WO2013162232A1 - 에폭시몰딩컴파운드용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

에폭시몰딩컴파운드용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물 Download PDF

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신태규
이진수
황현주
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Definitions

  • the present invention relates to a self-extinguishing epoxy resin for epoxy molding compound (EMC), a manufacturing method thereof, and an epoxy resin composition for epoxy molding compound. More specifically, environmentally friendly self-extinguishing epoxy resin for high-end epoxy molding compound (EMC) and its manufacturing method and epoxy resin composition for epoxy molding compound which are self-extinguishing in EMC without the use of bromine-based or phosphorus-based flame retardants To provide.
  • EMC epoxy Molding Compound
  • Silica silica
  • epoxy resin phenol resin
  • carbon black carbon black
  • flame retardant flame retardant
  • Its main use is heat, moisture, impact, etc. in transistors, diodes, microprocessors and semiconductor memories.
  • semiconductor sealing material sealing material which is a material for sealing in order to protect from.
  • EMC is a small part of semiconductor prices, but because it is a structural material that protects semiconductor devices, it has an important effect on the function of semiconductors.
  • EMC compounding technology is one of the core technologies that determines the quality of semiconductors.
  • EMC design of high end class can be defined as balance engineering.
  • EMC requires a high level of skill because it must meet several conflicting requirements, such as high glass transition temperature Vs low flexural modulus.
  • the most effective way of satisfying the conflicting requirements is to use a high-performance epoxy resin with good physical properties.
  • high-performance epoxy resin is a representative core technology for high end EMC development.
  • the novel epoxy resin presented in the present invention was able to secure similar or superior mechanical properties and reliability compared to NC3000 of Nippon Kayaku Co., Ltd., a biphenyl novolak-type epoxy resin, which is currently the most commercially used semiconductor sealing material.
  • Korean Patent No. 946206 Patent No. 946206 (Phenol-based polymer, its light production method) discloses a phenol-based polymer having a novel structure as a curing agent in a semiconductor sealing material.
  • the NC3000 is used as an epoxy resin.
  • the present invention is due to the discovery that when the phenolic polymer described in the prior art (Patent No. 946206) can be epoxidized, a self-extinguishing epoxy resin for epoxy molding compound (EMC) having excellent physical properties can be provided.
  • an object of the present invention is to provide a self-extinguishing epoxy resin for epoxy molding compound (EMC) of the formula (1).
  • R1, R3, R4 are H or CH3 or Alkyl groups
  • R2 is (Biphenyl group) or (Benzyl)
  • the present invention is to provide an epoxy resin composition for epoxy molding compound using the resin of formula (1).
  • the epoxy resin (composition) of the present invention was confirmed to exhibit excellent flame retardancy even without the use of halogen-based flame retardants or phosphorus-based flame retardants, and at the same time, flame retardancy is equal to or higher than that of NC3000, which is currently most commercialized, and its dimensional stability is low. It has been found to be a high-end, self-extinguishing epoxy resin for EMC, which has the most excellent physical property balance for epoxy compositions for EMC compositions, which has a superior, lower flexural modulus and higher glass transition temperature.
  • the present inventors use the epoxy resin of Chemical Formula 1 as an EMC composition to have an environmentally friendly, high-end grade having high self-extinguishing properties and good physical property balance without the use of halogen-based flame retardants and phosphorus-based flame retardants. It was found that an epoxy resin of value added) can be obtained.
  • the resin of Chemical Formula 1 of the present invention is a high value-added self-extinguishing epoxy resin obtained by reacting phenols with bismethylbiphenyls and benzaldehyde or 4-phenylbenzaldehyde, and then epoxidizing them.
  • R1, R3, R4 are H or CH3 or Alkyl groups
  • R2 is (Biphenyl group) or (Benzyl)
  • the flame retardancy is shown as V-O grade, and it shows that the flame retardant is excellent even without using halogen-based flame retardant or phosphorus-based flame retardant. Comparing with NC3000, a commercially available Japanese powder, it was confirmed that it showed more than equivalent flame retardancy, and other physical balances also showed equal or better performance.
  • the modulus when the Tg is high, the modulus also tends to increase. In the case of the present invention (Examples 2 and 5), the modulus is similar at the same time as the Tg is higher than the conventional commercial product NC3000 (Comparative Example 1). The lower or lower value indicates a very ideal physical balance in terms of EMC properties.
  • the epoxy resin of the present invention may be prepared by preparing a phenolic polymer obtained by reacting a phenol with a bismethylbiphenyl compound and an aromatic aldehyde with an epoxy resin and manufacturing it with an epoxy composition.
  • phenol and 4,4 '-(bismethoxy methyl biphenyl) and 4-phenylbenzaldehyde or benzaldehyde are prepared from a novolak resin, and epichlorohydrin is reacted with a hydroxyl group of the novolak resin to prepare an epoxy resin. .
  • n 1-100.
  • n 1-100.
  • n 1-100.
  • n 1-100.
  • An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 3, except that NC-3000, which is the most commercially available resin, was used as the self-extinguishing epoxy resin.
  • An epoxy resin composition was prepared in the same manner as in Example 3, except that YDCN-500-4P (manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.), a general type of ortho-cresol novolac epoxy resin, was used as the epoxy resin. .
  • Table 1 shows the general properties of the epoxy resins produced by the above method (using two-stage methods) and the epoxy resins used in the comparative examples.
  • Example 3 (Content g)
  • Example 6 (content g) Comparative Example 1 (contents g) Comparative Example 2 (contents g) Epoxy resin Epoxy Resin 100 of Example 2 Epoxy Resin 100 of Example 5 NC3000 (100) YDCN-500-4P (100) Hardener Xylok (64.8) Xylok (73.6) Xylok (63.3) Xylok (86.1) catalyst Triphenylphosphine (1.5) Triphenylphosphine (1.5) Triphenylphosphine (1.5) Triphenylphosphine (1.5) Filler Silica (1210) Silica (1283) Silica (1197) Silica (1364)
  • the flame retardancy was evaluated by the vertical combustion method according to the UL-94 standard.
  • the flame retardant measurement is flame retardancy of UL V-0 class when the flame is burned for 10 seconds after the flame is fired to remove the fine, and within a few seconds to turn off within 10 seconds.
  • the mold and the test piece were prepared and measured according to the shrinkage measurement method of EMC, in which the length of the mold and the test piece was measured by a caliper.
  • the epoxy resin composition was maintained at 90 ° C. for 2 hours and then cured at 150 ° C. for 4 hours, and then glass transition temperature (Tg) was measured through DSC analysis.
  • test piece was prepared and the width and thickness of the test piece were measured by a micrometer, and measured by a method using a U.T.M tester.

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Abstract

발명은 화학식 (1)의 에폭시몰딩컴파운드(EMC)용 자기소화성 에폭시 수지를 제공한다. 본 발명의 에폭시수지(조성물)는 할로겐계 난연제 또는 인계 난연제를 사용하지 않더라도 우수한 난연성을 나타냄이 확인되었고, 아울러 현재 가장 상용화되어 있는 일본화약社의 NC3000보다 난연성이 동등 이상이며, 수축률 또한 낮아 치수 안정성이 우수하고, 더 낮은 굴곡 모듈러스를 가지면서도 유리전이온도는 더 높은, EMC 조성물용 에폭시 수지에 있어서 가장 이상적인 물성 밸런스를 갖는 High End급의 EMC용 자기소화성 에폭시 수지임이 발견되었다.

Description

에폭시몰딩컴파운드용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물
본 발명은 에폭시몰딩컴파운드(EMC)용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물에 대한 것이다. 더욱 상세히는 환경친화적으로 브롬계, 인계 등의 난연제를 사용하지 않고서 EMC에서 자기소화성을 가지는 High End급의 에폭시몰딩컴파운드(EMC)용 자기소화성 에폭시 수지 및 그 제법, 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
EMC(Epoxy Molding Compound)는 실리카, 에폭시수지, 페놀수지, 카본블랙, 난연제 등 10여 가지의 원료가 사용되는 복합소재로서 주용도는 트랜지스터, 다이오드, 마이크로프로세서, 반도체 메모리 등을 열, 수분, 충격 등으로부터 보호하기 위해 밀봉하는 재료인 반도체 봉지재(밀봉재)로서 쓰이고 있다.
EMC는 반도체 가격에 비해서는 그 비중이 작지만 반도체소자를 보호하는 구조재료이기 때문에 반도체의 기능에 매우 중요한 영향을 준다. 특히 EMC 컴파운딩 기술은 반도체의 품질을 좌우할 정도로 핵심기술에 속한다.
High End급의 EMC 설계는 밸런스 공학이라 정의할 수 있다. EMC는 항상 상충되는 여러 요구 특성, 예컨대, 높은 유리전이온도 Vs 낮은 굴곡모듈러스를 만족하여야 하기 때문에 고난도의 기술을 필요로 한다. 서로 상충되는 요구 특성을 가장 효과적으로 만족시킬 수 있는 방법은 물성 밸런스가 좋은 고성능의 에폭시 수지를 사용하는 것이다. 즉, High End급의 EMC 개발에 있어서 고성능의 에폭시 수지는 대표적인 핵심 기술이다.
본원 발명에서 제시된 신규한 에폭시 수지는 현재 상업적으로 가장 많이 사용되는 반도체 밀봉재로서의 비페닐 노볼락형 에폭시 수지인 일본화약社의 NC3000과 대비하여 유사하거나 우수한 기계적 특성과 신뢰성을 확보할 수 있었다.
한편, 대한민국 특허 제946206호(페놀계 중합체, 그 제법 빛 용도)에는 반도체 밀봉재에 있어서의 경화제로서의 신규한 구조의 페놀계중합체를 제시하고 있는데, 실시예에서는 상기 NC3000을 에폭시 수지로 사용하고 있다.
본 발명은 종래기술(특허 제946206호)에서 제시한 페놀계중합체를 에폭시화하는 경우 우수한 물성의 에폭시몰딩컴파운드(EMC)용 자기소화성 에폭시 수지를 제공할 수 있다는 것을 발견한 것에 기인한다.
따라서 본 발명은 하기 화학식 (1)의 에폭시몰딩컴파운드(EMC)용 자기소화성 에폭시 수지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(화학식 1)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c1
R1, R3, R4는 H 또는 CH3 또는 Alkyl 기
R2 는
Figure PCTKR2013003403-appb-I000002
(바이페닐기) 또는
Figure PCTKR2013003403-appb-I000003
(벤질기)
여기서, n=1~100의 자연수다
또한 본 발명은 상기 화학식(1)의 수지를 이용한 에폭시몰딩컴파운드용 에폭시수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 에폭시수지(조성물)는 할로겐계 난연제 또는 인계 난연제를 사용하지 않더라도 우수한 난연성을 나타냄이 확인되었고, 아울러 현재 가장 상용화되어 있는 일본화약社의 NC3000보다 난연성이 동등 이상이며, 수축률 또한 낮아 치수 안정성이 우수하고, 더 낮은 굴곡 모듈러스를 가지면서도 유리전이온도는 더 높은, EMC 조성물용 에폭시 수지에 있어서 가장 이상적인 물성 밸런스를 갖는 High End급의 EMC용 자기소화성 에폭시 수지임이 발견되었다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명자들은 화학식1의 에폭시 수지를 EMC 조성물로 이용하면 환경 친화적으로 할로겐계 난연제 및 인계 난연제를 사용하지 않고서도 EMC에서 자기소화성을 가지고 있으며 물성 balance도 좋은 High End급(고부가가치)의 에폭시 수지를 얻을 수 있다는 것을 발견하였다.
본 발명의 하기 화학식1의 수지는 페놀류와 비스메틸바이페닐류 및 벤즈알데히드 또는 4-페닐벤즈알데히드를 각각 반응시켜 노볼락화한 후 이를 각각 에폭시화한 고부가가치용 자기소화성 에폭시 수지이다.
(화학식 1)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c1
R1, R3, R4는 H 또는 CH3 또는 Alkyl 기
R2 는 (바이페닐기) 또는
Figure PCTKR2013003403-appb-I000006
(벤질기)
여기서, n=1~100의 자연수다
1. 본원발명의 에폭시 수지를 EMC조성물에 사용할 경우 V-O등급으로 난연성이 나타났는바, 할로겐계 난연제 또는 인계 난연제를 사용하지 않더라도 우수한 난연성을 나타냄을 알 수 있다. 기존 상용화되어 있는 일본화약社 제품인 NC3000와 비교해보더라도 동등 이상의 난연성을 보이는 것이 확인되었으며 기타 물성 발란스도 동등 이상의 성능을 보이는 것을 알 수 있다.
2. 수축률이 낮아 치수 안정성이 우수할 뿐만 아니라 기존 상용 제품 NC3000에 비해서도 수축률이 낮음을 알 수 있다.
3. 일반적으로 Tg가 높으면 모듈러스도 함께 높아지는 경향성을 갖게 되는데, 본 발명물질의 경우에는(실시예2와 실시예5) 기존 상용 제품 NC3000(비교예1)에 비하여 Tg가 높으면서도 동시에 모듈러스가 비슷하거나 더 낮게 나타났는바, 이는 EMC 물성에 있어서 매우 이상적인 물성 밸런스를 가짐을 알 수 있다.
본 발명의 에폭시수지는 페놀류와 비스메틸바이페닐 화합물, 방향족 알데히드를 반응시킨 페놀계 중합체를 에폭시 수지로 제조하고 이를 에폭시 조성물로 제조하는 것에 의해 제조될 수 있다.
더욱 자세하게는 페놀과 4,4'-(bismethoxy methyl biphenyl) 및 4-페닐벤즈알데히드 또는 벤즈알데히드를 노볼락 수지로 제조한 후 이에 에피클로로히드린을 노볼락 수지의 수산기에 반응시켜 에폭시 수지를 제조하는 것이다.
이하, 본 발명을 실시하는 방법을 보다 구체적으로 기술한다.
[실시예1] 4-페닐벤즈알데히드를 이용한, 노볼락 수지의 제조
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 4-페닐벤즈알데히드 (4-phenylbenzaldehyde) 212g, 페놀 550g, BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 242g, PPW (purified process water) 58g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해시켰다. 촉매는 PTSA(para toluene sulfonicacid monohydrate) 1.41g을 투입하여 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행하였다. 그 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소화하여 연화점 99℃, 분자량 787, 점도 390cps(150℃)인 (화학식 2)의 수지를 합성하였다.(1단법)
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 4-페닐벤즈알데히드 (4-phenylbenzaldehyde) 212g, 페놀 550g, PPW (purified process water) 58g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해시켰다. 촉매는 PTSA(para toluene sulfonicacid monohydrate) 1.41g을 투입하여 1시간 반응 후, 2차 원료인 BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 242g를 투입하고 3시간 반응 후 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행하였다. 그 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소화하여 연화점 99℃, 분자량 787, 점도 390cps(150℃)인 (화학식 2)의 수지를 합성하였다.(2단법)
(화학식2)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c2
여기서, n=1~100의 자연수다.
[실시예2] 노볼락 에폭시 수지의 제조
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 화학식(2) 600g 및 Epichlorohydrin 949.6g을 투입하여 용해한 다음 50% NaOH 수용액 촉매 150g을 4시간 적하 반응한 다음 남은 Epichlorohydrin을 회수한다. 합성된 수지에 Methyl isobutyl ketone 750g, PPW 264g을 투입하여 분액 수세하여 생성된 염을 제거한 후 용제를 회수하여 당량 270.1g/eq, 염소분 280ppm, 연화점 60.7도(B&R)의 화학식(3)를 합성하였다.
(화학식3)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c3
여기서, n=1~100의 자연수다.
[실시예3] 노볼락 에폭시 수지 조성물의 제조
에폭시 수지로서 실시예 2에서 제조된 화학식 (3)의 에폭시수지 (100g), 경화제로서 xylok 수지 (64.79g)와, 촉매로서 트리페닐포스핀 (1.5g), 및 필러(filler)로서 실리카 (1210g)을 혼합하여 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예4] 벤즈알데히드를 이용한, 노볼락 수지의 제조
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 벤즈알데히드(benzaldehyde) 182g, 페놀 470g, BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 231g, PPW (purified process water) 47g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해를 시켰다. 촉매는 PTSA(para toluene sulfonic acid monohydrate) 1.41g을 투입하여 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행하였다. 그 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소하하여 연화점 92℃, 분자량 859, 점도 67cps(150℃)인 (화학식 4)의 수지를 합성하였다.(1단법)
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 벤즈알데히드(benzaldehyde) 182g, 페놀 470g, PPW (purified process water) 47g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해를 시켰다. 촉매는 PTSA(para toluene sulfonic acid monohydrate) 1.41g을 투입하여 1시간 반응 후, , 2차 원료인 BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 231g 를 투입하고 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행하였다. 그 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소하하여 연화점 92℃, 분자량 859, 점도 67cps(150℃)인 (화학식 4)의 수지를 합성하였다.(2단법)
(화학식4)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c4
여기서, n=1~100의 자연수다.
[실시예5] 노볼락 에폭시 수지의 제조
교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 화학식(4) 208g 및 Epichlorohydrin 412g을 투입하여 용해한 다음 50% NaOH 수용액 촉매 80g을 4시간 적하 반응한 다음 남은 Epichlorohydrin을 회수한다. 합성된 수지에 Methyl isobutyl ketone 528g, PPW 264g을 투입하여 분액 수세하여 생성된 염을 제거한 후 용제를 회수하여 당량 237.8g/eq, 염소분 87ppm, 연화점 60도(B&R)의 화학식(5)를 합성한다.
(화학식5)
[규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]　
Figure WO-DOC-c5
여기서, n=1~100의 자연수다.
[실시예6] 노볼락 에폭시 수지 조성물의 제조
에폭시 수지로서 실시예 5에서 제조된 화학식 (5)의 에폭시 수지 (100g), 경화제로서 xylok 수지(73.6g)와, 촉매로서 트리페닐포스핀 (1.5g), 및 필러(filler)로서 실리카 (1283g)을 혼합하여 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예1]
자기소화성 에폭시 수지로서 가장 상용화되어 있는 수지인 NC-3000(일본화약社)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예2]
에폭시 수지로서 자기소화성 에폭시 수지가 아닌 일반타입의 오소-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 YDCN-500-4P(국도화학주식회사 제품)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
표 1에 상기 방법으로 제조된 에폭시 수지(2단법에 의한 것 사용) 및 비교예에 사용된 에폭시 수지의 일반적인 특성을 나타내었다.
표 1 실시예2과 실시예 5로 얻은 에폭시 수지 특성 및 비교예1과 비교예2에 사용된 에폭시 수지 특성
항목 실시예 2의 에폭시 실시예 5의 에폭시 비교예 1의 에폭시 비교예 2의 에폭시
에폭시당량(g/eq) 270.1 237.8 276.7 203.3
가수분해성염소분(ppm) 85 82 50 80
연화점(℃) 60.7 57.8 55.2 62.4
에폭시 수지 조성물의 성분 및 함량은 표 2에 정리하였다.
표 2 EMC 조성물의 원료 물질 성분 및 함량
실시예3(함량g) 실시예 6(함량g) 비교예1(함량g) 비교예2(함량g)
에폭시 수지 실시예2의 에폭시 수지(100) 실시예5의 에폭시 수지(100) NC3000(100) YDCN-500-4P(100)
경화제 Xylok(64.8) Xylok(73.6) Xylok(63.3) Xylok(86.1)
촉매 트리페닐포스핀(1.5) 트리페닐포스핀(1.5) 트리페닐포스핀(1.5) 트리페닐포스핀(1.5)
필러(filler) 실리카(1210) 실리카(1283) 실리카(1197) 실리카(1364)
Gel Time 측정
에폭시 수지 조성물의 반응성을 평가하기 위해 겔화 시간 등을 측정하였다. 175℃의 열판(hot plate)위에, 건조상태의 수지를 떼어내어 파우더(powder)형태로 만든 시료 1g을 올려놓고 시간을 측정하여, 이쑤시개로 저어주며 들어올려 수지가 실처럼 늘어져 딸려오지 않을 때까지의 시간을 측정하였다.
난연성 측정
에폭시 수지 조성물의 난연성을 측정하기 위해, UL-94 표준에 따라 수직 연소법으로 난연성을 평가하였다. 상기 난연성 측정은 시편을 불꽃을 대서 10초 동안 태운 후 화인을 제거하여 몇 초 안에 꺼지는지를 확인하여 10초 이내에 꺼지면 UL V-0급의 난연성을 보이는 것이다.
수축율 측정
몰드와 시험편을 준비하여 몰드와 시험편의 길이를 캘리퍼스로 측정하는 EMC의 수축율 측정방법에 따라 측정하였다.
내열성 측정
에폭시 수지 조성물을 90℃에서 2시간 유지한 후 150℃에서 4시간 유지하여 경화시킨 후 DSC 분석을 통하여 유리전이온도(Tg)를 측정하였다.
굴곡강도 및 굴곡탄성율
시험편을 준비하여 시험편의 넓이와 두께를 마이크로미터로 측정하였고, U.T.M 시험기를 이용하는 방법으로 측정하였다.
위 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
표 3
Component 원료
실시예3 실시예6 비교예1 비교예2
Epoxy Resin Fig4 Fig5 NC-3000 YDCN-500-4P
Hardener Xylok
Catalyst(Tri phenyl phosphin) 0.24% 0.24% 0.24% 0.24%
Filler(Silica) 88% 88% 88% 88%
Gel Time (175℃) 29sec 26sec 34sec 25sec
UL-94 6sec 7sec 10sec Burn
Shrinkage Non-Post CurePost Mold Cure 0.24 %0.25 % 0.25 %0.25 % 0.27%0.27% 0.33 %0.33 %
TMA Tg 145 139 128 140
굴곡강도(Kg/mm2) RT@260℃ 150.9 151.1 161.0 161.3
굴곡탄성율(Kg/mm2) RT@260℃ 240067 240082 232077 2180124
표 3에서 나타낸 바와 같이, 본원 발명의 에폭시 수지를 사용할 경우 할로겐계, 인계 난연제 없이 난연성이 뛰어나고 치수안정성이 좋으며 물성 balance도 우수한 EMC를 만들 수 있다.

Claims (4)

  1. [규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]
    하기 화학식 (1)로 표시되는 에폭시 수지.
    (화학식 1)
    Figure WO-DOC-c1
    R1, R3, R4는 H 또는 CH3 또는 Alkyl 기
    R2 는 (바이페닐기) 또는 (벤질기)
    Figure PCTKR2013003403-appb-I000012
    Figure PCTKR2013003403-appb-I000013
    여기서, n=1~100의 자연수다
  2. [규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]
    (1) 교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 4-페닐벤즈알데히드 (4-phenylbenzaldehyde) 212g, 페놀 550g, BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 242g, PPW (purified process water) 58g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해시킨후 촉매로 PTSA(para toluene sulfonicacid monohydrate) 1.41g을 투입하여 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행한 다음 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소화하여 화학식 (2)의 수지를 합성하는 단계; 또는
    교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 4-페닐벤즈알데히드 (4-phenylbenzaldehyde) 212g, 페놀 550g, PPW (purified process water) 58g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해시킨후 촉매로 PTSA(para toluene sulfonicacid monohydrate) 1.41g을 투입하여 1시간 반응 후, 2차 원료인 BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 242g를 투입하고 3시간 반응 후 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행한 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소화하여 화학식 (2)의 수지를 합성하는 단계;
    (화학식2)
    Figure WO-DOC-c2
    여기서, n=1~100의 자연수다
    (2) 교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 화학식(2) 600g 및 Epichlorohydrin 949.6g을 투입하여 용해한 다음 50% NaOH 수용액 촉매 150g을 4시간 적하 반응한 다음 남은 Epichlorohydrin을 회수한 후에 합성된 수지에 Methyl isobutyl ketone 750g, PPW 264g을 투입하여 분액 수세하여 생성된 염을 제거한 후 용제를 회수하여 화학식(3)의 에폭시수지를 제조하는 방법.
    (화학식3)
    Figure WO-DOC-c3
    여기서, n=1~100의 자연수다
  3. [규칙 제26조에 의한 보정 03.06.2013]
    1) 교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 벤즈알데히드(benzaldehyde) 182g, 페놀 470g(5mole), BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 231g, PPW (purified process water) 47g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해 시킨후, 촉매로 PTSA(para toluene sulfonic acid monohydrate) 1.41g을 투입하여 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행한 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소하하여 화학식 (4)의 수지를 합성하는 단계; 또는
    냉각기가 붙어있는 플라스크에 벤즈알데히드(benzaldehyde) 182g, 페놀 470g, PPW (purified process water) 47g을 넣고 90℃까지 승온하여 용해를 시킨 후 촉매로 PTSA(para toluene sulfonic acid monohydrate) 1.41g을 투입하여 1시간 반응 후, 2차 원료인 BMMB(4,4'-Bis[methoxy-methyl biphenyl]) 231g 를 투입하고 3시간 반응 후, 115℃까지 탈수 진행 후, 190℃ X 5torr까지 페놀회수를 진행한 다음, 20g의 PPW를 적하하여 잔존페놀함량을 최소하하여 화학식 (4)의 수지를 합성하는 단계;
    화학식(4)
    Figure WO-DOC-c4
    여기서, n=1~100의 자연수다.
    2) 교반기, 냉각기가 붙어있는 플라스크에 화학식(4)수지 208g 및 Epichlorohydrin 412g을 투입하여 용해한 다음 50% NaOH 수용액 촉매 80g을 4시간 적하 반응한 다음 남은 Epichlorohydrin을 회수한후 합성된 수지에 Methyl isobutyl ketone 528g, PPW 264g을 투입하여 분액 수세하여 생성된 염을 제거한 후 용제를 회수하여 하기 화학식(5)를 합성하는 방법.
    화학식(5)
    Figure WO-DOC-c5
    여기서, n=1~100의 자연수다
  4. 청구항 3항 또는 4항기재의 방법에 의해 합성된 에폭시수지에 경화제, 촉매 및 필러를 혼합한 에폭시몰딩컴파운딩용 에폭시 수지 조성물.
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