WO2012144450A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2012144450A1
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insulating film
substrate
opening
film
display device
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PCT/JP2012/060239
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照彦 市村
英明 酒井
茂樹 北村
弘晃 伊藤
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements

Definitions

  • the present invention relates to a display device used for various purposes such as a mobile phone, a digital camera, a portable game machine, or a portable information terminal.
  • the display device includes a first substrate and a second substrate arranged to face each other, a liquid crystal layer provided between the substrates, a first substrate and the second substrate, and a sealing material made of an organic material. Provided (see, for example, JP 2009-128893 A).
  • a plurality of source lines and a plurality of gate lines are provided on the main surface of the second substrate so as to intersect each other.
  • a planarizing film made of an organic material is provided so as to cover the source wiring and the gate wiring.
  • a display electrode is provided on the planarizing film and in a region surrounded by a plurality of source lines and a plurality of gate lines.
  • the planarizing film is provided in a region overlapping the first substrate in the main surface of the second substrate, the second substrate in the overlapping region can be planarized, and the first substrate and the second substrate can be planarized. Can be made uniform between the first substrate and the second substrate.
  • the planarizing film is provided in a region of the main surface of the second substrate that overlaps the first substrate, the planarizing film is located in a region where the sealing material is formed on the second substrate.
  • the sealing material adheres to the planarization film on the second substrate.
  • the sealing material since the adhesiveness between the sealing material and the planarizing film made of an organic material is low, the sealing material is easily peeled off from the planarizing film, and the adhesive strength between the first substrate and the second substrate may be reduced.
  • display devices in recent years tend to have a narrower frame in addition to an increase in the size of the display screen, and since the area where the sealing material is formed is also reduced, the sealing material is peeled off due to stress due to dropping impact, twisting, etc. The danger is increasing.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress a decrease in the adhesive strength of the sealing material in the display device.
  • the display device of the present invention includes a first substrate and a second substrate that are disposed so that inner main surfaces face each other, a liquid crystal layer that is disposed between the first substrate and the second substrate, and the liquid crystal layer.
  • a sealing material disposed between the first substrate and the second substrate so as to surround the first substrate and the second substrate; and the seal on the inner main surface of the second substrate.
  • An organic insulating film having an opening in the seal forming region provided in the seal forming region where the material is formed, and continuously from the inside of the opening through the inner wall surface of the opening to the surface of the organic insulating film And an inorganic insulating film provided in contact with and covering the sealing material.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. It is a top view which shows the electrode, wiring, and thin-film transistor which were formed on the 2nd board
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. It is a figure which shows the relationship between the wiring conductor in a seal
  • FIG. 9 is a plan view showing a relationship between a wiring conductor and a first opening and a second opening of a second planarization film in the seal formation region in the display device of FIG. 8. It is sectional drawing which shows the principal part of the liquid crystal panel in the 3rd Embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the principal part of the liquid crystal panel in the 4th Embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the principal part of the liquid crystal panel in the 5th Embodiment of this invention.
  • the display device 1 includes a liquid crystal panel 2, a light source device 3 that emits light toward the liquid crystal panel 2, a first polarizing plate 4 disposed on the liquid crystal panel 2, and between the liquid crystal panel 2 and the light source device 3.
  • the 2nd polarizing plate 5 arrange
  • the electric field is generated between the signal electrode provided on one of the pair of substrates (second substrate 22) and the common electrode, and the direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer
  • the so-called lateral electric field method for controlling the above is adopted.
  • the liquid crystal panel 2 in this embodiment employ
  • a vertical electric field method may be adopted.
  • the first substrate 21 and the second substrate 22 are disposed to face each other, and a liquid crystal layer 23 is provided between the first substrate 21 and the second substrate 22, so as to surround the liquid crystal layer 23.
  • a sealing material 24 for joining the first substrate 21 and the second substrate 22 is provided.
  • the second main surface 21b and the first major surface 22a of the second substrate 22 of the first substrate 21, the sealing formation region E 24 sealing material 24 is formed, the inner region surrounded by the sealant 24 E I and the sealant It has an outer region EO located outside 24.
  • the first substrate 21 has a first main surface 21a used as a display surface when displaying an image, and a second main surface 21b located on the opposite side of the first main surface 21a.
  • the first substrate 21 is formed of a light-transmitting material such as glass or plastic.
  • a light shielding film 211 On the second main surface 21b of the first substrate 21, a light shielding film 211, a color filter 212, a first planarization film 213, and a first alignment film 214 are provided.
  • the light shielding film 211 is provided on the second main surface 21b of the first substrate 21 in a lattice shape along the outer periphery of each pixel P.
  • Examples of the material of the light shielding film 211 include a resin to which a dye or pigment having a high light shielding property (for example, black) is added, or a metal such as chromium.
  • the light shielding film 211 in the present embodiment is formed in a lattice shape on the second main surface 21b, the present invention is not limited to this.
  • the color filter 212 has a function of transmitting only a specific wavelength of visible light.
  • the plurality of color filters 212 are located on the second main surface 21 b of the first substrate 21 and are provided for each pixel P.
  • Each color filter 212 has one of red (R), green (G), and blue (B). Further, the color filter 212 is not limited to the above color, and may have a color such as yellow (Y) or white (W), for example.
  • Examples of the material of the color filter 212 include a resin to which a dye or a pigment is added.
  • the first planarization film 213 has a function of planarizing the second main surface 21b of the first substrate 21.
  • the first planarizing film 213 is provided on the light shielding film 211 and the color filter 212.
  • the first planarizing film 213 is continuously formed from the inner region E I surrounded by the sealing material 24 passes through the seal forming region E 24 to the outer region E O.
  • the first planarization film 213 is formed of an organic material, and examples of the organic material include acrylic resin, epoxy resin, and polyimide resin.
  • the film thickness of the first planarizing film 213 is set in the range of 1 ⁇ m to 5 ⁇ m, for example.
  • the first alignment film 214 has a function of controlling the alignment of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 23.
  • the first alignment film 214 is provided on the first planarizing film 213 in the inner region E I.
  • Examples of the material of the first alignment film 214 include a resin such as a polyimide resin.
  • the second substrate 22 has a first main surface 22a facing the second main surface 21b of the first substrate 21 and a second main surface 22b located on the opposite side of the first main surface 22a.
  • the second substrate 22 can be formed of the same material as the first substrate 21.
  • a gate insulating film 222 to cover the plurality of gate lines 221.
  • a first interlayer insulating film 223 is provided on the gate insulating film 222, and a plurality of source wirings 224 are provided on the first interlayer insulating film 223.
  • a second planarizing film 225 is provided on the first interlayer insulating film 223 so as to cover the source wiring 224, and a common electrode 226 is provided on the second planarizing film 225.
  • a second interlayer insulating film 227 is provided on the second planarizing film 225 so as to cover the common electrode 226, and a signal electrode 228 is provided on the second interlayer insulating film 227.
