WO2019017731A1 - 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
WO2019017731A1
WO2019017731A1 PCT/KR2018/008233 KR2018008233W WO2019017731A1 WO 2019017731 A1 WO2019017731 A1 WO 2019017731A1 KR 2018008233 W KR2018008233 W KR 2018008233W WO 2019017731 A1 WO2019017731 A1 WO 2019017731A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
compound
group
layer
formula
unsubstituted
Prior art date
Application number
PCT/KR2018/008233
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이정하
이동훈
박태윤
조성미
허동욱
정민우
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180084348A external-priority patent/KR101982791B1/ko
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to CN201880013760.2A priority Critical patent/CN110366554B/zh
Priority to US16/490,014 priority patent/US11578076B2/en
Publication of WO2019017731A1 publication Critical patent/WO2019017731A1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants

Definitions

  • the present invention relates to a novel heterocyclic compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • an organic luminescence phenomenon refers to a phenomenon in which an organic material is converted into electric energy.
  • the organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent characteristics of brightness, driving voltage, and response speed, and much research is proceeding.
  • the organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode, and an organic layer between the anode and the cathode.
  • the organic material layer may have a multilayer structure composed of different materials.
  • the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • Patent Document 0001 Korean Patent Publication No. 10-2013-073537 [Description of the Invention]
  • the present invention relates to a novel heterocyclic compound compound and an organic light emitting device comprising the same.
  • the present invention provides a compound represented by the following formula (1).
  • Xi is 0 or S
  • L 2 is a direct bond or a substituted or unsubstituted C 6 each independently represent - a 60 arylene
  • Y 1 , Y 2 and Y 3 are each independently N or CR 2 , provided that at least one of them is N, R 2 is hydrogen or alkyl of substituted or unsubstituted d-eo,
  • An and Ar 2 are substituted or unsubstituted independently unsubstituted C 6 - 60 aryl, or N, 0, and substituted or unsubstituted C 5 ring containing one or more of the S - and 60-heteroaryl, all of which are adjacent Y 2 and ⁇ 3 < / RTI > to form a ring,
  • Het is independently a compound represented by the following formula (1-1)
  • R < 3 > is O, S or CR &
  • R 'and R " are each independently hydrogen or alkyl of substituted or unsubstituted d-so
  • Za, Zb, Zc and Zd are each independently N or CH, with the proviso that at least two of them in each formula are N,
  • 3 ⁇ 4 is independently hydrogen, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted of d-60 unsubstituted C 6, respectively - 60 aryl, or a N, 0, and S substituted or unsubstituted ring containing at least one C of 5 - 60 heteroaryl,
  • the present invention also provides a display device comprising: a first electrode; A second electrode provided opposite to the first electrode; And one or more organic layers disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes the compound of the present invention.
  • the compound represented by the general formula (1) can be used as a material of an organic material layer of an organic light emitting device and can improve the efficiency, the driving voltage and / or the lifetime of the organic light emitting device.
  • the compound represented by Formula 1 can be used as a hole injecting, hole transporting, hole injecting and transporting, light emitting, electron transporting, or electron injecting material.
  • Fig. 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • the present invention provides a compound represented by the following general formula (1).
  • X is O or S
  • Li and L 2 are each independently a direct bond or a substituted or unsubstituted C 6 - 60 arylene,
  • Y 1 , Y 2 and Y 3 are each independently N or c3 ⁇ 4, provided that at least one of them is N, 3 ⁇ 4 is hydrogen or alkyl of substituted or unsubstituted d-so,
  • the ⁇ and Ar 2 are substituted or unsubstituted; each independently C 6 - 60 aryl, or N, 0, and substituted or unsubstituted C 5 ring containing one or more of the S - and 60-heteroaryl, all of which are adjacent Y 2 and ⁇ 3 < / RTI > to form a ring,
  • R < 3 > is O, S or CR &
  • R 'and R " are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted d-so Alkyl
  • Za, Zb, Zc and Zd are each independently N or CH, with the proviso that at least two of them in each formula are N,
  • R 3 is each independently selected from the group consisting of hydrogen, substituted or unsubstituted C 0 alkyl substituted or unsubstituted C 6 - 60 aryl, or substituted or unsubstituted C 5 - 60. heteroaryl,
  • 1 is 1 or 2;
  • cetyl is a bond connected to another substituent.
  • substituted or unsubstituted A halogen group; A nitrile group; A nitro group; A hydroxy group; A carbonyl group; An ester group; Imide; An amino group; Phosphine oxide groups; An alkoxy group; An aryloxy group; An alkyloxy group; Arylthioxy group; An alkylsulfoxy group; Arylsulfoxy group; Silyl group; Boron group; An alkyl group; Cycloalkyl groups; An alkenyl group; An aryl group; Aralkyl groups; An aralkenyl group; An alkylaryl group; An alkylamine group; An aralkylamine group; A heteroarylamine group; An arylamine group; Arylphosphine groups; Or a heterocyclic group containing at least one of N, O and S atoms, or a substituted or unsubstit
  • the substituent group to which at least two substituents are connected &quot may be a biphenyl group, that is, the biphenyl group may be an aryl group and may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected. But preferably has 1 to 40 carbon atoms.
  • the compound may have the following structure, but is not limited thereto.
  • the ester group may be substituted with a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms in the ester group.
  • it may be a compound of the following structural form, but is not limited thereto.
  • the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
  • the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, But are not limited thereto.
  • the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, and a phenylboron group.
  • examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl group examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert- Pentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-butyl, n-butyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, n-heptyl, 1-methylnucleosilyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, But are not limited to, dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylnucleyl, 5-methylnyl and the like.
  • the alkenyl group may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms.
  • the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, Cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethyl Cyclohexyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclohexyl, and the like, but are not limited thereto.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms.
  • the aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group or the like as the monocyclic aryl group, but is not limited thereto.
  • polycyclic aryl group examples include, but are not limited to, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a klycenyl group and a fluorenyl group.
  • the fluorenyl group may be substituted, and two substituents
  • the heterocyclic group is a heteroatom such as O, N, Si and S
  • the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 60 carbon atoms.
  • the heterocyclic group include a thiophene group, a furan group, a pyrrolyl group, a pyrrolyl group, a pyrrolyl group, a triaryl group, a triazole group, a thiophene group, , An acridyl group, a pyridazine group, a pyrazinyl group, a quinolinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a phthalazinyl group, a pyridopyrimidinyl group, a pyridopyrimidinyl group, a pyrazinopyranyl group isoquinoline group , An indole group, a carbazole group, a benzoxazole group, a benzoimidazole group, a benzothiazo
  • the aryl group in the aralkyl group, the aralkenyl group, the alkylaryl group and the arylamine group is the same as the aforementioned aryl group.
  • the alkyl group in the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the alkyl group described above.
  • heteroarylamine mutation heteroaryl can be applied to the description of the above-mentioned heterocyclic group.
  • the alkenyl group in the aralkenyl group is the same as the above-mentioned alkenyl group.
  • the description of the aryl group described above can be applied except that arylene is a divalent group.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heteroarylene is a divalent group.
  • the description of the above-mentioned aryl group or cycloalkyl group can be applied except that the hydrocarbon ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • the description of the above-mentioned heterocyclic group can be applied except that the heterocyclic ring is not a monovalent group and two substituents are bonded to each other.
  • the compound represented by the formula (1) may be any one selected from the compounds represented by the following formulas (2) to (6).
  • the compound of Formula 1 is a compound represented by Formula 2, 4 6 < / RTI >
  • the compound of formula (1) may be any one selected from compounds represented by the following formulas (7) to (7).
  • Ri in the formula (1) may be hydrogen or substituted or unsubstituted ( 10 alkyl, more preferably hydrogen.
  • Li and L 2 in the formula (1) A bond or o.
  • a and Ar 2 in the formula (1) are each independently bonded to adjacent Yi, Y 2 and Y 3 to form a ring, or a group selected from the group consisting of It can be one.
  • the Het in formula (1) may be any one selected from the compounds represented by the following formulas (1-1) to (1-1-4).
  • Gt ;, R < 3 > and 1 are as defined in claim 1.
  • the compound represented by Formula 1-1 may be any one selected from the following compounds.
  • R 3 and 1 are as defined in claim 1.
  • the above-mentioned group may be any one selected from the group consisting of hydrogen or the group consisting of:
  • the compound represented by the formula (1) may be any one selected from the group consisting of
  • the compound represented by the above formula (1) has a structure having a substituent such as triazine (pyridine, pyrimidine) substituted at the 1-position of dibenzofuran (dibenzothiophene) core and the above-described Het substituent simultaneously, Crystallization can be suppressed in addition to excellent heat resistance when the device is driven. Therefore, the organic light emitting device using the organic light emitting device can have a high efficiency, a low driving voltage, a high brightness and a long life.
  • the compound represented by the formula (1) can be prepared by the following reaction scheme (1).
  • the present invention provides an organic light emitting device comprising a compound represented by Formula 1, wherein the compound represented by Formula 1 is used as a catalyst.
  • the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first electrode; A second electrode facing the first electrode; And at least one organic compound layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic compound layers includes a compound represented by Formula 1 .
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer as an organic material layer.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • the organic material layer may include a hole injecting layer, a hole transporting layer, or a layer simultaneously injecting and transporting holes, and the hole injecting layer, the hole transporting layer, or the layer simultaneously injecting and transporting may be represented by Formula 1 ≪ / RTI >
  • the organic layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include a compound represented by the general formula (1).
  • the organic material layer may include an electron transporting layer or an electron injecting layer, and the electron transporting layer or the electron injecting layer may include a compound represented by the above formula (1).
  • the electron transporting layer, the electron injecting layer, or the layer which simultaneously injects electrons and transports electrons includes the compound represented by the above formula (1).
  • the compound represented by Formula 1 according to the present invention has excellent thermal stability and has a deep HOMO level of 6.0 eV or more, a high triple energy (ET), and a hole stability.
  • the compound represented by Formula 1 is used for an organic layer capable of electron injection and electron transport, the n-type dopant used in the art can be commonly used.
  • the organic material layer may include a light emitting layer and an electron transporting layer, and the electron transporting layer may include a compound represented by the general formula (1).
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, at least one organic layer, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which an anode, one or more organic compound layers and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • the compound represented by Formula 1 shows an example of an organic light-emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a light-emitting layer 3 and a cathode 4.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • 2 is a cross-sectional view of a substrate 1, an anode 2, a hole injecting layer 5, a hole transporting layer 6, a light emitting layer 7, An electron transport layer 8, and a cathode 4.
  • the organic light- In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be contained in at least one of the hole injecting layer, the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron transporting layer.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one of the organic layers includes the compound represented by Formula 1. [
  • the organic light emitting diode includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or different materials.
  • the organic light emitting device according to the present invention can be manufactured by sequentially laminating a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate.
  • a PVD (physi cal vapor deposition) method such as a sputtering method or an e-beam evaporation method is used to deposit a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof A hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer, and depositing a material that can be used as a cathode on the organic material layer.
  • an organic light emitting device can be formed by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and a cathode material on a substrate.
  • the compound represented by Formula 1 may be formed into an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum evaporation method in the production of an organic light emitting device.
  • the solution coating method refers to spin coating, dip coating, doctor blading, ink jet printing, screen printing, spraying, coating, and the like, but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device can be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and a cathode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first electrode is a cathode
  • the second electrode is a cathode.
  • the anode material a material having a large work function is preferably used so that hole injection can be smoothly conducted into the organic material layer.
  • the positive electrode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (II), indium zinc oxide (IZO); ⁇ ⁇ ⁇ : ⁇ 1 SN0 or 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDOT), polypyrrole and polyaniline.
  • the negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof; Layer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, but the present invention is not limited thereto.
  • the hole injecting layer is a layer for injecting holes from an electrode.
  • the hole injecting material has a hole injecting effect, and has a hole injecting effect on the light emitting layer or a light emitting material.
  • a compound which prevents the migration of excitons to the electron injecting layer or the electron injecting material and is also excellent in the thin film forming ability is preferable.
  • the HOMO highest occupied mole ar orbital of the hole injecting material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer.
  • the hole injecting material include a metal porphyrin, a thiophene, an organic material of an arylamine series, an organic material of a quinacridone series, a quinacridone series organic material, a perylene perylene based organic materials, anthraquinone, polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
  • the hole transport layer is a layer for transporting holes from the hole injection layer to the light emitting layer.
  • the hole transport layer is formed from a hole transporting material
  • a material having high mobility to holes is suitable as a material capable of transporting holes to the light emitting layer.
  • Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers having a conjugated portion and a non-conjugated portion together, but are not limited thereto.
  • the light emitting material is preferably a material capable of emitting light in the visible light region by transporting and receiving holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, and having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence.
  • the light emitting layer may include a host material and a scrim material, and the compound of the present invention may be included as a host material in the light emitting layer.
  • the host material is a condensed aromatic ring derivative or a heterocyclic compound.
  • condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds.
  • heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
  • dopant material include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, and metal complexes.
  • aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having substituted or unsubstituted arylamino groups.
  • An aryl group, a silyl group, an alkyl group, an aryl group, an aryl group, a heterocyclic group, an aryl group, a heterocyclic group, A cycloalkyl group and an arylamino group is substituted or unsubstituted. Specific examples thereof include, but are not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, and the like. Also, Examples of the metal complex include iridium complex, platinum complex, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer is a layer that receives electrons from the electron injecting layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • the electron transporting material is a material capable of transferring electrons from the cathode well to the light emitting layer. Do. Specific examples include the A1 complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto.
  • the electron transporting layer can be used with any desired cathode material as used according to the prior art.
  • an example of a suitable cathode material is a conventional material having a low work function followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.
  • the electron injecting layer is a layer for injecting electrons from the electrode.
  • the electron injecting layer has an ability to transport electrons.
  • the electron injecting layer has a high electron-pressure effect from the cathode, an excellent electron injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material, A compound which prevents migration to a layer and is excellent in a thin film forming ability is preferable.
  • fluorenone anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, A nitrogen-containing 5-membered ring derivative, and the like, but are not limited thereto.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8- Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8- hydroxyquinolinato) gallium, bis (10- Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8- quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphthalato) aluminum, bis (2- Quinolinato) (2-naphthalato) gallium, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting device may be a front emission type, a back emission type, or a both-sided emission type, depending on the material used.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to an organic light emitting device.
  • the preparation of the compound represented by Formula 1 and the organic light emitting device comprising the same will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. Production Example 1
  • Compound E-2 was prepared in the same manner as Compound E-1 except for using [1,1 '-biphenyl] -4-ylboronic acid instead of phenylboronic acid.
  • Compound E-7 was prepared in the same manner as Compound E-6 except that (3-chlorophenyl) boronic acid was used instead of (4-chlorophenyl) boronic acid.
  • Example 10 Preparation of compound 10
  • the ITO (indium tin oxide) glass substrate with a thickness of 1,300 A was washed with ultrasonic waves in distilled water containing detergent.
  • Fischer Co. product was used as a detergent
  • distilled water filtered by a filter of Mi 11 ipore Co. was used as distilled water.
  • the dish was washed twice with distilled water and ultrasonically cleaned for 10 minutes.
  • the distilled water was washed, it was ultrasonically washed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. Further, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 5 minutes, and then the substrate was transported by a vacuum evaporator.
  • hexanitrile hexaazatri phenyl ene (HAT) compound was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 A on the ⁇ key transparent electrode prepared as described above to form a hole injection layer.
  • N-phenylamino] biphenyl (NPB; HT-1) which is a material for transporting holes, was thermally vacuum deposited to a thickness of 250 A to form a hole transport layer
  • an HT-2 compound was vacuum-deposited on the HT-1 vapor deposition layer to a thickness of 50 A to form an electron blocking layer.
  • Compound 2 the following YGH-1 compound, and phosphorescence YGD-1 prepared as a host on the HT-2 deposited film were co-deposited at a weight ratio of 44: 44: 12 to form a 400 A thick light emitting layer.
  • An ET-1 material was vacuum deposited on the light emitting layer to a thickness of 250 A
  • the ET-2 material was co-deposited with Li of 2% by weight to a thickness of 100 A to form an electron injecting layer during electron transport.
  • Aluminum was deposited on the electron injection layer to a thickness of 1000 A to form a cathode.
  • the organic light emitting devices of Comparative Examples 1 to 4 were respectively fabricated using the same method as in Example 1 except that the following C1 to C4 were used instead of Compound 2 as a host in forming the light emitting layer, Respectively.
  • T95 means the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.
  • Experimental Example 3 Compound 4 3.5 71 0.46, 0.52 105 Experimental Example 4 Compound 6 3.2 69 0.45, 0.53 110 Experimental Example 5 Compound 7 3.6 73 0.45, 0.54 135 Experimental Example 6 Compound 10 3.6 73 0.46, 0.54 130 Experimental Example 7 Compound 12 3.4 75 0.45, 0.52 120 Experimental Example 8 Compound 13 3.6 74 0,46, 0.53 125 Experimental Example 9 Compound 14 3.4 70 0.45, 0.54 110 Comparative Experimental Example
  • the organic luminescent device manufactured using the compound of the present invention as a host of the luminescent layer exhibits excellent performance in terms of driving voltage and lifetime in comparison with the organic luminescent device of the comparative example .
  • the organic electroluminescent device according to the present invention has a low voltage characteristic due to a 10% decrease in driving voltage compared with the compound C1, which is a commonly used phosphorescent host material, and a lifetime of about 15-54% Compound. ≪ / RTI > In addition to dibenzofuran ethanetriazine, It can be confirmed that the device characteristics are different depending on the kind of the substituent. Compared with Comparative Example C3 in which a carbazole is substituted and Comparative Example C4 in which an aryl substituent is substituted, it can be confirmed that the compounds of the present invention have characteristics of low voltage and long life.
  • a hexagonal trinuclear hexaazatr i phenyl ene (HAT) compound shown below was thermally vacuum deposited on the ITO transparent electrode prepared in Experimental Example 1 to a thickness of 500 A to form a hole injection layer.
  • the HT-1 compound was thermally vacuum deposited on the hole injection layer to a thickness of 800 A and the HT-3 compound was sequentially vacuum-deposited to a thickness of 500 A to form a hole transport layer.
  • compound 2, a H2 compound, and a phosphorescence GD prepared as a host on the hole transport layer were co-deposited at a weight ratio of 47: 47: 6 to form a light emitting layer having a thickness of 350 A.
  • the ET-3 material was vacuum-deposited on the light emitting layer to a thickness of 50 A to form a hole blocking layer.
  • an ET-4 material and LiQCLi thium quinoline were vapor-deposited at a weight ratio of 1: Thereby forming an electron transporting layer.
  • Lithium fluoride (LiF) 10 A thick was sequentially deposited on the electron transport layer and aluminum was deposited thereon to a thickness of 1000 A to form a cathode.
  • the organic light emitting devices of Experimental Examples 12 to 17 were fabricated in the same manner as in Experimental Example 2, except that Compound 2 was used as a host in the formation of the light emitting layer, as shown in Tables 4 and 5 below. In this case, when a mixture of two kinds of compounds is used as a host, parenthesized means weight ratio between the host compounds.
  • Comparative Examples 5 to 8 The organic light emitting devices of Comparative Examples 5 to 8 were fabricated in the same manner as in Experimental Example 11, except that the compound shown in Table 5 was used instead of Compound 1 as a host in forming the light emitting layer.
  • the compounds shown in Table 2 below are the same as the compounds used in Experimental Example 1.
  • T95 means the time required for the luminance to be reduced to 95% from the initial luminance.
  • the compounds of the present invention show superior characteristics in terms of driving voltage and lifetime depending on the substituent position and substituent type, as compared with the comparative compounds.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

【발명의 명칭】
신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2017년 7월 20일자 한국 특허 출원 제 10-2017-0092174호 및 2018년 7월 19일자 한국 특허 출원 제 10-2018-0084348호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 발명은 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이웅하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각， 우수한 콘트라스트， 빠른 웅답 시간을 가지며， 휘도， 구동 전압 및 웅답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자와 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이， 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤 (exci ton)이 형성되며, 이 액시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다. 【선행기술문헌】
【특허문헌】
(특허문헌 0001) 한국특허 공개번호 제 10-2013-073537호 [발명의 내용]
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은 신규한 헤테로고리 화합물 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. 【과제의 해결 수단】
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서,
Xi은 0또는 S이고,
¾는 수소 또는 치환 또는 비치환된 d-60의 알킬이고，
및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고，
Yi , Y2 및 Υ3는 각각 독립적으로 Ν 또는 CR2이고, 단 이들 중 하나 이상이 N이고， R2는 수소 또는 치환 또는 비치환된 d-eo의 알킬이고，
An 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴 또는 N, 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고， 이들은 인접한 Y2 및 Υ3와 결합하여 고리를 형성할 수 있고，
Het는 각각 독립적으로 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물이고， 화학식 [ 1-1]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 1-1에서，
¾는 0， S 또는 CR' R" 이고，
R' 및 R" 은 각각 독립적으로 수소， 또는 치환 또는 비치환된 d-so의 알킬이고，
Za, Zb, Zc 및 Zd는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며， 단， 각 화학식 내에서 이들 중 둘 이상이 N이고，
¾은 각각 독립적으로 수소， 치환 또는 비치환된 d-60의 알킬, 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴， 또는 N, 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고,
1은 1 또는 2이다. 또한， 본 발명은 게 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 계 2 전극; 및 상기 게 1 전극과 상기 계 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
【발명의 효과】
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며， 유기 발광 소자에서 효율의 향상， 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히， 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공주입, 정공수송， 정공주입 및 수송， 발광， 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 【도면의 간단한 설명】
도 1은 기판 (1)， 양극 (2) , 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6) , 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하， 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되 화합물을 제공한다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
Figure imgf000005_0001
상기 화학식 1에서，
X은 0 또는 S이고，
¾는 수소 또는 치환 또는 비치환된 d-60의 알킬이고，
Li 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,
Yi, Y2 및 Υ3는 각각 독립적으로 Ν 또는 c¾이고， 단 이들 중 하나 이상이 N이고， ¾는 수소 또는 치환 또는 비치환된 d-so의 알킬이고,
Άη 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴 또는 N, 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고， 이들은 인접한 Y2 및 Υ3와 결합하여 고리를 형성할 수 있고，
Het는 각각 독립적으로 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물이고，
Figure imgf000005_0002
상기 화학식 1-1에서，
¾는 0， S 또는 CR' R" 이고,
R' 및 R" 은 각각 독립적으로 수소， 또는 치환 또는 비치환된 d-so의 알킬이고，
Za , Zb , Zc 및 Zd는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며， 단, 각 화학식 내에서 이들 중 둘 이상이 N이고，
R3은 각각 독립적으로 수소， 치환 또는 비치환된 C o의 알킬ᅳ 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴, 또는 N , 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60.헤테로아릴이고，
1은 1 또는 2이다.
본 명세서에세 ᅥᅳ는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기 ; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, 0 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기' '는 비페닐기일 수 있다. 즉， 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000006_0001
본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되 것은 아니다.
Figure imgf000007_0001
본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000007_0002
본 명세서에 있어서， 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기， 트리에틸실릴기， t-부틸디메틸실릴기， 비닐디메틸실릴기， 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기， 디페닐실릴기， 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기， 트리에틸붕소기， t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 할로겐기의 예로는 불소， 염소， 브름 또는 요오드가 있다. 본 명세서에 있어서， 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸， 프로필， n-프로필， 이소프로필, 부틸， n-부틸， 이소부틸， tert-부틸， sec-부틸， 1-메틸-부틸， 1_에틸-부틸， 펜틸, n-펜틸， 이소펜틸， 네오펜틸, tert-펜틸, 핵실， n-핵실， 1-메틸펜틸， 2-메틸펜틸, 4-메틸 -2-펜틸， 3 , 3-디메틸부틸， 2-에틸부틸， 헵틸, n-헵틸， 1-메틸핵실， 사이클로펜틸메틸，사이클로핵틸메틸， 옥틸， n-옥틸， tert-옥틸， 1-메틸헵틸， 2-에틸핵실， 2-프로필펜틸， n-노닐， 2 , 2-디메틸헵틸， 1-에틸-프로필， 1，1- 디메틸-프로필， 이소핵실， 2-메틸펜틸， 4-메틸핵실， 5-메틸핵실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐， 이소프로페닐， 1-부테닐， 2-부테닐， 3-부테닐， 1-펜테닐， 2-펜테닐， 3-펜테닐， 3-메틸 -1-부테닐， 1，3-부타디에닐， 알릴, 1-페닐비닐— 1- 일， 2-페닐비닐 -1-일， 2，2-디페닐비닐— 1-일， 2-페닐 -2— (나프틸 -1-일)비닐 -1—일 2，2-비스 (디페닐 -1-일)비닐 -1-일 , 스틸베닐기， 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며， 일 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 3-메틸사이클로펜틸， 2，3-디메틸사이클로펜틸， 사이클로헥실， 3-메틸사이클로핵실， 4-메틸사이클로핵실， 2，3- 디메틸사이클로핵실, 3，4，5-트리메틸사이클로핵실， 4-tert-부틸사이클로핵실， 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기， 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결 되는
경우,
Figure imgf000009_0001
될 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종 원소로 0， N , Si 및 S 중
1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피를기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기 , 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기, 피리미딜기， 트리아진기, 트리아졸기， 아크리딜기， 피리다진기， 피라지닐기， 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기， 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기 이소퀴놀린기， 인돌기， 카바졸기, 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기， 벤조티아졸기， 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기， 벤조퓨라닐기， 페난쓰롤린기 (phenanthroHne) , 티아졸릴기， 이소옥사졸릴기， 옥사디아졸릴기， 티아디아졸릴기， 벤조티아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 증 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기 화학식 2 내지 6으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000010_0001
[화학식 3]
Figure imgf000011_0001
상기 화학식 2 내지 6에서，
Xi, , , Het, Y1( Y2, Y3) R An, Ar2 및 n은 청구항 1에서 정의한 같다.
또한， 더욱 바람직하게는， 상기 화학식 1의 화합물은 상기 화학식 2， 4 6의 화합물 일 수 있다. 또한， 바람직하게는， 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 7 내지 로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000012_0001
[화학식 10]
Figure imgf000013_0001
상기 화학식 7 내지 11에서，
， , , Het, Ri, n 및 m은 청구항 1에서 정의한 바와 같다. 바람직하게는， 상기 화학식 1에서 Ri은 수소 또는 치환 또는 비치환된 ( 10의 알킬일 수 있으며， 더욱 바람직하게는 수소일 수 있다. 바람직하게는， 상기 화학식 1에서 Li 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는o일 수 있다. 바람직하게는， 상기 화학식 1에서 A 및 Ar2는 각각 독립적으로 인접한 Yi, Y2 및 Υ3와 결합하여 고리를 형성하거나， 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000014_0001
바람직하게는， 상기 화학식 1에서 Het 중 화학식 1-1은 하기 화학식-1 내지 1-1-4으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000014_0002
상기 화학식 1-1-1 내지 1-1-4에서，
¾， R3 및 1은 청구항 1에서 정의한 바와 같다. 바람직하게는, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000015_0001
상기 식 중에서,
R3 및 1은 청구항 1에서 정의한 바와 같다. 바람직하게는， 상기 ¾는 수소 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되 어느 하나일 수 있다:
Figure imgf000015_0002
바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.
Figure imgf000016_0001

Figure imgf000017_0001

Figure imgf000018_0001

Figure imgf000019_0001

Figure imgf000020_0001

Figure imgf000021_0001
20
Figure imgf000022_0001
21
Figure imgf000023_0001
22
Figure imgf000024_0001

Figure imgf000025_0001

Figure imgf000026_0001

Figure imgf000027_0001

Figure imgf000028_0001

Figure imgf000029_0001

Figure imgf000030_0001

Figure imgf000031_0001
30
Figure imgf000032_0001
31
Figure imgf000033_0001
32
Figure imgf000034_0001
33
Figure imgf000035_0001

Figure imgf000036_0001

Figure imgf000037_0001

Figure imgf000038_0001

Figure imgf000039_0001

Figure imgf000040_0001

Figure imgf000041_0001
40
Figure imgf000042_0001
41
Figure imgf000043_0001
42
Figure imgf000044_0001
43
Figure imgf000045_0001
44
Figure imgf000046_0001

Figure imgf000047_0001

Figure imgf000048_0001

Figure imgf000049_0001

Figure imgf000050_0001

Figure imgf000051_0001
50
Figure imgf000052_0001
51
Figure imgf000053_0001
52
Figure imgf000054_0001
53
Figure imgf000055_0001
54
Figure imgf000056_0001
55
Figure imgf000057_0001

Figure imgf000058_0001

Figure imgf000059_0001

Figure imgf000060_0001

Figure imgf000061_0001
60
Figure imgf000062_0001
61
Figure imgf000063_0001
62
Figure imgf000064_0001
63
Figure imgf000065_0001
64
Figure imgf000066_0001
65
Figure imgf000067_0001
66
Figure imgf000068_0001

Figure imgf000069_0001

Figure imgf000070_0001

Figure imgf000071_0001
70
Figure imgf000072_0001
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 디벤조푸란 (디벤조싸이오펜) 코어의 1번 위치에 치환된 트리아진 (피리딘， 피리미딘) 등의 치환기와 상술한 Het 치환기를 동시에 갖는 구조를 가짐으로써， 소자 내 구동시 내열성이 우수함과 더불어， 결정화를 억제시킬 수 있다. 따라서， 이를 이용한 유기 발광 소자는 고효율, 저 구동 전압， 고휘도 및 장수명 등을 가질 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.
[반응식 1]
Figure imgf000073_0001
^
Ar,
상기 반웅식 1에서， ， , Yi , Y2 , Y3 , An , Ar2 및 Het는 앞서 정의한 바와 같다. 상기 반웅식에 사용된 반웅기 및 촉매의 종류는 적절하게 변경 가능하다, 또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로， 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한， 상기 유기물층은 정공주입층， 정공수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고， 상기 정공주입층， 정공수송층， 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한, 상기 유기물층은 전자수송층, 또는 전자주입층을 포함할 수 있고， 상기 전자수송층， 또는 전자주입층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 또한， 상기 전자수송층， 전자주입층， 또는 전자 주입 및 전자 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 특히， 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 열적 안정성이 우수하고， 6.0 eV 이상의 깊은 HOMO 준위, 높은 삼중함 에너지 (ET) , 및 정공 안정성을 가지고 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자 주입 및 전자 수송을 동시에 할 수 있는 유기물층에 사용할 경우， 당업계에서 사용하는 n-형 도펀트를 흔합하여 사용할 수 있다. 또한， 상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고， 상기 전자수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1)， 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2)， 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층， 정공수송층， 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극， 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 (sputter ing)이나 전자범 증발법 (e-beam evaporat ion)과 같은 PVD(physi cal Vapor Depos i t ion)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후， 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅， 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅， 스크린 프린팅， 스프레이법， 를 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 (W0 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로， 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 제 2 전극은 음극이거나， 또는 상기 제 1 전극은 음극이고， 상기 제 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐， 크롬， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( ΠΌ) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물; ΖηΟ:Α1 또는 SN02 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜) , 폴리 [3，4- (에틸렌 -1，2-디옥시 )티오펜] (PED0T) , 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨， 칼륨， 티타늄， 인듐， 이트륨, 리튬， 가돌리늄， 알루미늄， 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li02/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로， 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한， 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO highest occupied molecul ar orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 을리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리돈 (quinacr idone)계열의 유기물， 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 충으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물， 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서， 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다 . 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3) ; 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴 (dimer i zed styryl ) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린 -금속 화합물; 벤족사졸， 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리 (P-페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자; 스피로 (spi ro) 화합물; 폴리플루오렌 루브렌 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도편트 재료를 포함할 수 있고， 본원발명의 화합물은 발광층 내의 호스트 재료로 포함될 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체， 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체， 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고， 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체， 디벤조퓨란 유도체， 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물， 붕소 착체， 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌， 안트라센， 크리센， 페리플란텐 등이 있으며， 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로， 아릴기， 실릴기， 알킬기， 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민， 스티릴트리아민， 스티릴테트라아민 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 또한， 금속 착체로는 이리듐 착체， 백금 착체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본 -금속 착물 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘， 이테르븀 및 사마륨이고， 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다. 상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로， 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주압 효과， 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며， 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고， 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄， 다이페노퀴논， 티오피란 다이옥사이드， 옥사졸， 옥사다이아졸, 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체， 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8-하이드록시퀴놀리나토)구리， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)망간， 트리스 (8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)아연， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토)클로로갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토) ( 0-크레졸라토)갈륨， 비스 (2-메틸 -8-퀴놀리나토 ) ( 1-나프를라토)알루미늄， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토) (2-나프를라토)갈륨 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형， 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며， 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다. 제조예 1
Figure imgf000079_0001
1) 화합물 A-1의 제조
1-브로모 -3-플루오로 -2-아이오도벤젠 (75 g, 249.3 mmol ) , (5-클로로- 2-메특시페닐)보론산 (51. 1 g, 249.3 國 ol )을 테트라하이드로퓨란 550 mL에 녹였다. 여기에 탄산나트륨 (N C03) 2 M 용액 (350 mL) , 테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 (0) (2.88 g, 2.49 mmol )을 넣고 11시간 환류시켰다. 반응이 끝난 후 상온으로 냉각시키고， 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시킨 흔합물을 클로로포름과 에탄올을 이용하여 재결정화시켜 화합물 A— 1 (63.2 g, 수율 80 ； MS:[M+H]+=314)을 얻었다.
2) 화합물 A-2의 제조
화합물 A-1 (63.2 g, 200.3 mmol)을 디클로로메탄 750 mL에 녹인 뒤
0°C 로 넁각시켰다. 보론 트리브로마이드 (20.0 mL, 210.3 隱 ol)를 천천히 적가한 뒤 12시간 동안 교반하였다. 반웅이 종료된 후 물로 3회 세척하고， 황산 마그네슘으로 건조하여 여과한 여액을 감압 증류하고 컬럼크로마토크래피로 정제하여 화합물 A-2 (57.9 g, 수율 96 ； MS:[M+H]+=300)을 얻었다.
3) 화합물 A-3의 제조
화합물 A-2 (57.9 g, 192.0 mmol)와 탄산칼슘 (79.6 g, 576.0 mol)을 N-methyl-2-pyr roli done 350 mL에 녹인 후 2 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물에 역침전시켜 필터한다. 디클로로멘탄에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에탄올을 이용하여 재결정화시켜 건조하여 화합물 A-3 (42.1 g, 수율 78 %; MS:[M+H]+=280)을 얻었다. 4) 화합물 A-4의 제조
화합물 A-3 (42.1 g, 149.5 瞧 ol)을 테트라하이드로퓨란 (330 mL)에 녹인 후， -78°C로 온도를 낮추고 2.5 M 터셔리—부틸리튬 (t-BuLi)(60.4 mL, 151.0 誦 ol)을 천천히 가하였다. 동일 온도에서 1시간 동안 교반한 후 트리아이소프로필보레이트 (51.8 mL, 224.3 mmol)을 가하고， 상온으로 온도를 서서히 을리면서 3시간동안 교반하였다. 반웅 흔합물에 2 N 염산수용액 (300 mL)을 가하고 1.5시간 동안 상온에서 교반하였다. 생성된 침전물을 거르고 물과 에틸에테르 (ethyl ether)로 차례로 씻은 후 진공 건조하여 화합물 A-4 (34.3 g, 수율 93 ； MS:[M+H]+=247)을 제조하였다. 제조예 1-2: 중간체 B-5의 화합물 합성
Figure imgf000081_0001
Figure imgf000081_0002
B-4 B-5
1) 화합물 B-l의 제조
1-브로모 -3-클로로 -2-메특시벤젠 (100.0 g, 451.5 mmol)을 테트라하이드로퓨란 (1000 mL)에 녹인 후 -78°C로 온도를 낮추고 2.5 M 터셔리-부틸리튬 (t-BuLi)(182.4 mL, 456.0 mmol)을 천천히 적가하였다. 동일 온도에서 1시간 동안 교반한 후 트리아이소프로필보레이트 (B(0iPr)3)(156.3 mL, 677.3 mmol)을 가하고， 상온으로 온도를 서서히 을리면서 3시간 동안 교반하였다. 반웅 흔합물에 2 N 염산 수용액 (150 mL)을 가하고 1.5시간 동안 상온에서 교반하였다. 생성된 침전물을 거르고 물과 에틸에테르 (ethyl ether)로 차례로 씻은 후 진공 건조하였다. 건조 후 클로로포름과 에틸아세테이트로 재결정하고 건조하여 화합물 B-1 (84.2 g, 수율 90%; MS:[M+H]+=230)을 제조하였다.
2) 화합물 B-2의 제조
(5-클로로 -2-메톡시페닐)보론산 대신 화합물 B-1 (84.2 g, 451.7 隱 ol)을 사용한 것을 제외하고는， 제조예 1의 화합물 A-1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-2 (74.6 g, 수율 52%; MS: [M+H]+=314)을 제조하였다.
3) 화합물 B-3의 제조
화합물 A-1 대신 화합물 B-2(74.6g, 236.4 mmol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-2 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-3 (60.3 g, 수율 85%； MS:[M+H]+=300)을 제조하였다.
4) 화합물 B-4의 제조 화합물 A-2 대신 화합물 B-3(60.3g, 199.9 圆 ol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-3 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-4 (48.1 g, 수율 85%； MS:[M+H]+=280)을 제조하였다.
5) 화합물 B-5의 제조
화합물 A-3 대신 화합물 B-3(48.1g, 170.9 mmol) 를 사용한 것을 제외하고화합물 A-4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 B-5 (40.1 g, 수율 95%; MS:[M+H]+=247)을 제조하였다.
Figure imgf000082_0001
1) 화합물 C-1의 제조
(5-클로로 -2-메록시페닐)보론산 대신 (4-클로로 -2-메록시페닐)보론산 (51.1 g, 249.3 mmol)을 사용한 것을 제외하고는， 제조예 1의 화합물 A—1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-1 (60.1 g, 수율 76%; MS:[M+H]+=314)을 제조하였다.
2) 화합물 C-2의 제조
화합물 A-1 대신 화합물 C-K60.1 g, 190.4 mmol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-2 (54.0 g, 수율 94%; MS:[M+H]+=300)을 제조하였다.
3) 화합물 C-3의 제조
화합물 A-2 대신 화합물 C-2(54.0g, 179.1 mmol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-3 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-4 (42.2 g, 수율 83%； MS:[M+H]+=280)을 제조하였다. 4) 화합물 C-4의 제조
화합물 A-3 대신 화합물 C-3(42.2g, 170.9 mmol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-4 (34.1 g, 수율 92%； MS:[M+H]+=247)을 제조하였다.
Figure imgf000083_0001
1) 화합물 D-1의 제조
(5-클로로 -2-메록시페닐)보론산 대신 (2-클로로 -6-메록시페닐)보론산 (51.1 g, 249.3 圆 ol)을 사용한 것을 제외하고는， 제조예 1의 화합물 A-1 을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 D-1 (63.5 g, 수율 81%; MS:[M+H]+=314)을 제조하였다.
2) 화합물 D-2의 제조
화합물 A-1 대신 화합물 D-K63.5 g, 201.2 mmol) 를 사용한 을 제외하고 화합물 A-2 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 D-2 (55.1 g, 수율 91%; MS:[M+H]+=300)을 제조하였다.
3) 화합물 C— 3의 제조
화합물 A-2 대신 화합물 C_2(55.1g, 182.7 mmol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A— 3를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-3 (42.0 g, 수율 82%; MS:[M+H]+=280)을 제조하였다. 4) 화합물 C-4의 제조
화합물 A-3 대신 화합물 C-3(42.0g, 149.2 隱 ol) 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-4를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 화합물 C-4 (35.7 g, 수율 85%; MS:[M+H]+=247)을 제조하였다. 제조예 2
Figure imgf000084_0001
1) 화합물 A— 5의 제조
질소 분위기에서 500 mL 등근 바닥 플라스크에 화합물 A-4 (20.0 g, 61 面 ol)과 2-클로로 -4, 6-디페닐트리아진 (16.3 g, 61 瞧 ol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL에 녹인 후 1.5M 탄산칼륨수용액 (100 mL)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (0.93 g, 1.8 mmol)을 넣은 후 7 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슴으로 건조한 후 감압농축 시키고 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트 흔합용액을 이용하여 재결정화시켜 건조하여 상기 화합물 A-5를 제조하였다 (20.5 g, 수율 78%， MS:[M+H]+= 434).
2) 화합물 A-6의 제조
질소 분위기에서 화학식 A-5 (20.5g, 47圆 ol) 비스 (피나콜라토)다이보론 (13.2g, 52mmol) 및 아세트산칼륨 (16.¾， 165mmol)을 섞고， 다이옥세인 250ml에 첨가하고 교반하면서 가열하였다. 환류되는 상태에서 비스 (디벤질리딘아세톤)팔라듐 (0.81g, lmmol)과 트리사이클로핵실포스핀 (0.8 g, 2 匪 ol)을 넣고 13시간 동안 가열 및 교반하였다. 반웅 종료 후， 상온으로 온도를 낮춘 후 여과하였다. 여과액에 물을 붓고 클로로포름으로 추출하고， 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압 증류 후 에틸아세테이트로 재결정하여 화학식 A-6(20.7 g, 83%)를 제조하였다.
Figure imgf000085_0001
1) 화합물 A-7의 제조
2-클로로 -4 ,6-디페닐트리아진 대신 2-([1，1' -비페닐] -3-일) -4- 로로 -6-페닐 -1ᅳ 3， 5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A-7를 제조하였다 (14.2 g, 수율 68%, MS:[M+H]+= 510).
2) 화합물 A-8의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 A-7를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A-8를 제조하였다 (13.9 g, 수율 82%, MS:[M+H]+= 602).
Figure imgf000086_0001
1) 화합물 B-6의 제조
화합물 A-4 대신 화합물 B-5 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-6를 제조하였다 (14.2 g, 수율 82%， MS:[M+H]+= 434).
2) 화합물 B-7의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 B-6를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B— 7를 제조하였다 (15.0 g> 수율 82%, MS:[M+H]+= 526).
Figure imgf000087_0001
1) 화합물 B-8의 제조
화합물 A-4와 2-클로로 -4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 B-5 와 2- 클로로 -4 ,6-디페닐피리미딘을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-8 를 제조하였다 (13.4 g, 수율 76%， MS:[M+H]+= 433).
2) 화합물 B-9 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 B— 8를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-9를 제조하였다 (10.4 g, 수율 64%, MS:[M+H]+= 525). 제조예 3-3: 중간체 B-11의 화합물합성
Figure imgf000088_0001
1) 화합물 B-10의 제조
화합물 A-4와 2-클로로 -4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 B-5 와 2ᅳ 클로로 -4- (디벤조싸이오펜 -4-일) -6-페닐 -1,3， 5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-10 를 제조하였다 (14.5 g, 수율 66%, MS:[M+H]+= 541).
2) 화합물 B-11 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 B-10를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-11를 제조하였다 (10.6 g, 수율 63%， MS:[M+H]+= 632). 제조예 3-4: 중간체 B-13의 화합물합성
Figure imgf000089_0001
1) 화합물 B-12의 제조
화합물 A-4와 2-클로로 -4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 B-5 와 3_(4- 클로로 -6-(3-디벤조싸이오펜 -4-일)페닐) -6-페닐 -1，3，5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-12 를 제조하였다 (16.2 g, 수율 65%, MS:[M+H]+= 616).
2) 화합물 B-13 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 B-12를 사용한 것을 제외하고 황합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B-13를 제조하였다 (14.7 g, 수율 79%, MS:[M+H]+= 708). 제조예 4-1: 중간체 C-6의 화합물 합성
Figure imgf000090_0001
Figure imgf000090_0002
C-6
1) 화합물 C-5의 제조
화합물 A-4 대신 화합물 C-4 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-5를 제조하였다 (13.0 g, 수율 77%, MS:[M+H]+= 434).
2) 화합물 C-6의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 C-5를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-6를 제조하였다 (12.8 g, 수율 82%, MS:[M+H]+= 526). 제조예 4-2: 중간체 C-8의 화합물 합성
Figure imgf000091_0001
Figure imgf000091_0002
1) 화합물 C-7의 제조
화합물 A-4와 2-클로로—4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 C-4 와 9-(4 클로로 -6-페닐 -1，3，5-트리아진 -2-닐) -9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-7 를 제조하였다 (11.9 g, 수율 56%, MS:[M+H]+=523).
2) 화합물 C-8 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 C-7를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-8를 제조하였다 (10.8 g, 수율 77%, MS:[M+H]+= 615). 제조예 4—3: 중간체 C-10의 화합물 합성
Figure imgf000092_0001
Figure imgf000092_0002
C-10
1) 화합물 C-9의 제조
화합물 A-4와 2-클로로 -4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 C-4 와 대신
2—클로로—4- (디벤조퓨란—4-일) -6-페닐 -1，3ᅳ 5-트리아진을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-9 를 제조하였다 (12.1 g, 수율 56%, MS:[M+H]+=524).
2) 화합물 C-10 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 C-9를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-10를 제조하였다 (12.5 g, 수율 73%, MS:[M+H]+= 616). 제조예 4-4: 중간체 C-12의 화합물 합성
Figure imgf000093_0001
1) 화합물 c-n의 제조
화합물 A-4와 2-클로로 -4， 6-디페닐트리아진 대신 화합물 C-4 와 대신 2-(4-클로로 -6-페닐 -1,3,5—트리아진 2-닐) 9-페닐 -9H-카바졸을 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-11 를 제조하였다 (13.9 g, 수율 57%, MS:[M+H]+=599).
2) 화합물 C-12 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 C-11를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C-12를 제조하였다 (10.3 g, 수율 64%, MS:[M+H]+= 691). 제조예 5-1: 중간체 D— 6 의 화합물 합성
Figure imgf000094_0001
1) 화합물 D-5의 제조
화합물 A-4 대신 화합물 D-4 를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-5을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D-5 를 제조하였다 (13.0 g, 수율 74%, MS:[M+H]+= 434).
2) 화합물 D-6 의 제조
화합물 A-5 대신 화합물 D-5를 사용한 것을 제외하고 화합물 A-6을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D— 6를 제조하였다 (9.5 g, 수을 60%, MS:[M+H]+= 526). 제조예 6-1: 중간체 E-1의 화합물 합성
Figure imgf000094_0002
2，4-디클로로벤조싸이에노 [3,2-ί/]피리미딘 (15 g, 57.8 mmol)와 페닐보로닉에시드 (7.9 g, 64.7 mmol )을 테트라하이드로퓨란 250 mL에 녹인 후 1.5M 탄산칼륨수용액 (120 mL)을 첨가하고， 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (1.4 g, 1.28醒 ol )을 넣은 후 7 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 클로로포름과 에탄올을 이용하여 재결정화시켜 건조하여 상기 화합물 E-1을 제조하였다 (14.1 g, 수율 83%, MS: [M+H]+= 297) . 제조 6-2: 중간체 E-2의 화합물합성
Figure imgf000095_0001
E-2
페닐보로닉에시드 대신 [1，1 ' -비페닐 ]-4-일 보론산을 사용한 것을 제외하고 화합물 E-1 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 E-2 를 제조하였다.
Figure imgf000095_0002
페닐보로닉에시드 대신 [1，1 ' -비페닐 ]-3-일 보론산을 사용한 것을 제외하고 화합물 E-1 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 E-3 를 제조하였다. 제조예 6-4: 중간체 E-4의 화합물 합성
Figure imgf000096_0001
E-4
페닐보로닉에시드 대신 디벤조싸이오펜— 3-일-보론산을 사용한 것을 제외하고 화합물 E-1 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 E-4 를 제조하였다. 제조 6-5: 중간체 E-5의 화합물 합성
Figure imgf000096_0002
2， 4-디클로로벤조싸이에노 [3,2-ί]피리미딘 대신 2， 4-디클로로벤조퓨로 [3,2- ]피리미딘 을 사용한 것을 제외하고 화합물 E-1 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 Ε-6 를 제조하였다.
Figure imgf000096_0003
화합물 E-1 (15.0 g, 0.05 mol) 과 (4-클로로페닐)보론산 (21.4 g, 0.06 mol) 을 다이옥센 200 ml에 녹인 후 K3P04 (21.4 g, 0.1 mol)을 첨가하고， 비스 (트리 - -부틸포스핀)팔라듐 (0) (0.26 g, 0.5 mmol)을 넣은 후 13 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 분리하여 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트를 이용하여 재결정화시켜 건조하여 상기 화합물 H4 14. 1 g (수율 81 %) 를 제조하였다. [M+H]-373
Figure imgf000097_0001
(4-클로로페닐)보론산 대신 (3-클로로페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고 화합물 E-6 를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 E-7 를 제조하였다. 실시예
Figure imgf000097_0002
질소 분위기에서 화학식 A-6 ( 10 g, 19誦 ol )와 화학식 E-1 (5.64 g,
19 mmol )를 테트라하이드로퓨란 120 ml에 넣고 교반 및 환류하였다. 이 후 포타슘카보네이트 (7.89 g , 57隱 ol )를 물 50 ml에 녹여 투입한층분히 교반 후 비스 (트리 - -부틸포스핀)팔라듐 (◦) (0. 1 g, 0.2 mmol )을 투입하였다. 9시간 반응 후 상온으로 온도를 낮추고 여과하였다. 여과물을 클로로포름과 물로 추출한 후 유기층을 황산마그네슘을 이용해 건조하였다. 이후 유기층을 감압증류 후 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트 흔합용액을 이용해 재결정하였다. 생성된 고체를 여과 후 건조하여 화합물 1를 제조하였다. (7.8 g, 62%, MS : [M+H1+ = 660) .
Figure imgf000098_0001
화학식 E-1 대신 화학식 E-3 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 2를 제조하였다 (8.0 g, 수율 57%， MS:[M+H]+= 736).
Figure imgf000098_0002
A-8 E-1
3
화학식 A-6 대신 화학식 A-8 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 3를 제조하였다 (7.5 g, 수율 54%， MS:[M+H]+= 736).
Figure imgf000098_0003
화학식 E-1 대신 화학식 E-7 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 4를 제조하였다 (7.7 g, 수율 55%, MS:[M+H]+= 736).
Figure imgf000099_0001
1) 화학식 F-1의 제조
화학식 E-1 대신 2，4-디클로로벤조싸이에노[3，2-(/]피리미딘을 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 F-1를 제조하였다 (7.3 g, 수율 62%, MS:[M+H]+= 619). 2) 화학식 5의 제조
화학식 F-1 (7.3 g, 12 mmol)과 페닐보로닉에시드 (1.5 g, 13 隱 ol)을 을 다이옥센 90 ml에 녹인 후 K3P04 (7.5 g, 35 圍 ol)을 첨가하고， Bis(tri_ tert-butylphosphine) palladium(O) (0.06 g, 0.1 mmmol)을 넣은 후 8 시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하였다. 여과물을 클로로포름과 물로 추출한 후 유기층을 황산마그네슘을 이용해 건조하였다. 이후 유기층을 감압증류 후 테트라하이드로퓨란과 에틸아세테이트 흔합용액을 이용해 재결정화시켜 건조하여 화합물 5 를 제조하였다. (5.8 g, 수율 68%， MS:[M+H]+= 660).
Figure imgf000099_0002
화학식 E-1 대신 화학식 E-5 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 6를 제조하였다 (6.9 g, 수율 56%, MS:[M+H]+= 644).
Figure imgf000100_0001
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 B-7 과 화학식 E-4 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 7를 제조하였다 (10.6 g, 수율 72%, MS:[M+H]+= 766).
Figure imgf000100_0002
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 B-8 과 화학식 E-2 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 8를 제조하였다 (8.4 g, 수율 60%, MS:[M+H]+= 735).
Figure imgf000100_0003
화학식 A-6와 2, 4-디클로로벤조싸이에노 [3， 피리미딘 대신 화학식 B-11 과 2,4-디클로로벤조퓨로 [3, 피리미딘을 사용한 것을 제외하고 실시예 5의 화합물 5의 제조와 동일한 방법으로 화학식 F-2와 이어서 화합물 9를 제조하였다 (5.1 g, 수율 64%, MS:[M+H]+= 750). 실시예 10: 화합물 10의 제조
Figure imgf000101_0001
B-13 E-1
10
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 B-13 과 화학식 E-1 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 10를 제조하였다 (8.1 g, 수율 68%, MS:[M+H]+= 843). 11: 화합물 11의 제조
Figure imgf000101_0002
화학식 A-6와 화학식 E— 1 대신 화학식 C-6 과 화학식 E-6 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 11를 제조하였다 (9.0 g, 수율 64%, MS:[M+H] + = 736).
Figure imgf000101_0003
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 C-8 과 화학식 E-1 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 12를 제조하였다 (7.8 g, 수율 64%, MS:[M+H]+= 749).
Figure imgf000102_0001
화학식 A-6와 2, 4-디클로로벤조싸이에노 [3,2-ί]피리미딘 대신 화학식 C-10 과 2，4-디클로로벤조퓨로 [3,2-ί/]피리미딘을 사용한 것을 제외하고 실시예 5의 화합물 5의 제조와 동일한 방법으로 화학식 F-3와 이어서 화합물 13를 제조하였다 (5.8 gᅳ 수율 68%， MS:[M+H]+= 734).
Figure imgf000102_0002
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 C-12 과 화학식 E-5 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 14를 제조하였다 (7.9 g, 수율 67%， MS:[M+H]+= 809). 실시예 15: 화합물 15의 제조
Figure imgf000103_0001
화학식 A-6와 화학식 E-1 대신 화학식 D-6 와 화학식 E-3 를 사용한 것을 제외하고 실시예 1의 화합물 1의 제조와 동일한 방법으로 화합물 15를 제조하였다 (8.6 g, 수율 61%， MS:.[M+H]+= 736).
[실험예]
실험예 1
IT0( indium tin oxide)가 1,300 A의 두께로 박막 코탕된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때， 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사 (Mi 11 ipore Co.) 제품의 필터 (Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ΠΌ를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤， 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한， 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 상기와 같이 준비된 ΠΌ 투명 전극 위에 하기의 핵사니트릴 핵사아자트리페닐렌 (hexanitrile hexaazatri페닐 ene; HAT) 화합물을 50A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 물질인 4-4'-비스 [N-(l—나프틸)— N—페닐아미노]비페닐 (NPB; HT-1)를 250A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하고， HT-1 증착막 위에 HT-2 화합물을 50A 두께로 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 HT-2 증착막 위에 호스트로서 제조한 화합물 2， 하기 YGH-1 화합물， 및 인광도편트 YGD-1을 44 :44 :12의 중량비로 공증착하여 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 ET-1 물질을 250A의 두께로 진공 증착하고， 추가로 ET-2 물질을 100 A 두께로 2% 중량비의 Li과 공증착하여 전자 수송중 및 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 1000A 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 A/sec를 유지하였고， 알루미늄은 2 A/sec의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 1 X 10_7 ~ —8 torr를 유지하여， 유기 발광소자를 제작하였다.
Figure imgf000104_0001
ET-1 실험예 2 내지 실험예 9
상기 실험예 1에서 발광층 형성시 인광 호스트로서 화합물 2 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 비교예 1 내지 4
발광층 형성시 호스트로서 화합물 2 대신 각각 하기 표 1과 같이 하기 C1 내지 C4를 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다.
Figure imgf000105_0001
C1 C2 C3 C4 상기 실험예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4 에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여， 전압， 효율， 색좌표， 및 수명을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
【표 1】
Figure imgf000105_0002
실험예 3 화합물 4 3.5 71 0.46, 0.52 105 실험예 4 화합물 6 3.2 69 0.45, 0.53 110 실험예 5 화합물 7 3.6 73 0.45, 0.54 135 실험예 6 화합물 10 3.6 73 0.46, 0.54 130 실험예 7 화합물 12 3.4 75 0.45， 0.52 120 실험예 8 화합물 13 3.6 74 0,46, 0.53 125 실험예 9 화합물 14 3.4 70 0.45, 0.54 110 비교실험예
C1 3.6 68 0.45, 0.54 91 1 비교실험예
C2 4.2 60 0.45, 0.53 65 2 비교실험예
C3 4.4 65 0.46, 0.53 88 3 비교실험예
C4 4.1 70 0.45, 0.53 94 4
상기 표 1에 나타난 바와 같이， 본 발명에 따른 화합물을 발광층의 호스트로 사용하여 제조된 유기 발광 소자의 경우에 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 구동전압 및 수명측면에서 우수한 성능을 나타내는 것을 살펴 볼 수 있다.
특히， 실시예에 따른 유기 발광 소자는 통상적으로 사용되는 인광 호스트 물질인 화합물 C1에 비하여 구동전압이 10% 감소하여 저전압 특성을 지니며， 수명 또한 약 15-54% 증가함에 따라 장수명의 특성을 가지는 화합물임을 확인 할 수 있었다. 더불어 디벤조퓨란에 트리아진 이외에 치환된 치환기의 종류에 따라 소자특성이 상이하게 다른 것을 확인 할 수 있다. 카바졸이 치환된 비교예 C3 및 아릴 치환기가 치환되어 있는 비교예 C4에 비해 본 발명의 화합물들이 저전압 및 장수명의 특성을 지님을 확인 할 수 있다. 더불어 피리미딘 치환기가 치환된 비교예 C2의 비교실험예 4와 축합된 피리미딘인 벤조싸이오 피리미딘 (혹은 벤조퓨로피리미딘)이 치환된 화합물 1 (또는 화합물 6)의 실험예 1(또는 실험예 4)를 비교하면 전압은 약 8% 낮은 반면， 수명은 40% 이상 개선됨을 확인 할 수 있다. 본 발명의 화합물의 치환기인 밴조싸이오피리미딘 (흑은 벤조퓨로피리미딘) 치환기가 피리미딘 치환기에 비해 전자적으로 안정한 것을 확인 할 수 있다.
[실험예]
실험예 10
실험예 1과 같이 준비된 IT0 투명 전극 위에 하기의 핵사니트릴 핵사아자트리페닐렌 (hexani tr i le hexaazatr i페닐 ene ; HAT) 화합물을 500A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 HT-1 화합물을 800 A의 두께로 열 진공증착하고， 순차적으로 HT-3 화합물을 500A 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서， 상기 정공수송층 위에 호스트로서 제조한 화합물 2， 하기 H2 화합물， 및 인광도편트 GD을 47 :47 : 6의 중량비로 공증착하여 350A 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 ET-3 물질을 50 A의 두께로 진공 증착하여 정공저지층을 형성하고， 상기 정공저지층 위에 ET-4 물질 및 LiQCLi thium Quinol ate)를 1 : 1의 중량비로 진공증착하여 250A의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 10 A 두께의 리튬 프루라이드 (LiF)를 증착하고， 이위에 1000 A 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
Figure imgf000108_0001
Figure imgf000108_0002
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 A/sec를 유지하였고， 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 A/sec , 알루미늄은 2 A/sec의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 1 X 10— 7 ~ 5 X 10— 8 torr를 유지하였다. 실험예 10 내지 19
발광층 형성시 호스트로서 화합물 2 대신 하기 표 4 및 5와 같이 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실험예 2와 동일한 방법을 이용하여 실험예 12 내지 17의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. 이때， 호스트로서 2종의 화합물의 흔합물을 사용한 경우 괄호 안은 호스트 화합물간의 중량비율을 의미한다. 비교예 5 내지 8 발광층 형성시 호스트로서 화합물 1 대신 각각 하기 표 5과 같은 화합물을 사용하였다는 점을 제외하고는， 상기 실험예 11과 동일한 방법을 이용하여 비교예 5 내지 8의 유기 발광 소자를 각각 제작하였다. 하기 표 2의 화합물은 앞서 실험예 1에서 사용한 화합물과 동일하다. 상기 실험예 10 내지 19 및 비교예 5 내지 8에서 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 전압， 효율 및 수명을 측정하였고， 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
【표 2]
Figure imgf000109_0001
비교실험예
C1 4.2 55 0.35， 0.61 55
5 비교실험예
C2 4.9 56 0.35， 0.63 55 6 비교실험예
C3 4.7 65 0.34, 0.63 45 7 비교실험예
C4 4.4 66 0.35 , 0.62 65
8
더불어 상기 표 2 에서 알 수 있듯이， 본 발명의 화합물을 발광층 물질로 사용한 경우 비교예 물질을 사용한 경우와 비교하였을 때， 앞서 실험예 1-9 와 유사하게， 저전압 및 장수명 특성을 나타내는 것을 살펴 볼 수 있다.
또한， 실험예 10， 11， 14， 18， 19 그리고 비교실험예 7과 비교하면 실시예의 화합물의 다이벤조퓨란에 벤조퓨로피리미딘 (흑은 벤조싸이오피리미딘)의 치환 위치， 치환기 종류에 따라 수명 차이가 나타남을 확인할 수 있었으며， 특정 치환기 및 특정 위치에서 수명이 개선됨을 확인할 수 있었다.
상기와 같이， 본 발명의 화합물들이 비교예 화합물들에 비하여 치환기의 위치 및 치환기의 종류에 따라 구동전압 및 수명 측면에서 우수한 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다.
【부호의 설명】
1 : 기판 2： 이 α:그ᅳ，
3： 발광층 4 : ᄋ 그
ᄆ
5： 정공주입층 6： 정공수송층
7： 발광층. 8 : 전자수송층

Claims

【청구범위】
【청구항 11
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 :
Figure imgf000111_0001
상기 화학식 1에서，
Xi은 0또는 S이고，
¾는 수소 또는 치환또는 비치환된 C 60의 알킬이고,
Li 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고，
Yi , Y2 및 Υ3는 각각 독립적으로 Ν 또는 C¾이고， 단 이들 중 하나 이상이 N이고， R2는 수소 또는 치환 또는 비치환된 ( 60의 알킬이고,
An 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴 또는 N , 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5-60 헤테로아릴이고， 이들은 인접한 Y2 및 Υ3와 결합하여 고리를 형성할 수 있고，
Het는 각각 독립적으로 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물이고
Figure imgf000111_0002
상기 화학식 1-1에서
¾는 0, S 또는 CR' R" 이고
R' 및 R" 은 각각 독립적으로 수소， 또는 치환 또는 비치환된 ( 60의
Za , Zb , Zc 및 Zd는 각각 독립적으로 N 또는 CH이며， 단， 각 화학식 내에서 이들 중 둘 이상아 N이고, ¾은 각각 독립적으로 수소， 치환 또는 비치환된 d-60의 알킬， 치환 또는 비치환된 C6— 60 아릴， 또는 N, 0 및 S 중 1개 이상을 포함하는 치환 또는 비치환된 C5— 60 헤테로아릴이고，
1은 1 또는 2임 .
【청구항 2]
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1-1 내지 1-1-4로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인， 화합물:
Figure imgf000112_0001
상기 화학식 1-1-1 내지 1-1-4에서，
¾， R3 및 1은 청구항 1에서 정의한 바와 같음.
【청구항 3]
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인， 화합물:
Figure imgf000113_0001
상기 식 중에서，
¾ 및 1은 청구항 1에서 정의한 바와 같음.
【청구항 4】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 6으로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인， 화합물:
Figure imgf000113_0002
[화학식 3]
Figure imgf000114_0001
상기 화학식 2 내지 6에서，
， Li, L2, Het, Υι, Y2) Υ3> Ri, An, Ar2 및 n은 청구항 1에서 정의한음.
【청구항 5】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 7 내지 11로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인， 화합물:
Figure imgf000115_0001
[화학식 10]
Figure imgf000116_0001
상기 화학식 7 내지 11에서，
Xi, Li, , Het, Ri, n 및 m은 청구항 1에서 정의한 바와 같음.
【청구항 6]
제 1항에 있어서,
¾은 수소 또는 치환 또는 비치환된 ( 10의 알킬인， 화합물 .
【청구항 7】
제 1항에 있어서，
R3는 수소 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 화합물:
Figure imgf000117_0001
【청구항 8]
제 1항에 있어서， 및 L2는 각각 독립적으로 직접 결합 또는
Figure imgf000117_0002
【청구항 9】
제 1항에 있어서，
An 및 Ar2는 각각 독립적으로， 인접한 Y1 ; Υ2 및 Υ3와 결합하여 고리 형성하 화합물:
Figure imgf000117_0003
【청구항 10】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은， 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인， 화합물: L\\
Figure imgf000118_0001
CCZ800/8lOZaM/X3d ULL10/610Z OAV
Figure imgf000119_0001
118
Figure imgf000120_0001
119
Figure imgf000121_0001
120
Figure imgf000122_0001
121
Figure imgf000123_0001
122
Figure imgf000124_0001
123
Figure imgf000125_0001
124
Figure imgf000126_0001
125
Figure imgf000127_0001
126
Figure imgf000128_0001
127
Figure imgf000129_0001
128
Figure imgf000130_0001
129
Figure imgf000131_0001
130
Figure imgf000132_0001
Figure imgf000132_0002
131
Figure imgf000133_0001
132
Figure imgf000134_0001
133
Figure imgf000135_0001
134
Figure imgf000136_0001
135
Figure imgf000137_0001
136
Figure imgf000138_0001
137
Figure imgf000139_0001
138
Figure imgf000140_0001
139
Figure imgf000141_0001
140
Figure imgf000142_0001
141
Figure imgf000143_0001
142
Figure imgf000144_0001
143
Figure imgf000145_0001
144
Figure imgf000146_0001
145
Figure imgf000147_0001
146
Figure imgf000148_0001
147
Figure imgf000149_0001
148
Figure imgf000150_0001
149
Figure imgf000151_0001
150
Figure imgf000152_0001
Figure imgf000152_0002
151
Figure imgf000153_0001
152
Figure imgf000154_0001
153
Figure imgf000155_0001
154
Figure imgf000156_0001
155
Figure imgf000157_0001
156
Figure imgf000158_0001
157
Figure imgf000159_0001
158
Figure imgf000160_0001
159
Figure imgf000161_0001
160
Figure imgf000162_0001
161
Figure imgf000163_0001
162
Figure imgf000164_0001
163
Figure imgf000165_0001
164
Figure imgf000166_0001
165
Figure imgf000167_0001
166
Figure imgf000168_0001
167
Figure imgf000169_0001
168
Figure imgf000170_0001
169
Figure imgf000171_0001
170
Figure imgf000172_0001
171
Figure imgf000173_0001
172
Figure imgf000174_0001
【청구항 11】
거 U 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 제 1항 내지 제 10항 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인， 유기 발광 소자.
[청구항 12】
제 11항에 있어서，
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인， 유기 발광 소자.
【청구항 13] '
제 12항에 있어서，
상기 화합물은 발광층 내의 호스트 재료인， 유기 발광 소자.
【청구항 14]
제 13항에 있어서，
상기 발광층은 도펀트 재료를 더 포함하는， 유기 발광 소자.
【청구항 15]
거 1 11항에 있어서，
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 전자주입층; 전자수송층; 또는 전자주입과 전자수송을 동시에 하는 층인， 유기 발광 소자.
PCT/KR2018/008233 2017-07-20 2018-07-20 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 WO2019017731A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880013760.2A CN110366554B (zh) 2017-07-20 2018-07-20 杂环化合物和使用其的有机发光器件
US16/490,014 US11578076B2 (en) 2017-07-20 2018-07-20 Heterocyclic compound and organic light emitting device using the same

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0092174 2017-07-20
KR20170092174 2017-07-20
KR1020180084348A KR101982791B1 (ko) 2017-07-20 2018-07-19 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR10-2018-0084348 2018-07-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019017731A1 true WO2019017731A1 (ko) 2019-01-24

Family

ID=65016203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/008233 WO2019017731A1 (ko) 2017-07-20 2018-07-20 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2019017731A1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021521254A (ja) * 2018-08-22 2021-08-26 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子
WO2023099430A1 (de) 2021-12-02 2023-06-08 Merck Patent Gmbh Triphenylen-triazin-dibenzofuran/dibenzothiophen-derivate für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024038068A1 (de) 2022-08-19 2024-02-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024121133A1 (de) 2022-12-08 2024-06-13 Merck Patent Gmbh Organische elektronische vorrichtung und spezielle materialien für organische elektronische vorrichtungen
WO2024132993A1 (de) 2022-12-19 2024-06-27 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2024194264A1 (de) 2023-03-20 2024-09-26 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110309343A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a dibenzofurane compound and a 8-hydroxypquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
KR20120033017A (ko) * 2010-09-29 2012-04-06 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2013131518A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20150084657A (ko) * 2014-01-10 2015-07-22 삼성에스디아이 주식회사 축합환 화합물, 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2016198144A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
KR101857703B1 (ko) * 2016-12-26 2018-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110309343A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a dibenzofurane compound and a 8-hydroxypquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
KR20120033017A (ko) * 2010-09-29 2012-04-06 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
JP2013131518A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20150084657A (ko) * 2014-01-10 2015-07-22 삼성에스디아이 주식회사 축합환 화합물, 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2016198144A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
KR101857703B1 (ko) * 2016-12-26 2018-05-14 주식회사 엘지화학 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021521254A (ja) * 2018-08-22 2021-08-26 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子
JP7230307B2 (ja) 2018-08-22 2023-03-01 エルジー・ケム・リミテッド 新規な化合物およびこれを利用した有機発光素子
US12096686B2 (en) 2018-08-22 2024-09-17 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light emitting device comprising the same
WO2023099430A1 (de) 2021-12-02 2023-06-08 Merck Patent Gmbh Triphenylen-triazin-dibenzofuran/dibenzothiophen-derivate für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024038068A1 (de) 2022-08-19 2024-02-22 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2024121133A1 (de) 2022-12-08 2024-06-13 Merck Patent Gmbh Organische elektronische vorrichtung und spezielle materialien für organische elektronische vorrichtungen
WO2024132993A1 (de) 2022-12-19 2024-06-27 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
WO2024194264A1 (de) 2023-03-20 2024-09-26 Merck Patent Gmbh Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101982791B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101953175B1 (ko) 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자
KR101978453B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
WO2019031679A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2018164511A1 (ko) 유기 발광 소자
KR20180061076A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101929448B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20150115647A (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2019017734A1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2019017731A1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190079571A (ko) 유기 발광 소자
KR101891263B1 (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR20200085232A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190006448A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190056995A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
WO2019017702A1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20190002299A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
WO2019013487A1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
WO2019017730A1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101967381B1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR20200052236A (ko) 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101868516B1 (ko) 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자
KR101956789B1 (ko) 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
WO2019004612A1 (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20190002302A (ko) 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18836161

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18836161

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1