WO2013077706A1 - 경화성 조성물 - Google Patents

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WO2013077706A1
WO2013077706A1 PCT/KR2012/010070 KR2012010070W WO2013077706A1 WO 2013077706 A1 WO2013077706 A1 WO 2013077706A1 KR 2012010070 W KR2012010070 W KR 2012010070W WO 2013077706 A1 WO2013077706 A1 WO 2013077706A1
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WO
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formula
sio
organopolysiloxane
group
curable composition
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PCT/KR2012/010070
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English (en)
French (fr)
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고민진
최범규
문명선
정재호
강대호
김민균
조병규
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주식회사 엘지화학
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present application relates to a curable composition and its use.
  • LEDs As light emitting diodes (LEDs), especially blue or ultraviolet LEDs having an emission wavelength of about 250 nm to 550 nm, high-brightness products using GaN-based compound semiconductors such as GaN, GaAlN, InGaN and InAlGaN have been obtained.
  • the technique of combining red and green LEDs with blue LEDs has made it possible to form high quality full color images.
  • a technique for producing a white LED by combining a blue LED or an ultraviolet LED with a phosphor is known. Such LEDs are expanding in demand for backlights or general lighting of liquid crystal displays (LCDs).
  • LCDs liquid crystal displays
  • Patent Documents 1 to 3 propose techniques for improving the above problems.
  • the sealing material disclosed by the said document does not have enough heat resistance and light resistance.
  • Silicone materials are known as materials having excellent light resistance and heat resistance to the low wavelength region.
  • the silicone resin has a disadvantage in that stickiness appears on the surface after curing.
  • properties such as high refractive index, crack resistance, surface hardness, adhesion, and thermal shock resistance need to be secured.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-274571
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-196151
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-226551
  • the present application provides a curable composition and its use.
  • Exemplary curable compositions may include (A) an organopolysiloxane having an aliphatic unsaturated bond and (B) an organopolysiloxane comprising at least one of an alkenyl group, an aryl group, and an epoxy group.
  • the organopolysiloxane may be an organopolysiloxane of a partially crosslinked structure.
  • the term "partially crosslinked structure” refers to a linear structure derived from a so-called bifunctional siloxane unit (hereinafter referred to as "D unit"), which may be represented by (R 2 SiO 2/2 ). It may mean a structure of an organopolysiloxane which is sufficiently long and partially introduced with so-called trifunctional siloxane units (hereinafter referred to as "T units") which may be represented by (RSiO 3/2 ). have.
  • the partially crosslinked structure may mean a structure in which a ratio (D / (D + T)) of all D units to all D and T units included in the organopolysiloxane is 0.7 or more.
  • the ratio D / (D + T) of the D unit may be, for example, less than one.
  • organopolysiloxane may be represented by an average composition formula of the following formula (1).
  • R 1 is a C2 or more monovalent hydrocarbon group
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 3 and R 4 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms Or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms
  • R 5 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms
  • at least one of R 1 , R 3 and R 4 is an alkenyl group
  • a is a positive number
  • B is zero or a positive number
  • c is a positive number
  • d is a zero or positive number
  • b / a is at least 5
  • b / c is at least 5.
  • the organopolysiloxane represented by a predetermined average compositional formula means that the organopolysiloxane is a single component represented by the predetermined average compositional formula, or a mixture or reactants of two or more components, and each component in the mixture or reactants. The case where the average of the composition is represented by the predetermined average composition formula is also included.
  • the term monovalent hydrocarbon group may refer to a monovalent moiety derived from an organic compound composed of carbon and hydrogen or a derivative thereof.
  • the monovalent hydrocarbon group includes one or two or more carbons, and may be, for example, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms or 2 to 25 carbon atoms.
  • a monovalent hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms or 2 to 25 carbon atoms.
  • an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, etc. can be illustrated, for example.
  • alkyl group may mean an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms, or 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group may have a straight chain, branched chain or ring structure, and may be optionally substituted with one or more substituents.
  • alkenyl group may mean an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms.
  • the alkenyl group may have a straight chain, branched chain or ring structure, and may be optionally substituted with one or more substituents.
  • aryl group may refer to a monovalent moiety derived from a compound having a benzene ring or a compound having a structure in which two or more benzene rings are linked or condensed, or a derivative thereof. That is, the term aryl group may include a so-called aralkyl group or an arylalkyl group as well as an aryl group commonly referred to as an aryl group.
  • Such an aryl group may be, for example, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 13 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, dichlorophenyl, chlorophenyl, phenylethyl group, Phenylpropyl group, benzyl group, tolyl group, xylyl group (xylyl group) or naphthyl group, etc. can be illustrated, for example, a phenyl group can be illustrated.
  • the lower limit of each carbon number may be two.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms may be a linear, branched or cyclic alkyl group.
  • the alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.
  • R 2 in the average composition formula of Formula 1 may be, for example, a methyl group.
  • Examples of the substituent that may be optionally substituted with a monovalent hydrocarbon group, an alkyl group, an alkenyl group, or an aryl group in the present specification include a halogen, an epoxy group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, a thiol group, or the above-mentioned monovalent group.
  • Hydrocarbon groups including those having 1 carbon may be exemplified, but is not limited thereto.
  • R 1 , R 3, and R 4 is an alkenyl group.
  • the alkenyl group has a molar ratio (Ak / Si) of the alkenyl group (Ak) to 0.02 to 0.2 or 0.02 to 0.15 with respect to the total silicon atoms (Si) contained in the organopolysiloxane (A). May be present in amounts.
  • the molar ratio (Ak / Si) to 0.02 or more, the reactivity with other components can be properly maintained, and the phenomenon that the unreacted components are bleeded out onto the surface of the cured product can be prevented.
  • a to d represent the molar ratio of each siloxane unit, the sum (a + b + c + d) is 1, a is 0.01 to 0.10 or 0.01 to 0.21, and b is 0 to 1.8. Or 0 to 0.98, c is 0.01 to 0.30, and d may be 0 to 0.3. .
  • the organopolysiloxane represented by the average compositional formula of the formula ( 1 ) is a so-called monofunctional siloxane unit (hereinafter, may be referred to as "M unit”), which is usually represented by (R 3 SiO 1/2 ) in this field.
  • M unit monofunctional siloxane unit
  • Q units tetrafunctional siloxane units
  • SiO 2 tetrafunctional siloxane units
  • the organopolysiloxane (A) may be a structure having a sufficiently long linear structure derived from the D unit while having a structure derived from the T unit (hereinafter may be referred to as a “crosslinked structure”) in the structure.
  • Exemplary organopolysiloxanes may have a b / c of at least 5, at least 7, at least 8, or at least 10 in the average formula of Formula 1.
  • b / a in the average composition formula may be 5 or more, 8 or more or 10 or more.
  • the upper limit of b / c in the above is not particularly limited, but may be, for example, 70, 60, 50, 40, 30, or 25.
  • the upper limit of b / a is not particularly limited, but may be, for example, 110, 100, 90, 80, 70, 60, 50, or 40.
  • B / (a + b + c + d) in Formula 1 may be, for example, 0.5 or more, 0.6 or more, or 0.7 or more.
  • the upper limit of b / (a + b + c + d) is not particularly limited, but may be less than 1 or 0.98 or less.
  • b / (b + c) may be, for example, 0.5 or more, 0.6 or more, or 0.7 or more.
  • the upper limit of b / (b + c) is not particularly limited, but may be less than 1 or 0.98 or less. If the organopolysiloxane has such a structure, it may exhibit suitable physical properties depending on the application.
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 may include one or more aryl groups bonded to silicon atoms.
  • the molar ratio (Ar / Si) of the aryl group (Ar) bonded to the silicon atom relative to the total silicon atoms (Si) contained in the organopolysiloxane is 0.3 or more and 0.5 or more Or 0.7 or more. In this range, it is possible to maintain excellent refractive index, light extraction efficiency, crack resistance, hardness and viscosity characteristics.
  • the upper limit of the molar ratio (Ar / Si) for example, may be 1.5 or 1.3.
  • At least one of the aryl groups bonded to the silicon atom of the organopolysiloxane having the average compositional formula of Formula 1 may be bonded to the silicon atom of the D unit.
  • Exemplary organopolysiloxanes include one or more aryl groups bonded to silicon atoms of the D unit, and an aryl group (Ar) bonded to the silicon atoms of the D unit relative to all silicon atoms (Si) of the organopolysiloxane.
  • the molar ratio (Ar-D / Si) of -D) may be 0.2 or more, 0.4 or more, or 0.6 or more.
  • the upper limit of the molar ratio (Ar-D / Si) is not particularly limited, and may be, for example, 1.8 or 1.5.
  • One or more of the aryl groups bonded to the silicon atoms of the organopolysiloxane having the average compositional formula of Formula 1 may be bonded to silicon atoms of the T unit.
  • the aryl groups bonded to the silicon atoms of the organopolysiloxane having the average compositional formula of Formula 1 are all bonded to silicon atoms of D and / or T units, and the molar ratios described above (Ar / Si and / or Ar -D / Si) can be satisfied.
  • the organopolysiloxane or the encapsulant including the same may exhibit excellent refractive index, light extraction efficiency, crack resistance, hardness and viscosity characteristics.
  • the organopolysiloxane (A) may be a compound represented by the average composition formula of the following formula (2).
  • R 1 , R 2, and R 5 are as defined in Formula 2
  • R 6 is an aryl group having 6 to 25 carbon atoms
  • R 7 , R 8, and R 9 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
  • at least one of R 1 , R 7 , R 8, and R 9 is an alkenyl group
  • a + l + m + c is 1, and a is 0.01 to 0.10
  • l is 0 to 0.90
  • m is 0 to 0.90
  • c is 0.01 to 0.30
  • (l + m) / a is 5 or more
  • (l + m) / c is 5 or more.
  • a, l, m and c represent the molar ratio of each siloxane unit, and when the sum (a + l + m + c) is converted to 1, a is 0.01 to 0.10, and l is 0 to 0.90, m is 0 to 0.90, and c is 0.01 to 0.30.
  • a, l, m and c may be numerically adjusted to satisfy the molar ratio mentioned in the item of Formula 1.
  • (l + m) / c may be 5 or more, 7 or more, 8 or more, or 10 or more.
  • (l + m) / a in the average composition formula may be 5 or more, 8 or more or 10 or more.
  • the upper limit of (l + m) / c is not particularly limited, but may be, for example, 70, 60, 50, 40, 30, or 25.
  • the upper limit of (l + m) / a is not particularly limited, but may be 110, 100, 90, 80, 70, 60, 50 or 40, for example.
  • (l + m) / (a + l + m + c) may be, for example, 0.5 or more, 0.6 or more, or 0.7 or more.
  • the upper limit of the (l + m) / (a + l + m + c) is not particularly limited, but may be less than 1 or 0.98 or less.
  • (l + m) / (l + m + c) may be, for example, 0.5 or more, 0.6 or more, or 0.7 or more.
  • the upper limit of (l + m) / (l + m + c) is not particularly limited, but may be less than 1 or 0.98 or less.
  • l and m may not be all zero.
  • l / m may be in the range of 0.4 to 2.0, 0.4 to 1.5 or 0.5 to 1 when both l and m are not zero.
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 or Formula 2 may include a unit of Formula 3 or 4 below.
  • R 1 to R 8 are each independently an alkyl group of 1 to 20, an alkenyl group of 2 to 20 carbon atoms, or an aryl group of 6 to 25 carbon atoms, o is 0 to 300, and p is 0 to 300. .
  • Exemplary organopolysiloxanes may include one or more units of Formula 3 or 4.
  • the unit of the formula (3) or (4) is a unit in which the silicon atom of the D unit and the silicon atom of the T unit are directly bonded via an oxygen atom among the siloxane units forming the organopolysiloxane.
  • the organopolysiloxane is a mixture of two or more components and the average of the composition of each component is represented by the average composition formula of Formula 1 or Formula 2, the organopolysiloxane is represented by the following formula: It may include at least one single component having a unit of 3 or 4.
  • Organopolysiloxanes comprising units of formula (3) or (4) include, for example, organosiloxanes having a cage or partial cage structure or comprising T units, as described below. It can be prepared by reacting polysiloxane. In particular, by applying the above method, it is possible to prepare an organopolysiloxane including a unit of Formula 3 or 4, but minimizing a silicon atom bonded to an alkoxy group and a silicon atom bonded to a hydroxy group in the structure.
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 or Formula 2 is an alkoxy bonded to a silicon atom versus an area (Ak) liberated from an alkenyl group bonded to a silicon atom in the spectrum determined by 1 H NMR measurement.
  • the ratio (OR / Ak) of the area (OR) of the peak derived from the group may be 0.05 or less, 0.03 or less, 0.01 or less, 0.005 or less, or 0. While exhibiting suitable viscosity properties in the above range, other physical properties can be maintained excellently.
  • the spectrum by 1 H NMR measurement in the above is specifically calculated
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 or Formula 2 has an acid value of 0.05 mgKOH / g or less, 0.03 mgKOH / g or less, 0.01 mgKOH / g or less, or 0 mgKOH / g. While exhibiting suitable viscosity properties in the above range, other physical properties can be maintained excellently.
  • the acid value by KOH titration above is specifically calculated
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 or Formula 2 has a viscosity at 25 ° C. of at least 2,000 cP, at least 3,000 cP, at least 4,000 cP, at least 5,000 cP, at least 7,000 cP, at least 9,000 cP or at 9,500 may be greater than or equal to cP. Within this range, the processability and hardness characteristics of the organopolysiloxane can be properly maintained.
  • the upper limit of the viscosity is not particularly limited, but for example, the viscosity may be 100,000 cP or less, 90,000 cP or less, 80,000 cP or less, 70,000 cP or less, or 65,000 cP or less.
  • the organopolysiloxane having an average composition formula of Formula 1 or Formula 2 may have a weight average molecular weight (Mw) of 1,500 or more, 2,000 or more, 3,000 or more, 4,000 or more, or 5,000 or more.
  • weight average molecular weight refers to a conversion value for standard polystyrene measured by Gel Permeation Chromatograph (GPC).
  • GPC Gel Permeation Chromatograph
  • the term molecular weight may mean a weight average molecular weight. In this range, the moldability, hardness and strength characteristics of the organopolysiloxane can be properly maintained. Meanwhile, the upper limit of the molecular weight is not particularly limited, but for example, the molecular weight may be 14,000 or less, 12,000 or less, or 10,000 or less.
  • the organopolysiloxane can be, for example, a reactant of a mixture comprising a siloxane compound of cyclic structure with a cage structure or a partial cage structure, or with an organopolysiloxane comprising T units.
  • a siloxane compound having a ring structure in the above the compound represented by the following formula (5) can be exemplified.
  • the organopolysiloxane having a cage or partial cage structure or including a T unit may be represented by an average composition formula of the following Chemical Formula 6 or 7.
  • R a is a C2 or higher monovalent hydrocarbon group
  • R b is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R c to R e are each independently an aryl group having 6 to 25 carbon atoms and 1 to C carbon atoms. It is a 20 alkyl group or a C2-C20 alkenyl group, o is 3-6, p is 1-3, q is 1-10.
