JP2012222069A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】冷却器の冷却性能を向上して半導体モジュールの発熱を効率よく放熱し、且つより低背化した半導体装置を得る。
【解決手段】半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール、この半導体モジュールを塔載する塔載部を有すると共に内部に冷媒が通る流路と冷媒に熱を伝えるための冷却フィンを有する冷却器、この冷却器の搭載部に根元部を植え込むと共にネジ部を植立させた固定用ボルト、及び半導体モジュールに載置され塔載部に向かって半導体モジュールを押圧する押えバネを備え、搭載部と半導体モジュールと押えバネには、それぞれ貫通孔を設け、これらの貫通孔に固定用ボルトを貫挿し、この固定用ボルトとそのネジ部に螺入したナットによって半導体モジュールを冷却器に装着する。
【選択図】図2

Description

この発明は、半導体モジュールを冷却器に固定する半導体装置に関するものである。
近年の半導体装置、特に車載用の半導体装置においては、小型化のため低背で且つ放熱機能の大きい冷却構造が求められている。
従来の半導体装置は、半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール、発熱体である半導体モジュールの動作熱を冷却する冷却器、半導体モジュールを制御する制御基板などから構成されており、半導体モジュールはIGBT、Di等のパワー半導体素子を接続して樹脂封止によりモジュール化されている。
冷却器は、一般的に半導体モジュールを固定するメネジが設けられたベース部と、ベース部から伝わる熱を空冷もしくは液冷により外部に拡散させるフィン部から構成される。
例えば、図4(分解斜視図)と図5(断面図)に示した従来の半導体装置では、半導体装置への半導体モジュールの取付けは、半導体モジュール1のネジ貫通孔11と押えバネ7のネジ貫通孔71に挿入されたネジ8を、冷却器2に設けられたメネジ部26に締付けることにより固定されている。
また、図6(分解斜視図)と図7(断面図)に示した従来の半導体装置では、冷却器ベース22(半導体モジュールの塔載部)を薄くしてメネジ部を設けず、冷却器枠21内に冷却フィン23とブッシュ10を設置して、冷却器枠21と冷却器ベース22をロウ付けすることにより封止されている。図6に示す半導体装置への半導体モジュール1の取付けは、ネジ8を半導体モジュール1や冷却器2、押えバネ7の各ネジ貫通孔11、24、71及び却器内部のブッシュ10を通し、半導体モジュール1が冷却器2と押えバネ7に挟まれナット9で締付けられることで固定される構造である。
特開2004−87552号公報 特開2011−4520号公報
図4、5に示した、メネジ部26が設けられた冷却器2に半導体モジュール1を固定する従来の構造では、メネジを設けるために冷却器2に一定以上の厚みを要し、低背化には限界がある。また、図5に示すように冷却器にメネジ部26を設けたことで冷却フィンに袋箇所25が必要となり、冷却流路が妨げられるため冷却性能が低下する要因となっている。
図6、7に示した従来の構造では、冷却器内部にネジ8を通さなければならず、冷却流路が妨げられてしまうため冷却性能を悪化させる要因となっている。
また、両従来の半導体装置とも、半導体モジュール1の設置のため、位置決めを行うための構造を検討しなければならず、生産性が悪化する。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、冷却器の冷却性能を向上して半導体モジュールの発熱を効率よく放熱し、且つより低背化した半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係わる半導体装置は、半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール、この半導体モジュールを塔載する塔載部を有すると共に内部に冷媒が通る流路と冷媒に熱を伝えるための冷却フィンを有する冷却器、この冷却器の搭載部に根元部を植え込むと共にネジ部を植立させた固定用ボルト、及び上記半導体モジュールに載置され上記塔載部に向かって上記半導体モジュールを押圧する押えバネを備え、上記搭載部と上記半導体モジュールと上記押えバネには、それぞれ貫通孔を設け、これらの貫通孔に上記固定用ボルトを貫挿し、この固定用ボルトとそのネジ部に螺入したナットによって上記半導体モジュールを上記冷却器に装着したものである。
この発明の半導体装置によれば、冷却器の半導体モジュール側に植込みタイプの固定用ボルトを設けることで、オネジが冷却器外部にあるため図4に示す冷却器のような冷却器内部へのメネジ設置が不要となり、冷却器の低背化が可能となる。加えて、図6の内部にネジを通した冷却器と比較して冷媒の流路が拡大されるため、冷却性能が向上し半導体素子の温度上昇を小さくすることができる。半導体素子の温度上昇を抑えることができれば冷却器全体の小型化が可能となり、より小スペースの半導体モジュールにも対応可能となる。
さらに、図6に示すようなネジとナットにより半導体モジュールを冷却器の両面に固定する構造では、半導体モジュールを冷却器の両側から同時に固定しなければならず組付け性が悪いが、この発明の半導体装置によれば、半導体モジュールを冷却器の片側から順に組付けることが可能なため、組付け性が向上する。
この発明の実施の形態1における半導体装置の分解斜視図である。 この発明の実施の形態1における半導体装置(図1)の断面図である。 (a)は、この発明の実施の形態1における固定用ボルトとアルミブロック部の斜視図、(b)は、固定用ボルトとこの固定用ボルトにインサート成形されたアルミブロック部を簡略化して示した断面図、(c)は、固定用ボルトの変形例を示し、固定用ボルトとこの固定用ボルトに圧入されたアルミカラーで形成したアルミブロック部を簡略化して示した断面図である。 従来の半導体装置を示す分解斜視図である。 図4に示した半導体装置の断面図である。 他の従来の半導体装置で、ベース部(半導体モジュールの塔載部)とフィンが別部品である冷却器を用いた半導体装置を示す分解斜視図である。 図6に示した半導体装置の断面図である。
以下、図面に基づいて、この発明の各実施の形態を説明する。
なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
実施の形態1.
この実施の形態1は、半導体モジュールを冷却器に固定する半導体装置で、主に三相交流モータを駆動するインバータ装置に採用されるものである。
図1は、実施の形態1における半導体装置を示す分解斜視図である。
図1において、半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール1は、後述する冷却器2の上下塔載面上にそれぞれ複数個並置される。
各半導体モジュール1には、電源接続用端子3と出力端子4、中央部に固定用ボルト6を貫挿する貫通孔1aが設けられている。
冷却器2は、内部に冷媒が通る流路23bと冷媒に熱を伝えるための冷却フィン23、これらを囲む冷却器枠21、この冷却器枠21に被せられる上下の冷却器ベース22などで構成され、パイプ5を通して冷媒が内部に流れる構造になっていて、各部はアルミ材で形成され且つ冷却器枠21の両面を冷却器ベース22で挟みロウ付けにより封止されている。
また、上下の冷却器ベース22は、半導体モジュール1の塔載部を兼用すると共にその塔載面には固定用ボルト6を貫挿する貫通孔22aが半導体モジュール1の並置数に応じて設けられている。
固定用ボルト6は、先端部にオネジ部63aを有し、貫通孔22aに貫挿された根元の植込部63bが冷却器ベース22に植え込まれると共にオネジ部63aを植立させた状態で後述のようにして冷却器ベース22に固定される。
各半導体モジュール1には、各半導体モジュール1の冷却器2に対して反対側に設けられ、上記塔載部に向かって上記半導体モジュールを押圧する皿状の押えバネ7が載置され、この押えバネ7の、各半導体モジュール1の貫通孔1aに対応した位置には、固定用ボルト6を貫挿する貫通孔7aが設けられている。
また、固定用ボルト6は、図3(a)(b)に示すように植込部63bからオネジ部63aの近くまでアルミブロック部61で覆われ、このアルミブロック部をアルミ製冷却器ベース22にロウ付けすることにより固定用ボルト6は固定されている。
このように固定用ボルトの植込み部63bは、ロウ付け可能なアルミ材のブロックで覆われているため、鉄製の固定用ボルトとアルミ製の冷却器を間接的にロウ付けすることが可能となる。
なお、アルミブロック部61は、アルミダイカスト61aによるインサート成形により形成される。
これらの組立ては、まず、半導体モジュール1の貫通孔1aと押えバネ7の貫通孔7aを位置合わせし、これらの貫通孔1a、7aに固定用ボルト6を貫挿しながら、各半導体モジュール1、押えバネ7を冷却器ベース22の搭載面に載置し、押えバネ7の貫通孔7aから突き出た固定用ボルト6のオネジ部63aにナット9を螺入し、このナット9の締め付けにより各半導体モジュール1を冷却器2に固定することにより行われる。このとき、固定用ボルト6の植込部63bは、アルミブロック部61と共に冷却フィン23に設けた凹部23aに嵌装された状態となる。なお、凹部23は、冷却器内部の冷媒流路を妨げることがないように冷却器表層部に設けられている。
アルミブロック部61は、図3(a)(b)に示すように半導体モジュールの貫通孔1aと搭載部の貫通孔22aに貫挿される貫挿部62の横断面が四角形になされ、これに適応するため貫通孔1a、22aも四角形になされて半導体モジュールの位置決め機構を構成している。
このように貫通孔1a、22aの横断面とアルミブロック部の貫挿部の横断面との形状を同一多角形とすることによって、半導体モジュールの位置決めを可能にしている。これにより、位置決め用のピンや溝等が不要となるため、生産性が向上する。
次に図3(c)により固定用ボルト6の変形例について説明する。
図3(c)は、固定用ボルトとこの固定用ボルトに圧入されたアルミカラーで形成したアルミブロック部を簡略化して示した断面図である。
図3(c)に示した固定用ボルト6のアルミブロック部61は、固定用ボルトにアルミカラー61bを矢印A方向から圧入することにより製作することができる。なお、この変形例において貫挿部62を設ける場合は、例えばアルミ材またはその他の別部材からなる貫挿部62を、アルミカラー61bの圧入後に適宜の方法でアルミカラー61bまたは固定
用ボルト6の本体に固着することにより製作できるし、その他の方法でも製作可能である。なおまた、アルミブロック部61(61a、61b)には、ロウ付け可能な、例えばAC1AやA5052P等のアルミ材が使用されている。
1 半導体モジュール
2 冷却器
3 電源接続用端子
4 出力端子
5 パイプ
6 固定用ボルト
7 押えバネ
8 ネジ
9 ナット
10 ブッシュ
1a、11、7a、71、22a、24、 ネジ貫通孔
21 冷却器枠
22 半導体モジュールの塔載部(冷却器ベース)
23 冷却フィン
23a 冷却フィン23の凹部
25 袋箇所
26 メネジ部
61 アルミブロック部
61a アルミダイカストによるアルミブロック
61b アルミカラーの圧入によるアルミブロック
62 アルミブロック部の貫挿部(多角形横断面部)
63a オネジ部
63b 植込部。

Claims (7)

  1. 半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール、この半導体モジュールを塔載する塔載部を有すると共に内部に冷媒が通る流路と冷媒に熱を伝えるための冷却フィンを有する冷却器、この冷却器の搭載部に根元部を植え込むと共にネジ部を植立させた固定用ボルト、及び上記半導体モジュールに載置され上記塔載部に向かって上記半導体モジュールを押圧する押えバネを備え、上記搭載部と上記半導体モジュールと上記押えバネには、それぞれ貫通孔を設け、これらの貫通孔に上記固定用ボルトを貫挿し、この固定用ボルトとそのネジ部に螺入したナットによって上記半導体モジュールを上記冷却器に装着したことを特徴とする半導体装置。
  2. 上記塔載部は、アルミ材で構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 上記固定用ボルトの植込み部は、アルミブロック部で覆われ、このアルミブロック部を上記搭載部にロウ付けすることにより上記固定用ボルトを固着したことを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
  4. 上記アルミブロック部は、アルミダイカストによるインサート成形により形成したことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
  5. 上記アルミブロック部は、上記固定用ボルトに圧入されたアルミカラーにより形成したことを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
  6. 上記アルミブロック部は、上記冷却フィンに設けた凹部に嵌装されたことを特徴とする請求項2〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
  7. 上記アルミブロック部は、上記半導体モジュールと上記搭載部との貫通孔に貫挿され、この両貫通孔の横断面と上記アルミブロック部の貫挿部の横断面との形状を同一多角形とすることによって、半導体モジュールの位置決め機構としたことを特徴とする請求項2〜請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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