  • a second alignment film 229 is provided on the second interlayer insulating film 227 so as to cover the signal electrode 228.
  • the gate wiring 221 has a function of applying a voltage supplied from a driving IC (not shown) to the thin film transistor TFT. As shown in FIG. 3, the gate wiring 221 extends in the X direction on the first main surface 22 a of the second substrate 22. The plurality of gate wirings 221 are arranged along the Y direction.
  • the gate wiring 221 is formed of a conductive material, for example, aluminum, molybdenum, titanium, neodymium, chromium, copper, or an alloy containing these.
  • the following method can be given as a method for forming the gate wiring 221.
  • a metal material is formed as a metal film on the first main surface 22a of the second substrate 22 by sputtering, vapor deposition, or chemical vapor deposition.
  • a photosensitive resin is applied to the surface of the metal film, and a pattern having a desired shape is formed on the photosensitive resin by performing exposure processing and development processing on the applied photosensitive resin.
  • the metal film is etched with a chemical solution to make the metal film into a desired shape, and then the applied photosensitive resin is peeled off.
  • the gate wiring 221 can be formed by forming and patterning a metal material.
  • the gate insulating film 222 is provided on the first main surface 22 a so as to cover the gate wiring 221.
  • the gate insulating film 222 is formed using an insulating material such as silicon nitride or silicon oxide.
  • the gate insulating film 222 is formed on the first main surface 22a of the second substrate 22 by the above sputtering method, vapor deposition method, or chemical vapor deposition method.
  • the first interlayer insulating film 223 has a function of electrically insulating the gate wiring 221 and the source wiring 224.
  • the first interlayer insulating film 223 is provided continuously from the inner region E I a seal formation region E 24 up through the outer region E O.
  • the first interlayer insulating film 223 is formed of an insulating material, and examples thereof include inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide. In the display device 1, the first interlayer insulating film 223 is formed of silicon nitride.
  • the first interlayer insulating film 223 can be formed by the same formation method as the gate insulating film 222.
  • the source wiring 224 has a function of applying a signal voltage supplied from the driving IC to the signal electrode 228 via the thin film transistor TFT. As shown in FIG. 3, the plurality of source lines 224 extend in the Y direction. The plurality of source lines 224 are arranged on the first interlayer insulating film 223 along the X direction. The source wiring 224 may be formed using the same material as the gate wiring 221. The source wiring 224 can be formed by a method similar to that for forming the gate wiring 221.
  • the thin film transistor TFT includes a semiconductor layer such as amorphous silicon or polysilicon, a source electrode provided on the semiconductor layer and connected to the source wiring 224, and a drain electrode provided on the semiconductor layer and connected to the signal electrode 228. And have.
  • the resistance of the semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode changes according to the voltage applied to the semiconductor layer via the gate wiring 221, thereby writing or non-writing the image signal to the signal electrode 228. Is controlled.
  • the second planarization film 225 has a function of electrically insulating the source wiring 224 and the common electrode 226 and planarizing the first main surface 22 a of the second substrate 22.
  • the second planarizing film 225 is formed continuously from the inner region E I to seal forming region E 24.
  • the second planarization film 225 is formed of an organic material, for example, a resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyimide resin.
  • the film thickness of the second planarizing film 225 is set in the range of 1 ⁇ m to 5 ⁇ m, for example.
  • the thickness of the second planarization film 225 is set to be thicker than the thickness of the first planarization film 213. Since the thin film transistor TFT, the plurality of electrodes, the plurality of wirings, and the like are formed on the second main surface 22a of the second substrate 22, the flatness is likely to deteriorate. Therefore, the flatness on the second main surface 22a of the second substrate 22 can be improved by making the film thickness of the second planarizing film 225 thicker than the film thickness of the first planarizing film 213.
  • the common electrode 226 has a function of generating an electric field with the signal electrode 228 by a voltage applied from the driving IC.
  • the common electrode 226 is provided on the second planarization film 225.
  • the common electrode 226 is formed of a material having translucency and conductivity. It is formed of tin, zinc oxide or a conductive polymer.
  • the second interlayer insulating film 227 has a function of electrically insulating the signal electrode 228 and the common electrode 226 from each other.
  • the second interlayer insulating film 227 may be formed of the same material as the first interlayer insulating film 223.
  • the second interlayer insulating film 227 is made of silicon oxide.
  • the signal electrode 228 has a function of generating an electric field with the common electrode 226 by a voltage applied from the driving IC.
  • the plurality of signal electrodes 228 are provided on the second interlayer insulating film 227 and are located for each pixel P.
  • the signal electrode 228 may be formed of the same material as the common electrode 226.
  • the common electrode 226, the second interlayer insulating film 227, and the signal electrode 228 are provided in this order, but the present invention is not limited to this. That is, the common electrode 226 may be formed on the signal electrode 228 with the second interlayer insulating film 227 interposed therebetween, and the signal electrode 228, the second interlayer insulating film 227, and the common electrode 226 may be provided in this order.
  • the second alignment film 229 has a function of controlling the alignment of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 23.
  • the second alignment film 229 is provided on the second interlayer insulating film 227 so as to cover the signal electrode 228.
  • the first interlayer insulating film 223 is located on the first main surface 22a of the second substrate 22 in the seal formation region E 24, the first interlayer insulating film 223 is located.
  • a wiring conductor 25 is located on the first interlayer insulating film 223.
  • a second planarizing film 225 having a first opening 225a is located on the first interlayer insulating film 223.
  • the first inorganic insulating film 26 is located in the first opening 225 a of the second planarizing film 225.
  • the wiring conductor 25 is formed on the first interlayer insulating film 223. Wiring conductor 25 is provided so as to overlap the sealing formation region E 24 through the seal forming region E 24.
  • the wiring conductor 25 is connected to, for example, the gate wiring 221 or the source wiring 224.
  • the wiring conductor 25 may be a so-called dummy wiring conductor that is not connected to a wiring or an electrode.
  • the material of the wiring conductor 25 is formed of a conductive material such as aluminum, molybdenum, titanium, neodymium, chromium, copper, or an alloy containing these.
  • the wiring conductor 25 is formed by the same method as the gate wiring 221.
  • the second planarizing film 225 extends from the inner region E I the seal formation region E 24. Further, as shown in FIG. 5, the outer end of the second planarization film 225 is located inside the outer end of the sealing material 24. As a result, the first interlayer insulating film 223 is exposed from the second planarizing film 225 and adhered to the sealing material 24 between the outer end of the second planarizing film 225 and the outer end of the sealing material 24. Therefore, the adhesion area between the sealing material 24 and the first interlayer insulating film 223 can be increased. Accordingly, the sealing material 24 is difficult to peel off from the second substrate 22.
