WO2010089960A1 - 電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置 - Google Patents

電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor inspection apparatus and method, and more particularly to a semiconductor inspection method for performing inspection or defect analysis for acquiring electrical characteristics of a semiconductor while reducing damage to a semiconductor by an electron beam of a scanning electron microscope (SEM). And an apparatus.
  • SEM scanning electron microscope
  • the oxide film is left as much as possible, and the oxide film is made thick so that it is processed to escape from the influence of the electron beam as much as possible. Further, by lowering the acceleration voltage of the electron beam and lowering the emission current, an unintelligible image without contrast is obtained, but the influence of the electron beam has been reduced.
  • the intrusion region affects the contact, oxide film, gate, source, and drain due to the influence of the charging of the electron beam, and electrical characteristics cannot be acquired correctly (see FIG. 2).
  • the electrical characteristics In order to obtain the electrical characteristics accurately, it is necessary to accurately probe the contact while observing with a high-magnification SEM image in detail, but this causes a lot of damage to the sample and has a trade-off relationship. .
  • the most advanced contact can only see the shadow of the contact unless the magnification is 20,000 to 30,000 times.
  • the acceleration voltage is lowered to 0.5 kV, or the emission current is lowered to 5 ⁇ A.
  • the current situation is that needle contact is performed in a state where the contact is not clearly seen but a clear SEM image.
  • the scanning mode of the electron beam is slow, the charge of the electron beam tends to accumulate, so the TV mode (one screen 20 ms) is used as much as possible.
  • An object of the present invention is to clarify a defective position by reducing the influence of the electron beam and acquiring correct electrical characteristics. It is another object of the present invention that even if the electron beam is restricted, the contact can be sufficiently seen and the probe can be sufficiently applied to the contact.
  • the position on the high-magnification screen can be calculated.
  • the damage to the sample is reduced by expressing the probe position obtained by calculation from the low magnification screen in real time on the high magnification screen obtained once.
  • the specimen When analyzing the influence of the electron beam from many aspects, the specimen is damaged when the needle is applied most. In addition, the contact of the sample cannot be seen unless it is increased by several tens of thousands of times, but it is not necessary to move the stage during needle contact. Furthermore, although the probe is large, it can be seen from several times, but if it is not visible in real time when the needle is applied, the probe may be damaged by colliding with the adjacent probe.
  • ⁇ Fix the stage and determine the contact to be in contact with the needle. Also, the location of the probe is displayed in real time at a low magnification. In short, it is possible to express both static contacts and dynamic probes by displaying a high-magnification contact screen obtained in a single operation and a real-time representation of a low-magnification probe. No damage to the sample because it can be processed twice.
  • the present invention it is possible to quickly and accurately touch a defective position, and the influence of an electron beam is suppressed to be small, so that the electrical characteristics of a semiconductor can be measured, and a semiconductor inspection apparatus can be realized. User convenience is improved.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor inspection apparatus. The figure showing the influence on the electron beam of the transistor in a semiconductor. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention. The figure explaining one Example of this invention.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor inspection apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.
  • the semiconductor inspection apparatus applies a primary electron beam 101 of a scanning electron microscope (SEM) to a thin sample 103 in a vacuum chamber partition wall 105.
  • SEM scanning electron microscope
  • the secondary electron beam 102 is detected by the secondary electron detector 104, and a semiconductor SEM image is displayed on the display device 133 via the control computer 134. This SEM image is used when the probe 127 is applied to the sample 103.
  • the control computer 134 uses the first image processing system 131, the storage means 132, and the display device 133 to perform operation control of the entire semiconductor inspection apparatus such as SEM images, stage movement, and magnification switching.
  • the electron beam illumination optical system 118 generates the primary electron beam 101 from the electron gun 111 via the condenser lenses 112 and 113, the diaphragm 114, the scan deflector 115, the image shift deflector 116, and the objective lens 117. There may be only one condenser lens.
  • the scan deflector 115 determines the scan direction and magnification.
  • the stage has a large stage 122, a sample stage driving means 123, a sample stage 124 and a probe driving means 125, a probe attachment 126, and a probe 127 mounted on a base 121.
  • an SEM with a probe that can basically change the magnification and edit the image is possible.
  • FIG. 2 shows the influence of an electron beam of a transistor in a general semiconductor.
  • a primary electron beam 201 is applied to the sample 202.
  • the sample is polished and the upper layer portion is cut off, and an oxide film 204 is provided on the upper side of the substrate 203, and contacts 208 are connected to the drain 205, the source 206, and the gate 207, respectively, which constitute a transistor. .
  • contacts 208 are connected to the drain 205, the source 206, and the gate 207, respectively, which constitute a transistor. .
  • an electron beam intrusion region 209 is formed more or less. If this electron beam intrusion region 209 is applied to the drain 205, the source 206, and the gate 207, the essential electrical characteristics are affected, and it is impossible to determine which transistor is defective. For example, when the gate voltage exceeds a certain value, the rise of the Vth characteristic indicating the voltage at which the drain current flows suddenly is affected. Due to recent miniaturization, the distance between contacts has become closer, but the thickness of the oxide film is also becoming thinner, and even if this electron beam penetration area is the same size, it becomes more susceptible to being affected by the thinner oxide film. It is coming.
  • the acceleration voltage (1.0 kV or less) of the primary electron beam 201 is reduced. It is conceivable to reduce the emission current (5 ⁇ A or less) of the primary electron beam 201.
  • there are measures such as observing at a magnification as low as possible, not focusing as much as possible on the sample, making it difficult to accumulate charges in a fast scan mode, and performing observation within as short a time as possible.
  • Needle guard and low damage are in a trade-off relationship.
  • the data is reduced and displayed so that the high-magnification screen 301 fits in the high-magnification original screen area 504 at the center of the low-magnification screen 401.
  • the target contact 502, probes 503 and 505 are displayed in the low magnification reference screen 501, and only the inside of the high magnification original screen area 504 becomes a more easily understood image.
  • this image is acquired at a high magnification once, and thereafter is an image acquired at a low magnification, so that the damage is small.
  • the size of the high-magnification original screen area 504 varies, so that it is possible to cope with a magnification lower than that of the high-magnification original screen.
  • the position can be changed to a low magnification until the probe can be seen, and the high magnification original screen area is linked to the magnification where the target contact 502 is located, so that the operation can be easily performed.
  • the image editing in the high-magnification original screen area 504 in FIG. 5 can be determined by integrating both the low-magnification probe and the high-magnification target contact 502 by performing integration.
  • the low magnification is displayed based on the high magnification even during processing, and the low magnification image data is enlarged and superimposed on the screen.
  • the newly displayed probe 604 enlarges a low-magnification image. Although the image is somewhat rough, the position of the probe can be clearly seen.
  • the probe 303 in the original high-magnification screen 301 is moved, the probe 303 is displayed in the original image, so that the probe 303 display at the original position and the newly moved probes 303 and 403 are displayed. .
  • the probe farther from the center is the original image probe.
  • the probe tip of the probe is searched by image processing from the screen obtained in real time at a low magnification of FIG. 4, and where the position is on the screen 301 of the high magnification is shown. Calculate and display the probe 604. This method is shown in FIG.
  • a high-magnification screen 701 includes a target contact 702 and a probe 703.
  • the high magnification target contact 702 corresponds to the low magnification target contact 705, and the high magnification probe 703 corresponds to the low magnification probe 706.
  • the screen will be displayed at a high magnification by switching the user's screen, but the actual electron beam illumination system will remain at a low magnification.
  • the probe 707 is moved in the movement direction 709 by the user's operation, it is known that the apparatus has moved with the probe operating in advance, and therefore the probe tip position 708 is detected from the low-magnification image.
  • the needle tip position 708 on the low magnification screen 704 is calculated and displayed at which position of the high magnification screen 710.
