WO2015098117A1 - 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
低温低湿下において異常放電の発生を抑制した帯電部材を提供する。 該帯電部材は、支持体と、該支持体上の表面層とを有し、該表面層は、ポリメタロキサン(金属原子はTi、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つ)、又は、前記金属原子を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドの金属原子に、特定の構造を有する配位子が配位して、下記式(a)又は(c)で表される化合物を有している。
Description
本発明は帯電部材、それを用いたプロセスカートリッジ、及び、電子写真画像形成装置(以下「電子写真装置」と称す)に関する。
電子写真感光体(以下「感光体」と称す)の表面を帯電する方式の1つとして、接触帯電方式がある。接触帯電方式は、感光体に接触配置された帯電部材に電圧を印加し、該帯電部材と該感光体との間の当接部近傍で微少な放電をさせることによって、該感光体の表面を帯電する方式である。
接触帯電方式に用いられる帯電部材においては、帯電部材と感光体との当接ニップを十分に確保する観点から、導電性の弾性層を有する構成が一般的である。しかしながら、導電性弾性層には低分子量成分が含まれるため、この低分子量成分が帯電部材の表面にブリードし、画像欠陥を生じることがある。そのため、低分子量成分の帯電部材の表面へのブリードの抑制を目的として、導電性弾性層上に表面層を設けることがある。
特許文献1では、導電性ロール基材の表面をゾル-ゲル法によって形成される無機酸化物膜で被覆することを提案している。
近年、電子写真画像形成プロセスの高速化に伴って、感光体を帯電させる時間が相対的に短くなってきており、感光体を安定かつ確実に帯電させる上で不利な方向となっている。
本発明者らの検討によれば、特許文献1に係る導電性ロールを帯電部材として用いた場合、プロセススピードの高速化に伴い、特に低温低湿下において局所的な強い放電(異常放電)が発生する場合があることが分かった。そして、その異常放電に起因する数十μm~数mm程度の画像ムラを発生する場合があることが分かった。
本発明者らの検討によれば、特許文献1に係る導電性ロールを帯電部材として用いた場合、プロセススピードの高速化に伴い、特に低温低湿下において局所的な強い放電(異常放電)が発生する場合があることが分かった。そして、その異常放電に起因する数十μm~数mm程度の画像ムラを発生する場合があることが分かった。
本発明の目的は、低温低湿下においても局所的な強い放電(異常放電)の発生を抑制することができる、優れた帯電能力を有する帯電部材を提供することにある。また、本発明の目的は、低温低湿下においても局所的な強い放電(異常放電)の発生を抑制でき、高品位な電子写真画像を形成可能なプロセスカートリッジ、及び、電子写真装置を提供することにある。
本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式(a)で表される化合物を有する帯電部材が提供される。
式(a)中、L1は、M1On/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。nは、金属原子M1の価数がpである場合、1以上p以下の整数を表し、M1は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
X1は、下記式(1)~(4)で表されるいずれかの構造を表す。
式(1)~(4)中、*は、A1との結合部位を表し、**は、L1中のM1との結合部位を表す。
Y1は、L1中のM1に配位する部位を有する基を表す。
A1は、
(i)X1が式(1)で表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合しており、
(ii)X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式(b)で表される化合物を有する帯電部材が提供される。
(i)X1が式(1)で表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合しており、
(ii)X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式(b)で表される化合物を有する帯電部材が提供される。
式(b)中、L2は、金属原子M2を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。M2は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
X2は、下記式(5)~(8)で表されるいずれかの構造を表す。
式(5)~(8)中、*は、A2との結合部位を表し、**は、L2中のM2との結合部位を表す。
Y2は、L2中のM2に配位する部位を有する基を表す。
A2は、
(i)X2が式(5)で表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合しており、
(ii)X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式(c)及び(d)で表される少なくとも一つの化合物を有する帯電部材が提供される。
(i)X2が式(5)で表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合しており、
(ii)X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、下記式(c)及び(d)で表される少なくとも一つの化合物を有する帯電部材が提供される。
式(c)中、L3は、M3Om/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。M3は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、mは、金属原子M3の価数がqである場合、1以上q以下の整数を表す。R1~R5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。シクロペンタジエニル基は、L3中の金属原子M3に配位している。
式(d)中、L4は、金属原子M4を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。M4は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。シクロペンタジエニル基は、L4中の金属原子M4に配位している。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、M5Ok/2で表される構造単位(M5は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、kは、金属原子M5の価数がtである場合、1以上t以下の整数を表す)を有するポリメタロキサンを有し、該ポリメタロキサンは、下記式(e)で表される構造を有することを特徴とする帯電部材が提供される。
(式(e)中、
X5は下記式(12)~(15)で表されるいずれかの構造を表し、
Y5はM5に配位する部位を有する基を表し、
A5は、
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。)
X5は下記式(12)~(15)で表されるいずれかの構造を表し、
Y5はM5に配位する部位を有する基を表し、
A5は、
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。)
(式(12)~(15)中、*はA5との結合部位を表し、**はM5との結合部位を表す。)
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、M6Ol/2で表される構造単位(M6は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、lは、金属原子M6の価数がuである場合、1以上u以下の整数を表す)を有するポリメタロキサンを有し、該ポリメタロキサンは、下記式(f)で表される構造を有することを特徴とする帯電部材が提供される。
また、本発明によれば、支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、該表面層は、M6Ol/2で表される構造単位(M6は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、lは、金属原子M6の価数がuである場合、1以上u以下の整数を表す)を有するポリメタロキサンを有し、該ポリメタロキサンは、下記式(f)で表される構造を有することを特徴とする帯電部材が提供される。
(式(f)中、
R61~R65は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、M6に配位している。)
R61~R65は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、M6に配位している。)
また、本発明によれば、感光体と、該感光体の表面を帯電可能に配置された帯電部材とを備え、かつ、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、該帯電部材が上記の帯電部材であるプロセスカートリッジが提供される。更に、本発明によれば、感光体と、該感光体の表面を帯電可能に配置された帯電部材とを備えている電子写真装置であって、該帯電部材が上記の帯電部材である電子写真装置が提供される。
本発明により、低温低湿下においても局所的な強い放電(異常放電)の発生を抑制することができる、優れた帯電能力を有する帯電部材を提供することが可能となる。また、本発明により、低温低湿下においても局所的な強い放電(異常放電)の発生を抑制でき、高品位な電子写真画像を形成可能なプロセスカートリッジ、及び、電子写真装置を提供することが可能となる。
本発明に係る下記式(a)~(f)で表される化合物又は構造の詳細を以下に説明する。
式(a)中、L1は、M1On/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。nは、金属原子M1の価数がpである場合、1以上p以下の整数を表し、M1は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
X1は、下記式(1)~(4)で表されるいずれかの構造を表す。
式(1)~(4)中、*は、A1との結合部位を表し、**は、L1中のM1との結合部位を表す。
Y1は、L1中のM1に配位する部位を有する基を表す。
A1は、
(i)X1が式(1)で表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合しており、
(ii)X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
(i)X1が式(1)で表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合しており、
(ii)X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
式(b)中、L2は、金属原子M2を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。M2は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
X2は、下記式(5)~(8)で表されるいずれかの構造を表す。
式(5)~(8)中、*は、A2との結合部位を表し、**は、L2中のM2との結合部位を表す。
Y2は、L2中のM2に配位する部位を有する基を表す。
A2は、
(i)X2が式(5)で表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合しており、
(ii)X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
(i)X2が式(5)で表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合しており、
(ii)X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。
式(c)中、L3は、M3Om/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。M3は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、mは、金属原子M3の価数がqである場合、1以上q以下の整数を表す。R1~R5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。シクロペンタジエニル基は、L3中の金属原子M3に配位している。
式(d)中、L4は、金属原子M4を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。M4は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。シクロペンタジエニル基は、L4中の金属原子M4に配位している。
式(e)中、X5は下記式(12)~(15)で表されるいずれかの構造を表す。
式(12)~(15)中、*はA5との結合部位を表し、**はM5との結合部位を表す。
Y5はM5に配位する部位を有する基を表す。
A5は、
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
式(f)中、R61~R65は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、シクロペンタジエニル基は、M6に配位している。
すなわち、本発明に係る帯電部材の表面層は、ポリメタロキサン構造、金属アルコキシド又は金属ヒドロキシド中の金属原子に、特定の構造を有する化合物が配位及び結合している化合物を含むことを特徴とする。
そして、本発明に係る帯電部材が、異常放電の発生を抑制することができる理由は以下のように考えられる。
大気中の近接放電現象はパッシェン則に従い発生する。この現象は、遊離した電子が電界によって加速され、電極間に存在する分子や電極と衝突して電子、陽イオン及び陰イオンを生成する過程を繰り返す、電子雪崩の拡散現象である。この電子雪崩は電界に従って拡散し、拡散が最終的な放電電荷量を決定する。パッシェン則に従う条件よりも過剰な電界となれば、局所的な強い放電、すなわち異常放電が発生しやすくなる。
低温低湿下では、常温常湿下と比較して電極間に存在する分子が少ないことから、パッシェンの法則から導かれる放電開始電圧よりも放電開始電圧が高くなる傾向にある。放電開始電圧が高くなることで、パッシェン則に従う条件よりも過剰な電界になりやすく、低温低湿下では異常放電が発生しやすくなっている。
本発明に係る化合物は、ポリメタロキサン、金属アルコキシド又は金属ヒドロキシド中の金属原子に特定の構造を有する配位子が配位及び結合することにより、当該配位子が配位する前と比較して最高被占軌道(HOMO)のエネルギー準位が浅くなっている。その結果、本発明に係る帯電部材の表面層からは電子が放出されやすくなっている。そのため、放電開始電圧が下がり、放電電荷量が抑制されることで、異常放電の発生が抑制されているものと考えられる。
<帯電部材>
以下、本発明の帯電部材の具体例として、ローラ形状の帯電部材(以下、「帯電ローラ」と称す場合がある。)によって、本発明を詳細に説明する。帯電部材の形状は、ローラ形状に限定されるものではなく、いずれの形状であってもよい。
以下、本発明の帯電部材の具体例として、ローラ形状の帯電部材(以下、「帯電ローラ」と称す場合がある。)によって、本発明を詳細に説明する。帯電部材の形状は、ローラ形状に限定されるものではなく、いずれの形状であってもよい。
図1は、支持体1上に形成された弾性層2及び表面層3を有する帯電ローラである。
電子写真感光体(以下、「感光体」ともいう)の表面を帯電可能に配置される帯電部材は、感光体との当接ニップを十分に確保するために、弾性層を有する構成が好ましく用いられる。弾性層を有する帯電部材の最も簡単な構成は、支持体上に弾性層及び表面層の2層を設けた構成である。支持体と弾性層との間や弾性層と表面層との間に別の層を1つ又は2つ以上設けてもよい。
〔表面層〕
以下式(a)、(b)、(c)及び(d)で表される化合物並びに式(e)及び(f)で表される構造を有するポリメタロキサンについて詳細に説明する。
以下式(a)、(b)、(c)及び(d)で表される化合物並びに式(e)及び(f)で表される構造を有するポリメタロキサンについて詳細に説明する。
〈式(a)又は(b)で表される化合物〉
式(a)中のL1は、M1On/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。M1は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、nは、金属原子M1の価数がpである場合、1以上p以下の整数を表す。ポリメタロキサン中の金属原子M1は、複数種の金属原子であっても良い。また、ポリメタロキサンは、SiOr/2(rは1以上4以下の整数)で表される構造単位を有していても良い。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
式(b)中のL2は、金属原子M2を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。金属原子M2は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
式(a)中のX1は、下記式(1)~(4)で表されるいずれかの構造を表す。
式(1)~(4)中、*は、A1との結合部位を表し、**は、L1中のM1との結合部位を表す。
式(b)中のX2は、下記式(5)~(8)で表されるいずれかの構造を表す。
式(5)~(8)中、*は、A2との結合部位を表し、**は、L2中のM2との結合部位を表す。
式(2)及び式(6)中、窒素原子は、置換もしくは未置換の、ピロール骨格、インドール骨格、ピロリジン骨格、カルバゾール骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格、テトラゾール骨格、ピロリドン骨格、ピペリジン骨格、モルホリン骨格、ピペラジン骨格の如き複素環中の窒素原子であってもよい。該置換基としては、炭素数1~10の直鎖または分岐の、アルキル基またはアルコキシ基が挙げられる。より好ましくは、炭素数1~4である。(以降に登場する置換基も、特別の記載が無い限り、ここで記載した置換基と同様である。)窒素原子が複素環中の窒素原子でない場合において、窒素原子が、A1及びM1以外で結合している原子又は基、及び、A2及びM2以外で結合している原子又は基は、水素原子、置換もしくは未置換のアリール基又は炭素数1~10のアルキル基を表す。具体的には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基などの直鎖のアルキル基、イソプロピル基、t-ブチルなどの分岐鎖を持つアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの環状アルキル基が挙げられる。特に、式(2)及び式(6)で表される基としては、未置換のアミノ基、炭素数1~4のモノアルキルアミノ基及びピロール骨格を有する基から、窒素原子に結合する水素原子を1つ取り除いた基であることがよい。
式(a)中のY1は、L1中のM1に配位する部位を有する基を、式(b)中のY2は、L2中のM2に配位する部位を有する基を表し、非共有電子対を持つ原子を含む基である。具体的には、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオカルボニル基、置換または未置換のアミノ基、置換または未置換のイミノ基が挙げられる。
アルコキシ基としては、炭素数1~10の直鎖または分岐のアルコキシ基が挙げられる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、t-ブトキシ基が挙げられる。好ましくは炭素数1~4のアルコキシ基である。
アリールオキシ基としては、置換または未置換の、フェノキシ基、ナフチルオキシ基が挙げられる。
アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
アリールチオ基としては、アリールオキシ基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
カルボニル基としては、ホルミル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アミド基(R-CO-NR-又はR-NR-CO-)、ウレイド基(NH2-CO-NH-)、ウレア基(R-NH-CO-NH-)が挙げられる。アルキルカルボニル基およびアルコキシカルボニル基中のアルキル基、並びに、アミド基、及びウレア基中のRは、それぞれ、炭素数1~10の直鎖又は分岐のアルキル基であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、t-ブチル基、ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基などの直鎖のアルキル基、イソプロピル基、t-ブチル基などの分岐鎖のアルキル基が挙げられる。より好ましくは、炭素数1~4である。
アリールカルボニル基としては、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素とカルボニル基とが結合した基、または、置換もしくは未置換の芳香族複素環とカルボニル基とが結合した基が挙げられる。具体的には、置換または未置換の、フェニルカルボニル基及びナフチルカルボニル基が挙げられる。
チオカルボニル基としては、前記カルボニル基の酸素原子を硫黄原子に置き換えた基が挙げられる。
置換されたアミノ基としては、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、置換または未置換のアリールアミノ基が挙げられる。具体的には、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基の如き炭素数1~10のモノアルキルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基の如き炭素数1~10のジアルキルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基の如き、置換または未置換のアリールアミノ基が挙げられる。
未置換のイミノ基は、>C=NHまたは-N=CH2と表される基である。未置換のイミノ基中の水素原子は、炭素数1~10のアルキル基、または、置換もしくは未置換のアリール基(フェニル基、ナフチル基)によって置換されていてもよい。
また、Y1及びY2は脂肪族又は芳香族の複素環骨格を有する基であっても良い。芳香族の複素環骨格としては、置換又は未置換の、チオフェン骨格、フラン骨格、ピリジン骨格、ピラン骨格、ベンゾチオフェン骨格、ベンゾフラン骨格、キノリン骨格、イソキノリン骨格、オキサゾール骨格、ベンゾオキサゾール骨格、チアゾール骨格、ベンゾチアゾール骨格、チアジアゾール骨格、ベンゾチアジアゾール骨格、ピリダジン骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、フェナジン骨格、アクリジン骨格、キサンテン骨格、イミダゾール骨格、ベンゾイミダゾール骨格、ピラゾール骨格、インダゾール骨格、トリアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格及びテトラゾール骨格が挙げられる。脂肪族の複素環骨格としては、置換または未置換の、モルホリン骨格が挙げられる。
上記したY1およびY2の中でも、ヒドロキシ基、炭素数1~4のアルコキシ基、置換または未置換のフェノキシ基、置換または未置換のナフチルオキシ基、ホルミル基、炭素数1~4のアルキル基を有するアルキルカルボニル基、炭素数1~4のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基、チオカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、エチルメチルアミド基、未置換のアミノ基、モノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モノフェニルアミノ基、メチルエチルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基であることが好ましい。
式(a)中のA1は、X1が式(1)である場合に、M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合している。式(b)中のA2も同様で、X2が式(5)である場合に、M2、X2、及びY2とともに4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合している。
具体的なA1及びA2として、置換または未置換の、芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環等)を含む原子団が挙げられる。また、A1及びA2は、それぞれY1及びY2の芳香族複素環と縮合環を形成してもよい。A1及びA2としては、特には、芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環)を含む原子団であることが好ましい。
なお、X1が式(1)である場合のA1、及び、X2が式(5)である場合のA2は、芳香環を有することが重要である。芳香環を有する場合の方が、A1、M1、X1、及びY1によって形成される構造を有する金属錯体、及びA2、M2、X2、及びY2によって形成される構造を有する金属錯体の安定性が高く、帯電部材の性能安定性も高い。
式(a)中のA1は、X1が式(2)~(4)で表されるいずれかの構造である場合に、M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。式(b)中のA2も同様で、X2が式(6)~(8)である場合に、M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。A1及びA2が、M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団である場合における当該原子団の例を以下に挙げる。メチレン基、エチレン基などのアルキレン基、芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環)を含む原子団。
A1及びA2としては、特には、結合及びアルキレン基、芳香環(ベンゼン環、ナフタレン環)を含む原子団であることが好ましい。
また、A1及びA2が芳香環を含む原子団である場合、それぞれ、Y1及びY2の芳香族複素環、X1及びX2の芳香族複素環、またはその両方の芳香族複素環と縮合環を形成してもよい。
式(a)及び式(b)において、A1、M1、X1、及びY1によって形成される環、並びにA2、M2、X2、及びY2によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、5員環又は6員環であることが好ましい。
式(a)中のA1、X1及びY1の好ましい組み合わせを以下に2つ挙げる。
A1が、下記式(A1-1)または(A1-2)で表される構造であり、X1が、下記式(X1-1)または(X1-2)で表される構造であり、Y1が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
(式(A1-1)及び(A1-2)中、R11及びR13は、それぞれ、Y1と結合している、単結合またはメチレン基を表し、R12及びR14は、それぞれ、水素原子、メトキシ基、または、エトキシ基を表し、*はX1との結合部位を表す。)
(式(X1-1)及び(X1-2)中、*はA1との結合部位を表し、**はM1との結合部位を表す。)
なお、上記組み合わせにおいて、Y1がピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である場合は、Y1中の芳香環とA1中の芳香環とが縮合環を形成しているものも含むものとする。
また、A1が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、X1が、下記式(X1-3)~(X1-7)のいずれかで表される構造であり、Y1が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
(式(X1-3)~(X1-7)中、*はA1との結合部位を表し、**はM1との結合部位を表す。)
なお、上記2つのA1、X1及びY1の組み合わせにおいて、さらに、A1、M1、X1、及びY1によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、5員環又は6員環であることが好ましい。
また、式(b)中のA2、X2及びY2の好ましい組み合わせを以下に2つ挙げる。
A2が、下記式(A2-1)または(A2-2)で表される構造であり、X2が、下記式(X2-1)または(X2-2)で表される構造であり、Y2が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
(式(A2-1)及び(A2-2)中、R21及びR23は、それぞれ、Y2と結合している、単結合またはメチレン基を表し、R22及びR24は、それぞれ、水素原子、メトキシ基、または、エトキシ基を表し、***はX2との結合部位を表す。)
(式(X2-1)及び(X2-2)中、***は、A2との結合部位を表し、****は、M2との結合部位を表す。)
なお、上記組み合わせにおいて、Y2がピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である場合は、Y2中の芳香環とA2中の芳香環とが縮合環を形成しているものも含むものとする。
また、A2が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、X2が、下記式(X2-3)~(X2-7)のいずれかで表される構造であり、Y2が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基である。
(式(X2-3)~(X2-7)中、***はA2との結合部位を表し、****はM2との結合部位を表す。)
なお、上記2つのA2、X2及びY2の組み合わせにおいて、さらに、A2、M2、X2、及びY2によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、5員環又は6員環であることが好ましい。
上記式(a)及び(b)について、金属原子に配位及び結合して上記の構造を形成する化合物(以下、「配位子用化合物」ともいう)として具体的な例を表1~4にまとめて示した。なお、表1~4中、「Me」は、メチル基を意味する。
表1~4に示した配位子用化合物のうちのいくつか取り上げ詳細に説明する。
X1が式(1)である場合及びX2が式(5)である場合の配位子用化合物の例として、式(9)で表されるグアヤコールが挙げられる。
グアヤコールは、表10中の実施例1に示すように、ヒドロキシ基の水素原子が外れて酸素原子が金属原子に結合し、メトキシ基の酸素原子が金属原子に配位結合することにより、錯体を形成する。残部の1,2-フェニレン基がA1及びA2に該当する。
X1が式(1)である場合及びX2が式(5)である場合の配位子用化合物の他の例として、下記式(10)で表される4-ヒドロキシ-5-アザフェナントレンが挙げられる。4-ヒドロキシ-5-アザフェナントレンは、A1及びA2中の芳香環がそれぞれY1及びY2の芳香族複素環と一体となっている配位子用化合物である。
4-ヒドロキシ-5-アザフェナントレンは、ヒドロキシ基の水素原子が外れて酸素原子が金属原子に結合し、ピリジン骨格中の窒素原子が金属原子と配位結合することにより、錯体を形成する。ナフタレン骨格がA1及びA2に該当し、ピリジン骨格とナフタレン骨格が縮合環を形成し、アザフェナントレン骨格となる。
X1が式(2)~(4)である場合及びX2が式(6)~(8)である場合の配位子用化合物の例として、下記式(11)で表される2-アセチルピロールが挙げられる。
2-アセチルピロールは、表10中の実施例3に示すように、ピロール骨格中の窒素原子が金属原子に結合し、アセチル基の酸素原子が金属原子に配位結合することにより、錯体を形成する。アセチル基とピロール基をつなぐ結合がA1及びA2に該当する。
式(c)中、L3は、M3Om/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表す。M3は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、mは、金属原子M3の価数がqである場合、1以上q以下の整数を表す。ポリメタロキサン中の金属原子M3は、複数種の金属原子であっても良い。また、ポリメタロキサンは、SiOs/2(sは1以上4以下の整数)で表される構造単位を有していても良い。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
式(d)中、L4は、金属原子M4を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表す。M4は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表す。
式(c)中のR1~R5及び式(d)中のR6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基又はトリメチルシリル基を表す。本発明の化合物の最高被占軌道(HOMO)をより浅くするためには電子供与性を示す基であることが好ましい。すなわち、メチル基、t-ブチル基又はトリメチルシリル基であることが好ましい。
式(c)及び(d)中のシクロペンタジエニル基は、L3中の金属原子M3及びL4中の金属原子M4にそれぞれ配位している。
上記式(c)及び(d)について、金属原子に配位及び結合して上記の構造を形成する化合物として具体的な例を表5にまとめて例示した。
〈式(e)で表される構造を有するポリメタロキサン〉
式(e)に係るポリメタロキサンは、M5Ok/2で表される構造単位(M5は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、kは、金属原子M1の価数がtである場合、1以上t以下の整数を表す)を有し、かつ、下記式(e)で表される構造を有している。
式(e)中、X5は下記式(12)~(15)で表されるいずれかの構造を表し、Y5はM5に配位する部位を有する基を表す。
A5は、
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。
(式(12)~(15)中、*はA5との結合部位を表し、**はM5との結合部位を表す。)
なお、A5、Y5及びX5は、前記式(a)中のA1、X1及びY1と、それぞれ同意義である。また、式(e)中のA5、X5及びY5の好ましい組み合わせは、前記したA1、X1及びY1の好ましい組み合わせにおいて、A1をA5、X1をX5、Y1をY5としてそれぞれ置き換えたものと同じである。
また、A5、M5、X5、及びY5によって形成される環は、錯体の形成容易性の観点から、5員環又は6員環であることが好ましい。
また、金属原子M5に配位及び結合して、上記式(e)で表される構造を形成する化合物(配位子用化合物)としては、前記表1~4に示した化合物が挙げられる。
また、式(e)に係るポリメタロキサンは、SiOi/2(iは1以上4以下の整数)で表される構造単位を有していてもよい。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
〈式(f)で表される構造を有するポリメタロキサン〉
式(f)に係るポリメタロキサンは、M6Ol/2で表される構造単位(M6は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、lは、金属原子M6の価数がuである場合、1以上u以下の整数を表す)を有し、かつ、下記式(f)で表される構造を有している。
式(f)中、R61~R65は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、シクロペンタジエニル基は、M6に配位している。
式(f)で表される構造を有するポリメタロキサンの最高被占軌道(HOMO)をより浅くするためには、R61~R63は電子供与性を示す基であることが好ましい。すなわち、メチル基、t-ブチル基又はトリメチルシリル基であることが好ましい。
式(f)で表される構造を有するポリメタロキサンの最高被占軌道(HOMO)をより浅くするためには、R61~R63は電子供与性を示す基であることが好ましい。すなわち、メチル基、t-ブチル基又はトリメチルシリル基であることが好ましい。
また、金属原子M6に配位して、上記式(f)で表される構造を形成する化合物(配位子用化合物)としては、前記表5に示した化合物が挙げられる。
また、式(f)で表される構造を有するポリメタロキサンは、SiOj/2(jは1以上4以下の整数)で表される構造単位を有していても良い。この構造単位を有することで、ポリメタロキサンの非晶性が向上し、膜の平滑性や強度をより一層向上させることが可能である。
上記式(a)~(f)について、金属原子1原子当たりに配位する化合物の個数は一個に限られない。また、1種の化合物だけでなく、複数種の化合物が金属原子に配位していても良い。
〔支持体〕
支持体としては、感光体と当接に十分な剛性を持つ必要があり、金属材料が好ましく用いられる。金属材料としては、具体的には、鉄、銅、ステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルが挙げられる。また、フィラーで強化された樹脂性の支持体を用いることも可能である。
支持体としては、感光体と当接に十分な剛性を持つ必要があり、金属材料が好ましく用いられる。金属材料としては、具体的には、鉄、銅、ステンレス鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルが挙げられる。また、フィラーで強化された樹脂性の支持体を用いることも可能である。
〔弾性層〕
弾性層を構成する材料としては、従来から帯電部材の弾性層として用いられているゴムや熱可塑性エラストマーなどの弾性体を1種又は2種以上用いることができる。
弾性層を構成する材料としては、従来から帯電部材の弾性層として用いられているゴムや熱可塑性エラストマーなどの弾性体を1種又は2種以上用いることができる。
ゴムとしては、具体的には、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ブタジエンゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、スチレン-ブタジエンゴム、エチレン-プロピレンゴム、ポリノルボルネンゴム、アクリロニトリルゴム、エピクロルヒドリンゴムおよびアルキルエーテルゴムなどが挙げられる。熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー及びオレフィン系エラストマー等が挙げられる。
弾性層は、導電剤を含むことによって所定の導電性を有するように構成することが好ましい。弾性層の電気抵抗値の好適な範囲は102Ω以上108Ω以下である。
導電性弾性層に用いられる導電剤としては、炭素系材料、金属酸化物、金属、陽イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、両性イオン界面活性剤、帯電防止剤、電解質などを用いることが可能である。
炭素系材料としては、具体的には、導電性カーボンブラック、グラファイトなどが挙げられる。金属酸化物としては、具体的には、酸化スズ、酸化チタン及び酸化亜鉛などが挙げられる。金属としては、具体的には、ニッケル、銅、銀及びゲルマニウムが挙げられる。
陽イオン性界面活性剤としては、具体的には、第四級アンモニウム塩(ラウリルトリメチルアンモニウム、ステアリルトリメチルアンモニウム、オクタドデシルトリメチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムおよび変性脂肪酸・ジメチルエチルアンモニウム等)、過塩素酸塩、塩素酸塩、ホウフッ化水素酸塩、エトサルフェート塩およびハロゲン化ベンジル塩(臭化ベンジル塩や塩化ベンジル塩など)が挙げられる。
陰イオン性界面活性剤としては、具体的には、脂肪族スルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルコールエチレンオキサイド付加硫酸エステル塩、高級アルコール燐酸エステル塩および高級アルコールエチレンオキサイド付加燐酸エステル塩が挙げられる。
帯電防止剤としては、高級アルコールエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル及び多価アルコール脂肪酸エステルの如き非イオン性帯電防止剤が挙げられる。
電解質としては、周期律表第1族の金属(Li、Na、Kなど)の塩(第四級アンモニウム塩など)が挙げられる。周期律表第1族の金属の塩としては、具体的には、LiCF3SO3、NaClO4、LiAsF6、LiBF4、NaSCN、KSCNおよびNaClが挙げられる。
また、導電性弾性層用の導電剤として、周期律表第2族の金属(Ca、Baなど)の塩(Ca(ClO4)2など)やこれから誘導される帯電防止剤を用いることもできる。また、これらと多価アルコール(1,4-ブタンジオール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール)もしくはその誘導体との錯体や、これらとモノオール(エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル)との錯体の如きイオン導電性導電剤を用いることが可能である。
弾性層の硬度は、帯電部材と被帯電体である感光体とを当接させた際の帯電部材の変形を抑制する観点から、MD-1硬度で60度以上85度以下であることが好ましい。また、弾性層は、感光体と幅方向で均一に当接させるために、中央部の層厚が端部の層厚よりも厚い、いわゆるクラウン形状とすることが好ましい。
〔表面層の形成〕
本発明に係る表面層は、支持体上、又は、弾性層上にコーティング液の塗膜を乾燥させることにより形成される。
本発明に係る表面層は、支持体上、又は、弾性層上にコーティング液の塗膜を乾燥させることにより形成される。
コーティング液は、有機溶剤中、金属アルコキシドと、先に述べた配位子用化合物とを混合することにより得ることができる。入手可能な場合には、化合物が配位した金属アルコキシドを入手し、そのまま使用することも可能である。
金属アルコキシドとしては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびゲルマニウムのアルコキシドが用いられる。アルコキシドとしては、メトキシド、エトキシド、n-プロポキシド、iso-プロポキシド、n-ブトキシド、2-ブトキシド、t-ブトキシドが挙げられる。
先述の配位子用化合物は、金属アルコキシド1モルに対して0.5モル以上添加することが好ましく、1モル以上添加することがより好ましい。また、複数の化合物や金属アルコキシドを組み合わせても良い。
本発明に係る化合物において、金属原子と先述の配位子用化合物が結合していることは、1H-NMR分析をおこなうことで確認することができる。
必要に応じ、金属アルコキシドを縮合してポリメタロキサンとするために、触媒として水、酸、塩基を加えることも可能である。また、コーティング液を加熱して縮合を促進しても良い。先述の化合物と金属アルコキシドを混合したコーティング液においては金属アルコキシドの縮合はあまり進んでおらず、コーティング液を弾性層上に塗布し乾燥させる工程(後述する)において、金属アルコキシドが縮合している可能性があると考えられる。金属アルコキシドと先述の配位子用化合物を混合するだけでなく、コーティング液の触媒の添加や加熱により金属アルコキシドの縮合を促進することで、本発明に係る化合物の最高被占軌道(HOMO)のエネルギー準位がより浅くなり、電子を放出しやすくなる。そのため放電開始電圧が下がり、局所的な強い放電(異常放電)を抑制することが可能となる。水を添加する場合、水の添加量は金属アルコキシド1モルに対して0.01モル~5モル添加することが好ましく、0.1モル~3モル添加することがより好ましい。
本発明の表面層の膜性(膜の平滑性、強度)をより向上させるために、コーティング液にアルコキシシランを添加することもできる。用いられるアルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシランが用いられる。
テトラアルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ(n-プロポキシ)シラン、テトラ(iso-プロポキシ)シラン、テトラ(n-ブトキシ)シラン、テトラ(2-ブトキシ)シラン、テトラ(t-ブトキシ)シランが挙げられる。
トリアルコキシシランとしては、トリメトキシヒドロシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシ(n-プロピル)シラン、トリメトキシ(iso-ポロポキシ)シラン、トリメトキシ(n-ブトキシ)シラン、トリメトキシ(2-ブトキシ)シラン、トリメトキシ(t-ブトキシ)シラン、トリメトキシ(n-ヘキシル)シラン、トリメトキシ(n-オクチル)シラン、トリメトキシ(n-デシル)シラン、トリメトキシ(n-ドデカ)シラン、トリメトキシ(n-テトラデカ)シラン、トリメトキシ(n-ペンタデカ)シラン、トリメトキシ(n-ヘキサデカ)シラン、トリメトキシ(n-オクタデ)シラン、トリメトキシシクロヘキシルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ(3-グリシジルプロピル)シランなどのトリメトキシシラン類、トリエトキシヒドロシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシ(n-プロピル)シラン、トリエトキシ(iso-ポロポキシ)シラン、トリエトキシ(n-ブトキシ)シラン、トリエトキシ(2-ブトキシ)シラン、トリエトキシ(t-ブトキシ)シラン、トリエトキシ(n-ヘキシル)シラン、トリエトキシ(n-オクチル)シラン、トリエトキシ(n-デシル)シラン、トリエトキシ(n-ドデカ)シラン、トリエトキシ(n-テトラデカ)シラン、トリエトキシ(n-ペンタデカ)シラン、トリエトキシ(n-ヘキサデカ)シラン、トリエトキシ(n-オクタデ)シラン、トリエトキシシクロヘキシルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリエトキシ(3-グリシジルプロピル)シランの如きトリエトキシシラン類が挙げられる。
ジアルコキシシランとしては、具体的には、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシ(ビス-3-グリシジルプロピル)シランなどのジメトキシシラン類、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、ジエトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジエトキシ(ビス-3-グリシジルプロピル)シランなどのジエトキシシラン類が挙げられる。
用いる有機溶剤としては、金属アルコキシドと先述の化合物が溶解できる溶剤であれば特に限定はないが、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、セロソルブ系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒など用いられる。アルコール系溶媒としては、具体的には、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、t-ブタノール、1-ペンタノール、シクロヘキサノールが挙げられる。エーテル系溶媒としては、具体的には、ジメトキシエタンが挙げられる。セロソルブ系溶媒としては、具体的には、メチルセロソルブ、エチルセロソルブが挙げられる。ケトン系溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルiso-ブチルケトンが挙げられる。エステル系溶媒としては、具体的には、酢酸メチル、酢酸エチルなどが挙げられる。有機溶剤は、単独で用いるほか、2種以上の混合物も使用可能である。
表面層を形成させる方法は特に限定はなく、一般的に用いられる方法を選択することができる。具体的には、ロールコーターを用いた塗布、浸漬塗布、リング塗布が挙げられる。
表面層の形成後は、溶剤を乾燥させるために、加熱処理することも可能である。
表面層の形成後は、溶剤を乾燥させるために、加熱処理することも可能である。
また、表面層を表面処理することにより、動摩擦、表面自由エネルギーなどの表面物性を調整することが可能である。具体的には、活性エネルギー線を照射する方法があり、活性エネルギー線としては、紫外線、赤外線、電子線などが挙げられる。
表面層の厚さは、異常放電の発生のより一層の抑制を図る観点から、0.005μm~30μmであることが好ましく、0.005μm~5μmであることがより好ましい。
<電子写真装置及びプロセスカートリッジ>
図2に、本発明の帯電部材を有する電子写真装置の一例を、図3に本発明の帯電部材を有するプロセスカートリッジの一例を示す。
図2に、本発明の帯電部材を有する電子写真装置の一例を、図3に本発明の帯電部材を有するプロセスカートリッジの一例を示す。
感光体4は、回転ドラム型の像担持体である。この感光体4は、図中の矢印が示す時計回りに所定の周速度で回転駆動する。
帯電ローラ5は帯電部材である。帯電ローラ5に帯電バイアスを印加する帯電バイアス印加電源19によって帯電手段が構成されている。帯電ローラ5は、感光体4の表面に、所定の押圧力で接触させてあり、感光体4の回転に対して順方向に回転駆動する。この帯電ローラ5に対して帯電バイアス印加電源19から所定の直流電圧(後述の実施例では-1050Vとした)が印加される(DC帯電方式)ことで、感光体4の表面が所定の極性電位(後述の実施例では暗部電位-500Vとした)に一様に帯電処理される。
感光体4の帯電処理面に露光手段11により目的の画像情報に対応した像露光が形成される。感光体帯電面の露光明部の電位(後述の実施例では明部電位-150Vとした)が選択的に低下(減衰)して感光体4に静電潜像が形成される。露光手段11には公知の手段を利用することができ、例えばレーザビームスキャナー等を好適に例示することができる。
現像ローラ6は、感光体4表面の静電潜像の露光明部に、感光体4の帯電極性と同極性に帯電しているトナー(ネガトナー)を選択的に付着させて静電潜像をトナー像として可視化する。後述の実施例では現像バイアス-400Vとした。現像方式としては特に制限はなく、例えば、ジャンピング現像方式、接触現像方式及び磁気ブラシ方式等が存在するが、特にカラー画像を出力する電子写真装置には、トナーの飛散性改善等の目的より、接触現像方式が好ましいといえる。
転写ローラ8は、感光体4に所定の押圧力で接触させてあり、感光体4の回転と順方向に感光体4の回転周速度とほぼ同じ周速度で回転する。また、転写バイアス印加電源からトナーの帯電特性とは逆極性の転写電圧が印加される。感光体4と転写ローラ8の接触部に不図示の給紙機構から転写材7が所定のタイミングで給紙され、その転写材7の裏面が転写電圧を印加した転写ローラ8により、トナーの帯電極性とは逆極性に帯電される。このことにより、感光体4と転写ローラ8との接触部において感光体面側のトナー画像が転写材7の表面側に静電転写される。転写ローラ8としては、公知の手段を利用することができる。例えば金属等の導電性支持体上に中抵抗に調製された弾性層を被覆してなる転写ローラ等を例示することができる。
トナー画像の転写を受けた転写材7は感光体面から分離して、定着装置9へ導入されて、トナー画像の定着を受けて画像形成物として出力される。両面画像形成モードや多重画像形成モードの場合は、この画像形成物が不図示の再循環搬送機機構に導入されて転写部へ再導入される。転写残余トナー等の感光体4上の残留物は、クリーニングブレード10を有するクリーニング装置14により、感光体4上から回収される。また、感光体4に残留電荷が残るような場合には、転写後、帯電ローラ5による一次帯電を行う前に、前露光装置(不図示)によって感光体4の残留電荷を除去する方がよい。後述の実施例の画像形成には、前露光装置は用いないものを使用した。
本発明に係るプロセスカートリッジは、少なくとも帯電部材と感光体を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱可能に構成されている。後述の実施例では、帯電ローラ5、後述の実施例では、帯電ローラ5、感光体4、現像ローラ6及びクリーニング装置14を一体に支持するプロセスカートリッジを用いた。
以下、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。実施例中の化合物について、「部」は、特に断りがない場合は「質量部」を意味する。
以下で使用した試薬の一覧を表9に記載した。また、実施例に用いた化合物の金属原子に対する配位構造を表10に記載した。
(実施例1)
〔導電性弾性ローラ1の作製〕
表6に示した材料を6L加圧ニーダー(商品名: TD6-15MDX、トーシン社製)にて、充填率70体積%、ブレード回転数30rpmで24分混合して、未加硫ゴム組成物を得た。この未加硫ゴム組成物174質量部に対して、加硫促進剤としてのテトラベンジルチウラムジスルフィド[商品名:サンセラーTBzTD、三新化学工業(株)製]4.5部、加硫剤としての硫黄1.2部を加えた。そして、ロール径12インチのオープンロールで、前ロール回転数8rpm、後ロール回転数10rpm、ロール間隙2mmで、左右の切り返しを合計20回実施した。その後、ロール間隙を0.5mmとして薄通し10回を行い、導電性弾性層用の「混練物1」を得た。
〔導電性弾性ローラ1の作製〕
表6に示した材料を6L加圧ニーダー(商品名: TD6-15MDX、トーシン社製)にて、充填率70体積%、ブレード回転数30rpmで24分混合して、未加硫ゴム組成物を得た。この未加硫ゴム組成物174質量部に対して、加硫促進剤としてのテトラベンジルチウラムジスルフィド[商品名:サンセラーTBzTD、三新化学工業(株)製]4.5部、加硫剤としての硫黄1.2部を加えた。そして、ロール径12インチのオープンロールで、前ロール回転数8rpm、後ロール回転数10rpm、ロール間隙2mmで、左右の切り返しを合計20回実施した。その後、ロール間隙を0.5mmとして薄通し10回を行い、導電性弾性層用の「混練物1」を得た。
次に、直径6mm、長さ252mmの円柱形、鋼製の支持体(表面をニッケルメッキ加工したもの。以下「芯金」という)を準備した。そして、この芯金上の軸方向中央を挟んで両側115.5mmまでの領域(あわせて軸方向幅231mmの領域)に、金属およびゴムを含む熱硬化性接着剤(商品名:メタロックU-20、(株)東洋化学研究所製)を塗布した。これを温度80℃で30分間乾燥させた後、さらに120℃で1時間乾燥させた。
混練物1を、クロスヘッドを用いた押出成形によって、上記接着層付き芯金を中心として、同軸状に外径8.75~8.90mmの円筒形に同時に押出し、端部を切断して、芯金の外周に未加硫の導電性弾性層を積層した。押出機はシリンダー径70mm、L/D=20の押出機を使用し、押出時の温調はヘッド、シリンダー、スクリューの温度を90℃とした。
次に上記ローラを異なる温度設定にした2つのゾーンをもつ連続加熱炉を用いて加硫した。第1ゾーンを温度80℃に設定し、30分で通過させ、第2ゾーンを温度160℃に設定し、こちらも30分通過させ、導電性弾性ローラ1を得た。
次に、この導電性弾性ローラ1の導電性弾性層部分(ゴム部分)の両端を切断し、導電性弾性層部分の軸方向幅を232mmとした。その後、導電性弾性層部分の表面を回転砥石で研磨(ワーク回転数333rpm、砥石回転数2080rpm、研磨時間12sec)した。こうすることで、端部直径8.26mm、中央部直径8.50mmのクラウン形状で、表面の十点平均粗さRzが5.5μmで、振れが18μm、硬度が73度(アスカーC)の導電性弾性ローラ1を得た。
十点平均粗さRzは、JISB6101に準拠して測定した。振れの測定は、ミツトヨ(株)製高精度レーザ測定機LSM430vを用いて行った。詳しくは、該測定機を用いて外径を測定し、最大外径値と最小外径値の差を外径差振れとし、この測定を5点で行い、5点の外径差振れの平均値を被測定物の振れとした。アスカーC硬度の測定は、測定環境25℃、55%RHで、測定対象の表面にアスカーC型硬度計(高分子計器(株)製)の押針を当接し、1000g加重の条件で行った。
〔コーティング液E1の調製〕
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.1g、チタンイソプロポキシド0.74gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液を調製した。別の容器に、グアヤコール0.32g、エタノール34.0gを秤量し、撹拌し溶解してグアヤコール/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液に、グアヤコール/エタノール溶液を加え、良く撹拌してコーティング液E1を調製した。
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.1g、チタンイソプロポキシド0.74gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液を調製した。別の容器に、グアヤコール0.32g、エタノール34.0gを秤量し、撹拌し溶解してグアヤコール/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液に、グアヤコール/エタノール溶液を加え、良く撹拌してコーティング液E1を調製した。
〔構造解析〕
コーティング液E1中に含まれる化合物の構造を以下のようにして推定した。
コーティング液E1中に含まれる化合物の構造を以下のようにして推定した。
重クロロホルム中、チタンイソプロポキシドとグアヤコールを室温で撹拌して反応させた。得られた化合物の構造を、1H-NMRを用いて同定した。その結果図4に示すように、グアヤコールがチタンに配位した構造を示唆する結果となった。
〔表面層の形成〕
導電性弾性層ローラ1上にコーティング液E1を、吐出量0.120ml/s(リング部のスピード:85mm/s、総吐出量:0.130ml)でリング塗布した。これを常温、常圧で放置して乾燥させた後に、254nmの波長の紫外線を積算光量が9000mJ/cM2になるようにこのローラに照射し、表面層を形成した。紫外線の照射には低圧水銀ランプ[ハリソン東芝ライティング(株)製]を用いた。以上のようにして帯電部材E1を作製した。
導電性弾性層ローラ1上にコーティング液E1を、吐出量0.120ml/s(リング部のスピード:85mm/s、総吐出量:0.130ml)でリング塗布した。これを常温、常圧で放置して乾燥させた後に、254nmの波長の紫外線を積算光量が9000mJ/cM2になるようにこのローラに照射し、表面層を形成した。紫外線の照射には低圧水銀ランプ[ハリソン東芝ライティング(株)製]を用いた。以上のようにして帯電部材E1を作製した。
〔評価〕
レーザプリンタ(商品名HPColorLaserJetCP4525、HP社製)用のシアンカートリッジに装着されている帯電ローラを、先に作製した帯電部材E1に置き換えた。レーザプリンタ(商品名:HPColorLaserJetCP4525、HP社製)に上記のカートリッジをセットして、A4サイズの用紙にハーフトーン画像を形成した。なお、電子写真画像の形成に際して、前露光は行わず、また、帯電電圧を-1141V、転写電圧を1856Vに設定した。この設定は、異常放電がより発生しやすい環境を作り出すためのものである。また、電子写真画像の出力は、低温低湿環境(温度15℃、湿度10%)の下で行った。
レーザプリンタ(商品名HPColorLaserJetCP4525、HP社製)用のシアンカートリッジに装着されている帯電ローラを、先に作製した帯電部材E1に置き換えた。レーザプリンタ(商品名:HPColorLaserJetCP4525、HP社製)に上記のカートリッジをセットして、A4サイズの用紙にハーフトーン画像を形成した。なお、電子写真画像の形成に際して、前露光は行わず、また、帯電電圧を-1141V、転写電圧を1856Vに設定した。この設定は、異常放電がより発生しやすい環境を作り出すためのものである。また、電子写真画像の出力は、低温低湿環境(温度15℃、湿度10%)の下で行った。
そして、得られたハーフトーン画像について、異常放電に起因する画像ムラの有無を目視で観察することにより、異常放電が発生したか否かを評価した。
A:異常放電なし
B:異常放電あり
この結果、帯電部材E1では異常放電が観測されなかった。
A:異常放電なし
B:異常放電あり
この結果、帯電部材E1では異常放電が観測されなかった。
(比較例1)
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド1.78g、およびエタノール33.2gを秤量し、撹拌し溶解してコーティング液C1を調整した。コーティング液C1を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材C1を作製し評価に供した。
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド1.78g、およびエタノール33.2gを秤量し、撹拌し溶解してコーティング液C1を調整した。コーティング液C1を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材C1を作製し評価に供した。
帯電部材C1では異常放電が観測された。
(実施例2~9)
秤量値を変更した以外は実施例1と同様にして、コーティング液E2を調製した。
秤量値を変更した以外は実施例1と同様にして、コーティング液E2を調製した。
また、グアヤコールを用いる代わりに、2-アセチルピロールを用いてコーティング液E3を、2-(メチルチオ)フェノールを用いてコーティング液E4を、3-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸メチルを用いてコーティング液E5を、キナルジン酸を用いてコーティング液E6を、N,N-ジメチルグリシンを用いてコーティング液E7を、2-アミノ-p-クレゾールを用いてコーティング液E9を、実施例1と同様の方法で調製した。各化合物の秤量値は表7-1にまとめて記載した。
チタンイソプロポキシドを用いる代わりに、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシドを用い、グアヤコールを添加しないこと以外は実施例1と同様の方法で、コーティング液E8を調製した。秤量値は表7-1にまとめて記載した。
コーティング液E2~コーティング液E9を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材E2~帯電部材E9を作製し評価に供した。評価結果は表8-1にまとめて記載した。
(実施例10~14)
チタンイソプロポキシドを用いる代わりに、アルミニウムsec-ブトキシドを用いてコーティング液E10を、ジルコニウム(IV)プロポキシドを用いてコーティング液E11を、タングステン(V)エトキシドを用いてコーティング液E12乃至コーティング液E14を、実施例1と同様の方法で調製した。秤量値は表7-2にまとめて記載した。
チタンイソプロポキシドを用いる代わりに、アルミニウムsec-ブトキシドを用いてコーティング液E10を、ジルコニウム(IV)プロポキシドを用いてコーティング液E11を、タングステン(V)エトキシドを用いてコーティング液E12乃至コーティング液E14を、実施例1と同様の方法で調製した。秤量値は表7-2にまとめて記載した。
コーティング液E10~コーティング液E14を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材E10~帯電部材E14を作製し評価に供した。評価結果は表8-2にまとめて記載した。
(比較例2~4)
チタンイソプロポキシドを用いる代わりに、アルミニウムsec-ブトキシドを用いてコーティング液C2を、ジルコニウム(IV)プロポキシド70質量%1-プロパノール溶液を用いてコーティング液C3を、タングステン(V)エトキシドを用いてコーティング液C4を、比較例1と同様の方法で調製した。秤量値は表7-2にまとめて記載した。
チタンイソプロポキシドを用いる代わりに、アルミニウムsec-ブトキシドを用いてコーティング液C2を、ジルコニウム(IV)プロポキシド70質量%1-プロパノール溶液を用いてコーティング液C3を、タングステン(V)エトキシドを用いてコーティング液C4を、比較例1と同様の方法で調製した。秤量値は表7-2にまとめて記載した。
コーティング液C2~コーティング液C4を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材C2~帯電部材C4を作製し評価に供した。評価結果は表8-2にまとめて記載した。
(実施例15)
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド0.58gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド/2-ブタノールを調製した。別の容器に、キナルジン酸0.35g、エタノール20.0gを秤量し、撹拌し溶解してグアキナルジン酸/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液に、キナルジン酸/エタノール溶液を加え、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液を調製した。さらに別の容器に、イオン交換水0.12g、エタノール13.9gを秤量し、撹拌し溶解してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、撹拌し溶解してコーティング液E15を調製した。
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド0.58gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド/2-ブタノールを調製した。別の容器に、キナルジン酸0.35g、エタノール20.0gを秤量し、撹拌し溶解してグアキナルジン酸/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド/2-ブタノール溶液に、キナルジン酸/エタノール溶液を加え、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液を調製した。さらに別の容器に、イオン交換水0.12g、エタノール13.9gを秤量し、撹拌し溶解してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、撹拌し溶解してコーティング液E15を調製した。
コーティング液E15を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材E15を作製し評価に供した。評価結果は表8-3に記載した。
また、コーティング液E15中に含まれる化合物の構造を以下のようにして推定した。
重クロロホルム中、チタンイソプロポキシドとグアヤコールを室温で撹拌させた後、重メタノールに少量の水を溶解させた液を加えて反応させた。得られた化合物の構造を、1H-NMRを用いて同定した。その結果、図5に示すように、チタンに配位したグアヤコール上のベンゼン環上のピークがブロードニングしており、高分子量化を示唆する結果となった。すなわち、グアヤコールが配位したチタン原子は、酸素原子を介して別のチタン原子と結合しているものと解釈できる。
(実施例16)
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.1g、チタンイソプロポキシド0.42g、トリメトキシ(n-プロピル)シラン0.24gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液を調整した。別の容器に、キナルジン酸0.26g、エタノール20.0gを秤量し、撹拌し溶解してキナルジン酸/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液に、キナルジン酸/エタノール溶液を加え、チタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液を調製した。さらに別の容器に、イオン交換水0.16g、エタノール14.1gを秤量し、撹拌し溶解してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、良く撹拌し溶解してコーティング液E16を調製した。秤量値を同様に表7-3に記載した。
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.1g、チタンイソプロポキシド0.42g、トリメトキシ(n-プロピル)シラン0.24gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液を調整した。別の容器に、キナルジン酸0.26g、エタノール20.0gを秤量し、撹拌し溶解してキナルジン酸/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液に、キナルジン酸/エタノール溶液を加え、チタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液を調製した。さらに別の容器に、イオン交換水0.16g、エタノール14.1gを秤量し、撹拌し溶解してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン-キナルジン酸/2-ブタノール-エタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、良く撹拌し溶解してコーティング液E16を調製した。秤量値を同様に表7-3に記載した。
コーティング液E16を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材E16を作製し評価に供した。評価結果は表8-3に記載した。
(比較例5)
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド0.82g、トリメトキシ(n-プロピル)シラン0.46gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-n-プロピルトリメトキシシラン/2-ブタノール溶液を調整した。別の容器に、イオン交換水0.37g、エタノール33.5gを秤量し、撹拌してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、良く撹拌し溶解してコーティング液C5を調製した。秤量値を同様に表7-3に記載した。
100mLのガラス製容器に、2-ブタノール15.0g、チタンイソプロポキシド0.82g、トリメトキシ(n-プロピル)シラン0.46gを秤量し、撹拌し溶解してチタンイソプロポキシド-n-プロピルトリメトキシシラン/2-ブタノール溶液を調整した。別の容器に、イオン交換水0.37g、エタノール33.5gを秤量し、撹拌してイオン交換水/エタノール溶液を調製した。先に調製したチタンイソプロポキシド-トリメトキシ(n-プロピル)シラン/2-ブタノール溶液に、イオン交換水/エタノール溶液を加え、良く撹拌し溶解してコーティング液C5を調製した。秤量値を同様に表7-3に記載した。
コーティング液C5を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材C5を作製し評価に供した。評価結果は表8-3に記載した。
(実施例17~23)
帯電部材E1について、転写電圧を1856Vから上げていき同様に異常放電の有無を評価したところ、1976Vまで上げたときに初めて異常放電が観察された。また、帯電部材E6、12~16についても同様の評価を行い、結果を表8-4にまとめた。
帯電部材E1について、転写電圧を1856Vから上げていき同様に異常放電の有無を評価したところ、1976Vまで上げたときに初めて異常放電が観察された。また、帯電部材E6、12~16についても同様の評価を行い、結果を表8-4にまとめた。
以上の評価結果から、本発明の表面層を有する帯電部材は、有意に異常放電を抑制できていることが分かる。本発明の表面層を有する帯電部材は、金属原子に特定の構造を有する化合物が配位することにより、電子を放出しやすくなっている。そのため放電開始電圧が下がり、感光体と帯電部材の間の電界を適切にすることができ、放電電荷量を抑制することで、局所的な強い放電異常放電を抑制しているものと考えている。
また、水を添加して縮合を進めた場合に、より効果的に局所的な強い放電異常放電を抑制していることが分かる。これは、縮合が進んでポリメタロキサンの最高被占軌道(HOMO)のエネルギー準位がさらに浅くなることで、電子を放出しやすくなり、局所的な強い放電(異常放電)を抑制しているためと考えられる。
(実施例24~28)
100mLのガラス製容器に、o-アニス酸0.84g、エタノール98.4gを秤量し、撹拌してo-アニス酸/エタノール溶液を調製した。調製したo-アニス酸/エタノール溶液にチタンイソプロポキシド0.78gを加え、撹拌することによってコーティング液E17を得た。
100mLのガラス製容器に、o-アニス酸0.84g、エタノール98.4gを秤量し、撹拌してo-アニス酸/エタノール溶液を調製した。調製したo-アニス酸/エタノール溶液にチタンイソプロポキシド0.78gを加え、撹拌することによってコーティング液E17を得た。
また、o-アニス酸を用いるかわりに、2,3-ジメトキシ安息香酸を用いてコーティング液E18を、2,4-ジメトキシ安息香酸を用いてコーティング液E19を、2,5-ジメトキシ安息香酸を用いてコーティング液E20を、2,6-ジメトキシ安息香酸を用いてコーティングE21を、同様の方法でそれぞれ調製した。秤量値は表7-4にまとめて記載した。
コーティング液E17~21を用いたこと以外は実施例1と同様にして、帯電部材E16~20を作製し評価に供した。評価結果は表8-5に記載した。
この出願は2013年12月27日に出願された日本国特許出願第2013-272398に出願されたからの優先権を主張するものであり、その内容を引用してこの出願の一部とするものである。
1 支持体
2 弾性層
3 表面層
4 感光体
5 帯電ローラ
6 現像ローラ
8 転写ローラ
11 露光手段
14 クリーニング装置
2 弾性層
3 表面層
4 感光体
5 帯電ローラ
6 現像ローラ
8 転写ローラ
11 露光手段
14 クリーニング装置
Claims (22)
- 支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、
該表面層は、下記式(a)で表される化合物を有することを特徴とする帯電部材。
L1は、M1On/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、
nは、金属原子M1の価数がpである場合、1以上p以下の整数を表し、
M1は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
X1は、下記式(1)~(4)で表されるいずれかの構造を表し、
Y1は、L1中のM1に配位する部位を有する基を表し、
A1は、
(i)X1が式(1)で表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX1の酸素原子に結合しており、
(ii)X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合、
M1、X1、及びY1と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。)
- Y1は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、カルボニル基、アルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、チオカルボニル基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のイミノ基、置換もしくは未置換の脂肪族の複素環骨格を有する基、または、置換もしくは未置換の芳香族の複素環骨格を有する基である請求項1に記載の帯電部材。
- X1が式(1)で表される構造である場合のA1は、置換もしくは未置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環からなる群から選ばれるいずれかの芳香環を含む原子団である請求項1または2に記載の帯電部材。
- X1が式(2)~(4)のいずれかで表される構造である場合のA1は、
結合、
アルキレン基、
または、
置換もしくは未置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環からなる群から選ばれるいずれかの芳香環を含む原子団
である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の帯電部材。 - A1、M1、X1及びY1によって形成される環は5員環又は6員環である請求項1乃至4のいずれか一項に記載の帯電部材。
- A1が、下記式(A1-1)または(A1-2)で表される構造であり、
X1が、下記式(X1-1)または(X1-2)で表される構造であり、
Y1が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基
である請求項1乃至5のいずれか一項に記載の帯電部材。
- A1が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、
X1が、下記式(X1-3)~(X1-7)のいずれかで表される構造であり、
Y1が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基
である請求項1乃至5のいずれか一項に記載の帯電部材。
- 前記ポリメタロキサンは、SiOr/2(rは1以上4以下の整数)で表される構造単位を有する請求項1乃至7のいずれか一項に記載の帯電部材。
- 支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、
該表面層は、下記式(b)で表される化合物を有することを特徴とする帯電部材。
L2は、金属原子M2を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表し、
M2は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
X2は、下記式(5)~(8)で表されるいずれかの構造を表し、
Y2は、L2中のM2に配位する部位を有する基を表し、
A2は、
(i)X2が式(5)で表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX2の酸素原子に結合しており、
(ii)X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合、
M2、X2、及びY2と共に4~8員環を形成するのに必要な結合又は原子団を表す。)
- Y2は、ヒドロキシ基、アルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、カルボニル基、アルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、チオカルボニル基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のイミノ基、置換もしくは未置換の脂肪族の複素環骨格を有する基、及び、置換もしくは未置換の芳香族の複素環骨格を有する基である請求項9に記載の帯電部材。
- X2が式(5)で表される構造である場合のA2は、
置換もしくは未置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環からなる群から選ばれるいずれかの芳香環を含む原子団
である請求項9または10に記載の帯電部材。 - X2が式(6)~(8)のいずれかで表される構造である場合のA2は、
結合、
アルキレン基、
または、
置換もしくは未置換の、ベンゼン環、ナフタレン環、ピロール環、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、キノリン環及びイソキノリン環からなる群から選ばれるいずれかの芳香環を含む原子団
である請求項9乃至11のいずれか一項に記載の帯電部材。 - A2、M2、X2及びY2によって形成される環は5員環又は6員環である請求項9乃至12のいずれか一項に記載の帯電部材。
- A2が、下記式(A2-1)または(A2-2)で表される構造であり、
X2が、下記式(X2-1)または(X2-2)で表される構造であり、
Y2が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基
である請求項9乃至13のいずれか一項に記載の帯電部材。
- A2が、結合、メチレン基、エチレン基、または、トリメチレン基であり、
X2が、下記式(X2-3)~(X2-7)のいずれかで表される構造であり、
Y2が、メトキシ基、エトキシ基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、メチルエチルアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基、チオカルボニル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、未置換のイミノ基、メタンイミノ基、エタンイミノ基、ピリジン骨格を有する基、キノリン骨格を有する基、または、イソキノリン骨格を有する基
である請求項9乃至13のいずれか一項に記載の帯電部材。
- 支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、
該表面層は、下記式(c)及び(d)で表される少なくとも一つの化合物を有することを特徴とする帯電部材。
L3は、M3Om/2で表される構造単位を有するポリメタロキサンを表し、
M3は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
mは、金属原子M3の価数がqである場合、1以上q以下の整数を表し、
R1~R5は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、
シクロペンタジエニル基は、L3中の金属原子M3に配位している。)
L4は、金属原子M4を有する金属アルコキシド又は金属ヒドロキシドを表し、
M4は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、
R6~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~4のアルキル基又はトリメチルシリル基を表し、シクロペンタジエニル基は、L4中の金属原子M4に配位している。) - 式(c)中のR1~R5及び式(d)中のR6~R10は、それぞれ独立して、メチル基、t-ブチル基又はトリメチルシリル基である請求項16に記載の帯電部材。
- 前記表面層が式(c)で表される化合物を有する場合、前記ポリメタロキサンは、SiOs/2(sは1以上4以下の整数)で表される構造単位を更に有する請求項16または17に記載の帯電部材。
- 支持体と、該支持体上の表面層とを有する帯電部材であって、
該表面層は、M5Ok/2で表される構造単位(M5は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Al、Ga、In及びGeからなる群より選ばれる少なくとも一つの金属原子を表し、kは、金属原子M5の価数がtである場合、1以上t以下の整数を表す)を有するポリメタロキサンを有し、
該ポリメタロキサンは、下記式(e)で表される構造を有することを特徴とする帯電部材。
X5は下記式(12)~(15)で表されるいずれかの構造を表し、
Y5はM5に配位する部位を有する基を表し、
A5は、
(i)X5が式(12)で表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な原子団であって、かつ、芳香環を含み、芳香環を構成する1つの炭素原子はX5の酸素原子に結合しており、
(ii)X5が式(13)~(15)のいずれかで表される構造である場合、
M5、X5、及びY5と共に4~8員環を形成するのに必要な結合または原子団を表す。)
- 電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電可能に配置された帯電部材とを備え、かつ、電子写真装置の本体に着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、該帯電部材が請求項1乃至20のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 電子写真感光体と、該電子写真感光体の表面を帯電可能に配置された帯電部材とを備えている電子写真装置であって、該帯電部材が請求項1乃至20のいずれか一項に記載の帯電部材であることを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201480070869.1A CN105849647B (zh) | 2013-12-27 | 2014-12-25 | 充电构件、处理盒和电子照相图像形成设备 |
EP14875463.3A EP3088961B1 (en) | 2013-12-27 | 2014-12-25 | Charging member, process cartridge, and electrophotographic image formation device |
US14/721,734 US10036971B2 (en) | 2013-12-27 | 2015-05-26 | Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013272398 | 2013-12-27 | ||
JP2013-272398 | 2013-12-27 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US14/721,734 Continuation US10036971B2 (en) | 2013-12-27 | 2015-05-26 | Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2015098117A1 true WO2015098117A1 (ja) | 2015-07-02 |
Family
ID=53478013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/006472 WO2015098117A1 (ja) | 2013-12-27 | 2014-12-25 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10036971B2 (ja) |
EP (1) | EP3088961B1 (ja) |
JP (1) | JP6399924B2 (ja) |
CN (1) | CN105849647B (ja) |
WO (1) | WO2015098117A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9885971B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
US9989879B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9360789B1 (en) | 2014-11-28 | 2016-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member for electrophotography, process cartridge and image forming apparatus |
US9897931B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroconductive member for electrophotography, process cartridge, and electrophotographic image-forming apparatus |
US9442408B2 (en) | 2014-11-28 | 2016-09-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Member for electrophotography, method for producing the same, and image forming apparatus |
US9921513B2 (en) | 2014-12-09 | 2018-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge, and electrophotographic apparatus |
US10078286B2 (en) | 2015-04-10 | 2018-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
US9740133B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
JP6801197B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2020-12-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 帯電部材、帯電装置、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
US10459356B2 (en) | 2016-10-07 | 2019-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
US10416588B2 (en) | 2016-10-31 | 2019-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge, electrophotographic image forming apparatus, and method for manufacturing charging member |
JP6784589B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2020-11-11 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、帯電部材の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置 |
US10248042B2 (en) | 2017-06-02 | 2019-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic roller, process cartridge and electrophotographic apparatus |
JP7336289B2 (ja) | 2018-07-31 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 電子写真用部材、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置 |
JP7114409B2 (ja) | 2018-08-31 | 2022-08-08 | キヤノン株式会社 | 現像ローラ、電子写真プロセスカートリッジおよび電子写真画像形成装置 |
EP3936942A4 (en) | 2019-03-08 | 2022-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | DEVELOPER SUPPORTING BODY, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE FORMING DEVICE |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08171262A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Canon Inc | 帯電部材とこれを用いた帯電装置及び画像形成装置 |
JP2000026675A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Jsr Corp | 導電性ゴム組成物および導電ロール |
JP2001173641A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Suzuka Fuji Xerox Co Ltd | 導電性ロール |
JP2008276025A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Canon Inc | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置 |
WO2013175734A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4283944B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2009-06-24 | オリヱント化学工業株式会社 | 荷電制御剤及び静電荷像現像用トナー |
JP2002173675A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sanken Electric Co Ltd | 被覆層を有する蛍光粒子及びその製法 |
JP2009212501A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-09-17 | Seiko Instruments Inc | 発光デバイス及びその製造方法 |
JP2010020024A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Ricoh Co Ltd | 画像形成方法と画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
KR20110061288A (ko) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 삼성전자주식회사 | 화상형성장치용 대전롤러 및 그 제조방법 |
JP4921607B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-04-25 | キヤノン株式会社 | 帯電部材およびその製造方法 |
KR101449882B1 (ko) | 2010-10-04 | 2014-10-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 |
KR101543139B1 (ko) | 2011-02-15 | 2015-08-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재, 그 제조 방법, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치 |
BR112013021759A2 (pt) | 2011-03-09 | 2016-10-18 | Canon Kk | membro de carga, cartucho de processo e aparelho eletrofotográfico |
CN103492958B (zh) | 2011-04-25 | 2015-08-12 | 佳能株式会社 | 充电构件、处理盒和电子照相设备 |
KR101515745B1 (ko) | 2011-04-27 | 2015-04-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재, 프로세스 카트리지, 전자 사진 장치 및 대전 부재의 제조 방법 |
WO2012147338A1 (ja) | 2011-04-28 | 2012-11-01 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
KR101518661B1 (ko) * | 2011-04-28 | 2015-05-07 | 캐논 가부시끼가이샤 | 대전 부재, 대전 부재의 제조 방법, 전자 사진 장치 및 프로세스 카트리지 |
CN104115071B (zh) * | 2012-02-06 | 2016-03-23 | 佳能株式会社 | 充电构件和电子照相设备 |
EP2833215B1 (en) * | 2012-03-29 | 2019-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing electrophotography member, and coating liquid |
JP5943721B2 (ja) | 2012-06-06 | 2016-07-05 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
-
2014
- 2014-12-25 CN CN201480070869.1A patent/CN105849647B/zh active Active
- 2014-12-25 EP EP14875463.3A patent/EP3088961B1/en active Active
- 2014-12-25 WO PCT/JP2014/006472 patent/WO2015098117A1/ja active Application Filing
- 2014-12-25 JP JP2014262505A patent/JP6399924B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-26 US US14/721,734 patent/US10036971B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08171262A (ja) * | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Canon Inc | 帯電部材とこれを用いた帯電装置及び画像形成装置 |
JP2000026675A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-25 | Jsr Corp | 導電性ゴム組成物および導電ロール |
JP2001173641A (ja) | 1999-12-15 | 2001-06-26 | Suzuka Fuji Xerox Co Ltd | 導電性ロール |
JP2008276025A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Canon Inc | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真画像形成装置 |
WO2013175734A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | キヤノン株式会社 | 帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9885971B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
US9989879B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-06-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Charging member, process cartridge and electrophotographic image forming apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105849647B (zh) | 2018-08-03 |
JP6399924B2 (ja) | 2018-10-03 |
EP3088961A1 (en) | 2016-11-02 |
EP3088961B1 (en) | 2021-03-10 |
EP3088961A4 (en) | 2017-10-11 |
JP2015143850A (ja) | 2015-08-06 |
CN105849647A (zh) | 2016-08-10 |
US20150331348A1 (en) | 2015-11-19 |
US10036971B2 (en) | 2018-07-31 |
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|
REEP | Request for entry into the european phase |
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