WO2015056487A1 - インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法 - Google Patents

インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015056487A1
WO2015056487A1 PCT/JP2014/072804 JP2014072804W WO2015056487A1 WO 2015056487 A1 WO2015056487 A1 WO 2015056487A1 JP 2014072804 W JP2014072804 W JP 2014072804W WO 2015056487 A1 WO2015056487 A1 WO 2015056487A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polyimide
pattern
fine pattern
solvent
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2014/072804
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
成圓 尹
相天 朴
廣島　洋
高木　秀樹
鈴木　健太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to CN201480056987.7A priority Critical patent/CN105658413B/zh
Priority to JP2015542536A priority patent/JP6192023B2/ja
Priority to US15/029,481 priority patent/US10189203B2/en
Priority to KR1020167008515A priority patent/KR101770809B1/ko
Publication of WO2015056487A1 publication Critical patent/WO2015056487A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/02—Polyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387—Polyamides or polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
    • B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B29C2059/023—Microembossing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/52—Heating or cooling
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2079/00—Use of polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain, not provided for in groups B29K2061/00 - B29K2077/00, as moulding material
    • B29K2079/08—PI, i.e. polyimides or derivatives thereof

Definitions

  • the present invention relates to a method for forming a fine pattern of polyimide by an imprint method.
  • photolithography using a polyamic acid precursor of photosensitive polyimide has been mainly used as a method for forming a fine pattern of polyimide.
  • pattern exposure is performed through a photomask on the surface of the substrate coated with the photosensitive polyimide precursor, and heat treatment (PEB: post-exposure baking) is performed as necessary, and then a developer is used.
  • PEB post-exposure baking
  • the unexposed part or the exposed part is removed, and the polyimide precursor pattern obtained by the development is converted into a polyimide pattern by subsequent heat treatment (see Patent Document 1).
  • this method has a problem that the pattern structure shrinks by 30 to 50% due to the thermal imidization reaction of the amic acid polyimide precursor, and has a sharp line edge, a fine structure having a rectangular cross section, and a submicrometer pattern. There are problems with formation.
  • Patent Document 2 introduces a method for producing an ink-like modified polyimide after imidization reaction and a patterning method by photolithography.
  • This patterning method includes (1) modified polyimide, photosensitive agent, thermosetting.
  • etching method for example, (1) a process for forming a polyimide film on a substrate, (2) a process for forming a resist pattern comprising, for example, applying a photoresist, pattern exposure through a photomask, PEB and development processing, etc. , (3) a polyimide film etching process using the resist pattern as an etching resist, (4) a photoresist layer removing process, and (5) a process of adding a polyimide pattern obtained by etching, etc.
  • polyimide has excellent chemical stability, but has a problem that the etching rate is very slow and the productivity is low.
  • the thermal imprint technique is used as a simpler polyimide pattern forming method than the conventional polyimide fine patterning technique.
  • this method in order to obtain moldability suitable for imprint molding, first, polyimide is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature (Tg) and then softened, and then the concave and convex pattern of the mold is pressed and molded. In this state, after cooling to Tg or less, when the mold is released, irregularities are formed on the polyimide surface.
  • Tg glass transition temperature
  • the thermal imprint molding technique there is an advantage that the process can be greatly shortened as compared with the photolithography method described above.
  • the glass transition temperature (Tg) of polyimide is generally 300 ° C. or higher, heating at a high temperature of 300 to 400 ° C. is necessary, which affects the pattern transfer accuracy due to thermal expansion and decreases the alignment accuracy. There is a thermal stress problem.
  • Patent Document 3 a display member curable at 250 ° C. or lower can be formed by a thermal imprint method using a curable composition containing polyimide and another resin other than polyimide.
  • a curable composition containing polyimide and another resin other than polyimide are listed.
  • it forms a partition for plasma display with a pitch of about 160 ⁇ m and a line width of about 20 ⁇ m, and submicrometer pattern formation has not been studied.
  • the present invention has been made in view of the current situation, and is a simple polyimide pattern forming method that is superior in processing shape and dimensional accuracy compared to conventional polyimide processing techniques such as photolithography and laser processing. It is intended to provide.
  • the present inventors have developed a solvent-soluble polyimide resin composition that has photosensitivity and can be molded at low temperature as polyimide in forming a fine pattern of polyimide.
  • a solvent-soluble polyimide resin composition that has photosensitivity and can be molded at low temperature as polyimide in forming a fine pattern of polyimide.
  • thermosetting is performed by two-stage heating that is maintained at a post-exposure baking temperature of the solvent-soluble polyimide resin composition for a certain period of time while being heated from room temperature to a heat treatment temperature.
  • the present invention it is possible to manufacture a submicrometer pattern having a rectangular cross section, which has been difficult in the past, with high accuracy.
  • a mounting wiring board and an optical device member that are inexpensive and excellent in quality are provided. be able to.
  • summary of the pattern formation method of this invention The figure which shows the relationship between the heat processing (cure) temperature and the deformation
  • the figure which shows the influence which imprint molding temperature conditions ((a) 100 degreeC, (b) 120 degreeC) have on pattern dimension stability.
  • molding has on a pattern shrinkage rate.
  • the present invention uses a solvent-soluble polyimide resin composition having photosensitivity and a glass transition temperature of 200 ° C. or lower in a polyimide submicrometer pattern forming method by a thermal imprint method, and after mold release, It is characterized by irradiating with ultraviolet rays before thermosetting.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of the thermal imprint method of the present invention.
  • a polyimide film is applied to a substrate and then pre-baked ((a) film forming step). Then, after heating a polyimide film at the temperature below a glass transition temperature, the uneven
  • the polyimide molded by the thermal imprint method is released from the mold, it is subjected to heat treatment (cure) in order to improve its heat resistance, light resistance and other properties.
  • heat treatment cure
  • film slippage reduction in polyimide film thickness
  • pattern structure height deformation occur.
  • (A) Film-forming process The solvent-soluble polyimide resin composition of the present invention is applied on a substrate such as Si (see FIG. 1 (a)).
  • a substrate such as Si
  • the coating method and the thickness of the coating film are not particularly limited, it is preferable to form a film of about 25 ⁇ m by a spin coating method.
  • the coating film is dried by pre-baking.
  • the solvent-soluble polyimide used in the present invention is imidized, it does not require high-temperature treatment necessary for imidization, can be molded at a low temperature below the glass transition temperature, and is solvent-soluble. It becomes a polyimide varnish, and film formation is possible only by skipping the solvent.
  • Such a solvent-soluble polyimide is already known, and in the present invention, a commercially available one that can be molded at a glass transition temperature or lower can be appropriately selected and used. Among these, a block copolymer can be used. Thus, a solvent-soluble block copolymerized polyimide in which an arbitrary region giving desired properties is included in an arbitrary amount in the polyimide is preferably used.
  • a solvent-soluble block copolymerized polyimide for example, a siloxane-modified block copolymerized polyimide having a low warpage characteristic using a diamine having a siloxane bond (siloxane bond-containing diamine) in a molecular skeleton as a diamine component (WO2002 / 023276, WO2005 / 116152).
  • the block copolymerized polyimide can be molded at a glass transition temperature or lower, and is imidized polyimide, so that it can be molded at low temperature and with low shrinkage.
  • Resin compositions using solvent-soluble polyimide are roughly classified into photosensitive and non-photosensitive. Since the imprint technique is a press technique using a mold, a pattern forming process by exposure is not required. Therefore, it is desirable to select non-photosensitivity in terms of process simplification. However, there is a problem of deformation of the pattern structure during heating for the heat treatment (curing).
  • a highly accurate fine pattern forming method can be provided by using a photosensitive solvent-soluble polyimide resin composition.
  • FIG. 2 shows a heat treatment in the case of using the photosensitive polyimide resin composition (a) used in Examples described later and the non-photosensitive polyimide resin composition (without the photosensitive agent) (b).
  • (Cure) It is a figure which shows the relationship between temperature and a deformation
  • the photosensitive solvent-soluble polyimide resin composition of the present invention contains the above-mentioned solvent-soluble polyimide, a photosensitizer, and a solvent, and the photosensitizer that imparts negative-type photosensitivity is used. It is done.
  • the properties required as a mold material are releasability from polyimide, heat resistance and durability that can withstand the thermal imprint molding process, and Si, quartz, Ni, and some resins are used.
  • flexible resin molds are easier to release due to large area molding than molds made of Si, quartz, Ni, etc., are capable of uniform pressure on non-flat surfaces, and are inexpensive. Suitable for uniform transfer over a large area.
  • the main process parameters in this process are imprint temperature, imprint pressure, and imprint time, and the conditions vary depending on the object to be molded.
  • the imprint temperature is preferably 40 ° C. or higher and not higher than the glass transition temperature of the polyimide resin composition to be used, more preferably 120 ° C.
  • FIG. 3 is a diagram showing the influence of imprint molding temperature conditions ((a) 100 ° C., (b) 120 ° C.) on pattern dimensional stability.
  • the thermal imprint molding temperature is one of the factors that can change the influence on the pattern shrinkage ratio after the heat treatment described later.
  • the pattern shrinkage after curing could be reduced to 4% or less.
  • the cooling method is not particularly limited, and natural cooling may be used, but from the viewpoint of the molding cycle, forced cooling such as flowing water through water pipes arranged around the molding space is preferable.
  • Exposure depends on the photosensitizer used, but is usually performed by irradiating with ultraviolet rays.
  • the reason for performing post-release exposure is that, when exposure was performed before release, there was a problem that the flexible resin mold and the polyimide film adhered after exposure.
  • a transparent mold quartz, resin, etc.
  • an opaque mold such as Si or Ni is also used. There is a merit that the selection range of is wide.
  • the post-exposure baking (PEB) and the curing process can be integrated. it can.
  • FIG. 4 is a diagram showing the influence of the heat treatment conditions after molding on the pattern shrinkage rate.
  • the pattern shrinkage rate was examined under the following four types of heating conditions. (1) Heat for 20 minutes using a hot plate heated to 200 ° C. (2) Heat from room temperature to 200 ° C. at a heating rate of 20 ° C./min (3) Heat from room temperature to 200 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min (4 ) Hold the photosensitive polyimide resin composition used at a post-exposure bake temperature (100 ° C) for a certain period of time and heat from room temperature to 200 ° C at a heating rate of 5 ° C / min.
  • the range of change in shrinkage due to change in heat treatment conditions after molding is 70 to 12%.
  • two-stage heating at a heating rate of 5 ° C./min, that is, during the heating, is maintained at 100 ° C., which is the post-exposure baking temperature of the used photosensitive polyimide resin composition, and then reheated.
  • the shrinkage rate could be improved to 14% or less.
  • Example 1 Formation of micrometer pattern
  • a commercially available organic solvent-soluble polyimide resin composition (Q-RP-X1149-X, PI R & D Co., Ltd) was used.
  • the composition contains a solvent-soluble siloxane-modified block copolymerized polyimide (glass transition temperature 192 ° C.), gamma butyrolactone (solvent), methyl benzoate (solvent), and a photosensitizing agent, and a cured film
  • a solvent-soluble siloxane-modified block copolymerized polyimide glass transition temperature 192 ° C.
  • gamma butyrolactone gamma butyrolactone
  • methyl benzoate methyl benzoate
  • photosensitizing agent a photosensitizing agent
  • a Si substrate (thickness: 725 ⁇ m, diameter: 8 inches) was used as the base material.
  • the mold uses a commercially available resin sheet (Obducat AB, intermediate polymer stamp (IPS) sheet, glass transition temperature: 150 ° C., manufactured by Obducat AB) because it has hydrophobic properties, and is heated in as follows. It was produced by a printing process.
  • Obducat AB intermediate polymer stamp (IPS) sheet, glass transition temperature: 150 ° C., manufactured by Obducat AB
  • the resin film having a film thickness of 200 ⁇ m was softened by heating it to near the glass transition temperature, and pressure-molded for 2 minutes at an imprint pressure of 4 MPa using an Si master mold. Then, it cooled to 60 degreeC and released from the mold.
  • the resin composition was spin-coated on the substrate made of Si to a film thickness of 25 ⁇ m and then pre-baked at 100 ° C. for 4 minutes to form a resin film.
  • the resin film was softened by heating to 100 to 120 ° C. in a state where the mold was placed on the substrate having the resin film, followed by pressure molding. Then, it cooled to 60 degreeC and released from the mold.
  • the surface of the molded resin film was irradiated with ultraviolet rays (wavelength: 365 nm, illuminance: 30 mW / cm 2 ) using an ultraviolet photogen installed in the nanoimprint apparatus, and then heated at a heating rate of 5 ° C./min. After heating to 100 ° C. and holding at 100 ° C., a heat treatment by two-stage heating was performed in which heating was further performed to 200 ° C.
  • the illuminance of ultraviolet irradiation, the exposure time, and the exposure dose were 30 mW / cm 2 , 40 seconds, and 1200 mJ / cm 2 , respectively.
  • FIG. 5 shows a photograph showing the L & S of the imprint pattern produced in this example.
  • an L & S pattern structure of 50 ⁇ m to 3 ⁇ m having a clean line edge and a rectangular cross section is well formed.
  • Example 2 Formation of sub-micrometer pattern
  • a Si substrate having a thickness of 500 ⁇ m and a diameter of 4 inches was used, and the depth of 188 nm, the line widths of 150 nm, 200 nm, and 300 nm were the same as in Example 1 except that the pressing time was 3 minutes.
  • a mold having three types of uneven patterns was used.
  • a submicrometer pattern was formed in the same manner as in Example 1 except for the substrate and the mold.
  • FIG. 6 shows a photograph showing the L & S of the imprint pattern produced according to this example.
  • a submicrometer pattern structure having a rectangular cross section is well formed.
  • the molded polyimide can be physically peeled off by performing water-repellent treatment etc. on the underlying Si substrate in advance, regardless of before or after curing, flexible polyimide substrate Can also be produced.
  • FIG. 7 is a photograph of the flexible polyimide substrate obtained in the example, where (a) is after thermal imprint molding, and (b) is after peeling from the Si substrate (before curing).

