WO2008016067A1 - Composé polymère et dispositif polymère luminescent - Google Patents

Composé polymère et dispositif polymère luminescent Download PDF

Info

Publication number
WO2008016067A1
WO2008016067A1 PCT/JP2007/065039 JP2007065039W WO2008016067A1 WO 2008016067 A1 WO2008016067 A1 WO 2008016067A1 JP 2007065039 W JP2007065039 W JP 2007065039W WO 2008016067 A1 WO2008016067 A1 WO 2008016067A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
aryl
substituted
polymer compound
formula
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/065039
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tomoya Nakatani
Daisuke Fukushima
Original Assignee
Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Company, Limited filed Critical Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority to EP07791723A priority Critical patent/EP2048176A4/en
Priority to US12/375,448 priority patent/US20090302748A1/en
Priority to CN2007800357341A priority patent/CN101516963B/zh
Publication of WO2008016067A1 publication Critical patent/WO2008016067A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • C08G61/10—Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes only aromatic carbon atoms, e.g. polyphenylenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/41—Compounds containing sulfur bound to oxygen
    • C08K5/42—Sulfonic acids; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1416—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1433—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1475—Heterocyclic containing nitrogen and oxygen as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1483—Heterocyclic containing nitrogen and sulfur as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • Patent application title Polymer compound and polymer light emitting device
  • the present invention relates to a polymer compound and a polymer light emitting device using the same.
  • High-molecular-weight light-emitting materials and charge transport materials have been studied in various ways because they are useful as materials used in organic layers in light-emitting elements. Examples of this are phenoxazine having a fluorenediyl group and an alkyl group at the N-position. High molecular compounds that are copolymers of diyl groups have been reported (for example, Macromoles; 2005, 38, 798 3-7991).
  • the luminance half-life is not yet sufficient.
  • An object of the present invention is to provide a polymer compound capable of providing a device having a long luminance half-life when used as a light-emitting material for a light-emitting device.
  • the present invention provides a polymer compound comprising a repeating unit represented by the following formula (I), a repeating unit represented by the following formula (II) and a repeating unit represented by the following formula (III). .
  • R and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, an Reel alkylthio group, aryl alkenyl group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen Represents an atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and R and R 2 are respectively R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring, and each of R 3 and R 4 independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an al
  • R NI represents an alkyl group
  • R 5 and R 6 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an aryl group, an aryl group.
  • An amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and c and d each independently represents an integer selected from 0 to 3.
  • R 5 and R 6 When a plurality of R 5 and R 6 are present, they may be the same or different.
  • Ar represents a divalent condensed polycyclic hydrocarbon group, a group represented by the following formula (VI) or a group represented by the following formula (X). ]
  • a r, A r 2 and A r 3 each independently represents an arylene group or a divalent heterocyclic group, and A r 4 and A r 5 each independently Represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group, and X represents 0 or 1.
  • a r 7 and A r s each independently represent a ⁇ Li one alkylene group or a divalent multi heterocyclic group
  • R 2 2 is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Aryl group, aryloxy group, arylthio group, aryl alkyl group, aryl alkoxy group, aryl alkylthio group, aryl alkyl group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group
  • n is 0 to 2 represents an integer selected from 2
  • y and z each independently represent an integer selected from
  • the polymer LED containing the polymer compound of the present invention can be used in curved or flat light sources for liquid crystal display backlights or illumination, segment type display elements, dot matrix flat panel displays, and the like. Can be used.
  • the polymer compound of the present invention contains a repeating unit represented by the following formula (I).
  • R and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group.
  • arylalkylthio group arylealkenyl group, arylealkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group
  • R 3 and R 4 Each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl group.
  • An amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitrile group, a and b each independently represent an integer selected from 0 to 3 . When a plurality of R 3 and R 4 are present, they may be the same or different.
  • the alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent.
  • the number of carbon atoms is usually about 1 to 20; specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexane Hexyl, heptyl, octyl, 2-ethylhexyl, nonyl, decyl, 3,7-dimethyloctyl, lauryl, trifluoromethyl, pendefluoroethyl, perfluorobutyl Group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl group and the like.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent.
  • the number of carbon atoms is usually about 1 to 20, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, a plutoxy group, an isopropyloxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, a t-butoxy group.
  • the alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and may have a substituent.
  • the carbon number is usually about 1 to 20, and specifically, a methylthio group, an ethylthio group, a propyl group.
  • L-propylthio group isopropylthio group, butylthio group, isoptylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group Group, 3, 7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoro.thiomethylthio group, etc. are exemplified.
  • the aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon.
  • the aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl groups, C, to C I 2 alkoxyphenyl groups (C 1, 2 indicates that the number of carbon atoms is 1 to 12. The same applies to the following:), C, ⁇ C
  • C 1, ⁇ C 2 , 2 alkoxyphenyl groups , 2 alkylphenyl groups are preferred.
  • Specific examples of the C 1, C 2 , 2 alkoxyphenyl group include methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propyloxyphenyl group, isopropyloxyphenyl group, butoxyphenyl group, isobutoxyphenyl group, t 1-butoxyphenyl, pentyloxyphenyl, hexyloxyphenyl, cyclohexyloxyphenyl, heptyloxyphenyl, octyloxyphenyl, 2-ethylhexyloxy Examples thereof include a xylenyl group, a nonyloxyphenyl group, a decyloxyphenyl group, a 3,7-dimethyloctyloxyphenyl group, and a lauryloxyphenyl group.
  • the aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48, and specific examples thereof include phenoxy group, C 1, C 2 , C 2 alkoxyphenoxy group C 1, C , 2 alkylphenoxy group, 1 one Nafuchiruokishi group, 2-Nafuchiruokishi group, etc. Pentafuruo port Fueniruokishi groups and the like, C, ⁇ C, 2 alkoxy phenoxyethanol group, C, -C, 2 ⁇ Rukirufuenokishi group is preferred .
  • alkoxyphenoxy groups include methoxyphenoxy group, ethoxyphenoxy group, propyloxyphenoxy group, isopropyloxyphenoxy group, butoxyphenoxy group, isobutoxyphenoxy group.
  • C 1 , to C 1 2 alkyl phenoxy groups include methyl phenoxy group, ethyl phenoxy group, dimethyl phenoxy group, propyl phenoxy group, 1, 3, 5-trimethyl phenoxy group, Enoxy group, isopropyl phenoxy group, butyl phenoxy group, isobutyl phenoxy group, t-butyl phenoxy group, pentyl phenoxy group, isoamyl phenoxy group, hexyl phenoxy group, heptyl phenoxy group, octyl phenoxy group Group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group and the like.
  • the arylthio group may have a substituent on the aromatic ring, and usually has about 3 to 60 carbon atoms.
  • a phenylthio group C 1, C 2 , C 2 Alkoxyphenylthio group
  • alkylphenylthio groups 1-naphthylthio groups, 2-naphthylthio groups, pendefluorofluorothio groups, pyridylthio groups, pyridazinylthio groups, pyrimidylthio groups, pyrazylthio groups, triazylthio groups, and the like.
  • the arylalkyl group may have a substituent, and usually has about 7 to 60 carbon atoms.
  • the arylalkoxy group may have a substituent, and usually has about 7 to 60 carbon atoms. Specifically, phenyl-C. C alkoxy group, ⁇ ⁇ ⁇ alkoxyphenyl—C, ⁇ C, 2 alkoxy group, , ⁇ 12 Arukirufue two Roux C, -C 12 alkoxy group, 1 one Nafuchiru C, -C, 2 alkoxy groups, 2-naphthyl - C, -C, such as 2 alkoxy group is indicated example.
  • the arylalkylthio group may have a substituent, and usually has about 7 to 60 carbon atoms.
  • the reel alkenyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C 2 -C 12 alkenyl group, C, ⁇ C, 2 alkoxyphenyl C 2 -C 12 alkke. group, Ji, ⁇ ⁇ , 2 Aruki duriru - ⁇ 2 to.
  • 2 Arukeniru group 1 one-naphthyl - C 2 ⁇ C, 2 alkenyl groups, such as 2-Nafuchiru C 2 -C I2 alkenyl groups and the like, C, ⁇ C 12 Arukokishifue two Lou C 2 -C, 2 alkenyl groups , C 2 ⁇ C 12 Arukirufue two Lou C, and ⁇ C 12 alkenyl group are preferable.
  • the aryl alkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Specific examples thereof include phenyl-C 2 -C, 2 alkynyl groups. , ⁇ , 2 ⁇ Turkey hydroxyphenyl - ⁇ 2 ⁇ 12 Aruki group,. , ⁇ ⁇ , 2- alkylphenyl-.
  • 2 ⁇ , 2 Arukiniru group 1 one-naphthyl - C 2 ⁇ C, 2 alkynyl group, 2-Nafuchiru C 2 -C, such as 2 alkynyl groups and the like, C, -C 12 Alkoxy phenylalanine - C 2 ⁇ C, 2 alkynyl group, C, ⁇ C, 2 Arukirufue two Lou C 2 -C
  • a 12 alkynyl group is preferred.
  • Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an aryl alkyl group, and a monovalent heterocyclic group.
  • the alkyl group, aryl group, The reel alkyl group or the monovalent heterocyclic group may have a substituent.
  • the carbon number of the substituted amino group is usually about 1 to 60, not including the carbon number of the substituent, and preferably 2 to 48 carbon atoms.
  • Pentylamino group Pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group, cyclopentyl Amino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group phenylamino group
  • Jifueniruamino group C, -C, 2 alkoxy phenylalanine ⁇ amino group, di (C, -C, 2 alkoxy Kishifueniru) amino group, di ( ⁇ Ji, 2 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthyl group, 2 Nafuchiruamino group, pen evening fluorophenyl ⁇ amino group, Pirijiruamino group, pyridazinyl Rua amino group, pyrimidylamino group, Birajiruamino group, Toriajiruami cyano group phenylene Lou C, ⁇ C 12 alkylamino group.
  • ⁇ Ji ⁇ ⁇ Turkey hydroxyphenyl - ⁇ ⁇ Ji 12 alkylamino group C, -C 12 alkylphenyl - C, -C, 2 alkyl amino group, di ( ⁇ Ji alkoxy phenylalanine - C ⁇ C 12 alkyl ) Amino group, di (C, ⁇ C, 2- alkylphenyl-C, ⁇ C I2 alkyl) amino group, 1-naphthyl-C, ⁇ C 12 alkylamino group, 2-naphthyl- 2- alkylamino group, etc. .
  • Examples of the substituted silyl group include a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an aryl alkyl group and a monovalent heterocyclic ring S.
  • the substituted silyl group usually has about 1 to 60 carbon atoms, preferably 3 to 48 carbon atoms.
  • the alkyl group, aryl group, aryl alkyl group or monovalent heterocyclic group has a substituent. May be.
  • Arukirushiriru group 1 one-naphthyl - C, ⁇ C, 2 alkyl silyl group, 2-Nafuchiru C, -C 1 2 alkyl silyl group, phenyl - C, ⁇ C, 2 alkyl dimethyl silyl group, triphenyl silyl group, tree p —Xylylsilyl group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t-butyldiphenylsilyl group, dimethylphenylsilyl group and the like are exemplified.
  • halogen atom examples include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetyl group, a propionyl group, a petityl group, an isoptylyl group, a pivalyl group, a benzoyl group. Group, trifluoroacetyl group, penufluorofluoro group and the like.
  • the acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, and preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include an acetoxy group, a propionyloxy group, a propylryloxy group, an isoptyryloxy group, Examples include a bivaluloyloxy group, a benzoyloxy group, a trifluoroacetyloxy group, and a pendant fluorobenzoyloxy group.
  • the amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples thereof include formamide group, acetoamide group, propioamide group, ptylamide group, benzamide group, triflule. Illustrative examples include a fluoroacetamide group, a pentafluoric benzamide group, a diformamide group, a diacetamide group, a dipropioamide group, a dibutyroamide group, a dibenzamide group, a ditrifluoroacetamide group, and a dipentafluoric benzamide group.
  • Examples of the acid imide group include residues obtained by removing a hydrogen atom bonded to the nitrogen atom from the acid imide, and have about 4 to 20 carbon atoms. Specific examples include the groups shown below.
  • the monovalent heterocyclic group means a remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound, and usually has about 4 to 60 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms. Of the monovalent heterocyclic groups, monovalent aromatic heterocyclic groups are preferred.
  • the carbon number of the heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent.
  • a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus and boron in the ring. Say. Specifically, the Cenyl group!
  • the substituted carboxyl group means an alkyl group, aryl group, aryl alkyl group or a carboxyl group substituted with a monovalent complex ring group, and usually has about 2 to 60 carbon atoms, and preferably has a carbon number. Specific examples thereof include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, isobutoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, .pentyloxy group.
  • Carbonyl group Hexyloxycarbonyl group, Cyclohexyloxycarbonyl group, Heptyloxycarbonyl group, Octyloxycarbonyl group, 2-Ethylhexyloxycarbonyl group, Nonyloxycarbonyl group, Decyloxycarbonyl group 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxy Ruponiru groups, trifluoperazine Ruo b methoxycarbonyl group, pen evening full O b ethoxy local Poni group, per full O Rob Toki deer Lupo group, hexyl O alkoxycarbonyl group to par Furuo port, per full O Roo lipped Ruo carboxymethyl Cal Poni group, off And enoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group, and the like.
  • the alkyl group, aryl group, aryl alkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent.
  • the number of carbon atoms of the substituent lpoxyl group does not include the number of carbon atoms of the substituent.
  • the ring when R, and R 2 are bonded to each other to form a ring, the ring may have a substituent, C 4 to C.
  • a cycloalkyl ring which may have a substituent, C 4 to C 6.
  • a C 6 to C, 4 aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, or a C 6 to C, 4 hetero ring which may have a substituent.
  • cycloalkyl ring examples include cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclononane, cyclodecane and the like.
  • Examples of the cycloalkenyl ring include those having one or more double bonds, and specific examples thereof include a cyclohexene ring, a cyclohexagen ring, and a cyclotatriene ring.
  • aromatic hydrocarbon ring examples include a benzene ring, a naphthalene ring, and an anthracene ring.
  • heterocyclic ring examples include a furan ring, a tetrahydrofuran ring, a thiophene ring, a tetrahydrothiophene ring, an indole ring, a tetrahydroindole ring, an isoquinoline ring, a pyridine ring, a thiazole ring, and an oxazole ring.
  • the repeating unit represented by the following formula (I V) is preferable among the repeating units represented by the above formula (I).
  • R 7 and R 8 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl alkyl group, an aryl alkoxy group, an alkyl group, Reel alkylthio group, aryl alkenyl group , Aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group Represents a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group, and R 7 and R 8 may combine with each other to form a ring, R 9 and R, Each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryl group, an
  • R 7 , R 8 , R 9 and R from the viewpoint of improving the solubility of the polymer compound of the present invention in an organic solvent.
  • it is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkylthio group or an arylalkylthio group. More preferred is an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group, and most preferred is an alkyl group or an aryl group.
  • the ring when R 7 and R 8 are bonded to each other to form a ring, the ring may be a C 4 to C I () cycloalkyl ring which may have a substituent, May have a group ⁇ . And a C 6 -C 14 aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent or a C 6 -C I 4 hetero ring which may have a substituent.
  • cycloalkyl ring examples of the cycloalkyl ring, cycloalkenyl ring, aromatic hydrocarbon ring and heterocyclic ring are the same as in the case of (I) above.
  • e and f are preferably 0 or 1, and most preferably e and f are 0.
  • repeating unit represented by the above formula (I) include the following formula (I
  • R N 1 represents an alkyl group
  • R 5 and R 6 each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an aryloxy group, an arylalkyl.
  • substituted silyl groups, halogen atoms, acyl groups, acyloxy groups, imine residues, amide groups, acid imide groups, monovalent heterocyclic groups and substituted carboxyl groups are as described in R 1 and R 2 . Their definitions and specific examples are the same.
  • the repeating unit represented by the above formula (II) is preferably a repeating unit represented by the following formula (V).
  • R N 2 represents an alkyl group, each R n and R 1 2 are independently, Al kill group, an alkoxy group, an alkylthio group, Ariru group, Ariruokishi group, Ariruchi O group, Ariru Alkyl group, aryloxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, aryloxynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine A residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and g and h are each independently an integer selected from 0 to 3 To express. When a plurality of R M and R 12 are present, they may be the same or different. ]
  • R M and R 2 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, An aryl group, an aryl alkyl group, an aryl alkoxy group, an aryl alkylthio group, an aryl alkenyl group, an aryl alkynyl group or a monovalent heterocyclic group is preferable.
