WO2011061779A1 - 放熱機器及び放熱機器の製造方法 - Google Patents

放熱機器及び放熱機器の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011061779A1
WO2011061779A1 PCT/JP2009/006141 JP2009006141W WO2011061779A1 WO 2011061779 A1 WO2011061779 A1 WO 2011061779A1 JP 2009006141 W JP2009006141 W JP 2009006141W WO 2011061779 A1 WO2011061779 A1 WO 2011061779A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
fin
protrusion
groove
radiating
heat
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/006141
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
芳原弘行
後藤正喜
木村享
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to EP09851406.0A priority Critical patent/EP2503593B1/en
Priority to US13/510,162 priority patent/US9134076B2/en
Priority to JP2011541722A priority patent/JP5418601B2/ja
Priority to CN200980162488.5A priority patent/CN102668066B/zh
Priority to PCT/JP2009/006141 priority patent/WO2011061779A1/ja
Priority to TW099100062A priority patent/TWI434020B/zh
Publication of WO2011061779A1 publication Critical patent/WO2011061779A1/ja

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28FDETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
    • F28F3/00Plate-like or laminated elements; Assemblies of plate-like or laminated elements
    • F28F3/02Elements or assemblies thereof with means for increasing heat-transfer area, e.g. with fins, with recesses, with corrugations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23PMETAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P11/00Connecting or disconnecting metal parts or objects by metal-working techniques not otherwise provided for 
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4878Mechanical treatment, e.g. deforming
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4871Bases, plates or heatsinks
    • H01L21/4882Assembly of heatsink parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23PMETAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P2700/00Indexing scheme relating to the articles being treated, e.g. manufactured, repaired, assembled, connected or other operations covered in the subgroups
    • B23P2700/10Heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/4935Heat exchanger or boiler making

