JP4622911B2

JP4622911B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置

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Publication number: JP4622911B2
Application number: JP2006090349A
Authority: JP
Inventors: 晶紀江田
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2011-02-02
Anticipated expiration: 2026-03-29
Also published as: JP2007266370A

Description

本発明は、冷却水路を有した冷却器にハウジングを接合して構成される半導体装置の製造方法および製造装置に関する。

一般的に、インバータ装置等に用いられるパワーモジュール等の半導体装置は、作動時に発熱するパワー半導体素子の放熱等を考慮して、該半導体素子を放熱板にはんだ接合して構成されている。
また、前記半導体装置の放熱板には、該放熱板に接合される半導体素子を覆って保護するためのハウジングが、熱硬化性の接着剤等の接合剤により接合されている。

前述のように、ハウジングを熱硬化性の接合剤を用いて放熱板に接合する場合、放熱板上に熱硬化性の接合剤を介してハウジングを載置し、該放熱板の下面にホットプレートを接触させることで、熱硬化性の接合剤を硬化させることが行われている。
例えば、図５に示すように、半導体素子１０３がはんだ１０４にて接合された放熱板１０２にハウジング１０５を接合する場合、ハウジング１０５が熱硬化性の接合剤１０６を介して載置された状態の放熱板１０２をホットプレート１１０上にセットし、該ホットプレート１１０により、放熱板１０２を通じて硬化性の接合材１０６を加熱するようにしている。
このように、放熱板１０２を通じて前記接合剤１０６を加熱して硬化させる場合、接合剤１０６は放熱板１０２からの伝熱により加熱されるため、放熱板１０２が接合剤１０６の硬化温度まで加熱される必要があるが、放熱板１０２の熱容量が大きいため、加熱を開始してから接合剤１０６の硬化温度に達するまでに多くの時間を要することとなって、ハウジング１０５の接合工程のサイクルタイムが長くなり半導体装置の生産性が低下する原因となっていた。

そこで、放熱板の前記接合剤の塗布領域に相当する箇所の下面にヒータを配置し、その接合剤の塗布領域に相当する箇所を局所的に加熱することで、該ヒータからの熱を効率良く接合剤へ伝達し、ハウジングの接合工程にかかる時間を短縮する技術が考案されている。例えば、特許文献１に示すごとくである。
しかし、ヒータにより接合剤の塗布領域に相当する箇所を局所的に加熱した場合でも、ヒータから放熱板へ付与された熱は、接合剤の塗布領域に相当する箇所から、その周辺領域へ逃げていくため、ヒータからの熱を接合剤へ効率良く伝達させるのには限りがあった。

また、前述のように、放熱板の下方にホットプレートを配置した場合、放熱板の下面やホットプレートの表面は、完全な平面でなく反りや凹凸を有しており、図６に示すように放熱板１０２とホットプレート１１０との間に隙間Ｇが生じるため、ホットプレート１１０からの放熱板１０２への熱伝達効率が悪化し、接合剤１０６の接合時間が延びる原因となっている。
この放熱板等の反りや凹凸による隙間は、放熱板の下方にヒータを配置した場合にも同様に生じることがあり、接合剤への熱伝達の妨げとなるものである。

さらに、特許文献１には、放熱板とハウジングとの間に熱硬化性の接合剤を介装して両者を接合する際に、接合剤の塗布領域の近傍における、放熱板とハウジングとの間、または放熱板およびハウジングの何れか一方の内部にヒータを挿入して、接合剤を加熱して硬化させる技術が開示されている。
特開２００４−２９６６４５号公報

前述のように、接合剤の塗布領域の近傍における、放熱板とハウジングとの間、または放熱板およびハウジングの何れか一方の内部にヒータを挿入して、接合剤を加熱するように構成した場合、放熱板の反りや凹凸の影響をある程度抑えることは可能であるが、ヒータを挿入するための溝や穴を放熱板およびハウジングに追加工して形成する必要があるので、半導体装置を構成する放熱板やハウジングといった部品の加工費がかさむこととなり、半導体装置がコストアップする原因となってしまう。
また、放熱板やハウジングに形成した溝や穴の加工精度等の理由により、該溝や穴の内周面にヒータを完全に密着させることは困難であるため、ヒータからの接合剤への熱伝達効率の向上には限度がある。

