WO2012169342A1 - パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置 - Google Patents

パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置 Download PDF

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裕二朗 金子
時人 諏訪
真二 平光
志村 隆弘
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日立オートモティブシステムズ株式会社
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    • Y02T10/00Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/72Electric energy management in electromobility

Definitions

  • the present invention relates to a power module having a power semiconductor element that performs a switching operation for converting DC power into AC power or converting AC power into DC power, and a power converter using the power module.
  • the power module that generates the largest amount of heat among the electronic components that make up the power converter is the power module.
  • a cooling method for a power module for example, a double-sided direct cooling method is known in which a power module is inserted into a refrigerant flow path and cooled through heat radiating fins on both sides (see Patent Document 1).
  • a semiconductor chip is sandwiched between conductor plates, and vacuum thermocompression bonding is performed by interposing an insulating sheet between each of the first and second heat radiating plates and the conductor plate.
  • the bottom case, the top case, and the side case are bonded to the heat radiating plate with an adhesive.
  • Patent Document 1 since the power module described in Patent Document 1 has a structure in which the bottom case, the top case, and the side case are bonded with an adhesive, there is a problem in strength. There are concerns about the deformation at the time of mechanically fixing to the steel, and durability such as creep deformation and fatigue failure.
  • a power module includes a plurality of semiconductor elements constituting upper and lower arms of an inverter circuit, a plurality of conductor plates disposed to face respective electrode surfaces of the semiconductor elements, and a semiconductor element And a module case for storing the conductor plate, the module case comprising a plate-shaped metal heat radiating member facing the surface of the conductor plate, and a metal frame having an opening closed by the heat radiating member.
  • a heat dissipating fin portion in which a plurality of heat dissipating fins are erected in the center of the heat dissipating member, and a joint portion with the frame body is provided on the outer peripheral edge of the heat dissipating member.
  • the frame body has high thermal conductivity, and the frame body has higher rigidity than the heat dissipation member.
  • a heat radiating member is a 1st heat sink and a 2nd heat sink arrange
  • the first heat radiating plate and the second heat radiating plate are provided so as to surround the heat radiating fin portions between the respective heat radiating fin portions and the joint portions. The peripheral edge of the first heat sink is preferentially deformed when pressure is applied to the first heat sink and the second heat sink from the outside toward the inside of the module case.
  • the bending rigidity of the peripheral part of the first heat radiating plate is set lower than the bending rigidity of the peripheral part of the second heat radiating plate.
  • the thickness of the fin peripheral portion of the first heat radiating plate is preferably smaller than the thickness of the fin peripheral portion of the second heat radiating plate.
  • the plurality of conductor plates are connected to one electrode surface of the semiconductor element via the metal bonding material.
  • the frame and the first heat radiating plate, and the frame and the second heat radiating plate are melt bonded or solid phase. It is preferable to be joined by bonding.
  • the power conversion device for converting electric power from direct current to alternating current and alternating current to direct current by switching operation of the semiconductor element includes the power module according to any one of the second to sixth aspects, and the refrigerant. And a power module that exchanges heat between the first and second heat radiating plates disposed in the refrigerant flow channel and flowing through the refrigerant flow channel. Thus, the heat from the semiconductor element is radiated to the refrigerant.
  • the flow path forming body is formed with an opening that communicates with the refrigerant flow path
  • the power module includes a bottomed cylindrical tube section and And a flange portion that is formed in the opening of the cylindrical portion and is fixed to the flow path forming body so as to close the opening of the flow path forming body
  • the cylindrical portion has a first heat radiating plate and a second heat radiating member in the frame body. It is preferable that the heat radiating fins formed by joining the plates and provided in each of the first heat radiating plate and the second heat radiating plate are erected so as to protrude into the refrigerant flow path.
  • the present invention it is possible to provide a power module that achieves both high rigidity and high heat dissipation, and a power conversion device using the power module.
  • the figure which shows the control block of a hybrid vehicle The figure explaining the structure of the electric circuit of an inverter circuit.
  • the circuit diagram which shows the circuit structure of a power module The perspective view of the conductor board assembly which removed the module case, the insulating sheet, and the 1st and 2nd sealing resin.
  • the cross-sectional schematic diagram of a module case The exploded perspective view of a module case.
  • the cross-sectional schematic diagram of a frame The cross-sectional schematic diagram which shows the state which inserted the module primary sealing body in the module case.
  • the cross-sectional schematic diagram which shows the state which pressurized the module case and pressure-contacted the 1st and 2nd heat sink with the module primary sealing body.
  • FIG. 1 is a diagram showing a control block of a hybrid vehicle.
  • Engine EGN and motor generator MG1 generate vehicle running torque.
  • Motor generator MG1 not only generates rotational torque but also has a function of converting mechanical energy applied from the outside to motor generator MG1 into electric power.
  • the motor generator MG1 is, for example, a synchronous machine or an induction machine, and operates as a motor or a generator depending on the operation method as described above.
  • motor generator MG1 When motor generator MG1 is mounted on an automobile, it is desirable to obtain a small and high output, and a permanent magnet type synchronous motor using a magnet such as neodymium is suitable. Further, the permanent magnet type synchronous motor generates less heat from the rotor than the induction motor, and is excellent for automobiles from this viewpoint.
  • the output torque of engine EGN is transmitted to motor generator MG1 via power distribution mechanism TSM, and the rotational torque from power distribution mechanism TSM or the rotational torque generated by motor generator MG1 is transmitted to the wheels via transmission TM and differential gear DIF. Communicated.
  • rotational torque is transmitted from the wheels to motor generator MG1, and AC power is generated based on the supplied rotational torque.
  • the generated AC power is converted to DC power by the power conversion device 200 as described later, and the high-voltage battery 136 is charged, and the charged power is used again as travel energy.
  • the inverter circuit 140 is electrically connected to the battery 136 via the DC connector 138, and power is exchanged between the battery 136 and the inverter circuit 140.
  • motor generator MG1 When motor generator MG1 is operated as a motor, inverter circuit 140 generates AC power based on DC power supplied from battery 136 via DC connector 138 and supplies it to motor generator MG1 via AC terminal 188. .
  • the configuration including motor generator MG1 and inverter circuit 140 operates as a motor generator unit.
  • the vehicle can be driven only by the power of the motor generator MG1 by operating the motor generator unit as an electric unit by the electric power of the battery 136.
  • the battery 136 can be charged by operating the motor power generation unit as the power generation unit by the power of the engine EGN or the power from the wheels to generate power.
  • the power conversion device 200 includes a capacitor module 500 for smoothing DC power supplied to the inverter circuit 140.
  • the power conversion device 200 includes a communication connector 21 for receiving a command from a host control device or transmitting data representing a state to the host control device.
  • Power conversion device 200 calculates a control amount of motor generator MG1 by control circuit 172 based on a command from connector 21, further calculates whether to operate as a motor or a generator, and controls based on the calculation result.
  • a pulse is generated and the control pulse is supplied to the driver circuit 174.
  • the driver circuit 174 generates a driving pulse for controlling the inverter circuit 140 based on the supplied control pulse.
  • an insulated gate bipolar transistor is used as a semiconductor element, and is hereinafter abbreviated as IGBT.
  • the upper arm IGBT 328 and the diode 156, and the lower arm IGBT 330 and the diode 166 constitute a series circuit 150 of the upper and lower arms.
  • the inverter circuit 140 includes the series circuit 150 corresponding to three phases of the U phase, the V phase, and the W phase of the AC power to be output.
  • These three phases correspond to the three-phase windings of the armature winding of the motor generator MG1 in this embodiment.
  • the series circuit 150 of the upper and lower arms of each of the three phases outputs an alternating current from the intermediate electrode 169 that is the midpoint portion of the series circuit.
  • Intermediate electrode 169 is connected to AC bus bar 802 which is an AC power line to motor generator MG1 through AC terminal 159 and AC terminal 188.
  • the collector electrode 153 of the IGBT 328 of the upper arm is electrically connected to the capacitor terminal 506 on the positive electrode side of the capacitor module 500 via the positive electrode terminal 157.
  • the emitter electrode of the IGBT 330 of the lower arm is electrically connected to the capacitor terminal 504 on the negative electrode side of the capacitor module 500 via the negative electrode terminal 158.
  • control circuit 172 receives a control command from the host control device via the connector 21, and based on this, the IGBT 328 that configures the upper arm or the lower arm of each phase series circuit 150 that constitutes the inverter circuit 140. And a control pulse that is a control signal for controlling the IGBT 330 is generated and supplied to the driver circuit 174.
  • the driver circuit 174 supplies a drive pulse for controlling the IGBT 328 and IGBT 330 constituting the upper arm or lower arm of each phase series circuit 150 to the IGBT 328 and IGBT 330 of each phase based on the control pulse.
  • IGBT 328 and IGBT 330 perform conduction or cutoff operation based on the drive pulse from driver circuit 174, convert DC power supplied from battery 136 into three-phase AC power, and supply the converted power to motor generator MG1. Is done.
  • the upper arm IGBT 328 includes a collector electrode 153, a signal emitter electrode 155, and a gate electrode 154.
  • the lower arm IGBT 330 includes a collector electrode 163, a signal emitter electrode 165, and a gate electrode 164.
  • An upper arm diode 156 is electrically connected between the collector electrode 153 and the emitter electrode 155.
  • a diode 166 is electrically connected between the collector electrode 163 and the emitter electrode 165.
  • MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • IGBT is suitable when the DC voltage is relatively high
  • MOSFET is suitable when the DC voltage is relatively low.
  • the capacitor module 500 includes a positive capacitor terminal 506, a negative capacitor terminal 504, a positive power terminal 509, and a negative power terminal 508.
  • the high-voltage DC power from the battery 136 is supplied to the positive-side power terminal 509 and the negative-side power terminal 508 via the DC connector 138, and the positive-side capacitor terminal 506 and the negative-side capacitor of the capacitor module 500.
  • the voltage is supplied from the terminal 504 to the inverter circuit 140.
  • the DC power converted from the AC power by the inverter circuit 140 is supplied to the capacitor module 500 from the positive capacitor terminal 506 and the negative capacitor terminal 504, and is connected to the positive power terminal 509 and the negative power terminal 508. Is supplied to the battery 136 via the DC connector 138 and accumulated in the battery 136.
  • the control circuit 172 includes a microcomputer (hereinafter referred to as “microcomputer”) for performing arithmetic processing on the switching timing of the IGBT 328 and the IGBT 330.
  • the input information to the microcomputer includes a target torque value required for the motor generator MG1, a current value supplied from the series circuit 150 to the motor generator MG1, and a magnetic pole position of the rotor of the motor generator MG1.
  • the target torque value is based on a command signal output from a host controller (not shown).
  • the current value is detected based on a detection signal from the current sensor 180.
  • the magnetic pole position is detected based on a detection signal output from a rotating magnetic pole sensor (not shown) such as a resolver provided in the motor generator MG1.
  • the current sensor 180 detects the current value of the three phases as an example, but the current value for the two phases may be detected and the current for the three phases may be obtained by calculation. .
  • the microcomputer in the control circuit 172 calculates the d-axis and q-axis current command values of the motor generator MG1 based on the target torque value, the calculated d-axis and q-axis current command values, and the detected d
  • the voltage command values for the d-axis and the q-axis are calculated based on the difference between the current values of the axes and the q-axis, and the calculated voltage command values for the d-axis and the q-axis are calculated based on the detected magnetic pole position. It is converted into voltage command values for phase, V phase, and W phase.
  • the microcomputer generates a pulse-like modulated wave based on a comparison between the fundamental wave (sine wave) and the carrier wave (triangular wave) based on the voltage command values of the U phase, V phase, and W phase, and the generated modulation wave
  • the wave is output to the driver circuit 174 as a PWM (pulse width modulation) signal.
  • the driver circuit 174 When driving the lower arm, the driver circuit 174 outputs a drive signal obtained by amplifying the PWM signal to the gate electrode 164 of the corresponding IGBT 330 of the lower arm. Further, when driving the upper arm, the driver circuit 174 amplifies the PWM signal after shifting the level of the reference potential of the PWM signal to the level of the reference potential of the upper arm, and uses this as a drive signal as a corresponding upper arm. Are output to the gate electrodes 154 of the IGBTs 328 respectively.
