WO2015105313A1 - 축합환 화합물, 및 이를 포함한 유기 발광 소자 - Google Patents

축합환 화합물, 및 이를 포함한 유기 발광 소자 Download PDF

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Definitions

  • the organic light emitting device is a self-luminous device having a wide viewing angle, excellent contrast, quick response time, excellent luminance, driving voltage and quick response speed, and multicoloring.
  • the organic light emitting device may include an anode, a cathode, and an organic layer interposed between the anode and the cathode and including a light emitting layer.
  • a hole transport region may be provided between the anode and the light emitting layer, and an electron transport region may be provided between the light emitting layer and the cathode. From the anode.
  • the injected holes move to the light emitting layer via the hole transport region, and electrons injected from the cathode move to the light emitting layer via the electron transport region.
  • Carriers such as holes and electrons recombine in the emission layer to generate excitons. The excitons change from excited state to ground state and light is generated.
  • Certain different compounds are employed as, for example, a host to provide an organic light emitting device having low driving voltage : high efficiency, high brightness and long life.
  • the compound is used as, for example, an electron transport auxiliary layer to provide an organic light emitting device having low driving voltage, high efficiency, high brightness, and long life.
  • a condensed cyclic compound represented by Formula 1 is provided:
  • Ring A in Formula 1 is represented by Formula 1A;
  • 3 ⁇ 4 is N-KLO a RO b )], S, O, or Si (R4) (R 5 );
  • L, to L 3 are each independently, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, chyme; Or an unsubstituted c 6 -c 60 arylene group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heteroarylene group, or a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group (substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group), wherein L 2 and 1 ⁇ are not substituted or unsubstituted carbazolyne groups;
  • al to a3 are each independently selected from an integer of 0 to 5;
  • R, to R 5 are independently of each other hydrogen, deuterium, -F (fluoro group), -C1 (chloro group), -Br (bromo group), ⁇ 1 (iodo group), hydroxyl group, cyano group, Substituted or unsubstituted
  • C r C 10 cycloalkyl group substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or Unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -Si (Q 3 ) (Q 4 ) (Q 5 ) or —B (Q 6 ) (Q 7 ) wherein at least one of R 2 and R 3 is a substituted or unsubstituted N-containing C 2 -C 60 heteroaryl group;
  • R n to R 14 are independently, hydrogen, deuterium, -F, -CI, -Br, -I, a hydroxyl group, a cyano group together.
  • bl to b3 are each independently selected from an integer of 1 to 3;
  • R 3 is not a substituted or unsubstituted morpholinyl group
  • substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group substituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted C 6 -C 60 arylene group, substituted C 2 -C 60 heteroarylene group, substituted divalent ratio -Aromatic condensed polycyclic group, substituted -C alkyl group, substituted C r C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted
  • C 2 -C 10 hetero come cycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl tea,
  • Q 3 to Q 7 , Q 13 to Q 17 , Q 23 to Q 27 and Q 33 to Q 37 are each other.
  • C 2 -C 10 come heterocycloalkyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl tea,
  • the first electrode A second electrode facing the first electrode; And an organic insect disposed between the giant U electrode and the second electrode, wherein the organic layer comprises the condensed cyclic compound.
  • the condensed cyclic compound may be included in a light emitting layer or an electron transport auxiliary layer of the organic layer, the light emitting layer may further include a dopant, and the condensed cyclic compound included in the light emitting layer may serve as a host.
  • an organic light emitting device comprising at least one of i) a condensed cyclic compound and ii) a compound represented by Formula 1 below and a second compound represented by Formula 61 below.
  • Ring A 61 is represented by Formula 61 A;
  • Ring A 62 in Formula 61 is represented by Formula 61B;
  • X is C (R 71 ) or N
  • X 72 is C (R 72 ) or N
  • X 73 is C (R 73 ) or N
  • X 74 is C (R 74 ) or N
  • X 75 is C (R 75 ) or N
  • X 76 is C (R 76 ) or N
  • X 77 is C (R 77 ) or N
  • X 78 is C (R 78 ) or N;
  • a41, a42, a61 and a62 are each independently selected from an integer of 0 to 5; R4! To R4 4 , R 51 to R 54 , R 61 to R 64 and R 71 to R 79 are each independently hydrogen, deuterium, -F (fluoro group), -C1 (chloro group), -Br (bromo group ), -1 (iodo group), hydroxyl group cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or salt thereof, sulfonic acid or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, substitution or non- Lit
  • C 3 -C 10 cycloalkyl group substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 ⁇ C 10 heterocycloalkenyl group , Substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted ⁇ Unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic Heterocondensed polycyclic group, —Si (Q 3 ) (Q 4 ) (Q 5 ) or —B (Q 6 ) (Q 7
  • al to a3 are each independently selected from an integer of 0 to 5;
  • C 2 -C l0 come hetero cycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl tea,
  • C 2 -C 10 come heterocycloalkyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl tea,
  • 3 ⁇ 4 may be S, 0 or Si (R4) (R 5 ), but is not limited thereto.
  • L 2 and L 3 may not be a substituted or unsubstituted carbazolyne group.
  • L, to L 3 are independently of each other
  • Fluorenylene groups spiro-fluorenylene groups, phenalenylene groups, phenanthrenylene groups, phenanthrenylene groups, anthracenylene groups,
  • Acridinylene group (acridinylene), phenanthrolinylene group (pheimnthrolinylene),
  • Phenazinylene group (plienazinylene), benzoxazolylene group 1 (benzoxazolylene),
  • Benzimidazolylene group (benzimidazolylene), furanylene group (ftiranylene),
  • Benzofuranylene group (benzof ranylene), thiophenylene group (thiophenylene),
  • Chrysenylene group naphthaceneylene group, pisenylene group, peryleneylene group, pentaphenylene group, nuxasenylene group, pyrylene group, imidazolylene group, pyrazolylene group, pyridinylene group,
  • Benzoxazolylene group Benzimidazole ylene group, furanylene group, benzofuranylene group, thiophenylene group, benzothiophenylene group thiazolylene group, isothiazolylene group, benzothiazolylene group,
  • Isoxazolylene group oxazolylene group, triazolylene group, tetrazoleylene group,
  • Oxadiazolylene group triazinylene group, imidazopyrimidinylene group, or
  • Q 33 to Q 35 are each independently hydrogen, dC ⁇ alkyl group, d-oalkoxy group, phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, phenanthrenyl group, fluorenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group Pyrimidinyl, pyrazinyl, pyridazinyl, triazinyl, quinolinyl, isoquinolinyl, benzoquinolinyl, benzoisoquinolinyl, benzoquinazolinyl,
  • Z j to Z 4 independently of each other, hydrogen, deuterium, -F, -CI, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, -0 alkyl group, -C alkoxy group, phenyl group, biphenylene group ,
  • Q 33 to 5 independently of each other, hydrogen, Ci-oalkyl group, d-oalkoxy group, Phenyl, naphthyl, anthracenyl, pyrenyl, phenanthrenyl, fluorenyl, chrysenyl, pyridinyl, pyrimidinyl, pyrazinyl, pyridazinyl, triazinyl, quinolinyl, Isoquinolinyl group, quinazolinyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzoquinolinyl group, benzoisoquinolinyl group, benzoquinazolinyl group,
  • dl is selected from an integer of 1 to 4
  • d2 is selected from an integer of 1 to 3
  • d3 is selected from an integer of 1 to 6
  • d4 is selected from an integer of 1 to 8
  • d6 is selected from 1 to 5 Selected from integers, and * and * ', independently of one another, may be binding sites with neighboring atoms.
  • al represents 0 ⁇ and the number may be 0, 1,2,3,4 or 5, for example, 0, 1 or 2, and another example may be 0 or 1. If al is 0,
  • al When al is 2 or more, 2 or more 1 ⁇ may be the same or different from each other.
  • the description of a2 and a3 is a description of al and the structure of Formula 1. In an embodiment, al, a2, and a3 may be 0, 1, or 2 independently of each other.
  • R 5 are independently from each other, hydrogen, deuterium,
  • R to R 5 are independently of each other
  • Phenanthrenyl (anthanthenyl), anthracenyl (anthracenyl), fluoranthenyl (triantenyl), triphenylenyl (triphenylenyl), pyrenyl (pyrenyl), chrysenyl (naphthacenyl) , Picenyl, perylenyl,
  • Pentaphenyl group (pentaphenyl), nucleasenyl group (hexacenyl), pentaxenyl group (pentacenyl),
  • Triazolyl group (tetrazolyl), tetrazolyl group (tetrazolyl), oxadiazolyl group, triazinyl group (triazinyl), imidazopyridinyl group or imidazopyrimidinyl group;
  • Dibanzofluorenyl group penalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, fisenyl group, perrylenyl group, pentaphenyl group , Nucleasenyl group, pentaxenyl group, rubisenyl group, coronyl group, ovalenyl group, pyryl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl, pyridinyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, isoindolyl, indolyl, indazolyl, furinyl, quinoliny
  • Oxadiazolyl group triazinyl group, imidazopyridinyl group, or imidazopyrimidinyl group; or
  • ( 3 ⁇ 4 to Q 5 and Q 33 to Q 35 are each independently hydrogen, d-oalkyl group, C rC 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, phenanthrenyl group, and fluorenyl group , Chrysenyl, pyridinyl, pyrimidinyl, triazinyl, quinolinyl, isoquinolinyl, quinazolinyl, benzimidazolyl, benzothiazolyl,
  • At least one of the R 2 and R 3 are independently of each other,
  • Benzimidazolyl group isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, banjothiazolyl group, benzoquinazolinyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group,
  • Oxadiazolyl group triazinyl group, imidazopyridinyl group, or imidazopyrimidinyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzoisoquinolinyl group, benzoquinazolinyl group, benzoquinoxalis Nyl group, or
  • Benzoquinolinyl group phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cynolinyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthryllinyl group, phenazinyl group,
  • Benzimidazolyl group isobenzothiazoleyl group, benzoxazolyl group, banjothiazoleyl group,
  • Quinazolinyl group triazinyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzoquinazolinyl group, benzoquinolinyl group, benzoisoquinolinyl group, or benzoquinoxalinyl group; or
  • Benzimidazolyl group benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzoquinolinyl group,
  • Benzimidazolyl group benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzoquinolinyl group,
  • R 4 to R 5 are not -Si (Q 3 ) (Q 4 ) (Q 5 )), and at least one of R 2 and R 3 is independently of each other, and the following Chemical Formulas 4-6 to 4 -25, 4-30, and 4-31 '
  • Y 31 is 0, S, C (Z 33 ) (Z 34 ), N (Z 35 ) or Si (Z 36 ) (Z 37 ), provided that Y 31 in Formula 4-23 is
  • Phenanthrenyl group anthracenyl group, fluoranthenyl group, fluorenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group or perrylenyl group; Or "
  • At least one of R2 and R 3 of Formula 1 Pyridinyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, quinolinyl, isoquinolinyl, quinoxalinyl, quinazolinyl, triazinyl, benzimidazolyl, benzothiazolyl, benzothiazolyl Solyl group, benzoquinolinyl group, benzoisoquinolinyl group,
  • Phenyl group pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indasenyl group acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group.
  • Dibenzofluorenyl group phenenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, pisenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group , Nucleasenyl group, pentaxenyl group, rubisenyl group, coronyl group or ovalenyl group, or -Si (Q 3 ) (Q 4 ) (Q 5 );
  • Q 3 to Q 5 may be each independently hydrogen, a Ct-oalkyl group, a C r C 20 alkoxy group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a fluorenyl group or a chrysenyl group have.
  • At least one of R 2 and R 3 is represented by one of the following Formulas 5-10 to 5-17, and 5-22 to 5-45,
  • R ′ to R 14 are each independently, Hydrogen, deuterium, -F, -CI, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, CrC 20 alkyl group or Ct-alkoxy group;
  • R 3 in Formula 1 is not a substituted or unsubstituted morpholinyl group. .
  • R 3 of the general formula (1) is a pyridinyl group, pyridazinyl group or pyrimidinyl group
  • R 2 is hydrogen, deuterium, -F, C1, -Br, -I, hydrtok Real, cyano, nitro, substituted or unsubstituted d-oalkyl group, substituted or unsubstituted d-oalkoxy group, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthra Or a substituted or unsubstituted triphenylenyl group.
  • M in the above formulas represents the number of and may be selected from integers of 1 to 3.
  • bl may be 1 or 2.
  • M may be one. If bl is 2 or more, two or more 3 ⁇ 4 may be the same or different from each other.
  • the description of b2 and b3 may be understood with reference to the description of M and the structure of formula (1).
  • C 2 -C 10 heterocycloalkyl group C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 At least one of an arylthio group, a C 2 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -Si (Q 13 ) (Q 14 ) (Q 15 ) and -B (Q 16 ) (Q 17 ) Substituted,
  • C 2 -C 10 heterocycloalkyl group C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 year Tero cycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 arylthio group, C 2 -C 60 heteroaryl group or monovalent non-aromatic condensed polycyclic group; or
  • Q 13 to Qn, Q 23 to Q 27 and Q 33 to Q 37 are each independently hydrogen, a C ⁇ Q alkyl group, a C 2 -C 60 alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, a d-oalkoxy group , C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl come tea, a C 2 -C 60 heteroaryl group, or a first non-condensed polycyclic aromatic group being,
  • R 2 and R 3 are deuterium, -F, -CI, -Br, -1, hydroxyl group, cyano group,
  • o-alkyl group d-oalkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group,
  • substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group substituted
  • Tetrazolyl group Tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, imidazopyridinyl group,
  • Phenyl group pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indansenyl group acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group,
  • Dibenzofluorenyl group phenenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthhenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, pisenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group , Nuxasenyl group, pentaxenyl group, rubisenyl group, coronyl group, ovalenyl group, pyryl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazole group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazole Diary, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, fur
  • Phenantridinyl group acridinyl group, phenanthlinyl group, phenazinyl group, benzimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group,
  • Isobenzooxazolyl group triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, imidazopyridinyl group or imidazopyrimidinyl group;
  • Spiro-Pluorenyl group benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, penalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl Group, pisenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, nuxasenyl group, pentasenyl group, rubisenyl group, coronyl group, ovalenyl group, pyryl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group , Thiazolyl, isothiazolyl, oxazolyl, isoxazolyl, pyridinyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, isoindolyl, ind
  • Benzoquinazolinyl group benzoquinoxalinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group,
  • Q 33 to Q 37 are each independently hydrogen, a d-oalkyl group, a C 2 -C 6. Alkenyl group, a C 2 -C 60 alkynyl group, a C! oalkoxy group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indasenyl group, acenaphthyl group,
  • R 2 and R 3 are deuterium, -F, -CI, -Br, -1, hydroxyl group, cyano group,
  • the condensed cyclic compound may be one of the compounds listed below, but is not limited thereto.
  • the compound represented by the formula (1) has a core (see formula ( ⁇ ) below) condensed pyrimidine ring and benzene ring on both sides of the A1 ring. Therefore, as an organic layer material (for example, a light emitting layer material) between a pair of electrodes of an organic light emitting element.
  • a core see formula ( ⁇ ) below
  • condensed pyrimidine ring and benzene ring on both sides of the A1 ring. Therefore, as an organic layer material (for example, a light emitting layer material) between a pair of electrodes of an organic light emitting element.
  • the organic light emitting device may have a low driving voltage, high efficiency, high brightness, and long life by including an organic layer including the condensed cyclic compound represented by Formula 1 as described above.
  • the light emitting layer may further include a dopant, and the condensed cyclic compound included in the light emitting layer may serve as a host.
  • the light emitting layer may be a green light emitting layer emitting green light
  • the dopant may be a phosphorescent dopant.
  • the organic layer may include only Compound 1 as the condensed cyclic compound.
  • the compound 1 may be present in the light emitting layer of the organic light emitting device.
  • the organic layer may include Compound 1 and Compound 2 as the condensed cyclic compound.
  • the compound 1 and compound 2 may be present in the same layer (for example, both compound 1 and compound 2 may be present in the light emitting layer), or may be present in different layers.
  • the condensed cyclic compound may be a
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the organic layer is i) interposed between the first electrode and the light emitting layer, at least one of a hole injection layer, a hole transport layer and an electron blocking layer.
  • a hole transport region including one;
  • an electron transport region interposed between the light emitting layer and the second electrode and including at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the substrate may be further disposed below the first electrode 11 or the upper second electrode 19. have.
  • a substrate used in a conventional organic light emitting device may be used, and a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness may be used.
  • the first electrode U may be formed by, for example, providing a material for the first electrode on the substrate by using a deposition method or a sputtering method.
  • the first electrode 11 may be an anode.
  • the material for the first electrode may be selected from materials having a high work function to facilitate hole injection.
  • the first electrode 11 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode. Examples of the material for the first electrode include tin oxide ⁇ ,
  • Zinc oxide Zinc oxide (IZO), tin oxide (Sn0 2 ), zinc oxide (ZnO), and the like.
  • metals such as magnesium (Mg), aluminum (A1), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), and magnesium-silver (Mg-Ag) may be used. have.
  • the first electrode 11 may have a single layer or a multilayer structure including two or more layers.
  • the organic layer 15 is disposed on the first electrode ⁇ . .
  • the additive organic layer 15 may include a hole transport region; An emission layer; And an electron transport region.
  • the organic layer 15 includes a hole transport layer 31, a light emitting insect 32, and a hole transport auxiliary layer 33 positioned between the hole transport layer 31 and the light emitting insect 32.
  • the hole transport region may include at least two hole transport layers, in which case the hole transport layer positioned in contact with the light emitting layer is defined as a hole transport auxiliary layer.
  • the hole transport region may be disposed between the first electrode 11 and the light emitting layer.
  • the hole transport region may include only a hole injection layer or only a hole transport layer.
  • the hole transport region may be a hole injection layer 37 / hole transport layer 31 or a hole.injection layer 37 / hole transport layer 31 / electron, which are sequentially stacked from the first electrode 11.
  • It may have a structure of a barrier layer.
  • the first electrode 11 / hole injection layer 37 / hole as shown in FIG. 3 further including a hole injection layer 37 and an electron injection layer 36.
  • the hole injection layer 37 not only improves the interfacial properties between ⁇ used as the anode and the organic material used as the hole transport layer 31, but is also applied on top of the uneven surface of the ITO to smooth the surface of the ITO. It makes a function.
  • the hole injection layer 37 has a work function level of ⁇ which can be used as the anode and the hole transport layer 31.
  • a material having a median of the HOMO level a material having a particularly suitable conductivity is selected.
  • NPD N, N'-dinaphthyl-N, N'-phenyl- (1, 1 '-biphenyl) -4,4'-diamine
  • aromatic amines such as l, 3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) phenylamino] benzene (p-DPA-TDAB),
  • the hole injection layer 37 may be coated on top of ⁇ used as an anode, for example, at a thickness of 10 to 300 A.
  • the electron injection layer 36 is a layer that is stacked on top of the electron transport layer to facilitate electron injection from the cathode and ultimately improves power efficiency, and may be used without particular limitation as long as it is commonly used in the art.
  • materials such as LiF, Liq, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and the like may be used.
  • the hole injection layer HIL may be formed on the first electrode 11 by various methods such as vacuum deposition, spin coating, glast, LB, and the like. It can be formed using the method.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used as the hole injection layer material, the structure and thermal characteristics of the hole injection layer, and the like, for example, the deposition temperature is about 100 to about 500 ° C, vacuum degree about ⁇ 8 to about ⁇ , deposition rate may be selected from the range of about 0.01 to about 100 A / sec, but is not limited thereto.
  • the coating conditions are:
  • the coating speed is about 2000 rpm to about 5000 tpm
  • the heat treatment temperature for removing the solvent after coating is about 80 ° C to 200 ° C. It may be selected in the temperature range of C, but is not limited thereto.
  • the hole transport layer and the electron blocking layer forming conditions refer to the hole injection layer forming conditions.
  • the hole transport region is, for example, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, ⁇ - ⁇ , TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, a-NPB, TAPC, HMTPD,
  • TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (4,4', 4" -tris (N-carbazolyl) triphenylamine ⁇
  • Pani / DBSA Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline / dode Silbenzenesulfonic acid), PEDOT / PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-styrenesulfona styrenedioxiophene) / poly (4-styrenesulfonate)), Pani / CSA (Polyaniline / Camphor
  • sulfonicacid polyaniline / camphorsulfonic acid), PANI / PSS
  • Ar 101 and ⁇ 102 may be each independently,
  • Phenylene group pentarenylene group, indenylene group, naphthylene group, azulenylene group,
  • Heptalenylene group acenaphthylene group, fluorenylene group, phenenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthrenylene group / triphenylenylene group, pyrenylene group,
  • Chrysenylenylene group naphthacenylene group, pisenylene group, peryleneyl group or pentaxenylene group; or
  • C 2 -C 10 hetero come cycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy, C 6 -C 60 aryl tea,
  • C 2 -C 60 heteroaryl group a phenylene group, pentalenylene group, indenylene group, naphthylene group, azule substituted with at least one of a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group Nylene group, heptalenylene group, acenaphthylene group, fluorenylene group, phenenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, fluoranthhenylene group, triphenylenylene group,
  • Pyrenylene group chrysenenylene group, naphthasenylene group, pisenylene group, peryleneylene group or pentaxenylene group; Can be.
  • xa and xb may be each independently an integer of 0 to 5, or 0, 1 or 2.
  • xa may be 1 and xb may be 0, but is not limited thereto.
  • R 10 In Formulas 201 and 202, R 10) to R 108 , R 1 U to R n 9, and R 121 to R 124 may be each independently,
  • the compound represented by Formula 201 is represented by the formula
  • 201 A but is not limited to:
  • R 101 , R in , R, 12 and R 109 refer to the above.
  • the compound represented by Formula 2 and the compound represented by Formula 202 may include the following compounds HT1 to HT20, but are not limited thereto.
  • the hole transport region may have a thickness of about 100A to about 10000A, for example, about 100A to about 1000A. If the hole transport region includes both a hole injection layer and a hole transport layer, the hole injection layer has a thickness of about 100A to about 10000A, for example, about 100A to about 1000A, and the hole transport layer has a thickness of about 50A to about 2000A, for example, about 100A to about 1500A. When the thicknesses of the hole transport region, the hole injection layer, and the hole transport layer satisfy the above ranges, satisfactory hole transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the hole transport region may further include a charge-generating material to improve conductivity. The charge-generating material may be uniformly or heterogeneously dispersed in the hole transport region.
  • the charge-generating material may be, for example, p-dopant.
  • the ⁇ -dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto.
  • non-limiting examples of the ⁇ -dopant are non-limiting examples of the ⁇ -dopant,
  • TCNQ Tetracyanoquinonedimethane
  • Quinone derivatives such as 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4-TCNQ) and the like; Metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide; And the following And cyano group-containing compounds such as compound HT-D1 and the like, but are not limited thereto.
  • the hole transport region may further include a buffer layer.
  • the buffer layer may serve to increase efficiency by compensating an optical resonance distance according to a wavelength of light emitted from the emission layer.
  • An emission layer may be formed on the hole transport region by using a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB.
  • a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB.
  • the deposition conditions and coating conditions vary depending on the compound to be used, and in general, may be selected from a range of conditions substantially the same as the formation of the hole injection layer.
  • the light emitting layer may include a host and a dopant.
  • the host may include one or more of the condensed cyclic compounds represented by Formula 1.
  • the host may include a first host and a second host, and the first host and the second host are different from each other.
  • a compound (first host) may be included alone, or the first host may further include a second host which is at least one of the first compound represented by the following Chemical Formula 41 and the second compound represented by the following Chemical Formula 61.