そこで、本発明においては、放熱板およびハウジングへの追加工により半導体装置をコストアップさせることなく熱伝達効率を向上させて、接合剤硬化工程の時間短縮を図ることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供するものである。

上記課題を解決する半導体装置の製造方法および製造装置は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項１記載のごとく、冷却水路を有した冷却器にハウジングを接合して構成される半導体装置の製造方法であって、前記ハウジングを、熱硬化性接合剤を介して冷却器上にセットする工程と、前記冷却水路内に加熱した流体を通過させて、前記熱硬化性接合剤を硬化させる工程とを備える。
このように、加熱した流体は大きな面積を有する冷却水路の内周面全体に接触しながら冷却器を加熱するため、加熱した流体と冷却器との間の熱交換効率が高く、短時間で冷却器を加熱することができ、前記接合剤の硬化時間を短縮することができる。
特に、冷却器の冷却水路内にフィンが形成されている場合は、流体との接触面積を大きく確保することができ、流体からの伝熱を効率に行うことができるので、接合剤の硬化時間の短縮効果を高めることができる。
従って、ハウジング接合工程のサイクルタイムを全体的に短縮することができる。
また、冷却器の加熱は、該冷却器の下面にホットプレートやヒータを接触させるのではなく、空気等の流体を冷却器の内部に形成される冷却水路に通過させることで行っているので、冷却器表面に反りや凹凸があったとしても、加熱源となる流体を冷却器に確実に接触させることができ、高い熱伝達効率を安定して得ることができる。
さらに、加熱した流体を通過せさるのは、最初から冷却器に形成されている冷却水路であるので、該冷却器に別途追加工等を施す必要がなく、半導体装置をコストアップさせることもない。

また、請求項２記載のごとく、前記半導体装置の製造方法は、さらに、前記熱硬化性接合剤の硬化後に、前記冷却水路内に冷却した流体を通過させて、前記冷却器を冷却する工程を備える。
これにより、冷却工程においても加熱工程の場合と同様に、冷却した流体と冷却器との間の熱交換効率を高くすることができ、短時間で冷却器を冷却することができる。
従って、ハウジング接合工程のサイクルタイムをさらに短縮することができる。

また、請求項３記載のごとく、前記冷却水路には、該冷却水路の出口から入口へかけて循環経路が接続され、該循環経路により冷却水路内を通過する流体が循環される。
これにより、少ない量の流体で冷却器の加熱または冷却を行うことができるとともに、一旦加熱（冷却）して冷却水路内に供給された流体については、該冷却水路での熱交換による温度低下（上昇）分を加熱（冷却）するのみで、加熱源（冷却源）として再度冷却水路に供給することができるので、ハウジング接合工程の省エネルギー化を図ることができる。

また、請求項４記載のごとく、前記循環経路には、該循環経路および冷却水路内を循環する流体を加熱および冷却可能な加熱冷却器が備えられる。
これにより、流体の加熱器と冷却器とを別体に設けた場合に比べて、ハウジング接合工程を実施するための設備の構成を簡素化することができる。

また、請求項５記載のごとく、冷却水路を有した冷却器にハウジングを接合して構成される半導体装置の製造装置であって、前記冷却水路内を通過する流体と、前記冷却水路内に流体を循環させる循環経路と、該循環経路の途中部に配置され、前記流体を加熱可能な加熱器とを備える。
このように、加熱器により加熱された流体は大きな面積を有する冷却水路の内周面全体に接触しながら冷却器を加熱するため、加熱した流体と冷却器との間の熱交換効率が高く、短時間で冷却器を加熱することができ、前記接合剤の硬化時間を短縮することができる。
特に、冷却器の冷却水路内にフィンが形成されている場合は、流体との接触面積を大きく確保することができ、接合剤の硬化時間の短縮効果を高めることができる。
従って、ハウジング接合工程のサイクルタイムを全体的に短縮することができる。
また、冷却器の加熱は、該冷却器の下面にホットプレートやヒータを接触させるのではなく、空気等の流体を冷却器の内部に形成される冷却水路に通過させることで行っているので、冷却器表面に反りや凹凸があったとしても、加熱源となる流体を冷却器に確実に接触させることができ、高い熱伝達効率を安定して得ることができる。
さらに、加熱した流体を通過せさるのは、最初から冷却器に形成されている冷却水路であるので、該冷却器に別途追加工等を施す必要がなく、半導体装置をコストアップさせることもない。

