WO2015133090A1

WO2015133090A1 - バンクの補修方法、有機ｅｌ表示装置およびその製造方法

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Publication number: WO2015133090A1
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Inventors: 芳樹林田; 一大小林; 俊昭鬼丸; 島村　隆之
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Abstract

　基板１１と、基板１１上に形成されたバンク１４と、バンク１４によって区画された各凹空間に形成された発光層１７と、を有する有機ＥＬ表示装置１を製造する過程において、バンク１４における欠陥部３が存在する部分を補修するバンク補修方法である。当該バンク補修方法において、基板１１上に形成されたバンク１４における欠陥部３を検出し、欠陥部３が検出された場合に、欠陥部３にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させてバンク１４を補修し、硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成する。そうすると、バンクを補修する補修部の近傍にダークスポットが生じ難い。

Description

バンクの補修方法、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法

　本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子におけるバンクの補修方法、有機ＥＬ表示装置、および、その製造方法に関し、特に有機ＥＬ表示装置の表示不良を抑制する技術に関する。

　近年、発光型の表示装置として、基板上に複数の有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。

　有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。

　一般に、各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。フルカラー表示の有機ＥＬ表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。

　このような有機ＥＬ表示パネルを製造する上で、基板上にバンクを形成しておいて、バンクで区画された凹空間に発光層などを形成する工程がある。発光層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含む発光層形成用のインクを、インクジェット法等で凹空間に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機層や発光層を比較的容易に形成することができる。

　ところで、バンクにおける欠損した箇所や異物が付着した箇所などの欠陥部が存在すると、その欠陥部を挟んで塗布された異なる色のインク同士が欠陥部を介して混じり合い混色が生じることがある。そのような混色が生じた場合、混色が生じた範囲では発光色が本来の色と異なるため、有機ＥＬ表示パネルに表示不良が生じることとなる。

　そこで、欠陥部が存在するバンクを補修する技術として、例えば特許文献１には、バンクを形成した後インクを塗布する前に、バンクにおける欠陥部に溌インク性のポリマーからなる補修材を塗布し、バンクを補修する補修部を形成する技術が開示されている。

ＷＯ２０１０／０１３６５４号公報

　しかしながら、実際に上記技術によりバンクを補修してみたところ、補修部近傍の発光層にダークスポットと呼ばれる発光しない領域が生じる場合があることがわかった。このようなダークスポットは有機ＥＬ表示パネルに表示不良が生じる原因となるため好ましくない。

　本発明は、上記課題に鑑み、バンクを補修する補修部の近傍にダークスポットが生じ難いバンク補修方法、有機ＥＬ表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の一態様に係るバンク補修方法は、基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、前記基板上に形成されたバンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成する。

　上記態様に係るバンクの補修方法では、バンクにおける欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成する。そのため、バンクを補修する補修部の近傍にダークスポットが生じ難い。

有機ＥＬ表示装置１の構成例を示す模式ブロック図である。有機ＥＬ表示パネル１００の部分平面図である。表示パネル１００を図２のＡ－Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。（ａ）～（ｃ）は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。（ａ）は、バンクに生じる欠陥部の一例を示す斜視図、（ｂ）は、欠陥部に修復材塗布して補修部を形成した様子を示す斜視図である。バンク欠陥部の検出と補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。欠陥部の周辺の画像において設定された塗布位置を示す図である。（ａ）～（ｄ）は、補修材を塗布することによって、補修部が形成される様子を示す図である。（ａ）～（ｃ）は、実施の形態１にかかる補修部の形成による効果を示す図であって、（ａ）は、補修部が形成されている場合、（ｂ）は補修部が形成されていない比較例、（ｃ）は補修部が焼成されていない比較例を示す。（ａ）～（ｃ）は、異物によってバンクに生じた欠陥部を示す図である。バンクに生じる欠陥部の一例を示す斜視図である。（ａ），（ｂ）は、欠陥部の周辺の画像において設定された塗布位置を示す図である。（ａ）～（ｇ）は、補修材を塗布することによって、補修部が形成される様子を示す図である。（ａ）～（ｃ）は、実施の形態１にかかる堰の形成による効果を示す図であって、（ａ）は、堰が形成されている場合、（ｂ）は堰が形成されていない比較例、（ｃ）は補修部が焼成されていない比較例を示す。

