WO2013145846A1 - 非水電解質二次電池用正極及び非水電解質二次電池 - Google Patents

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Abstract

 出力特性に優れる非水電解質二次電池用正極及び非水電解質二次電池を提供することを目的としている。 正極集電体と、この正極集電体の少なくとも一方の面に形成された正極合剤層と、を備え、上記正極合剤層中には、LiNi0.55Co0.20Mn0.25で表されるニッケルコバルトマンガン酸リチウムの粒子3と、このニッケルコバルトマンガン酸リチウム3の粒子の表面に固着したオキシ水酸化エルビウム1と、上記ニッケルコバルトマンガン酸リチウム3の粒子の表面に付着した三酸化タングステン2と、結着剤とが含まれていることを特徴とする。

Description

非水電解質二次電池用正極及び非水電解質二次電池
 本発明は、非水電解質二次電池用正極及びその正極を用いた非水電解質二次電池に関する。
 非水電解質二次電池は小型、軽量、大容量の電池として、携帯機器の電源として広く利用されている。更に最近では電動工具や電気自動車等、動力用電源としても注目が高まっており、さらなる用途拡大が見込まれている。こうした動力用電源では、長時間の使用が可能な高容量化や、比較的短時間に大電流を放出する大電流放電特性の向上が求められる。特に、電動工具、電気自動車等の用途では、大電流放電特性を維持しつつ高容量化を達成することが必要となっている。 
 ここで、電池の高容量化を達成する手法として、充電電圧を上げることにより使用可能な電圧幅を広げる手法が挙げられる。しかし、充電電圧を上げた場合には、正極活物質の酸化力が強くなる。また、正極活物質は触媒性を有する遷移金属(例えば、Co、Mn、Ni、Feなど)を有しているため、電解液の分解反応などが生じ、大電流放電を阻害する被膜が、正極活物質の表面に形成されるという問題があった。このようなことを考慮して、以下に示す提案がされている。
(1)表面にランタン原子が含有された正極活物質を用いることで、電解液との分解反応を抑制する提案(下記特許文献1参照)。
(2)正極活物質であるスピネル型のリチウムマンガン酸化物表面にタングステンを含む酸化物を修飾して、大電流放電特性を向上させる提案(下記特許文献2参照)。
特開2008-226495号公報 特開2005-320184号公報
 しかしながら、(1)に示した提案では、電解液との分解反応をある程度抑制することができるものの、大電流放電特性を向上させることはできない。
 また、(2)に示した提案では、高い電圧まで充電した場合には、正極活物質表面で抵抗層となる被膜が形成されため、大電流放電特性を飛躍的に向上させることができない。
 本発明は、正極集電体と、この正極集電体の少なくとも一方の面に形成された正極合剤層と、を備え、上記正極合剤層中には、層状構造を有し表面に希土類の化合物が固着されたリチウム含有遷移金属酸化物の粒子を含む正極活物質と、タングステンを含む酸化物と、結着剤と、が含まれていることを特徴とする。
 本発明によれば、大電流放電特性が飛躍的に向上するといった優れた効果を奏する。
本発明の実施形態に係る正極活物質を示す説明図である。 三電極式試験セルの説明図である。
 本発明は、正極集電体と、この正極集電体の少なくとも一方の面に形成された正極合剤層と、を備え、上記正極合剤層中には、層状構造を有し表面に希土類の化合物が固着されたリチウム含有遷移金属酸化物の粒子を含む正極活物質と、タングステンを含む酸化物と、結着剤と、が含まれていることを特徴とする。
 上記構成の如く、層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物の粒子表面に希土類の化合物が存在し、且つ、正極合剤層中にタングステンを含む酸化物が含有されていれば、高い電圧まで充電した場合でも、正極活物質の粒子表面に形成される被膜のリチウムイオン透過性と導電性とが向上する。即ち、上記構成であれば、正極活物質の表面を改質することができるので、高い電圧まで充電した場合でも、正極活物質と非水電解質との界面におけるリチウムイオンの挿入,離脱反応が促進され、これによって、大電流放電特性が向上する。尚、このような作用効果は、タングステンを含む酸化物と希土類の化合物とが近接している場合に、一層発現され易くなる。したがって、上記タングステンを含む酸化物は、上記リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に付着していることが、特に望ましい。
 尚、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に希土類の化合物を固着しただけ、或いは、正極合剤層中にタングステンを含む酸化物が存在するだけでは、大電流放電特性は向上しない。
 リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に希土類の化合物を固着しただけでは、正極活物質表面に被膜が形成される際、電解液に対して大きな分解過電圧が加わる。このため、正極活物質における電解液接触面の構造が破壊されたり、正極活物質表面に形成される被膜の絶対量が増大したりする(正極活物質の表面に過剰な被膜が形成される)。この結果、正極活物質と非水電解質との界面におけるリチウムイオンの挿入,離脱反応が阻害される。また、正極合剤層中にタングステンを含む酸化物が存在するだけでは、タングステンを含む酸化物が抵抗となるため、正極合剤層中のイオン移動や電子伝導性が低下する。
 これに対して、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に希土類の化合物を固着し、且つ、正極合剤層中にタングステンを含む酸化物が存在していれば(特に、希土類の化合物の近傍にタングステンを含む酸化物が存在していれば)、タングステンを含む酸化物が触媒としての作用を発揮するため、リチウム含有遷移金属酸化物の表面に、薄く緻密でリチウムイオン透過性に優れた被膜が形成されると同時に、形成された被膜の安定性や電子導電性が向上する。このような作用効果は、希土類元素の化合物とタングステンを含む酸化物とが存在することによる特有の作用効果と考えられ、希土類元素は4f軌道を有する等の理由によって高い電子吸引性を有することに起因すると考えられる。また、このような特有の作用効果を発揮することにより、大電流放電特性が向上すると考えられる。
 また、上述の如く、タングステンを含む酸化物は、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に付着(固着を含む)していることが望ましいが、このような構成のリチウム含有遷移金属酸化物を作製する際、上述の特許文献2に記載の如く、焼結法(400~700℃で熱処理)を用いるのは好ましくない。これは、以下に示す理由による。
 本発明の如く、リチウム含有遷移金属酸化物として層状構造を有するものを用いた場合、高温での熱処理を行うと、リチウム含有遷移金属酸化物に対してタングステンの固溶が進行する。このため、平均酸化数が本来3価である遷移金属の一部が2価に変化し、抵抗層となるため、大電流放電特性が低下する。また、希土類の化合物が付着されたリチウム含有遷移金属酸化物とタングステンを含む酸化物とが存在する状態で、高温での熱処理を行うと、タングステンを含む酸化物がリチウム含有遷移金属酸化物内に拡散する。このため、タングステンを含む酸化物の添加効果が十分に発揮されず、上記作用効果を得ることができない。
 また、特許文献2に記載の如く、リチウム含有遷移金属酸化物としてスピネル構造を有するものを用いた場合にも、本発明の作用効果を得ることができない。これは、スピネル構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物中の遷移金属の平均価数が4価であり、3価の平均価数を有する層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物とは、遷移金属の状態が異なるためと考えられる。
 ここで、上記希土類の化合物は、希土類の水酸化物、希土類のオキシ水酸化物、又は、希土類の酸化物であることが望ましく、特に、希土類の水酸化物、又は、希土類のオキシ水酸化物であることが望ましい。これらを用いると、上記作用効果が一層発揮されるからである。尚、希土類の化合物には、これらの他に希土類の炭酸化合物や、希土類の燐酸化合物などが一部含まれていてもよい。
 上記希土類の化合物に含まれる希土類元素としては、イットリウム、ランタン、セリウム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリウム、セリウム、テルビウム、ディスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが挙げられ、中でも、ネオジム、サマリウム、エルビウムであることが好ましい。ネオジムの化合物、サマリウムの化合物、及びエルビウムの化合物は、正極活物質の表面により均一に析出し易いからである。
 上記希土類の化合物の具体例としては、水酸化ネオジム、オキシ水酸化ネオジム、水酸化サマリウム、オキシ水酸化サマリウム、水酸化エルビウム、オキシ水酸化エルビウムが挙げられる。また、希土類の化合物として、水酸化ランタン又はオキシ水酸化ランタンを用いた場合には、ランタンは安価であるということから、正極の製造コストを低減することができる。
 上記希土類の化合物の平均粒径は1nm以上100nm以下であることが望ましい。
 希土類の化合物の平均粒子径が100nmを超えると、リチウム含有遷移金属酸化物粒子の粒径に対する希土類の化合物の粒径が大きくなり過ぎるために、リチウム含有遷移金属酸化物粒子の表面が希土類の化合物によって緻密に覆われなくなる。したがって、リチウム含有遷移金属酸化物粒子と非水電解質やその還元分解生成物が直に触れる面積が大きくなるため、非水電解質やその還元分解生成物の酸化分解が増加し、充放電特性が低下する。
 一方、希土類の化合物の平均粒子径が1nm未満になると、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子表面が希土類水酸化物等によって緻密に覆われ過ぎるため、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子表面におけるリチウムイオンの吸蔵,放出性能が低下して、充放電特性が低下するという理由による。このようなことを考慮すれば、希土類の化合物の平均粒径は、10nm以上50nm以下であることが、より好ましい。
 上記オキシ水酸化エルビウムなどの希土類の化合物をリチウム含有遷移金属酸化物に固着させるには、リチウム含有遷移金属酸化物を分散した溶液に、例えばエルビウム塩を溶解した水溶液を混合することで得られる。また別の方法としては、リチウム含有遷移金属酸化物を混合しながら、エルビウム塩を溶解した水溶液を噴霧した後に、乾燥するという方法もある。
 中でも、リチウム含有遷移金属酸化物を分散した溶液に、エルビウム塩等の希土類塩を溶解した水溶液を混合する方法を用いることが好ましい。この理由としては、リチウム含有遷移金属酸化物表面に、希土類の化合物をより均一に分散して固着させることができるからである。この際、リチウム含有遷移金属酸化物を分散した溶液のpHを一定にすることが好ましく、特に1~100nmの微粒子を、リチウム含有遷移金属酸化物の表面に均一に分散させて析出させるには、pHを6~10に規制することが好ましい。
 pHが6未満になると、リチウム含有遷移金属酸化物の遷移金属が溶出する恐れがある一方、pHが10を超えると、希土類の化合物が偏析してしまう恐れがあるという理由による。
 リチウム含有遷移金属酸化物の総モル量に対する希土類元素の割合は、0.003モル%以上0.25モル%以下であることが望ましい。該割合が0.003モル%未満になると、希土類の化合物を固着させた効果が十分に発揮されないことがある一方、該割合が0.25モル%を超えると、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子表面におけるリチウムイオン透過性が低くなって、大電流放電特性が低下することがあるという理由による。
 正極活物質の総モル量に対する上記タングステンを含む酸化物のモル量の割合が、0.01モル%以上3モル%以下であることが好ましく、より好ましくは0.05モル%以上2モル%以下、さらに好ましくは0.1モル%以上0.5モル%以下である。タングステンを含む酸化物の付着量が0.01モル%未満の場合、付着量が少な過ぎてその効果が十分に発揮されないため、大電流放電特性の飛躍的な向上を図ることができないことがある。一方、付着量が3モル%を超える場合、反応に関与しない付着物の量が多くなり過ぎて、正極容量が低下すると共に、リチウムの挿入,脱離反応が阻害されて、大電流放電特性が低下する恐れがある。
 また、上記タングステン酸化物は、例えば、三酸化タングステン(WO)、二酸化タングステン(WO)、又は、タングステン酸リチウム(LiWO)があげられるが、その中でも、三酸化タングステンであることが最も望ましい。
 尚、希土類化合物が希土類の水酸化物又は希土類のオキシ水酸化物である場合、タングステンを含む酸化物が三酸化タングステンであることが特に好ましい。リチウム含有遷移金属酸化物の表面に希土類の水酸化物や希土類のオキシ水酸化物が固着している場合、希土類の水酸化物等のアルカリ成分や吸着水の影響で、リチウム含有遷移金属酸化物の表面に固着した希土類の水酸化物等の近傍に、三酸化タングステンが配置され易くなるからである。
 リチウム含有遷移金属酸化物としては、一般式LiMeO(但し、Meは、Ni、Co及びMnからなる群から選ばれた少なくともひとつ)で表される層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物がある。なお、リチウム含有遷移金属酸化物は、マグネシウム、アルミニウム、チタン、クロム、バナジウム、鉄、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ジルコニウム、錫、タングステン、ナトリウム及びカリウムからなる群れから選ばれた少なくとも一種をさらに含んでいてもよく、その中でもアルミニウムを含んでいることが好ましい。
 好ましく用いられるリチウム含有遷移金属酸化物粒子の具体例としては、コバルト酸リチウム(LiCoO)、ニッケル酸リチウム(LiNiO)、ニッケルコバルトマンガン酸リチウム(LiNi1/3Co1/3Mn1/3等)、ニッケルコバルトアルミニウム酸リチウム(LiNi0.8Co0.15Al0.05等)などが挙げられるが、特に、コバルト酸リチウム、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムやニッケルコバルトアルミニウム酸リチウムが好ましく、その中でも、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムが特に好ましい。
 ここで、リチウム含有遷移金属酸化物としてコバルト酸リチウムを用いた場合には、低温での大電流放電特性が顕著に向上する。また、リチウム含有遷移金属酸化物としてニッケルコバルトマンガン酸リチウムを用いた場合には、常温での大電流放電特性が顕著に向上する。更に、リチウム含有遷移金属酸化物としてニッケルコバルトアルミニウム酸リチウムを用いた場合には、単位質量当たりの比容量が高くなる。尚、リチウム含有遷移金属酸化物としてニッケルコバルトマンガン酸リチウムを用いた場合に、常温での大電流放電特性が顕著に向上するのは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウム表面に形成される被膜が、特異的にリチウムイオン透過性と導電性に優れることに起因すると考えられる。 
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムとしては一般式LiaNixCoyMnz(0.95<a<1.20、0.30≦x≦0.80、0.10≦y≦0.40、0.10≦z≦0.50)の範囲を満たすことが好ましく、さらにはLiaNixCoyMnz(0.95<a<1.20、0.30≦x≦0.60、0.20≦y≦0.40、0.20≦z≦0.40)の範囲を満たすことが好ましい。特に一般式LiaNixCoyMnz(0.95<a<1.20、0.35≦x≦0.55、0.20≦y≦0.35、0.25≦z≦0.30)の範囲がより好ましい。
 aの値が0.95以下であると、結晶構造の安定性が低下するため、サイクル経過時の容量維持や出力特性の低下抑制が十分でなくなる。一方、aの値が1.20以上であるとガス発生が多くなるからである。
 xの値が0.30未満であったりyの値が0.40を超えると充放電容量が徐々に低下する。一方、xの値が0.80を超えたり、yの値が0.10未満になると、徐々に活物質内部のリチウム拡散速度が低下し、反応の律速段階が活物質表面から内部へと遷移するために十分な効果が発揮できなくなる。また、zの値が0.10未満になると、ニッケルの一部とリチウムの結晶構造中の元素配置の置換が生じ易くなり、出力特性の低下が生じる。zの値が0.50を超えると、構造が不安定となり活物質合成時に安定的にニッケルコバルトマンガン酸リチウムを得るのが困難となる。 
 ニッケルコバルトアルミニウム酸リチウムとしては一般式LiaNixCoyAlz(0.95<a<1.20、0.50≦x≦0.99、0.01≦y≦0.50、0.01≦z≦0.10)の範囲を満たすことが好ましく、さらには一般式LiaNixCoyAlz(0.95<a<1.20、0.70≦x≦0.95、0.05≦y≦0.30、0.01≦z≦0.10)の範囲がより好ましい。
 aの値が0.95以下であると、結晶構造の安定性が低下するため、サイクル経過時の容量維持や出力特性の低下抑制が十分でなくなる。一方、aの値が1.2以上であると、ガス発生が多くなるからである。
 xの値が0.50未満であったり、yの値が0.50を超えると、充放電容量が徐々に低下する。一方、zの値が0.10を超えると、活物質内部のリチウム拡散速度が低下し、反応の律速段階が活物質表面から内部へと遷移するために十分な効果が発揮できなくなる。
 また、xの値が0.99を超えていたり、zの値が0.01未満であったり、yの値が0.01未満であると、構造安定性が低下する。 
 上記リチウム含有遷移金属酸化物は一次粒子が凝集した二次粒子から成り、上記一次粒子間の隙間に上記タングステンを含む酸化物が入り込む構造となっていることが望ましい。
 具体的な構造は、図1に示すように、リチウム含有遷移金属酸化物(例えば、ニッケルコバルトマンガン酸リチウム)の一次粒子3間の隙間に、タングステンを含む酸化物(例えば、三酸化タングステン)2が入り込む構造である。尚、図1中、1は希土類の化合物(例えば、オキシ水酸化エルビウム)である。
 上記構成であれば、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子表面に付着しているタングステンを含む酸化物の付着強度が高くなる。したがって、その後の正極作製工程において、タングステンを含む酸化物がリチウム含有遷移金属酸化物の粒子から剥がれるのを抑制できる。よって、タングステンを含む酸化物は、希土類の化合物の近傍に常に存在することとなるため、本発明の作用効果が十分に発揮される。
 一次粒子が凝集して二次粒子形成される構造のリチウム含有遷移金属酸化物としては、コバルト酸リチウム、ニッケルコバルトマンガン酸リチウム、ニッケルコバルトアルミニウム酸リチウムが例示される。また、二次粒子を形成するには、二次粒子の粒子径に対する一次粒子の粒子径の割合が、1/20以上1/2以下であることが好ましい。
 また、リチウム含有遷移金属酸化物の表面に、良質な被膜が形成されるためには、リチウム含有遷移金属酸化物の粒子径に対するタングステンを含む酸化物の粒子径の比率は、1/10以上1/2以下であることが好ましく、特に、1/8以上1/4以下であることが好ましい。上記の範囲であれば、タングステンを含む酸化物がリチウム含有遷移金属酸化物の一次粒子間に上手く入り込み、希土類の化合物と相まって良質な被膜を形成することが可能となるからである。
 尚、上記正極合剤の製造方法としては、タングステンを含む酸化物と、表面に希土類の化合物が固着されたリチウム含有遷移金属酸化物とを混合する方法を用いれば良く、混合方法は特に限定されない。該混合方法としては、例えば、混練装置を用い正極スラリー調製時にタングステンを含む酸化物を混合する方法や、乾式混合装置を用いてリチウム含有遷移金属酸化物の表面にタングステンを含む酸化物を付着させた後、正極スラリーを調製する方法が挙げられる。後者の方法を用いた場合には、タングステンを含む酸化物と希土類の化合物とが近接している確率が高くなるので、後者の方法を用いるのが望ましい。
 上記混練装置の具体例としては、プラネタリーミキサーが挙げられる。また、上記乾式混合装置の具体例としては、ホソカワミクロン社製「ナノキュラ」「ノビルタ」「メカノフュージョン」、奈良機械製作所社製の回転ボールミル、ハイブリダイゼーションシステム、メカノマイクロスなどが挙げられる。
(その他の事項)
(1)本発明の非水電解質二次電池において、その負極に用いる負極活物質は、リチウムを可逆的に吸蔵・放出できるものでれば特に限定されず、例えば、炭素材料や、リチウムと合金化する金属或いは合金材料や、金属酸化物等を用いることができる。なお、材料コストの観点からは、負極活物質に炭素材料を用いることが好ましく、例えば、天然黒鉛、人造黒鉛、メソフェーズピッチ系炭素繊維(MCF)、メソカーボンマイクロビーズ(MCMB)、コークス、ハードカーボン等を用いることができる。特に、高率充放電特性を向上させる観点からは、負極活物質として、黒鉛材料を低結晶性炭素で被覆した炭素材料を用いることが好ましい。
(2)本発明に用いる非水電解質の溶媒は限定するものではなく、非水電解質二次電池に従来から用いられてきた溶媒を使用することができる。例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等の環状カーボネートや、ジメチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の鎖状カーボネートや、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン等のエステルを含む化合物や、プロパンスルトン等のスルホン基を含む化合物や、1,2-ジメトキシエタン、1,2-ジエトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,2-ジオキサン、1,4-ジオキサン、2-メチルテトラヒドロフラン等のエーテルを含む化合物や、ブチロニトリル、バレロニトリル、n-ヘプタンニトリル、スクシノニトリル、グルタルニトリル、アジポニトリル、ピメロニトリル、1,2,3-プロパントリカルボニトリル、1,3,5-ペンタントリカルボニトリル等のニトリルを含む化合物や、ジメチルホルムアミド等のアミドを含む化合物等を用いることができる。特に、これらのHの一部がFにより置換されている溶媒が好ましく用いられる。また、これらを単独又は複数組み合わせて使用することができ、特に環状カーボネートと鎖状カーボネートとを組み合わせた溶媒や、さらにこれらに少量のニトリルを含む化合物やエーテルを含む化合物が組み合わされた溶媒が好ましい。
 また、非水電解液の非水系溶媒としてイオン性液体を用いることもでき、この場合、カチオン種、アニオン種については特に限定されるものではないが、低粘度、電気化学的安定性、疎水性の観点から、カチオンとしては、ピリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、4級アンモニウムカチオンを、アニオンとしては、フッ素含有イミド系アニオンを用いた組合せが特に好ましい。
 更に、上記の非水電解液に用いる溶質としても、従来から非水電解質二次電池において一般に使用されている公知のリチウム塩を用いることができる。そして、このようなリチウム塩としては、P、B、F、O、S、N、Clの中の一種類以上の元素を含むリチウム塩を用いることができ、具体的には、LiPF、LiBF、LiCFSO、LiN(FSO、LiN(CFSO、LiN(CSO、LiN(CFSO)(CSO)、LiC(CSO、LiAsF、LiClO等のリチウム塩及びこれらの混合物を用いることができる。特に、非水電解質二次電池における高率充放電特性や耐久性を高めるためには、LiPFを用いることが好ましい。
(3)正極とセパレータとの界面、又は、負極とセパレータとの界面には、従来から用いられてきた無機物のフィラーからなる層を形成することができる。フィラーとしても、従来から用いられてきたチタン、アルミニウム、ケイ素、マグネシウム等を単独もしくは複数用いた酸化物やリン酸化合物、またその表面が水酸化物等で処理されているものを用いることができる。
 上記フィラー層の形成は、正極、負極、或いはセパレータに、フィラー含有スラリーを直接塗布して形成する方法や、フィラーで形成したシートを、正極、負極、或いはセパレータに貼り付ける方法等を用いることができる。
(4)本発明に用いるセパレータとしては、従来から用いられてきたセパレータを用いることができる。具体的には、ポリエチレンからなるセパレータのみならず、ポリエチレン層の表面にポリプロピレンからなる層が形成されたものや、ポリエチレンのセパレータの表面にアラミド系の樹脂等の樹脂が塗布されたものを用いても良い。
 以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。 

             〔第1実施例〕
(実施例)
[正極活物質の合成]
 LiNi0.55Co0.20Mn0.25で表されるニッケルコバルトマンガン酸リチウムの粒子1000gを3リットルの純水に投入し攪拌した。次に、これに硝酸エルビウム5水和物4.58gを溶解した溶液を加えた。この際、10質量%の水酸化ナトリウム水溶液を適宜加え、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムを含む溶液のpHが9となるように調整した。次いで、吸引濾過、水洗した後、400℃にて得られた粉末を乾燥し、表面にオキシ水酸化エルビウムが均一に固着したニッケルコバルトマンガン酸リチウムを得た。この後、該ニッケルコバルトマンガン酸リチウム99.5モルに対して、平均粒径が150nmの三酸化タングステンを0.5モル加えて混合することにより、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンを付着させた。以上のようにして正極活物質を作製した。 
 なお、上記正極活物質をSEM観察したところ、図1に示すように、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムは2μm程度の一次粒子3が集合して10μm程度の粒子径を有する二次粒子を構成していることを確認した。また、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に存在する凸凹に三酸化タングステン2が入り込んでおり、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムに対して三酸化タングステン2が強固に付着していることも確認した。 
[単極セル(正極)の作製]
 上記正極活物質100重量部に、炭素導電剤としてのカーボンブラック4重量部、結着剤としてのポリフッ化ビニリデン2重量部を混合し、更に、NMP(N-メチル-2-ピロリドン)を適量加えることにより正極スラリーを調製した。次に、該正極スラリーを、アルミニウムからなる正極集電体の両面に塗布、乾燥し、正極集電体の表面に正極合剤層を形成した。最後に、所定の電極サイズに切り取り、ローラーを用いて圧延し、更に、正極リードを取り付けることにより、単極セル(正極)を作製した。 

[三電極式試験セルの作製]
 図2に示すような三電極式試験セル10を作製した。この際、上記正極を作用極11として用いる一方、負極となる対極12及び参照極13にそれぞれ金属リチウムを用いた。また、非水電解液14として、エチレンカーボネートとメチルエチルカーボネートとジメチルカーボネートとを3:3:4の体積比で混合させた混合溶媒に、LiPFを1モル/リットルの濃度になるように溶解させ、さらにビニレンカーボネートを1質量%溶解させたものを用いた。
 このようにして作製したセルを、以下、セルAと称する。 
(比較例1)
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行わなかったこと以外は、上記セルAと同様にしてセルを作製した。
 このようにして作製したセルを、以下、セルZ1と称する。 
(比較例2)
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に、三酸化タングステンの付着を行わなかったこと以外は、上記セルAと同様にしてセルを作製した。
 このようにして作製したセルを、以下、セルZ2と称する。 
(比較例3)
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着を行わなかったこと以外は、上記セルAと同様にしてセルを作製した。
 このようにして作製したセルを、以下、セルZ3と称する。 
(実験)
 上記セルA、Z1~Z3におけるI-V抵抗値を調べたので、その結果を表1に示す。実験条件は、以下の通りである。
 25℃の温度条件下、セルA、Z1~Z3を、0.2mA/cmの電流密度で4.5V(vs.Li/Li)まで定電流充電を行い、更に、4.5V(vs.Li/Li)の定電圧で電流密度が0.04mA/cmになるまで定電圧充電を行った。次に、各セルをそれぞれ、0.2mA/cm、2.5mA/cm、5.0mA/cm、及び10mA/cmの電流密度で2.5V(vs.Li/Li)まで定電流放電した。次いで、0.2mA/cm、2.5mA/cm、5.0mA/cm、10mA/cmの電流密度で放電深度(D.O.D)が5%まで放電した時の電圧を電流値に対してプロットした。プロットした電流-電位直線の傾きより抵抗値(I-V抵抗値)を算出した。なお、表1において、セルA、Z2、Z3の値は、セルZ1の値を100としたときの指数で表している。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着のみを行ったセルZ2、及び、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンの付着のみを行ったセルZ3は、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に何も付着等していないセルZ1に比べて、I-V抵抗値が高くなっていることから、大電流放電特性が低下していることが分かる。これに対して、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行ったセルAは、セルZ1に比べて、I-V抵抗値が低くなっていることから、大電流放電特性が向上していることが分かる。 
 これは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着を行っただけでは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にリチウムイオン透過性が低い被膜が形成されることになって、大電流放電特性が低下したと推察される。また、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンの付着のみを行っただけでは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に導電性の低い被膜が形成されることになるため、大電流放電特性が低下したと推察される。
 これに対して、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行った場合には、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に良質な被膜が形成されるため、大電流放電特性が向上したものと推察される。 

             〔第2実施例〕
(実施例)
 オキシ水酸化エルビウムが均一に固着したニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンを付着させる際、該ニッケルコバルトマンガン酸リチウム99.9モルに対して、平均粒径が150nmの三酸化タングステンを0.1モル加えて混合した以外は、上記セルAと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製したセルを、以下、セルBと称する。 
(実験)
 上記セルB、及び前記第1実施例で示したセルA、Z2における大電流放電時の容量維持率を調べたので、その結果を表2に示す。尚、実験条件は、以下の通りである。
 上記セルA、B、Z2を、それぞれ25℃の温度条件下において、0.2mA/cmの電流密度で4.5V(vs.Li/Li)まで定電流充電を行い、更に、4.5V(vs.Li/Li)の定電圧で電流密度が0.04mA/cmになるまで定電圧充電を行った後、0.2mA/cmの電流密度で2.5V(vs.Li/Li)まで定電流放電を行った。この時の放電容量を、上記の各セルA、B、Z2の定格容量とした。
 次に、0.2mA/cmの電流密度で4.5V(vs.Li/Li)まで定電流充電を行い、更に、4.5V(vs.Li/Li)の定電圧で電流密度が0.04mA/cmになるまで定電圧充電を行った後、10mA/cmの電流密度で2.5V(vs.Li/Li)まで定電流放電をした。この時の放電容量を、上記の各セルA、B、Z2の高率放電容量とした。そして、下記(1)式から、容量維持率を算出した。
容量維持率=(高率放電容量/定格容量)×100・・・(1) 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンの付着を行ったセルA、Bは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に三酸化タングステンの付着を行っていないセルZ2に比べて、容量維持率が高く、大電流放電特性が向上していることが分かる。また、三酸化タングステンの量が0.1モル%のセルA及び当該量が0.5モル%のB共に、セルZ2に比べて容量維持率が高くなっている。したがって、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンのモル量の割合が、0.1モル%以上0.5モル%以下であれば、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に良好な被膜が確実に形成されることも分かる。 

             〔第3実施例〕
(実施例)
 層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物として、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの代わりにコバルト酸リチウム(LiCoO)を用いた以外は、セルAと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルCと称する。 
(比較例)
 コバルト酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行わなかったこと以外は、セルCと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルYと称する。 
(実験)
 上記セルC、Yの出力特性を調べたので、その結果を表3に示す。尚、実験条件は、以下の通りである。25℃の温度条件下において、0.2mA/cmの電流密度で4.5V(vs.Li/Li+)まで定電流充電を行い、更に4.5V(vs.Li/Li+)で定電圧充電を行った後、0.2mA/cmの電流密度で2.5V(vs.Li/Li+)まで定電流放電を行った。この時の放電容量を上記の各三電極式試験用セルの定格容量とした。次に、上記セルC、Yを、定格容量の50%まで充電させ、すなわち充電深度(SOC)が50%の時点において、-30℃の温度条件で電流値を変化させて(各1mA/cm、5mA/cm、10mA/cm、15mA/cm、20mA/cm、30mA/cm)、それぞれの10秒間放電を行った際の電池電圧を測定し、各電流値と電池電圧とをプロットした。そして、2.5Vにおける、外挿電流値を求め、得られた電流値より10秒間放電可能な出力(W)を求めた。
 尚、表3において、セルCの出力特性は、セルYの出力特性を100とした場合の指数で表している。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、コバルト酸リチウムの総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 表3から明らかなように、コバルト酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行ったセルCは、コバルト酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行っていないセルYに比べて、低温での出力特性(大電流放電特性)が飛躍的に向上していることが認められる。これは、セルCの場合には、コバルト酸リチウムの表面に良質な被膜が形成されるためと推察される。尚、リチウム含有遷移金属酸化物としてコバルト酸リチウムを用いた場合に、低温での出力特性が飛躍的に向上しているのは、コバルト酸リチウムでは内部のリチウム拡散速度が十分に早いため、コバルト酸リチウム表面における反応制御が特に重要であるためと推測される。 

             〔第4実施例〕
(実施例)
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムとして、LiNi0.55Co0.20Mn0.25の代わりにLiNi0.35Co0.35Mn0.3を用いた以外は、セルAと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルDと称する。 
(比較例)
 ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行わなかったこと以外は、セルDと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルXと称する。 
(実験)
 上記のように作製したセルD、Xの出力特性を調べたので、その結果を表4に示す。尚、実験条件は、上記第3実施例の実験に示した条件と同様の条件である。また、表4において、セルDの出力特性は、セルXの出力特性を100とした場合の指数で表している。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 表4から明らかなように、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行ったセルDは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行っていないセルXに比べて、低温での出力特性(大電流放電特性)が向上していることが認められる。これは、セルDの場合には、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの表面に良質な被膜が形成されるためと推察される。
 また、オキシ水酸化エルビウムに変え、オキシ水酸化サマリウム、オキシ水酸化ネオジウムを用いたところ、同様の効果を確認することができた。 

             〔第5実施例〕
(実施例)
 層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物として、ニッケルコバルトマンガン酸リチウムの代わりにニッケルコバルトアルミ酸リチウム(LiNi0.80Co0.15Al0.05)を用いた以外は、セルAと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルEと称する。 
(比較例1)
 ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行わなかったこと以外は、セルEと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルW1と称する。 
(比較例2)
 ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に、三酸化タングステンの付着を行わなかったこと以外は、セルEと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルW2と称する。 
(比較例3)
 ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に、オキシ水酸化エルビウムの固着を行わなかったこと以外は、セルEと同様にして試験セルを作製した。
 このようにして作製した電池を、以下、セルW3と称する。 
(実験)
 上記のように作製したセルE、W1~W3の出力特性を調べたので、その結果を表5に示す。尚、実験条件は、上記第3実施例の実験に示した条件と同様の条件である。また、表5において、セルE、W2、W3の出力特性は、セルW1の出力特性を100とした場合の指数で表している。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 表5から明らかなように、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行ったセルEは、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行っていないセルW1、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムのみを固着したセルW2、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に三酸化タングステンのみを付着したセルW3に比べて、低温での出力特性(大電流放電特性)が向上していることが認められる。これは、セルEの場合には、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に良質な被膜が形成されるためと推察される。 
 尚、セルW2とセルW3とがセルW1よりも低温での出力特性が低下しているのは、以下に示す理由によるものと考えられる。セルW2の如くニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面にオキシ水酸化エルビウムのみを固着しただけでは、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面にリチウムイオン透過性が低い被膜が形成されることになる。また、セルW3の如くニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に三酸化タングステンのみを付着しただけでは、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムの表面に導電性の低い被膜が形成されることに起因すると推察される。 

             〔第6実施例〕(実験)
 上記セルA、C、D、EにおけるI-V抵抗値を調べたので、その結果を表6に示す。
 尚、実験条件は、上記第1実施例の実験で示した条件と同様の条件である。 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 尚、オキシ水酸化エルビウムの固着量とは、リチウム含有遷移金属酸化物の総モル量に対するエルビウム元素の割合である。
 また、三酸化タングステンの付着量とは、正極活物質の総モル量に対する三酸化タングステンの割合である。
 表6から明らかなように、リチウム含有遷移金属酸化物として一般式LiaNixCoyMnz(0.9<a<1.2、0.3≦x≦0.6、0.2≦y≦0.3、0.2≦z≦0.4)を満たすニッケルコバルトマンガン酸リチウムに、オキシ水酸化エルビウムの固着と三酸化タングステンの付着とを行ったセルA、Dは、リチウム含有遷移金属酸化物として、コバルト酸リチウムを用いたセルCや、ニッケルコバルトアルミ酸リチウムを用いたセルEに比べて、I-V抵抗値が低くなっていることが認められる。
 これは、ニッケルコバルトマンガン酸リチウム表面に形成される被膜が、特異的にリチウムイオン透過性と導電性に優れるということに起因するものと考えられる。
 本発明は、例えば携帯電話、ノートパソコン、スマートフォン等の移動情報端末の駆動電源や、HEVや電動工具といった高出力向けの駆動電源に展開が期待できる。
  1:希土類の化合物
  2:タングステンを含む酸化物
  3:リチウム含有遷移金属酸化物の一次粒子
 10:三電極式試験セル
 11:作用極(正極)
 12:対極(負極)
 13:参照極
 14:非水電解液

Claims (13)

  1.  正極集電体と、
     この正極集電体の少なくとも一方の面に形成された正極合剤層と、
     を備え、
     上記正極合剤層中には、層状構造を有し表面に希土類の化合物が固着されたリチウム含有遷移金属酸化物の粒子を含む正極活物質と、タングステンを含む酸化物と、結着剤と、が含まれていることを特徴とする非水電解質二次電池用正極。
  2.  上記タングステンを含む酸化物は、上記リチウム含有遷移金属酸化物の粒子の表面に付着している、請求項1に記載の非水電解質二次電池用正極。
  3.  上記希土類の化合物が、希土類の水酸化物、希土類のオキシ水酸化物、又は、希土類の酸化物である、請求項1又は2に記載の非水電解質二次電池用正極。
  4.  上記希土類の化合物が、希土類の水酸化物、又は、希土類のオキシ水酸化物である、請求項3に記載の非水電解質二次電池用正極。
  5.  上記希土類の化合物中の希土類元素が、ネオジム、サマリウム、又はエルビウムである、請求項1~4の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極。
  6.  正極活物質の総モル量に対する上記タングステンを含む酸化物のモル量の割合が、0.01モル%以上3モル%以下である、請求項1~5の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極。
  7.  上記タングステンを含む酸化物が三酸化タングステンである、請求項1~6の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極。
  8.  上記リチウム含有遷移金属酸化物が、一般式LiMeO(但し、Meは、Ni、Co及びMnからなる群から選ばれた少なくともひとつ)で表される、請求項1~7の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極。
  9.  上記リチウム含有遷移金属酸化物がコバルト酸リチウムである、請求項8記載の非水電解質二次電池用正極。
  10.  上記リチウム含有遷移金属酸化物が、一般式LiaNixCoyMnz(0.95<a<1.20、0.3≦x≦0.8、0.1≦y≦0.4、0.1≦z≦0.5)で表されるニッケルコバルトマンガン酸リチウムである、請求項8記載の非水電解質二次電池用正極。
  11.  上記リチウム含有遷移金属酸化物がニッケルコバルトアルミ酸リチウムである、請求項8記載の非水電解質二次電池用正極。
  12.  上記リチウム含有遷移金属酸化物は一次粒子が凝集した二次粒子から成り、上記一次粒子間の隙間に上記タングステンを含む酸化物が入り込む構造となっている、請求項1~11の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極。
  13.  請求項1~12の何れか1項に記載の非水電解質二次電池用正極と、
     負極活物質を含む負極と、
     上記正極と上記負極との間に配置されたセパレータと、
     非水電解質と、
     を備えることを特徴とする非水電解質二次電池。
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