  • the user synthesizes the high-resolution screen 701 and the screen that detects the needle tip 710 and displays the screen 712.
  • the image is not enlarged / reduced, so there is little effect due to the difference in magnification between high and low magnification.
  • the expression of the thickness of the needle tends to be ambiguous at a high magnification, so the probe may be damaged due to contact between the probes.
  • contact can be avoided by drawing the marker picture with two lines from the tip of the probe as in 403 and drawing a sufficiently safe probe thickness line.
  • the method shown in FIG. 5 can be used to operate while confirming a remote probe.
  • the probe shown in FIG. 6 can be brought to an appropriate position.

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Abstract

　電子線の影響を少なくしてプロービングできる装置を提供する。　通常見る倍率よりも低倍の倍率を利用してプロービングの粗寄せができる。 目標となる半導体のコンタクトを検出すると、通常、測定位置を画面の中心にしてステージは移動しないで、プローブを移動する。微細化により、コンタクトは高倍でしか確認できないが、プローブは反対に低倍で確認できるがリアルタイムに表示する必要がある。プロービングに必要な目標コンタクトとプローブの特性から高倍で１回の静止画と低倍でリアルタイムに画像を取得した画像を合成して表示したことで、低倍でのプロービングが実現できたことで、電子線の影響を少なくし、正しい電気特性を取得することができる。

Description

電子線の影響を考慮した半導体検査方法及び装置
　本発明は、半導体検査装置及び方法に関し、特に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の電子線によって半導体に与えるダメージを低減しながら半導体の電気特性を取得するための検査又は不良解析を行う半導体検査方法及び装置に関する。
　近年、４５ｎｍデバイスと半導体の微細化が進み、トランジスタのコンタクト間の距離や高さが非常に短くなってきた。そのため、特許文献１のような装置で半導体を検査する場合、半導体に吸収された電子線の影響により、正しいトランジスタ特性を取ることが困難になりつつある。
　そこで、半導体の前処理において、酸化膜をできるだけ残し、酸化膜を厚くすることで、少しでも電子線の影響から逃れるように処理してきた。また、電子線の加速電圧を下げること、および、エミッション電流を下げることにより、コントラストの無い判り難い像になるが、電子線の影響を少なくしてきた。
特開２００２－３４３８４３号公報
　しかし、微細化によって、電子線の帯電の影響により侵入領域がコンタクト，酸化膜，ゲート，ソース，ドレインに影響を与え、電気特性が正しく取得できなくなってきている（第２図参照）。正確に電気特性を取得するためには、高倍率で詳しくＳＥＭ像で観察しながら正確にコンタクトへプロービングする必要があるが、このことは、試料へのダメージを多く与え、トレードオフの関係にある。