Definitions

  • the present invention relates to a heat radiating device for cooling a heat generating element used in various devices including a power conversion device, and more particularly to a heat radiating device sealed with a resin and a method for manufacturing the heat radiating device.
  • a heat sink has been widely used as a heat radiating device for cooling a heat generating element.
  • This heat sink is roughly classified into one in which the heat radiation fin and the heat radiation fin support base are integrated by die casting or extrusion, and one in which the heat radiation fin and the heat radiation fin support base are individually combined.
  • the heat radiation fin and the heat radiation fin support base are individually combined.
  • restrictions on the mold strength required for extrusion molding and die casting can be relaxed, and the fin pitch between adjacent radiation fins is reduced.
  • the heat radiation fin length can be increased. Therefore, compared with the former, it is effective for reducing the installation area of the semiconductor device and reducing the cost by reducing the size of the heating element.
  • a caulking method may be mentioned as a method of fitting the heat radiation fin and the heat radiation fin support base in a combination of the heat radiation fin and the heat radiation fin support base.
  • a plurality of grooves parallel to the planar shape of the radiating fin support base are made in advance, the side edges of the radiating fins are fitted into the grooves from above, and the gaps between the plurality of grooves.
  • a heat dissipating device is disclosed in which a groove fitting a side edge portion of the heat dissipating fin is pressed and narrowed by pressing the tip of a caulking tool against another plurality of formed grooves.
  • the groove of the radiating fin support base is formed in a tapered shape that expands from the opening toward the bottom, and the radiating fin is grooved by forming rounds on both sides of the groove bottom.
  • a technique is disclosed in which, when crimping, the heat dissipating fins are deformed into an expanding taper shape along the groove shape and are pressure-bonded to the groove.
  • JP 2001-102786 A page 3, FIG. 8
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2002-299864 page 4, FIGS. 1 and 6)
  • the caulking tool needs to widen two grooves, the groove for the radiating fin and the groove for the caulking tool. Become.
  • a press device with a large frame and motor is required to increase the press load, so that the equipment for caulking the radiating fin to the radiating fin support base becomes large, and the equipment cost becomes expensive. There was a problem.
  • This invention is made in view of the above-mentioned subject, and expands a contact area by eliminating a crevice between a side of a radiation fin and a radiation fin support base, and between a radiation fin and a radiation fin support base It is possible to provide a heat dissipation device and a method of manufacturing a heat dissipation device that can reduce the heat resistance of the heat sink, increase the heat dissipation effect, and reduce the press load when the heat dissipation fin is caulked to the heat dissipation fin support base.
  • the heat dissipating device includes a plurality of heat dissipating fins, a heat dissipating fin support base having a heat generating element mounted on one surface and a plurality of parallel fin grooves formed on the other surface, and at least one fin fin. And a protrusion having a predetermined height exposed from the bottom surface of the groove. Then, the upper part of the protrusion presses one side surface of the radiating fin, so that the other side surface of the radiating fin is pressed against the side surface of the fin groove, and the radiating fin is located between the upper part of the protrusion and the side surface of the fin groove. It is fixed.
  • the protrusion is tilted toward the heat dissipating fin and the one surface of the heat dissipating fin is pressed, so that the other surface of the heat dissipating fin is the fin groove.
  • the gap between the side surface of the heat radiating fin and the fin groove can be eliminated by being pressed against the side surface.
  • a large contact area between the radiating fin and the fin groove can be ensured, so that the thermal resistance between the radiating fin and the radiating fin support base is reduced, and the radiating effect can be enhanced.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 in the semiconductor device using the heat dissipation device of the present invention. It is a front view of the heat radiating device in Embodiment 1 of this invention. It is a perspective view of the radiation fin support base
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 3A according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 3A according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 8A in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 8A according to the second embodiment of the present invention. It is a figure which shows the process of widening the front-end
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 3A according to the third embodiment of the present invention. It is sectional drawing between BB of FIG. 8A in Embodiment 4 of this invention. It is a figure which shows a part of front view of the thermal radiation apparatus in Embodiment 4 of this invention. It is a perspective view of the semiconductor device using the heat dissipation equipment of this invention. It is a top view of the semiconductor device using the heat radiating device of this invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 18 in the semiconductor device using the heat dissipation device of the present invention.
  • This embodiment relates to a heat dissipating device for efficiently dissipating heat generated from, for example, a heat generating element used in a power converter.
  • the heating element include a diode in a converter unit that converts alternating current into direct current in a power conversion device, a bipolar transistor in an inverter unit that converts direct current into alternating current, an IGBT, a MOSFET, or a GTO as a switching element.
  • the present invention is not limited to the embodiments.
  • FIG. 1 is a top view of a semiconductor device using a heat dissipation device showing this embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • a lead frame 7 is joined to one surface of the radiating fin support base 1 via an insulating resin sheet 10, and the lead frame 7 and the radiating fin support base 1 are electrically insulated.
  • the lead frame 7 is soldered to the heating element 9 by a metal wire.
  • the lead frame 7, the radiation fin support base 1, and the radiation fin 4 are formed of members having high thermal conductivity such as copper and aluminum in order to efficiently dissipate the heat generating element 9.
  • the mold resin 6 covers the heating element 9, the lead frame 7 and the metal wire 8, and electrically insulates the above members from the outside of the semiconductor device.
  • the insulating resin sheet 10 is mixed with an epoxy resin and a filler such as silicon or boron nitride particles.
  • the linear expansion coefficient of the insulating resin sheet 10 is preferably smaller than the linear thermal expansion coefficient of the radiating fin support base 1.
  • a plurality of parallel fin grooves 2 are formed on the other surface of the radiation fin support base 1, and the radiation fins 4 are mounted in the fin grooves 2.
  • FIG. 3 shows a front view of the heat dissipating device in the first embodiment.
  • 3A is a view showing a state in which one radiating fin 4 is attached to one fin groove 2 in a plurality of parallel fin grooves 2 formed on the radiating fin support base 1. It is. Further, the first protrusion 3 having a predetermined height is exposed from the bottom surface of the fin groove 2.
  • the height of the first protrusion 3 is configured to be lower than the upper end portion of the fin groove 2. For this reason, even if the heat radiation fin 4 is inclined with respect to the height direction of the fin groove 2, it can be inserted without interfering with the fin groove 2 or the first protrusion 3. The heat radiation fin 4 can be easily inserted.
  • FIG. 3B shows a state in which the first protrusion 3 is tilted toward the heat dissipating fin 4 by pressing, and the heat dissipating fin 4 is crimped between the upper portion of the first protrusion 3 and the side surface of the fin groove 2.
  • FIG. FIG. 4 is a perspective view of the radiating fin support base 1, the fin groove 2, and the first protrusion 3.
  • the fin groove 2 is formed in a rectangular parallelepiped shape.
  • a protrusion 3 is formed in a rectangular parallelepiped shape from the bottom of the fin groove 2.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 3 (a)
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 3 (a).
  • the length in the longitudinal direction of the first protrusion 3 and the length in the longitudinal direction of the fin groove 2 are the same as the length in the groove longitudinal direction of the radiation fin support base 1. It is.
  • the heat dissipation device in the first embodiment it is desirable to manufacture by the following steps. That is, first, a process of simultaneously forming a plurality of parallel fin grooves 2 on one surface of the radiating fin support base 1 and first protrusions 3 in each fin groove 2 by die casting or extrusion molding is performed. Next, a step of attaching one heat radiating fin 4 to one fin groove 2 is performed.
  • the press blade 5 is inserted between the side surface of the fin groove 2 on the side where the radiating fins 4 are not mounted and the first protrusion 3, and the press blade 5 is weighted by a press machine, thereby
  • the protrusion 3 is tilted toward the heat dissipating fin 4 and the upper portion of the first protrusion 3 is pressed against one side surface of the heat dissipating fin 4 to caulk the heat dissipating fin. It fixes between the upper part of protrusion 3 of this.
  • FIG. 7 is a diagram showing a step of tilting the first protrusion 3 using the press blade 5 among the above steps.
  • the shape of the tip portion of the press blade 5 is such that the width of the press blade 5 toward the tip portion as shown in FIG. 7 in order to facilitate insertion between the first protrusion 3 and the fin groove 2. It is desirable to make it narrower. Moreover, in order to make the press blade 5 difficult to break and to increase the press blade angle, it is desirable to partially flatten the tip of the press blade 5. From the above, it is desirable that the shape of the press blade 5 is a trapezoid so that the width of the press blade 5 becomes narrower toward the tip.
  • a press blade 5 (or a caulking jig) is inserted between the side surface of the fin groove 2 on the side where the radiating fins 4 are not mounted and the first protrusion 3. Then, the first protrusion 3 is tilted toward the radiation fin 4 side. Specifically, as shown in FIG. 7B, a press blade 5 is inserted between the side surface of the fin groove 2 on the side where the radiating fin 4 is not mounted and the first protrusion 3. Press with a press.
  • a metal having high plasticity such as copper or aluminum is used as the material of the first protrusion 3
  • the first protrusion 3 is deformed by the press by the press machine and follows the shape of the tip of the press blade 5.
  • the upper portion of the first protrusion 3 is in a state of biting into the side surface of the radiating fin 4 while maintaining the uprightness of the radiating fin 4.
  • the shape of the tip of the press blade 5 and the stroke amount of the press blade are determined in advance so that the indentation 13 is formed on the side surface.
  • the tilting amount of the first protrusion 3 can be easily managed by the stroke amount of the press blade 5.
  • it can be easily determined whether the pressing process has been performed normally.
  • the press load applied to the press blade 5 widens the component force in the direction in which the press blade 5 travels and the vertical direction, that is, between the first protrusion 3 and the fin groove 2. It becomes the sum of the component force with the direction.
  • the first protrusion 3 is It is generally known that, for example, the tip of the first protrusion 3 is deformed toward the radiating fin 4 side, that is, buckled, without tilting from the interface with the radiating fin support base 1. When the first protrusion 3 is buckled and deformed, the amount of widening between the fin groove 2 and the first protrusion 3 is reduced, and there is a concern that the radiating fin 4 cannot be normally crimped.
  • the shape of the first protrusion 3 can be made trapezoidal so that its width increases from the top to the bottom.
  • the first protrusion 3. Can be prevented from buckling.
  • a widening amount between the fin groove 2 and the first protrusion 3 can be secured, and the radiating fin 4 can be normally crimped.
  • the press blade 5 (or caulking jig) is provided between the side surface of the fin groove 2 on the side where the heat dissipating fins 4 are not mounted and the first protrusion 3.
  • the heat dissipating fin 4 is caulked between the upper part of the first protrusion 3 and the side surface of the fin groove 2.
  • FIG. 8 shows a front view of the heat dissipating device in the second embodiment.
  • symbol is attached
  • the difference from the first embodiment is the point that two radiating fins are attached to one fin groove and the shape of the protrusion.
  • FIG. 8A is a view showing a state in which two radiating fins 4 are attached to one fin groove 2 in a plurality of parallel fin grooves 2 formed in the radiating fin support base 1. . Further, a bifurcated second protrusion 11 having a predetermined height is exposed from the bottom surface of the substantially central portion of the fin groove 2. Here, the point that the height of the second protrusion 11 is configured to be lower than the upper end of the fin groove 2 is the same as in the first embodiment.
  • FIG. 8B shows that the concave portion of the tip portion formed in the forked shape of the second protrusion 11 is widened by pressing so that the heat radiating fin 4 is placed on the upper portion of the second protrusion 11 and the side surface of the fin groove 2.
  • FIG. 9 is a perspective view of the second protrusion 11.
  • FIG. 9 shows a state in which each of the tip portions formed at the fork of the second protrusion 11 is trapezoidal so that the width increases from the top to the bottom of the second protrusion 11. .
  • the respective shapes of the tip portions formed at the two branches of the second protrusion 11 may be rectangular.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 8 (a)
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 8 (a).
  • the same components as those in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. From these figures, in the second embodiment, the length of each of the second protrusion 11 and the fin groove 2 in the groove longitudinal direction is the same as the length of the radiating fin support base 1 in the groove longitudinal direction.
  • the heat dissipation device in the second embodiment it is desirable to manufacture by the steps shown below. That is, a process of first forming a plurality of parallel fin grooves 2 on one surface of the radiating fin support base 1 and simultaneously forming a second protrusion 11 in each fin groove 2 so as to form a tip end portion in a bifurcated shape. Go through.
  • the heat radiating fin support base 1, the fin grooves 2, and the second protrusions 11 are all formed by die casting or extrusion as in the first embodiment.
  • a process of attaching two heat dissipating fins to one fin groove 2 is performed.
  • the press blade 5 is inserted into the concave portion of the tip portion of the second protrusion 11 formed in a bifurcated shape, and the press blade 5 is weighted by a pressing machine, so that the tip portion of the second protrusion 11 is widened.
  • the heat radiating fin 4 is fixed between the side surface of the fin groove 2 and the upper portion of the second protrusion 11.
  • FIG. 12 is a diagram showing a step of widening the forked portion of the second protrusion 11 using the press blade 5 among the steps described above.
  • symbol is attached
  • the press blade 5 (or caulking jig) is inserted into the concave portion of the tip portion of the second protrusion 11 formed in the forked shape. Thereafter, a further load is applied to the press blade 5, and the press blade 5 is advanced until it abuts against the bottom of the tip portion of the second protrusion 11 formed in the forked shape.
  • the second protrusion 11 is deformed and shown in FIG. 12 (b).
  • the tip of the second protrusion 11 is widened according to the shape of the tip of the press blade 5.
  • one upper portion of the second protrusion 11 formed in a bifurcated shape presses the radiating fin 4 against the side surface of the fin groove 2, so that the radiating fin 4 is connected to the upper portion of the first protrusion 3 and the fin groove 2. Caulked between the sides.
  • the tip of the press blade 5 comes into contact with the bottom of the tip of the second protrusion 11 formed in a bifurcated shape and stops, as shown in FIG.
  • the shape of the tip of the press blade 5 is such that the upper part of the second protrusion 11 is in a state of being bitten into the side surface of the heat radiating fin 4 while maintaining the uprightness of the heat radiating fin 4 and the dent 13 is formed on the side surface of the heat radiating fin 4.
  • the stroke amount of the press blade is determined in advance. This makes it possible to easily manage the widening amount of the tip portion of the second protrusion 11 formed in the forked shape by the stroke amount of the press blade 5. Furthermore, by visually observing the side surface of the radiating fin 4, it can be easily determined whether the pressing process has been performed normally.
  • the press blade 5 (or caulking jig) is inserted into the concave portion of the tip portion of the second protrusion 11 formed in the forked shape, and the tip portion of the second protrusion 11 is inserted. Is widened, so that one upper portion of the second protrusion 11 formed in a bifurcated shape presses the radiating fin 4 against the side surface of the fin groove 2, so that the radiating fin 4 and the upper portion of the first protrusion 3 are A mounting structure of the heat radiation fin that is caulked between the side surfaces of the fin groove 2 and has good adhesion between the heat radiation fin 4 and the side surface of the fin groove 2 can be obtained. As a result, a large contact area between the radiating fins 4 and the fin grooves 2 can be secured, so that the thermal resistance between the radiating fins and the radiating fin support base is reduced, and the heat radiating effect can be enhanced.
  • the concave portion at the tip of the second protrusion 11 formed in a bifurcated shape is used. It is only necessary to caulk one place with the press blade 4 (or caulking jig). As a result, the number of press blades used in the manufacturing process of the heat dissipation device can be reduced as compared with the prior art, thereby reducing the load required at the time of pressing, and the press device can be downsized. .
  • the second protrusion 11 having a bifurcated tip is used, but the first protrusion 3 used in the first embodiment is replaced with a fin instead of the above.
  • Two of the grooves 3 may be arranged at substantially the center of the groove 3 to be realized.
  • Embodiment 3 In the first embodiment and the second embodiment, the length in the groove longitudinal direction of each of the first protrusion 3, the second protrusion 11, and the fin groove 2 is the same as the length in the groove longitudinal direction of the radiating fin support base 1. And each was a series.
  • the first protrusion 3 and the fin groove 2 in the first embodiment are each divided into a plurality of pieces in the groove longitudinal direction, and the divided first protrusion 3 and fin groove 2 have the same length. Now they are arranged in pairs.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 3 (a)
  • FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 3 (a).
  • the same components as those in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the first protrusion 3 and the fin groove 2 are each divided into two in the groove longitudinal direction, and the divided first protrusion 3 and fin groove 2 have the same length. Are arranged in pairs.
  • Embodiment 3 when the first protrusion 3 and the fin groove 2 are formed by die casting, the dividing surface of the first protrusion 3 and the fin groove 2 is the first protrusion 3 and the fin groove 2. 2 is formed using a mold. On the other hand, when the 1st protrusion 3 and the fin groove 2 are formed by extrusion molding, it forms by cutting a division surface after shaping
  • the contact surface between the radiation fin 4 and the side surface of the fin groove 2 due to the difference in linear expansion of the fin groove 2, the first protrusion 3 and the radiation fin 4, and Stress is applied to each of the contact surfaces between the radiating fins 4 and the upper portions of the first protrusions 3.
  • the absolute value of the expansion / contraction amount increases, and thus the stress increases.
  • the fin groove 2, the first protrusion 3 or the radiation fin 4 is deformed, and the contact surface between the radiation fin 4 and the side surface of the fin groove 2 and the contact surface between the radiation fin 4 and the upper portion of the first protrusion 3.
  • the contact area is reduced.
  • the thermal resistance between the radiating fins 4 and the fin grooves 2 increases, and there is a concern that the radiating effect deteriorates.
  • the third embodiment by dividing the fin groove 2 and the first protrusion 3 in two in the groove longitudinal direction, the length of each fin groove and protrusion is shortened. As a result, the amount of expansion and contraction can be reduced, and the absolute value of the stress can be reduced. As described above, even in an environment where the ambient temperature is extremely low, a large contact area is ensured on the contact surface between the radiation fin 4 and the side surface of the fin groove 2 and the contact surface between the radiation fin 4 and the upper portion of the first protrusion 3. Therefore, it is possible to prevent an increase in thermal resistance between the radiating fins 4 and the fin grooves 2 in the above environment.
  • the load required when the first protrusion 3 is pressed as described above is reduced, so that the press load can be further reduced.
  • the fin groove 2 and the first protrusion 3 are each divided into two in the groove longitudinal direction, so that the fin groove 2 and the first protrusion 3 can be used even in an environment where the ambient temperature is extremely low.
  • the amount of expansion and contraction of each of the protrusions 3 can be reduced, and a large contact area can be ensured on the contact surface between the radiating fin 4 and the side surface of the fin groove 2 and the contact surface between the radiating fin 4 and the upper portion of the first protrusion 3. Therefore, it is possible to prevent an increase in thermal resistance between the radiating fins 4 and the fin grooves 2 in the above environment.
  • each of the fin groove 2 and the first protrusion 3 is divided into two pieces in the groove longitudinal direction.
  • each of the fin groove 2 and the first protrusion 3 is divided into, for example, three pieces in the groove longitudinal direction. It is also possible to change the height.
  • each of the fin grooves 2 is divided into three in the groove longitudinal direction, and the second protrusions 11 are formed at both ends of the radiating fin support base 1 in the divided fin grooves 2. It is arranged in pairs with the same length as the arranged fin grooves.
  • the fins 2 in which the third protrusions 12 are divided are arranged in pairs with the same length as the fin grooves 2 arranged in the center of the heat radiation fin support base 1. Further, the height of the third protrusion 12 is higher than that of the second protrusion 11. As a result, as shown in FIG. 16, the radiating fin 4 is fixed by projections having different heights, that is, the second projection 11 and the third projection 12.
  • the radiating fin support base 1 is warped or has dimensional variations, Due to misalignment or the like, the amount of widening of the recess formed at the tip of the second protrusion 11 changes. For example, when the amount of widening at the tip of the second protrusion 11 is large, the radiating fin 4 tends to be deformed in a dogleg shape toward the second protrusion 11 with the upper part of the second protrusion 11 as a base point.
  • the three fin grooves 2 have the same height, but the height of the second protrusions 11 disposed at both ends of the radiating fin support base 1 is higher than that of the radiating fin support base 1.
  • the height of the third protrusion 12 disposed in the center is increased.
  • the 2nd protrusion 11 and the 3rd protrusion 12 are crimping the radiation fin 4 in the position where the height direction of a radiation fin differs, respectively. Therefore, the stress applied to the contact surface between the radiating fin 4 and the protrusion is dispersed on the contact surface between the upper part of the second protrusion 11 and the upper part of the third protrusion 12, and the radiating fin 4 is deformed into a dogleg shape. Can be prevented.
  • the radiating fin 4 when the radiating fin 4 is inserted between the second protrusion 11 and the third protrusion 12 and the fin groove 2, the radiating fin 4 is interposed between the high third protrusion 12 and the fin groove 2. After being inserted, it is inserted between the second projection 11 having a low height and the fin groove 2. That is, the radiating fin 4 is inserted between the second protrusion 11 and the fin groove 2 in a state where rattling is suppressed between the third protrusion 12 and the fin groove 2. As a result, the radiating fin 4 can be easily inserted between the second protrusion 11 and the third protrusion 12 and the fin groove 2.
  • the radiating fin 4 when the radiating fin 4 is long, when the radiating fin 4 is inserted between the second protrusion 11 and the third protrusion 12 and the fin groove 2, the radiating fin 4 tilts to the both ends of the radiating fin support base. It becomes difficult to insert into a certain second protrusion 11.
  • the heat radiation fin 4 since the above-described third protrusion 12 having a high height can prevent the above-described heat radiation fin 4 from being inclined, the heat radiation fin 4 can be easily attached to the second protrusion 11 and the first protrusion. It can be inserted between the three protrusions 12 and the fin groove 2.
  • the heat dissipation device After the heat dissipation fin 4 is inserted between the second protrusion 11 and the third protrusion 12 and the fin groove 2, the heat dissipation device is transported to the place where the press device is installed. . At this time, since the height of the third protrusion 12 is high, it is possible to suppress the inclination and the collapse of the radiating fin 4 during the conveyance.
  • each of the fin grooves 2 is divided into three in the groove longitudinal direction, and the second protrusion 11 having a low height is the heat dissipation fin support base in the divided fin grooves 2.
  • a pair of fin grooves arranged at both ends of the same length as the fin grooves.
  • the fin grooves 2 are arranged in pairs with the same length as the fin grooves 2 disposed in the center of the heat radiation fin support base 1. As a result, the radiation fin 4 can be more reliably fixed between the second protrusion 11 and the third protrusion 12 and the fin groove 2.
  • FIG. 17 is a perspective view of the semiconductor device
  • FIG. 18 is a top view of the semiconductor device.
  • FIG. 19 shows a cross-sectional view taken along the line DD in FIG.
  • symbol is attached
  • the radiating fin support base 1 and the radiating fins 4 whose sides and bottom are covered with the mold resin 6 are individualized.
  • the fin length of the radiating fin 4 can be made longer than the length of the radiating fin 4 of the mold resin 6 in the longitudinal direction, and the fin pitch between adjacent radiating fins can be narrowed, thereby reducing the installation area of the semiconductor device. can do.
  • the heat radiation effect can be expanded.
  • an element having a small absolute maximum rating of the junction temperature can be selected as the heating element 9, and accordingly, the heating element can be reduced in size and cost.
  • the side surface and the bottom surface of the radiating fin support base 1 are covered with the mold resin 6. Since the radiating fin support base 1 is formed by die casting or extrusion as described above, the radiating fin support base 1 may be in a state accompanied by warpage or undulation. In addition, the radiating fin support base 1 may expand and further deform due to changes in the ambient temperature. For the above reasons, the force that presses the radiating fins 4 against the side surfaces of the fin grooves 2 is reduced, and the heat resistance between the radiating fins 4 and the fin grooves 2 is increased, resulting in poor heat dissipation. Is concerned.
  • the side surface and bottom surface of the radiating fin support base 1 can be constrained, and the expansion and deformation of the radiating fin support base 1 are suppressed. be able to. As a result, it can prevent that the force which presses the radiation fin 4 to the fin groove 2 falls, and the said heat dissipation can be prevented from deteriorating.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

