JP2002270748A - 半導体モジュール及び電力変換装置 - Google Patents

半導体モジュール及び電力変換装置

Info

Publication number
JP2002270748A
JP2002270748A JP2001067207A JP2001067207A JP2002270748A JP 2002270748 A JP2002270748 A JP 2002270748A JP 2001067207 A JP2001067207 A JP 2001067207A JP 2001067207 A JP2001067207 A JP 2001067207A JP 2002270748 A JP2002270748 A JP 2002270748A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor module
conductor
power semiconductor
semiconductor element
conductor member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001067207A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3556175B2 (ja
Inventor
Daisuke Kawase
大助 川瀬
Akira Bando
阪東  明
Kazuaki Sanada
和昭 真田
Hisafumi Tanie
尚史 谷江
Michiyuki Haniyu
倫之 羽二生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001067207A priority Critical patent/JP3556175B2/ja
Publication of JP2002270748A publication Critical patent/JP2002270748A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3556175B2 publication Critical patent/JP3556175B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927Liquid coolant without phase change
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P80/00Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
    • Y02P80/10Efficient use of energy, e.g. using compressed air or pressurized fluid as energy carrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冷却能力が高く、且つ、製造時、運転時の熱
応力による絶縁破壊の虞のない、高信頼性の半導体モジ
ュールと、それを用いた電力変換装置を提供すること。 【解決手段】 ベース板101に、樹脂絶縁層102を
介して、内部に流通路106を有する導体部材103を
接合させ、この導体部材103を回路パターンの導体と
して、これにパワー半導体素子104を半田接合する。
そして、各導体部材103の流通路106を絶縁配管1
05で連結し、冷却水を流すようにしたもの。パワー半
導体素子104と導体部材103の間には、半田接合層
107があるだけなので、冷却能力が高く、且つ、製造
時、運転時の熱応力による絶縁破壊の虞れがないので、
高信頼性のパワー半導体モジュールが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース部材の表面
に、絶縁層を介して形成した回路パターン用導体部材を
備え、該回路パターン用導体部材の表面に半導体チップ
をろう付け接合する方式の半導体モジュールに係り、特
に電力変換用スイッチング素子に好適なパワー半導体モ
ジュールと、それを用いた電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】スイッチング素子を内蔵したパワー半導
体モジュールや、これに制御回路を内蔵したIPM(Int
eligent Power Module)は、近年、自動車や鉄道車両な
ど高信頼性が要求される分野で大きく用途が拡がり、こ
の結果、信頼性の向上が特に要求されている。
【0003】そして、このとき、IGBT(絶縁ゲート
バイポーラトランジスタ)などのスイッチング素子も大
容量化され、これに伴い、半導体素子(半導体チップ)の
発熱量が多くなるので、冷却能力の向上が強く要求され
るようになっている。また、近年、ハイブリッド自動車
の実用化が進んでいるが、ここで、発進時、主としてモ
ータ(電動機)により走行する方式のハイブリッド自動車
の場合、パワー半導体素子は発進毎に短時間だけ大きく
発熱する。
【0004】従って、この様な用途では、パワー半導体
素子の接合温度の最大値は低いが、パワー半導体素子の
発熱変化幅が大きくなり、この結果、熱膨張と熱収縮に
よる応力変化、いわゆる熱揺動も大きくなり、且つ、そ
の回数も多くなる。そして、この熱揺動は、特に半田な
どによるろう付接合部に熱疲労を与えるので、高信頼性
の付与と保持には、効果的な冷却が必要になる。
【0005】ところで、このようなパワー半導体モジュ
ールやIPMでは、搭載されているパワー半導体素子の
発熱量の多さを考慮し、通常、高熱伝導性の金属などか
らなるベースと、高熱伝導性で且つ高電気絶縁性の材料
からなる絶縁基板と、回路パターンが形成された導電層
とで構成されるのが一般的であり、このとき、搭載部品
の発熱量に応じて絶縁基板の材料が選択されるのが通例
である。
【0006】そして、発熱量が大きな中容量から大容量
の製品では、絶縁基板として、高価ではあるが、熱伝導
率の大きいアルミナセラミックス、窒化アルミニウムセ
ラミックスなどのセラミックスが主として用いられてい
る。ここで、図23と図24に、従来技術によるパワー
半導体モジュールの一例を示す。
【0007】このモジュールは、図示のように、例えば
銅などのベース板101の一方の面(図では上側の面)
に、絶縁基板となるセラミック板2101を張り合わ
せ、このセラミック板2101に形成してある回路パタ
ーン2102a上に、半田付接合されたパワー半導体素
子104を設けたものである。このとき、セラミック板
2101は、裏面の銅パターン2102bを用いてベー
ス板101に半田付接合されている。
【0008】そして、この回路パターン2102aに金
属線304による接続が施され、更にパワー用外部接続
端子302aと信号用外部接続端子302bに対する配
線が施された上でケース303内に納められ、樹脂30
1により封止される。なお、ここで、樹脂とは合成樹
脂、いわゆるプラスチックのことである。
【0009】次に、ベース板101は、グリース210
5を介在させて、冷却部材に取り付けられるが、ここ
で、図23は、水冷式の冷却部材2104に取り付けた
場合で、図24はフィンを有する空冷式の冷却部材22
01に取り付けた場合であり、このとき、いずれも取付
ボルト2103により冷却部材に固定される。
【0010】ところで、パワー半導体モジュールは、線
膨張係数が異なる種々の材料が用いられているので、ベ
ース板101に反りがあるのが一般的である。ここで、
この反りの方向は、部品及び製造工程により、ベース板
101の冷却部材に対する接合面の中央が窪んでいる凹
方向と、接合面の中央が膨らんでいる凸方向の双方の場
合がある。
【0011】反りが凹方向の場合、ベースと冷却部材間
にあるグリース2105の層厚が増してしまうので、ベ
ースと冷却部材間の接触熱抵抗が大きくなり、冷却能力
が低下し、動作時、パワー半導体素子104の温度上昇
が抑えられず、性能が低下し破壊してしまう虞れもあ
り、また、熱揺動も大きくなるので、半田接合層107
などによる接合部の寿命が低下してしまう。
【0012】一方、反りが凸方向の場合、取付用のボル
ト2103を締め付けた際に、セラミック基板2101
に大きな曲げモーメントが現われ、しばしば割れが生じ
てしまう。ここで、割れが生じたセラミック基板210
1は、絶縁耐量が失われてしまうので、このような半導
体モジュールは使用不能になってしまう。
【0013】このように、セラミック基板2101は高
熱伝導で高絶縁であるが、脆く割れ易く、従って、図2
3と図24に示すセラミック基板2101を用いたパワ
ー半導体モジュールは、冷却能力には特に問題はない
が、セラミック基板2101の割れによる絶縁破壊とい
う致命的な不良を生じる危険性があり、取付けに際して
は細心の注意が必要である。
【0014】一方、発熱量が比較的少ない小容量のパワ
ー半導体モジュールでは、絶縁基板として、熱伝導率は
あまり高くないが、かなり安価な樹脂製の絶縁層が用い
られている。図25は、従来技術による小容量パワー半
導体モジュールの一例で、この場合絶縁基板の代りに樹
脂絶縁層102が用いられている。
【0015】そして、この樹脂絶縁層102に回路パタ
ーンとなる導電層306を設け、この導電層306上に
パワー半導体素子104が半田接合されているものであ
り、その他の構成は、図24の場合と同じである。とこ
ろで、この樹脂絶縁層102を用いた場合も、セラミッ
ク基板2101を用いた場合と同様に反りが生じる。
【0016】ここで、反りが凹方向の場合は、同様に接
触熱抵抗が増大し、冷却能力が低下する。一方、反りが
凸方向の場合、樹脂絶縁層102は、セラミック基板2
101と比較して縦弾性係数が小さく延びが大きいの
で、割れる虞はない。
【0017】以上の様に、樹脂絶縁層102は縦弾性係
数が小さく、延びも大きいが、熱伝導率が小さく、従っ
て、この図25の樹脂絶縁板102を用いたパワー半導
体モジュールは、取付けの際に絶縁基板が割れる虞れは
ないが、冷却能力に問題がある。
【0018】ところで、以上の半導体モジュールでは、
いずれもグリース2105が用いられている。ここで、
このグリース2105は、シリコン樹脂とセラッミク粉
末の複合材料なので、熱伝導率はあまり高くない。
【0019】このため、無いよりは数段優れてはいるも
のの、このグリース2105があるため、ベースと冷却
部材間の熱抵抗が、パワー半導体素子104と冷却部材
の間の熱抵抗の数割程度までを占めてしまうことにな
り、従って、この間の接触熱抵抗が低減できれば、冷却
能力の向上に大きく寄与できることになる。
【0020】そこで、この接触熱抵抗による冷却能力の
低下と、絶縁基板の割れによる絶縁破壊の対策として、
図26に示すパワー半導体モジュールがある。この図2
6に示すモジュールは、セラミック基板2101を直
接、ろう付により冷却部材2201に接合したものであ
り、従って、例えば図24に示した半導体モジュールに
おけるベース板101と冷却部材2201間の接合部
は、最初から存在しない。
【0021】従って、このモジュールの場合、勿論、接
合部に介在すべきグリースの層も無く、接触熱抵抗は本
質的に存在しないので、冷却能力は飛躍的に向上する。
また、この結果、ベース板101のねじ締めによる取付
けも無いので、締め付けによる割れが発生する虞れも少
ない。
【0022】しかも、このとき、冷却部材2201をA
l−SiCなどの線膨張係数の小さい材料で構成するこ
とにより、セラミック基板2101との接合時の温度変
化による残留応力と、運転時での熱応力が低減され、こ
の結果、セラミック基板2101に発生する割れの虞れ
を更に小さく抑えることができる。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、半導
体素子の冷却能力向上に限度がある点に配慮がされてお
らず、半導体モジュールの大容量化と高信頼性の保持に
問題があった。まず、図23乃至図25に示した従来技
術は、上記したように、絶縁基板の割れの問題があり、
高信頼性が要求される用途への適用に不安があった。
【0024】また、これらの従来技術は、取付けにも細
心の注意が必要であり、更に、グリースが低熱伝導であ
るため、これを用いてもフィンとベース間の接触熱抵抗
を小さく抑えるのが困難で、冷却能力の向上に問題があ
った。
【0025】一方、図26に示した従来技術では、上記
したように、冷却部材に線膨張係数の小さい材料を用い
ることにより、セラミック基板接合時の温度変化による
残留応力と運転時での熱応力が低減でき、この結果、セ
ラミック基板が割れる虞れは少ない。
【0026】しかし、セラミックスは本質的に脆い材料
であるから、大容量化によりセラミック基板の面積が大
きくなった場合には、熱応力も大きくなるので、絶縁基
板が割れる虞がある。また、自動車など、振動が厳しい
用途に適用した場合には、セラミック基板に割れが生じ
てしまう虞れがあり、セラミック基板を用いた場合、パ
ワー半導体モジュールの取り扱いには細心の注意が必要
で、保守に際しても充分な注意を払う必要がある。
【0027】本発明の目的は、冷却能力に優れ、絶縁基
板の割れによる絶縁破壊の危険性の小さい、高信頼性の
パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置
を提供することにある。
【0028】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ベース部材
の表面に、絶縁層を介して形成した回路パターン用導体
を備え、該回路パターン用導体の表面に半導体素子をろ
う付け接合する方式の半導体モジュールにおいて、前記
回路パターン用導体の、少なくとも前記半導体素子が接
合される部分を、内部に流体の流通路となる孔が貫通さ
れている導体部材で形成し、前記半導体素子の放熱が、
前記流通路に通流される流体により与えられるようにし
て達成される。
【0029】このとき、前記流通路を有する導体部材が
2個以上で、これら導体部材の中の少なくとも2個につ
いては、それらの流通路の出口と入口が同一直線上に位
置するようにして、前記ベース部材に配置されていても
よく、前記流通路に通流される流体を冷却する熱交換装
置からなる循環系統と、前記循環系統に冷媒を流すポン
プと、前記ポンプを駆動する電気回路を備え、前記電気
回路が、前記ベース部材に設置されているようにしても
よい。
【0030】また、このとき、前記熱交換装置が風冷式
であり、その冷却風により前記ベース部材が冷却される
ようにしてもよく、或いは、前記ベース部材が内部に流
通路を有し、該流通路に、前記熱交換装置で冷却された
流体が通流されるようにしてもよい。
【0031】更には、前記流通路を有する導体部材の当
該流通路に対する前記流体の通流が絶縁配管を介して行
なわれ、この絶縁配管の融点が、前記ろう付け接合に使
用されるろう材の融点よりも高くなるように構成しても
よく、前記流体が、別途設置されているエアコン装置か
ら分岐された冷媒であるようにしてもよい。
【0032】同じく上記目的は、前記いずれかに記載の
半導体モジュールを主回路のスイッチング素子として用
い、電力変換装置を構成することによっても達成され
る。
【0033】
【発明の実施の形態】まず、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する前に、ここで、この実施形態の基本
的な構成について、図1の平面図と図2の側面図によ
り、簡単に説明する。これら図1と図2において、ま
ず、101はベース板で、このベース板101の一方の
面に樹脂絶縁層102が設けてある。次に、103は導
体部材で、図示のように、幾つかの部分に分かれてい
て、これにより、半導体素子が接合される回路パターン
導体を形成するようになっている。
【0034】そして、各導体部材103は、樹脂絶縁層
102を介して、ベース板101の上に配列され、樹脂
絶縁層102によりベース板101に接合されていて、
これら各導体部材103の露出面に、各々のパワー半導
体素子104が半田接合層107により接合されてい
る。
【0035】ここで、各導体部材103は、例えば銅な
どの導電材料で作られ、図2に表わされているように、
所定の厚さを持ち、その内部に、夫々厚み方向と直角
に、冷却用流体の通路となる孔が、往復2本の流通路1
06として形成してある。
【0036】そして、これらの流通路106は、絶縁材
で作られている配管、つまり絶縁配管105により相互
に連通され、各導体部材103の往復2本の流通路10
6を通って、一連の冷却用流体通路が折り返えされた経
路として形成されるように作られている。
【0037】そこで、配管105を介して、各導体部材
103の流通路106に、所定の冷却材となる流体、例
えば所定の温度の水を通流させてやれば、各導体部材1
03は、それぞれに接合されている各々のパワー半導体
素子104に対する回路パターン導体を形成すると共
に、各パワー半導体素子104を冷却する部材としても
働くことになる。
【0038】ここで、これら図1と図2の構成によれ
ば、各導体部材103とパワー半導体素子104間の伝
熱経路には、半田接合層107が介在しているだけであ
り、絶縁物は一切ないから、流通路106内の冷却水と
パワー半導体素子104の間の熱抵抗は極めて小さく、
従来の絶縁基板が介在していた場合と比較して大幅に低
減されているので、高い冷却性能が容易に得られる。
【0039】また、このとき、配管105が絶縁配管に
してあるので、異った電位にある各導体部材103の間
で必要とする絶縁が容易に得られ、導体部材103によ
る回路パターンの形成も容易になる。また、このとき、
各導体部材103は、ベース板101上に複数個並べて
配置される。
【0040】そこで、各導体部材103の流通路106
の入口と出口は、同一直線上に配置する。これにより、
各流通路106の入口と出口が直線上に向き合って配置
させることができ、容易に配管の接続ができ、簡潔な配
管が形成できる。
【0041】ところで、各導体部材103は、その中に
流通路106が形成されるので、一般の回路パターンに
おける導体層に比して遥かに厚くする必要がある。ここ
で、この導体部材103の厚みが増すと、ベース板10
1との線膨張係数の差により、加工時及び運転時に発生
する熱応力が大きくなる。
【0042】しかし、ここでは、樹脂絶縁層102に、
縦弾性係数が小さく、延びが大きい材料を適用すること
により、厚さが大きな導体部材103をベース板101
に接合しても、熱応力による樹脂絶縁層102に割れ
や、割れによる絶縁低下を招く虞れがない。
【0043】このとき、パワー半導体素子104の放熱
は、導体部材103の流通路106内を流れる冷却水の
熱伝達によるので、樹脂絶縁層102の熱伝導の値は全
く問題にならないから、上記したように、割れの発生が
起こらない材質が任意に選べることになる。
【0044】次に、本発明によるパワー半導体モジュー
ルについて、図示の実施の形態により、具体的に説明す
る。ただし、本発明は、以下に説明する実施の形態に限
られるものではない。
【0045】まず、図3、図4、図5は、本発明を3相
パワー回路を含むパワー半導体モジュールに適用した場
合の一実施の形態で、ここで、図3は平面構造を表わ
し、図4は、図3のA−A断面を、そして、図5は、図
3のB−B‘断面を表わす。
【0046】また、図6は、この3相パワー回路の等価
回路で、各端子部分の符号は、図3の端子における符号
と同じである。なお、この等価回路は、例えば3相のイ
ンバータとして使用されるものである。
【0047】これらの図において、この実施形態による
パワー半導体モジュールは、ベース板101の一方の面
(図4では上側になっている方の面)に絶縁基板となる樹
脂絶縁層102を設け、その上に流通路106を有する
導体部材103と、他の回路パターンとなる導電層30
6を接合し、この導体部材103上の所定の位置にパワ
ー半導体素子104を、半田接合層107により接合さ
せたものである。
【0048】そして、各導体部材103の流通路106
は、相互に絶縁配管105aにより連通され、外部に引
き出されている。また、各導体部材103上には、絶縁
層401を介して、別の回路パターン305が、接合さ
れている。
【0049】更に、パワー半導体素子104と導体部材
103、回路パターン305、それに導電層306は、
それぞれ金属細線304により接続されている(図4で
は省略されている)。ここで、これらの金属細線304
には、300〜500μmφ程度のアルミニウム合金の
ワイヤが用いられている。
【0050】また、導体部材103、回路パターン30
5、及び導電層306には、適宜、内部接続端子308
と外部接続端子302が設けてあり、内部接続端子30
8にはプリント基板307が接続されていて(図3には
プリント基板307の外形のみ破線で示している)、更
に、このリント基板307には外部接続端子302bが
適宜設けられている。
【0051】ここで、この実施形態では、ケース303
が樹脂絶縁層102を介してベース板101に接着され
ている(図3にはケースの外形のみ破線で示している)
が、このとき、ケース303の材料として、耐熱性を有
するPPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂を用いる
ことにより、パワー半導体素子104と導体部材103
の半田による接合と同時に、ケース303を樹脂絶縁層
102に接着することができる。
【0052】そして、これら導体部材103、絶縁配管
105の一部、導電層305、回路パターン305、パ
ワー半導体素子104、金属細線304、内部配線30
8、それに外部接続端子302の一部は、熱伝導率の高
い樹脂301によって封止され、パワー半導体モジュー
ルとして完成される。
【0053】このとき、この封止用の樹脂301には、
エポキシ樹脂などの比較的硬い熱硬化性樹脂を使用する
のが一般的であるが、封止の際や、使用時に封止樹脂が
金属細線や素子に悪影響を与えることを防止するため
に、シリコンゲルなどの比較的柔らかい材料を用いるよ
うにしてもよい。
【0054】更に具体的に説明すると、まず、ベース板
101は、軽量で安価なアルミニウム若しくはアルミニ
ウム合金で作られている。これは、このベース板101
が、パワー半導体モジュール内で比較的大きな体積を有
するので、銅と比較して、安価で軽量にできるアルミニ
ウムがパワー半導体モジュールを作製するのに適してい
るからである。
【0055】一方、冷却性能が重視される場合は、更に
熱伝導率の高い銅を用いる。このとき、ベース板101
は、内部での熱の広がりによる熱抵抗の低減が充分に得
られるように、少なくとも2mmの厚さにしてあり、3
0mm程度の厚さにすることもある。ここで、このベー
ス板101に、更に強制空冷用のフィン、又は水冷用の
水冷管を設けても良い。
【0056】次に、絶縁基板となる樹脂絶縁層102に
は、高絶縁性が要求されるので、このため、フィラーが
分散されたエポキシ樹脂を用いるようになっている。な
お、これにより低熱抵抗性も与えられる。
【0057】そして、このフィラーが分散されたエポキ
シ樹脂による樹脂絶縁層102は、セラミック板と比較
して縦弾性率が小さく、延びが大きいので、接合時と運
転時の熱応力によっても、割れる虞れがない。
【0058】ここで、フィラーには、例えば酸化珪素、
酸化アルミニウムなどの高熱伝導性の無機化合物で作ら
れたものを用いればよく、このとき、フィラーの含有率
を増すほど、樹脂絶縁層102の熱抵抗が低減できる。
【0059】しかし、エポキシ樹脂中に分散可能なフィ
ラー量には限界があるので、通常はフィラーの含有率を
75〜95%の範囲にすると良く、この場合、樹脂絶縁
層102の熱伝導率は2〜5W/mKの範囲となる。
【0060】一方、樹脂絶縁層102の熱抵抗を低減す
るのに有効な別の方法は、それを薄くすることである。
しかし、樹脂絶縁層102を薄くすると、その分、絶縁
耐圧が低下してしまう上、樹脂絶縁層にピンホールなど
が発生し易くなって、信頼性が低下する虞れがあり、従
って、樹脂絶縁層102の厚さの下限には限界があり、
要求される絶縁耐圧にもよるが、50〜250μm程度
が下限になる。
【0061】ここで、本発明の場合、この樹脂絶縁層に
ついては、熱抵抗の低減よりも、加工時及び運転時の熱
応力の緩和が要求されるので、従来のパワー半導体モジ
ュールの場合よりも厚めの方がよい。
【0062】また、この樹脂絶縁層102は、導体部材
103及び導電層306をベース板101から絶縁する
ものであるから、これらの周囲にも絶縁耐圧に相当する
沿面距離が必要であり、このため、足りない分は、ベー
ス板101の表面を絶縁層で覆うことで補う必要があ
る。
【0063】そこで、この実施形態では、図示のよう
に、この樹脂絶縁層102をベース板101の導体部材
103側の全面に設けてある。次に、導体部材103の
材料としては、熱伝導を優先する場合は、銅若しくはア
ルミニウムの合金が選択される。
【0064】このとき、アルミニウムは軽量であるとい
う利点があるが、線膨張係数が大きいので、パワー半導
体素子104を接合する半田接合層107の信頼性に問
題があり、高信頼性を要求される用途には向かない。一
方、銅はアルミニウムと比較して、低熱膨張性且つ高熱
伝導性であり、従って、導体部材103に適している。
【0065】また、パワー半導体素子104と導体部材
103を接合する半田接合層107の信頼性を考慮する
場合は、導体部材103として、線膨張係数がパワー半
導体素子104を形成するシリコンに比較的近く、且
つ、熱伝導率が高い材料を選択する。
【0066】このとき該当する材料としては、モリブデ
ン、アルミニウム・シリコンカーバイド(Al−SiC)、
銅と銅酸化物の複合材料などがあるが、この導体部材1
03には流通路106を設ける必要があるので、加工性
を考慮し、銅と銅酸化物の複合材料が最適であるといえ
る。
【0067】この銅と銅酸化物の複合材料は、銅と銅酸
化物の比率により、線膨張係数、熱伝導率を変えること
ができ、ここで銅酸化物の比率が30%のとき、線膨張
係数が13.5×10-6/Kで、熱伝導率が240W/m
Kとなり、これが導体部材103に適している。
【0068】次に、各導体部材103は流通路106の
入口と出口が直線上にあるようにする。入口と出口が直
線上にあるようにすると、同一部品で構成でき、容易に
配管接続できるという利点がある。
【0069】ここで、図3の実施形態では、1個の導体
部材103aの他に、同一形状の導体部材103bが3
個並んで配置されているが、このとき、図示のように、
入口と出口が直線上に並んでいると、同一部品を並べて
配置した場合、それぞれの入口と出口をそのまま配管接
続できる。
【0070】次に、このときの配管接続方法について説
明する。図3の実施形態では、配管接続した後で導電層
306及び導体部材103を樹脂絶縁層102に接合す
るようになっており、このときの配管接続の手順を図7
から図9により説明する。
【0071】これらの図は配管接続順序を示したもの
で、矢印方向に配管105と導体部材103を移動させ
ることにより、配管の接続を行なう。ここで、効率的な
組立てのためには、各導体部材103bにおける流通路
106の入口と出口が直線上にあることと、配管接続方
向の反対側に十分なスペースを設けることが要件とな
り、更に、配管経路が図示のように、一筆書きになるよ
うにするとよい。
【0072】ところで、各導体部材103は回路パター
ンを形成する導体であり、図6に示す回路の一部の配線
になっているので、導体部材103同士が異なる電位と
なる場合があり、この場合、導体部材103の流通路1
06をつなぐのに絶縁配管を使用する必要がある。
【0073】図3の実施形態では、導電部材103がそ
れぞれ電位を異にするので、絶縁配管105aにより配
管している。しかし、同電位になる導体部材同士の配管
は絶縁配管である必要はない。ここで、図3の配管10
5bは絶縁配管でない。
【0074】一方、外部にある冷却水循環用のポンプに
接続する配管と、パワー半導体素子の発熱により温度上
昇した水の冷却用熱交換器に接続する配管には、一部、
絶縁配管105aを設け、ポンプや熱交換器から絶縁さ
れるようにする。
【0075】ここで、絶縁配管105aは、例えばテフ
ロン(商品名)製とすれば良い。テフロンは高絶縁性であ
る上、可撓性に富み容易に曲げられるので、配管接続が
容易になり、化学的にも安定しているので、高信頼性が
得られる。
【0076】次に、導体部材103に設ける流通路10
6は、導体部材103の熱抵抗が小さくなるように、パ
ワー半導体素子104に近い部分に設ける。このとき、
複数の流通路106を設けると、熱伝達面積が増すので
冷却効率が向上する。
【0077】一方、熱伝達面積を増すためには、図10
(a)に示すように、流通路106を折り曲げて渦巻状に
しても良く、同じく、図10(b)に示すように、流通路
106の内面にひれを設けるようにしても良い。
【0078】次に、流通路106を設ける方法について
説明する。まず、第一の方法は、ドリルなどの穿孔工具
により、そのまま導体部材103に孔を開けて流通路1
06を形成する方法である。
【0079】また、第二の方法は、予め導体部材103
を、その厚み方向に分割された状態の2枚の部材として
おき、双方の向かい合う面を切削加工て溝を形成する方
法であり、この場合は、切削した面をろう付け等により
貼り合わせることにより流通路106が得られる。
【0080】ここで、第一の方法は、工程は少ないが、
形状に制約があり、流通路の形状は直線になった単純な
ものに限られる。一方、第二の方法は、工程は多くなる
が、図10に示したように、曲がった複雑な形状や、複
雑の断面の通路が作成可能である。ここで、上記した銅
と銅酸化物の複合材料は、切削加工が可能なので、導体
部材に向いている。
【0081】次に、導電層306は、電気伝導を考慮し
て、銅若しくはアルミニウムの合金で作られ、樹脂絶縁
層102の表面に張り合わせてある。ここで、アルミニ
ウムは軽量、安価であると共に、前述のように、ベース
板101と同じ材料であり、このため、加工時、樹脂絶
縁層102に生じる熱応力が小さくなるので、導電層を
構成する材料として適している。
【0082】次に、導体部材103と導電層306を樹
脂絶縁層102に接合する方法について説明すると、こ
れは、樹脂絶縁層102上の所定の位置に接着材を塗布
し、各々所定の位置に導体部材103と導電層306を
載置した後、加熱、加圧することにより接合するのであ
る。
【0083】従って、ここで導体部材103と導電層3
06の厚さが概ね等しければ、加圧したとき、導体部材
103及び導電層306と樹脂絶縁層102の接合面に
均一な圧力が掛かるので、良好な接合を得ることができ
る。
【0084】一方、回路パターン305は、絶縁層40
1を介して導体部材103に接合されているが、このと
きの絶縁層401の形成方法には、まず第一の方法とし
て樹脂を用いる方法がある。この場合、シリコン樹脂系
の接着剤を絶縁層401に用いることにより、回路パタ
ーン305の導体部材103に対する接合と絶縁が同時
に達成できることになる。
【0085】ここで、回路パターン305と、この回路
パターンに適宜に設ける内部配線は抵抗が低く、運転時
に生じる発熱は少ないから、それらについては冷却の必
要はなく、従って、シリコン樹脂の低熱伝導性は問題と
ならない。
【0086】一方、接着剤塗布時の気泡などにより絶縁
層401にピンホールが形成されていると、絶縁強度が
落ちてしまうので、このときの接着剤は100μmから
600μm程度の厚さに塗るのが望ましい。また、回路
パターン305の接着は、パワー半導体素子104の半
田接合のための加熱と同時に行なうとよい。
【0087】絶縁層401の形成方法の第二は、セラミ
ック基板を用いる方法で、この方法の場合、銀を表面と
裏面に蒸着したアルミナ板を用いる。そして、まず、こ
のアルミナ板の一方の面を、半田を介して導体部材10
3と導電層306に接合し、その他方の面に、回路パタ
ーン305を半田接合するのである。
【0088】このとき使用する半田の融点は、導体部材
103とパワー半導体素子104を接合する半田接合層
107の融点と概ね同等とするのが望ましい。こうする
ことにより、パワー半導体素子104と導体部材103
の半田接合と同時に、半田接合が得られるからである。
【0089】パワー半導体素子104には、スイッチン
グ素子としてMOSFET、又はIGBTを用いる。こ
こで、低耐圧の場合にはMOSFETを用い、高耐圧が
必要な場合にはIGBTを用いるといった選択が可能で
ある。この実施形態は、図6から明らかなように、MO
SFETが用いられており、ここで、フリーホイールダ
イオードには、MOSFETの寄生ダイオードを用いて
いる。
【0090】他方、スイッチング素子としてIGBTを
用いる場合には、別途、IGBTと逆並列接続したフリ
ーホイールダイオードを搭載する。また、この実施形態
は、ベアチップを実装した構成について示しているが、
導体部材103上にトランスファーモールドされたディ
スクリートデバイスを実装しても、ベアチップの場合と
同様に実施可能で、導体部材103により効果的に冷却
される 次に、各導体部材103と導電層306には、図示のよ
うに、外部接続端子が適宜設けてある。ここで、まず、
外部接続端子302aは外部パワー回路に接続される。
このため、この外部接続端子302aは、ケース303
に予めインサート形成しておき、パワー半導体素子10
4を導体部材103に半田付けするとき、及びケース3
03をベース板101に接着するとき、これと同時に、
導体部材103と導電層306に半田接合するとよい。
【0091】次に、回路パターン305には、内部接続
端子308が適宜設けてある。このため、内部接続端子
308は、プリント基板307に半田接合されるが、こ
のプリント基板307には、パワー半導体素子104を
駆動するドライバICと、このドライバIC及びパワー
半導体素子で構成されるパワー回路を制御するマイコ
ン、ゲート抵抗、サージ吸収用のコンデンサ等の電子部
品を搭載してもよい。
【0092】また、このプリント基板307には、更に
外部接続端子302bが適宜設けてあり、これにより、
外部信号系回路に接続できるようになっている。ところ
で、上記実施形態において、導体部材103の表面に、
半田濡れ性が良好な、例えばNi、Ag、Pt、Sn、S
b、Cu、Zn、Pd の群から選択された少なくとも1種
の金属、又は、これらの群から選択された少なくとも2
種の金属を含む合金を被覆するようにしてもよい。
【0093】ここで、、上記した金属又は合金は、良好
な半田濡れ性を備えているので、これらで導体部材10
3の表面を覆うことにより、パワー半導体素子104の
半田付け性が大きく改善され、この結果、良好な接合が
確実に得られることになり、より一層の信頼性向上を得
ることができる。ここで、図3に示した実施形態では、
導体部材103の表面をNi でメッキしたものである。
【0094】次に、この実施形態において、上記した良
好な半田濡れ性を備えている金属若しくは合金を導体部
材103の表面に被覆する範囲について説明する。ま
ず、本発明の実施形態としては、この被覆範囲は、導体
部材103の全表面であっても良いが、一部でもよい。
すなわち少なくとも一部であれば良い。
【0095】ここで、まず、導体部材103の表面の一
部に被覆したとすると、この場合、以下の効果が得られ
る。例えば、Ag など、半田濡れは良好だが、アルミニ
ウムとの接合性が乏しい材料を用いる場合、一部にだけ
被覆することにより、パワー半導体素子104の半田接
合部ではAg メッキによる良好な半田接合が得られる。
【0096】他方、アルミニウムの金属細線304が接
続される部分にはAg メッキが無いので、パワー半導体
素子104と金属細線304の双方共に良好な接合を得
ることができる。次に、一部だけの被覆により、半田接
合時でのパワー半導体素子104の位置ずれを抑えるこ
とができる。
【0097】このとき、被覆した材料の半田濡れ性が良
好な場合には、接合時に半田が溶融したとき、パワー半
導体素子104が浮いて所定の位置から動いてしまうこ
とがあるが、このとき、予め、パワー半導体素子104
が半田接合される部分にのみ半田濡れ性が良好な材料で
被覆しておけば、この部分の外には溶融した半田が流れ
出さないので、パワー半導体104が動く虞れはなく、
従って、所定の位置に半田接合することができるのであ
る。
【0098】この場合、半田のフィレット(流れ面)がパ
ワー半導体素子104の周囲に綺麗に形成されるように
するためには、このときの半田の厚さ(後述)と同じか、
数倍分程度、パワー半導体104の接合面より広い大き
さの範囲を半田濡れが良好な材料で被覆すればよい。
【0099】このときの半田接合層107の厚さとして
は、半田接合部に発生する熱歪みの低減の見地から、5
0μm以上になるようにするのが望ましい。従って、上
記した被覆処理部がパワー半導体104の周囲からはみ
出してしまう範囲は、50μmから数100μm程度と
なる。
【0100】このときのパワー半導体素子104と導電
層103の接合に使用する半田接合層107の材質とし
ては、プロセス温度が低い点からみると、63%Sn−
37%Pb などの錫と鉛の共晶組成に近い合金が望まし
いが、鉛を含有していない半田が要求される場合には、
Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、Sn−Ag−Bi(ビスマス)
系の半田を使用すればよい。
【0101】ここで、半田の選定の際、半田の接合時の
最高温度を、前期絶縁配管の耐熱温度よりも低くするこ
とにより、配管接続後の半田接合が可能となる。このと
き、半田接合は、一般的に融点より50℃程度高い温度
で行なうので、半田の融点を、絶縁配管105の耐熱温
度より50℃以上低くするとよい。
【0102】一方、半田接合の最高温度を、絶縁配管1
05の耐熱温度より高くする必要がある場合には、半田
接合の後で配管を接続してやれば良い。ここで、導体部
材103を樹脂絶縁層102に接合する際は、前述のよ
うに、加圧を要する。従って、半田接合は、導体部材1
03を樹脂絶縁層102に接合する工程よりも後の工程
となるので、半田接合後に配管接続する際には、導体部
材103は既にベース板101上に固定されている。
【0103】このような場合には、図11に示すよう
に、導体部材103に形成してある流通路106の入口
と出口が外側を向いている構成とすることにより、半田
接合後での配管接続を可能にすることができる。
【0104】次に、パワー半導体素子104を導体部材
103に接合するための半田接合層107について、図
12と図13により説明する。ここで、図13は、図1
2のA部の拡大図であり、これらの図から明らかなよう
に、この半田接合層107には、その層の間に応力緩衝
板1001が設けてある。
【0105】そこで、この応力緩衝板1001の材料と
して、その線膨張係数の値が、パワー半導体素子104
を構成するシリコンと導体部材103を構成する材料の
間にある材料を用いることにより、半田接合層107に
生じる熱ひずみを低減させることができる。
【0106】そして、このような応力緩衝板1001の
材料としては、比較的、線膨張係数が低いにもかかわら
ず、熱伝導率が高く、しかも半田濡れ性が良好なことか
ら、ニッケル若しくはニッケル合金が適している。
【0107】このとき、半田接合層107に、予めこの
半田接合層107の厚さと同等の直径のニッケルのボー
ルを混入しておくことにより、応力緩衝板1001が半
田接合層107の層中で傾くのが防止でき、半田接合層
107の層厚の均一性が保持されるので、更に高信頼性
が得られる。
【0108】従って、以上に説明した実施形態によれ
ば、冷却能力に優れ、絶縁基板の割れによる絶縁破壊の
危険性が少なく、高信頼性のパワー半導体モジュールを
容易に得ることができる。また、この結果、この実施形
態に係るパワー半導体モジュールを用いることにより、
高信頼性の電力変換装置を容易に得ることができる。
【0109】次に、本発明の他の実施形態に係る半導体
モジュールついて、図14〜図17により説明する。こ
のとき、図14は平面構造を表わし、図15は図13の
A−A’断面、図16は図13のB−B’断面を表わ
す。一方、図17は、図14における配管接続方法を説
明するため、導体部材103と配管105、流通路10
6、樹脂絶縁層102、それにパワー半導体素子104
だけを抜き出して示したものである。
【0110】ここで、まず、これらの図14〜図17に
示した実施形態が、図3〜図5で説明した実施形態と異
なる点は、図14と図3を比較すれぱ明らかなように、
主として導体部材間の配管の接続形式にある。なお、そ
の他の点では、ほとんど共通しているので、同じ構成に
ついては同じ符号を付すだけで、詳しい説明は割愛す
る。
【0111】すなわち、図3の実施形態では、各導体部
材103の流通路106が、図では横方向になってい
て、一連の冷却用流体通路の最後で折り返えされた経路
として形成されているのに対して、この図14の実施形
態では、流通路106が縦方向になっていて、一連の冷
却用流体通路が、各導体部材103を順次往復して通過
して行く経路として形成されている。
【0112】また、この結果、これらの実施形態の間の
大きな相違点は、一連の冷却用流体通路における絶縁配
管105aの適用個所にもある。つまり、外部との接続
部に絶縁配管105aが設けてある点は、図3の実施形
態と同様であるが、この図14の実施形態では、導体部
材103間の配管については、絶縁配管105aが長さ
の短い個所で、且つ曲がりの無い個所にだけに設けられ
ているからである。
【0113】詳しく説明すると、この図14の実施形態
では、図17を見れば更に明らかなように、絶縁配管1
05aは、図で上側にある1個の導体部材103eと、
下側にある3個の導体部材103fの間の直線部分にだ
け設けられている。ここで、金属の配管と異なり、絶縁
配管105aには大きな曲率を設けない方が、絶縁劣化
の虞れがない点で優れていることは言うまでもない。
【0114】そこで、この図14〜図17に示した実施
形態では、配管に曲がりが必要な個所については、配管
の入口と出口が同電位となるように、導体部材103を
配置し、これにより、導体部材103eと導体部材10
3f間の配管にだけ絶縁配管105aを用いれば済むよ
うにしてある。
【0115】そして、この結果、導体部材103e同仕
と、導体部材103f同士の配管には、成型が容易な金
属など、導電材料の配管105bを用いることができ、
配管を曲げたことによる信頼性の低下が起こらないよう
にすることができる。
【0116】従って、この実施形態によれば、絶縁配管
105aは直線に限られ、絶縁配管105aを曲げる必
要がなく、従って、曲げによる絶縁配管の劣化の虞れは
極めて少なく、高信頼性である。また、この結果、高価
な絶縁配管105aの使用量が少なくて済み、低価格化
が図れることになる。
【0117】次に、この図13の実施形態では、上記の
配管配置を可能にするため、回路パターンとなる導電層
306が絶縁層401を介して、導体部材103eの上
に設けてあり、この点でも、図3の実施形態とは異なっ
ている。
【0118】そして、この導電層306が導体部材10
3e上に設けられた結果、導体部材103eと導体部材
103fの間が空間になり、曲がりの無い管路で配管す
ることができ、且つ配管距離が小さくなるので、絶縁配
管105aの寸法を短くすることができる。
【0119】このとき、この導体層306は、銅、アル
ミニウムなどの良導体で形成できるので、図3の実施形
態における導電層306のように、厚さを大にする必要
はない。しかも、この導電層306には、導体部材10
3eと対向する電流が流れるので、相対的にインダクタ
ンスが低下される。
【0120】そして、このインダクタンスの低下によ
り、パワー半導体素子104がオフしたときの電圧の跳
ね上がりが小さくなり、過電圧によるパワー半導体素子
104の破壊の虞れが少なくできる。
【0121】次に、図18と図19は、図3に示したパ
ワー半導体モジュールに、熱交換器1802と冷却水循
環用のポンプ1801、ファン1803、それに、これ
らポンプとファンなどからなる補機駆動用の電気回路を
設けた場合の本発明の一実施形態で、図18は平面構造
を示し、図19は、図18のA−A’断面を示したもの
である。
【0122】ここで、図3〜図5で説明した実施形態と
同じ構成については、同一の符号を付してあり、従っ
て、これらの部分についての詳しい説明は割愛する。こ
れら図18と図19において、補機を駆動する電気回路
は、補機用のパワー半導体素子1701と、このパワー
半導体素子1701を搭載するための導電層からなる第
1のプリント基板1702、それに第2のプリント基板
1703で構成されている。
【0123】そして、まずプリント基板1702は、導
体部材103と同時に加熱、加圧により樹脂絶縁層10
2に接合してある。ここで、このプリント基板1702
は、導体部材103より薄いが、厚さの差が生じる部分
に治具等を挿入することにより、導体部材103と同一
の面圧で接合させることができるようにする。
【0124】次に、第2のプリント基板1703も、プ
リント基板1702と同時に樹脂絶縁層102に接合す
る。そして、この後、プリント基板1702にパワー半
導体素子1701を半田接合するのであるが、このとき
の半田接合は、主機を駆動するパワー半導体素子104
と同時に行なう。
【0125】第2のプリント基板1703には、補機の
駆動を制御する回路と、その他の電子部品が搭載される
が、更に、主機の駆動を制御する回路と電子部品を搭載
しても良い。そして、このプリント基板1703は、適
宜、内部接続端子308を介してプリント基板307と
電気的に接続される。
【0126】各導電部材103の流通路106は、絶縁
配管105aを介して熱交換器1802とポンプ180
1に連接され、冷却水1804がポンプ1801により
循環され、パワー半導体素子103で発生した熱によ
り、温度が上昇した冷却水1804は、熱交換器180
2の中で、ファン1803から供給される冷却風180
5により強制空冷される。
【0127】このとき、ベース板101の下面にもファ
ン1803から供給される冷却風1805を誘導させる
ことにより、このベース板101からの放熱が促進され
るようにする。これにより、プリント基板1702上に
搭載してある補機用のパワー半導体素子1701と第2
のプリント基板1703に搭載されている回路素子の冷
却が図れることになる。
【0128】このとき、主機の駆動回路は流通路106
を設けた導体部材103により冷却されるが、補機の駆
動回路は、ベース板101下面からの熱伝達だけで放熱
される。従って、第1のプリント基板1702と第2の
プリント基板1703は、図示のように、冷却風180
5の流れの上流側に位置するようにしてある。
【0129】但し、補機に対して主機の電力が大きく、
主機の下部のベース下面の方が補機の下部のベース下面
の温度より高いくなる場合には、主機の駆動回路が冷却
風1805の風上になるように配置してもよい。
【0130】次に、図20は、ベース板101も水冷式
にした場合の本発明の一実施形態であり、このため、図
示のように、ベース板101にも流通路106を設ける
と共に、ポンプ1801も2台設け、熱交換器1801
で放熱された冷却水1804bが、ベース板101に設
けた流通路106を循環するように構成してある。
【0131】従って、この図20の実施形態によれば、
補機用駆動回路の発熱量が多くなっても容易に対応し
て、常に効率よく冷却することができ、高信頼性が図れ
ることになる。
【0132】次に、図21は、本発明に係る半導体モジ
ュールを、エアコン(エアコンデショナ:空気調和装置)
が装備されている自動車の電子部品に適用した場合の一
実施形態で、ここに示した自動車用のエアコンは、主要
部が圧縮機2001と凝縮器2002、膨張弁200
3、それに蒸発器2004で構成され、これらの内部と
配管内には、例えば代替フロンなどの所定の冷媒が封入
されている。
【0133】圧縮機2001は、図示してない自動車の
エンジンで駆動され、これにより、圧縮機2001は、
蒸発器2004からガス状の冷媒を吸入して圧縮し、温
度が常温以上の高温に上昇したガス状の冷媒を凝縮器2
002に供給する動作を行ない、結果として、凝縮器2
002の内部は高温高圧状態になり、蒸発器2004の
内部は低圧状態になるように動作する。
【0134】このとき、膨張弁2003は、液化された
冷媒だけを通過させる働きをし、これにより、凝縮器2
002側での高圧状態と、蒸発器2004側での低圧状
態が破られないで保持されるようにする。
【0135】そこで、図示してないファンなどにより、
凝縮器2002を常温の大気に曝された状態にし、自動
車の車室内の空気が蒸発器2004に曝されるようにし
ておくと、凝縮器2002の中の高温にあるガス状の冷
媒は、常温の大気により熱を奪われて温度が低下し、液
化する。
【0136】そこで、この液化した冷媒が膨張弁200
3を通過して蒸発器2004に供給されると、ここは低
圧状態にあるので、ここで液体の冷媒は、車室内の空気
から気化潜熱を奪って急激に蒸発沸騰し、ガス化して急
激に温度が低下する。
【0137】このとき、蒸発器2004内でガス化した
冷媒は、次々と圧縮機2001に吸入されるので、蒸発
器2004内が高圧になることはなく、冷媒の連続した
蒸発が維持され、この結果、凝縮器2002が曝されて
いる車室内の空気が冷され、エアコンとしての働きが得
られることになる。
【0138】そこで、この図21の実施形態では、この
エアコンに上記した本発明の実施形態による半導体モジ
ュールの何れかを適用し、蒸発器2004から圧縮機2
001に至る冷媒の経路に、半導体モジュールの導体部
材103を通る一連の冷却用流体通路が含まれるように
構成したものである。
【0139】ここで、蒸発器2004から出てくるガス
状の冷媒は、エアコンにより冷されてる車室内の空気と
ほぼ同じ温度で、常温よりもかなり低温にあり、従っ
て、この実施形態によれば、パワー半導体素子103を
更に効果的に冷却することができる。
【0140】次に、図22は、図21の実施形態におい
て、半導体モジュールの導体部材103を通る一連の冷
却用流体通路に、制御弁2005を備えた分岐配管20
06を設けたものである。従って、この実施形態の場
合、制御弁2005があるので、半導体モジュールの使
用状況に応じて、そこに通流される冷媒の流量を変える
ことができる。
【0141】上記実施形態によるパワー半導体モジュー
ルを自動車に適用した場合、対象となる負荷にスタータ
ジェネレータがある。このスタータジェネレータは、発
進時に電動機で走行する方式のハイブリッド自動車に備
えられているものであり、従って、その制御に適用した
パワー半導体モジュールは、発進時に短時間使用され
る。
【0142】つまり、この場合、パワー半導体モジュー
ルの発熱は短時間であり、従って、図22の実施形態に
よれば、パワー半導体素子が発熱するときだけ制御弁2
005をを開き、エアコンの冷媒を導体部材103に循
環させることにより、パワー半導体素子を効果的に冷却
できる。
【0143】
【発明の効果】本発明によれば、冷却能力に優れ、絶縁
基板の割れによる絶縁破壊の虞れが少なく、高信頼性の
パワー半導体モジュールと、それを用いた電力変換装置
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体モジュールの一概要を示す
平面図である。
【図2】本発明による半導体モジュールの一概要を示す
正面図である。
【図3】本発明による半導体モジュールの第1の実施形
態を示す平面図である。
【図4】本発明による半導体モジュールの第1の横実施
形態を示す断面図である。
【図5】本発明による半導体モジュールの第1の縦実施
形態を示す断面図である。
【図6】本発明による半導体モジュールの第1実施形態
の等価回路である。
【図7】本発明による半導体モジュールの第1の実施形
態の配管接続方法の説明図である。
【図8】本発明による半導体モジュールの第1の実施形
態の配管接続方法の説明図である。
【図9】本発明による半導体モジュールの第1の実施形
態の配管接続方法の説明図である。
【図10】本発明の実施形態における導体部材の一例を
示す説明図である。
【図11】本発明による半導体モジュールの第1の実施
形態における変形例の説明図である。
【図12】本発明による半導体モジュールの第1の実施
形態における接合部の説明図である。
【図13】本発明による半導体モジュールの第1の実施
形態における接合部の拡大説明図である。
【図14】本発明による半導体モジュールの第2の実施
形態を示す平面図である。
【図15】本発明による半導体モジュールの第2の実施
形態を示す断面図である。
【図16】本発明による半導体モジュールの第2の実施
形態を示す断面図である。
【図17】本発明による半導体モジュールの第2の実施
形態の配管接続方法を示す平面図である。
【図18】本発明による半導体モジュールの第3の実施
形態を示す平面図である。
【図19】本発明による半導体モジュールの第3の実施
形態を示す断面図である。
【図20】本発明による半導体モジュールの第4の実施
形態を示す断面図である。
【図21】本発明による半導体モジュールの第5の実施
形態を示す構成図である。
【図22】本発明による半導体モジュールの第5の実施
形態を示す構成図である。
【図23】従来技術による半導体モジュールの第1の例
を示す断面図である。
【図24】従来技術による半導体モジュールの第2の例
を示す断面図である。
【図25】従来技術による半導体モジュールの第3の例
を示す断面図である。
【図26】従来技術による半導体モジュールの第4の例
を示す断面図である。
【符号の説明】
101 ベース板 102 樹脂絶縁層 103 導体部材 104 パワー半導体素子 105、105a 絶縁配管 105b 配管(導体) 106 流通路 107 半田接合層 301 樹脂(封止用) 302 外部接続端子 303 ケース 304 金属細線 305 回路パターン 306 導電層 307 プリント基板 308 内部接続端子 401 絶縁層 1001 応力緩衝板 1701 補機用パワー半導体素子 1702 第1のプリント基板(補機用パワー半導体素
子を搭載する導電層) 1703 第2のプリント基板 1801 ポンプ 1802 熱交換器 1803 ファン 1804 冷却水 1805 冷却風 2001 圧縮機 2002 凝縮器 2003 膨張弁 2004 蒸発器 2005 制御弁 2006 分岐配管 2101 セラミック基板 2102 回路パターン 2103 取付ボルト 2104 水冷フィン 2105 グリース 2201 空冷フィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真田 和昭 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 谷江 尚史 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 羽二生 倫之 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Fターム(参考) 3L044 AA04 BA06 CA14 DA01 DB02 DD07 FA02 FA04 KA04 KA05 3L045 AA04 AA07 BA07 CA00 DA02 PA04 PA05 5F036 AA01 BA10 BB43 BB44 5H007 AA17 BB06 CA02 CB02 CB05 DB03 DB07 HA04 HA06 5H740 BA11 BA12 BB05 BB09 BB10 BC01 BC02 MM08 PP01 PP02 PP03 PP06

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベース部材の表面に、絶縁層を介して形
    成した回路パターン用導体を備え、該回路パターン用導
    体の表面に半導体素子をろう付け接合する方式の半導体
    モジュールにおいて、 前記回路パターン用導体の、少なくとも前記半導体素子
    が接合される部分を、内部に流体の流通路となる孔が貫
    通されている導体部材で形成し、 前記半導体素子の放熱が、前記流通路に通流される流体
    により与えられるように構成したことを特徴とする半導
    体モジュール。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の発明において、 前記流通路を有する導体部材が2個以上で、これら導体
    部材の中の少なくとも2個については、それらの流通路
    の出口と入口が同一直線上に位置するようにして、前記
    ベース部材に配置されていることを特徴とする半導体モ
    ジュール。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の発明において、 前記流通路に通流される流体を冷却する熱交換装置から
    なる循環系統と、 前記循環系統に冷媒を流すポンプと、 前記ポンプを駆動する電気回路を備え、 前記電気回路は、前記ベース部材に設置されていること
    を特徴とする半導体モジュール。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の発明において、 前記熱交換装置が風冷式であり、その冷却風により前記
    ベース部材が冷却されるように構成したことを特徴とす
    る半導体モジュール。
  5. 【請求項5】 請求項3に記載の発明において、 前記ベース部材が内部に流通路を有し、 該流通路に、前記熱交換装置で冷却された流体が通流さ
    れるように構成したことを特徴とした半導体モジュー
    ル。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の発明において、 前記流通路を有する導体部材の当該流通路に対する前記
    流体の通流が、絶縁配管を介して行なわれ、 この絶縁配管の融点が、前記ろう付け接合に使用される
    ろう材の融点よりも高くなるように構成されていること
    を特徴とする半導体モジュール。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の発明において、 前記流体が、別途設置されているエアコン装置から分岐
    された冷媒であることを特徴とする半導体モジュール。
  8. 【請求項8】 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載
    の半導体モジュールを主回路のスイッチング素子として
    用いたことを特徴とする電力変換装置。
JP2001067207A 2001-03-09 2001-03-09 半導体モジュール及び電力変換装置 Expired - Fee Related JP3556175B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001067207A JP3556175B2 (ja) 2001-03-09 2001-03-09 半導体モジュール及び電力変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001067207A JP3556175B2 (ja) 2001-03-09 2001-03-09 半導体モジュール及び電力変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002270748A true JP2002270748A (ja) 2002-09-20
JP3556175B2 JP3556175B2 (ja) 2004-08-18

Family

ID=18925590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001067207A Expired - Fee Related JP3556175B2 (ja) 2001-03-09 2001-03-09 半導体モジュール及び電力変換装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3556175B2 (ja)

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1628345A2 (en) 2004-08-17 2006-02-22 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled encapsulated micoelectronic package
JP2006303290A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2007510299A (ja) * 2003-10-31 2007-04-19 ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール パワーモジュールの冷却装置
JP2007266370A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
US7304379B2 (en) 2003-08-27 2007-12-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with pipe for passing refrigerant liquid
EP1959719A2 (en) 2007-02-19 2008-08-20 Hitachi, Ltd. Power converter
JP2008306793A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Toyota Motor Corp インバータ装置
JP2009022107A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Toshiba Corp 液冷式電力変換装置
JP2009141013A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Toshiba Corp 冷却プレート構造
DE102008061488A1 (de) * 2008-12-10 2010-06-17 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
JP2010526427A (ja) * 2007-04-26 2010-07-29 セラムテック アクチエンゲゼルシャフト 構成素子又は回路のためのクーリングボックス
JP2010172147A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Denso Corp 電力変換装置
JP2010187526A (ja) * 2009-01-14 2010-08-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd サーボ制御システム及び作業機械
US7911806B2 (en) 2007-09-28 2011-03-22 Hitachi, Ltd Method and apparatus for reducing EMI emissions from a power inverter
WO2013073021A1 (ja) 2011-11-16 2013-05-23 トヨタ自動車株式会社 電気機器の冷却装置
WO2013073019A1 (ja) 2011-11-16 2013-05-23 トヨタ自動車株式会社 電気機器の冷却装置
CN104901604A (zh) * 2014-03-06 2015-09-09 株式会社日立功率半导体 半导体装置以及采用它的马达和空调机
JP2020004894A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 三菱重工業株式会社 半導体素子の冷却構造及び電子デバイスの冷却構造
WO2020245975A1 (ja) * 2019-06-06 2020-12-10 三菱電機株式会社 金属ベース板の反り制御構造、半導体モジュールおよびインバータ装置
JP2021197534A (ja) * 2020-06-18 2021-12-27 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
EP4075496A1 (de) * 2021-04-15 2022-10-19 3-5 Power Electronics GmbH Gehäustes halbleiterbauteil
DE102022207676A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Zf Friedrichshafen Ag Halbleitermodul

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7304379B2 (en) 2003-08-27 2007-12-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with pipe for passing refrigerant liquid
US7705448B2 (en) 2003-08-27 2010-04-27 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device for pipe for passing refrigerant liquid
JP2007510299A (ja) * 2003-10-31 2007-04-19 ヴァレオ エキプマン エレクトリク モトゥール パワーモジュールの冷却装置
EP1628345A3 (en) * 2004-08-17 2006-03-29 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled encapsulated micoelectronic package
EP1628345A2 (en) 2004-08-17 2006-02-22 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled encapsulated micoelectronic package
US8026597B2 (en) 2004-08-17 2011-09-27 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled encapsulated microelectronic package
US7205653B2 (en) 2004-08-17 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled encapsulated microelectronic package
JP2006303290A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2007266370A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP4622911B2 (ja) * 2006-03-29 2011-02-02 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
US7692923B2 (en) 2007-02-19 2010-04-06 Hitachi, Ltd. Power converter
EP1959719A2 (en) 2007-02-19 2008-08-20 Hitachi, Ltd. Power converter
EP1959719A3 (en) * 2007-02-19 2011-01-26 Hitachi, Ltd. Power converter
JP2014160873A (ja) * 2007-04-26 2014-09-04 Ceramtec Gmbh 構成素子又は回路のためのクーリングボックス
JP2010526427A (ja) * 2007-04-26 2010-07-29 セラムテック アクチエンゲゼルシャフト 構成素子又は回路のためのクーリングボックス
JP2008306793A (ja) * 2007-06-05 2008-12-18 Toyota Motor Corp インバータ装置
JP2009022107A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Toshiba Corp 液冷式電力変換装置
US7911806B2 (en) 2007-09-28 2011-03-22 Hitachi, Ltd Method and apparatus for reducing EMI emissions from a power inverter
JP4703633B2 (ja) * 2007-12-04 2011-06-15 株式会社東芝 冷却プレート構造
US7986528B2 (en) 2007-12-04 2011-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Cooling plate structure of cooling apparatus and transmitter with the cooling apparatus
JP2009141013A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Toshiba Corp 冷却プレート構造
US8599556B2 (en) 2008-12-10 2013-12-03 Siemens Aktiengesellschaft Power converter module with cooled busbar arrangement
DE102008061488A1 (de) * 2008-12-10 2010-06-17 Siemens Aktiengesellschaft Stromrichtermodul mit gekühlter Verschienung
JP2010187526A (ja) * 2009-01-14 2010-08-26 Sumitomo Heavy Ind Ltd サーボ制御システム及び作業機械
JP2010172147A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Denso Corp 電力変換装置
US9458756B2 (en) 2011-11-16 2016-10-04 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Cooling device for electric equipment
WO2013073019A1 (ja) 2011-11-16 2013-05-23 トヨタ自動車株式会社 電気機器の冷却装置
US9237678B2 (en) 2011-11-16 2016-01-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Cooling device that uses three fluids to cool electronics
WO2013073021A1 (ja) 2011-11-16 2013-05-23 トヨタ自動車株式会社 電気機器の冷却装置
CN104901604A (zh) * 2014-03-06 2015-09-09 株式会社日立功率半导体 半导体装置以及采用它的马达和空调机
JP2020004894A (ja) * 2018-06-29 2020-01-09 三菱重工業株式会社 半導体素子の冷却構造及び電子デバイスの冷却構造
JP7075837B2 (ja) 2018-06-29 2022-05-26 三菱重工業株式会社 半導体素子の冷却構造及び電子デバイスの冷却構造
CN113906553A (zh) * 2019-06-06 2022-01-07 三菱电机株式会社 金属基座板的翘曲控制构造、半导体模块及逆变器装置
JPWO2020245975A1 (ja) * 2019-06-06 2021-10-21 三菱電機株式会社 金属ベース板の反り制御構造、半導体モジュールおよびインバータ装置
WO2020245975A1 (ja) * 2019-06-06 2020-12-10 三菱電機株式会社 金属ベース板の反り制御構造、半導体モジュールおよびインバータ装置
JP7154410B2 (ja) 2019-06-06 2022-10-17 三菱電機株式会社 金属ベース板の反り制御構造、半導体モジュールおよびインバータ装置
JP2021197534A (ja) * 2020-06-18 2021-12-27 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP7560276B2 (ja) 2020-06-18 2024-10-02 日本発條株式会社 積層体および積層体の製造方法
EP4075496A1 (de) * 2021-04-15 2022-10-19 3-5 Power Electronics GmbH Gehäustes halbleiterbauteil
JP2022164619A (ja) * 2021-04-15 2022-10-27 3-5 パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ハウジング収容型半導体デバイス
JP7428412B2 (ja) 2021-04-15 2024-02-06 3-5 パワー エレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ハウジング収容型半導体デバイス
DE102022207676A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Zf Friedrichshafen Ag Halbleitermodul

Also Published As

Publication number Publication date
JP3556175B2 (ja) 2004-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3556175B2 (ja) 半導体モジュール及び電力変換装置
EP2328172B1 (en) A power-electronic arrangement
KR101017333B1 (ko) 전력 반도체 모듈
US20090116197A1 (en) Method for power semiconductor module fabrication, its apparatus, power semiconductor module and its junction method
US10128167B2 (en) Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module
US11862531B2 (en) Power device, power device assembly, and related apparatus
JP3641232B2 (ja) インバータ装置及びその製造方法
JP2006100640A (ja) セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール
JP6945418B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7605456B2 (en) Inverter unit
US20050258550A1 (en) Circuit board and semiconductor device using the same
CN216563091U (zh) 一种双面散热功率模块
CN110797318A (zh) 一种双面热管冷却的igbt封装结构
JP4645406B2 (ja) 半導体装置
JP2002231883A (ja) パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置
JP5011088B2 (ja) 放熱装置及びパワーモジュール
CN113838821A (zh) 一种用于SiC平面封装结构的散热件及其制备方法
US10916491B2 (en) Semiconductor module
JP3972519B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP2014175511A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4961314B2 (ja) パワー半導体装置
CN210805758U (zh) 一种高功率密度igbt模块的双面混合散热结构
US20240250057A1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
US20240030087A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion device
JP2001358244A (ja) パワー半導体モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040427

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees