KR101953175B1 - 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자 - Google Patents

함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자{MULTICYCLIC COMPOUND INCLUDING NITROGEN AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME}
본 명세서는 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
한국 특허공개공보 2000-0051826
본 명세서에는 함질소 다환 화합물 및 이를 이용하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure 112015040424936-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
X1 내지 X3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-CN, N 또는 C(R4)이며,
X1 내지 X3 중 적어도 하나는 C-CN이며,
L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌이며,
R1 내지 R4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
Y는 N(R5), O, C(R6)(R7), S 또는 Si(R8)(R9)이며,
R5 내지 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 아르알케닐기; 치환 또는 비치환된 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
a 및 c는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
b는 0 내지 2의 정수이고,
p는 1 내지 5의 정수이고,
a, b 및 p이 각각 2 이상인 경우 괄호 안의 구조는 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 본 명세서에 기재된 화합물은 정공주입, 정공수송, 정공주입 및 수송, 발광, 전자수송, 또는 전자주입 재료로 사용될 수 있다. 특히, 본 발명의 화합물을 호스트 재료로서 인광 발광성 도펀트와 함께 사용하여 유기 발광 소자의 발광층으로서 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 화합물은 음극과 발광층 사이에 전자주입층 및/또는 전자 수송층으로 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 화합물은 발광층과 전자 주입층 및 전자수송층 사이에 정공 저지층으로 사용할 수 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 실시예 6에 사용된 화합물 P의 합성 확인 자료로서 LC-Mass 데이터를 나타낸 도이다.
도 4는 실시예 8에 사용된 화합물 W의 합성 확인 자료로서 합성 확인 자료로서 LC-Mass 데이터를 나타낸 도이다.
도 5는 제조예 1에 따른 화합물 C의 합성 확인 자료로서 LC-Mass 데이터를 나타낸 도이다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112015040424936-pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112015040424936-pat00003
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112015040424936-pat00004
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112015040424936-pat00005
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112015040424936-pat00006
,
Figure 112015040424936-pat00007
,
Figure 112015040424936-pat00008
및
Figure 112015040424936-pat00009
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종 원소로 O, N, S, Se, 및 Si 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리의 예로는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로 원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로고리란 헤테로 원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소고리, 방향족 탄화수소고리, 지방족 헤테로고리 및 방향족 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015040424936-pat00010
상기 화학식 2에 있어서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, R5, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112015040424936-pat00011
[화학식 4]
Figure 112015040424936-pat00012
[화학식 5]
Figure 112015040424936-pat00013
[화학식 6]
Figure 112015040424936-pat00014
상기 화학식 3 내지 6에 있어서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, R6 내지 R9, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7 내지 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112015040424936-pat00015
[화학식 8]
Figure 112015040424936-pat00016
[화학식 9]
Figure 112015040424936-pat00017
상기 화학식 7 내지 9에 있어서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, Y, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 10 내지 12 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 10]
Figure 112015040424936-pat00018
[화학식 11]
Figure 112015040424936-pat00019
[화학식 12]
Figure 112015040424936-pat00020
상기 화학식 10 내지 12에 있어서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, Y, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 13 또는 14로 표시될 수 있다.
[화학식 13]
Figure 112015040424936-pat00021
[화학식 14]
Figure 112015040424936-pat00022
상기 화학식 13 및 14에 있어서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, Y, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1 중
Figure 112015040424936-pat00023
부분은 하기 구조식에서 선택될 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00024
Figure 112015040424936-pat00025
Figure 112015040424936-pat00026
Figure 112015040424936-pat00027
Figure 112015040424936-pat00028
Figure 112015040424936-pat00029
Figure 112015040424936-pat00030
상기 구조식에 있어서,
X1 내지 X3의 정의는 화학식 1에서와 같다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단환 또는 2환의 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기이고, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, Ar1은 페닐기이고, Ar2는 페닐기; 또는 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X1 내지 X3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-CN, N 또는 CR4이며, X1 내지 X3 중 적어도 하나는 C-CN이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 하기 구조들에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00031
상기 구조들은 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합; 또는 페닐렌이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, L은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴아민기이거나, 인접하는 치환기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리 또는 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, R1 내지 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y는 N(R5)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N을 포함하는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 N을 포함하는 치환 또는 비치환된 단환 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 피리딜기; 치환 또는 비치환된 피리미딜기; 또는 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 비치환된 페닐기; tert-부틸기로 치환된 페닐기; 알콕시기로 치환된 페닐기; 카바졸기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 나프틸기; 피리딜기; 피리미딜기; 비치환된 트리아진기; 또는 페닐기로 치환된 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y는 C(R6)(R7)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 서로 결합하여 탄화수소 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 및 R7은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y는 Si(R8)(R9)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R8 및 R9는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 발명의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들로부터 선택된 어느 하나일 수 있다.
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Figure 112015040424936-pat00065
Figure 112015040424936-pat00066
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 하기 반응식 1 내지 반응식 7과 같은 방식으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 화학식 1 중 사이아노기로 치환된 방향족 탄화수소기로 이루어진 화합물의 구조는 Syn. Commun. 2001, 31, 3497 및 Tetrahedron 2010, 66, 7418에 나타나는 합성예를 참고해서 이하의 반응식에 의해 합성할 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00067
상기 화학식 1 중 사이아노기로 치환된 방향족 복소환기로 이루어진 화합물의 구조는 J. Heterocycl. Chem. 1987, 24, 709 및 Syn. Commun. 2009, 39, 1055 에 나타나는 합성예를 참고해서 이하의 반응식에 의해 합성할 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00068
상술한 반응식 1-5로 얻어지는 사이아노기로 치환된 방향족 탄화수소기 또는 복소환기로 이루어진 화합물을, 하기에 제시된 방법에 의해 대응하는 각종 카바졸을 도입함으로써 화학식 1로 표시되는 화합물을 합성할 수 있다.
예를 들면, 화학식 1에서 L1이 치환 또는 비치환된아릴렌 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌일 경우, [논문 Chem. Rev. 1995, 95, 2457]에 나타난 합성예를 참고로 하여 이하의 반응식 6에 의해 제조할 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00069
또한, 화학식 1에서 L1이 직접 결합일 경우, 인돌로카르바졸 (Y = N) 또는 벤조퓨란일카르바졸 (Y = O) 또는 벤조티오펜일카르바졸 (Y = S) 또는 인데닐카르바졸 (Y = CR6R7) 또는 벤조사일로카르바졸 (Y = CR8R9)의 질소에 결합하는 수소를, 예를 들면 울만 반응 (Ullmann reaction) 등의 커플링 반응에 의해 대응하는 치환기로 치환시킴으로서 이하의 반응식 7에 의해 제조할 수 있다.
Figure 112015040424936-pat00070
상기 반응식들에 있어서,
치환기들의 정의는 상기 화학식 1과 같다.
또한, 본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명자들은 -CN기를 가지고 있는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기를 포함하는화합물을 유기 발광 소자에서 사용 시 특히 작동 전압, 수명 및 효율과 관련한 특성을 현저히 개선한다는 것을 밝혀내었다. 이에 비하여, 국내 등록공보 제10-0955993호에 기재된 트리아진 유도체는 호스트 재료로서 인광 발광성 도펀트와 같이 사용 시, 작동 전압뿐만 아니라 소자의 효율 및 수명에 관하여 여전히 개선이 필요하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자수송층, 전자주입층 또는 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층 및 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3), 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판 (1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(7), 전자수송층(8) 및 음극(4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 중 1층 이상에 포함될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 하나의 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 헤테로환 화합물을 포함한다. 하나의 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 헤테로환 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 헤테로환 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것이며, 본 명세서의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 제조예 >
< 제조예 1>
Figure 112015040424936-pat00071
4,6-다이페닐-2-피리미딘아민 (4,6-diphenyl-2-pyrimidinamine) (9.89 g, 40 mmol)을 아세토니트릴 (CH3CN) (100 mL)에 용해하고 N-브로모숙신이미드 (N-bromosuccinimide) (7.1 g, 40 mmol)을 첨가하였다. 8시간 후 증류수를 투입하여 반응을 종료하고, 에틸아세테이트 400 mL로 2회 추출하였다. 유기층을 탄산수소나트륨 수용액 및 물로 세정하고, 그 후 얻어진 유기층을 무수 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하여 백색 고체 A 10.1 g (31 mmol, 78%)을 얻었다.
다음으로, 아르곤 조건에서 상기에서 얻은 백색 분말 9.79 g (30 mmol)에 시안화 구리 (CuCN) 5.37 g (60 mmol)을 첨가하고 N-메틸-2-피롤리디논 (Nmethyl-2-pyrrolidinone) (200 mL)을 투입하여 교반하였다. 그 후 180°C까지 가열하여 24시간 교반하였다. 실온으로 냉각한 후 암모니아수 200 mL를 첨가하여 교반을 행한 후 발생한 결정을 여과 채취하였다. 여과 채취된 결정을 물 100 mL으로 2회 리슬러리를 행하고, 그 후 에탄올 100 mL으로 리슬러리를 행하였다. 얻어진 결정을 진공 건조기로 감압 건조를 행하여 백색 결정 6.0 g (22 mmol, 73%)을 얻었다.
다음으로, 상기에서 얻은 백색 분말 6.0 g (22 mmol)에 빙초산 80 m L, 황산 20 mL, 증류수 20 m L을 첨가하여 가열하였다. 그 후 맑은 용액이 되면 3-4 °C 냉각하고, .1.64 M 소듐나이트라이트 수용액 20 m L를 첨가하여 30분간 교반하였다. 상기 용액을 염화구리 (CuCl2) 3.28 g (24.4 mmol) 가 녹아있는 염산 (HCl) 16 m L에 3-4 °C에서 천천히 적하하였다. 그 후 45°C까지 가열하여 30분간 교반하고 80 °C까지 가열하여 30분간 교반하였다. 실온으로 냉각한 후 클로로폼 75 mL로 유기층을 3회 추출하였다. 유기층을 탄산수소나트륨 수용액 및 물로 세정하고, 얻어진 유기층을 무수 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하여 백색 고체 화합물 C 를 얻었다. 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 C 2.91 g (10 mmol, 45 %)를 얻었다.
다음으로, 질소 치환한 플라스크에 60% 수소화나트륨 (0.80 g, 20 mmol), 탈수 디메틸포름아마이드 30 mL 를 첨가하고 교반하였다. 상기 화합물 D (5.65 g, 17 mmol)에 디메틸포름아마이드 80 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 10분간 적하하였다. 적하 종료후 30분간 교반을 계속하였다. 화학식 C로 표시되는 화합물 (5.25 g, 18 mmol)에 디메틸포름아마이드 60 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 30분간 적하하였다. 적하 종료 후 4시간 교반을 계속하였다. 그 후 물 0.4 L를 첨가하여 석출한 결정을 여과 채취하였다.
여과 채취한 결정을 에탄올에 분산시켜 하룻동안 교반한 후 여과하고 진공 건조하여 화합물 (1) 6.79 g (11.6 mmol, 68% 수율)의 물질을 얻었다. MS: [M+H]+= 588.
< 제조예 2>
Figure 112015040424936-pat00072
화합물 B 12.0 g (44 mmol)에 빙초산 160 m L, 황산 40 m L, 증류수 40 mL을 첨가하여 가열하였다. 그 후 맑은 용액이 되면 3-4 °C 냉각하고, .1.64 M 소듐나이트라이트 수용액 40 mL를 첨가하여 30분간 교반하였다. 상기 용액을 염화구리 (CuCl2) 6.56 g (48.8 mmol) 가 녹아있는 브롬 산 (HBr) 32 mL에 3-4°C에서 천천히 적하하였다. 그 후 45°C까지 가열하여 30분간 교반하고 80°C까지 가열하여 30분간 교반하였다. 실온으로 냉각한 후 클로로폼 150mL로 유기층을 3회 추출하였다. 유기층을 탄산수소나트륨 수용액 및 물로 세정하고, 얻어진 유기층을 무수 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하여 백색 고체 화합물 E 를 얻었다. 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 E 7.06 g (21 mmol, 48 %)를 얻었다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 D로 표시되는 화합물 19.9 g (60 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 22.1 g (78 mmol), 구리분말 11.4 g (180 mmol), 18-크라운-6 3.24 g (12 mmol), 탄산칼륨 41.4 g (300 mmol)을 순서대로 넣고, 올쏘-디클로로벤젠 200 mL를 투입한 후, 환류 조건에서 64시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 200 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 200 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔(silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 F 17.0 g (34.8 mmol, 58 %)를 얻었다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 F로 표시되는 화합물 14.6 g (30 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 8.38 g (33 mmol), PdCl2(dppf) 2.45 g (3 mol), 칼륨아세테이트 8.83 g (90 mol), 1,4-다이옥산 200 mL 를 가한 후, 환류 조건에서 24시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 200 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 200 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 G 15.0 g (22.8 mmol, 76 %)을 얻었다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 G로 표시되는 화합물 15.0 g (22.8 mmol), 화학식 E로 표시되는 화합물 6.0 g (18 mmol), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 (2.31 g, 2 mmol), 탄산칼륨 5.30 g (54 mmol), 테트라하이드로퓨란 40 mL, 1,4-다이옥산 20 mL, 물 15 mL를 가한 후 환류 조건에서 12시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 20 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 60 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 (10) 2.87 g (4.3 mmol, 24 %)을 얻었다. MS: [M+H]+ = 664.
< 제조예 3>
Figure 112015040424936-pat00073
화합물 H 41.6 g (200 mmol)에 말로노나이트릴 26.5 g (401 mmol), 피롤리딘 촉매량, 에탄올 (600 mL)을 첨가하여 환류 조건에서 9시간동안 교반하였다. 그 후, 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 노란색 화합물 I를 얻었다. 그 후, 노란색 화합물 I를 석유 에테르(petroleum ether)로 리슬러리를 행하고, 여과 후 감압 건조하여 24.8 g (84 mmol, 42%)을 얻었다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 E의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 J로 표시되는 화합물을 44%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 (10)의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 15로 표시되는 화합물을 20%의 수율로 합성하였다. MS: [M+H]+ = 687.
< 실시예 4>
Figure 112015040424936-pat00074
상기 실시예 2의 화합물 F의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 L로 표시되는 화합물을 60%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 G의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 M으로 표시되는 화합물을 78%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 (10)의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 84로 표시되는 화합물을 26%의 수율로 합성하였다. MS: [M+H]+ = 664.
< 실시예 5>
Figure 112015040424936-pat00075
질소 치환한 플라스크에 60% 수소화나트륨 (0.88 g, 22 mmol), 탈수 디메틸포름 아마이드 30 mL 를 첨가하고 교반하였다. 상기 화합물 N (5.66 g, 20 mmol)에 디메틸포름아마이드 80 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 10분간 적하하였다. 적하 종료후 30분간 교반을 계속하였다. 화학식 C로 표시되는 화합물 (6.12 g, 21 mmol)에 디메틸포름아마이드 60 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 30분간 적하하였다. 적하 종료 후 4시간 교반을 계속하였다. 그 후 물 0.4 L를 첨가하여 석출한 결정을 여과 채취하였다. 여과 채취한 결정을 에탄올에 분산시켜 하룻동안 교반한 후 여과하고 진공 건조하여 화합물 (167) 7.54 g (14.0 mmol, 70% 수율)의 물질을 얻었다. MS: [M+H]+ = 539.
< 실시예 6>
Figure 112015040424936-pat00076
Figure 112015040424936-pat00077
질소 치환한 플라스크에 에탄올 150 ml를 투입하고, 나트륨 (1.73g, 75 mmol)을 0.2g씩 소분하여 10분 간격으로 적하하였다. 적하 종료 후 1시간 교반을 계속하였다. 그 후, 벤즈아미딘 하이드로클로라이드 (7.82 g, 50 mmol)과 (E)-2-사이아노-3-페닐프로펜오에이트 (10.06 g, 50 mmol)을 적하하고 4시간 교반하였다. 그 후, 여과하여 생성된 염화나트륨을 제거하고, 여과액을 감압 증류 제거한 뒤, 아세톤 슬러리 정제를 실시하여 O로 표시되는 화합물 7.1 g (26 mmol)을 제조하였다.
250 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 O로 표시되는 화합물 7.1 g (26 mmol)에, 1,4-다이옥산 50 mL, POCl3 50 mL 를 가한 후, 환류 조건에서 12시간 교반하였다. 1,4-다이옥산과 POCl3를 증류하여 제거한 후, 상온으로 냉각하고 메틸렌클로라이드 100 mL와 증류수 100 m L를 투입하였다. 메틸렌클로라이드 100 mL로 2회 추출하고, 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다.
그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 P 5.5 g (18.6 mmol, 72 %)을 얻었다.
다음으로, 질소 치환한 플라스크에 60% 수소화나트륨 (0.80 g, 20 mmol), 탈수 디메틸포름아마이드 30 mL 를 첨가하고 교반하였다. 상기 화합물 P (5.50 g, 17 mmol)에 디메틸포름아마이드 80 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 10분간 적하하였다. 적하 종료후 30분간 교반을 계속하였다. 화학식 Q로 표시되는 화합물 (5.25 g, 18 mmol)에 디메틸포름아마이드 60 mL를 첨가하여 용해시키고, 그 후 동플라스크 내에 30분간 적하하였다. 적하 종료 후 4시간 교반을 계속하였다. 그 후 물 0.4 L를 첨가하여 석출한 결정을 여과 채취하였다. 여과 채취한 결정을 에탄올에 분산시켜 하룻동안 교반한 후 여과하고 진공 건조하여 화합물 (104) 6.00 g (10.2 mmol, 60% 수율)의 물질을 얻었다. MS: [M+H]+ = 588.
< 실시예 7>
Figure 112015040424936-pat00078
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 R으로 표시되는 화합물 17.0 g (60 mmol), 1-브로모-3-아이오도벤젠 22.1 g (78 mmol), 구리분말 11.4 g (180 mmol), 18-크라운-6 3.24 g (12 mmol), 탄산칼륨 41.4 g (300 mmol)을 순서대로 넣고, 올쏘-디클로로벤젠 200 mL를 투입한 후, 환류 조건에서 64시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 200 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 200 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 S 15.8 g (36.0 mmol, 60 %)를 얻었다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 S로 표시되는 화합물 13.2 g (30 mmol), 비스(피나콜라토)디보론 8.38 g (33 mmol), PdCl2(dppf) 2.45 g (3 mol), 칼륨아세테이트 8.83 g (90 mol), 1,4-다이옥산 200 mL 를 가한 후, 환류 조건에서 24시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 200 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 200 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 T 10.0 g (20.7 mmol, 69 %)을 얻었다.
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 화학식 T로 표시되는 화합물 11.2 g (23.0 mmol), 화학식 E로 표시되는 화합물 6.0 g (18 mmol), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 (2.31 g, 2 mmol), 탄산칼륨 5.30 g (54 mmol), 테트라하이드로퓨란 40 mL, 1,4-다이옥산 20 mL, 물 15 mL를 가한 후 환류 조건에서 12시간 교반하였다. 상온으로 냉각한 후 증류수 20 mL를 투입하고 메틸렌클로라이드 60 mL로 2회 추출하였다. 얻어진 유기층을 황산나트륨 (MgSO4)으로 건조하였다. 그 후, 여과 분별한 후 용매를 감압 증류 제거하고, 실리카 겔 (silica gel) 컬럼 크로마토그래피 작업으로 화합물 (160) 3.68 g (6.0 mmol, 26 %)을 얻었다. MS: [M+H]+ = 615.
< 실시예 8>
Figure 112015040424936-pat00079
상기 실시예 1의 화합물 A의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 U로 표시되는 화합물을 88%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 1의 화합물 B의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 V로 표시되는 화합물을 86%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 E의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여, 화합물 W로 표시되는 화합물을 56%의 수율로 합성하였다.
다음으로, 상기 실시예 2의 화합물 10의 제조와 동일한 합성 방법을 실시하여 화합물 164로 표시되는 화합물을 26%의 수율로 합성하였다. MS: [M+H]+=663.
<실시예>
<실시예 1>
ITO(인듐 주석 산화물)가 1,000Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판(corning 7059 glass)을, 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐기렌(hexanitrile hexaazatriphenylene, HAT-CN)를 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 그 위에 정공을 수송하는 HT1(400Å)을 진공 증착한 후 발광층으로 호스트 (1)과 도판트 Ir(ppy)3 화합물을 300Å의 두께로 진공 증착 하였다. 그 다음에 E1 화합물(300Å)을 전자주입 및 수송층으로 순차적으로 열진공 증착하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 12Å 두께의 리튬 플루오라이드(LiF)와 2,000Å 두께의 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였고, LiF는 0.2 Å/sec, 알루미늄은 3~7 Å/sec의 증착속도를 유지하였다.
Figure 112015040424936-pat00080
< 실시예 2>
발광층의 호스트 재료로서, 화합물 10을 이용한 것 외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
< 실시예 3>
발광층의 호스트 재료로서, 화합물 160을 이용한 것 외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
< 실시예 4>
발광층의 호스트 재료로서, 화합물 164을 이용한 것 외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 EL 소자를 제작하였다.
< 비교예 1>
발광층의 호스트 재료로서, 하기 화합물 H-1을 이용한 것 외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다.
[H-1]
Figure 112015040424936-pat00081
< 비교예 2>
발광층의 호스트 재료로서, 하기 화합물 H-2를 이용한 것 외에는 실시예 1과 같은 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다.
[H-2]
Figure 112015040424936-pat00082
상기 실시예 및 비교예를 통하여 제조된 유기 EL 소자에 대한 평가를 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112015040424936-pat00083
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 발광층
8: 전자수송층

Claims (12)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112018125275971-pat00084

    상기 화학식 1에 있어서,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 20의 아릴기이고,
    X1 내지 X3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-CN 또는 N이며,
    X1 내지 X3 중 적어도 하나는 C-CN이고,
    L은 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴렌이며,
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소이고,
    Y는 N(R5), O, C(R6)(R7) 또는 S이며,
    R5 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이고,
    a 및 c는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
    b는 0 내지 2의 정수이고,
    p는 1이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 2]
    Figure 112018125275971-pat00085

    [화학식 3]
    Figure 112018125275971-pat00086

    [화학식 4]
    Figure 112018125275971-pat00087

    [화학식 5]
    Figure 112018125275971-pat00088

    상기 화학식 2 내지 5에 있어서,
    Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, R5 내지 R7, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 7 내지 12 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 7]
    Figure 112015040424936-pat00090

    [화학식 8]
    Figure 112015040424936-pat00091

    [화학식 9]
    Figure 112015040424936-pat00092

    [화학식 10]
    Figure 112015040424936-pat00093

    [화학식 11]
    Figure 112015040424936-pat00094

    [화학식 12]
    Figure 112015040424936-pat00095

    상기 화학식 7 내지 12에 있어서,
    Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, Y, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 13 또는 14로 표시되는 것인 화합물:
    [화학식 13]
    Figure 112015040424936-pat00096

    [화학식 14]
    Figure 112015040424936-pat00097

    상기 화학식 13 및 14에 있어서,
    Ar1, Ar2, X1 내지 X3, L, R1 내지 R3, Y, a, b, c 및 p의 정의는 화학식 1과 같다.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1 중
    Figure 112015040424936-pat00098
    부분은 하기 구조식들에서 선택된 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112015040424936-pat00099
    Figure 112015040424936-pat00100
    Figure 112015040424936-pat00101

    Figure 112015040424936-pat00102
    Figure 112015040424936-pat00103
    Figure 112015040424936-pat00104

    Figure 112015040424936-pat00105

    상기 구조식에 있어서,
    X1 내지 X3의 정의는 화학식 1에서와 같다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 L은 직접결합; 또는 페닐렌인 것인 화합물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 바이페닐기인 것인 화합물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기 화합물들에서 선택된 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure 112018125275971-pat00146

    Figure 112018125275971-pat00147

    Figure 112018125275971-pat00148

    Figure 112018125275971-pat00149

    Figure 112018125275971-pat00150

    Figure 112018125275971-pat00151

    Figure 112018125275971-pat00152

    Figure 112018125275971-pat00153

    Figure 112018125275971-pat00154

    Figure 112018125275971-pat00155

    Figure 112018125275971-pat00156

    Figure 112018125275971-pat00157

    Figure 112018125275971-pat00158

    Figure 112018125275971-pat00159

    Figure 112018125275971-pat00160

    Figure 112018125275971-pat00161

    Figure 112018125275971-pat00162

    Figure 112018125275971-pat00163

    Figure 112018125275971-pat00164

    Figure 112018125275971-pat00165

    Figure 112018125275971-pat00166

    Figure 112018125275971-pat00167

    Figure 112018125275971-pat00168

    Figure 112018125275971-pat00169

    Figure 112018125275971-pat00170

    Figure 112018125275971-pat00171

    Figure 112018125275971-pat00172

    Figure 112018125275971-pat00173
    .
  9. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 8 중 어느 하나의 항에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 또는 정공 주입과 정공 수송을 동시에 하는 층인 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 전자주입층, 전자수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층인 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것인 유기 발광 소자.
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