複数の放熱フィン(4)と、一面に発熱素子(9)が実装され、他面には複数の平行なフィン溝(2)が形成された放熱フィン支持基盤(1)と、上記フィン溝(2)には、少なくとも一個の放熱フィン(4)が装着され、かつ溝の底面から露出した所定の高さの突起(3)を有し、上記突起(3)の上部が放熱フィン(4)の一側面を押し付けることにより、上記放熱フィン(4)の他側面が上記フィン溝(2)の側面に押圧され、上記放熱フィン(4)が上記突起(3)の上部とフィン溝(2)の側面との間に固定されることを特徴とする。

Description

放熱機器及び放熱機器の製造方法
 この発明は、電力変換装置をはじめとする各種装置に使用される、発熱素子を冷却する放熱機器のうち、特に樹脂により封止される放熱機器及び放熱機器の製造方法に関するものである。
 従来より、発熱素子を冷却する放熱機器としては、ヒートシンクが広く一般に用いられている。このヒートシンクは、ダイキャスト成形や押出成形で放熱フィンと放熱フィン支持基盤とを一体化したものと、放熱フィンと放熱フィン支持基盤を個別化して組み合わせたものに大別される。後者は、放熱フィンと放熱フィン支持基盤を個別化することで、押出成形やダイキャスト成形で必要な金型の強度に対する制約などを緩和することができ、隣接放熱フィン間のフィンピッチを狭くしたり放熱フィン長を長くすることができる。そのため、前者に比べて半導体装置の設置面積の小型化や、発熱素子を小型化することによる低コスト化に有効である。
 また、放熱フィンと放熱フィン支持基盤を個別化して組み合わせたものにおける、放熱フィンと放熱フィン支持基盤を勘合する方法としてカシメ工法が挙げられる。これに関して例えば特許文献1には、放熱フィン支持基盤の平面状に平行な複数の溝を予め作っておき、上記溝に放熱フィンの側縁部を上方から勘合し、上記複数の溝の間に形成した別の複数の溝にカシメ工具の先端を押し当てることによって、上記放熱フィンの側縁部を勘合した溝が押し狭められる放熱機器が開示されている。
 また、特許文献2には、放熱フィン支持基盤の溝をその開口部から底部に向かって拡開するテーパ状に形成し、溝底部の両側にアールを付けて形成することにより、放熱フィンを溝にカシメる際に、放熱フィンが溝形状に沿った拡開テーパ状に変形し、溝に圧接固着される技術が開示されている。
特開2001-102786号公報(第3頁、図8) 特開2002-299864号公報(第4頁、図1、図6)
 しかしながら上述の特許文献1に示されている技術では、放熱フィン支持基盤の溝の底部は、プレス刃に沿って拡開方向に変形するため、放熱フィンは溝開口部とは接しやすいが、溝底部とは接しにくくなる。その結果、放熱フィンと溝の間に隙間が発生しやすくなるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が大きくなり、放熱効果が低下する、という課題があった。
 さらに、放熱フィン1枚を放熱フィン支持基盤に勘合するために、カシメ工具が、放熱フィン用の溝とカシメ工具用溝という2ヶ所の溝を拡幅させる必要があるため、カシメ工具の加重が大きくなる。その結果、プレス加重を大きくするためにフレームやモータが大きいプレス装置が必要となるので、放熱フィンを放熱フィン支持基盤にカシメるための設備が大きくなり、またその設備費用が高価になる、という課題があった。
 また、上述の特許文献2の技術では、放熱フィン支持基盤の溝をその開口部から底部に向かって拡開するテーパ状に形成し、溝底部の両側にアールを付けて形成する必要がある。また、放熱フィンを上記溝にカシメる際、放熱フィンに圧入刃(プレス刃)を押圧し上記溝の形状を利用するだけで放熱フィンの形状を変化させる。そのため放熱フィンと溝との密着度の高さを担保するための、放熱フィンを押圧する圧力の精度管理が困難であり、上記圧力の誤差が原因で熱抵抗が大きくなり、放熱効果が低下する、という課題があった。
 この発明は、上述の課題を鑑みてなされたものであり、放熱フィンの側面と放熱フィン支持基盤との間の隙間を無くすことで接触面積を拡大することにより、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗を小さくし、放熱効果を高めることができ、かつ放熱フィンを放熱フィン支持基盤にカシメる際のプレス加重を小さくすることができる放熱機器及び放熱機器の製造方法を提供するものである。
 この発明に係る放熱機器は、複数の放熱フィンと、一面に発熱素子が実装され、他面には複数の平行なフィン溝が形成された放熱フィン支持基盤と、上記フィン溝には、少なくとも一個の放熱フィンが装着され、かつ溝の底面から露出した所定の高さの突起を有している。そして、上記突起の上部が放熱フィンの一側面を押し付けることにより、上記放熱フィンの他側面が上記フィン溝の側面に押圧され、上記放熱フィンが上記突起の上部とフィン溝の側面との間に固定されることを特徴とする。
 以上のようにこの発明に係る放熱機器及びその実装方法によれば、上記突起を放熱フィン側に傾倒させ、上記放熱フィンの一側面を押し付けることにより、上記放熱フィンの他側面が上記フィン溝の側面に押圧されることで、放熱フィンの側面とフィン溝との間の隙間を無くすことができる。その結果、放熱フィンとフィン溝との接触面積を大きく確保することができるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が小さくなり、放熱効果を高めることが可能となる。
この発明の放熱機器を用いた半導体装置の上面図である。 この発明の放熱機器を用いた半導体装置における図1のA-A間の断面図である。 この発明の実施の形態1における放熱機器の正面図である。 この発明の実施の形態1における放熱フィン支持基盤、フィン溝及び第一の突起の斜視図である。 この発明の実施の形態1における図3(a)のB-B間の断面図である。 この発明の実施の形態1における図3(a)のC-C間の断面図である。 この発明の実施の形態1におけるプレス刃を用いて第一の突起を傾倒させる工程を示す図である。 この発明の実施の形態2における放熱機器の正面図である。 この発明の実施の形態2における第二の突起の斜視図である。 この発明の実施の形態2における図8(a)のB-B間の断面図である。 この発明の実施の形態2における図8(a)のC-C間の断面図である。 この発明の実施の形態2におけるプレス刃を用いて第二の突起の二股状に形成された先端部を拡幅させる工程を示す図である。 この発明の実施の形態3における図3(a)のB-B間の断面図である。 この発明の実施の形態3における図3(a)のC-C間の断面図である。 この発明の実施の形態4における図8(a)のB-B間の断面図である。 この発明の実施の形態4における放熱機器の正面図の一部を示す図である。 この発明の放熱機器を用いた半導体装置の斜視図である。 この発明の放熱機器を用いた半導体装置の上面図である。 この発明の放熱機器を用いた半導体装置における図18のD-D間の断面図である。
 この実施の形態は、例えば電力変換装置に使用される発熱素子から発せられる熱を、効率的に放熱するための放熱機器に関するものである。ここで、発熱素子としては例えば、電力変換装置における交流を直流に変換するコンバータ部のダイオード、直流を交流に変換するインバータ部のバイポーラトランジスタ、スイッチング素子としてのIGBT、MOSFET、又はGTO等が挙げられる。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
 図1は、この実施の形態を示す放熱機器を用いた半導体装置の上面図であり、図2は、図1のA-A間の断面図である。図2において、放熱フィン支持基盤1の一面に絶縁樹脂シート10を介してリードフレーム7が接合されており、リードフレーム7と放熱フィン支持基盤1は電気的に絶縁されている。上記リードフレーム7は発熱素子9と金属ワイヤによりはんだ接合されている。また、リードフレーム7、放熱フィン支持基盤1及び放熱フィン4は、発熱素子9を効率良く放熱させるために、銅、アルミニウムなどの熱伝導率が高い部材で形成される。
 さらに、モールド樹脂6は発熱素子9、リードフレーム7及び金属ワイヤ8を覆い、上記各部材と半導体装置の外部との間を電気的に絶縁する。また、絶縁性と高伝導性を兼ねるため、絶縁樹脂シート10には、エポキシ樹脂にシリコンや窒化ホウ素粒子等のフィラーが混合されている。なお、絶縁樹脂シート10の線膨張率は放熱フィン支持基盤1の線熱膨張率より小さい方が好ましい。
 また、放熱フィン支持基盤1の他面には複数の平行なフィン溝2が形成されており、上記フィン溝2に放熱フィン4が装着されている。
 実施の形態1.
 図3は、実施の形態1における放熱機器の正面図を示すものである。このうち、図3(a)は、放熱フィン支持基盤1に形成された複数の平行なフィン溝2に、一個のフィン溝2に対して一個の放熱フィン4が装着されている状態を示す図である。また、フィン溝2の底面から所定の高さを有する第一の突起3が露出している。ここで第一の突起3の高さは、フィン溝2の上端部よりも低くなるように構成されている。このため、放熱フィン4をフィン溝2の高さ方向に対して斜めに傾けた状態でも、フィン溝2や第一の突起3と干渉することなく挿入することができ、放熱機器の製造工程において放熱フィン4の挿入が容易になる。
 また、図3(b)は、プレス加工により第一の突起3を放熱フィン4側に傾倒させ、放熱フィン4を第一の突起3の上部とフィン溝2の側面との間にカシメた状態を示す図である。さらに図4は、放熱フィン支持基盤1、フィン溝2及び第一の突起3の斜視図である。この実施の形態1においては、フィン溝2は直方体状に形成されている。また、フィン溝2の底部から突起3が直方体状に形成されている。
 図5は図3(a)のB-B間の断面図、図6は図3(a)のC-C間の断面図をそれぞれ示す。両図に示すとおり、この実施の形態1においては、第一の突起3の長手方向の長さ及びフィン溝2の長手方向の長さは、放熱フィン支持基盤1の溝長手方向の長さと同じである。
 この実施の形態1における放熱機器の製造方法としては、以下に示す工程により製造するのが望ましい。すなわち、まず放熱フィン支持基盤1の一面に複数の平行なフィン溝2と、各々のフィン溝2内に第一の突起3とを、ダイキャスト成形又は押出成形により同時に形成する工程を経る。次に一個のフィン溝2に対して一個の放熱フィン4を装着する工程を経る。その後フィン溝2の側面のうち放熱フィン4が装着されていない側の側面と、第一の突起3の間にプレス刃5を挿入しプレス刃5をプレス機により加重することにより、第一の突起3を放熱フィン4側に傾倒させて、第一の突起3の上部を放熱フィン4の一側面に押し付けて放熱フィンをカシメる工程を経て、放熱フィン4をフィン溝2の側面と第一の突起3の上部との間に固定する。