　正しい電気特性が取得できないと、いくつかのトランジスタの電気特性を取得して、１つの不良を見つけるときにどの特性が不良なのか判らなくなるため、問題となる。また、相対的な電気特性は取得できても絶対的に正しい電気特性が取得できないことになりかねない。
　また、電子線の影響を少なくすると言う事は、すなわち、コンタクトを見ることに何らかの制限が必要となる。正しいコンタクトにプローブを当てられなければ、当然正しい電気特性は計測できなくなる。針当てが必要な装置として特許文献１などがある。
　ここで、微細化に伴って、最先端のコンタクトは、２～３万倍の倍率でないとコンタクトの影さえ見えず、当然、針当てもできない。また、電子線の影響を少なくするために加速電圧を０.５ｋＶまで落としたり、エミッション電流を５μＡに下げたりする。明確なＳＥＭ像にはならずコンタクトがぼんやり見えている状態で針当てを行っているのが現状である。また、電子線のスキャンモードが遅いと電子線の電荷が溜まり易いので、できるだけＴＶモード（１画面２０ｍ秒程度）を利用する。
　本発明は、この電子線の影響を少なくし、正しい電気特性を取得することによって、不良位置を明確にすることを目的とする。また、電子線の制限をしても、コンタクトが十分見えて、かつ、コンタクトにプローブを十分当てられることを目的とする。
　上記の課題を解決する手段として、ステージを固定し針当てするコンタクトを決めて、１度高倍にてコンタクトの画像を取得する。また、低倍でプローブが何処にあるかをリアルタイムに表示する。１回で取得した高倍のコンタクト画面と低倍のプローブをリアルタイムに表現したものを合わせた画面で表現する。
　低倍の画像からプローブの針先位置が判れば高倍の画面のどの位置にくるか計算上求められる。このことより、１回取得した高倍の画面に低倍の画面から計算で求めたプローブ位置をリアルタイムで表現することで試料へのダメージは少なくなる。
　電子線の影響を多面から分析すると、一番操作の掛かる針当て時に試料ダメージを与えている。また、試料のコンタクトは、数万倍にしないと見えないが、針当て中にステージ移動する必要はない。更に、プローブは大きいため数倍から見えるが、針当て時にはリアルタイムで見えていないと隣のプローブとぶつけたりすることによって、プローブを損傷してしまう。
　ステージを固定し針当てするコンタクトを決めて、１度高倍にてコンタクトの画像を取得する。また、低倍でプローブが何処にあるかをリアルタイムに表示する。要は、１回で取得した高倍のコンタクト画面と低倍のプローブをリアルタイムに表現したものを合わせた画面で表現することで、静的なコンタクトと動的なプローブの両方を表現でき、通常低倍で処理できるため試料にダメージを与えない。
　本発明によると、迅速かつ、正確に不良位置に針当てができ、しかも電子線の影響が少なく抑えられるので、半導体の電気特性等の測定ができ、及び半導体検査装置を実現することでき、装置ユーザーの使い勝手が向上する。
半導体検査装置の概略構成図。 半導体内にあるトランジスタの電子線への影響を表す図。 本発明の一実施例を説明する図。 本発明の一実施例を説明する図。 本発明の一実施例を説明する図。 本発明の一実施例を説明する図。 本発明の一実施例を説明する図。
　以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
　図１は、本発明の一実施形態が適用される半導体検査装置の概略構成図である。　
　図１において、半導体検査装置は、真空チャンバ隔壁１０５内の薄片の試料１０３に対してＳＥＭ（走査電子顕微鏡：Scanning Electron Microscope）の１次電子ビーム１０１を当てる。そして、２次電子ビーム１０２を２次電子検出器１０４で検出して、制御コンピュータ１３４を介して表示装置１３３に半導体のＳＥＭ像を表示する。このＳＥＭ像は、試料１０３にプローブ１２７を当てるときに利用する。
　制御コンピュータ１３４は、第１の画像処理システム１３１，記憶手段１３２，表示装置１３３を利用して、ＳＥＭ像，ステージ移動，倍率切り替え等、半導体検査装置全体の動作制御を行う。
　電子ビーム照光学系１１８は、電子銃１１１からコンデンサレンズ１１２，１１３，絞り１１４，スキャン偏向器１１５，イメージシフト偏向器１１６，対物レンズ１１７を経由して１次電子ビーム１０１を発生させる。コンデンサレンズは１つしかない場合もある。スキャン偏向器１１５にて、スキャンの方向や倍率を決める。
