WO2015111586A1 - フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータ - Google Patents

フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータ Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a neutron moderator mainly used for neutron capture therapy, a method for manufacturing the neutron moderator, and a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body that is optimal as a neutron moderator.
  • neutron moderators used as moderators for selective cancer treatment
  • examples include lithium fluoride, aluminum fluoride, and magnesium fluoride.
  • Magnesium fluoride is particularly suitable as a neutron moderator because it has a good function of decelerating a neutron beam to an energy of 10 keV or less. are known.
  • magnesium fluoride is considered to be excellent as a neutron moderating function for decelerating to an energy region of 10 keV or less.
  • the moderator which combined magnesium fluoride and polytetrafluoroethylene.
  • a neutron moderator in order to improve neutron moderation performance, it is appropriate to use magnesium fluoride as a sintered body in order to manufacture only with magnesium fluoride without using polytetrafluoroethylene.
  • the neutron moderator has a predetermined size, and it is desired to obtain a sintered body of magnesium fluoride in which the relative density is increased by suppressing cracking or chipping.
  • the present invention has been made in view of the above, and provides a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body, a method for manufacturing a neutron moderator, and a neutron moderator that suppress cracking or chipping and increase the relative density. Objective.
  • a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body according to the present invention is a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body, in which a magnesium fluoride powder material is used as a mold.
  • an electric current sintering step is a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body, in which a magnesium fluoride powder material is used as a mold.
  • This manufacturing method results in a sintered body with little variation in particle size distribution and suppressed particle size growth, and can increase cracking or chipping and increase the relative density.
  • the magnesium fluoride powder material is a high-purity material of 99% by mass or more, and the balance contains inevitable impurities.
  • the magnesium fluoride sintered compact can suppress the neutron which has energy smaller than 0.5 eV.
  • the magnesium fluoride sintered body can suppress neutrons having energy greater than 10 keV.
  • a method for manufacturing a neutron moderator includes preparing a plurality of disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies manufactured by the above-described magnesium fluoride sintered body manufacturing method. And a laminating step of laminating and joining the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies to produce a neutron moderator.
  • a second intermediate laminated body obtained by performing a drilling process on the intermediate body by a machining process is further provided. It is preferable to laminate at least one. With this manufacturing method, a disk-shaped magnesium fluoride sintered body with poor workability can be drilled with high accuracy.
  • the laminating step when the disc-shaped magnesium fluoride sintered body is used as an intermediate body, a third intermediate laminated body obtained by tapering the outer periphery by a machining process is used for the intermediate body. It is preferable to laminate at least one.
  • the magnesium fluoride sintered body which is likely to be cracked or chipped on the outer periphery, is processed into a disk shape, so that the taper can be accurately processed.
  • the stacking step it is preferable to manufacture a neutron moderator by stacking the first intermediate stack, the second intermediate stack, and the third intermediate stack.
  • the neutron moderator by the magnesium fluoride sintered compact which suppressed the crack or the chip
  • the neutron moderator of the present invention is a neutron moderator that decelerates neutrons, and includes an intermediate laminate in which a plurality of disc-shaped magnesium fluoride sintered bodies are laminated. It is characterized by including.
  • This neutron moderator can suppress neutrons having an energy smaller than 0.5 eV by a magnesium fluoride sintered body in which the relative density is increased by suppressing cracking or chipping.
  • the neutron moderator can suppress neutrons having an energy higher than 10 keV by a magnesium fluoride sintered body in which cracking or chipping is suppressed to increase the relative density.
  • the present invention it is possible to provide a method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body, a method for manufacturing a neutron moderator, and a neutron moderator, in which cracking or chipping is suppressed and the relative density is increased.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a neutron source generator equipped with a neutron moderator according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view of the neutron moderator according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a side view of FIG.
  • FIG. 4 is a top view of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • FIG. 6 is a flowchart for explaining the manufacturing method of the neutron moderator according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic view schematically showing an energization pulse sintering apparatus.
  • FIG. 8 is a side view of the disc-shaped magnesium fluoride sintered body according to the present embodiment.
  • FIG. 9 is a top view of FIG. FIG.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a stacked state of the stacked body of the first intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a first intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining a stacking state of the stacked body of the second intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining a machining process for manufacturing the second intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic view showing a second intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining a stacking state of the stacked body of the third intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining a machining process for manufacturing the third intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic diagram showing a third intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram for explaining a neutron source generator equipped with a neutron moderator according to this embodiment.
  • the neutron source generator includes an accelerator 100, a beam transport 25, a bending magnet 26, and a target unit 20.
  • the accelerator 100 is a device for accelerating protons, and an ion source 21, a low energy beam transport system (LEBT) 22, and an acceleration tube 23 are arranged in order from the upstream side to the downstream side.
  • the ion source 21 is a device that converts protons into positive ions.
  • the low energy beam transport system 22 is an interface between the ion source 21 and the acceleration tube 23.
  • the beam transport 25 is a beam path for guiding protons accelerated by the accelerator 100 to the target unit 20.
  • the beam transport 25 is changed so that the traveling direction of the accelerated proton is guided to the target unit 20 arranged at an arbitrary position via the bending magnet 26.
  • the bending magnet 26 is for bending the traveling direction of protons accelerated by the accelerator 100.
  • the beam transport 25 may guide protons accelerated by the accelerator 100 to the target unit 20 without using the bending magnet 26.
  • the target unit 20 is a device that generates neutrons by the reaction between protons and the target 27.
  • the target unit 20 includes a target 27, a neutron moderator 1, a neutron reflector 29, and an irradiation unit 28.
  • the target 27 is configured by forming a target material such as a thin film of metallic lithium on a support (substrate) such as copper by vapor deposition.
  • the target 27 shown in this embodiment is a cone-shaped target having an inner wall surface (inner surface) with a lithium thin film.
  • the target material is not limited to this shape. For example, any shape target such as a plate-like target having a lithium thin film on its surface may be used.
  • the target material may be another target material such as beryllium.
  • the neutron moderator 1 is a neutron moderator for decelerating neutrons generated at the target 27.
  • the neutron reflector 29 Since the neutron reflector 29 does not emit unnecessary neutrons outside the target unit 20, the neutron reflector 29 covers the periphery of the target 27 and the neutron moderator 1 with lead or the like.