　＜発明に到った経緯＞
　バンクを補修する場合、バンクの欠陥部に形成する補修部は、バンクの一部として機能する必要があるためバンクと同様に溌インク性を有することが好ましい。そこで、バンク材料を補修材として欠陥部に塗布し、そのバンク材料を紫外線硬化させて補修部を形成し、バンクを補修することが考えられる。

　しかしながら、バンク材料として例えばネガのフォトリソ材を用いて補修部を形成した場合、形成した補修部の近傍の発光層にダークスポットが生じる場合があることを発明者は見出した。そして、種々の検討を重ねた結果、補修部から放出されるアウトガスがダークスポットの原因となっていることを突き止めた。すなわち、紫外線硬化の際にバンク材料から発生する副生成物がアウトガスとして補修部から外部に放出され、そのアウトガスが補修部の近傍の発光層の材料と反応することで、発光層内にダークスポットが生じることを突き止めた。

　ダークスポットの発生を防止するためには、発光層形成後に補修部からアウトガスが放出されないようにする必要がある。そのためには、発光層を形成する前に、補修部からアウトガスを完全に抜いてしまうことが考えられる。そして、補修部からアウトガスを抜く方法としては、バンクからアウトガスを抜く場合と同様に、焼成によるガス抜きを行うことが考えられる。

　ところが、バンクのための１度目の焼成の後で補修部のための２度目の焼成を行うと、熱によりバンクが大きなダメージを受けることがわかった。具体的には、例えば、バンクが変形してバンクのテーパ角が変わってしまったり、バンクの表面の溌インク性が低下してしまったりすることがわかった。また、欠陥部は焼成によっても生じるため、せっかく１度目の焼成の後に欠陥部を補修しても、２度目の焼成により新たな欠陥部が生じることもあった。

　バンクがダメージを受けないようにするためには、焼成の回数を減らすために、バンクと補修部とを同時に焼成することが好ましいが、上述したようにバンクの欠陥部は焼成によっても生じるため、仮にバンクと補修部とを同時に焼成したとしても、その焼成によって生じた欠陥部に関しては修復不能である。

　そこで、バンクの欠陥部を補修した後はバンクを焼成することなく補修部だけを焼成する方法を検討することとし、局所的な加熱が可能な赤外線レーザー光に着目し、補修部だけに赤外線レーザー光を照射して、バンクを焼成することなく補修部だけを焼成するという技術的思想に至った。

　さらに、赤外線レーザー光の照射だけでは焼成が不十分となりアウトガスが完全に抜けない場合も想定されるため、焼成では抜けなかった補修部内のアウトガスを補修部内に含有させたガス吸着剤により吸着させるという技術的思想にも至った。

　本発明の一態様に係るバンクの補修方法では、補修部を焼成するため補修部からアウトガスが放出され難く、しかも、その焼成は赤外線レーザー光の照射により行うためバンクには熱が加わり難い。したがって、バンクが変形したりバンクの溌インク性が低下したりし難い。加えて、欠陥部に塗布される補修材にガス吸着剤が混入されているため、仮に、焼成後の補修部内にアウトガスが残っていたとしても、そのアウトガスをガス吸着剤に吸着させることができる。以上により、本発明の一態様に係るバンクの補修方法は、補修部からアウトガスが放出され難く、補修部の近傍の発光層にダークスポットが生じ難い。

　＜本発明の態様の概要＞
　本発明の一態様に係るバンクの補修方法は、基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、前記基板上に形成されたバンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成する。

　また、本発明の一態様に係るバンクの補修方法の特定の局面では、前記ガス吸着剤は物理吸着系のガス吸着剤である。

　また、本発明の一態様に係るバンクの補修方法の特定の局面では、前記物理吸着系のガス吸着剤はゼオライトである。

　また、本発明の一態様に係るバンクの補修方法の特定の局面では、前記赤外線レーザー光による焼成の温度は１８０℃～２４０℃である。

　本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記バンクには欠陥部が存在すると共に、当該欠陥部がガス吸着剤が混入された補修材によって補修されている。

　また、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の特定の局面では、前記補修部の最も高い部分の高さは前記バンクの高さ以下であって、前記補修部の最も低い部分の高さは前記バンクの高さの０．８倍以上である。

　本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上にバンクを形成し、当該バンクで区画された凹空間のそれぞれに発光層を形成することによって有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記基板上に形成されたバンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成し、その後、前記発光層を形成する。