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

　フォトリソグラフィ及びレーザー加工などの従来のポリイミド加工技術に比べて、加工形状及びその寸法精度において優れ、且つ簡便なポリイミドのパターン形成方法を提供する。　ポリイミドの微細パターン形成において、ポリイミドとして、感光性を有し、ガラス転移温度以下での成形が可能な溶剤可溶性のポリイミド樹脂組成物を使用するとともに、熱インプリント法によりパターニングし、熱硬化させる手法において、成形工程の後のモールドの離型後に、紫外線照射を行う。

Description

インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法
　本発明は、インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法に関する。
　従来、ポリイミドの微細パターン形成方法として、感光性ポリイミドのポリアミック酸前駆体を用いるフォトリソグラフィが主に用いられてきた。その方法は、基板上に感光性ポリイミド前駆体を塗布した表面に、フォトマスクを通してパターン露光を行い、必要に応じて加熱処理（ＰＥＢ：ポストエクスポージャーベーク）を行った後、現像液を使用して未露光部あるいは露光部を除去し、該現像によって得られたポリイミド前駆体のパターンを、その後、加熱処理することによって、ポリイミドのパターンに変換するというものである（特許文献１参照）。
　しかしながら、該方法は、アミック酸ポリイミド前駆体の熱イミド化反応により、パターン構造体が３０～５０％収縮するという問題があり、シャープなラインエッジ、矩形断面を有する微細構造、サブマイクロメートルパターンの形成には問題がある。
　これに対して、特許文献２では、イミド化反応済のインク状の変性ポリイミド製造方法とフォトリソグラフィによるパターニング手法を紹介しており、このパターニング方法は、（１）変性ポリイミド、感光剤、熱硬化剤、及び溶媒を含有する感光性ポリイミド組成物を、基材上に塗布して成膜する工程、（２）得られた膜を加熱して前記溶媒を除去する工程、（３）溶媒が除去された前記組成物を、フォトマスクを通して露光する工程、（４）露光後現像する工程、及び（５）現像後、前記硬化剤の硬化温度以上に加熱する工程を有するものである。
　該手法は、イミド化反応済のインク状のポリイミドを用いるため、熱硬化工程中のイミド化反応による収縮が発生しないのが最大のメリットである。しかしながら、ポリイミド状態では、現像液及び溶剤への溶解特性が良くないため、フォトリソグラフィ法により微細なパターンを形成することが困難であり、数十マイクロメートルレベルのパターン実証例までしか報告されていない。
　また、イミド化反応による収縮の問題を解決する他の方法として、イミド化反応済のポリイミドを用いて、レーザー加工或いはエッチング法などにより微細加工する方法が挙げられる。
　しかしながら、レーザー加工の場合には、逐次加工法であるためにビア形状のような穴あけには向くものの、複雑なパターン形成を行うには生産性が低く、さらには、サブマイクロメートルレベルの加工が困難という問題がある。
　また、エッチング法の場合には、例えば、（１）基板上にポリイミド膜を形成工程、（２）フォトレジストの塗布、フォトマスクを通してのパターン露光、ＰＥＢ及び現像処理等々からなるレジストパターンの形成工程、（３）該レジストパターンをエッチングレジストに用いてのポリイミド膜のエッチング工程、（４）フォトレジスト層の除去工程、及び（５）エッチングにより得られたポリイミドのパターンの加工程等々を含む長いプロセスが必要であり、また、ポリイミドは優れた化学的安定性を持つ反面、エッチングレートが非常に遅く、生産性が低いという問題がある。
　一方、従来のポリイミドの微細パターニング技術より簡単なポリイミドパターン形成方法として熱インプリント技術を用いている。該方法は、インプリント成形に適した成形性を得るために、先ず、ポリイミドをガラス転移温度（Ｔｇ）以上の温度まで加熱して軟化させた後、モールドの凹凸パターンを押し当て加圧成形し、この状態でＴｇ以下まで冷却した後、モールドを離型すると、ポリイミド表面に凸凹が形成されるというものである。該熱インプリント成形技術を用いる場合、前述のフォトリソグラフィ法に比べて大幅な工程短縮ができるという利点がある。
　しかしながら、ポリイミドのガラス転移温度（Ｔｇ）は一般的に３００℃以上であるため、３００～４００℃の高温での加熱が必要になり、熱膨張によるパターン転写精度への影響やアライメント精度の低下および熱応力問題がある。
　また、３００℃以上では耐熱性の高いモールドを選択する必要があるし、モールド表面に形成した離型膜が熱酸化のために離型性が低下するといった問題もある。さらに、加熱、冷却のプロセス時間が長くなり、プロセスコストの増加に繋がるといった問題もある。
　これに対して、特許文献３では、ポリイミド及びポリイミド以外の他の樹脂を含有する硬化性組成物を用いて、熱インプリント法により、２５０℃以下で硬化可能なディスプレイ用部材を形成することが記載されている。しかしながら、ピッチ１６０μｍ、線幅２０μｍ程度のプラズマディスプレイ用隔壁を形成するものであって、サブマイクロメートルのパターン形成については検討されていない。
特開２００３－１８３４９６号公報 特開２０１０－２６０９０２号公報 特開２０１１－７７２５１号公報
　本発明は、こうした現状を鑑みてなされたものであって、フォトリソグラフィ及びレーザー加工などの従来のポリイミド加工技術に比べて、加工形状及びその寸法精度において優れ、且つ簡便なポリイミドのパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、ポリイミドの微細パターン形成において、ポリイミドとして、感光性を有し、低温での成形が可能な溶剤可溶性のポリイミド樹脂組成物を使用するとともに、熱インプリント法によりパターニングし、熱硬化させる手法において、成形工程の後のモールドの離型後に、紫外線照射を行うことにより解決しうるという知見を得た。
　本発明はこれらの知見に基づいて完成に至ったものであり、本発明によれば、以下の発明が提供される。
［１］熱インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法において、
　感光性を有する、ガラス転移温度以下での成形が可能な溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を用いるとともに、モールド離型後であって、熱硬化の前に、紫外線を照射することを特徴とするポリイミドの微細パターン形成方法。
［２］前記熱硬化を、室温から熱処理温度まで昇温させる途中で前記の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物のポストエクスポージャーベーク温度に一定時間保持する２段加熱により行うことを特徴とする［１］に記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
［３］前記微細パターンが、矩形断面を有するサブマイクロメートルパターンであることを特徴とする［１］又は［２］に記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
［４］溶剤可溶性ポリイミドが、ブロック共重合ポリイミドであることを特徴とする［１］～［３］のいずれかに記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
［５］［１］～［４］のいずれかに記載の微細パターン形成方法で製造された、矩形断面を有するサブマイクロメートルパターンが形成されたポリイミド。
　本発明によれば、従来困難であった矩形断面を有するサブマイクロメートルパターンの高精度作製も可能となり、この方法を用いることによって安価で品質に優れた実装配線基板および光学デバイス用部材を提供することができる。
本発明のパターン形成方法の概要を示す図。 感光性のポリイミド樹脂組成を用いた場合（ａ）と非感光性のポリイミド樹脂組成を用いた場合（ｂ）の加熱処理（キュア）温度とパターン構造の変形の関係を示す図。 インプリント成形温度条件（（ａ）１００℃、（ｂ）１２０℃）がパターン寸法安定性に及ぼす影響を示す図。 成形後の加熱処理条件がパターン収縮率に及ぼす影響を示す図。 実施例で得られたマイクロスケールインプリントパターンのＬ＆Ｓを示す写真図。 実施例で得られたナノスケールインプリントパターンのＬ＆Ｓを示す写真図。 実施例で得られたフレキシブルポリイミド基板の写真図であり、（ａ）は、熱インプリント成形後の写真図、（ｂ）は、Ｓｉ基板から剥離後（キュア前）の写真図。
　本発明の方法について、以下に詳しく説明する。
　本発明は、熱インプリント法によるポリイミドのサブマイクロメートルパターン形成方法において、感光性を有する、ガラス転位温度が２００℃以下の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を用いるとともに、モールド離型後であって、熱硬化の前に、紫外線を照射することを特徴とするものである。
　図１は、本発明の熱インプリント法の概要を示す図である。
　図に示すように、まず、基板にポリイミド膜を塗布した後、プリベークする（（ａ）成膜工程）。その後、ポリイミド膜をガラス転移温度以下の温度で加熱した後、モールドの凹凸パターンを押し当て熱インプリント成形によるパターン形成を行う（（ｂ）熱インプリント工程）。
　インプリント成形後には、ポリイミドとモールドをガラス転移温度以下に冷却して、離型し（（ｃ）冷却・剥離工程）、その後、露光を行い（（ｄ）露光工程）、最終工程として、熱処理を行う（（ｅ）熱処理工程）。
　前述のとおり、従来のポリイミドを用いたプリント法においては、一般的なポリイミドのガラス転移温度が３００℃以上であるため、高温での加熱成形が必要となるという問題がある。そこで、この問題を解決するために、低温での加熱成形が可能な、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）を用いることが考えられる。しかしながら、低温での成形が可能であるものの、イミド化反応（脱水縮合反応）による収縮が大きいという問題が残る。
　そこで、本発明では、イミド化済みの、ガラス転移温度以下での成形が可能な溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を用いることにより、加熱成形の低温化を可能として、イミド化反応による収縮を抑えるものである。
　また、熱インプリント法により成形されたポリイミドは、モールドから離型された後、その耐熱性、耐光性などの特性を向上させるために、加熱処理（キュア）が施されるが、この加熱処理工程においては、膜べり（ポリイミドの膜厚の減少）とパターン構造高さの変形が発生する。
　本発明では、感光性を付与し、該加熱処理工程の前に、紫外線露光を行うことにより、この問題を解消するものである。
　以下、工程毎に、さらに詳しく説明する。
　（ａ）成膜工程
　Ｓｉなどの基板上に、本発明の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を塗布する（図１（ａ）参照）。塗布法及び塗布膜の厚さは、特に限定されないが、回転塗布法により２５μｍ程度の膜を形成することが好ましい。
　次いで、プリベークして塗布膜を乾燥させる。
　本発明において用いられる溶剤可溶性ポリイミドは、イミド化済であるためにイミド化に必要な高温処理が不要であって、ガラス転移温度以下の低温で成形ができるとともに、溶剤可溶性であるので、完全なポリイミドワニスとなり、溶媒をとばすだけで成膜が可能となるものである。
　このような溶剤可溶性ポリイミドは既に公知であり、本発明においては、市販のものから、ガラス転移温度以下での成形が可能なものを適宜選択して用いることができるが、中でも、ブロック共重合体とすることにより、所望の性質を与える任意の領域を任意の量だけポリイミド中に含ませた、溶剤可溶性ブロック共重合ポリイミドが好ましく用いられる。
　このような溶剤可溶性ブロック共重合ポリイミドとしては、例えば、ジアミン成分として分子骨格中にシロキサン結合を有するジアミン（シロキサン結合含有ジアミン）を用いた、低そり特性を有するシロキサン変性ブロック共重合ポリイミド（ＷＯ２００２／０２３２７６、ＷＯ２００５／１１６１５２参照）等が挙げられる。該ブロック共重合ポリイミドは、ガラス転移温度以下での成形が可能であって、且つイミド化済みのポリイミドであるため、低温・低収縮成形が可能である。
　溶剤可溶性ポリイミドを用いた樹脂組成物は、感光性と非感光性に大別される。インプリント技術はモールドを用いるプレス技術であるため、露光によるパターン形成工程を必要としない。そのため、工程の簡略化の面では、非感光性を選ぶことが望ましい。しかし、加熱処理（キュア）のための加熱中にパターン構造の変形という問題がある。
　そこで、本発明では、感光性の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を用いることにより、高精度微細パターン形成方法の提供を可能としたものである。
　図２は、後述する実施例に用いた感光性のポリイミド樹脂組成物（ａ）と、非感光性のポリイミド樹脂組成物（感光剤を有しないもの）（ｂ）を用いた場合の、加熱処理（キュア）温度とパターン構造の変形の関係を示す図である。
　該図から明らかなように、非感光性のポリイミド樹脂組成物を用いると、キュア工程において１６０℃以上に加熱した場合、ポリイミド基板表面の寸法精度の低下が発生するため望ましくない。これに対し、感光性のポリイミド樹脂組成物を用いることにより、パターン構造の変形における収縮率を画期的に減らせることが分かる。
　本発明の感光性の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物は、前記の溶剤可溶性ポリイミドと、感光剤と、溶媒とを含有するものであり、感光剤としては、ネガ型の感光性を付与するものが用いられる。
（ｂ）熱インプリント工程
　その後、凹凸が形成されたモールドを用いた熱インプリント成形によるパターン形成（転写）を行う（図１（ｂ）参照）。すなわち、前工程で得られたポリイミド膜を有する基板を所定温度に加熱した後、凹凸パターンが形成されたモールドを用いて加圧成形する。
　モールド素材として要求される特性は、ポリイミドとの離型性、熱インプリント成形工程に耐えられる耐熱性と耐久性などであり、Ｓｉ、石英、Ｎｉ、一部樹脂が用いられる。
　特に、フレキシブル樹脂モールドは、Ｓｉ、石英、Ｎｉなどからなるモールドに比べて、大面積成形で離型がし易い、非平坦面での均一加圧が可能、低価である、などの点で、大面積に均一に転写するのに適している。
　該工程における主なプロセスパラメータは、インプリント温度、インプリント圧力、インプリント時間であり、成形する対象によってその条件は変わってくる。
　中でも、インプリント温度は、４０℃以上で、かつ用いるポリイミド樹脂組成物のガラス転移温度以下でおこなうのが好ましいが、より好ましくは１２０℃である。
　図３は、インプリント成形温度条件（（ａ）１００℃、（ｂ）１２０℃）がパターン寸法安定性に及ぼす影響を示す図である。
　図３に示すように、熱インプリント成形温度は、後述する熱処理後のパターン収縮率に影響を変えられる因子の一つである。露光前の熱プリント成形温度を１００℃から１２０℃まで上昇させることによって、硬化後のパターン収縮量を４％以下にすることができた。
（ｃ）冷却・剥離工程
　インプリント成形後には、ポリイミドとモールドをガラス転移温度以下より低い温度、例えば、６０℃まで冷却し、離型する（図１（ｃ）参照）。
　冷却方法は特に限定されず、自然冷却でもよいが、成形サイクルの観点から、成形空間周辺に配された水管に水を流すなどの強制冷却が好ましい。
（ｄ）露光工程
　離型した後、露光を行う（図１（ｄ）参照）。
　露光は、用いる感光剤にもよるが、通常は紫外線を照射することにより行う。
　離型後露光を行う理由は、離型前に露光を行った場合、露光後、フレキシブル樹脂モールドとポリイミド膜が付着してしまう問題があったためである。また、通常の感光性樹脂を用いた光インプリント成形においては、透明モールド（石英、樹脂など）に限られるが、この方式によると、Ｓｉ、Ｎｉのような不透明性モールドも用いられるため、モールドの選択幅が広いというメリットがある。
（ｅ）熱処理工程
　最終工程は、熱処理である（図１（ｅ））。
　本発明のネガ型の感光性ポリイミド樹脂組成物を用いる熱インプリント工程の場合、フォトリソグラフィとは違って現像工程を必要としないため、ポストエクスポージャーベーク（PEB）とキュア工程を一体化することができる。
　図４は、成形後の加熱処理条件がパターン収縮率に及ぼす影響を示す図であり、以下の4種類の加熱条件下での、パターン収縮率を調べた。
（１）２００℃に加熱したホットプレートを用いて２０分間加熱
（２）加熱速度２０℃/分で室温から２００℃まで加熱
（３）加熱速度５℃/分で室温から２００℃まで加熱
（４）用いた感光性ポリイミド樹脂組成物のポストエクスポージャーベーク温度（１００℃）で一定時間保持して、加熱速度５℃/分で室温から２００℃まで加熱
　図４に示すように、成形後の加熱処理条件の変化による収縮率の変化の範囲は７０～１２％である。
　後述する実施例に示すように、５℃/ｍｉｎの加熱速度で２段加熱、すなわち加熱途中、用いた感光性ポリイミド樹脂組成物のポストエクスポージャーベーク温度である１００℃に保持した後、再加熱することにより、収縮率を１４％以下まで改善することができた。
　以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
　（実施例１：マイクロメートルパターンの形成）
　本実施例では、市販の有機溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物（Q-RP-X1149-X，PI R&D Co.,Ltd)を用いた。
　該組成物は、溶剤可溶性のシロキサン変性ブロック共重合ポリイミド（ガラス転移温度１９２℃）と、ガンマブチロラクトン（溶剤）、安息香酸メチル（溶剤）及び感光剤を含有するものであって、キュア後の膜厚収縮量は、一般的に用いられている非感光性ポリイミドが３０％以上であったのに比べて非常に少なく、約１％程度であった（前記図２の（ａ）参照）。
　また、基材には、Ｓｉ基板（厚み７２５μｍ、直径8インチ）を用いた。
　モールドは、疎水性特性を有するため離型性に優れた市販の樹脂シート（Obducat　AB社製　intermediate polymer stamp(IPS)シート、ガラス転移温度：１５０℃）を用いて、以下のようにして熱インプリントプロセスで作製した。
　膜厚が２００μｍである樹脂フィルムをガラス転移温度付近まで加熱させることによって軟化させ、Ｓｉマスターモールドを用いて、４ＭＰａのインプリント圧力で２分間加圧成形した。その後、６０℃まで冷却して、モールドから離型した。
　本実施例では、深さ４μｍ、線幅３μｍ，５μｍ，１０μｍ，２０μｍ，及び５０μｍの５種類の凹凸パターンを作製した。
　上記のＳｉからなる基板上に、上記樹脂組成物を膜厚２５μｍに回転塗布した後、１００℃で４分間プリベークし、樹脂膜を成膜した。
　ついで、該樹脂膜を有する基材上に、上記モールドを乗せた状態で、１００～１２０℃に加熱して樹脂膜を軟化させ、加圧成形した。その後、６０℃まで冷却して、モールドから離型した。
　成形された樹脂膜の面に、ナノインプリント装置内に設置されている紫外線光原を用い、紫外線（波長：３６５ｎｍ、照度：３０ｍＷ/ｃｍ2）を照射した後、５℃/ｍｉｎの加熱速度で１００℃まで加熱して１００℃に保持した後、さらに２００℃まで加熱するという２段加熱による加熱処理を施した。
　紫外線照射の照度、露光時間及び露光ドース量は、それぞれ３０ｍＷ/ｃｍ2，４０秒，１２００ｍＪ/ｃｍ2であった。
　本実施例により作製したインプリントパターンのＬ＆Ｓを示す写真図を図５に示す。
　図５に示すとおり、ラインエッジの綺麗さと矩形断面を有する５０μｍから３μｍのＬ＆Ｓパターン構造が良好に形成されている。
　（実施例２：サブマイクロメートルパターンの形成）
　本実施例においては、厚み５００μｍ、直径４インチのＳｉ基板を用い、加圧時間を３分としたこと以外は実施例１と同様にして、深さ１８８ｎｍ、線幅１５０ｎｍ，２００ｎｍ，及び３００ｎｍの３種の凹凸パターンを作製したモールドを用いた。
　該基板及び該モールド以外は前記実施例１と同様にして、サブマイクロメートルパターンを形成した。
　本実施例により作製したインプリントパターンのＬ＆Ｓを示す写真図を図６に示す。
　図６に示すとおり、矩形断面を有するサブマイクロメートルパターン構造が良好に形成されている。
　実施例１及び２に示すように、いずれの場合もパターン精度に関しては、インプリント技術の場合、フォトリソグラフィのような光の回折限界などの問題はなく、理論的にはモールドパターンのものに従う。
　なお、成型したポリイミドは、キュア前、キュア後に関わらず、下地のＳｉ基板を予め撥水処理などを行って密着性を弱くすることにより、物理的に剥がすことが可能であるため、フレキシブルポリイミド基板を作製することもできる。
　図７は、実施例で得られたフレキシブルポリイミド基板の写真図であり、（ａ）は、熱インプリント成形後、（ｂ）は、Ｓｉ基板から剥離後（キュア前）である。

Claims (5)

  1. 　熱インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法において、
    　感光性を有する、ガラス転移温度以下での成形が可能な溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物を用いるとともに、モールド離型後であって、熱硬化の前に、紫外線を照射することを特徴とするポリイミドの微細パターン形成方法。
  2. 　前記熱硬化を、室温から熱処理温度まで昇温させる途中で前記の溶剤可溶性ポリイミド樹脂組成物のポストエクスポージャーベーク温度に一定時間保持する２段加熱により行うことを特徴とする請求項１に記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
  3. 　前記微細パターンが、矩形断面を有するサブマイクロメートルパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
  4. 　前記溶剤可溶性ポリイミドが、ブロック共重合ポリイミドであることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の、ポリイミドの微細パターン形成方法。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の微細パターン形成方法で製造された、矩形断面を有するサブマイクロメートルパターンが形成されたポリイミド。
PCT/JP2014/072804 2013-10-18 2014-08-29 インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法 Ceased WO2015056487A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201480056987.7A CN105658413B (zh) 2013-10-18 2014-08-29 利用压印法的聚酰亚胺的精细图案形成方法
JP2015542536A JP6192023B2 (ja) 2013-10-18 2014-08-29 インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法
US15/029,481 US10189203B2 (en) 2013-10-18 2014-08-29 Method for forming micropattern of polyimide using imprinting
KR1020167008515A KR101770809B1 (ko) 2013-10-18 2014-08-29 임프린트법에 의한 폴리이미드의 미세 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013217645 2013-10-18
JP2013-217645 2013-10-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015056487A1 true WO2015056487A1 (ja) 2015-04-23

Family

ID=52827940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/072804 Ceased WO2015056487A1 (ja) 2013-10-18 2014-08-29 インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10189203B2 (ja)
JP (1) JP6192023B2 (ja)
KR (1) KR101770809B1 (ja)
CN (1) CN105658413B (ja)
TW (1) TWI659819B (ja)
WO (1) WO2015056487A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034166A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 株式会社東芝 基板処理方法
JP2017103384A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
JP2019054016A (ja) * 2017-09-12 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 テンプレート、テンプレートの作製方法、および半導体装置の製造方法
JP2019517974A (ja) * 2016-03-17 2019-06-27 コーニング インコーポレイテッド 曲げられる電子デバイスモジュールおよび物品、並びにそれを製造するための結合方法
WO2020112740A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Sharklet Technologies, Inc. Soluble templates and methods of manufacture thereof
JP2022508102A (ja) * 2018-11-15 2022-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マイクロインプリントによるビア形成の方法
JP2023069726A (ja) * 2021-11-08 2023-05-18 綜研化学株式会社 ポリイミドの微細パターン形成方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109817827B (zh) * 2019-01-22 2021-01-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板的制作设备及制作方法
US10727083B1 (en) * 2019-02-25 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Method for via formation in flowable epoxy materials by micro-imprint
CN110619818B (zh) * 2019-08-27 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003183496A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Toray Ind Inc ポリイミド前駆体組成物
JP2008307808A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Hitachi Metals Ltd 凹凸付金属基板の製造方法
JP2010260902A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Pi R & D Co Ltd 感光性変性ポリイミド樹脂組成物及びその用途
JP2011077251A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Toray Ind Inc ディスプレイ用部材および製造方法
JP2013042124A (ja) * 2011-07-19 2013-02-28 Tokuyama Corp 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターンの製造方法
JP2013154637A (ja) * 2012-01-06 2013-08-15 Nippon Shokubai Co Ltd 樹脂製ナノ構造体の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7648815B2 (en) 2000-09-12 2010-01-19 Pi R&D Co., Ltd. Negative photosensitive polyimide composition and method for forming image the same
JP2003234283A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Asahi Kasei Corp パターン形成方法
CN1229420C (zh) 2002-03-29 2005-11-30 中国科学院化学研究所 一种本征型光敏性聚酰亚胺树脂及其制备方法和用途
US7037637B2 (en) 2002-07-17 2006-05-02 Nitto Denko Corporation Photosensitive polyimide resin precursor composition, optical polyimide obtained from the composition, optical waveguide using the polyimide, and process for producing the optical waveguide
JP3947457B2 (ja) 2002-11-29 2007-07-18 日東電工株式会社 ポリイミド光導波路の製造方法
JPWO2005116152A1 (ja) 2004-05-27 2008-04-03 株式会社ピーアイ技術研究所 印刷用ブロック共重合ポリイミドインク組成物
CN1978529A (zh) * 2005-12-06 2007-06-13 北京波米科技有限公司 光敏性聚酰亚胺树脂和组合物与制备方法
WO2007100078A1 (ja) 2006-03-03 2007-09-07 Pi R & D Co., Ltd. スクリーン印刷用感光性インク組成物及びそれを用いたポジ型レリーフパターンの形成方法
US20100258163A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Honeywell International Inc. Thin-film photovoltaics
JP5272924B2 (ja) * 2009-06-29 2013-08-28 日立化成株式会社 光重合性モノマー組成物並びに微細構造加工体及びその製造方法
JP2011206938A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 熱インプリント用モールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いた樹脂材の製造方法
JP6379458B2 (ja) * 2012-09-13 2018-08-29 日立化成株式会社 パターンを有する樹脂層を製造する方法、及びそれに用いられる樹脂組成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003183496A (ja) * 2001-12-13 2003-07-03 Toray Ind Inc ポリイミド前駆体組成物
JP2008307808A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Hitachi Metals Ltd 凹凸付金属基板の製造方法
JP2010260902A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Pi R & D Co Ltd 感光性変性ポリイミド樹脂組成物及びその用途
JP2011077251A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Toray Ind Inc ディスプレイ用部材および製造方法
JP2013042124A (ja) * 2011-07-19 2013-02-28 Tokuyama Corp 光硬化性ナノインプリント用組成物を用いたパターンの製造方法
JP2013154637A (ja) * 2012-01-06 2013-08-15 Nippon Shokubai Co Ltd 樹脂製ナノ構造体の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017034166A (ja) * 2015-08-04 2017-02-09 株式会社東芝 基板処理方法
US10249545B2 (en) 2015-08-04 2019-04-02 Toshiba Memory Corporation Method for processing substrate including forming a film on a silicon-containing surface of the substrate to prevent resist from extruding from the substrate during an imprinting process
JP2017103384A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
JP2019517974A (ja) * 2016-03-17 2019-06-27 コーニング インコーポレイテッド 曲げられる電子デバイスモジュールおよび物品、並びにそれを製造するための結合方法
US11104601B2 (en) 2016-03-17 2021-08-31 Corning Incorporated Bendable electronic device modules, articles and bonding methods of making the same
JP2019054016A (ja) * 2017-09-12 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 テンプレート、テンプレートの作製方法、および半導体装置の製造方法
JP2022508102A (ja) * 2018-11-15 2022-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マイクロインプリントによるビア形成の方法
JP7515474B2 (ja) 2018-11-15 2024-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マイクロインプリントによるビア形成の方法
WO2020112740A1 (en) * 2018-11-29 2020-06-04 Sharklet Technologies, Inc. Soluble templates and methods of manufacture thereof
CN113365795A (zh) * 2018-11-29 2021-09-07 善洁科技有限公司 可溶性模板和其制造方法
JP2023069726A (ja) * 2021-11-08 2023-05-18 綜研化学株式会社 ポリイミドの微細パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105658413A (zh) 2016-06-08
CN105658413B (zh) 2018-03-16
US20160263814A1 (en) 2016-09-15
JPWO2015056487A1 (ja) 2017-03-09
KR20160048975A (ko) 2016-05-04
TW201524747A (zh) 2015-07-01
US10189203B2 (en) 2019-01-29
KR101770809B1 (ko) 2017-08-23
JP6192023B2 (ja) 2017-09-06
TWI659819B (zh) 2019-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6192023B2 (ja) インプリント法によるポリイミドの微細パターン形成方法
CN101923282B (zh) 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法
CN101923279B (zh) 纳米压印模板及其制备方法
TWI500638B (zh) 奈米壓印用硬化性組成物及硬化物
JP5308287B2 (ja) ナノインプリントを用いたパターン成形方法とパターン成形のためのモールド製作方法
JP3819397B2 (ja) インプリント方法
KR101416625B1 (ko) 미세 패턴 형성용 고분자 몰드의 제조 방법, 이에 의해 제조되는 미세 패턴 형성용 고분자 몰드, 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP2008296579A (ja) マスクモールド及びその製作方法と、製作されたマスクモールドを用いた大面積・微細パターン成形方法
CN101738860B (zh) 用于压印工艺的光敏树脂组合物以及用于在基板之上形成有机层的方法
KR20080000297A (ko) 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법
CN113484945A (zh) 一种基于pdms/pua相互复制的可变线密度光栅制作方法
JP2014096593A (ja) マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法。
CN101165591B (zh) 软平板印刷技术制作二维聚合物光子晶体的方法
CN108109952B (zh) 微拾取阵列及其制造方法
CN102799066A (zh) 一种在二氧化钛有机无机光敏复合薄膜上制备凹透镜阵列结构的方法
JP2008078550A (ja) インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法
CN110441838A (zh) 基于二氧化钛有机-无机光敏复合薄膜异形凸透镜阵列的制备方法
Youn et al. Microstructuring of SU-8 photoresist by UV-assisted thermal imprinting with non-transparent mold
JP6491928B2 (ja) レプリカモールドおよびその製造方法
CN101923283A (zh) 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法
TWI423307B (zh) 製造微結構的方法
US12346024B2 (en) Method of manufacturing a master for a replication process
TWI389931B (zh) 奈米壓印抗蝕劑及採用該奈米壓印抗蝕劑的奈米壓印方法
WO2020080372A1 (ja) 微細パターン成形方法、インプリント用モールド製造方法およびインプリント用モールド並びに光学デバイス
KR20080098212A (ko) 포토리소그래피와 나노임프린트 리소그래피를 결합한리소그래피 방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14853597

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015542536

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167008515

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15029481

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14853597

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1