  • the first interlayer insulating film 223 extends from the second planarization film 225 between the outer end of the second planarization film 225 and the outer end of the sealant 24 in the entire seal formation region E 24. Exposed. Thus, the entire seal forming region E 24, the sealing member 24 is hardly peeled off from over the second substrate 22.
  • the second planarization film 225 located in the seal formation region E 24 has a first opening 225 a on the wiring conductor 25. That is, the wiring conductor 25 in the opening 225a is exposed from the second planarization film 225.
  • FIG. 6A is a plan view showing the relationship between the wiring conductor 25 and the first opening 225a of the second planarization film 225 in the side E24a of the annular seal member 24 formed in FIG.
  • FIG. 6B is a plan view showing the relationship between the wiring conductor 25 and the first opening 225a of the second planarizing film 225 at the corner E 24b of FIG.
  • the outer periphery of the first opening 225a is indicated by a thick line.
  • the first opening 225a is provided continuously along the region where the wiring conductor 25 is formed.
  • the first opening 225a is also formed along the sealing material 24.
  • the shape of the first opening 225a is not limited to the above shape.
  • the holes may be scattered on the wiring conductor 25.
  • the shape of the first opening 225a is not limited to a circular shape, and may be a polygonal shape or the like.
  • the width of the first opening 225a is set in the range of 10 ⁇ m to 200 ⁇ m, for example.
  • the first inorganic insulating film 26 is located in the first opening 225 a of the second planarizing film 225 and on the wiring conductor 25. Further, as shown in FIG. 5, the first inorganic insulating film 26 is continuously provided from the wiring conductor 25 through the inner wall surface of the first opening 225a to the surface of the second planarizing film 225. That is, the first inorganic insulating film 26 is formed over the wiring conductor 25, the inner wall surface of the first opening 225a, and the surface of the second planarization film 225.
  • the first inorganic insulating film 26 is continuously formed in the adjacent first opening 225a.
  • the adhesion area between the sealing material 24 and the first inorganic insulating film 26 can be increased, and the sealing material 24 is hardly peeled off.
  • the adhesion between the wiring conductor 25 and the second planarizing film 225 made of an organic material is low, and the second planarizing film 225 is peeled off from the wiring conductor 25. May peel from the second substrate 22 in some cases.
  • the first opening 225 a of the second planarizing film 225 is formed on the wiring conductor 25, and the first inorganic insulating film 26 is provided on the wiring conductor 25. 2
  • the adhesion area between the planarization film 225 and the wiring conductor 25 is reduced, the adhesion area between the first inorganic insulating film 26 and the wiring conductor 25 is increased, and the occurrence of peeling of the second planarization film 225 can be suppressed.
  • the first inorganic insulating film 26 is made of an inorganic material, for example, silicon nitride, silicon oxide or the like. Further, if the first inorganic insulating film 26 is formed of the same material as the second interlayer insulating film 227, the second interlayer insulating film 227 and the first inorganic insulating film 26 can be formed in the same film formation process. The manufacturing process of the display device 1 can be simplified. Here, the same main component means that the materials constituting 80% or more of the members are the same.
  • the liquid crystal layer 23 is provided between the first substrate 21 and the second substrate 22.
  • the liquid crystal layer 23 includes liquid crystal molecules such as a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, or a smectic liquid crystal.
  • the sealing material 24 has a function of bonding the first substrate 21 and the second substrate 22 together.
  • the sealing material 24 is provided in an annular shape between the first substrate 21 and the second substrate 22.
  • the sealing material 24 is formed of an organic material such as an epoxy resin.
  • the first inorganic insulating film 26 is formed on the second planarizing film 225 from the wiring conductor 25 in the first opening 225 a of the second planarizing film 225 through the inner wall surface of the first opening 225 a.
  • the first inorganic insulating film 26 is continuously provided over the surface, and the first inorganic insulating film 26 is covered and covered with the sealing material 24.
  • the bonding area between the sealing material 24 and the second planarizing film 225 is reduced, and the first inorganic insulating film 26 is provided in the first opening 225a.
  • the first inorganic insulating film 26 By extending the first inorganic insulating film 26 to the surface of the second planarizing film 225, a large bonding area between the sealing material 24 and the first inorganic insulating film 26 can be secured. This makes it difficult for the sealing material 24 to be peeled off from the second substrate 22 and improves the adhesive strength between the second substrate 22 and the sealing material 24.
  • corners E 24b of the seal formation region E 24 is a region where the sealing member 24 is bent, since the pressing stress is concentrated tends to a region of a finger, the sealing member 24 is peeled off at the corners E 24b It tends to be easy.
  • the corner portion E 24b means a portion in the seal formation region E 24 from when the linear portion starts to bend until it finishes bending.
  • the first opening 225a and the first inorganic insulating film 26 in the first opening 225a are located at the corner E 24b . Accordingly, it is possible to suppress the sealing material 24 from being peeled off at the corner E 24b of the seal formation region E 24 where stress is likely to concentrate.
  • the first opening 225a is formed, it is preferable to provide the first inorganic insulating film 26 in the first opening 225a.
  • the light source device 3 has a function of emitting light toward the liquid crystal panel 2.
  • the light source device 3 includes a light source 31 and a light guide plate 32.
  • a point light source such as an LED is employed as the light source 31, but a linear light source such as a cold cathode tube may be employed.
  • the first polarizing plate 4 has a function of selectively transmitting light in a predetermined vibration direction.
  • the first polarizing plate 4 is disposed so as to face the first main surface 21 a of the first substrate 21 of the liquid crystal panel 2.
  • the second polarizing plate 5 has a function of selectively transmitting light in a predetermined vibration direction.
  • the second polarizing plate 5 is disposed so as to face the second main surface 22 b of the second substrate 22.
  • FIGSecond Embodiment 8 and 9 are diagrams showing a main part of the display device 1A according to the second embodiment.
  • the display device 1A differs from the display device 1 in that the second planarizing film 225 has a second opening 225b in a wiring conductor non-formation region where the wiring conductor 25 is not formed.
  • the second opening 225b is formed in the wiring conductor non-forming region.
  • the display device 1 ⁇ / b> A it is formed between adjacent first openings 225 a, and the second opening 225 b is formed continuously along the adjacent wiring conductor 25.
  • the second opening 225b is located between the adjacent wiring conductors 25 in plan view.
  • the width of the second opening 225b is set in the range of 10 ⁇ m to 100 ⁇ m, for example.
  • the outer periphery of the first opening 225a is indicated by a bold line.
  • the second opening 225 b is a region whose outer periphery is indicated by a thick line and the inner side of the outer periphery is indicated by a vertical line.
  • the shape of the second opening 225b is not limited to this, and may be a discontinuous hole as in the case of the first opening 225a.
  • the second opening 225b is formed between the adjacent wiring conductors 25, but the formation position of the second opening 225b is not limited to this.
  • the width of the second opening 225b is set smaller than the width of the first opening 225a.
