WO2015056590A1 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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三宅　浩二
小野　高志
幡　俊雄
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof.
  • Light-emitting devices that combine light-emitting elements and phosphors are attracting attention as next-generation light-emitting devices that are expected to have low power consumption, miniaturization, high brightness, and a wide range of color reproducibility, and are actively researched and developed. It has been broken.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-157608 describes that a light emitting element emits light that excites a blue phosphor and a green phosphor but does not substantially excite a red phosphor. ing.
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2011-14697 describes that blue phosphor, green phosphor and orange phosphor are excited using radiated light of a light emitting element.
  • JP 2010-157608 A (Patent No. 5195415) JP 2011-14697 A
  • the light emitting device of the present invention includes a base, a light emitting element disposed on the base, and a sealing member for sealing the light emitting element.
  • the sealing member includes at least a particulate red phosphor.
  • the red phosphor includes at least a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor.
  • the upper surface of the sealing member has an uneven portion at least in part.
  • the upper surface of the sealing member is preferably positioned closer to the light emitting element as it goes from the peripheral edge of the sealing member in plan view toward the center of the sealing member in plan view. It is preferable that the red phosphor is uniformly dispersed in the sealing member.
  • the sealing member further includes a green phosphor.
  • the red phosphor is preferably contained in a mass ratio of 2 to 4 times with respect to the green phosphor.
  • the sealing member further includes a sealing resin.
  • the sealing resin preferably has a viscosity of 2000 (mPa ⁇ s) to 7000 (mPa ⁇ s).
  • an opening having a rectangular shape in plan view is formed in the substrate.
  • the length of the long side constituting the opening is preferably 1 mm or more and 5 mm or less, and the length of the short side constituting the opening is preferably 0.05 mm or more and 0.8 mm or less.
  • the thickness of the side wall of the substrate surrounding the sealing member is preferably 0.02 mm or more and 0.06 mm or less.
  • the method for manufacturing a light-emitting device of the present invention includes a step of fixing a light-emitting element to a base, and a sealing step of sealing the light-emitting element solidified on the base with a sealant.
  • the sealing step includes a step of discharging the sealing agent from the nozzle to the light emitting element.
  • the sealing agent includes at least a sealing resin and a red phosphor.
  • the sealing resin has a viscosity of 2000 (mPa ⁇ s) to 7000 (mPa ⁇ s).
  • the red phosphor includes at least a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor.
  • the sealing resin preferably contains a phenyl silicone resin.
  • the viscosity of the phenyl silicone resin is preferably 10,000 (mPa ⁇ s) or more.
  • the light-emitting element is preferably fixed to the substrate with a phenyl silicone adhesive. Prior to the sealing step, it is preferable to electrically connect the wiring pattern formed on the substrate and the light emitting element.
  • the sealing agent is preferably supplied to the light emitting element through an opening formed in the substrate.
  • the inner diameter of the nozzle is preferably equal to or shorter than the short side constituting the opening.
  • the substrate is preferably made of a resin.
  • the light emitting element is preferably provided on the lead frame. It is preferable to cut the lead frame between the adjacent light emitting elements after the sealing step.
  • FIG. 1A is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB shown in FIG. It is an enlarged view of the area
  • It is a top view of the base
  • It is a flowchart which shows the manufacturing method of the light-emitting device of one Embodiment of this invention. It is a side view which illustrates typically the process of discharging sealing agent to a light emitting element.
  • (A) is the image which observed the upper surface of the light-emitting device of Example 3
  • (b) is the image which observed the upper surface of the light-emitting device of the comparative example 3.
  • FIG. 6 is a graph showing an emission spectrum of the light emitting device of Example 3.
  • FIG. 1A is a plan view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line IB-IB shown in FIG.
  • FIG. 2 is an enlarged view of region II shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of the base 10 shown in FIG.
  • the light emitting device of this embodiment includes a base body 10, a light emitting element 50 disposed on the base body 10, and a sealing member 60 that seals the light emitting element 50.
  • a recess 17 is formed on the upper surface of the substrate 10.
  • a portion corresponding to the side wall of the recess 17 in the base body 10 is referred to as a “frame body portion 15”
  • a lower portion of the base body 10 than the frame body portion 15 is referred to as a “stage portion 11”.
  • the stage portion 11 is preferably made of resin, and is preferably formed in a plate shape or a foil shape. Since the light emitting element 50 is disposed on the upper surface of the stage portion 11 (the bottom surface of the concave portion 17), the stage portion 11 preferably has a wiring pattern 13 for supplying external power to the light emitting element 50.
  • the configuration of the wiring pattern 13 is not particularly limited.
  • the wiring pattern 13 includes an inner lead portion 12 provided inside the stage portion 11 and an outer lead portion 14 provided outside the stage portion 11.
  • the inner lead portion 12 and the outer lead portion 14 are provided.
  • the lead part 14 is connected to each other. At least a part of the inner lead portion 12 is exposed on the upper surface of the stage portion 11, and the light emitting element 50 is disposed on a portion of the inner lead portion 12 exposed on the upper surface of the stage portion 11.
  • the outer lead portion 14 connects the light emitting device of this embodiment to a substrate (for example, a mounting substrate) on which the light emitting device is mounted.
  • the wiring pattern 13 is preferably made of a conductive material. For example, at least one of silver, platinum, gold, and copper is plated with at least one of silver plating, gold plating, and silver palladium plating. It is preferable.
  • stage unit 11 In addition, if a lead frame is used as the stage unit 11, there is no need to separately provide the wiring pattern 13 on the stage unit 11. Therefore, a small and light-emitting device can be provided at low cost.
  • the frame body portion 15 is disposed on the upper surface periphery of the stage portion 11 so as to surround the light emitting element 50 disposed on the upper surface of the stage portion 11, and defines the outer shape of the sealing member 60.
  • the frame body part 15 may be formed integrally with the stage part 11 or may be connected to the stage part 11 by an adhesive or a fixing member.
  • the thickness (the thickness of the side wall of the base body 10 surrounding the sealing member 60) t is preferably 0.01 mm or more and 0.07 mm or less. If the thickness t of the frame 15 is 0.01 mm or more, the emission intensity can be maintained high. If the thickness t of the frame body portion 15 is 0.07 mm or less, the light emitting device can be downsized. More preferably, the thickness t of the frame body portion 15 is 0.02 mm or more and 0.06 mm or less.
  • the shape and size of the opening of the recess 17 are not particularly limited.
  • the length W1 of the long side constituting the opening is preferably 1 mm or more and 5 mm or less, and the length L1 of the short side constituting the opening is 0. It is preferable that it is 0.05 mm or more and 0.8 mm or less (FIG. 3).
  • the sealing agent 160 (refer FIG. 5) can be supplied to the recessed part 17 without spilling.
  • the uneven portion 71 is easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • the corner of the opening of the recess 17 in plan view may be chamfered or not chamfered. “Plan view” means a case where the light emitting device is viewed from above the light emitting element 50.
  • the length W2 of the long side of the frame body portion 15 is preferably 3.57 times or more the length L2 of the short side of the frame body portion 15.
  • the uneven part 71 is easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • the light emitting device of this embodiment is particularly suitable as a side light emitting device.
  • the surface of the light emitting device perpendicular to the light emitting surface is mounted on a mounting substrate provided with an electric circuit such as a drive circuit. If such a light emitting device is used, a display device or the like that is further excellent in color reproducibility and can be further reduced in thickness can be provided.
  • the inner surface 17a of the concave portion 17 is located on the outer side in the long side direction of the frame body portion 15 with respect to the end surface 13a of the wiring pattern 13 (FIG. 3).
  • the short side of the frame part 15 can be shortened, a volume can be ensured.
  • the occupation rate of the inner lead part 12 in the upper surface of the stage part 11 can be earned, a reflectance improves.
  • the upper surface of the frame part 15 is flat. Thereby, it is possible to prevent the sealing agent having a high viscosity from leaking out of the frame body portion 15.
  • the “inner surface 17 a of the recess 17” means the inner surface of the recess 17 extending in the short side direction of the opening of the recess 17.
  • the “end surface 13 a of the wiring pattern 13” means an end surface located on the inner side in the long side direction of the opening of the concave portion 17 among the end surfaces of the wiring pattern 13 extending in the short side direction of the opening of the concave portion 17.
  • Such a frame 15 is preferably made of a heat resistant material, for example, a heat resistant polymer. Further, it is preferable that an indicator 19 indicating the polarity (cathode in the present embodiment) is provided in the vicinity of the wiring pattern 13 having one polarity on the upper surface of the frame body portion 15 (FIG. 1 ( a), FIG. 3). Thereby, external power can be supplied to the light emitting device without making a mistake in the polarity of the wiring pattern 13.
  • the thickness t, W1, L1, W2, and L2 of the frame body portion 15 can be estimated by observing the lattice image with a high-magnification observation image using, for example, a scanning electron microscope. .
  • the light emitting element 50 is fixed to the inner lead portion 12 via an adhesive 51 and is connected to the inner lead portion 12 by a conductive wire 53.
  • the adhesive 51 is preferably a phenyl silicone adhesive.
  • the phenyl silicone adhesive means an adhesive containing a component derived from a phenyl silicone resin.
  • the “component derived from phenyl silicone resin” means one obtained by removing one or more hydrogen atoms from the phenyl silicone resin.
  • the conductive wire 53 is preferably made of a low resistance material, more preferably a metal.
  • the light emitting element 50 is a light emitting element that emits light (primary light) having a peak wavelength in a blue region having a wavelength of 430 to 470 nm (more preferably, 440 to 470 nm). If the peak wavelength of the light from the light emitting element 50 is 430 nm or more, the contribution of the blue light component in the light from the light emitting device can be prevented from being reduced, so that the color rendering can be prevented from deteriorating. Moreover, if the peak wavelength of the light from the light emitting element 50 is 470 nm or less, the fall of the brightness of the light from a light emitting device can be prevented.
  • the light emitting element 50 is preferably a light emitting element made of a gallium nitride (GaN) based semiconductor, and is preferably formed in a rectangular shape in plan view.
  • GaN gallium nitride
  • the sealing member 60 is preferably provided so as to fill the recess 17. Thereby, the light emitting element 50 is sealed by the sealing member 60.
  • An uneven portion 71 is formed on at least a part of the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • the present inventors formed an uneven portion on the upper surface of the sealing member when a red phosphor such as CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 : Eu was used.
  • a red phosphor such as CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 : Eu was used.
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is used, an uneven portion is formed on the upper surface of the sealing member.
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor exhibits light emission characteristics suitable for display applications (described later), it is a light-emitting apparatus suitable as a light-emitting apparatus for display applications by examining the flatness of the upper surface 70 of the sealing member 60. It can be determined whether or not there is. Therefore, it is possible to determine whether or not the light emitting device is suitable as a light emitting device for display use without performing a composition analysis of the red phosphor 63 included in the sealing member 60.
  • the upper surface 70 of the sealing member 60 means the surface of the sealing member 60 exposed from the base 10 (the surface of the sealing member 60 exposed at the opening of the recess 17).
  • the present inventors have confirmed that the concave and convex portions 71 are more easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60 as the size of the opening of the concave portion 17 is smaller. Such an effect is obtained when the length L1 of the long side constituting the opening of the concave portion 17 is 1 mm or more and 5 mm or less and the length W1 of the short side constituting the opening of the concave portion 17 is 0.05 mm or more and 0.8 mm or less. It becomes remarkable.
  • the upper surface 70 of the sealing member 60 is preferably located on the light emitting element 50 side from the peripheral edge of the sealing member 60 in plan view toward the center of the sealing member 60 in plan view. Thereby, since the lens effect can be given to the upper surface 70 of the sealing member 60, the light from the light emitting element 50 can be converged. More preferably, the upper surface 70 of the sealing member 60 at the center in plan view is recessed toward the light emitting element 50 by about 5 ⁇ m from the upper surface 70 of the sealing member 60 at the periphery in plan view.
  • the amount of recess on the upper surface 70 of the sealing member 60 is reduced, and the region recessed toward the light emitting element 50 on the upper surface 70 of the sealing member 60 is narrowed. If a lattice image is observed with a high-magnification observation image using a scanning electron microscope or the like, whether or not the upper surface 70 of the sealing member 60 is positioned closer to the light emitting element 50 as it goes from the peripheral edge of the plan view toward the center of the plan view. Can be estimated.
  • Such a sealing member 60 includes a red phosphor 63, preferably further includes a sealing resin 61, and more preferably further includes a green phosphor 65.
  • the red phosphor 63 emits red light when excited by light from the light emitting element 50 and includes at least a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor.
  • the center wavelength of the emission peak of the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is 625 nm to 645 nm (eg, 635 nm), and the half width of the emission peak is about 10 nm. Therefore, since the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor exhibits light emission characteristics suitable for display applications, the light-emitting device of this embodiment can be suitably used as a light-emitting device for display applications.
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is inferior in luminous efficiency as compared with a conventional red phosphor (for example, CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 : Eu). Red Therefore, by increasing than when the content of Mn 4+ -activated fluoride complex phosphor using a conventional red phosphor, which is caused by using the Mn 4+ -activated fluoride complex phosphor It is preferable to prevent a decrease in chromaticity or a decrease in emission intensity of red light. As a result, the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is unevenly distributed on the upper surface 70 of the sealing member 60. Since the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is formed in the form of particles, the uneven portion 71 is formed on at least a part of the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • a conventional red phosphor for example, CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) Al
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is formed in the form of particles means that the volume-based median diameter of the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is 10 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less. . Preferably, the volume-based median diameter of the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. “The volume-based median diameter of the red phosphor 63” means the median diameter when the particle size distribution of the red phosphor is measured on a volume basis, and is measured using, for example, a flow particle image analyzer.
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is, for example, K 2 SiF 6 : Mn.
  • K 2 SiF 6 : Mn part or all of K may be substituted with one or more of Li, Na, and NH 4 .
  • the activating element of the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is preferably 100% Mn (manganese). However, the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is in a range of less than 10 mol% with respect to the total amount of the activating elements, Ti, Zr, Ge, Sn, Al, Ga, B, In, Cr, Fe, At least one of Co, Ni, Cu, Nb, Mo, Ru, Ag, Zn, and Mg may be further included as an activator element.
  • the activator element preferably occupies 0.5% to 10% of the site (Si site) that Si should occupy in the base crystal (eg, K 2 SiF 6 ). In the base material crystal, 10% or less of the Si site may be replaced with an element other than the activating element.
  • a metal element (for example, Mn) occupying an interstitial position may be added to the base crystal.
  • the red phosphor 63 is a red phosphor (for example, CaAlSiN 3 : Eu or (Sr ⁇ Ca) AlSiN 3 ) different from the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor within a range that does not inhibit the effect of the present embodiment. : Eu) may be further included.
  • the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is expensive. Therefore, the red phosphor 63 further comprising a different red phosphor and Mn 4+ -activated fluoride complex phosphor, is suitable for excellent emission device color reproducibility of cheaper version.
  • the viscosity of the sealing resin 61 is preferably 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less. Thereby, the light emitting device can be mass-produced. Further, the uneven portion 71 is easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • the sealing resin 61 preferably includes at least a phenyl silicone resin. Thereby, the viscosity of the sealing resin 61 becomes 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less. More preferably, the sealing resin 61 includes a phenyl silicone resin having a viscosity of 5000 (mPa ⁇ s) or more, and further preferably includes a phenyl silicone resin having a viscosity of 10,000 (mPa ⁇ s) or more. is there.
  • the viscosity of the phenyl silicone resin is 5000 (mPa ⁇ s) or more, the viscosity of the sealing resin 61 tends to be 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less.
  • the viscosity of the phenyl silicone resin is preferably 40000 (mPa ⁇ s) or less.
  • the sealing resin 61 further includes a phenyl silicone resin having a viscosity of less than 5000 (mPa ⁇ s). It may also contain a resin (for example, an organically modified silicone resin) different from the phenyl silicone resin.
  • “Viscosity of sealing resin 61” and “viscosity of phenyl silicone resin” mean values measured in accordance with JIS Z 8803: 2011 (liquid viscosity measurement method).
  • the green phosphor 65 emits green light when excited by light from the light emitting element 50.
  • the green phosphor 65 includes (Ba, Sr, Ca, Mg) 2 SiO 4 : Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba) Si 2 O 2 N 2 : Eu, (Ba, Sr) 3 Si 6 O. 12 N 2 : Eu, Eu-activated ⁇ -sialon, (Sr, Ca, Ba) (Al, Ga, In) 2 S 4 : Eu, (Y, Tb) 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, Ca 3 (Sc, Mg, Na, Li) 2 Si 3 O 12 : Ce or (Ca, Sr) Sc 2 O 4 : Ce is preferred.
  • the red phosphor 63 is preferably contained in the mass ratio of 2 to 5 times with respect to the green phosphor 65. If the red phosphor 63 is included in the green phosphor 65 by a mass ratio of twice or more, the uneven portion 71 is easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60. Further, it is possible to prevent a decrease in red chromaticity or a decrease in emission intensity of red light due to the use of a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor that is not excellent in luminous efficiency. If the red phosphor 63 is contained in a mass ratio of 5 times or less with respect to the green phosphor 65, the contribution of the red light component in the light from the light emitting device can be prevented from becoming too large. More preferably, the red phosphor 63 is contained in the mass ratio of 2 to 4 times the green phosphor 65.
  • the sealing member 60 further includes at least one of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , and Y 2 O 3 as long as the effects of the present embodiment are not impaired. Also good.
  • the light emitting element 50 When external power is supplied to the light emitting element 50 via the wiring pattern 13, the light emitting element 50 generates blue light. Part of this blue light is absorbed by the red phosphor 63, wavelength-converted to red light, and emitted outside the sealing member 60. Part of the remaining blue light is absorbed by the green phosphor 65, wavelength-converted to green light, and emitted outside the sealing member 60. The remaining blue light is emitted outside the sealing member 60 without being absorbed by the red phosphor 63 and the green phosphor 65. Thus, since red light, green light, and blue light are simultaneously emitted out of the sealing member 60, white light is emitted from the light emitting device of this embodiment.
  • FIG. 4 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing the light emitting device of this embodiment.
  • the manufacturing method of the light emitting device of the present embodiment includes a step of fixing the light emitting element 50 to the base 10 (step S100) and a sealing step of sealing the light emitting element 50 solidified on the base 10 with the sealant 160 (step). S300). Prior to the sealing step, it is preferable to electrically connect the wiring pattern 13 formed on the substrate 10 and the light emitting element 50 (step S200). After the sealing process, it is preferable to perform the singulation process (step S400). In the following, it is shown that the light emitting device is manufactured by sealing the light emitting element and then the light emitting device is manufactured. However, in the case of the same member, the same before and after the individualization processing. The code
  • step S ⁇ b> 101 the light emitting elements 50 are arranged on the base body 10 at intervals.
  • each of the light emitting elements 50 is disposed on the inner lead portion 12 with the adhesive 51 interposed therebetween.
  • step S102 the adhesive 51 is cured. It is preferable to hold the substrate 10 on which the light emitting element 50 is disposed at a predetermined temperature for a predetermined time. Thereby, each of the light emitting elements 50 is fixed to the inner lead portion 12.
  • step S ⁇ b> 200 each of the light emitting elements 50 and the inner lead portion 12 are electrically connected using the conductive wire 53.
  • the sealant 160 is prepared.
  • the prepared sealing agent 160 includes a red phosphor 63, preferably further includes a sealing resin 61, and more preferably further includes a green phosphor 65.
  • step S ⁇ b> 302 the sealing agent 160 is discharged to each of the light emitting elements 50 using the discharge device 80.
  • FIG. 5 is a side view schematically illustrating this process. This step can be performed according to the following procedure.
  • the discharge device 80 is disposed above the opening of the recess 17, and the sealant 160 is put into the liquid chamber 81 of the discharge device 80.
  • the sealant 160 in the liquid chamber 81 is pushed by a piston (not shown) in this state, the sealant 160 is discharged from the nozzle 85 and supplied to the light emitting element 50 through the opening of the recess 17. 50 is coated.
  • the content of the red phosphor 63 is larger than that in the case of using the conventional red phosphor, and the volume-based median diameter of the Mn 4+ activated fluoride complex phosphor is 10 ⁇ m or more and 90 ⁇ m or less. Therefore, when the red phosphor 63 is used, the red phosphor 63 is likely to be clogged at the tip of the nozzle 85 and inside the nozzle 85, as compared with the case where the conventional red phosphor is used.
  • the red phosphor 63 and the green phosphor 65 are directed toward the light emitting element 50 without being clogged with the tip of the nozzle 85 and the inside of the nozzle 85. Can be discharged. Therefore, when the red phosphor 63 is used, it is very effective to set the viscosity of the sealing resin 61 to 2000 (mPa ⁇ s) or more. Moreover, if the viscosity of the sealing resin 61 is 7000 (mPa ⁇ s) or less, it is possible to prevent the time required for ejection from becoming too long.
  • the discharge device 80 to be used may be any device used for discharging resin, and the configuration is not limited to the configuration shown in FIG.
  • the shape and size of the nozzle 85 are not particularly limited, but the inner diameter of the nozzle 85 is preferably equal to or shorter than the short side constituting the opening of the recess 17. Thereby, the sealing agent 160 can be supplied to the recess 17 without spilling. More preferably, the outer diameter of the nozzle 85 is equal to or shorter than the short side constituting the opening of the recess 17.
  • the inner diameter of the nozzle 85 is preferably 0.2 mm or more, and the outer diameter of the nozzle 85 is preferably 0.4 mm or less.
  • step S303 the resin (for example, the sealing resin 61) included in the sealing agent 160 is cured. It is preferable to hold the substrate 10 on which the light emitting element 50 is coated with the sealing agent 160 at a predetermined temperature for a predetermined time. Thereby, the sealing member 60 is formed.
  • the resin for example, the sealing resin 61
  • the red phosphor 63 and the green phosphor 65 are supplied onto the light emitting element 50 without being clogged at the tip of the nozzle 85 and inside the nozzle 85. Therefore, in the sealing member 60, the red phosphor 63 and the green phosphor 65 are uniformly dispersed.
  • the upper surface 70 of the sealing member 60 is viewed in plan view of the sealing member 60. As it goes from the periphery toward the center of the sealing member 60 in plan view, it is positioned toward the light emitting element 50.
  • the substrate 10 is cut between the adjacent light emitting elements 50.
  • the lead frame is cut between adjacent light emitting elements 50. In this way, the light emitting device shown in FIG. 1 is obtained.
  • the light emitting device shown in FIG. 1 includes the base 10, the light emitting element 50 disposed on the base 10, and the sealing member 60 that seals the light emitting element 50.
  • the sealing member 60 includes at least a particulate red phosphor 63.
  • the red phosphor 63 includes at least a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor.
  • the upper surface 70 of the sealing member 60 has an uneven portion 71 at least in part. Thereby, the light-emitting device which has the light emission characteristic suitable for a display use is obtained.
  • the upper surface 70 of the sealing member 60 is preferably located on the light emitting element 50 side from the peripheral edge of the sealing member 60 in plan view toward the center of the sealing member 60 in plan view. Thereby, the lens effect can be given to the upper surface 70 of the sealing member 60. Further, it is preferable that the red phosphor 63 is uniformly dispersed in the sealing member 60.
  • the sealing member 60 further includes a green phosphor 65. Thereby, the light-emitting device which emits white light can be provided.
  • the red phosphor 63 is preferably contained in the mass ratio of 2 to 4 times with respect to the green phosphor 65. Thereby, the uneven portion 71 is easily formed on the upper surface 70 of the sealing member 60.
  • the sealing member 60 further includes a sealing resin 61.
  • the sealing resin preferably has a viscosity of 2000 (mPa ⁇ s) to 7000 (mPa ⁇ s). Thereby, the light emitting device can be mass-produced.
  • the method for manufacturing the light emitting device shown in FIG. 1 includes a step of fixing the light emitting element 50 to the base 10 and a sealing step of sealing the light emitting element 50 solidified on the base 10 with a sealant 160.
  • the sealing step includes a step of discharging the sealing agent 160 from the nozzle 85 to the light emitting element 50.
  • Sealant 160 includes at least sealing resin 61 and red phosphor 63.
  • the viscosity of the sealing resin 61 is 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less.
  • the red phosphor 63 includes at least a Mn 4+ activated fluoride complex phosphor.
  • the sealing resin 61 preferably includes a phenyl silicone resin.
  • the viscosity of the phenyl silicone resin is preferably 10,000 (mPa ⁇ s) or more. Thereby, the viscosity of the sealing resin 61 becomes 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less.
  • Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2> The sealant was prepared by changing the particle size of the main agent or phosphor of the sealant, and the clogging state of the phosphor was examined using the same discharge device. The results are shown in Table 1.
  • Example 1 On the other hand, in Example 1, clogging of the phosphor did not occur at the nozzle tip and inside the nozzle. Even in Example 2 in which the particle size of the phosphor was large, clogging of the phosphor did not occur at the nozzle tip and inside the nozzle. The reason for this is considered that the viscosity of the sealing resin contained in the sealing agents of Examples 1 and 2 was 2000 (mPa ⁇ s) or more and 7000 (mPa ⁇ s) or less.
  • a substrate was prepared.
  • the base body had a stage part and a frame part made of a heat-resistant polymer.
  • a wiring pattern is provided on the stage portion, and the wiring pattern is configured by plating a copper alloy with silver.
  • the frame body part was arrange
  • a concave portion is formed in the frame body portion, and the side surface of the concave portion is inclined outward as the distance from the upper surface of the stage portion increases.
  • the depth of the recess was 0.27 mm.
  • the opening of the recess is formed in a rectangular shape in plan view (short side 0.5 mm (length of the longest portion of the short sides) ⁇ long side 3.2 mm), and the corner of the opening in plan view is chamfered. .
  • a light emitting element that emits light having a peak wavelength at 450 nm was prepared.
  • the said light emitting element was arrange
  • the prepared sealant includes a phenyl silicone resin (agent A (main agent)) having a viscosity of 13000 mPa ⁇ s, a phenyl silicone resin (agent B (curing agent)) having a viscosity of 3600 mPa ⁇ s, and K 2 SiF 6 : Mn (volume-based median diameter (d50) is 34.0 ⁇ m, red phosphor) and Eu 0.05 Si 11.50 Al 0.50 O 0.05 N 15.95 ( ⁇ -type SiAlON) (volume-based median diameter (d50) is 12.0 ⁇ m) ) And a green phosphor represented by the composition.
  • the red phosphor was contained in an amount of 76% by mass with respect to the phenyl silicone resin, and the green phosphor was contained in an amount of 24% by mass with respect to the phenyl silicone resin.
  • the sealant was discharged to the light emitting element using the discharge device.
  • the nozzle of the discharge device used had an outer diameter of 0.4 mm and an inner diameter of 0.28 mm. Then, after hold
  • Example 3 The upper surface of the light emitting device of Example 3 was observed using a scanning electron microscope. The result is shown in FIG. Similarly, the upper surface of the light emitting device of Comparative Example 3 was also observed. The result is shown in FIG. In Example 3, the uneven part was formed on the upper surface of the sealing member, whereas in Comparative Example 3, the uneven part was not formed on the upper surface of the sealing member.
  • the content of the Mn 4+ -activated fluoride complex phosphor of Example 3 is set to that of Comparative Example 3.
  • the content of the conventional CaAlSiN 3 : Eu was about 10 times. Therefore, it is considered that such a result was obtained.
  • FIG. 7 is a graph showing an emission spectrum of the light emitting device obtained in Example 3.
  • the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit), and the horizontal axis represents wavelength (nm).
  • blue light peak wavelength is around 445 nm
  • green light peak wavelength is around 540 nm
  • red light maximum intensity around 630 nm.

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Abstract

　発光装置は、基体（１０）と、基体（１０）に配置された発光素子（５０）と、発光素子（５０）を封止する封止部材（６０）とを備える。封止部材（６０）は、粒子状の赤色蛍光体（６３）を少なくとも含む。赤色蛍光体（６３）は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。封止部材（６０）の上面（７０）は、凹凸部（７１）を少なくとも一部に有する。

Description

発光装置及びその製造方法
　本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
　発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置は、低消費電力、小型化、高輝度、さらには広範囲な色再現性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究及び開発が行われている。
　例えば、特許文献１（特開２０１０－１５７６０８号公報）には、発光素子が、青色蛍光体と緑色蛍光体とを励起する一方赤色蛍光体を実質的に励起しない光を放出することが記載されている。
　特許文献２（特開２０１１－１４６９７号公報）には、発光素子の放射光を用いて青色蛍光体、緑色蛍光体及び橙色蛍光体を励起することが記載されている。
特開２０１０－１５７６０８号公報（特許第５１９５４１５号） 特開２０１１－１４６９７号公報
　ところで、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有する発光装置の提供が要求されている。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有する発光装置及びその製造方法の提供である。
　本発明の発光装置は、基体と、基体に配置された発光素子と、発光素子を封止する封止部材とを備える。封止部材は、粒子状の赤色蛍光体を少なくとも含む。赤色蛍光体は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。封止部材の上面は、凹凸部を少なくとも一部に有する。
　封止部材の上面は、当該封止部材の平面視周縁から当該封止部材の平面視中央へ向かうにつれて発光素子側に位置することが好ましい。赤色蛍光体は、封止部材において均一に分散していることが好ましい。
　封止部材は、緑色蛍光体をさらに含むことが好ましい。赤色蛍光体は、緑色蛍光体に対して、質量比で、２倍以上４倍以下含まれていることが好ましい。
　封止部材は、封止樹脂をさらに含むことが好ましい。封止樹脂は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であることが好ましい。
　基体には、平面視矩形の開口が形成されていることが好ましい。開口を構成する長辺の長さは１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、開口を構成する短辺の長さは０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることが好ましい。封止部材を囲む基体の側壁の厚さは０．０２ｍｍ以上０．０６ｍｍ以下であることが好ましい。
　本発明の発光装置の製造方法は、基体に発光素子を固定する工程と、基体に固体された発光素子を封止剤で封止する封止工程とを備える。封止工程は、封止剤をノズルから発光素子へ吐出させる工程を有する。封止剤は、封止樹脂と赤色蛍光体とを少なくとも含む。封止樹脂は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下である。赤色蛍光体は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。
　封止樹脂は、フェニルシリコーン樹脂を含むことが好ましい。フェニルシリコーン樹脂は、その粘度が１００００（ｍＰａ・ｓ）以上であることが好ましい。
　発光素子は、フェニルシリコーン系接着剤で基体に固定されることが好ましい。封止工程の前に、基体に形成された配線パターンと発光素子とを電気的に接続することが好ましい。
　封止剤は、基体に形成された開口を通って発光素子へ供給されることが好ましい。ノズルの内径は、開口を構成する短辺以下であることが好ましい。
　基体は、樹脂からなることが好ましい。発光素子は、リードフレームに設けられていることが好ましい。封止工程の後に、隣り合う発光素子の間においてリードフレームを切断することが好ましい。
　本発明では、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有する発光装置を提供できる。
（ａ）は、本発明の一実施形態の発光装置の平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示すＩＢ－ＩＢ線における断面図である。 図１（ｂ）に示す領域ＩＩの拡大図である。 図１に示す基体の平面図である。 本発明の一実施形態の発光装置の製造方法を示すフロー図である。 封止剤を発光素子へ吐出させる工程を模式的に説明する側面図である。 （ａ）は、実施例３の発光装置の上面を観察した画像であり、（ｂ）は、比較例３の発光装置の上面を観察した画像である。 実施例３の発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。
　以下、本発明の発光装置及びその製造方法について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分又は相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さ等の寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。
　［発光装置の構成］
　図１（ａ）は、本発明の一実施形態の発光装置の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図２は、図１（ｂ）に示す領域ＩＩの拡大図である。図３は、図１に示す基体１０の平面図である。本実施形態の発光装置は、基体１０と、基体１０に配置された発光素子５０と、発光素子５０を封止する封止部材６０とを備える。
　＜基体＞
　基体１０の上面には、凹部１７が形成されている。以下では、基体１０のうち凹部１７の側壁に相当する部分を「枠体部１５」と記し、基体１０のうち枠体部１５よりも下側を「ステージ部１１」と記す。
　ステージ部１１は樹脂からなることが好ましく、板状又は箔状に形成されていることが好ましい。ステージ部１１の上面（凹部１７の底面）に発光素子５０が配置されるため、ステージ部１１は発光素子５０に外部電力を供給するための配線パターン１３を有することが好ましい。
　配線パターン１３の構成は特に限定されない。例えば、配線パターン１３は、ステージ部１１の内部に設けられたインナーリード部１２とステージ部１１の外部に設けられたアウターリード部１４とを有し、配線パターン１３において、インナーリード部１２とアウターリード部１４とが互いに接続されている。インナーリード部１２は、少なくとも一部がステージ部１１の上面において露出しており、インナーリード部１２のうちステージ部１１の上面において露出する部分には、発光素子５０が配置される。アウターリード部１４によって、本実施形態の発光装置は、その発光装置が実装される基板（例えば実装基板）に接続される。このような配線パターン１３は、導電性材料からなることが好ましく、例えば、銀、白金、金及び銅の少なくとも１つが銀メッキ、金メッキ及び銀パラジウムメッキのうちの少なくとも１つでメッキされて構成されていることが好ましい。
　なお、ステージ部１１としてリードフレームを用いれば、配線パターン１３をステージ部１１に別途設ける必要がないので、小型且つ軽量な発光装置を低コストで提供できる。
　枠体部１５は、ステージ部１１の上面に配置される発光素子５０を囲むようにステージ部１１の上面周縁に配置され、封止部材６０の外形を規定する。枠体部１５は、ステージ部１１と一体に形成されていても良いし、接着剤又は固定部材等によりステージ部１１に接続されていても良い。
　枠体部１５の厚さ（封止部材６０を囲む基体１０の側壁の厚さ）ｔは、０．０１ｍｍ以上０．０７ｍｍ以下であることが好ましい。枠体部１５の厚さｔが０．０１ｍｍ以上であれば、発光強度を高く維持できる。枠体部１５の厚さｔが０．０７ｍｍ以下であれば、発光装置を小型化できる。より好ましくは、枠体部１５の厚さｔは０．０２ｍｍ以上０．０６ｍｍ以下である。
　凹部１７の開口（基体１０に形成された開口）の形状及びその大きさ等は特に限定されない。凹部１７の開口が平面視矩形に形成されている場合、その開口を構成する長辺の長さＷ１は１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましく、その開口を構成する短辺の長さＬ１は０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることが好ましい（図３）。これにより、封止剤１６０（図５参照）をこぼすことなく凹部１７へ供給できる。また、封止部材６０の上面７０に凹凸部７１が形成され易くなる。平面視における凹部１７の開口の角部は、面取りされていても良いし、面取りされていなくても良い。「平面視」は発光素子５０の上から発光装置を見た場合を意味する。
　平面視における枠体部１５の外形が矩形である場合、枠体部１５の長辺の長さＷ２は枠体部１５の短辺の長さＬ２の３．５７倍以上であることが好ましい。これにより、封止部材６０の上面７０に凹凸部７１が形成され易くなる。それだけでなく、枠体部１５の短辺を短くできるので、本実施形態の発光装置はサイド発光型の発光装置として特に好適である。「サイド発光型の発光装置」では、光出射面に対して垂直な発光装置の面が、駆動回路等の電気回路を備えた実装基板に実装されている。このような発光装置を用いれば、色再現性に更に優れ、且つ、更なる薄型化を実現可能なディスプレイ装置等を提供できる。
　凹部１７の内面１７ａは、配線パターン１３の端面１３ａよりも枠体部１５の長辺方向外側に位置することが好ましい（図３）。これにより、枠体部１５の短辺を短くできるので、容積を確保できる。また、ステージ部１１の上面におけるインナーリード部１２の占有率を稼ぐことができるので、反射率が向上する。また、枠体部１５の上面は平坦であることが好ましい。これにより、粘度の高い封止剤が枠体部１５の外へ漏れることを防止できる。「凹部１７の内面１７ａ」とは、凹部１７の開口の短辺方向に延びる凹部１７の内面を意味する。「配線パターン１３の端面１３ａ」とは、凹部１７の開口の短辺方向に延びる配線パターン１３の端面のうち凹部１７の開口の長辺方向内側に位置する端面を意味する。
　このような枠体部１５は、耐熱性材料からなることが好ましく、例えば耐熱性ポリマーからなることが好ましい。また、枠体部１５の上面であって一方の極性を有する配線パターン１３の近傍には、当該極性（本実施形態ではカソード）を示す指示部１９が設けられていることが好ましい（図１（ａ）、図３）。これにより、配線パターン１３の極性を間違えることなく発光装置に外部電力を供給できる。
　なお、例えば走査型電子顕微鏡等を用いて高倍率の観察像で格子像を観察することによって、枠体部１５の厚さｔ、上記Ｗ１、上記Ｌ１、上記Ｗ２及び上記Ｌ２を見積もることができる。
　＜発光素子＞
　好ましくは、発光素子５０は、接着剤５１を介してインナーリード部１２に固定され、導電性ワイヤー５３によってインナーリード部１２に接続される。接着剤５１は、フェニルシリコーン系接着剤であることが好ましい。これにより、耐候性に優れた発光装置を提供できる。フェニルシリコーン系接着剤は、フェニルシリコーン樹脂に由来する成分を含む接着剤を意味する。「フェニルシリコーン樹脂に由来する成分」はフェニルシリコーン樹脂から１以上の水素原子が除去されたものを意味する。導電性ワイヤー５３は、好ましくは低抵抗な材料からなり、より好ましくは金属からなる。
　好ましくは、発光素子５０は、波長が４３０～４７０ｎｍ（より好適には４４０～４７０ｎｍ）である青色領域にピーク波長を有する光（一次光）を発する発光素子である。発光素子５０からの光のピーク波長が４３０ｎｍ以上であれば、発光装置からの光における青色光の成分の寄与が小さくなることを防止できるので、演色性の悪化を防止できる。また、発光素子５０からの光のピーク波長が４７０ｎｍ以下であれば、発光装置からの光の明るさの低下を防止できる。以上のことから、発光素子５０からの光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下であれば、実用的な発光装置を得ることができる。例えば、発光素子５０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）系半導体からなる発光素子であることが好ましく、また、平面視矩形に形成されていることが好ましい。
　＜封止部材＞
　封止部材６０は、凹部１７を充填するように設けられていることが好ましい。これにより、発光素子５０は封止部材６０で封止される。
　封止部材６０の上面７０の少なくとも一部には、凹凸部７１が形成されている。後述の実施例で示すように、本発明者らは、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ又は（Ｓｒ・Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ等の赤色蛍光体を用いた場合には封止部材の上面に凹凸部が形成されないのに対し、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を用いた場合には封止部材の上面に凹凸部が形成されることを確認している。Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体はディスプレイ用途に好適な発光特性を示すので（後述）、封止部材６０の上面７０の平坦性を調べることによりディスプレイ用途の発光装置として好適な発光装置であるか否かを判断できる。よって、封止部材６０に含まれる赤色蛍光体６３の組成分析を行なうことなく、ディスプレイ用途の発光装置として好適な発光装置であるか否かを判断できる。「封止部材６０の上面７０」とは、基体１０から露出する封止部材６０の面（凹部１７の開口において露出する封止部材６０の面）を意味する。
　本発明者らは、凹部１７の開口の大きさが小さいほど、凹凸部７１が封止部材６０の上面７０に形成され易くなることを確認している。かかる効果は、凹部１７の開口を構成する長辺の長さＬ１が１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり且つ凹部１７の開口を構成する短辺の長さＷ１が０．０５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である場合に、顕著となる。
　封止部材６０の上面７０は、封止部材６０の平面視周縁から封止部材６０の平面視中央へ向かうにつれて発光素子５０側に位置することが好ましい。これにより、封止部材６０の上面７０にレンズ効果を持たせることができるので、発光素子５０からの光を集束できる。より好ましくは、平面視中央における封止部材６０の上面７０が平面視周縁における封止部材６０の上面７０よりも５μｍ程度発光素子５０側へ凹むことである。凹部１７の開口の大きさが小さくなるにつれて、封止部材６０の上面７０の凹み量が低減し、封止部材６０の上面７０において発光素子５０側に凹む領域が狭くなる。走査型電子顕微鏡等を用いて高倍率の観察像で格子像を観察すれば、封止部材６０の上面７０が平面視周縁から平面視中央へ向かうにつれて発光素子５０側に位置するか否かを見積もることができる。
　このような封止部材６０は、赤色蛍光体６３を含み、好ましくは封止樹脂６１をさらに含み、さらに好ましくは緑色蛍光体６５をさらに含む。
　（赤色蛍光体）
　赤色蛍光体６３は、発光素子５０からの光で励起されて赤色光を発するものであり、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の発光ピークの中心波長は６２５ｎｍ～６４５ｎｍ（例えば６３５ｎｍ）であり、その発光ピークの半値幅は１０ｎｍ程度である。よって、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体はディスプレイ用途に好適な発光特性を示すので、本実施形態の発光装置をディスプレイ用途の発光装置として好適に用いることができる。
　しかし、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体は、従来の赤色蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ又は（Ｓｒ・Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）等に比べて発光効率に劣る。そのため、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の含有量を従来の赤色蛍光体を用いた場合よりも多くすることにより、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を用いたことに起因する赤色の色度の低下又は赤色光の発光強度の低下を防止することが好ましい。これにより、封止部材６０の上面７０では、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体が偏在することとなる。Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体は粒子状に形成されているので、凹凸部７１が封止部材６０の上面７０の少なくとも一部に形成されることとなる。
　「Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体が粒子状に形成されている」とは、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の体積基準のメジアン径が１０μｍ以上９０μｍ以下であることを意味する。好ましくは、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の体積基準のメジアン径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。「赤色蛍光体６３の体積基準のメジアン径」は、赤色蛍光体の粒度分布を体積基準で測定したときのメジアン径を意味し、例えばフロー式粒子像分析装置等を用いて測定される。
　Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体は、例えば、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎである。Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎにおいて、Ｋの一部又は全部がＬｉ、Ｎａ及びＮＨ4のうちの１つ以上で置換されていても良い。
　Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の付活元素はＭｎ（マンガン）が１００％であることが好ましい。しかし、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体は、付活元素の全量に対して１０モル％未満の範囲で、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｚｎ及びＭｇの少なくとも１つを付活元素としてさらに含んでも良い。付活元素は、母体結晶（例えばＫ2ＳｉＦ6）中でＳｉが占めるべきサイト（Ｓｉサイト）の０．５％～１０％を占有することが好ましい。母材結晶ではＳｉサイトの１０％以下が付活元素以外の元素で置換されていても良い。格子間位置を占める金属元素（例えばＭｎ）が母体結晶に添加されていても良い。
　なお、赤色蛍光体６３は、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体とは異なる赤色蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ又は（Ｓｒ・Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ）をさらに含んでも良い。Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体は高価である。そのため、赤色蛍光体６３がＭｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体とは異なる赤色蛍光体をさらに含むことは、廉価版の色再現性に優れた発光装置に適している。
　（封止樹脂）
　封止樹脂６１の粘度は、２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であることが好ましい。これにより、発光装置を量産できる。また、凹凸部７１が封止部材６０の上面７０に形成され易くなる。
　封止樹脂６１は、フェニルシリコーン樹脂を少なくとも含むことが好ましい。これにより、封止樹脂６１の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下となる。封止樹脂６１は、より好ましくは、粘度が５０００（ｍＰａ・ｓ）以上のフェニルシリコーン樹脂を含むことであり、さらに好ましくは、粘度が１００００（ｍＰａ・ｓ）以上のフェニルシリコーン樹脂を含むことである。フェニルシリコーン樹脂の粘度が５０００（ｍＰａ・ｓ）以上であれば、封止樹脂６１の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下となり易い。なお、粘度が４００００（ｍＰａ・ｓ）よりも大きなフェニルシリコーン樹脂を入手することは難しいので、フェニルシリコーン樹脂の粘度は４００００（ｍＰａ・ｓ）以下であることが好ましい。
　封止樹脂６１の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下となるのであれば、封止樹脂６１は、粘度が５０００（ｍＰａ・ｓ）未満のフェニルシリコーン樹脂をさらに含んでいても良く、フェニルシリコーン樹脂とは異なる樹脂（例えば有機変性シリコーン樹脂）をさらに含んでいても良い。「封止樹脂６１の粘度」及び「フェニルシリコーン樹脂の粘度」は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３：２０１１（液体の粘度測定方法）に準拠して測定された値を意味する。
　（緑色蛍光体）
　緑色蛍光体６５は、発光素子５０からの光で励起されて緑色光を発するものである。例えば、緑色蛍光体６５は、(Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ、(Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ)Ｓｉ2Ｏ2Ｎ2：Ｅｕ、(Ｂａ，Ｓｒ)3Ｓｉ6Ｏ12Ｎ2：Ｅｕ、Ｅｕ付活β－サイアロン、(Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ)(Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ)2Ｓ4：Ｅｕ、(Ｙ，Ｔｂ)3(Ａｌ，Ｇａ)5Ｏ12：Ｃｅ、Ｃａ3(Ｓｃ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ)2Ｓｉ3Ｏ12：Ｃｅ、又は、(Ｃａ，Ｓｒ)Ｓｃ2Ｏ4：Ｃｅ等であることが好ましい。これらは緑色蛍光体６５の一例に過ぎず、緑色蛍光体６５はこれらに限定されない。
　（配合量）
　赤色蛍光体６３は、緑色蛍光体６５に対して、質量比で、２倍以上５倍以下含まれていることが好ましい。赤色蛍光体６３が緑色蛍光体６５に対して質量比で２倍以上含まれていれば、凹凸部７１が封止部材６０の上面７０に形成され易くなる。また、発光効率に優れないＭｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を用いたことに起因する赤色の色度の低下又は赤色光の発光強度の低下を防止できる。赤色蛍光体６３が緑色蛍光体６５に対して質量比で５倍以下含まれていれば、発光装置からの光における赤色光の成分の寄与が大きくなりすぎることを防止できる。より好ましくは、赤色蛍光体６３は緑色蛍光体６５に対して質量比で２倍以上４倍以下含まれている。
　なお、封止部材６０は、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、及び、Ｙ2Ｏ3のうちの少なくとも１つをさらに含んでいても良い。
　＜動作＞
　外部電力が配線パターン１３を経由して発光素子５０へ供給されると、発光素子５０が青色光を発生させる。この青色光の一部は、赤色蛍光体６３に吸収されて赤色光に波長変換され、封止部材６０の外へ放出される。残りの青色光の一部は、緑色蛍光体６５に吸収されて緑色光に波長変換され、封止部材６０の外へ放出される。残りの青色光は、赤色蛍光体６３にも緑色蛍光体６５にも吸収されることなく封止部材６０の外へ放出される。このようにして赤色光と緑色光と青色光とが同時に封止部材６０の外へ放出されるので、本実施形態の発光装置からは白色光が放出されることとなる。
　［発光装置の製造方法］
　図４は、本実施形態の発光装置の製造方法の一例を示すフロー図である。本実施形態の発光装置の製造方法は、基体１０に発光素子５０を固定する工程（ステップＳ１００）と、基体１０に固体された発光素子５０を封止剤１６０で封止する封止工程（ステップＳ３００）とを備える。封止工程の前に、基体１０に形成された配線パターン１３と発光素子５０とを電気的に接続することが好ましい（ステップＳ２００）。封止工程の後に、個片化工程（ステップＳ４００）を行なうことが好ましい。なお、以下では、発光素子を封止してから個片化処理を行って発光装置を製造することを示すが、同一部材であれば、個片化処理前と個片化処理後とで同一の符号を付している。
　＜発光素子の固定＞
　（発光素子の配置）
　まず、ステップＳ１０１において、互いに間隔をあけて発光素子５０を基体１０に配置する。例えば、接着剤５１を挟んで発光素子５０のそれぞれをインナーリード部１２に配置する。
　（接着剤の硬化）
　次に、ステップＳ１０２において、接着剤５１を硬化させる。発光素子５０が配置された基体１０を、所定の時間、所定の温度に保持することが好ましい。これにより、発光素子５０のそれぞれがインナーリード部１２に固定される。
　＜発光素子と配線パターンとの電気的接続＞
　ステップＳ２００では、導電性ワイヤー５３を用いて発光素子５０のそれぞれとインナーリード部１２とを電気的に接続する。
　＜発光素子の封止＞
　（封止剤の調製）
　まず、ステップＳ３０１において、封止剤１６０を調製する。調製する封止剤１６０は、赤色蛍光体６３を含み、好ましくは封止樹脂６１をさらに含み、より好ましくは緑色蛍光体６５をさらに含む。
　（封止剤の吐出）
　次に、ステップＳ３０２において、吐出装置８０を用いて封止剤１６０を発光素子５０のそれぞれへ吐出させる。図５は本工程を模式的に説明する側面図である。次に示す手順にしたがって本工程を行なうことができる。吐出装置８０を凹部１７の開口の上方に配置し、その吐出装置８０の液室８１に封止剤１６０を入れる。この状態で液室８１内の封止剤１６０をピストン（不図示）で押すと、封止剤１６０は、ノズル８５から吐出され、凹部１７の開口を通って発光素子５０へ供給され、発光素子５０を被覆する。
　赤色蛍光体６３の含有量は従来の赤色蛍光体を用いた場合よりも多く、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の体積基準のメジアン径は１０μｍ以上９０μｍ以下である。そのため、赤色蛍光体６３を用いれば、従来の赤色蛍光体を用いた場合に比べて、赤色蛍光体６３がノズル８５の先端及びノズル８５の内部で詰まり易くなる。
　しかし、封止樹脂６１の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上であれば、赤色蛍光体６３及び緑色蛍光体６５をノズル８５の先端及びノズル８５の内部で詰まらせることなく発光素子５０へ向かって吐出させることができる。よって、赤色蛍光体６３を用いた場合に封止樹脂６１の粘度を２０００（ｍＰａ・ｓ）以上とすることは非常に効果的である。また、封止樹脂６１の粘度が７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であれば、吐出に要する時間が長くなり過ぎることを防止できる。
　用いる吐出装置８０は、樹脂を吐出するために用いられている装置であれば良く、その構成は図５に示す構成に限定されない。
　ノズル８５の形状及びその大きさ等は特に限定されないが、ノズル８５の内径は凹部１７の開口を構成する短辺以下であることが好ましい。これにより、封止剤１６０をこぼすことなく凹部１７へ供給できる。より好ましくは、ノズル８５の外径が凹部１７の開口を構成する短辺以下である。例えば、ノズル８５の内径は０．２ｍｍ以上であることが好ましく、ノズル８５の外径は０．４ｍｍ以下であることが好ましい。
　（硬化）
　続いて、ステップＳ３０３において、封止剤１６０に含まれる樹脂（例えば封止樹脂６１）を硬化させる。発光素子５０が封止剤１６０で被覆された基体１０を、所定の時間、所定の温度に保持することが好ましい。これにより、封止部材６０が形成される。
　本実施形態では、赤色蛍光体６３及び緑色蛍光体６５がノズル８５の先端及びノズル８５の内部で詰まることなく発光素子５０上へ供給される。そのため、封止部材６０では、赤色蛍光体６３及び緑色蛍光体６５が均一に分散することとなる。
　封止剤１６０が枠体部１５の上面よりも上側に配置された状態で当該封止剤１６０に含まれる樹脂を硬化させると、封止部材６０の上面７０は、封止部材６０の平面視周縁から封止部材６０の平面視中央へ向かうにつれて発光素子５０側へ位置することとなる。
　＜個片化＞
　隣り合う発光素子５０の間において基体１０を切断する。基体１０としてリードフレームを用いた場合には、隣り合う発光素子５０の間においてリードフレームを切断する。このようにして図１に示す発光装置が得られる。
　以上説明したように、図１に示す発光装置は、基体１０と、基体１０に配置された発光素子５０と、発光素子５０を封止する封止部材６０とを備える。封止部材６０は、粒子状の赤色蛍光体６３を少なくとも含む。赤色蛍光体６３は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。封止部材６０の上面７０は、凹凸部７１を少なくとも一部に有する。これにより、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有する発光装置が得られる。
　封止部材６０の上面７０は、封止部材６０の平面視周縁から封止部材６０の平面視中央へ向かうにつれて発光素子５０側に位置することが好ましい。これにより、封止部材６０の上面７０にレンズ効果を持たせることができる。また、赤色蛍光体６３は、封止部材６０において均一に分散していることが好ましい。
　封止部材６０は、緑色蛍光体６５をさらに含むことが好ましい。これにより、白色光を発する発光装置を提供できる。
　赤色蛍光体６３は、緑色蛍光体６５に対して、質量比で、２倍以上４倍以下含まれていることが好ましい。これにより、凹凸部７１が封止部材６０の上面７０に形成され易くなる。
　封止部材６０は、封止樹脂６１をさらに含むことが好ましい。封止樹脂は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であることが好ましい。これにより、発光装置を量産できる。
　図１に示す発光装置の製造方法は、基体１０に発光素子５０を固定する工程と、基体１０に固体された発光素子５０を封止剤１６０で封止する封止工程とを備える。封止工程は、封止剤１６０をノズル８５から発光素子５０へ吐出させる工程を有する。封止剤１６０は、封止樹脂６１と赤色蛍光体６３とを少なくとも含む。封止樹脂６１は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下である。赤色蛍光体６３は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む。これにより、ディスプレイ用途に好適な発光特性を有する発光装置を提供できる。
　封止樹脂６１は、フェニルシリコーン樹脂を含むことが好ましい。フェニルシリコーン樹脂は、その粘度が１００００（ｍＰａ・ｓ）以上であることが好ましい。これにより、封止樹脂６１の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下となる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　＜実施例１、２と比較例１、２＞
　封止剤の主剤又は蛍光体の粒径を変更して封止剤を調製し、同一の吐出装置を用いて蛍光体の詰まり具合を調べた。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、比較例１、２では、ノズルの先端及びノズルの内部の少なくとも一方において蛍光体の目詰まりが発生した。この理由として、比較例１、２の封止剤に含まれる封止樹脂の粘度が３００（ｍＰａ・ｓ）未満であったことが考えられる。
　一方、実施例１では、ノズルの先端及びノズルの内部において蛍光体の目詰まりが発生しなかった。蛍光体の粒径が大きかった実施例２においても、ノズルの先端及びノズルの内部において蛍光体の目詰まりは発生しなかった。この理由として、実施例１及び２の封止剤に含まれる封止樹脂の粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であったことが考えられる。
　＜実施例３＞
　まず、基体を用意した。基体は、ステージ部と、耐熱性ポリマーからなる枠体部とを有していた。ステージ部には配線パターンが設けられており、配線パターンは銅合金が銀でメッキされて構成されていた。枠体部は、ステージ部の上面周縁に配置されていた。枠体部には凹部が形成されており、凹部の側面はステージ部の上面から遠ざかるにつれて外側へ傾斜していた。凹部の深さは０．２７ｍｍであった。凹部の開口は平面視矩形（短辺０．５ｍｍ（短辺のうち最長部分の長さ）×長辺３．２ｍｍ）に形成されており、平面視における上記開口の角部は面取りされていた。
　次に、４５０ｎｍにピーク波長を有する光を発する発光素子を用意した。フェニルシリコーン系接着剤を用いて当該発光素子をインナーリード部に配置した。その後、１５０℃で１時間保持することによりフェニルシリコーン系接着剤を硬化させた。これにより、発光素子がインナーリード部に固定された。
　続いて、金線を用いてインナーリード部と発光素子とを電気的に接続した。その後、封止剤を調製した。
　調製された封止剤には、粘度が１３０００ｍＰａ・ｓのフェニルシリコーン樹脂（Ａ剤（主剤））と、粘度が３６００ｍＰａ・ｓのフェニルシリコーン樹脂（Ｂ剤（硬化剤））と、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ（体積基準のメジアン径(d50)が３４．０μｍ、赤色蛍光体）と、Ｅｕ0.05Ｓｉ11.50Ａｌ0.50Ｏ0.05Ｎ15.95（β型ＳｉＡｌＯＮ）（体積基準のメジアン径(d50)が１２．０μｍ）なる組成で表わされる緑色蛍光体とが含まれていた。上記赤色蛍光体は、フェニルシリコーン樹脂に対して７６質量％含まれており、上記緑色蛍光体は、フェニルシリコーン樹脂に対して２４質量％含まれていた。
　続いて、吐出装置を用いて封止剤を発光素子へ吐出させた。用いた吐出装置のノズルは、外形が０．４ｍｍであり、内径が０．２８ｍｍであった。その後、１００℃で１時間保持してから、１５０℃で１時間保持した。これにより、上記フェニルシリコーン樹脂（Ａ剤（主剤））が上記フェニルシリコーン樹脂（Ｂ剤（硬化剤））により硬化された。その後、基体を分割した。これにより、サイド発光型の発光装置（縦０．６ｍｍ×横３．８ｍｍ×高さ１．０ｍｍ）を得た。
　＜比較例３＞
　赤色蛍光体としてＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ（体積基準のメジアン径(d50)が１２μｍ）を用い、赤色蛍光体の含有量を緑色蛍光体の含有量の１／１０倍としたことを除いては実施例３に記載の方法にしたがって、発光装置を得た。
　＜評価＞
　走査型電子顕微鏡を用いて実施例３の発光装置の上面を観察した。その結果を図６（ａ）に示す。同様に、比較例３の発光装置の上面も観察した。その結果を図６（ｂ）に示す。実施例３では、封止部材の上面には凹凸部が形成されたのに対し、比較例３では、封止部材の上面には凹凸部が形成されなかった。実施例３の色度及び発光強度をそれぞれ比較例３の色度及び発光強度と略同一とするために、実施例３のＭｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体の含有量を比較例３の従来のＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕの含有量の約１０倍とした。そのため、このような結果が得られたものと考えられる。
　図７は、実施例３で得られた発光装置の発光スペクトルを示すグラフである。図７において、縦軸は発光強度（任意単位）を表わし、横軸は波長（ｎｍ）を表わす。図７に示すように、実施例３で得られた発光装置からは、青色の光（ピーク波長が４４５ｎｍ付近）と緑色の光（ピーク波長が５４０ｎｍ付近）と赤色の光（６３０ｎｍ付近に最大強度を示す）とが放出された。よって、実施例３では、色再現性に優れた光を高効率で発生可能な発光装置が得られたと言える。
　今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　基体、１１　ステージ部、１３　配線パターン、１３ａ　端面、１５　枠体部、１７　凹部、１７ａ　内面、１９　指示部、５０　発光素子、５１　接着剤、５３　導電性ワイヤー、６０　封止部材、６１　封止樹脂、６３　赤色蛍光体、６５　緑色蛍光体、７０　上面、７１　凹凸部。

Claims (10)

  1. 　基体と、
    　前記基体に配置された発光素子と、
    　前記発光素子を封止する封止部材とを備え、
    　前記封止部材は、粒子状の赤色蛍光体を少なくとも含み、
    　前記赤色蛍光体は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含み、
    　前記封止部材の上面は、凹凸部を少なくとも一部に有する発光装置。
  2. 　前記封止部材の上面は、当該封止部材の平面視周縁から当該封止部材の平面視中央へ向かうにつれて前記発光素子側に位置し、
    　前記赤色蛍光体は、前記封止部材において均一に分散している請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記封止部材は、緑色蛍光体をさらに含む請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　前記赤色蛍光体は、前記緑色蛍光体に対して、質量比で、２倍以上４倍以下含まれている請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記封止部材は、封止樹脂をさらに含み、
    　前記封止樹脂は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下である請求項１～４のいずれかに記載の発光装置。
  6. 　基体に発光素子を固定する工程と、
    　前記基体に固体された発光素子を封止剤で封止する封止工程とを備え、
    　前記封止工程は、前記封止剤をノズルから前記発光素子へ吐出させる工程を有し、
    　前記封止剤は、封止樹脂と赤色蛍光体とを少なくとも含み、
    　前記封止樹脂は、その粘度が２０００（ｍＰａ・ｓ）以上７０００（ｍＰａ・ｓ）以下であり、
    　前記赤色蛍光体は、Ｍｎ4+付活フッ化物錯体蛍光体を少なくとも含む発光装置の製造方法。
  7. 　前記封止樹脂は、フェニルシリコーン樹脂を含む請求項６に記載の発光装置の製造方法。
  8. 　前記フェニルシリコーン樹脂は、その粘度が１００００（ｍＰａ・ｓ）以上である請求項７に記載の発光装置の製造方法。
  9. 　前記封止剤は、緑色蛍光体をさらに含む請求項６～８のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
  10. 　前記赤色蛍光体は、前記緑色蛍光体に対して、質量比で、２倍以上４倍以下含まれている請求項９に記載の発光装置の製造方法。
PCT/JP2014/076672 2013-10-15 2014-10-06 発光装置及びその製造方法 Ceased WO2015056590A1 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034148A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
WO2017094832A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
JP2017157621A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 豊田合成株式会社 白色発光装置
JP2018155968A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015068513A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 シャープ株式会社 発光装置、及び照明装置
US10883045B2 (en) * 2016-05-02 2021-01-05 Current Lighting Solutions, Llc Phosphor materials including fluidization materials for light sources
US9847468B1 (en) * 2016-06-20 2017-12-19 Asm Technology Singapore Pte Ltd Plated lead frame including doped silver layer
JP6583203B2 (ja) * 2016-09-30 2019-10-02 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI622638B (zh) 2016-12-29 2018-05-01 瑞軒科技股份有限公司 螢光體及其應用之發光裝置與背光模組
CN108269904B (zh) * 2017-01-03 2019-12-27 瑞轩科技股份有限公司 荧光体及其应用的发光装置与背光模块
CN113841238A (zh) 2019-03-18 2021-12-24 英特曼帝克司公司 Led灯丝
US11781714B2 (en) 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
CN113826225A (zh) 2019-03-18 2021-12-21 英特曼帝克司公司 包括光致发光层状结构的封装白色发光装置
US11342311B2 (en) * 2019-03-18 2022-05-24 Intematix Corporation LED-filaments and LED-filament lamps utilizing manganese-activated fluoride red photoluminescence material
KR102823696B1 (ko) * 2020-12-14 2025-06-24 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 표시장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270004A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Asahi Glass Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた透光性封止材および発光素子
JP2010251621A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
JP2011129791A (ja) * 2009-12-19 2011-06-30 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光装置用ケースの製造方法
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013042166A (ja) * 2007-12-14 2013-02-28 Cree Inc Ｌｅｄパッケージにおけるテクスチャード加工された封止体表面
JP2013084702A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Fujifilm Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050218781A1 (en) * 2002-09-09 2005-10-06 Hsing Chen Triple wavelengths light emitting diode
US8469760B2 (en) * 2006-03-31 2013-06-25 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light emitting device and method for producing same
JP2008166311A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
WO2008153125A1 (ja) * 2007-06-15 2008-12-18 Sekisui Chemical Co., Ltd. 光半導体素子用封止剤及び光半導体素子
KR101592836B1 (ko) 2008-02-07 2016-02-05 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 백라이트, 컬러 화상 표시 장치, 및 그들에 사용하는 형광체
JP2010093132A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
JP5195415B2 (ja) 2008-12-26 2013-05-08 三菱化学株式会社 半導体発光装置
JP2011014697A (ja) 2009-07-01 2011-01-20 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置
JP2011054736A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Sharp Corp 発光装置、平面光源および液晶表示装置
EP2513246B1 (en) * 2009-12-17 2014-02-26 Koninklijke Philips N.V. Lighting device with light source and wavelength converting element
WO2011091839A1 (de) 2010-01-29 2011-08-04 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe
US20120293980A1 (en) * 2010-02-02 2012-11-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting unit, backlight device and display apparatus
JP5161907B2 (ja) * 2010-03-08 2013-03-13 株式会社東芝 発光装置およびその製造方法
JP5767062B2 (ja) 2010-09-30 2015-08-19 日東電工株式会社 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
WO2012050199A1 (ja) * 2010-10-15 2012-04-19 三菱化学株式会社 白色発光装置及び照明器具
JP5375906B2 (ja) * 2011-09-13 2013-12-25 日亜化学工業株式会社 フッ化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
WO2013080596A1 (ja) * 2011-11-29 2013-06-06 シャープ株式会社 発光デバイスの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007270004A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Asahi Glass Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、それを用いた透光性封止材および発光素子
JP2013042166A (ja) * 2007-12-14 2013-02-28 Cree Inc Ｌｅｄパッケージにおけるテクスチャード加工された封止体表面
JP2010251621A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置
JP2011129791A (ja) * 2009-12-19 2011-06-30 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光装置用ケースの製造方法
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013084702A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Fujifilm Corp 半導体発光装置及びその製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034148A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置を備えたバックライト
US10529695B2 (en) 2015-08-04 2020-01-07 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device
US10971481B2 (en) 2015-08-04 2021-04-06 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device
US11398460B2 (en) 2015-08-04 2022-07-26 Nichia Corporation Light-emitting device and backlight including light-emitting device
WO2017094832A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
CN108351444A (zh) * 2015-12-04 2018-07-31 东丽株式会社 荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法
KR20180090260A (ko) * 2015-12-04 2018-08-10 도레이 카부시키가이샤 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법
JPWO2017094832A1 (ja) * 2015-12-04 2018-09-20 東レ株式会社 蛍光体シート、それを用いた発光体、光源ユニット、ディスプレイ、および発光体の製造方法
CN108351444B (zh) * 2015-12-04 2021-10-26 东丽株式会社 荧光体片、使用其的发光体、光源单元、显示器及发光体的制造方法
KR102419336B1 (ko) * 2015-12-04 2022-07-12 도레이 카부시키가이샤 형광체 시트, 그것을 사용한 발광체, 광원 유닛, 디스플레이 및 발광체의 제조 방법
JP2017157621A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 豊田合成株式会社 白色発光装置
JP2018155968A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 透光性部材の製造方法及び発光装置の製造方法

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