また、請求項６記載のごとく、前記半導体装置の製造装置は、さらに前記流体を冷却可能な冷却器を備える。
このように、冷却工程においても加熱工程の場合と同様に、冷却した流体と冷却器との間の熱交換効率を高くすることができ、短時間で冷却器を冷却することができる。
従って、ハウジング接合工程のサイクルタイムをさらに短縮することができる。

本発明によれば、加熱した流体が大きな面積を有する冷却水路の内周面全体に接触しながら冷却器を加熱するため、加熱した流体と冷却器との間の熱交換効率が高く、短時間で冷却器を加熱することができ、前記接合剤の硬化時間を短縮することができる。従って、ハウジング接合工程のサイクルタイムを全体的に短縮することができる。
また、冷却器表面に反りや凹凸があったとしても、加熱源となる流体を冷却器に確実に接触させることができ、高い熱伝達効率を安定して得ることができる。
さらに、前記冷却器に別途追加工等を施す必要がなく、半導体装置をコストアップさせることもない。

次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。

図１には、本発明の実施形態にかかる半導体装置１を示している。
半導体装置１は、パワー半導体素子に構成される複数の半導体素子３と、該半導体素子３がはんだ４を介して接合される冷却器２と、冷却器２に接合される半導体素子３を覆って保護するためのハウジング５とを備えており、インバータ装置等に用いられるパワーモジュールに構成されている。

冷却器２は、例えばアルミニウムのような熱伝達性の良い金属部材にて構成されており、半導体素子３からの発熱の放熱部材として用いられている。
また、冷却器２の内部には冷却水路２ａが形成されており、該冷却水路２ａは冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃにより外部と連通している。

このように冷却器２内部に冷却水路２ａを形成し、前記冷却水入口２ｂから冷却水路２ａに冷却水を流入させ、流入した冷却水が冷却水路２ａ内を流れた後に冷却水出口２ｃから排出されるように構成して、半導体素子３からの発熱の放熱性を向上させている。
特に、冷却水路２ａ内には複数のフィンを形成して、冷却水と接触する冷却水路２ａの内周面の面積を増加させているため、優れた放熱特性が発揮される。

また、前記ハウジング５は熱硬化性の接合剤６により冷却器２に接合されている。
該熱硬化性の接合剤６としては、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等といった樹脂部材にて構成される接着剤が用いられている。

このように構成される半導体装置１において、前記ハウジング５を冷却器２に接合する際には、図２に示すような半導体製造装置１０を用いて接合を行っている。
半導体製造装置１０は、流体が循環する循環経路を構成する循環チューブ１１と、該循環チューブ１１内の流体を循環させるファン１２と、循環チューブ１１内を循環する流体を加熱および冷却する加熱冷却器１３と、循環チューブ１１内を循環する流体に含まれる異物等を除去するためのフィルタ１４とを備えている。

前記循環チューブ１１の一端部１１ａおよび他端部１１ｂには、それぞれ接続口１５が形成されており、該一端部１１ａが前記冷却水路２ａの冷却水入口２ｂと接続され、他端部１１ｂが前記冷却水路２ａの冷却水出口２ｃと接続されている。
循環チューブ１１の一端部１１ａおよび他端部１１ｂと、冷却水路２ａの冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃとの接続部にはＯ−リング等のシール部材２２を介装して、該接続部からの流体の漏れを防いでいる。

前記ファン１２、加熱冷却器１３、およびフィルタ１４は、循環チューブ１１の途中部に設けられており、該循環チューブ１１の他端部１１ｂ側から、加熱冷却器１３、ファン１２、およびフィルタ１４の順に配置されている。
前記加熱冷却器１３内にはヒータ１３ａが設けられている。