　＜実施の形態１＞
　［有機ＥＬ表示装置の全体構成］
　図１は、実施形態１に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。

　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図２に示すように、複数の有機ＥＬ素子１０が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、４つの駆動回路１０２～１０５と制御回路１０６とから構成されている。

　なお、表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。

　［有機ＥＬ表示パネルの構成］
　図２は、表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、表示パネル１００を図２のＡ－Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。

　表示パネル１００の構成について、図２，３を参照しながら説明する。

　図３に示すように、表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。そして、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する有機ＥＬ素子１０をサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。

　なお、図２においては、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。

　[下地基板]
　下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、層間絶縁層１１ｃを有する。

　基板本体部１１ａは、表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。

　ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。

　層間絶縁層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されている。層間絶縁層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１１ｂの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１２を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。

　[画素電極]
　画素電極１２は、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極１２は、陽極である。

　なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。

　[ホール注入層]
　ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。

　[バンク]
　ホール注入層１３の表面には、Ｙ方向に伸長する平面視にて短冊状のバンク１４が複数本並列に設けられている。このバンク１４は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。

　各バンク１４の断面は、図３に示されるように台形であって、バンク１４同士の間には、バンク１４によって区画された溝空間が形成され、そこに有機発光層１５が形成されている。

　このバンク１４は、有機発光層１５をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物として機能する。

　[有機発光層]
　有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。

　この有機発光層１５は、上記のバンク１４によって区画されたＹ方向に伸長する溝状の凹空間（図６の溝空間２０）に形成されている。

　そして、互いに色の異なる有機発光層１５は、バンク１４を挟んで配置されている。

　有機発光層１５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

　[電子輸送層]
　電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。

　[共通電極]
　共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。

　本実施形態において、共通電極１７は陰極である。

　[封止層１８]
　封止層１８は、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を水分及び酸素から保護するために設けられている。

　なお、図示はしないが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。

　［表示パネルの製造方法］
　図４は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。

　図５（ａ）～（ｃ）は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

　表示パネル１００の製造方法について、図４の工程図に基づいて、図３、５を参照しながら説明する。

　まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（ステップＳ１）。

　続いて、ＴＦＴ層１１ｂの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層１１ｃを形成して下地基板１１を得る（ステップＳ２）。層間絶縁層１１ｃの厚みは例えば約４μｍである。なお、図３の断面図および図４の工程図には現れないが、層間絶縁層１１ｃを形成するときに、コンタクトホール２（図２参照）を形成する。

　次に、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１２を、サブピクセル毎に形成する（ステップＳ３）。

　続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板１１および画素電極１２上に一様に成膜することによって、ホール注入層１３を形成する（ステップＳ４）。

　次に、バンク１４を形成する（ステップＳ５）。このバンク１４は、以下のようにフォトリソグラフィー法で形成することができる。

　まず、バンク材料として、ネガ型感光性樹脂組成物を用意し、このバンク材料を、ホール注入層１３上に一様に塗布する。次に、そのバンク材料層上に、形成しようとするバンク１４のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。次に、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして未硬化のバンク１４ａを形成する。これにより、隣接するバンク１４ａ同士の間に、溝空間２０が形成される。次に、紫外線照射を行うことによりバンク１４ａを紫外線硬化させてバンク１４を形成する。

　その後、バンク１４を焼成することによって、バンク１４内からアウトガスを放出させる。焼成は、例えば、バンク１４を、１８０～２４０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。

　ここで、紫外線照射を行うことにより、バンク１４の溌インク性は一旦低下するが、焼成を行うことでバンク１４の溌インク性は上昇する。これは、焼成を行うことにより、バンク内におけるフッ素成分が表面部分に染み出てくるためと考えられる。

　このように形成されたバンク１４において、さらに、後の工程で塗布するインクに対するバンク１４の接触角を調節してもよい。あるいは、バンク１４の表面に溌インク性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理したり、プラズマ処理を施したりしてもよい。

　次に、このパターン形成されたバンク１４における欠陥部３の発生を調べる（ステップＳ６）。

　次に、バンク１４に欠陥部３があれば、バンクの補修を行う（ステップＳ７）。

　バンクに存在する欠陥部３としては、例えば、バンクにおける一部が欠損した箇所や、バンクにおける異物が付着した箇所などが挙げられるが、実施の形態１における欠陥部３は、バンクにおける一部が欠損した箇所である。バンクの補修は、欠陥部３内に補修部５を形成することによって行う。

　まず、図５（ａ）に示すように、欠陥部３内に補修材を塗布し、欠陥部３内に未硬化の補修部５ａを形成する。この塗布については、後で詳しく説明するが、例えば、ニードル式ディスペンサを用いて、ガス吸着剤が混入された補修材を塗布する。

　その後、図５（ｂ）に示すように、未硬化の補修部５ａに紫外線を照射し、未硬化の補修部５ａを紫外線硬化させる。紫外線の照射は、例えば、紫外線ランプを用いて行う。このようにして、欠陥部３に補修部５が形成され、バンク１４の補修が完了する。

　続いて、図５（ｃ）に示すように、硬化後の補修材である補修部５を焼成し、補修部５内に存在するアウトガスを外部に放出させる（ステップＳ８）。この焼成については、後で詳しく説明するが、例えば、赤外線レーザーを用いて補修部５のみに赤外線レーザー光を照射することにより行う。

　このように形成された補修部５において、さらに、補修部５の表面に撥水性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理したり、プラズマ処理を施してもよい。

　続いて、バンク１４同士の間の溝空間２０に、発光層形成用のインクを塗布する。このインクは、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各溝空間２０内にインクジェット法を用いて塗布する。そして、塗布されたインクに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、各溝空間２０内に有機発光層１５が形成される（ステップＳ９）。

　次に、有機発光層１５およびバンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層１６を形成する（ステップＳ１０）。

　そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極１７を形成する（ステップＳ１１）。

　そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層１８を形成する（ステップＳ１２）。

　以上の工程を経て表示パネル１００が完成する。

　［バンクの欠陥部を検出し補修する方法］
　[欠陥部３]
　まず、バンク１４に存在する欠陥部３について説明する。

　図６（ａ）に示す例では、１本のバンク１４の一部が欠損して欠陥部３となっている。このようなバンク１４における欠損は、例えば、バンク材料層に対する露光の工程で、露光が不十分で重合が十分になされたかった箇所が、次の現像工程で洗い流されることによって発生する。そのような欠損は、バンク１４を焼成した後に始めて生じる（顕在化する）こともある。

　バンク１４が欠損した箇所では、バンク１４が存在しないか、または、バンク１４の高さが他の部分よりも低くなる。そうすると、欠損した箇所を挟んで塗布された異なる色のインク同士が欠損した箇所を介して混じり合い混色が生じることがある。発光層に混色領域が生じたパネルを用いて表示パネル１００を製造すると、混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。一般に、異なる発光色の蛍光物質が混合された場合、波長の長い蛍光物質の発光が優勢になる。

　例えば図１０（ｂ）に示すような赤色インクと緑色インクが混合されて生じた混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになるので、この混色領域が広がると発光色不良の原因となる。

　以上説明したように、バンク１４において欠損した箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて、発光色不良の原因となるので、この箇所を欠陥部３としている。

　[欠陥部３の検出]
　バンク１４における欠陥部３の検出は、例えば、下地基板１１上に形成したバンク１４の表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。

　図７は、バンク欠陥部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。

　この補修装置２００においては、ベース２０１上に、上記の下地基板１１を載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１及びディスペンサ２１２が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、コントローラ２３０の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。

　従って、ヘッド部２１０に取り付けられている撮像素子２１１及びディスペンサ２１２は、コントローラ２３０の指示によって、テーブル２０２上に載置された下地基板１１の上方で、下地基板１１に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動することができる。

　この補修装置２００を用いて、下地基板１１の上面に沿って撮像素子２１１を移動させながら、下地基板１１の上面の画像データを取得し、コントローラ２３０の記憶部２３１に記憶する。

　コントローラ２３０は、その画像データにおいて、各バンク１４における部分同士を次々に比較して、相違点を検出することによって、欠陥部３の検出を行う。そして、欠陥部３が検出された場合、検出された欠陥部３の座標データ（Ｘ方向の座標及びＹ方向の座標）を、記憶部２３１に記憶する。

　なお、このような検出工程において、下地基板１１上に形成されるバンク１４の中で、いくつかのバンク１４に欠陥部３が検出される可能性もあれば、すべてのバンク１４において欠陥部３がゼロである可能性もある。

　そして、いずれかのバンク１４で欠陥部３が検出された場合には、その補修を行う。

　[補修材]
　補修材としては、例えば、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。

　また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。

　また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される補修部５に溌インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は０．０１～１０ｗｔ％とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される補修部５の撥インク性も良好となる。

　補修材にはガス吸着剤が混入されている。

　したがって、完成後の補修部５内にはガス吸着剤が分散されている。そのため、補修部５の焼成が不十分であり、補修部５からアウトガスが完全に抜けていなかったとしても、補修部５内に残留しているアウトガスは、ガス吸着剤によって吸着されることとなるため、そのアウトガスが補修部５の外部へ放出されることはない。

　ガス吸着剤は、アウトガスと反応しないものが好ましい。物理吸着系のガス吸着剤はアウトガスと反応し難いため好ましい。物理吸着系のガス吸着剤としては、例えば天然若しくは合成のゼオライトが挙げられる。ゼオライトは、吸着速度が速いためアウトガスを素早く吸着する。

　ゼオライト以外の物理吸着系のガス吸着剤としては、例えば、活性炭、活性炭素繊維、活性アルミナ、活性白土、セピオライト、酸化鉄などの鉄系化合物、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、シリカ、シリカ－酸化亜鉛複合物、シリカ－アルミナ－酸化亜鉛複合物、複合フィロケイ酸塩、アパタイト、或いはこれらの混合物などが挙げられる。なお、ガス吸着剤は、物理吸着系のガス吸着剤に限定されず、化学吸着系のガス吸着剤であってもよい。

　ガス吸着剤は、補修材中に５～２０重量％混入されていることが好ましい。この範囲よりも少なければ十分にアウトガスを吸着できず、この範囲よりも多ければ補修部５の溌インク性が十分に発揮されない。

　なお、補修材には、バンク１４を形成するためのバンク材料を利用することができる。すなわち、バンク材料にガス吸着剤を混入させたものを補修材として用いてもよい。ただしバンク材料の場合は、アルカリ現像液に可溶の酸成分が含まれているが、補修部５を形成する補修材には、アルカリ現像液に可溶の酸成分は含有しないことが好ましい。これは、補修部５を形成するときには現像は行われず、酸成分が補修部５に残存すると補修部５の耐溶剤性が低下するためである。

　上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。

　溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が１５０～２５０℃程度の溶剤を用いればよい。

　光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。

　補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば２０～９０ｗｔ％に調整し、粘度は例えば１０～５０ｃＰ（センチポイズ）に調整する。ガス吸着剤を補修部５内に均一に分散させるためには、粘度が１０～２０ｃＰに調整されていることが好ましい。

　[バンクの補修]
　次に、補修装置２００におけるテーブル２０２に載置されている下地基板１１の上に、ディスペンサ２１２から補修部形成用の補修材を、欠陥部３を埋めるように塗布して、補修部５を形成することによって、バンク１４の補修を行う。

　ここでは、図６（ｂ）に示すように、欠陥部３に補修部５を形成する。

　図９（ａ）に示すように、補修装置２００が備えるディスペンサ２１２は、ニードル式のディスペンサであって、その先端部分に補修材を収納するタンク２１４が取り付けられ、タンク２１４内を貫通するようにニードル２１３が上下に移動することによって、ニードル２１３に付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。

　図７に示すように、このディスペンサ２１２におけるニードル２１３の駆動は、コントローラ２３０からの制御信号に基づいてなされる。

　補修装置２００のコントローラ２３０においては、上記のようにバンク１４の画像データ、欠陥部３の座標データが保存されているので、このデータに基づいて、欠陥部３の周辺に設定された位置に正確に塗布することが出来る。

　図８は、欠陥部の周辺の画像において設定された塗布位置を示す図である。

　補修装置２００は、欠陥部３の中心を塗布点Ｐと設定し、当該塗布点Ｐにニードル２１３で補修材を塗布することによって、欠陥部３の中心に未硬化の補修部５ａを形成する。

　その場合、まず図９（ａ）に示すように、タンク２１４内に補修材を充填する。次に図９（ｂ）に示すように、ニードル２１３およびタンク２１４を塗布点Ｐに位置させた後、ニードル２１３を下方に移動してニードル２１３に補修材を付着させて、さらにニードル２１３を塗布点Ｐに近づけることによって補修材を塗布点Ｐに塗布する。補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図９（ｃ）に示すように、塗布点Ｐに補修材の山が形成される。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させることによって、図９（ｄ）に示すように、内部にガス吸着剤が含まれる未硬化の補修部５ａが形成される。

　また、その後の紫外線硬化の工程において、未硬化の補修部５ａが硬化して、より安定した物性を有する補修部５となる。紫外線照射の条件は、例えば、ＵＶオゾンクリーナー（ＵＶ－１、ＳＡＭＣＯ社製）を用いて６０秒から１８０秒程度である。

　[補修部の焼成]
　補修部５からは焼成によってアウトガスが抜かれる。焼成は、赤外線レーザーを用いて、赤外線レーザー光を補修部５に照射することによって行われる。

　赤外線レーザー光の照射による焼成の温度は、１８０℃～２４０℃であることが好ましい。その範囲よりも低ければアウトガスを十分に放出させることができない。また、その範囲よりも高ければ補修部５が高温になり過ぎて変形や溌インク性の低下等のダメージを受ける。

　赤外線レーザー光の照射条件は、アウトガスを十分に放出させうるものであれば特に制限はないが、補修部５に対して満遍なくエネルギーを照射しうるようにすることが望ましい。

　本実施形態での赤外線レーザー光の好ましい照射の条件として、パワー密度０．６Ｗ／ｍｍ²、照射時間６０秒、波長８０８ｎｍで実施した。

　[上記バンク補修方法による効果]
　図１０（ａ）は、実施の形態にかかるパネルにおいて、欠陥部３に補修部５が形成され当該補修部５が焼成され、そのバンク１４に隣接する一方の溝空間２０に、赤色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｒ）、他方の溝空間２０に緑色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　また、図１０（ｂ）は、補修部５を形成しない比較例において、同様にバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　また、図１０（ｃ）は、欠陥部３に補修部５が形成されてはいるものの、当該補修部５が焼成されていない比較例において、同様にバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　図１０（ｂ）に示すように、欠陥部３に補修部５が形成されていないと、赤色インクと青色インクが、欠陥部３を介して混ざり合ってできる混色領域は、各インク層１５ａ内で広がる。この混色領域は、Ｙ方向に長く伸びることがあり、その長さが１ｃｍ程度になることもある。

　表示パネル１００が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。上記のように、赤色インクと緑色インクが混合された混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになり、発光色不良の原因となる。

　また、図１０（ｃ）に示すように、補修部５が焼成されていないと、補修部５から徐々にアウトガスが放出されるため、そのアウトガスによって補修部５の近傍のインク層１５ａ或いは発光層１５が変質して、ダークスポットが生じることとなる。

　これに対して、本実施の形態では、欠陥部３にガス吸着剤を含有する補修部５を形成することによってバンク１４が補修されているため、混色領域やダークスポットが生じることがない。

　[欠陥部３と補修部５との間隔、補修部５の高さ、幅について]
　補修部５の高さ（溝空間２０の底面からの高さ）について考察する。

　ここで、補修部５の高さが低すぎると、インク層１５ａを分離する機能が損なわれて、混色が生じることになる。また、補修部５の高さが高すぎると、その上に形成する電子輸送層１６、共通電極１７などに段切れが生じやすくなる。このような考察に基づくと、補修部５の高さは、バンク１４の高さの０．５倍以上、２倍以下とすることが好ましい。特には、補修部５の最も低い部分の高さがバンク１４の高さの０．８倍以上であることが好ましく、補修部５の最も高い部分の高さがバンク１４の高さ以下であることが好ましい。

　＜実施の形態２＞
　実施の形態１では、欠陥部３が、バンクにおける一部が欠損した箇所である場合について説明したが、実施の形態２では、欠陥部３が、バンクにおける異物が付着した箇所である場合について説明する。異物とは、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。

　図１１（ａ）に示す例では、１本のバンク１４の上に、異物が付着して欠陥部３となっている。このように異物が付着した箇所も、その異物を介して隣り合う溝空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じうる。

　図１１（ｂ）に示す例では、１本のバンク１４の中に異物が入り込み、その異物がバンク１４の壁面を隣の溝空間まで貫通して欠陥部３となっている。また、図１１（ｃ）に示す例では、１本のバンク１４の下に異物が入り込んで、その異物が隣の溝空間まで貫通して欠陥部３となっている。このように、バンク１４の中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には隙間が生じてインクの流通路ができたり、異物が繊維片の場合にはインクを吸収したりするので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う溝空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる原因となる。

　このような異物による欠陥部３が検出された場合にも、補修部５を形成してバンク１４の補修を行う。

　[欠陥部を有するバンクの補修方法]
　実施の形態２では、補修装置２００におけるテーブル２０２に載置されている下地基板１１の上に、ディスペンサ２１から補修材を、欠陥部３の周囲を囲むように塗布して、補修部５を形成することによって、バンク１４の補修を行う。

　ここでは、図１２に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の両側に隣接する各溝空間２０の中に、欠陥部３をＹ方向に挟んだ２つの点Ａ１、Ａ２から、欠陥部３が存在するバンク１４の隣のバンク１４に亘る形状で補修部５を形成する。すなわち、欠陥部３の周囲を取り囲む溝空間２０の中に、Ｘ方向に仕切る合計４つの堰形状の補修部５を井桁状に形成する。

　補修部５の形成は、溝空間２０内において、補修部５を形成しようとするラインに沿って設定された複数の位置に、ディスペンサ２１２から補修材を塗布することによって行う。

　図１３（ａ）は、この画像において欠陥部３の周辺に設定された塗布位置を示す図である。

　当図に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の両側に隣接する溝空間２０の中に、欠陥部３の中央部を基準Ｏとして、Ｙ方向に距離ａ1離れた点Ａ１を通ってＸ方向に伸長する補修部形成ラインと、Ｙ方向と反対の方向に距離ａ2離れた点Ａ２を通ってＸ方向に伸長する補修部形成ラインに沿って、それぞれ塗布点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4を設定する。

　ここで、距離ａ1と距離ａ2は同じであっても、異なっていてもよいが、点Ａ１と点Ａ２とで欠陥部３の全体が挟み込まれ、且つあまり大き過ぎないように、適度な長さに設定する。

　図１３（ｂ）は、下地基板１１において、点Ａ１を通る補修部形成ラインに沿った断面を模式的に示す図である。

　補修装置２００は、このように設定した塗布点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4において、順次、ニードル２１３で補修材を塗布することによって補修部５を形成する。

　図１４（ａ）～（ｇ）は、塗布点Ｐ1，Ｐ2…に、ガス吸着剤が混入された補修材を順次塗布することによって、補修部５が形成される様子を示す図である。

　まず図１４（ａ），（ｂ）に示すように、ニードル２１３、タンク２１４を塗布点Ｐ1に位置させて、ニードル２１３を下方に移動してニードル２１３にガス吸着剤が混入された補修材を付着させて、ニードル２１３を塗布点Ｐ1に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ1に塗布する。

　補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図１４（ｃ）に示すように、塗布点Ｐ1に補修材の山が形成される。

　続いて、図１４（ｄ）に示すように、ニードル２１３をタンク２１４内に引き上げて、ニードル２１３、タンク２１４を、塗布点Ｐ2に移動させる。そして、ニードル２１３を下方に移動して、補修材を付着させたニードル２１３を塗布点Ｐ2に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ2に塗布する。

　それによって図１４（ｅ）に示すように、塗布点Ｐ2に形成される補修材の山は、塗布点Ｐ1に形成されている補修材の山と繋がる。

　続いて、図１４（ｆ）に示すように、ニードル２１３を引き上げて、塗布点Ｐ3に移動させる。そして、同様にして、塗布点Ｐ3に補修材の山を形成して、塗布点Ｐ2に補修材の山とつなげる。

　このようにして、欠陥部３を有するバンク１４上の点Ａ１から、隣のバンク１４に亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥し、必要に応じて露光することによって補修部５が形成される。

　また、その後の紫外線照射工程において、塗布された補修材が紫外線硬化するので、より安定した物性を有する補修部５が形成される。

　さらに、硬化後の補修材である補修部５に赤外線レーザー光を照射して焼成し、補修部５内のアウトガスを外部に放出させる。

　図１２に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の両側にある溝空間２０の各々には、補修部５が対で設けられており、この補修部５によって溝空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。そして、欠陥部３は、２つの第１空間ＳＡによって囲まれている。

　このように、バンク１４の欠陥部３が補修した上で、次のステップの発光層形成工程で、各溝空間２０に有機発光層１５を形成すると、第１空間ＳＡ、第２空間ＳＢにも、インクが塗布され、有機発光層１５が形成される。従って、発光層が形成された後のパネルにおいては、第１空間ＳＡに形成された有機発光層１５と、第２空間ＳＢに形成された有機発光層１５とが、補修部５によって仕切られた状態となる。

　[上記バンク補修方法による効果]
　図１５（ａ）は、実施の形態にかかるパネルにおいて、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に補修部５が形成された後、そのバンク１４に隣接する一方の溝空間２０に、赤色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｒ）、他方の溝空間２０に緑色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　また、図１５（ｂ）は、補修部５を形成しない比較例において、同様にバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　また、図１５（ｃ）は、欠陥部３に補修部５が形成されてはいるものの、当該補修部５が焼成されていない比較例において、同様にバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

　図１５（ｂ）に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に補修部５が形成されていないと、赤色インクと青色インクが、欠陥部３を介して混ざり合ってできる混色領域は、各インク層１５ａ内で広がる。緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになり、発光色不良の原因となる。

　また、図１５（ｃ）に示すように、補修部５が焼成されていないと、補修部５から徐々にアウトガスが放出されるため、そのアウトガスによって混色領域のインク層１５ａ或いは発光層１５が変質して、混色領域にダークスポットが生じることとなる。そうすると、バンク１４で区切られた２つの混色領域のうち、本来であれば緑色に発光しなければならないのに赤色に発光するはずだった混色領域も、本来であれば赤色に発光する領域であり混色していても赤色に発光するはずだった混色領域も、発光しなくなる。

　これに対して、本実施の形態では、上記のように、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に補修部５が対で形成され、溝空間２０が、補修部５の対に挟まれた欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、補修部５の対の外側にある欠陥部３に近接しない２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。それによって、以下のように混色領域は制限される。また、焼成したことによって補修部５からはアウトガスが放出されないため、混色領域にダークスポットが生じることもない。さらに、補修部５を焼成する際にバンク１４に熱がほとんど加わらないため、バンク１４が変形してバンク１４のテーパ角が変わってしまったり、バンク１４の表面の溌インク性が低下してしまったりすることがない。

　以上のように補修部５を堰形状にすれば、欠陥部３の補修が容易である。すなわち、近年は画素の高精細化が進みバンク１４の幅が狭くなっているが、バンクの幅が狭いと欠陥部３にピンポイントで塗布針を位置合わせるのは難しい。しかしながら、堰形状のような補修部５であれば、ピンポイントの位置合わせが不要であるため、補修が容易である。

　また、異物が付着することによって生じる欠陥部３の場合、バンクに付着した異物に補修材を塗布しようとすると、異物が補修材をはじいて、うまく補修できないこともあるが、堰形状の補修部５であれば、そのような場合も補修しやすい。

　＜変形例＞
　上記実施の形態では、ラインバンクについて、欠陥部を補修する場合を説明したが、ピクセルバンクについても同様に実施することができる。

　また、上記実施の形態では、トップエミッション型有機ＥＬパネルを例にとって説明したが、ボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいても適用可能である。

　本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置、その製造方法、その製造方法において適用されるバンクの補修方法に利用可能である。

　１　有機ＥＬ表示装置
　３　欠陥部
　５　補修部
　１１　基板
　１４　バンク
　１７　発光層

Claims

　基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、
　前記基板上に形成されたバンクにおける欠陥部を検出し、
　欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、
　硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成する、
　バンク補修方法。
　前記ガス吸着剤は物理吸着系のガス吸着剤である、
　請求項１に記載のバンク補修方法。
　前記物理吸着系のガス吸着剤はゼオライトである、
　請求項２に記載のバンク補修方法。
　前記赤外線レーザー光による焼成の温度は１８０℃～２４０℃である、
　請求項１から３のいずれかに記載のバンク補修方法。
　基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
　前記バンクには欠陥部が存在すると共に、当該欠陥部がガス吸着剤が混入された補修材によって補修されている、
　有機ＥＬ表示装置。
　前記補修部の最も高い部分の高さは前記バンクの高さ以下であって、前記補修部の最も低い部分の高さは前記バンクの高さの０．８倍以上である、
　請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
　基板上にバンクを形成し、当該バンクで区画された凹空間のそれぞれに発光層を形成することによって有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
　前記基板上に形成されたバンクにおける欠陥部を検出し、
　欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部にガス吸着剤が混入された補修材を塗布し硬化させて前記バンクを補修し、
　硬化後の補修材を赤外線レーザー光の照射により焼成し、
　その後、前記発光層を形成する、
　有機ＥＬ表示装置の製造方法。