  • Reaction of a mixture comprising a compound of Formula 5 with an organopolysiloxane having an average composition formula of Formulas 6 and / or 7 results in a sufficient molecular weight of the desired structure, for example, an organopolysiloxane having the above-mentioned partially crosslinked structure.
  • an organopolysiloxane having the above-mentioned partially crosslinked structure can be synthesized.
  • the mixture may further include a compound represented by the following Formula 8.
  • R a is a C2 or higher monovalent hydrocarbon group
  • R b is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the mixing ratio of R a and R b to the specific type and mixture may be determined according to the structure of the desired organopolysiloxane.
  • the reaction of each component in the mixture can be carried out in the presence of a suitable catalyst.
  • the mixture may further comprise a catalyst.
  • a catalyst which can be contained of the said mixture a base catalyst is mentioned, for example.
  • Suitable base catalysts include metal hydroxides such as KOH, NaOH or CsOH; Metal silanolate or tetramethylammonium hydroxide containing an alkali metal compound and siloxane, tetraethylammonium hydroxide or tetrapropylammonium hydroxide, and the like. Quaternary ammonium compounds and the like can be exemplified, but are not limited thereto.
  • the proportion of the catalyst in the mixture may be appropriately selected in consideration of the desired reactivity and the like, for example, 0.01 to 30 parts by weight or 0.03 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total weight of the reactants in the mixture. May be included as a percentage of wealth.
  • unit parts by weight means a ratio of weights between components.
  • the reaction can be carried out in the presence of a suitable solvent.
  • a suitable solvent any reactant in the mixture, that is, a disiloxane or an organopolysiloxane and the like can be mixed with the catalyst appropriately, and any kind can be used as long as it does not interfere with the reactivity.
  • the solvent examples include aliphatic hydrocarbon solvents such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, 2,2,4-trimethylpentane, cyclohexane or methylcyclohexane; Aromatic solvents such as benzene, toluene, xylene, trimethylbenzene, ethyl benzene or methylethyl benzene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl n-butyl ketone, cyclohexanone, Ketone solvents such as methylcyclohexanone or acetylacetone; Tetrahydrofuran, 2-methyl tetrahydrofuran, ethyl ether, n-propyl ether, isopropyl ether, diglyme,
  • the reaction can be prepared, for example, by adding and reacting a catalyst to the reactant.
  • the reaction temperature may be controlled, for example, in the range of 0 ° C to 150 ° C or 30 ° C to 130 ° C.
  • the reaction time can be adjusted, for example, within the range of 1 hour to 3 days.
  • Organopolysiloxane (B) contained in a curable composition contains an alkenyl group, an aryl group, and an epoxy group. Including organopolysiloxane (B), the adhesiveness of the curable composition or the cured product thereof may be improved.
  • the term epoxy group may mean a cyclic ether having three ring constituent atoms or a monovalent moiety derived from a compound containing the cyclic ether.
  • the epoxy group include glycidyl group, epoxyalkyl group, glycidoxyalkyl group or alicyclic epoxy group.
  • an alkyl group in the said epoxy group a C1-C20, C1-C16, C1-C12, C1-C8, C1-C4 linear, branched or cyclic alkyl group can be illustrated.
  • the alicyclic epoxy group may mean a monovalent moiety derived from a compound containing an aliphatic hydrocarbon ring structure, wherein the two carbon atoms forming the aliphatic hydrocarbon ring also comprise an epoxy group.
  • an alicyclic epoxy group having 6 to 12 carbon atoms can be exemplified, for example, a 3,4-epoxycyclohexylethyl group or the like can be exemplified.
  • organopolysiloxane As (B) organopolysiloxane, the organopolysiloxane which has an average composition formula of following formula (9) can be illustrated.
  • each R is independently an epoxy group or a monovalent hydrocarbon group, at least one of R is an alkenyl group, at least one of R is an epoxy group, at least one of R is an aryl group, and q, r, s and t Are each 0 or a positive number, where (s + t) / (q + r + s + t) is 0.2 to 0.7 and s / (s + t) is at least 0.8.
  • At least one or two or more of R in Formula 9 may be an alkenyl group.
  • the alkenyl group is an amount such that the molar ratio (Ak / Si) of the alkenyl group (Ak) to the total silicon atoms (Si) included in the compound (B) is 0.05 to 0.35 or 0.05 to 0.3. May exist. It is possible to provide a cured product exhibiting excellent reactivity with other components of the curable composition at the molar ratio (Ak / Si), excellent adhesive strength after curing, and excellent physical properties such as impact resistance.
  • At least one of R in formula 9 is also an epoxy group.
  • the organopolysiloxane can have an epoxy group and can exhibit excellent adhesiveness with a base material, maintaining the strength and scratch resistance of hardened
  • the epoxy group, the molar ratio (Ep / Si) of the epoxy group (Ep) to the total silicon atoms (Si) contained in the organopolysiloxane (B) is 0.05 or more, 0.15 or more, 0.3 or more or 0.5 or more May be present in such amounts.
  • the crosslinked structure of the cured product can be appropriately maintained at the molar ratio (Ep / Si), and excellent properties such as heat resistance and adhesiveness can be maintained.
  • the upper limit of the ratio (Ep / Si) is not particularly limited and may be, for example, 0.7.
  • At least one of R in Formula 9 may be an aryl group.
  • the aryl group may be present in an amount such that the molar ratio (Ar / Si) of the aryl group (Ar) to the total silicon atoms (Si) contained in the compound (B) is 0.2 to 1.0 or 0.25 to 1.0.
  • the molar ratio (Ar / Si) By adjusting the molar ratio (Ar / Si) to 0.2 or 0.25 or more, excellent compatibility with other components, maximizing the refractive index and hardness characteristics of the cured product, and also adjusted to 1.0 or less, the viscosity and heat resistance of the composition Impact properties and the like can also be appropriately maintained.
  • q, r, s and t represent the molar ratio of each siloxane unit, and when the sum is converted into 1, q is 0 to 0.7, r is 0 to 0.5, and s is 0 to 0.8. And t is 0 to 0.2. S and t are not zero at the same time.
  • (S + t) / (q + r + s + t) is from 0.2 to 0.7 in order to maximize the strength, crack resistance and thermal shock resistance of the cured product, and to provide a cured product having excellent adhesion to a substrate.
  • / (s + t) can be adjusted in the range of 0.8 or more.
  • the upper limit of s / (s + t) is not particularly limited, and for example, the upper limit may be 1.0.
  • the organopolysiloxane has a viscosity at 25 ° C. of 100 cP or more, 300 cP or more, 500 cP or more, 1,000 cP or more, 2,000 cP or more, 3,000 cP or more, 4,000 cP or more, 5,000 cP or more, 6,000 cP or more, It may be 7,000 cP or more, 8,000 cP or more, 9,000 cP or more, or 100,000 cP or more, and accordingly, it is possible to appropriately maintain workability before curing and hardness characteristics after curing.
  • the organopolysiloxane (B) may have a molecular weight of 1,000 or more, for example. By adjusting the molecular weight to 1,000 or more, it is possible to provide a cured product having excellent workability and workability before curing, and excellent in crack resistance, thermal shock resistance and adhesion properties with a substrate after curing.
  • the upper limit of the molecular weight is not particularly limited, and may be, for example, 5,000.
  • the molecular weight of the compound (B) may be the weight average molecular weight, or may be the molecular weight of a conventional compound.
  • the method for preparing the organopolysiloxane (B) is not particularly limited, and for example, a method for preparing an organopolysiloxane, which is commonly known, or a method similar to the preparation for organopolysiloxane, may be applied. can do.
  • the organopolysiloxane is, for example, 0.1 parts by weight to 30 parts by weight, 0.1 parts by weight to 20 parts by weight, 1 parts by weight to 20 parts by weight, and 1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (A) organopolysiloxane. To 15 parts by weight or 1 to 10 parts by weight. Moreover, when a curable composition contains the compound of (C) and (D) mentioned later, the said (B) organopolysiloxane is compared with 100 weight part of total weights of the said (A), (C) and (D) compound.
  • composition excellent in compatibility with the resin before curing within the above range and excellent in transparency, moisture resistance, crack resistance, and thermal shock resistance after curing.
  • the curable composition may further include an organopolysiloxane having a (C) crosslinked structure.
  • Organopolysiloxane of the term "crosslinked structure" in this specification the structure in (which may be referred to as a "Q unit” designation.)
  • an organopolysiloxane including at least one unit it may mean an organopolysiloxane which does not correspond to the organopolysiloxane of the partially crosslinked structure.
  • the (C) organopolysiloxane may be represented by an average composition formula of the following Formula 10.
  • each R independently represents a monovalent hydrocarbon group or an epoxy group, at least one of R is an alkenyl group, at least one of R is an aryl group, and d is 0.05 when d + e + f + g is converted to 1;
  • e is 0 to 0.3
  • f is 0.6 to 0.95
  • g is 0 to 0.2
  • (d + e) / (d + e + f + g) is 0.2 to 0.7
  • e / (e + f + g) is 0.3 or less
  • f / (f + g) is 0.8 or more.
  • R in Formula 10 may be an alkenyl group.
  • the alkenyl group is such that the molar ratio (Ak / Si) of the alkenyl group (Ak) to the total silicon atoms (Si) contained in the (C) organopolysiloxane is 0.05 to 0.4 or 0.05 to 0.35. May be present in amounts.
  • the molar ratio (Ak / Si) to 0.05 or more, the reactivity can be properly maintained, and the phenomenon that the unreacted component is bleeded to the surface of the cured product can be prevented.
  • the molar ratio (Ak / Si) to 0.4 or 0.35 or less, it is possible to maintain excellent hardness properties, crack resistance and thermal shock resistance of the cured product.
  • At least one of R in Formula 10 may be an aryl group.
  • the aryl group may be present in an amount such that the molar ratio (Ar / Si) of the aryl group (Ar) is 0.5 to 1.5 or 0.5 to 1.2 with respect to all silicon atoms (Si) included in the (C) organopolysiloxane.
  • the molar ratio (Ar / Si) By adjusting the molar ratio (Ar / Si) to 0.5 or more, it is possible to maximize the refractive index and hardness characteristics of the cured product, and also to adjust to 1.5 or 1.2 or less, it is possible to appropriately maintain the viscosity and thermal shock resistance of the composition.
  • d, e, f and g represent the molar ratio of each siloxane unit, and when the sum is 1, d is 0.05 to 0.5, e is 0 to 0.3, and f is 0.6 to 0.95. And g is 0 to 0.2. Provided that f and g are not zero at the same time.
  • (d + e) / (d + e + f + g) is 0.2 to 0.7, e / (e + f + g) is 0.3 or less , f / (f + g) can be adjusted in the range of 0.8 or more.
  • the lower limit of e / (e + f + g) is not particularly limited, and for example, the e / (e + f + g) may exceed zero.
  • the upper limit of f / (f + g) is not particularly limited in the above, for example, the upper limit may be 1.0.
  • the organopolysiloxane (C) may have a viscosity at 25 ° C. of 5,000 cP or more, or 10,000 cP or more, whereby the workability before curing and the hardness characteristics after curing can be appropriately maintained.
  • the organopolysiloxane may have a molecular weight of, for example, 800 to 20,000 or 800 to 10,000. By controlling the molecular weight to 800 or more, the moldability before curing or the strength after curing can be effectively maintained, and the molecular weight can be adjusted to 20,000 or 10,000 or less to maintain the viscosity and the like at an appropriate level.
  • the method for preparing (C) organopolysiloxane is not particularly limited, and for example, a method commonly known in the art may be applied, or a method similar to the preparation of (A) organopolysiloxane may be applied. Can be.
  • the organopolysiloxane may be mixed in an amount of 50 parts by weight to 1,000 parts by weight or 50 parts by weight to 700 parts by weight based on 100 parts by weight of the (A) organopolysiloxane. (C) by adjusting the weight ratio of the organopolysiloxane to 50 parts by weight or more to maintain excellent strength of the cured product, and to 1000 parts by weight or 700 parts by weight or less, it is possible to maintain excellent crack resistance and thermal shock resistance have.
  • the curable composition may include an organopolysiloxane including one or two or more hydrogen atoms bonded to the silicon atom (D).
  • a compound can act as a crosslinking agent which crosslinks a curable composition.
  • the compound (D) various kinds can be used as long as it contains a hydrogen atom (Si-H) bonded to a silicon atom.
  • the compound (D) may be a linear, branched, cyclic or crosslinked organopolysiloxane, and may be a compound having 2 to 1000 or 3 to 300 silicon atoms.
  • the compound (D) may be a compound represented by the following Formula 11 or an average composition formula of the following Formula 12.
  • each R is independently hydrogen or a monovalent hydrocarbon group, and R One or two or more of them is a hydrogen atom, at least one of R is an aryl group, n is from 1 to 100.
  • R in Formula 12 is each independently hydrogen or a monovalent hydrocarbon group, R One or two or more of them is a hydrogen atom, at least one of R is an aryl group, when h + i + j + k in terms of 1, h is 0.1 to 0.8, i is 0 to 0.5, j is 0.1 to 0.8 and k is 0 to 0.2.
  • the compound of formula 11 is a linear organopolysiloxane having at least two hydrogen atoms bonded to silicon atoms, where n is 1 to 100, 1 to 50, 1 to 25, 1 to 10 or 1 to 5 days Can be.
  • the molar ratio (H / Si) of the silicon atom bonded hydrogen atoms (H) to the total silicon atoms (Si) included in the compound (D) may be 0.2 to 0.8 or 0.3 to 0.75.
  • the molar ratio may be adjusted to 0.2 or 0.3 or more to maintain excellent curability of the composition, and to 0.8 or 0.75 or less to maintain excellent crack resistance and thermal shock resistance.
  • the compound (D) may include at least one aryl group, and thus, at least one of R in Formula 11 or at least one of R in Formula 12 may be an aryl group.
  • the aryl group may be present in an amount such that the molar ratio (Ar / Si) of the aryl group (Ar) to the total silicon atoms (Si) included in the compound (D) is 0.5 to 1.5 or 0.5 to 1.3.
  • the refractive index and hardness characteristics of the cured product can be maximized, and also adjusted to 1.5 or 1.3 or less, it is possible to properly maintain the viscosity and crack resistance of the composition.
  • the compound (D) may have a viscosity at 25 ° C. of 0.1 cP to 100,000 cP, 0.1 cP to 10,000 cP, 0.1 cP to 1,000 cP, or 0.1 cP to 300 cP.
  • 0.1 cP to 100,000 cP 0.1 cP to 100,000 cP
  • 0.1 cP to 10,000 cP 0.1 cP to 1,000 cP
  • 0.1 cP to 300 cP When the compound (D) has a viscosity as described above, the processability of the composition and the hardness characteristics of the cured product can be excellently maintained.
  • the compound may have a molecular weight of, for example, less than 2,000, less than 1,000 or less than 800. When the molecular weight of the (D) compound is 1,000 or more, the strength of the cured product may be lowered.
  • the lower limit of the molecular weight of the compound (D) is not particularly limited, and may be, for example, 250. In the case of the compound (D), the molecular weight may mean a weight average molecular weight or mean a conventional molecular weight of the compound.