冷却器２の冷却水路２ａに接続された循環チューブ１１および冷却水路２ａ内には流体が充填されており、前記ファン１２を駆動することにより、前記流体が循環チューブ１１および冷却水路２ａ内を循環する。この場合、前記流体は、冷却水路２ａ内を、冷却水入口２ｂ側から冷却水出口２ｃ側へ向って循環する。
循環チューブ１１および冷却水路２ａ内を循環する流体としては、本例では例えば空気が用いられている。

また、冷却水路２ａの冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃと接続される、循環チューブ１１の一端部１１ａおよび他端部１１ｂ内には、それぞれ冷却水路２ａ内へ流入する流体の温度、および冷却水路２ａから排出された流体の温度を測定するために、熱電対等の温度測定器２１が配置されている。

次に、以上のごとく構成される半導体製造装置１０を用いて、ハウジング５を熱硬化性の接合剤６により冷却器２に接合するハウジング接合工程について説明する。
図３に示すように、ハウジング接合工程は、ハウジング５を冷却器２上にセットする、ハウジングセット工程（Ｓ０１）と、循環チューブ１１および冷却水路２ａ内で循環する流体を加熱して該冷却水路２ａ内を通過させ、ハウジング５と冷却器２との間に介装される熱硬化性の接合剤６を硬化させる、加熱・硬化工程（Ｓ０２）と、前記接合剤６の硬化後に、冷却した流体を冷却水路２ａ内に通過させて該冷却水路２ａを冷却する、冷却工程（Ｓ０３）とを備えている。

まず、ハウジングセット工程（Ｓ０１）について説明する。
ハウジングセット工程では、まず、冷却器２においてハウジング５を接合する箇所に熱硬化性の接合剤６を塗布し、該接合剤６の塗布位置にハウジング５をセットする。
ハウジング５を冷却器２上に接合剤６を介して組み付けた後、前記半導体製造装置１０における循環チューブ１１の一端部１１ａおよび他端部１１ｂを、それぞれ冷却器２の冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃに接続する。

循環チューブ１１の一端部１１ａおよび他端部１１ｂの冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃへの接続は、例えば該一端部１１ａおよび他端部１１ｂを、冷却水入口２ｂおよび冷却水出口２ｃに対する進退方向（図２における白抜きの矢印の方向）へスライドさせて行うことができ、該一端部１１ａおよび他端部１１ｂのスライド動作は、例えばシリンダにて行うことができる。

次に、加熱・硬化工程（Ｓ０２）について説明する。
加熱・硬化工程では、前記ファン１２および前記加熱冷却器１３のヒータ１３ａを動作させて、該ヒータ１３ａにより加熱した循環チューブ１１の流体をファン１２により冷却水路２ａ内に送り込む。

つまり、前記ファン１２を動作させると循環チューブ１１内の流体が図２における左周りに循環し、加熱冷却器１３内でヒータ１３ａにより加熱された流体が、冷却水入口２から冷却水路２ａ内に流入する。
冷却水路２ａ内に流入した流体は、冷却器２を加熱しながら冷却水路２ａ内を通過していき、冷却水出口２ｃから排出される。

冷却水路２ａ内を通過しながら冷却器２を加熱して該冷却水路２ａから排出された流体の温度は、冷却水路２ａに流れ込む前の温度よりも低下しており、冷却水路２ａから排出された流体は、加熱冷却器１３にて再度加熱された後に冷却水路２ａへ流入する。
このように、冷却水路２ａ内を通過する流体により加熱された冷却器２により、該冷却器２とハウジング５との間に介装される接合剤６が加熱され、この加熱により該接合剤６の硬化が進行する。
なお、加熱冷却器１３による流体の加熱温度は、冷却器２により加熱される接合剤６が、該接合剤６の硬化温度以上となる程度の温度である。本例の場合、加熱冷却器１３での流体の加熱温度は、例えば６０℃〜１５０℃程度に設定される。

また、加熱冷却器１３で加熱した流体が冷却水路２ａへ送り込む際には、流体に含まれる異物や水分等が、加熱冷却器１３よりも流れの下流側に配置される前記フィルタ１４により除去された後に、該流体が冷却水路２ａ内へ流入するようにしている。
このように、フィルタ１４により流体に含まれる異物を除去することにより、冷却水路２ａ内に異物が入り込んで該冷却水路２ａを傷つけたり詰まらせたりすることを防止できる。