  • the microcomputer in the control circuit 172 detects abnormality (overcurrent, overvoltage, overtemperature, etc.) and protects the series circuit 150. For this reason, sensing information is input to the control circuit 172. For example, information on the current flowing through the emitter electrode of each IGBT 328 and each IGBT 330 is input to the corresponding drive unit (IC) from the signal emitter electrode 155 and the signal emitter electrode 165 of each arm. Thereby, each drive part (IC) detects an overcurrent, and when an overcurrent is detected, the switching operation of the corresponding IGBT 328 and IGBT 330 is stopped, and the corresponding IGBT 328 and IGBT 330 are protected from the overcurrent.
  • IC drive unit
  • Information on the temperature of the series circuit 150 is input to the microcomputer from a temperature sensor (not shown) provided in the series circuit 150.
  • voltage information on the DC positive side of the series circuit 150 is input to the microcomputer.
  • the microcomputer performs overtemperature detection and overvoltage detection based on the information, and stops switching operations of all the IGBTs 328 and IGBTs 330 when an overtemperature or overvoltage is detected.
  • FIG. 3 is an external perspective view of the power conversion device 200.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the internal configuration of the case 10 of the power conversion device 200, and is an exploded perspective view of the power conversion device 200.
  • the power converter 200 includes a case 10 in which the power modules 300a to 300c and the capacitor module 500 are accommodated, a bus bar assembly 800 disposed above the capacitor module 500, a driver circuit board 22 disposed above the bus bar assembly 800, a case 10, a metal base plate 11 fixed above 10, a control circuit board 20 accommodated in the metal base plate 11, and a lid 8 fixed on the top of the metal base plate 11.
  • the case 10 is provided with a flow path forming body 12 that forms a flow path through which a coolant such as water flows.
  • a lower cover 420 that closes the lower opening of the flow path forming body 12 is attached to the lower surface of the case 10. It has been.
  • the flow path forming body 12 is arranged at the bottom of the power conversion device 200, and then the work of fixing necessary components such as the capacitor module 500, the bus bar assembly 800, and the substrate can be sequentially performed from the top. This improves productivity and reliability.
  • FIG. 5 is a view for explaining the case 10 and the flow path forming body 12, and is a view of the case 10 shown in FIG. 4 as viewed from below.
  • the flow path forming body 12 forms a U-shaped refrigerant flow path 19 along the three inner peripheral surfaces of the case 10.
  • the refrigerant flow path 19 includes a first flow path portion 19a formed along a longitudinal side of the case 10, a second flow path portion 19b formed along a short side of the case 10, and a flow path formation.
  • the third flow path portion 19 c is formed along the longitudinal side of the body 12.
  • the second flow path portion 19b forms a folded flow path of the refrigerant flow path 19 having a U shape.
  • an inlet pipe 13 for flowing in the refrigerant and an outlet pipe 14 for flowing out the refrigerant are provided on the side surface of the case 10 opposite to the side where the second flow path portion 19b is formed. Is provided.
  • the refrigerant flows in the first flow path portion 19a in the flow direction 418 through the inlet pipe 13 in the flow direction 417 indicated by the arrow. Further, the refrigerant flows through the second flow path portion 19b as in the flow direction 421, then flows through the third flow path portion 19c as in the flow direction 422, and further passes through the outlet pipe 14 as in the flow direction 423. Spill through.
  • the first flow path portion 19a, the second flow path portion 19b, and the third flow path portion 19c are all formed so that the depth direction is larger than the width direction.
  • the opening 404 on the lower surface side of the flow path forming body 12 is closed by the lower cover 420 attached to the lower surface of the case 10.
  • a seal member 409 is provided between the lower cover 420 and the case 10 to maintain airtightness.
  • the lower cover 420 is formed with convex portions 406a to 406c that protrude in the direction opposite to the side on which the refrigerant flow path 19 is disposed.
  • the convex portions 406a to 406c are provided corresponding to power modules 300a to 300c arranged in the refrigerant flow path 19 described later.
  • openings 400a to 400c communicating with the refrigerant flow path 19 are also formed on the case upper surface side of the flow path forming body 12, and the opening 404 formed on the case lower surface side and the case upper surface side. Since the openings 400a to 400c are opposed to each other, the structure is easy to manufacture by aluminum casting. By making the flow path forming body 12 and the case 10 integrally by casting an aluminum material, heat conduction of the entire power conversion device 200 is improved and cooling efficiency is improved. Furthermore, mechanical strength is also improved by making the flow path formation body 12 and the case 10 integrally.
  • an opening 400 a and an opening are formed on the upper surface of one side (the side on which the first flow path portion 19 a of FIG. 5 is formed) of the flow path forming body 12 along the longitudinal direction of the case 10.
  • the portion 400b is formed along the side surface of the case 10, and as shown by a broken line, an opening 400c is formed on the upper surface of the other side (the side where the second flow path portion 19b in FIG. 5 is formed). Yes.
  • the openings 400a to 400c are closed by the inserted power modules 300a to 300c.
  • a storage space 405 for storing the capacitor module 500 is formed between the flow path forming bodies 12 on both sides.
  • the capacitor module 500 By storing the capacitor module 500 in such a storage space 405, the capacitor module 500 is cooled by the refrigerant flowing in the refrigerant flow path 19. Since the capacitor module 500 is disposed so as to be surrounded by the refrigerant flow path 19 (first to third flow path portions 19a to 19c) shown in FIG. 5, it is efficiently cooled.
  • the refrigerant flow path 19 is formed along the outer surface of the capacitor module 500, the arrangement of the refrigerant flow path 19, the capacitor module 500, and the power modules 300a to 300c is neatly arranged, and the whole becomes smaller.
  • the first flow path portion 19a and the third flow path portion 19c are arranged along the long side of the capacitor module 500, and the power modules 300a to 300c inserted into the refrigerant flow path 19 and the capacitor module 500 are fixed.
  • the distance is substantially constant. Therefore, the circuit constants of the smoothing capacitor and the power module circuit are easily balanced in each of the three phases, resulting in a circuit configuration in which the spike voltage can be easily reduced.
  • a bus bar assembly 800 is disposed above the capacitor module 500.
  • the bus bar assembly 800 includes an AC bus bar 802 and a holding member, and holds the current sensor 180.
  • the driver circuit board 22 is disposed above the bus bar assembly 800.
  • the metal base plate 11 is disposed between the driver circuit board 22 and the control circuit board 20.
  • the metal base plate 11 is fixed to the case 10.
  • the metal base plate 11 functions as an electromagnetic shield for a circuit group mounted on the driver circuit board 22 and the control circuit board 20 and releases heat generated by the driver circuit board 22 and the control circuit board 20. And the control circuit board 20 are cooled.
  • the cap 18 is a member for closing the working window 17 for connecting a terminal extended from the DCDC converter.
  • the lid 8 fixed to the metal base plate 11 has a function of protecting the control circuit board 20 from external electromagnetic noise.
  • the portion in which the flow path forming body 12 is housed has a substantially rectangular parallelepiped shape, but a protruding housing portion 10a is formed from one side of the case 10.
  • a protruding storage portion 10a terminals extended from the DCDC converter, a DC bus bar (not shown), and a resistor 450 are stored.
  • the resistor 450 is a resistor element for discharging the electric charge stored in the capacitor element of the capacitor module 500.
  • the electric circuit components between the battery 136 and the capacitor module 500 are concentrated in the protruding housing portion 10a, it is possible to suppress complication of wiring and contribute to downsizing of the entire apparatus. .
  • FIGS. 7, 8, 12, and 14 to 16 are schematic cross-sectional views (conceptual views) cut along the line AA in FIG. It is also a schematic cross-sectional view (conceptual diagram) cut along the line BB, and the constituent elements shown in the cross section cut along the line BB are given parentheses.
  • the positioning pins 601 and the positioning holes 382c which will be described later, do not appear in the cross section cut along the lines AA and BB, they are illustrated for convenience.
  • the signal terminal 325U corresponds to the gate electrode 154 shown in FIG. 2, and the signal terminal 325L corresponds to the gate electrode 164 shown in FIG.
  • the signal terminal 327 corresponds to the signal emitter electrodes 155 and 165.
  • the DC positive terminal 315B is the same as the positive terminal 157 shown in FIG. 2, and the DC negative terminal 319B is the same as the negative terminal 158 shown in FIG.
  • the AC terminal 320B is the same as the AC terminal 159 shown in FIG.
  • FIG. 6 is a perspective view of the power module 300a
  • FIG. 7 is a schematic sectional view of the power module 300a
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the module primary sealing body 302 housed in the power module 300 a and the auxiliary mold body 600 connected to the module primary sealing body 302.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a circuit configuration of the power module 300a.
  • FIG. 10 is a perspective view of the conductor plate assembly in which the module case 37, the insulating sheet 333, and the first and second sealing resins 348 and 351 of the power module 300a are removed to facilitate understanding. In FIG. 10, the signal wiring 326 is not shown.
  • the power module 300a has a metal module case 37, and a power semiconductor element (IGBT 328) constituting the series circuit 150 shown in FIGS. , IGBT 330, diode 156, and diode 166) are housed in a module primary sealing body 302 (see FIG. 8).
  • IGBT 328 power semiconductor element
  • the collector electrode of the IGBT 328 on the upper arm side and the cathode electrode of the diode 156 on the upper arm side are connected via a conductor plate 315.
  • the collector electrode of the IGBT 330 on the lower arm side and the cathode electrode of the diode 166 on the lower arm side are connected via the conductor plate 320.
  • the emitter electrode of the IGBT 328 on the upper arm side and the anode electrode of the diode 156 on the upper arm side are connected via a conductor plate 318.
  • the emitter electrode of the IGBT 330 on the lower arm side and the anode electrode of the diode 166 on the lower arm side are connected via a conductor plate 319.
  • Conductor plates 318 and 320 are connected by an intermediate electrode 329.
  • the power semiconductor elements (IGBT 328, IGBT 330, diode 156, and diode 166) have a plate-like flat structure, and each electrode of the power semiconductor element is formed on the front and back surfaces.
  • Each electrode of the power semiconductor element is sandwiched between a conductor plate 315 and a conductor plate 318, or a conductor plate 320 and a conductor plate 319, which are arranged to face each electrode surface.
  • the conductor plate 315 and the conductor plate 318 are stacked so as to face each other substantially in parallel via the IGBT 328 and the diode 156.
  • the conductor plate 320 and the conductor plate 319 have a stacked arrangement facing each other substantially in parallel via the IGBT 330 and the diode 166.
  • the conductor plate 320 and the conductor plate 318 are connected via an intermediate electrode 329.
  • the upper arm circuit and the lower arm circuit are electrically connected to form an upper and lower arm series circuit.
  • the DC-side conductor plate 315 and the AC-side conductor plate 320 are arranged in substantially the same plane.
  • the collector electrode of the IGBT 328 on the upper arm side and the cathode electrode of the diode 156 on the upper arm side are fixed.
  • the conductor plate 320 is fixedly attached with a collector electrode of the IGBT 330 on the lower arm side and a cathode electrode of the diode 166 on the lower arm side.
  • the AC side conductor plate 318 and the DC side conductor plate 319 are arranged in substantially the same plane.
  • the emitter electrode of the IGBT 328 on the upper arm side and the anode electrode of the diode 156 on the upper arm side are fixed.
  • an emitter electrode of the IGBT 330 on the lower arm side and an anode electrode of the diode 166 on the lower arm side are fixed.
  • Each of the conductor plates 315, 318, 319, and 320 according to the present embodiment is a wiring for a large current circuit, and is made of a material having high thermal conductivity and low electrical resistance such as pure copper or copper alloy, and has a thickness of 0. .5 mm or more is preferable.
  • an element fixing portion is formed on each conductor plate 315, 318, 319, 320 so as to protrude to the power semiconductor element side.
  • Each power semiconductor element is fixed to the element fixing portion via a metal bonding material 160.
  • the metal bonding material 160 is, for example, a low-temperature sintered bonding material containing a silver sheet or fine metal particles, or lead-free solder having a high thermal conductivity and excellent environmental properties, such as Sn—Cu solder, Sn—Ag. -Cu solder, Sn-Ag-Cu-Bi solder and the like.
  • the outer size of the element fixing portion is preferably substantially the same as or larger than the outer size of the power semiconductor element. . Thereby, a heat conduction path can be secured and an improvement in heat dissipation can be expected.
  • the outer size of the element fixing portion of the conductor plate 315 and the conductor plate 320 is formed larger than the outer size of the power semiconductor element, and the outer size of the element fixing portion of the conductor plate 318 and the conductor plate 319 is Although it is almost the same as the outer size of the power semiconductor element, it is slightly smaller than the outer size of the power semiconductor element.
  • the conductor plates 315, 318, 319, and 320 are collectively connected to the power semiconductor element by soldering with the conductor plates 318 and 319 disposed on the upper side and the conductor plates 315 and 320 disposed on the lower side, Can be prevented from flowing down.
  • the signal wiring 324U and the signal wiring 324L for connecting to the driver circuit board 22 are connected to the gate electrode of the power semiconductor element by wire bonding, ribbon bonding, or the like.
  • Aluminum is preferably used for the wire and ribbon.
  • the signal wiring 324U and the signal wiring 324L may be connected to the gate electrode using solder or the like.
  • the signal wiring 324U and the signal wiring 324L are preferably made of pure copper or a copper alloy.
  • the signal wiring 324U and the signal wiring 324L are formed integrally with the conductor plates 315, 320 and the like.
  • the power semiconductor element is formed by placing a conductor plate assembly to which the signal wirings 324U and 324L are connected in a transfer mold and filling the mold with a first sealing resin 348 such as an epoxy resin.
  • the included conductive plate assembly is sealed with the first sealing resin 348 to form the module primary sealing body 302.
  • the outer surfaces of the conductor plates 315, 318, 319, and 320 disposed on both surfaces of the power semiconductor element are exposed from the first sealing resin 348 and serve as heat dissipation surfaces to the module case 37.
  • the area of the heat dissipation surface is preferably larger than the outer size of the element fixing portion. Thereby, a heat conduction path is ensured, and improvement in heat dissipation can be expected.
  • the entire outer surface of the conductor plates 315, 318, 319, 320 facing the inner surface of the module case 37 may be exposed from the first sealing resin 348 as a heat radiation surface, or a portion corresponding to each power semiconductor element. It is good also as a heat dissipation surface by exposing.
  • the conductor plate 315 and the like are sealed by the first sealing resin 348 with the heat dissipation surface exposed, and as shown in FIG. 7, the heat dissipation surface has high thermal conductivity.
  • the sheet 333 is thermocompression bonded.
  • an insulating sheet 333 in which ceramic particles are dispersed in an epoxy resin is used.
  • the module primary sealing body 302 sealed with the first sealing resin 348 is inserted into the module case 37, and the module case 37 is pressed through the insulating sheet 333 by pressing the wide surface of the module case 37. It is thermocompression bonded to the inner surface of 37.
  • the space remaining inside the module case 37 is filled with the second sealing resin 351 to seal the inside of the module case 37.
  • a configuration and a method for pressing the module primary sealing body 302 to the module case 37 by pressurizing the module case 37 will be described later.
  • the gap between the conductor plate 315 and the inner wall of the module case 37 can be reduced by thermocompression bonding of the conductor plate 315 and the like to the inner wall of the module case 37 via the insulating sheet 333, and the power semiconductor
  • the generated heat of the element can be efficiently transmitted to the module case 37 and radiated from the pin fins standing on the module case 37.
  • the insulating sheet 333 with a certain degree of thickness and flexibility, the generation of thermal stress can be absorbed by the insulating sheet 333, which is good for use in the power conversion device 200 for a vehicle having a rapid temperature change. Become.
  • auxiliary mold body 600 in which each relay wiring connected to driver circuit 174, capacitor module 500 or motor generator MG1, and each wiring including the terminals of module primary sealing body 302 is held by resin will be described.
  • a metal DC positive electrode wiring 315 ⁇ / b> A and a DC negative electrode wiring 319 ⁇ / b> A for electrical connection with the capacitor module 500 are provided outside the module case 37.
  • a terminal 315B (157) and a DC negative terminal 319B (158) are formed.
  • a metallic AC wiring 320A for supplying AC power to the motor generator MG1 is provided, and an AC terminal 320B (159) is formed at the tip thereof.
  • the DC positive wiring 315A is connected to the conductor plate 315
  • the DC negative wiring 319A is connected to the conductor plate 319
  • the AC wiring 320A is connected to the conductor plate 320.
  • metal signal wirings 324U, 324L, and 326 for electrical connection with the driver circuit 174 are further provided outside the module case 37, and a signal terminal 325U is provided at the tip thereof. (154), a signal terminal 325L (164), and a signal terminal 327 (155, 165) are formed.
  • the signal wiring 324 ⁇ / b> U is connected to the IGBT 328, and the signal wiring 324 ⁇ / b> L is connected to the IGBT 330.
  • the DC positive wiring 315A, the DC negative wiring 319A, the AC wiring 320A, the signal wiring 324U, and the signal wiring 324L are insulated from each other by the wiring insulating portion 608 formed of a resin material.
  • the molded body 600 is integrally formed.
  • the wiring insulating portion 608 also acts as a support member for supporting each wiring, and a thermosetting resin or a thermoplastic resin having an insulating property is suitable for the resin material used therefor.
  • PPS which is a thermoplastic resin is adopted.
  • the direct current positive electrode wiring 315A and the direct current negative electrode wiring 319A are stacked in a state of facing each other with the wiring insulating portion 608 interposed therebetween, and have a shape extending substantially in parallel.
  • the current that instantaneously flows during the switching operation of the power semiconductor element flows oppositely and in the opposite direction.
  • the AC wiring 320A and the signal wirings 324U and 324L also extend in the same direction as the DC positive wiring 315A and the DC negative wiring 319A.
  • the auxiliary mold body 600 is integrally joined by metal bonding at the module primary sealing body 302 and the connection portion 389.
  • metal bonding between the module primary sealing body 302 and the auxiliary mold body 600 in the connection portion 389 for example, TIG welding or the like can be used.
  • the auxiliary mold body side connection terminals 386 of the DC positive electrode wiring 315A, the DC negative electrode wiring 319A, the AC wiring 320A, the signal wiring 324U, and the signal wiring 324L are arranged in a line on the auxiliary mold body 600 side of the connecting portion 389.
  • the element side connection terminals 383 of the DC positive electrode wiring 315A, the DC negative electrode wiring 319A, the AC wiring 320A, the signal wiring 324U, and the signal wiring 324L are arranged in a line. Is done.
  • auxiliary mold body side connection terminal is formed in each of each wiring 319A, 320A, 324U, 324L, the same code
  • the same reference numerals are also given to the element side connection terminals.
  • FIG. 11 is a perspective view showing a state in which the module primary sealing body 302 is inserted into the module case 37.
  • the auxiliary mold body 600 passes through a hole 608 e provided in the wiring insulating portion 608 and is fixed to the module case 37 by a screw 309 attached to the screw hole 382 e of the module case 37.
  • a positioning pin 601 that can be fitted into a positioning hole 382c of the module case 37, which will be described later, is provided on the wiring insulating portion 608 so as to protrude downward.
  • connection portion 389 where the module primary sealing body 302 and the auxiliary mold body 600 are connected by metal bonding is sealed in the module case 37 by the second sealing resin 351.
  • FIG. 12 is a schematic sectional view of the module case 37
  • FIG. 13 is an exploded perspective view of the module case 37.
  • the module case 37 is a bottomed cylindrical CAN type cooler having an open top surface.
  • the module case 37 according to the present embodiment has a frame 380 and a first heat radiating plate 371 and a second heat radiating plate 372 arranged in a state of facing each other in the cold state.
  • Each of the first and second heat radiation plates 371 and 372 is manufactured by solid-phase bonding to the frame body 380 by being individually manufactured by forging, die casting, or cutting.
  • the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 are formed of a pure aluminum material having higher thermal conductivity than the frame body 380 from the viewpoint of mass productivity, weight reduction, and heat dissipation.
  • the frame body 380 is made of an aluminum alloy material having higher rigidity than the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372.
  • the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 include a rectangular fin-shaped first fin base 373 and a second fin base 374, respectively, and the first and second fin base 373. , 374 has a plurality of pin fins arranged in a staggered pattern on one surface.
  • a heat radiating fin portion 371 f in which a plurality of pin fins are erected is provided in the center of the first heat radiating plate 371.
  • a butting portion 371 b that is a joint portion with the frame body 380 is provided on the outer peripheral edge of the first heat radiating plate 371.
  • a thin fin peripheral portion 371p is provided between the butting portion 371b and the heat radiating fin portion 371f so as to surround the heat radiating fin portion 371f.
  • the center of the second heat radiating plate 372 is similarly provided with a heat radiating fin portion 372 f in which a plurality of pin fins are erected.
  • a butting portion 372 b that is a joint portion with the frame body 380 is provided on the outer peripheral edge of the second heat radiating plate 372.
  • a fin peripheral portion 372p is provided between the butting portion 372b and the heat radiating fin portion 372f so as to surround the heat radiating fin portion 372f.
  • the abutting portion 372b is formed to be thinner than the fin peripheral portion 372p as will be described later, and the outer peripheral edge of the second fin base 374 has a step shape.
  • the first heat radiating plate 371 has a thickness t1 of the fin peripheral portion 371p so as to be smaller than a thickness tf1 of the base of the heat radiating fin portion 371f (t1 ⁇ tf1), and a butting portion 371b.
  • the fin peripheral portion 372p is formed to be thinner than the wall thickness t2 (tb2 ⁇ t2).
  • the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 is greater than the thickness t2 of the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372. Is also set to be thin (t1 ⁇ t2).
  • FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the frame 380.
  • the frame 380 has a frame portion 381 and a flange portion 382, and is integrally formed by a press or the like.
  • the frame portion 381 includes a bottomed cylindrical tube portion 390 in which the module primary sealing body 302 is accommodated by joining the first and second radiator plates 371 and 372. To form.
  • the frame portion 381 includes a pair of side plates 381s1 and 381s2 (see FIG. 13), a bottom plate 381u that connects lower portions of the pair of side plates 381s1 and 381s2, and a pair of side plates.
  • a pair of upper side plates 381t1 and 381t2 (see FIG. 14) for connecting the upper portions of 381s1 and 381s2, and rectangular openings 381h1 and 381h2 are formed on a pair of wide surfaces of the bottomed tubular body as a whole. It has a different shape.
  • a step portion 382a to which the first heat radiating plate 371 is fitted is provided at the periphery of the rectangular opening 381h1 of the frame portion 381.
  • a stepped portion 382b into which the second heat radiating plate 372 is fitted is provided at the periphery of the rectangular opening 381h2 of the frame portion 381 (see FIG. 14).
  • the end surface 372b2 of the butted portion 372b and the side wall of the stepped portion 382b come into contact with each other along the contact surface (butting portion).
  • the butted portions of the second heat radiating plate 372 and the frame portion 381 are solid-phase joined, and the second heat radiating plate 372 is fixed to the frame portion 381.
  • the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 are joined so as to close the rectangular openings 381h1 and 381h2 of the frame portion 381 by friction stir welding.
  • the flange portion 382 is provided so as to protrude outward from the insertion port 306 so as to surround the insertion port 306 of the cylindrical portion 390.
  • the flange portion 382 is formed with a flow path that includes a screw hole 382 e in which a screw 309 for attaching the auxiliary mold body 600 is mounted, a positioning hole 382 c in which a positioning pin 601 is fitted, and a flange portion 382.
  • a hole 382d through which a screw (not shown) for attaching to the body 12 is inserted is provided.
  • FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the module primary sealing body 302 is inserted into the module case 37.
  • FIG. 16 is a schematic view of the module primary sealing body 302 in which first and second wide surfaces of the module case 37 are pressed from the outside. It is a cross-sectional schematic diagram which shows the state which pressure-contacted the 2nd heat sink 371,372.
  • the module primary sealing body 302 is inserted into the module case 37 with the insulating sheet 333 sandwiched therebetween.
  • the positioning pin 601 of the auxiliary mold body 600 is inserted into the positioning hole 382c of the flange portion 382, and one wide surface of the module primary sealing body 302 constitutes the inner surface of the module case 37.
  • Positioning is performed in contact with 372.
  • the auxiliary mold body 600 is mechanically fixed to the module case 37 with screws 309 (see FIGS. 6 and 11).
  • external leads such as the signal terminals 325U, 325L, and 327 can be easily attached to predetermined positions such as the driver circuit board 22.
  • the first heat radiating plate 371 is disposed to face the conductor plates 318 and 319
  • the second heat radiating plate 372 is disposed to face the conductor plates 315 and 320.
  • the second heat radiating plate 372 is in contact with the module primary sealing body 302 via the insulating sheet 333, but there is a gap between the first heat radiating plate 371 and the module primary sealing body 302.
  • the first heat radiating plate 371 is pressed from the outside toward the inside of the module case 37 in a state where a contact plate (not shown) is applied to the second heat radiating plate 372 from the outside.
  • a contact plate not shown
  • the first heat radiating plate 371 has the fin peripheral edge portion 371p that is thinner than the base of the heat radiating fin portion 371f, when the first heat radiating plate 371 is pressed, as shown in FIG. Further, the thin fin peripheral portion 371p is preferentially deformed, and the first heat radiating plate 371 constituting the inner surface of the module case 37 is pressure-bonded to the other wide surface of the module primary sealing body 302, and at the same time, the second heat radiating plate. 372 is also pressure-bonded to one wide surface of the module primary sealing body 302.
  • the second heat radiating plate 372 By pressing the first heat radiating plate 371 toward the second heat radiating plate 372, pressure is also applied to the second heat radiating plate 372 supported by the contact plate from the outside toward the inside of the module case 37. .
  • the thickness t2 of the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372 is thinner than the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 (see FIG. 12), the second heat radiating plate 372 is deformed. do not do.
  • the frame body 380 Since the frame body 380 has higher rigidity than the first and second heat radiating plates 371 and 372, it does not deform. Thus, since only the peripheral edge 371p of the first heat radiating plate 371 can be preferentially deformed when the module case 37 is pressurized, the module primary sealing body 302 and the auxiliary mold body 600 are positioned at positions. The module case 37 can be crimped to the module primary sealing body 302 via the insulating sheet 333.
  • the gap remaining inside the module case 37 is filled as shown in FIG. 7, and the inside of the module case 37 is sealed.
  • the power module 300a formed as described above is inserted from the opening 400a of the flow path forming body 12 so as to intersect the flow direction of the refrigerant, and the flange portion 382 (see FIG. 6). Is attached to the flow path forming body 12, so that the opening 400a on the upper surface side of the flow path forming body 12 is closed. Thereby, even if the module case 37 is inserted into the refrigerant flow path 19 through which the refrigerant flows, a seal against the refrigerant can be secured by the flange portion 382, so that the refrigerant is prevented from entering the module case 37.
  • the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 are arranged such that the wide surfaces are arranged along the flow direction of the refrigerant and the pin fins protrude in a direction perpendicular to the flow direction of the refrigerant.
  • the first heat radiating member 371 and the second heat radiating member 372 exchange heat with the refrigerant flowing in the refrigerant flow path 19. Heat from the power semiconductor element is transferred to the outer surface of the module case 37 including the pin fins of the first and second heat radiating plates 371 and 372 through the conductor plate and the like and is radiated to the refrigerant.
  • signal terminals 325U (154), 325L (164), and 327 (155, 165) protruding from the power module 300a are connected to a driver circuit 174, and a DC positive / negative terminal 315B (157). , 319B (158) are connected to the power supply bus bar, and the AC terminal 320B (159) is connected to the AC bus bar 802.
  • the frame 380, the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 are individually formed, and the module case 37 is formed by joining the first and second heat radiating plates 371 and 372 to the frame 380. did.
  • the surfaces of the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 constituting the inner surface of the module case 37 can be finished to a desired surface accuracy in advance.
  • the bonding surface of the insulating sheet 333 may be swelled, and there is a problem that the heat radiating surface of the conductor plate is only locally contacted via the insulating sheet 333.
  • the contact area with the conductor plate that is contacted via the insulating sheet 333 can be increased. As a result, the heat generated from the power semiconductor element can be effectively transferred to the first heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372.
  • the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p is the fin peripheral edge so that the bending rigidity of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 is lower than the bending rigidity of the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372. It is set to be thinner than the thickness t2 of the portion 372p (t1 ⁇ t2). Thereby, in the process of pressurizing the module case 37 and press-bonding the module case 37 to the module primary sealing body 302, the fin peripheral edge portion 371p of the first heat radiating plate 371 can be preferentially deformed.
  • the module primary sealing body 302 is positioned so that one wide surface of the module sealing body 302 and the second heat radiating plate 372 constituting the inner surface of the module case 37 abut, Since the second heat radiating plate 372 is not deformed, the module case 37 can be pressure-bonded to the module primary sealing body 302 without shifting the positions of the module primary sealing body 302 and the auxiliary mold body 600.
  • the signal terminals 325U, 325L, 327 and the like can be arranged at predetermined positions on the driver circuit board 22 and the like, and can be easily connected to predetermined positions.
  • both the fin peripheral portions of the first and second heat radiating plates are formed thin, the module primary sealing body 302 is arranged at the center of the module case, and external pressure is applied to the first and second heat radiating plates.
  • the position of the module primary sealing body 302 is shifted due to a difference in the deformation amount of both the first and second heat radiating plates, and the driver circuit board 22 and the signal terminals 325U, 325L, 327. It may be difficult to properly join the joint.
  • the frame 380 and the first heat radiating plate 371, and the frame 380 and the second heat radiating plate 372 are coupled by solid phase bonding. Thereby, while ensuring the sealing performance of the joint surface of the frame body 380 and the 1st heat sink 371 and the joint surface of the frame body 380 and the 2nd heat sink 372, it is 1st and 2nd heat sink 371,372. Can be firmly fixed to the frame body 380.
  • the frame body 380 and the first and second heat radiation plates 371 and 372 are individually manufactured and the three parts are combined.
  • a power module having high rigidity and a reduced number of parts can be provided.
  • the present invention is not limited to the case where the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 is set thinner than the thickness t2 of the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372.
  • the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 is set thinner than the thickness t2 of the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372.
  • the bending rigidity is differentiated by making a difference in the thickness of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 and the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372.
  • the second heat radiation plates 371 and 372 are pressurized, one of them is preferentially deformed, but the present invention is not limited to this.
  • the cross-sectional shapes of the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 and the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372 one of them may be preferentially deformed with a difference in bending rigidity.
  • the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 and the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372 may have the same thickness, and a beam as another member may be attached on one side to increase the bending rigidity.
  • Both the fin peripheral portion 371p of the first heat radiating plate 371 and the fin peripheral portion 372p of the second heat radiating plate 372 may be thickened, and a plurality of cuts may be made on one side to lower the bending rigidity.
  • one of the fin peripheral portions 371p and 372p can be preferentially deformed.
  • the heat dissipating fins are not limited to adopting pin-shaped ones, and various shapes such as flat fins can be adopted.
  • the shape and number of fins are determined from required cooling performance and pressure loss.
  • the present invention is not limited to the case where the frame 380 and the first heat radiating plate 371 and the frame 380 and the second heat radiating plate 372 are coupled by solid phase bonding.
  • the frame body 380 and the first heat radiating plate 371 and the frame body 380 and the second heat radiating plate 372 may be coupled by fusion bonding.
  • the insulating sheet 333 is a resin sheet in which ceramic particles are dispersed in an epoxy resin, but the present invention is not limited to this.
  • the insulating sheet 333 may be a ceramic sheet made of aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride or the like, which has better thermal conductivity than the resin, and may be used by applying thermal grease on both sides of the ceramic sheet.
  • the insulating sheet 333 is used, but the present invention is not limited to this. Instead of the insulating sheet 333, insulating grease, compound, or the like may be used.
  • the thickness tb1 of the butt portion 371b of the first heat radiating plate 371 is set to the same thickness as the thickness t1 of the fin peripheral portion 371p, but the present invention is not limited to this. .
  • the wall thickness tb1 of the butt portion 371b may be set larger than the wall thickness t1 of the fin peripheral edge portion 371p.
  • the first heat radiating plate 371, the second heat radiating plate 372, and the frame body 380 are individually molded and assembled, and the power module 300 a is arranged in the refrigerant flow path 19 to be the first.
  • the double-sided cooling method for cooling both the heat radiating plate 371 and the second heat radiating plate 372 is adopted, the present invention is not limited to this.
  • a single-sided cooling method in which one wide surface of the module case is disposed in the refrigerant flow path as a heat radiating surface may be adopted, and the module case may be configured by a single heat radiating plate and a frame.
  • the power conversion device is used for a power supply device for a vehicle such as another electric vehicle, for example, a railway vehicle such as a hybrid train, a shared vehicle such as a bus, a cargo vehicle such as a truck, and an industrial vehicle such as a battery-type forklift truck. You can also.
  • a vehicle such as another electric vehicle, for example, a railway vehicle such as a hybrid train, a shared vehicle such as a bus, a cargo vehicle such as a truck, and an industrial vehicle such as a battery-type forklift truck. You can also.
  • the power conversion device may be applied to a power conversion device that constitutes a power supply device other than an electric vehicle, such as an uninterruptible power supply device used in a computer system or a server system, or a power supply device used in a private power generation facility. Absent.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and other forms conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention. .

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Abstract

 パワーモジュールは、インバータ回路の上下アームを構成する複数の半導体素子と、半導体素子のそれぞれの電極面と対向して配置される複数の導体板と、半導体素子および導体板を収納するモジュールケースとを備え、モジュールケースは、導体板の面と対向する板状の金属製放熱部材と、当該放熱部材によって塞がれる開口部を有する金属製の枠体とを有し、放熱部材の中央には複数の放熱フィンが立設された放熱フィン部が設けられ、放熱部材の外周縁には枠体との接合部が設けられ、放熱部材は枠体に比べて高い熱伝導性を有し、枠体は放熱部材に比べて高い剛性を有している。

Description

パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置
 本発明は、直流電力を交流電力に、または交流電力を直流電力に変換するためのスイッチング動作を行うパワー半導体素子を有するパワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置に関する。
 近年、環境への負荷低減のため、ハイブリッド自動車や電気自動車の普及が急務である。ハイブリッド自動車や電気自動車においては、搭載される部品の小型化や低コスト化が重要視され、電力変換装置も例外ではなく、小型化や低コスト化が求められおり、その結果、発熱密度が大きくなるため冷却性能を向上させる必要がある。
 電力変換装置を構成する電子部品の中で最も発熱量が大きいものはパワーモジュールである。パワーモジュールの冷却方式として、たとえば、パワーモジュールを冷媒流路に挿入し、両面の放熱フィンを通して冷却する両面直接冷却方式が知られている(特許文献1参照)。
 特許文献1に記載のパワーモジュールは、半導体チップを導体板で挟み込み、第1および第2の放熱板のそれぞれと導体板との間に絶縁シートを介在させて真空熱圧着され、一体的構造となった放熱板に対してボトムケース、トップケースおよびサイドケースが接着剤で接着されている。
日本国特開2008-259267号公報
 しかしながら、特許文献1に記載のパワーモジュールでは、ボトムケース、トップケースおよびサイドケースが接着剤で接着される構造とされているため、強度的に問題があり、パワーモジュールを電力変換装置の筐体に機械的に固定する際の変形、および、クリープ変形、疲労破壊等の耐久性が懸念される。
 本発明の第1の態様によると、パワーモジュールは、インバータ回路の上下アームを構成する複数の半導体素子と、半導体素子のそれぞれの電極面と対向して配置される複数の導体板と、半導体素子および導体板を収納するモジュールケースとを備え、モジュールケースは、導体板の面と対向する板状の金属製放熱部材と、当該放熱部材によって塞がれる開口部を有する金属製の枠体とを有し、放熱部材の中央には複数の放熱フィンが立設された放熱フィン部が設けられ、放熱部材の外周縁には枠体との接合部が設けられ、放熱部材は枠体に比べて高い熱伝導性を有し、枠体は放熱部材に比べて高い剛性を有している。
 本発明の第2の態様によると、第1の態様のパワーモジュールにおいて、放熱部材は、相互に対向して配置される第1放熱板と第2放熱板であることが好ましい。
 本発明の第3の態様によると、第2の態様のパワーモジュールにおいて、第1放熱板および第2放熱板は、それぞれの放熱フィン部と接合部との間において放熱フィン部を囲むように設けられるフィン周縁部とを有し、第1放熱板および第2放熱板に外方からモジュールケースの内側に向かって圧力を加えたときに、第1放熱板の周縁部が優先的に変形するように、第1放熱板の周縁部の曲げ剛性は、第2放熱板の周縁部の曲げ剛性に比べて低く設定されていることが好ましい。
 本発明の第4の態様によると、第3の態様のパワーモジュールにおいて、第1放熱板のフィン周縁部の厚さは、第2放熱板のフィン周縁部の厚さに比べて薄いことが好ましい。
 本発明の第5の態様によると、第2ないし4のいずれかの態様のパワーモジュールにおいて、複数の導体板は、半導体素子の一方の電極面と金属接合材を介して接続される第1導体板と、半導体素子の他方の電極面と金属接合材を介して接続される第2導体板とを含んで構成され、半導体素子、第1導体板および第2導体板が封止材によって封止されて成るモジュール一次封止体と、モジュールケースとは絶縁部材を介して圧着され、第1および第2導体板は絶縁部材と接触するように一部が封止材から露出されていることが好ましい。
 本発明の第6の態様によると、第2ないし5のいずれかの態様のパワーモジュールにおいて、枠体と第1放熱板、ならびに、枠体と第2放熱板は、溶融接合、もしくは、固相接合により結合されることが好ましい。
 本発明の第7の態様によると、半導体素子のスイッチング動作によって電力を直流から交流に、交流から直流に変換する電力変換装置は、第2ないし6のいずれかの態様のパワーモジュールと、冷媒が流れる冷媒流路を形成する流路形成体とを備え、パワーモジュールは、第1および第2放熱板が冷媒流路内に配置されて冷媒流路内を流れる冷媒との間で熱交換を行うことで、半導体素子からの熱を冷媒に放熱する。
 本発明の第8の態様によると、第7の態様の電力変換装置において、流路形成体には冷媒流路と連通する開口部が形成され、パワーモジュールは、有底筒形状の筒部と、筒部の開口に形成されて流路形成体の開口部を塞ぐように流路形成体に固定されるフランジ部とを有し、筒部は、枠体に第1放熱板と第2放熱板とを接合することによって形成され、第1放熱板および第2放熱板のそれぞれに設けられる放熱フィンが、冷媒流路に突出するように立設されていることが好ましい。
 本発明によれば、高い剛性と高い放熱性とを両立したパワーモジュールと、それを用いた電力変換装置とを提供することができる。
ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図。 インバータ回路の電気回路の構成を説明する図。 電力変換装置の外観斜視図。 電力変換装置の分解斜視図。 図4のケースを下から見た斜視図。 パワーモジュールの斜視図。 パワーモジュールの断面模式図。 モジュール一次封止体および補助モールド体の断面模式図。 パワーモジュールの回路構成を示す回路図。 モジュールケースと絶縁シートと第1および第2封止樹脂を取り除いた導体板組みの斜視図。 モジュールケースに、モジュール一次封止体を挿入する様子を示す斜視図。 モジュールケースの断面模式図。 モジュールケースの分解斜視図。 枠体の断面模式図。 モジュールケースにモジュール一次封止体を挿入した状態を示す断面模式図。 モジュールケースを加圧してモジュール一次封止体に第1および第2放熱板を圧接させた状態を示す断面模式図。
 以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1は、ハイブリッド自動車の制御ブロックを示す図である。エンジンEGNおよびモータジェネレータMG1は車両の走行用トルクを発生する。また、モータジェネレータMG1は回転トルクを発生するだけでなく、モータジェネレータMG1に外部から加えられる機械エネルギーを電力に変換する機能を有する。
 モータジェネレータMG1は、たとえば同期機あるいは誘導機であり、上述のごとく、運転方法によりモータとしても発電機としても動作する。モータジェネレータMG1を自動車に搭載する場合には、小型で高出力を得ることが望ましく、ネオジウムなどの磁石を使用した永久磁石型の同期電動機が適している。また、永久磁石型の同期電動機は誘導電動機に比べて回転子の発熱が少なく、この観点でも自動車用として優れている。
 エンジンEGNの出力トルクは動力分配機構TSMを介してモータジェネレータMG1に伝達され、動力分配機構TSMからの回転トルクあるいはモータジェネレータMG1が発生する回転トルクは、トランスミッションTMおよびデファレンシャルギアDIFを介して車輪に伝達される。一方、回生制動の運転時には、車輪から回転トルクがモータジェネレータMG1に伝達され、供給されてきた回転トルクに基づいて交流電力を発生する。発生した交流電力は後述するように電力変換装置200により直流電力に変換され、高電圧用のバッテリ136を充電し、充電された電力は再び走行エネルギーとして使用される。
 次に半導体素子のスイッチング動作によって電力を直流から交流に、交流から直流に変換する電力変換装置200について説明する。インバータ回路140は、バッテリ136と直流コネクタ138を介して電気的に接続されており、バッテリ136とインバータ回路140との相互において電力の授受が行われる。モータジェネレータMG1をモータとして動作させる場合には、インバータ回路140は直流コネクタ138を介してバッテリ136から供給された直流電力に基づき交流電力を発生し、交流端子188を介してモータジェネレータMG1に供給する。モータジェネレータMG1とインバータ回路140からなる構成は電動発電ユニットとして動作する。
