WO2013179605A1 - フィルムコンデンサ - Google Patents

フィルムコンデンサ Download PDF

Info

Publication number
WO2013179605A1
WO2013179605A1 PCT/JP2013/003179 JP2013003179W WO2013179605A1 WO 2013179605 A1 WO2013179605 A1 WO 2013179605A1 JP 2013003179 W JP2013003179 W JP 2013003179W WO 2013179605 A1 WO2013179605 A1 WO 2013179605A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode layer
electrode
film
small
dielectric
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/003179
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
竹岡　宏樹
康大 平木
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to US14/398,989 priority Critical patent/US9595389B2/en
Priority to JP2014518262A priority patent/JP6357652B2/ja
Priority to CN201380028410.0A priority patent/CN104364860B/zh
Publication of WO2013179605A1 publication Critical patent/WO2013179605A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/015—Special provisions for self-healing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/14—Organic dielectrics
    • H01G4/145—Organic dielectrics vapour deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/08—Housing; Encapsulation
    • H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60—Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70—Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries

Definitions

  • the present invention relates to a film capacitor used for various electronic devices, electrical devices, industrial devices, automobiles, and the like, and more particularly, for smoothing motor drive inverter circuits in hybrid vehicles, for filters, and for snubbers.
  • HEVs hybrid vehicles
  • Film capacitors are generally classified into those using metal foil as an electrode and those using a metal film formed on a dielectric film by vapor deposition or the like as an electrode.
  • the film capacitor which uses the metal film formed by vapor deposition etc. as an electrode has a small volume which an electrode occupies compared with the thing of metal foil, and can attain size reduction and weight reduction.
  • the electrode layer formed by vapor deposition, etc. evaporates and scatters around the defective part that caused the insulation failure, and the function of the capacitor is recovered.
  • a self-healing function generally called self-healing is obtained, and dielectric breakdown occurs. High reliability. The thinner the electrode layer, the easier it is to evaporate and scatter and the better the self-healing property, the higher the withstand voltage.
  • FIG. 7 is a perspective view of a capacitor element 1 of a conventional film capacitor.
  • Capacitor element 1 has a pair of metallized films 4 formed each having dielectric film 2 and electrode layer 3 formed on dielectric film 2. The pair of metallized films 4 are wound so that the respective electrode layers 3 face each other with the dielectric film 2 therebetween. A pair of external electrodes 6 are formed on both end faces of the capacitor element 1.
  • the electrode layer 3 is divided into a plurality of small electrode portions 7, and the plurality of small electrode portions 7 are connected by fuses 8.
  • a small electrode portion 7 of the plurality of small electrode portions 7 is short-circuited and an overcurrent flows, the fuse 8 connected to the small electrode portion 7 is melted and this small electrode portion 7 becomes another small electrode portion. 7, and the insulation of the entire plurality of small electrode portions 7 is restored. Therefore, the capacity is slightly reduced by this operation, but the withstand voltage can be kept high.
  • a resin film such as polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, or polyphenyl sulfide is used.
  • a styrenic polymer having a syndiotactic structure has been used as a new film material in order to increase heat resistance.
  • Patent Document 1 A conventional film capacitor using a film made of a styrene polymer having a syndiotactic structure is described in Patent Document 1, for example.
  • the film capacitor includes first and second electrode layers, and a dielectric film disposed between the first and second electrode layers.
  • the dielectric film mainly contains a styrenic polymer having a syndiotactic structure.
  • the first electrode layer includes a plurality of first small electrode portions and a first fuse connecting the plurality of first small electrode portions. A value obtained by dividing the area of each of the plurality of first small electrode portions by the cube of the film thickness of the dielectric film is 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less.
  • FIG. 1 is a perspective view of a capacitor element of a film capacitor according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a top view of the electrode layer of the capacitor element according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing the evaluation results of the film capacitor in the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing the evaluation results of the film capacitor in the embodiment.
  • FIG. 5 is a top view of an electrode layer of another capacitor element according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a top view of an electrode layer of still another capacitor element according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a perspective view of a conventional capacitor element.
  • FIG. 1 is a perspective view of a capacitor element 9 of a film capacitor according to an embodiment.
  • Capacitor element 9 includes metallized films 51 and 52 and external electrodes 15A and 15B.
  • the metallized film 51 has a dielectric film 12 and an electrode layer 10 provided on the dielectric film 12.
  • the metallized film 52 includes the dielectric film 13 and the electrode layer 11 provided on the dielectric film 13.
  • the electrode layer 10 is a positive electrode layer and the electrode layer 11 is a negative electrode layer.
  • the polarity may be reversed, or the polarity may be nonpolar.
  • the dielectric film 12 has a surface 12A and a surface 12B opposite to the surface 12A, and the electrode layer 10 is provided on the surface 12A.
  • the dielectric film 13 has a surface 13A and a surface 13B opposite to the surface 13A, and the electrode layer 11 is provided on the surface 13A.
  • the metallized films 51 and 52 are laminated and wound so that the electrode layer 11 is located on the surface 12B of the dielectric film 12 and the electrode layer 10 is located on the surface 13B of the dielectric film 13. .
  • the dielectric film 12 is disposed between the electrode layer 10 and the electrode layer 11 in a certain layer, and the electrode layer 10 and the electrode are disposed in a layer adjacent to the layer.
  • a dielectric film 13 is disposed between the layer 11.
  • the dielectric films 12 and 13 are made of a resin containing, as a main material, a styrene polymer having a syndiotactic structure.
  • the main material of the resin is a material that occupies 50 wt% or more of the resin.
  • At least one of the electrode layer 10 and the electrode layer 11 has a plurality of small electrode portions 14 and a plurality of fuses connecting the plurality of small electrode portions 14.
  • the A value which is a value obtained by dividing the area of each of the plurality of small electrode portions 14 by the cube of the film thickness of the dielectric films 12, 13, is 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less. It is.
  • the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are made of a conductive material such as aluminum, zinc, magnesium, silicon, or an alloy thereof.
  • the dielectric films 12 and 13 are biaxially stretched films containing a styrene polymer having a syndiotactic structure as a main constituent component.
  • the dielectric films 12 and 13 may further contain additives such as an antioxidant, an amorphous polymer, and inert fine particles in addition to the styrene polymer.
  • the styrenic polymer having a syndiotactic structure has a three-dimensional structure in which phenyl groups and substituted phenyl groups as side chains are alternately located in opposite directions with respect to the main chain formed from carbon-carbon bonds.
  • tacticity is quantified by nuclear magnetic resonance (13C-NMR) with isotope carbon, and the abundance ratio of a plurality of consecutive structural units, for example, dyad for two, triad for three, In the case of a piece, it can be indicated by a pentad or the like.
  • 13C-NMR nuclear magnetic resonance
  • the syndiotactic styrenic polymer is 75% or more, preferably 85% or more by racemic diad (r), or 30% or more by racemic pentad (rrrr), preferably Is 50% or more of syndiotactic polystyrene, poly (alkyl styrene), poly (halogenated styrene), poly (alkoxy styrene), poly (vinyl benzoate), or some of these benzene rings are hydrogen It refers to a polymer or a mixture thereof, or a copolymer containing these structural units.
  • poly (alkyl styrene) examples include poly (methyl styrene), poly (ethyl styrene), poly (propyl styrene), poly (butyl styrene), poly (phenyl styrene), poly (vinyl naphthalene), poly (vinyl styrene), Poly (acenaphthylene) etc.
  • poly (halogenated styrene) examples include poly (chlorostyrene), poly (bromostyrene), and poly (fluorostyrene).
  • poly (alkoxystyrene) examples include poly (methoxystyrene) and poly (ethoxystyrene).
  • particularly preferred styrenic polymers include polystyrene, poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (pt-butylstyrene), poly (p-chlorostyrene), and poly (p-chlorostyrene).
  • polystyrene poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (pt-butylstyrene), poly (p-chlorostyrene), and poly (p-chlorostyrene).
  • M-chlorostyrene poly (p-fluorostyrene)
  • a copolymer of styrene and p-methylstyrene are particularly preferred styrene.
  • a copolymer component can be added to a styrene polymer and used as a copolymer.
  • olefin monomers such as ethylene, propylene, butene, hexene and octene
  • diene monomers such as butadiene and isoprene
  • cyclic diene monomers and methacrylic acid are used as monomers to be bonded to the monomers constituting the above-mentioned styrenic polymer.
  • examples thereof include polar vinyl monomers such as methyl, maleic anhydride and acrylonitrile.
  • Such a styrene polymer having a syndiotactic structure is much more excellent in heat resistance than a styrene polymer having an atactic structure.
  • an additive such as an antistatic agent can be blended with the styrenic polymer having a syndiotactic structure in the embodiment, if necessary.
  • the compounding quantity of an additive 10 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of styrene-type polymers.
  • the compounding amount of the additive exceeds 10 parts by mass, the dielectric films 12 and 13 are liable to break during stretching, and the dielectric films 12 and 13 may not be stably produced.
  • the antioxidant added to the styrene polymer is preferably a primary antioxidant, and among them, a phenolic antioxidant is particularly preferable.
  • the primary antioxidant is excellent in corrosion resistance and can further increase the dielectric breakdown voltage.
  • the antioxidant is contained in the dielectric films 12 and 13 by 0.1 mass% or more and 8.0 mass% or less based on the mass of the dielectric films 12 and 13.
  • Dielectric films 12 and 13 having a high breakdown voltage can be obtained by containing the antioxidant in the above-mentioned range.
  • the addition effect of antioxidant is not enough, a dielectric breakdown voltage falls, and it is inferior to an electrical property.
  • antioxidants may aggregate in the dielectric films 12 and 13, and a dielectric breakdown voltage may become low.
  • examples of the amorphous polymer blended in the styrene polymer include amorphous polymers having a glass transition temperature of 130 ° C. or higher.
  • the amorphous polymer preferably has a glass transition temperature higher than that of the styrene polymer.
  • the glass transition temperature as a mixture of the styrene polymer and the amorphous polymer is increased, the heat resistance is improved, and the dielectric breakdown voltage at a high temperature is increased. Get higher. Furthermore, the thermal contraction of the dielectric films 12 and 13 can be suppressed.
  • the amorphous polymer include polyphenylene ether.
  • the content of the amorphous polymer is preferably about 5.0% by mass or more and 48% by mass or less with respect to the above-mentioned styrenic polymer.
  • the electrical characteristics and heat resistance can be improved by setting the ratio of the amorphous polymer content to the antioxidant content to about 5 to 30. .
  • the dielectric films 12 and 13 of the embodiment may contain inert fine particles.
  • the dielectric films 12 and 13 are easily slid and wound easily by the inert fine particles. Further, air permeation of the dielectric films 12 and 13 can be prevented while maintaining a high dielectric breakdown voltage.
  • the average particle diameter of the inert fine particles is preferably 0.05 ⁇ m or more and 3.0 ⁇ m or less.
  • the inert fine particles may be organic fine particles or inorganic fine particles. A mixture thereof may also be used.
  • organic fine particles examples include polystyrene resin particles, silicone resin particles, and acrylic resin particles. These inert fine particles are preferably spherical.
  • the spherical silicone resin particles have particularly high heat resistance due to a synergistic effect when polyphenylene ether is used as the amorphous polymer.
  • examples of inorganic fine particles include calcium carbonate particles and silica particles.
  • the inorganic fine particles are also preferably spherical.
  • the content of inert fine particles is preferably about 5.0% by mass or less when the dielectric films 12 and 13 are 100% by mass as a whole.
  • additives include, for example, resins such as an atactic styrene polymer, an isotactic styrene polymer, and a styrene-maleic anhydride copolymer. These resins are easily compatible with the styrenic polymer having a syndiotactic structure, and are effective in controlling crystallization when producing a preform for stretching. Further, it is possible to obtain a film having improved stretchability, easy control of stretching conditions, and excellent mechanical properties.
  • the content of these resins is preferably 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the styrenic polymer having a syndiotactic structure.
  • the dielectric films 12 and 13 have low compatibility with styrenic polymers such as polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyamides such as nylon 6 and nylon 6, 6, and polyvinyl alcohol.
  • styrenic polymers such as polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyamides such as nylon 6 and nylon 6, 6, and polyvinyl alcohol.
  • a small amount of resin may be added.
  • Such an incompatible resin can be dispersed in an island shape in a styrenic polymer having a syndiotactic structure, can give a suitable gloss after stretching, and can improve surface slipperiness.
  • the content of the incompatible resin component is preferably 20 parts by mass or less.
  • Additives such as antistatic agents, colorants, weathering agents and the like can be further added to
  • Capacitor element 9 in the embodiment has a high withstand voltage and a long life as described below.
  • Example 1 A sample of Example 1 of the capacitor element 9 of the film capacitor in the embodiment was prepared.
  • the electrode layer 10 is formed on the surface 12A of the dielectric film 12 by vapor deposition.
  • the electrode layer 11 is formed on the surface 13A of the dielectric film 13 by vapor deposition.
  • the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are wound through dielectric films 12 and 13.
  • the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are formed by vapor deposition on one surface 12A of the dielectric film 12 and one surface 13A of the dielectric film 13, respectively.
  • the electrode layer 10 may be deposited on the surface 12A of the dielectric film 12, and the electrode layer 11 may be deposited on the surface 12B. In this case, the electrode layer is not formed on the dielectric film 13.
  • one of the electrode layer 10 and the electrode layer 11 may be deposited on the dielectric film 12, and the other may be formed of a foil.
  • Example 1 the surface roughness Ra of the surfaces 12A and 13A of the dielectric films 12 and 13 on which the electrode layers 10 and 11 are formed is 45 nm, and the surface roughness Ra of the opposite surfaces 12B and 13B is 15 nm. Thus, the surface roughness of the surfaces 12A and 13A is larger than that of the surfaces 12B and 13B, respectively.
  • Example 1 the main component of the electrode layer 10 and the electrode layer 11 is aluminum.
  • external electrodes 15A and 15B are formed on both ends of the capacitor element 9.
  • the external electrodes 15A and 15B can be formed, for example, by spraying zinc on the end of the capacitor element 9.
  • the external electrode 15A is electrically connected to the electrode layer 10
  • the external electrode 15B is electrically connected to the electrode layer 11 to draw out the respective electrodes.
  • the dielectric film 12 extends in the width direction DW and has opposite ends 12C and 12D.
  • the dielectric film 13 extends in the width direction DW and has opposite ends 13C and 13D.
  • the end portions 12C, 13D of the dielectric films 12, 13 are positioned in the same direction with respect to the dielectric films 12, 13, and the end portions 12D, 13C of the dielectric films 12, 13 are positioned in the same direction with respect to the dielectric films 12, 13. .
  • the end portion 12C of the dielectric film 12 coincides with the end portion 10A of the electrode layer 10
  • the end portion 13C of the dielectric film 13 coincides with the end portion 11A of the electrode layer 11.
  • the external electrode 15A is provided on the end portions 12C and 13D of the dielectric films 12 and 13, and the external electrode 15B is provided on the end portions 12D and 13C of the dielectric films 12 and 13.
  • the external electrode 15A is connected to the end 10A of the electrode layer 10.
  • a low resistance portion 16A having a locally increased film thickness is formed at the end portion 10A.
  • the low resistance portion 16 ⁇ / b> A can be formed by depositing a metal such as zinc or aluminum on the electrode layer 10 made of aluminum, and has a lower resistance value than the electrode layer 10.
  • the electrode layer 10 is not formed on the end portion 12D of the dielectric film 12, and constitutes an insulation margin portion 17A.
  • the insulation margin portion 17A can secure an insulation distance between the electrodes.
  • the electrode layer 11 is connected to the end portion 11 ⁇ / b> A of the electrode layer 11 with the external electrode 15 ⁇ / b> B.
  • a low resistance portion 16B having a locally increased film thickness is formed at the end portion 11A.
  • the low resistance portion 16B can be formed by vapor-depositing a metal such as zinc or aluminum on the electrode layer 11 made of aluminum, and has a lower resistance value than the electrode layer 11.
  • the electrode layer 11 is not formed on the end portion 13D of the dielectric film 13, and constitutes an insulation margin portion 17B.
  • the insulation margin part 17B can secure an insulation distance between the electrodes.
  • FIG. 2 is a top view of the electrode layer 10 formed on the dielectric film 12 and the electrode layer 11 formed on the dielectric film 13.
  • the electrode layer 10 and the electrode layer 11 have effective electrode portions 10E and 11E that face each other and form a capacitance of a capacitor.
  • the effective electrode portion 10E of the electrode layer 10 includes a large electrode portion 18 located on the end portion 10A side and a plurality of small electrode portions 14 located on the end portion 10B side in a direction DX connecting the external electrodes 15A and 15B. It comprises a plurality of fuses 20 connecting the large electrode portion 18 and the plurality of small electrode portions 14.
  • the plurality of small electrode portions 14 are separated by slits 19 in the length direction DL and the width direction DW.
  • the electrode layer 10 is not formed in the slit 19.
  • the small electrode portions 14 are arranged in two rows in the length direction DL.
  • a plurality of small electrode portions 14 separated by the slits 19 and the small electrode portions 14 and the large electrode portions 18 are electrically connected by a fuse 20.
  • the fuse 20 is a part of the electrode layer 10 and is formed integrally with the large electrode portion 18 and the small electrode portion 14 to constitute the electrode layer 10.
  • the large electrode portion 18 is not divided by the slit 19.
  • the entire effective electrode portion 10E may be formed by a plurality of small electrode portions 14, but a plurality of small electrode portions 14 and a large electrode portion 18 may be combined as in the first embodiment.
  • the large electrode portion 18 is disposed closer to the external electrode 15 ⁇ / b> A than the plurality of small electrode portions 14. Since a large current flows through the portion of the electrode layer 10 close to the external electrode 15A, the heat generation of the capacitor element 9 can be suppressed by reducing the resistance of the portion close to the external electrode 15A.
  • the effective electrode portion 11E of the electrode layer 11 includes a large electrode portion 18 located on the end portion 11A side, a plurality of small electrode portions 14 located on the end portion 11B side, a large electrode portion 18 and a plurality of small electrode portions. It consists of a plurality of fuses 20 connecting the electrode part 14.
  • the plurality of small electrode portions 14 are separated by slits 19 in the length direction DL and the width direction DW.
  • the electrode layer 11 is not formed in the slit 19.
  • the small electrode portions 14 are arranged in two rows in the length direction DL.
  • a plurality of small electrode portions 14 separated by the slits 19 and the small electrode portions 14 and the large electrode portions 18 are electrically connected by a fuse 20.
  • the fuse 20 is a part of the electrode layer 11 and is formed integrally with the large electrode portion 18 and the small electrode portion 14 to constitute the electrode layer 11.
  • the large electrode portion 18 is not divided by the slit 19.
  • the entire effective electrode portion 11E may be formed by a plurality of small electrode portions 14, but a plurality of small electrode portions 14 and a large electrode portion 18 may be combined as in the first embodiment.
  • the large electrode portion 18 is disposed closer to the external electrode 15 ⁇ / b> B than the plurality of small electrode portions 14. Since a large current flows through a portion of the electrode layer 11 close to the external electrode 15B, heat generation of the capacitor element 9 can be suppressed by reducing the resistance of the portion close to the external electrode 15B.
  • the plurality of small electrode portions 14 of the electrode layer 10 are opposed to the large electrode portion 18 of the electrode layer 11 through the dielectric films 12 and 13, and the plurality of small electrode portions 14 of the electrode layer 11 are connected to the dielectric films 12 and 13. It faces the large electrode portion 18 of the electrode layer 10.
  • the dielectric films 12 and 13 of the capacitor element 9 of Example 1 contain a styrenic polymer having a syndiotactic structure as a main component, and further contain polyphenylene ether as an amorphous polymer. Further contains fine particles.
  • the surface 12A, the thickness d 1 is the distance between 12B of the dielectric film 12 is 2.0 .mu.m, 2.5 [mu] m, a 3.0 [mu] m.
  • the area of the plurality of small electrode portions 14 is substantially the same for both the electrode layer 10 and the electrode layer 11. Moreover, the area of the small electrode part 14 was changed for every sample.
  • FIG. 3 shows the evaluation result of Example 1 of the capacitor element 9 of the film capacitor according to the embodiment.
  • a value, safety and life characteristics are shown.
  • the security means that when an insulation failure occurs around a part of the small electrode parts 14 of the plurality of small electrode parts 14, the fuse 20 connected to the part of the small electrode parts 14 operates. Refers to the ability to melt and prevent a short circuit between the electrode layer 10 and the electrode layer 11.
  • the length L 1 is the length of the small electrode portion 14 in the length direction DL shown in FIG.
  • Width W 1 is the width of the small electrode portions 14 in the width direction DW.
  • the film thickness d 1 is the film thickness of the dielectric films 12 and 13.
  • security is defined as follows.
  • the voltage between the external electrodes 15A and 15B is boosted from zero at a constant voltage under the condition that the environmental temperature is 125 ° C., and the voltage is increased until the capacitance change from the initial capacitance of the capacitor element 9 becomes ⁇ 50%.
  • the pressure was increased. Thereafter, the capacitor element 9 was disassembled and visually observed.
  • a sample in which the fuse 20 operated normally is indicated by “G”.
  • the fuse 20 operated almost normally, but a small dielectric breakdown occurred in a part of the dielectric films 12 and 13.
  • a sample in which a trace is seen is indicated by “F”, and a sample in which a large dielectric breakdown trace is seen in the dielectric films 12 and 13 and the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are short-circuited is indicated by “NG”.
  • the life characteristics are defined as follows.
  • a sample whose capacity reduction rate is within 5% of the initial capacity is indicated by “G”, and the capacity reduction rate is 5
  • Samples greater than 10% and less than or equal to 10% are denoted by “F”
  • samples with a capacity reduction rate greater than 10% are denoted by “NG”.
  • sample No. A value is less than 0.4 ⁇ 10 13 / m 6 and 11 have low security.
  • Sample No. A having an A value of 0.4 ⁇ 10 13 / m No. 12 has good security. Also, other samples having an A value larger than 0.4 ⁇ 10 13 / m have good security.
  • the fuse 20 operates stably with the energy applied to the small electrode portion 14.
  • the dielectric films 12 and 13 have a film thickness d 1 and a dielectric constant ⁇ , and the area of the small electrode portion 14 is the area S 1 , the applied voltage V is static between the electrode layer 10 and the electrode layer 11.
  • the energy E applied to one small electrode portion 14 forming the capacitance C can be obtained by the following equation.
  • Example 1 as the dielectric films 12 and 13, a polystyrene polymer having a syndiotactic structure is used, and by setting the A value to 0.4 ⁇ 10 13 / m or more, the small electrode portion 14 has an appropriate size. Thus, when an excessive voltage is applied, the fuse 20 operates stably. As a result, the self-healing property of the film capacitor is increased and the withstand voltage can be increased.
  • sample A value is less than 0.4 ⁇ 10 13 / m or more 5.0 ⁇ 10 13 / m No. In 1 to 3, 7 to 10, and 12 to 15, the rate at which the capacitance of the capacitor element 9 decreases is slow and the life is long.
  • Sample No. A having an A value of 5.0 ⁇ 10 13 / m 4 the life can be made relatively long. Compared with 1-3, 7-10, 12-15, the life is slightly shorter.
  • Sample No. A having an A value of 7.5 ⁇ 10 13 / m 5 the lifetime is short, and the capacity of the capacitor element 9 decreases quickly.
  • each small electrode portion 14 has an appropriate size, and when the fuse 20 is operated, the insulation is efficiently recovered, and electrostatic The influence on the capacity can be reduced.
  • Sample No. A having an A value of 0.2 ⁇ 10 13 / m. 11, since the fuse 20 is difficult to operate, the life of the capacitor element 9 is short, and the capacity is quickly reduced.
  • the A value is set to 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less, so that the safety of the capacitor element 9 is improved and the long life characteristics are obtained. Can be realized. Further, as shown in FIG. 3, a film capacitor having an A value of 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 1.3 ⁇ 10 13 / m or less in this range of A values is relatively excellent in life characteristics. . A film capacitor having an A value of 3.8 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less is relatively excellent in security. A film capacitor having an A value of 1.3 ⁇ 10 13 / m or more and 3.8 ⁇ 10 13 / m or less is compatible with both life characteristics and security.
  • Example 2 the surface roughness Ra of the surfaces 12A and 13A on which the electrode layers 10 and the electrode layers 11 of the dielectric films 12 and 13 are formed is 15 nm, 20 nm, 45 nm, 100 nm, and 150 nm, respectively. Compared.
  • the width W 1 of the small electrode portion 14 in each sample is 2.0 cm, the length L 1 is 5.0 cm, the area S 1 is 10 cm 2 , and the film thickness d 1 of the dielectric films 12 and 13 is 2.5 ⁇ m.
  • Fig. 4 shows the security of each sample.
  • the security is defined as follows in the same manner as in Example 1.
  • the voltage between the external electrodes 15A and 15B is boosted from zero at a constant voltage under the condition that the environmental temperature is 125 ° C., and the voltage is increased until the capacitance change from the initial capacitance of the capacitor element 9 becomes ⁇ 50%.
  • the pressure was increased. Thereafter, the capacitor element 9 was disassembled and visually observed.
  • a sample in which the fuse 20 operated normally is indicated by “G”.
  • the fuse 20 operated almost normally, but a small dielectric breakdown occurred in a part of the dielectric films 12 and 13.
  • a sample in which a trace is seen is indicated by “F”, and a sample in which a large dielectric breakdown trace is seen in the dielectric films 12 and 13 and the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are short-circuited is indicated by “NG”.
  • FIG. 4 the same as in Example 1.
  • the life characteristics are defined as follows. When the capacitor element 9 is left for 2000 hours under the conditions of an environmental temperature of 125 ° C. and an applied voltage of 600 V, a sample whose capacity reduction rate is within 5% of the initial capacity is indicated by “G”, and the capacity reduction rate is 5 Samples greater than 10% and less than or equal to 10% are denoted by “F”, and samples with a capacity reduction rate greater than 10% are denoted by “NG”.
  • the security is good.
  • the reason is that by forming the electrode layer 10 and the electrode layer 11 on the surface having a surface roughness Ra of 20 nm or more, an appropriate gap is provided between the dielectric films 12 and 13 and the electrode layer 10 and the electrode layer 11. This is because the fuse 20 is easily scattered. As described above, since the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are easily scattered, the fuse 20 operates easily, and as a result, the withstand voltage of the film capacitor can be increased.
  • the life characteristics can be improved by setting the surface roughness Ra of the surfaces 12A and 13A of the dielectric films 12 and 13 to less than 150 nm.
  • the surface roughness Ra is 150 nm or more, the gap between the dielectric films 12 and 13 and the electrode layer 10 and the electrode layer 11 becomes wide, so that the fuse 20 operates excessively and the life characteristics are deteriorated.
  • the surface roughness Ra of the surfaces 12A and 13A is 20 nm or more, the withstand voltage can be increased, and when the surface roughness Ra is less than 150 nm, the life characteristics can be improved.
  • the surfaces 12B and 13B of the dielectric films 12 and 13 on which the electrode layer 10 and the electrode layer 11 are not formed are preferably smooth.
  • the surface roughness Ra of the surfaces 12A and 13A of the dielectric films 12 and 13 is adjusted by the particles added to the dielectric films 12 and 13. Since the addition of particles reduces the insulation performance, it is better to have as few particles as possible.
  • FIG. 5 is a top view of electrode layer 10 and electrode layer 111 of another capacitor element 109 in the embodiment.
  • FIG. 6 is a top view of electrode layer 110 and electrode layer 11 of still another capacitor element 209 according to the embodiment. 5 and 6, the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the capacitor element 9 shown in FIGS. 1 and 2.
  • both the electrode layer 10 and the electrode layer 11 have a plurality of small electrode portions 14, and the area of these small electrode portions 14 is reduced to a dielectric film.
  • the A value divided by the cube of the film thickness of 12 and 13 is set to 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less.
  • only one of the electrode layer 10 and the electrode layer 11 includes a plurality of small electrode portions 14, and the area of these small electrode portions 14 is the film of the dielectric films 12 and 13.
  • the A value divided by the cube of the thickness may be 0.4 ⁇ 10 13 / m or more and 5.0 ⁇ 10 13 / m or less.
  • the electrode layer 111 is not divided by the slits 19 and faces the large electrode portion 18 and the plurality of small electrode portions 14 of the electrode layer 10 through the dielectric films 12 and 13. .
  • the electrode layer 10 includes a plurality of small electrode portions 14, and an A value obtained by dividing the area of these small electrode portions 14 by the cube of the thickness of the dielectric films 12 and 13 is 0.4 ⁇ 10 13 / m or more. It is 5.0 ⁇ 10 13 / m or less. This also increases the withstand voltage of the film capacitor.
  • the electrode layer 110 is not divided by the slit 19, and faces the large electrode portion 18 and the plurality of small electrode portions 14 of the electrode layer 11 through the dielectric films 12 and 13. .
  • the electrode layer 11 includes a plurality of small electrode portions 14, and an A value obtained by dividing the area of the small electrode portions 14 by the cube of the film thickness of the dielectric films 12 and 13 is 0.4 ⁇ 10 13 / m or more. It is 5.0 ⁇ 10 13 / m or less. This also increases the withstand voltage of the film capacitor.
  • the film capacitor according to the present invention has an excellent withstand voltage, and can be suitably used as a capacitor for use in various electronic devices, electrical devices, industrial equipment, automobiles, and the like, and particularly for automobiles where high withstand voltage characteristics are required. Useful for.
  • Electrode layer (first electrode layer) 11 Electrode layer (second electrode layer) 12 Dielectric film 12A Surface of dielectric film 12 (first surface) 12B Surface of dielectric film 12 (second surface) 13 Dielectric film 14 Small electrode portion (first small electrode portion, second small electrode portion) 20 fuses (first fuse, second fuse)

Abstract

　フィルムコンデンサは、第１と第２の電極層と、第１と第２の電極層の間に配置された誘電体フィルムとを備える。誘電体フィルムは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主に含有する。第１の電極層は、複数の第１の小電極部と、複数の第１の小電極部を連結する第１のヒューズとを有する。複数の第１の小電極部のそれぞれの面積を誘電体フィルムの膜厚の三乗で除した値が０．４×１０１３／ｍ以上かつ５．０×１０１３／ｍ以下である。このフィルムコンデンサは高い耐電圧を有する。

Description

フィルムコンデンサ
　本発明は各種電子機器、電気機器、産業機器、自動車等に使用され、特に、ハイブリッド自動車のモータ駆動用インバータ回路の平滑用、フィルタ用、スナバ等に用いられるフィルムコンデンサに関する。
　近年、環境保護の観点から、あらゆる電気機器がインバータ回路で制御され、省エネルギー化、高効率化が進められている。中でも自動車業界においては、電気モータとエンジンで走行するハイブリッド車（以下、ＨＥＶと呼ぶ）が市場導入される等、地球環境に優しく、省エネルギー化、高効率化に関する技術の開発が活発化している。
　このようなＨＥＶ用の電気モータは使用電圧領域が数百ボルトと高いため、この電気モータに関連して使用されるコンデンサとして、高耐電圧で低損失の電気特性を有するフィルムコンデンサが注目されている。
　フィルムコンデンサは、一般に金属箔を電極に用いるものと、誘電体フィルム上に蒸着等で形成した金属膜を電極に用いるものとに大別される。中でも、蒸着等で形成した金属膜を電極とするフィルムコンデンサは、金属箔のものに比べて電極の占める体積が小さく、小型軽量化が図れる。また、蒸着等で形成した電極層では、絶縁不良を起こした欠陥部の周辺の部分が蒸発・飛散し、コンデンサの機能が回復する、一般にセルフヒーリング性と呼ばれる自己回復機能が得られ、絶縁破壊に対する高い信頼性を有する。電極層は薄いほど蒸発・飛散しやすく、セルフヒーリング性が良くなるため、耐電圧が高くなる。
　図７は従来のフィルムコンデンサのコンデンサ素子１の斜視図である。コンデンサ素子１は、誘電体フィルム２と、誘電体フィルム２上に形成された電極層３とをそれぞれ有する形成した一対の金属化フィルム４を有する。一対の金属化フィルム４は夫々の電極層３が誘電体フィルム２を介して対向するように重ね合わせて巻回されている。コンデンサ素子１の両端面には一対の外部電極６が形成されている。
　電極層３は複数の小電極部７に分割され、複数の小電極部７間はヒューズ８で連結されている。複数の小電極部７のうちのある小電極部７が短絡して過電流が流れると、この小電極部７と接続されたヒューズ８が溶断してこの小電極部７が他の小電極部７から切り離され、複数の小電極部７全体の絶縁を回復させる。したがって、この動作により容量は若干減少するが、耐電圧を高く保つことが出来る。
　誘電体フィルム２として、ポリプロピレンやポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニルサルファイド等の樹脂フィルムが用いられている。しかし、近年、耐熱性を上げるため、新たなフィルム材料として、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体が用いられてきている。
　シンジオタクチック構造のスチレン系重合体よりなるフィルムを用いた従来のフィルムコンデンサは、例えば、特許文献１に記載されている。
国際公開第２０１１／０６５５８５号
　フィルムコンデンサは、第１と第２の電極層と、第１と第２の電極層の間に配置された誘電体フィルムとを備える。誘電体フィルムは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主に含有する。第１の電極層は、複数の第１の小電極部と、複数の第１の小電極部を連結する第１のヒューズとを有する。複数の第１の小電極部のそれぞれの面積を誘電体フィルムの膜厚の三乗で除した値が０．４×１０１３／ｍ以上かつ５．０×１０１３／ｍ以下である。
図１は実施の形態におけるフィルムコンデンサのコンデンサ素子の斜視図である。 図２は実施の形態におけるコンデンサ素子の電極層の上面図である。 図３は実施の形態におけるフィルムコンデンサの評価結果を示す図である。 図４は実施の形態におけるフィルムコンデンサの評価結果を示す図である。 図５は実施の形態における他のコンデンサ素子の電極層の上面図である。 図６は実施の形態におけるさらに他のコンデンサ素子の電極層の上面図である。 図７は従来のコンデンサ素子の斜視図である。
　図１は実施の形態におけるフィルムコンデンサのコンデンサ素子９の斜視図である。コンデンサ素子９は、金属化フィルム５１、５２と外部電極１５Ａ、１５Ｂを備える。金属化フィルム５１は、誘電体フィルム１２と、誘電体フィルム１２上に設けられた電極層１０とを有する。金属化フィルム５２は、誘電体フィルム１３と、誘電体フィルム１３上に設けられた電極層１１とを有する。実施の形態では、電極層１０は正極層であり、電極層１１は負極層であるが、極性はこの逆であってもよく、また、無極性でもよい。誘電体フィルム１２は、面１２Ａと、面１２Ａの反対側の面１２Ｂとを有し、電極層１０は面１２Ａ上に設けられている。誘電体フィルム１３は、面１３Ａと、面１３Ａの反対側の面１３Ｂとを有し、電極層１１は面１３Ａ上に設けられている。電極層１１が誘電体フィルム１２の面１２Ｂ上に位置し、かつ電極層１０が誘電体フィルム１３の面１３Ｂ上に位置するように、金属化フィルム５１、５２が積層されて巻回されている。このように、積層されて巻回されたコンデンサ素子９では、ある層では電極層１０と電極層１１との間に誘電体フィルム１２が配置され、その層に隣り合う層では電極層１０と電極層１１との間に誘電体フィルム１３が配置される。
　誘電体フィルム１２、１３はシンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主材料として含有する樹脂よりなる。ここで、樹脂の主材料とは、樹脂の５０ｗｔ％以上を占める材料である。
　電極層１０と電極層１１のうちの少なくとも一方は、複数の小電極部１４と、複数の小電極部１４を連結する複数のヒューズとを有する。複数の小電極部１４のそれぞれの面積を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除した値であるＡ値は０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下である。
　電極層１０、電極層１１は、アルミニウムや亜鉛、マグネシウム、シリコンなどの導電材料や、これらの合金からなる。
　誘電体フィルム１２、１３は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主な構成成分とする二軸延伸フィルムである。誘電体フィルム１２、１３はスチレン系重合体に加えて、酸化防止剤や非晶性ポリマー、不活性微粒子等の添加剤をさらに含有していてもよい。
　シンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、炭素－炭素結合から形成される主鎖に対して、側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有する。
　一般にタクティシティーは、同位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ－ＮＭＲ法）により定量され、連続する複数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッド、５個の場合はペンタッド等によって示すことができる。
　実施の形態におけるフィルムコンデンサでは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体とは、ラセミダイアッド（ｒ）で７５％以上、好ましくは８５％以上、あるいはラセミペンタッド（ｒｒｒｒ）で３０％以上、好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エステル）、あるいはこれらのベンゼン環の一部が水素化された重合体やこれらの混合物、またはこれらの構造単位を含む共重合体を指称する。
　ポリ（アルキルスチレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エチルスチレン）、ポリ（プロピルスチレン）、ポリ（ブチルスチレン）、ポリ（フェニルスチレン）、ポリ（ビニルナフタレン）、ポリ（ビニルスチレン）、ポリ（アセナフチレン）等がある。
　ポリ（ハロゲン化スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（ブロモスチレン）、ポリ（フロオロスチレン）等がある。
　ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）等がある。
　これらのうち、特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ－メチルスチレン）、ポリ（ｍ－メチルスチレン）、ポリ（ｐ－ｔ－ブチルスチレン）、ポリ（ｐ－クロロスチレン）、ポリ（ｍ－クロロスチレン）、ポリ（ｐ－フルオロスチレン）、またスチレンとｐ－メチルスチレンとの共重合体が挙げられる。
　さらに、スチレン系重合体に共重合成分を含有させて共重合体として使用することもできる。この共重合体において、上述のスチレン系重合体を構成するモノマーに結合させるモノマーとして、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセン、オクテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン、イソプレン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリル酸メチル、無水マレイン酸、アクリロニトリル等の極性ビニルモノマー等が挙げられる。
　このようなシンジオタクチック構造のスチレン系重合体は、アタクチック構造のスチレン系重合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
　実施の形態におけるシンジオタクチック構造のスチレン系重合体には、必要に応じて帯電防止剤等の添加剤を適量配合することができる。添加剤の配合量は、スチレン系重合体１００質量部に対して１０質量部以下が好ましい。添加剤の配合量が１０質量部を越えると、延伸時に誘電体フィルム１２、１３の破断を起こしやすくなり、安定して誘電体フィルム１２、１３を生産できなくなる場合がある。
　上記スチレン系重合体に添加する酸化防止剤は、一次酸化防止剤が好ましく、そのなかでもフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。一次酸化防止剤は、耐腐食性に優れ、絶縁破壊電圧をより高めることができる。
　酸化防止剤は、誘電体フィルム１２、１３の質量を基準として０．１質量％以上８．０質量％以下だけ誘電体フィルム１２、１３に含有される。酸化防止剤を上記範囲の含有量で含有することによって、高い絶縁破壊電圧を有する誘電体フィルム１２、１３が得られる。酸化防止剤が少なすぎる場合は、酸化防止剤の添加効果が十分でなく、絶縁破壊電圧が低下し、電気的特性に劣る。他方、酸化防止剤が多すぎる場合は、誘電体フィルム１２、１３中において酸化防止剤が凝集し、絶縁破壊電圧が低くなる場合がある。
　また上記スチレン系重合体に配合する非晶性ポリマーは、ガラス転移温度が１３０℃以上の非晶性ポリマーが挙げられる。
　非晶性ポリマーとしては、スチレン系重合体のガラス転移温度より高いガラス転移温度を有することが好ましい。スチレン系重合体にこのような非晶性ポリマーを配合すると、スチレン系重合体と非晶性ポリマーの混合体としてのガラス転移温度が高くなり、耐熱性が向上し、かつ高温における絶縁破壊電圧が高くなる。さらに誘電体フィルム１２、１３の熱収縮を抑制できる。非晶性ポリマーとしては、例えばポリフェニレンエーテルが挙げられる。
　非晶性ポリマーの含有量は、前述のスチレン系重合体に対し、５．０質量％以上４８質量％以下程度が好ましい。
　また実施の形態における誘電体フィルム１２、１３では、上述の非晶性ポリマーの含有量の酸化防止剤の含有量に対する比を５～３０程度とすることで、電気的特性および耐熱性を高くできる。
　実施の形態の誘電体フィルム１２、１３は不活性微粒子を含んでいてもよい。不活性微粒子により誘電体フィルム１２、１３が容易に滑り、巻取りやすくなる。また高い絶縁破壊電圧を保ったまま、誘電体フィルム１２、１３のエアー透過を防止することができる。
　不活性微粒子の平均粒径は、０．０５μｍ以上３．０μｍ以下が好ましい。不活性微粒子は、有機系微粒子であってもよいし、無機系微粒子であってもよい。またこれらの混合物であってもよい。
　有機系微粒子としては、例えばポリスチレン樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子などが挙げられる。これらの不活性微粒子は球状であることが好ましい。球状のシリコーン樹脂粒子は、上述の非晶性ポリマーとしてポリフェニレンエーテルを用いた際に、相乗効果によってとりわけ耐熱性が高くなる。
　また、無機系微粒子としては、炭酸カルシウム粒子、シリカ粒子が挙げられる。無機系微粒子も球状であることが好ましい。
　不活性微粒子の含有量は、誘電体フィルム１２、１３が全体で１００質量％とした場合に、５．０質量％以下程度が好ましい。
　その他の添加剤としては、例えばアタクチック構造のスチレン系重合体、アイソタクチック構造のスチレン系重合体、スチレン－無水マレイン酸共重合体等の樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶しやすく、延伸用予備成形体を作製するときの結晶化の制御に有効である。またその後の延伸性が向上し、延伸条件の制御が容易で、かつ力学物性に優れたフィルムを得ることができる。これら樹脂の含有割合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体１００質量部に対して２０質量部以下が好ましい。
　また、誘電体フィルム１２、１３にポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６やナイロン６，６等のポリアミド、ポリビニルアルコール等、スチレン系重合体と相溶性の低い樹脂を少量添加してもよい。このような非相溶成樹脂はシンジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島状に分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えたり、表面の滑り性を改良したりできる。非相溶性樹脂成分の含有割合は、２０質量部以下が好ましい。誘電体フィルム１２、１３にさらに、帯電防止剤、着色剤、耐候剤等の添加剤を加えることができる。
　図７に示す従来のコンデンサ素子１において、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体の誘電体フィルム２を用いると、電極層３が飛散しにくくなり、ヒューズ８が切れにくくなる。したがって、耐熱性を向上できる一方で、フィルムコンデンサの耐電圧が低下する。実施の形態におけるコンデンサ素子９は、以下に述べるように、高い耐電圧を有し、かつ長寿命である。
　（実施例１）
　実施の形態におけるフィルムコンデンサのコンデンサ素子９の実施例１のサンプルを作成した。
　電極層１０は、誘電体フィルム１２の面１２Ａに蒸着によって形成されている。電極層１１は、誘電体フィルム１３の面１３Ａに蒸着によって形成されている。電極層１０、電極層１１は誘電体フィルム１２、１３を介して巻回されている。
　なお、実施例１では誘電体フィルム１２の一方の面１２Ａと誘電体フィルム１３の一方の面１３Ａに電極層１０、電極層１１をそれぞれ蒸着で形成する。別の方法として、例えば誘電体フィルム１２の面１２Ａに電極層１０を蒸着し、面１２Ｂに電極層１１を蒸着してもよく、この場合には誘電体フィルム１３には電極層は形成されない。さらに、電極層１０と電極層１１のうちの一方を誘電体フィルム１２上に蒸着し、他方は箔で形成してもよい。
　実施例１において、電極層１０、電極層１１が形成された誘電体フィルム１２、１３の面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａは４５ｎｍであり、反対側の面１２Ｂ、１３Ｂの表面粗度Ｒａは１５ｎｍである。このように、面１２Ａ、１３Ａの方がそれぞれ面１２Ｂ、１３Ｂよりも表面粗度が大きい。
　実施例１では、電極層１０、電極層１１の主成分はアルミニウムである。
　実施例１では、コンデンサ素子９の両端に外部電極１５Ａ、１５Ｂが形成されている。外部電極１５Ａ、１５Ｂは、例えばコンデンサ素子９の端部に亜鉛を溶射して形成できる。外部電極１５Ａは電極層１０と電気的に接続され、外部電極１５Ｂは電極層１１と電気的に接続され、それぞれの電極を引き出している。誘電体フィルム１２は幅方向ＤＷに延びて互いに反対側の端部１２Ｃ、１２Ｄを有し、誘電体フィルム１３は幅方向ＤＷに延びて互いに反対側の端部１３Ｃ、１３Ｄを有する。誘電体フィルム１２、１３の端部１２Ｃ、１３Ｄは誘電体フィルム１２、１３について同じ方向に位置し誘電体フィルム１２、１３の端部１２Ｄ、１３Ｃは誘電体フィルム１２、１３について同じ方向に位置する。誘電体フィルム１２の端部１２Ｃは電極層１０の端部１０Ａに一致しており、誘電体フィルム１３の端部１３Ｃは電極層１１の端部１１Ａに一致している。外部電極１５Ａは誘電体フィルム１２、１３の端部１２Ｃ、１３Ｄに設けられており、外部電極１５Ｂは誘電体フィルム１２、１３の端部１２Ｄ、１３Ｃに設けられている。
　電極層１０の端部１０Ａに外部電極１５Ａが接続される。端部１０Ａには局部的に膜厚を大きくした低抵抗部１６Ａが形成されている。低抵抗部１６Ａはアルミニウムからなる電極層１０上に亜鉛やアルミニウムなどの金属を蒸着して形成でき、電極層１０より低い抵抗値を有する。
　誘電体フィルム１２の端部１２Ｄには電極層１０が形成されておらず、絶縁マージン部１７Ａを構成している。絶縁マージン部１７Ａにより、電極間での絶縁距離を確保できる。
　電極層１１も電極層１０と同様に、電極層１１の端部１１Ａに外部電極１５Ｂが接続される。端部１１Ａには局部的に膜厚を大きくした低抵抗部１６Ｂが形成されている。低抵抗部１６Ｂはアルミニウムからなる電極層１１上に亜鉛やアルミニウムなどの金属を蒸着して形成でき、電極層１１より低い抵抗値を有する。
　誘電体フィルム１３の端部１３Ｄには電極層１１が形成されておらず、絶縁マージン部１７Ｂを構成している。絶縁マージン部１７Ｂにより、電極間での絶縁距離を確保できる。
　図２に誘電体フィルム１２上に形成された電極層１０と誘電体フィルム１３上に形成された電極層１１の上面図である。電極層１０と電極層１１とは互いに対向してコンデンサの容量を形成する有効電極部１０Ｅ、１１Ｅをそれぞれ有する。
　電極層１０の有効電極部１０Ｅは、外部電極１５Ａ、１５Ｂ間を結ぶ方向ＤＸにおいて、端部１０Ａ側に位置する大電極部１８と、端部１０Ｂ側に位置する複数の小電極部１４と、大電極部１８と複数の小電極部１４とを接続する複数のヒューズ２０からなる。
　複数の小電極部１４は、長さ方向ＤＬと、幅方向ＤＷとにおいてスリット１９によって分離されている。スリット１９には、電極層１０が形成されていない。実施例１では、小電極部１４は、長さ方向ＤＬで二列に配列されている。
　図２に示すように、スリット１９によって分離された複数の小電極部１４間と、小電極部１４と大電極部１８との間はヒューズ２０によって電気的に接続されている。ヒューズ２０は電極層１０の一部であり、大電極部１８や小電極部１４と一体に形成されて電極層１０を構成している。
　大電極部１８はスリット１９によって区切られていない。有効電極部１０Ｅは全体を複数の小電極部１４によって形成してもよいが、実施例１のように複数の小電極部１４と大電極部１８とを組み合わせてもよい。大電極部１８と小電極部１４とを組み合わせる場合は、大電極部１８を複数の小電極部１４に比べて外部電極１５Ａの近くに配置する。電極層１０の外部電極１５Ａに近い部分には大電流が流れるので、外部電極１５Ａに近い部分の抵抗を下げることで、コンデンサ素子９の発熱を抑制できる。
　電極層１１の有効電極部１１Ｅは、方向ＤＸにおいて、端部１１Ａ側に位置する大電極部１８と、端部１１Ｂ側に位置する複数の小電極部１４と、大電極部１８と複数の小電極部１４とを接続する複数のヒューズ２０からなる。
　複数の小電極部１４は、長さ方向ＤＬと、幅方向ＤＷとにおいてスリット１９によって分離されている。スリット１９には、電極層１１が形成されていない。実施例１では、小電極部１４は、長さ方向ＤＬで二列に配列されている。
　図２に示すように、スリット１９によって分離された複数の小電極部１４間と、小電極部１４と大電極部１８との間はヒューズ２０によって電気的に接続されている。ヒューズ２０は電極層１１の一部であり、大電極部１８や小電極部１４と一体に形成されて電極層１１を構成している。
　大電極部１８はスリット１９によって区切られていない。有効電極部１１Ｅは全体を複数の小電極部１４によって形成してもよいが、実施例１のように複数の小電極部１４と大電極部１８とを組み合わせてもよい。大電極部１８と小電極部１４とを組み合わせる場合は、大電極部１８を複数の小電極部１４に比べて外部電極１５Ｂの近くに配置する。電極層１１の外部電極１５Ｂに近い部分には大電流が流れるので、外部電極１５Ｂに近い部分の抵抗を下げることで、コンデンサ素子９の発熱を抑制できる。
　電極層１０の複数の小電極部１４は誘電体フィルム１２、１３を介して電極層１１の大電極部１８に対向し、電極層１１の複数の小電極部１４は誘電体フィルム１２、１３を介して電極層１０の大電極部１８に対向する。
　実施例１のコンデンサ素子９の誘電体フィルム１２、１３は、上述したとおり、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主成分として含有し、非晶性ポリマーとしてポリフェニレンエーテルをさらに含有し、不活性微粒子をさらに含有する。
　実施例１のサンプルでは、誘電体フィルム１２の面１２Ａ、１２Ｂ間の距離である膜厚ｄ１は２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍである。
　コンデンサ素子９の１つのサンプルにおいて、複数の小電極部１４の面積は、電極層１０、電極層１１ともに全て実質的に同じである。またサンプルごとに小電極部１４の面積を変えた。
　図３は実施の形態におけるフィルムコンデンサのコンデンサ素子９の実施例１の評価結果を示し、夫々のサンプルにおける小電極部１４の長さＬ１（ｃｍ）、幅Ｗ１（ｃｍ）、面積Ｓ１（ｃｍ２）、誘電体フィルム１２、１３の膜厚ｄ１（μｍ）と、小電極部１４のそれぞれの面積Ｓ１を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除した値であるＡ値と、保安性、寿命特性を示す。保安性とは、複数の小電極部１４のうちの一部の小電極部１４の周囲で絶縁不良を起こした際に、その一部の小電極部１４に接続されているヒューズ２０が動作して溶断し、電極層１０と電極層１１との間の短絡を防ぐ性能を指す。
　長さＬ１は、図１に示す長さ方向ＤＬにおける小電極部１４の長さである。幅Ｗ１は、幅方向ＤＷにおける小電極部１４の幅である。膜厚ｄ１は誘電体フィルム１２、１３の膜厚である。
　図３において保安性は以下のように定義する。コンデンサ素子９を環境温度１２５℃の条件下で外部電極１５Ａ、１５Ｂ間の電圧をゼロから一定電圧ずつ昇圧し、コンデンサ素子９の初期の容量からの容量の変化が－５０％となるまで電圧を昇圧させた。その後、コンデンサ素子９を解体して目視し、ヒューズ２０が正常に動作したサンプルを「Ｇ」で示し、ヒューズ２０がほぼ正常に動作したが、誘電体フィルム１２、１３の一部に小さな絶縁破壊痕が見られたサンプルを「Ｆ」で示し、誘電体フィルム１２、１３に大きな絶縁破壊痕が見られて電極層１０と電極層１１がショートしたサンプルを「ＮＧ」で示す。
　図３において寿命特性は以下のように定義する。コンデンサ素子９を環境温度１２５℃、印加電圧６００Ｖの条件下、２０００時間放置した場合において、容量の減少率が初期の容量の５％以内のサンプルを「Ｇ」で示し、容量の減少率が５％より多く１０％以下のサンプルを「Ｆ」で示し、容量の減少率が１０％より多いサンプルを「ＮＧ」で示す。
　図３に示すように、Ａ値が０．４×１０１３／ｍ未満であるサンプルＮｏ．６、１１では保安性が低い。Ａ値が０．４×１０１３／ｍであるサンプルＮｏ．１２は保安性が良好となる。またＡ値が０．４×１０１３／ｍより大きいその他のサンプルにおいても保安性は良好となる。
　Ａ値を０．４×１０１３／ｍより大きくすることで、小電極部１４に印加されるエネルギーでヒューズ２０が安定して動作すると考えられる。誘電体フィルム１２、１３が膜厚ｄ１と誘電率εを有し、小電極部１４の面積が面積Ｓ１である場合に、電極層１０と電極層１１との間に印加電圧Ｖが静電容量Ｃを形成する１つの小電極部１４に印加されるエネルギーＥは以下の式によって求めることができる。
Ｅ＝（１／２）・Ｃ・Ｖ２
Ｃ＝ε・（Ｓ１／ｄ１）
Ｅ＝（１／２）・ε・（Ｓ１／ｄ１）・Ｖ２
　更に、印加電圧Ｖを、膜厚あたりの電圧（Ｖ／ｄ１）に置き換え、誘電体フィルム１２、１３の誘電率εと印加電圧Ｖを一定と考えると、小電極部１４に印加されるエネルギーは、小電極部１４の面積Ｓ１を誘電体フィルム１２、１３の膜厚ｄ１の三乗で除した値、すなわち上記Ａ値に比例する。
　実施例１では、誘電体フィルム１２、１３としてシンジオタクチック構造のポリスチレン系重合体を用い、上記Ａ値を０．４×１０１３／ｍ以上とすることで小電極部１４が適度な大きさとなり、過剰な電圧が印加された時にヒューズ２０が安定して動作する。その結果、フィルムコンデンサのセルフヒーリング性が高まり、耐電圧を高めることができる。
　また、図３に示すように、Ａ値が０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ未満のサンプルＮｏ．１～３、７～１０、１２～１５では、コンデンサ素子９の容量が減少する速度が遅く、寿命が長い。Ａ値が５．０×１０１３／ｍであるサンプルＮｏ．４では、寿命は比較的長くすることができるが、サンプルＮｏ．１～３、７～１０、１２～１５と比べるとやや寿命が短い。Ａ値が７．５×１０１３／ｍであるサンプルＮｏ．５では寿命が短く、コンデンサ素子９の容量が早くに減少する。
　以上のように、Ａ値を５．０×１０１３／ｍ以下とすることで、それぞれの小電極部１４が適度な大きさとなり、ヒューズ２０が動作した時に効率よく絶縁が回復され、静電容量に与える影響を低減できる。
　またＡ値が０．２×１０１３／ｍであるサンプルＮｏ．１１では、ヒューズ２０が動作しにくいので、コンデンサ素子９の寿命が短く、容量が早くに減少する。
　以上述べたように、実施例１では、Ａ値を０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下とすることで、コンデンサ素子９の保安性を高め、かつ高寿命特性を実現できる。また、図３に示すように、Ａ値のこの範囲のうちＡ値が０．４×１０１３／ｍ以上１．３×１０１３／ｍ以下であるフィルムコンデンサは比較的寿命特性に優れている。また、Ａ値が３．８×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下であるフィルムコンデンサは比較的保安性に優れる。Ａ値が１．３×１０１３／ｍ以上３．８×１０１３／ｍ以下であるフィルムコンデンサは寿命特性と保安性の双方がより高いレベルで両立する。
　（実施例２）
　実施例２では、誘電体フィルム１２、１３の電極層１０、電極層１１を形成する面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａがそれぞれ１５ｎｍ、２０ｎｍ、４５ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍのサンプルを用い、保安性を比較した。
　それぞれのサンプルにおける小電極部１４の幅Ｗ１は２．０ｃｍであい、長さＬ１は５．０ｃｍであり、面積Ｓ１は１０ｃｍ２であり、誘電体フィルム１２、１３の膜厚ｄ１は２．５μｍである。
　図４は各サンプルの保安性を示す。保安性は、実施例１と同様に、以下のように定義する。コンデンサ素子９を環境温度１２５℃の条件下で外部電極１５Ａ、１５Ｂ間の電圧をゼロから一定電圧ずつ昇圧し、コンデンサ素子９の初期の容量からの容量の変化が－５０％となるまで電圧を昇圧させた。その後、コンデンサ素子９を解体して目視し、ヒューズ２０が正常に動作したサンプルを「Ｇ」で示し、ヒューズ２０がほぼ正常に動作したが、誘電体フィルム１２、１３の一部に小さな絶縁破壊痕が見られたサンプルを「Ｆ」で示し、誘電体フィルム１２、１３に大きな絶縁破壊痕が見られて電極層１０と電極層１１がショートしたサンプルを「ＮＧ」で示す。
　図４において、実施例１と同様に。寿命特性は以下のように定義する。コンデンサ素子９を環境温度１２５℃、印加電圧６００Ｖの条件下、２０００時間放置した場合において、容量の減少率が初期の容量の５％以内のサンプルを「Ｇ」で示し、容量の減少率が５％より多く１０％以下のサンプルを「Ｆ」で示し、容量の減少率が１０％より多いサンプルを「ＮＧ」で示す。
　図４に示すように、誘電体フィルム１２、１３の面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以上の場合は保安性が良好である。その理由は、表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以上の面上に電極層１０、電極層１１を形成することで、誘電体フィルム１２、１３と電極層１０、電極層１１との間に適度な隙間が形成され、ヒューズ２０が飛散し易くなるからと考えられる。以上のように電極層１０、電極層１１が飛散しやすいので、ヒューズ２０が容易に動作し、結果としてフィルムコンデンサの耐電圧を高めることができる。
　また誘電体フィルム１２、１３の面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａを１５０ｎｍ未満とすることで、寿命特性を向上できる。表面粗度Ｒａが１５０ｎｍ以上では、誘電体フィルム１２、１３と電極層１０、電極層１１との間の隙間が広くなるので、ヒューズ２０が過度に動作し、寿命特性が低下してくる。
　以上より、面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａが２０ｎｍ以上では耐電圧を高くすることができ、表面粗度Ｒａが１５０ｎｍ未満で、寿命特性を向上できる。なお、電極層１０、電極層１１を形成しない誘電体フィルム１２、１３の面１２Ｂ、１３Ｂは平滑な方が好ましい。誘電体フィルム１２、１３の面１２Ａ、１３Ａの表面粗度Ｒａは誘電体フィルム１２、１３に添加する粒子により調整する。粒子の添加は絶縁性能を低下させるため、できるだけ粒子は少ない方がよい。
　図５は実施の形態における他のコンデンサ素子１０９の電極層１０と電極層１１１の上面図である。図６は実施の形態におけるさらに他のコンデンサ素子２０９の電極層１１０と電極層１１の上面図である。図５と図６において、図１と図２に示すコンデンサ素子９と同じ部分には同じ参照番号を付す。図１と図２に示すコンデンサ素子９すなわち実施例１、２では、電極層１０、電極層１１の双方が、複数の小電極部１４を備え、これらの小電極部１４の面積を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除したＡ値を、０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下とする。実施の形態におけるコンデンサ素子９では、電極層１０、電極層１１のうちのいずれか一方のみが複数の小電極部１４を備え、これらの小電極部１４の面積を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除したＡ値を、０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下としてもよい。
　図５に示すコンデンサ素子１０９では、電極層１１１はスリット１９で分割されておらず、誘電体フィルム１２、１３を介して電極層１０の大電極部１８と複数の小電極部１４とに対向する。電極層１０は複数の小電極部１４を備え、これらの小電極部１４の面積を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除したＡ値を、０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下である。これによってもフィルムコンデンサの耐電圧を高めることができる。
　図６に示すコンデンサ素子２０９では、電極層１１０はスリット１９で分割されておらず、誘電体フィルム１２、１３を介して電極層１１の大電極部１８と複数の小電極部１４とに対向する。電極層１１は複数の小電極部１４を備え、これらの小電極部１４の面積を誘電体フィルム１２、１３の膜厚の三乗で除したＡ値を、０．４×１０１３／ｍ以上５．０×１０１３／ｍ以下である。これによってもフィルムコンデンサの耐電圧を高めることができる。
　本発明によるフィルムコンデンサは、優れた耐電圧を有しており、各種電子機器、電気機器、産業機器、自動車等に用いられるコンデンサとして好適に採用でき、特に高耐電圧特性が求められる自動車用分野に有用である。
９　　コンデンサ素子
１０　　電極層（第１の電極層）
１１　　電極層（第２の電極層）
１２　　誘電体フィルム
１２Ａ　　誘電体フィルム１２の面（第１の面）
１２Ｂ　　誘電体フィルム１２の面（第２の面）
１３　　誘電体フィルム
１４　　小電極部（第１の小電極部、第２の小電極部）
２０　　ヒューズ（第１のヒューズ、第２のヒューズ）

Claims (4)

  1. 第１の電極層と、
    第２の電極層と、
    前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に配置された誘電体フィルムと、
    を備え、
    前記誘電体フィルムは、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主に含有し、
    前記第１の電極層は、複数の第１の小電極部と、前記複数の第１の小電極部を連結する第１のヒューズとを有し、
    前記複数の第１の小電極部のそれぞれの面積を前記誘電体フィルムの膜厚の三乗で除した値が０．４×１０１３／ｍ以上かつ５．０×１０１３／ｍ以下とした、フィルムコンデンサ。
  2. 前記誘電体フィルムは、第１の面と、前記第１の面の反対側の第２の面とを有し、
    前記第１の面は前記第２の面よりも表面粗度が大きく、
    前記第１の電極層は、前記誘電体フィルムの前記第１の面に設けられている、請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
  3. 前記第２の電極層は、複数の第２の小電極部と、前記複数の第２の小電極部を連結する第２のヒューズとを有する、請求項１に記載のフィルムコンデンサ。
  4. 前記複数の第２の小電極部のそれぞれの面積を前記誘電体フィルムの前記膜厚の三乗で除した値が０．４×１０１３／ｍ以上かつ５．０×１０１３／ｍ以下とした、請求項３に記載のフィルムコンデンサ。
PCT/JP2013/003179 2012-05-29 2013-05-20 フィルムコンデンサ WO2013179605A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/398,989 US9595389B2 (en) 2012-05-29 2013-05-20 Film capacitor
JP2014518262A JP6357652B2 (ja) 2012-05-29 2013-05-20 フィルムコンデンサ
CN201380028410.0A CN104364860B (zh) 2012-05-29 2013-05-20 薄膜电容器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-121546 2012-05-29
JP2012121546 2012-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013179605A1 true WO2013179605A1 (ja) 2013-12-05

Family

ID=49672832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/003179 WO2013179605A1 (ja) 2012-05-29 2013-05-20 フィルムコンデンサ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9595389B2 (ja)
JP (1) JP6357652B2 (ja)
CN (1) CN104364860B (ja)
WO (1) WO2013179605A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11594596B2 (en) 2019-07-24 2023-02-28 International Business Machines Corporation Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108780699B (zh) * 2016-03-14 2020-08-28 京瓷株式会社 薄膜电容器、连结型电容器、使用其的逆变器以及电动车辆

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1092688A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 保安機構付き金属化フィルムコンデンサ
JP2000008156A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Toray Ind Inc 金属蒸着フィルム及びそれを用いたコンデンサ
JP2009000957A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Toray Ind Inc コンデンサ用金属蒸着フィルム、及びそれを用いた金属化フィルムコンデンサ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745466A (ja) * 1993-07-30 1995-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属化フィルムコンデンサ
JP3284384B2 (ja) * 1993-09-09 2002-05-20 株式会社指月電機製作所 高圧コンデンサ
JPH0848791A (ja) * 1994-08-04 1996-02-20 Toyobo Co Ltd ポリスチレン系フィルムとそれを用いたコンデンサ
JP2939494B2 (ja) * 1995-03-08 1999-08-25 株式会社指月電機製作所 金属化フィルムコンデンサ
JP3811829B2 (ja) * 1996-03-29 2006-08-23 株式会社指月電機製作所 金属化フィルムコンデンサ
JPH11144995A (ja) * 1997-11-04 1999-05-28 Nichicon Corp 金属化フィルムコンデンサ
US7933111B2 (en) * 2007-05-08 2011-04-26 Nuinteck Co., Ltd Metallized plastic film and film capacitor
JP5801532B2 (ja) 2009-11-30 2015-10-28 帝人株式会社 高絶縁性フィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1092688A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 保安機構付き金属化フィルムコンデンサ
JP2000008156A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Toray Ind Inc 金属蒸着フィルム及びそれを用いたコンデンサ
JP2009000957A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Toray Ind Inc コンデンサ用金属蒸着フィルム、及びそれを用いた金属化フィルムコンデンサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11594596B2 (en) 2019-07-24 2023-02-28 International Business Machines Corporation Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013179605A1 (ja) 2016-01-18
US20150116904A1 (en) 2015-04-30
US9595389B2 (en) 2017-03-14
JP6357652B2 (ja) 2018-07-18
CN104364860B (zh) 2017-05-24
CN104364860A (zh) 2015-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5801532B2 (ja) 高絶縁性フィルム
JP6277436B2 (ja) フィルムコンデンサ
JP5370363B2 (ja) 金属化フィルムコンデンサ
JP2007009112A (ja) 二軸配向フィルムおよびそれからなるフィルムコンデンサー
JP6357652B2 (ja) フィルムコンデンサ
JP5358111B2 (ja) 高絶縁性フィルム
JP2012246372A (ja) 高絶縁性フィルム
JP6439293B2 (ja) 積層多孔性フィルム、蓄電デバイス用セパレータおよび蓄電デバイス
US9617407B2 (en) Highly insulating film
JP5012515B2 (ja) 金属化フィルムコンデンサ
WO2016080356A1 (ja) 配向フィルム
JP2014203987A (ja) 金属化フィルムコンデンサ
Yializis A disruptive dc-link capacitor technology for use in electric drive inverters
JP5629235B2 (ja) 高絶縁性フィルム
JP4507498B2 (ja) 高分子誘電体ならびにコンデンサ用フィルム。
JP5587534B2 (ja) 高絶縁性フィルム
Ritamäki Effects of Thermal Aging on Polymer Thin Film Insulations for Capacitor Applications
US20240161979A1 (en) Film suitable for capacitor use
JP5684873B2 (ja) 高絶縁性フィルム
WO2022190838A1 (ja) コンデンサ用途に好適なフィルム
CN116964137A (zh) 适合于电容器用途的薄膜
KR101638573B1 (ko) 전기절연 특성과 표면 특성이 향상된 박막 콘덴서용 이축 연신 폴리에스테르 필름
JP5903648B2 (ja) 金属化フィルムコンデンサ
JP6367620B2 (ja) 延伸フィルム
JP2011238813A (ja) 金属化フィルムコンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13797080

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014518262

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14398989

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13797080

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1