WO2014188768A1 - 電子部品実装装置および電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

　基板（２００）に半導体チップ（４００）の実装を行うフリップチップ実装装置において、その表面に固定した基板（２００）を加熱する加熱領域（４５２）と、その表面に固定した基板（２００）を加熱しない非加熱領域（４５６）と、に区分された少なくとも１つの区分実装ステージ（４５）を有する。これにより、簡便な装置で基板に多数の電子部品を効率的に実装することができる電子部品実装装置を提供する。

Description

電子部品実装装置および電子部品の製造方法

　本発明は、電子部品実装装置の構造、特に電子部品実装装置の実装ステージの構造、および、その電子部品実装装置を用いた電子部品の製造方法に関する。

　電子部品である半導体チップを回路基板に実装する方法として、半導体チップにバンプと呼ばれる突起電極を形成し、半導体チップを回路基板に直接実装するフリップチップ実装が広く採用されるようになっている。フリップチップ実装は、半導体チップの回路面に対してはんだなどの材料でバンプ（突起電極）を複数形成し、このバンプを回路基板上に形成された複数の電極に加熱溶融により接合することによって、半導体チップと回路基板とを接合するものであり、従来のワイヤ実装方式に比べて、実装面積を小さくできるうえ、電気的特性が良好、モールド封止が不要などの利点を有している。

　フリップチップ実装においては、半導体チップと回路基板との接合部の接続信頼性を確保するため、半導体チップと回路基板との空隙をアンダーフィルなどにより樹脂封止することが必要となるが、アンダーフィルを用いると液状樹脂の充填に時間がかかるなどの問題がある上、半導体チップと回路基板との間の隙間が狭くなりつつある近年の現状では、液状樹脂の注入が困難となるという問題もある。このため、ディスペンサによって回路基板に予め熱硬化性の非導電性ペースト（ＮＣＰ）を塗布しておき、加熱した実装ツールにより半導体チップのバンプを回路基板の電極に押圧してバンプを加熱溶融させて半導体チップと回路基板とを電気的に実装すると同時に、非導電性ペースト（ＮＣＰ）を加熱硬化させて半導体チップと回路基板との間を樹脂封止するフリップチップ実装方法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。

　また、近年、一つの基板に実装される半導体チップの数が多くなってきており、１００～２００、まれには、１０００以上の半導体チップを基板に実装する場合もある。このような場合、効率的に実装を行うことができるように、実装ヘッドを複数備えた実装装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００５－１５０４４６号公報 特開２００５－７２４４４号公報

　ところで、半導体チップを回路基板に実装する際には、半導体チップを吸着した実装ツールを、例えば、３００℃程度まで加熱すると共に、回路基板を７０℃程度に加熱して実装を行うことが多い。１つの半導体チップの実装時間は、大体１５～２０秒程度なので、例えば、１つの基板に１００個程度の半導体チップを実装する場合、実装開始から全ての半導体チップの実装が完了するまでに３０分程度かかることになる。

　一方、フリップチップ実装装置では、常温の状態で、半導体チップを実装する全ての位置にディスペンサにより非導電性ペースト（ＮＣＰ）を塗布してから、基板を７０℃程度まで加熱した状態で実装することが多い。１つの基板に１００個程度の半導体チップを実装する場合、最初の実装位置では、非導電性ペースト（ＮＣＰ）が７０℃に加熱された直後に半導体チップが実装されるのに対し、最後の実装位置では、非導電性ペースト（ＮＣＰ）が７０℃に加熱された状態で３０分程度経過した後に、半導体チップが実装されることとなる。

　ところが、非導電性ペースト（ＮＣＰ）は熱硬化性であるため、時間がたつと７０℃程度の温度でも変質するものが多く、例えば、７０℃に加熱後、３０分以内で実装を行わなければならないものが多い。このため、例えば、１つの半導体チップの実装に１５～２０秒かかる場合には、ディスペンサによって非導電性ペースト（ＮＣＰ）を基板に塗布し、基板を７０℃程度まで加熱した後に連続して実装を行える半導体チップの数は１００個程度（基板を７０℃程度に加熱後３０分以内に実装できる数）となり、一枚の基板に実装する半導体チップの数がこれ以上となる場合には、非導電性ペースト（ＮＣＰ）が変質しない常温まで一旦基板を冷却した後、再度、ディスペンサによって非導電性ペースト（ＮＣＰ）を基板に塗布し、再度、７０℃程度まで基板を加熱した後に、再度実装することが必要となってくる。このため、ディスペンサが複数必要となったり、基板を冷却する装置が必要となったりして設備が大型化すると共に、基板の冷却に時間がかかり、全体の実装時間が長くなってしまうという問題があった。また、半導体チップの実装のみならず、ＬＥＤなど他の電子部品を基板に実装する際にも同様の問題があった。

　そこで、本発明は、簡便な装置で基板に多数の電子部品を効率的に実装することができる電子部品実装装置を提供することを目的とする。

　本発明の電子部品実装装置は、その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した基板を加熱しない非加熱領域とに区分された少なくとも１つの区分実装ステージを有し、基板に電子部品の実装を行う電子部品実装装置である。

　本発明の電子部品実装装置において、区分実装ステージは、平面状の段部を有する平板状の基体部と、その表面が基体部の表面と同一面となるよう段部に重ねあわされた断熱層と、を備え、基体部の表面と断熱層の表面とに基板を固定し、加熱領域は、基体部の表面であり、非加熱領域は、断熱層の表面であること、としても好適である。

　本発明の電子部品実装装置において、その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した基板を加熱しない非加熱領域とに区分された第一の区分実装ステージと、加熱領域と非加熱領域の配置を第一の区分実装ステージと反対にした第二の区分実装ステージと、を有すること、としても好適である。

　本発明の電子部品実装装置において、更に、表面に固定した基板全体を加熱する少なくとも１つの全体加熱実装ステージを有すること、としても好適である。

　本発明の電子部品の製造方法は、その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された第一の区分実装ステージと、加熱領域と非加熱領域の配置を第一の区分実装ステージと反対にした第二の区分実装ステージと、を有する電子部品実装装置を準備する工程と、電子部品実装装置を用いて、基板の上の各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、基板を第一の区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、基板の第一の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、基板の加熱された部分の各位置に各電子部品を実装する第一の実装工程と、基板を第二の区分実装ステージに固定する第二の固定工程と、基板の第二の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第二の加熱工程と、基板の加熱された部分の各位置に各電子部品を実装する第二の実装工程と、を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法である。

　本発明の電子部品の製造方法は、その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された区分実装ステージと、その表面に固定した基板全体を加熱する全体加熱実装ステージと、を有する電子部品実装装置を準備する工程と、基板の上の各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、基板を区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、基板の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、基板の加熱された部分の各位置に各電子部品を実装する第一の実装工程と、基板を全体加熱実装ステージに固定する第三の固定工程と、基板全体を加熱する第三の加熱工程と、第一の実装工程で電子部品を実装していない各位置に各電子部品を実装する第三の実装工程と、を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法である。

　本発明の電子部品の製造方法は、その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された区分実装ステージを有する電子部品実装装置を準備する工程と、電子部品実装装置を用いて、基板の上の各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、基板を区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、基板の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、基板の加熱された部分の各位置に各電子部品を実装する第一の実装工程と、基板を水平面内で１８０度回転させ、第一の実装工程で電子部品が実装されていない領域を区分実装ステージの加熱領域に固定する第四の固定工程と、基板の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第四の加熱工程と、基板の加熱された部分の各位置に各電子部品を実装する第四の実装工程と、を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法である。

　本発明は、簡便な装置で基板に多数の電子部品を効率的に実装することができる電子部品実装装置を提供することができるという効果を奏する。

本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置の構成を示す平面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの配置を示す平面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置の上流側プレヒーティングステージ、上流側実装ステージの断面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置の下流側プレヒーティングステージ、下流側実装ステージの断面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちのＮＣＰ塗布工程と、上流側プレヒーティング工程と、上流側実装ステージへの移送工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうち、半導体チップをピックアップしてから反転して移送ステージに載置するまでの工程を示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの上流側実装工程を示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの、下流側プレヒーティング工程と、下流側実装ステージへの移送工程とを示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの下流側実装工程を示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの配置を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の下流側プレヒーティングステージ、下流側実装ステージの断面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの、下流側プレヒーティング工程と、下流側実装ステージへの移送工程とを示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの下流側実装工程を示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の実装ステージの構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置の構成を示す平面図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちのＮＣＰ塗布工程と、プレヒーティング工程と、実装ステージへの移送工程とを示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの実装工程を示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの、プレヒーティング工程と、実装ステージへの移送工程とを示す説明図である。 本発明の他の実施形態におけるフリップチップ実装装置を用いた実装工程のうちの実装工程を示す説明図である。