また、水分を含んだ流体が冷却水路２ａ内に存在した状態で冷却器２を冷却すると、該水分が冷却水路２ａ内で結露する原因となってしまい、冷却水路２ａ内に結露が生じると、ハウジング接合工程の後工程で冷却水路２ａ内を真空引きする際の障害となってしまう。しかし、流体に含まれる水分をフィルタ１４により除去した後に、該流体を冷却水路２ａ内に流入させることで、このような障害が発生することを防止できる。

また、加熱された流体により冷却器２を加熱しているときには、前記温度測定器２１により、冷却水路２ａ内へ流入する流体の温度、および冷却水路２ａから排出された流体の温度をモニタして、モニタした流体の温度に基づいて前記冷却器２や接合剤６の加熱状態を把握するようにしている。
これにより、接合剤６の硬化状況を推定して、流体の加熱温度や冷却水路２ａへの流入量や流入時間等の管理を行うことが可能となっている。

このように、加熱した流体を冷却水路２ａ内へ流入させて冷却器２を加熱し、前記接合剤６を硬化させる。
そして、接合剤６の硬化の完了後、冷却工程へ移行する。

次の冷却工程（Ｓ０３）では、図４に示すように、前記加熱冷却器１３に備えられる冷却装置（不図示）により循環チューブ１１内の流体を冷却し、冷却された流体をファン１２により冷却水路２ａ内に流入させる。
冷却水路２ａ内に流入した流体は、冷却器２を冷却しながら冷却水路２ａ内を通過していき、冷却水出口２ｃから排出される。
冷却水路２ａ内を通過しながら冷却器２を冷却して該冷却水路２ａから排出された流体の温度は、冷却水路２ａに流れ込む前の温度よりも上昇しており、冷却水路２ａから排出された流体は循環チューブ１１内を循環して、加熱冷却器１３にて再度冷却された後に冷却水路２ａへ流入する。

このように、冷却水路２ａ内を通過する流体により冷却器２は強制的に冷却される。
冷却器２が所定温度まで冷却されると、加熱冷却器１３による流体の冷却およびファン１２による流体の循環を停止して冷却工程を終了し、ハウジング接合工程が完了する。
ハウジング接合工程の完了後、次工程へ移行する。

以上のごとく、本ハウジング接合工程においては、加熱・硬化工程にて、加熱した流体を冷却器２の冷却水路２ａ内に通過させて、熱硬化性の接合剤を加熱し硬化させるようにしている。
この場合、加熱した流体は大きな面積を有する冷却水路２ａの内周面全体に接触しながら冷却器２を加熱するため、加熱した流体と冷却器２との間の熱交換効率が高く、短時間で冷却器２を加熱することができ、前記接合剤６の硬化時間を短縮することができる。
特に、冷却器２の冷却水路２ａ内には複数のフィンが形成されており、流体との接触面積を大きく確保することができて、流体からの伝熱を効率に行うことができるので、接合剤６の硬化時間の短縮効果を高めることができる。
これにより、ハウジング接合工程のサイクルタイムを全体的に短縮することができる。

また、冷却器２の加熱は、該冷却器２の下面にホットプレートやヒータを接触させるのではなく、空気等の流体を冷却器２の内部に形成される冷却水路２ａに通過させることで行っているので、冷却器２表面に反りや凹凸があったとしても、加熱源となる流体を冷却器２に確実に接触させることができ、高い熱伝達効率を安定して得ることができる。
さらに、加熱した流体を通過せさるのは、最初から冷却器２に形成されている冷却水路２ａであるので、該冷却器２に別途追加工等を施す必要がなく、半導体装置１をコストアップさせることもない。

また、冷却工程においても同様に、冷却した流体と冷却器２との間の熱交換効率が高く、短時間で冷却器２を冷却することができる。
特に、冷却器２の冷却水路２ａ内に形成される複数のフィンにより、流体との接触面積を大きく確保することができ、冷却器２の冷却時間の短縮効果を高めることができる。

また、冷却器２の冷却は、空気等の流体を冷却器２の内部に形成される冷却水路２ａに通過させることで行っているので、冷却器２表面に反りや凹凸があったとしても、冷却源となる流体を冷却器２に確実に接触させることができ、高い熱伝達効率を安定して得ることができる。
さらに、冷却した流体を通過せさるのは、最初から冷却器２に形成されている冷却水路２ａであるので、該冷却器２に別途追加工等を施す必要がなく、半導体装置１をコストアップさせることもない。
このように、加熱・硬化工程および冷却工程の時間短縮を図ることができるため、ハウジング接合工程のサイクルタイムをさらに短縮することができる。

なお、ハウジング接合工程のサイクルタイム短縮の要請がさほど厳しくなく、前述の加熱した流体を冷却水路２ａ内に流入させて冷却器２の加熱を行う加熱工程を実施するのみでサイクルタイム短縮の要求を達成できる場合は、冷却した流体を冷却水路２ａ内に流入させて冷却器２の冷却を行う冷却工程を省略することも可能である。

また、加熱および冷却した流体の冷却水路２ａ内への通過は、流体を循環経路となる循環チューブ１１内で循環させることにより行われるので、少ない量の流体で冷却器２の加熱または冷却を行うことができるとともに、一旦加熱（冷却）して冷却水路２ａ内に供給された流体については、該冷却水路２ａでの熱交換による温度低下（上昇）分を加熱（冷却）するのみで、加熱源（冷却源）として再度冷却水路２ａに供給することができるので、ハウジング接合工程の省エネルギー化を図ることができる。

さらに、本例の半導体製造装置１においては、前記流体を加熱する加熱器および冷却する冷却器が、一体の加熱冷却器１３に構成されているので、ハウジング接合工程を実施するための設備である半導体製造装置１の構成を簡素化することができる。

ただし、半導体製造装置１では、流体を加熱する加熱器および冷却する冷却器を別体に設けることも可能であり、例えば同じ循環チューブ１１に加熱器と冷却器とを設ける構成とすることができる。
また、加熱器を設けた循環チューブ１１と冷却器を設けた循環チューブ１１とを別々に構成して、加熱・硬化工程と冷却工程とで、冷却器２に接続する循環チューブ１１を交換する構成とすることもできる。

また、冷却水路２ａに通過させる流体は、本例では空気等の気体を用いているが、水等の液体を流体として用いることも可能である。
ただし、この場合は、冷却水路２ａ内での結露発生を防止するために、ハウジング接合工程の終了後に冷却水路２ａ内に液体が残留しないように留意する必要がある。
従って、流体として液体を用いるときは、揮発性の高い液体を用いることが望ましい。

半導体装置を示す側面断面図である。加熱・硬化工程を実施しているときの半導体製造装置を示す側面断面図である。ハウジング接合工程のフローを示す図である。冷却工程を実施しているときの半導体製造装置を示す側面断面図である。従来のホットプレートを放熱板の下面に接触させる構成のハウジング接合工程を示す側面断面図である。従来のハウジング接合工程において、放熱板の反りにより該放熱板とホットプレートとの間に隙間が生じた状態を示す側面断面図である。

符号の説明

１半導体装置
２冷却器
２ａ冷却水路
３半導体素子
４はんだ
５ハウジング
６熱硬化性接合剤
１０半導体製造装置
１１循環チューブ
１２ファン
１３加熱冷却器
１４フィルタ

Claims

冷却水路を有した冷却器にハウジングを接合して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記ハウジングを、熱硬化性接合剤を介して冷却器上にセットする工程と、
前記冷却水路内に加熱した流体を通過させて、前記熱硬化性接合剤を硬化させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体装置の製造方法は、
さらに、前記熱硬化性接合剤の硬化後に、前記冷却水路内に冷却した流体を通過させて、前記冷却器を冷却する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記冷却水路には、該冷却水路の出口から入口へかけて循環経路が接続され、
該循環経路により冷却水路内を通過する流体が循環される、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
前記循環経路には、該循環経路および冷却水路内を循環する流体を加熱および冷却可能な加熱冷却器が備えられる、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
冷却水路を有した冷却器にハウジングを接合して構成される半導体装置の製造装置であって、
前記冷却水路内を通過する流体と、
前記冷却水路内に流体を循環させる循環経路と、
該循環経路の途中部に配置され、前記流体を加熱可能な加熱器と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
前記半導体装置の製造装置は、さらに前記流体を冷却可能な冷却器を備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造装置。