  • the irradiation unit 28 is an opening that emits neutrons decelerated by the neutron moderator 1.
  • neutron capture therapy that selectively kills cancer cells has been studied and clinically implemented in reactor facilities.
  • the neutron source generator shown in FIG. 1 can obtain neutrons without using a nuclear reactor.
  • a substance that easily undergoes a nuclear reaction with thermal neutrons such as a compound containing boron-10 (B-10), which is a non-radioactive isotope, is drugized in advance and administered to the human body in advance. It is taken into only the existing region, that is, the cancer cell mixed with normal cells.
  • Neutron capture therapy is a neutron source generator shown in Fig. 1, which irradiates cancer sites with neutrons (thermal neutrons and epithermal neutrons) that have little effect on the human body, and selectively suppresses only cancer cells. Is the law.
  • the neutron moderator 1 needs to decelerate the emitted neutrons to an energy region of 10 keV or less in order to make the neutrons (thermal neutrons and epithermal neutrons) with little influence on the human body. Since the neutron moderator 1 of this embodiment decelerates neutrons with magnesium fluoride, the neutron moderation performance in the energy region of 20 keV or less is high.
  • the effective energy of neutrons as radiation for the treatment of recurrent cancer is generally 0.5 eV or more and 10 keV or less, and when it is smaller than 0.5 eV, it tends to affect normal tissues on the skin surface of the living body and exceeds 10 keV. The effect on normal tissues other than cancer tissues inside the human body is increased.
  • the neutron moderator 1 according to the present embodiment can suppress neutrons having energy smaller than 0.5 eV compared to a heavy water moderator as compared with a heavy water moderator.
  • the neutron moderator 1 of this embodiment can suppress the neutron which has energy larger than 10 keV than the moderator made from polytetrafluoroethylene compared with the moderator made from polytetrafluoroethylene.
  • the neutron moderator 1 of the present embodiment it is preferable to use magnesium fluoride as a sintered body in order to obtain a predetermined passing cross-sectional area with magnesium fluoride.
  • the magnesium fluoride sintered body needs to be devised in order to maintain the quality of the sintered state such as cracks or chips when trying to be an effective size as the neutron moderator 1 of the present embodiment. .
  • the neutron moderator 1 will be described in detail with reference to FIGS.
  • FIG. 2 is a perspective view of the neutron moderator according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a side view of FIG.
  • FIG. 4 is a top view of FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.
  • the neutron moderator 1 is a substantially cylindrical body having an upper surface 1A on the target 27 side, a lower surface 1B on the irradiation unit 28 side, and an outer periphery 1P shown in FIG.
  • the thickness of the neutron moderator 1 is the thickness L in the neutron passage direction from the target 27 to the irradiation unit 28 shown in FIG.
  • the neutron moderator 1 has a ratio of the thickness L to the diameter D (thickness). L / diameter D) is often 180% or more.
  • L / diameter D is often 180% or more.
  • the relative density may be reduced inside the neutron moderator 1 due to the non-uniformity of the pressurized state.
  • the non-uniformity of the relative density of the neutron moderator 1 may affect the neutron moderation.
  • the neutron moderator 1 is a large size (especially diameter (phi) 150 mm or more), a crack or a chip
  • the upper surface 1A of the neutron moderator 1 is provided with a tapered surface 1C of a recess 27H into which the target 27 shown in FIG. 1 is inserted.
  • the diameter d of the lower surface 1B of the neutron moderator 1 is provided with an outer peripheral tapered surface 1T having a smaller diameter on the lower surface 1B side so as to be smaller than the diameter D of the outer periphery 1P.
  • the inventors applied a solid compression sintering method called spark plasma sintering (SPS) or pulse electric current sintering to reduce cracks and increase the yield rate.
  • SPS spark plasma sintering
  • the present inventors have intensively studied a method for manufacturing a sintered body and have come up with the present embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the neutron moderator according to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic view schematically showing an energization pulse sintering apparatus.
  • the method for manufacturing a sintered body according to the present embodiment includes a powder filling step S1 and an intermediate body sintering step S2.
  • the method for manufacturing a neutron moderator according to the present embodiment further includes, as a lamination process, a lamination process S3 of the first intermediate laminate, a drilling process S4, a lamination process S5 of the second intermediate laminate, and an outer peripheral taper machining. It includes a step S6, a third intermediate laminate stacking step S7, and a neutron moderator assembly step S8.
  • the discharge plasma sintering apparatus 30 includes a chamber V that can replace the internal atmosphere with a vacuum or Ar, and a nitrogen gas atmosphere, a graphite die GD, a graphite punch GP, a graphite spacer GS, A pressure shaft and a DC pulse power source E are provided.
  • the graphite die GD, the graphite punch GP, the graphite spacer GS, and the energizing pressure shaft are formed of a conductive material, such as stainless steel.
  • the DC pulse power source E can apply an ON-OFF DC pulse voltage current to the magnesium fluoride powder M in the graphite die GD through the graphite die GD, the graphite punch GP, and the energizing pressure shaft.
  • the method for manufacturing a sintered body according to the present embodiment prepares magnesium fluoride powder and performs powder filling by tapping in the powder filling step S1.
  • FIG. 8 is a side view of the disc-shaped magnesium fluoride sintered body according to the present embodiment.
  • FIG. 9 is a top view of FIG.
  • the magnesium fluoride sintered body ds according to the present embodiment is, for example, a disk (flat cylindrical body) having a thickness t and a diameter Dt. The thickness t with respect to the diameter Dt is more preferably 8% or more and 15% or less. Thereby, the disk-shaped magnesium fluoride sintered body ds can suppress cracking or chipping.
  • the manufacturing method of the neutron moderator according to the present embodiment is further prepared by manufacturing a plurality of disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds as intermediate bodies in the stacking step S3 of the first intermediate stacked body.
  • the first intermediate laminate is laminated in the lamination step S3 and bonded in the thickness direction.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a stacked state of the stacked body of the first intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a first intermediate laminate according to the present embodiment.
  • the thickness of the disk-shaped magnesium fluoride sintered body ds may not be the same.
  • one of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds on the upper surface may be cut to the upper surface 2A by cutting the surface 2a.
  • one of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds on the lower surface may be cut to the lower surface 2B by cutting the surface 2b.