  • Ring A 61 in Formula 61 is represented by Formula 61 A;
  • Ring A 62 in Formula 61 is represented by Formula 61B;
  • X is C (R 71 ) or N
  • X 72 is C (R 72 ) or N
  • X 73 is C (R 73 ) or N
  • X 74 is C (R 74 ) or N
  • X 75 is C (R 75 ) or N
  • X 76 is C (R 76 ) or N
  • X 77 is C (R 77 ) or N
  • X 7S is C (R 78 ) or N;
  • Ar 4I , L 4 i, L 42 , L 61 and L 62 are each independently a substituted or unsubstituted
  • C 3 -C 10 cycloalkylene group substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted or unsubstituted c 2 ⁇ c 10 heterocycloalkenylene group, substituted or unsubstituted cc 60 arylene group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 heteroarylene group, substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group or A substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group;
  • R4 1 51 to R 5 4, R 61 to R 6 4 and R 7I to R 79 are each independently hydrogen, deuterium, -F (fluoro group), -Cl (chloro group), -Br (bro) Mosquito), -1 (iodo group), hydroxyl group cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or salt thereof, sulfonic acid or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, substitution or Unsubstituted
  • the 41 may be N-[(L 42 ) a42- (R 42 ) M2 ], S or 0, but is not limited thereto.
  • 71 in Formula 61 is C (R 71 ), X 72 is C (R 72 ), X 73 is C (R 73 ), X 4 is C (R 74 ), X 75 is C (R 75 ), X 76 is C (R 76 ), and X 77 is
  • C (R 77 ), 8 may be C (R 7S ), but is not limited thereto.
  • R 75 to R 78 may optionally be linked to each other to form a saturated or unsaturated ring (eg, benzene, naphthalene, etc.).
  • Ar 41 , L 41 , L 42 , L 61 and L 62 in the above formulas are each independently substituted or substituted.
  • Naphthyridinylene group quinoxalinylene group, quinazolinyl group, cynolinylene group, carbazolylene group, phenantridinylene group, acridinylene group, phenanthrylinylene group, phenazinylene group,
  • R ⁇ R ⁇ and R 52 in Formula 41 and R 61 and R 62 in Formula 61 are each independently of the other ones of Formulas 4-1 to 4-8 described in connection with the definition of Formula 1 above. , 4-26 to 4-29, 4-32, and 4-33.
  • the light emitting layer includes a first host, a second host, and a dopant, wherein the first host and the second host are different from each other,
  • the weight ratio of the first host and the second host may be selected in the range of 1:99 to 99: 1, for example, 10:90 to 90:10.
  • the electron aqueous property by the first host and the hole transport property by the second host may be balanced, thereby improving luminous efficiency and lifespan of the organic light emitting device.
  • the content of the dopant in the emission layer may be generally selected from about 0.01 to about 15 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.
  • the dopant in the light emitting layer may include a phosphorescent dopant emitting light according to the phosphorescence emission mechanism or a fluorescent dopant emitting light according to the fluorescent emission mechanism.
  • the light emitting layer may include a host and a phosphorescent dopant including a condensed cyclic compound represented by Formula 1.
  • the phosphorescent dopant may include an organometallic complex including a transition metal (eg, iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), rhodium (Rh), etc.)
  • the phosphorescent dopant may include an organometallic compound represented by Formula 81 below:
  • M is iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), euro product (Eu), terboom (Tb) or lium ( Tm);
  • Y, to Y 4 are, independently of each other, carbon (C) or nitrogen ( ⁇ );
  • ⁇ And ⁇ 2 are linked via a single bond or a double bond, and ⁇ 3 and ⁇ 4 are linked through a single bond or a double bond;
  • CY ! And CY 2 are independently of each other benzene, naphthalene, fluorene,
  • Dibenzothiophene, ⁇ and CY 2 are optionally bonded to each other via a single bond or an organic linking group;
  • R 81 and R 82 independently of each other, hydrogen, deuterium, -F, -CI, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxyl Acids or salts thereof, sulfonic acids or salts thereof, phosphoric acid or salts thereof, -SF 5 , substituted or unsubstituted CrC 60 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 —C 60 alkenyl group, substituted or unsubstituted
  • C 3 -C 10 cycloalkyl group substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group , Substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted c 6 -c 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 2- C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, - ⁇ ((50 ((), -3 ⁇ (() ( ( ⁇ () or -B (Q 6 ) (Q 7 );
  • a81 and a82 are each independently selected from an integer of 1 to 5;
  • n81 is selected from an integer of 0 to 4.
  • n82 is 1, 2 or 3;
  • L 81 is selected from monovalent organic ligands, divalent organic ligands, and trivalent organic ligands.
  • the phosphorescent dopant may include at least one of the following compounds PD1 to PD78, but is not limited thereto.
  • PD75 PD76 PD77 PD78 or the phosphorescent dopant may comprise the following PtOEP or compound PhGD:
  • ⁇ may include at least one of DPVBi, DPAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 and the like.
  • the content of the dopant may be generally selected from about 0.01 to about 20 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.
  • the light emitting layer may have a thickness of about 100A to about 1000A, for example, about 200A to about 600A. When the thickness of the light emitting layer satisfies the above-described range, excellent light emission characteristics may be exhibited without a substantial rise in voltage.
  • an electron transport region is disposed on the emission layer.
  • the electron transport region may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the electron transport region may have a structure of a hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer or an electron transport layer / electron injection layer, but is not limited thereto.
  • the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention may include at least two electron transport layers in the electron transport region, and in this case, the electron transport layer positioned in contact with the light emitting layer is defined as the electron transport auxiliary layer 35. do.
  • the electron transport layer may have a single layer or multiple structures including two or more different materials.
  • the electron transport region may include a condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1.
  • the electron transport region may include an electron transport layer, and the condensed cyclic compound represented by Formula 1 may be included in the electron transport layer. More specifically, the condensed cyclic compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the electron transport auxiliary layer.
  • the formation conditions of the hole blocking layer, the electron transport layer, and the electron injection layer of the electron transport region may be referred to the formation conditions of the hole injection layer.
  • the hole blocking layer may include, for example, at least one of BCP, Bphen, and BAlq, but is not limited thereto.
  • the hole blocking layer may have a thickness of about 20A to about 1000A, for example, about 30A to about 300A. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the above range, excellent hole blocking characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the electron transport layer may further include at least one of BCP, Bphen and Alq 3 , Balq, TAZ, and NTAZ.
  • the electron transport layer includes at least one of the following compounds ET1 and ET2, but is not limited thereto.
  • the electron transport layer may have a thickness of about 100A to about 1000A, for example, about 150A to about 500A.
  • a satisfactory electron transporting characteristic can be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the electron transport layer may further include a metal-containing material, in addition to the materials described above.
  • the metal-containing material may comprise a Li complex.
  • the Li complex may include, for example, the following compound ET-D1 (lithium quinolate, LiQ) or ET-D2.
  • the electron transport region may also include an electron injection layer (EIL) that facilitates the injection of electrons from the crab two electrodes 19.
  • EIL electron injection layer
  • the electron injection layer may include at least one selected from LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, and BaO.
  • the electron injection layer may have a thickness of about 1 A to about 100 A, about 3 A to about 90 A. When the thickness of the electron injection layer satisfies the aforementioned range, a satisfactory electron injection characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the second electrode 19 is provided on the organic layer 15.
  • the second electrode 19 may be a cathode.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a relatively low work function, or a combination thereof may be used. Specific examples include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (A1), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag), and the like. May be used as the material for forming the second electrode 19.
  • various modifications are possible, such as the transmissive type 2 electrode 19 can be formed by using ⁇ and ⁇ to obtain the front light emitting element.
  • the organic light emitting device has been described above with reference to FIG. 1, but is not limited thereto.
  • CC 6 ⁇ s kill group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, specific examples include methyl, ethyl, propyl, isobutyl, sec-butyl, ter-butyl group, pentyl group, iso-amyl group, nuclear chamber group and the like.
  • the -oalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the d-oalkyl group.
  • the c 2 -c 60 alkenyl group has a structure including at least one carbon double bond in the middle or the terminal of the c 2 -c 60 alkyl group, and specific examples thereof include an ethenyl group, propenyl group, butenyl group, and the like. do.
  • a divalent group having the same structure as a C 2 -C 60 alkenyl group is a divalent group having the same structure as a C 2 -C 60 alkenyl group.
  • the c 2 -c 60 alkynyl group has a structure including at least one carbon triple bond in the middle or the terminal of the c 2 -c 60 alkyl group, specific examples thereof
  • C 2 -C 60 alkynylene group is a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkynyl group
  • the C 3 -C 10 cycloalkyl group means a monovalent saturated hydrocarbon monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclonuxyl group and a cyclohep And a tilt group.
  • C r C I0 cycloalkylene group and is 2 having the same structure as the above C 3 -C 10 cycloalkyl group means a group.
  • a C 2 -C 10 heterocycloalkyl group means a monovalent monocyclic group having 2 to 10 carbon atoms including at least one hetero atom selected from ⁇ , ⁇ , ⁇ , and S as a ring-forming atom, and specific examples thereof Examples include tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiophenyl group and the like.
  • C 2 -C 10 heterocycloalkylene group means a divalent group having the same structure as the C 2 -C 10 heterocycloalkyl group.
  • a C 3 -C 10 cycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and refers to a group having at least one double bond in the ring, but having no aromacity, and specific examples thereof Examples include a cyclopentenyl group, a cyclonuxenyl group, a cycloheptenyl group, and the like.
  • a C 3 -C 10 cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkenyl group.
  • a C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group is a C 2 to C 10 monovalent monocyclic group containing at least one hetero atom selected from ⁇ , ⁇ , ⁇ , and S as a ring-forming atom, and at least in a ring It has one double bond. remind
  • the 3 ⁇ 4- 0 heterocycloalkenyl group examples include 2,3-hydrofuranyl group and 2,3-hydrothiophenyl group And the like.
  • the c 2 -c 10 heterocycloalkenylene group is
  • a divalent group having the same structure as a C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group is meant.
  • a C 6 -C 60 aryl group refers to a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms
  • a C 6 -C 60 arylene group refers to a carbo having 6 to 60 carbon atoms
  • divalent group having a cyclic aromatic system is meant.
  • Specific examples of the C 6 -C 60 aryl group include a phenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group and the like.
  • the C 6 -C 60 aryl group and the C 6 -C 60 arylene group include two or more rings, two or more rings may be fused to each other.
  • the C 2 -C 60 heteroaryl group includes at least one hetero atom selected from ⁇ , ⁇ , ⁇ , and S as a ring-forming atom and has 2 to 60 carbon atoms.
  • a monovalent group having a carbocyclic aromatic system wherein the C 2 -C 60 heteroarylene group represents at least one hetero atom selected from O, ⁇ and S as a ring-forming atom.
  • Divalent group containing a carbocyclic aromatic system having 2 to 60 carbon atoms Divalent group containing a carbocyclic aromatic system having 2 to 60 carbon atoms.
  • specific examples of the N-containing C 2 -C 60 heteroaryl group include a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and a quinazolinyl group
  • the C 2 -C 60 heteroaryl group and the C 2 -C 60 heteroarylene group include two or more rings, two or more rings
  • the C 6 -C 60 aryloxy group is —OA 102 (wherein, A 102 is the
  • divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.
  • Ci 0 H 6 N 2 0 2 S C, 55.04; H, 2.77; N, 12.84; 0, 14.66; S, 14.69; found: C, 55.01; H, 2.79; N, 12.81; 0, 14.69; S, 14.70
  • Ferrocene-palladium (II) dichloride (6.6 g, 8.1 mmol) and tricyclonucleosilphosphine (5.6 g, 20.1 mmol) were added to 500 mL of ⁇ , ⁇ -dimethylformamide, followed by stirring at 130 ° C. for 24 hours. It was. After completion of the reaction, the reaction solution was obtained by extracting with water and EA
  • intermediate B-3-1 (15.9 g, 32.2 mmol), 4,4,4 ', 4', 5,5,5 ', 5'-octamethyl-2,2'-bi (1,3,2-dioxaborolane (9.8 g, 38.7 mmol), potassium acetate (KOAc, 9.5 g, 96.7 mmol) and ⁇ , ⁇ -bis (diphenylphosphino) ''
  • Ferrocene-palladium (II) dichloride 5.0 g, 6.1 mmol
  • tricyclonucleosilphosphine 4.3 g, 15.3 mmol
  • Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) 4. 2 g (. 3 7 mmol) of 1-dioxane, 240 mL, water After putting in 120 mL, the mixture was heated to reflux for 16 hours under a stream of nitrogen. Methane was added to 720 mL of the mixture obtained, and the crystallized solid content was filtered, dissolved in monochlorobenzene, filtered through silica gel / salite, an appropriate amount of organic solvent was removed, and the mixture was recrystallized with methane to give an intermediate B-19-. 4 (24.9 g, 69% yield) was obtained.
  • Tetrakis (triphenylphosphine) palladium 9.5 g (8.2 mmol) with 1 mL of 1,4-dioxane, water
  • A-2-4 is synthesized according to the scheme of Formula A) 6.1 g (13.9 mmol), 4.8 g (34.7 mmol) of potassium carbonate, 8 g (0.7 mmol) of tetrakis (triphenylphosphine) palladium I , 50 mL of 4 -dioxane and 25 mL of water were added thereto, and the mixture was heated to reflux for 16 hours under a stream of nitrogen.

Landscapes

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Abstract

축합환 화합물 및 상기 축합환 화합물을 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭]
축합환 화합물, 및 이를 포함한 유기 발광 소자
【기술분야】
축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자가 제시된다.
【배경기술】
유기 발광 소자 (organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 웅답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 웅답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
일예에 따르면， 유기 발광 소자는, 애노드， 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층을 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터. 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 액시톤 (exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】
신규 축합환 화합물 및 이를 채용한 유기 발광 소자를 제공하는 것이디ᅳ.
소정의 서로 상이한 화합물을, 예를 들면, 호스트로서, 채용하여, 저구동 전압 : 고효율, 고휘도 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 화합물을, 예를 들면, 전자수송보조층으로서 사용하여 저구동 전압, 고효율， 고휘도 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
【기술적 해결방법】
일 측면에 따르면， 하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 제공된다:
Figure imgf000004_0001
<화학식 1A>
人 화학식 1 중 고리 A 상기 화학식 1A로 표시되고;
¾은 N-KLOa ROb)], S, O, 또는 Si(R4)(R5)이고;
L, 내지 L3는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치흰; 또는 비치환된 c6-c60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 또는 치환또는 비치환된 2가 비—방향족 죽합다환 그룹 (substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group)이되, L2 및 1^는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기가 아니고;
al 내지 a3는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
R, 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F (플루오로기), -C1 (클로로기)， -Br (브로모기)，ᅳ 1(아이오도기), 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된
Cr C60알킬기, 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된
CrC10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이되， 상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 치환 또는 비치환된 N함유 C2-C60해테로아릴기이고;
■ Rn 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기，.치환 또는 비치환된 d- o알킬기， 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기， C3-Cl0시클로알킬기 , C6-C60아릴기， C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기 , 1가 비 -방향족 축합다환 그룹, -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
bl 내지 b3는 서로 독립적으로， 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
상기 R3는 치환 또는 비치환된 모르폴리닐기 (morpholinyl)가 아니고;
상기 가 피리디닐기, 피리다지닐기, 또는 피리미디닐기인 경우, R2는 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기， 치환 또는 비치환된 CrC60알콕시기, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기이고;
상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기， 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 -C 알킬기, 치환된 CrC60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된
C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기， 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 및 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， d- o알킬기또는 d- o알콕시기; 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C3-C10시클로알킬기，
C2-C10헤테로시클로알킬기， C6-C6。아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기，
C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, d- o알킬기， 또는 d-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기， C2-C10해테로시클로알킬기， C3-C10시클로알케닐기,
C2-C10헤테로시클로알케닐기 , C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기，
C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹;
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기, d- o알콕시기, C C10시.클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기,
C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기,
C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹; 또는
-Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37); 이고;
상기 Q3 내지 Q7, Q13 내지 Q17, Q23 내지 Q27 및 Q33 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, d- o알킬기 , d- o알콕시기， C3-C10시클로알킬기 ,
C2-C10헤테로시클로알킬기， C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기,
C2-C60해테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹이고;
R2 및 R3의 치환기는,
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기, d- o알콕시기, C3-Cl0시클로알킬기， C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기, C C60헤테로아릴기， 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, 카바졸일기가 아니다.
다른 측면에 따르면, 제 1전극; 상기 제 1전극에 대향되는 게 2전극; 및 상기 거 U전극과 제 2전극 사이에 배치되는 유기충；을 포함하고, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자가 제공된다.
상기 축합환 화합물은 상기 유기층 중 발광층 또는 전자수송보조층에 포함되어 있을 수 있고, 상기 발광층은 도편트를 더 포함하고, 상기 발광층에 포함된 상기 축합환 화합물은 호스트의 역할을 할 수 있다.
또 다른 측면에 따르면, 상기 유기층이 , i) 축합환 화합물 및 ii) 하기 화학식 41로 표시되는 게 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물 중 적어도 하나를 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.
<화학식 41>
(Ul)a41 (R4l)b41
Figure imgf000006_0001
<화학식 61A:> <화학식 61B>
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 41 중 ¾,은 N-[(L42)a42-(R42)b42], S, O, S(=0), S(=0)2, C(=0),
C(R43)(R44), ( 3)( 44), P(R43),
Figure imgf000007_0002
또는 C=N(R43)이고;
고리 A61은 상기 화학식 61 A로 표시되고;
상기 화학식 61 중 고리 A62는 상기 화학식 61B로 표시되고;
¾,은 N-[(L62)a62-(R62)b62], S, O, S(=0), S(=0)2, C(=0), C(R63)(R64), Si(R63)(R64), P(R63), P(=0)(R63) 또는 C=N(R63)이고;
X 은 C(R71) 또는 N이고, X72는 C(R72) 또는 N이고, X73은 C(R73)또는 N이고 X74는 C(R74) 또는 N이고， X75는 C(R75) 또는 N이고， X76은 C(R76) 또는 N이고, X77은 C(R77) 또는 N이고， X78은 C(R78) 또는 N이고;
Ar4i, L41, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로, 치환또는 비치환된
C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된
C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 치환 또는 비치환된 2가 비 -방향족 헤테로축합다환 그룹이고;
nl 및 n2는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
a41, a42, a61 및 a62는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고; R4! 내지 R44, R51 내지 R54, R61 내지 R64 및 R71 내지 R79는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F (플루오로기), -C1 (클로로기)， -Br (브로모기)， -1(아이오도기), 히드록실기 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기， 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된
Cj-C^알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된
C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 d- io알콕시기, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2ᅳ C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또 τ 비치환된 C6-C60아릴티오기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 헤테로축합다환 그룹， -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
b41, b42, b51 내지 b54, b61, b62 및 b79는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택된다.
【유리한 효과】
상기 축합환 하합물은 우수한 전기적 특성 및 열적 안정성을 갖는 바, 상기 축합환 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고효율， 고휘도 및 장수명 특성을 가질 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 내지 도 3은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
<부호의 설명 >
10: 유기 발광 소자
11： 제 1'전극
15: 유기층
19: 제 2전극
31 : 정공수송층
32: 발광층 .
33: 정공수송보조층
34: 전자수송층
35: 전자수송보조층
36: 전자주입층
37: 정공주입층
【발명을 실시를 위한 최선의 형태】
상기 축합환 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다: <화 식
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 1 중 고리 八,은 상기 화학식 1A로 표시된다.
< 1A>
Figure imgf000009_0002
화학식 1A 중 ¾은 N-f L ariR b,], S, 0, 또는 Si(R4)(R5)이고;
L, 내지 L3는 서로 독립적으로， 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기， 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 죽합다환 그룹 (substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group)이되, L2 및 L3는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기가 아니고;
al 내지 a3는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
R, 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F (플루오로기), -C1 (클로로기), -Br (브로모기) , -1(아이오도기), 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된
CrC60알킬기， 치환또는 비치환된 d- o알콕시기， 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기， 치환 또는 비치환돤 C2-C10헤테로시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기，.치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹， -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이되, 상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 치환 또는 비치환된 N함유 C2-C60해테로아릴기이고;
Rn 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소， -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기， 치환 또는 비치환된 d- o알킬기， 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기， C6-C60아릴기， C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고; b l 내지 b3는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고; 상기 R3는 치환 또는 비치환된 모르폴리닐기 (morpholinyl)가 아니고;
상기 R3가 피리디닐기, 피리다지닐기 또는 피리미디닐기인 경우， R2는 수소, 증수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된 CrC60알콕시기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기이고;
상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기， 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기， 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 d- o알킬기, 치환된 에60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된
C2-C10해테로시클로알킬기， 치환된 -C6。아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 및 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는，
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， d- o알킬기또는 CrC60알콕시기; 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， C3-C10시클로알킬기,
C2-C,0헤테로시클로알킬기 , C6-C60아릴기 , C6— C60아릴옥시기 , C6-C60아릴티오기 ,
C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹， -Si(Ql 3)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C C60알킬기, 또는 d- o알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-Cl 0시클로알케닐기,
C2-Cl0헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기,
C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹;
중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기， d- o알킬기， - o알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10해테로시클로알킬기, C6-C60아릴기， C6-C60아릴옥시기,
C6-C60아릴티오기， C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹， -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된， C3-C10시클로알킬기，
C2-C10헤테로시클로알킬기， C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기 ,
C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹; 또는 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37); 이고;
상기 Q3 내지 Q7, Qn 내지 Q17, Q23 내지 Q27 및 Q33 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, Cᅳ -C60알킬기, -C6。알콕시기, C3-C10시클로알킬기, c2-c10헤테로시클로알킬기 , c6-c60아릴기 , c6-c60아릴옥시기 , C6-C60아릴티오기, c2-c60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹이고;
R2 및 R3의 치환기는,
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , C!- o알킬기， d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기， C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기， C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60해테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, 카바졸일기가 아니다.
여기서, 상기 L al ^bl,!^ 및 R5에 대한 설명은 후술하는 바를 참조한다. 일 구현예에 따르면, 상기 ¾은 S,0 또는 Si(R4)(R5)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 구현예에 따르면， 상기 ¾은 S 또는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 고리 ^은 인접한 2개의 6원환 고리와， 탄소 원자를 공유하면서, 서로 융합되어 있다. 따라서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 및 1-2 중 하나로 표시될 수 있다:
< 1_1>
Figure imgf000011_0001
< 1-2>
Figure imgf000011_0002
화학식 1-1 내지 1-2 중 Xl5L2,L3,a2, 33,12,13,1^ , 내지 R14, b2 및 b3에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
상기 화학식들 중, 내지 L3는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된
C6-C60아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2-C60해테로아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 27} 비 - ᅡ향족 축합다환 그룹 (substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group)이되, L2 및 L3는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기가 아닌 것일 수 있다.