  • first interlayer insulating film 223 is located in the second opening 225b.
  • the first interlayer insulating film 223 located in the second opening 225b is exposed from the second planarization film 225.
  • the first interlayer insulating film 223 in the second opening 225 b is bonded to the sealing material 24.
  • the sealing material 24 is in contact with the first interlayer insulating film 223 made of an inorganic material provided at the bottom of the second opening 225b.
  • the bonding area between the sealing material 24 and the inorganic material can be increased. Therefore, the sealing material 24 is hardly peeled off from the second substrate 22, and a decrease in the adhesive strength of the sealing material 24 can be suppressed.
  • the first interlayer insulating film 223 is also used as the second inorganic insulating film, the first interlayer insulating film 223 and the second inorganic insulating film can be formed in the same film forming process, and the display device The manufacturing process of 1A can be simplified.
  • the second inorganic insulating film and the first interlayer insulating film 223 may be formed of different materials as separate members.
  • FIG. 10 is a diagram showing a display device 1B according to the third embodiment.
  • the display device 1B is different from the display device 1A in that the first opening 225a has a tapered shape with a width that decreases as the first opening 225a approaches the second main surface 22a of the second substrate 22 in a cross-sectional view.
  • the inner wall surface of the first opening 225a is close to a right angle with respect to the first main surface 22a of the second substrate 22 as in the display device 1, an inorganic material is deposited in the first opening 225a.
  • the first inorganic insulating film 26 having a sufficient film thickness cannot be formed on the inner wall surface.
  • the inner wall surface of the first opening 225a is inclined with respect to the first main surface 22a of the second substrate 22. This makes it easy to increase the thickness of the first inorganic insulating film 26 located on the inner wall surface of the first opening 225a, and it is easy to secure a bonding area between the second substrate 22 and the sealing material 24. Becomes difficult to peel off from the second substrate 22.
  • FIG. 11 is a diagram showing a display device 1C according to the fourth embodiment.
  • the display device 1C is different from the display device 1 in the following points.
  • the seal forming region E 24 the first planarizing film 213 and having a third opening 213a, the third opening 213a and is provided third inorganic insulating film 215.
  • the third opening 213a of the first planarizing film 213 is continuously formed along the sealing material 24.
  • the shape of the 3rd opening part 213a is not restricted to this, The dotted
  • the third opening 213a may be formed in a tapered shape.
  • the third inorganic insulating film 215 is continuously formed from the third opening 213a of the first planarization film 213 through the inner wall surface of the third opening 213a to the surface of the first planarization film 213. That is, the third inorganic insulating film 215 is formed from the light shielding film 211 to the inner wall surface of the third opening 213a and the surface of the first planarization film 213. In addition, the third inorganic insulating film 215 is covered with the sealing material 24 in contact therewith.
  • the third inorganic insulating film 215 is formed on the first planarization film 213 from the light shielding film 211 in the third opening 213a of the first planarization film 213 through the inner wall surface of the third opening 213a.
  • the third inorganic insulating film 215 is provided in contact with and covered with the sealing material 24 while being provided continuously over the surface.
  • the bonding area between the sealing material 24 and the first planarizing film 213 is reduced, and the third inorganic insulating film 215 is provided in the third opening 213a.
  • the third inorganic insulating film 215 By extending the third inorganic insulating film 215 to the surface of the first planarizing film 213, a large bonding area between the sealing material 24 and the third inorganic insulating film 215 can be secured. As a result, the sealing material 24 is unlikely to peel off from the first substrate 21, and the adhesive strength between the first substrate 21 and the sealing material 24 is improved.
  • the film thickness of the first planarization film 213 is set smaller than the film thickness of the second planarization film 225. Therefore, the area of the inner wall surface of the third opening 213a is smaller than the area of the inner wall surface of the first opening 225a, and the area where the third inorganic insulating film 215 is formed may be reduced.
  • the area where the third inorganic insulating film 213a is formed in the first planarization film 213 can be increased by making the width of the third opening 213a larger than the width of the first opening 225a.
  • a bonding area between the sealing material 24 and the third inorganic insulating film 215 can be secured, and the bonding strength between the first substrate 21 and the sealing material 24 is improved. Therefore, the sealing material 24 is difficult to peel off from the first substrate 21.
  • the number of third openings 213a formed is compared with the number of first openings 225a formed. You may increase it. This makes it difficult for the sealing material 24 to peel off from the first substrate 21.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a main part of the display device 1D according to the fifth embodiment.
  • the display device 1 ⁇ / b> D includes not only the region where the first conductor 225 a of the second planarization film 225 is formed but also the wiring conductor 25 is not formed. It differs in that it is also formed in the region.
  • the first inorganic insulating film 26 is formed in the second planarizing film 225 from the first opening 225a located in the wiring conductor non-forming region through the inner wall surface of the first opening 225a. It is provided continuously over the surface and is covered and covered with the sealing material 24.
  • the first opening 225a of the second planarization film 225 is formed in the wiring conductor non-formation region, and the first inorganic insulating film 26 extends from the inside of the first opening 225a to the first opening 225a. Since it is continuously provided through the inner wall surface to the surface of the second planarizing film 225 and is covered with the sealing material 24, the same effect as described in the display device 1 is obtained. .
  • the present invention is not particularly limited to the first to fifth embodiments, and various changes and improvements can be made within the scope of the present invention.
  • the first opening 225a is formed so as to penetrate the second planarization film 225, but may be formed as a recess that does not allow penetration.

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Abstract

本発明の表示装置は、内側主面同士を対向させて配置された第１基板(21)および第２基板(22)と、前記第１基板(21)および前記第２基板(22)の間に配置された液晶層と、該液晶層を取り囲むように前記第１基板(21)と前記第２基板(22)との間に配置された、前記第１基板(21)と前記第２基板(22)とを接合するシール材(24)と、前記第２基板(22)の前記内側主面上の前記シール材(24)が形成されたシール形成領域(E24)に設けられた、該シール形成領域(E24)に開口部(225a)を有する有機絶縁膜(225)と、前記開口部(225a)内から該開口部(225a)の内壁面を通って前記有機絶縁膜(225)の表面にかけて連続して設けられた、前記シール材(24)が接して覆っている無機絶縁膜(26)とを備える。

Description

表示装置
　本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機あるいは携帯型情報端末などの様々な用途に用いられる表示装置に関する。
　表示装置は、互いに対向配置させた第１基板および第２基板と、これら基板間に設けられた液晶層と、第１基板と第２基板とを接合するとともに、有機材料からなるシール材とを備える（例えば、特開２００９―１２８８９３号公報を参照）。
　また、上記第２基板の主面には、複数のソース配線および複数のゲート配線が互いに交差するように設けられている。また、このソース配線およびゲート配線を覆うように、有機材料からなる平坦化膜が設けられている。さらに、この平坦化膜上であって、複数のソース配線および複数のゲート配線に囲まれた領域には、表示電極が設けられている。
　この平坦化膜は、第２基板の主面のうち第１基板に重なる領域に設けられているので、この重なる領域における第２基板上を平坦化させることができ、第１基板と第２基板とを貼り合わせた際に第１基板と第２基板との間隔を均一化させることができる。
　一方、平坦化膜が第２基板の主面のうち第１基板と重なる領域に設けられていることで、第２基板におけるシール材が形成される領域には平坦化膜が位置し、シール材によって第１基板と第２基板とを貼り合わせると、シール材は第２基板上の平坦化膜に接着することとなる。
　しかしながら、シール材と有機材料からなる平坦化膜との接着性は低いため、シール材は平坦化膜から剥がれ易く、第１基板と第２基板との接着強度が低下する可能性があった。また、近年の表示装置は表示画面の大型化に加えて狭額縁化する傾向があり、シール材が形成される領域も小さくなっているので、落下の衝撃、捻りなどによるストレスによってシール材が剥がれる危険性は高まっている。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置におけるシール材の接着強度の低下を抑制することである。
　本発明の表示装置は、内側主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、該液晶層を取り囲むように前記第１基板と前記第２基板との間に配置された、前記第１基板と前記第２基板とを接合するシール材と、前記第２基板の前記内側主面上の前記シール材が形成されたシール形成領域に設けられた、該シール形成領域に開口部を有する有機絶縁膜と、前記開口部内から該開口部の内壁面を通って前記有機絶縁膜の表面にかけて連続して設けられた、前記シール材が接して覆っている無機絶縁膜とを備える。
本発明の第１の実施形態における表示装置を示す平面図である。 図１のＩ－Ｉ線に沿った断面図である。 一画素において、第２基板上に形成された電極、配線、薄膜トランジスタを示す平面図である。 一画素における液晶パネルを示す断面図である。 図１のII－II線に沿った断面図である。 シール形成領域における配線導体と第２平坦化膜の第１開口部との関係を示す図であって、（ａ）は図１の辺部を示す平面図であり、（ｂ）は図１の角部を示す平面図である。 シール形成領域における第２平坦化膜の第１開口部の変形例を示す平面図である。 本発明の第２の実施形態における液晶パネルの要部を示す断面図である。 図８の表示装置において、シール形成領域における配線導体と第２平坦化膜の第１開口部および第２開口部との関係を示す平面図である。 本発明の第３の実施形態における液晶パネルの要部を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態における液晶パネルの要部を示す断面図である。 本発明の第５の実施形態における液晶パネルの要部を示す断面図である。
　［第１の実施形態］
　本発明の第１の実施形態における表示装置１について、図１～図７を参照しながら説明する。
　表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
　本実施形態における液晶パネル２は、一対の基板のうち一方の基板（第２基板22）に設けられた信号電極と、共通電極との間で電界を発生させて液晶層中の液晶分子の方向を制御する、いわゆる横電界方式を採用している。なお、本実施形態における液晶パネル２は横電界方式を採用しているが、これに限定されるものではなく、いかなる方式であってもよい。例えば縦電界方式を採用してもよい。
　液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。第１基板21の第２主面21ｂおよび第２基板22の第１主面22ａは、シール材24が形成されたシール形成領域Ｅ24、シール材24によって囲まれた内側領域ＥＩおよびシール材24の外側に位置する外側領域ＥＯを有している。
　第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどの透光性を有する材料によって形成される。
　第１基板21の第２主面21ｂ上には、遮光膜211、カラーフィルタ212、第１平坦化膜213および第１配向膜214が設けられている。
　遮光膜211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に各画素Ｐの外周に沿って格子状に設けられている。遮光膜211の材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料あるいは顔料が添加された樹脂、またはクロムなどの金属が挙げられる。なお、本実施形態における遮光膜211は第２主面21ｂ上に格子状に形成されているが、これには限られない。
　カラーフィルタ212は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ212は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、各画素Ｐごとに設けられている。各カラーフィルタ212は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれかの色を有している。また、カラーフィルタ212は、上記の色に限られず、例えば、黄色（Ｙ）、白（Ｗ）などの色を有してもよい。カラーフィルタ212の材料としては、例えば染料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。
　第１平坦化膜213は、第１基板21の第２主面21ｂ上を平坦化させる機能を有する。第１平坦化膜213は、遮光膜211およびカラーフィルタ212上に設けられている。第１平坦化膜213は、シール材24によって囲まれた内側領域ＥＩからシール形成領域Ｅ24を通過し外側領域ＥＯまで連続的に形成されている。第１平坦化膜213は、有機材料によって形成され、有機材料としてはアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。第１平坦化膜213の膜厚は例えば１μｍ～５μｍの範囲で設定されている。
　第１配向膜214は液晶層23の液晶分子の配向を制御する機能を有する。第１配向膜214は内側領域ＥＩにおける第１平坦化膜213上に設けられている。第１配向膜214の材料はポリイミド樹脂などの樹脂が挙げられる。
　第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
　まず、図３および図４を参照にして内側領域ＥＩにおける第２基板22および第２基板22上に形成された各部材について説明する。
　内側領域ＥＩにおける第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221が設けられており、この複数のゲート配線221を覆うようにゲート絶縁膜222が設けられている。このゲート絶縁膜222上には第１層間絶縁膜223が設けられており、第１層間絶縁膜223上には複数のソース配線224が設けられている。また、第１層間絶縁膜223上にはソース配線224を覆うように第２平坦化膜225が設けられており、この第２平坦化膜225上には共通電極226が設けられている。また、この共通電極226を覆うように第２平坦化膜225上に第２層間絶縁膜227が設けられており、第２層間絶縁膜227上には信号電極228が設けられている。そして、信号電極228を覆うように第２層間絶縁膜227上に第２配向膜229が設けられている。
　ゲート配線221は、駆動ＩＣ（不図示）から供給される電圧を薄膜トランジスタＴＦＴに印加する機能を有する。図３に示すように、ゲート配線221は、第２基板22の第１主面22ａ上にＸ方向に延在している。また、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
　ゲート配線221の形成方法としては以下の方法が挙げられる。
　まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、金属材料を第２基板22の第１主面22ａ上に金属膜として形成する。この金属膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、金属膜を薬液でエッチングして、金属膜を所望の形状にし、その後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、金属材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
　ゲート絶縁膜222は、ゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜222は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜222は、上記のスパッタリング法、蒸着法、または化学気相成長法によって第２基板22の第１主面22ａ上に形成される。
　第１層間絶縁膜223は、ゲート配線221とソース配線224とを電気的に絶縁する機能を有する。また、第１層間絶縁膜223は内側領域ＥＩからシール形成領域Ｅ24を通り外側領域ＥＯまで連続して設けられている。第１層間絶縁膜223は、絶縁性を有する材料によって形成され、例えば、窒化珪素、酸化珪素などの無機材料が挙げられる。なお、表示装置１では、第１層間絶縁膜223は、窒化珪素によって形成されている。また、第１層間絶縁膜223はゲート絶縁膜222と同様の形成方法で形成できる。
　ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタＴＦＴを介して信号電極228に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース線224は、第１層間絶縁膜223上にＸ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の形成方法によって形成できる。
　薄膜トランジスタＴＦＴは、アモルファスシリコンまたはポリシリコンなどの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともにソース配線224に接続されたソース電極と、半導体層上に設けられるとともに信号電極228に接続されるドレイン電極とを有する。この薄膜トランジスタＴＦＴでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化し、これによって信号電極228への画像信号の書き込みもしくは非書き込みが制御される。
　第２平坦化膜225は、ソース配線224と共通電極226とを電気的に絶縁するとともに、第２基板22の第１主面22ａ上を平坦化させる機能を有する。第２平坦化膜225は内側領域ＥＩからシール形成領域Ｅ24まで連続して形成されている。第２平坦化膜225は、有機材料によって形成され、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などの樹脂で形成される。なお、第２平坦化膜225の膜厚は例えば１μｍ～５μｍの範囲で設定されている。
　また、表示装置１では、第２平坦化膜225の膜厚は第１平坦化膜213の膜厚に比べて厚く設定されている。第２基板22の第２主面22ａ上には薄膜トランジスタＴＦＴ、複数の電極および複数の配線などが形成されているので、平坦性が低下しやすい。そのため、第２平坦化膜225の膜厚は第１平坦化膜213の膜厚に比べて厚くすることで、第２基板22の第２主面22ａ上の平坦性を向上させることができる。
　共通電極226は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極226は、第２平坦化膜225上に設けられている。
　共通電極226は、透光性および導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Ａntimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Ａl-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
　第２層間絶縁膜227は、信号電極228と共通電極226とを電気的に絶縁する機能を有する。第２層間絶縁膜227は第１層間絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。なお、表示装置１では、第２層間絶縁膜227は酸化珪素によって形成されている。
　信号電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極226との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極228は第２層間絶縁膜227上に設けられており、画素Ｐごとに位置している。信号電極228は共通電極226と同様の材料で形成してもよい。
　なお、本実施形態では、共通電極226、第２層間絶縁膜227、信号電極228の順に設けているが、これに限られない。すなわち、信号電極228上に第２層間絶縁膜227を介在させて共通電極226を形成させて、信号電極228、第２層間絶縁膜227、共通電極226の順に設けてもよい。
　第２配向膜229は、液晶層23の液晶分子の配向を制御する機能を有する。第２配向膜229は信号電極228を覆うように第２層間絶縁膜227上に設けられている。
　次に、図５、図６および図７を参照しながら、シール形成領域Ｅ24における第２基板22および第２基板22上に形成された各部材について説明する。
　シール形成領域Ｅ24における第２基板22の第１主面22ａ上には、第１層間絶縁膜223が位置している。この第１層間絶縁膜223上には配線導体25が位置している。また、第１層間絶縁膜223上には第１開口部225ａを有する第２平坦化膜225が位置している。また、第２平坦化膜225の第１開口部225ａ内には第１無機絶縁膜26が位置している。
　配線導体25は第１層間絶縁膜223上に形成されている。配線導体25はシール形成領域Ｅ24を通過してシール形成領域Ｅ24に重なるように設けられている。配線導体25は、例えばゲート配線221またはソース配線224などに接続されている。なお、配線導体25は配線または電極に接続されていない、いわゆるダミーの配線導体であってもよい。配線導体25の材料は、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金などの導電性材料によって形成される。また、配線導体25は、ゲート配線221と同様の方法で形成される。
　第２平坦化膜225は内側領域ＥＩからシール形成領域Ｅ24に延在している。また、図５に示すように、第２平坦化膜225の外側端は、シール材24の外側端よりも内側に位置している。これによって、第２平坦化膜225の外側端とシール材24の外側端との間で、第１層間絶縁膜223が第２平坦化膜225から露出しシール材24に接着することになる。よって、シール材24と第１層間絶縁膜223との接着面積を増加させることができる。したがって、シール材24が第２基板22上から剥がれにくくなる。
　また、表示装置１では、シール形成領域Ｅ24全体において、第２平坦化膜225の外側端とシール材24の外側端との間で、第１層間絶縁膜223が第２平坦化膜225から露出している。これによって、シール形成領域Ｅ24全体において、シール材24が第２基板22上から剥がれにくくなる。
　また、シール形成領域Ｅ24に位置する第２平坦化膜225は、配線導体25上に第１開口部225ａを有している。すなわち、この開口部225ａにおける配線導体25は第２平坦化膜225から露出している。
　図６（ａ）は、図１の環状に形成されたシール材24の辺部Ｅ24ａにおける配線導体25と第２平坦化膜225の第１開口部225ａとの関係を示す平面図である。また、図６（ｂ）は、図１の角部Ｅ24ｂにおける配線導体25と第２平坦化膜225の第１開口部225ａとの関係を示す平面図である。なお、図６において第１開口部225ａの外周は太線で示されている。
　図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、第１開口部225ａは配線導体25の形成領域に沿って連続して設けられている。また、第１開口部225ａはシール材24にも沿って形成されている。なお、第１開口部225ａの形状は上記形状には限られない。例えば、図７に示すように、配線導体25上に点在する孔状であってもよい。なお、第１開口部225ａの形状は、円形状には限られず、多角形状などであってもよい。なお、第１開口部225ａの幅は例えば10μｍ～200μｍの範囲で設定されている。
　第１無機絶縁膜26は、第２平坦化膜225の第１開口部225ａ内であって、配線導体25上に位置している。また、図５に示すように、第１無機絶縁膜26は、配線導体25上から第１開口部225ａの内壁面を通り第２平坦化膜225の表面にかけて連続して設けられている。すなわち、第１無機絶縁膜26は、配線導体25、第１開口部225ａの内壁面および第２平坦化膜225の表面にわたり形成されている。
　また、図５に示すように、第１無機絶縁膜26は、隣り合う第１開口部225ａにおいても連続して形成されている。これによって、シール材24と第１無機絶縁膜26との接着面積を増加させることができ、シール材24が剥がれにくくなる。
　ここで、配線導体25と有機材料からなる第２平坦化膜225とは密着性が低く、第２平坦化膜225が配線導体25から剥がれ、この剥がれが起点になって第２平坦化膜225が第２基板22から剥がれる場合がある。これに対して、表示装置１では、第２平坦化膜225の第１開口部225ａを配線導体25上に形成し、この配線導体25上に第１無機絶縁膜26を設けているので、第２平坦化膜225と配線導体25との接着面積が減少し第１無機絶縁膜26と配線導体25との接着面積が増加し、第２平坦化膜225の剥がれの発生を抑制できる。
　第１無機絶縁膜26は無機材料によって形成され、例えば、窒化珪素、酸化珪素などによって形成される。また、第１無機絶縁膜26を第２層間絶縁膜227と主成分が同じ材料で形成すると、第２層間絶縁膜227と第１無機絶縁膜26とを同一の成膜工程で形成できるので、表示装置１の製造工程を簡略化できる。ここで、主成分が同じとは、部材の80％以上を構成する材料が同じであることを意味する。
　液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶、コレステリック液晶、またはスメクティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
　シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、第１基板21と第２基板22との間に環状に設けられている。このシール材24は、エポキシ樹脂などの有機材料によって形成される。
　表示装置１では、第１無機絶縁膜26が、第２平坦化膜225の第１開口部225ａ内の配線導体25上から第１開口部225ａの内壁面を通って第２平坦化膜225の表面にかけて連続して設けられているとともに、この第１無機絶縁膜26がシール材24によって接して覆われている。
　第２平坦化膜225に第１開口部225ａを設けることで、シール材24と第２平坦化膜225との接着面積を減少させ、第１開口部225ａに第１無機絶縁膜26を設けるとともにこの第１無機絶縁膜26を第２平坦化膜225の表面まで延在させることで、シール材24と第１無機絶縁膜26との接着面積を大きく確保できる。これによって、シール材24が第２基板22上から剥がれにくくなり、第２基板22とシール材24との接着強度が向上する。
　また、シール形成領域Ｅ24の角部Ｅ24ｂはシール材24が屈曲する領域であり、指などの押圧に対して応力が集中しやすい領域であるので、角部Ｅ24ｂにおいてシール材24が剥がれやすい傾向にある。ここで、角部Ｅ24ｂとは、シール形成領域Ｅ24において、直線状の部分が曲がり始めてから曲がり終わるまでの部分を意味する。
　これに対して、表示装置１では、第１開口部225ａおよびこの第１開口部225ａ内の第１無機絶縁膜26が角部Ｅ24ｂに位置している。これによって、応力の集中しやすいシール形成領域Ｅ24の角部Ｅ24ｂにおいて、シール材24が剥がれることを抑制できる。なお、シール形成領域Ｅ24の４つの角部において、第１開口部225ａを形成し、この第１開口部225ａ内の第１無機絶縁膜26を設けることが好ましい。
　光源装置３は、液晶パネル２に向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31と、導光板32とを有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
　第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
　第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
　［第２の実施形態］
　図８および図９は、第２の実施形態における表示装置１Ａの要部を示す図である。
　表示装置１Ａは、表示装置１に比べて、第２平坦化膜225が配線導体25の形成されていない配線導体非形成領域に第２開口部225ｂを有している点で異なる。
　図８および図９に示すように、第２開口部225ｂは、配線導体非形成領域に形成されている。表示装置１Ａでは、隣り合う第１開口部225ａとの間に形成されており、第２開口部225ｂは隣接する配線導体25に沿って連続して形成されている。
　また、第２開口部225ｂは平面視して隣り合う配線導体25間に位置している。なお、第２開口部225ｂの幅は例えば10μｍ～100μｍの範囲で設定されている。また、図９では、第１開口部225ａの外周は太線で示されている。また、図９では、第２開口部225ｂはその外周が太線であり、外周の内側が縦線で示されている領域である。また、第２開口部225ｂの形状はこれに限定されるものではなく、第１開口部225ａの場合と同様に不連続な孔状であってもよい。また、本実施形態における第２開口部225ｂは隣り合う配線導体25間に形成されているが、第２開口部225ｂの形成位置はこれに限定されない。　第２開口部225ｂの幅は第１開口部225ａの幅に比べて小さく設定されている。第２開口部225ｂを小さくすることで、隣り合う配線導体25をより近接した状態で配置できる。これによって、複数の配線導体25の形成領域を小さくでき、液晶パネル２の狭額縁化が図れる。
　また、第２開口部225ｂ内には第１層間絶縁膜223が位置している。第２開口部225ｂ内に位置している第１層間絶縁膜223は、第２平坦化膜225から露出している。また、第２開口部225ｂ内の第１層間絶縁膜223はシール材24に接着している。
　表示装置１Ａでは、シール材24が第２開口部225ｂの底に設けられた無機材料からなる第１層間絶縁膜223に接している。第２開口部225ｂを設けるとともに、シール材24を第２開口部225ｂ内の第１層間絶縁膜223に接触させることで、シール材24と無機材料との接着面積を増加させることができる。したがって、シール材24が第２基板22から剥がれにくくなり、シール材24の接着強度の低下を抑制できる。
　また、表示装置１Ａでは、第１層間絶縁膜223が第２無機絶縁膜として兼用されているので、第１層間絶縁膜223と第２無機絶縁膜とを同じ成膜工程で形成でき、表示装置１Ａの製造工程を簡略化できる。
　なお、第２無機絶縁膜と第１層間絶縁膜223とを異なる材料で別部材として形成してもよい。
　［第３の実施形態］
　図10は、第３の実施形態における表示装置１Ｂを示す図である。
　表示装置１Ｂは、表示装置１Ａと比べて、第１開口部225ａが、断面視して第２基板22の第２主面22ａに近づくにつれてその幅が小さくなるテーパー状である点が異なる。
　表示装置１のように、第１開口部225ａの内壁面が第２基板22の第１主面22ａに対して直角に近いと、無機材料を第１開口部225ａ内に成膜する際に、内壁面に十分な膜厚の第１無機絶縁膜26を形成できない場合がある。
　これに対して、表示装置１Ｂでは、第１開口部225ａがテーパー状であるので、第１開口部225ａの内壁面は第２基板22の第１主面22ａに対して傾斜している。これによって、第１開口部225ａの内壁面上に位置する第１無機絶縁膜26の厚みを厚くしやすくなり、第２基板22とシール材24との接着面積が確保されやすくなり、シール材24が第２基板22から剥がれにくくなる。
　［第４の実施形態］
　図11は、第４の実施形態における表示装置１Ｃを示す図である。
　表示装置１Ｃは表示装置１と比べて次の点が異なる。表示装置１Ｃでは、シール形成領域Ｅ24において、第１平坦化膜213が第３開口部213ａを有するとともに、第３開口部213ａ内には第３無機絶縁膜215が設けられている。
　第１平坦化膜213の第３開口部213ａはシール材24に沿って連続的に形成されている。なお、第３開口部213ａの形状はこれに限られず、点在する孔状であってもよい。また、第３の実施形態のように、第３開口部213ａをテーパー状に形成してもよい。
　第３無機絶縁膜215は、第１平坦化膜213の第３開口部213ａから第３開口部213ａの内壁面を通り第１平坦化膜213の表面まで連続して形成されている。すなわち、第３無機絶縁膜215は、遮光膜211上から第３開口部213ａの内壁面および第１平坦化膜213の表面にわたり形成されている。また、この第３無機絶縁膜215がシール材24によって接触して覆われている。
　表示装置１Ｃでは、第３無機絶縁膜215が、第１平坦化膜213の第３開口部213ａ内の遮光膜211上から第３開口部213ａの内壁面を通って第１平坦化膜213の表面にかけて連続して設けられているとともに、この第３無機絶縁膜215がシール材24によって接触して覆われている。
　第１平坦化膜213に第３開口部213ａを設けることで、シール材24と第１平坦化膜213との接着面積を減少させ、第３開口部213ａに第３無機絶縁膜215を設けるとともにこの第３無機絶縁膜215を第１平坦化膜213の表面まで延在させることで、シール材24と第３無機絶縁膜215との接着面積を大きく確保できる。これによって、シール材24が第１基板21から剥がれにくくなり、第１基板21とシール材24との接着強度が向上する。
　また、表示装置１Ｃでは、表示装置１と同様に、第１平坦化膜213の膜厚は第２平坦化膜225の膜厚に比べて小さく設定されている。そのため、第３開口部213ａの内壁面の面積は第１開口部225ａの内壁面の面積に比べて小さくなり、第３無機絶縁膜215の形成される面積が小さくなる可能性がある。
　これに対して、第３開口部213ａの幅を第１開口部225ａの幅に比べて大きくすることで、第１平坦化膜213において第３無機絶縁膜213ａが形成される面積を大きくできる。これによって、シール材24と第３無機絶縁膜215との接着面積を確保でき、第１基板21とシール材24との接着強度が向上する。したがって、シール材24が第１基板21上から剥がれにくくなる。
　また、第３開口部213ａの幅を第１開口部225ａの幅に比べて大きくすることに代えて、または加えて、第３開口部213ａの形成数を第１開口部225ａの形成数に比べて多くしてもよい。これによって、シール材24が第１基板21上から剥がれにくくなる。
　［第５の実施形態］
　図12は、第５の実施形態における表示装置１Ｄの要部を示す図である。
　表示装置１Ｄは、表示装置１に比べて、第２平坦化膜225の第１開口部225ａが、配線導体25の形成された領域だけでなく、配線導体25の形成されていない配線導体非形成領域にも形成されている点で異なる。
　また、図12に示すように、第１無機絶縁膜26は、配線導体非形成領域に位置する第１開口部225ａ内から第１開口部225ａの内壁面を通って第２平坦化膜225の表面にかけて連続して設けられているとともに、シール材24によって接触して覆われている。
　表示装置１Ｄでは、第２平坦化膜225の第１開口部225ａが、配線導体非形成領域に形成されており、第１無機絶縁膜26がこの第１開口部225ａ内から第１開口部225ａの内壁面を通って第２平坦化膜225の表面にかけて連続して設けられているとともに、シール材24によって接触して覆われているので、表示装置１で説明した効果と同様な効果を奏する。
　本発明は上記第１～第５の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
　なお、上記第１～第５の実施形態では、第１開口部225ａは第２平坦化膜225を貫通させて形成されているが、貫通させない凹部として形成してもよい。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ　表示装置
　２　液晶パネル
　ＥI　内側領域
　Ｐ　画素
　ＥＯ　外側領域
　Ｅ24　シール形成領域
　Ｅ24ａ　辺部
　Ｅ24ｂ　角部
　21　第１基板
　21ａ　第１主面（外側主面）
　21ｂ　第２主面　（内側主面）
　211　遮光膜
　212　カラーフィルタ
　213　第１平坦化膜（第２有機絶縁膜）
　213ａ　第３開口部
　214　第１配向膜
　215　第３無機絶縁膜
　22　第２基板
　22ａ　第１主面（内側主面）
　22ｂ　第２主面（外側主面）
　221　ゲート配線
　222　ゲート絶縁膜
　223　第１層間絶縁膜（第２無機絶縁膜）
　224　ソース配線
　225　第２平坦化膜（有機絶縁膜）
　225ａ　第１開口部（開口部）
　225ｂ　第２開口部
　226　共通電極（第１表示電極）
　227　第２層間絶縁膜
　228　信号電極（第２表示電極）
　229　第２配向膜
　23　液晶層
　24　シール材
　25　配線導体
　26　第１無機絶縁膜（無機絶縁膜）
　３　光源装置
　31　光源
　32　導光板
　４　第１偏光板
　５　第２偏光板

Claims (7)

  1. 　内側主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、
    前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、
    該液晶層を取り囲むように前記第１基板と前記第２基板との間に配置された、前記第１基板と前記第２基板とを接合するシール材と、
    前記第２基板の前記内側主面上の前記シール材が形成されたシール形成領域に設けられた、該シール形成領域に開口部を有する有機絶縁膜と、
    前記開口部内から該開口部の内壁面を通って前記有機絶縁膜の表面にかけて連続して設けられた、前記シール材が接して覆っている無機絶縁膜とを備える表示装置。
  2. 　前記第２基板の前記内側主面上に前記シール形成領域に重なって配線導体が設けられているとともに、前記有機絶縁膜の前記開口部が前記配線導体上に位置して該配線導体まで達しており、
    前記無機絶縁膜は、前記開口部内の前記配線導体上から該開口部の内壁面を通って前記有機絶縁膜の表面にかけて連続して設けられている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記有機絶縁膜は複数の前記開口部を有しており、
    隣り合う該開口部において前記無機絶縁膜が連続している請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　前記シール形成領域は角部を有しており、
    前記開口部は、前記シール形成領域の前記角部に位置している請求項１～３のいずれかに記載の表示装置。
  5. 　前記有機絶縁膜は前記シール材によって囲まれた内側領域から前記シール形成領域にかけて連続して設けられており、
    前記内側領域における前記有機絶縁膜上に設けられた第１表示電極と、
    該第１表示電極を覆うように前記有機絶縁膜上に設けられた、前記無機絶縁膜と主成分が同じである層間絶縁膜と、
    該層間絶縁膜上に設けられた、前記第１表示電極との間で電界を生じさせる第２表示電極とをさらに備える請求項１～４のいずれかに記載の表示装置。
  6. 　前記シール形成領域に位置する前記有機絶縁膜は、前記配線導体が形成されていない配線導体非形成領域に第２開口部を有しており、
    該第２開口部の底に設けられた、上面に前記シール材が接している第２無機絶縁膜をさらに備える請求項１～５のいずれかに記載の表示装置。
  7. 　前記第１基板の前記内側主面上の前記シール材が形成されたシール形成領域に設けられた、該シール形成領域に第３開口部を有する第２の有機絶縁膜と、
    前記第３の開口部内から該第３開口部の内壁面を通って前記第２有機絶縁膜の表面にかけて連続して設けられた、前記シール材が接して覆っている第３無機絶縁膜とをさらに備える請求項１～６のいずれかに記載の表示装置。
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