  • a Si group, an aryl group or an aryloxy group is more preferable, and an alkyl group or an aryl group is most preferable.
  • g and h in the formula (V) are preferably 0 or 1, and most preferably g and h are 0.
  • repeating unit represented by the above formula (I I) include repeating units represented by the following formulas (I I 1 1) to (I 1-8).
  • polymer compound of the present invention comprises the above (I),
  • Ar represents a divalent condensed polycyclic hydrocarbon group, a group represented by the following formula (VI) or a group represented by the following formula (X). ]
  • ⁇ ⁇ A r 2 and A r 3 each independently represents an arylene group or a divalent heterocyclic group
  • a r 4 and A r 5 each independently Represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group
  • X represents 0 or 1.
  • a r 7 and A r 8 independently represent ⁇ Li one alkylene group or a divalent multi heterocyclic group
  • R 2 2 is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Aryl group, aryloxy group, arylthio group, aryl alkyl group, aryl alkoxy group, aryl alkylthio group, aryl alkenyl group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen Represents an atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substitution force lpoxyl group, a cyano group or a nitro group
  • n is selected from 0 to 2 Y and z each independently represents an integer selected from 0 to 2.
  • the divalent condensed polycyclic hydrocarbon group in the formula (III) means the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from the condensed polycyclic hydrocarbon, and the group may have a substituent. Good.
  • substituents examples include alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, aryl alkyl group, aryl alkoxy group, aryl Alkylthio group, aryl alkenyl group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent A heterocyclic group, a carboxyl group, a substitution force lpoxyl group, a cyano group, or a doublet group.
  • the number of carbon atoms in the divalent condensed polycyclic hydrocarbon group excluding substituents is usually about 10 to 50, and the total carbon including the divalent condensed polycyclic hydrocarbon group substituents is The number is usually on the order of 10-15.
  • Examples of the substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group and substituent force loxyl group include the same groups as described above.
  • divalent condensed polycyclic hydrocarbon groups include linear ortho-condensed divalent groups (the following formulas (III-A) to (III-D)), ortho-condensation other than linear ortho-condensation A divalent group (following formula (III-E) to (III-I K)), a divalent group containing orthoperi condensation (following formula (III-L) to (III-Q)) and a 4-membered ring, And divalent groups containing the 7-membered ring and 8-membered ring (the following formulas (III-R) to (III-U)).
  • divalent condensed polycyclic aromatic hydrocarbon group examples include groups represented by the following formula (III-1)).
  • the arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and condensed Also included are those having a ring and those in which two or more independent benzene rings or condensed rings are bonded directly or via a group such as vinylene.
  • the arylene group may have a substituent.
  • the type of the substituent is not particularly limited, but from the viewpoint of solubility, fluorescence characteristics, ease of synthesis, characteristics in the case of a device, etc., an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, Arylthio group, aryl alkyl group, aryl alkyl alkoxy group, aryl alkylthio group, aryl aryl alkenyl group, aryl aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group , An acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group is preferred.
  • the number of carbon atoms in the arylene group excluding substituents is usually about 6 to 60, preferably 6 to 20.
  • the total number of carbon atoms including the substituent of the arylene group is usually about 6 to 100.
  • the arylene group includes a phenyl group (for example, the following formulas 1 to 3), a naphthalene diyl group (the following formulas 4 to 13), an anthracene-zyl group (the following formulas 14 to 19), a biphenyl-zyl group (the following formulas) Formulas 20-25), terfeluroyl groups (Formulas 26-28), condensed ring compound groups (Formulas 29-35), fluorene / olene diyl groups (Formula 36-38), benzofluorene diyl ( The following formulas 39 to 46) are exemplified.
  • the divalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from a heterocyclic compound, and the group may have a substituent.
  • the heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure, and the elements constituting the ring are not only carbon atoms but also heteroatoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, and arsenic. Is included in the ring.
  • divalent heterocyclic groups divalent aromatic heterocyclic groups are preferred.
  • the type of substituent is not particularly limited, but from the viewpoints of solubility, fluorescence characteristics, ease of synthesis, characteristics in the case of a device, etc., an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group.
  • the number of carbon atoms in the divalent heterocyclic group excluding substituents is usually about 3 to 60.
  • the total number of carbon atoms including the substituents of the divalent heterocyclic group is usually about 3 to 100.
  • Examples of the divalent heterocyclic group include the following.
  • Divalent heterocyclic group containing nitrogen as a hetero atom pyridine monodyl group (following formula 101-106), diazaphenylene group (following formula 107-110), quinoline diyl group (following formula 11 1-125), quinoxaline Diyl group (formula 126 ⁇ : 130), acridine diyl group (formula 131-134), bibilidyl diyl group (formula 135 ⁇ : L 37), phenanthrolinyl group (formula 138-140).
  • a group having a fluorene structure containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium and the like as a heteroatom (Formula 14;! To 155).
  • a group in which a phenyl group, a furyl group, or a chenyl group is substituted on a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as 13 atoms (the following formulas 197 to 202).
  • R represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl alkyl group.
  • aryloxy group represents arylalkylthio group, arylarylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide
  • Alkyl group alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, aryl group, aryl alkyl group, aryl alkyl group, aryl alkylthio group, aryl alkenyl group, aryl alkynyl group, substituted Definitions of amino groups, substituted silyl groups, halogen atoms, acyl groups, acyl / oxy groups, imine residues, amide groups, acid imide groups, monovalent heterocyclic groups and substituent lupoxyl groups, The definitions and specific examples of R and R 2 are the same.
  • the repeating unit represented by the above formula (I I I) is preferably a repeating unit represented by the above formula (V I).
  • a r 2 and A r 3 are preferably arylene groups, and a phenyl group (for example, the above formula (1 to 3)), naphthalene diyl group (eg above formula (4-13)) or anthracenedyl group (eg For example, a group represented by the above formula (14 to 19)) is more preferable, a phenylene group or a naphthenic diyl group is more preferable, and a phenylene group is most preferable.
  • a phenyl group for example, the above formula (1 to 3)
  • naphthalene diyl group eg above formula (4-13)
  • anthracenedyl group eg
  • a group represented by the above formula (14 to 19) is more preferable
  • a phenylene group or a naphthenic diyl group is more preferable
  • a phenylene group is most preferable.
  • Ar 4 and Ar 5 are preferably aryl groups, such as phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group or It is more preferably a 9-anthracenyl group, and even more preferably a phenyl group, a 1-naphthyl group, or a 2-naphthyl group.
  • the repeating unit represented by the above formula (VI) is preferably a repeating unit represented by the following formula (V I I).
  • Ar 6 represents an arylene group or a divalent heterocyclic group
  • R 13 , R 14 , R, 5 and R 16 each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, Alkylthio group, aryl group, aryloxy group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, aryl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, Represents a halogen atom, an acyl group, an acyloxy group, an imine residue, an amide group, an acid imide group, a monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and i and :) 'Represents an integer independently selected from 0 to 4, and k and 1 each independently represents an integer selected from 0 to 5.
  • the definition, specific examples, etc. of the group, imine residue, amido group, acid imide group, monovalent heterocyclic group and substitution force lpoxyl group are the same as those defined in R, R 2 above, specific examples, etc. is there.
  • R 13 , R 14 , R, 5 and R 16 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group.
  • an alkyl group an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group or an arylalkylthio group, an alkyl group, More preferably, it is an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group, and an alkyl group or an aryl group. Most preferably, it is a group.
  • R, 5 and R 16 are preferably alkyl groups.
  • i and j are preferably 0 or 1 in the above formula (V I I), and most preferably 0.
  • k and 1 are preferably integers selected from 0 to 3, and are positive integers selected from 1 to 3 It is more preferable that
  • Ar 6 is preferably an arylene group, and the above formula (1, 2, 4, 12, 13, 14, 16, More preferably, it is a group represented by 17, 19, 20, 23, 26, 27, 29-33, 36, 39, 43 or 45).
  • Ar 6 is preferably a divalent group represented by the following formula (VIII).
  • R l7, R l8, the R 19 and R 2Q are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Ariru group, Ariruokishi group, ⁇ Li one thio group, ⁇ Reel alkyl group, aryl alkylthio group, aryl alkylthio group, aryl aryl alkenyl group, aryl aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue group, an amide group, Sani bromide group, monovalent heterocyclic group, a force Rupokishiru group, a substituted force Rupokishiru group, an Shiano group or a nitro port group, scale, 7 and!
  • Rl9 and R2 may be bonded to each other to form a ring.
  • Alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, aryl alkyl group, aryl aryl alkoxy group, aryl alkylthio group, aryl alkenyl group, aryl alkynyl group, substituted amino group , substituted silyl group, halogen atom, Ashiru group, Ashiruokishi group, Imin residue, amide group, acid imide group, monovalent defined heterocyclic group and substituted carboxyl group, examples, etc., in the R have R 2 Their definitions and specific examples are the same.
  • R, 7 , R, 8 , R 19 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Preferably an aryl group, an aryloxy group, an aryloxy group, an arylalkyl group, an arylalkyloxy group, an arylalkylthio group, an arylalkylene group, an arylylalkynyl group or a monovalent heterocyclic group, a hydrogen atom, an alkyl group More preferably an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, an arylalkyl group or an arylalkylthio group, a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group.
  • R 17 and R 18 , R l9 and R 2 are preferably bonded to each other to form a ring.
  • the ring may be a C 4 to C 1Q cycloalkyl ring which may have a substituent, or a C 4 to C, which may have a substituent.
  • C 6 -C 4 optionally substituted C 6 -C, 4 aromatic hydrocarbon ring or optionally substituted C 6 -C, 4 heterocycle .
  • C 6 to C 4 which may have a substituent
  • C 6 to C I4 which may have an aromatic hydrocarbon ring or a substituent heterocycle rather preferable
  • it is not more preferable is an aromatic hydrocarbon ring optionally C 6 -C M may have a substituent.
  • cycloalkyl ring examples of the cycloalkyl ring, the cycloalkenyl ring, the aromatic hydrocarbon ring, and the heterocyclic ring are the same as those in the above (I).
  • the divalent group represented by the above formula (VI I I) is preferably a divalent group represented by the following formula (I X).
  • R 21 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl alkyl group, an aryl alkoxy group, an aryl alkylthio group, an aryl group.
  • R atom and R 2 are defined as R atom, R acyl group, acyl group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group and substituent lupoxyl group. The same as the specific example.
  • Ar 6 is preferably a divalent group represented by the following formula (XIV).
  • R 25 and R 26 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, Arylalkylthio group, arylarylalkenyl group, arylarylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, A monovalent heterocyclic group, a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, Q and r each independently represents an integer selected from 0 to 4. When a plurality of R 25 and R 26 are present, they may be the same or different. ]
  • R 2 1 are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Ariru group, ⁇ Li - Ruokishi group, Arylthio, arylalkyl, arylalkoxy, arylalkylthio, arylalkenyl, arylalkynyl or monovalent heterocycle Is preferably an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, or an arylalkylthio group, An alkyl group, an alkoxy group, an aryl group or an aryloxy group is more preferable, and an alkyl group or an aryl group is most preferable.
  • m is preferably an integer selected from 0 to 4, more preferably an integer selected from 0 to 2, More preferably it is.
  • repeating unit represented by the above formula (V I) include repeating units represented by the following formulas (I I I 1 9) to (I I 1-2 0).
  • the repeating unit represented by the above formula (I I I) is preferably a repeating unit represented by the above formula (X).
  • ⁇ is preferably 0.
  • y and ⁇ are preferably independently 0 or 1 in the above formula (X).
  • a r 7 and A r 8 are preferably a divalent heterocyclic group. From the viewpoint of improving the light emission efficiency, it is preferable that 8 1 ", 7 “ and 1 " 8 are a divalent group represented by the following formula (XI).
  • R 2 3 represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkylthio group, an arylalkylthio group, an alkyl group, Reel alkenyl group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, This represents a strong lpoxyl group, a substituted lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and o represents an integer selected from 0 to 2. If R 2 3 there are a plurality, they may be the same or different. ]
  • R 2 3 is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, Ariru group, Ariruokishi group, Ariruchio group, ⁇ reel alkyl
  • an alkyl group an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, and an aryl group. More preferably an alkyl group, an alkoxyl group, an aryl group or an aryloxy group, and an alkyl group or an aryl group. And are most preferred.
  • o is preferably 0 or 1 from the viewpoint of ease of synthesis of the raw material monomer.
  • repeating unit represented by the above formula (X) include repeating units represented by the following formulas (I I I 21) to (I I 1 -31).
  • the polymer compound of the present invention has a repeating unit represented by the above formula U), represented by the above formula (II).
  • Each of the repeating units represented by formula (III) may contain two or more kinds of repeating units.
  • the content of ⁇ (I) + (I I) + (I I I) ⁇ in all repeating units is usually in the range of 50 mol% to 100 mol%.
  • (I) ⁇ (I I) + (I I I) ⁇ is usually expressed in the range of 1 to 20, and (I I) Z (I I I) is usually expressed in the range of 0.05 to 20.
  • the polymer compound of the present invention includes, in addition to the repeating units (I), (11) and (III), from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, improving the heat resistance, and the like.
  • a copolymer containing at least one type of repeating unit other than the above is preferable.
  • the repeating unit other than (I), (11) and (I I I) a repeating unit represented by the following formula (A) may be included.
  • each A independently represents an arylene group, a divalent heterocyclic group or a divalent group having a metal complex structure.
  • the arylene group and the divalent heterocyclic group are the same groups as described above.
  • divalent group having a metal complex structure examples include the following 301 to 307.
  • R is the same as the examples in the above formulas (1 to 46, 101 to 206).
  • repeating units represented by the above formula (A) the repeating units represented by the following formula (B), formula (C), formula (D) or formula (E) are preferable.
  • Ra is an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an alkenyl group, an aryl group, an alkynyl group, , Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, Represents a cyano group or a nitro group, ⁇ represents an integer selected from 0 to 4, and a plurality of Ra are present. They may be the same or different.
  • R b and R t are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, Group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, Each represents a force lpoxyl group, a substitution force lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, / 3 and ⁇ each independently represent an integer selected from 0 to 3. When there are a plurality of R b and R c , It may be the same or different.
  • R d represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl alkyl group, an aryl alkyl group, an arylalkylthio group, an aryl alkenyl group, an aryl group, Geb alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, asil group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, force group, substituted Represents a strong lpoxyl group, a cyano group or a nitro group, and ⁇ represents an integer of 0 to 2.
  • R e and R f are each independently an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, Group, aryl alkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl A group, a substituted carboxyl group, a cyano group or a nitro group, and each independently represents an integer selected from 0 to 4.
  • Z 2 represents ⁇ , S, S0 2 , Se, Te, N—R g or S i R h Ri shows a.
  • Z 3 and Z 4, each independently represent N or C one Rj, R ", Ri and each independently represent a hydrogen atom, Alkyl group, Ariru group, if Arirua alkyl represents a group or a monovalent heterocyclic group.
  • R e and R f are several present, they may be the same or different.
  • Examples of the central five-membered ring of the repeating unit represented by the formula (E) include thiadiazole, oxadiazole, triazol, thiophene, furan, silole and the like.
  • Specific examples of the polymer compound of the present invention include a polymer compound represented by the following formula (XII).
  • R ,, R 2 , R 3, R 4, R 5, R have R N have Ar ,, Ar 2, A r 3 , Ar 4, Ar 5, a, b, c
  • u is in the range of 50 to 95
  • V is in the range of 1 to 20
  • w is in the range of 1 to 20
  • U + v + w 100
  • (v + w) is a value in the range of 1-20
  • v / w is a value in the range of 0.05-20.
  • the polymer compound represented by the above formula (XII) may be any of a random copolymer, a block copolymer, and an alternating copolymer.
  • the polymer compound of the present invention preferably has a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 , more preferably 10 3 to 10 7 , from the viewpoint of device lifetime characteristics. More preferably, it is 10 4 to 10 7 .
  • the polystyrene-equivalent number average molecular weight and weight average molecular weight were determined by size exclusion molecular chromatography (SEC) (manufactured by Shimadzu Corporation: LC—10 Av p). .
  • SEC size exclusion molecular chromatography
  • the polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5 wt%, and 30 / L was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mLZmin.
  • TSK gel Su HM—H manufactured by Tosohichi
  • TSKge 1 Super H2000 manufactured by Tosohichi
  • a differential refractive index detector manufactured by Shimadzu Corporation: RID-10A was used as the detector.
  • the polymer compound of the present invention may be an alternating, random, block or graft copolymer, or a polymer having an intermediate structure thereof, for example, a random copolymer having a block property. May be. From the viewpoint of obtaining a polymer light emitter having a high quantum yield of fluorescence or phosphorescence, a random copolymer having a block property rather than a complete random copolymer is preferably a block or a graft copolymer. If the main chain is branched and there are 3 or more ends, dendrimers are included.
  • the terminal group of the polymer compound of the present invention may decrease the light emission characteristics and life when it is used as a device. Therefore, even if it is protected with a stable group. Good.
  • Those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the main chain are preferred, and examples thereof include a structure bonded to an aryl group or a heterocyclic group via a carbon-carbon bond.
  • substituents described in Chemical formula 10 of JP-A-9-45478 are exemplified.
  • Examples of the good solvent for the polymer compound of the present invention include black mouth form, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, Examples include karin and n-butylbenzene. Although depending on the structure and molecular weight of the polymer compound, usually 0.1% by weight or more of the polymer compound can be dissolved in these solvents. Next, the manufacturing method of the high molecular compound of this invention is demonstrated.
  • the polymer compound of the present invention can be produced by using a compound represented by ⁇ , —A—Y 2 as one of the raw materials and subjecting it to condensation polymerization.
  • a compound represented by ⁇ , —A—Y 2 as one of the raw materials and subjecting it to condensation polymerization.
  • 1 A— represents a repeating unit represented by the above formula (I), (II) or (III).
  • Y and Y 2 each independently represent a substituent capable of condensation polymerization.
  • the polymer compound of the present invention has a repeating unit other than — ⁇ —, the compound having two substituents involved in condensation polymerization, which becomes a repeating unit other than one, is coexisted. What is necessary is just to carry out condensation polymerization.
  • Examples of compounds having two condensation-polymerizable substituents that are repeating units other than the repeating unit represented by A— include compounds of Y 3 —Ar a —Y 4 (wherein Y 3 and Y 4 each independently represent a substituent involved in condensation polymerization.) — A— In addition to the compound represented by ⁇ 2 , ⁇ 3 — A r a — ⁇ 4 The polymer compound of the present invention can be produced by condensation polymerization of the compound shown.
  • the substituents participating in condensation polymerization ( ⁇ ,, ⁇ 2, ⁇ 3 , ⁇ 4, ⁇ 5 and Upsilon 6)
  • the halogen atom alkyl sulfonate group, ⁇ Li one Rusuruhone Group, arylalkyl sulfonate, borate ester group, sulfonemethyl group, phosphonium methyl group, phosphonate methyl group, monohalogenated methyl group, mono-B (OH) 2 , formyl group, cyano group or vinyl Groups and the like.
  • examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • alkyl sulfonate group examples include a methane sulfonate group, an ethane sulfonate group, and a trifluoromethane sulfonate group.
  • aryl sulfonate group examples include a benzene sulfonate group and a p-toluene sulfonate group.
  • release sulfonate group examples include a benzyl sulfonate group.
  • boric acid ester group examples include groups represented by the following formulae.
  • Examples of the sulfomethyl group include groups represented by the following formulae.
  • Examples of the phosphonium methyl group include groups represented by the following formulae.
  • Examples of the phosphonate methyl group include groups represented by the following formulae.
  • X represents a halogen atom
  • R ′ represents an alkyl group, an aryl group, or an aryl alkyl group.
  • Examples of the monohalogenated methyl group include a methyl fluoride group, a salt methyl group, a methyl bromide group, and a methyl iodide group.
  • -Preferred substituents involved in condensation polymerization vary depending on the type of polymerization reaction
  • a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate group or an aryl alkyl sulfonate group may be mentioned.
  • a nickel catalyst or a palladium catalyst such as Suzuki coupling reaction
  • an alkyl sulfonate group, a halogen atom, a borate group, or one B (OH) 2 may be mentioned.
  • a compound having a plurality of substituents involved in condensation polymerization which is a monomer, is dissolved in an organic solvent as necessary.
  • an alkali or a suitable catalyst It can carry out at the temperature more than the melting
  • a known condensation reaction can be used depending on the substituent involved in the condensation polymerization.
  • a method of polymerizing the corresponding monomer by Suzuki coupling reaction a method of polymerizing by Grignard reaction, a method of polymerizing by Ni (0) complex, a method of polymerizing by an oxidizing agent such as FeC 1 3 , electrochemical Examples thereof include a method of oxidative polymerization or a method of decomposing an intermediate polymer having an appropriate leaving group.
  • the method of polymerization by Suzuki coupling reaction, the method of polymerization by Grignard reaction, and the method of polymerization by nickel zero-valent complex are preferable because the structure can be easily controlled.
  • the substituents ( ⁇ , ⁇ 2 , ⁇ 3 , ⁇ 4 , ⁇ 5 and ⁇ 6 ) involved in the condensation polymerization are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl sulfonate.
  • dihalogenated compounds bis (alkyl sulfonate) compounds, bis (aryl sulfonate) compounds, bis (aryl alkyl sulfonate) compounds, halogen-alkyl sulfonate compounds, halogen mono sulfonate compounds, And halogen sulfonate alkyl sulfonate compounds, alkyl sulfonate monosulfonate sulfonate compounds, alkyl sulfonate aryl sulfonate sulfonate compounds, and aryl sulfonate trialkyl sulfonate compounds.
  • a halogen-alkyl sulfonate compound for example, as a raw material compound, a halogen-alkyl sulfonate compound, a halogen-alkyl sulfonate compound, a halogen-alkyl sulfonate compound, an alkyl sulfonate tol sulfonate compound, an alkyl sulfonate tol alkyl sulfonate compound Or a method of producing a polymer compound having a controlled sequence by using an arylsulfonate-to-reel alkylsulfonate compound.
  • the substituents ( ⁇ , ⁇ 2 , ⁇ 3 , ⁇ 4 , ⁇ 5 and ⁇ 6 ) involved in the condensation polymerization are each independently a halogen atom, an alkyl sulfonate group, an aryl.
  • KZ J is in the range of 0.7 to 1.2
  • a production method in which condensation polymerization is performed using a nickel catalyst or a palladium catalyst is preferable.
  • raw material compounds include dihalogenated compounds, bis (alkyl sulfonate) compounds, bis (aryl sulfonate) compounds or bis (aryl alkyl sulfonate) compounds and diboric acid compounds or diboric acid ester compounds. It is done.
  • Rogen monoborate compounds Halogen monoborate compounds, Alkyl sulfonate monoborate compounds, Alkyl sulfonate monoborate compounds, aryl sulfonates "Boric acid compounds, aryl sulfonate-borate ester compounds, allyli Examples thereof include alkyl sulfonate-boric acid compounds, arylalkyl sulfonate-boric acid compounds, and arylalkyl sulfonate-boric acid ester compounds.
  • a halogen-boric acid compound for example, as a raw material compound, a halogen-boric acid compound, a halogen-boric acid ester compound, an alkyl sulfonate monoborate compound, an alkyl sulfonate monoborate ester compound, an aryl sulfonate-borate compound, an aryl sulfonate
  • a halogen-boric acid compound for example, a halogen-boric acid compound, a halogen-boric acid ester compound, an alkyl sulfonate monoborate compound, an alkyl sulfonate monoborate ester compound, an aryl sulfonate-borate compound, an aryl sulfonate
  • aryl sulfonate Manufacture of polymer compounds with controlled sequences by using monoborate esters, arylalkylsulfonate monoborate compounds, arylalkylsulfon
  • the organic solvent varies depending on the compound and reaction used, it is generally preferred that the solvent used is sufficiently deoxygenated to allow the reaction to proceed under an inert atmosphere in order to suppress side reactions. Similarly, it is preferable to perform a dehydration treatment. However, this is not the case in the case of a reaction in a two-phase system with water, such as a Su z u k i force pulling reaction.
  • Solvents include saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, and cyclohexane, unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene, and xylene, carbon tetrachloride, chloroform, formaldehyde, dichloromethane, chlorobutane, and bromobutane.
  • saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, and cyclohexane
  • unsaturated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene, and xylene
  • carbon tetrachloride carbon tetrachloride
  • chloroform formaldehyde
  • dichloromethane chlorobutane
  • bromobutane bromobutane
  • Halogenated saturated hydrocarbons such as chloropentane, bromopentane, black hexane, promohexane, chlorocyclohexane, bromocyclohexane, halogenated unsaturated carbon such as black benzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene
  • Alcohols such as hydrogen, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, t-butyl alcohol, carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, dimethyl ether, jetyl ether, methyl mono t ethers such as butyl ether, tetrahydrofuran, tetrahydropyran, dioxane, trimethylamine, triethylamine, amines such as N, N, N ', ⁇ ' -tetramethylethylenediamine, pyridine, ⁇ , ⁇ -dimethylformamide And amides
  • an alkali and a suitable catalyst are added suitably. These may be selected according to the reaction used.
  • the alkali or catalyst is preferably one that is sufficiently dissolved in the solvent used in the reaction.
  • the reaction solution is slowly added to the alkali solution or the catalyst solution while stirring the reaction solution under an inert atmosphere such as argon or nitrogen. The method of adding slowly is illustrated.
  • the polymer compound of the present invention is used for a polymer LED or the like, since the purity affects the performance of the device such as light emission characteristics, the monomer before polymerization was purified by methods such as distillation, sublimation purification, and recrystallization. It is preferable to polymerize later. Further, after the polymerization, it is preferable to carry out a purification treatment such as reprecipitation purification and fractionation by chromatography.
  • composition of the present invention is a composition comprising the polymer compound of the present invention,
  • a composition comprising at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material, and a light emitting material; and at least one polymer compound of the present invention; And a composition containing at least two polymer compounds.
  • the liquid composition of the present invention is useful for production of light emitting devices such as polymer light emitting devices and organic transistors.
  • the liquid composition comprises the polymer compound and a solvent.
  • the “liquid composition” means a liquid at the time of device fabrication, and typically means a liquid at normal pressure (ie, 1 atm) and 25.
  • the liquid composition is generally called an ink, an ink composition, a solution, or the like.
  • the liquid composition of the present invention includes a low-emission material, a hole transport material, an electron transport material, a stabilizer, an additive for adjusting viscosity and wrinkle or surface tension, and an antioxidant.
  • An agent or the like may be included. These optional components may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the low molecular fluorescent material that may be contained in the liquid composition of the present invention include naphthalene derivatives, anthracene, anthracene derivatives, perylene, perylene derivatives, polymethine dyes, xanthene dyes, coumarin dyes, cyanine dyes, 8-hydroxyquinori Metal complexes having a metal complex of thiophene as a ligand, metal complexes having an 8-hydroxyquinoline derivative as a ligand, other fluorescent metal complexes, aromatic amines, tetraphenyl oral pen terogens, tetraphenyls Cyclopentaphene derivatives, tetraphenylcyclobutagen, tetraphenylcyclobutadiene derivatives, stilbene, aromatic hydrocarbons, oxazole, furoxan, thiazol, tetraarylmethane, thiadiazol Fluorescent materials of low molecular weight compounds such as pyrazo
  • hole transport materials examples include, for example, polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain, and pyrazoline.
  • Derivatives arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, poly (p-phenylenevinylene) and its derivatives, poly (2,5- (Chenylenevinylene) and derivatives thereof.
  • Examples of the electron transport material that may be contained in the liquid composition of the present invention include oxaziazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetra Cyananthraquinodimethane and its derivatives, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene And derivatives thereof.
  • Examples of the stabilizer that may be contained in the liquid composition of the present invention include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants.
  • Examples of the additive for adjusting the viscosity and / or surface tension that may be contained in the liquid composition of the present invention include a high molecular weight compound (thickener), a poor solvent, and a viscosity for increasing the viscosity.
  • Thickener a high molecular weight compound
  • a low molecular weight compound for lowering and a surfactant for lowering the surface tension may be used in appropriate combination.
  • the high molecular weight compound may be any compound that does not inhibit light emission or charge transport, Usually, it is soluble in the solvent of the liquid composition.
  • the high molecular weight compound include high molecular weight polystyrene, high molecular weight polymethyl methacrylate, and the like.
  • the above high molecular weight compound preferably has a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more.
  • a poor solvent can be used as a thickener.
  • the antioxidant that may be contained in the liquid composition of the present invention is not limited as long as it does not inhibit light emission or charge transport. When the composition contains a solvent, it is usually soluble in the solvent. It is. Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants. By using an antioxidant, the storage stability of the polymer compound and the solvent can be improved.
  • the ratio of the hole transport material in the liquid composition is usually 1 wt% to 80 wt%, preferably 5 wt% to 60% by weight.
  • the proportion of the electron transport material in the liquid composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60%. % By weight.
  • the film formation method using a liquid composition includes spin coating, casting, micro-gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, and slit coating. It is possible to use coating methods such as a cap coat method, a capillary coat method, a spray coat method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a noble recoating method.
  • the proportion of the solvent in the liquid composition is usually 1% to 99.9% by weight, preferably 60% to 99.9% by weight, based on the total weight of the liquid composition, Preferably 90% to 99.8% by weight.
  • the viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method, but is preferably in the range of 0.5 to 500 mPa ⁇ s at 25. In the case of those passing through, it is preferable that the viscosity is in the range of 0.5 to 20 mPa ⁇ s at a viscosity of 25 in order to prevent clogging and flight bending at the time of discharge.
  • the solvent contained in the liquid composition those capable of dissolving or dispersing components other than the solvent in the liquid composition are preferable.
  • the solvent include chlorinated solvents such as chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, benzene, 0-dichlorobenzene, ethers such as tetrahydrofuran and dioxane.
  • Solvents toluene, xylene, trimethylbenzene, mesitylene and other aromatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n- Nonhydrocarbon solvents such as nonane, n-decane, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, ethyl cellosolve acetate, ethylene Glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether Ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, jet methane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, polyhydr
  • solvents may be used alone or in combination.
  • Solvent types include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic hydrocarbon solvents from the viewpoints of solubility in organic solvents of components other than the solvent in the liquid composition, uniformity during film formation, and viscosity characteristics. , Ester solvents, and ketone solvents are preferred.
  • the type of solvent contained in the liquid composition is preferably 2 or more, more preferably 2 to 3 and more preferably 2 from the viewpoints of film formability and device characteristics. Further preferred.
  • the liquid composition contains two types of solvents, one of them may be in the solid state at 25.
  • one kind of solvent has a boiling point of 180 or more
  • the other one kind of solvent preferably has a boiling point of less than 180
  • one kind of solvent has a boiling point of 200. More preferably, the other one solvent has a boiling point of less than 180.
  • it is preferable that 2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent, and one of the two solvents has 25 In this case, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved.
  • the liquid composition contains three kinds of solvents, one or two of them may be in a solid state.
  • at least one of the three solvents is preferably a solvent having a boiling point of 180 or higher, and at least one solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 or lower, At least one of the three solvents is a solvent having a boiling point of 200 t: or more and 300 or less, and at least one solvent is more preferably a solvent having a boiling point of 180 or less.
  • it is preferable that at least two of the three types of solvents have a solubility of 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition at 60. In one of the three solvents, at 25, it is preferable that at least 0.2% by weight of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent.
  • the solvent having the highest boiling point should be 40 to 90% by weight of the total solvent contained in the liquid composition from the viewpoint of viscosity and film formability. More preferably, it is 50 to 90% by weight, more preferably 65 to 85% by weight. That's right.
  • the polymer compound of the present invention can be used not only as a light emitting material but also as a conductive material by a thin film, an organic semiconductor material, an organic transistor, an optical material, a solar cell, or doping.
  • the thin film of the present invention will be described.
  • This thin film is formed using the polymer compound.
  • Examples of thin film include luminescent thin film, conductive thin film, organic semiconductor thin film, etc.
  • the luminescent thin film has a quantum yield of light emission of 50% or more from the viewpoint of device brightness, light emission voltage, etc. It is preferably 60% or more, more preferably 70% or more.
  • the conductive thin film preferably has a surface resistance of 1 ⁇ or less.
  • the electrical conductivity can be increased by doping a Lewis acid, an ionic compound, or the like on the thin film.
  • the surface resistance is more preferably 100 ⁇ / mouth or less, and further preferably 10 ⁇ Noro or less.
  • the organic semiconductor thin film better one of electron mobility and hole mobility, the larger is, preferably 10 @ 5 cm 2 or more ZVZ seconds, more preferably 10- 3 cm 2 or more ZVZ seconds, more preferably 10 — More than 1 cm 2 ZV / sec.
  • an organic transistor can be fabricated using an organic semiconductor thin film. Specifically, by the organic semiconductor thin film is formed on S i substrate formed with an insulation film and a gate electrode such as S I_ ⁇ 2, a source electrode and a drain electrode in A u like, organic transistors evening It can be.
  • the polymer compound of the present invention can be suitably used as a material for a polymer field effect transistor, particularly as an active layer.
  • a source electrode and a drain electrode are usually provided in contact with an active layer made of a polymer, and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween. It only has to be done.
  • the polymer field effect transistor is usually formed on a supporting substrate.
  • the material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics of the field effect transistor are not impaired.
  • a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.
  • the polymer field effect transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.
  • the film formation method from a solution in which an organic solvent-soluble polymer compound is dissolved in a solvent includes spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, and wire bar. Apply coating methods such as coating method, date coating method, slit coating method, cap coating method, spray coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, inkjet printing method, nozzle coating method, etc. Can be used.
  • a sealed polymer field-effect transistor formed by sealing a polymer field-effect transistor after production is preferred.
  • the polymer field effect transistor is shielded from the atmosphere, and the deterioration of the characteristics of the polymer field effect transistor can be suppressed.
  • Sealing methods include ultraviolet (UV) curable resin, thermosetting resin, inorganic Si ON x film, etc., glass plate and film laminated with UV curable resin, thermosetting resin, etc. Can be mentioned.
  • UV curable resin thermosetting resin
  • inorganic Si ON x film, etc. glass plate and film laminated with UV curable resin, thermosetting resin, etc.
  • an organic solar cell Next, an organic solar cell will be described.
  • a solid photoelectric conversion element that utilizes the photovoltaic effect as an organic photoelectric conversion element which is one embodiment of an organic solar battery will be described.
  • the polymer compound of the present invention is used as a material for an organic photoelectric conversion element, especially as an organic semiconductor layer of a Schottky barrier type element utilizing an interface between an organic semiconductor and a metal, and between an organic semiconductor and an inorganic semiconductor or between organic semiconductors. It can be suitably used as an organic semiconductor layer of a pn heterojunction element utilizing an interface.
  • an organic photoelectric conversion device using a polymer / low-molecular composite system for example, as an electron donating conjugated polymer (dispersion support) of a bulk heterojunction organic photoelectric conversion element in which a fullerene derivative is dispersed as an electron acceptor, Can be used.
  • a p-type semiconductor layer is formed on an ohmic electrode, for example, ITO, and an n-type semiconductor layer is further stacked thereon. It suffices if an ohmic electrode is provided.
  • the organic photoelectric conversion element is usually formed on a support substrate.
  • the material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics as an organic photoelectric conversion element are not impaired, but a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.
  • the organic photoelectric conversion device can be produced by a known method, for example, a method described in Synth. Met., 102, 982 (1999) or a method described in Science, 270, 1789 (1995).
  • the polymer light emitting device of the present invention comprises an electrode composed of an anode and a cathode, and a light emitting layer provided between the electrodes and containing the polymer compound.
  • the polymer light-emitting device of the present invention includes (1) a polymer light-emitting device in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light-emitting layer, and (2) a hole transport layer between the anode and the light-emitting layer. And (3) a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.
  • the light emitting layer is a layer having a function of emitting light
  • the hole transporting layer is a layer having a function of transporting holes
  • the electron transporting layer is a layer having a function of transporting electrons. It is.
  • the electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently.
  • the hole transport layer adjacent to the light emitting layer may be referred to as an interlayer.
  • the method by the film-forming from a solution includes spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, cap coating method.
  • Application methods such as a spray coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used.
  • the film thickness of the light emitting layer varies depending on the material used, and may be selected so that the driving voltage and the light emission efficiency are appropriate. For example, it is 1 nm to lm, and preferably 2 nm to 500 nm. And more preferably 5 nm to 200 nm.
  • a light emitting material other than the above polymer compound may be mixed and used in the light emitting layer.
  • a light emitting layer containing a light emitting material other than the polymer compound may be laminated with a light emitting layer containing the polymer compound.
  • the light emitting material other than the polymer compound known materials can be used.
  • low molecular weight compounds include naphthalene derivatives, anthracene and derivatives thereof, perylene and derivatives thereof, polymethines, xanthenes, coumarins, cyanines and other pigments, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and derivatives thereof, aromatics Amamine, tetraphenylcyclopentene and its derivatives, tetraphenylbutadiene and its derivatives, etc.
  • known ones such as those described in JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.
  • the hole transport material used includes polyvinyl carbazole and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, and polysiloxane having an aromatic amine in the side chain or main chain.
  • Derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypyrrole and its derivatives, poly (p-pheny Lembinylene) and its derivatives, poly (2,5-Chenylenepinylene) and its derivatives, etc. are exemplified.
  • JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988 examples are those described in JP-A-3-37992 and JP-A-3-152184.
  • the hole transport material used for the hole transport layer polyvinyl carbazol and derivatives thereof, polysilane and derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine compound group in the side chain or main chain
  • Polymeric hole transport materials such as diphosphorus and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, poly (p-phenylenepinylene) and derivatives thereof, poly (2,5-cenylene vinylene) and derivatives thereof are preferable, and more preferable.
  • a low molecular hole transport material it is preferably used by dispersing in a high molecular binder.
  • Polyvinylcarbazole and derivatives thereof are obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.
  • polysilanes and derivatives thereof examples include compounds described in Chemical 'Review (em. Rev.), Vol. 89, page 1359 (1989), GB 2300196 published specification, and the like.
  • synthesis method methods described in these can be used, but the kibbing method is particularly preferably used.
  • the polysiloxane derivative has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure
  • those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used.
  • those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.
  • the method for forming the hole transport layer is not limited, but for the low molecular hole transport material, a method by film formation from a mixed solution with a polymer binder is exemplified. In the case of a polymer hole transport material, a method of film formation from a solution is exemplified.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly restricted providing it can dissolve a hole transport material.
  • the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, and ketones such as acetone and methyl ethyl ketone.
  • Solvent, ethyl acetate, butyl acetate And ester solvents such as ethyl cellosorb acetate.
  • film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire-barco coating method, dip coating method, slit coating method.
  • Application methods such as a coating method, a cap coating method, a chiral coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used.
  • the polymer binder to be mixed those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those not strongly absorbing visible light are suitably used.
  • the polymer binder include poly force monoponate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.
  • the film thickness of the hole transport layer varies depending on the material used, and it may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate, but at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the drive voltage of the element increases, which is not preferable. Accordingly, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to lim, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • known electron transport materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its Derivatives, Anthraquinone and its derivatives, Tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, Fluorenone derivatives, Diphenyldisyanoethylene and its derivatives, Diphenoquinone derivatives, Metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, Polyquinoline and its derivatives And polyquinoxaline and derivatives thereof, and polyfluorene and derivatives thereof.
  • Japanese Patent Publication Nos. 63-70257, 63-175860, JP-A-2-135359, 2-135361, 2-209988, 3-37992 Examples are those described in JP-A-3-152184.
  • oxadiazole derivatives benzoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, polyfluorene and its derivatives 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) 1,1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
  • the method of forming the electron transport layer there are no particular restrictions on the method of forming the electron transport layer, but for low molecular weight electron transport materials, the vacuum deposition method from powder, or the method by film formation from a solution or molten state, the polymer electron transport material is a solution or Each method is exemplified by film formation from a molten state.
  • a polymer binder When forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used in combination.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve an electron transport material and / or a polymer binder.
  • the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; Examples are ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
  • Film formation methods from solution or melt include spin coating method, casting method, micrographia coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire-bar coating method, dip coating method, slit coating method.
  • Application methods such as a coating method, a cap coating method, a capillar rico-coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet printing method, and a nozzle coating method can be used.
  • the polymer binder to be mixed those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are suitably used.
  • polymer binder examples include poly (N-vinylcarbazol), polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, poly (p-phenylenevinylene) and its derivatives, poly (2, 5 — (Chenylenepinylene) and its derivatives, polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.
  • the film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and light emission efficiency are appropriate. At least, the thickness should be such that no pinholes are generated. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the electron
  • the thickness of the transport layer is, for example, 1 nm to lim, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • charge injection layer (hole injection layer).
  • the electron injection layer is sometimes commonly called.
  • the above-described charge injection layer or insulating layer may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface is improved and mixing is prevented. For this reason, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.
  • the order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer may be appropriately selected in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.
  • the polymer light emitting device provided with the charge injection layer is a polymer light emitting device provided with the charge injection layer adjacent to the cathode, and adjacent to the anode. Examples thereof include a polymer light emitting device provided with a charge injection layer.
  • Charge injection layer Cathode As a specific example of the charge injection layer, a layer containing a conductive polymer, between the anode and the hole transport layer A layer including a material having an ionization potential of an intermediate value between the anode material and the hole transport material included in the hole transport layer, and provided between the cathode and the electron transport layer. Examples thereof include a layer containing a material having an electron affinity with a value intermediate to that of the electron transport material contained in the child transport layer.
  • the electric conductivity of the conducting polymer is preferably from 10_ 5 S / cm or more 10 3 S / cm, Li one between light emitting pixels the small to order the leakage current, or less, more preferably 10 one 5 S / cm or more 10 2 S / cm, preferably to 10- 5 S / cm or more and 10 1 S / cm or less further.
  • an appropriate amount of ion-de Solo flop into the conducting polymer is preferably from 10_ 5 S / cm or more 10 3 S / cm, Li one between light emitting pixels the small to order the leakage current, or less, more preferably 10 one 5 S / cm or more 10 2 S / cm, preferably to 10- 5 S / cm or more and 10 1 S / cm or less further.
  • the type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer.
  • anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, etc.
  • cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetraptyl ammonium ions, and the like. It is done.
  • the film thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.
  • the material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer.
  • Examples thereof include a conductive polymer such as a polymer contained in a chain or a side chain, metal phthalocyanine (such as copper phthalocyanine), and carbon.
  • the insulating layer has a function of facilitating charge injection.
  • the average thickness of this insulating layer is usually from 0.1 to 20 nm, preferably from 0.5 to 10 nm, more preferably from 1 to 5 nm.
  • Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials.
  • the polymer light emitting device provided with the insulating layer include a polymer light emitting device provided with an insulating layer adjacent to the cathode, and a polymer light emitting device provided with an insulating layer adjacent to the anode.
  • the substrate on which the polymer light emitting device of the present invention is formed should not change when an electrode is formed and an organic layer is formed.
  • substrates such as glass, plastic, polymer film, and silicon are exemplified.
  • the opposite electrode is preferably transparent or translucent.
  • At least one of the anode and cathode electrodes is transparent or translucent, and the anode side is transparent or translucent.
  • a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used as the material of the anode. Specifically, it was made using indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and conductive glass composed of indium-tin-oxide (IT0), indium-zinc-oxide, etc., which are composites thereof. Films (NESA, etc.), gold, platinum, silver, copper, etc. are used, and IT0, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferred. Examples of the manufacturing method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, as the anode, an organic transparent conductive film such as polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof may be used.
  • the film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmission and electrical conductivity. For example, 10 nm to 10 m, preferably 20 nm to 1 mm, and more preferably 50 ⁇ ! ⁇ 500 nm.
  • a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, a strong bond, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like is provided on the anode to facilitate charge injection. May be.
  • a material having a low work function is preferable.
  • Metals, and alloys of two or more of them, or alloys of one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, Graphite or a graphite intercalation compound is used.
  • the cathode may have a laminated structure of two or more layers.
  • the film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability. For example, it is 10 nm to 10 m, preferably 20 nm to 1 m, and more preferably 50 nm. ⁇ m to 500 nm.
  • a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used.
  • a layer made of a conductive polymer, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like may be provided between the cathode and the organic material layer.
  • a protective layer for protecting the element may be attached. In order to stably use the polymer light emitting device for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and a protective power par in order to protect the device from the outside.
  • the protective layer resins, metal oxides, metal fluorides, metal borides and the like can be used.
  • a glass plate, a plastic plate with a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and the cover is attached to the element substrate with a thermosetting resin or a photocurable resin.
  • a method of sealing together is preferably used. If the space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is enclosed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and further, a desiccant such as barium oxide is adsorbed in the manufacturing process by installing in the space. It becomes easy to suppress moisture from giving a target to the element. It is preferable to take one or more of these measures.
  • the polymer light emitting device of the present invention can be used for display devices such as planar light sources, segment display devices, dot matrix display devices, liquid crystal display devices (for example, backlights), etc.
  • display devices such as planar light sources, segment display devices, dot matrix display devices, liquid crystal display devices (for example, backlights), etc.
  • the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other.
  • both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by separately applying a plurality of types of polymer compounds having different emission colors or by using a color filter or a fluorescence conversion filter.
  • the dot matrix element can be driven passively or may be driven actively in combination with TFT or the like.
  • the planar light-emitting element is a self-luminous thin type, and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source.
  • the light source for illumination includes light emission colors such as white light emission, red light emission, green light emission, and blue light emission. If a flexible substrate is used, it can also be used as a curved light source or display device.
  • examples will be shown to describe the present invention in more detail, but the present invention is not limited thereto. Is not to be done.
  • the polymer compound ⁇ P-1> had a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 9.1 ⁇ 10 4 and a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 2.1 XI 0 5 .
  • the high molecular weight compound P-2> had a polystyrene equivalent number average molecular weight of 8.9 ⁇ 10 4 and a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 1.9 ⁇ 10 5 .
  • N, 'One bis- (4 bromophenyl) — N, N, zi-p-toluluanthracene 9,10-diamin was synthesized by the method described in W02005Z049546 pamphlet. (Example 2)
  • the number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound P-3> was 8.0 ⁇ 10 4
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 1.7 ⁇ 10 5 .
  • the polystyrene reduced number average molecular weight of the polymer compound ⁇ P- 4> is 1. a 0 X 10 5, a polystyrene-reduced weight average molecular weight 2. was 1 X 1 0 5. (Example 4)
  • the number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound ⁇ P-5> was 5.1 ⁇ 10 4
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 8.7 ⁇ 10 4 .
  • the obtained toluene solution was added dropwise to methanol (800 ml) and stirred for 1 hour, and then the obtained solid was collected by filtration and dried.
  • the yield of the obtained polymer compound ⁇ P-6> was 2.22 g.
  • the number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer compound P-6 was 1.1 ⁇ 10 5
  • the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 2.4 x 10 5 .
  • the polystyrene reduced number average molecular weight of the polymer compound ⁇ P- 7> is 1. a 2X 10 5, a polystyrene-reduced weight average molecular weight was 3. 0X 10 5.
  • N, N'-bis (4 bromophenyl) 1N, N 'bis (4 tert-butyl-2,6-dimethylphenyl) — 1,4-phenylenediamine is JP 2004 No. 143419 It was synthesized by the method described in the publication. (Example 7)
  • the polystyrene reduced number average molecular weight of the polymer compound instrument P- 8> is 1. a 3X10 5, a polystyrene-reduced weight average molecular weight was 3. 2X 10 5.
  • N, N'-bis (4-bromophenyl) 1N, N'bibis (4-even-tributyl-2,6-dimethylphenyl) -benzidine was synthesized by the method described in W02005Z056633 Panflate. .
  • the polymer compound P-9> was dissolved in xylene to prepare a xylene solution with a polymer concentration of 0.5% by weight.
  • the polymer compound ⁇ P-9> was synthesized by the method described in WO 99 54385.
  • the polymer compound ⁇ P-2> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • the film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the xylene solution of the polymer compound ⁇ P-2> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotational speed of 1400 rpm. The film thickness after film formation was about 88 nm. Further, this was dried at 80 under reduced pressure for 1 hour, and then barium was deposited at about 5 nm as a cathode, and then aluminum was deposited at about 100 nm to produce an EL device. The metal deposition was started after the degree of vacuum reached 1 X 10 ' 4 Pa or less.
  • the polymer compound ⁇ P-2> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm.
  • the film thickness after film formation was about 100 nm. Further, this was dried at 8 O: under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and aluminum was then deposited at about 100 nm to produce an EL device.
  • the degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 P a.
  • the polymer compound ⁇ P-3> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution with a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • the film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the xylene solution of the polymer compound ⁇ P-4> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm. The film thickness after film formation was about 100 nm. Furthermore, this is decompressed After drying at 80 for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and then aluminum was deposited at about 100 nm to produce an EL device. The degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 P a.
  • the polymer compound ⁇ P-3> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • the film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the polymer compound P-5> xylene solution obtained above, a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm. The film thickness after film formation was about 100 nm. Furthermore, this was dried under reduced pressure at 80 ⁇ for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and aluminum was then deposited at about 100 nm to produce an EL device. The degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 P a.
  • the polymer compound ⁇ P-6> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • the film thickness after film formation was about 1 Onm. Further, using the xylene solution of the polymer compound ⁇ P-6> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm. The film thickness after film formation was about 100 nm. Further, this was dried at 80 under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode by about 5 nm, and aluminum was then deposited by about 10 Onm to produce an EL device. The degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 P a.
  • the polymer compound ⁇ P-3> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight. Fabrication of EL device
  • a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm.
  • the film thickness after film formation was about 100 nm. Further, this was dried at 80 under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and aluminum was then deposited at about 100 nm to produce an EL device. After the vacuum reached 1 X 10 " 4 Pa or less, metal deposition was started.
  • EL light emission having a peak at 460 nm was obtained from this device.
  • the luminance half life was 65 hours when the emission power was driven at 20. 0 / zW.
  • the polymer compound ⁇ P-8> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • the film thickness after film formation was about 10 nm. Further, using the xylene solution of the polymer compound ⁇ P-8> obtained above, a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm. The film thickness after film formation was about 100 nm. Further, this was dried at 80 under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and aluminum was then deposited at about 100 nm to produce an EL device. The degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 P a.
  • the polymer compound ⁇ P-1> obtained above was dissolved in xylene to prepare a xylene solution having a polymer concentration of 1.2% by weight.
  • a film was formed by spin coating at a rotation speed of 1200 rpm.
  • the film thickness after film formation was about 107 nm. Further, this was dried at 80 under reduced pressure for 1 hour, barium was deposited as a cathode at about 5 nm, and aluminum was then deposited at about 100 nm to produce an EL device. Note that the vacuum level is 1 X 10— 4 Pa or less. After reaching the metal deposition started.
  • EL light emission having a peak at 465 nm was obtained from this device.
  • the luminance half-life at which the luminance was 1000 cdZm 2 was 2.4 hours.
  • the luminance half-life when driven at a current density of 50 mAZ cm 2 was 2.1 hours.
  • the luminance half-life was 25 hours when the emission power was driven at 20. 0 / zW.
  • a polymer light emitting device (polymer LED) having a long luminance half-life is provided.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

明細書 高分子化合物および高分子発光素子
技術分野
本発明は、 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。
背景技術
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は発光素子における有機層に用いる材料等として 有用であることから種々検討されており、 その例として、 フルオレンジィル基と、 N位 にアルキル基を有するフエノキサジンジィル基とからなる共重合体である高分子化合物 が報告されている （例えば、 Ma c r omo l e c u l e s ; 2005, 38, 798 3 - 7991) 。
しかしながら、 上記の高分子化合物を発光素子用の発光材料として用いたとき、 その 輝度半減寿命は、 未だ十分なものではなかった。
発明の開示
本発明の目的は、 発光素子用の発光材料として用いたとき、 輝度半減寿命が長い素子 を与えることができる高分子化合物を提供することにある。
即ち本発明は、 下記式 （I ) で示される繰返し単位、 下記式 （I I ) で示される繰返 し単位および下記式 （I I I ) で示される繰返し単位を含む高分子化合物を提供するも のである。
Figure imgf000003_0001
〔上記式 （I ) 中、 R,および R2はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキ シ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールァ ルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン 原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環 基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 R,と R2 はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、 R3および R4はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一 ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァ リールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置 換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸ィ ミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニト 口基を表し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R3およ び R4がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
Figure imgf000004_0001
〔上記式 （I I ) 中、 RN Iはアルキル基を表し、 R5および R6はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリ一 ルアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R5および R6 がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
Figure imgf000004_0002
(ΙΠ)
〔上記式 （I I I ) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、 下記式 （V I ) で示され る基または下記式 （X) で示される基を表す。 〕
Figure imgf000005_0001
〔上記式 （V I ) 中、 A r ,、 A r 2および A r 3はそれぞれ独立に、 ァリ一レン基また は 2価の複素環基を表し、 A r 4および A r 5はそれぞれ独立に、 ァリール基または 1価 の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。 〕
Figure imgf000005_0002
〔上記式 （X) 中、 A r 7および A r sはそれぞれ独立に、 ァリ一レン基または 2価の複 素環基を表し、 R2 2は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァ リールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ —ルアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換 アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 イミ ン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル 基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜 2から選ばれる整数を表す。 R2 2、 A r 7および A r 8がそれぞれ 複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
したがって、 本発明の高分子化合物を含む高分子 L E Dは、 液晶ディスプレイのバッ クライ卜又は照明用としての曲面状や平面状の光源、 セグメントタイプの表示素子、 ド ットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに使用できる。
発明を実施するための形態
本発明の高分子化合物は、 下記式 （I ) で示される繰返し単位を含む。
Figure imgf000006_0001
σ)
〔上記式 （I ) 中、 R,および R2はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキ シ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールァ ルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン 原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環 基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 R,と R2 はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよく、 R3および R4はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一 ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァ リールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置 換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸ィ ミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニト 口基を表し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R3およ び R4がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕 ここにアルキル基としては、 直鎖、 分岐又は環状のいずれでもよく、 置換基を有して いてもよい。 炭素数は通常 1〜2 0程度であり、 具体的には、 メチル基、 ェチル基、 プ 口ピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 イソブチル基、 t一ブチル基、 ペンチル基、 へ キシル基、 シクロへキシル基、 ヘプチル基、 ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、 ノニ ル基、 デシル基、 3 , 7—ジメチルォクチル基、 ラウリル基、 トリフルォロメチル基、 ペン夕フルォロェチル基、 パーフルォロブチル基、 パーフルォ口へキシル基、 パーフル ォロォクチル基などが例示される。
アルコキシ基としては、 直鎖、 分岐又は環状のいずれでもよく、 置換基を有していて もよい。 炭素数は通常 1〜2 0程度であり、 具体的には、 メトキシ基、 エトキシ基、 プ 口ピルォキシ基、 イソプロピルォキシ基、 ブトキシ基、 イソブトキシ基、 t—ブトキシ 基、 ペンチルォキシ基、 へキシルォキシ基、 シクロへキシルォキシ基、 ヘプチルォキシ 基、 ォクチルォキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ基、 ノニルォキシ基、 デシルォキシ 基、 3 , 7—ジメチルォクチルォキシ基、 ラウリルォキシ基、 トリフルォロメトキシ基 、 ペンタフルォロエトキシ基、 パーフルォロブトキシ基、 パーフルォ口へキシルォキシ 基、 パーフルォロォクチルォキシ基、 メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォ キシ基などが例示される。
アルキルチオ基は、 直鎖、 分岐又は環状のいずれでもよく、 置換基を有していてもよ レ^ 炭素数は通常 1〜2 0程度であり、 具体的には、 メチルチオ基、 ェチルチオ基、 プ ロピルチオ基、 イソプロピルチオ基、 プチルチオ基、 イソプチルチオ基、 t一プチルチ ォ基、 ペンチルチオ基、 へキシルチオ基、 シクロへキシルチオ基、 へプチルチオ基、 ォ クチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、 ノニルチオ基、 デシルチオ基、 3 , 7—ジ メチルォクチルチオ基、 ラウリルチオ基、 トリフルォ.ロメチルチオ基などが例示される ァリール基は、 芳香族炭化水素から、 水素原子 1個を除いた原子団であり、 縮合環を 持つもの、 独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して 結合したものも含まれる。 ァリール基は、 炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、 好ましく は 7〜4 8であり、 その具体例としては、 フエニル基、 C，〜C I 2アルコキシフエニル 基 （C ,〜C , 2は、 炭素数 1 ~ 1 2であることを示す。 以下も同様である。 ） 、 C ,〜C | 2アルキルフエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントラセニル基、 2 一アントラセニル基、 9一アントラセニル基、 ペン夕フルオロフェニル基などが例示さ れ、 C ,〜C , 2アルコキシフエニル基、 じ,〜。, 2アルキルフエニル基が好ましい。 C , 〜C , 2アルコキシフエニル基として具体的には、 メトキシフエ二ル基、 エトキシフエ二 ル基、 プロピルォキシフエニル基、 イソプロピルォキシフエニル基、 ブトキシフエニル 基、 イソブトキシフエニル基、 t一ブトキシフエニル基、 ペンチルォキシフエニル基、 へキシルォキシフエニル基、 シクロへキシルォキシフエニル基、 ヘプチルォキシフエ二 ル基、 ォクチルォキシフエニル基、 2—ェチルへキシルォキシフエニル基、 ノニルォキ シフエ二ル基、 デシルォキシフエニル基、 3， 7—ジメチルォクチルォキシフエニル基 、 ラウリルォキシフエニル基などが例示される。 C，〜C , 2アルキルフエニル基として具体的にはメチルフエニル基、 ェチルフエニル基
、 ジメチルフエニル基、 プロピルフエニル基、 メシチル基、 メチルェチルフエニル基、 イソプロピルフエニル基、 ブチルフエニル基、 イソブチルフエニル基、 t一ブチルフエ ニル基、 ペンチルフエ二ル基、 イソアミルフエ二ル基、 へキシルフェニル基、 ヘプチル フエニル基、 ォクチルフエ二ル基、 ノニルフエニル基、 デシルフェニル基、 ドデシルフ ェニル基などが例示される。
ァリールォキシ基は、 炭素数が通常 6〜 6 0程度であり、 好ましくは 7〜4 8であり 、 その具体例としては、 フエノキシ基、 C ,〜C , 2アルコキシフエノキシ基、 C ,〜C，2 アルキルフエノキシ基、 1 一ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、 ペンタフルォ 口フエニルォキシ基などが例示され、 C , ~ C , 2アルコキシフエノキシ基、 C ,〜C，2ァ ルキルフエノキシ基が好ましい。
^〜じ アルコキシフエノキシ基として具体的には、 メトキシフエノキシ基、 エト キシフエノキシ基、 プロピルォキシフエノキシ基、 イソプロピルォキシフエノキシ基、 ブトキシフエノキシ基、 イソブトキシフエノキシ基、 t —ブトキシフエノキシ基、 ペン チルォキシフエノキシ基、 へキシルォキシフエノキシ基、 シクロへキシルォキシフエノ キシ基、 ヘプチルォキシフエノキシ基、 ォクチルォキシフエノキシ基、 2—ェチルへキ シルォキシフエノキシ基、 ノニルォキシフエノキシ基、 デシルォキシフエノキシ基、 3 ， 7—ジメチルォクチルォキシフエノキシ基、 ラウリルォキシフエノキシ基などが例示 される。
C ,〜C 1 2アルキルフエノキシ基として具体的にはメチルフエノキシ基、 ェチルフエ ノキシ基、 ジメチルフエノキシ基、 プロピルフエノキシ基、 1 , 3 , 5—トリメチルフ エノキシ基、 メチルェチルフエノキシ基、 イソプロピルフエノキシ基、 ブチルフエノキ シ基、 イソブチルフエノキシ基、 t—ブチルフエノキシ基、 ペンチルフエノキシ基、 ィ ソァミルフエノキシ基、 へキシルフエノキシ基、 ヘプチルフエノキシ基、 ォクチルフエ ノキシ基、 ノニルフエノキシ基、 デシルフエノキシ基、 ドデシルフエノキシ基などが例 示される。
ァリ一ルチオ基としては、 芳香環上に置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 3〜 6 0程度であり、 具体的には、 フエ二ルチオ基、 C , ~ C , 2アルコキシフエ二ルチオ基 、 〜 アルキルフエ二ルチオ基、 1一ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、 ぺ ン夕フルオロフェニルチオ基、 ピリジルチオ基、 ピリダジニルチオ基、 ピリミジルチォ 基、 ピラジルチオ基、 トリアジルチオ基などが例示される。
ァリールアルキル基としては、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7〜60程 度であり、 具体的には、 フエ二ルー C,〜C12アルキル基、 C,〜C,2アルコキシフエ二 ル 2アルキル基、 〜じ ァルキルフェニルー^〜じ^ァルキル基、 1一 ナフチル— C ,〜 C , 2アルキル基、 2—ナフチルー C ,〜 C , 2アルキル基などが例示され る。
ァリールアルコキシ基は、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7〜60程度で あり、 具体的には、 フエニル— C. C アルコキシ基、 ^〜じ^アルコキシフエニル — C,〜C,2アルコキシ基、 。,〜〇12アルキルフエ二ルー C，〜C12アルコキシ基、 1 一ナフチルー C，〜C, 2アルコキシ基、 2—ナフチル— C,〜C, 2アルコキシ基などが例 示される。
ァリールアルキルチオ基としては、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7〜6 0程度であり、 具体的には、 フエ二ルー C,〜C, 2アルキルチオ基、 C,〜C12アルコキ シフエニル— C ,〜 C , 2アルキルチオ基、 C，〜 C , 2ァルキルフエ二ルー C ,〜 C， 2アル キルチオ基、 1一ナフチルー。，〜じ, 2アルキルチオ基、 2—ナフチルー C,〜C,2アル キルチオ基などが例示される。
ァ.リールアルケニル基は、 炭素数が通常 8〜 60程度であり、 その具体的としては、 フエニル— C2〜C12アルケニル基、 C,~C，2アルコキシフエ二ルー C2〜C12ァルケ ニル基、 じ,~〇，2ァルキルフェニル—〇2〜。|2ァルケニル基、 1一ナフチル— C2〜 C, 2アルケニル基、 2—ナフチルー C2〜CI2アルケニル基などが例示され、 C,~C12 アルコキシフエ二ルー C2〜C, 2アルケニル基、 C2~C12アルキルフエ二ルー C, ~C 12アルケニル基が好ましい。
ァリールアルキニル基は、 炭素数が通常 8 ~ 60程度であり、 その具体的としては、 フエニル— C2~C,2アルキニル基、 。,〜〇,2ァルコキシフェニル—〇2〜〇12ァルキ ニル基、 。,〜〇,2ァルキルフェニルー。2〜〇,2ァルキニル基、 1一ナフチル— C2〜 C, 2アルキニル基、 2—ナフチルー C2〜C, 2アルキニル基などが例示され、 C,〜C12 アルコキシフエニル— C2〜C, 2アルキニル基、 C,〜C, 2アルキルフエ二ルー C2〜C
12アルキニル基が好ましい。
置換アミノ基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の 複素環基から選ばれる 1又は 2個の基で置換されたァミノ基が挙げられ、 該アルキル基 、 ァリール基、 ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。 置換アミノ基の炭素数は、 該置換基の炭素数を含めないで通常 1〜60程度であり、 好 ましくは炭素数 2〜48である。
具体的には、 メチルァミノ基、 ジメチルァミノ基、 ェチルァミノ基、 ジェチルァミノ 基、 プロピルアミノ基、 ジプロピルアミノ基、 イソプロピルアミノ基、 ジイソプロピル アミノ基、 プチルァミノ基、 s _プチルァミノ基、 イソプチルァミノ基、 t一プチルァ ミノ基、 ペンチルァミノ基、 へキシルァミノ基、 シクロへキシルァミノ基、 ヘプチルァ ミノ基、 ォクチルァミノ基、 2—ェチルへキシルァミノ基、 ノニルァミノ基、 デシルァ ミノ基、 3, 7—ジメチルォクチルァミノ基、 ラウリルアミノ基、 シクロペンチルアミ ノ基、 ジシクロペンチルァミノ基、 シクロへキシルァミノ基、 ジシクロへキシルァミノ 基、 ピロリジル基、 ピペリジル基、 ジトリフルォロメチルァミノ基 フエニルァミノ基
、 ジフエニルァミノ基、 C,〜C, 2アルコキシフエニルァミノ基、 ジ （C,〜C，2アルコ キシフエニル） アミノ基、 ジ （ ~じ,2アルキルフエニル） アミノ基、 1—ナフチル アミノ基、 2—ナフチルァミノ基、 ペン夕フルオロフェニルァミノ基、 ピリジルァミノ 基、 ピリダジニルァミノ基、 ピリミジルアミノ基、 ビラジルァミノ基、 トリアジルアミ ノ基フエ二ルー C,~C12アルキルアミノ基、 。，〜じ^ァルコキシフェニル—^〜じ 12アルキルアミノ基、 C,〜C12アルキルフエニル— C,〜C,2アルキルアミノ基、 ジ （ 〜じ アルコキシフエニル— C,~C12アルキル） アミノ基、 ジ （C,~C,2ァルキ ルフエニル— C,〜CI2アルキル） アミノ基、 1一ナフチルー C,〜C12アルキルアミノ 基、 2—ナフチル— 2アルキルアミノ基などが例示される。
置換シリル基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の 複素環 Sから選ばれる 1、 2又は 3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。 置換シ リル基の炭素数は通常 1~60程度であり、 好ましくは炭素数 3〜48である。 なお該 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基又は 1価の複素環基は置換基を有してい てもよい。
具体的には、 トリメチルシリル基、 トリェチルシリル基、 トリプロビルシリル基、 ト リーイソプロビルシリル基、 ジメチルーイソプロビルシリル基、 ジェチル—イソプロピ ルシリル基、 t一プチルジメチルシリル基、 ペンチルジメチルシリル基、 へキシルジメ チルシリル基、 へプチルジメチルシリル基、 ォクチルジメチルシリル基、 2—ェチルへ キシル—ジメチルシリル基、 ノニルジメチルシリル基、 デシルジメチルシリル基、 3， 7—ジメチルォクチルージメチルシリル基、 ラウリルジメチルシリル基、 フエ二ルー C , ~ C 1 2アルキルシリル基、 C , ~ C アルコキシフエニル一 C ,〜 C , 2アルキルシリル 基、 〜じ^ァルキルフェニルー^〜 ？ァルキルシリル基、 1一ナフチル— C , ~ C , 2アルキルシリル基、 2—ナフチルー C ,〜C 1 2アルキルシリル基、 フエニル— C ,〜 C , 2アルキルジメチルシリル基、 トリフエニルシリル基、 トリー p—キシリルシリル基 、 トリベンジルシリル基、 ジフエニルメチルシリル基、 tーブチルジフエニルシリル基 、 ジメチルフエ二ルシリル基などが例示される。
ハロゲン原子としては、 フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子、 及びヨウ素原子が例示さ れる。
ァシル基は、 炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、 好ましくは炭素数 2〜 1 8であり、 その具体例としては、 ァセチル基、 プロピオニル基、 プチリル基、 イソプチリル基、 ピ バロィル基、 ベンゾィル基、 トリフルォロアセチル基、 ペン夕フルォロベンゾィル基な どが例示される。
ァシルォキシ基は、 炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、 好ましくは炭素数 2 ~ 1 8で あり、 その具体例としては、 ァセトキシ基、 プロピオニルォキシ基、 プチリルォキシ基 、 イソプチリルォキシ基、 ビバロイルォキシ基、 ベンゾィルォキシ基、 トリフルォロア セチルォキシ基、 ペン夕フルォ口べンゾィルォキシ基などが例示される。
ィミン残基としては、 ィミン化合物 (分子内に、 一 N = C -を持つ有機化合物のこと をいう。 その例として、 アルジミン、 ケチミン及びこれらの N上の水素原子が、 アルキ ル基等で置換された化合物があげられる） から水素原子 1個を除いた残基があげられ、 通常炭素数 2〜 2 0程度であり、 好ましくは炭素数 2〜 1 8である。 具体的には、 以下 の構造式で示される基などが例示される。
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0002
ァミド基は、 炭素数が通常 2〜 2 0程度であり、 好ましくは炭素数 2〜 1 8であり、 その具体例としては、 ホルムアミド基、 ァセトアミド基、 プロピオアミド基、 プチロア ミド基、 ベンズアミド基、 トリフルォロアセトアミド基、 ペンタフルォ口べンズアミド 基、 ジホルムアミド基、 ジァセトアミド基、 ジプロピオアミド基、 ジブチロアミド基、 ジベンズアミド基、 ジトリフルォロアセトアミド基、 ジペンタフルォ口べンズアミド基 などが例示される。
酸イミド基は、 酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基 が挙げられ、 炭素数が 4 ~ 2 0程度であり、 具体的には以下に示す基などが例示される
Figure imgf000012_0003
Figure imgf000013_0001
1価の複素環基とは、 複素環化合物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいい、 炭素数は通常 4〜 6 0程度であり、 好ましくは 4〜 2 0である。 1価の複素環基の中で は、 1価の芳香族複素環基が好ましい。 なお、 複素環基の炭素数には、 置換基の炭素数 は含まれない。 ここに複素環化合物とは、 環式構造をもつ有機化合物のうち、 環を構成 する元素が炭素原子だけでなく、 酸素、 硫黄、 窒素、 リン、 ホウ素などのへテロ原子を 環内に含むものをいう。 具体的には、 チェニル基、 じ！〜じ アルキルチェニル基、 ピ 口リル基、 フリル基、 ピリジル基、 ^ ~〇, 2アルキルピリジル基、 ピペリジル基、 キ ノリル基、 イソキノリル基などが例示され、 チェニル基、 ,〜。, 2アルキルチェニル 基、 ピリジル基、 アルキルピリジル基が好ましい。
置換カルボキシル基は、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基又は 1価の複 素環基で置換されたカルボキシル基をいい、 炭素数が通常 2 ~ 6 0程度であり、 好まし くは炭素数 2〜4 8であり、 その具体例としては、 メトキシカルポニル基、 エトキシカ ルポニル基、 プロポキシカルポニル基、 イソプロポキシカルボニル基、 ブトキシカルボ ニル基、 イソブトキシカルポニル基、 t一ブトキシカルポニル基、.ペンチルォキシカル ポニル基、 へキシロキシカルボ二ル基、 シクロへキシロキシカルポニル基、 ヘプチルォ キシカルポニル基、 ォクチルォキシカルポニル基、 2—ェチルへキシロキシカルポニル 基、 ノニルォキシカルポニル基、 デシロキシカルポニル基、 3 , 7—ジメチルォクチル ォキシカルボ二ル基、 ドデシルォキシカルポニル基、 トリフルォロメトキシカルボニル 基、 ペン夕フルォロエトキシカルポニル基、 パーフルォロブトキシカルポニル基、 パー フルォ口へキシルォキシカルボニル基、 パーフルォロォクチルォキシカルポニル基、 フ エノキシカルポニル基、 ナフトキシカルポニル基、 ピリジルォキシカルボ二ル基、 など が挙げられる。 なお該アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基又は 1価の複素環 基は置換基を有していてもよい。 上記置換力ルポキシル基の炭素数には該置換基の炭素 数は含まれない。
上記式 （I ) 中、 R,と R2が互いに結合して環を形成する場合、 その環としては、 置 換基を有していてもよい C4〜C ,。のシクロアルキル環、 置換基を有していてもよい C4 〜 C ,。のシクロアルケニル環、 置換基を有していてもよい C 6 ~ C , 4の芳香族炭化水素 環または置換基を有していてもよい C6〜C，4の複素環が例示される。
シクロアルキル環としては、 シクロブタン、 シクロペンタン、 シクロへキサン、 シク 口ヘプタン、 シクロオクタン、 シクロノナン、 シクロデカンなどが例示される。
シクロアルケニル環としては、 二重結合を 1つ以上するものを含みその具体例として は、 シクロへキセン環、 シクロへキサジェン環、 シクロォクタトリェン環などが例示さ れる。
芳香族炭化水素環としてはベンゼン環、 ナフタレン環、 アントラセン環が例示される 。
複素環としてはフラン環、 テトラヒドロフラン環、 チォフェン環、 テトラヒドロチォ フェン環、 インドール環、 テトラヒドロインドール環、 イソキノリン環、 ピリジン環、 チアゾール環、 ォキサゾール環が例示される。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （I ) で示される繰返し単位の中で は、 下記式 （I V) で示される繰返し単位が好ましい。
Figure imgf000014_0001
〔上記式 （I V) 中、 R7および R8はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコ キシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリール アルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基 、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基、 カルボキシル基、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 R7と R8は互いに結合して環を形成していてもよく、 R9および R,。はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリ一 ルアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 eおよび fはそれぞれ独立に、 0 ~ 3から選ばれる整数を表す。 R9および R 1 Dがそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 R7、 R8、 R9および R,。はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァ リールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ ールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基または 1価の複素 環基であることが好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基 、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基ま たはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、 アルキル基またはァ リール基であることが、 最も好ましい。
上記式 （I V) 中、 R7と R8が互いに結合して環を形成する場合、 その環としては、 置換基を有していてもよい C4〜C I ()のシクロアルキル環、 置換基を有していてもよい 〜 。のシクロアルケニル環、 置換基を有していてもよい C6~C14の芳香族炭化水 素環または置換基を有していてもよい C6〜CI4の複素環が例示される。
シクロアルキル環、 シクロアルケニル環、 芳香族炭化水素環および複素環としては前 記 （I) の場合と同様の環が例示される
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 eおよび fは 0または 1であることが好ま しく、 eおよび fが 0であることが最も好ましい。
上記式 （I) で示される繰返し単位の具体例としては、 下記式 （I
0) で示される繰返し単位があげられる。
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
〔上記式 （I I ) 中、 RN 1はアルキル基を表し、 R5および R6はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリー ルァルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜3から選ばれる整数を表す。 R5および R6 がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換カルボキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R ,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。 次に、 原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （I I ) で示される繰返し単 位は、 下記式 （V) で示される繰返し単位であることが好ましい。
Figure imgf000018_0001
(V)
〔上記式 （V) 中、 RN 2はアルキル基を表し、 Rnおよび R1 2はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリ一 ルアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 gおよび hはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 RMおよび R 1 2がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 上記式 （V) 中、 RM および R , 2はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール 基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基または 1価 の複素環基であることが好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリ ール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキ シ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、 アルキル基、 アルコキ シ基、 ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好ましく、 アルキル基ま たはァリール基であることが、 最も好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （V) 中、 gおよび hは 0または 1 であることが好ましく、 gおよび hが 0であることが最も好ましい。
上記式 （I I ) で示される繰返し単位の具体例としては、 下記式 （I I一 1 ) 〜 （I 1—8 ) で示される繰返し単位があげられる。
Figure imgf000019_0001
さらに本発明の高分子化合物は、 上記 （I ) 、
示される繰返し単位を有する。
Figure imgf000019_0002
(ΙΠ) 〔上記式 （I I I ) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、 下記式 （V I ) で示され る基または下記式 （X) で示される基を表す。 〕
Figure imgf000020_0001
〔上記式 （V I ) 中、 Α τ A r 2および A r 3はそれぞれ独立に、 ァリ一レン基また は 2価の複素環基を表し、 A r 4および A r 5はそれぞれ独立に、 ァリール基または 1価 の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。 〕
Figure imgf000020_0002
(X)
〔上記式 （X) 中、 A r 7および A r 8はそれぞれ独立に、 ァリ一レン基または 2価の複 素環基を表し、 R2 2は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァ リールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ ールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換 アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 イミ ン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換力ルポキシル 基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜 2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜2から選ばれる整数を表す。 R2 2、 A r 7および A r 8がそれぞれ 複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
式（I I I )における 2価の縮合多環式炭化水素基とは、 縮合多環式炭化水素から水素 原子 2個を除いた残りの原子団をいい、 該基は置換基を有していてもよい。
置換基としては、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリー ルォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリール アルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミ ノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 イミン残 基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基または二ト口基が挙げられる。
2価の縮合多環式炭化水素基における置換基を除いた部分の炭素数は、 通常 1 0 ~ 5 0程度であり、 2価の縮合多環式炭化水素基の置換基を含めた全炭素数は、 通常 1 0〜 1 5 0程度である。
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基としては前記と同様の基があげられる。
ここに 2価の縮合多環式炭化水素基としては、 直線的にオルト縮合した 2価の基 （下 式 （ I I I— A)〜（I I I— D) ) 、 直線的なオルト縮合以外のオルト縮合を含む 2 価の基 （下式 （I I I— E)〜（I I I一 K) ) 、 オルトペリ縮合を含む 2価の基 （下 式 （I I I一 L )〜（I I I一 Q) ) 及び 4員環、 7員環及び 8員環を含む 2価の基 （ 下式 （I I I— R)〜（I I I— U) ) があげられる。
Figure imgf000021_0001
(III-A) (ΠΙ-Β) (III-C)
Figure imgf000021_0002
(III-D)
Figure imgf000022_0001
(ΙΠ-L) (III-M) (III-N)
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000023_0002
Figure imgf000023_0003
(III-R) (III-S) (III-T)
Figure imgf000023_0004
(III-U)
2価の縮合多環式芳香族炭化水素基としては、 下記式 （I I I一 1) ) で示される基があげられる。
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000024_0002
(III-7) (ΙΠ-8) 式（I I I )における、 上記式 （V I )および （X) においてァリーレン基とは、 芳香 族炭化水素から、 水素原子 2個を除いた原子団であり、 縮合環を持つもの、 独立したベ ンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれ る。 ァリ一レン基は置換基を有していてもよい。 置換基の種類は特には限定されないが 、 溶解性、 蛍光特性、 合成の行いやすさ、 素子にした場合の特性等の観点から、 アルキ ル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ 基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリール アルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリ ル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基 、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基が 好ましい。
ァリ一レン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 6 ~ 6 0程度であり、 好ま しくは 6〜2 0である。 また、 ァリ一レン基の置換基を含めた全炭素数は、 通常 6〜 1 0 0程度である。 ァリーレン基としては、 フエ二レン基 （例えば、 下式 1〜3) 、 ナフタレンジィル基 (下式 4〜13) 、 アントラセン—ジィル基 （下式 14〜19) 、 ビフエ二ル—ジィル 基 （下式 20〜25) 、 ターフェ二ルージィル基 （下式 26〜28) 、 縮合環化合物基 (下式 29〜35) 、 フ^/オレン一ジィル基 （下式 36〜38) 、 ベンゾフルオレン一 ジィル （下式 39 ~ 46 ) などが例示される。
Figure imgf000025_0001
2 3
Figure imgf000025_0002
Figure imgf000025_0003
Figure imgf000025_0004
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000028_0002
Figure imgf000028_0003
また、 2価の複素環基とは、 複素環化合物から水素原子 2個を除いた残りの原子団を いい、 該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環ィ匕合物とは、 環式構造を持つ有機化合物のうち、 環を構成する元素が炭 素原子だけでなく、 酸素、 硫黄、 窒素、 リン、 ホウ素、 ヒ素などのへテロ原子を環内に 含むものをいう。 2価の複素環基の中では、 2価の芳香族複素環基が好ましい。 置換基 の種類は特には限定されないが、 溶解性、 蛍光特性、 合成め行いやすさ、 素子にした場 合の特性等の観点から、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァ リールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ —ルアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換 アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 イミ ン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル 基、 シァノ基またはニトロ基が好ましい。
2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常 3〜 60程度である。 ま た、 2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、 通常 3~100程度である。
2価の複素環基としては、 例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、 窒素を含む 2価の複素環基：ピリジン一ジィル基 （下式 101〜 106) 、 ジァザフエ二レン基 （下式 107〜110) 、 キノリンジィル基 （下式 11 1-125) 、 キノキサリンジィル基 （下式 126〜： 130) 、 ァクリジンジィル基 ( 下式 131〜134) 、 ビビリジルジィル基 （下式 135〜： L 37) 、 フエナントロリ ンジィル基 （下式 138~140) 。
ヘテロ原子として酸素、 ケィ素、 窒素、 硫黄、 セレンなどを含みフルオレン構造を有 する基 （下式 14；！〜 155) 。
ヘテロ原子として酸素、 ゲイ素、 窒素、 硫黄、 セレン、 ホウ素、 リンなどを含む 5員 環複素環基 （下式 156〜： 175) 。
ヘテロ原子として酸素、 ケィ素、 窒素、 セレンなどを含む 5員環縮合複素基 （下式 1 76〜： 187) 。
ヘテロ原子として酸素、 ケィ素、 窒素、 硫黄、 セレンなどを含む 5員環複素環基でそ のへテロ原子の α位で結合し 2量体やオリゴマーになっている基 （下式 188〜189 ) 0
ヘテロ原子として酸素、 ケィ素、 窒素、 硫黄、 セレンなどを含む 5員環複素環基でそ のへテロ原子の α位でフエニル基に結合している基 （下式 190〜196) 。
へテ13原子として酸素、 窒素、 硫黄、 セレンなどを含む 5員環縮合複素環基にフエ二 ル基ゃフリル基、 チェニル基が置換した基 （下式 197〜202) 。
ヘテロ原子として酸素、 窒素などを含む 6員環複素環基 （下式203〜206) 。 n
Figure imgf000030_0001
104

Figure imgf000031_0001
30
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
6C0S90/.00Zdf/X3d .909Ϊ0/800Ζ OAV 6
Figure imgf000034_0001
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000035_0002
203 204 205 206 上記式 （1〜4 6、 1 0 1〜2 0 6 ) 中、 Rは水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基 、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキ ル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリ ールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子 、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表す。
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリ一ルォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 アシ^/ォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 Rい R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
発光効率を向上させる観点から、 上記式 （I I I ) で示される繰返し単位は、 上記式 (V I ) で示される繰返し単位であることが好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （V I ) 中、 A r 2および A r 3は、 ァリ一レン基であることが好ましく、 フエ二レン基 （例えば、 上記式 （1〜3 ) ) 、 ナ フタレンジィル基 （例えば、 上記式 （4〜1 3 ) ) またはアントラセンジィル基 （例え ば、 上記式 （14〜19) ) で示される基であることがより好ましく、 フエ二レン基ま たはナフ夕レンジィル基であることがさらに好ましく、 フエ二レン基であることが最も 好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 A r4および A r5はァリール基であること が好ましく、 フエニル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントラセニル基、 2—アントラセニル基または 9—アントラセニル基であることがより好ましく、 フエ二 ル基、 1一ナフチル基または 2—ナフチル基であることがさらに好ましい
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （VI) で示される繰返し単位は、 下記式 （V I I) で示される繰返し単位であることが好ましい。
Figure imgf000036_0001
〔上記式 （V I I) 中、 Ar6は、 ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 Rl3、 R14、 R, 5および Rl6はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基 、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールァ ルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基 、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシ ルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 iおよび：) 'はそれぞれ独立に 0 ~4から選ばれる整数を表し、 kおよび 1はそれぞれ独立に 0~ 5から選ばれる整数を 表す。 R,3、 Rl4、 R, 5および R, 6がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも 異なっていてもよい。 〕
ァリ一レン基、 2価の複素環基、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリ ール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリ一ルアルキル基、 ァリールアルコキ シ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換 アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 ァ ミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R,、 R2におけるそれらの定義、 具体例等と同じである。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 上記式 （VI I) 中、 R13、 R14、 R，5および Rl6はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキル チォ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基.、 ァリールアルキル基、 ァリ —ルアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキ ニル基または 1価の複素環基であることが好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 アル キルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基またはァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、 アル キル基、 アルコキシ基、 ァリール基またはァリールォキシ基であることがさらに好まし く、 アルキル基またはァリール基であることが、 最も好ましい。
さらに原料モノマーの合成の容易さの観点から、 R, 5および Rl6はアルキル基である ことが好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （V I I) 中、 iおよび jは 0また は 1であることが好ましく、 0であることが最も好ましい。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 上記式 （V I I) 中、 kおよび 1は 0〜 3から選ばれる整数であることが好ましく、 1〜3から選ばれる正の 整数であることがより好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （V I I) 中、 A r6はァリ一レン 基であることが好ましく、 上記式 （1、 2、 4、 12、 13、 14、 16、 17、 19 、 20、 23、 26、 27、 29〜33、 36， 39、 43または 45) で示される基 であることがさらに好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （VI I) 中、 Ar6が下記式 （V I I I) で示される 2価の基であることが好ましい。
Figure imgf000038_0001
(VIII)
〔上記式 （VI I I) 中、 Rl7、 Rl8、 R19および R2Qはそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一 ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァ リールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置 換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸ィ ミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニト 口基を表し、 尺,7と！ ,8、 Rl9と R2()は互いに結合し環を形成していてもよい。 〕 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ —ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換カルボキシル基の定義、 具体例等は、 前記 Rい R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （V I I I) 中、 R, 7、 R,8、 R19 および R2()はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基 、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールァ ルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基 または 1価の複素環基であることが好ましく、 水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル 基、 ァリールアルコキシ基またはァリ一ルアルキルチオ基であることがより好ましく、 水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァリール基またはァリールォキシ基であること がさらに好ましく、 水素原子またはアルキル基であることが最も好ましい。
また発光効率を向上させる観点から、 R17と R18、 Rl9と R2。は互いに結合し環を形 成していることが好ましい。 上記式 （V I I I) 中、 Rl7と R,8、 R,9と R2。が環を形成する場合、 その環として は、 置換基を有していてもよい C4〜C1Qのシクロアルキル環、 置換基を有していても よい C4〜C,。のシクロアルケニル環、 置換基を有していてもよい C6〜C，4の芳香族炭 化水素環または置換基を有していてもよい C6〜C，4の複素環が例示される。
なかでも原料モノマーの合成の容易さの観点から、 置換基を有していてもよい C6〜 C , 4の芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい C6〜CI4の複素環が好まし く、 置換基を有していてもよい C6〜CMの芳香族炭化水素環であることがより好まし い。
シクロアルキル環、 シクロアルケニル環、 芳香族炭化水素環および複素環としては前 記 （I) の場合と同様の環が例示される。
発光効率を向上させる観点から、 上記式 （VI I I) で示される 2価の基が下記式 （ I X) で示される 2価の基であることが好ましい。
Figure imgf000039_0001
(IX)
〔上記式 （I X) 中、 R21は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール 基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基 、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基 、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポ キシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 mは 0〜 8から選ばれる整数を表す。 R2I が複 個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R ,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
さらに原料モノマ一の合成の容易さの観点から、 上記式 （V I I ) 中、 A r 6が下記 式 （X I V) で示される 2価の基であることが好ましい。
Figure imgf000040_0001
〔上記式 （X I V) 中、 R2 5および R2 6 はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ 基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアル キル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァ リールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原 子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基 、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 Qおよび r はそれぞれ独立に 0〜4から選ばれる整数を表す。 R2 5および R2 6がそれぞれ複数個 存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 上記式 （I X) 中、 R 2 1はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリ —ルォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリー ルアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基または 1価の複素環 基であることが好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基また はァリールアルキルチオ基であることがより好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァ リ一ル基またはァリ一ルォキシ基であることがさらに好ましく、 アルキル基またはァリ ール基であることが最も好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （I X) 中、 mは 0〜4から選ばれ る整数であることが好ましく、 0〜2から選ばれる整数であることがより好ましく、 0 であることがさらに好ましい。
上記式 （V I ) で示される繰返し単位の具体例としては、 下記式 （I I I一 9 ) 〜 （ I I 1 - 2 0 ) で示される繰返し単位があげられる。
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
(ΙΠ-19) (ΙΠ-20) また、 発光効率を向上させる観点から、 上記式 （I I I) で示される繰返し単位は、 上記式 （X) で示される繰返し単位であることが好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （X) 中、 ηは 0であることが好ま しい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から、 上記式 （X) 中、 yおよび ζはそれぞれ独 立に、 0または 1であることが好ましい。
発光効率を向上させる観点から、 上記式 （X) 中、 A r7および A r8は 2価の複素環 基であることが好ましい。 発光効率を向上させる観点から、 八1" 7ぉょび 1" 8は、 下記式 （X I ) で示される 2 価の基であることが好ましい。
Figure imgf000043_0001
(XI)
〔上記式 （X I ) 中、 R2 3は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール 基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基 、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基 、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポ キシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 oは 0 ~ 2から選ばれる整数を表す。 R2 3 が複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ 一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基および置換力ルポキシル基の定義、 具体例等は、 前記 R,、 R2におけるそれらの定 義、 具体例等と同じである。
本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解度向上の観点から、 上記式 （X I ) 中、 R 2 3は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ 基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基または 1価の複素環基であることが 好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ 基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基またはァリールアル キルチオ基であることがより好ましく、 アルキル基、 アルコキシ基、 ァリール基または ァリールォキシ基であることがさらに好ましく、 アルキル基またはァリール基であるこ とが最も好ましい。
原料モノマーの合成の容易さの観点から上記式 （X I ) 中、 oは 0または 1であるこ とが好ましい。
上記式 （X) で示される繰返し単位の具体例としては、 下記式 （I I I一 21) 〜 （ I I 1 -31) で示される繰返し単位があげられる。
Figure imgf000044_0001
(ΠΙ-21) -22) -23)
Figure imgf000044_0002
(111-30) (111-31) 本発明の高分子化合物は、 上記式 U) で示される繰返し単位、 上記式 （I I) で示 される繰返し単位および上記式 （I I I) で示される繰返し単位をそれぞれ 2種以上含 んでいてもよい。
本発明の高分子化合物は、 全繰返し単位中の { (I) + (I I) + (I I I) } の含 有量は、 通常 50モル％~100モル％の範囲である。
また （I) { (I I) + (I I I) } は通常 1〜20の範囲の値で表され、 さらに (I I) Z (I I I) は通常 0. 05〜20の範囲の値で表される。
本発明の高分子化合物は、 発光波長を変化させる観点、 発光効率を高める観点、 耐熱 性を向上させる観点等から、 上記 （I) 、 （1 1) 、 （I I I) の繰り返し単位に加え 、 それ以外の繰り返し単位を 1種類以上含む共重合体であることが好ましい。 （I) 、 (1 1) 、 （ I I I) 以外の繰り返し単位としては、 下記式 （A) で示される繰り返し 単位を含んでいてもよい。
一 Ar (A)
(式中、 A はそれぞれ独立にァリ一レン基、 2価の複素環基または金属錯体構造を 有する 2価の基を示す。 ）
ァリ一レン基および 2価の複素環基としては上記と同様の基を表す。
ここに金属錯体構造を有する 2価の基としては、 具体的には以下の 301〜307が 例示される。
Figure imgf000045_0001
301 302 303
Figure imgf000046_0001
307 上記式 （301〜307) 中、 Rは前記式 （1~46、 101〜 206) における例 示と同様である。
上記式 （A) で示される繰り返し単位の中では、 下記式 （B) 、 式 （C) 、 式 （D) または式 （E) で示される繰り返し単位が好ましい。
Figure imgf000046_0002
(式中、 Raは、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリール ォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールァ ルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ 基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基 、 アミド基、 酸イミド基、. 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換カルボキシル基、 シ ァノ基またはニトロ基を示す。 αは 0〜4から選ばれる整数を示す。 Raが複数個存在 する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 ）
Figure imgf000047_0001
(式中、 Rb及び Rtは、 それぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基 、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールァ ルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基 、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシ ルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を示す。 /3および χはそれぞれ独立に 0 〜 3から選ばれる整数を示す。 Rbおよび Rcがそれぞれ複数個存在する場合、 それらは 同一でも異なっていてもよい。
Figure imgf000047_0002
(式中、 Rdは、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリール ォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ一ルァ ルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ 基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基 、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シ ァノ基またはニトロ基を示す。 δは 0 ~ 2の整数を示す。 八 ぉょび八 はそれぞれ 独立に、 ァリーレン基、 2価の複素環基または金属錯体構造を有する 2価の基を示す。 εおよび Φはそれぞれ独立に 0または 1を示す。 Ζ ,は、 〇、 S〇、 S〇2、 S e、 また は Teを示す。 Rdが複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 ）
Figure imgf000048_0001
(式中、 Reおよび Rfは、 それぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ 基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリール アルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル 基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァ シルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基 、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニトロ基を示す。 ァおよび はそれぞれ独立に 0~4から選ばれる整数を示す。 Z2は、 〇、 S、 S02、 Se、 Te、 N— Rgまたは S i RhRiを示す。 Z3および Z4は、 それぞれ独立に Nまたは C一 Rjを示す。 Rg、 R „, Riおよび はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールァ ルキル基または 1価の複素環基を示す。 Reおよび Rfがそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 ）