　ステージは、ベース１２１の上に大ステージ１２２，試料台駆動手段１２３，試料台１２４とプローブ駆動手段１２５，プローブ用アタッチメント１２６，プローブ１２７を搭載している。
　本発明では、基本的に倍率を変更でき、画像の編集ができるプローブ付きのＳＥＭであれば可能である。
　図２は、一般的な半導体内にあるトランジスタの電子線の影響を示している。１次電子ビーム２０１を試料２０２に当てる。試料は、研磨を行い、上層部は削られている状態で、基板２０３の上側に酸化膜２０４があり、トランジスタの構成となるドレイン２０５，ソース２０６，ゲート２０７にそれぞれコンタクト２０８が接続されている。コンタクト部分にプローブを当てトランジスタの電気特性を取得することで、どのトランジスタが不良であるのか判る。
　しかし、１次電子ビームを当てると多かれ少なかれ電子線侵入領域２０９ができる。この電子線侵入領域２０９がドレイン２０５，ソース２０６，ゲート２０７に掛かると、肝心の電気特性に影響が出て、どのトランジスタが不良であるのか判らない結果となってしまう。例えば、ゲート電圧がある値を超えると急激にドレイン電流が流れる電圧を示すＶｔｈ特性の立ち上がりに影響がでる。近年の微細化により、コンタクト間の距離が近くなったこともあるが、酸化膜の厚さも段々と薄くなりこの電子線侵入領域が同じ大きさでも酸化膜が薄くなることで影響を受け易くなってきている。
　ここで、この電子線侵入領域２０９をできるだけ小さくしてドレイン２０５，ソース２０６，ゲート２０７に掛からないようにするためには、１次電子ビーム２０１の加速電圧（１.０ｋＶ以下）を下げることや、１次電子ビーム２０１のエミッション電流（５μＡ以下）を下げることが考えられる。また、できるだけ低倍で観察すること、できるだけ焦点を試料に合わせないことや、速いスキャンモードで電荷をためにくくすること、できるだけ短い時間内に観察を行うこと等の対策がある。
　しかし、どれも針当てをするためには不要な項目であり、針当てをするために明確なＳＥＭ像で行うと試料へのダメージも多くなる。針当てと低ダメージとはトレードオフの関係にある。
　そこで、高倍と低倍の２種類の像を使って針当てと低ダメージを解決する。図３～図７を用いて説明する。高倍の画面３０１の中には、目標のコンタクト３０２とプローブ３０３が表示されている状態で、現在、複数のプローブを目標のコンタクト３０２の位置へ集めようとするとき、高倍の画面３０１の画像を１度取得する。
　次に低倍４０１の画面へ倍率を変える。このとき、試料からプローブに焦点を合わせて直すことも有効である。低倍にすると、中心から離れたプローブ４０４は見えるが、コンタクト全体が見えないこともある。また、目標とするコンタクト４０２の位置も不明確となる。
　そこで、図５で示すように低倍の画面４０１の中心に高倍の画面３０１を高倍元画面領域５０４に収めるようにデータを縮小して表示する。
　つまり、低倍基準画面５０１内に目標となるコンタクト５０２，プローブ５０３，５０５を表示して、高倍元画面領域５０４内のみが、より判り易い画像となる。勿論、この画像は高倍での取得は１回で、後は低倍で取得した像なので、ダメージは少ない。倍率を変更することによって、高倍元画面領域５０４のサイズが変動することで、高倍元画面の倍率よりも低倍で対応できる。このことにより、プローブが見える位置まで低倍に変更でき、目標のコンタクト５０２が何処にあるのか倍率に高倍元画面領域が連動していくため容易に操作できる。
　また、フォーカスを試料ではなくて、プローブ側に当てることによって、プローブと試料の高さの違いにより電子線が試料に集中しないため試料ダメージの軽減ができ、低倍の画面ではプローブ情報のみが必要なので、より鮮明なプローブの情報を得ることができ一石二鳥である。図５の高倍元画面領域５０４内の画像編集は、積算をすることによって低倍のプローブと高倍の目標のコンタクト５０２の両方が判断できる。
　今度は、図６に示すように低倍で処理中にも係わらず高倍をベースとして表示し、その画面内に低倍の画像データを拡大して重ね合わせる。新たに表示されるプローブ６０４は、低倍の画像を拡大している。多少荒い画像ではあるが、プローブの位置は明確に判る。
　また、元々の高倍の画面３０１内にあるプローブ３０３を移動しても元画像にプローブ３０３があるため元位置のプローブ３０３表示と新規に移動したプローブ３０３，４０３の２本の表示となってしまう。しかし、中心から遠い方が以前にあった元画像のプローブだと容易に想像できるので、問題はない。
　プロービングを行うに当たり、正しい像でプロービングをすることに意味は無く、プロービング後の電気特性を計測した結果が正しい方が有効であると考える。
　また、図６の別の方法として、図４の低倍でリアルタイムに取得した画面からプローブの針先先端を画像処理にて検索し、その位置が高倍の画面３０１上では、何処にあるのかを計算して、プローブ６０４を表示する。この方法を図７に示す。
　高倍の画面７０１を１度取得する。高倍の画面７０１の中には目標のコンタクト７０２とプローブ７０３を含んでいる。
　次に低倍の画面７０４に変更する。高倍の目標のコンタクト７０２は、低倍の目標のコンタクト７０５に対応し、高倍のプローブ７０３は、低倍のプローブ７０６に対応する。
　この時点で、ユーザーの画面切り替えによって、表示上高倍で見せるが、実際の電子ビーム照光学系は、低倍のままとする。ユーザーの操作によって、プローブ７０７を移動方向７０９に移動すると、装置は、予め動作するプローブと移動したことは判っているので、低倍の画像からプローブの針先位置７０８を検知する。低倍の画面７０４上で針先位置７０８は、高倍の画面７１０のどの位置にあるかを計算し、表示する。ユーザーには、７０１の高倍画面と７１０の針先を検知した画面を合成し、７１２の画面を表示する。
　目標のコンタクト７１３とプローブ７１４，７１５を表示することで、試料に対しては低倍の照射を行っているにも係わらず、ユーザーにはあたかも高倍の画面を操作しているように見せることができる。
　そのとき、プローブ７１５の表示方法として３つの方法がある。
　１つ目として、システムとして予め用意したプローブの画像を重ね合わせる方法がある。
　２つ目として、高倍の画面から切り抜いた画像を合成する方法がある。
　３つ目として、針先の位置にプローブの絵を示すマーカーを表示する方法がある。この方法も効果は大きい。画像の重ね合わせによる場合は、画像の質を向上するために、高倍の約数に低倍の倍率を設定した方が画像の拡大／縮小結果が良く歪むことがない。
　マーカーにしたときは、画像の拡大／縮小はしないため、高倍と低倍の倍率の違いによる影響は少ない。
　上記説明では、簡単に説明するために１本のプローブを移動したときのことを説明したが、複数本プローブが移動しても考え方は同じで対応できる。
　マーカーにした場合、高倍率で針の太さの表現が曖昧になり易いため、プローブどおしの接触によるプローブの破損が考えられる。しかし、マーカーの絵を４０３のようにプローブの先端から２本のラインで表現して十分安全なプローブの太さのラインを引くことにより、接触を避けることができる。
　元画像となる高倍の画面３０１と低倍の画面４０１にコントラスト強調，カラー表示，輪郭強調等の画像編集を行うことでより、現在と過去のデータの違いが鮮明となる。また、高倍の画面３０１の画像編集は、１度行うとリアルタイムに低倍の画面との合成時に行う必要が無いため、処理時間が必要無く、コンタクトの強調ができる。また、過去の位置にあるプローブを強調しない編集を行うことも可能であり、低倍の画面４０１で表現される最新のプローブとの違いを表現でき有効である。
　粗寄せ初期時に図５の方式を使い、離れたプローブを確認しながら操作でき、ある程度、プローブが集ってきたときに図６の方式で、的確な位置へプローブを寄せることができる。このように使い易いケースに合わせて使うことでより試料にダメージを与えずに針寄せを行うことができる。
１０１　１次電子ビーム
１０２　２次電子ビーム
１０３，２０２　試料
１０４　２次電子検出器
１０５　真空チャンバ隔壁
１１０，１１８　電子ビーム照光学系
１１１　電子銃
１１２　コンデンサレンズ１
１１３　コンデンサレンズ２
１１４　絞り
１１５　スキャン偏向器
１１６　イメージシフト偏向器
１１７　対物レンズ
１２１　ベース
１２２　大ステージ
１２３　試料台駆動手段
１２４　試料台
１２５　プローブ駆動手段
１２６　プローブ用アタッチメント
１２７，３０３，４０３，４０４，５０３，５０５，６０３，６０４，７０３，７０６，７０７　プローブ
１２８　電気特性計測器
１３１　第１の画像処理システム
１３２　記憶手段
１３３　表示装置
１３４　制御コンピュータ
２０１　１次電子ビーム
２０３　基板
２０４　酸化膜
２０５　ドレイン
２０６　ソース
２０７　ゲート
２０８　コンタクト
２０９　電子線侵入領域
３０１，７０１　高倍の画面
３０２，４０２，５０２，６０２，７０２，７０５　目標のコンタクト
４０１，７０４　低倍の画面
５０１　低倍基準画面
５０４　高倍元画面領域
６０１　高倍基準画面
７０８　針先位置
７０９　プローブ移動方向
７１０　低倍で計算した高倍の画面
７１１　計算上のプローブ
７１２　合成した高倍の画面
７１３　合成した目標のコンタクト
７１４　合成したプローブ
７１５　移動計算後合成したプローブ

Claims (10)

  1. 　試料を載置できる試料台と、
    　電子線を照射できる電子線照射光学系と、
    　倍率を変更できる偏向コイルと、
    　前記試料から発生する二次電子を検出できる検出器と、
    　前記検出器からの信号に基づいて取得した試料像を表示する表示装置と、
    　前記試料に接触できる１本以上の探針とを備え
    　前記試料に探針を当てる際、前記の偏向コイルにて高倍率の試料の静止画像と
    　低倍率で動作する探針のリアルタイム画像を組み合わせて前記表示装置に表示することを特徴とする半導体検査装置。
  2. 　請求項１記載の半導体検査装置において、高倍率の１回の静止画像を取得し、低倍率の静止画を取得して探針を示し、低倍率の静止画を繰り返し高倍率の静止画と合成編集することを特徴とする半導体検査装置。
  3. 　請求項１記載の半導体検査装置において、高倍率の１回の静止画像を取得し、探針の画像のみを切り抜き、低倍率の画像から探針の先端を検知し、切り抜いた探針の画像を検知した位置へ移動することで探針を移動することを特徴とする半導体検査装置。
  4. 　請求項３記載の半導体検査装置において、探針の先端検知のみで、予め取得した画像、または、マーカーを移動する探針として表現することを特徴とする半導体検査装置。
  5. 　請求項１記載の半導体検査装置において、高倍率と低倍率の静止画にカラー表示や輪郭強調等の画像編集処理を加えてより判り易くすることを特徴とする半導体検査装置。
  6. 　試料を載置できる試料台と、
    　電子線を照射できる電子線照射光学系と、
    　倍率を変更できる偏向コイルと、
    　前記試料から発生する二次電子を検出できる検出器と、
    　前記試料に接触できる１本以上の探針とを備え、
    　前記試料に探針を当てる際、前記の偏向コイルにて高倍率の試料の静止画像と
    　低倍率でリアルタイムに動作する探針の画像を組み合わせて利用することを特徴とする半導体検査方法。
  7. 　請求項６記載の半導体検査方法において、高倍率の１回の静止画像を取得し、低倍率の静止画を取得して探針を示し、低倍率の静止画を繰り返し高倍率の静止画と合成編集することを特徴とする半導体検査方法。
  8. 　請求項６記載の半導体検査方法において、高倍率の１回の静止画像を取得し、探針の画像のみを切り抜き、低倍率の画像から探針の先端を検知し、切り抜いた探針の画像を検知した位置へ移動することで探針を移動することを特徴とする半導体検査方法。
  9. 　請求項８記載の半導体検査方法において、探針の先端検知のみで、予め取得した画像、または、マーカーを移動する探針として表現することを特徴とする半導体検査方法。
  10. 　請求項６記載の半導体検査方法において、高倍率と低倍率の静止画にカラー表示や輪郭強調等の画像編集処理を加えてより判り易くすることを特徴とする半導体検査方法。
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