예를 들어, 상기 L, 내지 L3는 서로 독립적으로,
페닐렌기 (phenylene), 바이페닐렌기 (biphenylene), 터페닐렌기 (terphenylene), 쿼터페닐렌기 (quaterphenylene), 펜탈레닐렌기 (pentalenylene), 인데닐렌기 (indenylene), 나프틸렌기 (naphthylene), 아줄레닐렌기 (azulenylene), 헵탈레닐렌기 (heptalenylene), 인다세닐렌기 (indacenylene), 아세나프틸렌기 (acenaphthylene),
플루오레닐렌기 (fluorenylene), 스파이로-플루오레닐렌기， 페날레닐렌기 (phenalenylene), 페난트레닐렌기 (phenanthrenylene), 안트라세닐렌기 (anthracenylene),
플투오란트레닐렌기 (fluoranthrenylene), 트리페닐레닐렌기 (triphenylenylene),
파이레닐렌기 (pyrenylene), 크라이세닐렌기 (chrysenylene),
나프타세닐렌기 (naphthacenylene), 피세닐렌기 (picenylene), 페릴레닐렌기 (perylenylene), 펜타페닐렌기 (pentaphenylene), 핵사세닐렌기 (hexacenylene), 피를일렌기 (pyrrolylene), 이미다졸일렌기 (imidazolylene), 피라졸일렌기 (pyrazolylene), 피리디닐렌기 (pyridinylene), 피라지닐렌기 (pyrazinylene), 피리미디닐렌기 (pyrimidinylene),
피리다지닐렌기 (pyridazinylene), 이소인돌일렌기 (isoindolylene), 인돌일렌기 (indolylene), 인다졸일렌기 (indazolylene), 푸리닐렌기 (purinylene), 퀴놀리닐렌기 (quinolinylene), 이소퀴놀리닐렌기 (isoquinohnylene), 벤조퀴놀리닐렌기 (benzoquinolinylene),
프탈라지닐렌기 (phthalazinylene), 나프티리디닐렌기 (naphthyridinylene),
퀴녹살리닐렌기 (quinoxalinylene), 퀴나졸리닐렌기 (quinazolinylene),
시놀리닐렌기 (cinnolmylene), 페난트리디닐렌기 (phenanthridinylene),
아크리디닐렌기 (acridinylene), 페난트롤리닐렌기 (pheimnthrolinylene),
페나지닐렌기 (plienazinylene), 벤즈옥사졸일런 1기 (benzoxazolylene),
벤즈이미다졸일렌기 (benzimidazolylene), 푸라닐렌기 (ftiranylene),
벤조푸라닐렌기 (benzof ranylene), 티오페닐렌기 (thiophenylene),
벤조티오페닐렌기 (benzothiophenylene), 티아졸일렌기 (thiazolylene), 이소티아졸일렌기 (isothiazolylene), 벤조티아졸일렌기 (benzothiazolylene),
이소옥사졸일렌기 (isoxazolylene), 옥사졸일렌기 (oxazolylene), 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기, 옥사디아졸일렌기 (oxadiazolylene), 트리아지닐렌기 (triazinylene), 이미다조피리미디닐렌기 (imidazopyrimidinylene) 또는
이미다조피리디닐렌기 (imidazopyridinylene); 또는
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기，, ( ^ 알킬기, Cl-C20알콕시기, C6-C20아릴기, C2-C60헤테로아릴기， 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된， 페닐렌기， 바이페닐렌기 (biphenylene),
터페닐렌기 (terphenylene), 쿼터페닐렌기 (quaterphenylene), 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기， 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기,
플루오레닐렌기, 스파이로 -플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란트레닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기,
크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기， 피세닐렌기， 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기, 핵사세닐렌기, 피를일렌기, 이미다졸일렌기， 피라졸일렌기, 피리디닐렌기,
피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 이소인돌일렌기, 인돌일렌기, 인다졸일렌기, 푸리닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기, 나프티리디날렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기， 페난트리디닐렌기， 아크리디닐렌기， 페난트를리닐렌기， 페나지닐렌기,
밴즈옥사졸일렌기 벤즈이미다졸일렌기， 푸라닐렌기, 벤조푸라닐렌기, 티오페닐렌기, 벤조티오페닐렌기 티아졸일렌기, 이소티아졸일렌기， 벤조티아졸일렌기,
이소옥사졸일렌기 옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기,
옥사디아졸일렌기 트리아지닐렌기, 이미다조피리미디닐렌기 또는
이미다조피리디닐렌기;이고，
Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, d-C^알킬기, d- o알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기， 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기,
벤조퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 또는 퀴나졸리닐기이되 L2 및 L3는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기가 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식들 중 상기 내지 L3는 서로 독립적으로, -1 내지 2-15 중 하나로 표시될 수 있다:
Figure imgf000014_0001
화학식 2-13
상기 화학식 2-1 내지 2-15 중,
Zj 내지 Z4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기 , - 0알킬기 , -C 알콕시기, 페닐기, 바이페닐렌기 (biphenylene),
터페닐렌기 (terphenylene), 쿼터페닐렌기 (quaterphenylene), 나프틸기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기， 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기， 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기， 퀴녹살리닐기, 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 바이페닐기 또는
-Si(Q33)(Q34)(Q35)이고;
상기 Q33 내지 5는 서로 독립적으로, 수소, Ci- o알킬기， d- o알콕시기, 페닐기 , 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기 , 페난트레닐기 , 플루오레닐기 , 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기， 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기，
벤조퀴녹살리닐기, 또는 퀴녹살리닐기이고;
dl은 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고, d2는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, d3는 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고， d4는 1 내지 8의 정수 중에서 선택되고, d6는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고, * 및 *'는 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식들 중 상기 내지 L3는 서로 독립적으로 : 화학식 3-1 내지 3-37 중 하나로 표시될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
상기 화학식 1 중 al은 ！^와 개수를 나타낸 것으로서 0, 1,2,3,4 또는 5, 예를 들면, 0, 1 또는 2, 또 다른 예로서는 0 또는 1일 수 있다. al이 0일 경우,
*-(L0al-*'은 단일 결합이 된다. al이 2 이상일 경우， 2 이상의 1^은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. a2 및 a3에 대한 설명은 al에 대한 설명 및 화학식 1의 구조를 참조하여 이해될 수 있다. 일 구현예에 따르면， al,a2 및 a3는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2일 수 있다. 상기 화학식들 중， 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소， 중수소,
-F (플루오로기；), -C1 (클로로기；), -Br (브로모기；), -1(아이오도기 )， 히드록실기， 시아노기 , 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된 CrC10시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6— C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹， -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)일 수 있다. 여기서, 상기 화학식 1의 및 R3 중 적어도 하나는, 치환 또는 비치환된 N 함유 C2-C60헤테로아릴기이다.
■ 예를 들어, 상기 화학식들 중 R, 내지 R5은 서로 독립적으로,
수소， 중수소, -F, -C1,— Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C ^o알킬기 또는
C!- o알콕시기;
중수소, F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 및 시아노기 중 적어도 하나로 치환된, C C20알킬기 또는 d-C^알콕시기;
페닐기 (phenyl), 펜탈레닐기 (pentalenyl), 인데닐기 (indenyl), 나프틸기 (naphthyl), 아줄레닐기 (azulenyl), 헵탈레닐기 (heptalenyl), 인다세닐기 (indacenyl),
아세나프틸기 (acenaphthyl), 플루오레닐기 (fluorenyl), 스파이로-플루오레닐기 , 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기， 페날레닐기 (phenalenyl),
페난트레닐기 (phenanthrenyl), 안트라세닐기 (anthracenyl), 플루오란테닐기 (fluoranthenyl), 트리페닐레닐기 (triphenylenyl), 파이레닐기 (pyrenyl), 크라이세닐기 (chrysenyl), 나프타세닐기 (naphthacenyl), 피세닐기 (picenyl), 페릴레닐기 (perylenyl),
펜타페닐기 (pentaphenyl), 핵사세닐기 (hexacenyl), 펜타세닐기 (pentacenyl),
루비세닐기 (rubicenyl), 코로네닐기 (coronenyl), 오발레닐기 (ovalenyl), 피롤일기 (pyrrolyl), 티오페닐기 (thiophenyl), 퓨라닐기 (f ranyl), 이미다졸일기 (imidazolyl),
피라졸일기 (pyrazolyl), 티아졸일기 (thiazolyl), 이소티아졸일기 (isothiazolyl),
옥사졸일기 (oxazolyl), 이속사졸일기 (isooxazolyl), 피리디닐기 (pyridinyl),
피라지닐기 (pyrazinyl), 피리미디닐기 (pyrimidinyl), 피리다지닐기 (pyridazinyl),
이소인돌일기 (isoindolyl), 인돌일기 (indolyl), 인다졸일기 (indazolyl), 푸리닐기 (purinyl), 퀴놀리닐기 (quinolinyl), 이소퀴놀리닐기 (isoquinolinyl), 벤조퀴놀리닐기 (benzoquinolinyl), 프탈라지닐기 (phthalazinyl), 나프티리디닐기 (naphthyridinyl), 퀴녹살리닐기 (quinoxalinyl), 퀴나졸리닐기 (quinazolinyl), 시놀리닐기 (cinnolinyl), 페난트리디닐기 (phenanthridinyl), 아크리디닐기 (acridinyl), 페난트를리닐기 (phenanthrolinyl), 페나지닐기 (phenazinyl), 벤즈이미다졸일기 (benzimidazolyl), 이소벤조티아졸일기 (isobenzothiazolyl),
벤즈옥사졸일기 (benzoxazolyl), 벤조티아졸일기 (benzothiazolyl),
벤조퀴나졸리닐기 (benzoquinazolyl), 이소벤조옥사졸일기 (isobenzooxazolyl),
트리아졸일기 (triazolyl), 테트라졸일기 (tetrazolyl), 옥사디아졸일기 (oxadiazolyl), 트리아지닐기 (triazinyl), 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기, ^- 0알킬기, Ci- o알콕시기, -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기， 펜탈레닐기, 인데닐기， 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기， 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기， 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐기， 디벤조플루오레닐기， 페날레닐기， 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기， 코로네닐기, 오발레닐기, 피를일기, 티오페닐기.， 퓨라닐기， 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기， 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기， 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트를리닐기, 페나지닐기，
벤즈이미다졸일기， 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기,
벤조티아졸일기 (benzothiazolyl), 벤조퀴나졸리닐기 (benzoquinazolyl),
이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기， 테트라졸일기， 옥사디아졸일기, 트리아지닐기， 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐 및 바이페닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 펜탈레닐기， 인데닐기， 나프틸기， 아즐레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기， 플루오레닐기， 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기，
디밴조플루오레닐기, 페날레닐기， 페난트레닐기， 안트라세닐기， 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기， 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피를일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기， 이소티아졸일기， 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기， 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기， 퀴녹살리닐기， 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트를리닐기, 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기， 벤조티아졸일기, 밴조퀴나졸리닐기, 이소벤조옥사졸일기， 트리아졸일기，ᅵ 테트라졸일기，
옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기; 또는
— Si(Q3)(Q4)(Q5);이고 (단, 상기 R4 및 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님);
상기 (¾ 내지 Q5 및 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, d- o알킬기, C rC20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기， 피리디닐기， 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤즈이미다졸일기， 벤조티아졸일기,
벤조퀴나졸리닐기, 또는 퀴녹살리닐기이되，
상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로，
피롤일기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기， 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트를리닐기, 페나지닐기，
벤즈이미다졸일기， 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기， 밴조티아졸일기, 벤조퀴나졸리닐기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기,
옥사디아졸일기， 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기， 벤조퀴녹살리닐기, 또는
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d - o알킬기, CrC20알콕시기, -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기， 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아즐레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐가 디벤조플루오레닐기， 페날레닐기, 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기， 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피를일기 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기， 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기， 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기，.
벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기， 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트를리닐기, 페나지닐기，
벤즈이미다졸일기， 이소벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기， 밴조티아졸일기,
벤조퀴나졸리닐기, 이소벤조옥사졸일기， 트리아졸일기, 테트라졸일기，
옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐 및
바이페닐기 중 적어도 하나로 치환된, 피를일기ᅵ, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기，괴라지닐기, 피리미디닐기， 피리다지닐기， 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기， 프탈라지닐기， 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기， 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기,
페난트를리닐기, 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기, 이소벤조티아졸일기,
벤즈옥사졸일기, 벤조티아졸일기, 벤조퀴나졸리닐기, 이소벤조옥사졸일기, ' 트리아졸일기， 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기， 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기;일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식들 중 내지 R5은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기， 시아노기， - 0알킬기 또는 - C!- o알콕시기;
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기 및 시아노기 중 적어도 하나로 치환된,
C,-C20알킬기 또는 - 0알콕시기;
페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 크라이세닐기， 페릴레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기， 피리다지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기,
퀴나졸리닐기, 트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴나졸리닐기， 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기 , 니트로기 , 아미노기 , 아미디노기， 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, d-Cso알킬기， d- o알콕시기， -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기， 페릴레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기， 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀라닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 트리아지닐기，
벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴나졸리닐기
벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 및 벤조퀴녹살리닐기 중 적어도 하나로 치환된， 페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기,
퀴나졸리닐기, 트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기, 또는 벤조퀴녹살리닐기; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5);이고 (단, 상기 R4 및 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님);
상기 Q3 내지 Q5 및 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, 20알킬기， CrC20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기， 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기,
벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기，
벤조이소퀴놀리닐기， 벤조퀴녹살리닐기， 벤조퀴나졸리닐기, 퀴놀리닐기,
이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 또는 퀴녹살리닐기이되,
상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로,
피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기， 피리다지닐기, 퀴놀리닐기，
이소퀴놀리닐기， 퀴녹살리닐기， 퀴나졸리닐기, 트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴나졸리닐기 벤조퀴놀리닐기,
벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기; 또는
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기 , 아미노기 , 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, d- o알킬기, d-C20알콕시기， -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기, 나프틸기， 페날레닐기， 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기， 트리페닐레닐기， 파이레닐기,
크라이세닐기, 페릴레닐기, 피리디닐기， 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 트리아지닐기,
벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기， 벤조퀴놀리닐기,
벤조이소'퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기 및 벤조퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된， 피리디닐기, 피라지닐기， 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기， 퀴녹살리닐기， 퀴나졸리닐기， 트리아지닐기， 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 또는 벤조퀴나졸리닐기;일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식들 중 내지 R5는 서로 독립적으로 ■ 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, - o알킬기 또는
C o알콕시기;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기 또는 시아노기, 중 적어도 하나로 치환된， Ci- o알킬기 또는 - 0알콕시기;
하기 화학식 4-1 내지 4-31 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 이고 (단, 상기 R4 내지 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님), 상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-6 내지 4-25, 4-30 및 4-31 '중 하나로 표시될 수 있다:
Figure imgf000022_0001
화학식 4-5 화학식 4-6 - 화학식 4-7 화학식 4-8 화학식 4-9
Figure imgf000022_0002
¾학식 4-13 화학식 4-14
Figure imgf000023_0001
화학식 4-15 화학식 4-16 화학식 4-17 화학식 4-18
Figure imgf000023_0002
화학식 4-19 화학식 4-20 Sf학식 4-21 화학식 4-22
Figure imgf000023_0003
화학식 4-26 화학식 4-27 화 ¾식 4-28
Figure imgf000023_0004
화학식 4-29
Figure imgf000023_0005
화학식 4ᅳ32 화학식 4-33
화학식 4-1 내지 4-33 중,
Y31은 0, S, C(Z33)(Z34), N(Z35) 또는 Si(Z36)(Z37)이고 (단, 화학식 4-23 중 Y31은
ΝΗ가 아님);
Υ32은 C(Z33)(Z34), 또는 Si(Z36)(Z37)이고; Z31 내지 Z37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, d-C2。알킬기, ^- 0알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기， 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 바이페닐기 또는 -Si(Q33)(Q34)(Q35)이고;
상기 Q3 내지 Q5 및 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, d-C^알킬기, C!- o알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기， 피리디닐기， 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기， 퀴놀리닐기, 밴즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기， 벤조퀴나졸리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기 또는 퀴녹살리닐기이고;
el은 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고， e2는 1 내지 7의 정수 중에서 선택되고, e3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, e4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고, e5는 1 또는 2이고, e6은 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고, *는 이웃한 원자와의 결합사이트이다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 은,
페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기, 페날레닐기,
페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기， 플루오레닐기， 트리페닐레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기 또는 페릴레닐기; 또는 '
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 니트로기 , 아미노기， 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염， 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C o알킬기, CrC20알콕시기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레날기, 파이레닐기, 크라이세닐기 및 페릴레닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 바이페닐기, .터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기， 페날레닐기, 페난트레닐기， 안트라세닐기, 폴루오란테닐기, 플루오레닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 또는 페릴레닐기;일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면， 상기 화학식 1의 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기， 트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기， 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기,
벤조퀴녹살리닐기, 또는 벤조퀴나졸리닐기; 또는
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , 니트로기， - o알킬기，
CrC20알콕시기， -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기, 나프틸기， 페날레닐기， 페난트레닐기, 안트라세닐기， 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기， 피리디닐기， 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기， 트리아지닐기， 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기,
벤즈옥사졸일기, 및 벤조퀴나졸리닐기 중 적어도 하나로 치환된， 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기 퀴나졸리닐기, 트리아지닐기, 밴즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기 또는 벤조퀴녹살리닐기;일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중 Rn 내지 4는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기 , 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된
C!- o알콕시기， c3-c10시클로알킬기， c2-c10헤테로시클로알킬기， c3— c10시클로알케닐기 ,
C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C6。아릴기, C6— C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)일 수 있다.
예를 들어, 상기 화학식 1 중 내지 R14는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기， 시아노기, 니트로기, d- o알킬기 또는 d-C^알콕시기; .
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기 및 시아노기, 중 적어도 하나로차환된, CrC20알킬기 또는 -C20알콕시기;
페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기， 아줄레닐기， 헵탈레닐기, 인다세닐기 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기.,
디벤조플루오레닐기， 페날레닐기， 페난트레닐기， 안트라세닐기， 플루오란테닐기， 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기， 루비세닐기, 코로네닐기 또는 오발레닐기, 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5);이고;
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, d- o알킬기, C,-C20알콕시기， 페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기， 또는 크라이세닐기, 일 수 있다. 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d-C^알킬기 또는
C ^)알콕시기;
페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, ,벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기， 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기， 파이레닐기， 크라이세닐기 또는 페릴레닐기; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5);이고;
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, Ct- o알킬기， CrC20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기 또는 크라이세닐기일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 Ru 내지 R14는 서로 독립적으로 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기， 시아노기, d-Czo알킬기 또는
CrC20알콕시기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면， 상기 화학식 1 중 Rn 내지 R14는 모두 수소일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 Rt 내지 R5는 서로 독립적으로，
수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， -C20알킬기 또는
^- 0알콕시기;
중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기 및 시아노기, 중 적어도 하나로 치환된， Ci-C20알킬기 또는 d- ^알콕시기;
하기 화학식 5-1 내지 5-45 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5);이고 (단, 상기 ¾ 및 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님),
R2 및 R3 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로, 하기 화학식 5-10 내지 5-17, 및 5-22 내지 5-45 중 하나로 표시되고，
상기 R„ 내지 R14는 서로 독립적으로, 수소, 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, CrC20알킬기 또는 Ct- o알콕시기;
하기 화학식 5-1 내지 5-9, 및 5-18 내지 5-21 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5);이고,
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소， d- o알킬기, - 0알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기， 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기 또는 크라이 으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure imgf000027_0001
화학식 5-18 화학식 5-19 화학식 5-20 화학식 5-21
Figure imgf000028_0001
화학식 5—31 화학식 5-32 화학식 5-33 화학식 5-34 화꽉식 5-35
Figure imgf000028_0002
화학식 5—41 화학식 5_42
Figure imgf000029_0001
화학식 5-45
Figure imgf000029_0002
화학식 5—46 학식 5-47 화학식 화학식 5-49 게녜
"、、 . "
"*-■；--= 丫、<(、 /
Figure imgf000029_0003
화학식 5-50 화학식 5-51 화학식 5-52 화학식 5-53
Figure imgf000029_0004
화학식 5-54 화학식 5-55 화학식 5-56 호ᅡ학식 5ᅳ 57
상기 화학식 1 중 R3는 치환 또는 비치환된 모르폴리닐기 (morpholinyl)가 아니다. .
본 발명의 일 구현예에서, 상기 화학식 1의 R3가 피리디닐기, 피리다지닐기 또는 피리미디닐기인 경우, R2는 수소, 중수소, -F, C1, -Br, -I, 히드톡실기, 시아노기， 니트로기, 치환 또는 비치환된 d- o알킬기, 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기일 수 있다.
상기 화학식들 중 M은 의 개수를 나타낸 것으로서, 1 내지 3의 정수 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, bl은 1 또는 2일 수 있다. 또 다른 예로서, M은 1일 수 있다. bl이 2 이상일 경우 2 이상의 ¾은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. b2 및 b3에 대한 설명은 M에 대한 설명 및 화학식 1의 구조를 참조하여 이해될 수 있다.
일 구현예에 따르면， '본 명세서 중 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기 , 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기 , 치환된 c2-c10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 c6-c60아릴렌기, 치환된 C2-C60해테로아릴렌기 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 CRC60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기， 치환된
-C60알콕시기， 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기， 치환된
C6-C60아릴기, 치환된 c6-c60아릴옥시기, 치환된 c6-c60아릴티 ^기, 치환된
C2-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , d- o알킬기， 또는
d-Qso알콕시기;
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, C3-C10시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기 , C3-C10시클로알케닐기， C2-C10헤테로시클로알케닐기 , C6-C60아릴기， C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기， 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된,
C,— C60알킬기, 또는 d- o알콕시기;
C3-C10시클로알킬기， C2-C10헤테로시클로알킬기 , C3-C10시클로알케닐기 ,
C2-C10해테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기， C2-C60헤테로아릴기 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹;
중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기, C2-C60알케닐기， C2-C60알키닐기， d- o알콕시기, C3-CI0시클로알킬기, C2-C10해테로시클로알킬기,
C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C6。아릴기， C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10해테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹; 또는
-Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37)이고;
상기 Q13 내지 Qn, Q23 내지 Q27 및 Q33 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소， C ^Q알킬기， C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기， C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기 , C6-C60아릴티오기， C2-C60헤테로아릴기 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹이되,
R2 및 R3의 치환기는, 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기 ,
- o알킬기, d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기，
C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기， C2-C60해테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된，
카바졸일기가 아니다.
예를 들어, 본 명세서 중 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된
C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된
C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비 -방향족 축합다환 그룹， 치환된 2가 비 -방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 CrC60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된
d- o알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된
C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된
C2-C60헤테로아릴기， 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기， d- o알킬기， C2-C60알케닐기， C2-C60알키닐기 또는 C,-C60알콕시기;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기， 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기， 인다세닐기, 아세나프틸기， 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기， 트리페닐레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기， 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기， 핵사세닐기, 펜타세닐기， 루비세닐기， 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기， 티오페닐기， 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기， 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기， 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기， 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기， 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기， 페난트를리닐기, 페나지닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기 , 벤즈이미다졸일기, 밴조퓨라닐기, 벤조티오페닐기 ,
이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기,
테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기， 이미다조피리디닐기,
이미다조피리미디닐기 -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(QI 6)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된， Ci- o알킬기, 또는 Ci- o알콕시기;
페닐기， 펜탈레닐기， 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기,
디벤조플루오레닐기, 페날레닐기， 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기， 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기， 피를일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸 기, 티아졸일기， 이소티아졸일기, 옥사졸일기， 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기， 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기， 밴조퀴녹살리닐기,
페난트리디닐기, 아크리디닐기， 페난트를리닐기, 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기， 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기,
이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기;
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, -¾0알킬기， C2-C60알케닐기,
C2-C60알키닐기, CrC60알콕시기， 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기， 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조폴루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기 페릴레닐기, 펜타페닐기， 핵사세닐기， 펜타세닐기， 루비세닐기, 코로네닐기,
오발레닐기, 피를일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기， 이속사졸일기， 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기,
이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, .퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기， 아크리디닐기, 페난트를리닐기， 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기， 트리아지닐기， 이미다조피리디닐기， 이미다조피리미디닐기, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 -적어도 하나로 치환된， 페닐기, 펜탈레닐기， 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기,
스파이로-풀루오레닐기， 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기， 페날레닐기， 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기， 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기， 코로네닐기, 오발레닐기， 피를일기， 티오페닐기， 퓨라닐기, 이미다졸일기， 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기， 옥사졸일기, 이속사졸일기， 피리디닐기, 피라지닐기， 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기， 인돌일기， 인다졸일기, 푸리닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기， 밴조이소퀴놀리닐기,
벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기， 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기，
나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기， 페난트를리닐기, 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기， 벤조퓨라닐기， 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기; 또는
-Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37);이고;
상기 Q13 내지 Q17, Q23 내지 Q27.및 Q33 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, d- o알킬기， C2-C6。알케닐기， C2-C60알키닐기, C!- o알콕시기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기， 아줄레닐기， 헵탈레닐기， 인다세닐기, 아세나프틸기,
플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기， 페날레닐기, 페난트레닐기， 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기， 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기， 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피를일기, 티오페닐기 퓨라닐기， 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기， 인다졸일기， 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기， 퀴녹살리닐기， 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기 , 벤조퀴나졸리닐기 , 벤조퀴녹살리닐기, 페난트리디닐기， 아크리디닐기, 페난트를리닐기， 페나지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조퓨라닐기， 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기， 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기 또는 이미다조피리미디닐기이되,
R2 및 R3의 치환기는, 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기 ,
- o알킬기, , d- o알콕시기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기， 나프틸기, 아줄레닐기， 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기， 플루오레닐기， 스파이로-플루오레닐기, 벤조홀루오레닐기， 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기， 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기 페랄레닐기， 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피를일기, 티오페닐기, 퓨라닐기， 이미다졸일기， 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기， 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기， 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기,
이소퀴놀리닐기', 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기，
벤조퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기,
벤즈이미다졸일기， 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기,
벤즈옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기,) , -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 증 적어도 하나로 치환된, 카바졸일기가 아니다.
상기 축합환 화합물은, 하기에 나열된 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다：
[그룹
Figure imgf000034_0001
Figure imgf000035_0001
a-13 a-14 a-15
Figure imgf000035_0002
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000037_0001
Figure imgf000038_0001
.OlOOO/STOZaM/X3d flCSOl/SlOI OAV
9ε
Figure imgf000039_0001
b-7 b-8 //u/ O z-osooSSSMld 2£sssszAV
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000041_0001
-34 b-35 b-36
Figure imgf000041_0002
b-40 b-4 b-42
Figure imgf000041_0003
b-43 b-44 b-45
Figure imgf000042_0001
b-61 b-62 b-63 b
Figure imgf000043_0001
b-65
Figure imgf000043_0002
b 67 b-68 화학식 1 의 χ,= Si R)인 그룹
(R4 및 는본 명세서에 기재한바와 같음)
Figure imgf000043_0003
66
Figure imgf000043_0004
1
Figure imgf000044_0001
Figure imgf000044_0002
6-3
Figure imgf000044_0003
-
Figure imgf000044_0004
.0l000/ST0ZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
2^
Figure imgf000045_0001
9£-3 0
Figure imgf000045_0002
-0T000/SI0^HX/I3d eiesoT/sioz; OAV
Figure imgf000046_0001
-0
Figure imgf000046_0002
- l7†7-0 t7
Figure imgf000046_0003
.0l000/ST0ZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
Figure imgf000047_0001
-58 c-59 c-60
Figure imgf000047_0002
c-61 c-62 c-63
Figure imgf000047_0003
c-64 c-65 c-66
Figure imgf000047_0004
c-67 c-68 화학식 i의 x^N-Kn-adi인 그룹
(L al^R, 및 bl의 정의는본 명세서에 기재한 바와같음)
Figure imgf000047_0005
98 O
Figure imgf000048_0001
Figure imgf000049_0001
d-34 d-35 d-36
Figure imgf000050_0001
d-37
Figure imgf000050_0002
d-43
Figure imgf000050_0003
Figure imgf000050_0004
Figure imgf000051_0001
d-67 d-68 화학식 1-2의 X,=0인그룹
Figure imgf000052_0001

Figure imgf000053_0001
Figure imgf000054_0001
e-49 e-50 e-51
Figure imgf000055_0001
Figure imgf000055_0002
Figure imgf000055_0003
Figure imgf000055_0004
Figure imgf000055_0005
Figure imgf000055_0006
Figure imgf000056_0001
Figure imgf000057_0001
-J
Figure imgf000058_0001
.OlOOO/STOZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
99
Figure imgf000059_0001
Figure imgf000060_0001
f-67 f-6
Figure imgf000060_0002
Figure imgf000061_0001
Figure imgf000062_0001
Figure imgf000063_0001
Figure imgf000064_0001
Figure imgf000065_0001
£9
Figure imgf000066_0001
h-19 h-20 h-2
Figure imgf000066_0002
h-22 h-23 h-24
Figure imgf000066_0003
h-28 h-29 h-30
Figure imgf000066_0004
Figure imgf000067_0001
Figure imgf000068_0001
h-58 h-59 h-60
Figure imgf000068_0002
h-61 h-62 h-63
Figure imgf000068_0003
-64 h-65 h-66
Figure imgf000068_0004
h-67 h-68
상기 화학식 1의 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 반드시 치환 또는 비치환된 N 함유 C2-C60헤테로아릴기이다. 따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은， 유기 발광 소자용 재료, 예를 들면, 발광층 중 호스트 재료 (예를 들면, 호스트 및 도편트를 포함한 발광층 중 호스트 재료)로서 적합한 HOMO, LUMO Tl 에너지 레벨 및 S1 에너지 레벨을 가질 수 있다. 또한, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 우수한 열안정성 및 전기적 안정성을 가지므로， 상기 축합환 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 고효율 및 장수명 특성을 가질 수 있다.
<화학식 r>
리
Figure imgf000069_0001
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 A1 고리의 양측에 피리미딘 고리 및 벤젠 고리가 축합되어 있는 코어 (하기 화학식 Γ 참조)를 갖는다. 따라서, 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이의 유기층 재료 (예를 들면, 발광층 재료)로
사용하기에 적합한 HOMO 에너지 레벨, LUMO 에너지 레벨 , ΤΙ 에너지 레벨 및 S1 에너지 레밸을 가질 수 있으며, 우수한 열안정성 및 전기적 안정성을 갖출 수 있다. 예를 들어， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기 발광 소자의 발광층 중 호스트로 사용할 경우, 호스트-도편트 간의 에너지 전달 메커니즘 원리를 통하여, 고효율 및 장수명 발광이 가능하다.
특정 원리에 의하여 한정되려는 것은 아니나， 하기 화합물 Β는 전자 수송 능력이 지나치게 강하여， 정공 수송과 전자 수송의 균형을 달성하기에 곤란하다. 따라서， 상기 화합물 Β를 채용한 유기 발광 소자의 효율 특성이 불량해 질 수 있다. 또한， 하기 화합물 C는 피리미딘 고리 대신 피라진 고리가 축합환 코어를 갖추고 있으므로, 열안정성 및 전기적 안정성이 불량해 질 수 있다. < B>
Figure imgf000070_0001
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물의 합성 방법은， 후술되는 합성예를 참조하여, 당업자가 용이하게 인식할 수 있다.
따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 유기층, 예를 들면, 상기 유기층 중 발광층의 호스트 또는 전자수송보조층으로서 사용하기 적합할 수 있다.
상기 유기 발광 소자는 상술한 바와같은 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함한 유거층을 구비함으로써, 저구동 전압, 고효율， 고휘도 및 장수명을 가질 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 축합환 화합물은 발광층, 제 1전극과 발광층 사이의 정공 수송 영역 (예를 들면, 정공 주입층， 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함함) 및 발광층과 제 2전극 사이의 전자 수송 영역 (예를 들면, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함함) 중 적어도 하나에 포함될 수 있다ᅳ 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 상기 발광층에 포함되어 있을 수 있다. 이 때, 상기 발광층은 도편트를 더 포함하고, 상기 발광층에 포함된 축합환 화합물은 호스트의 역할을 할 수 있다. 상기 발광층은 녹색광을 방출하는 녹색 발광층일 수 있고, 상기 도편트는 인광 도펀트일 수 있다.
본 명세서 중 "(유기층이) 축합환 화합물을 1종 이상 포함한다"란,
"(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 축합환 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 축합환 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.
예를 들어, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서, 상기 화합물 1만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 축합환 화합물로서， 상기 화합물 1과 화합물 2를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1과 화합물 2는 동일한 층에 존재 (예를 들면, 상기 화합물 1과 화합물 2는 모두 발광층에 존재할 수 있음)하거나, 서로 다른 층에 존재할 수 있다. 예컨대， 상기 축합환 화합물은 유기층 중 발광층의
호스트로서 포함되거나, 전자수송보조층에 포함될 수 있다.
예를 들어, 상기 게 1전극은 애노드이고, 상기 제 2전극은 캐소드이고, 상기 유기층은, i) 상기 제 1전극과 상기 발광층 사이에 개재되고， 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함한 정공 수송 영역; 및 ii) 상기 발광층과 상기 제 2전극 사이에 개재되고, 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역;을 포함할 수 있다ᅳ
본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 게 1전극과 제 2전극 사이에 개재된 단일 및 /또는 복수의 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"은 유기 화합물뿐만 아니라, 금속을 포함한 유기금속 착체 등도 포함할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 제 1전극; 상기 제 1전극에 대향되는 게 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 배치되는 유기층；을 포함하고, 상기 유기층은 상술한 축합환 화합물을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자 (10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 유기 발광 소자 (10)는 제 1전극 (11), 유기층 (15) 및 게 2전극 (19)이 차례로 적충된 구조를 갖는다.
상기 게 1전극 (11) 하부 또는 게 2전극 (19) 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데， 기계적 강도, 열안정성， 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
상기 제 1전극 (U)은 예를 들면, 기판 상부에, 제 1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제 1전극 (11)은 애노드일 수 있다. 상기 제 1전극용 물질은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제 1전극 (11)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제 1전극용 물질로는 산화인듬주석 (ΠΌ),
산화인듬아연 (IZO), 산화주석 (Sn02), 산화아연 (ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘 (Mg), 알루미늄 (A1), 알루미늄 -리튬 (Al-Li), 칼슘 (Ca), 마그네슘 -인듐 (Mg-In), 마그네슴-은 (Mg-Ag)등과 같은 금속을 이용할 수 있다.
상기 제 1전극 (1 1)은 단일층 또는 2 이상의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.
상기 제 1전극 (Π) 상부로는 유기층 (15)이 배치되어 있다. .
상가 유기층 (15)은 정공수송 영역 (hole transport region); 발광층 (emission layer); 및 전자 수송 영역 (electron transport region);을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 2를 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 설명하면 다음과 같다. 유기층 (15)은 정공수송층 (31)， 발광충 (32), 그리고 정공수송층 (31)과 발광충 (32) 사이에 위치하는 정공수송보조층 (33)을 포함한다.
상기 정공 수송 영역에는 적어도 2층의 정공 수송층이 포함될 수 있고, 이 경우 발광층에 접하여 위치하는 정공 수송층을 정공수송보조층이라고 정의한다. 상기 정공 수송 영역은 게 1전극 (11)과 발광층 사이에 배치될 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층， 정공 수송층， 전자 저지층 및 버퍼층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층만을 포함하거나， 정공 수송층만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 정공 수송 영역은, 제 1전극 (11)로부터 차례로 적층된, 정공 주입층 (37)/정공 수송층 (31) 또는 정공.주입층 (37)/정공 수송층 (31)/전자
저지층의 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 정공 주입층 (37) 및 전자 주입층 (36)을 추가로 포함하여 도 3에 나타낸 바와 같이 제 1전극 (1 1)/정공 주입층 (37)/정공 수송층 (31)/정공수송보조층 (33)/발광층 (32)/전자수송보조층 (35)/전자수송층 (34)/전자주입 층 (37)/제 2전극 (19)이 차례로 적층된 구조를 '가질 수 있다.
정공주입층 (37)은 애노드로 사용되는 ΠΌ와, 정공수송층 (31)으로 사용되는 유기물질 사이의 계면 특성을 개선할 뿐만 아니라 그 표면이 평탄하지 않은 ITO의 상부에 도포되어 ITO의 표면을 부드럽게 만들어주는 기능을 한다. 예를 들어 정공주입층 (37)은 애노드로 사용될 수 있는 ΠΌ의 일함수 수준과 정공수송층 (31)의
HOMO 수준의 차이를 조절하기 위하여 ΠΌ의 일함수 수준과 정공수송층 (31)의
HOMO 수준의 중간값을 가지는 물질로서, 특히 적절한 전도성을 갖는 물질을 선택한다. 본 발명과 관련하여 정공주입층 (37)을 구성하는 물질로서
Ν4,Ν4'-디페닐 -Ν4,Ν4'-비스 (9-페닐 -9Η-카바졸 -3-일)바이페닐 -4，4'-디아민 (N4,N4'-diphenyl-
N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine)0] 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 그 외에도 정공주입층 (37)을 구성하는 종래의 물질과 함께 사용될 수 있는데, 예를 들어， copper phthlalocyamne(CuPc),
N,N'-dinaphthyl-N,N'-phenyl-( 1 , 1 '-biphenyl)-4,4'-diamine, NPD),
4,4',4"-tris[methylphenyl(phenyl)amino] triphenyl amine(m-MTDATA),
4,4',4"-tris[l -naphthyl(phenyl)amino] triphenyl amine( 1 -TNAT A),
4,4',4"-tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenyl amine(2-TNATA),
l ,3,5-tris[N-(4-diphenylaminophenyl)phenylamino] benzene(p-DPA-TDAB) 등과 같은 방향족 아민류는 물론이고,
4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}phenyl]-N-phenylamino]biphenyl(DNTPD), hexaazatriphenylene-hexacarbonitirile (HAT-CN) 등의 화합물, 전도성 고분자로서의 폴리티오펜 유도체인 poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(stymesulfonate)(PEDOT)를 사용할 수 있다. 정공주입층 (37)는 예를 들어 10 내지 300 A의 두께로 애노드로 사용되는 ΠΌ의 상부에 코팅될 수 있다.
전자주입층 (36)은 전자수송층의 상부에 적층되어 캐소드로부터의 전자 주입을 용이하게 해주어 궁극적으로 전력효율을 개선시키는 기능을 수행하는 층으로， 당 기술분야에서 통상적으로 사용되는 것이면 특별한 제한없이 사용할 수 있으며, 예컨대， LiF, Liq, NaCl, CsF, Li20, BaO 등의 물질을 이용할 수 있다.
정공 수송 영역이 정공 주입층 (37)을 포함할 경우, 정공 주입층 (HIL)은 상기 제 1전극 (1 1) 상부에 진공증착법， 스핀코팅법,깨스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500 °C , 진공도 약 ΗΓ8 내지 약 ΙΟΛΟΓΓ, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100 A/sec의 범위에서 선택될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 코팅 조건은
정공주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000tpm의 코팅 속도， 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80 °C 내지 200 °C의 온도 범위에서 선택될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 수송층 및 전자 저지층 형성 조건은 정공 주입층 형성 조건을 참조한다.
상기 정공 수송 영역은， 예를 들면 , m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-ΝΡΒ, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, a-NPB, TAPC, HMTPD,
TCTA(4,4',4"-트리스 (N-카바졸일)트리페닐아민 (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine^^ Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린 /도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfona 틸렌디옥 시티오펜) /폴리 (4-스티렌술포네이트))， Pani/CSA (Polyaniline/Camphor
sulfonicacid:폴리아닐린 /캠퍼술폰산)， PANI/PSS
(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린) /폴리 (4-스티렌술포네이트))， 하기 화학식 2()1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 포함할 수 있다:
Figure imgf000074_0001
m-MTDATA TDATA
Figure imgf000075_0001
Figure imgf000075_0002
Figure imgf000075_0003
Figure imgf000075_0004
.0l000/ST0ZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV < 202>
Figure imgf000076_0001
상기 화학식 201 중， Ar101 및 ^102는 서로 독립적으로,
페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기， 아줄레닐렌기,
헵탈레닐렌기， 아세나프틸렌기， 플루오레닐렌기， 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기/트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기,
크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 또는 펜타세닐렌기; 또는
중수소， -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기, 니트로기， 아미노기, 아미디노기， 히드라진기， 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술픈산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, d-C60알킬기， C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, CrC60알콕시기, C3-C10시클로알킬기 , C3-C10시클로알케닐기 , C2-C10헤테로시클로알킬기 ,
C2-C10헤테로시클로알케닐기， C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기 ,
C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기， 헵탈레닐렌기， 아세나프틸렌기， 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기， 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기， 트리페닐레닐렌기,
파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기， 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 또는 펜타세닐렌기; 일 수 있다.
상기 화학식 201 중， 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수， 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고， xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 및 202 중， 상기 R10) 내지 R108, R1 U 내지 Rn 9 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , 니트로기， 아미노기， 아미디노기, 히드라진기， 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염， 인산기 또는 이의 염， C【- C10알킬기 (예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 핵실기 등) 또는 C!-Cu)알콕시기 (예를 들면, 메록시기， 에록시기, 프로폭시기， 부록시기， 펜톡시기 등);
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 니트로기 , 아미노기 , 아미디노기， 히드라진기, 하드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, CrC10알킬기 또는 CrC10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 또는 파이레닐기; 또는 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기 , 니트로기， 아미노기 , 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염， 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염， d-do알킬기 및 d- o알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기， 나프틸기， 안트라세닐기, 플루오레닐기 또는 파이레닐기; 일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. . - 상기 화학식 201 중, R109는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 또는 .
피리디닐기; 또는 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기, 니트로기, 아미노기， 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산기 또는 이의 염 , 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, ^- 0알킬기,예20알콕시기, 페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기， 안트라세닐기 또는 피리디닐기; 일 수 있다.
일 구현예에 따르면， 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식
201 A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
< 201A>
Figure imgf000077_0001
상기 화학식 201A 증， R101,Rin,R,12 및 R109에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.
예를 들어, 상기 화학식 2이로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 :
Figure imgf000078_0001
Figure imgf000079_0001
Figure imgf000079_0002
.OlOOO/STOZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
LL
Figure imgf000080_0001
Figure imgf000080_0002
HT19 HT20
상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100A 내지 약 10000A, 예를 들면， 약 100A 내지 약 1000A일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100A 내지 약 10000A, 예를 들면， 약 100A 내지 약 1000A이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50A 내지 약 2000A, 예를 들면 약 100A 내지 약 1500A일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. 상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 -생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 -생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하 -생성 물질은 예를 들면 , ρ-도편트일 수 있다ᅳ 상기 Ρ-도펀트는 퀴논 유도체， 금속 산화물 및 시아노기 -함유 화합물 중 하나일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어， 상기 Ρ-도펀트의 비제한적인 예로는,
테트라사이아노퀴논다이메테인 (TCNQ) 및
2,3,5,6-테트라플루오로 -테트라사이아노 -1,4-벤조퀴논다이메테인 (F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등과 같은 시아노기 -함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ>
Figure imgf000081_0001
상기 정공 수송 영역은, 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다.
상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층 (EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광층은 호스트 및 도편트를 포함할 수 있다. 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 호스트는 제 1호스트 및 제 2호스트를 포함할 수 있고， 상기 제 1호스트와 상기 제 2호스트는 서로 상이하다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는, 전술한 축합환
화합물 (제 1호스트)을 단독으로 포함하거나， 상기 제 1호스트와 하기 화학식 41로 표시되는 게 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물 중 적어도 하나인 제 2 호스트를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2호스트는 하기 화학식 41로 표시되는 제 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하기 화학식 61 중 고리 A6I은 하기 화학식 61A로 표시되고, 하기 화학식 61 중 고리 A62는 하기 화학식 61B로 표시된다. 고리 A61는 하기 화학식 61 중 인접한 5원환 고리 및 고리 A62 각각과 탄소를 공유하면서 융합되어 있다. 고리 A62는 하기 화학식 61 중 인접한 고리 A62와 6원환 고리 각각과 탄소를 공유하면서 융합되어 있다. <화학식 41>
Figure imgf000082_0001
< 61A> <화학식 61B>
Figure imgf000082_0002
상기 화학식 41 중 은 N-[(L42)a42-(R42)b42], S, O, S(=0), S(-0)2, C(=0), C(R43)(R44), 또는 C=N(R43)이고;
상기 화학식 61 중 고리 A61은 상기 화학식 61 A로 표시되고;
상기 화학식 61 중 고리 A62는 상기 화학식 61B로 표시되고;
ᄌ61은 N-[(L62)a62-(R62)b62], S, 0， S(=0), S(=0)2, C(=0), C(R63)(R64), Si(R63)(R64), P(R63), P(=0)(R63) 또는 C=N(R63)이고;
X 은 C(R71) 또는 N이고, X72는 C(R72) 또는 N이고, X73은 C(R73) 또는 N이고 X74는 C(R74) 또는 N이고, X75는 C(R75) 또는 N이고， X76은 C(R76) 또는 N이고, X77은 C(R77) 또는 N이고 , X7S은 C(R78) 또는 N이고;
Ar4I, L4i, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 c2ᅳ c10해테로시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 c c60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기， 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹이고;
nl 및 n2는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
R4. 내지 4, 1 51 내지 R54, R61 내지 R64 및 R7I 내지 R79는 서로 독립적으로， 수소， 중수소， -F (플루오로기), -Cl(클로로기), -Br (브로모기) , -1(아이오도기)， 히드록실기 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기， 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된
CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된
C2-C60알키닐기， 치환.또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹， -N(Q0(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
a41, a42, a61 및 a62는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고; b41 , b42, b51 내지 b54, b61 , b62 및 b79는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택된다. ·
일 구현예에 따르면, 상기 41은 N-[(L42)a42-(R42)M2], S 또는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 61은 N-[(L62)a62-(R62)b62], S 또는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 61 중 71은 C(R71)이고， X72는 C(R72)이고, X73은 C(R73)이고, X 4는 C(R74)이고, X75는 C(R75)이고， X76은 C(R76)이고, X77은
C(R77)이고， 8은 C(R7S)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 R7i 내지 R74 중 2개는 선택적으로, 서로 연결되어 포화 또는 불포화 고리 (예를 들면, 벤젠, 나프탈렌 등)을 형성할 수 있다.
상기 R75 내지 R78 중 2개는 선택적으로, 서로 연결되어 포화 또는 불포화 고리 (예를 들면, 벤젠, 나프탈렌 등)을 형성할 수 있다. 상기 화학식들 중 Ar41, L41, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로， 치환 또는 . 비치환된 Crdo시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된
C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기， 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식들 중 Ar41, L41, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기, 인데닐렌기， 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기，
스파이로 -플루오레닐렌기， 페날레닐렌기， 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란트레닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기,
나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기， 핵사세닐렌기, 피를일렌기 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기， 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기， 피리다지닐렌기, 이소인돌일렌기， 인돌일렌기, 인다졸일렌기， 푸리닐렌기，
퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기， 벤조퀴놀리닐렌기, 프탈라지닐렌기,
나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 시놀리닐렌기, 카바졸일렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트를리닐렌기， 페나지닐렌기,
벤즈옥사졸일렌기, 벤즈이미다졸일렌기, 푸라닐렌기, 벤조푸라닐렌기， 티오페닐렌기, 벤조티오페닐렌기， 티아졸일렌기， 이소티아졸일렌기, 벤조티아졸일렌기,
이소옥사졸일렌기， 옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기,
옥사디아졸일렌기， 트리아지닐렌기, 디벤조푸라닐렌기, 디밴조티오페닐렌기， 벤조카바졸일렌기, 디벤조카바졸일렌기 이미다조피리미디닐렌기 또는
이미다조피리디닐렌기; 또는
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 니트로기， 아미노기, 아미디노기， 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염， 인산기 또는 이의 염, C ^)알킬기, - 0알콕시기， C6-C20아릴기， C2-C60헤테로아릴기， 1가 비-방향족 축합다환 그룹， 1가 비-방향족 헤테로축합환 그룹, -Si(Q33)(Q34)(Q35) 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜탈레닐렌기， 인데닐렌기, 나프틸렌기，
아즐레닐렌기， 헵탈레닐렌기， 인다세닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로 -플루오레닐렌기, 페날레닐렌기, 페난트레닐렌기， 안트라세닐렌기, 플루오란트레닐렌기， 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기， 크라이세닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기, 펜타페닐렌기， 핵사세닐렌기, 피를일렌기 이미다졸일렌기, 피라졸일렌기， 피리디닐렌기， 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기， 피리다지닐렌기, 이소인돌일렌기， 인돌일렌기, 인다졸일렌기, 푸리닐렌기，
퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 벤조퀴놀리닐렌기， 프탈라지닐렌기，
나프티리디닐렌기, 퀴녹살리닐렌기， 퀴나졸리닐렌기， 시놀리닐렌기, 카바졸일렌기, 페난트리디닐렌기, 아크리디닐렌기, 페난트를리닐렌기, 페나지닐렌기,
벤즈옥사졸일렌기， 벤즈이미다졸일렌기, 푸라닐렌기, 벤조푸라닐렌기, 티오페닐렌기, 벤조티오페닐렌기， 티아졸일렌기， 이소티아졸일렌기, 벤조티아졸일렌기,
이소옥사졸일렌기, 옥사졸일렌기, 트리아졸일렌기, 테트라졸일렌기,
옥사디아졸일렌기, 트리아지닐렌기, 디벤조푸라닐렌기， 디벤조티오페닐렌기, 벤조카바졸일렌기, 디밴조카바졸일렌기 이미다조피리미디닐렌기 또는
이미다조피리디닐렌기; 이고，
Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, -C 알킬기， C20알콕시기, 페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 카바졸일기， 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 프탈라지닐기，
퀴녹살리닐기, 시놀리닐기 또는 퀴나졸리닐기; 일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식들 증 Ar4ᅵ， ; L41, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 41 및 61 중 ' 내지 R44, R5I 내지 4， R61 내지 R64 및 R71 내지 R79는 서로 독립적으로,
수소， 중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기， 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 알킬기 또는 d-C20알콕시기;
페닐기, 펜탈레닐기， 나프틸기, 플루오레닐기， 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기， 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기， 카바졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기 , 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기 또는 디벤조카바졸일기; 또는
중수소, -F,— CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , 니트로기, 아미노기, 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, d- o알킬기, d-C20알콕시기, 페닐기, 펜탈레닐기, 나프틸기, 플루오레닐기， 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기， 플루오란테날기, 트리페닐레닐기， 파이레닐기， 크라이세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기， 펜타페닐기, 카바졸일기， 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기 및 디벤조카바졸일기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 펜탈레닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기， 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기， 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 카바졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 디밴조티오페닐기, 벤조카바졸일기 또는 디벤조카바졸일기; 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 구현예에 따르면， 상기 화학식 41 중 R51, R53 및 R54와 화학식 61 중 R71 내지 R79는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, - 0알킬기, C2-C20알케닐기，
C2-C20알키닐기 또는 CrC20알콕시기일 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 41 중 R51, R53 및 R54와 화학식 61 중 R71 내지 R79는 모두 수소일 수 있다. .
상기 화학식 41 중 R41, R42 및 R52와 상기 화학식 61 중 R61 및 R62는 서로 독립적으로, 상기 화학식 1의 정의와 관련하여 기재된 상기 화학식 4-1 내지 4-31 중 하나로 표시될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 41 중 R^ R^ 및 R52와 상기 화학식 61 중 R61 및 R62는 서로 독립적으로, 상기 화학식 1의 정의와 관련하여 기재된 상기 화학식 4-1 내지 4-8, 4-26 내지 4-29, 4-32, 및 4-33 중 하나로 표시될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 41 중 ! ^, 1 42 및 R52와 상기 화학식 61 중 R61 및 R62는 서로 독립적으로, 상기 화학식 1의 정의와 관련하여 기재된 상기 화학식 5-1 내지 5-12, 5-17, 5-22， 및 5-46 내지 5-57 중 하나로 표시될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 일 구현예에 따르면, 본 발명은 상기 발광층이 제 1호스트, 제 2호스트 및 도편트를 포함하고, 상기 제 1호스트와 상기 제 2호스트는 서로 상이하고，
상기 제 1호스트가 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함하고, 상기 제 2호스트가 상기 하기 화학식 41로 표시되는 제 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 제 1화합물은 하기 화학식 41-1 내지 41-12 중 하나로 표시되고, 상기 제 2화합물은 하기 화학식 61-1 내지 61-6 중 하나로 표시될 수 있다.
(lT4l )a41ᅳ (R )M1
Figure imgf000087_0001
Figure imgf000087_0002
Figure imgf000088_0001
Figure imgf000088_0002
화학식 41-7 화학식 41-8
Figure imgf000088_0003
화학식 41-9 화학식 41-10 화학식 41-11
Figure imgf000088_0004
화학식 41-12
Figure imgf000089_0001
화학식 61-5 화학식 61-6
상기 화학식 41-1 내지 41-12 및 61-1 내지 61-6 중 X61, L41, a41, L61, a61,
R4,,b41,R51 내지 R54,b51 내지 b54, R61, b61, R71 내지 R79 및 b79에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 상기 화합물 2, 34, 66, 98, 130, 162, 194, 226, a-1 내지 a-68, b-1 내지 b-68, c-1 내지 c-68, d-1 내지 d-68, e-1 내지 e-68, f-1 내지 f-68, g-1 내지 g-68, 및 h-1 내지 h-68 중 하나를 포함하고; 상기 화학식 ^로 표시되는 제1화합물이 하기 화합물 Ai 내지 Α11ι 중 하나를 포함하고, 상기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물이 하기 화합물 B1 내 B20 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000090_0001
A13 A14 A15 A16
Figure imgf000091_0001
Figure imgf000091_0002
Figure imgf000092_0001
A37 A38 A39 A40
29V - V 09V 6W
Figure imgf000093_0001
.0l000/ST0ZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
16
Figure imgf000094_0001
16V 06V 68V
Figure imgf000095_0001
Figure imgf000095_0002
Figure imgf000095_0003
.0l000/ST0ZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
C6
Figure imgf000096_0001
A92 A93 A94 A95
Figure imgf000096_0002
A104 A105 A106 A107
Figure imgf000097_0001
A109
Alll
Figure imgf000097_0002
B6 B8
Figure imgf000097_0003
B13 B14 B15 B16
Figure imgf000098_0001
B17 B18 B19 B20 예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물은 하기 그룹 1에 나열된 화합물 중 하나를 포함하고, 상기 화학식 41로 표시되는 제 1화합물 및 상기 화학식 61로 표시되는 게 2화합물은 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 하나를 포함할 수 있다.
[그룹 1]
Figure imgf000098_0002
a-7 a-19 a-39
Figure imgf000098_0003
a-55 b-3 b-6
Figure imgf000098_0004
b-7 b-19 b-39
Figure imgf000099_0001
Figure imgf000099_0002
Figure imgf000099_0003
.OlOOO/STOZaM/X3d
Figure imgf000100_0001
B2
상기 제 1호스트와 상기 제 2호스트의 중량비는 1 : 99 내지 99 : 1 , 예를 들면, 10 : 90 내지 90 : 10의 범위 내에서 선택될 수 있다. 상기 중량비 범위를 만족할 경우, 상기 제 1호스트에 의한 전자 수성 특성 및 상기 제 2호스트에 의한 정공 수송 특성이 균형을 이를 수 있어, 유기 발광 소자의 발광 효율 및 수명이 향상될 수 있다.
상기 발광층 중 상기 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며， 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물, 상기 화학식 41로 표시되는 제 1화합물 및 상기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물의 합성 방법은, 후술되는 합성예를 참조하여， 당업자가 용이하게 인식할 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는， 상기 발광층은 적색 발광층， 녹색 발광층 및 /또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다. 상기 적색 발광층， 녹색 발광층 및 청색 발광층 중 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다. 일 구현예에 따르면， 상기 녹색 발광충 중 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 청색 발광층 위의 전자수송보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다.
상기 발광층 중 도펀트는 형광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 형광 도펀트로서 또는 인광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
일 구현예에 따르면， 상기 발광층은 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함한 호스트 및 인광 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 인광 도펀트는 전이 금속 (예를 들면, 이리듐 (Ir), 백금 (Pt), 오스뮴 (Os), 로듐 (Rh) 등)을 포함한 유기금속 착체를 포함할 수 있다，
상기 인광 도펀트는 하기 화학식 81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다：
<화학식 81>
Figure imgf000101_0001
상기 화학식 81 중 M은 이리듐 (Ir), 백금 (Pt), 오스뮴 (Os), 티탄 (Ti), 지르코늄 (Zr), 하프늄 (Hf), 유로품 (Eu), 테르붐 (Tb) 또는 를륨 (Tm)이고;
Y, 내지 Y4는 서로 독립적으로, 탄소 (C) 또는 질소 (Ν)이고;
^과 Υ2는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고 , Υ3와 Υ4는 단일 결합또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고;
CY! 및 CY2는 서로 독립적으로， 벤젠， 나프탈렌, 플루오렌,
스파이로 -플루오렌, 인덴, 피를， 티오펜, 퓨란 (foran), 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸 (isooxazole), 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린， 퀴나졸린, 카바졸, 벤즈이미다졸, 벤조퓨란 (benzofUran), 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 벤즈옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸， 옥사디아졸, 트리아진， 디벤조퓨란 (dibenzof ran) 또는
디벤조티오펜이고, ^과 CY2는 선택적으로 (optionally), 단일 결합 또는 유기 연결기 (organic linking group)를 통하여 서로 결합되고;
R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2— C60알케닐기， 치환 또는 비치환된
C2-C60알키닐기, 치환또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 c6-c60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹， -Ν((50(( ), -3ί(( )(( χ( ) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
a81 및 a82는 서로 독립적으로， 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
n81은 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고;
n82는 1, 2 또는 3이고;
L81은 1가 유기 리간드 , 2가 유기 리간드 및 3가 유기 리간드 중에서 선택된다.
R81 및 R82에 대한 설명은 본 명세서 중 ^에 대한 설명을 참조한다.
예를 들어, 상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD78 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다 (하기 화합물 PD1은
Ir(ppy)3임):
Figure imgf000103_0001
Figure imgf000104_0001
Figure imgf000104_0002
.OlOOO/STOZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
SOI
Figure imgf000105_0001
.OlOOO/STOZaM/X3d ClCSOl/STOZ OAV
εοτ
Figure imgf000106_0001
Figure imgf000107_0001
Figure imgf000108_0001
Figure imgf000108_0002
Figure imgf000108_0003
Figure imgf000109_0001
Figure imgf000109_0002
PD75 PD76 PD77 PD78 또는, 상기 인광 도펀트는 하기 PtOEP 또는 화합물 PhGD를 포함할 수 있다:
Figure imgf000109_0003
PtOEP PhGD
Λ 하기 DPVBi, DPAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 및 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure imgf000110_0001
Figure imgf000110_0002
Figure imgf000110_0003
Coumarin 6 C545T
상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우， 도편트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층의 두께는 약 100A 내지 약 1000A, 예를 들면 약 200A 내지 약 600 A일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우 실질적인 구등 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치된다.
전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역은 정공 저지층 /전자 수송층 /전자 주입층 또는 전자 수송층 /전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는, 전자 수송 영역에 적어도 2층의 전자 수송층을 포함할 수 있고, 이 경우 발광층에 접하여 위치하는 전자 수송층을 전자수송보조층 (35)이라고 정의한다. 상기 전자 수송층은 단일층 또는 2 이상의 서로 다른 물질을 포함한 다중 구조를 가질 수 있다.
상기 전자 수송 영역은 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함하고， 상기 전자 수송층에 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 포함될 수 있다. 더욱 구체적으로, 전자수송보조층에 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물이 포함될 수 있다.
상기 전자 수송 영역의 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 형성 조건은 정공 주입층의 형성 조건을 참조한다.
상기 전자 수송 영역이 정공 저지충을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP, Bphen 및 BAlq 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000111_0001
BCP Bphen
상기 정공 저지층의 두께는 약 20A 내지 약 1000A, 예를 들면 약 30A 내지 약 300A일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우， 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. 상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
Figure imgf000112_0001
TAZ
Figure imgf000112_0002
NTAZ
또는, 상기 전자 수송층은 하기 화합물 ET1 및 ET2 중 적어도 하나를 포 으나， 이에 한정되는 것은 .
Figure imgf000112_0003
상기 전자 수송층의 두께는 .약 100A 내지 약 1000A, 예를 들면 약 150A 내지 약 500A일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다. ,
상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에， 금속 -함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 -함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는， 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1 (리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure imgf000113_0001
ET-D1 ET-D2
또한 전자 수송 영역은, 게 2전극 (19)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층 (EIL)을 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층은， LiF, NaCl, CsF, Li20 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1 A 내지 약 100A, 약 3 A 내지 약 90A일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다. 상기 유기층 (15) 상부로는 제 2전극 (19)이 구비되어 있다. 상기 제 2전극 (19)은 캐소드일 수 있다. 상기 제 2전극 (19)용 물질로는 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬 (Li), 마그네슘 (Mg), 알루미늄 (A1), 알루미늄 -리튬 (Al-Li), 칼슘 (Ca), 마그네슘 -인듐 (Mg-In), 마그네슴-은 (Mg-Ag) 등을 제 2전극 (19) 형성용 물질로 사용할 수 있다. 또는， 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ΙΤΟ, ΙΖΟ를 이용하여 투과형 계 2전극 (19)을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중 C C6^s킬기는 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가 (monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기， 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기， iso-아밀기, 핵실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 - o알킬렌기는 상기 d- o알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 (divalent) 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C ^o알콕시기는 -OA101 (여기서 , A101은 상기 CrC60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메특시기.， 에톡시기， 이소프로필옥시기 등이 포함된다.
본 명세서 중 c2-c60알케닐기는 상기 c2-c60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기， 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 증 c2-c60알케닐렌기는 상기
C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 c2-c60알키닐기는 상기 c2-c60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는,
에티닐기 (ethynyl), 프로피닐기 (propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중
C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을
의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로핵실기， 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중
CrCI0시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬기는 Ν, Ο, Ρ 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리 -형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며， 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기 (tetrahydroforanyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중
C2-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C2-CI0헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나， 방향족성 (aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며， 이의 구체예는 시클로펜테닐기， 시클로핵세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐기는 Ν, Ο, Ρ 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리 -형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서， 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기
¾- 0헤테로시클로알케닐기의 구체예는， 2,3-히드로퓨라닐기 , 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 c2-c10헤테로시클로알케닐렌기는 상기
C2-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 (monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 (divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기， 페난트레닐기， 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.
본 명세서 중 C2-C60헤테로아릴기는 Ν, Ο, Ρ 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리 -형성 원자로서 포함하고 탄소수 2 내지 60개의
카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C2-C60헤테로아릴렌기는 Ο, Ρ 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리 -형성 원자로서
포함하고 탄소수 2 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 특히， Ν 함유 C2-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기， 퀴녹살리닐기, 벤즈이미다졸기， 벤조티아졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기， 벤조퀴나졸리닐기 등을 포함한다. 상기 C2-C60헤테로아릴기 및 C2-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로융합될 수 있다.
본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서 , A102는 상기
C6-C60아릴기임)를 가리키고， 상기 C6-C60아릴티오기 (arylthio)는 -SAI03(여기서， A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.
본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹 (non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고， 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함 (예를 들어, 탄소수는 8 내지 60일 수 있음)하고, 분자 전체가
비-방향족성 (non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향
축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. 본 명세서 중 1가 비-방향족 해테로축합다환 그룹 (non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 (예를 들어, 탄소수는 2 내지 60일 수 있음) 외에 Ν, Ο, Ρ 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성 (non-aromacity)를 갖는 1가 그룹을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 디벤조퓨란일기,
디벤조티오펜일기, 카바졸일기 등을포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.
이하， 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'Α' 대신 Έ'를 사용하였다 "란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.
[발명의 실시를 위한 형태】 이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반웅물질은 특별한 언급이 없는 한, Sigma-AWrich 社 또는 TCI 社에서 구입하였다.
(보로닉에스터의 합성)
KR 10-2014-0135524A공개공보의 35면에 기재된 합성법과동일한방법으로 하기 합성예의 보로닉에스터를합성하였다.
X X
Figure imgf000117_0001
주 o' Ό 、 '' TKF. lt»'
: =CL Br, I .X=C , Br, :1
-BfOH½.
Figure imgf000117_0002
X=C!,B;
[중간체 합성 방법]
.OH
Br 그 ί Γ
J o 丄
IH7
ra t TCl
& ¾- *S3.oiQ! S.g-2.5'} MU a
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Figure imgf000118_0001
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Figure imgf000118_0003
*i A-피
扁
Figure imgf000118_0004
-ο·Β V
mi ¾
[실시예】
(제 1 호스트 화합물의 합성)
합성예 1: 화합물 a-2의 합성
Figure imgf000118_0005
Figure imgf000119_0001
중간체 AO) (메틸 3-우레이도벤조푸란 -2-카르복실레이트)의 합성
2000 mL 등근 플라스크에 -78 °C에서 디클로로메탄 (1000ml) 중 메틸
3-아미노벤조푸란 -2-카르복실레이트 (49.0 g/0.25mol)의 용액에 클로로술포닐
이소시아네이트 (33.4 ml, 0.38mol)를 적가하였다.■ 반웅물을 실온으로 천천히
가온시키고, 2시간 동안 교반하였다. 반웅물을 농축시킨 후, 잔류물에 Cone. HC1 (100 ml)을 첨가하고, 흔합물을 100 °C로 1시간 동안 교반하였다. 반웅 흔합물을 실온으로 넁각시키고， 포화 중탄산나트륨 수용액으로 중화시켰다. 생생된 고체를 여과하여， 중간체 A(l) (메틸 3-우레이도벤조푸란 -2-카르복실레이트) (52.1 g, 87%)를 베이지색 고체로서 수득하였다.
calcd. CuH10N2O4： C, 56.41 ; H, 4.30; N, 11.96; O, 27.33; found： C, 56.45; H, 4.28; N, 11.94; 0, 27.32
중간체 A(2) (벤조 -푸로 Γ3,2-οΠ피리미딘 -2,4-디을)의 합성
2000 mL 등근 플라스크에 중간체 A(l) 메틸
3-우레이도벤조푸란 -2-카르복실레이트 (50.0g, 0.21mol)를 메탄을 1000ml에 현탁시키고 2 M NaOH(300ml)를 적가하였다. 반웅 흔합물을 환류하에 3시간 동안 교반하였다. 반응 흔합물을 실온으로 냉각시키고, Cone. HC1을 이용하여 pH 3까지 산성화시켰다. 흔합물을 농축시킨 후， 메탄을을 잔류물에 서서히 적가하여 고체를 침전시킨다.
생성된 고체를 여과 후， 건조하여 중간체 A(3) (벤조 -푸로 [3,2-d]피리미딘 -2,4-디을) (38.0g, 88 %)을 수득하였다. calcd. C10H6N2O3： C, 59.41 ; H, 2.99; N, 13.86; O, 23.74; found： C, 59.41 ; H, 2.96; N, 13.81 ; O, 23.75
중간체 A (벤조 -2,4-디클로로푸로 P,2-d1피리미딘)
1000 mL등근 플라스크에 중간체 A(2) (벤조 -푸로 [3,2-d]피리미딘 -2,4-디을) (37.2 g, 0.18mol)을 옥시염화인 (500 ml)에 용해시켰다. 흔합물을ᅳ 30°C로 넁각시키고, Ν,Ν-디이소프로필에틸아민 (52 ml, 0.36mol)을 천천히 첨가하였다. 반웅물을
환류하에 36 시간동안 교반한 다음, 실온으로 냉각시켰다. 그 후 반웅물을
얼음 /물에 붓고 에틸 아세테이트로 추출하였다. 유기층을 포화 중탄산 나트륨 수용액으로 세척한 후, 황산 마그네슴을 이용하여 드라이시킨다. 이로부터 수득한 유기층을 농축시켜, 중간체 A (벤조 -2,4-디클로로푸로 [3,2-d]피리미딘) (20.4g, 46%)을 수득하였다.
생성된 중간체 A의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C10H4Cl2N2O： C, 50.24; H, 1.69; C1, 29.66; N, 1 1.72; O, 6.69; found： C, 50.18; H| 1.79; CI, 29.69; N, 1 1.69; O, 6.70;
중간체 A-2-1의 합성
2000 mL 플라스크에 중간체 A 70.0 g (292.8 mmol), 페닐보로닉에시드 35.7 g (292.8 mmol), 탄산칼륨 101.2 g (732.0 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 16.9 g (14.6 mmol)을 1,4-다이옥산 800 mL, 물 400 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 .
하에서 16시간 동안 50 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 3000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 .
실리카겔 /샐라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 A-2-1 (61.7 g, 75%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C16H9C1N20： C, 68.46; H, 3.23; C1, 12.63; N, 9.98; 0， 5.70; found： C, 68.95; H, 3.08; C1, 12.17; N, 10.01; 0, 5.62
중간체 A-2-2 의 합성
2 L등근 플라스크에 중간체 A-2-1 60.0 g (213.7 mmol), 3-클로로페닐
보로닉에시드 33.4 g (213.7 mmol), 탄산칼륨 73.9 g (534.4 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 12.4 g (10.7 mmol)을 1,4-다이옥산 600 mL, 물 300 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다.
이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1800 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 A-2-2 (54.2 g, 71%의 수율)를 수득하였다
calcd. C22H13C1N20： C, 74.06; H, 3.67; C1, 9.94; N, 7.85; O, 4.48; found： C, 74.03; H: 3.65; C1, 9.91 ; N, 7.80; 0, 4.43
중간체 A-2-3의 합성
1 L플라스크에 중간체 A-2-2 (50.0 g, 140.1 mmol), 4,4,4',4',
5，5，5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1 ,3,2-다이옥사보로란 ( 42.7 g, 168.2 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 42.7 g, 420.2 mmol) 및 1,1'-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (6.9g, 8.4 mmol), 트리사이클로헥실포스핀 (5.9g, 2L0 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름아마이드 500 mL에 넣은 후， 130°C에서 24시간 교반하였다. 반웅 완료 후, 반응 용액을 물과 EA(ethylacetate)로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여， 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 중간체 A-2-3을 흰색의 고체 (4().3 g, 수율 = 64 %)로 얻었다.
calcd. C28H25BN203： C, 75.01 ; H, 5.62; B, 2.41 ; N, 6.25; O, 10.71 ; found： C, 75.00;
H, 5.62; B, 2.38; N, 6.22; 0, 10.69
화합물 a-2 의 합성 、
100 mL 플라스크에 중간체 A-2-3 5.0 g (1 1.2 mmol), 중간체 A-2-4 (구입처： UMT ¾) 4.4 g (1 1.2 mmol), 탄산칼륨 3.9 g ( 7.9 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.7 g (0.6 mmol)을 1,4-다이옥산 30 mL, 물 15 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 lOO mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 a-2 (5.1 g, 72%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C43H27N50： C, 82.02; H, 4.32; N, 11.12; 0, 2.54; found： C, 82.01 ; H, 4.29; N,
1 1.07; 0, 2.52 합성예 2 : 화합물 a-3의 합성
Figure imgf000122_0001
중간 ¾l A-2-4
중간체 A-3-1 의 합성
500 mL둥근 플라스크에 증간체 A-2-3 20.0 g (44.6 mmol),
1-브로모 -3-아이오도벤젠 12.6 g (44.6 mmol), 탄산칼륨 15.4 g (1 1 1.5 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.4 g (2.6 mmol)을 1,4ᅳ다이옥산 140 mL, 물 70 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 400 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후,
모노클로로밴젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄을로 재결정하여 중간체 A-3-1 (16.4 g, 77%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C28H17BrN20 ： C, 70.45; H, 3.59; Br, 16.74; N, 5.87; O, 3.35; found ： C, 70.44;
H, 3.56; Br, 16.73; N, 5.83; O, 3.32
중간체 A-3-2의 합성
250 mL 폴라스크에 증간체 A-3-1 (16.4 g, 36.7 mmol), 4，4,4'，4'，
5,5,5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2ᅳ다이옥사보로란 (1 1.2 g, 44.0 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 10.8 g, 1 10.0 mmol) 및 Ι,Γ-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (L8g, 2.2 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름 아마이드 150 mL에 넣은 후, 130°C에서 24시간 교반하였다. 반웅 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 A-3-2를 흰색의 고체 (15.2 g, 수율 = 79 %)로 얻었다.
calcd. C34H29BN203 ： C, 77.87; H, 5.57; B, 2.06; N, 5.34; 0， 9.15; found ： C, 77.83; H, 5.57; B, 2.04; N, 5.32; 0, 9.10 화합물 a-3 의 합성
100 mL 플라스크에 중간체 A-3-2 5.0 g (9.5 mmol), 중간체 A-2-4 3.7 g (9.5 mmol), 탄산칼륨 3.3 g (23.8 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.6 g (0.5 mmol)을 1 ,4-다이옥산 30 mL, 물 15 mL 에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안
가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 lOO mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 a-3 (4.9 g, 73%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C49H31N50： C, 83.38; H, 4.43 ; N, 9.92; 0, 2.27; found： C, 83.34; H, 4.42; N, 9.90; 0， 2.24 합성예 3 : 화합물 a-6
Figure imgf000123_0001
g Z! i!l A- 2- 3 중간체 A-2-4 대신 중간체 A-6-1 (구입처: UMT 社)을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 합성예 1의 화합물 a-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 a-6 (4.2 g, 68%의 수을) 를 합성하였다.
calcd. C44H28N40： C, 84.06; H, 4.49; N, 8.91 ; 0, 2.54; found： C, 84.01 ; H, 4.46; N; 8.88; 0, 2.53 합성예 4： 화합물 a-7의 합성
Figure imgf000123_0002
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-6-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 2의 화합물 a-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 A-7 (4.6 g, 65%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C50H32N4O： C, 85.20; H, 4.58; N, 7.95; 0, 2.27; found： C, 85.18; H, 4.52; N: 7.94; 0, 2.22
Figure imgf000124_0001
중간 ¾| A- 19-5 중간체 A-19-1의 합성
2000 mL플라스크에 중간체 A 50.0 g (209.2 mmol), 3-클로로페닐 보로닉에시 ^
32.7 g (209. 5 mmol), 탄산칼륨 72.3 g (522.9 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 12.1 g (10.5 mmol)을 1,4-다이옥산 600 mL, 물 300 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 55 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 2000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 모노클로로밴젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 A-19-1 (48.8 g, 74%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C16H8C12N20： C, 60.98; H, 2.56; C1, 22.50; N, 8.89; 0, 5.08; found： C, 60.93; H, 2.55; C1, 22.50; N, 8.83; 0, 5.05
중간체 A-19-2 의 합성
1000 mL등근 플라스크에 중간체 A-19-1 48.0 g (152.3 mmol), 페닐
보로닉에시드 18.6 g (152.3 mmol), 탄산칼륨 52.6 g (380.8 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 8.8 g (7.6 mmol)을 I,4-다이옥산 400 mL, 물 200 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다.
이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 1200 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 A-19-2 (39.1 g, 72%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C22H13C1N20： C, 74.06; H, 3.67; C1, 9.94; N, 7.85; O, 4.48; found： C, 74.01 ; H: 3.66; C1, 9.91 ; N, 7.81 ; O, 4.44
중간체 A- 19-3의 합성
1 L플라스크에 중간체 A-19-2 (39.0 g, 109.3 mmol), 4,4,4',4',
5,5,5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 (33.3 g, 131.2 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 32.2 g, 327.9 mmol) 및 1,1 '-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (Π)다이클로라이드 (5.4g, 6.6 mmol), 트리사이클로핵실포스핀 (4.6g, 16.4 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름아마이드 500 mL에 넣은 후， 130°C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한
유기층으로부터 황산마그네슴을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 중간체 A-19-3을 흰색의 고체 (37.0 g, 수율 = 76 %)로 얻었다.
calcd. C28H25BN203： C, 75.01 ; H, 5.62; B, 2.41; N, 6.25; 0, 10.71 ; found： C, 74.99;
H, 5.60; B, 2.39; N, 6.24; 0， 10.68
■ 중간체 A-19-4 의 합성
500 mL등근 플라스크에 중간체 A-19-3 37.0 g (82.5 mmol),
1-브로모 -3-아이오도벤젠 23.4 g (82.5 mmol), 탄산칼륨 28.5 g (206.5 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 4.8 g (4.l mmol)을 1,4-다이옥산 280 mL, 물 140 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다： 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 850 mL에 가하예결정화된 고형분을 여과한 후， 모노클로로밴젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄을로 재결정하여 중간체 A-19-4 (26.8 g, 68%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C28H17BrN20： C, 70.45; H, 3.59; Br, 16.74; N, 5.87; O, 3.35; found： C, 70.42;
H, 3.55; Br, 16.71; N, 5.82; O, 3.34
중간체 A- 19-5의 합성
250 mL플라스크에 중간체 A-19-4 (15.0 g, 31.4 mmol), 4,4,4',4',
5，5,5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 (9.6 g, 37.7 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 9.3 g, 94.3 mmol) 및 1,1'-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (Π)다이클로라이드 (1.5g, 1.9 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름 아마이드 150 mL에 넣은 후, 130°C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슴을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 A-19-5를 흰색의 고체 (11.1 g, 수율 = 67 %)로 얻었다.
calcd. C34H29BN203： C, 77.87; H, 5.57; B, 2.06; N, 5.34; O, 9.15; found： C, 77.85; H 5.54; B, 2.03; N, 5.32; O, 9.13
화합물 a-19 의 합성
250 mL플라스크에 중간체 A-19-5 15.0 g (28.6 mmol), 중간체 A-2-4 11.1 g (28.6 mmol), 탄산칼륨 9.9 g (71.5 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) l.7 g (l.4 mmol)을 1,4-다이옥산 lOO mL, 물 50 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로
여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 a-19 (14.3 g, 71%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C49H31N50： C, 83.38; H, 4.43; N, 9.92; 0， 2.27; found： C, 83.35; H, 4.41; N, 9.89; 0, 2.22 합성예 6 : 화합물 a-39의 합성
Figure imgf000127_0001
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-39-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 2의 화합물 a-3의 합성 동일한 방법을 이용하여, 화합물 a-39 (5.7 g, 68%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C48H30N4O： C, 84.93; H, 4.45; N, 8.25; 0, 2.36; found： C, 84.90; H, 4.43; N, 8.24; 0, 2.32 합성예 7 : 화합물 a-55의 합성
Figure imgf000127_0002
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-55-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 2의 화합물 a-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 A-55 (6.1 g, 72%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C47H30N4O： C, 84.66; H, 4.54; N, 8.40; O, 2.40; found： C, 84.61 ; H, 4.47; N, 8.37; 0, 2.40 합성예 8 : 화합물 b-2의 합성
Figure imgf000127_0003
§간 1 B(1 ) ¾'간체 Β
Figure imgf000128_0001
중간 I A-2-4
중간체 B(l) (벤조 -1H-티에노 「3,2-(11피리미딘 -2,4-디온)의 합성
2L등근 플라스크에 -메틸 3-아미노 -벤조 2-티오펜카르복실레이트 (237.5g, 1.15mol) 및 우레아 (397.0g, 5.75mol)의 흔합물을 200°C에서 2 시간 동안 교반 하였다. 고온의 반응 흔합물을 상온으로 식힌 후, 수산화나트륨 용액에 붓고, 불순물을 여과하여 제거한 다음, 반응물을 산성화하여 (HCI, 2N), 수득한 침전물을 건조시켜 증간체 B(l)을 수득하였다 (175g, 75 %).
calcd. Ci0H6N2O2S： C, 55.04; H, 2.77; N, 12.84; O, 14.66; S, 14.69; found： C, 55.01; H, 2.79; N, 12.81; 0， 14.69; S, 14.70
. 중간체 B(벤조 -2,4-디클로로-티에노「3,2-(11피리미딘)의 합성
3000 mL등근 플라스크에 중간체 B(l) (벤조 -1H-티에노 [3,2-d]피리미딘 -2,4-디은) (175 g, 0.80mol) 및 옥시염화인 (1000 mL)의 흔합물을 환류하에 8시간 동안
교반하였다. 반응 흔합물을 상온으로 냉각시키고, 세게 교반하면서 얼음 /물에 부어， 침전물을 생성하였다. 이로부터 수득한 반응물을 여과하여, 중간체
B (벤조 -2,4-디클로로-티에노 [3,2-d]피리미딘 ) (175g, 85%, 백색 고체)를 수득하였다.
생성된 중간체 B의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. Ci0H4Cl2N2S： C, 47.08; H, 1.58; C1, 27.79; N, 10.98; S, 12.57; found： C, 47.03; H, 1.61 ; C1, 27.81 ; N, 10.98; S, 12.60
중간체 B-2-1의 합성
2000 mL 플라스크에 중간체 B 7으 0 g (274.4 mmol), 페닐보로닉에시드 33.5 g
(274.4 mmol), 탄산칼륨 94.8 g (6δ6.0 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 15.9 g (13.7 mmol)을 1,4-다이옥산 800 mL, 물 400 mL 에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 24시간 동안 50°C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 3000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 모노클로로벤젠에 녹여
실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄을로 재결정하여 중간체 B-2-1 (59.4 g, 73%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C16H9C1N2S： C, 64.75; H, 3.06; C1, 1 1.95; N, 9.44; S, 10.80; found： C, 64.70; H, 3.02; C1, 1 1.93; N, 9.40; S, 10.73
중간체 B-2-2 의 합성
2 L등근 플라스크에 중간체 B-2-1 59.0 g (198.8 mmol), 3-클로로페닐
보로닉에시드 31.1 g (198.8 mmol), 탄산칼륨 68.7 g (497.0 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듬 (0) 11.5 g (9.9 mmol)을 1,4-다이옥산 600 mL, 물 300 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다.
이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 2000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄올로 재결정하여 중간체 B-2-2 (51.2 g, 69%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C22H13C1N2S： C, 70.87; H, 3.51 ; C1, 9.51 ; N, 7.51 ; S, 8.60; found C, 70.84; H, 3.46; C1, 9.50; N, 7.47; S, 8.58
중간체 B-2-3의 합성
1 L플라스크에 중간체 B-2-2 (50.0 g, 134.1 mmol), 4,4,4',4',
5，5,5'，5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 ( 40.9 g, 160.9 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 39.5 g, 402.3 mmol) 및 Ι ,Γ-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (6.6g, 8.1 mmol), 트리사이클로핵실포스핀 (5.6g, 20.1 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름아마이드 500 mL에 넣은 후, 130 °C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한
유기층으로부터 황산마그네슴을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여， 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 중간체 B-2-3을 흰색의 고체 (40.3 g, 수율 = 69 %)로 얻었다ᅳ
calcd. C28H25BN202S： C, 72.42; H, 5.43; B, 2.33; N, 6.03; 0, 6.89; S, 6.90; found： C 72.40; H, 5.42; B, 2.32; N, 6.00; 0, 6.82; S, 6.85
화합물 b-2 의 합성
100 mL플라스크에 중간체 B-2-3 5.0 g (10.8 mmol), 중간체 A-2-4 4.2 g (10.8 mmol), 탄산칼륨 3.7 g (27.0 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.6 g (0.5 mmol)을 1,4-다이옥산 40 mL, 물 20 mL 에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다ᅳ 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 150 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 b-2 (4.7 g, 68%의 수을)을 수득하였다.
calcd. C43H27N5S ： C, 79.98; H, 4.21 ; N, 10.84; S, 4.97; found ： C, 79.95; H, 4.20; N: 10.81; S, 4.92
Figure imgf000130_0001
중간체 B-3-1 의 합성
500 mL등근 플라스크에 중간체 B-2-3 20.0 g (43.1 mmol),
1-브로모 -3-아이오도벤젠 12.2 g (43.1 mmol), 탄산칼륨 14.9 g (10그 7 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.5 g (2ᅳ2 mmol)을 I,4-다이옥산 140 mL, 물 70 mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 18시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 450 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후,
모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 B-3-1 (15.9 g, 75%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C28H17BrN2S ： C, 68.16; H, 3.47; Br, 16.19; N, 5.68; S, 6.50; found ： C, 68.12; H, 3.46; Br, 16.18; N, 5.63; S, 6.43
중간체 B-3-2의 합성
250 mL 플라스크에 중간체 B-3-1 (15.9 g, 32.2 mmol), 4,4,4',4', 5,5,5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 (9.8 g, 38.7 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 9.5 g, 96.7 mmol) 및 Ι,Γ-비스 (다이페닐포스피노) '
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (1.6g, 1.9 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름 아마이드 150 mL에 넣은 후, 130°C에서 24시간 교반하였다. 반웅 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼 크로마토그래괴로 정제하여 중간체 B-3-2를 흰색의 고체 (13.2 g, 수율 = 76 %)로 얻었다.
calcd. C34H29BN202S： C, 75.56; H, 5.41; B, 2.00; N, 5.18; 0, 5.92; S, 5.93; found： C 75.51 ; H, 5.40; B, 1.95; N, 5.16; 0, 5.90; S, 5.92
화합물 b-3 의 합성
100 mL플라스크에 중간체 B-3-2 4.0 g (7.4 mmol), 중간체 A-2-4 2.9 g (7.4 mmol): 탄산칼륨 2.6 g (18.5 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.4 g (0.4 mmol)을 1，4-다이옥산 20 mL, 물 10 mL 에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안
가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 lOO mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 b-3 (3.7 g, 71%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C49H31N5S： C, 81.53; H, 4.33; N, 9.70; S, 4.44; found： C, 81.51 ; H, 4.30; N, 9.64; S, 4.41 합성예 10： 화합물 b-6의 합성
Figure imgf000131_0001
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-6-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 8의 화합물 b-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여， 화합물 b-6 (4.6 g, 65%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C44H28N4S： C, 81.96; H, 4.38; N, 8.69; S, 4.97; found： C, 81.92; H, 4.37; N, 8.65; S, 4.91 합성예 11 : 화합물 b-7의 합성
Figure imgf000132_0001
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-6-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 9의 화합물 b-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 b-7 (4.7 g, 68%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C50H32N4S： C, 83.31 ; H, 4.47; N, 7.77; S, 4.45; found： C, 83.30; H, 4.46; N: 7.76; S, 4.41 합성예 12： 화합물 b-19의 합성
Figure imgf000132_0002
Iftri b-19
중간체 B-19-1의 합성
2000 mL플라스크에 중간체 B 50.0 g (196.0 mmol), 3-클로로페닐 보로닉에시드
30.7 g (196.0 mmol), 탄산칼륨 67.7 g (490.0 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 11.3 g (9.8 mmol)을 1 ,4-다이옥산 600 mL, 물 300 mL에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안 55 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 2000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 B-19-1 (46.7 g, 72%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C16H8C12N2S： C, 58.02; H, 2.43; C1, 21.41 ; N, 8.46; S, 9.68; found： C, 58.00; H, 2.42; C1, 21.40; N, 8.43; S, 9.61
중간체 B-19-2 의 합성
lOOO mL둥근 플라스크에 중간체 B-19-1 46.0 g (138.9 mmol), 페닐
보로닉에시드 16.9 g (138.9 mmol), 탄산칼륨 48.0 g (347.2 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 8.0 g (6.9 mmol)을 I,4-다이옥산 400 mL, 물 200 mL에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다.
이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1200 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 B-19-2 (38.8 g, 75%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C22H13C1N2S： C, 70.87; H, 3.51 ; C1, 9.51; N, 7.51 ; S, 8.60; found： C, 70.83; H, 3.48; C1, 9.45; N, 7.50; S, 8.58
중간체 B- 19-3의 합성
1 L플라스크에 중간체 B-19-2 (38.0 g, 101.9 mmol), 4,4,4'，4'，
5,5,5'，5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 (31.1 g, 122.3 mmol), 아세트산칼륨 (KO Ac, 30.0 g, 305.7 mmol) 및 Ι,Γ-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (5.0g, 6.1 mmol), 트리사이클로핵실포스핀 (4.3g, 15.3 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름아마이드 500 mL에 넣은 후， 130 °C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반웅 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한
유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여， 컬렁
크로마토그래피로 정제하여 중간체 B- 19-3을 흰색의 고체 (34.1 g, 수율 = 72 %)로 얻었다.
calcd. C28H25BN202S： C, 72.42; H, 5.43; B, 2.33; N, 6.03; 0, 6.89; S, 6.90; found： C
72.40; H, 5.38; B, 2.30; N, 6.01 ; 0， 6.83; S, 6.86
중간체 B-19-4 의 합성
500 mL둥근 플라스크에 중간체 B- 19-3 34.0 g (73.2 mmol),
1-브로모 -3-아이오도벤젠 20/7 g (73.2 mmol), 탄산칼륨 25.3 g (183.0 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 4.2 g (3.7 mmol)을 1 -다이옥산 240 mL, 물 120 mL에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 혼합물을 메탄을 720 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 샐라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 B-19-4 (24.9 g, 69%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C28H17BrN2S： C, 68.16; H, 3.47; Br, 16.19; , 5.68; S, 6.50; found： C, 68.15;
H, 3.44; Br, 16.16; N, 5.61 ; S, 6.43
중간체 B- 19-5의 합성
250 mL플라스크에 중간체 B-19-4 (15.0 g, 30.4 mmol), 4,4,4',4',
5,5，5'，5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1,3,2-다이옥사보로란 (9.3 g, 36.5 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 9.0 g, 91.2 mmol) 및 1，1 '-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (1.5g, 1.8 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름 아마이드 150 mL에 넣은 후， 130 °C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여， 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 B-19-5를 흰색의 고체 (12.0 g, 수율 = 73 %)로 얻었다.
calcd. C34H29BN202S： C, 75.56; H, 5.41 ; B, 2.00; N, 5.18; O, 5.92; S, 5.93; found： C 75.52; H, 5.39; B, 1.95; N, 5.13; 0, 5.88; S, 5.91
화합물 b-19 와 합성
250 mL플라스크에 중간체 B-19-5 15.0 g (27.8 mmol), 중간체 A-2-4 10.8 g (27.8 mmol), 탄산칼륨 9.6 g (69.4 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 1.6 g (1.4 mmol)을 1,4-다이옥산 80 mL, 물 40 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 250 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로
여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 b-19 (13.8 g, 69%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C49H31N5S： C, 81.53; H, 4.33; N, 9.70; S, 4.44; found： C, 81.50; H, 4.31 ; N, 9.63; S, 4.41 합성예 13： 화합물 b-39의 합성
Figure imgf000135_0001
중간체 A-2-4 대신 중간체' A-39-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 9의 화합물 b-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여 화합물 b-39 (4.6 g, 70%의 수율) 를 합성하였다ᅳ
calcd. C48H30N4S： C, 82.97; H, 4.35; N, 8.06; S, 4.61; found： C, 82.97; H, 4.34; N; 8.03; S, 4.59 합성예 14 : 화합물 b-55의 합성
Figure imgf000135_0002
중간체 A- 55- 1
중간체 A-2-4 대신 중간체 A-55-1을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 9의 화합물 b-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여， 화합물 b-55 (5.8 g, 68%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C47H30N4S： C, 82.67; H, 4.43; N, 8.21 ; S, 4.70; found： C, 82.65; H, 4.41; N, 8.20; S, 4.63 합성예 15 : 화합물 c-2의 합성
Figure imgf000135_0003
중간. ¾| C-2
Figure imgf000136_0001
중간체 C-2의 합성
2000 mL 플라스크에 증간체 C-1 45.0 g (171.7 mmol),
2,4,6-트리클로로피리미딘 30.0 g (163.5 mmol), 탄산칼륨 56.5 g (408.9 mmol),
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 9.5 g (8.2 mmol)을 1 ,4-다이옥산 O mL, 물
270mL를 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 1000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 를루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 C-2 (37.0 g, 76%의 수율)을 수득하였다.
Calcd. C12H12C12N2Si: C, 50.89; H, 4.27; CI, 25.03; N, 9.89; Si, 9.92; found: C, 50.32; H, 4.22; CI, 24.98; N, 9.73; Si, 9.84；
중간체 C 의 합성
1000 mL플라스크에 중간체 C-2 37.0 g (130.6 mmol),
클로로트리스 (트리페닐포스핀)로듐 (1) 2.4 g (2.6 mmol) 를 넣고 1,4—다이옥산 600 ml 를 적가하고, 흔합물을 질소 기류 하에서 8시간동안 가열하여 환류하였다. 반응 종료 후, 유기층을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 C (20.2 g, 55%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C12H10C12N2Si: C, 51.25; H, 3.58; CI, 25.21 ; N, 9.96; Si, 9.99; found: C, 51.15; H, 3.53; CI, 25.16; N, 9.90; Si, 9.93
화합물 c-2 의 합성
중간체 A 대신 중간체 C을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 1의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하껴, 화합물 c-2 (5.3 g, 68%의 수율) 를 합성하였다. calcd. C45H33N5Si： C, 80.45; H, 4.95; N, 10.42; Si, 4.18; found： C, 80.43; H, 4.94; N, 10.41 ; Si, 4.15 합성예 16： 화합물 d-18의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물 d-18를 하기
5단계의 경로를 통해 합성하였다. Ci
Figure imgf000137_0001
중간^ 중간 ; D-2 중간 ¾ D-3 ^ ' D-4
Figure imgf000137_0002
^ M D-6 화랍울 d-18
중간체 D-2의 합성 .
2()00mL플라스크에 중간체 D-l (구입처: TCI 社) 50.0 g (222.2 mmol),
4,4,5,5-테트라메틸 -2-(2-니트로페닐) -1,3,2-다이옥사보란 5(). l g (233.3 mmol), 탄산칼륨 76.8 g (555.4 mmoI), 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 12.8 g (l l ,l mmol)을
1,4-다이옥산 700 mL, 물 350 mL를 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 2000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 를루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 D-2 (54.5 g, 75%의 수율)을 수득하였다.
Calcd. C16H10C1N3O2： C, 61.65; H, 3.23; C1, 1 1.37; N, 13.48; 0, 10.27; found： C, 61.23; H, 3.15; C1, 11.37; N, 13.21 ; O, 10.20;
중간체 D-3의 합성 .
2000 mL플라스크에 중간체 D-2 50.0 g (160.4 mmol), 3-클로로 페닐보로닉 에시드 25.1 g (160.4 mmol), 탄산칼륨 55.4 g (401.0 mmol), 테트라키스
(트리페닐포스핀)팔라듐 9.3 g (8.0 mmol)을 1 ,4-다이옥산 500 mL, 물 250 mL를 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 가 <결하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1500 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 를루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 D-3 (42.9 g, 69%의 수율)을 수득하였다. . Calcd. C22H14C1N302： C, 68.13; H, 3.64; CI, 9.14; N, 10.83; O, 8.25; found： C, 68.09; H, 3.62; CI, 9.13; N, 10.81 ; O, 8.23;
중간체 D-4의 합성
250ml 플라스크에 중간체 D-3 (20.0 g, 51.6 mmol) 및 트리페닐포스핀 (40.6 g, 154.7 mmol)을 넣고 1,2-다이클로로벤젠 (DCB) 120 ml를 넣은 후， 질소치환을 하고 16시간 동안 150 °C에서 교반하였다. 1 ,2-다이클로로벤젠를 증류하여 제거하고 실온으로 넁각시킨 다음, 소량의 를루엔에 녹인 후 컬럼 크로마토그래피로
정제 (Hexane) 하여 중간체 D-4 (9.5 g, 52 %의 수율)을 얻었다.
Calcd. C22H14C1N3： C, 74.26; H, 3.97; C1, 9.96; N, 1 1.81 ; found： C, 74.21 ; H, 3.94; C1, 9.91 ; N, 1 1.75;
중간체 D-5의 합성
250 mL 등근 플라스크에 중간체 D-4 8.4 g (23.2 mmol), 브로모벤젠 3.6 g (23.2 mmol), 소듐 t-부록사이드 4.5 g (46.3 mmol), Pd(dba)2 1.3 g (2.3 mmol), 트리
t-부틸포스핀 1.9 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 150 mL 에 넣고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 D-5 (6.0 g, 73%의 수율)를 수득하였다. 생성된 중간체 D-5의 원소 분석 결과 하기와 같다.
calcd. C28H18C1N3： C, 77.86; H, 4.20; C1, 8.21 ; N, 9.73; found： C, 77.82; H, 4.16; C1, 8.20; N, 9.71
화합물 d-18의 합성
250 mL플라스크에 중간체 D-5 6.0 g (13.9 mmol), 중간체 D-6 (중간체
A-2-4를 일반식 A의 반응식에 따라 합성함 ) 6.1 g (13.9 mmol), 탄산칼륨 4.8 g (34.7 mmol), 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 으8 g (0.7 mmol)을 I,4-다이옥산 50 mL, 물 25 mL를 넣어준 후， 질소 기류 하에서 16시간 동안 가열하여 환류하였다.
이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 150 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 틀루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 d-18 (3.4 g, 35%의 수율)을 수득하였다.
Calcd. C49H32N6： C, 83.50; H, 4.58; N, 11.92; found： C, 83.47; H, 4.55; N, 1 1.91 ; 합성예 17 : 화합물 e-2의 합성 八 CN O
ci- O"
Wdricli ii TCI it
Figure imgf000139_0001
:2i m e- t
Figure imgf000139_0002
§간체 g간체
' 씨
Figure imgf000139_0003
^Z! il! D-6 화합울 '
중간체 E-2 의 합성
2000 mL등근 플라스크에 -78 °C에서 디클로로메탄 (lOOOmL) 중 중간체 E-1 (35.0 g, 183.1mmol)의 용액에 클로로술포닐 이소시아네이트 (23.7 ml, 274.6 mmol)를 적가하였다. 반웅물을 실온으로 천천히 가온시키고， 2시간 동안 교반하였다.
반응물을 농축시킨 후， 잔류물에 6N (300 ml)을 첨가하고, 흔합물을 100 °C로 1시간 동안 교반하였다. 반웅 흔합물을 실온으로 넁각시키고, 포화 NaHC03 수용액으로 중화시켰다. 생생된 고체를 여과하여， 중간체 E-2 (43.2 g, 88%)를 베이지색 고체로서 수득하였다.
calcd. C10H9NO3： C, 62.82; H, 4.74; N, 7.33; 0, 25.11; found： C, 62.82; H, 4.74; N, 7.33; 0, 25.11
중간체 E-3 의 합성
1000 mL둥근 플라스크에 중간체 E-2 (40.0g, 0.19mol)를 메탄올 1000ml에 현탁시키고， 2 M NaOH(300ml)를 적가하였다. 반응 흔합물을 환류하에 3시간 동안 교반하였다ᅳ 반웅 흔합물을 실온으로 넁각시키고, Cone. HC1을 이용하여 pH 3까지 산성화시켰다. 흔합물을 농축시킨 후， 메탄을을 잔류물에 서서히 적가하여 고체를 침전시킨다. 생성된 고체를 여과 후, 건조하여 중간체 E-3 (39.0g, 85%)을 수득하였다. calcd. C11H10N2O4： C, 56.41 ; H, 4.30; N, 11.96; O, 27.33; found： C, 56.40; H, 4.20; N, 1 1.92; O, 27.31
중간체 E-4 의 합성
500 mL등근 플라스크에 중간체 E-3 (39.0 g, 191. Ommol) 및 옥시염화인 200mL 의 흔합물을 환류하에 8시간 동안 교반하였다. 반응 흔합물을 상온으로 넁각시키고, 세게 교반하면서 얼음 /물에 부어， 침전물을 생성하였다. 이로부터 수득한 반응물을 여과하여, 중간체 E-4을 수득하였다 . (40 g, 89%, 백색 고체)
calcd. C10H4C12N2O： C, 50.24; H, 1.69; C1, 29.66; N, 11.72; 0, 6.69; found： C, 50.21 ; H, 1.65; C1, 29.63; N, 11.64; O, 6.62
중간체 E-5의 합.성
500 mL플라스크에 중간체 E-4 10.0 g (41.8 mmol), 페닐보론산 5.4 g (43.9 mmol), 탄산칼륨 14.5 g (104.6 mmol) 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.4 g (2.l mmol)을 1 ,4-다이옥산 140 mL, 물 70 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 10시간 동안 60 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 450 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로
여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 E-5 (8.0 g, 65%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C16H9C1N20： C, 68.46; H, 3.23; C1, 12.63; N, 9.98; O, 5.70; found： C, 68.40; H: 3.22; C1, 12.61 ; N, 9.94; 0, 5.70
중간체 E-6의 합성
500 mL플라스크에 증간체 E-5 10.0 g (35.6 mmol), 3-클로로 -페닐보론산 (TCI社)
5.6 g (35.6 mmol), 탄산칼륨 12.3 g (89.1 mmol) 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.1 g (1.8 mmol)을 1,4-다이옥산 100 mL, 물 50 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 55 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 500 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 E-6 (8.6 g, 68%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C22H13C1N20： C, 74.06; H, 3.67; C1, 9.94; N, 7.85;Ό, 4.48; found： C, 74.02; H, 3.65; C1, 9.90; N, 7.81 ; 0, 4.46
화합물 e-2의 합성
중간체 A-2-3, A-2-4 대신 중간체 E-6, D-6을 각각 사용하였다는 점을
제외하고는, 상기 합성예 1의 화합물 a-2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 e-2 (3.9 g, 37%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C43H27N50： C, 82.02; H, 4.32; N, 11.12; 0, 2.54; found： C, 81.99; H, 4.28; N; 11.10; O, 2.52 합성예 18： 화합물 e-3의 합성
Figure imgf000141_0001
중간체 E-7의 합성
500mL플라스크에 중간체 E-6 20.0 g (56.1 mmol), 4,4,4',4',
5，5,5',5'-옥타메틸 -2,2'-바이 (1 ,3,2-다이옥사보로란 (17.1 g, 67.3 mmol), 아세트산칼륨 (KOAc, 16.5 g, 168.2 mmol) 및 1 ,1 '-비스 (다이페닐포스피노)
페로센-팔라듐 (II)다이클로라이드 (2.8 g, 3.4 mmol), 트리사이클로핵실포스핀 (2.4 g, 8.4 mmol)을 Ν,Ν-다이메틸포름아마이드 280 mL에 넣은 후, 130 °C에서 24시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반웅 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한
유기층으로부터 황산마그네슴을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 증간체 E-7을 흰색의 고체 (18.1 g, 수율 = 72 %)로 얻었다.
Calcd. C28H25BN203： C, 75.01 ; H, 5.62; B, 2.41 ; N, 6.25; O, 10.71 ; found： C, 75.01 ; H, 5.58; B, 2.39; N, 6.23; 0, 10.70;
중간체 E-8의 합성
500 mL플라스크에 중간체 E-7 18.0 g (40.2 mmol), 1-브로모 -3-아이오도벤젠
11.4 g (40.2 mmol), 탄산칼륨 13.9 g (100.4 mmol) 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.3 g (2.0 mmol)을 1 ,4-다이옥산 120 mL, 물 60 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 65 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 500 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여
실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄을로 재결정하여 중간체 E-8 (13.6 g, 71 %의 수율)를 수득하였다.
calcd. C28H17議 20： C, 70.45; H, 3.59; Br, 16.74; N, 5.87; O, 3.35; found： C, 70.43; H, 3.58; Br, 16.71 ; N, 5.85; O, 3.32 화합물 e-3의 합성
250 mL플라스크에 중간체 E-8 13.0 g (27.2 mmol), 중간체 D-6 11.9 g (27.2 mmol), 탄산칼륨 9.4 g (68.1 mmol) 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 1.6 g (1.4 mmol)을 1,4-다이옥산 80 mL, 물 40 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 65 °C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 250 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 e-3 (12.7 g, 66%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C49H31N50： C, 83.38; H, 4.43; N, 9.92; 0， 2.27; found： C, 83.36; H, 4.40; N; 9.91; 0, 2.22 합성예 19： 화합물 f-2의 합성
CP정 II；
,,β Acetic n i dride ^
~τ
CIS It-g ift TC
Figure imgf000142_0001
0씨
TCI社
Figure imgf000142_0002
중간체 F-2 의 합성 250 mL등근 플라스크에 중간체 F-l (35.0g, 0.17mol) 및 우레아 (50.7g,
0.84mol)의 흔합물을 200°C에서 2 시간 동안 교반하였다. 고은의 반응 흔합물을 상온으로 식힌 후, 수산화나트륨 용액에 붓고, 불순물을 여과하여 제거한 다음, 반웅물을 산성화하여 (HC1, 2N), 수득한 침전물을 건조시켜 중간체 F-2를 수득하였다 (18,9g, 51 %).
calcd. C10H6N2O2S： C, 55.04; H, 2.77; N, 12.84; 0, 14.66; S, 14.69; found： C, 55.01 ;
H, 2.77; N, 12.83; 0, 14.65; S, 14.63
제 2 단계: 중간체 F-3 의 합성
250 mL등근 플라스크에 증간체 F-2 (18.9 g, 99.2mmol) 및 옥시염화인
(lOOmL)의 흔합물을 환류하에 6시간 동안 교반하였다. 반옹 흔합물을 상온으로 넁각시키고, 세게 교반하면서 얼음 /물에 부어, 침전물을 생성하였다. 이로부터 수득한 반웅물을 여과하여, 중간체 F-3을 수득하였다. (17.5g, 85 % , 백색 고체)
calcd. C10H4C12N2S： C, 47.08; H, 1.58; C1, 27.79; N, 10.98; S, 12.57; found： C, 47.04; H, 1.53; C1, 27.74; N, 10.96; S, 12.44
중간체 F-4의 합성
500 mL플라스크에 증간체 F-3 10.0 g (39.2 mmol), 페닐보론산 5.3 g (43.1 mmol) 탄산칼륨 13.5 g (98.0 mmol) 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.3 g (2.0 mmol)을
I, 4—다이옥산 140 mL, 물 70 mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 10시간 동안 60°C로 가열하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 450 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클.로로벤젠에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄을로 재결정하여 중간체 F-4 (8.0 g, 69%의 수율)를
수득하였다.
calcd. C16H9C1N2S： C, 64.75; H, 3.06; C1, 1 1.95; N, 9.44; S, 10.80; found： C, 64.72; H, 3.06; C1, 11.94; N, 9.42; S, 10.77
중간체 F-5의 합성
중간체 E-5 대신 중간체 F-4를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 Π의 중간체 E-6의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 중간체 F-5 (10.3 g, 65%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C22H13C1N2S： C, 70.87; H, 3.51 ; C1, 9.51 ; N, 7.51 ; S, 8.60; found： C, 70.83; H, 3.49; C1, 9.47; N, 7.50; S, 8.54
화합물 f-2의 합성 증간체 E-6 대신 중간체 F-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 17의 화합물 e— 2의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여， 화합물 f-2 (4.1 g, 39%의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C43H27N5S： C, 79.98; H, 4.21 ; N, 10.84; S, 4.97; found： C, 79.94; H, 4.17; N: 10.82; S, 4.95 합성예 20 : 화합물 f-3의 합성
Figure imgf000144_0001
중간체 F-6의 합성
중간체 E-6 대신 중간체 F-5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예
18의 중간체 E-7의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 중간체 F-6 (15.4 g, 74%의 수율) 를 합성하였다.
Calcd. C28H25BN202S： C, 72.42; H, 5.43; B, 2.33; N, 6.03; O, 6.89; S, 6.90; found： C, 72.39; H, 5.40; B, 2.31 ; N, 6.02; 0, 6.85; S, 6.87;
중간체 F-7의 합성
중간체 E-7 대신 중간체 F-6를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 합성예 18의 중간체 E-8의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여， 중간체 F-7 (12.4 g, 71 %의 수율) 를 합성하였다.
calcd. C28H17BrN2S： C, 68.16; H, 3.47; Br, 16.19; N, 5.68; S, 6.50; found： C, 68.13; H, 3.45; Br, 16.15; N, 5.67; S, 6.50
화합물 f-3의 합성
중간체 E-8 대신 중간체 F-7를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 합성예 18의 화합물 e-3의 합성 방법과 동일한 방법을 이용하여, 화합물 fᅳ 3 (9.3 g, 70%의 수율) 를 합성하였다.
Calcd. C49H31N5S： C, 81.53; H, 4.33; N, 9.70; S, 4.44; found： C, 81.51 ; H, 4.30; N,
9.67; S, 4.42;
(제 2 호스트 화합물의 합성)
합성예 21： 화합물 A1의 합성
Figure imgf000145_0001
화합울 A1
질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL 등근바닥 플라스크에
3-브로모 -N-페닐카바졸 16.62 g(51.59 mmol), N-페닐카바졸 -3-일보론산 17.77 g(61.91 mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1 :1) 200 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100 mL를 흔합한 후, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 2.98 g(2.58 mmol)을 넣고
질소기^하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 반응물을 메탄을에 부어 고형물을 여과한 다음， 수득한 고형물을 물과 메탄을로 충분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 1 L의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거한 후, 500mL의 를루엔에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 A1 16.05 g (수율 64%)을 수득하였다.
calcd. C36H24N2: C, 89.23; H, 4.99; N, 5.78; found: C, 89.45; H, 4.89; N, 5.65
Figure imgf000145_0002
화합을 A2 질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL 등근바닥 플라스크에
3-브로모 -N-바이페닐카바졸 20.00 g(50.21 mmol), N-페닐카바졸 -3-보로닉에스터 18.54 g(50.21 mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1 :1) 175 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 75 mL를 흔합한 후, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 2.90 g(2.51 mmol)을 넣고 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반웅 종결 후 반응물을 메탄을에 부어 고형물을 여과한 다음 수득한 고형물을 물과 메탄올로 층분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 700 mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거한 후, 400mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 A2 19.15 g (수율 68%)을 수득하였다.
calcd. C42H28N2: C, 89.97; H, 5.03; N, 5.00; found: C, 89.53; H, 4.92; N, 4.89 합성예 23: 화합물 A5의 합성
Figure imgf000146_0001
화합물 A5
500 mL 둥근 플라스크에 Nᅳ페닐 -3,3-바이카바졸 12.81 g (31.36 mmol),
2-클로로 -다이 -4,6-페닐피리딘 8.33 g (31.36 mmol), 소듐 t-부특사이드 6.03 g (62.72 mmol), 트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 1.80 g (3.14 mmol) 및 트리 t-부틸포스핀 2.6 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 200 mL 에 넣고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 600 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 1유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 A5 (13.5 g, 68%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C47H31N3： C, 88.51 ; H, 4.90; N, 6.59; found： C, 88.39; H, 4.64; N, 6.43 합성예 24: 화합물 A15의 합성
Figure imgf000147_0001
화 &S A15 질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL 등근바닥 플라스크에
3-브로모 -N-페닐카바졸 10.00 g(3 L04 mmol), 2-트리페닐렌보로닉 에스터 10.99 g(31.04 mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1 :1) 150 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 75mL를 흔합한 후, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 1.79 g(1.55mmol)을 넣고
질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 반웅물을 메탄올에 부어 고형물을 여과한 후, 이로부터 수득한 고형물을 물과 메탄을로 층분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 400mL의 클로로벤젠에 가열하여 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거한 후, 300mL의 를루엔에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 A15 8.74 g (수율 60%)을 수득하였다.
calcd. C36H23N: C, 92.08; H, 4.94; N, 2.98; found: C, 92.43; H, 4.63; N, 2.84
Figure imgf000147_0002
화함을 A17
질소 분위기 하 교반기가 부착된 500 mL둥근바닥 플라스크에
3-브로모 메타바이페닐카바졸 15.00 37.66 11111101)，3-보노닉에스터- -바이페닐 카바졸 16.77 g(37.66 mmol) 및 테트라하이드로퓨란:를루엔 (1 : 1) 200 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100mL를 흔합한 후, 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 (0) 2.18 g(1.88mmol)을 넣고 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 반응물을 메탄올에 부어 고형물을 여과한 다음, 이로부터 수득한 고형물을 물과 메탄을로 층분히 세정하고 건조하였다. 이로부터 수득한 결과물을 500mL의 클로로벤젠에 고형물을 녹인 다음 용액을 실리카겔 필터하고 용매를 완전히 제거하고, 400mL의 를루엔에 가열하여 녹인 다음 재결정 하여 화합물 A17 16.07 g (수율 67%)을 수득하였다.
calcd. C4SH32N2: C, 90.54; H, 5.07; N, 4.40; found: C, 90.71 ; H, 5.01 ; N, 4.27
Figure imgf000148_0001
화합물 A63
250 mL등근 플라스크에서 N-페닐 -3,3-바이카바졸 6.3 g (15.4 mmol),
4-(4-브로모페닐)다이벤조 [b,d]퓨란 5.0 g (15.4 mmol), 소듐 t-부특사이드 3.0 g (30.7 mmol), 트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 0.9 g (1.5 mmol) 및 트리
t-부틸포스핀 1.2 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 100 mL과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 A63 (7.3 g, 73%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C48H30N2O： C, 88.59; H, 4.65; N, 4.30; 0， 2.46; found： C, 88.56; H, 4.62; N,
4.20;ᄋ， 2.43 합성예 27: 화합물 A64의 합성
Figure imgf000149_0001
화합 β Α64
250 mL등근 플라스크에서 N-페닐 -3,3-바이카바졸 6.1 g (15.0 mmol),
4-(4—브로모페닐)다이벤조 [b,d]싸이오펜 5.1 g (15.0 mmol), 소듐 t-부록사이드 2.9 g (30.0 mmol), 트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 0.9 g (1.5 mmol) 및 트리
t-부틸포스핀 1.2 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 100 mL과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 300 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 A64 (6.7 g, 67%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C48H30N2S： C, 86.46; H, 4.53; N, 4.20; S, 4.81 ; found： C, 86.41 ; H, 4.51 ; N, 4.18; S, 4.80
Figure imgf000149_0002
화합물 B2
중간체 B2의 합성
1000 mL 등근 플라스크에서 인돌로카바졸 39.99 g (156.01 mmol), 브로모벤젠 26.94 g (171.61 mmol), 소듐 t-부특사이드 22.49 g (234.01 mmol),
트리스 (다이벤질리덴아세톤)다이팔라디움 4.28 g (4.68 mmol) 및 트리 t-부틸포스핀 2.9 mL (50% in 를루엔)를 자일렌 500 mL과 흔합하고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1000 mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 B2 (23.01 g, 44%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C24H16N2： C, 86.72; H, 4.85; N, 8.43; found： C, 86.72; H, 4.85; N, 8.43
화합물 B2의 합성
다음 반응은 500 mL 등근 플라스크에 중간체 B2 22.93 g (69.03 mmol), 브로모벤젠 11.38 g (72.49 mmol), 포타슘 하이드록사이드 4.26 g (75.94 mmol),
카파아이오다이드 13.14 g (69.03 mmol), 1,10-페난쓰로린 6.22 g (34.52 mmol)를 디엠에프 230 mL 에 넣고 질소 기류 하에서 15시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 l OOO mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 다이클로로벤젠에 녹여 실리카겔 / 셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 B2 (12.04 g, 43%의 수율)를 수득하였다.
calcd. C30H20N2： C, 88.21 ; H, 4.93; N, 6.86; found： C, 88.21 ; H, 4.93; N, 6.86 유기 발광소자의 제작 (발광층소자 (1) -single host)
실시예 1 , ᅳ
ITO 전극이 형성된 유리 기판을 50mm X 50mm X 0.5mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하였다.
상기 ΠΌ 전극 상에 m-MTDATA를 증착 속도 1 A/sec로 진공 증착하여 600 A 두께의 정공 주입층을 형성하고, 상기 정공 주입층 상에 상기 (X-NPB를 증착 속도 l A/sec로 진공 증착하여 300A 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 수송충 상에 Ir(ppy)3(도펀트) 화합물 a-2를 각각 증착 속도 0.1 A/sec와 1 A/sec로 공증착하여 400A의 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 상에 BAlq을 증착 속도 1 A/sec로 진공 증착하여 50 A의 두께의 정공 저지층을 형성한 후, 상기 정공 저지층 상에 Alq3를 진공 증착하여 300A 두께의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 상에 LiF lOA (전자주입층)과 A1 2000A (캐소드)을 순차적으로
진공증착하여， 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대산화합물 a-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 3
발광층ᅵ형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 a-6를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 4
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 a-7을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 5
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 a-19을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 6
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 a-55을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다： 실시예 7
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-2을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여， 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 8
발광충 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-3을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 9
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-6을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 10
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-7을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여， 유기 발광 소자를 .
제작하였다. 실시예 11
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-19을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 12
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 b-55 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 13
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 c-2을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 14
광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 d-18을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 15
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 e-2을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 16
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 e-3을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여， 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 17
발광층 형성시 호스트로서.화합물 a-2 대신 화합물 f-2을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 실시예 18
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 f-3을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다. 비교예 1
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 A를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를
제작하였다.
<화합물 A>
Figure imgf000154_0001
비교예 2
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 B를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
< >
Figure imgf000154_0002
비교예 3
발광충 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 C를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
< C>
Figure imgf000154_0003
비교예 4
발광층 형성시 호스트로서 화합물 a-2 대신 화합물 D를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자를 제작하였다. < D>
Figure imgf000155_0001
평가예 1 : 유기 발광소자의 특성 평가 ( I )
실시예 1 내지 4, 7, 8, 16 내지 18 및 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자의 구동 전압, 효율, 및 휘도를 전류 전압계 (Kethley SMU 236)에서 전원을 공급하여, 휘도계 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다.
【표 1】
구동 전류
휘도 예 호스트 도펀트 전압 효율
(cd/m2) (V) (cd/A)
실시예 1 화합물 a-2 Ir(ppy)3 4.3 42 6000 실시예 2 화합물 a-3 Ir(ppy)3 4.4 41 6000 실시예 3 화합물 a-6 Ir(ppy)3 4.6 39 6000 실시예 4 화합물 a-7 Ir(ppy)3 4.7 38 6000 실시예 7 화합물 b-2 Ir(ppy)3 4.4 40 6000 실시예 8 화합물 b-3 Ir(ppy)3 4.4 41 6000 실시예 16 화합물 e-3 Ir(PPy)3 4.5 39 6000 실시예 17 화합물 f-2 Ir(Ppy)3 4.7 38 6000 실시예 18 화합물 f-3 Ir(ppy)3 4.4 39 6000 비교예 1 화합물 A Ir(ppy)3 5.0 38 6000 비교예 2 화합물 B Ir(ppy)3 5.1 29 6000 비교예 3 화합물 c Ir(ppy)3 4.8 34 6000 비교예 4 화합물 D Ir(ppy)3 4.8 31 6000 상기 표 1로부터, 본 발명^ 화합물인 실시예 1 내지 4, 7, 8, 16 내지 18의 유기 발광 소자는 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자에 비하여, 저구동 전압 및 고효율을 가짐을 확인할 수 있다.
인광 호스트 물질로 우수한 전하수송 특성을 가지며 Dopant의 흡수
Spectrum과의 Overlap이 잘 되는 물질이며, 효율 증가와 구동 전압의 감소와 같은 성능의 개선 및 OLED 재료로서의 능력이 극대화됨을 알 수 있다. 유기 발광소자의 제작 (발광층소자 -Mixed Host)
실시예 19
정공 수송층 상에 Ir(ppy)3(도펀트), 화합물 a-2 (제 1호스트) 및 화합물
A1 (제 2호스트)를 10 : 45 : 45의 중량비로 공증착하여 400A의 두께의 발광층을 형성함으로써 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 20
발광층 형성시 화합물 A1 대신 화합물 A2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 19와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 21
발광층 형성시 화합물 A1 대신 화합물 A5를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 19와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 22
발광층 형성시 화합물 A1 대신 화합물 A15를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 19와 동일한 방법을 이용하여 유기 '발광 소자를 제작하였다. 실시예 23
발광층 형성시 화합물 A1 대신,화합물 A17을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 19와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 24 발광층 형성시 화합물 A1 대신 화합물 B2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 19와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 25
정공 수송층 상에 Ir(ppy)3(도편트)， 화합물 a-3(제 1호스트) 및 화합물
A17(제 2호스트)를 10 : 45 : 45의 중량비로 공증착하여 400 A의 두께의 발광충을 형성함으로써 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 26
발광층 형성시 화합물 a-3 대신 화합물 b-2를 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 25와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 27
발광층 형성시 화합물 a-3 대신 화합물 b-3를 사용하였다는 점을 제외하고는 : 상기 실시예 25와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 28
정공 수송층 상에 Ir(ppy)3(도편트), 화합물 a-2(제 1호스트) 및 화합물
A64(제 2호스트)를 10 : 45 : 45의 증량비로 공증착하여 400A의 두께의 발광층을 형성함으로써 발광층을 형성하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 29
발광층 형성시 화합물 a-2 대신 화합물 b-2를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 28과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 30
발광층 형성시 화합물 a-2 대신 화합물 e-2를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 28과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 31
발광층 형성시 화합물 a-2 대신 화합물 e-3를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 28과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다ᅳ 실시예 32
발광층 형성시 화합물 a-2 대신 화합물 f-2를 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 28과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 실시예 33
발광층 형성시 화합물 a-2 대신 화합물 f-3를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 28과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 제작하였다. 평가예 2: 유기 발광소자의 특성 평가 (Π )
실시예 19 내지 33 및 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자의 구동 전압, 효율, 휘도 및 수명을 전류 전압계 (Kethley SMU 236)에서 전원을 공급하여， 휘도게 PR650 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoResearch사 제품임)을 이용하여 평가하였다. 그 결과는 하기 표 2와 같다. T95 수명은 초기 휘도 100% 대비 95%의 휘도가 되는데 걸리는 시간 (hr)올 평가한 것이다.
【표 2】
구동 전류 T95
휘도
제 1호스트 제 2호스트 도편트 전압 효율 수명
(cd/m2)
(v) (cd/A) (hr) 실시예 19 화합물 a-2 화합물 A1 Ir(PPy)3 4.5 47 6000 71 실시예 20 화합물 a-2 화합물 A2 Ir(ppy)3 4.6 45 6000 73 실시예 21 화합물 a-2 화합물 A5 Ir(ppy)3 4.5 49 6000 75 실시예 22 화합물 a-2 화합물 A15 Ir(ppy)3 4.5 50 6000 76 실시예 23 화합물 a-2 화합물 A17 Ir(ppy)3 4.4 52 6000 80 실시예 24 화합물 a-2 화합물 Ir(ppy)3 4.5 49 6000 73 실시예 25 화합물 a-3 화합물 A17 Ir(ppy)3 4.3 50 6000 78 실시예 26 화합물 b-2 화합물 A17 Ir(PPy)3 4.5 52 6000 79 실시예 27 화합물 b-3 화합물 A17 Ir(ppy)3 4.4 51 6000 78 실시예 28 화합물 a-2 화합물 A64 Ir(ppy)3 4.5 50 6000 79 실시예 29 화합물 b-2 화합물 A64 Ir( Py)3 4.3 51 6000 82 실시예 30 화합물 e-2 화합물 A64 Ir(ppy)3 4.4 52 6000 77 실시예 31 화합물 e-3 화합물 A64 Ir(PPy)3 4.4 49 6000 76 실시예 32 화합물 f-2 화합물 A64 Ir(ppy)3 4.3 51 6000 83 실시예 33 화합물 f-3 화합물 A64 Ir(ppy)3 4.5 48 6000 79 비교예 1 화힙 -물 A Ir(ppy)3 5.0 38 6000 - 비교예 2 화합물 B Ir(ppy)3 5.1 29 6000 - 비교예 3 화합물 C Ir(ppy)3 4.8 34 6000 - 비교예 4 화합물 D Ir(ppy)3 4.8 31 6000 - 상기 표 2로부터, 본 발명의 화합물인 실시예 19 내지 33의 유기 발광 소자는 저구동 전압, 고효율 및 장수명을 가짐을 확인할 수 있다. 유기 발광소자의 제작 (발광층소자 (2) -single host)
실시예 34
합성예 6 에서 얻은 a-39를 호스트로 사용하고， (piq)2Ir(acac)을 도판트로 사용하여 유기 발광소자를 쩨작하였다.
양극으로는 ITO를 1000 A의 두께로 사용하였고， 음극으로는 알루미늄 (A1)을 1000 A의 두께로 사용하였다. 구체적으로， 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15Q/cm2의 면저항값을 가진 ΠΌ 유리기판을 50mm x 50mm x 0.7mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코을과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부의 진공도 650 X 10-7Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 Ν4,Ν4'ᅳ디 (나프탈렌 -1-일) - Ν4,Ν4'-디페닐비페닐 -4，4'-디아민
( 4,N4'-di(naphthalene-l-yl)-N4,N4,-diphenylbiphenyl-4,4,-diamine:NPB) (80nm)를 증착하여 800 A의 정공수송층을 형성하였다. 이어서， 동일한 진공 증착조건에서 합성예 6 에서 a-39를 이용하여 막 두께 300 A의 발광층을 형성하였고， 이때, 인광 도편트인 (piq)2Ir(acac)을 동시에 증착하였다.
이 때， 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량0 /0로 하였을 때, 인광 도편트의 배합량이 3 중량 %가 되도록 증착하였다.
상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여
비스 (2-메틸 -8-퀴놀리놀레이트) -4— (페닐페놀레이토)알루미늄
(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium: BAlq)를 증착하여 막 두께 50 A의 정공저지층을 형성하였다. 이어서， 동일한 진공 증착조건에서 Alq3를 증착하여, 막 두께 200 A의 정공수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 음극으로서
LiF와 A1을 순차적으로 증착하여 유기 광전자 소자를 제작하였다.
상기 유기 광전자 소자의 구조는 ΠΌ/ ΝΡΒ (80 nm)/ EML (a-39 (97중량0 /0) + (piq)2Ir(acac) (3 중량0 /0), 30nm)/ Balq (5nm)/ Alq3 (20nm)/ LiF (lnm) I Al (lOOnm) 의 구조로 제작하였다. 실시예 35
발광층 형성시 화합물 a-39 대신 화합물 b-39를 사용하였다는 점을
제외하고는， 상기 실시예 34와 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를
제작하였다. 비교예 5
실시예 34 의 a-39 대신 하기 구조의 CBP를 사용한 것을 제외하고는 실시예 34와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. M 유기발광소자 제작에 사용된 NPB, BAlq, CBP 및 (piq)2Ir(acac) 구조는 하기와 같다.
Figure imgf000160_0001
[CBP] (piq)2!r(acac)
Figure imgf000160_0002
평가예 3: 유기 발광소자의 특성 평가 (III)
실시예 34 내지 35 과 비교예 5를 유기발광소자의 전압에 따른 전류밀도 변화， 휘도 변화 및 발광효율을 측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 3과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자쎄 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-I OOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
. (3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
휘도 (cd/m2)를 5000 cd/m2로 유지하고 전류 효율 (cd/A)이 90%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
【표 3】
Figure imgf000161_0001
상기 표 3에서 알 수 있듯이， 본 발명의 화합물은 비교예 5에 비해 구동전 발광효율 및 /또는 전력 효율 측면에서 개선된 특성을 보이는 것을 알 수 있다. 유기 발광소자의 제작 QETB소자)
실시예 36
ITO (Indium tin oxide)가 1500 A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을， 아세톤, 메탄을 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 HT13을 진공 증착하여 1400A두께의 정공 주입 및 수송층을 형성하였다. 이어서 상기 정공수송층 상부에 청색형광 발광 호스트 및 도펀트로 SFC 社에서 판매하고 있는 BH1 13과 BD370을 5\^%로 도핑하여 200 A 의 두께로 증착하여 발광층을 형성하였다. 그 후 상기 발광층 상부에 합성예 1인 a-2을 진공증착하여 50 A 두께의 전자수송보초층을 형성하였다. 상기 전자수송보조층 상부에
트리스 (8-히드록시퀴놀린) 알루미늄 (Alq3)을 진공증착하여 310 A 두께의
전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l 5 A과 A1 1200A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5충의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로
ITO/HTl3(1400A)//EML[BHn3:BD370 = 95:5wt%](200A)/화합물 a-2 (50 A)
/Alq3(310 A)/Liq(15 A)/A1(1200 A)의 구조로 제작하였다. 실시예 37
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 2의 a-3를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 38
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 8의 b-2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 39
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 9의 b-3를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 40 실시예 36 의 a-2 대신 합성예 17의 e-2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. . 실시예 41
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 18의 e-3를 사용한 것을 제외하고는 실시예
36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 42
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 19의 f-2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다. 실시예 43
실시예 36 의 a-2 대신 합성예 20의 f-3를 사용한 것을 제외하고는 실시예 36와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
• 비교예 6
전자수송보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 36과 동일한 방법으로 유기발광 소자를 제조하였다. 평가예 4: 유기 발광소자의 특성 평가 (IV)
실시예 36 내지 43 및 비교예 6 에서 제조된 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 4와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-IOOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다. (3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(5) 수명 측정
제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 36 내지 43 및 비교예 6의 소자를 초기휘도 (cd/m2)를 750 cd/m2 로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 97%로 휘도가 감소된 시점을 T97 수명으로 측정하였다.
【표 4]
Figure imgf000164_0001
표 4에 따르면, 본 발명의 화합물인 실시예 36 내지 43의 유기발광소자는 비교예 6에 유기발광소자와 비교하여 수명이 약 1.13배 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 전자수송보조층에 의해 유기발광소자의 수명 특성이 개선될 수 있음을 확인할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물:
<화학식 1>
Figure imgf000166_0001
<화학식 1A>
Figure imgf000166_0002
화학식 1 중 고리 은 상기 화학식 1A로 표시되고;
¾은 N-[(L,)ai-(Ri)bi], S, 0, 또는 Si(R4)(R5)이고;
L, 내지 L3는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-CI0시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c3-c10시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 죽합다환 그룹 (substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group)이되， L2 및 L3는 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기가 아니고;
al 내지 a3는 서로 독립적으로, 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
R, 내지 R5는 서로 독립적으로， 수소, 중수소, -F (플루오로기)， -C1 (클로로기)， -Br (브로모기 ) , -1(아이오도기 ), 히드록실기, 시아노기 , 치환 또는 비치환된
C ^o알킬기， 치환 또는 비치환된 - o알콕시기， 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C) 0헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기， 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q3XQ4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이되, 상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는, 치환 또는 비치환된 N 함유 C2-C60헤테로아릴기이고; Rn 내지 R14는 서로 독립적으로， 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 - o알킬기， 치환 또는 비치환된 - o알콕시기，
C3-C10시클로알킬기 , C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기 , C6-C60아릴티오기， 1가 비 -방향족 축합다환 그룹， -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
bl 내지 b3는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
상기 1 3는 치환 또는 비치환된 모르폴리닐기 (morpholinyl)자 아니고;
상기 R3가 피리디닐기, 피리다지닐기 또는 피리미디닐기인 경우， R2는 수소, 증수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기 , 치환 또는 비치환된 CrC60알킬기, 치환 또는 비치환된 Ci- o알콕시기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기이고;
상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기， 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기,
C6-C60아릴렌기, 치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비ᅳ방향족 축합다환 그룹, 치환된 CrC60알킬기, 치환된 CrC60알콕시기， 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기， 치환된 C2-C60헤테로아릴기, 및 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,
중수소， -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기, 또는
Ci- io알콕시기 ;
중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기， 시아노기, C3-CI0시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기 , C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기 , C6-C60아릴티오기 ,
C2-C60헤테로아릴기, 및 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및
-B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, CrC60알킬기， 또는 CrC60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기， c6-c60아릴옥시기， C6-C60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， d- o알킬기， d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10해테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기， C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기 , C6-C60아릴기 , C6-C60아릴옥시기 , C6— C60아릴티오기， C2-C60헤테로아릴기， 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹; 또는 -Si(Q33)(Q34)(Q35) 또는 -B(Q36)(Q37); 이고; .
상기 ( 내지 Q7, Q13 내지 Qn, Q23 내지 Q27 및 Q33 내지 (¾7은 서로 독립적으로, 수소， d- o알킬기, Q-C60알콕시기, CrC10시클로알킬기,
C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C6。아릴기， C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기,
C2-C60헤테로아릴기, 또는 1가 비-방향족 축합다환 그룹이고;
R2 및 R3의 치환기는,
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기， d- o알콕시기, CrC10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기， . C6-C60아릴티오기， C2-C60해테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹, -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, 카바졸일기가 아니다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
하기 화학식 1-1 및 1-2 중 하나로 표시되는, 축합환 화합물:
<화학 1-1>
Figure imgf000168_0001
< 식 1-2〉
Figure imgf000168_0002
상기 화학식 1-1 내지 1-2 중 X,, L2, L3, a2, a3, R2, R3, R„ 내지 R14, b2 및 b3에 대한 설명은 제 1항에 기재된 바와 동일하다. 【청구항 3】
게 1항에 있어서,
¾은 S 또는 0인, 축합환 화합물.
【청구항 4】
제 1항에 있어서,
상기 내지 L3는 서로 독립적으로, 화학식 2-1 내지 2-15 중 하나로
Figure imgf000169_0001
화학식 2-13
상기 화학식 2-1 내지 2-15 중
Z, 내지 Z4는 서로 독립적으로, 수소， 중수소， -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기, CrC20알킬기, CrC20알콕시기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기， 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 플루오레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기， 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 바이페닐기 또는 -Si(Q33)(Q34)(Q35)이고;
상기 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소, C ^o알킬기, ^ᅳ 0알콕시기, 페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기， 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기， 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기， 또는 퀴녹살리닐기이고;
dl은 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고, d2는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, d3는 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고 , d4는 1 내지 8의 정수 중에서 선택되고, d6는 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고， * 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합사이트이다.
【청구항 5】
거 11항에 있어서,
상기 L, 내지 L3는 서로 독립적으로, 화학식 3-1 내지 3-37 중 하나로 표시되는, 축합환 화합물:
Figure imgf000171_0001
Figure imgf000171_0002
화학식 3-36 화학식 3-37
상기 화학식 3-1 내지 3-37에서,
* 및 *'은 서로 독립적으로, 이웃한 원자와의 결합 사이트이다 구항 6】
제 1항에 있어서,
상기' R, 내지 R5가서로 독립적으로, 수소, 증수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， - 0알킬기 또는 C ^o알콕시기 ;
중수소, -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기 및 시아노기 중 적어도 하나로 치환된, CrC20알킬기 또는 d- o알콕시기;
하기 화학식 4-1 내지 4-31 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 이고 (단, 상기 내지 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님), 상기 R2 및 R3 중 적어도 하나는 서로 독립적으로, 하기 화학식 4-6 내 X' 4-25 4-30, 및 4-31 중 하나로 표시되는, 축합환 화합물:
Figure imgf000172_0001
화학식 4-5 화학식 4-6 화학식 4-7 화학식 4-8 화학식 4-9
Figure imgf000173_0001
호 [학식 4-29
화학식 4-1 내지 4-31 중,
Y31은 0, S, C(Z33)(Z34), N(Z35) 또는 Si(Z36)(Z37)이고 (단, 화학식 4-23 중 Y31은 ΝΗ가 아님);
Υ32은 C(Z33)(Z34), 또는 Si(Z36)(Z37)이고;
Z31 내지 ¾7은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, d- o알킬기, CrC20알콕시기, 페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기 페난트레닐기, 플루오레닐기， 크라이세닐기， 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기， 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기,
퀴녹살리닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기,'벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴나졸리닐기, 벤조퀴녹살리닐기, 바이페닐기 또는
-Si(Q33)(Q34)(Q35) 이고;
상기 (¾ 내지 Q5 및 Q33 내지 Q35는 서로 독립적으로, 수소， C ^o알킬기, CrC20알콕시기, 페닐기, 나프틸기， 안트라세닐기， 파이레닐기, 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기， 퀴놀리닐기， 퀴녹살리닐기, 벤즈이미다졸일기， 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기, 벤조퀴녹살리닐기,
이소퀴놀리닐기 또는 퀴나졸리닐기이고; el은 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고， e2는 1 내지 7의 정수 중에서 선택되고， e3는 1 내지 3의 정수 중에서 선택되고, e4는 1 내지 4의 정수 중에서 선택되고， e5는 1 또는 2이고, e6은 1 내지 6의 정수 중에서 선택되고， *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
【청구항 7]
제 1항에 있어서,
상기 R2 및 R3 증 적어도 하나는,
피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기， 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 벤즈이미다졸일기， 벤조티아졸일기, 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기， 벤조이소퀴놀리닐기,
벤조퀴녹살리닐기 또는 벤조퀴나졸리닐기; 또는
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， d-Ca)알킬기, -Q!o알콕시기， -Si(Q33)(Q34)(Q35), 페닐기, 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페릴레닐기, 피리디닐기 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기 퀴나졸리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기， 벤조퀴녹살리닐기,
트리아지닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기 및
벤조퀴나졸리닐기 중 적어도하나로 치환된， 피리디닐기, 피리미디닐기， 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기， 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기， 퀴나졸리닐기,
퀴녹살리닐기, 벤즈이미다졸일기, 벤조티아졸일기， 벤즈옥사졸일기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이소퀴놀리닐기， 벤조퀴녹살리닐기 또는 벤조퀴나졸리닐기; 인, 축합환 화합물. 【청구항 8]
제 1항에 있어서，
상기 Rn 내지 R14는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기， 시아노기, d- o알킬기 또는
^- 0알콕시기;
중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기 및 시아노기 중 적어도 하나로 치환된, C ^o알킬기 또는 d- o알콕시기 ;
페닐기, 펜탈레닐기， 인데닐기, 나프틸기, 아즐레닐기, 헵탈레닐기， 인다세닐기 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기， 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기， 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기， 페릴레닐기， 펜타페닐기, 핵사세닐기, 펜타세닐기， 루비세닐기, 코로네닐기 또는 오발레닐기; 또는 -Si(Q3)(Q4)(Q5); 이고;
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소， d-C 알킬기， C 320알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기， 페난트레닐기, 플루오레닐기, 또는 크라이세닐기인, 축합환 화합물.
【청구항 9】
게 1항에 있어서,
상기 내지 ¾는 서로 독립적으로,
수소, 중수소， -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, - 0알킬기 또는
C!- o알콕시기;
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 및 시아노기 중 적어도 하나로 치환된, C ^o알킬기 또는 C C20알콕시기;
하기 화학식 5-1 내지 5-45 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 이고 (단, 상기 R4 및 R5는 -Si(Q3)(Q4)(Q5)가 아님),
R2 및 R3 중 적어도 하나는, 서로 독립적으로， 하기 화학식 5-10 내지 5-17, 및 5-22 내지 5-45 중 하나로 표시되고,
상기 Ru 내지 R14는 서로 독립적으로,
수소， 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, - 0알킬기 또는
^- 0알콕시기;
하기 화학식 5-1 내지 5-9， 및 5-18 내지 5-21， 중 하나; 또는
-Si(Q3)(Q4)(Q5); 이고，
상기 Q3 내지 Q5는 서로 독립적으로, 수소, C ^)알킬기, d-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기， 파이레닐기， 페난트레닐기, 플루오레닐기, 크라이세닐기, 인， 축합환 화합물: 5-26 5-27 5-28 5-29 5-30 상기 화학식 5-1 내지 5-45에서,
*는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
【청구항 10
제 1항에 있어서,
하기 그룹 1에 나열된 화합물 중 하나인, 축합환 화합물: [그룹 1]
Figure imgf000177_0001
a-2 a-6
Figure imgf000178_0001
f-2 f-3
【청구항 11】
제 1전극;
상기 게 1전극에 대향되는 제 2전극; 및
상기 제 1전극과 게 2전극 사이에 배치되는 유기층；을 포함하고, 상기 유기층은 게 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 축합환 화합물을 포함한, 유기 발광 소자:
【청구항 12】
제 11항에 있어서,
상기 축합환 화합물은 유기층 중 발광층의 호스트로서 포함되거나, 전자수송보조층에 포함되는 유기 발광 소자.
[청구항 13】
제 12항에 있어서,
상기 발광층의 호스트는 r
하기 화학식 41로 표시되는 제 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 제 2화합물 중 적어도하나를 더 포함하는, 유기 발광 소자:
<화학식 41〉
(Ul)a41 (R4l)b41 <화학식 61>
Figure imgf000180_0001
<화학식 61A <화학식 61B>
Figure imgf000180_0002
상기 화학식 41 중 ¾,은 N-[(L42)a42-(R42)b42], S, O, S(=0), S(=0)2, C(=0),
C(R43)(R44), Si(R43)(R44), Ρ(¾3), P(=0)(R43) 또는 C=N(R43)이고;
상기 화학식 61 중 고리 A61은 상기 화학식 61 A로 표시되고;
상기 화학식 61 중 고리 A62는 상기 화학식 61B로 표시되고;
61은 N-[(L62)a62-(R62)b62], S, O, S(=0), S(=0)2, C(=0), C( 63)(R64), Si(R63)(R64), P(R63), P(=0)(R63) 또는 C=N(R63)이고;
X 은 C(R71) 또는 N이고， X72는 C(R72) 또는 N이고, X73은 C(R73) 또는 N이고, X74는 C(R74) 또는 N이고， X75는 C(R75) 또는 N이고, X76은 C(R76) 또는 N이고, X77은 C(R77) 또는 N이고 , 8은 C(R78) 또는 N이고;
Ar4i , L41, L42, L61 및 L62는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬렌기 , 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된
C2-C10헤테로시클로알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹이고;
nl 및 n2는 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고;
RAI 내지 R44, R5 l 내지 R54, R6i 내지 R64 및 R7l 내지 R79는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F (플루오로기), -C1 (클로로기), -Br (브로모기), -1(아이오도기)， 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 -C60알킬기， 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된
C2-C60알키닐기， 치환 또는 비치환된 d- o알콕시기, 치환 또는 비치환된
C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 헤테로축합다환 그룹, -Ν^,χ^), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7)이고;
a41, a42, a61 및 a62는 서로 독립적으로， 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고; b41, b42, b51 내지 b54, b61, b62 및 b79는 서로 독립적으로, 1 내지 3의 정수 중에서 선택된다.
【청구항 14】
제 13항에 있어서,
상기 발광층이 제 1호스트, 게 2호스트 및 도펀트를 포함하고,
상기 제 1호스트와 상기 게 2호스트는 서로 상이하고,
상기 제 1호스트가 상기 화학식 1로 표시되는 축합환 화합물을 포함하고， 상기 게 2호스트가 상기 하기 화학식 41로 표시되는 게 1화합물 및 하기 화학식 61로 표시되는 게 2화합물 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 소자. 【청구항 15】
제 13항에 있어서,
상기 L6l 및 L62는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹이고,
상기 R51 내지 R54, R61 내지 R64 및 R71 내지 R79는 서로 독립적으로， 수소， 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 아미노기 , 아미디노기 , 치환 또는 비치환된 CrC20알킬기, 치환 또는 비치환된 CrC20알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-Cu)시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C20아릴기또는 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹인, 유기 발광 소자. 【청구항 16】
제 13항에 있어서,
상기 제 1화합물이 하기 화학식 41-1 내지 41-12 중 하나로 표시되고, 상기 2화합물이 하기 화학식 61-1 내지 61-6 증 하나로 표시되는, 유기 발광 소자:
Figure imgf000182_0001
화학식 화학식 41-6
Figure imgf000182_0002
화학식 41 -7 화학식 41 -8 화학식 41-9 화학식 41-10 화학식 41-11
Figure imgf000183_0001
화학식 61-3 화학식 61-4
Figure imgf000184_0001
화학식 61 -5 화학식 61 -6
상기 화학식 41-1 내지 41-12 및 61-1 내지 61-6 중 ¾ι, X61, L41, a41, L6 U a61, 1^, 1341, R51 내지 R54, b51 내지 b54, b61, R61, R71 내지 R79 및 b79에 대한 설명은 제 13항에 기재된 바와 동일하다.
【청구항 17】
제 13항에 있어서,
상기 축합환 화합물이 하기 그룹 1에 나열된 화합물 중 적어도 하나를 포함하고;
상가제 1화합물 및 상기 게 2화합물이 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 적어도 하나를 포함한， 유기 발광 소자:
[그룹 1]
Figure imgf000184_0002
a-2 a-3 a-6 //u/ O z-osooSSSMld 2£sssszAV
Figure imgf000185_0001
WO 2015/105313 PCT/KR2015/000107
Figure imgf000186_0001
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