  • the method for producing the compound (D) is not particularly limited, and can be produced, for example, by applying a method commonly known in the preparation of organopolysiloxane, or by applying a method according to the above (A) organopolysiloxane. have.
  • the content of the compound (D) may be determined according to the amount of the alkenyl group of the other component included in the curable composition, such as the (A) organopolysiloxane.
  • the compound (D) has a molar ratio (H / Ak) of the hydrogen atom (H) bonded to the silicon atom included in the compound (D) relative to the entire alkenyl group (Ak) included in the curable composition. 2.0 or 0.7 to 1.5 can be selected.
  • the alkenyl group included in the curable composition may be, for example, an alkenyl group included in the component (A), (B) and / or (C).
  • the content of the compound (D) may be in a range of 50 parts by weight to 500 parts by weight or 50 parts by weight to 400 parts by weight based on 100 parts by weight of the compound (A), for example.
  • the components included in the curable composition may include aryl groups all bonded to silicon atoms.
  • the molar ratio (Ar / Si) of the total aryl groups (Ar) included in the curable composition to the total silicon atoms (Si) included in the curable composition may be 0.5 or more. All the silicon atoms or aryl groups contained in the curable composition may be silicon atoms or aryl groups contained in the components (A), (B), (C) and / or (D).
  • the upper limit of the molar ratio (Ar / Si) of the aryl group is not particularly limited, and may be, for example, 2.0 or 1.5.
  • the curable composition may comprise particles, for example inorganic particles.
  • the inorganic particles may have a refractive index in the range that the absolute value of the difference between the refractive index of the composition or the cured product thereof is 0.15 or less.
  • the particles when the phosphor is blended in the composition, the particles can prevent the problem of precipitation of the phosphor during curing, and also improve heat resistance, heat resistance, crack resistance, and the like, thereby improving overall reliability.
  • the particles may have the refractive index of the above range to maintain the transparency of the composition or cured product while performing the same function as described above, it is possible to improve the brightness when applied to the device.
  • the particles various kinds of particles used in the art may be used as long as the absolute value of the difference in refractive index with the composition or the cured product except the particles is 0.15 or less.
  • the particles may have, for example, an absolute value of a difference in refractive index between the composition except the particles or a cured product thereof, or 0.1 or less or 0.07 or less.
  • silica SiO 2
  • organo silica alumina, alumino silica, titanium, zirconia, cerium oxide, hafnium oxide, niobium pentoxide, tantalum pentoxide, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, zinc oxide, Silicon, zinc sulfide, calcium carbonate, barium sulfate, aluminosilicate or magnesium oxide
  • SiO 2 silica
  • organo silica alumina
  • alumino silica titanium, zirconia, cerium oxide, hafnium oxide, niobium pentoxide, tantalum pentoxide, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide, zinc oxide, Silicon, zinc sulfide, calcium carbonate, barium sulfate, aluminosilicate or magnesium oxide
  • the average particle diameter of the particles may be, for example, 1 nm to 50 m or 2 nm to 10 m.
  • the particles can be uniformly dispersed in the composition or the cured product thereof, and further set to 50 m or less, so that the particles can be dispersed effectively and the sedimentation of the particles can be prevented. .
  • the particles may be included in the composition in an amount of 0.1 parts by weight to 30 parts by weight or 0.2 parts by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the compound (A). If the content of the particles is 0.1 parts by weight or more, excellent sedimentation suppression of the phosphor or an effect of improving the reliability of the device can be secured, and if it is 30 parts by weight or less, excellent processability can be maintained.
  • the composition may further comprise a hydrosilylation catalyst.
  • a hydrosilylation catalyst any conventional component known in the art can be used. Examples of such a catalyst include platinum, palladium or rhodium-based catalysts. In the present application, in view of catalyst efficiency, a platinum-based catalyst can be used, and examples of such catalysts include chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, olefin complexes of platinum, alkenyl siloxane complexes of platinum, carbonyl complexes of platinum, and the like. May be, but is not limited thereto.
  • the content of the hydrosilylation catalyst is not particularly limited as long as it is contained in a so-called catalyst amount, that is, an amount capable of acting as a catalyst. Typically, it may be used in an amount of 0.1 ppm to 500 ppm or 0.2 ppm to 100 ppm based on the atomic weight of platinum, palladium or rhodium.
  • the present application also relates to a semiconductor device.
  • An exemplary semiconductor device may be encapsulated with an encapsulant including a cured product of the curable composition.
  • Examples of the semiconductor device encapsulated with the encapsulant include diodes, transistors, thyristors, photocouplers, CCDs, solid-state image pickup devices, integrated ICs, hybrid ICs, LSIs, VLSIs, and LEDs (Light Emitting Diodes). have.
  • the semiconductor device may be a light emitting diode.
  • a light emitting diode formed by stacking a semiconductor material on a substrate may be exemplified.
  • the semiconductor material may include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, or SiC, but are not limited thereto.
  • the substrate sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, or GaN single crystal may be exemplified.
  • a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary.
  • GaN or AlN may be used.
  • the method of laminating the semiconductor material on the substrate is not particularly limited, and for example, the MOCVD method, the HDVPE method, or the liquid phase growth method can be used.
  • the structure of the light emitting diode may be, for example, a monojunction having a MIS junction, a PN junction, a PIN junction, a heterojunction, a double heterojunction, or the like.
  • the light emitting diode may be formed in a single or multiple quantum well structure.
  • the emission wavelength of the light emitting diode may be, for example, 250 nm to 550 nm, 300 nm to 500 nm, or 330 nm to 470 nm.
  • the emission wavelength may mean a main emission peak wavelength.
  • the light emitting diode may be encapsulated using the composition.
  • encapsulation of the light emitting diode may be performed only with the composition, and in some cases, other encapsulation materials may be used in combination with the composition.
  • you may seal with the other sealing material you may seal with the other sealing material first, and then you may seal around with the said composition.
  • an epoxy resin, a silicone resin, an acrylic resin, a urea resin, an imide resin, glass, etc. are mentioned.
  • a method of encapsulating a light emitting diode with the composition for example, a method of pre-injecting the composition into a mold form die, immersing a lead frame in which the light emitting diode is fixed therein, curing the composition, and inserting the light emitting diode.
  • the method of injecting and curing the composition in one form can be used.
  • injection by a dispenser, transfer molding or injection molding may be exemplified.
  • the composition is added dropwise onto a light emitting diode, applied by stencil printing, screen printing or a mask, and cured, the composition is injected into a cup or the like having a light emitting diode disposed at the bottom by a dispenser or the like. Curing method and the like can be used.
  • composition may be used as a die-bonding material for fixing the light emitting diode to a lead terminal or package, a passivation film or a package substrate on the light emitting diode, as necessary.
  • the curing method is not particularly limited, and for example, it is carried out by holding the composition for 10 minutes to 5 hours at a temperature of 60 °C to 200 °C, or two steps at an appropriate temperature and time A step hardening process can also be advanced through the above process.
  • the shape of the sealing material is not particularly limited, and can be formed, for example, in the form of a shell lens, a plate or a thin film.
  • a method for improving the performance for example, a method of providing a light reflection layer or a light collecting layer on the back surface of a light emitting diode, a method of forming a complementary coloring part at the bottom, and providing a layer on the light emitting diode that absorbs light having a wavelength shorter than the main emission peak
  • the method etc. are mentioned.
  • the light emitting diode may be, for example, a backlight of a liquid crystal display (LCD), a light source, a light source of various sensors, a printer, a copier, a vehicle instrument light source, a signal lamp, an indicator light, a display device, a light source of an area light emitting body, and the like. It can be effectively applied to display, decoration or various lights.
  • LCD liquid crystal display
  • a light source a light source of various sensors
  • printer a printer
  • a copier a vehicle instrument light source
  • a signal lamp an indicator light
  • a display device a light source of an area light emitting body, and the like. It can be effectively applied to display, decoration or various lights.
  • Exemplary curable compositions exhibit excellent processability and workability.
  • the curable composition when cured, exhibits excellent light extraction efficiency, crack resistance, hardness, thermal shock resistance and adhesion.
  • the composition may provide an encapsulant that exhibits stable durability for a long time even under harsh conditions, and does not cause cloudiness and stickiness on the surface.
  • curable composition will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the scope of the curable composition is not limited to the examples given below.
  • symbol Vi represents a vinyl group
  • symbol Ph represents a phenyl group
  • symbol Me represents a methyl group
  • symbol Ep represents a 3-glycidoxypropyl group.
  • the instrument used for the 1 H-NMR measurement was a Varian Unity Inova 500 MHz NMR.
  • the solvent used was acetone-d6 and the measurement conditions were as follows.
  • Pulse width 45 degrees pulse (8.10 usec)
  • a solvent for measurement was prepared by combining 500 mL of toluene, 495 mL of isopropyl alcohol (IPA), and 5 mL of distilled water.
  • IPA isopropyl alcohol
  • a KOH solution solvent: isopropyl alcohol (IPA)
  • IPA isopropyl alcohol
  • alpha-naphtholbenzein pH: 0.8 to 0.8
  • 8.2 yellow, 10.0 blue green was prepared.
  • about 1-2 g of the sample was taken, dissolved in 6 g of the solvent for measurement, and then titrated with a base solvent after adding a marker.
  • the acid value was determined in mg KOH / g by the amount of the base solvent used at the time of completion of the titration.
  • the curable composition is injected into a mold and held at 150 ° C. for 1 hour to cure. Subsequently, the surface of the prepared cured product was contacted by hand to evaluate the surface stickiness property according to the following criteria.
  • Device characteristics are evaluated using a 6020 LED package made of polyphthalamide (PPA). Specifically, the curable composition is dispensed into a polyphthalamide cup, held at 70 ° C. for 30 minutes, and then maintained at 150 ° C. for 1 hour to cure to prepare a surface mounted LED. After that, the thermal shock test and the long-term reliability test are carried out according to the following method.
  • PPA polyphthalamide
  • the prepared LED was maintained at -40 ° C for 30 minutes, and then maintained at 100 ° C for 30 minutes as one cycle, and the above was repeated 10 times, i.e., 10 cycles, and kept at room temperature, and the peeled state was examined to examine the heat resistance. Evaluate the impact. At the time of evaluation, the above test was carried out on each of 10 LEDs made of the same curable composition, and the number of peeled LEDs is described in Table 1 below (number of peeled LEDs / number of total LEDs (10)). .
  • the fabricated LED was operated for 200 hours with a current of 30 mA maintained at 85 ° C. and 85% relative humidity. Next, the reduction rate of late luminance after the said operation
  • the luminance reduction rate is 10% or less compared to the initial luminance.
  • octamethylcyclotetrasiloxane 55.00 g of octamethylcyclotetrasiloxane, 120.4 g of octaphenylcyclotetrasiloxane, 9.6 g of tetramethyltetravinylcyclotetrasiloxane, octaphenyl-polyhedral oligomeric silsesquioxane di 17.4 g 15.7 g of divinyltetramethyldisiloxane were mixed and 0.6 mL of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) was added as a catalyst to the mixture. Thereafter, the mixture containing the catalyst was reacted at a temperature of 115 ° C. for about 20 hours.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the viscosity at 25 ° C. of the organopolysiloxane was 35,200 cP and a molecular weight was about 5,100.
  • the peak derived from the alkoxy group was not observed in the spectrum measured by 1 H-NMR for the organopolysiloxane, and the acid value was measured to be about 0.008.
  • the organopolysiloxane was represented by the following general formula (B) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 degrees C of the said organopolysiloxane (B) was 19,600 cP, and the molecular weight was about 5,000.
  • the peak derived from the alkoxy group was not observed in the spectrum measured by 1 H-NMR for the organopolysiloxane, and the acid value was measured to be about 0.009.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 21,000 cP and molecular weight was about 6,400.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was determined to be about 0.006 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 3, except that the compounding quantity of divinyl tetramethyldisiloxane was changed to 6.28 g.
  • the polysiloxane was represented by the following general formula (D) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 58,600 cP and molecular weight was about 9,700.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was determined to be about 0.009 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 3, except that the compounding amounts of octaphenyl-POSS and divinyltetramethyldisiloxane were changed to 34.88 g and 15.72 g, respectively.
  • the polysiloxane was represented by the following formula (E) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 33,200 cP and a molecular weight was about 4,600. Also, no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was measured to be about 0.008 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 3, except that the compounding amounts of octamethylcyclotetrasiloxane, octaphenylcyclotetrasiloxane, and divinyltetramethyldisiloxane were changed to 55.00 g, 120.34 g, and 18.85 g, respectively.
  • the polysiloxane was represented by the following formula F and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 24,400 cP and a molecular weight was about 4,200.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was measured to be about 0.008 mg KOH / g.
  • a polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 6, except that the compounding amount of divinyl tetramethyldisiloxane was changed to 12.56 g.
  • the polysiloxane was represented by the following general formula (G) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 47,000 cP and molecular weight was about 5,500.
  • the acid value was determined to be about 0.007 mg KOH / g.
  • polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis example 3.
  • the polysiloxane was represented by the following chemical formula H and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 19,800 cP and molecular weight was about 4,800.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was measured to be about 0.008 mg KOH / g.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 21,100 cP and a molecular weight was about 6,100.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the 1 H-NMR spectrum, and the acid value was measured at about 0.01 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 9, except that the compounding amount of octaphenyl-POSS was changed to 4.4 g.
  • the polysiloxane was represented by the following formula (J) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 10,200 cP and molecular weight was about 5,600.
  • no peak derived from the alkoxy group was observed on the 1 H-NMR spectrum, and the acid value was determined to be about 0.009 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 9, except that the compounding amount of divinyl tetramethyldisiloxane was changed to 9.4 g.
  • the polysiloxane was represented by the following general formula (K) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 12,200 cP and a molecular weight was about 4,700. Also, no peak derived from the alkoxy group was observed on the spectrum measured by 1 H-NMR, and the acid value was measured to be about 0.008 mg KOH / g.
  • Polysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 9, except that the compounding amounts of octamethylcyclotetrasiloxane, octaphenylcyclotetrasiloxane, and divinyltetramethyldisiloxane were changed to 27.5 g, 60.2 g, and 7.9 g, respectively.
  • the polysiloxane was represented by the following formula (L) and was in the form of a transparent oil.
  • the viscosity at 25 ° C. of the polysiloxane was 33,200 cP and a molecular weight was about 4,600.
  • the acid value was determined to be about 0.007 mg KOH / g.
  • organopolysiloxane is represented by the following formula (N), was in the form of an oil without transparency, contained a large amount of low molecular weight of the ring structure, the organopolysiloxane exhibited a molecular weight similar to the low molecular weight material to separate the organopolysiloxane It was difficult to do.
  • the area of the peak derived from OMe / Vi was about 0.2, confirming that a large amount of methoxy groups exist in the structure.
  • the acid value was measured to be about 0.270.
  • the viscosity at 25 ° C. of the reaction solution was very low at 2,300 cP.
  • Organopolysiloxane was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 14, except that octaphenyl-POSS was not used and 13.4 g of phenyltrimethoxysilane was used instead.
  • the synthesized organopolysiloxane may be represented by the following Chemical Formula O, and contained a large amount of a low molecular weight substance having a ring structure, and it was difficult to separate the organopolysiloxane because the organopolysiloxane had a molecular weight similar to that of the low molecular weight substance.
  • the area of the peak derived from OMe / Vi was about 0.7, confirming that a large amount of methoxy groups exist in the structure.
  • the acid value was measured to be about 0.276.
  • the viscosity at 25 ° C. of the reaction solution was very low, 2,800 cP.
  • organopolysiloxane (A) prepared in Synthesis Example 1 was synthesized in a known manner, and the compounds represented by the following formulas B-1, C-1, and D-1 were mixed, and then subjected to hydrosilylation reaction.
  • a curable composition was cured (mixture: organopolysiloxane (A): 100 g, compound of formula B-1: 100 g, compound of formula C-1: 50 g, compound of formula D-1: 4) g).
  • a catalyst (Platinum (0) -1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane) was added to the composition so that the content of Pt (0) was 5 ppm, uniformly mixed, and then deaerated. Bubbles were removed to prepare a curable composition.
  • organopolysiloxane (B) prepared in Synthesis Example 2, and the compounds represented by the following formulas B-2, C-2, C-3, and D-1 were mixed, and hydrosilyl A curable composition that can be cured by a polymerization reaction was prepared (mixture: organopolysiloxane (B): 50 g, compound of formula B-2: 100 g, compound of formula C-2: 40 g, formula C-3) Compound: 10 g and compound of formula D-1: 4 g).
  • a catalyst (Platinum (0) -1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane) was added to the composition so that the content of Pt (0) was 5 ppm, uniformly mixed, and then deaerated. Bubbles were removed to prepare a curable composition.
  • a curable composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the organopolysiloxane (N) prepared in Synthesis Example 14 was used instead of the organopolysiloxane (A).
  • a curable composition was prepared in the same manner as in Example 2, except that the organopolysiloxane (O) prepared in Synthesis Example 15 was used instead of the organopolysiloxane (B).
  • a curable composition was prepared in the same manner as in Example 3 except that the organopolysiloxane (C) was not used.
  • Example 1 Surface stickiness Thermal Shock Characteristics responsibility
  • Example 2 ⁇ 0/10 ⁇ Example 3 ⁇ 0/10 ⁇ Example 4 ⁇ 0/10 ⁇ Example 5 ⁇ 0/10 ⁇ Example 6 ⁇ 0/10 ⁇ Example 7 ⁇ 0/10 ⁇ Example 8 ⁇ 0/10 ⁇ Example 9 ⁇ 0/10 ⁇ Example 10 ⁇ 0/10 ⁇ Example 11 ⁇ 0/10 ⁇ Example 12 ⁇ 0/10 ⁇ Example 13 ⁇ 0/10 ⁇ Comparative Example 1 ⁇ 6/10 ⁇ Comparative Example 2 ⁇ 7/10 ⁇ Comparative Example 3 ⁇ 9/10 ⁇

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Abstract

본 출원은, 경화성 조성물 및 그 용도에 관한 것이다. 예시적인 경화성 조성물은, 우수한 가공성 및 작업성을 나타낼 수 있다. 상기 경화성 조성물은, 경화되면 광추출 효율, 균열 내성, 경도, 내열 충격성 및 접착성 등이 뛰어나다. 상기 경화성 조성물은, 가혹 조건에서도 장시간 동안 안정적인 내구 신뢰성을 나타내고, 백탁 및 표면에서의 끈적임 등이 유발되지 않는 경화물을 제공할 수 있다.

Description

경화성 조성물
본 출원은, 경화성 조성물 및 그 용도에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode), 특히 발광 파장이 약 250 nm 내지 550 nm인 청색 또는 자외선 LED로서, GaN, GaAlN, InGaN 및 InAlGaN과 같은 GaN 계열의 화합물 반도체를 이용한 고휘도 제품이 얻어지고 있다. 또한, 적색 및 녹색 LED를 청색 LED와 조합시키는 기법으로 고화질의 풀 컬러 화상의 형성도 가능해지고 있다. 예를 들면, 청색 LED 또는 자외선 LED를 형광체와 조합하여, 백색 LED를 제조하는 기술이 알려져 있다. 이와 같은 LED는 LCD(Liquid Crystal Display)의 백라이트 또는 일반 조명용 등으로 수요가 확대되고 있다.
LED 봉지재로서, 접착성이 높고 역학적인 내구성이 우수한 에폭시 수지가 폭넓게 이용되고 있다. 그러나, 에폭시 수지는 청색 내지 자외선 영역의 광에 대한 투과율이 낮고, 또한 내광성이 떨어지는 문제점이 있다. 이에 따라, 예를 들면, 특허문헌 1 내지 3 등에서는, 상기와 같은 문제점의 개량하기 위한 기술을 제안하고 있다. 그러나, 상기 문헌에서 개시하는 봉지재는, 내열성 및 내광성이 충분하지 못하다.
저파장 영역에 대해 내광성 및 내열성이 우수한 재료로서, 실리콘 수지가 알려져 있다. 그러나, 실리콘 수지는 경화 후에 표면에서 끈적임이 나타나는 단점이 있다. 또한, 실리콘 수지가 LED의 봉지재로 효과적으로 적용되기 위해서는, 고굴절 특성, 균열 내성, 표면 경도, 접착력 및 내열 충격성 등의 특성이 확보될 필요가 있다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
특허문헌 1: 일본특허공개 평11-274571호
특허문헌 2: 일본특허공개 제2001-196151호
특허문헌 3: 일본특허공개 제2002-226551호
본 출원은 경화성 조성물 및 그 용도를 제공한다.
예시적인 경화성 조성물은, (A) 지방족 불포화 결합을 가지는 오가노폴리실록산 및 (B) 알케닐기, 아릴기 및 에폭시기를 각각 하나 이상 포함하는 오가노폴리실록산을 포함할 수 있다.
(A) 오가노폴리실록산은 부분 가교 구조의 오가노폴리실록산일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「부분 가교 구조」는, (R2SiO2/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 이관능성 실록산 단위(이하, 「D 단위」라 호칭할 수 있다.)로부터 유래하는 선형 구조가 충분히 길면서, (RSiO3/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 삼관능성 실록산 단위(이하, 「T 단위」라 호칭할 수 있다.)가 부분적으로 도입되어 있는 오가노폴리실록산의 구조를 의미할 수 있다. 하나의 예시에서 부분 가교 구조는, 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 D 및 T 단위에 대한 모든 D 단위의 비율(D/(D+T))이 0.7 이상인 구조를 의미할 수 있다. 상기 D 단위의 비율(D/(D+T))은 예를 들면, 1 미만일 수 있다.
하나의 예시에서 (A) 오가노폴리실록산은, 하기 화학식 1의 평균 조성식으로 표시될 수 있다.
[화학식 1]
(R1R2 2SiO1/2)a(R3R4SiO2/2)b(R5SiO3/2)c(SiO2)d
화학식 1에서 R1은, 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이고, R5는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이며, R1, R3 및 R4 중 적어도 하나는 알케닐기이고, a는 양의 수이며, b는 0 또는 양의 수이고, c는 양의 수이고, d는 0 또는 양의 수이며, b/a는 5 이상이고, b/c는 5 이상이다.
본 명세서에서 오가노폴리실록산이 소정의 평균 조성식으로 표시된다는 것은, 그 오가노폴리실록산이 그 소정의 평균 조성식으로 표시되는 단일의 성분이거나, 2개 이상의 성분의 혼합물 또는 반응물이면서 상기 혼합물 또는 반응물 내의 각 성분의 조성의 평균이, 그 소정의 평균 조성식으로 표시되는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 용어 1가 탄화수소기는 탄소 및 수소로 이루어진 유기 화합물 또는 그 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 상기 1가 탄화수소기는 1개 또는 2개 이상의 탄소를 포함하고, 예를 들면, 탄소수 1 내지 25 또는 탄소수 2 내지 25의 1가 탄화수소기일 수 있다. 상기 1가 탄화수소기로는, 예를 들면, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있다.
본 명세서에서 용어 알킬기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리 구조를 가질 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해서 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 알케닐기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리 구조를 가질 수 있으며, 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해서 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 아릴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리를 가지거나, 2개 이상의 벤젠 고리가 연결 또는 축합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 즉, 상기 용어 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되고 있는 아릴기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 상기와 같은 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 13의 아릴기일 수 있으며, 그 예로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있으며, 예를 들면 페닐기가 예시될 수 있다.
상기 알킬기의 정의가 화학식 1의 「2가 탄화수소기」에 적용될 때에는 각 탄소수의 하한은 2일 수 있다.
화학식 1의 평균 조성식에서 탄소수 1 내지 4의 알킬기는, 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형의 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 화학식 1의 평균 조성식에서 R2는, 예를 들면 메틸기일 수 있다.
본 명세서에서 1가 탄화수소기, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기 등에 임의적으로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 할로겐, 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 티올기 또는 상기한 1가 탄화수소기(탄소수가 1인 경우도 포함) 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
화학식 1에서 R1, R3 및 R4 중 적어도 하나는 알케닐기이다. 하나의 예시에서 상기 알케닐기는, 상기 오가노폴리실록산(A)에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 알케닐기(Ak)의 몰비(Ak/Si)가 0.02 내지 0.2 또는 0.02 내지 0.15가 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ak/Si)를 0.02 이상으로 조절하여, 다른 성분과의 반응성을 적절하게 유지하고, 미반응 성분이 경화물의 표면으로 배어나오는 현상을 방지할 수 있다. 상기 몰비(Ak/Si)를 0.2 이하로 조절하여, 경화물의 균열 내성을 우수하게 유지할 수 있다.
화학식 1의 평균 조성식에서 a 내지 d는 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타내고, 그 총합(a+b+c+d)은 1이며, a는 0.01 내지 0.10 또는 0.01 내지 0.21이고, b는 0 내지 1.8 또는 0 내지 0.98이며, c는 0.01 내지 0.30이고, d는 0 내지 0.3일 수 있다. .
화학식 1의 평균 조성식으로 표시되는 오가노폴리실록산은, 이 분야에서 통상적으로 (R3SiO1/2)으로 표시되는 경우가 있는 소위 일관능성 실록산 단위(이하, 「M 단위」라 칭할 수 있다.), D 단위, T 단위 및/또는 (SiO2)로 표시되는 경우가 있는 소위 4관능성 실록산 단위(이하, 「Q 단위」라 칭할 수 있다.)를 포함할 수 있고, 예를 들면, M, D 및 T 단위를 포함할 수 있다.
오가노폴리실록산(A)은, 구조 중에서 T 단위로부터 유래하는 구조(이하, 「가교 구조」라 칭할 수 있다.)를 가지면서 D 단위로부터 유래하는 선형 구조가 충분히 긴 구조일 수 있다. 예시적인 오가노폴리실록산은 화학식 1의 평균 조성식에서 b/c가 5 이상, 7 이상, 8 이상 또는 10 이상일 수 있다. 또한, 상기 평균 조성식에서 b/a는 5 이상, 8 이상 또는 10 이상일 수 있다. 상기에서 b/c의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 70, 60, 50, 40, 30 또는 25일 수 있다. 또한, b/a의 상한도 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 110, 100, 90, 80, 70, 60, 50 또는 40일 수 있다. 화학식 1에서 b/(a+b+c+d)는 예를 들면, 0.5 이상, 0.6 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 상기 b/(a+b+c+d)의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 상기는 1 미만 또는 0.98 이하일 수 있다. 화학식 1에서 b/(b+c)는 예를 들면, 0.5 이상, 0.6 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 상기 b/(b+c)의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 상기는 1 미만 또는 0.98 이하일 수 있다. 오가노폴리실록산이 상기와 같은 구조를 가지면, 적용 용도에 따라서 적합한 물성을 나타낼 수 있다.
화학식 1의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은, 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기를 1개 이상 포함할 수 있다. 예시적인 오가노폴리실록산(A)에서는, 상기 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)가 0.3 이상, 0.5 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 이러한 범위에서 굴절률, 광추출 효율, 균열 내성, 경도 및 점도 특성 등을 우수하게 유지할 수 있다. 한편, 상기 몰비(Ar/Si)의 상한은, 예를 들면, 1.5 또는 1.3일 수 있다.
하나의 예시에서 화학식 1의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산의 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기의 하나 이상은 D 단위의 규소 원자에 결합되어 있을 수 있다. 예시적인 오가노폴리실록산은, D 단위의 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기를 하나 이상 포함하고, 상기 오가노폴리실록산의 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 D 단위의 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기(Ar-D)의 몰비(Ar-D/Si)가 0.2 이상, 0.4 이상 또는 0.6 이상일 수 있다. 상기 예시에서 상기 몰비(Ar-D/Si)의 상한은, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 1.8 또는 1.5일 수 있다.
화학식 1의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산의 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기의 하나 이상은 T 단위의 규소 원자에 결합되어 있을 수 있다.
하나의 예시에서 화학식 1의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산의 규소 원자에 결합되어 있는 아릴기는 모두 D 및/또는 T 단위의 규소 원자에 결합되어 있으면서, 상기 기술한 몰비(Ar/Si 및/또는 Ar-D/Si)를 만족할 수 있다. 상기 오가노폴리실록산 또는 그를 포함하는 봉지재의 우수한 굴절률, 광추출 효율, 균열 내성, 경도 및 점도 특성 등을 나타낼 수 있다.
하나의 예시에서 상기 오가노폴리실록산 (A)는 하기 화학식 2의 평균 조성식으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
(R1R2 2SiO1/2)a(R6R7SiO2/2)l(R8R9SiO2/2)m(R5SiO3/2)c
화학식 2에서 R1, R2 및 R5는 화학식 2에서 정의한 바와 같고, R6는, 탄소수 6 내지 25의 아릴기이고, R7, R8 및 R9은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이며, R1, R7, R8 및 R9 중 적어도 하나는 알케닐기이며, a+l+m+c는 1이고, a는 0.01 내지 0.10이며, l은 0 내지 0.90이고, m은 0 내지 0.90이며, c은 0.01 내지 0.30이고, (l+m)/a는 5 이상이고, (l+m)/c는 5 이상이다.
화학식 2의 평균 조성식에서 a, l, m 및 c는 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타내고, 그 총합(a+l+m+c)을 1로 환산하는 경우, a는 0.01 내지 0.10이고, l은 0 내지 0.90이며, m은 0 내지 0.90이고, c은 0.01 내지 0.30이다. 또한, 상기에서 l 및 m의 합을 화학식 1의 조성식의 b로 하였을 경우에, a, l, m 및 c는 화학식 1의 항목에서 언급한 몰 비율을 만족하도록 수치가 조절될 수 있다. 예를 들면, 화학식 2에서 (l+m)/c가 5 이상, 7 이상, 8 이상 또는 10 이상일 수 있다. 또한, 상기 평균 조성식에서 (l+m)/a는 5 이상, 8 이상 또는 10 이상일 수 있다. 상기에서 (l+m)/c의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 70, 60, 50, 40, 30 또는 25일 수 있다. 또한, (l+m)/a의 상한도 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 110, 100, 90, 80, 70, 60, 50 또는 40일 수 있다. 화학식 2에서 (l+m)/(a+l+m+c)는 예를 들면, 0.5 이상, 0.6 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 상기 (l+m)/(a+l+m+c)의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 상기는 1 미만 또는 0.98 이하일 수 있다. 화학식 2에서 (l+m)/(l+m+c)는 예를 들면, 0.5 이상, 0.6 이상 또는 0.7 이상일 수 있다. 상기 (l+m)/(l+m+c)의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 상기는 1 미만 또는 0.98 이하일 수 있다.
화학식 2의 평균 조성식에서 l 및 m은 모두 0이 아닐 수 있다. l 및 m이 모두 0이 아닌 경우에 l/m은 0.4 내지 2.0, 0.4 내지 1.5 또는 0.5 내지 1의 범위 내에 있을 수 있다.
하나의 예시에서, 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은, 하기 화학식 3 또는 4의 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 3]
Figure PCTKR2012010070-appb-I000001
[화학식 4]
Figure PCTKR2012010070-appb-I000002
화학식 3 및 4에서 R1 내지 R8은 각각 독립적으로 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이고, o는 0 내지 300이며, p는 0 내지 300이다.
예시적인 오가노폴리실록산은, 화학식 3 또는 4의 단위를 하나 이상 포함할 수 있다. 화학식 3 또는 4의 단위는, 오가노폴리실록산을 형성하는 실록산 단위 중에서 D 단위의 규소 원자와 T 단위의 규소 원자가 산소 원자를 매개로 직접 결합되어 있는 형태의 단위이다. 하나의 예시에서 전술한 바와 같이, 상기 오가노폴리실록산이 2개 이상의 성분의 혼합물이면서 상기 각 성분의 조성의 평균이, 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식으로 표시되는 경우에도 상기 오가노폴리실록산은 하기 화학식 3 또는 4의 단위를 가지는 단일의 성분을 적어도 하나 포함할 수 있다. 화학식 3 또는 4의 단위를 포함하는 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 후술하는 바와 같이 고리 구조의 실록산 화합물을 케이지(cage) 또는 부분 케이지(partial cage) 구조를 가지거나 T 단위를 포함하는 오가노폴리실록산을 반응시켜서 제조할 수 있다. 특히, 상기 방식을 적용하면, 화학식 3 또는 4의 단위를 포함하면서도, 구조 중에서 알콕시기가 결합된 규소 원자 및 히드록시기가 결합된 규소 원자 등이 최소화된 오가노폴리실록산의 제조가 가능하다.
하나의 예시에서 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은, 1H NMR 측정에 의해 구해지는 스펙트럼에서 규소 원자에 결합된 알케닐기로부터 유리되는 면적(Ak) 대비 규소 원자에 결합된 알콕시기로부터 유래하는 피크의 면적(OR)의 비율(OR/Ak)이 0.05 이하, 0.03 이하, 0.01 이하, 0.005 이하 또는 0일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 점도 특성을 나타내면서, 다른 물성도 우수하게 유지될 수 있다. 또한, 상기에서 1H NMR 측정에 의한 스펙트럼은 구체적으로는 하기 실시예에서 기재하는 방식에 따라 구해진다.
또한, 하나의 예시에서 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은 KOH 적정에 의해 구해지는 산가(acid value)가 0.05 mgKOH/g 이하, 0.03 mgKOH/g 이하, 0.01 mgKOH/g 이하 또는 0 mgKOH/g일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 점도 특성을 나타내면서, 다른 물성도 우수하게 유지될 수 있다. 또한, 상기에서 KOH 적정에 의한 산가는 구체적으로는 하기 실시예에서 기재하는 방식에 따라 구해진다.
하나의 예시에서 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은, 25℃에서의 점도가 2,000 cP 이상, 3,000 cP 이상, 4,000 cP 이상, 5,000 cP 이상, 7,000 cP 이상, 9,000 cP 이상 또는 9,500 cP 이상일 수 있다. 이러한 범위에서 상기 오가노폴리실록산의 가공성 및 경도 특성 등이 적절하게 유지될 수 있다. 한편, 상기 점도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 상기 점도는, 100,000 cP 이하, 90,000 cP 이하, 80,000 cP 이하, 70,000 cP 이하 또는 65,000 cP 이하일 수 있다.
하나의 예시에서 화학식 1 또는 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산은, 중량평균분자량(Mw: Weight Average Molecular Weight)이 1,500 이상, 2,000 이상, 3,000 이상, 4,000 이상 또는 5,000 이상일 수 있다. 본 명세서에서 용어 중량평균분자량은 GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌에 대한 환산 수치를 의미한다. 또한, 본 명세서에서 특별하게 달리 규정하지 않는 한, 용어 분자량은 중량평균분자량을 의미할 수 있다. 이러한 범위에서 상기 오가노폴리실록산의 성형성, 경도 및 강도 특성 등이 적절하게 유지될 수 있다. 한편, 상기 분자량의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 상기 분자량은, 14,000 이하, 12,000 이하 또는 10,000 이하일 수 있다.
상기 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 고리 구조의 실록산 화합물을 케이지 구조 또는 부분 케이지 구조를 가지거나, T 단위를 포함하는 오가노폴리실록산과 함께 포함하는 혼합물의 반응물일 수 있다. 상기에서 고리 구조의 실록산 화합물로는, 하기 화학식 5로 표시되는 화합물이 예시될 수 있다. 또한, 케이지 또는 부분 케이지 구조를 가지거나, T 단위를 포함하는 오가노폴리실록산은, 하기 화학식 6 또는 7의 평균 조성식으로 표시될 수 있다.
[화학식 5]
Figure PCTKR2012010070-appb-I000003
[화학식 6]
[ReSiO3/2]
[화학식 7]
[RaRb 2SiO1/2] p[ReSiO3/2]q
화학식 5 내지 7에서, Ra는 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, Rb는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, Rc 내지 Re는, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 25의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 2 내지 20의 알케닐기이고, o는 3 내지 6이고, p는 1 내지 3이며, q는 1 내지 10이다.
화학식 5 내지 7에서, Ra, Rc, Rd 및 Re의 구체적인 종류와 o, p 및 q의 구체적인 수치, 그리고 상기 혼합물 내에서의 각 성분의 비율은 목적하는 구조의 오가노폴리실록산에 의하여 정해질 수 있다.
화학식 5의 화합물을 화학식 6 및/또는 7의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산과 함께 포함하는 혼합물을 반응시키면, 목적하는 구조, 예를 들면, 전술한 부분 가교 구조를 가지는 오가노폴리실록산을 충분한 분자량으로 합성할 수 있다.
상기와 같은 혼합물을 반응시키면, 합성된 오가노폴리실록산 내에서 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기나 히드록시기와 같은 관능기를 최소화하여, 우수한 물성을 가지는 목적물을 제조할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 혼합물은 하기 화학식 8로 표시되는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
[화학식 8]
(RaRb 2Si)2O
화학식 8에서, Ra는 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, Rb는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
화학식 8에서, Ra 및 Rb의 구체적인 종류와 혼합물로의 배합 비율은 목적하는 오가노폴리실록산의 구조에 따라서 정해질 수 있다.
하나의 예시에서 상기 혼합물 내의 각 성분의 반응은, 적절한 촉매의 존재 하에서 수행될 수 있다. 따라서, 상기 혼합물은 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 혼합물의 포함될 수 있는 촉매로는, 예를 들면, 염기 촉매를 들 수 있다. 적절한 염기 촉매로는, KOH, NaOH 또는 CsOH 등과 같은 금속 수산화물; 알칼리 금속 화합물과 실록산을 포함하는 금속 실라롤레이트(metal silanolate) 또는 테트라메틸암모늄 히드록시드(tetramethylammonium hydroxide), 테트라에틸암모늄 히드록시드(tetraethylammonium hydroxide) 또는 테트라프로필암모늄 히드록시드(tetrapropylammonium hydroxide) 등과 같은 4급 암모늄 화합물 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
혼합물 내에서 상기 촉매의 비율은 목적하는 반응성 등을 고려하여 적절히 선택될 수 있고, 예를 들면, 혼합물 내의 반응물의 합계 중량 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 30 중량부 또는 0.03 중량부 내지 5 중량부의 비율로 포함될 수 있다. 본 명세서에서 특별히 달리 규정하지 않는 한, 단위 중량부는 각 성분간의 중량의 비율을 의미한다.
하나의 예시에서, 상기 반응은, 적절한 용매의 존재 하에 수행될 수 있다. 용매로는, 상기 혼합물 내의 반응물, 즉 디실록산 또는 오가노폴리실록산 등과 촉매가 적절히 혼합될 수 있고, 반응성에 큰 지장을 주지 않는 것이라면 어떠한 종류도 사용될 수 있다. 용매로는, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, 2,2,4-트리메틸펜탄, 시클로헥산 또는 메틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 에틸 벤젠 또는 메틸에틸 벤젠 등의 방향족계 용매, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸 n-프로필 케톤, 메틸 n-부틸 케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 또는 아세틸아세톤 등의 케톤계 용매; 테트라히드로푸란, 2-메틸 테트라히드로푸란, 에틸 에테르, n-프로필 에테르, 이소프로필 에테르, 디글라임, 디옥신, 디메틸 디옥신, 에틸렌글리콜 모노 메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌글리콜디에틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노 메틸 에테르 또는 프로필렌글리콜 디메틸 에테르 등의 에테르계 용매; 디에틸 카보네이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 에틸 락테이트, 에틸렌글리콜 모노 메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노 메틸 에테르 아세테이트 또는 에틸렌글리콜 디아세테이트 등의 에스테르계 용매; N-메틸 피롤리돈, 포름아미드, N-메틸 포름아미드, N-에틸 포름아미드, N,N-디메틸 아세트아미드 또는 N,N-디에틸아세트아미드 등의 아미드계 용매가 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 반응은, 예를 들면, 상기 반응물에 촉매를 첨가하고 반응시켜서 제조될 수 있다. 상기에서 반응 온도는 예를 들면, 0℃ 내지 150℃ 또는 30℃ 내지 130℃의 범위 내에서 조절될 수 있다. 또한, 상기 반응 시간은 예를 들면, 1시간 내지 3일의 범위 내에서 조절될 수 있다.
경화성 조성물에 포함되는 오가노폴리실록산(B)은 알케닐기, 아릴기 및 에폭시기를 포함한다. 오가노폴리실록산(B)을 포함하여 경화성 조성물 또는 그 경화물의 접착성이 향상될 수 있다.
본 명세서에서 용어 에폭시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기 에폭시기 내의 알킬기로는, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형 알킬기가 예시될 수 있다. 또한, 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소 원자를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 등이 예시될 수 있다
(B) 오가노폴리실록산으로는, 하기 화학식 9의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산이 예시될 수 있다.
[화학식 9]
(R3SiO1/2)q(R2SiO2/2)r(RSiO3/2)s(SiO4/2)t
화학식 9에서, R은 각각 독립적으로 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이되, R 중 적어도 하나는 알케닐기이고, R 중 적어도 하나는 에폭시기이며, R 중 적어도 하나는 아릴기이고, q, r, s 및 t는 각각 0 또는 양의 수이되, (s+t)/(q+r+s+t)는 0.2 내지 0.7이며, s/(s+t)는 0.8 이상이다.
화학식 9에서 R 중 적어도 하나 또는 두개 이상은 알케닐기일 수 있다. 하나의 예시에서 알케닐기는, 상기 (B) 화합물에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 알케닐기(Ak)의 몰비(Ak/Si)가 0.05 내지 0.35 또는 0.05 내지 0.3이 되도록 하는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ak/Si)에서 경화성 조성물의 다른 성분과 우수한 반응성을 나타내고, 경화 후 접착 강도가 우수하고, 내충격성 등의 물성이 우수한 경화물을 제공할 수 있다.
화학식 9에서 R 중 적어도 하나는 또한 에폭시기이다. (B) 오가노폴리실록산이 에폭시기를 가져서 경화물의 강도 및 내스크래치성을 적절하게 유지하면서, 기재와의 우수한 접착성을 발휘하도록 할 수 있다. 하나의 예시에서 상기 에폭시기는, 상기 오가노폴리실록산 (B)에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 에폭시기(Ep)의 몰비(Ep/Si)가 0.05 이상, 0.15 이상, 0.3 이상 또는 0.5 이상이 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ep/Si)에서 경화물의 가교 구조를 적절하게 유지하고, 내열성 및 접착성 등의 특성도 우수하게 유지할 수 있다. 상기 비율(Ep/Si)의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 0.7일 수 있다.
화학식 9에서 R 중 하나 이상은 아릴기일 수 있다. 이에 따라 경화물의 굴절률 및 경도 특성 등을 효과적으로 제어할 수 있다. 아릴기는, 화합물 (B)에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한, 상기 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)가 0.2 내지 1.0 또는 0.25 내지 1.0이 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ar/Si)를 0.2 또는 0.25 이상으로 조절하여, 다른 성분과의 상용성이 우수하고, 경화물의 굴절률 및 경도 특성을 극대화할 수 있으며, 또한 1.0 이하로 조절하여, 조성물의 점도 및 내열 충격성 등도 적절하게 유지할 수 있다.
화학식 9의 평균 조성식에서 q, r, s 및 t는 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타내고, 그 총합을 1로 환산하면, q는 0 내지 0.7 이며, r은 0 내지 0.5이고, s는 0 내지 0.8이며, t는 0 내지 0.2이다. 상기에서 s 및 t는 동시에 0은 아니다. 경화물의 강도, 균열 내성 및 내열충격성을 극대화하고, 기재와의 접착력이 우수한 경화물을 제공하기 위하여, 상기에서 (s+t)/(q+r+s+t)는 0.2 내지 0.7이며, s/(s+t)는 0.8 이상의 범위로 조절할 수 있다. 상기에서 s/(s+t)의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상한은, 1.0일 수 있다
(B) 오가노폴리실록산은, 25℃에서의 점도가 100 cP 이상, 300 cP 이상, 500 cP 이상, 1,000 cP 이상, 2,000 cP 이상, 3,000 cP 이상, 4,000 cP 이상, 5,000 cP 이상, 6,000 cP 이상, 7,000 cP 이상, 8,000 cP 이상, 9,000 cP 이상 또는 100,000 cP 이상일 수 있고, 이에 따라 경화 전의 가공성과 경화 후의 경도 특성 등의 적절하게 유지할 수 있다.
(B) 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 1,000 이상의 분자량을 가질 수 있다. 분자량을 1,000 이상으로 조절하여, 경화 전 우수한 가공성 및 작업성을 가지고, 경화 후에 내크랙성, 내열충격성 및 기재와의 접착 특성이 우수한 경화물을 제공할 수 있다. 상기 분자량의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 5,000일 수 있다. 상기에서 (B) 화합물의 분자량은 중량평균분자량이거나, 통상적인 화합물의 분자량일 수 있다.
(B) 오가노폴리실록산을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 통상적으로 공지되어 있는 오가노폴리실록산의 제조 방법을 적용하거나, 또는 상기 (A) 오가노폴리실록산의 제조와 유사한 방식을 적용할 수 있다.
