WO2014132397A1 - モジュール、モジュール組合体及びモジュールの製造方法 - Google Patents

モジュール、モジュール組合体及びモジュールの製造方法 Download PDF

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康亮 池田
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    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Definitions

  • the present invention relates to a module including a plurality of electronic elements, a module assembly, and a method for manufacturing the module.
  • FIG. 7 shows a “6 in 1” mode in which six electronic elements 110 are provided.
  • the present invention can reduce the size and maintain heat dissipation even when a large number of electronic elements are arranged, and further, parasitic inductance and wiring resistance can be maintained.
  • the present invention provides a module and a module combination that can be reduced in size, and a method for manufacturing such a module.
  • the module of the present invention First insulating substrate side having a first insulating substrate, a first conductor layer provided above the first insulating substrate, and a first electronic element provided above the first conductor layer Members, A second insulating substrate side having a second insulating substrate, a second conductor layer provided below the second insulating substrate, and a second electronic element provided below the second conductor layer Members, A sealing material provided between the first insulating substrate and the second insulating substrate; With The first electronic element and the second electronic element are arranged to face each other, The first electronic element and the second electronic element are connected by an element connection conductor column having conductivity.
  • the first electronic element has a first switch element and a first rectifying element
  • the second electronic element has a second switch element and a second rectifier element
  • the element connection conductor pillar has a plurality of element connection conductor pillar units, One of the element connection conductor column units connects the first switch element and the second rectifier element, Another one of the element connection conductor column units may connect the second switch element and the first rectifier element.
  • the first conductor layer has a plurality of first conductor layer units
  • the second conductor layer has a plurality of second conductor layer units
  • the first switch element is provided on one of the first conductor layer units
  • the first rectifying element is provided on another one of the first conductor layer units
  • the second switch element is provided on one of the second conductor layer units
  • the second rectifying element may be provided on another one of the second conductor layer units.
  • the module of the present invention A conductive layer, further comprising a layer connection conductor column connecting the first conductor layer unit and the second conductor layer unit;
  • the layer connection conductor pillar has a plurality of layer connection conductor pillar units, One of the layer connection conductor pillar units connects the first conductor layer unit provided with the first switch element and the second conductor layer unit provided with the second rectifying element, Another one of the layer connection conductor pillar units connects the second conductor layer unit provided with the second switch element and the first conductor layer unit provided with the first rectifier element. Also good.
  • the first switch element and the first rectifying element are connected by a conductive foil having conductivity, or the second switch element and the second rectifying element are connected by a conductive foil having conductivity. Good.
  • the module of the present invention A first control terminal connected to the first switch element; A second control terminal connected to the second switch element; May be further provided.
  • the module of the present invention You may further provide the external terminal connected to said 1st switch element, said 1st rectifier element, said 2nd switch element, or said 2nd rectifier element.
  • Each of the first switch element and the second switch element may be a bipolar transistor.
  • Each of the first rectifying element and the second rectifying element may be a diode.
  • the module of the present invention A first heat dissipating member provided below the first insulating substrate; A second heat dissipating member provided above the second insulating substrate; May be further provided.
  • Each of the first heat radiating member and the second heat radiating member may be a heat radiating foil having thermal conductivity.
  • the module assembly of the present invention is A power module for controlling power; A control module for controlling the power module; With The power module is a module according to the present invention described above, The module assembly is provided below the first insulating substrate or above the second insulating substrate of the power module.
  • the module manufacturing method of the present invention includes: First insulating substrate side having a first insulating substrate, a first conductor layer provided above the first insulating substrate, and a first electronic element provided above the first conductor layer Preparing a member; A second insulating substrate side having a second insulating substrate, a second conductor layer provided above the second insulating substrate, and a second electronic element provided above the second conductor layer Preparing a member; After the upper and lower sides of the second insulating substrate are turned upside down, the first electronic element and the second electronic element are arranged to face each other, and the first electronic element and the second electronic element are made conductive.
  • a step of connecting with an element connection conductor pillar having, Injecting and arranging a sealing material between the first insulating substrate and the second insulating substrate; Is provided.
  • the first insulating substrate side including the first insulating substrate, the first conductor layer provided on the first insulating substrate, and the first electronic element provided on the first conductor layer.
  • a second insulating substrate side member having a member, a second insulating substrate, a second conductor layer provided on the second insulating substrate, and a second electronic element provided on the second conductor layer; Is provided.
  • electronic elements can be arranged on both the first insulating substrate side member and the second insulating substrate side member, and many electronic elements can be arranged in a small space.
  • the heat of the first electronic element can be radiated mainly from the first insulating substrate side and the heat of the second electronic element can be radiated mainly from the second insulating substrate side, high heat dissipation can be realized. it can.
  • first electronic element and the second electronic element are arranged to face each other, and the first electronic element and the second electronic element are connected by an element connection conductor column having conductivity. For this reason, the first electronic element and the second electronic element can be positioned at a close distance, and the first electronic element and the second electronic element are connected by an element connecting conductor column having a lower electrical resistance than the wire. Therefore, parasitic inductance and wiring resistance can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a module according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view showing a state where the control module is not mounted in the module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic side view of a mode in which a sealing material is provided on the module shown in FIG. 2 as viewed from the side.
  • FIG. 4A is a schematic perspective view showing a first insulating substrate side member in the module according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a second insulating substrate side member. It is the schematic perspective view which showed.
  • FIG. 5 is a diagram showing a circuit used in the module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a circuit used in the module according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6A is a schematic perspective view showing the first insulating substrate side member in the module according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 6B is the second insulating substrate side member. It is the schematic perspective view which showed.
  • FIG. 7 is a schematic perspective view showing a conventional module.
  • FIG. 1 to FIG. 5 are diagrams for explaining a first embodiment of the present invention.
  • the module assembly 100 of the present embodiment includes a power module 1 that controls electric power and a control module 90 that controls the power module 1.
  • the module assembly 100 of this Embodiment is an inverter module, for example.
  • a control module 90 is provided on the upper surface (above) of a second insulating substrate 61 (described later) of the power module 1.
  • a control module 90 is provided in the lower surface (downward) of the 1st insulating board
  • the power module 1 includes a first insulating substrate 11, a first conductor layer 12 provided above the first insulating substrate 11, and a first conductor.
  • a first insulating substrate side member 10 having first electronic elements 31a and 32a provided above the layer 12 is provided.
  • the power module 1 includes a second insulating substrate 61, a second conductor layer 62 provided above the second insulating substrate 61, and a second conductor layer 62.
  • a second insulating substrate side member 60 having second electronic elements 31b and 32b provided above is provided.
  • the final power module 1 is used.
  • the configuration in is shown upside down. That is, in the final power module 1, the second conductor layer 62 is provided below the second insulating substrate 61, and the second electronic elements 31b and 32b are provided below the second conductor layer 62 ( 2 and 3).
  • the left and right symmetry (the straight line A 1 -A 1 in FIG. 4A and the straight line A in FIG. 2 -A 2 ).
  • Examples of the material of the first insulating substrate 11 and the second insulating substrate 61 include ceramic. Moreover, copper can be mentioned as a material of the 1st conductor layer 12 and the 2nd conductor layer 62, for example.
  • the sealing material 80 which consists of resin materials etc. is provided between the 1st insulating board
  • the sealing material 80 is indicated by “dotted line”.
  • the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b are arranged to face each other. Then, the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b are connected by the element connection conductor column 51 that has conductivity and is linear and extends in the vertical direction.
  • the element connection conductor column 51 that has conductivity and is linear and extends in the vertical direction.
  • copper can be mentioned, for example.
  • the element connection conductor pillar 51 can be formed with copper foil thicker than conductor foil 54a, 54b mentioned later.
  • the first electronic elements 31a and 32a include a first switch element 31a and a first rectifying element 32a.
  • the 2nd electronic elements 31b and 32b have the 2nd switch element 31b and the 2nd rectifier 32b.
  • the first switch element 31a and the second rectifying element 32b are opposed to each other, and the second switch element 31b and the first rectifying element 32a are opposed to each other.
  • the element connection conductor column 51 includes a plurality of element connection conductor column units 51a and 51b.
  • element connection conductor pillar unit 51a which is one of element connection conductor pillar units 51a and 51b connects the 1st switch element 31a and the 2nd rectifier 32b, and among element connection conductor pillar units 51a and 51b An element connection conductor column unit 51b which is another one of the second switch element 31b and the first rectifying element 32a is connected.
  • the switch elements 31a and 31b used in the present embodiment are each composed of, for example, a bipolar transistor.
  • the rectifying elements 32a and 32b used in the present embodiment that is, each of the first rectifying element 32a and the second rectifying element 32b is formed of, for example, a diode.
  • the first conductor layer 12 includes a plurality of first conductor layer units 12a-12d.
  • the second conductor layer 62 also includes a plurality of second conductor layer units 62a-62c.
  • a first switch element 31a is provided on the first conductor layer unit 12b, which is one of the first conductor layer units 12a-12d, and the first conductor layer unit
  • the first rectifying element 32a is provided on the first conductor layer unit 12a which is another one of 12a-12d. Further, as shown in FIG.
  • a second switch element 31b is provided on the second conductor layer unit 62b which is one of the second conductor layer units 62a-62c, and the second conductor layer unit
  • the second rectifying element 32b is provided on the second conductor layer unit 62a which is another one of 62a-62c.
  • the power module 1 of the present embodiment further includes a layer connection conductor column 52 that connects the first conductor layer units 12a and 12b and the second conductor layer units 62a and 62b.
  • the layer connection conductor pillar 52 has electroconductivity and can mention copper as the material, for example.
  • the layer connection conductor pillar 52 can be formed of a copper foil having substantially the same thickness as the element connection conductor pillar 51.
  • the layer connection conductor pillar 52 has a plurality of layer connection conductor pillar units 52a and 52b.
  • a layer connection conductor column unit 52b which is one of the layer connection conductor column units 52a and 52b, is provided in the second conductor layer unit 62a, and the second conductor layer unit 62a The first conductor layer unit 12b is connected.
  • a layer connection conductor column unit 52a which is another one of the layer connection conductor column units 52a and 52b is provided in the first conductor layer unit 12a, and the first conductor The layer unit 12a and the second conductor layer unit 62b are connected.
  • the second switch element 31b and the second rectifying element 32b are connected via the conductor foil 53 and the second conductor layer unit 62a.
  • the conductor foil 53 is made of, for example, copper foil having conductivity.
  • the conductor foil 53 of the present embodiment is integrated with the element connection conductor column unit 51b, extends laterally from the side wall of the element connection conductor column unit 51b, and is connected to the second conductor layer unit 62a.
  • a first control terminal 56a is connected to the first switch element 31a via a conductor foil 54a and a first conductor layer unit 12d.
  • a second control terminal 56b is connected to the two switch element 31b via a second conductor layer unit 62b, a conductor foil 54b, and a conductor layer unit 62c.
  • external terminals 81-83 are connected to each of the first switch element 31a, the first rectifier element 32a, the second switch element 31b, and the second rectifier element 32b. ing. More specifically, an external terminal 81 is connected to the first rectifying element 32a via the first conductor layer unit 12a. An external terminal 82 is connected to the second rectifying element 32b through a second conductor layer unit 62a. An external terminal 83 is connected to the first switch element 31a via an element connection conductor column unit 51a, a conductor foil 55, and a first conductor layer unit 12c.
  • the conductor foil 55 of the present embodiment is integrated with the element connection conductor column unit 51a, extends laterally from the side wall of the element connection conductor column unit 51a, and is connected to the first conductor layer unit 12c.
  • a planar first heat radiation member 71 having thermal conductivity is provided below the first insulating substrate 11. Further, a planar second heat radiation member 72 having thermal conductivity is provided above the second insulating substrate 61.
  • a material of the 1st heat radiating member 71 and the 2nd heat radiating member 72 copper can be mentioned, for example.
  • each of the 1st heat radiating member 71 and the 2nd heat radiating member 72 can also be made into heat radiating foil, for example, can be used as copper foil.
  • the control module 90 is provided on the upper surface of the second heat radiation member 72 made of copper foil or the like.
  • the first insulating substrate side member 10 and the second insulating substrate side member 60 are prepared.
  • the first insulating substrate side member 10 is a first insulating substrate 11 and a first insulating substrate 11 provided above the first insulating substrate 11.
  • the first switch element 31a provided above the first conductor layer unit 12b which is one of the conductor layer units 12a-12d, the first conductor layer units 12a-12d, and the first conductor layer units 12a-12d
  • a first rectifying element 32a provided above the first conductor layer unit 12a which is another one of the above, an element connection conductor column unit 51a provided above the first switch element 31a, and a first conductor A layer connection conductor column unit 52a provided above the layer unit 12a and a first heat radiating member 71 provided below the first insulating substrate 11 are provided.
  • the second insulating substrate side member 60 includes a second insulating substrate 61 and second conductor layer units 62a-62c provided above the second insulating substrate 61.
  • a second switch element 31b provided above the second conductor layer unit 62b, which is one of the second conductor layer units 62a-62c, and another one of the second conductor layer units 62a-62c.
  • a second rectifying element 32b provided above the second conductor layer unit 62a, an element connecting conductor column unit 51b provided above the second switch element 31b, and above the second conductor layer unit 62a. It has the provided layer connection conductor column unit 52b and the second heat radiating member 72 provided below the second insulating substrate 61.
  • the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b are arranged to face each other (see FIGS. 2 and 3). . More specifically, it arrange
  • the first switch element 31a and the second rectifier element 32b are connected by the element connection conductor column unit 51a provided in the first switch element 31a, and the second switch element 31b is connected to the first rectifier element 32a. It connects by the element connection conductor pillar unit 51b provided in 31b.
  • the first conductor layer unit 12b and the second conductor layer unit 62a are connected by the layer connection conductor pillar unit 52b provided in the second conductor layer unit 62a, and the first conductor layer unit 12a and the second conductor layer are connected.
  • the unit 62b is connected by the layer connection conductor column unit 52a provided in the first conductor layer unit 12a.
  • the sealing material 80 is injected and arranged between the first insulating substrate 11 and the front second insulating substrate 61 (see FIG. 3).
  • the power module 1 according to the present embodiment is manufactured.
  • module assembly 100 can be manufactured by providing the control module 90 in the upper surface (upper) of the 2nd heat radiating member 72 of the power module 1 in the aspect as shown in FIG.
  • the electronic elements 31a, 31b, 32a, 32b are arranged on both the first insulating substrate side member 10 and the second insulating substrate side member 60, and these electronic elements 31a, 31b, Since the sealing material 80 is provided so as to cover 31b, 32a, and 32b, a large number of electronic elements 31a, 31b, 32a, and 32b can be arranged in a small space and without so much thickness. .
  • the heat of the first electronic elements 31a and 32a is mainly radiated from the first insulating substrate 11 side, and the heat of the second electronic elements 31b and 32b is mainly dissipated from the second insulating substrate 61 side. Therefore, high heat dissipation can be realized.
  • the heat of the electronic element 110 provided in a flat shape can be released only from one surface such as the back surface (see FIG. 7), and the heat dissipation is not sufficient.
  • the heat from the first electronic elements 31a and 32a provided on the first insulating substrate 11 side is radiated mainly from the first insulating substrate 11 side
  • the second Since heat from the second electronic elements 31b and 32b provided on the insulating substrate 61 side is radiated mainly from the second insulating substrate 61 side, high heat dissipation can be realized.
  • the heat from the first electronic elements 31a and 32a is radiated from the second insulating substrate 61 side via the element connection conductor column 51, and the second electronic elements 31b and 32b.
  • This heat can also be radiated from the first insulating substrate 11 side through the element connection conductor column 51 and the layer connection conductor column 52.
  • first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b are arranged to face each other, and the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b have conductivity. 51 (see FIGS. 2 and 3).
  • the first electronic elements 31a and 32a can be positioned at a short distance from the first electronic elements 31a and 32a, and the first electronic elements 31a and 32a are formed by the element connection conductor column 51 having a lower electrical resistance than the wires.
  • the second electronic elements 31b and 32b can be connected, so that parasitic inductance and wiring resistance can be reduced.
  • the first electronic elements 31a, 32a and the second electronic elements 31b, 32b are arranged to face each other, and the first electronic elements 31a, 32a and the second electronic elements 31b, 32b can be positioned at a short distance, and the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b can be connected by the element connection conductor column 51 instead of the wire. For this reason, the parasitic inductance and the wiring resistance can be reduced as compared with the conventional one.
  • the first switch element 31a and the second rectifier element 32b are opposed to each other, and the second switch element 31b and the first rectifier element 32a are opposed to each other (FIG. 2 to FIG. 4A). (See (b)).
  • the element connecting conductor column unit 51a connects the first switch element 31a and the second rectifying element 32b, and the element connecting conductor column unit 51b connects the second switch element 31b and the first rectifying element 32a.
  • heat generated from a switch element such as a bipolar transistor is larger than heat generated from a rectifying element such as a diode.
  • the first switch element 31a that generates a relatively large amount of heat and the second rectifying element 32b that generates a relatively small amount of heat are close in the vertical direction, and the second switch that generates a relatively large amount of heat.
  • the element 31b and the first rectifying element 32a that generates a relatively small amount of heat are brought close to each other in the vertical direction. For this reason, it can avoid that switch element 31a, 31b with a large heat_generation
  • the thicknesses of the element connection conductor column units 51a and 51b that connect the first electronic elements 31a and 32a and the second electronic elements 31b and 32b are in the same plane as the first switch element 31a and the second electronic element 31b. It is thicker than the conductive foil 53 connecting the one rectifying element 32a and the second switch element 31b and the second rectifying element 32b. For this reason, the thermal conductivity of the element connection conductor column units 51 a and 51 b can be made higher than the thermal conductivity of the conductor foil 53.
  • the first switch element 31a that generates a relatively large amount of heat is opposed to the second rectifying element 32b that generates a relatively small amount of heat, and the second switch element 31b that generates a relatively large amount of heat and the heat generation that is relatively small. It is important to make the first rectifying element 32a face each other.
  • left and right symmetry (straight line A 1 -A 1 in FIG. 4A and straight line A 2 -A 2 in FIG. 4B). Since the arrangement structure is symmetrical), the heat can be radiated in a balanced manner with left-right symmetry.
  • the first switch element 31a is provided on the first conductor layer unit 12b, and the first rectifier element 32a is provided on the first conductor layer unit 12a.
  • the second switch element 31b is provided on the second conductor layer unit 62b, and the second rectifier element 32b is provided on the second conductor layer unit 62a.
  • the layer connection conductor column unit 52b connects the first conductor layer unit 12b and the second conductor layer unit 62a, and the layer connection conductor column unit 52a connects the second conductor layer unit 62b and the first conductor layer unit 12a. is doing. For this reason, as shown in FIG. 5, the first switch element 31a (bipolar transistor in FIG. 5) and the second rectifier element 32b (diode in FIG.
  • FIG. 5 the left side is the U phase and the right side is the V phase.
  • each of the first switch element 31a and the second switch element 31b is an NPN bipolar transistor, and the collector side terminal of the NPN bipolar transistor is connected to the cathode side terminal of the diode.
  • a terminal on the emitter side is connected to a terminal on the anode side of the diode.
  • the first switch element 31a and the first rectifying element 32a are connected not by the wire but by the conductor foil 53, and the second switch element 31b and the second rectifying element 32b are not the wire but the conductor foil 53. Connected with. For this reason, wiring resistance and a parasitic inductance can be made small and by extension, heat_generation
  • the first control element 56a is connected to the first switch element 31a, and the second control terminal 56b is connected to the second switch element 31b. Therefore, the first control terminal 56a and the second control terminal 56b can function as the bases of the switch elements (bipolar transistors) 31a and 31b as shown in FIG.
  • the external terminal 81 is connected to the first rectifying element 32a, the external terminal 82 is connected to the second rectifying element 32b, and the external terminal 83 is connected to the first switch element 31a.
  • the external terminal 81 can function as a collector, and the external terminal 83 can function as an emitter.
  • the external terminal 82 can function as an intermediate terminal.
  • heat can be radiated through each of the first control terminal 56a, the second control terminal 56b, and the external terminals 81-83, and the first insulating substrate 11 and the second insulating substrate 61 can be radiated.
  • the heat can be radiated not only from the normal direction of the surface but also in the direction in which these surfaces extend (hereinafter referred to as “in-plane direction”).
  • in-plane direction since the conductive foil 53 is used in the present embodiment, the thermal conductivity in the in-plane direction is also high. Therefore, it is very beneficial to be able to dissipate heat from each of the first control terminal 56a, the second control terminal 56b, and the external terminals 81-83 in this way.
  • substrate 61 is mainly performed in the range below 45 degree
  • the heat radiation in the in-plane direction according to the present embodiment is mainly performed in a range other than the 45 degree range, so that the heat radiation efficiency is high.
  • the first heat radiating member 71 is provided below the first insulating substrate 11, and the second heat radiating member 72 is provided above the second insulating substrate 61. For this reason, both the heat dissipation in the normal direction of the surface of the first insulating substrate 11 and the heat dissipation in the normal direction of the surface of the second insulating substrate 61 can be further enhanced.
  • the electronic elements 31a, 31b, 32a, 32b can be arranged on both the first insulating substrate side member 10 and the second insulating substrate side member 60, and many electronic elements 31a, 31b, 32a can be provided in a small space. 32b can be arranged.
  • the heat of the first electronic elements 31a and 32a can be dissipated mainly from the first insulating substrate 11 side
  • the heat of the second electronic elements 31b and 32b can be dissipated mainly from the second insulating substrate 61 side. High heat dissipation can be realized.
  • first electronic elements 31a, 32a and the second electronic elements 31b, 32b can be positioned at a close distance, and the first electronic elements 31a, 32a are connected to the first electronic elements 31a, 32a by the element connection conductor column 51 having a lower electrical resistance than the wires. Since the second electronic elements 31b and 32b can be connected, parasitic inductance and wiring resistance can be reduced.
  • first switch element 31a that generates a relatively large amount of heat and the second rectifier element 32b that generates a relatively small amount of heat are opposed to each other, and the second switch element 31b that generates a relatively large amount of heat and the first rectifier element that generates a relatively small amount of heat. Since 32a is made to oppose, it can avoid that the switch elements 31a and 31b with large heat_generation
  • the wiring resistance and the parasitic inductance are reduced. And, in turn, heat generation can be suppressed.
  • by reducing the wiring resistance and parasitic inductance in this way it is possible to make it less susceptible to noise during the switching operation.
  • heat can be radiated through each of the first control terminal 56a, the second control terminal 56b, and the external terminals 81-83. Therefore, heat can be radiated not only from the normal direction of the surfaces of the first insulating substrate 11 and the second insulating substrate 61 but also from the in-plane direction of the first insulating substrate 11 and the second insulating substrate 61. it can.
  • the heat radiating property and the second insulating property in the normal direction of the surface of the first insulating substrate 11 are provided. Both heat dissipation properties in the normal direction of the surface of the substrate 61 can be further enhanced.

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Abstract

　モジュールは、第一絶縁性基板１１と、第一絶縁性基板１１の上方に設けられた第一導体層１２と、第一導体層１２の上方に設けられた第一電子素子３１ａ，３２ａと、を有する第一絶縁性基板側部材１０と、第二絶縁性基板６１と、第二絶縁性基板６１の下方に設けられた第二導体層６２と、前記第二導体層６２の下方に設けられた第二電子素子３１ｂ，３２ｂと、を有する第二絶縁性基板側部材６０と、前記第一絶縁性基板１１と前記第二絶縁性基板６１との間に設けられた封止材８０と、を備えている。第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとは対向して配置されている。第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとは導電性を有する素子接続導体柱５１で接続されている。

Description

モジュール、モジュール組合体及びモジュールの製造方法
　本発明は、複数の電子素子を備えたモジュール、モジュール組合体及びモジュールの製造方法に関する。
　従来から、一つの平面にトランジスタやダイオード等の電子素子を配置し、これらの電子素子の両面を電極で挟んだモジュールが知られている（例えば特許文献１参照）。このようなモジュールにおいて高出力を得るために、電子素子１１０のサイズを大きくしたり電子素子１１０の数を多くしたりすることが試みられている（２ｉｎ１、４ｉｎ１、６ｉｎ１等）（図７参照）。
　しかしながら、他方ではモジュールの小型化が求められており、上述したように大きなサイズの電子素子１１０を用いたり多くの電子素子１１０を用いたりしつつもモジュールの大きさを小型化しようとすると、放熱性が低下してしまい、モジュールが熱暴走する可能性がある。
　また、多くの電子素子１１０を用いた際に、ワイヤ１２０等で電子素子１１０の間を接続した場合には（図７参照）、ワイヤ１２０の長さが長くなってしまう箇所があり、寄生インダクタンスや配線抵抗が大きくなってしまう。ちなみに、図７では、６つの電子素子１１０が設けられている「６ｉｎ１」の態様が示されている。
特開２００５－７３３４２号
　以上のような点に鑑み、本発明は、多くの電子素子を配置した場合であっても、大きさを小さくし、かつ、放熱性を維持することができ、さらには、寄生インダクタンスや配線抵抗が小さくすることができるモジュール及びモジュール組合体と、このようなモジュールの製造方法を提供する。
　本発明のモジュールは、
　第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板の上方に設けられた第一導体層と、前記第一導体層の上方に設けられた第一電子素子と、を有する第一絶縁性基板側部材と、
　第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板の下方に設けられた第二導体層と、前記第二導体層の下方に設けられた第二電子素子と、を有する第二絶縁性基板側部材と、
　前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に設けられた封止材と、
　を備え、
　前記第一電子素子と前記第二電子素子とが対向して配置され、
　前記第一電子素子と前記第二電子素子とが導電性を有する素子接続導体柱で接続されている。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一電子素子は、第一スイッチ素子と第一整流素子とを有し、
　前記第二電子素子は、第二スイッチ素子と第二整流素子とを有し、
　前記素子接続導体柱は複数の素子接続導体柱ユニットを有し、
　前記素子接続導体柱ユニットのうちの一つが、前記第一スイッチ素子と前記第二整流素子とを接続し、
　前記素子接続導体柱ユニットのうちの別の一つが、前記第二スイッチ素子と前記第一整流素子とを接続してもよい。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一導体層は複数の第一導体層ユニットを有し、
　前記第二導体層は複数の第二導体層ユニットを有し、
　前記第一導体層ユニットのうちの一つの上に前記第一スイッチ素子が設けられ、
　前記第一導体層ユニットのうちの別の一つの上に前記第一整流素子が設けられ、
　前記第二導体層ユニットのうちの一つの上に前記第二スイッチ素子が設けられ、
　前記第二導体層ユニットのうちの別の一つの上に前記第二整流素子が設けられてもよい。
　本発明のモジュールは、
　導電性を有し、前記第一導体層ユニットと前記第二導体層ユニットとを接続する層接続導体柱をさらに備え、
　前記層接続導体柱は複数の層接続導体柱ユニットを有し、
　前記層接続導体柱ユニットのうちの一つが、前記第一スイッチ素子が設けられた前記第一導体層ユニットと前記第二整流素子が設けられた前記第二導体層ユニットとを接続し、
　前記層接続導体柱ユニットのうちの別の一つが、前記第二スイッチ素子が設けられた前記第二導体層ユニットと前記第一整流素子が設けられた前記第一導体層ユニットとを接続してもよい。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一スイッチ素子と前記第一整流素子とが導電性を有する導体箔で接続される、又は、前記第二スイッチ素子と前記第二整流素子とが導電性を有する導体箔で接続されてもよい。
　本発明のモジュールは、
　前記第一スイッチ素子に接続された第一制御端子と、
　前記第二スイッチ素子に接続された第二制御端子と、
　をさらに備えてもよい。
　本発明のモジュールは、
　前記第一スイッチ素子、前記第一整流素子、前記第二スイッチ素子又は前記第二整流素子に接続された外部端子をさらに備えてもよい。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子の各々がバイポーラトランジスタであってもよい。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一整流素子及び前記第二整流素子の各々がダイオードであってもよい。
　本発明のモジュールは、
　前記第一絶縁性基板の下方に設けられた第一放熱部材と、
　前記第二絶縁性基板の上方に設けられた第二放熱部材と、
　をさらに備えてもよい。
　本発明のモジュールにおいて、
　前記第一放熱部材及び前記第二放熱部材の各々は、熱伝導性を有する放熱箔であってもよい。
　本発明のモジュール組合体は、
　電力を制御するパワーモジュールと、
　前記パワーモジュールを制御する制御モジュールと、
　を備え、
　前記パワーモジュールは上述した本発明によるモジュールであり、
　前記パワーモジュールの前記第一絶縁性基板の下方又は前記第二絶縁性基板の上方に設けられることを特徴とするモジュール組合体。
　本発明のモジュールの製造方法は、
　第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板の上方に設けられた第一導体層と、前記第一導体層の上方に設けられた第一電子素子と、を有する第一絶縁性基板側部材を準備する工程と、
　第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板の上方に設けられた第二導体層と、前記第二導体層の上方に設けられた第二電子素子と、を有する第二絶縁性基板側部材を準備する工程と、
　前記第二絶縁性基板の上下を反転させたうえで、前記第一電子素子と前記第二電子素子とを対向して配置し、前記第一電子素子と前記第二電子素子とを導電性を有する素子接続導体柱で接続する工程と、
　前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に封止材を注入して配置する工程と、
　を備える。
　本発明によれば、第一絶縁性基板と、第一絶縁性基板に設けられた第一導体層と、第一導体層に設けられた第一電子素子と、を有する第一絶縁性基板側部材と、第二絶縁性基板と、第二絶縁性基板に設けられた第二導体層と、第二導体層に設けられた第二電子素子と、を有する第二絶縁性基板側部材と、が設けられている。このため、第一絶縁性基板側部材と第二絶縁性基板側部材の両方に電子素子を配置することができ、小さなスペースで多くの電子素子を配置することができる。
　また、第一電子素子の熱を主として第一絶縁性基板側から放熱し、第二電子素子の熱を主として第二絶縁性基板側から放熱することができるので、高い放熱性を実現することができる。
　また、第一電子素子と第二電子素子とが対向して配置され、第一電子素子と第二電子素子とが導電性を有する素子接続導体柱で接続されている。このため、第一電子素子と第二電子素子とを近い距離に位置づけることができ、かつ、ワイヤと比べ電気抵抗の低い素子接続導体柱で第一電子素子と第二電子素子とを接続することができるので、寄生インダクタンスや配線抵抗が小さくすることができる。
図１は、本発明の第１の実施の形態によるモジュールを示した概略斜視図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態によるモジュールにおいて制御モジュールを搭載していない状態を示した概略斜視図である。 図３は、図２に示したモジュールに封止材を設けた態様を側方から見た概略側方図である。 図４（ａ）は、本発明の第１の実施の形態によるモジュールにおいて、第一絶縁性基板側部材を示した概略斜視図であり、図４（ｂ）は、第二絶縁性基板側部材を示した概略斜視図である。 図５は、本発明の第１の実施の形態によるモジュールで用いられている回路を示した図である。 図６（ａ）は、本発明の第２の実施の形態によるモジュールにおいて、第一絶縁性基板側部材を示した概略斜視図であり、図６（ｂ）は、第二絶縁性基板側部材を示した概略斜視図である。 図７は、従来のモジュールを示した概略斜視図である。
第１の実施の形態
《構成》
　以下、本発明に係るモジュール、モジュール組合体及びモジュールの製造方法の第１の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図５は本発明の第１の実施の形態を説明するための図である。
　図１に示すように、本実施の形態のモジュール組合体１００は、電力を制御するパワーモジュール１と、パワーモジュール１を制御する制御モジュール９０と、を備えている。なお、本実施の形態のモジュール組合体１００は例えばインバータモジュールである。
　本実施の形態では、図１に示すように、パワーモジュール１の第二絶縁性基板６１（後述する）の上面（上方）に制御モジュール９０が設けられている。図１では、このような態様となっているが、これに限られることはなく、パワーモジュール１の第一絶縁性基板１１（後述する）の下面（下方）に制御モジュール９０が設けられてもよい。
　本実施の形態では、以下、４つの電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが設けられている「４ｉｎ１」の態様を用いて説明する。
　本実施の形態のパワーモジュール１は、図４（ａ）に示すように、第一絶縁性基板１１と、第一絶縁性基板１１の上方に設けられた第一導体層１２と、第一導体層１２の上方に設けられた第一電子素子３１ａ，３２ａと、を有する第一絶縁性基板側部材１０を備えている。また、パワーモジュール１は、図４（ｂ）に示すように、第二絶縁性基板６１と、第二絶縁性基板６１の上方に設けられた第二導体層６２と、第二導体層６２の上方に設けられた第二電子素子３１ｂ，３２ｂと、を有する第二絶縁性基板側部材６０を備えている。
　なお、図４（ｂ）では、第二絶縁性基板側部材６０が第一絶縁性基板側部材１０に貼り合わされる前であることから（図２及び図３参照）、最終的なパワーモジュール１における構成とは上下方向が逆転して示されている。すなわち、最終的なパワーモジュール１では、第二絶縁性基板６１の下方に第二導体層６２が設けられ、第二導体層６２の下方に第二電子素子３１ｂ，３２ｂが設けられることとなる（図２及び図３参照）。
　ちなみに、本実施の形態のパワーモジュール１では、図４（ａ）（ｂ）に示されるように、左右対称（図４（ａ）の直線Ａ１－Ａ１及び図４（ｂ）の直線Ａ２－Ａ２に対して対称）の配置構造となっている。
　第一絶縁性基板１１及び第二絶縁性基板６１の材料としては例えばセラミックを挙げることができる。また、第一導体層１２及び第二導体層６２の材料としては例えば銅を挙げることができる。
　そして、図３に示すように、第一絶縁性基板１１と第二絶縁性基板６１との間には樹脂材料等からなる封止材８０が設けられている。なお、図３では「点線」で封止材８０が示されている。
　第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとは対向して配置されることとなる。そして、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとが、導電性を有し直線状で上下方向に延びた素子接続導体柱５１で接続されることとなる。なお、素子接続導体柱５１の材料としては例えば銅を挙げることができる。そして、後述する導体箔５４ａ，５４ｂと比較して厚みの厚い銅箔で素子接続導体柱５１を形成することができる。
　図４（ａ）に示すように、第一電子素子３１ａ，３２ａは、第一スイッチ素子３１ａと第一整流素子３２ａとを有している。また、図４（ｂ）に示すように、第二電子素子３１ｂ，３２ｂは、第二スイッチ素子３１ｂと第二整流素子３２ｂとを有している。そして、パワーモジュール１では、第一スイッチ素子３１ａと第二整流素子３２ｂとが対向され、かつ、第二スイッチ素子３１ｂと第一整流素子３２ａとが対向されて配置される。また、素子接続導体柱５１は複数の素子接続導体柱ユニット５１ａ，５１ｂを有している。そして、素子接続導体柱ユニット５１ａ，５１ｂのうちの一つである素子接続導体柱ユニット５１ａが第一スイッチ素子３１ａと第二整流素子３２ｂとを接続し、素子接続導体柱ユニット５１ａ，５１ｂのうちの別の一つである素子接続導体柱ユニット５１ｂが第二スイッチ素子３１ｂと第一整流素子３２ａとを接続している。
　本実施の形態で用いられるスイッチ素子３１ａ，３１ｂ、つまり第一スイッチ素子３１ａ及び第二スイッチ素子３１ｂの各々は例えばバイポーラトランジスタからなっている。また、本実施の形態で用いられる整流素子３２ａ，３２ｂ、つまり第一整流素子３２ａ及び第二整流素子３２ｂの各々は例えばダイオードからなっている。
　図４（ａ）に示すように、第一導体層１２は複数の第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄを有している。また、図４（ｂ）に示すように、第二導体層６２も複数の第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃを有している。そして、図４（ａ）に示すように、第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄのうちの一つである第一導体層ユニット１２ｂの上に第一スイッチ素子３１ａが設けられ、第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄのうちの別の一つである第一導体層ユニット１２ａの上に第一整流素子３２ａが設けられている。また、図４（ｂ）に示すように、第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃのうちの一つである第二導体層ユニット６２ｂの上に第二スイッチ素子３１ｂが設けられ、第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃのうちの別の一つである第二導体層ユニット６２ａの上に第二整流素子３２ｂが設けられている。
　本実施の形態のパワーモジュール１は、第一導体層ユニット１２ａ，１２ｂと第二導体層ユニット６２ａ，６２ｂとを接続する層接続導体柱５２もさらに備えている。なお、層接続導体柱５２は導電性を有しており、その材料としては例えば銅を挙げることができる。そして、例えば素子接続導体柱５１とほぼ同じ厚みからなる銅箔で層接続導体柱５２を形成することができる。
　層接続導体柱５２は複数の層接続導体柱ユニット５２ａ，５２ｂを有している。図４（ｂ）に示すように、層接続導体柱ユニット５２ａ，５２ｂのうちの一つである層接続導体柱ユニット５２ｂが第二導体層ユニット６２ａに設けられ、当該第二導体層ユニット６２ａと第一導体層ユニット１２ｂとを接続している。また、図４（ａ）に示すように、層接続導体柱ユニット５２ａ，５２ｂのうちの別の一つである層接続導体柱ユニット５２ａが第一導体層ユニット１２ａに設けられ、当該第一導体層ユニット１２ａと第二導体層ユニット６２ｂとを接続している。
　図４（ｂ）に示すように、本実施の形態では、第二スイッチ素子３１ｂと第二整流素子３２ｂとが導体箔５３及び第二導体層ユニット６２ａを介して接続されている。この導体箔５３は、導電性を有する例えば銅箔等から形成されている。ちなみに、本実施の形態の導体箔５３は、素子接続導体柱ユニット５１ｂと一体となり、素子接続導体柱ユニット５１ｂの側壁から側方に延びて、第二導体層ユニット６２ａに接続されている。
　図４（ａ）に示すように、第一スイッチ素子３１ａには導体箔５４ａ及び第一導体層ユニット１２ｄを介して第一制御端子５６ａが接続され、図４（ｂ）に示すように、第二スイッチ素子３１ｂには第二導体層ユニット６２ｂ、導体箔５４ｂ及び導体層ユニット６２ｃを介して第二制御端子５６ｂが接続されている。
　また、図４（ａ）（ｂ）に示すように、第一スイッチ素子３１ａ、第一整流素子３２ａ、第二スイッチ素子３１ｂ及び第二整流素子３２ｂの各々には外部端子８１－８３が接続されている。より具体的には、第一整流素子３２ａには第一導体層ユニット１２ａを介して外部端子８１が接続されている。第二整流素子３２ｂには第二導体層ユニット６２ａを介して外部端子８２が接続されている。第一スイッチ素子３１ａには素子接続導体柱ユニット５１ａ、導体箔５５及び第一導体層ユニット１２ｃを介して外部端子８３が接続されている。ちなみに、本実施の形態の導体箔５５は、素子接続導体柱ユニット５１ａと一体となり、素子接続導体柱ユニット５１ａの側壁から側方に延びて、第一導体層ユニット１２ｃに接続されている。
　本実施の形態では、図２及び図３に示すように、第一絶縁性基板１１の下方に、熱伝導性を有する平面状の第一放熱部材７１が設けられている。また、第二絶縁性基板６１の上方に、熱伝導性を有する平面状の第二放熱部材７２が設けられている。なお、第一放熱部材７１及び第二放熱部材７２の材料としては例えば銅を挙げることができる。また、第一放熱部材７１及び第二放熱部材７２の各々を放熱箔とすることもでき、例えば銅箔とすることができる。なお、本実施の形態では、上述したように、銅箔等からなる第二放熱部材７２の上面に制御モジュール９０が設けられている。
《製造方法》
　次に、本実施の形態によるパワーモジュール１の製造方法について、簡単に説明する。
　まず、第一絶縁性基板側部材１０及び第二絶縁性基板側部材６０を準備する。
　なお、本実施の形態では、図４（ａ）に示すように、第一絶縁性基板側部材１０が、第一絶縁性基板１１と、第一絶縁性基板１１の上方に設けられた第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄと、第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄのうちの一つである第一導体層ユニット１２ｂの上方に設けられた第一スイッチ素子３１ａと、第一導体層ユニット１２ａ－１２ｄのうちの別の一つである第一導体層ユニット１２ａの上方に設けられた第一整流素子３２ａと、第一スイッチ素子３１ａの上方に設けられた素子接続導体柱ユニット５１ａと、第一導体層ユニット１２ａの上方に設けられた層接続導体柱ユニット５２ａと、第一絶縁性基板１１の下方に設けられた第一放熱部材７１と、を有している。また、図４（ｂ）に示すように、第二絶縁性基板側部材６０が、第二絶縁性基板６１と、第二絶縁性基板６１の上方に設けられた第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃと、第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃのうちの一つである第二導体層ユニット６２ｂの上方に設けられた第二スイッチ素子３１ｂと、第二導体層ユニット６２ａ－６２ｃのうちの別の一つである第二導体層ユニット６２ａの上方に設けられた第二整流素子３２ｂと、第二スイッチ素子３１ｂの上方に設けられた素子接続導体柱ユニット５１ｂと、第二導体層ユニット６２ａの上方に設けられた層接続導体柱ユニット５２ｂと、第二絶縁性基板６１の下方に設けられた第二放熱部材７２と、を有している。
　次に、第二絶縁性基板側部材６０の上下を反転させたうえで、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを対向して配置する（図２及び図３参照）。より具体的には、第一スイッチ素子３１ａに第二整流素子３２ｂが対向し、かつ、第一整流素子３２ａに第二スイッチ素子３１ｂが対向するように配置する。そして、第一スイッチ素子３１ａと第二整流素子３２ｂとを第一スイッチ素子３１ａに設けられた素子接続導体柱ユニット５１ａで接続し、第一整流素子３２ａに第二スイッチ素子３１ｂを第二スイッチ素子３１ｂに設けられた素子接続導体柱ユニット５１ｂで接続する。この際、第一導体層ユニット１２ｂと第二導体層ユニット６２ａとを当該第二導体層ユニット６２ａに設けられた層接続導体柱ユニット５２ｂで接続し、第一導体層ユニット１２ａと第二導体層ユニット６２ｂとを第一導体層ユニット１２ａに設けられた層接続導体柱ユニット５２ａで接続する。
　以上の工程を経たうえで、第一絶縁性基板１１と前第二絶縁性基板６１との間に封止材８０を注入して配置する（図３参照）。
　以上のようにして、本実施の形態によるパワーモジュール１が製造される。
　そして、図１に示すような態様で、パワーモジュール１の第二放熱部材７２の上面（上方）に制御モジュール９０を設けることで、モジュール組合体１００を製造することができる。
《作用・効果》
　次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果について説明する。
　本実施の形態によれば、第一絶縁性基板１１と、第一絶縁性基板１１に設けられた第一導体層１２と、第一導体層１２に設けられた第一電子素子３１ａ，３２ａと、を有する第一絶縁性基板側部材１０と、第二絶縁性基板６１と、第二絶縁性基板６１に設けられた第二導体層６２と、第二導体層６２に設けられた第二電子素子３１ｂ，３２ｂと、を有する第二絶縁性基板側部材６０と、を備えている（図４（ａ）（ｂ）参照）。このため、第一絶縁性基板側部材１０と第二絶縁性基板側部材６０の両方に電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置することができ、小さなスペースで多くの電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置することができる。
　つまり、従来であれば、電子素子１１０の数を多くするとモジュールの平面方向の大きさが大きくなってしまっていた（図７参照）。また、封止材を設ける空間が必要となるので、モジュールの厚みを劇的に薄くすることは難しかった。これに対して、本実施の形態よれば、第一絶縁性基板側部材１０と第二絶縁性基板側部材６０の両方に電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置し、これら電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを覆うようにして封止材８０を設けることから、小さなスペースで、かつ、厚みもそれほど厚くせずに、多くの電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置することができる。
　また、本実施の形態によれば、第一電子素子３１ａ，３２ａの熱を主として第一絶縁性基板１１側から放熱し、第二電子素子３１ｂ，３２ｂの熱を主として第二絶縁性基板６１側から放熱することができるので、高い放熱性を実現することができる。
　つまり、従来であれば、平面状に設けられた電子素子１１０の熱を主に裏面等の一方の面からしか放出させることができず（図７参照）、放熱性が十分なものではなかった。これに対して、本実施の形態によれば、第一絶縁性基板１１側に設けられた第一電子素子３１ａ，３２ａからの熱を主に第一絶縁性基板１１側から放熱し、第二絶縁性基板６１側に設けられた第二電子素子３１ｂ，３２ｂからの熱を主に第二絶縁性基板６１側から放熱するので、高い放熱性を実現することができる。なお、本実施の形態によれば、当然、第一電子素子３１ａ，３２ａからの熱を素子接続導体柱５１を介して第二絶縁性基板６１側から放熱し、第二電子素子３１ｂ，３２ｂからの熱を素子接続導体柱５１及び層接続導体柱５２を介して第一絶縁性基板１１側から放熱することもできる。
　また、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとが対向して配置され、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとが導電性を有する素子接続導体柱５１で接続されている（図２及び図３参照）。このため、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを近い距離に位置づけることができ、かつ、ワイヤと比べ電気抵抗の低い素子接続導体柱５１で第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを接続することができるので、寄生インダクタンスや配線抵抗が小さくすることができる。
　つまり、従来であれば、電子素子１１０が平面方向で設けられるので、各電子素子１１０の距離が遠くなっていた（図７参照）。また、従来では、電子素子１１０がワイヤ１２０で接続されていることから電気抵抗が高くなっていた。これに対して、本実施の形態によれば、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとが対向して配置され、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを近い距離に位置づけ、かつ、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとをワイヤではなく素子接続導体柱５１で接続することができる。このため、従来のものと比較して、寄生インダクタンスや配線抵抗が小さくすることができる。
　また、本実施の形態では、第一スイッチ素子３１ａと第二整流素子３２ｂとを対向させ、かつ、第二スイッチ素子３１ｂと第一整流素子３２ａとを対向させる（図２－図４（ａ）（ｂ）参照）。そして、素子接続導体柱ユニット５１ａが第一スイッチ素子３１ａと第二整流素子３２ｂとを接続し、素子接続導体柱ユニット５１ｂが第二スイッチ素子３１ｂと第一整流素子３２ａとを接続する。
　一般に、バイポーラトランジスタ等のスイッチ素子からの発熱は、ダイオード等の整流素子からの発熱と比較して大きくなっている。この点、本実施の形態によれば、発熱の比較的大きい第一スイッチ素子３１ａと発熱の比較的小さい第二整流素子３２ｂとを上下方向で近接させ、かつ、発熱の比較的大きい第二スイッチ素子３１ｂと発熱の比較的小さい第一整流素子３２ａとを上下方向で近接させることとなる。このため、発熱の大きいスイッチ素子３１ａ，３１ｂ同士が上下方向で近接することを避けることができ、高い放熱性を実現することができる。
　なお、本実施の形態では、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを接続する素子接続導体柱ユニット５１ａ，５１ｂの太さが、面内で第一スイッチ素子３１ａと第一整流素子３２ａ及び第二スイッチ素子３１ｂと第二整流素子３２ｂとを接続する導体箔５３よりも太くなっている。このため、素子接続導体柱ユニット５１ａ，５１ｂの熱伝導性を導体箔５３による熱伝導性よりも高くすることができる。このような状況において、発熱の比較的大きい第一スイッチ素子３１ａと発熱の比較的小さい第二整流素子３２ｂとを対向させ、かつ、発熱の比較的大きい第二スイッチ素子３１ｂと発熱の比較的小さい第一整流素子３２ａとを対向させることには、重要な意義がある。
　また、図４（ａ）（ｂ）に示すように、本実施の形態では、左右対称（図４（ａ）の直線Ａ１－Ａ１及び図４（ｂ）の直線Ａ２－Ａ２に対して対称）の配置構造となっていることから、左右対称でバランスよく放熱することができる。
　また、本実施の形態では、第一導体層ユニット１２ｂの上に第一スイッチ素子３１ａが設けられ、第一導体層ユニット１２ａの上に第一整流素子３２ａが設けられている。また、第二導体層ユニット６２ｂの上に第二スイッチ素子３１ｂが設けられ、第二導体層ユニット６２ａの上に第二整流素子３２ｂが設けられている。そして、層接続導体柱ユニット５２ｂが第一導体層ユニット１２ｂと第二導体層ユニット６２ａとを接続し、層接続導体柱ユニット５２ａが第二導体層ユニット６２ｂと第一導体層ユニット１２ａとを接続している。このため、図５で示すように、第一スイッチ素子３１ａ（図５ではバイポーラトランジスタ）と第二整流素子３２ｂ（図５ではダイオード）とを並列で配置し、第二スイッチ素子３１ｂ（図５ではバイポーラトランジスタ）と第一整流素子３２ａ（図５ではダイオード）とを並列で配置することができる。なお、図５では、左側がＵ相となり、右側がＶ相となっている。
　なお、図５に示した態様では、第一スイッチ素子３１ａ及び第二スイッチ素子３１ｂの各々がＮＰＮバイポーラトランジスタであり、このＮＰＮバイポーラトランジスタのコレクタ側の端子がダイオードのカソード側の端子に接続され、エミッタ側の端子がダイオードのアノード側の端子に接続されている。
　また、本実施の形態では、第一スイッチ素子３１ａと第一整流素子３２ａとがワイヤではなく導体箔５３で接続され、第二スイッチ素子３１ｂと第二整流素子３２ｂとがワイヤではなく導体箔５３で接続されている。このため、配線抵抗や寄生インダクタンスを小さくすることができ、ひいては、発熱を抑えることができる。また、このように配線抵抗や寄生インダクタンスを小さくすることによって、スイッチング動作時におけるノイズの影響を受け難くすることもできる。
　また、本実施の形態では、第一スイッチ素子３１ａには第一制御端子５６ａが接続され、第二スイッチ素子３１ｂには第二制御端子５６ｂが接続されている。このため、これら第一制御端子５６ａ及び第二制御端子５６ｂを、図５に示すように、スイッチ素子（バイポーラトランジスタ）３１ａ，３１ｂのベースとして機能させることができる。
　また、本実施の形態では、第一整流素子３２ａに外部端子８１が接続され、第二整流素子３２ｂに外部端子８２が接続され、第一スイッチ素子３１ａに外部端子８３が接続されている。そして、図５に示すように、外部端子８１をコレクタとして機能させ、外部端子８３をエミッタとして機能させることができる。なお、外部端子８２は中間端子として機能させることができる。
　また、本実施の形態では、第一制御端子５６ａ、第二制御端子５６ｂ及び外部端子８１－８３の各々を介して放熱することができ、第一絶縁性基板１１及び第二絶縁性基板６１の面の法線方向からだけではなく、これらの面の延在する方向（以下「面内方向」と言う。）でも放熱することができる。この点、本実施の形態では導体箔５３が用いられることから、面内方向における熱伝導性も高くなっている。このため、このように第一制御端子５６ａ、第二制御端子５６ｂ及び外部端子８１－８３の各々からも放熱することができることは、非常に有益である。
　なお、第一絶縁性基板１１及び第二絶縁性基板６１の面の法線方向への放熱は当該法線方向から４５度以下の範囲で主に行われると考えられている。この点、本実施の形態による面内方向における放熱は当該４５度の範囲以外の範囲で主に行われることから、放熱効率の高いものとなっている。
　また、本実施の形態では、第一絶縁性基板１１の下側に第一放熱部材７１が設けられ、かつ、第二絶縁性基板６１の上側に第二放熱部材７２が設けられている。このため、第一絶縁性基板１１の面の法線方向における放熱性及び第二絶縁性基板６１の面の法線方向における放熱性の両方をさらに高めることができる。
第２の実施の形態
　次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
　上述した第１の実施の形態では、４つの電子素子が設けられている「４ｉｎ１」を用いた態様であったが、これに限られることはなく、２つの電子素子が設けられている「２ｉｎ１」、６つの電子素子が設けられている「６ｉｎ１」等、ｎ個の電子素子が設けられている「「ｎ」ｉｎ１」の態様を用いることができる。
　このようないずれの態様でも、上述した実施の形態と同様の効果を奏することができる。
　第２の実施の形態としては、一例として、２つの電子素子が設けられている「２ｉｎ１」の態様を用いて説明する。なお、達成される効果については第１の実施の形態で詳細に説明したことから、第２の実施の形態で達成される効果については適宜省略しつつ簡単に説明する。
　まず、第一絶縁性基板側部材１０と第二絶縁性基板側部材６０の両方に電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置することができ、小さなスペースで多くの電子素子３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂを配置することができる。
　また、第一電子素子３１ａ，３２ａの熱を主として第一絶縁性基板１１側から放熱し、第二電子素子３１ｂ，３２ｂの熱を主として第二絶縁性基板６１側から放熱することができるので、高い放熱性を実現することができる。
　また、第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを近い距離に位置づけることができ、かつ、ワイヤと比べ電気抵抗の低い素子接続導体柱５１で第一電子素子３１ａ，３２ａと第二電子素子３１ｂ，３２ｂとを接続することができるので、寄生インダクタンスや配線抵抗が小さくすることができる。
　また、発熱の比較的大きい第一スイッチ素子３１ａと発熱の比較的小さい第二整流素子３２ｂとを対向させ、かつ、発熱の比較的大きい第二スイッチ素子３１ｂと発熱の比較的小さい第一整流素子３２ａとを対向させるので、発熱の大きいスイッチ素子３１ａ，３１ｂ同士が上下方向で近接することを避けることができる。このため、高い放熱性を実現することができる。
　また、第一スイッチ素子３１ａと第一整流素子３２ａとを導体箔５３で接続し、第二スイッチ素子３１ｂと第二整流素子３２ｂと導体箔５３で接続するので、配線抵抗や寄生インダクタンスを小さくすることができ、ひいては、発熱を抑えることができる。また、このように配線抵抗や寄生インダクタンスを小さくすることによって、スイッチング動作時におけるノイズの影響を受け難くすることもできる。
　また、第一制御端子５６ａ、第二制御端子５６ｂ及び外部端子８１－８３の各々を介して放熱することができる。このため、第一絶縁性基板１１及び第二絶縁性基板６１の面の法線方向からだけではなく、第一絶縁性基板１１及び第二絶縁性基板６１の面内方向からも放熱することができる。
　なお、第１の実施の形態と同様に、第一放熱部材７１及び第二放熱部材７２を設けた場合には、第一絶縁性基板１１の面の法線方向における放熱性及び第二絶縁性基板６１の面の法線方向における放熱性の両方をさらに高めることができる。
　最後になったが、上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。
１　　　　　　　パワーモジュール
１０　　　　　　第一絶縁性基板側部材
１１　　　　　　第一絶縁性基板
１２　　　　　　第一導体層
１２ａ－１２ｄ　第一導体層ユニット
３１ａ　　　　　第一スイッチ素子（第一電子素子）
３２ａ　　　　　第一整流素子（第一電子素子）
３１ｂ　　　　　第二スイッチ素子（第二電子素子）
３２ｂ　　　　　第二整流素子（第二電子素子）
６０　　　　　　第二絶縁性基板側部材
６１　　　　　　第二絶縁性基板
６２　　　　　　第二導体層
６２ａ－６２ｃ　第二導体層ユニット
５１　　　　　　素子接続導体柱
５１ａ，５１ｂ　素子接続導体柱ユニット

５２　　　　　　層接続導体柱
５２ａ，５２ｂ　層接続導体柱ユニット
５３　　　　　　導体箔
５６ａ　　　　　第一制御端子
５６ｂ　　　　　第二制御端子
７１　　　　　　第一放熱部材
７２　　　　　　第二放熱部材
８０　　　　　　封止材
８１　　　　　　外部端子
８２　　　　　　外部端子
８３　　　　　　外部端子
９０　　　　　　制御モジュール
１００　　　　　モジュール組合体

Claims (13)

  1. 　第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板の上方に設けられた第一導体層と、前記第一導体層の上方に設けられた第一電子素子と、を有する第一絶縁性基板側部材と、
    　第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板の下方に設けられた第二導体層と、前記第二導体層の下方に設けられた第二電子素子と、を有する第二絶縁性基板側部材と、
    　前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に設けられた封止材と、
    　を備え、
    　前記第一電子素子と前記第二電子素子とが対向して配置され、
    　前記第一電子素子と前記第二電子素子とが導電性を有する素子接続導体柱で接続されていることを特徴とするモジュール。
  2. 　前記第一電子素子は、第一スイッチ素子と第一整流素子とを有し、
    　前記第二電子素子は、第二スイッチ素子と第二整流素子とを有し、
    　前記素子接続導体柱は複数の素子接続導体柱ユニットを有し、
    　前記素子接続導体柱ユニットのうちの一つが、前記第一スイッチ素子と前記第二整流素子とを接続し、
    　前記素子接続導体柱ユニットのうちの別の一つが、前記第二スイッチ素子と前記第一整流素子とを接続することを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
  3. 　前記第一導体層は複数の第一導体層ユニットを有し、
    　前記第二導体層は複数の第二導体層ユニットを有し、
    　前記第一導体層ユニットのうちの一つの上に前記第一スイッチ素子が設けられ、
    　前記第一導体層ユニットのうちの別の一つの上に前記第一整流素子が設けられ、
    　前記第二導体層ユニットのうちの一つの上に前記第二スイッチ素子が設けられ、
    　前記第二導体層ユニットのうちの別の一つの上に前記第二整流素子が設けられることを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
  4. 　導電性を有し、前記第一導体層ユニットと前記第二導体層ユニットとを接続する層接続導体柱をさらに備え、
    　前記層接続導体柱は複数の層接続導体柱ユニットを有し、
    　前記層接続導体柱ユニットのうちの一つが、前記第一スイッチ素子が設けられた前記第一導体層ユニットと前記第二整流素子が設けられた前記第二導体層ユニットとを接続し、
    　前記層接続導体柱ユニットのうちの別の一つが、前記第二スイッチ素子が設けられた前記第二導体層ユニットと前記第一整流素子が設けられた前記第一導体層ユニットとを接続することを特徴とする請求項３に記載のモジュール。
  5. 　前記第一スイッチ素子と前記第一整流素子とが導電性を有する導体箔で接続される、又は、前記第二スイッチ素子と前記第二整流素子とが導電性を有する導体箔で接続されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のモジュール。
  6. 　前記第一スイッチ素子に接続された第一制御端子と、
    　前記第二スイッチ素子に接続された第二制御端子と、
    　をさらに備えたことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のモジュール。
  7. 　前記第一スイッチ素子、前記第一整流素子、前記第二スイッチ素子又は前記第二整流素子に接続された外部端子をさらに備えたことを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載のモジュール。
  8. 　前記第一スイッチ素子及び前記第二スイッチ素子の各々がバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載のモジュール。
  9. 　前記第一整流素子及び前記第二整流素子の各々がダイオードであることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載のモジュール。
  10. 　前記第一絶縁性基板の下方に設けられた第一放熱部材と、
    　前記第二絶縁性基板の上方に設けられた第二放熱部材と、
    　をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のモジュール。
  11. 　前記第一放熱部材及び前記第二放熱部材の各々は、熱伝導性を有する放熱箔であることを特徴とする請求項１０に記載のモジュール。
  12. 　電力を制御するパワーモジュールと、
    　前記パワーモジュールを制御する制御モジュールと、
    　を備え、
    　前記パワーモジュールは請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のモジュールであり、
    　前記パワーモジュールの前記第一絶縁性基板の下方又は前記第二絶縁性基板の上方に設けられることを特徴とするモジュール組合体。
  13. 　第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板の上方に設けられた第一導体層と、前記第一導体層の上方に設けられた第一電子素子と、を有する第一絶縁性基板側部材を準備する工程と、
    　第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板の上方に設けられた第二導体層と、前記第二導体層の上方に設けられた第二電子素子と、を有する第二絶縁性基板側部材を準備する工程と、
    　前記第二絶縁性基板の上下を反転させたうえで、前記第一電子素子と前記第二電子素子とを対向して配置し、前記第一電子素子と前記第二電子素子とを導電性を有する素子接続導体柱で接続する工程と、
    　前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に封止材を注入して配置する工程と、
    　を備えたことを特徴とするモジュールの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016174698A1 (ja) 2015-04-28 2016-11-03 新電元工業株式会社 半導体モジュール
WO2017138414A1 (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 株式会社 豊田自動織機 半導体モジュール及びインバータ装置
WO2019142255A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール
WO2019142256A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463481B (zh) * 2015-04-28 2019-11-08 新电元工业株式会社 半导体模块以及半导体模块的制造方法
CN105070695A (zh) * 2015-08-14 2015-11-18 株洲南车时代电气股份有限公司 双面散热电动汽车功率模块
CN105161477B (zh) * 2015-08-14 2019-10-18 株洲南车时代电气股份有限公司 一种平面型功率模块
CN108604588B (zh) * 2016-02-03 2021-12-17 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN109287129B (zh) * 2017-05-19 2022-04-08 新电元工业株式会社 电子模块
JP6423127B1 (ja) * 2017-11-10 2018-11-14 新電元工業株式会社 電子モジュール
US10517184B2 (en) 2018-02-09 2019-12-24 Eaton Intelligent Power Limited Configurable electronics packages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005073342A (ja) 2003-08-21 2005-03-17 Denso Corp 半導体装置の実装構造
JP2006134990A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2009177038A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2013041939A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6350949B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-26 Tyco Electronics Corp Sealed power distribution module
JP3941728B2 (ja) * 2003-04-07 2007-07-04 富士電機ホールディングス株式会社 電力用半導体装置
DE102004019443B3 (de) * 2004-04-19 2005-08-11 Siemens Ag Leistungsmodul
JP2006186170A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP5422466B2 (ja) * 2010-04-01 2014-02-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP5895933B2 (ja) * 2011-05-16 2016-03-30 トヨタ自動車株式会社 パワーモジュール
US8987777B2 (en) * 2011-07-11 2015-03-24 International Rectifier Corporation Stacked half-bridge power module
US9041183B2 (en) * 2011-07-19 2015-05-26 Ut-Battelle, Llc Power module packaging with double sided planar interconnection and heat exchangers
JP2014199829A (ja) * 2011-07-29 2014-10-23 三洋電機株式会社 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ
JP2013038848A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005073342A (ja) 2003-08-21 2005-03-17 Denso Corp 半導体装置の実装構造
JP2006134990A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2009177038A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
JP2013041939A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2963683A4

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016174698A1 (ja) 2015-04-28 2016-11-03 新電元工業株式会社 半導体モジュール
EP3104411A4 (en) * 2015-04-28 2017-12-06 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module
US9997437B2 (en) 2015-04-28 2018-06-12 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Power semiconductor module for improved thermal performance
WO2017138414A1 (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 株式会社 豊田自動織機 半導体モジュール及びインバータ装置
JP2017143207A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール
WO2019142255A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール
WO2019142256A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール
JPWO2019142255A1 (ja) * 2018-01-17 2020-10-22 新電元工業株式会社 電子モジュール
JPWO2019142256A1 (ja) * 2018-01-17 2020-10-22 新電元工業株式会社 電子モジュール
JP6999707B2 (ja) 2018-01-17 2022-01-19 新電元工業株式会社 電子モジュール
JP7018459B2 (ja) 2018-01-17 2022-02-10 新電元工業株式会社 電子モジュール

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