CN104160503A - 模块、模块组合体以及模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种模块，包括：第一绝缘性基板侧部部件10，具有第一绝缘性基板11，被设置在第一绝缘性基板11上方的第一导体层12，被设置在第一导体层12上方的第一电子元件31a、32a；第二绝缘性基板侧部部件60，具有第二绝缘性基板61，被设置在第二绝缘性基板61下方的第二导体层62，被设置在第二导体层62下方的第二电子元件31b、32b；被设置在所述第一绝缘性基板11与所述第二绝缘性基板61之间的封装材料80。第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b被相对向配置。第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b被具有导电性的元件连接导体柱51所连接。

Description

模块、模块组合体以及模块的制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有多个电子元件的模块（module）、模块组合体以及模块的制造方法。
背景技术
以往，已知在一个平面上配置晶体管（transistor）、二极管（diode）等电子元件，并将这些电子元件的两面用电极夹持的模块（例如参考专利文献一）。为了在这个模块中获得高输出，尝试把电子元件110的尺寸（size）增大或是将电子元件110的数量增多等（二合一、四合一、六合一等）（参照图7）。
但是，在另一方面也在谋求模块的小型化，在如上述那样使用大尺寸的电子元件110或是使用较多的电子元件110的情况下还试图将模块小型化，则散热性就会下降，模块有可能会热失控。
另外，在使用较多的电子元件110的情况下，当用导线（wire）120等将电子元件110之间连接时（参照图7），有些地方的导线120的长度会变长，寄生电感和配线电阻会变大。另外，图7中显示了设有六个电子元件110（六合一）的结构。
先行技术文献
专利文献
专利文献一日本特开2005-73342号公报
发明内容
鉴于以上几点，本发明提供一种模块及模块组合体，以及这种模块的制造方法，即使在配置了较多的电子元件的情况下，也能够缩小尺寸并保持散热性，进一步还能减小寄生电感和配线电阻等。
本发明提供一种模块，该模块包括：第一绝缘性基板侧部件，具有第一绝缘性基板、设置在所述第一绝缘性基板上方的第一导体层、及设置在所述第一导体层上方的第一电子元件；第二绝缘性基板侧部件，具有第二绝缘性基板、设置在所述第二绝缘性基板下方的第二导体层、及设置在所述第二导体层下方的第二电子元件；以及封装材料，设置在所述第一绝缘性基板与所述第二绝缘性基板之间，其中，所述第一电子元件与所述第二电子元件被配置为相对向，所述第一电子元件和所述第二电子元件被具有导电性的元件连接导体柱所连接。
在本发明的模块中，也可以是所述第一电子元件具有第一开关元件和第一整流元件，所述第二电子元件具有第二开关元件和第二整流元件，所述元件连接导体柱具有多个元件连接导体柱单元，所述多个元件连接导体柱单元中的一个将所述第一开关元件和所述第二整流元件连接，所述多个元件连接导体柱单元中的另一个将所述第二开关元件和所述第一整流元件连接。
在本发明的模块中，也可以是所述第一导体层具有多个第一导体层单元，所述第二导体层具有多个第二导体层单元，在多个所述第一导体层单元中的一个上面设有所述第一开关元件，在多个所述第一导体层单元中的另一个上面设有所述第一整流元件，在多个所述第二导体层单元中的一个上面设有所述第二开关元件，在多个所述第二导体层单元中的另一个上面设有所述第二整流元件。
本发明的模块也可以还包括：层连接导体住，具有导电性并将所述第一导体层单元和所述第二导体层单元连接，其中，所述层连接导体柱具有多个层连接导体柱单元，所述多个层连接导体柱单元中的一个将设有所述第一开关元件的所述第一导体层单元以及设有所述第二整流元件的所述第二导体层单元连接，所述多个层连接导体柱单元中的另一个将设有所述第二开关元件的所述第二导体层单元以及设有所述第一整流元件的所述第一导体层单元连接。
在本发明的模块中，也可以是所述第一开关元件和所述第一整流元件被具有导电性的导体箔材所连接，所述第二开关元件和所述第二整流元件被具有导电性的导体箔材所连接。
本发明的模块也可以还包括：第一控制端子，与所述第一开关元件相连接；以及第二控制端子，与所述第二开关元件相连接。
本发明的模块也可以还包括：外部端子，与所述第一开关元件、所述第一整流元件、以及所述第二开关元件、所述第二整流元件相连接。
在本发明的模块中，也可以是所述第一开关元件和所述第二开关元件分别是双极晶体管。
在本发明的模块中，也可以是所述第一整流元件和所述第二整流元件分别是二极管。
本发明的模块也可以还包括：第一散热部件，设置在所述第一绝缘性基板的下方；以及第二散热部件，设置在所述第二绝缘性基板的上方。
本发明的模块也可以还包括：所述第一散热部件和所述第二散热部件分别是具有热传导性的散热箔材。
本发明还提供一种模块组合体，该模块组合体包括：功率模块，对电力进行控制；以及控制模块，对所述功率模块进行控制，其中，所述功率模块是权利要求1～11中任一项所述的模块，被设置在所述功率模块的所述第一绝缘性基板的下方或是所述第二绝缘性基板的上方。
本发明还提供一种模块的制造方法，包括：准备具有第一绝缘性基板、设置在所述第一绝缘性基板上方的第一导体层、及设置在所述第一导体层上方的第一电子元件的第一绝缘性基板侧部件的工序；准备具有第二绝缘性基板、设置在所述第二绝缘性基板上方的第二导体层、及设置在所述第二导体层上方的第二电子元件的第二绝缘性基板侧部件的工序；在对所述第二绝缘性基板的上下进行翻转后，将所述第一电子元件与所述第二电子元件相对向配置，并将所述第一电子元件与所述第二电子元件用具有导电性的元件连接导体柱连接的工序；以及在所述第一绝缘性基板与所述第二绝缘性基板之间注入封装材料从而进行配置的工序。
发明效果
根据本发明，设有第一绝缘性基板侧部件，具有第一绝缘性基板、设置在第一绝缘性基板上的第一导体层、及设置在所述第一导体层上的第一电子元件；以及第二绝缘性基板侧部件，具有第二绝缘性基板、设置在第二绝缘性基板上的第二导体层、及设置在第二导体层上的第二电子元件。因此，可以在第一绝缘性基板侧部件和第二绝缘性基板侧部件这两面配置电子元件，所以可以在较小的空间内配置较多的电子元件。
另外，由于将第一电子元件的热主要从第一绝缘性基板一侧散发，并将第二电子元件的热主要从第二绝缘性基板一侧散发，因此能够实现高散热性。
另外，第一电子元件和第二电子元件被配置为相对向，第一电子元件和第二电子元件被具有导电性的元件连接导体柱51连接。因此，能够将第一电子元件与第二电子元件近距离设置，并且，因为能用电阻比导线低的元件连接导体柱来连接第一电子元件和第二电子元件，所以能够将寄生电感和配线电阻变小。
附图说明
图1是显示本发明的实施方式一涉及的模块的概略斜视图；
图2是显示本发明的实施方式一涉及的模块中没有装载控制模块的状态的概略斜视图；
图3是将图2所示的模块上设有封装材料的结构从侧面看的概略侧面图；
图4（a）是显示本发明的实施方式一涉及的模块中的第一绝缘性基板侧部件的概略斜视图，图4（b）是显示第二绝缘性基板侧部件的概略斜视图；
图5是显示本发明的实施方式一涉及的模块中使用的电路的图；
图6（a）是显示本发明的实施方式二涉及的模块中的第一绝缘性基板侧部件的概略斜视图，图6（b）是显示第二绝缘性基板侧部件的概略斜视图；以及
图7是显示以往的模块的概略斜视图。
实施方式一
＜结构＞
以下，对于本发明涉及的模块、模块组合体及模块的制造方法的实施方式一，参照附图进行说明。这里，图1至图5是用于说明本发明的实施方式一的图。
如图1所示，本实施方式的模块组合体100包括：控制电力的功率模块1，及控制功率模块1的控制模块90。另外，本实施方式的模块组合体100例如是逆变器（inverter）模块。
本实施方式中，如图1所示，在功率模块1的第二绝缘性基板61（后述）的上面（上方）设有控制模块90。图1中虽然是这样的结构，但是不限于此，控制模块90也可以被设置在功率模块1的第一绝缘性基板11（后述）的下面（下方）。
本实施方式中，以下使用设有四个电子元件31a、31b、32a、32b的“四合一”的结构进行说明。
本实施方式的功率模块1如图4（a）所示，包括第一绝缘性基板侧部件10，该第一绝缘性基板侧部件10具有第一绝缘性基板11，被设置在第一绝缘性基板11上方的第一导体层12，以及被设置在第一导体层12上方的第一电子元件31a、32a。另外，功率部1如图4（b）所示，包括第二绝缘性基板侧部件60，该第二绝缘性基板侧部件60具有第二绝缘性基板61，被设置在第二绝缘性基板61上方的第二导体层62，以及被设置在第二导体层62上方的第二电子元件31b、32b。
另外，在图4（b）中，因为是第二绝缘性基板侧部件60与第一绝缘性基板侧部件10粘合之前（参照图2及图3），所以显示为与最终的功率模块1的结构的上下方向相反。即、最终的功率模块1中，是第二导体层62被设置在第二绝缘性基板61的下方，且第二电子元件31b、32b被设置在第二导体层62的下方（参照图2及图3）。
另外，在本实施方式的功率模块1中，如图4（a）、（b）所示，为左右对称（相对于图4（a）中的直线A1-A1和图4（b）中的直线A2-A2对称）的配置结构。
作为第一绝缘性基板11和第二绝缘性基板61的材料，例如可以是陶瓷（ceramic）。另外，作为第一导体层12和第二导体层62的材料，例如可以是铜。
并且，如图3所示，在第一绝缘性基板11与第二绝缘性基板61之间设有由树脂材料形成的封装材料80。另外，图3中以虚线表示封装材料80。
第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b被配置为相对向。并且，第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b被具有导电性成直线状向上下方向延伸的元件连接导体柱51连接。另外，作为元件连接导体柱51的材料，例如可以是铜。并且，可以使用与后述的导体箔材54a、54b相比厚度更厚的铜箔来形成元件连接导体柱51。
如图4（a）所示，第一电子元件31a、32a具有第一开关元件31a和第一整流元件32a。另外，如图4（b）所示，第二电子元件31b、32b具有第二开关元件31b和第二整流元件32b。并且，功率模块1中，第一开关元件31a和第二整流元件32b被配置为相对向，且第二开关元件31b和第一整流元件32a被配置为相对向。另外，元件连接导体柱51具有多个元件连接导体柱单元（unit）51a、51b。并且，元件连接导体柱单元51a、51b中的一个即元件连接导体柱单元51a连接第一开关元件31a和第二整流元件32b，元件连接导体柱单元51a、51b中的另一个即元件连接导体柱单元51b连接第二开关元件31b和第一整流元件32a。
本实施方式中所使用的开关元件31a、31b，即第一开关元件31a和第二开关元件31b分别例如由双极晶体管（bipolar transistor）构成。另外，本实施方式中所使用的整流元件32a、32b，即第一整流元件32a和第二整流元件32b分别例如由二极管构成。
如图4（a）所示，第一导体层12具有多个第一导体层单元12a、12b、12c、12d。另外，如图4（b）所示，第二导体层62也具有多个第二导体层单元62a、62b、62c。并且，如图4（a）所示，在第一导体层单元12a、12b、12c、12d中的一个即第一导体层单元12b的上面设有第一开关元件31a，在第一导体层单元12a、12b、12c、12d中的另一个即第一导体层单元12a的上面设有第一整流元件32a。另外，如图4（b）所示，在第二导体层单元62a、62b、62c中的一个即第二导体层单元62b的上面设有第二开关元件31b，在第二导体层单元62a、62b、62c中的另一个即第二导体层单元62a的上面设有第二整流元件32b。
本实施方式的功率模块1还包括连接第一导体层单元12a、12b和第二导体层单元62a、62b的层连接导体柱52。并且，层连接导体柱52具有导电性，作为其材料，例如可以是铜。并且，例如可以使用与元件连接导体柱51厚度大致相同的铜箔来形成层连接导体柱52。
层连接导体柱52具有多个层连接导体柱单元52a、52b。如图4（b）所示，层连接导体柱单元52a、52b中的一个即层连接导体柱单元52b被设置在第二导体层单元62a上，将该第二导体层单元62a和第一导体层单元12b连接。另外，图4（a）所示，层连接导体柱单元52a、52b中的另一个即层连接导体柱单元52a被设置在第一导体层单元12a上，将该第一导体层单元12a和第二导体层单元62b连接。
如图4（b）所示，在本实施方式中，第二开关元件31b与第二整流元件32b通过导体箔材53和第二导体层单元62a相连接。这个导体箔材53由具有导电性的材料，例如铜箔等形成。另外，本实施方式的导体箔材53与元件连接导体柱单元51b为一体，从元件连接导体柱单元51b的侧壁向外侧延伸，从而与第二导体层单元62a相连接。
如图4（a）所示，第一开关元件31a通过导体箔材54a和第一导体层单元12d与第一控制端子56a相连接，如图4（b）所示，第二开关元件31b通过第二导体层单元62b、导体箔材54b及导体层单元62c与第二控制端子56b相连接。
另外，如图4（a）、（b）所示，第一开关元件31a、第一整流元件32a、第二开关元件31b及第二整流元件32b分别与外部端子81、82、83相连接。更具体的是，第一整流元件32a通过第一导体层单元12a与外部端子81相连接。第二整流元件32b通过第二导体层单元62a与外部端子82相连接。第一开关元件31a通过元件连接导体柱单元51a、导体箔材55及第一导体层单元12c与外部端子83相连接。另外，本实施方式的导体箔材55与元件连接导体柱单元51a为一体，从元件连接导体柱单元51a的侧壁向外侧延伸，从而与第一导体层单元12c相连接。
在本实施方式中，如图2及图3所示，在第一绝缘性基板11的下方，设有具有热传导性成平面状的第一散热部件71。另外，在第二绝缘性基板61的上方，设有具有热传导性成平面状的第二散热部件72。另外，作为第一散热部件71和第二散热部件72的材料，例如可以是铜。另外，第一散热部件71和第二散热部件72分别也可以使用散热箔材，例如可以使用铜箔材。另外，本实施方式中，如上所述，控制模块90被设置在由铜箔等构成的第二散热部件72的上面。
＜制造方法＞
随后，对本实施方式涉及的功率模块1的制造方法简单地进行说明。
首先，准备第一绝缘性基板侧部件10和第二绝缘性基板侧部件60。
另外，在本实施方式中，如图4（a）所示，第一绝缘性基板侧部件10具有：第一绝缘性基板11，设置在第一绝缘性基板11上方的第一导体层单元12a、12b、12c、12d，设置在第一导体层单元12a、12b、12c、12d中的一个即第一导体层单元12b上方的第一开关元件31a，设置在第一导体层单元12a、12b、12c、12d中的另一个即第一导体层单元12a上方的第一整流元件32a，设置在第一开关元件31a上方的元件连接导体柱单元51a，设置在第一导体层单元12a上方的层连接导体柱单元52a，以及设置在第一绝缘性基板11下方的第一散热部件71。另外，如图4（b）所示，第二绝缘性基板侧部件60具有：第二绝缘性基板61，设置在第二绝缘性基板61上方的第二导体层单元62a、62b、62c，设置在第二导体层单元62a、62b、62c中的一个即第二导体层单元62b上方的第二开关元件31b，设置在第二导体层单元62a、62b、62c中的另一个即第二导体层单元62a上方的第二整流元件32b，设置在第二开关元件31b上方的元件连接导体柱单元51b，设置在第二导体层单元62a上方的层连接导体柱单元52b，以及设置在第二绝缘性基板61下方的第二散热部件72。
随后，将第二绝缘性基板侧部件60上下翻转后，将第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b相对向配置（参照图2及图3）。更具体的是，配置为第一开关元件31a与第二整流元件32b相对向，且第一整流元件32a与第二开关元件31b相对向。并且，将第一开关元件31a和第二整流元件32b用设置在第一开关元件31a上的元件连接导体柱单元51a连接，将第一整流元件32a和第二开关元件31b用设置在第二开关元件31b上的元件连接导体柱单元51b连接。这时，将第一导体层单元12b和第二导体层单元62a使用设置在该第二导体层单元62a上的层连接导体柱单元52b连接，并将第一导体层单元12a和第二导体层单元62b使用被设置在该第一导体层单元12a上的层连接导体柱单元52a连接。
经过以上的工序后，在第一绝缘性基板11与第二绝缘性基板61之间注入封装材料80进行配置（参照图3）。
如上，即可制造本实施方式涉及的功率模块1。
并且，在图1所示的结构中，通过在功率模块1的散热部件72的上面（上方）设置控制模块90，从而能够制造模块组合体100。
＜作用及效果＞
随后，对由上述结构构成的本实施方式所获得的作用及效果进行说明。
根据本实施方式，模块包括第一绝缘性基板侧部件10和第二绝缘性基板侧部件60。所述第一绝缘性基板侧部件10具有第一绝缘性基板11，设置在第一绝缘性基板11上的第一导体层12，以及设置在第一导体层12上的第一电子元件31a、32a。所述第二绝缘性基板侧部件60具有第二绝缘性基板61，设置在第二绝缘性基板61上的第二导体层62，以及设置在第二导体层62上的第二电子元件31b、32b的（参照图4（a）、（b））。因此，可以在第一绝缘性基板侧部件10和第二绝缘性基板侧部件60这两面配置电子元件31a、31b、32a、32b，所以可以在较小的空间（space）内配置较多的电子元件31a、31b、32a、32b。
即，以往，一旦增加电子元件110的数量则模块的平面方向的大小就会变大（参照图7）。另外，由于需要设置封装材料的空间，因此难以将模块的厚度变得非常薄。与此相对，根据本实施方式，由于在第一绝缘性基板侧部件10和第二绝缘性基板侧部件60这两面配置电子元件31a、31b、32a、32b，并将封装材料80设置为覆盖这些电子元件31a、31b、32a、32b，因此在较小的空间内且不过多增加厚度的条件下，就能够配置较多的电子元件31a、31b、32a、32b。
另外，根据本实施方式，由于将第一电子元件31a、32a的热主要从第一绝缘性基板11一侧散发，并将第二电子元件31b、32b的热主要从第二绝缘性基板61一侧散发，因此能够实现高散热性。
即，以往，设置为平面状的电子元件110的热只能从背面等一个面散发（参照图7），散热性不充分。与此相对，根据本实施方式，由于将来自于设置在第一绝缘性基板11一侧的第一电子元件31a、32a的热主要从第一绝缘性基板11一侧散发，并将来自于设置在第二绝缘性基板61一侧的第二电子元件31b、32b的热主要从第二绝缘性基板61一侧散发，因此能够实现高散热性。另外，根据本实施方式，当然，将来自于第一电子元件31a、32b的热通过元件连接导体柱51从第二绝缘性基板61一侧散发，将来自于第二电子元件31b、32b的热通过元件连接导体柱51和层连接导体柱52从第一绝缘性基板11一侧散发也是可以的。
另外，第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b被配置为相对向，第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b被具有导电性的元件连接导体柱51连接（参照图2及图3）。因此，能够将第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b近距离设置，并且，因为能用电阻比导线低的元件连接导体柱51来连接第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b，所以能够将寄生电感和配线电阻变小。
即，以往，由于电子元件110被设置在平面方向上，因此各电子元件110的距离变远（参照图7）。另外，以往，电子元件110被导线120连接因而电阻变高。与此相对，根据本实施方式，可以将第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b相对向配置，将第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b近距离设置，并可以将第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b不是用导线而是用连接元件连接导体柱51来连接。因此，与以往相比，能够将寄生电感与配线电阻变小。
另外，在本实施方式中，使得第一开关元件31a与第二整流元件32b相对向，并使得第二开关元件31b与第一整流元件32a相对向（参照图2至图4（a）、（b））。而且，元件连接导体柱单元51a连接第一开关元件31a和第二整流元件32b，且元件连接导体柱单元51b连接第二开关元件31b和第一整流元件32a。
一般地，从双极晶体管等开关元件发出的热量比从二极管等的整流元件发出的热量更大。在这一点上，根据本实施方式，使发热较大的第一开关元件31a与发热较小的第二整流元件32b在上下方向上接近，并使发热较大的第二开关元件31b与发热较小的第一整流元件32a在上下方向上接近。因此，能够避免发热大的开关元件31a、31b在上下方向上接近的情况，能够实现高散热性。
另外，在本实施方式中，连接第一电子元件31a、32a和第二电子元件31b、32b的元件连接导体柱单元51a、51b比在平面内连接第一开关元件31a和第一整流元件32a以及第二开关元件31b和第二整流元件32b的导体箔材53更粗。因此，能够使得元件连接导体柱单元51a、51b的热传导性比导体箔材53的热传导性更高。在这种状况下，使发热较大的第一开关元件31a与发热较小的第二整流元件32b相对向，并使发热较大的第二开关元件31b与发热较小的第一整流元件32a相对向，是有重要的意义的。
另外，如图4（a）、（b）所示，本实施方式中，由于是左右对称（相对于图4（a）中的直线A1-A1及图4（b）中的直线A2-A2对称）的配置结构，因此能够左右对称均衡（balance）地散热。
另外，在本实施方式中，第一导体层单元12b上设有第一开关元件31a，且第一导体层单元12a上设有第一整流元件32a。另外，第二导体层单元62b上设有第二开关元件31b，且第二导体层单元62a上设有第二整流元件32b。并且，层连接导体柱单元52b连接第一导体层单元12b和第二导体层单元62a，层连接导体柱单元52a连接第二导体层单元62b和第一导体层单元12a。因此，如图5所示，能够将第一开关元件31a（图5中为双极晶体管）与第二整流元件32b（图5中为二极管）并排配置，并能够将第二开关元件31b（图5中为双极晶体管）与第一整流元件32a（图5中为二极管）并排配置。另外，在图5中，左侧是U相，右侧是V相。
另外，在图5所示的结构中，第一开关元件31a和第二开关元件31b分别是NPN双极晶体管，这个NPN双极晶体管的集电极（collect）侧的端子与二极管的阴极侧的端子相连接，发射极（emitter）侧的端子与二极管的阳极侧的端子相连接。
另外，本实施方式中，第一开关元件31a与第一整流元件32a不是被导线而是被导体箔材53所连接，且第二开关元件31b与第二整流元件32b不是被导线而是被导体箔材53所连接。因此，能够将配线电阻及寄生电感等变小，进而，还可以抑制发热。另外，通过像这样地将配线电阻及寄生电感等变小，也能够使这些元件难以受到开关动作时的噪音（noise）的影响。
另外，本实施方式中，第一开关元件31a与第一控制端子56a相连接，第二开关元件31b与第二控制端子连接56b相连接。因此，如图5所示，能够使得这些第一控制端子56a和第二控制端子56b作为开关元件（双极晶体管）31a、31b的基极（base）发挥作用。
另外，在本实施方式中，第一整流元件32a与外部端子81相连接，第二整流元件32b与外部端子82相连接，第一开关元件31a与外部端子83相连接。并且，如图5所示，可以使外部端子81作为集电极发挥作用，使外部端子83作为发射极发挥作用。另外，可以使外部端子82作为中间端子发挥作用。
另外，在本实施方式中，能够分别通过第一控制端子56a，第二控制端子56b及外部端子81、82、83来散热，因此不仅可以从第一绝缘性基板11及第二绝缘性基板61的面的法线方向散热，还可以从这些面的延伸方向（以下称为“面内方向”）散热。在这一点上，由于本实施方式中使用了导体箔材53，因此面内方向上的热传导性也变高了。所以，像这样地从第一控制端子56a，第二控制端子56b及外部端子81、82、83分别都可以散热，这是非常有益的。
另外，向第一绝缘性基板11及第二绝缘性基板61的面的法线方向的散热被认为主要是在从该法线方向开始45度以下的范围内进行的。在这一点上，本实施方式中的面内方向上的散热主要是在该45度的范围以外的范围内进行的，因此散热效率高。
另外，本实施方式中，在第一绝缘性基板11的下侧设有第一散热部件71，且在第二绝缘性基板61的上侧设有第二散热部件72。因此，能够使得第一绝缘性基板11的面的法线方向上的散热性及第二绝缘性基板61的面的法线方向上的散热性这两者都进一步提高。
实施方式二
随后，对本发明的实施方式二进行说明。
在上述的实施方式一中，使用了设置四个电子元件的“四合一”的结构，但不以此为限，还可以使用设置两个电子元件的“二合一”的结构，设置六个电子元件的“六合一”的结构等设置n个电子元件的“n合一”的结构。
这些结构中的任意一种都能够达到与上述实施方式相同的效果。
作为实施方式二，使用设置两个电子元件的“二合一”的结构作为一例来进行说明。另外，对于所达到的效果，因为在实施方式一中已进行了详细的说明，所以对于在实施方式二中所达到的效果，适当地省略仅进行简单的说明。
首先，可以在第一绝缘性基板侧部件10和第二绝缘性基板侧部件60这两者上配置电子元件31a、31b、32a、32b，因此能够在较小的空间内配置较多的电子元件31a、31b、32a、32b。
另外，由于能够将第一电子元件31a、32a的热主要从第一绝缘性基板11一侧散发，并将第二电子元件31b、32b的热主要从第二绝缘性基板61侧散发，因此能够实现高散热性。
另外，能够将第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b近距离设置，并且能够用电阻比导线低的元件连接导体柱51来连接第一电子元件31a、32a与第二电子元件31b、32b，所以能够将寄生电感和配线电阻变小。
另外，由于使发热较大的第一开关元件31a与发热较小的第二整流元件32b相对向，并使发热较大的第二开关元件31b与发热较小的第一整流元件32a相对向，因此能够避免发热大的开关元件31a、31b在上下方向上接近的情况。所以，能够实现高散热性。
另外，由于将第一开关元件31a和第一整流元件32a用导体箔材53连接，并将第二开关元件31b和第二整流元件32b用导体箔材53连接。因此，能够将配线电阻和寄生电感变小，进而，能够抑制发热。另外，通过像这样地将配线电阻和寄生电感变小，也能够使得元件难以受到开关动作时的噪音的影响。
另外，能够分别通过第一控制端子56a，第二控制端子56b及外部端子81、82、83来散热，因此，不仅可以从第一绝缘性基板11及第二绝缘性基板61的面的法线方向散热，还可以从第一绝缘性基板11及第二绝缘性基板61的面内方向散热。
另外，与实施方式一同样，在设置第一散热部件71及第二散热部件72的情况下，能够使得第一绝缘性基板11的面的法线方向上的散热性及第二绝缘性基板61的面的法线方向上的散热性这两者都进一步提高。
最后，上述的各实施方式的记载及附图所公开的内容只不过是用于说明权利要求书中所记载的发明的一例，权利要求书中所记载的发明并不限于上述的实施方式的记载或是附图所公开的内容。
符号说明
1功率模块
10第一绝缘性基板侧部件
11第一绝缘性基板
12第一导体层
12a、12b、12c、12d第一导体层单元
31a第一开关元件（第一电子元件）
32a第一整流元件（第一电子元件）
31b第二开关元件（第二电子元件）
32b第二整流元件（第二电子元件）
60第二绝缘性基板侧部件
61第二绝缘性基板
62第二导体层
62a、62b、62c第二导体层单元
51元件连接导体柱
51a、52b元件连接导体柱单元
52层连接导体柱
52a、52b层连接导体柱单元
53、55导体箔材
56a第一控制元件
56b第二控制元件
71第一散热部件
72第二散热部件
80封装材料
81外部端子
82外部端子
83外部端子
90控制模块
100模块组合体

Claims (13)

1.一种模块，其特征在于，包括：
第一绝缘性基板侧部件，具有第一绝缘性基板、设置在所述第一绝缘性基板上方的第一导体层、及设置在所述第一导体层上方的第一电子元件；
第二绝缘性基板侧部件，具有第二绝缘性基板、设置在所述第二绝缘性基板下方的第二导体层、及设置在所述第二导体层下方的第二电子元件；以及
封装材料，设置在所述第一绝缘性基板与所述第二绝缘性基板之间，
其中，所述第一电子元件与所述第二电子元件被配置为相对向，
所述第一电子元件和所述第二电子元件被具有导电性的元件连接导体柱所连接。
2.根据权利要求1所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一电子元件具有第一开关元件和第一整流元件，
所述第二电子元件具有第二开关元件和第二整流元件，
所述元件连接导体柱具有多个元件连接导体柱单元，
所述多个元件连接导体柱单元中的一个将所述第一开关元件和所述第二整流元件连接，
所述多个元件连接导体柱单元中的另一个将所述第二开关元件和所述第一整流元件连接。
3.根据权利要求2所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一导体层具有多个第一导体层单元，
所述第二导体层具有多个第二导体层单元，
在多个所述第一导体层单元中的一个上面设有所述第一开关元件，
在多个所述第一导体层单元中的另一个上面设有所述第一整流元件，
在多个所述第二导体层单元中的一个上面设有所述第二开关元件，
在多个所述第二导体层单元中的另一个上面设有所述第二整流元件。
4.根据权利要求3所述的模块，其特征在于，还包括：
层连接导体柱，具有导电性并将所述第一导体层单元和所述第二导体层单元连接，
其中，所述层连接导体柱具有多个层连接导体柱单元，
所述多个层连接导体柱单元中的一个将设有所述第一开关元件的所述第一导体层单元以及设有所述第二整流元件的所述第二导体层单元连接，
所述多个层连接导体柱单元中的另一个将设有所述第二开关元件的所述第二导体层单元以及设有所述第一整流元件的所述第一导体层单元连接。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一开关元件和所述第一整流元件被具有导电性的导体箔材所连接，所述第二开关元件和所述第二整流元件被具有导电性的导体箔材所连接。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的模块，其特征在于，还包括：
第一控制端子，与所述第一开关元件相连接；以及
第二控制端子，与所述第二开关元件相连接。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的模块，其特征在于，还包括：
外部端子，与所述第一开关元件、所述第一整流元件、以及所述第二开关元件、所述第二整流元件相连接。
8.根据权利要求2～7中任一项所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件分别是双极晶体管。
9.根据权利要求2～8中任一项所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一整流元件和所述第二整流元件分别是二极管。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的模块，其特征在于，还包括：
第一散热部件，设置在所述第一绝缘性基板的下方；以及
第二散热部件，设置在所述第二绝缘性基板的上方。
11.根据权利要求10所述的模块，其特征在于：
其中，所述第一散热部件和所述第二散热部件分别是具有热传导性的散热箔材。
12.一种模块组合体，其特征在于，包括：
功率模块，对电力进行控制；以及
控制模块，对所述功率模块进行控制，
其中，所述功率模块是权利要求1～11中任一项所述的模块，被设置在所述功率模块的所述第一绝缘性基板的下方或是所述第二绝缘性基板的上方。
13.一种模块的制造方法，其特征在于，包括：
准备具有第一绝缘性基板、设置在所述第一绝缘性基板上方的第一导体层、及设置在所述第一导体层上方的第一电子元件的第一绝缘性基板侧部件的工序；
准备具有第二绝缘性基板、设置在所述第二绝缘性基板上方的第二导体层、及设置在所述第二导体层上方的第二电子元件的第二绝缘性基板侧部件的工序；
在对所述第二绝缘性基板的上下进行翻转后，将所述第一电子元件与所述第二电子元件相对向配置，并将所述第一电子元件与所述第二电子元件用具有导电性的元件连接导体柱连接的工序；以及
在所述第一绝缘性基板与所述第二绝缘性基板之间注入封装材料从而进行配置的工序。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070695A (zh) * 2015-08-14 2015-11-18 株洲南车时代电气股份有限公司 双面散热电动汽车功率模块
CN105161477A (zh) * 2015-08-14 2015-12-16 株洲南车时代电气股份有限公司 一种平面型功率模块
CN108604588A (zh) * 2016-02-03 2018-09-28 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN109287129A (zh) * 2017-05-19 2019-01-29 新电元工业株式会社 电子模块
CN111279471A (zh) * 2017-11-10 2020-06-12 新电元工业株式会社 电子模块

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106463501B (zh) * 2015-04-28 2019-08-30 新电元工业株式会社 半导体模块
JP6166460B2 (ja) * 2015-04-28 2017-07-19 新電元工業株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP6690280B2 (ja) * 2016-02-12 2020-04-28 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール
WO2019142255A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール
WO2019142256A1 (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 新電元工業株式会社 電子モジュール
US10517184B2 (en) 2018-02-09 2019-12-24 Eaton Intelligent Power Limited Configurable electronics packages

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6350949B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-26 Tyco Electronics Corp Sealed power distribution module
JP2006134990A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2009177038A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
CN102835013A (zh) * 2010-04-01 2012-12-19 日立汽车系统株式会社 电力转换装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3941728B2 (ja) * 2003-04-07 2007-07-04 富士電機ホールディングス株式会社 電力用半導体装置
JP4075734B2 (ja) 2003-08-21 2008-04-16 株式会社デンソー 半導体装置の実装構造
DE102004019443B3 (de) * 2004-04-19 2005-08-11 Siemens Ag Leistungsmodul
JP2006186170A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
CN103534805B (zh) * 2011-05-16 2016-08-24 丰田自动车株式会社 功率模块
US8987777B2 (en) * 2011-07-11 2015-03-24 International Rectifier Corporation Stacked half-bridge power module
US9041183B2 (en) * 2011-07-19 2015-05-26 Ut-Battelle, Llc Power module packaging with double sided planar interconnection and heat exchangers
JP2014199829A (ja) * 2011-07-29 2014-10-23 三洋電機株式会社 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ
JP2013038848A (ja) * 2011-08-04 2013-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP2013041939A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール及びそれを搭載したインバータ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6350949B1 (en) * 2000-06-23 2002-02-26 Tyco Electronics Corp Sealed power distribution module
JP2006134990A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体装置
JP2009177038A (ja) * 2008-01-28 2009-08-06 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール
CN102835013A (zh) * 2010-04-01 2012-12-19 日立汽车系统株式会社 电力转换装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070695A (zh) * 2015-08-14 2015-11-18 株洲南车时代电气股份有限公司 双面散热电动汽车功率模块
CN105161477A (zh) * 2015-08-14 2015-12-16 株洲南车时代电气股份有限公司 一种平面型功率模块
CN108604588A (zh) * 2016-02-03 2018-09-28 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN108604588B (zh) * 2016-02-03 2021-12-17 新电元工业株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN109287129A (zh) * 2017-05-19 2019-01-29 新电元工业株式会社 电子模块
CN109287129B (zh) * 2017-05-19 2022-04-08 新电元工业株式会社 电子模块
CN111279471A (zh) * 2017-11-10 2020-06-12 新电元工业株式会社 电子模块
CN111279471B (zh) * 2017-11-10 2023-09-15 新电元工业株式会社 电子模块

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