(B) 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 상기 (A) 오가노폴리실록산 100 중량부 대비 0.1 중량부 내지 30 중량부, 0.1 중량부 내지 20 중량부, 1 중량부 내지 20 중량부, 1 중량부 내지 15 중량부 또는 1 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 또한, 경화성 조성물이 후술하는 (C) 및 (D)의 화합물을 포함하는 경우, 상기 (B) 오가노폴리실록산은, 상기 (A), (C) 및 (D) 화합물의 합계 중량 100 중량부 대비, 0.1 중량부 내지 30 중량부, 0.1 중량부 내지 20 중량부, 0.2 내지 10 중량부 또는 0.5 내지 5 중량부로 조성물에 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 경화전 수지와의 상용성이 우수하고, 경화 후 투명도, 내습성, 내크랙성 및 내열 충격성이 우수한 조성물을 제공할 수 있다.
경화성 조성물은, (C) 가교 구조를 가지는 오가노폴리실록산을 추가로 포함할 수 있다.
본 명세서에서 용어 「가교 구조」의 오가노폴리실록산은, 구조 중에 T 단위 또는 통상 (SiO2)로 표시되는 경우가 있는 소위 4관능성 실록산 단위(이하, 「Q 단위」라 호칭할 수 있다.) 중 적어도 하나의 단위를 포함하는 오가노폴리실록산으로서, 상기 부분 가교 구조의 오가노폴리실록산에는 해당하지 않는 오가노폴리실록산을 의미할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 (C) 오가노폴리실록산은 하기 화학식 10의 평균 조성식으로 표시될 수 있다.
[화학식 10]
(R3SiO1/2)d(R2SiO2/2)e(RSiO3/2)f(SiO4/2)g
화학식 10에서 R은 각각 독립적으로 1가 탄화수소기 또는 에폭시기이되, R 중 적어도 하나는 알케닐기이고, R 중 적어도 하나는 아릴기이며, d+e+f+g를 1로 환산하였을 때에 d는 0.05 내지 0.5이고, e는 0 내지 0.3이며, f는 0.6 내지 0.95이고, g는 0 내지 0.2이며, (d+e)/(d+e+f+g)는 0.2 내지 0.7이고, e/(e+f+g)는 0.3 이하이며, f/(f+g)는 0.8 이상이다.
화학식 10에서 R 중 하나 또는 2개 이상은 알케닐기일 수 있다. 하나의 예시에서 알케닐기는, 상기 (C) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 상기 알케닐기(Ak)의 몰비(Ak/Si)가 0.05 내지 0.4 또는 0.05 내지 0.35가 되도록 하는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ak/Si)를 0.05 이상으로 조절하여, 반응성을 적절하게 유지하고, 미반응 성분이 경화물의 표면으로 배어나오는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 몰비(Ak/Si)를 0.4 또는 0.35 이하로 조절하여, 경화물의 경도 특성, 균열 내성 및 내열충격성 등을 우수하게 유지할 수 있다.
화학식 10에서 R 중 하나 이상은 아릴기일 수 있다. 이에 따라 경화물의 굴절률 및 경도 특성 등을 효과적으로 제어할 수 있다. 아릴기는, (C) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한, 상기 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)가 0.5 내지 1.5 또는 0.5 내지 1.2가 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ar/Si)를 0.5 이상으로 조절하여, 경화물의 굴절률 및 경도 특성을 극대화할 수 있고, 또한 1.5 또는 1.2 이하로 조절하여, 조성물의 점도 및 내열 충격성 등도 적절하게 유지할 수 있다.
화학식 10의 평균 조성식에서 d, e, f 및 g는 각 실록산 단위의 몰 비율을 나타내고, 그 총합을 1로 환산하면, d는 0.05 내지 0.5이며, e는 0 내지 0.3이고, f는 0.6 내지 0.95이며, g는 0 내지 0.2이다. 단, f 및 g는 동시에 0은 아니다. 경화물의 강도, 균열 내성 및 내열충격성을 극대화하기 위하여, 상기에서 (d+e)/(d+e+f+g)는 0.2 내지 0.7이며, e/(e+f+g)는 0.3 이하이고, f/(f+g)는 0.8 이상의 범위로 조절할 수 있다. 상기에서 e/(e+f+g)의 하한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상기 e/(e+f+g)는 0을 초과할 수 있다. 또한, 상기에서 f/(f+g)의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상한은, 1.0일 수 있다
(C) 오가노폴리실록산은, 25℃에서의 점도가 5,000 cP 이상 또는 10,000 cP 이상일 수 있고, 이에 따라 경화 전의 가공성과 경화 후의 경도 특성 등의 적절하게 유지할 수 있다.
(C) 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 800 내지 20,000 또는 800 내지 10,000의 분자량을 가질 수 있다. 분자량을 800 이상으로 조절하여, 경화 전의 성형성이나, 경화 후의 강도를 효과적으로 유지될 수 있고, 분자량을 20,000 또는 10,000 이하로 조절하여, 점도 등을 적절한 수준으로 유지할 수 있다.
(C) 오가노폴리실록산을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 당업계에서 통상적으로 공지되어 있는 제조 방법을 적용하거나, 또는 상기 (A) 오가노폴리실록산의 제조와 유사한 방식을 적용할 수 있다.
(C) 오가노폴리실록산은, 예를 들면, 상기 (A) 오가노폴리실록산 100 중량부에 대하여, 50 중량부 내지 1,000 중량부 또는 50 중량부 내지 700 중량부로 혼합될 수 있다. (C) 오가노폴리실록산의 중량 비율을 50 중량부 이상으로 조절하여, 경화물의 강도를 우수하게 유지하고, 또한 1000 중량부 또는 700 중량부 이하로 조절하여, 균열 내성 및 내열충격성을 우수하게 유지할 수 있다.
경화성 조성물은 (D) 규소 원자에 결합하고 있는 수소 원자를 하나 또는 2개 이상 포함하는 오가노폴리실록산을 포함할 수 있다.
(D) 화합물은, 경화성 조성물을 가교시키는 가교제로서 작용할 수 있다. (D) 화합물로는, 규소 원자에 결합한 수소 원자(Si-H)를 포함하는 것이라면, 다양한 종류가 사용될 수 있다. (D) 화합물은, 선형, 분지형, 고리형 또는 가교형의 오가노폴리실록산일 수 있고, 규소 원자가 2개 내지 1000개 또는 3내지 300개인 화합물일 수 있다.
하나의 예시에서 (D) 화합물은, 하기 화학식 11의 화합물 또는 하기 화학식 12의 평균 조성식으로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 11]
R3SiO(R2SiO)nSiR3
화학식 11에서 R은 각각 독립적으로 수소 또는 1가의 탄화수소기이고, R 중 하나 또는 두 개 이상은 수소 원자이며, R 중 적어도 하나는 아릴기이고, n은 1 내지 100이다.
[화학식 12]
(R3SiO1/2)h(R2SiO2/2)i(RSiO3/2)j(SiO2)k
화학식 12에서 R은 각각 독립적으로 수소 또는 1가의 탄화수소기이고, R 중 하나 또는 두 개 이상은 수소 원자이며, R 중 적어도 하나는 아릴기이고, h+i+j+k를 1로 환산하였을 때, h는 0.1 내지 0.8이고, i는 0 내지 0.5이며, j는 0.1 내지 0.8이고, k는 0 내지 0.2이다.
화학식 11의 화합물은, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 적어도 2개 가지는 선형 오가노폴리실록산이며, 화학식 11에서, n은 1 내지 100, 1 내지 50, 1 내지 25, 1 내지 10 또는 1 내지 5일 수 있다.
하나의 예시에서 (D) 화합물에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한 규소 원자 결합 수소 원자(H)의 몰비(H/Si)는 0.2 내지 0.8 또는 0.3 내지 0.75일 수 있다. 상기 몰비를 0.2 또는 0.3 이상으로 조절하여, 조성물의 경화성을 우수하게 유지하고, 또한, 0.8 또는 0.75 이하로 조절하여, 균열 내성 및 내열충격성 등을 우수하게 유지할 수 있다.
또한, (D) 화합물은 적어도 하나의 아릴기를 포함할 수 있고, 이에 따라 화학식 11에서 R 중 적어도 하나, 또는 화학식 12에서 R 중 적어도 하나는 아릴기일 수 있다. 이에 따라 경화물의 굴절률 및 경도 특성 등을 효과적으로 제어할 수 있다. 상기 아릴기는, (D) 화합물에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한, 상기 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)가 0.5 내지 1.5 또는 0.5 내지 1.3이 되는 양으로 존재할 수 있다. 상기 몰비(Ar/Si)를 0.5 이상으로 조절하여, 경화물의 굴절률 및 경도 특성을 극대화할 수 있고, 또한 1.5 또는 1.3 이하로 조절하여, 조성물의 점도 및 내크랙 특성을 적절하게 유지할 수 있다.
(D) 화합물은, 25℃에서의 점도가 0.1 cP 내지 100,000 cP, 0.1 cP 내지 10,000 cP, 0.1 cP 내지 1,000 cP 또는 0.1 cP 내지 300 cP일 수 있다. (D) 화합물이 상기와 같은 점도를 가지면, 조성물의 가공성 및 경화물의 경도 특성 등의 우수하게 유지할 수 있다.
(D) 화합물은, 예를 들면, 2,000 미만, 1,000 미만 또는 800 미만의 분자량을 가질 수 있다. (D) 화합물의 분자량이 1,000 이상이면, 경화물의 강도가 떨어질 우려가 있다. (D) 화합물의 분자량의 하한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 250일 수 있다. (D) 화합물의 경우, 분자량은 중량평균분자량이거나, 혹은 화합물의 통상적인 분자량을 의미할 수 있다.
(D) 화합물을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 오가노폴리실록산의 제조에 통상적으로 공지된 방식을 적용하거나, 혹은 상기 (A) 오가노폴리실록산에 준하는 방식을 적용하여 제조할 수 있다.
하나의 예시에서 (D) 화합물의 함량은, (A) 오가노폴리실록산 등 경화성 조성물에 포함되는 다른 성분이 가지는 알케닐기의 양에 따라서 결정될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 (D) 화합물은, 경화성 조성물에 포함되는 알케닐기(Ak) 전체에 대한 (D) 화합물에 포함되는 규소 원자에 결합한 수소 원자(H)의 몰비(H/Ak)가 0.5 내지 2.0 또는 0.7 내지 1.5가 되는 범위에서 선택될 수 있다. 상기에서 경화성 조성물에 포함되는 알케닐기는, 예를 들면, (A), (B) 및/또는 (C) 성분에 포함되는 알케닐기일 수 있다. 상기 몰비(H/Ak)로 배합함으로써, 경화 전에 우수한 가공성과 작업성을 나타내고, 경화되어 뛰어난 균열 내성, 경도 특성, 내열 충격성 및 접착성을 나타내며, 가혹 조건에서의 백탁이나, 표면의 끈적임 등을 유발하지 않는 조성물을 제공할 수 있다. (D) 화합물의 함량은, 중량 비율로는, 예를 들면, (A) 화합물 100 중량부에 대하여, 50 중량부 내지 500 중량부 또는 50 중량부 내지 400 중량부의 범위일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 경화성 조성물에 포함되는 성분은, 모두 규소 원자에 결합한 아릴기를 포함할 수 있다. 이러한 경우 상기 경화성 조성물에 포함되는 전체 규소 원자(Si)에 대한, 상기 경화성 조성물에 포함되는 전체 전체 아릴기(Ar)의 몰비(Ar/Si)가 0.5 이상일 수 있다. 상기에서 경화성 조성물에 포함되는 전체 규소 원자 또는 아릴기는, (A), (B), (C) 및/또는 (D) 성분에 포함되는 규소 원자 또는 아릴기일 수 있다. 상기 몰비(Ar/Si)를 0.5 이상으로 조절하여, 경화물의 광투과성, 굴절률, 점도, 균열 내성 및 경도 특성 등을 극대화할 수 있다. 상기에서 아릴기의 몰비(Ar/Si)의 상한은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 2.0 또는 1.5일 수 있다.
경화성 조성물은 입자, 예를 들면 무기 입자를 포함할 수 있다. 상기 무기 입자는 상기 조성물 또는 그 경화물의 굴절률과의 차이의 절대값이 0.15 이하가 되는 범위의 굴절률을 가질 수 있다.
상기 입자는, 예를 들어, 상기 조성물 중에 형광체가 배합되는 경우, 경화 과정에서 상기 형광체가 침강하는 문제점을 방지할 수 있고, 또한 내열성, 방열성 균열 내성 등도 향상시켜, 전체적인 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 입자는 상기 범위의 굴절률을 가져서 상기와 같은 작용을 하면서도 조성물 또는 경화물의 투명도도 유지시켜서, 소자에 적용되는 경우 그 휘도를 향상시킬 수 있다.
상기 입자로는, 상기 입자를 제외한 조성물 또는 그 경화물과의 굴절률의 차이의 절대값이 0.15 이하인 한 당업계에서 사용되는 다양한 종류의 입자를 모두 사용할 수 있다. 상기 입자는, 상기 입자를 제외한 조성물 또는 그 경화물과의 굴절률의 차이의 절대값이 예를 들면 0.1 이하 또는 0.07 이하일 수 있다. 예를 들면, 실리카(SiO2), 오가노 실리카, 알루미나, 알루미노 실리카, 티타이나, 지르코니아, 산화 세륨, 산화 하프늄, 오산화 니오브, 오산화 탄탈, 산화 인듐, 산화 주석, 산화 인듐 주석, 산화 아연, 규소, 황아연, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미노 실리케이트 또는 산화마그네슘 등이 예시될 수 있으며, 상기는 다공성의 형태이거나, 혹은 중공 입자(hollow particle)의 형태일 수 있다.
상기 입자의 평균 입경은, 예를 들면, 1 nm 내지 50 m 또는 2 nm 내지 10 m일 수 있다. 상기 평균 입경을 1 nm 이상으로 하여, 입자를 조성물 또는 그 경화물 내에 균일하게 분산시킬 수 있고, 또한 50 m 이하로 하여, 입자의 분산을 효과적으로 수행하고, 또한 입자의 침강을 방지할 할 수 있다.
상기 입자는 상기 (A) 화합물 100 중량부에 대하여, 0.1 중량부 내지 30 중량부 또는 0.2 중량부 내지 10 중량부로 조성물에 포함될 수 있다. 상기 입자의 함량이 0.1 중량부 이상이며, 탁월한 형광체의 침강 억제 또는 소자의 신뢰성 향상 효과가 확보될 수 있고, 30 중량부 이하이면, 공정성이 우수하게 유지될 수 있다.
상기 조성물은, 히드로실릴화 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 히드로실릴화 촉매로는, 이 분야에서 공지된 통상의 성분을 모두 사용할 수 있다. 이와 같은 촉매의 예로는, 백금, 팔라듐 또는 로듐계 촉매 등을 들 수 있다. 본 출원에서는, 촉매 효율 등을 고려하여, 백금계 촉매를 사용할 수 있고, 이러한 촉매의 예로는 염화 백금산, 사염화 백금, 백금의 올레핀 착체, 백금의 알케닐 실록산 착체 또는 백금의 카보닐 착체 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 히드로실릴화 촉매의 함량은, 소위 촉매량, 즉 촉매로서 작용할 수 있는 양으로 포함되는 한 특별히 제한되지 않는다. 통상적으로, 백금, 팔라듐 또는 로듐의 원자량을 기준으로 0.1 ppm 내지 500 ppm 또는 0.2 ppm 내지 100 ppm의 양으로 사용할 수 있다.
본 출원은, 또한 반도체 소자에 관한 것이다. 예시적인 반도체 소자는, 상기 경화성 조성물의 경화물을 포함하는 봉지재에 의해 봉지된 것일 수 있다.
상기에서 봉지재로 봉지되는 반도체 소자로는, 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 포토커플러, CCD, 고체상 화상 픽업 소자, 일체식 IC, 혼성 IC, LSI, VLSI 및 LED(Light Emitting Diode) 등이 예시될 수 있다.
하나의 예시에서 상기 반도체 소자는, 발광 다이오드일 수 있다.
상기 발광 다이오드로는, 예를 들면, 기판 상에 반도체 재료를 적층하여 형성한 발광 다이오드 등이 예시될 수 있다. 상기 반도체 재료로는, GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN 또는 SiC 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 기판으로는, 사파이어, 스핀넬, SiC, Si, ZnO 또는 GaN 단결정 등이 예시될 수 있다.
또한, 발광 다이오드의 제조 시에는 필요에 따라서, 기판과 반도체 재료의 사이에 버퍼층을 형성할 수도 있다. 버퍼층으로서는, GaN 또는 AlN 등이 사용될 수 있다. 기판상으로의 반도체 재료의 적층 방법은, 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, MOCVD법, HDVPE법 또는 액상성장법 등을 사용할 수 있다. 또한, 발광 다이오드의 구조는, 예를 들면, MIS 접합, PN 접합, PIN 접합을 가지는 모노접합, 헤테로접합, 이중 헤테로 접합 등일 수 있다. 또한, 단일 또는 다중양자우물구조로 상기 발광 다이오드를 형성할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 발광 다이오드의 발광 파장은, 예를 들면, 250 nm 내지 550 nm, 300 nm 내지 500 nm, 또는 330 nm 내지 470 nm일 수 있다. 상기 발광 파장은, 주발광 피크 파장을 의미할 수 있다. 발광 다이오드의 발광파장을 상기 범위로 설정함으로써, 보다 긴 수명으로, 에너지 효율이 높고, 색재현성이 높은 백색 발광 다이오드를 얻을 수 있다.
상기 발광 다이오드는, 상기 조성물을 사용하여 봉지될 수 있다. 또한 발광 다이오드의 봉지는 상기 조성물만으로 수행될 수 있고, 경우에 따라서는 다른 봉지재가 상기 조성물과 병용될 수 있다. 2종의 봉지재를 병용하는 경우, 상기 조성물을 사용한 봉지 후에, 그 주위를 다른 봉지재로 봉지할 수도 있고, 다른 봉지재로 먼저 봉지한 후, 그 주위를 상기 조성물로 봉지할 수도 있다. 다른 봉지재로는, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레아 수지, 이미드 수지 또는 유리 등을 들 수 있다.
상기 조성물로 발광 다이오드를 봉지하는 방법으로는, 예를 들면, 몰드형 거푸집에 상기 조성물을 미리 주입하고, 거기에 발광 다이오드가 고정된 리드프레임 등을 침지시키고, 조성물을 경화시키는 방법, 발광 다이오드를 삽입한 거푸집 중에 조성물을 주입하고, 경화시키는 방법 등을 사용할 수 있다. 조성물을 주입하는 방법으로는, 디스펜서에 의한 주입, 트랜스퍼 성형 또는 사출성형 등이 예시될 수 있다. 또한, 그 외의 봉지 방법으로서는, 조성물을 발광 다이오드 상에 적하, 공판인쇄, 스크린 인쇄 또는 마스크를 매개로 도포하고, 경화시키는 방법, 저부에 발광 다이오드를 배치한 컵 등에 조성물을 디스펜서 등에 의해 주입하고, 경화시키는 방법 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 조성물은, 필요에 따라서, 발광 다이오드를 리드 단자나 패키지에 고정하는 다이본드재나, 발광 다이오드 상의 부동화(passivation)막 또는 패키지 기판 등으로도 이용될 수 있다.
상기 조성물의 경화가 필요한 경우, 경화 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 60℃ 내지 200℃의 온도에서 10분 내지 5시간 동안 상기 조성물을 유지하여 수행하거나, 적정 온도 및 시간에서의 2단계 이상의 과정을 거쳐 단계적인 경화 공정을 진행할 수도 있다.
봉지재의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 포탄형의 렌즈 형상, 판상 또는 박막상 등으로 구성할 수 있다.
또한, 종래의 공지에 방법에 따라 발광 다이오드의 추가적인 성능 향상을 도모할 수 있다. 성능 향상의 방법으로서는, 예를 들면, 발광 다이오드 배면에 광의 반사층 또는 집광층을 설치하는 방법, 보색 착색부를 저부에 형성하는 방법, 주발광 피크보다 단파장의 광을 흡수하는 층을 발광 다이오드 상에 설치하는 방법, 발광 다이오드를 봉지한 후 추가로 경질 재료로 몰딩하는 방법, 발광 다이오드를 관통홀에 삽입하여 고정하는 방법, 발광 다이오드를 플립칩 접속 등에 의해서 리드 부재 등과 접속하여 기판 방향으로부터 광을 취출하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 발광 다이오드는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다.
예시적인 경화성 조성물은, 우수한 가공성 및 작업성을 나타낸다. 상기 경화성 조성물은, 경화되면 탁월한 광추출 효율, 균열 내성, 경도, 내열 충격성 및 접착성을 나타낸다. 상기 조성물은, 가혹 조건에서도 장시간 동안 안정적인 내구 신뢰성을 나타내고, 백탁 및 표면에서의 끈적임 등이 유발되지 않는 봉지재 등을 제공할 수 있다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 상기 경화성 조성물을 보다 상세히 설명하나, 상기 경화성 조성물의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
이하에서, 부호 Vi는 비닐기를 나타내고, 부호 Ph는 페닐기를 나타내며, 부호 Me는 메틸기를 나타내고, 부호 Ep는 3-글리시독시프로필기를 나타낸다.
또한, 이하에서 물성은 하기의 방식으로 측정한다.
1. 오가노폴리실록산에 대한 1H-NMR 측정
1H-NMR 측정에 사용한 기기는 Varian Unity Inova 500MHz NMR이다. 사용 용매는 아세톤-d6으로 측정조건은 다음과 같다.
펄스 시퀀스(Pulse sequence): s2pul
스위프 폭(Sweep width): 8012.8Hz
획득 시간(Acquisition time): 2.045초
지연 시간(Delay time): 2 초
펄스 폭(Pulse width): 45 도 pulse (8.10 usec)
스캔 수(Number of scan): 16
2. 오가노폴리실록산에 대한 산가 측정
톨루엔 500 mL, 이소프로필알코올(IPA) 495 mL 및 물(distilled water) 5 mL를 배합하여 측정용 용매를 제조하였다. 또한, 베이스 용매(base solution)로서 0.1 N의 농도의 KOH 용액(용매: 이소프로필 알코올(IPA))을 준비하고, 표지자(indicator)로는 알파-나프톨벤제인(alpha-naphtholbenzein)(pH: 0.8 ~ 8.2 yellow, 10.0 blue green)을 준비하였다. 이어서, 시료 약 1 내지 2 g을 채취하여 측정용 용매 6 g에 녹인 후에 표지자를 첨가한 후에 베이스 용매로 적정하였다. 적정 완료 시점에서 사용된 베이스 용매의 양으로 산가(acid value)를 mg KOH/g의 단위로 구하였다.
3. 표면 끈적임 평가
경화성 조성물을 몰드에 주입하고, 150℃에서 1 시간 동안 유지하여 경화시킨다. 이어서, 제조된 경화물의 표면을 손으로 접촉하여, 하기 기준에 따라서 표면 끈적임 특성을 평가한다.
<표면 끈적임 평가 기준>
○: 표면 끈적임이 느껴지지 않는 경우
△: 표면 끈적임이 약간 느껴지는 경우
×: 표면 끈적임이 심하게 느껴지는 경우
4. 소자 특성 평가
폴리프탈아미드(PPA)로 제조된 6020 LED 패키지를 사용하여 소자 특성을 평가한다. 구체적으로, 폴리프탈아미드 컵 내에 경화성 조성물을 디스펜싱하고, 70℃에서 30분 동안 유지한 후, 다시 150℃에서 1 시간 동안 유지하여 경화시켜, 표면 실장형 LED를 제조한다. 그 후, 하기 제시된 방법에 따라 열충격 테스트와 장기 신뢰성 테스트를 진행한다.
(1) 열충격 테스트
제조된 LED를 -40℃에서 30분 동안 유지하고, 다시 100℃에서 30분 동안 유지하는 것을 1 사이클로 하여, 상기를 10회, 즉 10 사이클 반복한 후에 실온에서 유지하여, 박리 상태를 조사하여 내열충격성을 평가한다. 평가 시에는 동일 경화성 조성물로 제조된 LED 10개에 대하여 각각 상기와 같은 시험을 하고, 박리된 LED의 수를 하기 표 1에 기재하였다(박리된 LED의 수/총 LED의 수(10개)).
(2) 장기 신뢰성 테스트
제조된 LED를 85℃ 및 85% 상대 습도의 조건에서 유지한 상태로 30 mA의 전류를 흘리면서 200 시간 동안 동작시킨다. 이어서, 동작 전의 초기 휘도 대비 상기 동작 후의 후기 휘도의 감소율을 측정하고, 하기 기준에 따라서 평가한다.
<평가 기준>
○: 초기 휘도 대비 휘도 감소율이 10% 이하
×: 초기 휘도 대비 휘도 감소율이 10% 초과
합성예 1.
옥타메틸시클로테트라실록산(octamethylcyclotetrasiloxane) 55.00 g, 옥타페닐시클로테트라실록산(octaphenylcyclotetrasiloxane) 120.4 g, 테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산(tetramethyltetravinylcyclotetrasiloxane) 9.6 g, 옥타페닐-POSS(octaphenyl-polyhedral oligomeric silsesquioxane) 17.4 g 및 디비닐테트라메틸디실록산(divinyltetramethyldisiloxane) 15.7 g을 혼합하고, 상기 혼합물에 촉매로서 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH; tetramethylammonium hydroxide) 0.6 mL를 배합하였다. 그 후, 상기 촉매가 배합된 혼합물을 115℃의 온도에서 약 20 시간 동안 반응시켰다. 반응 종료 후에 반응물로부터 저분자 물질을 제거하여, 하기 화학식 A로 표시되는 투명한 오일 형태의 오가노폴리실록산(A)을 수득하였다. 상기 오가노폴리실록산의 25℃에서의 점도는 35,200 cP였고, 분자량은 약 5,100이었다. 또한, 상기 오가노폴리실록산에 대하여 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.008로 측정되었다
[화학식 A]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]18[Ph2SiO2/2]15[ViMeSiO2/2]3[PhSiO3/2]2
합성예 2.
테트라메틸테트라비닐시클로테트라실록산을 사용하지 않고, 옥타페닐-POSS와 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 각각 8.7 g 및 12.6 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 1에 준한 방식으로 오가노폴리실록산을 합성하였다. 상기 오가노폴리실록산은, 하기 화학식 B로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 오가노폴리실록산(B)의 25℃에서의 점도는 19,600 cP였고, 분자량은 약 5,000이었다. 또한, 상기 오가노폴리실록산에 대하여 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.009로 측정되었다
[화학식 B]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]20[Ph2SiO2/2]16[PhSiO3/2]2
합성예 3.
옥타메틸시클로테트라실록산(octamethylcyclotetrasiloxane) 60.00 g, 옥타페닐시클로테트라실록산(octaphenylcyclotetrasiloxane) 106.96 g, 옥타페닐-POSS(octaphenyl-polyhedral oligomeric silsesquioxane) 17.44 g 및 디비닐테트라메틸디실록산(divinyltetramethyldisiloxane) 12.56 g을 혼합하고, 상기 혼합물에 촉매로서 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH; tetramethylammonium hydroxide) 0.63 mL를 배합하였다. 그 후, 상기 촉매가 배합된 혼합물을 115℃의 온도에서 약 20 시간 동안 반응시켜서, 하기 화학식 C로 표시되는 투명한 오일 형태의 폴리실록산을 수득하였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 21,000 cP였고, 분자량은 약 6,400이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.006 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 C]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]22[Ph2SiO2/2]15[PhSiO3/2]5
합성예 4.
디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 6.28 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 D로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 58,600 cP였고, 분자량은 약 9,700이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.009 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 D]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]40[Ph2SiO2/2]27[PhSiO3/2]9
합성예 5.
옥타페닐-POSS 및 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 각각 34.88 g 및 15.72 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 E로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 33,200 cP였고, 분자량은 약 4,600이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.008 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 E]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]19[Ph2SiO2/2]12[PhSiO3/2]6
합성예 6.
옥타메틸시클로테트라실록산, 옥타페닐시클로테트라실록산 및 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 각각 55.00 g, 120.34 g 및 18.85 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 F로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 24,400 cP였고, 분자량은 약 4,200이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.008 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 F]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]14[Ph2SiO2/2]11[PhSiO3/2]3
합성예 7.
디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 12.56 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 6와 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 G로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 47,000 cP였고, 분자량은 약 5,500이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.007 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 G]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]21[Ph2SiO2/2]17[PhSiO3/2]4
합성예 8.
옥타메틸시클로테트라실록산 및 옥타페닐시클로테트라실록산을 사용하지 않고, 그 대신 테트라메틸테트라페닐시클로테트라실록산(tetramethyltetraphenylcyclotetrasiloxane) 183.71 g을 배합하고, 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 12.10 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 H로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 19,800 cP였고, 분자량은 약 4,800이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.008 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 H]
[ViMe2SiO1/2]2[MePhSiO2/2]32[PhSiO3/2]4
합성예 9.
옥타메틸시클로테트라실록산 30.0 g, 옥타페닐시클로테트라실록산 53.5 g, 옥타페닐-POSS 8.7 g 및 디비닐테트라메틸디실록산 6.3 g을 혼합하고, 상기 혼합물에 촉매로 테트라메틸암모늄 히드록시드 0.3 mL를 배합하였다. 그 후, 상기 촉매가 배합된 혼합물을 115℃의 온도에서 약 20 시간 동안 반응시켰다. 반응 종료 후에 반응물로부터 저분자 물질을 제거하여, 하기 화학식 I로 표시되는 투명한 오일 형태의 폴리실록산을 수득하였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 21,100 cP였고, 분자량은 약 6,100이었다. 또한, 1H-NMR 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.01 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 I]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]23[Ph2SiO2/2]15[PhSiO3/2]4
합성예 10.
옥타페닐-POSS의 배합량을 4.4 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 9과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 J로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 10,200 cP였고, 분자량은 약 5,600이었다. 또한, 1H-NMR 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.009 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 J]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]24[Ph2SiO2/2]16[PhSiO3/2]2
합성예 11.
디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 9.4 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 9과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 K로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 12,200 cP였고, 분자량은 약 4,700이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.008 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 K]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]17[Ph2SiO2/2]11[PhSiO3/2]4
합성예 12.
옥타메틸시클로테트라실록산, 옥타페닐시클로테트라실록산 및 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 각각 27.5 g, 60.2 g 및 7.9 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 9과 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 L로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 33,200 cP였고, 분자량은 약 4,600이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.007 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 L]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]18[Ph2SiO2/2]15[PhSiO3/2]2
합성예 13.
옥타페닐-POSS를 사용하지 않고, 그 대신 화학식 [ViMe2SiO1/2][PhSiO3/2]3.5로 표시되고, 분자량이 1,520인 폴리실록산 12.5 g을 사용하고, 디비닐테트라메틸디실록산의 배합량을 6.1 g으로 변경한 것을 제외하고는, 합성예 9와 동일한 방식으로 폴리실록산을 합성하였다. 상기 폴리실록산은, 하기 화학식 M으로 표시되고, 투명한 오일 형태였다. 상기 폴리실록산의 25℃에서의 점도는 15,500 cP였고, 분자량은 약 5,300이었다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 알콕시기로부터 유래되는 피크는 관찰되지 않았으며, 산가는 약 0.012 mg KOH/g으로 측정되었다.
[화학식 M]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]20[Ph2SiO2/2]13[PhSiO3/2]4
합성예 14.
디메톡시디메틸실란(dimethoxydimethylsilane) 89.0 g, 디메톡시디페닐실란(dimethoxydiphenylsilane) 148.4 g, 디메톡시메틸비닐실란(dimethoxymethylvinylsilane) 14.7 g, 디비닐테트라메틸디실록산 15.7 g 및 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane) 26.7 g을 330 g의 톨루엔에 용해시킨 용액에 물 61.0 g 및 질산 7.9 mL를 추가로 배합하였다. 이어서, 상기 혼합물을 100℃에서 약 7 시간 동안 반응시켰다. 반응 종료 후에 반응 용액을 상온으로 냉각시키고, 물로 반응 용액이 중성이 될 때까지 세척하였다. 그 후, 용액에 KOH 0.1 g을 첨가하고, 탈수 축합 반응을 진행시켰다. 반응 후, AcOH(Acetyl hydroxide)를 이용하여 반응 용액을 중화시키고, 물로 중성이 될 때까지 세척한 후, 감압 증류를 통하여 용매를 제거하여 오가노폴리실록산을 수득하였다. 수득된 오가노폴리실록산은 하기 화학식 N으로 표시되며, 투명도가 없는 오일 형태였고, 고리 구조의 저분자량 물질이 다량 포함되어 있었으며, 오가노폴리실록산이 상기 저분자량 물질과 유사한 분자량을 나타내어 오가노폴리실록산을 분리하는 것이 곤란하였다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 OMe/Vi로부터 유래되는 피크의 면적이 약 0.2이어서 구조 내에 다량의 메톡시기가 존재하는 것을 확인하였다. 또한, 산가는 약 0.270으로 측정되었다. 상기 반응 용액의 25℃에서의 점도는 2,300 cP로서 매우 낮은 수치를 나타내었다.
[화학식 N]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]19[Ph2SiO2/2]10[ViMeSiO2/2]3[PhSiO3/2]2[OMe]1
합성예 15.
옥타페닐-POSS를 사용하지 않고, 그 대신 페닐트리메톡시실란 13.4 g을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 14와 동일한 방식으로 오가노폴리실록산을 합성하였다. 합성된 오가노폴리실록산은 하기 화학식 O로 표시될 수 있으며, 고리 구조의 저분자량 물질을 다량 포함하고 있었고, 오가노폴리실록산이 상기 저분자량 물질과 유사한 분자량을 나타내어 오가노폴리실록산을 분리하는 것이 곤란하였다. 또한, 1H-NMR로 측정되는 스펙트럼 상에서 OMe/Vi로부터 유래되는 피크의 면적이 약 0.7이어서 구조 내에 다량의 메톡시기가 존재하는 것을 확인하였다. 또한, 산가는 약 0.276으로 측정되었다. 상기 반응 용액의 25℃에서의 점도는 2,800 cP로서 매우 낮은 수치를 나타내었다.
[화학식 O]
[ViMe2SiO1/2]2[Me2SiO2/2]20[Ph2SiO2/2]16[PhSiO3/2]2[OMe]1.4
실시예 1.
합성예 1에서 제조된 오가노폴리실록산(A)에 공지의 방식으로 합성한 것으로서, 각각 하기의 화학식 B-1, C-1 및 D-1로 표시되는 화합물을 혼합하여, 히드로실릴화 반응에 의해 경화할 수 있는 경화성 조성물을 제조하였다(배합량: 오가노폴리실록산(A): 100 g, 화학식 B-1의 화합물: 100 g, 화학식 C-1의 화합물: 50 g, 화학식 D-1의 화합물: 4 g). 이어서 상기 조성물에 Pt(0)의 함량이 5 ppm이 되도록 촉매 (Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane)를 배합하고, 균일하게 혼합한 후 탈포기로 기포를 제거하여 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-1]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)8
[화학식 C-1]
(HMe2SiO1/2)2(HMeSiO2/2)0.5(Ph2SiO2/2)1.5
[화학식 D-1]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 2.
합성예 2에서 제조한 오가노폴리실록산(B)에 공지의 방식으로 합성한 것으로서, 각각 하기의 화학식 B-2, C-2, C-3 및 D-1으로 표시되는 화합물을 혼합하여, 히드로실릴화 반응에 의해 경화할 수 있는 경화성 조성물을 제조하였다(배합량: 오가노폴리실록산(B): 50 g, 화학식 B-2의 화합물: 100 g, 화학식 C-2의 화합물: 40 g, 화학식 C-3의 화합물: 10 g 및 화학식 D-1의 화합물: 4 g). 이어서 상기 조성물에 Pt(0)의 함량이 5 ppm이 되도록 촉매 (Platinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane)를 배합하고, 균일하게 혼합한 후 탈포기로 기포를 제거하여 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)(MePhSiO2/2)(PhSiO3/2)8
[화학식 C-2]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.5
[화학식 C-3]
(HMe2SiO1/2)3(PhSiO3/2)3
[화학식 D-1]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 3.
합성예 3에서 제조된 오가노폴리실록산(C) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 4.
합성예 4에서 제조된 오가노폴리실록산(D) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 5.
합성예 5에서 제조된 오가노폴리실록산(E) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 6.
합성예 6에서 제조된 오가노폴리실록산(F) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 7.
합성예 7에서 제조된 오가노폴리실록산(G) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 8.
합성예 8에서 제조된 오가노폴리실록산(H) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 9.
합성예 9에서 제조된 오가노폴리실록산(I) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 10.
합성예 10에서 제조된 오가노폴리실록산(J) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 11.
합성예 11에서 제조된 오가노폴리실록산(K) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 12.
합성예 12에서 제조된 오가노폴리실록산(L) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
실시예 13.
합성예 13에서 제조된 오가노폴리실록산(M) 40 g, 하기 화학식 B-2의 화합물 100 g, 하기 화학식 C-4의 화합물 35 g 및 하기 화학식 D-2의 화합물 4 g을 배합하고, 촉매를 배합한 것 외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 경화성 조성물을 제조하였다.
[화학식 B-2]
(ViMe2SiO1/2)2(PhSiO3/2)3.5
[화학식 C-4]
(HMe2SiO1/2)2(Ph2SiO2/2)1.2
[화학식 D-2]
(ViMe2SiO1/2)(EpMeSiO2/2)1.5(PhMeSiO2/2)0.5(PhSiO3/2)3
비교예 1.
오가노폴리실록산(A) 대신에 합성예 14에서 제조된 오가노폴리실록산(N)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 경화성 조성물을 제조하였다.
비교예 2.
오가노폴리실록산(B) 대신에 합성예 15에서 제조된 오가노폴리실록산(O)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일하게 경화성 조성물을 제조하였다.
비교예 6.
오가노폴리실록산(C)를 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 경화성 조성물을 제조하였다
상기 각 경화성 조성물에 대하여 측정한 물성을 하기 표 1에 나타내었다.
표 1
표면끈적임성 열충격특성 신뢰성
실시예1 0/10
실시예2 0/10
실시예3 0/10
실시예4 0/10
실시예5 0/10
실시예6 0/10
실시예7 0/10
실시예8 0/10
실시예9 0/10
실시예10 0/10
실시예11 0/10
실시예12 0/10
실시예13 0/10
비교예1 6/10 ×
비교예2 7/10 ×
비교예3 9/10 ×

Claims (18)

  1. (A) 하기 화학식 1의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산; 및
    (B) 알케닐기, 에폭시기 및 아릴기를 포함하는 오가노폴리실록산을 포함하는 경화성 조성물:
    [화학식 1]
    (R1R2 2SiO1/2)a(R3R4SiO2/2)b(R5SiO3/2)c(SiO2)d
    상기 화학식 1에서 R1은, 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이고, R5는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이며, R1, R3 및 R4 중 적어도 하나는 알케닐기이고, a는 양의 수이며, b는 0 또는 양의 수이고, c는 양의 수이고, d는 0 또는 양의 수이며, b/a는 5 이상이고, b/c는 5 이상이다.
  2. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자에 대한 상기 (A) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 알케닐기의 몰비(Ak/Si)가 0.02 내지 0.2인 경화성 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자에 대한 상기 (A) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 아릴기의 몰비(Ar/Si)가 0.3 이상인 경화성 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 화학식 1의 b/(a+b+c+d)가 0.5 이상인 경화성 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, 화학식 1의 b/(b+c)가 0.5 이상인 경화성 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산은 하기 화학식 2의 평균 조성식을 가지는 경화성 조성물:
    [화학식 2]
    (R1R2 2SiO1/2)a(R6R7SiO2/2)l(R8R9SiO2/2)m(R5SiO3/2)c
    상기 화학식 2에서 R1, R2 및 R5는 화학식 8에서 정의한 바와 같고, R6는, 탄소수 6 내지 25의 아릴기이고, R7, R8 및 R9은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기이며, R1, R7, R8 및 R9 중 적어도 하나는 알케닐기이며, a+l+m+c을 1로 환산하였을 때에 a는 0.01 내지 0.10이고, l은 0 내지 0.90이며, m은 0 내지 0.90이고, c은 0.01 내지 0.30이며, (l+m)/a는 5 이상이고, (l+m)/c는 5 이상이다.
  7. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산은 1H NMR 스펙트럼에서 규소 원자에 결합된 알케닐기로부터 유래되는 면적(Ak) 대비 규소 원자에 결합된 알콕시기로부터 유래하는 피크의 면적(OR)의 비율(OR/Ak)이 0.05 이하인 경화성 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산은 KOH 적정에 의한 산가가 0.05 mgKOH/g 이하인 경화성 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, (A) 오가노폴리실록산은 하기 화학식 5의 화합물; 및 하기 화학식 6 또는 7의 평균 조성식으로 표시되는 오가노폴리실록산을 포함하는 혼합물의 반응물인 경화성 조성물:
    [화학식 5]
    [화학식 6]
    [ReSiO3/2]
    [화학식 7]
    [RaRb 2SiO1/2] p[ReSiO3/2]q
    상기 화학식 5 내지 7에서, Ra는 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, Rb는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, Rc 내지 Re는, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 25의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 2 이상의 1가 탄화수소기이고, o는 3 내지 6이고, p는 1 내지 3이며, q는 1 내지 10이다.
  10. 제 1 항에 있어서, (B) 오가노폴리실록산은 하기 화학식 9의 평균 조성식을 가지는 경화성 조성물:
    [화학식 9]
    (R3SiO1/2)q(R2SiO2/2)r(RSiO3/2)s(SiO4/2)t
    상기 화학식 9에서, R은 각각 독립적으로 에폭시기 또는 1가 탄화수소기이되, R 중 적어도 하나는 알케닐기이고, R 중 적어도 하나는 에폭시기이며, R 중 적어도 하나는 아릴기이고, q, r, s 및 t는 각각 0 또는 양의 수이되, (s+t)/(q+r+s+t)는 0.2 내지 0.7이며, s/(s+t)는 0.8 이상이다.
  11. 제 1 항에 있어서, (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자에 대한 상기 (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 알케닐기의 몰비(Ak/Si)가 0.05 내지 0.35인 경화성 조성물.
  12. 제 1 항에 있어서, (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자에 대한 상기 (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 에폭시기(Ep)의 몰비(Ep/Si)가 0.05 이상인 경화성 조성물.
  13. 제 1 항에 있어서, (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 규소 원자에 대한 상기 (B) 오가노폴리실록산에 포함되는 전체 아릴기의 몰비(Ar/Si)가 0.2 내지 1.0인 경화성 조성물.
  14. 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 10의 평균 조성식을 가지는 오가노폴리실록산을 추가로 포함하는 경화성 조성물:
    [화학식 10]
    (R14 3SiO1/2)d(R14 2SiO2/2)e(R14SiO3/2)f(SiO4/2)g
    상기 화학식 10에서 R14은 각각 독립적으로 1가 탄화수소기 또는 에폭시기이되, R14 중 적어도 하나는 알케닐기이고, R14 중 적어도 하나는 아릴기이며, d+e+f+g를 1로 환산하였을 때에 d는 0.05 내지 0.5이고, e는 0 내지 0.3이며, f는 0.6 내지 0.95이고, g는 0 내지 0.2이되, f 및 g는 동시에 0이 아니고, (d+e)/(d+e+f+g)는 0.2 내지 0.7이며, e/(e+f+g)는 0.3 이하이고, f/(f+g)는 0.8 이상이다.
  15. 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 11의 화합물 또는 하기 화학식 12의 평균 조성식을 가지는 화합물을 추가로 포함하는 경화성 조성물:
    [화학식 11]
    R15 3SiO(R15 2SiO)nSiR15 3
    상기 화학식 11에서 R15은 각각 독립적으로 수소 또는 1가의 탄화수소기이고, R15 중 하나 또는 두 개 이상은 수소 원자이며, R15 중 적어도 하나는 아릴기이고, n은 1 내지 100이다:
    [화학식 12]
    (R16 3SiO1/2)h(R16 2SiO2/2)i(R16SiO3/2)j(SiO2)k
    상기 화학식 12에서 R16은 각각 독립적으로 수소 또는 1가의 탄화수소기이고, R16 중 하나 또는 두 개 이상은 수소 원자이며, R16 중 적어도 하나는 아릴기이고, h+i+j+k를 1로 환산하였을 때, h는 0.1 내지 0.8이고, i는 0 내지 0.5이며, j는 0.1 내지 0.8이고, k는 0 내지 0.2이되, i 및 k는 동시에 0이 아니다.
  16. 제 1 항의 경화성 조성물의 경화물로 봉지된 발광 다이오드.
  17. 제 16 항의 발광 다이오드를 포함하는 액정 디스플레이.
  18. 제 16 항의 발광 다이오드를 포함하는 조명 기구.
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