 なお、本実施形態では、バッテリ136の電力によって電動発電ユニットを電動ユニットとして作動させることにより、モータジェネレータMG1の動力のみによって車両の駆動ができる。さらに、本実施形態では、電動発電ユニットを発電ユニットとしてエンジンEGNの動力あるいは車輪からの動力によって作動させて発電させることにより、バッテリ136の充電ができる。
 電力変換装置200は、インバータ回路140に供給される直流電力を平滑化するためのコンデンサモジュール500を備えている。
 電力変換装置200は、上位の制御装置から指令を受けたりあるいは上位の制御装置に状態を表すデータを送信したりするための通信用のコネクタ21を備えている。電力変換装置200は、コネクタ21からの指令に基づいて制御回路172でモータジェネレータMG1の制御量を演算し、さらにモータとして運転するか発電機として運転するかを演算し、演算結果に基づいて制御パルスを発生し、その制御パルスをドライバ回路174へ供給する。ドライバ回路174は、供給された制御パルスに基づいて、インバータ回路140を制御するための駆動パルスを発生する。
 次に、図2を用いてインバータ回路140の電気回路の構成を説明する。なお、本実施形態では半導体素子として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを使用しており、以下略してIGBTと記す。
 上アームのIGBT328およびダイオード156と、下アームのIGBT330およびダイオード166とで、上下アームの直列回路150が構成される。インバータ回路140は、この直列回路150を、出力しようとする交流電力のU相、V相、W相の3相に対応して備えている。
 これらの3相は、この実施の形態ではモータジェネレータMG1の電機子巻線の3相の各相巻線に対応している。3相のそれぞれの上下アームの直列回路150は、直列回路の中点部分である中間電極169から交流電流を出力する。この中間電極169は、交流端子159および交流端子188を通して、モータジェネレータMG1への交流電力線である交流バスバー802と接続される。
 上アームのIGBT328のコレクタ電極153は、正極端子157を介してコンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506に電気的に接続されている。また、下アームのIGBT330のエミッタ電極は、負極端子158を介してコンデンサモジュール500の負極側のコンデンサ端子504に電気的に接続されている。
 上述のように、制御回路172は上位の制御装置からコネクタ21を介して制御指令を受け、これに基づいてインバータ回路140を構成する各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための制御信号である制御パルスを発生し、ドライバ回路174に供給する。
 ドライバ回路174は、上記制御パルスに基づき、各相の直列回路150の上アームあるいは下アームを構成するIGBT328やIGBT330を制御するための駆動パルスを各相のIGBT328やIGBT330に供給する。IGBT328やIGBT330は、ドライバ回路174からの駆動パルスに基づき、導通あるいは遮断動作を行い、バッテリ136から供給された直流電力を三相交流電力に変換し、この変換された電力はモータジェネレータMG1に供給される。
 上アームのIGBT328は、コレクタ電極153と、信号用のエミッタ電極155と、ゲート電極154とを備えている。また、下アームのIGBT330は、コレクタ電極163と、信号用のエミッタ電極165と、ゲート電極164とを備えている。上アームのダイオード156が、コレクタ電極153とエミッタ電極155との間に電気的に接続されている。また、ダイオード166が、コレクタ電極163とエミッタ電極165との間に電気的に接続されている。
 なお、スイッチング用パワー半導体素子としては金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ(以下略してMOSFETと記す)を用いてもよい、この場合はダイオード156やダイオード166は不要となる。スイッチング用パワー半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。
 コンデンサモジュール500は、正極側のコンデンサ端子506と負極側のコンデンサ端子504と正極側の電源端子509と負極側の電源端子508とを備えている。バッテリ136からの高電圧の直流電力は、直流コネクタ138を介して、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508に供給され、コンデンサモジュール500の正極側のコンデンサ端子506および負極側のコンデンサ端子504から、インバータ回路140へ供給される。
 一方、交流電力からインバータ回路140によって変換された直流電力は、正極側のコンデンサ端子506や負極側のコンデンサ端子504からコンデンサモジュール500に供給され、正極側の電源端子509や負極側の電源端子508から直流コネクタ138を介してバッテリ136に供給され、バッテリ136に蓄積される。
 制御回路172は、IGBT328およびIGBT330のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータ(以下、「マイコン」と記述する)を備えている。マイコンへの入力情報としては、モータジェネレータMG1に対して要求される目標トルク値、直列回路150からモータジェネレータMG1に供給される電流値、およびモータジェネレータMG1の回転子の磁極位置がある。
 目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ180による検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータMG1に設けられたレゾルバなどの回転磁極センサ(不図示)から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。本実施形態では、電流センサ180は3相の電流値を検出する場合を例に挙げているが、2相分の電流値を検出するようにし、演算により3相分の電流を求めてもよい。
 制御回路172内のマイコンは、目標トルク値に基づいてモータジェネレータMG1のd軸、q軸の電流指令値を演算し、この演算されたd軸、q軸の電流指令値と、検出されたd軸、q軸の電流値との差分に基づいてd軸、q軸の電圧指令値を演算し、この演算されたd軸、q軸の電圧指令値を、検出された磁極位置に基づいてU相、V相、W相の電圧指令値に変換する。そして、マイコンは、U相、V相、W相の電圧指令値に基づく基本波(正弦波)と搬送波(三角波)との比較に基づいてパルス状の変調波を生成し、この生成された変調波をPWM(パルス幅変調)信号としてドライバ回路174に出力する。
 ドライバ回路174は、下アームを駆動する場合、PWM信号を増幅したドライブ信号を、対応する下アームのIGBT330のゲート電極164に出力する。また、ドライバ回路174は、上アームを駆動する場合、PWM信号の基準電位のレベルを上アームの基準電位のレベルにシフトしてからPWM信号を増幅し、これをドライブ信号として、対応する上アームのIGBT328のゲート電極154にそれぞれ出力する。
 また、制御回路172内のマイコンは、異常検知(過電流、過電圧、過温度など)を行い、直列回路150を保護している。このため、制御回路172にはセンシング情報が入力されている。たとえば、各アームの信号用のエミッタ電極155および信号用のエミッタ電極165からは各IGBT328と各IGBT330のエミッタ電極に流れる電流の情報が、対応する駆動部(IC)に入力されている。これにより、各駆動部(IC)は過電流検知を行い、過電流が検知された場合には対応するIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させ、対応するIGBT328,IGBT330を過電流から保護する。
 直列回路150に設けられた温度センサ(不図示)からは直列回路150の温度の情報がマイコンに入力されている。また、マイコンには直列回路150の直流正極側の電圧の情報が入力されている。マイコンは、それらの情報に基づいて過温度検知および過電圧検知を行い、過温度あるいは過電圧が検知された場合には全てのIGBT328,IGBT330のスイッチング動作を停止させる。
 図3は、電力変換装置200の外観斜視図である。図4は、電力変換装置200のケース10の内部構成を説明するための図であり、電力変換装置200の分解斜視図である。電力変換装置200は、パワーモジュール300a~300cやコンデンサモジュール500が収納されるケース10、コンデンサモジュール500の上方に配置されるバスバーアッセンブリ800、バスバーアッセンブリ800の上方に配置されるドライバ回路基板22、ケース10の上方に固定される金属ベース板11、金属ベース板11に収納される制御回路基板20、金属ベース板11の上部に固定される蓋8を備えている。
 ケース10には水などの冷媒が流れる流路を形成する流路形成体12が設けられており、ケース10の下面には、流路形成体12の下側の開口を塞ぐ下カバー420が取り付けられている。このように、電力変換装置200の底部に流路形成体12を配置し、次にコンデンサモジュール500、バスバーアッセンブリ800、基板等の必要な部品を固定する作業を上から順次行えるように構成されており、生産性と信頼性が向上する。
 図5はケース10および流路形成体12を説明するための図であり、図4に示すケース10を下から見た図である。流路形成体12は、ケース10の三方の内周面に沿ったU字形状の冷媒流路19を形成している。冷媒流路19は、ケース10の長手方向の辺に沿って形成された第1流路部19a、ケース10の短手方向の辺に沿って形成された第2流路部19b、流路形成体12の長手方向の辺に沿って形成された第3流路部19cから成る。第2流路部19bは、U字形状を成す冷媒流路19の折り返し流路を形成している。
 ケース10の側面であって、第2流路部19bが形成されている側と反対側の側面には、冷媒を流入するための入口配管13と、冷媒を流出するための出口配管14とが設けられている。冷媒は、矢印で示す流れ方向417の方向に、入口配管13を通って第1流路部19a内を流れ方向418のように流れる。さらに、冷媒は、流れ方向421のように第2流路部19bを流れた後、流れ方向422のように第3流路部19cを流れ、さらに、流れ方向423のように、出口配管14を通って流出する。第1流路部19a、第2流路部19b、第3流路部19cは、いずれも幅方向より深さ方向が大きく形成されている。
 流路形成体12の下面側の開口部404は、ケース10の下面に取り付けられた下カバー420によって塞がれる。下カバー420とケース10の間には、シール部材409が設けられ気密性が保たれている。下カバー420には、冷媒流路19が配置された側と反対側の方向に向かって突出する凸部406a~406cが形成されている。凸部406a~406cは、後述する冷媒流路19内に配置されるパワーモジュール300a~300cに対応して設けられている。
 図4に示すように、流路形成体12のケース上面側にも冷媒流路19と連通する開口部400a~400cが形成されており、ケース下面側に形成された開口部404とケース上面側の開口部400a~400cとが対向するように形成されているので、アルミ鋳造により製造し易い構成になっている。流路形成体12とケース10を一体にアルミ材の鋳造で作ることにより、電力変換装置200全体の熱伝導がよくなり冷却効率が向上する。さらに、流路形成体12とケース10を一体に作ることで、機械的強度も向上する。
 図4に戻って、ケース10の長手方向に沿った流路形成体12の一方の側(図5の第1流路部19aが形成されている側)の上面には、開口部400aおよび開口部400bがケース10の側面に沿って形成され、破線で示すように、他方の側(図5の第2流路部19bが形成されている側)の上面には開口部400cが形成されている。各開口部400a~400cは、挿入されたパワーモジュール300a~300cによって塞がれる。これら両サイドの流路形成体12の間には、コンデンサモジュール500が収納される収納空間405が形成されている。このような収納空間405にコンデンサモジュール500を収納することにより、冷媒流路19内に流れる冷媒によってコンデンサモジュール500が冷やされる。コンデンサモジュール500は、図5に示した冷媒流路19(第1~第3流路部19a~19c)に囲まれるように配置されるため、効率よく冷却される。
 このように、コンデンサモジュール500の外側面に沿って冷媒流路19が形成されているので、冷媒流路19、コンデンサモジュール500およびパワーモジュール300a~300cの配置が整然と整い、全体がより小型となる。また、第1流路部19a、第3流路部19cがコンデンサモジュール500の長辺に沿って配置されており、冷媒流路19に挿入固定される各パワーモジュール300a~300cとコンデンサモジュール500との距離が略一定となる。そのため、平滑コンデンサとパワーモジュール回路との回路定数が3相の各相においてバランスし易くなり、スパイク電圧を低減し易い回路構成となる。
 コンデンサモジュール500の上方には、バスバーアッセンブリ800が配置される。バスバーアッセンブリ800は、交流バスバー802や保持部材を備えており、電流センサ180を保持している。ドライバ回路基板22は、バスバーアッセンブリ800の上方に配置される。ドライバ回路基板22と制御回路基板20の間には金属ベース板11が配置される。
 金属ベース板11は、ケース10に固定される。当該金属ベース板11は、ドライバ回路基板22および制御回路基板20に搭載される回路群の電磁シールドとして機能するとともにドライバ回路基板22と制御回路基板20とが発生する熱を逃がし、ドライバ回路基板22と制御回路基板20とを冷却する。
 キャップ18は、DCDCコンバータから延ばされる端子を接続するための作業用の窓17を塞ぐための部材である。金属ベース板11に固定される蓋8は、制御回路基板20を外部からの電磁ノイズから保護する機能を有している。
 本実施形態に係るケース10は、流路形成体12が収納された部分は略直方体の形状をなしているが、ケース10の一側面側から突出収納部10aが形成されている。当該突出収納部10aには、DCDCコンバータから延ばされる端子や、直流バスバー(不図示)や、抵抗器450が収納される。ここで抵抗器450は、コンデンサモジュール500のコンデンサ素子に蓄えられた電荷を放電するための抵抗素子である。このようにバッテリ136とコンデンサモジュール500との間の電気回路部品を突出収納部10aに集約しているため、配線の複雑化を抑制することができ、装置全体の小型化に寄与することができる。
 図6~図16を参照して、インバータ回路140に使用されるパワーモジュール300a~300cの構成を説明する。なお、上記パワーモジュール300a~300cはいずれも同じ構造であるため、代表してパワーモジュール300aの構造を説明する。図7および図8、図12、図14~図16の断面図は、図6のA-A線で切断した断面模式図(概念図)である。なお、B-B線で切断した断面模式図(概念図)でもあり、B-B線で切断した断面で示される構成要素についてはかっこ書きで符号を付している。また、A-A線およびB-B線で切断した断面には、後述する位置決めピン601や位置決め穴382cは表れないが、便宜上図示している。
 図6~図10、図15および図16において信号端子325Uは、図2に示したゲート電極154に対応し、信号端子325Lは、図2に示したゲート電極164に対応する。図6において信号端子327は信号用のエミッタ電極155,165に対応する。直流正極端子315Bは、図2に示した正極端子157と同一のものであり、直流負極端子319Bは、図2に示した負極端子158と同一のものである。また、交流端子320Bは、図2に示した交流端子159と同じものである。
 図6はパワーモジュール300aの斜視図であり、図7はパワーモジュール300aの断面模式図である。図8は、パワーモジュール300a内に収納されるモジュール一次封止体302と、モジュール一次封止体302に接続される補助モールド体600を示す断面模式図である。図9は、パワーモジュール300aの回路構成を示す回路図である。図10は、理解を助けるために、パワーモジュール300aのモジュールケース37と絶縁シート333と第1および第2封止樹脂348,351を取り除いた導体板組みの斜視図である。なお、図10において、信号配線326の図示は省略している。
 図6および図7に示すように、パワーモジュール300aは金属製のモジュールケース37を有し、このモジュールケース37内には、図2および図9に示す直列回路150を構成するパワー半導体素子(IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166)を含んで構成されるモジュール一次封止体302(図8参照)が収納されている。
 図9を参照してパワーモジュールの回路構成について説明する。図9に示すように、上アーム側のIGBT328のコレクタ電極と上アーム側のダイオード156のカソード電極は、導体板315を介して接続されている。同様に、下アーム側のIGBT330のコレクタ電極と下アーム側のダイオード166のカソード電極は、導体板320を介して接続されている。また、上アーム側のIGBT328のエミッタ電極と上アーム側のダイオード156のアノード電極は、導体板318を介して接続されている。同様に、下アーム側のIGBT330のエミッタ電極と下アーム側のダイオード166のアノード電極は、導体板319を介して接続されている。導体板318と320は中間電極329によって接続されている。こうした回路構成により上下アームの直列回路150が形成される。
 図8および図10に示すように、パワー半導体素子(IGBT328,IGBT330,ダイオード156,ダイオード166)は、板状の扁平構造であり、当該パワー半導体素子の各電極は表裏面に形成されている。
 パワー半導体素子の各電極は、それぞれの電極面に対向して配置される導体板315と導体板318、または導体板320と導体板319によって挟まれる。つまり、導体板315と導体板318は、IGBT328およびダイオード156を介して略平行に対向した積層配置となる。同様に、導体板320と導体板319は、IGBT330およびダイオード166を介して略平行に対向した積層配置となる。図10に示すように、導体板320と導体板318は中間電極329を介して接続されている。この接続により上アーム回路と下アーム回路が電気的に接続され、上下アーム直列回路が形成される。
 直流側の導体板315と交流側の導体板320は、略同一平面状に配置される。導体板315には、上アーム側のIGBT328のコレクタ電極と上アーム側のダイオード156のカソード電極が固着される。導体板320には、下アーム側のIGBT330のコレクタ電極と下アーム側のダイオード166のカソード電極が固着される。同様に、交流側の導体板318と直流側の導体板319は、略同一平面状に配置される。導体板318には、上アーム側のIGBT328のエミッタ電極と上アーム側のダイオード156のアノード電極が固着される。導体板319には、下アーム側のIGBT330のエミッタ電極と下アーム側のダイオード166のアノード電極が固着される。
 本実施の形態に係る各導体板315,318,319,320は、大電流回路用配線であり、純銅もしくは銅合金等の熱伝導率が高くて電気抵抗の低い材料からなり、厚さは0.5mm以上がよい。
 図8に示すように、各導体板315,318,319,320にはパワー半導体素子側に突出するように素子固着部が形成されている。素子固着部には各パワー半導体素子が金属接合材160を介してそれぞれ固着されている。金属接合材160は、たとえば銀シートや微細金属粒子を含んだ低温焼結接合材、あるいは、熱伝導率が高くて環境性に優れた鉛フリーはんだ等、たとえば、Sn-Cuはんだ、Sn-Ag-Cuはんだ、Sn-Ag-Cu-Biはんだ等である。
 各導体板315,318,319,320はヒートシンクの機能も兼ねるため、素子固着部の外形サイズはパワー半導体素子の外形サイズとほぼ同じか、パワー半導体素子の外形サイズよりも大きく形成することが好ましい。これにより、熱伝導経路が確保でき、放熱性の向上が期待できる。
 本実施の形態では、導体板315および導体板320の素子固着部の外形サイズは、パワー半導体素子の外形サイズよりも大きく形成され、導体板318および導体板319の素子固着部の外形サイズは、パワー半導体素子の外形サイズとほぼ同じとされるが、わずかにパワー半導体素子の外形サイズよりも小さく形成されている。これにより、導体板318,319を上側に配置し導体板315,320を下側に配置した状態で、導体板315,318,319,320をパワー半導体素子にはんだで一括接続する場合に、はんだが下側に流れ落ちることを防止できる。その結果、はんだが下側に流れ落ちることに起因する下側の導体板やはんだとの短絡を防ぐことができる。
 ドライバ回路基板22と接続するための信号配線324Uおよび信号配線324Lは、パワー半導体素子のゲート電極とワイヤボンディング、リボンボンディング等により接続されている。ワイヤやリボンにはアルミニウムを用いることが好適である。ワイヤやリボンに代えて、はんだ等を用いて信号配線324Uおよび信号配線324Lをゲート電極に接続してもよい。信号配線324Uおよび信号配線324Lは、純銅もしくは銅合金を用いることが好適である。なお、信号配線324Uおよび信号配線324Lは導体板315,320等と一体的に成形される。
 信号配線324U,324Lを接続した導体板組みをトランスファーモールド用の金型内に配置させ、金型内にエポキシ樹脂などの第1封止樹脂348を充填して成形することで、パワー半導体素子を含む導体板組みが第1封止樹脂348により封止され、モジュール一次封止体302が形成される。なお、トランスファーモールドを行う際、パワー半導体素子の両面に配置される導体板315,318,319,320の外側面は第1封止樹脂348より露出され、モジュールケース37への放熱面となる。放熱面の面積は素子固着部の外形サイズより大きくすることが好ましい。これにより、熱伝導経路が確保され、放熱性の向上が期待できる。なお、モジュールケース37の内面と対向する導体板315,318,319,320の外側面の全体を第1封止樹脂348から露出させて放熱面としてもよいし、各パワー半導体素子に対応する部分を露出させて放熱面としてもよい。
 図8に示すように、導体板315等は、その放熱面が露出した状態で第1封止樹脂348によって封止され、図7に示すように、当該放熱面に高い熱伝導性を有する絶縁シート333が熱圧着される。本実施の形態では、エポキシ樹脂にセラミック粒子を分散させた絶縁シート333を採用した。第1封止樹脂348により封止されたモジュール一次封止体302は、モジュールケース37の中に挿入され、モジュールケース37の幅広面が加圧されることで、絶縁シート333を介してモジュールケース37の内面に熱圧着される。モジュールケース37の内部に残存する空隙には、第2封止樹脂351が充填され、モジュールケース37内が封止される。モジュールケース37を加圧することで、モジュール一次封止体302をモジュールケース37に圧着するための構成や、その方法については後述する。
 上述のように導体板315等を絶縁シート333を介してモジュールケース37の内壁に熱圧着することにより、導体板315等とモジュールケース37の内壁の間の空隙を少なくすることができ、パワー半導体素子の発生熱を効率よくモジュールケース37に伝達し、モジュールケース37に立設されるピンフィンから放熱することができる。さらに絶縁シート333にある程度の厚みと柔軟性を持たせることにより、熱応力の発生を絶縁シート333で吸収することができ、温度変化の激しい車両用の電力変換装置200に使用するのに良好となる。
 次に、ドライバ回路174、コンデンサモジュール500またはモータジェネレータMG1と、モジュール一次封止体302の端子を含む各配線とに接続される各中継配線が樹脂により保持されてなる補助モールド体600について説明する。図6に示すように、モジュールケース37の外には、コンデンサモジュール500と電気的に接続するための金属製の直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aが設けられており、その先端部に直流正極端子315B(157)と直流負極端子319B(158)がそれぞれ形成されている。さらに、モジュールケース37の外には、モータジェネレータMG1に交流電力を供給するための金属製の交流配線320Aが設けられており、その先端部に交流端子320B(159)が形成されている。図9に示すように、直流正極配線315Aは導体板315と接続され、直流負極配線319Aは導体板319と接続され、交流配線320Aは導体板320と接続される。
 図6に示すように、モジュールケース37の外にはさらに、ドライバ回路174と電気的に接続するための金属製の信号配線324U,324L,326が設けられており、その先端部に信号端子325U(154)と信号端子325L(164)と信号端子327(155,165)がそれぞれ形成されている。図9に示すように、信号配線324UはIGBT328と接続され、信号配線324LはIGBT330と接続される。
 図6に示すように、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lは、樹脂材料で成形された配線絶縁部608によって相互に絶縁された状態で、補助モールド体600として一体に成形される。配線絶縁部608は、各配線を支持するための支持部材としても作用し、これに用いる樹脂材料は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂かあるいは熱可塑性樹脂が適している。本実施の形態では熱可塑性樹脂であるPPSを採用している。これにより、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lの間の絶縁性を確保でき、高密度配線が可能となる。 
 図6に示すように、直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、配線絶縁部608を間に挟んで対向した状態で互いに積層され、略平行に延びる形状を成している。こうした配置および形状とすることで、パワー半導体素子のスイッチング動作時に瞬間的に流れる電流が、対向してかつ逆方向に流れる。これにより、電流が作る磁界が互いに相殺する作用をなし、この作用により低インダクタンス化が可能となる。なお、交流配線320Aや信号配線324U,324Lも、直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aと同様の方向に向かって延びている。
 図8に示すように、補助モールド体600は、モジュール一次封止体302と接続部389において金属接合されて一体となる。接続部389におけるモジュール一次封止体302と補助モールド体600との金属接合には、たとえばTIG溶接などを用いることができる。
 接続部389の補助モールド体600側には、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lのそれぞれの補助モールド体側接続端子386が一列に並べて配置される。一方、接続部389のモジュール一次封止体302側には、直流正極配線315A、直流負極配線319A、交流配線320A、信号配線324Uおよび信号配線324Lのそれぞれの素子側接続端子383が一列に並べて配置される。なお、各配線319A,320A,324U,324Lのそれぞれに補助モールド体側接続端子が形成されるが、便宜上、同一の符号を付した。素子側接続端子についても同一の符号を付した。
 図11は、モジュールケース37に、モジュール一次封止体302を挿入する様子を示す斜視図である。図11に示すように、補助モールド体600は配線絶縁部608に設けられた孔608eを貫通し、モジュールケース37のネジ穴382eに装着されるネジ309によってモジュールケース37に固定される。配線絶縁部608には後述するモジュールケース37の位置決め穴382cに嵌合可能な位置決めピン601が下方に突出するように設けられている。
 図7に示すように、モジュール一次封止体302と補助モールド体600が金属接合により接続されている接続部389は、第2封止樹脂351によりモジュールケース37内で封止される。これにより、接続部389とモジュールケース37との間で必要な絶縁距離を安定的に確保することができるため、封止しない場合と比較してパワーモジュール300aの小型化が実現できる。
 次に、図11~図14を参照してモジュールケース37の構成について説明する。図12はモジュールケース37の断面模式図であり、図13はモジュールケース37の分解斜視図である。
 図11および図12に示すように、モジュールケース37は、上面が開口された有底筒形状のCAN型冷却器である。本実施の形態に係るモジュールケース37は、図12および図13に示すように、枠体380と、相互に対向した状態で配置される第1放熱板371および第2放熱板372とが冷間鍛造やダイキャスト、切削加工により個別に製造され、第1および第2放熱板371,372のそれぞれが枠体380に固相接合されることで形成される。本実施の形態では、量産性、軽量化および放熱性の向上の観点から、第1放熱板371および第2放熱板372は枠体380に比べて高い熱伝導性を有する純アルミニウム材料により形成され、枠体380は第1放熱板371および第2放熱板372よりも高い剛性を有するアルミニウム合金材料により形成されている。
 図12および図13に示すように、第1放熱板371および第2放熱板372は、それぞれ矩形平板状の第1フィンベース373および第2フィンベース374を備え、第1および第2フィンベース373,374の一方の面には複数のピンフィンが千鳥状に配列されている。
 図12および図13に示すように、第1放熱板371の中央には、複数のピンフィンが立設された放熱フィン部371fが設けられている。第1放熱板371の外周縁には枠体380との接合部である突合せ部371bが設けられている。突合せ部371bと放熱フィン部371fとの間には、放熱フィン部371fを囲むように薄肉のフィン周縁部371pが設けられている。
 図13には示されていないが、第2放熱板372の中央にも同様に、複数のピンフィンが立設された放熱フィン部372fが設けられている。第2放熱板372の外周縁には枠体380との接合部である突合せ部372bが設けられている。突合せ部372bと放熱フィン部372fとの間には、放熱フィン部372fを囲むようにフィン周縁部372pが設けられている。突合せ部372bは、後述するようにフィン周縁部372pよりも薄くなるように形成され、第2フィンベース374の外周縁は段差形状とされている。
 図12に示すように、第1放熱板371は、フィン周縁部371pの肉厚t1が放熱フィン部371fのベースの肉厚tf1よりも薄くなるように(t1<tf1)、かつ、突合せ部371bの肉厚tb1がフィン周縁部371pの肉厚t1と同じ厚さになるように形成されている(tb1=t1)。
 第2放熱板372は、フィン周縁部372pの肉厚t2が放熱フィン部372fのベースの肉厚tf2と同じ厚さになるように(t2=tf2)、かつ、突合せ部372bの肉厚tb2がフィン周縁部372pの肉厚t2よりも薄くなるように形成されている(tb2<t2)。
 第1放熱板371と第2放熱板372の放熱効果が同等となるように、放熱フィン部371fのベースの肉厚tf1と放熱フィン部372fのベースの肉厚tf2は同じ厚さに設定されている(tf1=tf2)。また、第1放熱板371と第2放熱板372を同等の条件で枠体380に接合できるように、第1放熱板371の突合せ部371bの肉厚tb1と第2放熱板372の突合せ部372bの肉厚tb2は同じ厚さに設定されている(tb1=tb2)。
 上記のようにt1<tf1=tf2でありt2=tf2=tf1であるから、第1放熱板371のフィン周縁部371pの厚さt1は第2放熱板372のフィン周縁部372pの厚さt2よりも薄くなるように設定されている(t1<t2)。
 図14は、枠体380の断面模式図である。図14に示すように、枠体380は、枠部381とフランジ部382とを有し、プレス等により一体的に成形されている。枠部381は、図11および図12に示すように、第1および第2放熱板371,372が接合されることでモジュール一次封止体302が収納される有底筒形状の筒部390を形成するものである。
 図13および図14に示すように、枠部381は、1対の側板381s1,381s2(図13参照)と、1対の側板381s1,381s2の下部同士を連結する底板381uと、1対の側板381s1,381s2の上部同士を連結する1対の上部側板381t1,381t2(図14参照)とを有し、全体として有底筒状体の1対の幅広面に矩形開口部381h1,381h2が形成された形状を呈している。
 枠部381の矩形開口部381h1の周縁には、第1放熱板371が嵌合される段差部382aが設けられている。同様に、枠部381の矩形開口部381h2の周縁には、第2放熱板372が嵌合される段差部382bが設けられている(図14参照)。
 図12に示すように、段差部382aに第1放熱板371の突合せ部371bが嵌合されると、突合せ部371bの端面371b1と段差部382aの側壁とが当接する。この当接面(突合せ部)に沿って、回転ツールを回転させつつ移動させると、回転ツールと金属部材間で発生する摩擦熱により、第1放熱板371と枠部381との突合せ部が加熱、軟化し、回転ツールの回転により塑性流動が引き起こされることで突合せ部同士が固相接合され、第1放熱板371が枠部381に固定される。同様に、段差部382bに第2放熱板372の突合せ部372bが嵌合されると、突合せ部372bの端面372b2と段差部382bの側壁とが当接し、この当接面(突合せ部)に沿って、回転ツールを回転させつつ移動させると第2放熱板372と枠部381との突合せ部同士が固相接合され、第2放熱板372が枠部381に固定される。このように、第1放熱板371および第2放熱板372は摩擦攪拌接合により枠部381の矩形開口部381h1,381h2を塞ぐように接合される。
 図12に示すように、フランジ部382は筒部390の挿入口306を囲むように、挿入口306から外方に突出して設けられている。図11に示すように、フランジ部382には、補助モールド体600を取り付けるためのネジ309が装着されるネジ穴382eや位置決めピン601が嵌合される位置決め穴382c、フランジ部382を流路形成体12に取り付けるためのネジ(不図示)が挿通される孔382dが設けられている。
 図15および図16を参照して、モジュール一次封止体302をモジュールケース37に収納して一体化することによりパワーモジュールを製作する方法について詳しく説明する。図15はモジュールケース37にモジュール一次封止体302を挿入した状態を示す断面模式図であり、図16はモジュールケース37の幅広面を外側から加圧してモジュール一次封止体302に第1および第2放熱板371,372を圧接させた状態を示す断面模式図である。
 図15に示すように、モジュール一次封止体302を絶縁シート333で挟んだ状態でモジュールケース37内に挿入する。挿入の際、補助モールド体600の位置決めピン601をフランジ部382の位置決め穴382cに挿入し、かつ、モジュール一次封止体302の一方の幅広面をモジュールケース37の内面を構成する第2放熱板372に当接させて位置決めを行う。その後、ネジ309(図6、図11参照)により補助モールド体600をモジュールケース37に機械的に固定する。これにより、信号端子325U,325L,327等の外部リードをドライバ回路基板22等の所定位置に容易に取り付けることができる。このとき、第1放熱板371は導体板318,319に対向して配置され、第2放熱板372は導体板315,320に対向して配置されている。第2放熱板372は絶縁シート333を介してモジュール一次封止体302と接しているが、第1放熱板371はモジュール一次封止体302との間には隙間がある。
 第2放熱板372に外側から当て板(不図示)を当てた状態で、第1放熱板371を外方からモジュールケース37の内側に向かって押圧する。第1放熱板371は、上述したように、放熱フィン部371fのベースに比べて薄肉のフィン周縁部371pを有しているため、第1放熱板371が押圧されると、図16に示すように、薄肉のフィン周縁部371pが優先的に変形して、モジュールケース37の内面を構成する第1放熱板371がモジュール一次封止体302の他方の幅広面に圧着され、同時に第2放熱板372もモジュール一次封止体302の一方の幅広面に圧着される。
 第1放熱板371を第2放熱板372側に押圧することで、当て板によって支持されている第2放熱板372にも外方からモジュールケース37の内側に向かって圧力が加えられることになる。しかしながら、第2放熱板372のフィン周縁部372pの肉厚t2は、第1放熱板371のフィン周縁部371pの肉厚t1に比べて薄いため(図12参照)、第2放熱板372は変形しない。
 枠体380は、第1および第2放熱板371,372よりも剛性が高いため変形することはない。このように、モジュールケース37を加圧したときに第1放熱板371の周縁部371pのみを優先的に変形させることができるため、モジュール一次封止体302および補助モールド体600を位置決めした位置において、モジュールケース37を絶縁シート333を介してモジュール一次封止体302に圧着できる。
 モジュールケース37内に第2封止樹脂351が充填されると、図7に示すように、モジュールケース37の内部に残存する空隙が埋まり、モジュールケース37内が封止される。
 上記のようにして形成されたパワーモジュール300aは、図4に示すように、流路形成体12の開口部400aから冷媒の流れ方向と交差するように挿入され、フランジ部382(図6参照)が流路形成体12に取り付けられることで、流路形成体12の上面側の開口部400aが塞がれる。これにより、モジュールケース37を冷媒が流れる冷媒流路19内に挿入しても、冷媒に対するシールをフランジ部382にて確保できるため、冷媒がモジュールケース37の内部に侵入することが防止される。
 第1放熱板371および第2放熱板372は、幅広面が冷媒の流れ方向に沿って配置され、ピンフィンが冷媒の流れ方向と直交する方向に突出するように配置される。第1放熱部材371および第2放熱部材372は、冷媒流路19内を流れる冷媒との間で熱交換を行う。パワー半導体素子からの熱は、導体板等を介して第1および第2放熱板371,372のピンフィンを含むモジュールケース37の外表面に伝わり冷媒に放熱される。
 図2および図6に示すように、パワーモジュール300aから突出する信号端子325U(154),325L(164),327(155,165)はドライバ回路174に接続され、直流正負極端子315B(157),319B(158)は電力供給バスバーに接続され、交流端子320B(159)は交流バスバー802に接続される。
 以上説明した本実施の形態によれば、以下のような作用効果を奏することができる。
(1)枠体380と、第1放熱板371および第2放熱板372とを個別に形成し、第1および第2放熱板371,372を枠体380に接合することでモジュールケース37を形成した。これにより、構成部品の機能に応じた材料選定が可能となり、枠体380には剛性を重視した材質を選定し、第1放熱板371および第2放熱板372には放熱性を重視した材質を選定することができる。
 その結果、高い剛性と高い放熱性とを両立したパワーモジュール300a~300cと、それを用いた電力変換装置200とを提供することができる。
(2)さらに、モジュールケース37の内面を構成する第1放熱板371および第2放熱板372の面を予め所望の面精度に仕上げることができる。モジュールケースを一体成形した従来技術では、絶縁シート333の接着面にうねりが生じることがあり、絶縁シート333を介して導体板の放熱面が局部的にしか接触されないという問題があった。しかし、本実施の形態によれば、上記のとおりモジュールケース37の内面の面精度を向上させることができるため、絶縁シート333を介して接触される導体板との接触面積を増やすことができる。その結果、パワー半導体素子から発生した熱を効果的に第1放熱板371および第2放熱板372に伝えることができる。
(3)第1放熱板371のフィン周縁部371pの曲げ剛性が、第2放熱板372のフィン周縁部372pの曲げ剛性に比べて低くなるように、フィン周縁部371pの肉厚t1がフィン周縁部372pの肉厚t2よりも薄く設定されている(t1<t2)。これにより、モジュールケース37を加圧し、モジュールケース37をモジュール一次封止体302に圧着する工程において、第1放熱板371のフィン周縁部371pを優先的に変形させることでができる。
 したがって、モジュール封止体302の一方の幅広面と、モジュールケース37の内面を構成する第2放熱板372とが当接するようにモジュール一次封止体302を位置決めしておけば、加圧時に第2放熱板372は変形しないため、モジュール一次封止体302や補助モールド体600の位置がずれることなく、モジュールケース37をモジュール一次封止体302に圧着することができる。その結果、ドライバ回路基板22等の所定位置に信号端子325U,325L,327等を配置させて、所定箇所に容易に接続することができる。
 これに対し、第1および第2放熱板のフィン周縁部の双方の肉厚を薄く形成し、モジュール一次封止体302をモジュールケースの中央に配置させ、第1および第2放熱板に外圧を加えてパワーモジュールを製作する場合には次のような問題がある。すなわち、第1および第2放熱板の双方の変形量に差が生じるなどに起因して、モジュール一次封止体302の位置がずれてしまい、ドライバ回路基板22等と信号端子325U,325L,327等との適切な接合が難しくなることがある。
(4)枠体380と第1放熱板371、ならびに、枠体380と第2放熱板372は、固相接合により結合されている。これにより、枠体380と第1放熱板371との接合面、ならびに、枠体380と第2放熱板372との接合面のシール性を確保するとともに、第1および第2放熱板371,372のそれぞれを枠体380に強固に固定することができる。
(5)本実施の形態では、枠体380と第1および第2放熱板371,372とをそれぞれ個別に製造し、3つの部品を結合することとしたため、従来技術であるボトムケース、トップケースおよび1対のサイドケースを接着剤で接着して1対の放熱板を保持する構成に比べて、高い剛性を有しかつ部品点数を削減したパワーモジュールを提供できる。
(6)本実施の形態では、一体的に形成される枠体380が高い剛性を有しているため、パワーモジュールを電力変換装置のケースに機械的に固定する際の変形、および、クリープ変形、疲労破壊等に対する十分な耐久性を確保できる。
 次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を前述の実施形態と組み合わせることも可能である。
(1)本発明は、第1放熱板371のフィン周縁部371pの肉厚t1を、第2放熱板372のフィン周縁部372pの肉厚t2に比べて薄く設定する場合に限定されない。フィン周縁部371p,372pの厚さを同じにして、第1および第2放熱板371,372を外方からモジュールケース37の内側に向かって加圧することで、フィン周縁部371p,372pの双方を変形させて、モジュールケース37をモジュール一次封止体302に圧着させてもよい。なお、上述したように、フィン周縁部371p,372pの一方を優先的に変形させることモジュール一次封止体302の位置ずれを防止できるので、フィン周縁部371p,372pの一方を優先的に変形させることが好ましい。
(2)上述した実施の形態では、第1放熱板371のフィン周縁部371pおよび第2放熱板372のフィン周縁部372pの肉厚に差をつけることによって、曲げ剛性に差をつけ、第1および第2放熱板371,372を加圧したときに、一方を優先的に変形させることとしたが、本発明はこれに限定されない。第1放熱板371のフィン周縁部371pおよび第2放熱板372のフィン周縁部372pの断面形状を異ならせることによって、曲げ剛性に差をつけて一方を優先的に変形させてもよい。第1放熱板371のフィン周縁部371pおよび第2放熱板372のフィン周縁部372pの厚みを同じにして、一方に別部材である梁をつけて曲げ剛性を高めることとしてもよい。第1放熱板371のフィン周縁部371pおよび第2放熱板372のフィン周縁部372pの肉厚を両方とも厚くして、一方に複数の切込みを入れて曲げ剛性を低くしてもよい。このように、種々の態様によってフィン周縁部371p,372pの双方の曲げ剛性に差をつけることで、フィン周縁部371p,372pの一方を優先的に変形させることができる。
(3)放熱フィンは、ピン形状のものを採用する場合に限定されることなく、平板状のフィンなど、種々の形状を採用できる。フィンの形状や個数は、要求される冷却性能や圧力損失から決定される。
(4)本発明は、枠体380と第1放熱板371、ならびに、枠体380と第2放熱板372を固相接合により結合される場合に限定されない。溶融接合によって、枠体380と第1放熱板371、ならびに、枠体380と第2放熱板372を結合してもよい。
(5)絶縁シート333の密着性を向上させるために、予め、絶縁シート333の表面に接着層を設けてもよい。
(6)上述の実施の形態では、絶縁シート333をエポキシ樹脂にセラミック粒子を分散させた樹脂シートとしたが、本発明はこれに限定されない。絶縁シート333には、樹脂よりも熱伝導性に優れる酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミックシートを採用し、セラミックシートの両面に放熱グリースを塗布して使用してもよい。
(7)上述の実施の形態では、絶縁シート333を用いたが本発明はこれに限定されない。絶縁シート333に代えて、絶縁性を有するグリース、コンパウンド等を使用してもよい。
(8)上述の実施の形態では、第1放熱板371の突合せ部371bの肉厚tb1がフィン周縁部371pの肉厚t1と同じ厚さになるようにしたが、本発明はこれに限定されない。突合せ部371bの肉厚tb1をフィン周縁部371pの肉厚t1よりも厚く設定してもよい。
(9)上述の実施の形態では、第1放熱板371と第2放熱板372と枠体380とを個別に成形し、組み付ける構成とし、パワーモジュール300aを冷媒流路19に配置して第1放熱板371および第2放熱板372の両者を冷却する両面冷却方式を採用したが、本発明はこれに限定されない。モジュールケースの一方の幅広面を放熱面として冷媒流路に配置させる片面冷却方式を採用し、モジュールケースを1枚の放熱板と枠体とから構成してもよい。
(10)電力変換装置は、他の電動車両、たとえばハイブリッド電車などの鉄道車両、バスなどの乗合自動車、トラックなどの貨物自動車、バッテリ式フォークリフトトラックなどの産業車両などの車両用電源装置に利用することもできる。
(11)電力変換装置は、コンピュータシステムやサーバシステムなどに用いられる無停電電源装置、自家用発電設備に用いられる電源装置など、電動車両以外の電源装置を構成する電力変換装置に適用しても構わない。
 本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。
 次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
 日本国特許出願2011年第128304号(2011年6月8日出願)

Claims (8)

  1.  インバータ回路の上下アームを構成する複数の半導体素子と、
     前記半導体素子のそれぞれの電極面と対向して配置される複数の導体板と、
     前記半導体素子および前記導体板を収納するモジュールケースとを備え、
     前記モジュールケースは、
     前記導体板の面と対向する板状の金属製放熱部材と、
     当該放熱部材によって塞がれる開口部を有する金属製の枠体とを有し、
     前記放熱部材の中央には複数の放熱フィンが立設された放熱フィン部が設けられ、前記放熱部材の外周縁には前記枠体との接合部が設けられ、
     前記放熱部材は前記枠体に比べて高い熱伝導性を有し、前記枠体は前記放熱部材に比べて高い剛性を有しているパワーモジュール。
  2.  請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
     前記放熱部材は、相互に対向して配置される第1放熱板と第2放熱板であるパワーモジュール。
  3.  請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、
     前記第1放熱板および第2放熱板は、それぞれの前記放熱フィン部と前記接合部との間において前記放熱フィン部を囲むように設けられるフィン周縁部とを有し、
     前記第1放熱板および第2放熱板に外方からモジュールケースの内側に向かって圧力を加えたときに、前記第1放熱板の周縁部が優先的に変形するように、前記第1放熱板の周縁部の曲げ剛性は、前記第2放熱板の周縁部の曲げ剛性に比べて低く設定されているパワーモジュール。
  4.  請求項3に記載のパワーモジュールにおいて、
     前記第1放熱板のフィン周縁部の厚さは、前記第2放熱板のフィン周縁部の厚さに比べて薄いパワーモジュール。
  5.  請求項2ないし4のいずれか1項に記載のパワーモジュールにおいて、
     前記複数の導体板は、前記半導体素子の一方の電極面と金属接合材を介して接続される第1導体板と、前記半導体素子の他方の電極面と金属接合材を介して接続される第2導体板とを含んで構成され、
     前記半導体素子、前記第1導体板および前記第2導体板が封止材によって封止されて成るモジュール一次封止体と、前記モジュールケースとは絶縁部材を介して圧着され、
     前記第1および第2導体板は前記絶縁部材と接触するように一部が前記封止材から露出されているパワーモジュール。
  6.  請求項2ないし5のいずれか1項に記載のパワーモジュールにおいて、
     前記枠体と前記第1放熱板、ならびに、前記枠体と前記第2放熱板は、溶融接合、もしくは、固相接合により結合されるパワーモジュール。
  7.  半導体素子のスイッチング動作によって電力を直流から交流に、交流から直流に変換する電力変換装置であって、
     請求項2ないし6のいずれか1項に記載のパワーモジュールと、
     冷媒が流れる冷媒流路を形成する流路形成体とを備え、
     前記パワーモジュールは、前記第1および第2放熱板が前記冷媒流路内に配置されて前記冷媒流路内を流れる冷媒との間で熱交換を行うことで、前記半導体素子からの熱を冷媒に放熱する電力変換装置。
  8.  請求項7に記載の電力変換装置において、
     前記流路形成体には前記冷媒流路と連通する開口部が形成され、
     前記パワーモジュールは、
     有底筒形状の筒部と、
     前記筒部の開口に形成されて前記流路形成体の開口部を塞ぐように前記流路形成体に固定されるフランジ部とを有し、
     前記筒部は、前記枠体に前記第1放熱板と前記第2放熱板とを接合することによって形成され、
     前記第1放熱板および第2放熱板のそれぞれに設けられる放熱フィンが、前記冷媒流路に突出するように立設されている電力変換装置。
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