　以下、図面を参照しながら本発明をフリップチップ実装装置に適用した場合の実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態のフリップチップ実装装置５００は、基板供給ブロック１０と、ＮＣＰ（非導電性ペースト）塗布ブロック２０と、上流側プレヒーティングブロック３０と、上流側実装ブロック４０と、下流側プレヒーティングブロック６０と、下流側実装ブロック７０と、製品搬出ブロック８０と、製品格納ブロック９０と、半導体チップピックアップブロック５０と、半導体チップ搬送ブロック１１０と、基板バイパス搬送ブロック１００と、を備えている。基板２００は、基板供給ブロック１０から製品格納ブロック９０に向かって白抜き矢印１９，２９，３９，４９，６９，７９，８９のように搬送されていく。本実施形態では、基板２００の搬送方向がＸ方向、基板の搬送方向と直角の水平方向がＹ方向、基板２００の面に垂直方向（高さ方向）がＺ方向として説明する。なお、以下の実施形態では、基板２００を上流側プレヒーティングブロック３０と、上流側実装ブロック４０と、下流側プレヒーティングブロック６０と、下流側実装ブロック７０に固定する方法として、吸着、あるいは真空吸着を用いることとして説明するが、基板２００を各ブロック３０，４０，６０，７０に固定する方法は、吸着、あるいは、真空吸着に限らず、例えば、磁気吸着あるいは、電磁クランプ等を用いて固定するようにしてもよい。

　基板供給ブロック１０は、内部に図示しない基板ストレージ棚を有し、棚に格納している基板２００を一枚ずつＮＣＰ塗布ブロック２０に供給するものである。

　ＮＣＰ塗布ブロック２０は、フレーム２１と、フレーム２１に取りつけられたＸ方向ガイド２２と、Ｘ方向ガイド２２にガイドされてＸ方向に移動するＹ方向ガイド２３と、Ｙ方向ガイド２３にガイドされてＹ方向に移動するディスペンサヘッド２４と、基板２００を吸着固定するディスペンサステージ２５と、基板供給ブロック１０から供給された基板２００をディスペンサステージ２５に搬送する搬送レール２６とを備えている。ディスペンサヘッド２４は、Ｘ方向ガイド２２とＹ方向ガイド２３とによってＸＹ方向に自由に移動することができるよう構成されている。また、ディスペンサヘッド２４には、図５（ａ）に示すディスペンサ２４１が取り付けられている。

　上流側プレヒーティングブロック３０は、フレーム３１と、フレーム３１に取り付けられた基板搬送ロボット３２と、上流側プレヒーティングステージ３５とを備えている。基板搬送ロボット３２は、回転自在の本体３３と、本体３３に取り付けられた伸縮自在のアーム３４とを備えている。アーム３４は先端に基板２００をつかむハンド（図示せず）を備え、ディスペンサステージ２５上から基板２００をピックアップし、上流側プレヒーティングステージ３５の上に移動、載置すると共に、上流側プレヒーティングステージ３５上から基板２００をピックアップし、上流側実装ステージ４５上に移動、載置する。

　上流側実装ブロック４０は、フレーム４１と、フレーム４１に取りつけられたＸ方向フレーム４２と、Ｘ方向フレーム４２に取り付けられたＹ方向フレーム４３と、Ｙ方向フレーム４３に取り付けられた上流側実装ヘッド４４と、基板２００を吸着固定する上流側実装ステージ４５と、を備えている。上流側実装ステージ４５は、図示しないＸＹテーブルの上に取り付けられて、ＸＹ方向に移動でき、上流側実装ヘッド４４はＺ方向に自由に移動することができるよう構成されている。また、上流側実装ヘッド４４には図７（ｎ）に示す上流側実装ツール４４１が取り付けられている。

　下流側プレヒーティングブロック６０は、上流側プレヒーティングブロック３０と同様、フレーム６１と、フレーム６１に取り付けられた基板搬送ロボット６２と、下流側プレヒーティングステージ６５とを備えている。基板搬送ロボット６２は、回転自在の本体６３と、本体６３に取り付けられた伸縮自在のアーム６４とを備えている。アーム６４は先端に基板２００をつかむハンド（図示せず）を備え、上流側実装ステージ４５上から基板２００をピックアップし、下流側プレヒーティングステージ６５の上に移動、載置すると共に、下流側プレヒーティングステージ６５上から基板２００をピックアップし、下流側実装ステージ７５上に移動、載置する。

　下流側実装ブロック７０は、フレーム７１と、フレーム７１に取りつけられたＸ方向フレーム７２と、Ｘ方向フレーム７２に取り付けられたＹ方向フレーム７３と、Ｙ方向フレーム７３に取り付けられた下流側実装ヘッド７４と、基板２００を吸着固定する下流側実装ステージ７５と、を備えている。下流側実装ステージ７５は、図示しないＸＹテーブルの上に取り付けられて、ＸＹ方向に移動でき、下流側実装ヘッド７４はＺ方向に自由に移動することができるよう構成されている。また、下流側実装ヘッド７４には図９（ｔ）に示す下流側実装ツール７４１が取り付けられている。

　製品搬出ブロック８０は、フレーム８１と、フレーム８１に取り付けられた基板搬送ロボット８２と、フレーム８１に取り付けられた搬送レール８６とを備えている。基板搬送ロボット８２は、回転自在の本体８３と、本体８３に取り付けられた伸縮自在のアーム８４とを備えている。アーム８４は先端に基板２００をつかむハンド（図示せず）を備え、下流側実装ステージ７５上から基板２００をピックアップし、搬送レール８６の上に移動、載置する。搬送レール８６は図示しない搬送装置によって基板２００を製品格納ブロック９０に搬送する。

　製品格納ブロック９０は、内部に図示しない基板格納棚を有し、実装の終了した基板２００をそれぞれの棚に格納している。製品格納ブロック９０の棚に所定の数の基板２００が格納されたら、製品格納ブロック９０の基板２００は、図示しないキュアリング装置に搬送される。

　半導体チップピックアップブロック５０は、フレーム５１と、フレーム５１に取り付けられたウェハ３００を吸着固定するピックアップステージ５５と、フレーム５１に取り付けられたＹ方向ガイド５２と、Ｙ方向ガイド５２に取り付けられたＸ方向ガイド５３とによりピックアップステージ５５の上をＸＹ方向に自在に移動可能なピックアップヘッド５４と、Ｙ方向ガイド５２にガイドされるＸ方向ガイド５６に取り付けられ、ＸＹ方向に自在に移動可能な移送ヘッド５７と、を備えている。ピックアップヘッド５４は、図６（ｃ）に示す回転軸５４３の回りに回転自在のピックアップコレット５４１を備えている。また、移送ヘッド５７は、図６（ｇ）、図６（ｈ）に示すように、ピックアップコレット５４１から反転した半導体チップ４００を受け取って移送ステージ１１２に移動する移送コレット５７１が取り付けられている。

　半導体チップ搬送ブロック１１０は、反転した半導体チップ４００を受け取る移送ステージ１１２（図６（ｇ）、図６（ｈ）に示す）を上流側実装ブロック４０、下流側実装ブロック７０に搬送する搬送路である。

　基板バイパス搬送ブロック１００は、上流側プレヒーティングブロック３０から下流側プレヒーティングブロック６０または製品搬出ブロック８０に上流側実装ブロック４０または下流側実装ブロック７０をバイパスして基板２００を搬送するものである。

　図２に示すように、上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５、下流側プレヒーティングステージ６５、下流側実装ステージ７５は、その表面に吸着した基板２００を加熱する加熱領域３５２，４５２，６５２，７５２と、その表面に吸着した基板２００を加熱しない非加熱領域３５６，４５６，６５６，７５６と、に区分された区分実装ステージである。加熱領域３５２，４５２，６５２，７５２は非加熱領域３５６，４５６，６５６，７５６よりも少し広く、各ステージのＹ軸方向の各中心線３６０，４６０，６６０，７６０を超えて伸びている。上流側プレヒーティングステージ３５と上流側実装ステージ４５とは、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域３５２，４５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域３５６，４５６が配置された第一タイプ区分ステージ、第一タイプの区分実装ステージであり、下流側プレヒーティングステージ６５と下流側実装ステージ７５とは、加熱領域と非加熱領域の配置を第一タイプの区分実装ステージである上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５の配置と反対に、基板２００の搬送方向の上流側に加熱領域６５２，７５２が配置され、基板２００の搬送方向の下流側に非加熱領域６５６，７５６が配置された第二タイプ区分ステージ、第二タイプの区分実装ステージである。下流側プレヒーティングステージ６５の加熱領域６５２と非加熱領域６５６の配置は、上流側プレヒーティングステージ３５の加熱領域３５２と非加熱領域３５６の配置をＹ方向の中心軸３６０の回りに反転させた配置となっている。同様に、下流側実装ステージ７５の加熱領域７５２と非加熱領域７５６の配置は、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２と非加熱領域４５６の配置をＹ方向の中心軸４６０の回りに反転させた配置となっている。

　図３に示すように、上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５は、基板２００の搬送方向の上流側に平面状の段部３５３，４５３を有する平板状の基体部３５１，４５１と、段部３５３，４５３に重ねあわされた断熱層３５４，４５４と、基体部３５１，４５１の下に重ねあわされたヒータベース３５８，４５８とを備えている。基体部３５１，４５１は、例えば、ステンレス鋼等の熱伝導率の良い金属製であり、断熱層３５４，４５４は、例えば、プラスチック等の熱伝導率の低い材料の断熱スペーサ３５５，４５５で構成されている。断熱スペーサ３５５，４５５は、段部３５３，４５３の側の面に凹部３５７，４５７を備え、段部３５３，４５３の表面との間に空気の断熱層を形成して段部３５３，４５３の表面との間を効果的に断熱することができるよう構成されている。また、ヒータベース３５８は、内部にヒータ３５９，４５９が配置されている。基体部３５１，４５１の表面は加熱領域３５２，４５２であり、断熱スペーサ３５５，４５５の表面は非加熱領域３５６，４５６である。断熱スペーサ３５５，４５５はそれぞれ段部３５３，４５３に図示しないボルト等の締結具によって取り付けられており、簡単に取り外し、交換が可能となっている。同様に基体部３５１，４５１もヒータベース３５８，４５８にボルト等の締結部材で取り付けられており、断熱スペーサ３５５，４５５と共に簡単に交換できるよう構成されている。

　図４に示すように、下流側プレヒーティングステージ６５、下流側実装ステージ７５は、上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５の加熱領域と非加熱領域の配置を中心線３６０，４６０の回りに反転したもので、基板２００の搬送方向の下流側に平面状の段部６５３，７５３を有する平板状の基体部６５１，７５１と、段部６５３，７５３に重ねあわされた断熱層６５４，７５４と、基体部６５１，７５１の下に重ねあわされたヒータベース６５８，７５８とを備えており、基体部６５１，７５１の表面は加熱領域６５２，７５２であり、断熱層６５４，７５４を構成する断熱スペーサ６５５，７５５の表面は非加熱領域６５６，７５６である。また、断熱スペーサ６５５，７５５は、段部６５３，７５３の側の面に凹部６５７，７５７を備え、段部６５３，７５３の表面との間に空気の断熱層を形成して段部６５３，７５３の表面との間を効果的に断熱することができるよう構成されている。上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５と同様、断熱スペーサ６５５，７５５はそれぞれ段部６５３，７５３に図示しないボルト等の締結具によって取り付けられており、基体部６５１，７５１もヒータベース６５８，７５８にボルト等の締結部材で取り付けられている。

　以上のように構成されたフリップチップ実装装置５００を用いて半導体チップ４００を基板２００の上に実装する工程について図５から図９を用いて説明する。

　図１に示すＮＣＰ塗布ブロック２０は、基板供給ブロック１０から搬送された基板２００をディスペンサステージ２５の上に吸着固定し、図５（ａ）に示すように、ディスペンサヘッド２４をＸＹＺ方向に移動させながら基板２００の上の半導体チップ４００を実装する複数の位置にディスペンサ２４１によってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を塗布していく。ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の塗布は基板２００が常温となっている状態で行う（ペースト塗布工程）。

　基板２００の所定の位置にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されると、基板２００は、図１に示す基板搬送ロボット３２によってディスペンサステージ２５からピックアップされ、図５（ａ）、図５（ｂ）の矢印ａのように、上流側プレヒーティングステージ３５の上に搬送され、上流側プレヒーティングステージ３５の上に載置される。上流側プレヒーティングステージ３５は、その表面に基板２００を吸着固定する。図２、図５（ｂ）に示すように、上流側プレヒーティングステージ３５は、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域３５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域３５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向下流側の半分より少し大きい領域（加熱領域３５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ３５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。一方、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域３５６に吸着固定されている部分）は、断熱層３５４によってヒータ３５９の熱が遮断されるので、加熱されず、常温あるいは常温より少し高い程度に保たれる。このため、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も常温あるいは常温よりも少し高い程度に保持される。

　そして、基板２００の加熱領域３５２に吸着固定されている部分の温度が７０℃程度まで上昇したら、基板２００は、図１に示す基板搬送ロボット３２によって上流側プレヒーティングステージ３５からピックアップされ、図５（ｂ）、図５（ｃ）の矢印ｂのように、上流側実装ステージ４５の上に搬送され、上流側実装ステージ４５の上に載置される。上流側実装ステージ４５は、その表面に基板２００を吸着固定する（第一の吸着（固定）工程）。

　上流側実装ステージ４５は、上流側プレヒーティングステージ３５と同様、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域４５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域４５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向下流側の半分より少し大きい領域（加熱領域４５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ４５９によって７０℃程度の温度に保持され、この領域の基板２００に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に保たれる。基板２００の搬送方向上流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域４５６に吸着固定されている部分）は、断熱層４５４によってヒータ４５９の熱が遮断され、常温あるいは常温より少し高い程度に保たれ、この領域の基板２００に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も常温あるいは常温より少し高い程度に保持される（第一の加熱工程）。

　一方、図６（ｃ）に示すように、ピックアップステージ５５の上面５５１には図１に示すウェハ３００をダイシングした半導体チップ４００が保持されている。半導体チップ４００の実装面（図６（ｃ）における上側の面）には、バンプ４０１が形成されている。まず、図６（ｃ）の矢印ｃに示すように、ピックアップコレット５４１がピックアップしようとする半導体チップ４００の実装面に下降してくる。図６（ｄ）に示すように、ピックアップコレット５４１が半導体チップ４００に向かって下降し、ピックアップコレット５４１先端の吸着面５４２が半導体チップ４００の実装面に接すると、半導体チップ４００がピックアップコレット５４１先端の吸着面５４２に吸着される。そして、図６（ｅ）に示すように、ピックアップコレット５４１を矢印ｅのように上昇させると、半導体チップ４００がピックアップステージ５５の上面５５１からピックアップされる。図６（ｅ）に示すように、半導体チップ４００をピックアップしたら、ピックアップコレット５４１の回転軸５４３を図６（ｆ）の矢印ｆの方向に１８０度回転させることによって下側に向いていたピックアップコレット５４１の吸着面５４２を上向きとし、半導体チップ４００の表面４０２（バンプ４０１が形成されている実装面と反対側の面）が図６（ｆ）において上方向となるように、半導体チップ４００を反転させる。

　図６（ｇ）の白抜き矢印ｇ１に示すように、ピックアップコレット５４１の吸着面５４２を上方向に保ったまま、半導体チップ４００を保持した状態で、ピックアップヘッド５４をＸＹ方向に移動させ、ピックアップコレット５４１を移送コレット５７１との間で半導体チップ４００の受け渡しを行う位置まで移動させる。また、図６（ｇ）の白抜き矢印ｇ２に示すように、移送ヘッド５７も移送コレット５７１を上記の受け渡し位置まで移動させる。そして、図６（ｇ）の矢印ｇに示すように、移送コレット５７１の吸着面５７２を反転したピックアップコレット５４１の吸着面５４２に吸着されている半導体チップ４００の表面４０２に向かって下降させる。そして、移送コレット５７１の吸着面５７２が半導体チップ４００の表面４０２に接したら、ピックアップコレット５４１による半導体チップ４００の吸着を解除すると共に、移送コレット５７１の吸着面５７２に半導体チップ４００を吸着させ、ピックアップコレット５４１から移送コレット５７１に半導体チップ４００を受け渡す。

　図６（ｈ）の矢印ｈに示すように、移送ヘッド５７は、半導体チップ４００を受け取った移送コレット５７１を移送ステージ１１２への受け渡し位置まで移動させる。そして、移送ステージ１１２の上に移送コレット５７１を下降させ、移送ステージ１１２の表面１１３に半導体チップ４００を受け渡す。半導体チップ４００は、表面４０２がＺ方向上側で、バンプ４０１が形成されている実装面がＺ方向下側の状態で移送ステージ１１２の表面１１３の上に載置され、移送ステージ１１２に受け渡される。移送ヘッド５７は、移送ステージ１１２の表面１１３に半導体チップ４００を受け渡すと、図７（ｋ）の矢印ｋに示すように上昇し、半導体チップ４００から離れる。そして、半導体チップ４００を受け取った移送ステージ１１２は、図１に示す半導体チップピックアップブロック５０から半導体チップ搬送ブロック１１０の搬送路１１１に沿って図７（ｋ）、図７（ｍ）の白抜き矢印ｋ２に示すように、上流側実装ブロック４０に搬送される。

　図７（ｍ）の矢印ｍに示すように、移送ステージ１１２が上流側実装ブロック４０に搬送されると、上流側実装ヘッド４４は、上流側実装ツール４４１を移送ステージ１１２の上に下降させて吸着面４４２を半導体チップ４００の表面４０２に接触させ、上流側実装ツール４４１の吸着面４４２に半導体チップ４００を吸着させる。上流側実装ツール４４１は、吸着面４４２に半導体チップ４００を吸着すると、内部に配置されているヒータ（図示せず）によって半導体チップ４００を３００℃程度まで加熱し、図７（ｎ）の矢印ｎのように、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置に半導体チップ４００を実装する。加熱領域４５２の上に吸着固定されている基板２００及び、その領域の基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度は７０℃程度となっているので、３００℃程度に加熱された半導体チップ４００が実装されると、半導体チップ４００の実装面に形成されているバンプ４０１が溶融して基板２００の電極と接合されると共に、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が加熱され、硬化し、半導体チップ４００が基板２００の上に固定、実装される（第一の実装工程）。

　この第一の実装工程においては、基板２００の半導体チップ４００の実装は、図７（ｎ）の一番右側（Ｘ方向＋側）の列の紙面奥側（Ｙ方向＋側）から紙面手前側（Ｙ方向マイナス側）に向かって行い、図７（ｎ）に示す一番右側の列の半導体チップ４００の実装が終わったら、図示しないＸＹテーブルによって上流側実装ステージ４５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、一番右から二番目の列に半導体チップ４００の実装を行う。以下、一つの列の半導体チップ４００の実装が終了したら、図示しないＸＹテーブルによって上流側実装ステージ４５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列の半導体チップ４００の実装を行う。そして、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の全ての所定の位置に半導体チップ４００を実装すると、上流側実装ステージ４５での第一の実装工程を終了する。

　この際、上流側実装ステージ４５の基板２００の搬送方向（Ｘ方向）の上流側に配置されている非加熱領域４５６の上に吸着された基板２００の部分には半導体チップ４００は実装されない。この部分は、ヒータ４５９からの熱が断熱層４５４によって遮断されているので、常温あるいは常温よりも少し高い程度に保持されており、基板２００及び基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１も常温あるいは常温より少し高い程度に保持されている。したがって，上流側実装ステージ４５では、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し狭い範囲は、半導体チップ４００を実装している間もＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度が常温あるいは常温より少し高い程度に保たれ、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度の上昇による変質を抑制することができる。

　上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置への半導体チップ４００の実装が終了したら、図１に示す基板搬送ロボット６２は、上流側実装ステージ４５の上から基板２００をピックアップし、図８（ｐ）の矢印ｐに示すように、下流側プレヒーティングステージ６５の上に搬送し、その上に載置する。下流側プレヒーティングステージ６５は、基板２００をその表面に吸着固定する。

　下流側プレヒーティングステージ６５の上に吸着固定された際、上流側実装ステージ４５において半導体チップ４００が実装された基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の下流側の半分よりも少し大きい領域）は、７０℃程度の温度となっているが、半導体チップ４００が実装されなかった基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の非加熱領域４５６の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の上流側の半分よりも少し小さい領域）は、常温あるいは常温より少し高い程度の温度となっている。

　図２、図８（ｐ）に示すように、下流側プレヒーティングステージ６５は、基板２００の搬送方向の上流側に加熱領域６５２が配置され、基板２００の搬送方向の下流側に非加熱領域６５６が配置された第二タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し大きい領域（加熱領域６５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ６５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、常温または常温よりも少し高い程度の温度であった半導体チップ４００が実装されなかった基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の非加熱領域４５６の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の上流側の半分よりも少し小さい領域）は、常温あるいは常温より少し高い程度から７０℃程度まで加熱され、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。

　一方、上流側実装ステージ４５において半導体チップ４００が実装された基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の下流側の半分よりも少し大きい領域）は７０℃程度の温度で下流側プレヒーティングステージ６５の基板２００の搬送方向下流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域６５６に吸着固定されている部分）に吸着固定される。この部分は、断熱層６５４によってヒータ６５９の熱が遮断されているので、半導体チップ４００が実装された基板２００の部分の温度は、７０℃程度から次第に低下してくる。このため、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度の温度からしだいに低下してくる。

　そして、基板２００の加熱領域６５２に吸着固定されている部分の温度が７０℃程度まで上昇したら、基板２００は、図１に示す基板搬送ロボット６２によって下流側プレヒーティングステージ６５からピックアップされ、図８（ｐ）、図８（ｑ）の矢印ｑのように、下流側実装ステージ７５の上に搬送され、下流側実装ステージ７５の上に載置される。下流側実装ステージ７５は、その表面に基板２００を吸着固定する（第二の吸着（固定）工程）。

　下流側実装ステージ７５は、下流側プレヒーティングステージ６５と同様、基板２００の搬送方向の上流側に加熱領域７５２が配置され、基板２００の搬送方向の下流側に非加熱領域７５６が配置された第二タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し大きい領域（加熱領域７５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ７５９によって７０℃程度の温度に保持され、この領域の基板２００に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に保たれる。基板２００の搬送方向下流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域７５６に吸着固定されている部分）は、断熱層７５４によってヒータ７５９の熱が遮断されるので、下流側プレヒーティングステージ６５の上に載置されていた際の温度よりもさらに温度が低下してくる（第二の加熱工程）。

　先に、図６（ｃ）から図７（ｋ）を参照して説明したように、ピックアップステージ５５の上面５５１の半導体チップ４００は、ピックアップコレット５４１によってピックアップされ、１８０度反転された後、移送コレット５７１に受け渡され、さらに、移送コレット５７１から移送ステージ１１２に受け渡される。移送ヘッド５７は、移送ステージ１１２の表面１１３に半導体チップ４００を受け渡すと、図９（ｒ）の矢印ｒに示すように上昇し、半導体チップ４００から離れる。そして、半導体チップ４００を受け取った移送ステージ１１２は図１に示す半導体チップピックアップブロック５０から半導体チップ搬送ブロック１１０の搬送路１１１に沿って図９（ｒ）、図９（ｓ）の白抜き矢印ｒ２に示すように、下流側実装ブロック７０に搬送される。

　図９（ｓ）の矢印ｓに示すように、移送ステージ１１２が下流側実装ブロック７０に搬送されると、下流側実装ヘッド７４は、下流側実装ツール７４１を移送ステージ１１２の上に下降させて、下流側実装ツール７４１の吸着面７４２を半導体チップ４００の表面４０２に接触させ、下流側実装ツール７４１の吸着面７４２に半導体チップ４００を吸着させる。下流側実装ツール７４１は、吸着面７４２に半導体チップ４００を吸着すると、内部に配置されているヒータ（図示せず）によって半導体チップ４００を３００℃程度まで加熱し、図９（ｔ）の矢印ｔのように、下流側実装ステージ７５の加熱領域７５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置に半導体チップ４００を実装する。加熱領域７５２の上に吸着固定されている基板２００及び、その領域の基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度は７０℃程度となっているので、３００℃程度に加熱された半導体チップ４００が実装されると、半導体チップ４００の実装面に形成されているバンプ４０１が溶融して基板２００の電極と接合されると共に、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が加熱され、硬化し、半導体チップ４００が基板２００の上に固定、実装される（第二の実装工程）。

　この第二の実装工程においては、基板２００の半導体チップ４００の実装は、第一の実装工程で最後に実装した半導体チップ４００の列に隣接する列、つまり、図９（ｔ）に示す下流側実装ステージ７５の加熱領域７５２の中の一番右側（Ｘ方向＋側）の列の紙面奥側（Ｙ方向＋側）から紙面手前側（Ｙ方向マイナス側）に向かって行い、その列の半導体チップ４００の実装が終わったら、図示しないＸＹテーブルによって下流側実装ステージ７５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列に半導体チップ４００の実装を行う。以下、一つの列の半導体チップ４００の実装が終了したら、図示しないＸＹテーブルによって下流側実装ステージ７５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列の半導体チップ４００の実装を行う。そして、下流側実装ステージ７５の加熱領域７５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の全ての所定の位置に半導体チップ４００を実装すると、下流側実装ステージ７５での第二の実装工程を終了する。

　下流側実装ステージ７５の加熱領域７５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置への半導体チップ４００の実装が終了したら、図１に示す基板搬送ロボット８２は、下流側実装ステージ７５の上から基板２００をピックアップし、搬送レール８６の上に移動、載置する。すべての半導体チップ４００の実装が終了して製品となった基板２００は、図示しない搬送装置によって搬送レール８６上を製品格納ブロック９０に搬送される。製品格納ブロック９０の棚に所定の数の基板２００が格納されたら、製品格納ブロック９０の基板２００は、図示しないキュアリング装置に搬送され、例えば、２００℃程度の温度で１時間程度キュアリングされる。これによってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１は完全に硬化する。

　以上説明したように、本実施形態では、上流側プレヒーティングステージ３５で基板２００の搬送方向下流側の略半分の領域のみを７０℃程度まで加熱し、上流側実装ステージ４５では、基板２００の搬送方向下流側の略半分の領域のみを７０℃程度に保持し、この部分にのみ半導体チップ４００を実装し、その間、基板２００の搬送方向上流側の略半分の領域を常温あるいは常温より少し高い程度の温度に保持し、基板２００の搬送方向上流側の略半分の領域に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の変質を抑制し、下流側プレヒーティングステージ６５、下流側実装ステージ７５では、先に常温に近い温度で保持された基板２００の搬送方向上流側の略半分の領域を７０℃程度まで加熱すると共に、この領域への半導体チップ４００の実装を行うようにしたので、基板２００の下流側半分に半導体チップ４００を実装している間、基板２００の上流側の半分を常温あるいは常温より少し高い程度の温度に保ち、基板２００の上流側半分の実装を行う前にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱で変質することを抑制することができる。このため、基板２００の上にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されてから、７０℃程度まで加熱された状態で半導体チップ４００が実装されるのを待つ最大時間が基板２００の上流側半分、あるいは下流側半分の各領域に半導体チップ４００を実装する時間となる。従来技術のフリップチップ実装装置では、基板２００の上にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されてから、７０℃程度まで加熱された状態で半導体チップ４００が実装されるのを待つ最大時間が基板２００の全面に半導体チップ４００を実装する時間であるのと比較すると、本実施形態のフリップチップ実装装置５００における上記の待ち時間は、従来技術のフリップチップ実装装置の約半分の時間となる。したがって、本実施形態のフリップチップ実装装置５００は、従来技術のフリップチップ実装装置に比較して、基板２００の上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質する前に実装することが可能な半導体チップ４００の数は２倍となる。つまり、本実施形態は、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質することを抑制しながら、基板２００に多数の半導体チップ４００を実装することができるという効果を奏するものである。

　また、本実施形態では、上流側実装ステージ４５で実装の終了した基板２００の下流側の約半分の領域について、下流側プレヒーティングステージ６５、下流側実装ステージ７５では加熱しないようにしているので、基板２００にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されてから、下流側実装ステージ７５で全ての半導体チップ４００の実装が終了するまでの間に、基板２００の上に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が７０℃程度に加熱されている期間が略同一の時間となるので、キュアリングによりＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を略均一に硬化させることができるという効果を奏する。

　以上の説明では、本実施形態のフリップチップ実装装置５００は、図１に示す、白抜き矢印１９，２９，３９で示すように、基板２００を基板供給ブロック１０、ＮＣＰ（非導電性ペースト）塗布ブロック２０、上流側プレヒーティングブロック３０、上流側実装ブロック４０に順次搬送し、基板２００の下流側半分に半導体チップ４００を実装した後、白抜き矢印４９，６９で示すように、基板２００を下流側プレヒーティングブロック６０、下流側実装ブロック７０に順次搬送し、基板２００の上流側半分に半導体チップ４００を実装することとして説明したが、次に説明するように様々な方式の実装を行うこともできる。

　例えば、基板の上流側半分にのみ半導体チップ４００を実装したい場合には、ＮＣＰ塗布ブロック２０で基板２００の上流側半分にのみＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を塗布した後、基板搬送ロボット３２によってディスペンサステージ２５の上から基板２００をピックアップして基板バイパス搬送ブロック１００の上流側プレヒーティングブロックライン１０１に載せ、図１に示す白抜き矢印１０９に示すように、Ｘ方向搬送ライン１０４、下流側プレヒーティングブロックライン１０２と基板２００を搬送し、基板搬送ロボット６２によって下流側プレヒーティングブロックライン１０２から基板２００をピックアップして下流側プレヒーティングステージ６５の上に載置し、下流側プレヒーティングブロック６０、下流側実装ブロック７０で基板２００の上流側半分にのみ半導体チップ４００を実装するようにしてもよい。また、逆に、基板の下流側半分にのみ半導体チップ４００を実装したい場合には、基板２００を基板供給ブロック１０、ＮＣＰ（非導電性ペースト）塗布ブロック２０、上流側プレヒーティングブロック３０、上流側実装ブロック４０に順次搬送し、基板２００の下流側半分に半導体チップ４００を実装した後、基板搬送ロボット６２によって上流側実装ステージ４５の上から基板２００をピックアップして基板バイパス搬送ブロック１００の下流側プレヒーティングブロックライン１０２に載せ、Ｘ方向搬送ライン１０４、製品搬出ブロックライン１０３と基板２００を搬送し、基板搬送ロボット８２によって製品搬出ブロックライン１０３から基板２００をピックアップして製品搬出ブロック８０の搬送レール８６の上に載置するようにしてもよい。

　さらに、基板２００の大きさが、各ステージ２５，３５，４５，６５，７５の半分以下の大きさの場合には、ＮＣＰ塗布ブロック２０でＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を塗布した後、基板搬送ロボット３２、基板バイパス搬送ブロック１００を用いて基板２００を上流側プレヒーティングブロック３０、上流側実装ブロック４０と、下流側プレヒーティングブロック６０、下流側実装ブロック７０とに並行して搬送し、各実装ブロックでそれぞれ基板２００と並行して実装を行い、実装した後の基板２００を基板搬送ロボット８２、基板バイパス搬送ブロック１００を用いて製品搬出ブロック８０から製品格納ブロック９０に搬送するようにしてもよい。この場合には、１台のフリップチップ実装装置５００で小さな基板に効率よく実装を行うことができる。

　次に、図１０から図１３を参照しながら本発明の他の実施形態のフリップチップ実装装置６００について説明する。図１から図９を参照して説明した実施形態と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。図１０に示すように、本実施形態は、下流側プレヒーティングブロック１２０、下流側実装ブロック１３０の下流側プレヒーティングステージ１２５、下流側実装ステージ１３５を非加熱領域のない全体加熱ステージとしたものである。下流側プレヒーティングブロック１２０は、フレーム１２１と、フレーム１２１に取り付けられた基板搬送ロボット１２２と、下流側プレヒーティングステージ１２５とを備えている。基板搬送ロボット１２２は、回転自在の本体１２３と、本体１２３に取り付けられた伸縮自在のアーム１２４とを備えている。下流側実装ブロック１３０は、フレーム１３１と、フレーム１３１に取り付けられたＸ方向フレーム１３２と、Ｘ方向フレーム１３２に取り付けられたＹ方向フレーム１３３と、Ｙ方向フレーム１３３に取り付けられた下流側実装ヘッド１３４と、基板２００を吸着固定する下流側実装ステージ１３５とを備えている。そして、白抜き矢印４９、１２９で示すように、基板２００を下流側プレヒーティングブロック１２０、下流側実装ブロック１３０に順次搬送する。

　図１０に示すように、本実施形態の下流側プレヒーティングステージ１２５、下流側実装ステージ１３５は、その表面全体が加熱領域１２５２，１３５２となっているものであり、図１１に示す様に、各ステージ１２５，１３５は、それぞれステンレス鋼等の金属製の平板の基体部１２５１，１３５１の下側に内部にヒータ１２５９，１３５９が内蔵されたヒータベース１２５８，１３５８を重ね合わせてボルト等の締結具によって一体としたものである。ヒータ１２５９，１３５９の熱は、基体部１２５１，１３５１を伝わって、基板２００を吸着する表面の加熱領域１２５２，１３５２の温度を上昇させるものである。

　本実施形態のフリップチップ実装装置６００を用いて基板２００に半導体チップ４００を実装する工程について図１２、図１３を参照して説明する。基板２００にディスペンサ２４１によってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を塗布する工程から上流側プレヒーティングステージ３５によって基板２００の下流側の約半分の領域を７０℃程度に加熱し、上流側実装ステージ４５に移送、載置する工程と、ウェハ３００から半導体チップ４００をピックアップして反転し、移送ステージ１１２に載置して上流側実装ブロック４０に搬送する工程、上流側実装ステージ４５において半導体チップ４００を実装する工程については、図５から図７を参照して説明した実施形態と同様である（ペースト塗布工程、第一の吸着（固定）工程、第一の加熱工程、第一の実装工程）。

　図１０、図１２（ｐ）に示すように、基板２００は、図１に示す基板搬送ロボット６２によって上流側実装ステージ４５からピックアップされ、図１２（ｐ）の矢印ｐのように、下流側プレヒーティングステージ１２５の上に搬送され、下流側実装ステージ１３５の上に載置される。下流側実装ステージ１３５は、その表面に基板２００を吸着固定する。下流側プレヒーティングステージ１２５は、表面全体が加熱領域１２５２である全体加熱のプレヒーティングステージであり、表面（加熱領域１２５２）に吸着固定された基板２００全体がヒータ１２５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、図５から図７を参照して説明したように、上流側実装ステージ４５で半導体チップ４００が実装されなかった基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の非加熱領域４５６の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の上流側の半分よりも少し小さい領域）の温度は、常温あるいは常温より少し高い程度から７０℃程度まで加熱され、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。また、上流側実装ステージ４５で半導体チップ４００が実装された基板２００の部分、あるいは、上流側実装ステージ４５の加熱領域４５２の上に吸着固定されていた基板２００の部分（基板２００の下流側の半分よりも大きい領域）は、７０℃程度の温度に維持される。

　そして、下流側プレヒーティングステージ１２５の表面に吸着されている基板２００全体の温度が７０℃程度となったら、基板２００は、図１に示す基板搬送ロボット６２によって下流側プレヒーティングステージ１２５からピックアップされ、図１２（ｐ）、図１２（ｑ）の矢印ｑのように、下流側実装ステージ１３５の上に搬送され、下流側実装ステージ１３５の上に載置される。下流側実装ステージ１３５は、その表面に基板２００を吸着固定する（第三の吸着（固定）工程）。

　下流側実装ステージ１３５は、下流側プレヒーティングステージ１２５と同様、基板２００全体を加熱する全体加熱実装ステージであり、加熱領域１３５２である表面に吸着固定された基板２００全体が７０℃程度の温度に保持される（第三の加熱工程）。

　先に、図６（ｃ）から図７（ｋ）を参照して説明したように、ピックアップステージ５５の上面５５１の半導体チップ４００は、ピックアップコレット５４１によってピックアップされ、１８０度反転された後、移送コレット５７１に受け渡され、さらに、移送コレット５７１から移送ステージ１１２に受け渡される。移送ヘッド５７は、移送ステージ１１２の表面１１３に半導体チップ４００を受け渡すと、図１３（ｒ）の矢印ｒに示すように、上昇し、半導体チップ４００から離れる。そして、半導体チップ４００を受け取った移送ステージ１１２は、図１に示す半導体チップピックアップブロック５０から半導体チップ搬送ブロック１１０の搬送路１１１に沿って図１３（ｒ）、図１３（ｓ）の白抜き矢印ｒ２に示すように、下流側実装ブロック１３０に搬送される。

　図１３（ｓ）の矢印ｓに示すように、移送ステージ１１２が下流側実装ブロック１３０に搬送されると、下流側実装ヘッド７４は、下流側実装ツール７４１を移送ステージ１１２の上に下降させて下流側実装ツール７４１の吸着面７４２を半導体チップ４００の表面４０２に接触させ、下流側実装ツール７４１の吸着面７４２に半導体チップ４００を吸着させる。下流側実装ツール７４１は、吸着面７４２に半導体チップ４００を吸着すると、内部に配置されているヒータ（図示せず）によって半導体チップ４００を３００℃程度まで加熱し、図１３（ｔ）の矢印ｔのように、下流側実装ステージ１３５に吸着固定されている基板２００の部分の上流側の約半分の領域の上の所定の位置に半導体チップ４００を実装する。下流側実装ステージ１３５の加熱領域１３５２である表面に吸着固定されている基板２００及び、基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度は７０℃程度となっているので、３００℃程度に加熱された半導体チップ４００が実装されると、半導体チップ４００の実装面に形成されているバンプ４０１が溶融して基板２００の電極と接合されると共に、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が加熱され、硬化し、半導体チップ４００が基板２００の上に固定、実装される（第三の実装工程）。

　この第三の実装工程においては、基板２００の半導体チップ４００の実装は、先に図９（ｔ）を参照して説明したと同様、図１３（ｔ）に示す下流側実装ステージ１３５の加熱領域１３５２の中の一番右側（Ｘ方向＋側）の列の紙面奥側（Ｙ方向＋側）から紙面手前側（Ｙ方向マイナス側）に向かって行い、その列の半導体チップ４００の実装が終わったら、図示しないＸＹテーブルによって下流側実装ステージ１３５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列に半導体チップ４００の実装を行う。以下、一つの列の半導体チップ４００の実装が終了したら、図示しないＸＹテーブルによって下流側実装ステージ１３５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列の半導体チップ４００の実装を行う。そして、下流側実装ステージ１３５の加熱領域１３５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の全ての所定の位置に半導体チップ４００を実装すると、下流側実装ステージ１３５での第三の実装工程を終了する。

　下流側実装ステージ１３５の加熱領域１３５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置への半導体チップ４００の実装が終了したら、基板２００は、図示しないキュアリング装置に搬送され、例えば、２００℃程度の温度で１時間程度キュアリングされる。これによってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１は完全に硬化する。

　本実施形態のフリップチップ実装装置６００は、先に、図１から図９を参照して説明した実施形態のフリップチップ実装装置５００と同様、基板２００の下流側半分に半導体チップ４００を実装している間、基板２００の上流側の半分を常温あるいは常温より少し高い程度の温度に保ち、基板２００の上流側半分の実装を行う前にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱で変質することを抑制することができる。このため、従来技術のフリップチップ実装装置に比較して、基板２００の上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質する前に実装することが可能な半導体チップ４００の数は２倍となり、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質することを抑制しながら、基板２００に多数の半導体チップ４００を実装することができるという点については同様の効果を奏するものである。

　また、本実施形態のフリップチップ実装装置６００は、先に図１から図９を参照して説明した実施形態のフリップチップ実装装置５００のように、基板２００にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されてから、下流側実装ステージ７５で全ての半導体チップ４００の実装が終了するまでの間に、基板２００の上に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が７０℃程度に加熱されている期間が略同一の時間ではなく、基板２００の下流側半分の上に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が７０℃程度に加熱されている期間は、基板２００の上流側半分の上に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が７０℃程度に加熱されている期間の２倍となる。しかし、基板２００の上流側半分の上に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１は上流側実装ステージ４５での実装により硬化しているので、その後７０℃の温度が保持されても、キュアリングにおける硬化状態にはあまり影響がない場合がある。このような場合には、フリップチップ実装装置５００よりも構成が簡便となる本実施形態のフリップチップ実装装置６００は有利である。

　次に、図１４Ａ，図１４Ｂを参照しながら本発明の他の実施形態について説明する。図１から図９を参照して説明した実施形態では、第一タイプ区分ステージ、第一タイプの区分実装ステージと、第二タイプ区分ステージ、第二タイプの区分実装ステージは、それぞれ、基板２００の搬送方向（Ｘ方向）の上流側と下流側とで加熱領域と非加熱領域を区分したものとして説明したが、図１４Ａ、図１４Ｂに示す様に、上流側実装ブロック１４０の上流側実装ステージ１４５、下流側実装ブロック１５０の下流側実装ステージ１５５の加熱領域１４５２，１５５２，と非加熱領域１４５６，１５５６を基板２００の搬送方向と直角方向（Ｙ方向）の上側と下側とで区分するようにしてもよい。本実施形態の効果は、図１から図９を参照して説明した実施形態と同様である。

　また、図１５Ａ，図１５Ｂ，図１５Ｃに示すように、３つの実装ブロック１６０，１７０，１８０にそれぞれ区分実装ステージ１６５，１７５，１８５を配置し、各実装ステージ１６５，１７５，１８５の約１／３を加熱領域１６５２，１７５２，１８５２とし、約２／３を非加熱領域１６５６，１７５６，１８５６とし、その配置を図１５Ａ，図１５Ｂ，図１５Ｃに示す様にＸ方向長さの１／３ずつずらして配置するようにしてもよい。本実施形態は、図１から図９を参照して説明した実施形態よりも多くの半導体チップ４００をＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質することを抑制しつつ基板２００に実装することができるという効果を奏する。

　次に図１６から図２０を参照しながら、本発明の他の実施形態について説明する。先に図１から図９を参照して説明した実施形態と同様の部分には同様の符号を付して説明は省略する。本実施形態のフリップチップ実装装置７００は、プレヒーティングブロック、実装ブロックをそれぞれ１つだけ有するものである。図１６に示す様に、本実施形態のフリップチップ実装装置７００は、基板供給ブロック１０と、ＮＣＰ（非導電性ペースト）塗布ブロック２０と、プレヒーティングブロック７０３０と、実装ブロック７０４０と、製品搬出ブロック８０と、製品格納ブロック９０と、半導体チップピックアップブロック５０と、半導体チップ搬送ブロック１１０と、を備えている。実装ブロック７０４０は、フレーム７０４１と、フレーム７０４１に取り付けられたＸ方向フレーム７０４２と、Ｘ方向フレーム７０４２に取り付けられたＹ方向フレーム７０４３と、Ｙ方向フレーム７０４３に取り付けられた実装ヘッド７０４４と、基板２００を吸着固定する実装ステージ７０４５とを備えている。基板２００は、基板供給ブロック１０からＮＣＰ（非導電性ペースト）塗布ブロック２０、プレヒーティングブロック７０３０、実装ブロック７０４０に向かって白抜き矢印１９，２９，７０３９のように搬送され、実装ブロック７０４０で基板２００の下流側半分に半導体チップ４００を実装した後、フレーム７０３１に取り付けられた基板搬送ロボット７０３２によって基板２００を水平面内で１８０度回転させて、プレヒーティングブロック７０３０に向けて逆搬送し、その後、白抜き矢印７０３９に示す様に、再度プレヒーティングブロック７０３０から実装ブロック７０４０に搬送された後、白抜き矢印７０４９，８９に示すように、製品搬出ブロック８０から製品格納ブロック９０へと搬送されていく。

　図１７（ｂ）、図１７（ｃ）に示す様に、プレヒーティングステージ７０３５、実装ステージ７０４５は、先に図２を参照して説明した、上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５と同様、その表面に吸着した基板２００を加熱する加熱領域７０３５２，７０４５２と、その表面に吸着した基板２００を加熱しない非加熱領域７０３５６，７０４５６に区分された区分実装ステージである。加熱領域７０３５２，７０４５２は非加熱領域７０３５６，７０４５６よりも少し広く、各ステージのＹ軸方向の各中心線７０３６０，７０４６０を超えて伸びている。プレヒーティングステージ７０３５と実装ステージ７０４５とは、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域７０３５２，７０４５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域７０３５６，７０４５６が配置された第一タイプ区分ステージ、第一タイプの区分実装ステージである。

　図１７（ｂ）、図１７（ｃ）に示す様に、プレヒーティングステージ７０３５、実装ステージ７０４５は、図３を参照して説明した上流側プレヒーティングステージ３５、上流側実装ステージ４５と同様、基板２００の搬送方向の上流側に平面状の段部７０３５３，７０４５３を有する平板状の基体部７０３５１，７０４５１と、段部７０３５３，７０４５３に重ねあわされた断熱層７０３５４，７０４５４と、基体部７０３５１，７０４５１の下に重ねあわされたヒータベース７０３５８，７０４５８とを備えている。基体部７０３５１，７０４５１は、例えば、ステンレス鋼等の熱伝導率の良い金属製であり、断熱層７０３５４，７０４５４は、例えば、プラスチック等の熱伝導率の低い材料の断熱スペーサ７０３５５，７０４５５で構成されている。断熱スペーサ７０３５５，７０４５５は、段部７０３５３，７０４５３の側の面に凹部７０３５７，７０４５７を備え、段部７０３５３，７０４５３の表面との間に空気の断熱層を形成して段部７０３５３，７０４５３の表面との間を効果的に断熱することができるよう構成されている。また、ヒータベース７０３５８は、内部にヒータ７０３５９，７０４５９が配置されている。基体部７０３５１，７０４５１の表面は加熱領域７０３５２，７０４５２であり、断熱スペーサ７０３５５，７０４５５の表面は非加熱領域７０３５６，７０４５６である。

　以上のように構成されたフリップチップ実装装置７００を用いて半導体チップ４００を基板２００の上に実装する工程について図１７から図２０を用いて説明する。

　図１６に示すＮＣＰ塗布ブロック２０は、基板供給ブロック１０から搬送された基板２００をディスペンサステージ２５の上に吸着固定し、図１７（ａ）に示すように、ディスペンサヘッド２４をＸＹＺ方向に移動させながら基板２００の上の半導体チップ４００を実装する複数の位置にディスペンサ２４１によってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１を塗布していく。ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の塗布は基板２００が常温となっている状態で行う（ペースト塗布工程）。

　基板２００の所定の位置にＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が塗布されると、基板２００は、図１６に示す基板搬送ロボット７０３２によってディスペンサステージ２５からピックアップされ、図１７（ａ）、図１７（ｂ）の矢印ａのように、プレヒーティングステージ７０３５の上に搬送され、プレヒーティングステージ７０３５の上に載置される。プレヒーティングステージ７０３５は、その表面に基板２００を吸着固定する。図１７（ｂ）に示すように、プレヒーティングステージ７０３５は、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域７０３５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域７０３５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向下流側の半分より少し大きい領域（加熱領域７０３５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ７０３５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。一方、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域７０３５６に吸着固定されている部分）は、断熱層７０３５４によってヒータ７０３５９の熱が遮断されるので、加熱されず、常温あるいは常温より少し高い程度に保たれる。このため、この領域の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も常温あるいは常温よりも少し高い程度に保持される。

　そして、基板２００の加熱領域７０３５２に吸着固定されている部分の温度が７０℃程度まで上昇したら、基板２００は、図１６に示す基板搬送ロボット７０３２によってプレヒーティングステージ７０３５からピックアップされ、図１７（ｂ）、図１７（ｃ）の矢印ｂのように、実装ステージ７０４５の上に搬送され、実装ステージ７０４５の上に載置される。実装ステージ７０４５は、その表面に基板２００を吸着固定する（第一の吸着（固定）工程）。

　実装ステージ７０４５は、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域７０４５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域７０４５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の搬送方向下流側の半分より少し大きい領域（加熱領域７０４５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ７０４５９によって７０℃程度の温度に保持され、この領域の基板２００に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に保たれる。基板２００の搬送方向上流側の半分より少し小さい領域（非加熱領域７０４５６に吸着固定されている部分）は、断熱層７０４５４によってヒータ７０４５９の熱が遮断され、常温あるいは常温より少し高い程度に保たれ、この領域の基板２００に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も常温あるいは常温より少し高い程度に保持される（第一の加熱工程）。

　先に、図６（ｃ）から図７（ｎ）を参照して説明したように、半導体チップ４００は、ピックアップステージ５５からピックアップされ、反転され、図１６に示す半導体チップ搬送ブロック１１０の搬送路１１１に沿って、実装ブロック７０４０に搬送される。

　そして、図１８（ｄ）の二点鎖線で示すように、実装ツール７０４４１は搬送された半導体チップ４００を吸着面７０４４２に吸着すると、内部に配置されているヒータ（図示せず）によって半導体チップ４００を３００℃程度まで加熱し、図１８（ｃ）の矢印ｃのように、実装ステージ７０４５の加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置に半導体チップ４００を実装する。加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００及び、その領域の基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度は７０℃程度となっているので、３００℃程度に加熱された半導体チップ４００が実装されると、半導体チップ４００の実装面に形成されているバンプ４０１が溶融して基板２００の電極と接合されると共に、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が加熱され、硬化し、半導体チップ４００が基板２００の上に固定、実装される（第一の実装工程）。

　この第一の実装工程においては、基板２００の半導体チップ４００の実装は、図１８（ｃ）の一番右側（Ｘ方向＋側）の列の紙面奥側（Ｙ方向＋側）から紙面手前側（Ｙ方向マイナス側）に向かって行い、図１８（ｃ）に示す一番右側の列の半導体チップ４００の実装が終わったら、図示しないＸＹテーブルによって実装ステージ７０４５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、一番右から二番目の列に半導体チップ４００の実装を行う。以下、一つの列の半導体チップ４００の実装が終了したら、図示しないＸＹテーブルによって実装ステージ７０４５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列の半導体チップ４００の実装を行う。そして、実装ステージ７０４５の加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の全ての所定の位置に半導体チップ４００を実装すると、実装ステージ７０４５での第一の実装工程を終了する。

　この際、実装ステージ７０４５の基板２００の搬送方向（Ｘ方向）の上流側に配置されている非加熱領域７０４５６の部分は、ヒータ４５９からの熱が断熱層４５４によって遮断されているので、常温あるいは常温よりも少し高い程度に保持されており、基板２００及び基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１も常温あるいは常温より少し高い程度に保持されている。したがって、実装ステージ７０４５では、基板２００の搬送方向上流側の半分より少し狭い範囲は、半導体チップ４００を実装している間もＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度が常温あるいは常温より少し高い程度に保たれ、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度の上昇による変質を抑制することができる。

　第一の実装工程が終了したら、図１６に示す基板搬送ロボット７０３２は、実装ステージ７０４５の上から基板２００をピックアップし、基板２００を水平面内（ＸＹ面内）で下流側端（Ｘ方向＋側端）が上流側端（Ｘ方向－側端）となるように、１８０度回転させる。この結果、第一の実装工程で基板２００の上に実装した半導体チップ４００は、搬送方向上流側に位置することになる。そして、基板搬送ロボット７０３２は、図１９（ｅ）の矢印ｄに示すように、プレヒーティングステージ７０３５に向かって基板２００を逆方向に搬送し、その上に、半導体チップ４００が実装されている部分が搬送方向上流側（Ｘ方向－側）で、半導体チップ４００が実装されていない部分を搬送方向下流側（Ｘ方向＋側）となるように基板２００を載置する。プレヒーティングステージ７０３５は、載置された基板２００を吸着固定する（第四の吸着（固定）工程）。

　プレヒーティングステージ７０３５は、先に説明したと同様、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域７０３５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域７０３５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の半導体チップ４００が実装されていない部分（加熱領域７０３５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ７０３５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、図１９（ｅ）に示すように、基板２００の半導体チップ４００が実装されていない部分の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。一方、半導体チップ４００が実装されている部分（非加熱領域７０３５６に吸着固定されている部分）は、断熱層７０３５４によってヒータ７０３５９の熱が遮断されるので、加熱されず、常温あるいは常温より少し高い程度に保たれる。このため、基板２００の半導体チップ４００が実装されている部分はヒータ７０３５９によって加熱されないので、しだいにその温度が低下してくる（第四の加熱工程）。

　そして、基板２００の半導体チップ４００が実装されていない部分（加熱領域７０３５２に吸着固定されている部分）の温度が７０℃程度まで上昇したら、基板２００は、図１６に示す基板搬送ロボット７０３２によってプレヒーティングステージ７０３５からピックアップされ、図１９（ｅ）、図１９（ｆ）の矢印ｅのように、再度、実装ステージ７０４５の上に搬送され、実装ステージ７０４５の上に載置される。この際、基板２００に半導体チップ４００が実装されている部分が搬送方向上流側（Ｘ方向－側）で、基板２００に半導体チップ４００が実装されていない部分が搬送方向下流側（Ｘ方向－側）となるように基板２００を載置する。実装ステージ７０４５は、その表面に基板２００を吸着固定する（第四の吸着（固定）工程）。

　実装ステージ７０４５は、先に説明したと同様、基板２００の搬送方向の下流側に加熱領域７０４５２が配置され、基板２００の搬送方向の上流側に非加熱領域７０４５６が配置された第一タイプ区分ステージであり、基板２００の半導体チップ４００が実装されていない部分（加熱領域７０４５２に吸着固定されている部分）は、ヒータ７０４５９によって７０℃程度になるまで加熱される。これにより、図１９（ｆ）に示すように、基板２００の半導体チップ４００が実装されていない部分の基板２００上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度も７０℃程度に上昇する。一方、半導体チップ４００が実装されている部分（非加熱領域７０４５６に吸着固定されている部分）は、断熱層７０４５４によってヒータ７０４５９の熱が遮断されるので、しだいにその温度が低下してくる（第四の加熱工程）。

　先に、図６（ｃ）から図７（ｎ）を参照して説明したように、半導体チップ４００は、ピックアップステージ５５からピックアップされ、反転され、図１６に示す半導体チップ搬送ブロック１１０の搬送路１１１に沿って、実装ブロック７０４０に搬送される。

　そして、図２０（g）の二点鎖線で示すように、実装ツール７０４４１は搬送された半導体チップ４００を吸着面７０４４２に吸着すると、内部に配置されているヒータ（図示せず）によって半導体チップ４００を３００℃程度まで加熱し、図２０（g）の矢印ｆのように、実装ステージ７０４５の加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の所定の位置に半導体チップ４００を実装する。加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００及び、その領域の基板２００に塗布されているＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１の温度は７０℃程度となっているので、３００℃程度に加熱された半導体チップ４００が実装されると、半導体チップ４００の実装面に形成されているバンプ４０１が溶融して基板２００の電極と接合されると共に、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が加熱され、硬化し、半導体チップ４００が基板２００の上に固定、実装される（第四の実装工程）。

　この第四の実装工程においては、先に説明した第一の実装工程と同様、一つの列の半導体チップ４００の実装が終了したら、図示しないＸＹテーブルによって実装ステージ７０４５を１チップ分Ｘ（＋）方向に移動させ、次の列の半導体チップ４００の実装を行う。そして、実装ステージ７０４５の加熱領域７０４５２の上に吸着固定されている基板２００の部分の全ての所定の位置に半導体チップ４００を実装すると、実装ステージ７０４５での第四の実装工程を終了する。

　第四の実装工程が終了したら、図１６に示す基板搬送ロボット８２は、実装ステージ７０４５の上から基板２００をピックアップし、搬送レール８６の上に移動、載置する。すべての半導体チップ４００の実装が終了して製品となった基板２００は、図示しない搬送装置によって搬送レール８６上を製品格納ブロック９０に搬送される。製品格納ブロック９０の棚に所定の数の基板２００が格納されたら、製品格納ブロック９０の基板２００は、図示しないキュアリング装置に搬送され、例えば、２００℃程度の温度で１時間程度キュアリングされる。これによってＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１は完全に硬化する。

　以上説明したように、本実施形態では、第一タイプ区分ステージ（第一タイプの区分実装ステージ）であるプレヒーティングステージ、実装ステージを１つずつ備えるフリップチップ実装装置７００において、基板２００の向きを反転させることによって、図１から図９を参照して説明した実施形態と同様、従来技術のフリップチップ実装装置に比較して、基板２００の上に塗布されたＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質する前に実装することが可能な半導体チップ４００の数を多くすることができ、ＮＣＰ（非導電性ペースト）２０１が熱によって変質することを抑制しながら、基板２００に多数の半導体チップ４００を実装することができるという効果を奏するものである。

　以上説明した各実施形態は、フリップチップ実装装置を例として説明したが、本発明は、フリップチップ実装装置に限らず、例えば、ダイボンディング装置のような半導体チップを基板に実装する他の形式の実装装置や、ＬＥＤ等の電子部品を基板に取り付けるような電子部品を基板に実装する様々な機器に適用することができる。

　本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲により規定されている本発明の技術的範囲ないし本質から逸脱することない全ての変更及び修正を包含するものである。

　１０　基板供給ブロック、２０　ＮＣＰ塗布ブロック、２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１　フレーム、２２，５３，５６　Ｘ方向ガイド、２３，５２　Ｙ方向ガイド、２４　ディスペンサヘッド、２５　ディスペンサステージ、２６，８６　搬送レール、３０　上流側プレヒーティングブロック、３２，６２，８２　基板搬送ロボット、３３，６３，８３　本体、３４，６４，８４　アーム、３５　上流側プレヒーティングステージ、４０，１４０　上流側実装ブロック、４２，７２　Ｘ方向フレーム、４３，７３　Ｙ方向フレーム、４４　上流側実装ヘッド、４５，１４５　上流側実装ステージ、５０　半導体チップピックアップブロック、５４　ピックアップヘッド、５５　ピックアップステージ、５７　移送ヘッド、６０，１２０　下流側プレヒーティングブロック、６５，１２５　下流側プレヒーティングステージ、７０，１３０，１５０　下流側実装ブロック、７４　下流側実装ヘッド、７５，１３５，１５５　下流側実装ステージ、８０　製品搬出ブロック、９０　製品格納ブロック、１００　基板バイパス搬送ブロック、１０１　上流側プレヒーティングブロックライン、１０２　下流側プレヒーティングブロックライン、１０３　製品搬出ブロックライン、１０４　Ｘ方向搬送ライン、１１０　半導体チップ搬送ブロック、１１１　搬送路、１１２　移送ステージ、１１３　表面、１６０，１７０，１８０　実装ブロック、１６５，１７５，１８５　区分実装ステージ、２００　基板、２０１　ＮＣＰ（非導電性ペースト）、２４１　ディスペンサ、３００　ウェハ、３５１，４５１，６５１，７５１，１２５１，１３５１，７０３５１，７０４５１　基体部、３５２，４５２，６５２，７５２，１２５２，１３５２，１４５２，１５５２，１６５２，１７５２，１８５２，７０３５２，７０４５２　加熱領域、３５３，４５３，６５３，７５３，７０３５３，７０４５３　段部、３５４，４５４，６５４，７５４，７０３５４，７０４５４　断熱層、３５５，４５５，６５５，７５５，７０３５５，７０４５５　断熱スペーサ、３５６，４５６，６５６，７５６，１４５６，１５５６，１６５６，１７５６，１８５６，７０３５６，７０４５６　非加熱領域、３５７，４５７，６５７，７５７，７０３５７，７０４５７　凹部、３５８，４５８，６５８，７５８，１２５８，１３５８，７０３５８，７０４５８　ヒータベース，３５９，４５９，６５９，７５９，１２５９，１３５９，７０３５９，７０４５９　ヒータ、３６０，４６０，６６０，７６０，１２６０，１３６０，７０３６０，７０４６０　中心線、４００　半導体チップ、４０１　バンプ、４０２　表面、４４１　上流側実装ツール、４４２，５４２，５７２，７４２，７０４４２　吸着面，５００，６００，７００　フリップチップ実装装置、５４１　ピックアップコレット、５４３　回転軸、５５１　上面、５７１　移送コレット、７４１　下流側実装ツール、７０３０　プレヒーティングブロック、７０３２　基板搬送ロボット、７０３５　プレヒーティングステージ、７０４０　実装ブロック、７０４５　実装ステージ、７０４４１　実装ツール。

Claims (10)

1. 　電子部品実装装置であって、
   　その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域とに区分された少なくとも１つの区分実装ステージを有し、基板に電子部品の実装を行う電子部品実装装置。
2. 　請求項１に記載の電子部品実装装置であって、
   　前記区分実装ステージは、
   　平面状の段部を有する平板状の基体部と、その表面が前記基体部の表面と同一面となるよう前記段部に重ねあわされた断熱層と、を備え、前記基体部の表面と前記断熱層の表面とに前記基板を固定し、
   　前記加熱領域は、前記基体部の表面であり、
   　前記非加熱領域は、前記断熱層の表面であること、
   　を特徴とする電子部品実装装置。
3. 　請求項１に記載の電子部品実装装置であって、
   　その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域とに区分された第一の区分実装ステージと、
   　前記加熱領域と前記非加熱領域の配置を前記第一の区分実装ステージと反対にした第二の区分実装ステージと、
   　を有することを特徴とする電子部品実装装置。
4. 　請求項２に記載の電子部品実装装置であって、
   　その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域とに区分された第一の区分実装ステージと、
   　前記加熱領域と前記非加熱領域の配置を前記第一の区分実装ステージと反対にした第二の区分実装ステージと、
   　を有することを特徴とする電子部品実装装置。
5. 　請求項１に記載の電子部品実装装置であって、
   　更に、表面に固定した前記基板全体を加熱する少なくとも１つの全体加熱実装ステージを有すること、
   　を特徴とする電子部品実装装置。
6. 　請求項２に記載の電子部品実装装置であって、
   　更に、表面に固定した前記基板全体を加熱する少なくとも１つの全体加熱実装ステージを有すること、
   　を特徴とする電子部品実装装置。
7. 　請求項３に記載の電子部品実装装置であって、
   　更に、表面に固定した前記基板全体を加熱する少なくとも１つの全体加熱実装ステージを有すること、
   　を特徴とする電子部品実装装置。
8. 　電子部品の製造方法であって、
   　その表面に固定した基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された第一の区分実装ステージと、
   　前記加熱領域と前記非加熱領域の配置を前記第一の区分実装ステージと反対にした第二の区分実装ステージと、を有する電子部品実装装置を準備する工程と、
   　前記電子部品実装装置を用いて、前記基板の上の前記各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、
   　前記基板を第一の区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、
   　前記基板の前記第一の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、
   　前記基板の加熱された部分の前記各位置に前記各電子部品を実装する第一の実装工程と、
   　前記基板を第二の区分実装ステージに固定する第二の固定工程と、
   　前記基板の前記第二の区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第二の加熱工程と、
   　前記基板の加熱された部分の前記各位置に前記各電子部品を実装する第二の実装工程と、
   　を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法。
9. 　電子部品の製造方法であって、
   　その表面に固定した前記基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された区分実装ステージと、
   　その表面に固定した前記基板全体を加熱する全体加熱実装ステージと、を有する電子部品実装装置を準備する工程と、
   　前記電子部品実装装置を用いて、前記基板の上の前記各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、
   　前記基板を前記区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、
   　前記基板の前記区分実装ステージの前記加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、
   　前記基板の加熱された部分の前記各位置に前記各電子部品を実装する第一の実装工程と、
   　前記基板を全体加熱実装ステージに固定する第三の固定工程と、
   　前記基板全体を加熱する第三の加熱工程と、
   　前記第一の実装工程で前記電子部品を実装していない前記各位置に前記各電子部品を実装する第三の実装工程と、
   　を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法。
10. 　電子部品の製造方法であって、
    　その表面に固定した前記基板を加熱する加熱領域と、その表面に固定した前記基板を加熱しない非加熱領域と、に区分された区分実装ステージを有する電子部品実装装置を準備する工程と、
    　前記電子部品実装装置を用いて、前記基板の上の前記各電子部品を実装する各位置に非導電性ペーストを塗布するペースト塗布工程と、
    　前記基板を区分実装ステージに固定する第一の固定工程と、
    　前記基板の前記区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第一の加熱工程と、
    　前記基板の加熱された部分の前記各位置に前記各電子部品を実装する第一の実装工程と、
    　前記基板を水平面内で１８０度回転させ、前記第一の実装工程で電子部品が実装されていない領域を前記区分実装ステージの加熱領域に固定する第四の固定工程と、
    　前記基板の前記区分実装ステージの加熱領域上に固定された部分のみを加熱する第四の加熱工程と、
    　前記基板の加熱された部分の前記各位置に前記各電子部品を実装する第四の実装工程と、
    　を有し、基板に複数の電子部品の実装を行う電子部品の製造方法。

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