 図7は、上記工程のうち、プレス刃5を用いて第一の突起3を傾倒させる工程を示す図である。ここで、プレス刃5の先端部の形状は、第一の突起3とフィン溝2との間に挿入しやすくするために、図7に示すようにその先端部に向かってプレス刃5の幅が狭くなっていくようにすることが望ましい。また、プレス刃5を折れにくくするため、かつプレス刃角度を大きくするために、プレス刃5の先端部を一部平坦化することが望ましい。以上よりプレス刃5の形状は、その先端部に向かってプレス刃5の幅が狭くなるような台形とすることが望ましい。
 図7(a)に示すように、フィン溝2の側面のうち放熱フィン4が装着されていない側の側面と第一の突起3との間に、プレス刃5(又はカシメ冶具)を挿入して、第一の突起3を放熱フィン4側に傾倒させる。具体的には、図7(b)に示すように、フィン溝2の側面のうち放熱フィン4が装着されていない側の側面と第一の突起3との間にプレス刃5を挿入してプレス機によりプレスする。ここで、第一の突起3の材質として銅、アルミニウムなどの塑性が大きい金属を使用しているため、上記プレス機によるプレスにより、第一の突起3は変形しプレス刃5の先端の形状に従って放熱フィン4側に傾倒する。その後プレス刃5の先端部がフィン溝2の下端部に当接して停止する。そのことにより、第一の突起3の上部が放熱フィン4をフィン溝2の側面に押圧するため、図7(b)に示すように、放熱フィン4が上記第一の突起3の上部とフィン溝2の側面との間にカシメられる。
 以上により、放熱フィン4とフィン溝2の側面との密着性が良好な放熱フィンの取付け構造を得ることができる。その結果、放熱フィン4とフィン溝2との接触面積を大きく確保することができるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が小さくなり、放熱効果を高めることが可能となる。
 また、さらにこのとき、図7(c)に示すように、第一の突起3の上部が、放熱フィン4の直立性を維持したまま放熱フィン4の側面に食い込んだ状態になり、放熱フィン4の側面にくぼみ13ができるように、プレス刃5の先端の形状及びプレス刃のストローク量をあらかじめ定めておく。このことにより、第一の突起3の傾倒量をプレス刃5のストローク量で容易に管理することが可能である。さらに、上記放熱フィン4の側面を目視などすることで、プレス加工が正常になされたかを容易に判断することができる。
 ここで第一の突起3を傾倒させる際にプレス刃5にかかるプレス加重は、プレス刃5が進行する方向の分力と、垂直方向すなわち第一の突起3とフィン溝2の間を拡幅させる方向との分力の和となる。このときプレス刃5の先端部のプレス刃5が進行する方向に対する角度が鈍角(すなわち、プレス刃5が進行する方向の分力<垂直方向の分力)の場合、第一の突起3が、放熱フィン支持基盤1との界面から傾倒せずに、例えば第一の突起3の先端部分から放熱フィン4側に向かって変形する、すなわち座屈変形することが一般的に知られている。第一の突起3が座屈変形した場合、フィン溝2と第一の突起3の間の拡幅量が少なくなるため、放熱フィン4を正常にカシメられなくなるという懸念がある。
 そこで、第一の突起3の形状をその上部から下部へ行くほどその幅が大きくなるような台形にすることもできる。このようにすることにより、プレス刃5をフィン溝2に挿入する際に、プレス刃5の位置がフィン溝2と第一の突起3との間から多少ずれた場合でも、第一の突起3が座屈変形することを防ぐことができる。その結果、フィン溝2と第一の突起3の間の拡幅量を確保することができ、放熱フィン4を正常にカシメることができる。
 以上より、この実施の形態1によれば、フィン溝2の側面のうち放熱フィン4が装着されていない側の側面と第一の突起3との間に、プレス刃5(又はカシメ冶具)を挿入して、第一の突起3を放熱フィン4側に傾倒させることにより、放熱フィン4が上記第一の突起3の上部とフィン溝2の側面との間にカシメられる。このことにより、放熱フィン4とフィン溝2の側面との密着性が良好な放熱フィンの取付け構造を得ることができる。その結果、上記放熱フィンと上記フィン溝との接触面積を大きく確保することができるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が小さくなり、放熱効果を高めることが可能となる。
 実施の形態2.
 図8は、実施の形態2における放熱機器の正面図を示すものである。なお、図3と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。実施の形態1との違いは、一個のフィン溝に対して二個の放熱フィンを装着する点及び突起の形状である。
 図8(a)は、放熱フィン支持基盤1に形成された複数の平行なフィン溝2に、一個のフィン溝2に対して二個の放熱フィン4が装着されている状態を示す図である。また、フィン溝2の略中央部の底面から、所定の高さを有する二股状の第二の突起11が露出している。ここで第二の突起11の高さが、フィン溝2の上端部よりも低くなるように構成されている点は、実施の形態1と同じである。
 また、図8(b)は、プレス加工により第二の突起11の二股状に形成された先端部の凹部を拡幅させて、放熱フィン4を第二の突起11の上部とフィン溝2の側面との間にカシメた状態を示す図である。さらに図9は、第二の突起11の斜視図である。図9では、第二の突起11の二股に形成された先端部分のそれぞれの形状を、第二の突起11の上部から下部へ行くほどその幅が大きくなるような台形にした状態を表している。ただし、実施の形態1の場合と同様に、第二の突起11の二股に形成された先端部分のそれぞれの形状を長方形にしてもよい。
 図10は図8(a)のB-B間の断面図、図11は図8(a)のC-C間の断面図をそれぞれ示す。なお、図5及び図6と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。両図より、この実施の形態2においては、第二の突起11及びフィン溝2それぞれの溝長手方向の長さは、放熱フィン支持基盤1の溝長手方向の長さと同じである。
 この実施の形態2における放熱機器の製造方法としては、以下に示す工程により製造するのが望ましい。すなわち、まず放熱フィン支持基盤1の一面に複数の平行なフィン溝2を形成し、同時に各々のフィン溝2内に第二の突起11をその先端部を二股状に成形するように形成する工程を経る。ここで、上記放熱フィン支持基盤1、フィン溝2及び第二の突起11はいずれも、実施の形態1と同様にダイキャスト成形又は押出成形により形成する。次に一個のフィン溝2に対して二個の放熱フィンを装着する工程を経る。その後第二の突起11の二股状に形成された先端部の凹部にプレス刃5を挿入しプレス刃5をプレス機により加重することにより、第二の突起11の先端部を拡幅させて、第二の突起11の上部を放熱フィン4の一側面に押し付けて放熱フィンをカシメる工程を経て、放熱フィン4をフィン溝2の側面と第二の突起11の上部との間に固定する。以上の製造方法により、二枚の放熱フィンを固定するために、第二の突起11の先端部の凹部一箇所のみをプレス刃4(又はカシメ冶具)によりカシメればよいので、従来技術に比べて放熱機器の製造工程で使用するプレス刃の本数を減らすことができ、それによりプレス加工時の低加重化を実現することができるので、プレス装置を小型化することができる。
 図12は、上記工程のうち、プレス刃5を用いて第二の突起11の二股状に形成された先端部を拡幅させる工程を示す図である。なお、図7と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。図12(a)に示すように、第二の突起11の二股状に形成された先端部の凹部にプレス刃5(又はカシメ冶具)を挿入する。その後プレス刃5にさらに加重をかけて、プレス刃5を第二の突起11の二股状に形成された先端部の底部に当接するまで進行させる。ここで、第二の突起11の材質として第一の突起3と同様、銅、アルミニウムなどの塑性が大きい金属を使用しているため、第二の突起11は変形し図12(b)に示すように第二の突起11の先端部がプレス刃5の先端の形状に従って拡幅される。これにより、二股状に形成された第二の突起11の一方の上部が放熱フィン4をフィン溝2の側面に押圧するため、放熱フィン4が上記第一の突起3の上部とフィン溝2の側面との間にカシメられる。以上より、放熱フィン4とフィン溝2の側面との密着性が良好な放熱フィンの取付け構造を得ることができる。その結果、放熱フィン4とフィン溝2との接触面積を大きく確保することができるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が小さくなり、放熱効果を高めることが可能となる。
 また、上記のように、プレス刃5の先端部が第二の突起11の二股状に形成された先端部の底部に当接して停止するときに、図12(c)に示すように、第二の突起11の上部が放熱フィン4の直立性を維持したまま、放熱フィン4の側面に食い込んだ状態になり、放熱フィン4の側面にくぼみ13ができるように、プレス刃5の先端の形状及びプレス刃のストローク量をあらかじめ定めておく。このことにより、第二の突起11の二股状に形成された先端部の拡幅量をプレス刃5のストローク量で容易に管理することが可能である。さらに、上記放熱フィン4の側面を目視などすることで、プレス加工が正常になされたかを容易に判断することができる。
 以上より、この実施の形態2によれば、第二の突起11の二股状に形成された先端部の凹部にプレス刃5(又はカシメ冶具)を挿入して、第二の突起11の先端部を拡幅させることにより、二股状に形成された第二の突起11の一方の上部が、放熱フィン4をフィン溝2の側面に押圧するため、放熱フィン4が上記第一の突起3の上部とフィン溝2の側面との間にカシメられ、放熱フィン4とフィン溝2の側面との密着性が良好な放熱フィンの取付け構造を得ることができる。その結果、放熱フィン4とフィン溝2との接触面積を大きく確保することができるため、放熱フィンと放熱フィン支持基盤間の熱抵抗が小さくなり、放熱効果を高めることが可能となる。
 さらに、上記二個の放熱フィン4を第二の突起11の上部とフィン溝2の側面との間にカシメる際には、第二の突起11の二股状に形成された先端部の凹部の一箇所のみをプレス刃4(又はカシメ冶具)によりカシメればよい。その結果、従来技術に比べて放熱機器の製造工程で使用するプレス刃の本数を減らすことができ、それによりプレス加工時に要する加重を減少させることができるので、プレス装置を小型化することができる。
 なお、この実施の形態2においては、第二の突起11としてその先端部が二股状に形成されたものを用いたが、上記の替わりに実施の形態1で使用した第一の突起3をフィン溝3の略中央部に二個配置して実現させてもよい。
 実施の形態3.
 実施の形態1及び実施の形態2においては、第一の突起3、第二の突起11及びフィン溝2それぞれの溝長手方向の長さは、放熱フィン支持基盤1の溝長手方向の長さと同じでかつそれぞれが一連のものであった。この実施の形態3では、例えば実施の形態1における第一の突起3及びフィン溝2をそれぞれ溝長手方向に複数個に分割し、分割された第一の突起3とフィン溝2がそれぞれ同じ長さで対をなして配置されている。
 図13は図3(a)のB-B間の断面図、図14は図3(a)のC-C間の断面図をそれぞれ示す。なお、図5及び図6と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。両図より、この実施の形態3においては、第一の突起3及びフィン溝2をそれぞれ溝長手方向に二個に分割し、分割された第一の突起3とフィン溝2がそれぞれ同じ長さで対をなして配置されている。
 この実施の形態3において、上記第一の突起3及びフィン溝2の分割面は、第一の突起3及びフィン溝2をダイキャスト成形で形成した場合には、第一の突起3及びフィン溝2と同じく金型により形成する。一方第一の突起3及びフィン溝2を押出成形で形成した場合には、成形後に分割面を切削加工することにより形成する。
 ここで、特に周囲温度が極めて低い環境下においては、フィン溝2、第一の突起3及び放熱フィン4それぞれの線膨張差が原因で、放熱フィン4とフィン溝2の側面との接触面及び放熱フィン4と第一の突起3の上部との接触面のそれぞれにおいて応力がかかった状態となる。特に、実施の形態1や実施の形態2の場合のように、フィン溝2及び第一の突起3の長さが長いときには、膨張収縮量の絶対値が大きくなるため、上記応力が大きくなる。その結果、フィン溝2、第一の突起3又は放熱フィン4が変形し、放熱フィン4とフィン溝2の側面との接触面及び放熱フィン4と第一の突起3の上部との接触面における接触面積が小さくなる。このことにより放熱フィン4とフィン溝2との間の熱抵抗が大きくなり、放熱効果が劣化することが懸念される。
 一方、この実施の形態3では、フィン溝2及び第一の突起3それぞれ溝長手方向に二個に分割することで、フィン溝と突起それぞれの一個あたりの長さが短くなる。その結果、それぞれの膨張収縮量を減らし、上記応力の絶対値を小さくすることができる。以上より、周囲温度が極めて低い環境下においても、放熱フィン4とフィン溝2の側面との接触面及び放熱フィン4と第一の突起3の上部との接触面における接触面積を大きく確保することができるため、上記環境下における放熱フィン4とフィン溝2との間の熱抵抗の上昇を防止することができる。
 さらに、第一の突起3を二個に分割することにより、上述のように第一の突起3をプレス加工する際に必要な加重が小さくなるため、プレス加重をさらに小さくすることができる。
 以上より、この実施の形態3によれば、フィン溝2及び第一の突起3それぞれ溝長手方向に二個に分割することにより、周囲温度が極めて低い環境下においてもフィン溝2及び第一の突起3それぞれの膨張収縮量を減らすことができ、放熱フィン4とフィン溝2の側面との接触面及び放熱フィン4と第一の突起3の上部との接触面における接触面積を大きく確保することができるため、上記環境化における放熱フィン4とフィン溝2間の熱抵抗の上昇を防止することができる。
 実施の形態4.
 実施の形態3においては、フィン溝2及び第一の突起3それぞれ溝長手方向に二個に分割したが、それぞれを例えば溝長手方向に三個に分割し、分割したフィン溝及び突起それぞれの高さを変えることも可能である。
 図15は図8(a)のB-B間の断面図を示す図であり、図16はこの実施の形態4における放熱機器の正面図の一部を示す図である。なお、図8及び図12と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。図15より、この実施の形態4においては、フィン溝2をそれぞれ溝長手方向に三個に分割し、第二の突起11が、分割されたフィン溝2のうち放熱フィン支持基盤1の両端に配置されたフィン溝と同じ長さで対をなして配置されている。また、第三の突起12が分割されたフィン溝2のうち放熱フィン支持基盤1の中央に配置されたフィン溝2と同じ長さで対をなして配置されている。さらに第二の突起11に比べて第三の突起12はその高さを高くしている。その結果、図16に示すとおり、放熱フィン4は第二の突起11と第三の突起12という高さの異なる突起により固定されている。
 ここで、放熱フィン4をフィン溝2と第二の突起11の間に挿入して、第二の突起11の上部からプレス加重した場合、放熱フィン支持基盤1の反りや寸法ばらつき、プレス刃の位置ずれなどが原因で、第二の突起11の先端に形成された凹部の拡幅量が変化する。例えば、第二の突起11の先端の拡幅量が大きい場合、放熱フィン4は第二の突起11の上部を基点として第二の突起11側にくの字状に変形しようとする。その結果、放熱フィン4の側面とフィン溝2の側面との接触面積が減るため、放熱フィン4とフィン溝2の間の熱抵抗が大きくなり、放熱効果が悪くなることが懸念される。
 一方この実施の形態4では、三個のフィン溝2はそれぞれ同じ高さであるが、放熱フィン支持基盤1の両端に配置された第二の突起11の高さよりも、放熱フィン支持基盤1の中央に配置された第三の突起12の高さを高くしている。そして第二の突起11と第三の突起12は、それぞれ放熱フィンの高さ方向の異なる位置で放熱フィン4をカシメている。そのため、放熱フィン4と突起との接触面にかかる応力は、第二の突起11の上部及び第三の突起12の上部との接触面に分散され、放熱フィン4がくの字状に変形することを防ぐことができる。
 また、放熱フィン4を第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間に挿入するとき、放熱フィン4は、高さの高い第三の突起12とフィン溝2の間に挿入された後、高さの低い第二の突起11とフィン溝2の間に挿入される。すなわち、放熱フィン4は第三の突起12とフィン溝2との間でガタつきを抑制された状態で、第二の突起11とフィン溝2との間に挿入される。その結果、放熱フィン4を第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間に容易に挿入することができる。特に放熱フィン4が長い場合、放熱フィン4を第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間に挿入するときに、放熱フィン4が傾くことにより放熱フィン支持基盤の両端にある第二の突起11に挿入しにくくなる。しかしながらこの実施の形態4によれば、高さの高い第三の突起12があることにより、上述の放熱フィン4が傾くことを抑制できるため、放熱フィン4を容易に第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間に挿入することができる。
 さらに、放熱機器の製造工程において、放熱フィン4を第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間に挿入した後に、プレス装置が設置されている場所まで放熱機器を搬送する。このとき、第三の突起12の高さが高いことにより、上記搬送時における放熱フィン4の傾きや倒れを抑制することができる。
 以上より、この実施の形態4によれば、フィン溝2をそれぞれ溝長手方向に三個に分割し、高さの低い第二の突起11が、分割されたフィン溝2のうち放熱フィン支持基盤1の両端に配置されたフィン溝と同じ長さで対をなして配置されている。また、高さの高い第三の突起12が分割されたフィン溝2のうち放熱フィン支持基盤1の中央に配置されたフィン溝2と同じ長さで対をなして配置されている。そのことにより、放熱フィン4を第二の突起11及び第三の突起12とフィン溝2との間により確実に固定することが可能となる。
 以下に、この実施の形態1から4の放熱機器を用いた半導体装置の一実施例を示す。図17に当該半導体装置の斜視図を示し、図18に当該半導体装置の上面図をそれぞれ示す。さらに、図19に図18のD-D間の断面図を示す。なお、図8と同一の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
 当該半導体装置は、その側面及び底面をモールド樹脂6に覆われた放熱フィン支持基盤1と放熱フィン4とを個別化している。そのことにより、放熱フィン4のフィン長をモールド樹脂6の放熱フィン4の長手方向の長さよりも長くし、かつ隣接する放熱フィン間のフィンピッチを狭くできるため、半導体装置の設置面積を小型化することができる。また、半導体装置における、放熱フィン4の表面積の合計を大きくすることができるので、放熱効果を拡大することができる。その結果、発熱素子9として、例えばジャンクション温度の絶対最大定格の小さい素子を選択することが可能となり、それに伴い発熱素子の小型化、低コスト化を図ることができる。
 また、放熱フィン支持基盤1は、その側面及び底面を、モールド樹脂6により覆われている。放熱フィン支持基盤1は、上述の通りダイキャスト成形又は押出成形により形成されているため、放熱フィン支持基盤1は反りやうねりを伴った状態になることがある。加えて、周囲温度の変化により放熱フィン支持基盤1が膨張しさらに変形することがある。以上のことが原因で、放熱フィン4をフィン溝2の側面に押圧する力が低下してしまい、放熱フィン4とフィン溝2との間の熱抵抗が上昇することにより放熱性が悪くなることが懸念される。
 一方、放熱フィン支持基盤1の側面及び底面をモールド樹脂6により覆うことにより、放熱フィン支持基盤1の側面及び底面を拘束することができ、放熱フィン支持基盤1が膨張し変形するのを抑制することができる。その結果、放熱フィン4をフィン溝2に押圧する力が低下することを防ぐことができ、上記放熱性の悪化を防ぐことができる。
  1 放熱フィン支持基盤
  2 フィン溝
  3 第一の突起
  4 放熱フィン
  5 プレス刃
  9 発熱素子
 11 第二の突起
 12 第三の突起

Claims (8)

  1.  複数の放熱フィンと、
     一面に発熱素子が実装され、他面には複数の平行なフィン溝が形成された放熱フィン支持基盤と、
     上記フィン溝には、少なくとも一個の放熱フィンが装着され、かつ溝の底面から露出した所定の高さの突起を有し、
     上記突起の上部が放熱フィンの一側面を押し付けることにより、上記放熱フィンの他側面が上記フィン溝の側面に押圧され、上記放熱フィンが上記突起の上部とフィン溝の側面との間に固定されることを特徴とする放熱機器。
  2.  フィン溝にはそれぞれ、二個の放熱フィンが装着されることを特徴とする請求項1に記載の放熱機器。
  3.  突起は、その先端部が二股状に分岐していることを特徴とする請求項2に記載の放熱機器。
  4.  フィン溝と突起は、それぞれフィン溝の長手方向に複数個に分割され、上記分割されたフィン溝と突起は、それぞれ上記フィン溝の長手方向に同じ長さで対をなして配置されていることを特徴とする請求項1乃至3に記載の放熱機器。
  5.  分割された突起の高さが、分割された突起毎にそれぞれ異なることを特徴とする請求項4に記載の放熱機器。
  6.  分割された突起のうち、放熱フィン支持の基盤の両側に配置された突起の高さよりも、上記放熱フィン支持基盤の中央部に配置された突起の高さの方が高いことを特長とする請求項5に記載の放熱機器。
  7. 放熱フィン支持基盤の一面に複数の平行なフィン溝と突起とを同時に形成する工程と、
    一個のフィン溝に対して一個の放熱フィンを上記フィン溝に装着する工程と、
    放熱フィンの上部にプレス刃5を当接させ、同時に上記フィン溝の側面のうち放熱フィンが装着されていない側の側面と、上記突起の間にプレス刃を挿入する工程と、
    上記プレス刃をプレス機により加重することにより、上記突起を放熱フィン側に傾倒させて、上記突起の上部を放熱フィンの一側面に押し付けて放熱フィンをカシメる工程とを含む放熱機器の製造方法。
  8. 放熱フィン支持基盤の一面に複数の平行なフィン溝を形成し、同時に突起をその先端部を二股状に成形するように形成する工程と、
    一個のフィン溝に対して二個の放熱フィンを上記フィン溝に装着する工程と、
    上記突起の二股状に形成された先端部の凹部にプレス刃を挿入する工程と、
    上記プレス刃をプレス機により加重することにより、上記突起の先端部を拡幅させて、上記突起の上部を放熱フィンの一側面に押し付けて放熱フィンをカシメる工程とを含む放熱機器の製造方法。
PCT/JP2009/006141 2009-11-17 2009-11-17 放熱機器及び放熱機器の製造方法 WO2011061779A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09851406.0A EP2503593B1 (en) 2009-11-17 2009-11-17 Heat dissipating device and method for manufacturing heat dissipating device
US13/510,162 US9134076B2 (en) 2009-11-17 2009-11-17 Radiator and method of manufacturing radiator
JP2011541722A JP5418601B2 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 放熱機器及び放熱機器の製造方法
CN200980162488.5A CN102668066B (zh) 2009-11-17 2009-11-17 散热设备及散热设备的制造方法
PCT/JP2009/006141 WO2011061779A1 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 放熱機器及び放熱機器の製造方法
TW099100062A TWI434020B (zh) 2009-11-17 2010-01-05 散熱機器及散熱機器之製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/006141 WO2011061779A1 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 放熱機器及び放熱機器の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011061779A1 true WO2011061779A1 (ja) 2011-05-26

Family

ID=44059283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/006141 WO2011061779A1 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 放熱機器及び放熱機器の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9134076B2 (ja)
EP (1) EP2503593B1 (ja)
JP (1) JP5418601B2 (ja)
CN (1) CN102668066B (ja)
TW (1) TWI434020B (ja)
WO (1) WO2011061779A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013135209A (ja) * 2011-12-22 2013-07-08 崇賢 ▲黄▼ ヒートシンク及びその製造方法
US20130240194A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-19 Inventec Corporation Heat exchanger and method for fabricating the same
JP2013229456A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよびヒートシンク一体型半導体モジュール
JP2013247327A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Mitsubishi Electric Corp フィン嵌合装置
WO2015046040A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 三菱電機株式会社 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール
JPWO2013114647A1 (ja) * 2012-01-31 2015-05-11 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
WO2018097027A1 (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN109712950A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 松下知识产权经营株式会社 石墨散热器及其制造方法
JP2019080041A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 グラファイトヒートシンク及びその製造方法
JP2020098882A (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 アイシン精機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2024116851A1 (ja) * 2022-11-28 2024-06-06 ローム株式会社 半導体装置および電力変換ユニット

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130308273A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Hamilton Sundstrand Space Systems International Laser sintered matching set radiators
US20130306293A1 (en) * 2012-05-21 2013-11-21 Hamilton Sundstrand Space Systems International Extruded matching set radiators
JP5236127B1 (ja) * 2012-07-31 2013-07-17 三菱電機株式会社 電力半導体装置
JP2014056982A (ja) * 2012-09-13 2014-03-27 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置およびその製造方法
WO2014115637A1 (ja) * 2013-01-22 2014-07-31 東レ株式会社 接着剤組成物、接着剤シートならびにこれらを用いた硬化物および半導体装置
CN103429057A (zh) * 2013-07-26 2013-12-04 昆山维金五金制品有限公司 一种散热片支撑装置
JP5996126B2 (ja) * 2013-12-05 2016-09-21 三菱電機株式会社 電力半導体装置
CN103987236A (zh) * 2014-05-20 2014-08-13 深圳市华盛源机电有限公司 风冷散热器及其制作方法
JP6929788B2 (ja) * 2015-12-04 2021-09-01 ローム株式会社 パワーモジュール装置、および電気自動車またはハイブリッドカー
US11348850B2 (en) * 2017-03-27 2022-05-31 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle power conversion device
WO2019163600A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 三菱電機株式会社 ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
CN108714752B (zh) * 2018-06-20 2023-12-12 江苏英杰电子器件有限公司 用于散热器装配机组的焊接设备
WO2022093402A1 (en) * 2020-10-28 2022-05-05 Arris Enterprises Llc Pass-through latching heat sink

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57209729A (en) * 1981-06-22 1982-12-23 Iwai Kinzoku Kogyo Kk Fixing method for fin in radiator plate
JPH06315731A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH07161882A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Sumitomo Light Metal Ind Ltd ヒートシンク
JP3033066U (ja) * 1996-07-01 1997-01-17 水谷電機工業株式会社 放熱器
JPH1190560A (ja) * 1997-09-19 1999-04-06 Mitsubishi Alum Co Ltd フィンのベース板への圧入方法及び圧入装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW477437U (en) * 1998-06-23 2002-02-21 Foxconn Prec Components Co Ltd Assembled-type CPU heat sink
JP2001102786A (ja) 1999-10-01 2001-04-13 Mizutani Denki Kogyo Kk 電子部品の放熱器およびその製造方法
JP3552047B2 (ja) 2000-10-25 2004-08-11 古河電気工業株式会社 ヒートシンク、その製造方法、および、押圧治具
DE10056387B4 (de) * 2000-11-14 2008-11-13 Corus Aluminium Profiltechnik Gmbh Kühlvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP3602806B2 (ja) 2001-03-29 2004-12-15 株式会社リョーサン コルゲートフィン型ヒートシンクの製造方法
DE10200019B4 (de) * 2002-01-02 2006-07-06 Alcan Technology & Management Ag Kühlkörper für Halbleiterbauelemente, Verfahren zu dessen Herstellung und Werkzeug zur Durchführung des Verfahrens
JP4043986B2 (ja) * 2003-03-31 2008-02-06 古河電気工業株式会社 放熱フィンを備えたヒートシンクおよび放熱フィンの固定方法
US20070029068A1 (en) 2005-08-03 2007-02-08 Ming-Jen Cheng Heat sink
WO2008123488A1 (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Mizutani Electric Ind.Co., Ltd. 半導体素子の放熱器及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57209729A (en) * 1981-06-22 1982-12-23 Iwai Kinzoku Kogyo Kk Fixing method for fin in radiator plate
JPH06315731A (ja) * 1993-05-06 1994-11-15 Nippon Light Metal Co Ltd ヒートシンク及びその製造方法
JPH07161882A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Sumitomo Light Metal Ind Ltd ヒートシンク
JP3033066U (ja) * 1996-07-01 1997-01-17 水谷電機工業株式会社 放熱器
JPH1190560A (ja) * 1997-09-19 1999-04-06 Mitsubishi Alum Co Ltd フィンのベース板への圧入方法及び圧入装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2503593A4 *

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013135209A (ja) * 2011-12-22 2013-07-08 崇賢 ▲黄▼ ヒートシンク及びその製造方法
US9390995B2 (en) 2012-01-31 2016-07-12 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPWO2013114647A1 (ja) * 2012-01-31 2015-05-11 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
US20130240194A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-19 Inventec Corporation Heat exchanger and method for fabricating the same
US9250026B2 (en) * 2012-03-16 2016-02-02 Inventec Corporation Heat exchanger and method for fabricating the same
JP2013229456A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Mitsubishi Electric Corp ヒートシンクおよびヒートシンク一体型半導体モジュール
JP2013247327A (ja) * 2012-05-29 2013-12-09 Mitsubishi Electric Corp フィン嵌合装置
JP6091633B2 (ja) * 2013-09-27 2017-03-08 三菱電機株式会社 かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法
WO2015046040A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 三菱電機株式会社 かしめヒートシンクおよびヒートシンク一体型パワーモジュール
JPWO2015046040A1 (ja) * 2013-09-27 2017-03-09 三菱電機株式会社 かしめヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュール、かしめヒートシンクの製造方法、および、ヒートシンク一体型パワーモジュールの製造方法
US9892992B2 (en) 2013-09-27 2018-02-13 Mitsubishi Electric Corporation Swaged heat sink and heat sink integrated power module
DE112014004421B4 (de) 2013-09-27 2021-07-08 Mitsubishi Electric Corporation Verpresster Kühlkörper und Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper
WO2018097027A1 (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPWO2018097027A1 (ja) * 2016-11-24 2019-07-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US11152280B2 (en) 2016-11-24 2021-10-19 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN109712950A (zh) * 2017-10-25 2019-05-03 松下知识产权经营株式会社 石墨散热器及其制造方法
JP2019080041A (ja) * 2017-10-25 2019-05-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 グラファイトヒートシンク及びその製造方法
JP2020098882A (ja) * 2018-12-19 2020-06-25 アイシン精機株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2024116851A1 (ja) * 2022-11-28 2024-06-06 ローム株式会社 半導体装置および電力変換ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
US9134076B2 (en) 2015-09-15
TW201118331A (en) 2011-06-01
EP2503593B1 (en) 2017-12-20
TWI434020B (zh) 2014-04-11
EP2503593A1 (en) 2012-09-26
CN102668066A (zh) 2012-09-12
CN102668066B (zh) 2015-04-29
EP2503593A4 (en) 2014-01-15
JP5418601B2 (ja) 2014-02-19
US20120227952A1 (en) 2012-09-13
JPWO2011061779A1 (ja) 2013-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5418601B2 (ja) 放熱機器及び放熱機器の製造方法
JP5566289B2 (ja) 電力半導体回路装置およびその製造方法
US9892992B2 (en) Swaged heat sink and heat sink integrated power module
JP6257478B2 (ja) 電力用半導体装置
JP5955343B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
EP1901350A1 (en) Heat dissipation device and power module
JP5831273B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US9870974B2 (en) Power conversion apparatus including wedge inserts
JP6286543B2 (ja) パワーモジュール装置、電力変換装置およびパワーモジュール装置の製造方法
WO2017199836A1 (ja) 回路構成体
CN108140621B (zh) 半导体装置和其制造方法
JP6150866B2 (ja) 電力半導体装置
JP6580015B2 (ja) モールド樹脂封止型パワー半導体装置
JP4046623B2 (ja) パワー半導体モジュールおよびその固定方法
JP6937886B2 (ja) ヒートシンク及びパワーモジュール並びにそれらの製造方法
WO2014045758A1 (ja) パワー半導体モジュール
JP2010129806A (ja) 電力用半導体装置および製造方法
JPH1117080A (ja) 放熱器
US11600546B2 (en) Power semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
JP2010141034A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2010040996A (ja) ヒートシンク
JP2016086134A (ja) ヒートシンク、ヒートシンク一体型パワーモジュールおよびそれらの製造方法
JP2005033123A (ja) 半導体パワーモジュール
JP4611845B2 (ja) 半導体装置
JP2013211287A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及びパワーモジュール用基板

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980162488.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09851406

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011541722

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13510162

Country of ref document: US

Ref document number: 2009851406

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE