JPH1167999A - パワーエレクトロニクスモジュールおよびそのようなモジュールを具備するパワーエレクトロニクス装置 - Google Patents
パワーエレクトロニクスモジュールおよびそのようなモジュールを具備するパワーエレクトロニクス装置Info
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Abstract
性および小型化を改善したパワーエレクトロニクスモジ
ュールを提供する。 【解決手段】 本発明は、二つの基本モジュール(1)
を含むパワーエレクトロニクスモジュールであって、各
基本モジュールが、基板(8)の一方の金属面(7)に
取り付けられた少なくとも一つの接触面(6)を有する
少なくとも一つのパワーエレクトロニクス部品(5)
と、部品(5)を制御モジュールに接続するための制御
接続部(9、14、20)と、部品(5)間でおよび/
または他の基本モジュール(1)にパワーを伝送するた
めのパワー接続部(11、13、20)と、パワーエレ
クトロニクス部品(5)のジュール効果による散逸パワ
ーを排出するための少なくとも一つの金属熱交換器
(2)とを有し、前記金属熱交換器(2)が基板(8)
の他方の金属面(12)に取り付けられる。
Description
ニクスモジュールおよびそのようなモジュールを具備す
るパワーエレクトロニクス装置に関する。より詳細に
は、本発明は、標準的な材料を含み標準的な方法で製造
されるパワーエレクトロニクスモジュールに関する。
発展にはとくに、たとえば、パワーエレクトロニクス部
品から発生する熱の排出量を向上させて冷却部品の大き
さを縮小することによる装置の寸法の小型化、類似した
モジュールを追加することによりパワーの増加を図れる
ようにするためのモジュール方式の設計の実施、製造コ
スト削減のための標準的な材料および製造技術の利用が
ある。
パワーエレクトロニクス部品を支持するプレートを備え
るパワーエレクトロニクス装置に関する。このプレート
は、冷却部品と接触している金属層を備える。プレート
はさらに、接続線によりパワーエレクトロニクス部品を
接続するための導体トラックも備える。熱伝導は、金属
化プレートと冷却部品との間を強制的に機械接触させる
押圧部品によって行われる。
一の欠点は、押圧部品の体積が大きく押圧すること以外
の機能を有さないことに起因する。
の欠点は、装置のモジュール性に限界があることに起因
する。
の欠点は、冷却部品の体積および冷却部品にモジュール
性がないことに起因する。
の一つは、押圧による接触の原理に基くが、押圧装置お
よび冷却部品の双方のモジュール性および小型化に関し
てより人間工学的な構成を有するパワーエレクトロニク
スモジュールを提供することである。
は、二つの基本モジュールを含むパワーエレクトロニク
スモジュールに関するものであり、各基本モジュール
が、基板のある面に取り付けられた少なくとも一つの接
触面を有する少なくとも一つのパワーエレクトロニクス
部品と、部品を制御モジュールに接続するための制御接
続部と、部品間でおよび/または他の基本モジュールに
パワーを伝送するためのパワー接続部と、基板の他方の
面に取り付けられたパワーエレクトロニクス部品のジュ
ール効果による散逸パワーを排出するための少なくとも
一つの金属熱交換器とを有する。
対面し、各基本モジュールのパワーエレクトロニクス部
品は向かい合い、二つの基本モジュールは、基本モジュ
ールを制御するための制御トラックと、パワーを、基本
モジュールにまたは基本モジュール間で伝送するための
パワートラックとを備える少なくとも一つのスペーサに
より互いに分離される。
め付けにより、基本モジュールとスペーサとの固設を行
うための締め付け手段を備える。
前記熱交換器の循環回路の隔壁のうちの一つを構成す
る。
により共に固設された、上で記述したような複数のモジ
ュールを備えるパワーエレクトロニクス装置にも関す
る。
は共通の金属熱交換器を共用する。
制御トラックとを備えるスペーサにより分離される基本
モジュールを向かい合わせにすることである。こうする
ことにより、一方の基本モジュールの押圧部品はスペー
サで構成され、他方は基本モジュールで構成される。そ
の結果、省スペース化が実現される。
ロニクス装置内で、二つの隣接する基本モジュールが共
通の金属熱交換器を共用することにより得られる。この
場合結果として省スペース化が実現される。さらに、種
々の金属熱交換器が管路により相互に接続されるため、
冷却液循環装置はただ一つである。
モジュール性を有することにより得られる。
よるモジュール型電子装置の略図である図1を参照して
行う以下の説明から明らかになろう。
クスモジュールは、電気的絶縁基板8の第一の金属被覆
された面7に取り付けられた少なくとも一つの接触面6
を有する少なくとも一つのパワーエレクトロニクス部品
5を各々が備える二つの基本モジュール1を含む。基板
8はさらに、単数または複数の部品5を制御モジュール
(図示せず)に接続するための制御接続用金属被覆され
たトラック9と、部品5間でおよび/または他の基本モ
ジュール1にパワーを伝送するためのパワートラック1
1とを含む。基板8はさらに、第一の面7とは反対側
に、単数または複数のパワーエレクトロニクス部品5の
ジュール効果による散逸パワーを排出するための金属熱
交換器2と接触して配置された第二の金属被覆された面
12を備える。
基本モジュール1は対面した状態であり、パワーエレク
トロニクス部品5は向かい合っている。
1のコマンドを伝送するための制御入力部14と、パワ
ーを、基本モジュール1にまたは基本モジュール1間で
伝送するためのパワー入力部13とを備える少なくとも
一つのスペーサ3により分離される。
3、制御入力部14は、パワートラック11、制御トラ
ック9に各々接続され、これらトラック自体も通常の接
続20により、基本モジュール1を構成する部品5に接
続される。
ス部品5は、既知のはんだ付け技術により、第一金属化
面7上にはんだ付けされる。
モジュール1とスペーサ3との固設を行う。たとえば、
タイロッド15が締め付けを行うことから、スペーサ3
は、フランジの役割を果たす二つの基本モジュール1の
間に完璧に保持される。
る。既知のようにDBCは、電気的に絶縁なセラミック
層16によって分離される銅により金属被覆された二つ
の面9、11、7;12を備える。
めに冷却液循環回路17を備える。
している金属面12は、前記熱交換器2の循環回路17
の隔壁のうちの一つを構成する。これにより、部品5と
冷却液との間の界面の数を減らすことができるようにな
り、その結果、熱伝達量を増加させることが可能にな
る。
7は同一の管寄せ18に接続される。これにより、モジ
ュールまたは多モジュール装置全体に対し単一の冷却液
循環および再循環装置(図示せず)を設けるだけでよく
なる。
により共に固設された、上に記述したような複数のモジ
ュール10を備えるパワーエレクトロニクス装置にも関
する。この場合、端部モジュール10の二つの端部基本
モジュール1はフランジの役割を果たし、タイロッド1
5は、基本モジュール1と間置されたスペーサ3とを共
に押圧する。
ュール10の二つの隣接する基本モジュール1は共通の
金属熱交換器2を有する。
たは実施形態に限定されるものではなく、本発明から逸
脱せずに当業者に手の届く多くの変形形態が可能であ
る。
る。
Claims (7)
- 【請求項1】 二つの基本モジュール(1)を含むパワ
ーエレクトロニクスモジュールであって、各基本モジュ
ール(1)が、基板(8)の一方の金属面(7)に取り
付けられた少なくとも一つの接触面(6)を有する少な
くとも一つのパワーエレクトロニクス部品(5)と、パ
ワーエレクトロニクス部品(5)を制御モジュールに接
続するための制御接続部(9、14、20)と、パワー
エレクトロニクス部品(5)間でおよび/または他の基
本モジュール(1)にパワーを伝送するためのパワー接
続部(11、13、20)と、パワーエレクトロニクス
部品(5)のジュール効果による散逸パワーを排出する
ための少なくとも一つの金属熱交換器(2)とを有し、
前記金属熱交換器(2)が基板(8)の他方の金属面
(12)に取り付けられ、 二つの基本モジュール(1)が対面し、一方の基本モジ
ュール(1)のパワーエレクトロニクス部品(5)が、
他方の基本モジュール(1)のパワーエレクトロニクス
部品(5)に向かい合い、基本モジュール(1)を制御
するための制御入力部(14)と、パワーを、基本モジ
ュール(1)にまたは基本モジュール(1)間で伝送す
るためのパワー入力部(13)とを備える少なくとも一
つのスペーサ(3)により二つの基本モジュール(1)
が互いに分離されることを特徴とするパワーエレクトロ
ニクスモジュール。 - 【請求項2】 締め付けにより、基本モジュール(1)
とスペーサ(3)との固設を行うための締め付け手段
(4)を備えることを特徴とする請求項1に記載のパワ
ーエレクトロニクスモジュール。 - 【請求項3】 基板(8)が、電気的に絶縁なセラミッ
ク層(16)によって分離され銅により金属被覆された
二つの面(9、11、7;12)を備えるDBCである
ことを特徴とする請求項1または2に記載のパワーエレ
クトロニクスモジュール。 - 【請求項4】 金属熱交換器(2)が冷却液循環回路
(17)を備えることを特徴とする請求項1から3のい
ずれか一項に記載のパワーエレクトロニクスモジュー
ル。 - 【請求項5】 熱交換器(2)と接触している基板
(8)の金属面(12)が、前記熱交換器(2)の循環
回路(17)の隔壁のうちの一つを構成することを特徴
とする請求項4に記載のパワーエレクトロニクスモジュ
ール。 - 【請求項6】 相互に積層され、締め付け手段(4)に
より共に固設された請求項1から5のいずれか一項に記
載のモジュール(10)を複数備えることを特徴とする
パワーエレクトロニクス装置。 - 【請求項7】 二つの異なるモジュール(10)の二つ
の隣接する基本モジュールが共通の金属熱交換器(2)
を有することを特徴とする請求項6に記載のパワーエレ
クトロニクス装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9707637 | 1997-06-19 | ||
FR9707637A FR2765067B1 (fr) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Module d'electronique de puissance et un dispositif d'electronique de puissance pourvu de tels modules |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1167999A true JPH1167999A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=9508178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10173701A Pending JPH1167999A (ja) | 1997-06-19 | 1998-06-19 | パワーエレクトロニクスモジュールおよびそのようなモジュールを具備するパワーエレクトロニクス装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6084771A (ja) |
EP (1) | EP0886315B1 (ja) |
JP (1) | JPH1167999A (ja) |
DE (1) | DE69826927T2 (ja) |
ES (1) | ES2230659T3 (ja) |
FR (1) | FR2765067B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303290A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008103552A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュールの積層構造体 |
JP2008103553A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュールの積層構造体 |
CN103378027A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 赛米控电子股份有限公司 | 具有功率半导体模块的液冷装置以及功率半导体模块 |
WO2016174698A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
US10477732B2 (en) | 2017-04-19 | 2019-11-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light irradiation device, light irradiation system, and image forming apparatus |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2775416B1 (fr) * | 1998-02-23 | 2000-06-23 | Gec Alsthom Transport Sa | Element de refroidissement pour dispositif electronique de puissance et dispositif electronique de puissance comprenant un tel element |
EP1742265B1 (en) * | 2000-04-19 | 2013-08-07 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
US6665184B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Lytron, Inc. | Tapered cold plate |
US6670216B2 (en) * | 2001-10-31 | 2003-12-30 | Ixys Corporation | Method for manufacturing a power semiconductor device and direct bonded substrate thereof |
US7573715B2 (en) * | 2002-03-21 | 2009-08-11 | Tempest Microsystems | High density storage system |
US6560107B1 (en) * | 2002-07-08 | 2003-05-06 | Paul J. Beck | Cooling device for computer hard drive |
FR2853808B1 (fr) * | 2003-04-09 | 2006-09-15 | Alstom | Module de commutation de puissance et ondulateur equipe de ce module |
US6958911B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-25 | Isothermal Systems Research, Inc. | Low momentum loss fluid manifold system |
US7552758B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-06-30 | International Business Machines Corporation | Method for high-density packaging and cooling of high-powered compute and storage server blades |
ATE393475T1 (de) * | 2004-11-24 | 2008-05-15 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Strömungsverteilungsmodul und stapel von strömungsverteilungsmodulen |
US7180737B2 (en) * | 2004-12-20 | 2007-02-20 | Harris Corporation | Heat exchanger system for circuit card assemblies |
DE102004062635B4 (de) * | 2004-12-28 | 2012-01-26 | Siemens Ag | Elektrische Baugruppe mit Abstandshaltern zwischen mehreren Schaltungsträgern |
JP4305406B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2009-07-29 | 三菱電機株式会社 | 冷却構造体 |
US7030317B1 (en) * | 2005-04-13 | 2006-04-18 | Delphi Technologies, Inc. | Electronic assembly with stacked integrated circuit die |
DE102005048492B4 (de) * | 2005-10-07 | 2009-06-04 | Curamik Electronics Gmbh | Elektrisches Modul |
EP1895824B1 (de) * | 2006-08-30 | 2009-04-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Baugruppe für ein Automatisierungsgerät |
US7492594B2 (en) * | 2007-05-03 | 2009-02-17 | Hamilton Sundstrand Corporation | Electronic circuit modules cooling |
US7508670B1 (en) * | 2007-08-14 | 2009-03-24 | Lockheed Martin Corporation | Thermally conductive shelf |
US7773381B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-08-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20090165996A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Lynch Thomas W | Reticulated heat dissipation with coolant |
JP4506848B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
EP2272311B1 (de) | 2008-05-02 | 2016-10-26 | Danfoss Silicon Power GmbH | Kühlvorrichtung für eine mehrzahl von leistungsmodulen |
DE102008021898B4 (de) * | 2008-05-02 | 2015-10-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Detektionseinrichtung mit einer Vorrichtung zur Kühlung |
DE102009005915B4 (de) * | 2009-01-23 | 2013-07-11 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung |
ATE554361T1 (de) * | 2009-04-28 | 2012-05-15 | Abb Research Ltd | Wärmerohr mit gewundenem rohr |
EP2246654B1 (en) * | 2009-04-29 | 2013-12-11 | ABB Research Ltd. | Multi-row thermosyphon heat exchanger |
EP2328172B1 (en) * | 2009-10-02 | 2019-06-26 | Abb Research Ltd. | A power-electronic arrangement |
FR2951019B1 (fr) * | 2009-10-07 | 2012-06-08 | Valeo Etudes Electroniques | Module de puissance pour vehicule automobile |
US8812879B2 (en) * | 2009-12-30 | 2014-08-19 | International Business Machines Corporation | Processor voltage regulation |
JP4951094B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2012-06-13 | 株式会社東芝 | 電子機器の冷却構造 |
US8482919B2 (en) * | 2011-04-11 | 2013-07-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Power electronics card assemblies, power electronics modules, and power electronics devices |
US8643173B1 (en) | 2013-01-04 | 2014-02-04 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Cooling apparatuses and power electronics modules with single-phase and two-phase surface enhancement features |
US9131631B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-09-08 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Jet impingement cooling apparatuses having enhanced heat transfer assemblies |
EP3163608A4 (en) * | 2015-04-28 | 2017-11-01 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module and production method for semiconductor module |
US9443792B1 (en) * | 2015-10-31 | 2016-09-13 | Ixys Corporation | Bridging DMB structure for wire bonding in a power semiconductor device module |
DE102016211648A1 (de) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektronikmodul und Modulstapel |
US10178800B2 (en) * | 2017-03-30 | 2019-01-08 | Honeywell International Inc. | Support structure for electronics having fluid passageway for convective heat transfer |
FR3074011B1 (fr) * | 2017-11-21 | 2019-12-20 | Safran Electronics & Defense | Module electrique de puissance |
US20240098877A1 (en) * | 2022-06-23 | 2024-03-21 | Meta Platforms Technologies, Llc | Stack-pcb architecture with embedded vapor chamber |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2167906B (en) * | 1984-11-23 | 1988-08-10 | Gec Avionics | Rack mounted circuit module |
US4878106A (en) * | 1986-12-02 | 1989-10-31 | Anton Piller Gmbh & Co. Kg | Semiconductor circuit packages for use in high power applications and method of making the same |
US4916575A (en) * | 1988-08-08 | 1990-04-10 | Asten Francis C Van | Multiple circuit board module |
US5181167A (en) * | 1991-12-02 | 1993-01-19 | Sun Microsystems, Inc. | Stacking heatpipe for three dimensional electronic packaging |
DE4326207A1 (de) * | 1992-10-06 | 1994-04-07 | Hewlett Packard Co | Mechanisch schwimmendes Mehr-Chip-Substrat |
JP2781329B2 (ja) * | 1992-10-21 | 1998-07-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュールおよびその製造方法 |
JPH0770682B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1995-07-31 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
DE4310446C1 (de) * | 1993-03-31 | 1994-05-05 | Export Contor Ausenhandelsgese | Schaltungsanordnung |
DE29504352U1 (de) * | 1995-03-14 | 1995-08-03 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiteranordnung mit Spannvorrichtung für scheibenförmige Leistungs-Halbleiterbauelemente |
-
1997
- 1997-06-19 FR FR9707637A patent/FR2765067B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-11 DE DE69826927T patent/DE69826927T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 EP EP98401413A patent/EP0886315B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-11 ES ES98401413T patent/ES2230659T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-19 JP JP10173701A patent/JPH1167999A/ja active Pending
- 1998-06-19 US US09/099,948 patent/US6084771A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006303290A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008103552A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュールの積層構造体 |
JP2008103553A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュールの積層構造体 |
CN103378027A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 赛米控电子股份有限公司 | 具有功率半导体模块的液冷装置以及功率半导体模块 |
WO2016174698A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2016-11-03 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
JP6086989B1 (ja) * | 2015-04-28 | 2017-03-01 | 新電元工業株式会社 | 半導体モジュール |
US9997437B2 (en) | 2015-04-28 | 2018-06-12 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Power semiconductor module for improved thermal performance |
US10477732B2 (en) | 2017-04-19 | 2019-11-12 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Light irradiation device, light irradiation system, and image forming apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0886315B1 (fr) | 2004-10-13 |
US6084771A (en) | 2000-07-04 |
ES2230659T3 (es) | 2005-05-01 |
FR2765067B1 (fr) | 1999-07-16 |
FR2765067A1 (fr) | 1998-12-24 |
DE69826927D1 (de) | 2004-11-18 |
DE69826927T2 (de) | 2005-10-20 |
EP0886315A1 (fr) | 1998-12-23 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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