WO2013172239A1 - 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 - Google Patents
酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013172239A1 WO2013172239A1 PCT/JP2013/062981 JP2013062981W WO2013172239A1 WO 2013172239 A1 WO2013172239 A1 WO 2013172239A1 JP 2013062981 W JP2013062981 W JP 2013062981W WO 2013172239 A1 WO2013172239 A1 WO 2013172239A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- hydrocarbon group
- hydrogen atom
- monovalent hydrocarbon
- Prior art date
Links
- 0 *C(*)(C(*)(N(*)*)S)C(O*)=O Chemical compound *C(*)(C(*)(N(*)*)S)C(O*)=O 0.000 description 10
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1[S+](c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound c(cc1)ccc1[S+](c1ccccc1)c1ccccc1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C227/00—Preparation of compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton
- C07C227/04—Formation of amino groups in compounds containing carboxyl groups
- C07C227/06—Formation of amino groups in compounds containing carboxyl groups by addition or substitution reactions, without increasing the number of carbon atoms in the carbon skeleton of the acid
- C07C227/08—Formation of amino groups in compounds containing carboxyl groups by addition or substitution reactions, without increasing the number of carbon atoms in the carbon skeleton of the acid by reaction of ammonia or amines with acids containing functional groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C229/00—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton
- C07C229/02—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton
- C07C229/04—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated
- C07C229/06—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having only one amino and one carboxyl group bound to the carbon skeleton
- C07C229/08—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having only one amino and one carboxyl group bound to the carbon skeleton the nitrogen atom of the amino group being further bound to hydrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C229/00—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton
- C07C229/02—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton
- C07C229/04—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated
- C07C229/06—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having only one amino and one carboxyl group bound to the carbon skeleton
- C07C229/10—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having only one amino and one carboxyl group bound to the carbon skeleton the nitrogen atom of the amino group being further bound to acyclic carbon atoms or to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings
- C07C229/12—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms of the same carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having only one amino and one carboxyl group bound to the carbon skeleton the nitrogen atom of the amino group being further bound to acyclic carbon atoms or to carbon atoms of rings other than six-membered aromatic rings to carbon atoms of acyclic carbon skeletons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D211/00—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings
- C07D211/04—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D211/06—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D211/08—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals directly attached to ring carbon atoms
- C07D211/10—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals directly attached to ring carbon atoms with radicals containing only carbon and hydrogen atoms attached to ring carbon atoms
- C07D211/14—Heterocyclic compounds containing hydrogenated pyridine rings, not condensed with other rings with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals directly attached to ring carbon atoms with radicals containing only carbon and hydrogen atoms attached to ring carbon atoms with hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals attached to the ring nitrogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D215/00—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems
- C07D215/02—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D215/04—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, directly attached to the ring carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D215/00—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems
- C07D215/02—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
- C07D215/04—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, directly attached to the ring carbon atoms
- C07D215/06—Heterocyclic compounds containing quinoline or hydrogenated quinoline ring systems having no bond between the ring nitrogen atom and a non-ring member or having only hydrogen atoms or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, directly attached to the ring carbon atoms having only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, attached to the ring nitrogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D223/00—Heterocyclic compounds containing seven-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom
- C07D223/02—Heterocyclic compounds containing seven-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D223/06—Heterocyclic compounds containing seven-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D223/08—Oxygen atoms
- C07D223/10—Oxygen atoms attached in position 2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D277/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings
- C07D277/60—Heterocyclic compounds containing 1,3-thiazole or hydrogenated 1,3-thiazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
- C07D295/04—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms
- C07D295/10—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by doubly bound oxygen or sulphur atoms
- C07D295/104—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by doubly bound oxygen or sulphur atoms with the ring nitrogen atoms and the doubly bound oxygen or sulfur atoms attached to the same carbon chain, which is not interrupted by carbocyclic rings
- C07D295/108—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by doubly bound oxygen or sulphur atoms with the ring nitrogen atoms and the doubly bound oxygen or sulfur atoms attached to the same carbon chain, which is not interrupted by carbocyclic rings to an acyclic saturated chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
- C07D295/04—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms
- C07D295/14—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
- C07D295/145—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals with the ring nitrogen atoms and the carbon atoms with three bonds to hetero atoms attached to the same carbon chain, which is not interrupted by carbocyclic rings
- C07D295/15—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals with the ring nitrogen atoms and the carbon atoms with three bonds to hetero atoms attached to the same carbon chain, which is not interrupted by carbocyclic rings to an acyclic saturated chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D307/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D307/18—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D307/20—Oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
- C07D307/94—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom spiro-condensed with carbocyclic rings or ring systems, e.g. griseofulvins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D311/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings
- C07D311/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only hetero atom, condensed with other rings ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D311/74—Benzo[b]pyrans, hydrogenated in the carbocyclic ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D317/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D317/08—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3
- C07D317/10—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 not condensed with other rings
- C07D317/14—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms having the hetero atoms in positions 1 and 3 not condensed with other rings with substituted hydrocarbon radicals attached to ring carbon atoms
- C07D317/18—Radicals substituted by singly bound oxygen or sulfur atoms
- C07D317/24—Radicals substituted by singly bound oxygen or sulfur atoms esterified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D327/00—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D327/02—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms one oxygen atom and one sulfur atom
- C07D327/04—Five-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
- C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
- C07D405/06—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a carbon chain containing only aliphatic carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D411/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D411/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D411/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
- C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D493/04—Ortho-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D493/00—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
- C07D493/02—Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D493/10—Spiro-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H9/00—Compounds containing a hetero ring sharing at least two hetero atoms with a saccharide radical
- C07H9/02—Compounds containing a hetero ring sharing at least two hetero atoms with a saccharide radical the hetero ring containing only oxygen as ring hetero atoms
- C07H9/04—Cyclic acetals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/56—Ring systems containing bridged rings
- C07C2603/58—Ring systems containing bridged rings containing three rings
- C07C2603/70—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
- C07C2603/74—Adamantanes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Genetics & Genomics (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Furan Compounds (AREA)
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)
- Quinoline Compounds (AREA)
- Hydrogenated Pyridines (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
Description
下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる酸拡散制御剤である。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
式(2)中、
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
酸解離性基を有する重合体、
酸発生体、及び
当該酸拡散制御剤
を含有する。
当該感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する工程、
上記レジスト膜を露光する工程、及び
上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有する。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
下記式(i-a)で表される化合物と、下記式(i-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する下記式(1)で表される化合物の製造方法である。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
下記式(ii-a)で表される化合物と、下記式(ii-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する下記式(2)で表される化合物の製造方法である。
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
当該酸拡散制御剤(以下、「酸拡散制御剤(I)」ともいう)は、上記式(1)で表される化合物(以下、「化合物(1)」ともいう)及び下記式(2)で表される化合物(以下、「化合物(2)」ともいう)からなる群より選ばれる少なくとも1種(以下、「化合物(I)」ともいう)からなる。酸拡散制御剤(I)は、化合物(I)からなることで、これを含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。酸拡散制御剤(I)が化合物(I)からなることで、上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば、以下のように推察することができる。
化合物(I)は、酸と相互作用し得る窒素原子と共にエステル基を有し、このエステル基の近傍の環構造又はエステル基を含む環構造を有し、さらに、このエステル基の近傍に炭化水素基又はその誘導基である特定基を有する特定の構造を有している。化合物(I)は、このように、極性を有するエステル基、嵩高さを有する環構造及び立体的効果を発揮する特定基が互いに近傍に存在することで、これらの相乗効果が発揮されると考えられ、従来の窒素原子含有化合物に比べて、化合物(I)とレジスト膜を構成する重合体等との親和性が高くなると共に、昇華性が低減されかつ耐熱性に優れる。これにより、化合物(I)のレジスト膜中での拡散及び偏在が適度に抑制される。その結果、化合物(I)を含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度が優れる。
また、化合物(I)は、上記特定構造を有するので、アクリル酸エステル系化合物又はαメチレンラクトン化合物と、アミン化合物とから簡便に合成することができるので、原料の入手が容易であり、製造コスト的にも有利である。
以下、化合物(1)及び化合物(2)の順に説明する。
化合物(1)は、下記式(1)で表される。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、1-i-プロピルシクロペンタン-1-イル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、2-メチルアダマンタン-2-イル基、2-i-プロピルアダマンタン-2-イル基等の単環のシクロアルキル基;
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の多環のシクロアルキル基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環のシクロアルケニル基などが挙げられる。
これらの中で単環のシクロアルキル基、多環のシクロアルキル基が好ましく、多環のシクロアルキル基がより好ましく、アダマンタン環を有する基、トリシクロデカン環を有する基がさらに好ましく、1-アダマンチル基、8-トリシクロデシル基が特に好ましい。
1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-i-プロピル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基等のアルキル基置換単環のシクロアルキル基;
2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-i-イソプロピル-2-アダマンチル基、2-メチル-2-ノルボルニル基等のアルキル基置換多環のシクロアルキル基等;
2-シクロペンチル-2-プロピル基、2-シクロヘキシル-2-プロピル基、2-ノルボルニル-2-プロピル基、2-アダマンチル-2-プロピル基等のシクロアルキル基置換アルキル基等が挙げられる。
これらの中で、アルキル基置換単環のシクロアルキル基、アルキル基置換多環のシクロアルキル基が好ましく、1-アルキル-1-単環シクロアルキル基、2-アルキル-2-多環シクロアルキル基がより好ましく、1-アルキル-1-シクロペンチル基、2-アルキル-2-アダマンチル基がさらに好ましく、1-i-プロピル-1-シクロペンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-i-プロピル-2-アダマンチル基が特に好ましい。
R1が酸解離性の脂環式構造を有する炭化水素基であると、化合物(1)は、露光部において、酸発生体から発生した酸の作用により解離しカルボキシ基を生じる。その結果、化合物(1)のレジスト膜中における拡散がより適度に制御される。また、R1が酸の作用により解離することで、現像液に対する親和性が変化するため、当該酸拡散制御剤を含有する感放射線性樹脂組成物の溶解コントラストが向上する。具体的には、露光部において、アルカリ現像液に対しては溶解性が向上し、有機溶剤現像液に対しては溶解禁止効果が向上する。
オキサシクロペンチル基、オキサシクロヘキシル基等のオキサシクロアルカン構造を有する基;
1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-5-イルメチル基、1,3-ジオキサシクロペンタン-5-イルメチル基等の環状アセタール環(環状ケタール環を含む)を有する基;
7-(1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-4-イル)-3,3-ジメチル-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基、7-(1,3-ジオキサ-スピロ[アダマンタン-2,2’]シクロペンタン-4-イル)-スピロ[アダマンタン-3,3’]-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基等のオキサシクロアルカン構造及び環状アセタール環を有する基等が挙げられる。
これらの中で、環状アセタール環を有する基、オキサシクロアルカン構造及び環状アセタール環を有する基が好ましく、1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-5-イルメチル基、7-(1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-4-イル)-3,3-ジメチル-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基、7-(1,3-ジオキサ-スピロ[アダマンタン-2,2’]シクロペンタン-4-イル)-スピロ[アダマンタン-3,3’]-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基がより好ましい。
R1が環状アセタール環を有する基であると、化合物(1)は、露光部において、酸発生体から発生する酸の作用により、2個のヒドロキシ基を生じる。その結果、化合物(1)のレジスト膜中における拡散がより適度に制御される。また、酸発生体から発生した酸の作用により解離することで、現像液に対する親和性が変化するため、溶解コントラストが向上する。具体的には、露光部において、アルカリ現像液に対しては溶解性が向上し、有機溶剤現像液に対しては溶解禁止効果が向上する。
オキソシクロペンチル基、オキソシクロヘキシル基、オキソノルボルニル基、オキソアダマンチル基、ジオキソシクロペンチル基、ジオキソシクロヘキシル基、ジオキソノルボルニル基、ジオキソアダマンチル基等の環状ケトン基;
ノルボルニルカルボニルメチル基、アダマンチルカルボニルメチル基等の環状ケトン基を有する鎖状基等が挙げられる。
これらの中で、環状ケトン基を有する鎖状基が好ましく、ノルボルニルカルボニルメチル基がより好ましい。
ブチロラクトン-イル基、バレロラクトン-イル基、カプロラクトン-イル基、ノルボルナンラクトン-イル基、5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン-イル基等のラクトン構造を有する基;
ノルボルナンラクトン-イルオキシカルボニルメチル基、ブチロラクトン-イルオキシカルボニルメチル基等のラクトン-イルオキシカルボニルアルキル基等のラクトン構造を有する基を有するエステル基含有鎖状基等が挙げられる。
これらの中で、ノルボルナンラクトン-イル基、ノルボルナンラクトン-イルオキシカルボニルメチル基が好ましい。
これらの中で、ノルボルナンスルトン-イル基が好ましい。
これらの中で、ノルボルナンスルタム-イル基が好ましい。
これらの中で、カプロラクタム-イル基、ノルボルナンラクタム-イル基が好ましい。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基等のシクロアルキル基;
シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基等のシクロアルケニル基等が挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基等が挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
ヒドロキシシクロペンチル基、ヒドロキシシクロヘキシル基、ジヒドロキシシクロペンチル基、ジヒドロキシシクロヘキシル基等のヒドロキシ基置換単環のシクロアルキル基;
ヒドロキシノルボルニル基、ヒドロキシアダマンチル基、ジヒドロキシノルボルニル基、ジヒドロキシアダマンチル基等のヒドロキシ基置換多環のシクロアルキル基;
ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシトリル基、ヒドロキシナフチル基、ヒドロキシアントリル基等のヒドロキシ基置換アリール基等が挙げられる。
これらの中で、ヒドロキシ基置換多環のシクロアルキル基が好ましく、ヒドロキシアダマンチル基がより好ましく、3-ヒドロキシ-1-アダマンチル基がさらに好ましい。
ハロシクロペンチル基、ハロシクロヘキシル基、ジハロシクロペンチル基、ジハロシクロヘキシル基等のハロゲン原子置換単環のシクロアルキル基;
ハロノルボルニル基、ハロアダマンチル基、ジハロノルボルニル基、ジハロアダマンチル基等のハロゲン原子置換多環のシクロアルキル基;
ハロフェニル基、ハロトリル基、ハロナフチル基、ハロアントリル基等のハロゲン原子置換アリール基等が挙げられる。
これらの中で、ハロゲン原子置換単環のシクロアルキル基が好ましく、パーフルオロシクロアルキル基がより好ましい。
アザシクロプロパン構造、アザシクロブタン構造、アザシクロペンタン構造(ピロリジン構造)、アザシクロヘキサン構造(ピペリジン構造)、アザシクロヘプタン構造、アザシクロオクタン構造、アザシクロデカン構造等の単環のアザシクロアルカン構造;
アザビシクロ[2.2.1]ヘプタン構造、アザビシクロ[2.2.2]オクタン構造、アザトリシクロ[3.3.1.13,7]デカン構造等の多環のアザシクロアルカン構造;
アザオキサシクロプロパン構造、アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造を含む)等のアザオキサシクロアルカン構造等が挙げられる。
これらの中で、単環のアザシクロアルカン構造、アザオキサシクロアルカン構造が好ましく、アザシクロペンタン構造、アザシクロヘキサン構造、アザオキサシクロヘキサン構造がより好ましく、アザシクロヘキサン構造、1,4-アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造)がさらに好ましい。
化合物(2)は、下記式(2)で表される。
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
ブチロラクトン、バレロラクトン、カプロラクトン等の単環のラクトン;このラクトンのCH2-CH2間に-O-、-S-、-NR-(Rは、水素原子又は1価の炭化水素基である)、-CO-、-CS-又はこれらを組み合わせた基を含む化合物から(n+2)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
これらの中で、単環のラクトンから(n+2)個の水素原子を除いた基が好ましく、ブチロラクトン、バレロラクトン又はカプロラクトンから(n+2)個の水素原子を除いた基がより好ましく、ブチロラクトンから(n+2)個の水素原子を除いた基がさらに好ましい。
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、イコシル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等のシクロアルキル基;
シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基、テトラシクロドデセニル基等のシクロアルケニル基などが挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、ノルボルナン構造、アダマンタン構造等のシクロアルカン構造;
オキサシクロブタン構造、オキサシクロペンタン構造、オキサシクロヘキサン構造、オキサノルボルナン構造、オキサアダマンタン構造等のオキサシクロアルカン構造;
ベンゼン環構造、ナフタレン環構造等の芳香環構造等が挙げられる。
この環構造には、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭化水素基等の置換基が結合していてもよい。
また、これらの環構造は、スピロ環であってもよい。上記環構造を形成する2つのR9が同一炭素原子に結合している場合には、スピロ環が形成される。
これらの中で、単環のアザシクロアルカン構造、アザオキサシクロアルカン構造が好ましく、アザシクロペンタン構造、アザシクロヘキサン構造、アザオキサシクロヘキサン構造がより好ましく、アザシクロヘキサン構造、1,4-アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造)がさらに好ましい。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
当該感放射線性樹脂組成物は、酸解離性基を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)、酸発生体(以下、「[B]酸発生体」ともいう)及び当該酸拡散制御剤(以下、「[C]酸拡散制御剤」ともいう)を含有する。当該感放射線性樹脂組成物は、これらの成分以外にも、好適成分として、[D][C]酸拡散制御剤の酸拡散制御剤(以下、「[D]他の酸拡散制御剤」ともいう)、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒をさらに含有してもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について説明する。
[A]重合体は、酸解離性基を有する重合体である。[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位(以下、「構造単位(I)」ともいう)以外にも、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む構造単位(II)及び/又は極性基を有する構造単位(III)をさらに有していることが好ましく、これらの構造単位以外のその他の構造単位をさらに有していてもよい。[A]重合体は、各構造単位をそれぞれ1種又は2種以上有していてもよい。以下、各構造単位について説明する。
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。「酸解離性基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基等の酸性基の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。
構造単位(II)は、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む構造単位である。[A]重合体は、構造単位(II)をさらに有することで、現像液への溶解性を調整することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンと基板との密着性を向上させることができる。
構造単位(III)は、極性基を有する構造単位である(但し、構造単位(II)に該当するものを除く)。[A]重合体は、構造単位(III)をさらに有することで、現像液への溶解性を調整することができる。
[A]重合体は、上記構造単位(I)~(III)以外のその他の構造単位を有していもよい。上記その他の構造単位としては、例えば、非解離性の脂環式炭化水素基を有する構造単位等が挙げられる。上記その他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常30モル%以下であり、20モル%以下が好ましい。上記その他の構造単位の含有割合が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。
[A]重合体は、例えば、各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を用い、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。
n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;
クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;
酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;
アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;
テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;
メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類などが挙げられる。
これらの中で、ケトン類、アルコール類が好ましく、2-ブタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルがより好ましい。これらの重合に使用される溶媒は、1種単独で又は2種以上を併用してもよい。
GPCカラム:G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本(以上、東ソー製)
カラム温度:40℃
溶出溶媒:テトラヒドロフラン(和光純薬工業製)
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
溶出溶媒:アクリロニトリル/0.1質量%リン酸水溶液
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
[B]酸発生体は、露光により酸を発生する物質である。この酸により[A]重合体中の酸解離性基が解離してカルボキシ基等の極性基が生成し、その結果[A]重合体の現像液への溶解性が変化する。当該感放射線性樹脂組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような低分子化合物の形態(以下、適宜「[B]酸発生剤」ともいう)でも、重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
[C]酸拡散制御剤は、本発明の酸拡散制御剤(I)である。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体に加えて、酸拡散制御剤(I)を含有することで、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。[C]酸拡散制御剤については、上述の酸拡散制御剤(I)の項で説明している。[C]酸拡散制御剤は、1種又は2種以上を用いることができる。
また、[C]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上20質量部以下が好ましく、0.5質量部以上15質量部以下がより好ましく、1質量部以上10質量部以下がさらに好ましい。
[[D]他の酸拡散制御体]
当該感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[D]他の酸拡散制御体を含有してもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]酸拡散制御剤に加えて、さらに[D]他の酸拡散制御体を含有することで、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度をより向上させることができる。[D]他の酸拡散制御体をさらに含有することで、上記効果をより向上させることができる理由については必ずしも明確ではないが、例えば、酸拡散制御剤を構成する化合物全体としての拡散度合いを調整することができること等が考えられる。[D]他の酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような低分子化合物である酸拡散制御剤の形態(以下、適宜「[D]他の酸拡散制御剤」ともいう)でも、重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
また、[D]他の酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0~10質量部が好ましく、0.1質量部~8質量部がより好ましく、0.3質量部~5質量部がさらに好ましい。
当該感放射線性樹脂組成物は、[E]フッ素原子含有重合体([A]重合体に該当するものを除く)を含有してもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、[E]フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、レジスト膜中の[E]フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向があり、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。また、この[E]フッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト被膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性樹脂組成物が[E]フッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト被膜を形成することができる。
構造単位(Ea)は、下記式(6a)で表される構造単位である。[E]フッ素原子含有重合体は構造単位(Ea)を有することでフッ素原子含有率を調整することができる。
これらの中で、トリフルオロメチル(メタ)アクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、2-(1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、2,2,2-トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステルがより好ましい。
構造単位(Eb)は、下記式(6b)で表される構造単位である。[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(Eb)を有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。
[E]フッ素原子含有重合体は、上記構造単位(Ea)及び(Eb)以外にも、酸解離性基を含む構造単位(以下、「構造単位(Ec)」ともいう。)を有してもよい(但し、構造単位(Eb)に該当するものを除く)。[E]フッ素原子含有重合体が構造単位(Ec)を有することで、レジスト膜中の[E]フッ素原子含有重合体の現像液への溶け残りを抑制することができ、その結果、得られるレジストパターンの現像欠陥の発生を抑制することができる。構造単位(Ec)としては、上述した[A]重合体における構造単位(I)等が挙げられる。
また、[E]フッ素原子含有重合体は、上記構造単位以外にも、例えば、アルカリ可溶性基を含む構造単位、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造を含む構造単位、非酸解離性の脂環式基を含む構造単位等の他の構造単位を有していてもよい。上記アルカリ可溶性基としては、例えば、カルボキシ基、スルホンアミド基、スルホ基等が挙げられる。ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造を有する構造単位としては、上述した[A]重合体における構造単位(II)等が挙げられる。
当該感放射線性樹脂組成物は、通常、[F]溶媒を含有する。[F]溶媒は、少なくとも[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]酸拡散制御剤、並びに所望により含有される[D]他の酸拡散制御体等を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール(メチルフェニルエーテル)等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:
2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒等が挙げられる。
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸i-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル等の酢酸エステル系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルアセテート系溶媒;
ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒;
ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。
n-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]~[F]以外にも、その他の任意成分を含有していてもよい。上記その他の任意成分としては、例えば、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等が挙げられる。これらのその他の任意成分は、それぞれ1種又は2種以上を併用してもよい。
偏在化促進剤は、[E]フッ素原子含有重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで[E]フッ素原子含有重合体の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って断面形状の矩形性、LWR性能、解像性及び焦点深度等の特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行うことが可能になり、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト膜表面の疎水性を向上させることができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100℃以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、具体的には、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。
上記多価アルコールとしては、例えば、グリセリン等が挙げられる。
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤;市販品としては、KP341(信越化学工業製)、ポリフローNo.75、同No.95(以上、共栄社化学製)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、トーケムプロダクツ製)、メガファックF171、同F173(以上、DIC製)、フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリーエム製)、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106(以上、旭硝子製)等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物における界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して通常2質量部以下である。
脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。
1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;
デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;
リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;
3-〔2-ヒドロキシ-2,2-ビス(トリフルオロメチル)エチル〕テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物における脂環式骨格含有化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して通常5質量部以下である。
増感剤は、[B]酸発生剤等からの酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物の「みかけの感度」を向上させる効果を奏する。
当該感放射線性樹脂組成物は、例えば、[A]重合体、[B]酸発生体、[C]酸拡散制御剤、必要に応じて含有される任意成分及び[F]溶媒を所定の割合で混合することにより調製できる。当該感放射線性樹脂組成物は、混合後に、例えば、孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物の固形分濃度としては、通常0.1質量%~50質量%であり、0.5質量%~30質量%が好ましく、1質量%~20質量%がより好ましい。
本発明のレジストパターンの形成方法は、
当該感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する工程(以下、「レジスト膜形成工程」ともいう)、
上記レジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)、及び
上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)
を有する。
本工程では、当該感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する。レジスト膜を形成する基板としては、例えば、シリコンウェハ、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウェハ等が挙げられる。感放射線性樹脂組成物の塗布方法としては、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法が挙げられる。上記塗布により形成された塗膜をプレベーク(PB)することにより塗膜中の溶媒を蒸発除去することが好ましい。PB温度としては、通常60℃~140℃であり、80℃~120℃が好ましい。PB時間としては、通常5秒~600秒であり、10秒~300秒が好ましい。
本工程では、レジスト膜形成工程で形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、フォトマスク等(場合によっては、水等の液浸媒体を介して)を介して露光光を照射して行う。露光光としては、目的とするパターンの線幅に応じて、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、X線、γ線等の電磁波;電子線、α線等の荷電粒子線などが挙げられる。これらの中でも、遠紫外線、極端紫外線、電子線が好ましく、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)、EUV(13.5nm)、電子線がより好ましく、ArFエキシマレーザー光、電子線がさらに好ましい。
現像工程では、露光工程で露光されたレジスト膜を現像する。これにより、所定のレジストパターンが形成される。上記現像の方法としては、アルカリ現像でも、有機溶媒現像でもよい。通常、アルカリ現像によりポジ型のレジストパターンが、有機溶媒現像によって、ネガ型のレジストパターンが形成される。上記現像後は、水又はアルコール等のリンス液で洗浄し、乾燥することが一般的である。
アルカリ現像の場合、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液等が挙げられる。これらの中でも、TMAH水溶液が好ましく、2.38質量%TMAH水溶液がより好ましい。
また、有機溶媒現像の場合、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒等の有機溶媒、又は有機溶媒を含有する溶媒が挙げられる。上記有機溶媒としては、例えば、上述の感放射線性樹脂組成物の[F]溶媒として列挙した溶媒の1種又は2種以上等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。エステル系溶媒としては、酢酸エステル系溶媒が好ましく、酢酸n-ブチルがより好ましい。ケトン系溶媒としては、鎖状ケトンが好ましく、2-ヘプタノンがより好ましい。
本発明の化合物は、化合物(1)及び化合物(2)である。当該化合物は、上述の性質を有するので、酸拡散制御剤として好適に用いることができ、これを含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。当該化合物については、上記酸拡散制御剤(I)の項で説明している。
本発明の化合物の製造方法は、
上記式(i-a)で表される化合物と、上記式(i-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する化合物(1)の製造方法、
及び上記式(ii-a)で表される化合物と、上記式(ii-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する化合物(2)の製造方法である。
当該化合物の製造方法によれば、化合物(I)を簡便に製造することができる。当該化合物の製造方法については、上記酸拡散制御剤(I)の項で説明している。
重合体のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によりGPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本、東ソー製)を使用し、以下の条件により測定した。また、分散度(Mw/Mn)は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
溶出溶媒:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
カラム温度:40℃
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
[A]重合体中の低分子量部分(分子量1,000未満の部分をいう)の含有率(質量%)は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により、HPLCカラム(Intersil ODS-25μmカラム(4.6mmφ×250mm)、ジーエルサイエンス製)を使用し、以下の条件により測定した。
溶出溶媒:アセトニトリル/0.1質量%リン酸水溶液
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
重合体の各構成単位含有割合を求めるための13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置(JNM-ECX400、日本電子製)を使用して測定した。
化合物(I)は、以下の反応スキームに従い、合成した。
R1は、シクロヘキシル基、1-アダマンタチル基、8-トリシクロデシル基、3-ヒドロキシ-1-アダマンチル基、ノルボルナンラクトン-イル基、ノルボルナンスルトン-イル基、ノルボルナンラクトン-イルオキシカルボニルメチル基、2-i-プロピル-2-アダマンタチル基、2-メチル-2-アダマンチル基、1-i-プロピル-1-シクロペンチル基、1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-5-イルメチル基、7-(1,3-ジオキサ-2,2-ジメチルシクロペンタン-4-イル)-3,3-ジメチル-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基又は7-(1,3-ジオキサ-スピロ[アダマンタン-2,2’]シクロペンタン-4-イル)-スピロ[アダマンタン-3,3’]-2,4,8-トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン-6-イル基である。
R2は、メチル基である。
R4及びR5は、水素原子である。
R6及びR7は、エチル基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に、ピペリジン構造、モルホリン構造若しくはデカヒドロキノリン構造を形成している。
R8は、エステル基及びそのα位の炭素原子と共にブチロラクトン-トリイル基又はブチロラクトン-テトライル基を形成する基である。
R9は、シクロヘキサン-1,1-ジイル基、2-メチル-1-オキサシクロペンタン-3,3-ジイル基又はアダマンタン-2,2-ジイル基である。
R11及びR12は、水素原子又はメチル基である。
R13及びR14は、互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に、ピペリジン構造を形成している。
100mLのナスフラスコに、シクロヘキシルメタクリレート16.8g(100mmol)、ピペリジン25.6g(300mmol)及びトルエン20gを仕込み、65℃で36時間加熱攪拌し、反応を行った。反応終了後、反応液に水を加え、分液操作によって有機層の水洗浄を7回行なった。次いで、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することにより淡黄色油状物を得た。この油状物をカラムクロマトグラフィで精製することにより、下記式(i-1)で表される化合物を、無色油状物として18.4g(収率72.8%)得た。
実施例1において、シクロヘキシルメタクリレートの代わりに各(メタ)アクリル酸エステル又はαメチレンブチロラクトンを用い、ピペリジンの代わりに各アミン化合物を用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式(i-2)~(i-17)で表される化合物及び下記式(ii-1)~(ii-4)で表される化合物をそれぞれ合成した。
[A]重合体、[E]フッ素原子含有重合体の合成に用いた各単量体を下記に示す。
[合成例1]
上記化合物(M-1)9.01g(50モル%)及び化合物(M-2)10.99g(50モル%)を2-ブタノン40gに溶解し、さらにラジカル開始剤としてのAIBN0.81g(上記化合物の合計モル数に対して5モル%)を溶解させて単量体溶液を調製した。20gの2-ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗を用い3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合反応液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合反応液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gずつのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A-1)を合成した(15.6g、収率78%)。重合体(A-1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは1.52であった。13C-NMR分析の結果、(M-1)に由来する構造単位及び(M-2)に由来する構造単位の含有割合は、それぞれ50.2モル%及び49.8モル%であった。この重合体(A-1)における低分子量部分の含有率は0.04質量%であった。
上記化合物(M-4)55.0g及び化合物(M-5)45.0g、AIBN4g及び連鎖移動剤としてのt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間重合させた。重合反応終了後、重合反応液を1,000gのn-ヘキサン中に滴下して、生成重合体を凝固精製した。次いで、この重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらに、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末の重合体(A-2)を得た(65.7g、収率76.6%)。重合体(A-2)のMwは10,000であり、Mw/Mnは2.1であった。13C-NMR分析の結果、p-ヒドロキシスチレンに由来する構造単位及び化合物(M-5)に由来する構造単位の含有割合は、それぞれ65.4モル%及び34.6モル%であった。この重合体(A-2)における低分子量部分の含有率は、0.05質量%であった。
[合成例3]
上記化合物(M-1)79.9g(70モル%)及び化合物(M-3)20.91g(30モル%)を、100gの2-ブタノンに溶解し、ラジカル重合開始剤としてのジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート4.77gを溶解させて単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗を用い3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合反応液を水冷して30℃以下に冷却した。重合反応液を2L分液漏斗に移液した後、150gのn-ヘキサンでその重合反応液を均一に希釈し、600gのメタノールを投入して混合した。次いで、30gの蒸留水を投入し、さらに振とうして30分静置した。次いで、下層を回収した後、溶媒置換を行い、重合体(E-1)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た(収率60%)。得られた重合体(E-1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは2.00であった。13C-NMR分析の結果、(M-1)に由来する構造単位及び(M-3)に由来する構造単位の含有割合は、それぞれ71.1モル%及び28.9モル%であった。この重合体(E-1)における低分子量部分の含有率は0.07質量%であった。
各感放射線性樹脂組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
B-1:トリフェニルスルホニウム2-(アダマンタン-1-イルカルボニルオキシ)-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパン-1-スルホネート(下記式(B-1)で表される化合物)
B-2:トリフェニルスルホニウムノルボルナンスルトン-2-イル-オキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート(下記式(B-2)で表される化合物)
B-3:トリフェニルスルホニウム3-(ピペリジン-1-イルスルホニル)-1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1-スルホネート(下記式(B-3)で表される化合物)
B-4:トリフェニルスルホニウムアダマンタン-1-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート(下記式(B-4)で表される化合物)
上記式(i-1)~(i-17)で表される化合物、上記式(ii-1)~(ii-4)で表される化合物、並びに下記式(ci-1)、式(cii-1)、式(ciii-1)、式(civ-1)及び式(cv-1)で表される化合物
F-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
F-2:シクロヘキサノン
G-1:γ-ブチロラクトン
[A]重合体としての(A-1)100質量部、[B]酸発生剤としての(B-1)8.5質量部、[C]酸拡散制御剤としての(i-1)30モル%([B]酸発生剤に対するモル比)、[E]フッ素原子含有重合体としての(E-1)3質量部、[F]溶媒としての(F-1)2,240質量部及び(F-2)960質量部、並びに[G]偏在化促進剤としての(G-1)30質量部を混合し感放射線性樹脂組成物(J-1)を調製した。
表1に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例22と同様にして、感放射線性樹脂組成物(J-2)~(J-57)及び(CJ-1)~(CJ-5)を調製した。
[ArF露光の場合]
[アルカリ現像]
12インチのシリコンウェハ表面に、スピンコーター(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン製)を使用して、下層反射防止膜形成用組成物(ARC66、ブルワーサイエンス製)を塗布した後、205℃で60秒間加熱することにより膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、上記スピンコーターを使用して各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後23℃で30秒間冷却し、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置(NSR-S610C、NIKON製)を用い、NA=1.3、ダイポール(シグマ0.977/0.782)の光学条件にて、40nmラインアンドスペース(1L1S)マスクパターンを介して露光した。露光後、90℃で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量%TMAH水溶液により現像し、水で洗浄、乾燥し、ポジ型のレジストパターンを形成した。
上記[アルカリ現像]によるレジストパターンの形成において、現像液としての2.38質量%TMAH水溶液の代わりに酢酸n-ブチルを用い、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記[アルカリ現像]の場合と同様にして、ネガ型のレジストパターンを形成した。
上記アルカリ現像の場合及び有機溶媒現像の場合それぞれにおいて、形成した各レジストパターンの測定により、各感放射線性樹脂組成物の評価を行った。それぞれの場合において、上記40nm1L1Sマスクパターンを介した露光により、40nm1L1Sパターンを形成する露光量を最適露光量(Eop)とした。なお、この方法で形成したレジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡(S-9380、日立ハイテクノロジーズ製)を用いた。下記評価において実施例と比較する「比較例」としては、実施例22~38については比較例1、実施例39~42については比較例2、実施例43~47については比較例3、実施例48~52については比較例4、実施例53~57については比較例5とした。評価結果を表2に示す。表2中の「-」は、評価の基準であることを示す。
上記Eopにおいて形成したレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用い、パターン上部から観察した。線幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをLWR性能(nm)とした。LWR性能は、その値が小さいほど良好であることを示す。LWR性能は、比較例と比べて、10%以上のLWR性能向上(LWR性能の値が90%以下になることをいう)が見られたものを「A」と、5%以上10%未満のLWR性能向上が見られたものを「B」と、5%未満のLWR性能向上であったものを「C」と評価した。
上記Eopにおいて解像される最小のレジストパターンの寸法を解像性(nm)とした。解像性は、その値が小さいほど良好であることを示す。解像性は、比較例と比べて、10%以上の解像性向上(解像性の値が90%以下になることをいう)が見られたものを「A」と、5%以上10%未満のLWR性能向上が見られたものを「B」と、5%未満の解像性向上であったものを「C」と評価した。
上記Eopにおいて解像されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの高さ方向の中間での線幅Lbと、レジスト膜の上部での線幅Laを測定した。断面形状の矩形性は、0.9≦(La/Lb)≦1.1である場合を「A」(良好)と、(La/Lb)<0.9又は1.1<(La/Lb)である場合を「B」(不良)と評価した。
上記Eopにおいて解像されるレジストパターンにおいて、深さ方向にフォーカスを変化させた際の寸法を測定し、ブリッジや残渣が無いままパターン寸法が基準の90%~110%に入る深さ方向の余裕度を焦点深度とした。焦点深度(nm)は、その値が大きいほど良好であることを示す。焦点深度は、比較例と比べて、10%以上の焦点深度向上(焦点深度の値が110%以上になることをいう)が見られたものを「A」と5%以上10%未満の焦点深度向上が見られたものを「B」と、5%未満の焦点深度向上であったものを「C」と評価した。
[電子線照射の場合]
[実施例58]
[A]重合体としての(A-2)100質量部、[B]酸発生剤としての(B-1)20質量部、[C]酸拡散制御剤としての(i-1)30モル%([B]酸発生剤に対するモル比)、並びに[F]溶媒としての(F-1)4,280質量部及び(F-2)1,830質量部を混合して感放射線性樹脂組成物(J-37)を調製した。
下記表3に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は実施例58と同様にして感放射線性樹脂組成物(J-38)~(J-72)及び(CJ-6)~(CJ-10)を調製した。
8インチのシリコンウェハ表面にスピンコーター(CLEAN TRACK ACT8、東京エレクトロン製)を使用して、下記表3に記載の各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後23℃で30秒間冷却し、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置(HL800D、日立製作所製、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2)を用いて電子線を照射した。照射後、130℃で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量%のTMAH水溶液を用いて23℃で30秒間現像し、水で洗浄、乾燥し、ポジ型のレジストパターンを形成した。
形成した各レジストパターンについて、上記[ArF露光]における評価のうち、LWR性能、解像性及び断面形状の矩形性について、上記同様の方法で測定を行い、感放射線性樹脂組成物の評価を行った。実施例と比較する「比較例」としては、実施例58~74については比較例6、実施例75~78については比較例7、実施例79~83については比較例8、実施例84~88については比較例9、実施例89~93については比較例10とした。評価結果を表3に合わせて示す。表3中の「-」は、評価の基準であることを示す。
Claims (8)
- 下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる酸拡散制御剤。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。
式(2)中、
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。) - 酸解離性基を有する重合体、
酸発生体、及び
請求項1に記載の酸拡散制御剤
を含有する感放射線性樹脂組成物。 - 上記酸拡散制御剤以外の酸拡散制御剤
をさらに含有する請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。 - 請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する工程、
上記レジスト膜を露光する工程、及び
上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有するレジストパターン形成方法。 - 下記式(1)で表される化合物。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。) - 下記式(2)で表される化合物。
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。) - 下記式(i-a)で表される化合物と、下記式(i-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する下記式(1)で表される化合物の製造方法。
R1は、炭素数3~30の1価の脂環式構造を有する炭化水素基、この基の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRaSO2-及び-NRaCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、若しくは炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Raは、水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基である。
R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基であり、R2及びR3のうちの少なくとも一方が、炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R6及びR7は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR6及びR7が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。) - 下記式(ii-a)で表される化合物と、下記式(ii-b)で表されるアミン化合物とを反応させる工程を有する下記式(2)で表される化合物の製造方法。
R8は、エステル基及びR10が結合する炭素原子と共に環員数5~8の(n+2)価の単環の複素環基を形成する基である。nは、1~6の整数である。
R9は、nが1~6の整数の場合、炭素数1~20の1価の炭化水素基、nが2以上の場合、複数のR9のうちの2つ以上が互いに結合して形成された環員数3~10の環構造、若しくはこれらの基若しくは環構造の炭素-炭素間に-O-、-CO-、-COO-、-SO2O-、-NRbSO2及び-NRbCO-からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基、又はこれらの基若しくは環構造が有する水素原子の一部若しくは全部をヒドロキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる少なくとも1種で置換した基である。Rbは、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R10は、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10の1価の炭化水素基である。
R13及びR14は、それぞれ独立して、水素原子若しくは炭素数1~10の1価の炭化水素基であるか、又はR13及びR14が互いに結合してそれらが結合する窒素原子と共に環員数3~10の環構造を形成している。)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014515583A JP6260531B2 (ja) | 2012-05-17 | 2013-05-08 | 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
KR1020147032129A KR102046850B1 (ko) | 2012-05-17 | 2013-05-08 | 산 확산 제어제, 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴의 형성 방법, 화합물 및 화합물의 제조 방법 |
US14/541,946 US9588423B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-11-14 | Acid diffusion control agent, radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and production method |
US15/410,082 US10088750B2 (en) | 2012-05-17 | 2017-01-19 | Acid diffusion control agent, radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and production method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012-113873 | 2012-05-17 | ||
JP2012113873 | 2012-05-17 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US14/541,946 Continuation US9588423B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-11-14 | Acid diffusion control agent, radiation-sensitive resin composition, resist pattern-forming method, compound, and production method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2013172239A1 true WO2013172239A1 (ja) | 2013-11-21 |
Family
ID=49583646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/062981 WO2013172239A1 (ja) | 2012-05-17 | 2013-05-08 | 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9588423B2 (ja) |
JP (3) | JP6260531B2 (ja) |
KR (1) | KR102046850B1 (ja) |
WO (1) | WO2013172239A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017044929A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び化合物 |
JPWO2016027546A1 (ja) * | 2014-08-22 | 2017-04-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP2017151448A (ja) * | 2012-05-17 | 2017-08-31 | Jsr株式会社 | 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 |
JP2018010279A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-18 | 住友化学株式会社 | 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018180049A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
US11703756B2 (en) | 2018-05-28 | 2023-07-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
WO2020049963A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
US20210200088A1 (en) * | 2019-12-25 | 2021-07-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US20230104130A1 (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and pattern formation methods |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50135075A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-25 | ||
JPS5663980A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-30 | Nativelle Sa Ets | Spirane derivative* its manufacture and drug composition containing it |
JP2002226470A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | アミン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2002333714A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レジスト組成物 |
JP2002363148A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2003043678A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Jsr Corp | 感放射性樹脂組成物 |
JP2003535128A (ja) * | 2000-06-07 | 2003-11-25 | アリックス セラピューティクス | 胃食道逆流性疾患の治療のための材料 |
JP2006251672A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007041146A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2008107513A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
WO2008087458A2 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Alexandre Vamvakides | NEW SIGMA(σ)-RECEPTOR LIGANDS WITH ANTI-APOPTOTIC AND/OR PRO-APOPTOTIC PROPERTIES OVER CELLULAR BIOCHEMICAL MECHANISMS, WITH NEUROPROTECTIVE, ANTI-CANCER, ANTI-METASTATIC AND ANTI-(CHRONIC) INFLAMMATORY ACTION |
JP2010250076A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Fujifilm Corp | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2012137729A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4477676A (en) | 1976-01-22 | 1984-10-16 | The Hilton-Davis Chemical Co. | 4-(3-Indolyl)-2,3-dichloro-4-oxo-2-butenoic acids |
US6749988B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Amine compounds, resist compositions and patterning process |
JP2006227632A (ja) | 2003-02-20 | 2006-08-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、複合膜、およびレジストパターン形成方法 |
EP1708027B1 (en) | 2004-01-15 | 2019-03-13 | JSR Corporation | Upper layer film forming composition for liquid immersion and method of forming photoresist pattern |
EP2277929B1 (en) | 2004-09-30 | 2012-11-21 | JSR Corporation | Copolymer and top coating composition |
JP5124806B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2013-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
CN101801916B (zh) | 2007-09-21 | 2015-09-09 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 支化的聚酯胺丙烯酸酯 |
JP5518743B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2014-06-11 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 新規なポジ型感光性樹脂組成物 |
WO2010007971A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5621275B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-11-12 | Jsr株式会社 | イオンプランテーション用フォトレジストパターン形成方法。 |
JP5741297B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2015-07-01 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び重合体 |
WO2012043685A1 (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、重合体及び化合物 |
KR102046850B1 (ko) * | 2012-05-17 | 2019-11-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 산 확산 제어제, 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴의 형성 방법, 화합물 및 화합물의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-05-08 KR KR1020147032129A patent/KR102046850B1/ko active IP Right Grant
- 2013-05-08 JP JP2014515583A patent/JP6260531B2/ja active Active
- 2013-05-08 WO PCT/JP2013/062981 patent/WO2013172239A1/ja active Application Filing
-
2014
- 2014-11-14 US US14/541,946 patent/US9588423B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-19 US US15/410,082 patent/US10088750B2/en active Active
- 2017-03-22 JP JP2017056733A patent/JP6365715B2/ja active Active
- 2017-08-31 JP JP2017166922A patent/JP6447686B2/ja active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50135075A (ja) * | 1974-04-18 | 1975-10-25 | ||
JPS5663980A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-30 | Nativelle Sa Ets | Spirane derivative* its manufacture and drug composition containing it |
JP2003535128A (ja) * | 2000-06-07 | 2003-11-25 | アリックス セラピューティクス | 胃食道逆流性疾患の治療のための材料 |
JP2002226470A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-08-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | アミン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2002333714A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レジスト組成物 |
JP2002363148A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2003043678A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Jsr Corp | 感放射性樹脂組成物 |
JP2006251672A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2007041146A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Fujifilm Corp | レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2008107513A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 含窒素有機化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
WO2008087458A2 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Alexandre Vamvakides | NEW SIGMA(σ)-RECEPTOR LIGANDS WITH ANTI-APOPTOTIC AND/OR PRO-APOPTOTIC PROPERTIES OVER CELLULAR BIOCHEMICAL MECHANISMS, WITH NEUROPROTECTIVE, ANTI-CANCER, ANTI-METASTATIC AND ANTI-(CHRONIC) INFLAMMATORY ACTION |
JP2010250076A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Fujifilm Corp | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2012137729A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-07-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 塩基性化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
A. LOEFFLER ET AL.: "Preparation des a-methylenebutyrolactones par reaction de Reformatsky; synthese de l'acide protolichesterinique", CHIMIA, vol. 23, 15 November 1969 (1969-11-15), pages 413 - 416 * |
HUCK JACUES ET AL.: "Enantioselective synthesis of p2-amino acids by 1,4-radical addition followed by hydrogen atom transfer", PROCEEDINGS OF THE 27TH EUROPEAN PEPTIDE SYMPOSIUM, 31 August 2002 (2002-08-31), pages 268 - 269 * |
M. PROST ET AL.: "Derives propargyliques VII(1) esters, ethers et carbamates basiques de carbinols propynyliques", CHIMICA THERAPEUTICA, vol. II, no. 2, 17 July 1967 (1967-07-17), pages 133 - 143 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017151448A (ja) * | 2012-05-17 | 2017-08-31 | Jsr株式会社 | 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 |
JPWO2016027546A1 (ja) * | 2014-08-22 | 2017-04-27 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
US10649329B2 (en) | 2014-08-22 | 2020-05-12 | Fujifilm Corporation | Active light sensitive or radiation sensitive resin composition, active light sensitive or radiation sensitive film, pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and electronic device |
JP2017044929A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び化合物 |
JP2018010279A (ja) * | 2016-06-30 | 2018-01-18 | 住友化学株式会社 | 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6996116B2 (ja) | 2016-06-30 | 2022-01-17 | 住友化学株式会社 | 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6260531B2 (ja) | 2018-01-17 |
KR20150009547A (ko) | 2015-01-26 |
KR102046850B1 (ko) | 2019-11-20 |
US9588423B2 (en) | 2017-03-07 |
JP2017151448A (ja) | 2017-08-31 |
JPWO2013172239A1 (ja) | 2016-01-12 |
US20150079520A1 (en) | 2015-03-19 |
US20170131632A1 (en) | 2017-05-11 |
JP2018035156A (ja) | 2018-03-08 |
JP6365715B2 (ja) | 2018-08-01 |
JP6447686B2 (ja) | 2019-01-09 |
US10088750B2 (en) | 2018-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6075369B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸拡散制御剤 | |
JP6447686B2 (ja) | 化合物 | |
JP6052283B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
JP6492515B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体、化合物及びその製造方法 | |
JP6149656B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
WO2015045739A1 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
JP6171774B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法及び感放射線性酸発生剤 | |
JP6273689B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体、化合物及びその製造方法 | |
JP6241226B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
JP6319291B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 | |
JP6069691B2 (ja) | 酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 | |
JP6036545B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
JP6079360B2 (ja) | 酸拡散制御剤、フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法 | |
JP6079217B2 (ja) | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法及び酸発生剤 | |
JP2016167050A (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、重合体及び化合物 | |
JP6146328B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生体及び化合物 | |
JP6079128B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
WO2017057203A1 (ja) | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13790563 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2014515583 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20147032129 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13790563 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |