の絶縁基板と、前記第1のおよび第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1および第2の導電ブロックと、前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む少なくとも1つの第1の半導体チップと、前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む少なくとも1つの第2の半導体チップとを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、ヒートシンクを設けることなく、優れた冷却性能を有する小型の半導体装置を実現することができる。
以下、添付図面を参照して本発明に係る半導体装置の実施の形態を説明する。各実施の形態の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語(例えば、「上方」および「下方」など)を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本発明を限定するものでない。
実施の形態1.
図1〜図3を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態1について以下に説明する。図1に示すパワーモジュール1は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12および下側主面14を含む金属ベース板10と、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14の上に固定された上側および下側絶縁基板(第1および第2の絶縁基板)16,18を備える。各絶縁基板16,18は、金属ベース板10に当接しない表面上に銅板などからなる上側および下側導電ブロック(第1および第2の導電ブロック)20,22を有し、各導電ブロック20,22上には、上側および下側半導体チップ(第1および第2の半導体チップ)30,40が半田などの導電性接着剤(図示せず)を用いて実装されている。
なお、図1〜図3では、上側および下側半導体チップ30,40をそれぞれ1つずつ図示したが、複数の半導体チップを互いに絶縁された導電ブロック20,22上に実装してもよい。
図1〜図3を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態1について以下に説明する。図1に示すパワーモジュール1は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12および下側主面14を含む金属ベース板10と、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14の上に固定された上側および下側絶縁基板(第1および第2の絶縁基板)16,18を備える。各絶縁基板16,18は、金属ベース板10に当接しない表面上に銅板などからなる上側および下側導電ブロック(第1および第2の導電ブロック)20,22を有し、各導電ブロック20,22上には、上側および下側半導体チップ(第1および第2の半導体チップ)30,40が半田などの導電性接着剤(図示せず)を用いて実装されている。
なお、図1〜図3では、上側および下側半導体チップ30,40をそれぞれ1つずつ図示したが、複数の半導体チップを互いに絶縁された導電ブロック20,22上に実装してもよい。
この実施の形態においては、上側および下側半導体チップ30,40は、それぞれ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)チップなどの電力スイッチング素子、およびフリーホイールダイオード(FWD)チップなどの電力用ダイオード素子である。IGBTチップ30は、上から見た図2に示すように、上方に面したゲート電極(制御電極)32およびエミッタ電極(表面電極)34と、下方に面し、上側導電ブロック20に当接して電気的に接続されたコレクタ電極(裏面電極、図示せず)とを有する。同様に、FWDチップ40は、下から見た図3に示すように、下方に面したアノード電極(表面電極)42と、上方に面し、下側の導電ブロック22に当接して電気的に接続されたアノード電極(裏面電極、図示せず)とを有する。
また、このパワーモジュール1は、アルミニウムなどからなる導電性ワイヤ50を介して、上側導電ブロック20と電気的に接続された正極側リードフレーム(第1のリードフレーム)52と、IGBTチップ30のエミッタ電極34およびFWDチップ40のアノード電極42に電気的に接続された負極側リードフレーム(第2のリードフレーム)54と、ゲート電極32に電気的に接続された制御用リードフレーム(第3のリードフレーム)56とを有する。
さらに、実施の形態1によれば、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14に実質的に平行に延びる少なくとも1つ、好適には複数の貫通孔70およびこれに連結された導管72が設けられている。導管72は、任意の材料からなり、貫通孔70の両方の開口部に液密に連結してもよいし、あるいは管状部材を貫通孔70に挿通させることにより形成してもよい。
加えて、このパワーモジュール1は、金属ベース板10、絶縁基板16,18、半導体チップ30,40、および導電性ワイヤ50の全体を包囲し、正極側、負極側、および制御用のリードフレーム52,54,56の一部が露出するように、トランスファモールド成型された樹脂パッケージ(一点鎖線74で示す)を有する。すなわち、パワーモジュール1は、トランスファモールド型パワーモジュールとして構成される。ただし、例えば、金属ベース板10の四方を任意の固定手段を用いて、図示しない樹脂ケースに固定することにより、基板タイプのパワーモジュールとして形成することも可能である。
このように構成されたパワーモジュール1において、図示しない冷却媒体供給源から、金属ベース板10内に形成された貫通孔70へ冷却水などの冷媒媒体を供給することにより、半導体チップ30,40で生じた熱を金属ベース板10から直接的に放熱させることができる。このように、このパワーモジュール1は、ヒートシンクを介して間接的に放熱させる従前の半導体装置よりも極めて優れた冷却機能を有する。
また、ヒートシンクを設ける必要がないので、部品点数を少なくすることができ、組み立て作業性が格段に改善される。
さらに、半導体チップ30,40は、上側導電ブロック20および下側導電ブロック22上に実装されているので、複数の半導体チップが絶縁基板の同一主面上に並設された従来技術によるパワーモジュールと比して、パワーモジュール1の実装面積を半減させることができる。
また、ヒートシンクを設ける必要がないので、部品点数を少なくすることができ、組み立て作業性が格段に改善される。
さらに、半導体チップ30,40は、上側導電ブロック20および下側導電ブロック22上に実装されているので、複数の半導体チップが絶縁基板の同一主面上に並設された従来技術によるパワーモジュールと比して、パワーモジュール1の実装面積を半減させることができる。
付言すると、この実施の形態の金属ベース板10は、絶縁基板16,18により、上側および下側導電ブロック20,22および半導体チップ30,40とは電気的に絶縁されているので、金属ベース板10の貫通孔70に連結された導管72を任意の材料(例えば、金属)を用いて形成することができる。
実施の形態2.
次に、図4〜図7を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態2について以下に説明する。図4に示すパワーモジュール2は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12および下側主面14を含む金属ベース板10と、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14の上に、半田などの導電性接着剤(図示せず)を用いて、絶縁基板を介することなく直接的に実装された半導体チップ(IGBTチップ30およびFWDチップ40)とを備える。
次に、図4〜図7を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態2について以下に説明する。図4に示すパワーモジュール2は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12および下側主面14を含む金属ベース板10と、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14の上に、半田などの導電性接着剤(図示せず)を用いて、絶縁基板を介することなく直接的に実装された半導体チップ(IGBTチップ30およびFWDチップ40)とを備える。
実施の形態2のパワーモジュール2において、実施の形態1と同様、IGBTチップ30は、上から見た図5に示すように、上方に面したゲート電極(制御電極)32およびエミッタ電極(表面電極)34と、下方に面し、金属ベース板10の上側主面12に当接するコレクタ電極(裏面電極、図示せず)とを有する。同様に、FWDチップ40は、下から見た図6に示すように、下方に面したアノード電極(表面電極)42と、上方に面し、金属ベース板10の下側主面14に当接するアノード電極(裏面電極、図示せず)とを有する。
また、このパワーモジュール2は、実施の形態1と同様、アルミニウムなどからなる導電性ワイヤ50を介して、金属ベース板10と電気的に接続された正極側リードフレーム(第1のリードフレーム)52と、IGBTチップ30のエミッタ電極34およびFWDチップ40のアノード電極42に電気的に接続された負極側リードフレーム(第2のリードフレーム)54と、ゲート電極32に電気的に接続された制御用リードフレーム(第3のリードフレーム)56とを有する。
さらに、パワーモジュール2は、金属ベース板10の上側主面12および下側主面14に実質的に平行に延びる少なくとも1つ、好適には複数の貫通孔80と、これに挿通された絶縁材料からなる導管82とを有する。
実施の形態2のパワーモジュール2は、実施の形態1と同様、金属ベース板10、半導体チップ30,40、および導電性ワイヤ50の全体を包囲し、正極側、負極側、および制御用リードフレーム52,54,56の一部が露出するように、トランスファモールド成型された樹脂パッケージ(一点鎖線74で示す)として構成することができるが、これに限定されることなく、基板型のパワーモジュールとして形成することもできる。
このように構成されたパワーモジュール2は、図示しない冷却媒体供給源から、金属ベース板10内に形成された貫通孔80へ冷却水などの冷媒媒体を供給することにより、半導体チップ30,40で生じた熱を金属ベース板10から直接的に放熱させることができる。実施の形態1のパワーモジュール1と比較して、パワーモジュール2は、絶縁基板を具備していないので、放熱効果をよりいっそう改善し、上側主面12および下側主面14に垂直な方向の厚みを低減できるとともに、部品点数をさらに低減できるので、アセンブリ工程をより簡略化することができる。
また、半導体チップ30,40は、金属ベース板10の上側および下側主面12,14上に実装されているので、複数の半導体チップが1つの絶縁基板の同一主面上に並設される従来式のものより実装面積を実質的に小さくすることができる。
さらに、貫通孔80に挿通された導管82は、絶縁材料を用いて構成されるので、金属ベース板10および正極側リードフレーム52に対する冷媒媒体の絶縁性を確実に維持することができる。
また、半導体チップ30,40は、金属ベース板10の上側および下側主面12,14上に実装されているので、複数の半導体チップが1つの絶縁基板の同一主面上に並設される従来式のものより実装面積を実質的に小さくすることができる。
さらに、貫通孔80に挿通された導管82は、絶縁材料を用いて構成されるので、金属ベース板10および正極側リードフレーム52に対する冷媒媒体の絶縁性を確実に維持することができる。
なお、実施の形態2の変形例のパワーモジュール2は、図7に示すように、ランド部(金属ベース板10に相当)とリード部(第1のリードフレーム52に相当)が一体に形成された第1のリードフレーム53を有していてもよい。これにより、更なる部品点数の削減、および生産コストの低減が可能となる。
また、上述の実施の形態では、各リードフレーム52,54,56を各半導体チップ30,40のゲート電極32、エミッタ電極34、およびアノード電極42に電気的に接続するために、導電性ワイヤ50を用いたが、半田を用いて、各リードフレームを上記チップ電極に直接接合してもよい。
また、上述の実施の形態では、各リードフレーム52,54,56を各半導体チップ30,40のゲート電極32、エミッタ電極34、およびアノード電極42に電気的に接続するために、導電性ワイヤ50を用いたが、半田を用いて、各リードフレームを上記チップ電極に直接接合してもよい。
実施の形態3.
次に、図8〜図9を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態3について以下に説明する。図8に示すパワーモジュール3は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12,14および下側主面13,15を含む上側および下側金属ベース板(第1および第2の金属ベース板)10,11と、上側の金属ベース板10の下側主面14と下側の金属ベース板11の上側主面13との間に挟持された1つまたはそれ以上の半導体チップ(IGBTチップ30またはFWDチップ40)とを備える。
次に、図8〜図9を参照しながら、本発明に係る半導体装置(パワーモジュール)の実施の形態3について以下に説明する。図8に示すパワーモジュール3は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属材料からなり、上側主面12,14および下側主面13,15を含む上側および下側金属ベース板(第1および第2の金属ベース板)10,11と、上側の金属ベース板10の下側主面14と下側の金属ベース板11の上側主面13との間に挟持された1つまたはそれ以上の半導体チップ(IGBTチップ30またはFWDチップ40)とを備える。
より具体的には、IGBTチップ30またはFWDチップ40は、半田などの導電性接着材(図示せず)を用いて下側の金属ベース板10の上側主面13上に直接実装され、IGBTチップ30のコレクタ電極およびFWDチップ40のカソード電極(ともに図示せず)が第1の金属ベース板10に電気的に接続される。またIGBTチップ30およびFWDチップ40は、ほぼ同じ高さを有するように設計されており、上側の金属ベース板10は、同様に半田などの導電性接着材を用いてIGBTチップ30のエミッタ電極34およびFWDチップ40のアノード電極42に接合される。
このパワーモジュール3は、実施の形態1および2と同様、アルミニウムなどからなる導電性ワイヤ50を介して、上側金属ベース板10に電気的に接続された正極側リードフレーム(第1のリードフレーム)52と、下側の金属ベース板10に電気的に接続された負極側リードフレーム(第2のリードフレーム)54と、ゲート電極32に電気的に接続された制御用リードフレーム(第3のリードフレーム)56とを有する。すなわち、パワーモジュール3の上側金属ベース板10は、IGBTチップ30ゲート電極32とは接合されないように構成される。
さらに、パワーモジュール3は、実施の形態1および2と同様、各金属ベース板10,11の上側主面12,13および下側主面14,15に実質的に平行に延びる少なくとも1つ、好適には複数の貫通孔80と、これに挿通された絶縁材料からなる導管82とを有する。
またパワーモジュール3は、上記の実施の形態と同様、各金属ベース板10,11、半導体チップ30,40、および導電性ワイヤ50の全体を包囲し、正極側、負極側、および制御用リードフレーム52,54,56の一部が露出するように、トランスファモールド成型された樹脂パッケージ(一点鎖線74で示す)として構成することができるが、これに限定されることなく、基板型のパワーモジュールとして形成することもできる。
こうしてパワーモジュール3は、図示しない冷却媒体供給源から、金属ベース板10,11内に形成された貫通孔80へ冷却水などの冷媒媒体を供給することにより、半導体チップ30,40で生じた熱を各金属ベース板10,11から直接的に放熱させることができる。実施の形態1,2のパワーモジュール1,2と比較すると、パワーモジュール3は、半導体チップ30,40の上方および下方から放熱させることができるので、上述のパワーモジュール1,2よりさらに放熱効果を改善することができる。
1〜3 半導体装置(パワーモジュール)、10,11 金属ベース板、12,13 上側主面(第1の主面)、14,15 下側主面(第2の主面)、16上側絶縁基板(第1の絶縁基板)、18 下側絶縁基板(第2の絶縁基板)、20 上側導電ブロック(第1の導電ブロック)、22 下側導電ブロック(第2の導電ブロック)、30 上側半導体チップ(第1の半導体チップ:IGBTチップ)、32 ゲート電極(制御電極)、34 エミッタ電極(表面電極)、40 下側半導体チップ(第2の半導体チップ:FWDチップ)、42 アノード電極(表面電極)、50 導電性ワイヤ、52 正極側リードフレーム(第1のリードフレーム)、54 負極側リードフレーム(第2のリードフレーム)、56 制御用リードフレーム(第3のリードフレーム)、70,80 貫通孔、72,82 導管。
Claims (5)
- 第1および第2のリードフレームと、
互いに対向する第1および第2の主面を含み、該第1および第2の主面に対して実質的に平行に延びる少なくとも1つの貫通孔を有する導電ベース板と、
前記導電ベース板の前記第1および第2の主面上に配設された第1および第2の絶縁基板と、
前記第1のおよび第2の絶縁基板上にそれぞれ形成され、前記第1のリードフレームに電気的に接続された第1および第2の導電ブロックと、
前記第1の導電ブロック上に実装され、該第1の導電ブロックに電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第1の表面電極とを含む少なくとも1つの第1の半導体チップと、
前記第2の導電ブロック上に実装され、該第2の導電ブロックに電気的に接続された第2の裏面電極と第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む少なくとも1つの第2の半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 第1および第2のリードフレームと、
互いに対向する第1および第2の主面を含む導電ベース板であって、該第1および第2の主面に対して実質的に平行に延びる少なくとも1つの貫通孔を有し、前記第1のリードフレームに電気的に接続される導電ベース板と、
前記導電ベース板の前記第1の主面上に実装され、該導電ベース板に電気的に接続された第1の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続される第1の表面電極とを有する第1の半導体チップと、
前記導電ベース板の前記第2の主面上に実装され、該導電ベース板に電気的に接続された第2の裏面電極と前記第2のリードフレームに電気的に接続された第2の表面電極とを含む少なくとも1つの第2の半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通孔内に配設された絶縁性材料からなる導管をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 第1および第2のリードフレームと、
互いに対向する第1および第2の主面を含む第1および第2の導電ベース板であって、該第1および第2の主面に対して実質的に平行に延びる少なくとも1つの貫通孔を有し、前記第1および第2のリードフレームにそれぞれに電気的に接続される第1および第2の導電ベース板と、
前記第1および第2の導電ベース板に挟持され、前記第1の導電ベース板に電気的に接続された表面電極と、前記第2の導電ベース板に電気的に接続された裏面電極とを有する第1および第2の半導体チップとを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 制御信号が供給される第3のリードフレームをさらに備え、
前記第1の半導体チップは、前記第3のリードフレームに電気的に接続された制御電極を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一に記載の半導体装置。
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