  • the method for manufacturing a neutron moderator according to the present embodiment further manufactures the first intermediate stacked body 2 shown in FIG. 11 as a stacking process.
  • the first intermediate laminate 2 has a cylindrical shape.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram for explaining a stacking state of the stacked body of the second intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining a machining process for manufacturing the second intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic view showing a second intermediate laminate according to the present embodiment.
  • one of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds is revolved spirally while rotating the drill 40, and the tapered surface 1C. Is drilled.
  • the magnesium fluoride sintered body ds is prone to cracking or chipping immediately before the drill 40 penetrates the other surface when drilling from one surface.
  • the cutting device stops the spiral revolution immediately before the drill 40 of the magnesium fluoride sintered body ds penetrates the other surface and moves linearly in the thickness direction. For this reason, as shown in FIG.
  • the method for manufacturing a neutron moderator according to the present embodiment further manufactures a plurality of disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds, which have been drilled in the drilling process S4, as intermediates as a lamination process. Then, the second intermediate laminate is laminated in the lamination step S5 and joined in the thickness direction.
  • the thicknesses of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds may not be the same.
  • one of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds on the upper surface is formed by cutting the surface 3a and cutting the surface to the upper surface 3A, leaving the protrusion 3Q around the edge of the tapered surface 1C. May be.
  • the method for manufacturing a neutron moderator according to the present embodiment further manufactures the second intermediate stacked body 3 shown in FIG. 14 as a stacking process.
  • the outer diameter shape of the second intermediate laminate 3 is a cylindrical shape. It is preferable that the angle ⁇ of the tapered surface 1C be a constant angle in consideration of the order of the stacked disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram for explaining a stacking state of the stacked body of the third intermediate stacked body according to the present embodiment.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram for explaining a machining process for manufacturing the third intermediate laminate according to the present embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic diagram showing a third intermediate laminate according to the present embodiment.
  • the tapered surface 1T is machined by pressing the drill 40 from the outer periphery to one of the disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds.
  • the magnesium fluoride sintered body ds may leave the cylindrical portion 4S as shown in FIG.
  • the angle ⁇ of the tapered surface 1T is preferably set to a constant angle in consideration of the order of the stacked disc-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds.
  • the manufacturing method of the neutron moderator according to the present embodiment further includes a plurality of disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds obtained by performing taper processing on the outer periphery in the outer periphery taper processing step S6 as an intermediate body as a lamination process. Are prepared and prepared, and are laminated in the lamination step S7 of the third intermediate laminated body and bonded in the thickness direction.
  • the manufacturing method of the neutron moderator according to the present embodiment further manufactures the third intermediate stacked body 4 shown in FIG. 17 as a stacking process.
  • the outer diameter shape of the third intermediate laminate 4 is a substantially conical shape including the upper surface 4A, the lower surface 4B, and the tapered surface 1T.
  • the neutron moderator manufacturing method joins the upper surface 2A of the first intermediate laminate 2 and the lower surface 3B of the second intermediate laminate 3 in the assembly step S8 of the neutron moderator.
  • the upper surface 3A of the second intermediate laminate 3 becomes the upper surface 1A of the neutron moderator.
  • the lower surface 2B of the first intermediate laminate 2 and the upper surface 4A of the third intermediate laminate 4 are joined.
  • the lower surface 4B of the third intermediate laminate 4 becomes the lower surface 1B of the neutron moderator.
  • the first intermediate laminate 2, the second intermediate laminate 3, and the third intermediate laminate 4 are laminated to produce the neutron moderator 1.
  • the method for manufacturing a magnesium fluoride sintered body includes the powder filling step S1 in which the magnesium fluoride powder material is tapped and filled in the mold, and the magnesium fluoride powder material that is filled is energized with pulses.
  • the magnesium fluoride powder material filled in the powder filling step S1 is a high-purity material of 99% by mass or more, and the balance may contain inevitable impurities.
  • the magnesium fluoride sintered body ds can suppress neutrons having energy smaller than 0.5 eV.
  • the magnesium fluoride sintered body ds can suppress neutrons having energy greater than 10 keV.
  • the neutron moderator manufacturing method includes a preparation step of preparing a plurality of disk-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds manufactured by the above-described magnesium fluoride sintered body manufacturing method, and disk-shaped magnesium fluoride sintering. And laminating the body ds and joining them to produce the neutron moderator 1. Thereby, since it is not necessary to sinter the magnesium fluoride sintered body ds having a large thickness, the possibility that the relative density is reduced inside the neutron moderator 1 can be reduced.
  • the neutron moderator 1 is a laminate obtained by further drilling the intermediate magnesium fluoride sintered body ds by a machining process.
  • stacked at least 1 is included.
  • the neutron moderator 1 is a laminated body obtained by tapering the outer periphery of the magnesium fluoride sintered body ds of the intermediate body by a machining process.
  • a third intermediate laminated body 4 including at least one laminated body is included.
  • the neutron moderator 1 includes a first intermediate laminate 2 in which a plurality of disc-shaped magnesium fluoride sintered bodies ds are laminated.
  • the neutron moderator 1 can suppress neutrons having an energy smaller than 0.5 eV by the magnesium fluoride sintered body ds whose relative density is increased by suppressing cracking or chipping.
  • the neutron moderator 1 can suppress neutrons having an energy higher than 10 keV by the magnesium fluoride sintered body ds in which the relative density is increased by suppressing cracking or chipping.
  • the neutron moderator 1 includes the first intermediate laminate 2, the second intermediate laminate 3, and the third intermediate laminate 4, the first intermediate laminate 2, the second intermediate laminate 3, and the third intermediate laminate.
  • the neutron moderation performance is uniform in any laminate of the body 4.
  • Example 2 The sample is filled with magnesium fluoride powder (manufactured by Morita Chemical Co., Ltd.) with a purity of 99% or more in a container of a mold whose inner volume is sintered diameter ⁇ (mm) x thickness (mm), and tapping filling is performed. It was.
  • a container filled with magnesium fluoride powder was set in a discharge plasma sintering apparatus, and the sintering atmosphere was reduced to a vacuum atmosphere by reducing the pressure.
  • the pressurization conditions were constant pressurization conditions and variable conditions (changed in order of arrows in Table 1), and the presence or absence of cracks was confirmed.
  • the energization conditions were the same in each example and each comparative example, and pulse energization with a maximum current output of about 18000 A was used.
  • the heating rate was 1 ° C./min (min) or higher and 15 ° C./min or lower until the magnesium fluoride powder reached the holding temperature.
  • the holding temperature was heated in the range of 630 ° C. or higher and 900 ° C. or lower.
  • the holding time was set in the range of 15 minutes to 240 minutes.
  • the presence or absence of cracks was investigated, samples without cracks were designated as Examples 1 to 13, and samples with cracks were designated as Comparative Examples 1 to 12.
  • the rate of temperature rise is preferably 1 ° C./min to 7 ° C./min.
  • the temperature rising rate of the mold is higher than 7 ° C./min, the temperature difference between the inside and outside of the magnesium fluoride sintered body becomes large, the crystal grain size tends to vary, and cracking tends to occur.
  • the rate of temperature rise is 7 ° C./min or less, the temperature of the magnesium fluoride sintered body can be increased to such an extent that there is no significant difference in the particle size growth of the magnesium fluoride sintered body. . For this reason, the crack of a sintered compact can be suppressed.
  • the rate of temperature rise is less than 1 ° C./min, heating takes time and the production rate / efficiency decreases.
  • the magnesium fluoride powder is not particularly limited as long as the powder has a high pure concentration of 99.0% or more.
  • cation exchange in which the cation exchange group is generally magnesium is not limited.
  • a general-purpose magnesium fluoride powder such as one obtained by adding hydrofluoric acid to the resin and separating and grinding the obtained magnesium fluoride particles can be used.
  • the pressure condition in the method for producing a magnesium fluoride sintered body is preferably around 20 MPa.
  • the pressure condition is lower than 20 MPa, the magnesium fluoride powder body cannot be sufficiently compressed, the gap between the powders becomes large, and the magnesium fluoride sintered body is cracked.
  • a pressurization condition is larger than 20 MPa, the outer peripheral part of a magnesium fluoride sintered body may be easily damaged.
  • the pressurization condition is larger than 20 MPa, when the size of the magnesium fluoride sintered body is increased, there arises a problem in the specification of the manufacturing apparatus that it is difficult to apply a large pressure on the performance of the apparatus.
  • the pressing condition is constant, the crystal structure of the sintered body is likely to be uniform, and it is preferable that the pressure during sintering is constant.
  • the holding temperature in the method for producing a magnesium fluoride sintered body is preferably 650 to 800 ° C. If the holding temperature is lower than 650 ° C, the holding time must be lengthened to make the crystal grains uniform. Conversely, if the holding temperature is higher than 800 ° C, no further effect is observed and the saturated state is reached. Therefore, the cost is reduced.
  • the mold heating and holding time after sintering in the method for producing a magnesium fluoride sintered body for 45 minutes or more. Further, even if the holding time exceeds 180 minutes, the effect is not changed so much and the saturated state is reached, which may increase the manufacturing cost.
  • the relative density can be 99% or more.

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Abstract

　割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータを提供する。フッ化マグネシウム焼結体の製造方法は、フッ化マグネシウム粉末材を金型にタッピング充填を行う粉体充填工程Ｓ１と、充填されたフッ化マグネシウム粉末材を、パルスを通電しながら焼結するパルス通電焼結を行い、フッ化マグネシウム焼結体（中間体）を得る中間体焼結（パルス通電焼結）工程Ｓ２と、を含む。

Description

フッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータ
　本発明は、主に中性子捕捉療法に用いられる中性子モデレータ及びその製造方法、中性子モデレータとして最適なフッ化マグネシウム焼結体の製造方法、に関する。
　従来、ホウ素中性子捕捉治療をはじめとする、選択的ガン治療用モデレータとして用いられる中性子減速材については、様々な材料が検討されてきた。例えば、フッ化リチウム、フッ化アルミニウムおよびフッ化マグネシウムなどがあげられるが、特にフッ化マグネシウムは、中性子線を１０ｋｅＶ以下のエネルギーに減速させる機能が良好であるため、中性子減速材として最適な材料として知られている。
特開２００４－２３３１６８号公報
Optimizing　the　OSU-ABNS　Base　Moderator　Assembly　Materials　for　BNCT　B.　Khorsandia*,　T.　E.　Blue　a　Nuclear　Engineering　Program,　The　Ohio　State　University,　Columbus,　OH　43210,　USA Accelerator-Based　source　of　epithermal　neutrons　for　neutron　capture　therapy.　Kononov　O　E,　Kononov　V　N,　Solov’EV　A　N,　Bokhovko　M　V　At　Energy　Vol.97　No.3,　PP626-631
　上述した特許文献１に記載の技術では、フッ化リチウムを中性子減速材にする。しかしながら、特許文献１に記載の技術では、リチウムはレアメタルの一種であり、製造コストが課題となっている。
　このため、非特許文献１に記載の技術では、１０ｋｅＶ以下のエネルギー領域まで減速させる中性子減速機能としてフッ化マグネシウムが優れているとされている。また、非特許文献２に記載の技術では、フッ化マグネシウムとポリテトラフルオロエチレンを組み合わせた減速材の記載がある。
　中性子モデレータとして、中性子減速性能を高めるため、ポリテトラフルオロエチレンを使用せずフッ化マグネシウムだけで製造するには、フッ化マグネシウムを焼結体にすることが適切である。中性子モデレータは、所定の大きさがあり、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウムの焼結体を得ることが望まれている。
　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータを提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のフッ化マグネシウム焼結体の製造方法は、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法であって、フッ化マグネシウム粉末材を金型にタッピング充填を行う粉体充填工程と前記粉体充填工程で充填された前記フッ化マグネシウム粉末材を、パルスを通電しながら焼結するパルス通電焼結を行い、フッ化マグネシウム焼結体を得るパルス通電焼結工程と、を含むことを特徴とする。
　この製造方法により、粒径分布にバラつきの少ない、粒径成長を抑制した焼結体となり、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めることができる。
　本発明の望ましい態様として、前記粉体充填工程において、フッ化マグネシウム粉末材が９９質量％以上の高純度材であり、残部が不可避不純物を含む。これにより、フッ化マグネシウム焼結体は、０．５ｅＶより小さいエネルギーを有する中性子を抑制できる。また、フッ化マグネシウム焼結体は、１０ｋｅＶより大きいエネルギーを有する中性子を抑制できる。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、中性子モデレータの製造方法は、上述したフッ化マグネシウム焼結体の製造方法で製造された複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を複数準備する準備工程と、前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を積層し、接合して、中性子モデレータを製造する積層工程と、を含む。これにより、厚みの大きなフッ化マグネシウム焼結体を焼結する必要がなくなることから、中性子モデレータの内部で相対密度が低下する可能性を低減できる。
　本発明の望ましい態様として、前記積層工程は、前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を中間体とした場合、前記中間体にさらに機械加工工程により孔開け加工を行った第２中間積層体を少なくとも１つ積層することが好ましい。この製造方法により、加工性の悪い円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を精度よく孔開け加工することができる。
　本発明の望ましい態様として、前記積層工程では、前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を中間体とした場合、前記中間体に機械加工工程により外周にテーパ加工を行った第３中間積層体を少なくとも１つ積層する、ことが好ましい。この製造方法により、割れ又は欠けが外周に生じやすいフッ化マグネシウム焼結体を円盤状で加工することで、精度よくテーパ加工することができる。
　本発明の望ましい態様として、前記積層工程では、前記第１中間積層体、前記第２中間積層体及び前記第３中間積層体を積層することにより、中性子モデレータを製造することが好ましい。これにより、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体による中性子モデレータを得ることができる。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の中性子モデレータは、中性子を減速させる中性子モデレータであって、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体が積層される中間積層体を含むことを特徴とする。
　この中性子モデレータは、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体により、０．５ｅＶより小さいエネルギーを有する中性子を抑制できる。また、中性子モデレータは、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体により、１０ｋｅＶより大きいエネルギーを有する中性子を抑制できる。
　本発明によれば、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体の製造方法、中性子モデレータの製造方法及び中性子モデレータを提供することができる。
図１は、本実施形態に係る中性子モデレータを備える中性子源発生装置を説明する説明図である。 図２は、本実施形態に係る中性子モデレータの斜視図である。 図３は、図２の側面図である。 図４は、図２の上面図である。 図５は、図３に示すＡ－Ａ断面の断面図である。 図６は、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法を説明するためのフローチャートである。 図７は、通電パルス焼結装置を模式的に示す模式図である。 図８は、本実施形態に係る円盤状のフッ化マグネシウム焼結体の側面図である。 図９は、図８の上面図である。 図１０は、本実施形態に係る第１中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。 図１１は、本実施形態に係る第１中間積層体を示す模式図である。 図１２は、本実施形態に係る第２中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。 図１３は、本実施形態に係る第２中間積層体を製造する機械加工工程を説明するための説明図である。 図１４は、本実施形態に係る第２中間積層体を示す模式図である。 図１５は、本実施形態に係る第３中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。 図１６は、本実施形態に係る第３中間積層体を製造する機械加工工程を説明するための説明図である。 図１７は、本実施形態に係る第３中間積層体を示す模式図である。
　本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
（中性子源発生装置）
　図１は、本実施形態に係る中性子モデレータを備える中性子源発生装置を説明する説明図である。図１に示すように、中性子源発生装置は、加速器１００と、ビームトランスポート２５と、ベンディング磁石２６と、ターゲットユニット２０とを備えている。
　加速器１００は、陽子を加速するための装置であり、上流側から下流側に向けて順番にイオン源２１、低エネルギービーム輸送系（ＬＥＢＴ）２２、加速管２３がそれぞれ配置されている。イオン源２１は、陽子をプラスイオンにする装置である。低エネルギービーム輸送系２２は、イオン源２１と加速管２３とのインターフェースである。
　ビームトランスポート２５は、加速器１００で加速された陽子をターゲットユニット２０まで導くためのビーム通路である。ビームトランスポート２５は、ベンディング磁石２６を介して、加速された陽子の進行方向を任意の位置に配置されるターゲットユニット２０に導くように、変更している。このように、ベンディング磁石２６は、加速器１００によって加速された陽子の進行方向を曲げるためのものである。ビームトランスポート２５は、ベンディング磁石２６を介さずに、加速器１００で加速された陽子をターゲットユニット２０まで導いてもよい。
　ターゲットユニット２０は、陽子とターゲット２７の反応により中性子を発生させる装置である。ターゲットユニット２０は、ターゲット２７と、中性子モデレータ１と、中性子反射体２９と、照射部２８とを備えている。
　ターゲット２７は、銅などの支持体（基板）に蒸着によって金属リチウムの薄膜などのターゲット材料を形成して構成されている。この実施の形態で示されるターゲット２７は、内壁面（内表面）にリチウムの薄膜が施されたコーン状のターゲットである。ターゲット材料は、この形状に限定されない。例えば、表面にリチウムの薄膜が施されたプレート状のターゲットなど、あらゆる形状のターゲットでもよい。また、ターゲット材料は、他のターゲット材料、例えばベリリウムなどでもよい。中性子モデレータ１は、ターゲット２７で発生した中性子を減速するための中性子減速材である。
　中性子反射体２９は、ターゲットユニット２０外に不要な中性子を放出しないため、鉛などで、ターゲット２７及び中性子モデレータ１の周囲を覆っている。照射部２８は、中性子モデレータ１で減速した中性子を放出する開口である。
　近年、癌細胞を選択的に死滅させる中性子捕捉療法が研究され、原子炉施設において臨床実施されている。図１に示す中性子源発生装置は、原子炉を用いないで中性子を得ることができる。中性子捕捉療法は、熱中性子などと核反応を起こしやすい物質、例えば、非放射性同位元素であるホウ素－１０（Ｂ－１０）を含有する化合物を薬剤化し、あらかじめそれを人体に投与し、癌の存在領域、すなわち正常細胞と混在する癌細胞のみに取り込ませておく。中性子捕捉療法は、図１に示す中性子源発生装置で、人体に影響の少ないエネルギーの中性子（熱中性子や熱外中性子）を癌の部位に照射し、癌細胞のみを選択的に抑制する癌治療法である。
　中性子モデレータ１は、人体に影響の少ないエネルギーの中性子（熱中性子や熱外中性子）とするために、放出された中性子を１０ｋｅＶ以下のエネルギー領域に中性子を減速させる必要がある。本実施形態の中性子モデレータ１は、フッ化マグネシウムで中性子を減速するので、２０ｋｅＶ以下のエネルギー領域における中性子減速性能が高い。
　再発がん治療の放射線として中性子の有効なエネルギーは、一般的に０．５ｅＶ以上１０ｋｅＶ以下であり、０．５ｅＶより小さい場合は、生体の皮膚表面の正常組織に影響を与えやすく、１０ｋｅＶを超えると、人体内部の癌組織以外の正常組織への影響が大きくなる。本実施形態の中性子モデレータ１は、重水製のモデレータと比較して、重水製のモデレータよりも０．５ｅＶより小さいエネルギーを有する中性子を抑制できる。また、本実施形態の中性子モデレータ１は、ポリテトラフルオロエチレン製のモデレータと比較して、ポリテトラフルオロエチレン製のモデレータよりも１０ｋｅＶより大きいエネルギーを有する中性子を抑制できる。
　本実施形態の中性子モデレータ１として、フッ化マグネシウムで所定の通過断面積を得るようにするには、フッ化マグネシウムを焼結体にすることが好ましい。しかしながら、フッ化マグネシウムの焼結体は、本実施形態の中性子モデレータ１として有効な大きさにしようとすると、割れ又は欠けなど焼結状態の品質を保つために工夫が必要であることが分かった。以下、中性子モデレータ１について、図２から図１７を用いて詳細に説明する。
（中性子モデレータ）
　図２は、本実施形態に係る中性子モデレータの斜視図である。図３は、図２の側面図である。図４は、図３の上面図である。図５は、図３に示すＡ－Ａ断面の断面図である。中性子モデレータ１は、図３に示すように、図１に示すターゲット２７側を上面１Ａ、照射部２８側を下面１Ｂ、外周１Ｐを有する略円柱体である。図３に示すように、中性子モデレータ１の厚みを図１に示すターゲット２７から照射部２８に向かう中性子の通過方向の厚みＬとした場合、中性子モデレータ１は、直径Ｄに対する厚みＬの比（厚みＬ／直径Ｄ）が１８０％以上であることが多い。このような中性子モデレータ１の形状を一体で焼結した場合、加圧状態の不均一性から、中性子モデレータ１の内部で相対密度が低下する可能性がある。中性子モデレータ１の相対密度の不均一性は、中性子の減速に影響を与える可能性がある。また、中性子モデレータ１は、大型サイズ（特に直径（φ）１５０ｍｍ以上）である場合、外周部に割れ又は欠けが発生する可能性がある。
　また、図４及び図５に示すように、中性子モデレータ１の上面１Ａには、図１に示すターゲット２７が挿入される、凹部２７Ｈのテーパ面１Ｃを備えている。また、図３に示すように、中性子モデレータ１の下面１Ｂの直径ｄは、外周１Ｐの直径Ｄよりも小さくなるように、下面１Ｂ側に直径が小さくなる外周のテーパ面１Ｔを備えている。中性子モデレータ１は、テーパ面１Ｃ及びテーパ面１Ｔの面積が大きいと形状を精度よく加工することが難しい。
　以上の観点から、発明者らは放電プラズマ焼結(ＳＰＳ：ｓｐａｒｋ　ｐｌａｓｍａ　Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）又はパルス通電焼結とよばれる固体圧縮焼結法を応用することで、割れが少なく、歩留まり率の高いフッ化マグネシウム焼結体の製造方法について鋭意検討し、本実施形態を発案するに至った。
　図６は、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法を説明するためのフローチャートである。図７は、通電パルス焼結装置を模式的に示す模式図である。図６に示すように、本実施形態に係る焼結体の製造方法は、粉体充填工程Ｓ１と、中間体焼結工程Ｓ２とを含む。本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、第１中間積層体の積層工程Ｓ３と、孔開け加工工程Ｓ４と、第２中間積層体の積層工程Ｓ５と、外周テーパ加工工程Ｓ６と、第３中間積層体の積層工程Ｓ７と、中性子モデレータの組み立て工程Ｓ８とを含む。
　図７に示すように、放電プラズマ焼結装置３０は、内部雰囲気を真空又はＡｒ、窒素ガス雰囲気にガス置換できるチャンバ－Ｖと、グラファイトダイＧＤと、グラファイトパンチＧＰと、グラファイトスペーサーＧＳと、通電加圧軸と、直流パルス電源Ｅとを備えている。グラファイトダイＧＤと、グラファイトパンチＧＰ、グラファイトスペーサーＧＳおよび通電加圧軸とは、導電性のある材料、例えばステンレスなどで形成されている。
　直流パルス電源Ｅは、グラファイトダイＧＤと、グラファイトパンチＧＰと、通電加圧軸とを通じて、グラファイトダイＧＤ内のフッ化マグネシウム粉体ＭにＯＮ－ＯＦＦ直流パルス電圧電流を印加することができる。
　本実施形態に係る焼結体の製造方法は、粉体充填工程Ｓ１において、フッ化マグネシウム粉体を用意し、タッピングによる粉体充填を行う。
　本実施形態に係る焼結体の製造方法は、中間体焼結工程Ｓ２において、パルスを通電しながら焼結するパルス通電焼結される。ここで、グラファイトダイＧＤの中のフッ化マグネシウム粉体は、グラファイトパンチＧＰと通電加圧軸で加圧される圧力Ｐで円盤状に圧縮される。図８は、本実施形態に係る円盤状のフッ化マグネシウム焼結体の側面図である。図９は、図８の上面図である。本実施形態に係るフッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、例えば厚みｔ、直径Ｄｔの円盤（扁平円筒体）である。直径Ｄｔに対する厚みｔは、８％以上１５％以下であることがより好ましい。これにより、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、割れ又は欠けを抑制することができる。
　次に、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、第１中間積層体の積層工程Ｓ３において、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを中間体として製造して準備した上で、第１中間積層体の積層工程Ｓ３で積層し、厚み方向に接合する。
　図１０は、本実施形態に係る第１中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。図１１は、本実施形態に係る第１中間積層体を示す模式図である。図１０に示すように、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの厚みは、すべて同じでなくてもよい。例えば、上面になる円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの１つは、表面２ａを切削加工して、上面２Ａまで表面を削りこんでもよい。また、下面になる円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの１つは、表面２ｂを切削加工して、下面２Ｂまで表面を削りこんでもよい。以上により、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、図１１に示す第１中間積層体２を製造する。この第１中間積層体２は円柱形状になる。
　次に、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、孔開け加工工程Ｓ４において、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの上面の中央部分を孔開け加工する。図１２は、本実施形態に係る第２中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。図１３は、本実施形態に係る第２中間積層体を製造する機械加工工程を説明するための説明図である。図１４は、本実施形態に係る第２中間積層体を示す模式図である。
　本実施形態では、図１２に示すようにテーパ面１Ｃの表面をなめらかに形成する必要がある。ここで図１３に示すように、本実施形態の機械加工工程は、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの１つに対して、ドリル４０を自転させながら螺旋状に公転させ、テーパ面１Ｃを孔開け加工していく。フッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、割れ又は欠けを抑制するため、一方の表面より孔開けして削り込む場合、ドリル４０が他方の面を貫通する直前に割れ又は欠けが発生しやすい。このため、切削装置は、フッ化マグネシウム焼結体ｄｓのドリル４０を他方の面を貫通させる直前に螺旋状の公転をやめて、厚み方向に直線的に動かすことが好ましい。このため、図１２に示すように、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓのテーパ面１Ｃ及び下面３Ｂと連続的かつ鉛直な方向に延びる鉛直内壁３Ｓをつくることができ、テーパ面１Ｃの最終加工部分の厚みが確保されることで、割れ又は欠けを抑制することができる。
　次に、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、孔開け加工工程Ｓ４において孔開け加工された、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを中間体として製造して準備した上で、第２中間積層体の積層工程Ｓ５で積層し、厚み方向に接合する。
　図１２に示すように、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの厚みは、すべて同じでなくてもよい。例えば、上面になる円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの１つは、表面３ａを切削加工して、上面３Ａまで表面を削りこんで、テーパ面１Ｃの縁の周囲に突部３Ｑを残してもよい。以上により、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、図１４に示す第２中間積層体３を製造する。この第２中間積層体３の外径形状は円筒形状になる。テーパ面１Ｃの角度αは、積層される円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの順序を考慮しつつ、一定の角度としていくことが好ましい。
　次に、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、外周テーパ加工工程Ｓ６において、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの外周部分をテーパ加工する。図１５は、本実施形態に係る第３中間積層体の積層体の積層状態を説明するための説明図である。図１６は、本実施形態に係る第３中間積層体を製造する機械加工工程を説明するための説明図である。図１７は、本実施形態に係る第３中間積層体を示す模式図である。
　本実施形態では、図１５に示すようにテーパ面１Ｔの表面をなめらかに形成する必要がある。ここで図１６に示すように、本実施形態の機械加工工程は、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの１つに対して、外周外側からドリル４０を押し付けて、テーパ面１Ｔを加工していく。フッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、図１５に示すように、円柱部分４Ｓを残してもよい。テーパ面１Ｔの角度βは、積層される円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの順序を考慮しつつ、一定の角度としていくことが好ましい。
　次に、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、外周テーパ加工工程Ｓ６において外周にテーパ加工を行った、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを中間体として製造して準備した上で、第３中間積層体の積層工程Ｓ７で積層し、厚み方向に接合する。
　本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、さらに、積層工程として、図１７に示す第３中間積層体４を製造する。この第３中間積層体４の外径形状は、上面４Ａ、下面４Ｂ、及びテーパ面１Ｔを備える略円錐形状になる。
　以上により、本実施形態に係る中性子モデレータの製造方法は、中性子モデレータの組み立て工程Ｓ８において、第１中間積層体２の上面２Ａと第２中間積層体３の下面３Ｂとを接合する。第２中間積層体３の上面３Ａが中性子モデレータの上面１Ａになる。また、第１中間積層体２の下面２Ｂと第３中間積層体４の上面４Ａとを接合する。第３中間積層体４の下面４Ｂが中性子モデレータの下面１Ｂになる。第１中間積層体２、第２中間積層体３及び第３中間積層体４は、積層されることにより、中性子モデレータ１が製造される。
　以上説明したように、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法は、フッ化マグネシウム粉末材を金型にタッピング充填を行う粉体充填工程Ｓ１と、充填されたフッ化マグネシウム粉末材を、パルスを通電しながら焼結するパルス通電焼結を行い、フッ化マグネシウム焼結体（中間体）を得る中間体焼結（パルス通電焼結）工程Ｓ２と、を含む。この製造方法により、フッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、粒径分布にバラつきの少ない、粒径成長を抑制した焼結体となり、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めることができる。
　粉体充填工程Ｓ１において充填されるフッ化マグネシウム粉末材は、９９質量％以上の高純度材であり、残部が不可避不純物を含んでもよい。これにより、フッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、０．５ｅＶより小さいエネルギーを有する中性子を抑制できる。また、フッ化マグネシウム焼結体ｄｓは、１０ｋｅＶより大きいエネルギーを有する中性子を抑制できる。
　中性子モデレータの製造方法は、上述したフッ化マグネシウム焼結体の製造方法で製造された複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを複数準備する準備工程と、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを積層し、接合して、中性子モデレータ１を製造する積層工程と、を含む。これにより、厚みの大きなフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを焼結する必要がなくなることから、中性子モデレータ１の内部で相対密度が低下する可能性を低減できる。
　中性子モデレータ１は、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを第１中間積層体２とした場合、中間体のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓにさらに機械加工工程により孔開け加工を行った積層体を少なくとも１つ積層している第２中間積層体３を含む。この製造方法により、加工性の悪い円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを薄くしているので、個々のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを貫通する孔の精度が向上する。
　中性子モデレータ１は、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを第１中間積層体とした場合、中間体のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓに機械加工工程により外周にテーパ加工を行った積層体を少なくとも１つ積層している第３中間積層体４を含む。この製造方法により、円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓを薄くしているので、割れ又は欠けが外周に生じやすいフッ化マグネシウム焼結体ｄｓの加工精度が向上する。
　中性子モデレータ１は、複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体ｄｓが積層される第１中間積層体２を含む。この中性子モデレータ１は、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体ｄｓにより、０．５ｅＶより小さいエネルギーを有する中性子を抑制できる。また、中性子モデレータ１は、割れ又は欠けを抑制して相対密度を高めたフッ化マグネシウム焼結体ｄｓにより、１０ｋｅＶより大きいエネルギーを有する中性子を抑制できる。
　中性子モデレータ１は、第１中間積層体２、第２中間積層体３及び第３中間積層体４が積層されているので、第１中間積層体２、第２中間積層体３及び第３中間積層体４のどの積層体でも中性子の減速性能が均一になる。
（実施例）
　試料は、純度９９％以上のフッ化マグネシウム粉末（森田化学工業製）を、内容積が焼結直径φ（ｍｍ）×厚さ（ｍｍ）となる金型の容器に充填し、タッピング充填を行った。
　次いで、試料は、フッ化マグネシウム粉末を充填した容器を、放電プラズマ焼結装置にセットし、焼結雰囲気を減圧により真空の雰囲気中とした。加圧条件は、一定の加圧条件及び可変（表１中矢印の順序で順に変更）の条件で、割れの有無を確認した。通電条件は、各実施例、各比較例で同一とし、最大電流出力１８０００Ａ程度のパルス通電とした。昇温速度は、１℃／分（ｍｉｎ）以上１５℃／分以下の範囲で、保持温度にフッ化マグネシウム粉末が達するまで加熱を行った。保持温度は、６３０℃以上９００℃以下の範囲で加熱を行った。保持時間は、１５分以上２４０分以下の範囲で設定した。割れの有無を調査し、割れのなしの試料を実施例１から実施例１３とし、割れのありの試料を比較例１から比較例１２とした。
　実施例の知見によれば、昇温速度は、１℃／分以上７℃／分以下とすることが好ましい。金型の昇温速度が７℃／分よりも大きいと、フッ化マグネシウムの焼結体の内外の温度差が大きくなり、結晶粒径にバラつきができやすくなり、割れが生じやすくなる。逆に昇温速度は、７℃／分以下であれば、フッ化マグネシウム焼結体の粒径成長に大きな差が生じない程度にフッ化マグネシウム焼結体の温度を上昇させていくことができる。このため、焼結体の割れを抑制することができる。また昇温速度は、１℃／分よりも小さいと、加熱に時間がかかり製造速度・効率が低下してしまう。
　実施例の知見によれば、フッ化マグネシウム粉末においては、９９．０％以上の高純濃度の粉末であれば特に限定されるものではなく、例えば一般的にカチオン交換基がマグネシウムであるカチオン交換樹脂にフッ化水素酸を加え、得られたフッ化マグネシウム粒子を分離・粉砕したもの等、汎用なフッ化マグネシウム粉末を用いることができる。
　実施例の知見によれば、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法における加圧条件は、２０ＭＰａ前後が好ましい。加圧条件が２０ＭＰａより低いと、フッ化マグネシウム粉末体の十分な圧縮が行えず粉末の間隙が大きくなり、フッ化マグネシウム焼結体の割れを引き起こす原因となる。また加圧条件が２０ＭＰａよりも大きい場合、フッ化マグネシウム焼結体の外周部の破損が生じやすくなる可能性がある。加圧条件が２０ＭＰａよりも大きい場合、フッ化マグネシウム焼結体の寸法が大きくなると、装置の性能上大きな圧力を加えることが困難になるという製造装置の仕様上の課題が発生する。また、加圧条件は、一定にした方が、焼結体の結晶構造が均一になりやすく、焼結を行う際の加圧は一定とするのが好ましい。
　実施例の知見によれば、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法における保持温度は、６５０～８００℃が好ましい。保持温度が６５０℃よりも小さいと、結晶粒を均一にするために保持時間を長くしなければならず、逆に保持温度が８００℃よりも大きいと、それ以上の効果が認められず飽和状態となるためコスト性が低下する。
　実施例の知見によれば、フッ化マグネシウム焼結体の製造方法における焼結後の金型加熱保持時間は、４５分以上保持することが好ましい。また保持時間は、１８０分を超えても効果はそれほど変わらなくなり飽和状態となるため、製造コストが増加してしまう可能性がある。
　実施例の知見によれば、相対密度は、相対密度９９％以上にすることができる。
１　中性子モデレータ
２　第１中間積層体
３　第２中間積層体
４　第３中間積層体
２０　ターゲットユニット
２１　イオン源
２２　低エネルギービーム輸送系
２３　加速管
２５　ビームトランスポート
２６　ベンディング磁石
２７　ターゲット
２８　照射部
２９　中性子反射体
３０　放電プラズマ焼結装置
４０　ドリル
１００　加速器
ｄｓ　フッ化マグネシウム焼結体
Ｅ　直流パルス電源
ＧＤ　グラファイトダイ
ＧＰ　グラファイトパンチ
ＧＳ　グラファイトスペーサー

Claims (7)

  1. 　フッ化マグネシウム焼結体の製造方法であって、
    　フッ化マグネシウム粉末材を金型にタッピング充填を行う粉体充填工程と
    　前記粉体充填工程で充填された前記フッ化マグネシウム粉末材を、パルスを通電しながら焼結するパルス通電焼結を行い、フッ化マグネシウム焼結体を得るパルス通電焼結工程と、
    　を含むことを特徴とするフッ化マグネシウム焼結体の製造方法。
  2. 　前記粉体充填工程において、フッ化マグネシウム粉末材が９９質量％以上の高純度材であり、残部が不可避不純物を含む、請求項１に記載のフッ化マグネシウム焼結体の製造方法。
  3. 　請求項１乃至請求項２に記載のフッ化マグネシウム焼結体の製造方法で製造された複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を複数準備する準備工程と、
    　前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を積層し、接合して、中性子モデレータを製造する積層工程と、
    　を含む中性子モデレータの製造方法。
  4. 　前記積層工程は、前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を中間体とした場合、前記中間体にさらに機械加工工程により孔開け加工を行った第２中間積層体を少なくとも１つ積層する、請求項３に記載の中性子モデレータの製造方法。
  5. 　前記積層工程では、前記円盤状のフッ化マグネシウム焼結体を中間体とした場合、前記中間体に機械加工工程により外周にテーパ加工を行った第３中間積層体を少なくとも１つ積層する、請求項４に記載の中性子モデレータの製造方法。
  6. 　前記積層工程では、前記第１中間積層体、前記第２中間積層体及び前記第３中間積層体を積層することにより、中性子モデレータを製造する請求項５に記載の中性子モデレータの製造方法。
  7. 　中性子を減速させる中性子モデレータであって、
    　複数の円盤状のフッ化マグネシウム焼結体が積層される中間積層体を含むことを特徴とする中性子モデレータ。
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