式 （E) で示される繰り返し単位の中央の 5員環の例としては、 チアジアゾール、 ォ キサジァゾ一ル、 トリァゾ一ル、 チォフェン、 フラン、 シロールなどが挙げられる。 本発明の高分子化合物として具体的には、 下記式 （X I I) で示される高分子化合物 があげられる。
Figure imgf000048_0002
(XII)
〔上記式 （X I I) 中、 R,、 R2、 R3、 R4、 R5、 Rい RNい Ar,、 Ar2、 A r3 、 Ar4、 Ar5、 a、 b、 c、 dおよび xの定義および好ましい例については前記と同 様である。 uは 50〜95の範囲の値、 Vは 1〜20の範囲の値、 wは 1〜20の範囲 の値であり、 u + v+w= 100であり、 (v+w) は 1〜20の範囲の値であり 、 v/wは 0. 05〜20の範囲の値である。 上記式 （X I I) で示される高分子化合 物は、 ランダム共重合体、 ブロック共重合体、 交互共重合体のいずれであってもよい。 ]
また本発明の高分子化合物は、 素子の寿命特性の観点から、 ポリスチレン換算の数平 均分子量が 103〜108であることが好ましく、 103〜107であることがより好まし く、 104〜107であることがさらに好ましい。
ここで、 数平均分子量及び重量平均分子量については、 サイズェクスクルージョンク 口マトグラフィー （SEC) (島津製作所製： LC— 10 Av p) によりポリスチレン 換算の数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。 測定する重合体は、 約 0. 5wt% の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、 GPCに 30 / L注入した。 GP Cの移動相はテトラヒドロフランを用い、 0. 6mLZm i nの流速で流した。 カラム は、 TSKge l S u p e r HM— H (東ソ一製） 2本と TSKg e 1 Supe r H2000 (東ソ一製） 1本を直列に繋げた。 検出器には示差屈折率検出器 （島津製作 所製： R I D— 10 A) を用いた。
また、 本発明の高分子化合物は、 交互、 ランダム、 ブロックまたはグラフト共重合体 であってもよいし、 それらの中間的な構造を有する高分子、 例えばプロック性を帯びた ランダム共重合体であってもよい。 蛍光又はりん光の量子収率の高い高分子発光体を得 る観点からは、 完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体ゃブ ロックまたはグラフト共重合体が好ましい。 主鎖に枝分かれがあり、 末端部が 3つ以上 ある場合ゃデンドリマ一も含まれる。
また、 本発明の高分子化合物の末端基は、 重合活性基がそのまま残っていると、 素子 にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、 安定な基で保護されていて もよい。 主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、 例えば、 炭 素一炭素結合を介してァリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。 具体 的には、 特開平 9一 45478号公報の化 10に記載の置換基等が例示される。
本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、 クロ口ホルム、 塩化メチレン、 ジク ロロェタン、 テトラヒドロフラン、 トルエン、 キシレン、 メシチレン、 テトラリン、 デ カリン、 n—ブチルベンゼンなどが例示される。 高分子化合物の構造や分子量にもよる が、 通常はこれらの溶媒に高分子ィ匕合物を 0. 1重量％以上溶解させることができる。 次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
例えば、 Υ,—A— Y2で示される化合物を原料の一つとして用い、 これを縮合重合さ せることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。 （式中、 一 A—は上記 式 （I) 、 (I I) または （I I I) で示される繰返し単位を表す。 Y,及び Y2はそ れぞれ独立に縮合重合可能な置換基を示す。 ）
また、 本発明の高分子化合物が、 —Α—以外の繰り返し単位を有する場合には、 — A 一以外の繰り返し単位となる、 2個の縮合重合に関与する置換基を有する化合物を共存 させて縮合重合させればよい。
一 A—で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、 2個の縮合重合可能な置 換基を有する化合物としては、 Y3— Ara—Y4の化合物が例示される （式中、 八 は 前記と同じである。 Y3及び Y4はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。 ） — A— Υ2で示される化合物に加えて、 Υ3— A ra— Ϋ4で示される化合物を縮合 重合させることにより本発明の高分子化合物を製造することができる。
また、 上記式 （I) 、 （I I) または （I I I) で示される繰返し単位以外の繰り返 し単位となる上記式 （D) に対応する 2個の重合縮合に関与する置換基を有する化合物 としては、 下記式 （Η) で示される化合物が挙げられる。
Figure imgf000050_0001
(式中、 Arb、 Arc、 Z,、 Rd、 δ、 εおよび φの定義については前記と同じ。 Υ5および Υ6はそれぞれ独立に縮合重合に関与する置換基を示す。 ）
本発明の製造方法において、 縮合重合に関与する置換基 （Υ,、 Υ2、 Υ3、 Υ4、 Υ5 および Υ6) としては、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネー ト基、 ァリールアルキルスルホネート 、 ホウ酸エステル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 モノハロゲン化メチル基、 一 B (OH ) 2、 ホルミル基、 シァノ基またはビニル基等が挙げられる。
ここに、 ハロゲン原子としては、 フッ素原子、 塩素原子、 臭素原子またはヨウ素原子 が挙げられる。
アルキルスルホネート基としては、 メタンスルホネート基、 ェタンスルホネート基、 トリフルォロメタンスルホネ一ト基などが例示され、 ァリールスルホネート基としては 、 ベンゼンスルホネート基、 p—トルエンスルホネート基などが例示され、 ァリ一ルス ルホネ一ト基としては、 ベンジルスルホネート基などが例示される。
ホウ酸エステル基としては、 下記式で示される基が例示される。
Figure imgf000051_0001
(式中、 Meはメチル基を、 E tはェチル基を示す。 ）
スルホニゥムメチル基としては、 下記式で示される基が例示される。
— CH2 S + Me2X-、 — CH2 S+ Ph2X-
(Xはハロゲン原子を示し、 Phはフエ二ル基を示す。 ）
ホスホニゥムメチル基としては、 下記式で示される基が例示される。
— CH2P+Ph3X- (Xはハロゲン原子を示す。 ）
ホスホネートメチル基としては、 下記式で示される基が例示される。
-CH2 PO (OR' ) 2
(Xはハロゲン原子を示し、 R' はアルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基を 示す。 )
モノハロゲン化メチル基としては、 フッ化メチル基、 塩ィ匕メチル基、 臭化メチル基ま たはヨウ化メチル基が例示される。 - 縮合重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが 、 例えば Yamamo t oカップリング反応など 0価ニッケル錯体を用いる場合には、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネ一ト基またはァリールアル キルスルホネ一ト基が挙げられる。 また S u z u k iカツプリング反応などニッケル触 媒またはパラジウム触媒を用いる場合には、 アルキルスルホネート基、 ハロゲン原子、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2などが挙げられる。
本発明の製造は、 具体的には、 モノマーとなる、 縮合重合に関与する置換基を複数有 する化合物を、 必要に応じ、 有機溶媒に溶解し、 例えばアルカリや適当な触媒を用い、 有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で行うことができる。 例えば、 "オルガ二ック リ アクションズ （Or gan i c Re ac t i on s) " ， 第 14巻， 270— 490 頁， ジョンワイリー アンド サンズ （J ohn Wi l ey&Son s, I nc. ) ， 1965年、 "オルガニック シンセシス （O r g a n i c Syn t he s e s) " ， コレクティブ第 6巻 （Co l l e c t i ve Vo l ume V I) , 407-4 11頁， ジョンヮイリ一 アンド サンズ （J ohn Wi l ey&Son s, I n c . ) , 1988年、 ケミカル レビュー （Chem. Rev. ) , 第 95巻， 2457 頁 （1995年） 、 ジャーナル ォブ オルガノメタリック ケミストリー （J. Or ganome t. Chem. ) ， 第 576巻， 147頁 （1999年） 、 マクロモレキ ユラ一 ケミストリー マクロモレキュラー シンポジウム （Ma k r omo 1. Ch em. ， Mac r omo 1. Symp. ) , 第 12巻， 229頁 （1987年） などに 記載の公知の方法を用いることができる。
本発明の高分子化合物の製造方法において、 縮合重合に関与する置換基に応じて、 既 知の縮合反応を用いることができる。
例えば該当するモノマーを、 S u z u k iカツプリング反応により重合する方法、 G r i gn a r d反応により重合する方法、 N i (0) 錯体により重合する方法、 FeC 13等の酸化剤により重合する方法、 電気化学的に酸化重合する方法、 または適当な脱 離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
これらのうち、 S u z u k iカップリング反応にょり重合する方法、 Gr i gna r d反応により重合する方法、 及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、 構造制御 がしやすいので好ましい。 本発明の製造方法の中で、 縮合重合に関与する置換基 （Υ,、 Υ2、 Υ3、 Υ4、 Υ5お よび Υ6 ) がそれぞれ独立に、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスル ホネート基又はァリールアルキルスルホネ一ト基から選ばれ、 ニッケルゼロ価錯体存在 下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、 ジハロゲン化化合物、 ビス （アルキルスルホネート） 化合物、 ビス （ァリ一ルスルホネート） 化合物、 ビス （ァリールアルキルスルホネート） 化合物 、 ハロゲン—アルキルスルホネート化合物、 ハロゲン一ァリ一ルスルホネート化合物、 ハロゲンーァリールアルキルスルホネ一ト化合物、 アルキルスルホネ一トーァリ一ルス ルホネート化合物、 アルキルスルホネートーァリールアルキルスルホネート化合物、 お よびァリ一ルスルホネ一トーァリ一ルアルキルスルホネート化合物が挙げられる。 この場合、 例えば原料化合物としてハロゲン—アルキルスルホネート化合物、 ハロゲ ンーァリールスルホネート化合物、 ハロゲンーァリールアルキルスルホネート化合物、 アルキルスルホネ一トーァリ一ルスルホネート化合物、 アルキルスルホネ一トーァリー ルアルキルスルホネ一ト化合物、 又はァリ一ルスルホネ一トーァリールアルキルスルホ ネート化合物を用いることにより、 シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法 が挙げられる。
また、 本発明の製造方法の中で、 縮合重合に関与する置換基 （Υ,、 Υ2、 Υ3、 Υ4、 Υ5および Υ6 ) がそれぞれ独立に、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリール スルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸基、 又はホウ酸エステル基 から選ばれ、 全原料化合物が有する、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリー ルスルホネート基及びァリールアルキルスルホネート基のモル数の合計 （J ) と、 ホウ 酸基 （一 Β (Ο Η) 2 ) 及びホウ酸エステル基のモル数の合計 （Κ) の比が実質的に 1
(通常 KZ J は 0 . 7〜1 . 2の範囲） であり、 ニッケル触媒またはパラジウム触 媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、 ジハロゲン化化合物、 ビス （アルキルス ルホネート） 化合物、 ビス （ァリールスルホネート） 化合物又はビス （ァリールアルキ ルスルホネー卜） 化合物とジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせ が挙げられる。 ' また、 ノ、ロゲン一ホウ酸化合物、 ハロゲン一ホウ酸エステル化合物、 アルキルスルホ ネート一ホウ酸化合物、 アルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物、 ァリールスル ホネート」ホウ酸化合物、 ァリールスルホネート—ホウ酸エステル化合物、 ァリールァ ルキルスルホネートーホウ酸化合物、 ァリ一ルアルキルスルホネ一ト—ホウ酸化合物、 ァリールアルキルスルホネート—ホウ酸エステル化合物が挙げられる。
この場合、 例えば原料化合物としてハロゲン—ホウ酸化合物、 ハロゲン—ホウ酸エス テル化合物、 アルキルスルホネート一ホウ酸化合物、 アルキルスルホネート一ホウ酸ェ ステル化合物、 ァリールスルホネート—ホウ酸化合物、 ァリ一ルスルホネート一ホウ酸 エステル^合物、 ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸化合物、 ァリールアルキルス ルホネート一ホウ酸化合物、 ァリールアルキルスルホネート一ホウ酸エステル化合物を 用いることにより、 シーケンスを制御した高分子化合物を製造する方法が挙げられる。 有機溶媒としては、 用いる化合物や反応によっても異なるが、 一般に副反応を抑制す るために、 用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、 不活性雰囲気下で反応を進行させる ことが好ましい。 また、 同様に脱水処理を行うことが好ましい。 但し、 S u z u k i力 ップリング反応のような水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。
溶媒としては、 ペンタン、 へキサン、 ヘプタン、 オクタン、 シクロへキサンなどの飽 和炭化水素、 ベンゼン、 トルエン、 ェチルベンゼン、 キシレンなどの不飽和炭化水素、 四塩化炭素、 クロ口ホルム、 ジクロロメタン、 クロロブタン、 ブロモブタン、 クロロぺ ンタン、 ブロモペンタン、 クロ口へキサン、 プロモへキサン、 クロロシクロへキサン、 ブロモシクロへキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、 クロ口ベンゼン、 ジクロロベン ゼン、 トリクロ口ベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、 メタノール、 エタノール 、 プロパノール、 イソプロパノール、 ブ夕ノール、 t—ブチルアルコールなどのアルコ —ル類、 蟻酸、 酢酸、 プロピオン酸などのカルボン酸類、 ジメチルェ一テル、 ジェチル エーテル、 メチル一 t一ブチルエーテル、 テトラヒドロフラン、 テトラヒドロピラン、 ジォキサンなどのエーテル類、 トリメチルァミン、 トリェチルァミン、 N， N， N ' , Ν ' ーテトラメチルエチレンジァミン、 ピリジンなどのアミン類、 Ν， Ν—ジメチルホ ルムアミド、 Ν， Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν， Ν—ジェチルァセトアミド、 Ν—メ チルモルホリンォキシドなどのアミド類などが例示される。 これらの溶媒ほ単一で、 又 は混合して用いてもよい。 これらの中で、 エーテル類が好ましく、 テトラヒドロフラン 、 ジェチルェ一テルがさらに好ましい。
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。 これらは用いる反応に応じ て選択すればよい。 該アルカリ又は触媒は、 反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが 好ましい。 アルカリ又は触媒を混合する方法としては、 反 液をアルゴンや窒素などの 不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加する力 逆に アル力リ又は触媒の溶液に反応液をゆつくりと添加する方法が例示される。
本発明の高分子化合物を高分子 L E D等に用いる場合、 その純度が発光特性等の素子 の性能に影響を与えるため、 重合前のモノマーを蒸留、 昇華精製、 再結晶等の方法で精 製したのちに重合することが好ましい。 また重合後、 再沈精製、 クロマトグラフィーに よる分別等の純ィ匕処理をすることが好ましい。
本発明の組成物は、 本発明の高分子化合物を含む組成物であり、
正孔輸送材料、 電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種 類の材料と、 本発明の高分子化合物の少なくとも 1種類とを含有することを特徴とする 組成物、 本発明の高分子化合物を少なくとも 2種類含有することを特徴とする組成物等 があげられる。
本発明の液状組成物は、 高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有 用である。 液状組成物は、 前記高分子化合物と溶媒とを含んでなるものである。 本明細 書において、 「液状組成物」 とは、 素子作製時において液状であるものを意味し、 典型 的には、 常圧 （即ち、 1気圧） 、 25でにおいて液状のものを意味する。 また、 液状組成 物は、 一般的には、 インク、 インク組成物、 溶液等と呼ばれることがある。
本発明の液状組成物は、 前記高分子化合物以外に、 低分 発^ ά材料、 正孔輸送材料、 電子輸送材料、 安定剤、 粘度及び Ζ又は表面張力を調節するための添加剤、 酸化防止剤 等を含んでいてもよい。 これらの任意成分は、 各々、 一種単独で用いても二種以上を併 用してもよい。
本発明の液状組成物が含有してもよい低分子蛍光材料としては、 例えば、 ナフタレン 誘導体、 アントラセン、 アントラセン誘導体、 ペリレン、 ペリレン誘導体、 ポリメチン 系色素、 キサンテン系色素、 クマリン系色素、 シァニン系色素、 8—ヒドロキシキノリ ンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、 8—ヒド口キシキノリン誘導体を配位子 として有する金属錯体、 その他の蛍光性金属錯体、 芳香族ァミン、 テトラフエ二ルシク 口ペン夕ジェン、 テトラフエニルシクロペン夕ジェン誘導体、 テトラフエ二ルシクロブ タジェン、 テトラフエニルシクロブタジエン誘導体、 スチルベン系、 含ケィ素芳香族系 、 ォキサゾール系、 フロキサン系、 チアゾ一ル系、 テトラァリールメタン系、 チアジア ゾ一ル系、 ピラゾール系、 メタシクロフアン系、 アセチレン系等の低分子化合物の蛍光 性材料が挙げられる。 具体的には、 例えば、 特開昭 57- 51781号公報、 特開昭 59- 194393 号公報等に記載されているもの、 公知のものが挙げられる。
'本発明の液状組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、 例えば、 ポリビニルカ ルバゾール及びその誘導体、 ポリシラン及びその誘導体、 側鎖又は主鎖に芳香族ァミン を有するポリシロキサン誘導体、 ピラゾリン誘導体、 ァリールァミン誘導体、 スチルベ ン誘導体、 トリフエ二ルジァミン誘導体、 ポリア二リン及びその誘導体、 ポリチォフエ ン及びその誘導体、 ポリピロール及びその誘導体、 ポリ （p—フエ二レンビニレン） 及 びその誘導体、 ポリ （2， 5—チェ二レンビニレン） 及びその誘導体等が挙げられる。 本発明の液状組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、 例えば、 ォキサジァゾ —ル誘導体、 アントラキノジメタン及びその誘導体、 ベンゾキノン及びその誘導体、 ナ フトキノン及びその誘導体、 アントラキノン及びその誘導体、 テトラシァノアンスラキ ノジメタン及びその誘導体、 フルォレノン誘導体、 ジフエ二ルジシァノエチレン及びそ の誘導体、 ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体 、 ポリキノリン及びその誘導体、 ポリキノキサリン及びその誘導体、 ポリフルオレン及 びその誘導体等が挙げられる。
本発明の液状組成物が含有してもよい安定剤としては、 例えば、 フエノール系酸化防 止剤、 リン系酸化防止剤等が挙げられる。
本発明の液状組成物が含有してもよい粘度及び/又は表面張力を調節するための添加 剤としては、 例えば、 粘度を高めるための高分子量の化合物 （増粘剤） や貧溶媒、 粘度 を下げるための低分子量の化合物、 表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合 わせて使用すればよい。
前記の高分子量の化合物としては、 発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、 通常、 液状組成物の溶媒に可溶性のものである。 高分子量の化合物としては、 例えば、 高分子量のポリスチレン、 高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができ
-る。 前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は 50万以上が好まし く、 100万以上がより好ましい。 また、 貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。 本発明の液状組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、 発光や電荷輸送を阻害し ないものであればよく、 組成物が溶媒を含む場合には、 通常、 該溶媒に可溶性のもので ある。 酸化防止剤としては、 フエノール系酸化防止剤、 リン系酸化防止剤等が例示され る。 酸化防止剤を用いることにより、 前記高分子化合物、 溶媒の保存安定性を改善し得 る。
本発明の液状組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、 該液状組成物中の正孔輸送 材料の割合は、 通常、 1重量％〜80重量％であり、 好ましくは 5重量％〜60重量％であ る。 本発明の液状組成物が電子輸送材料を含有する場合には、 該液状組成物中の電子輸 送材料の割合は、 通常、 1重量％〜80重量％であり、 好ましくは 5重量％〜60重量％で ある。
高分子発光素子の作製の際に、 この液状組成物を用いて成膜する場合、 該液状組成物 を塗布した後、 乾燥により溶媒を除去するだけでよく、 また電荷輸送材料や発光材料を 混合した場合においても同様な手法が適用できるので、 製造上非常に有利である。 なお 、 乾燥の際には、 50〜150 程度に加温した状態で乾燥してもよく、 また、 10—3 P a程 度に減圧して乾燥させてもよい。
液状組成物を用いた成膜方法としては、 スピンコート法、 キャスティング法、 マイク ログラビアコート法、 グラビアコート法、 バーコート法、 ロールコート法、 ワイアーバ —コート法.、 ディップコート法、 スリットコート法、 キャップコート法、 キヤビラリコ —ト法、 スプレーコート法、 スクリーン印刷法、 フレキソ印刷法、 オフセット印刷法、 インクジエツトプリント法、 ノスリレコート法等の塗布法を用いること'ができる。
液状組成物中の溶媒の割合は、 該液状組成物の全重量に対して、 通常、 1重量％~99 . 9重量％であり、 好ましくは 60重量％〜99. 9重量％であり、 さらに好ましく 90重量％ 〜99. 8重量％でぁる。 液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、 25 において 0. 5 〜500mPa · sの範囲が好ましく、 インクジェットプリント法等、 液状組成物が吐出装置 を経由するものの場合には、 吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が 25 でにおいて 0. 5〜20mPa · sの範囲であることが好ましい。
液状組成物に含まれる溶媒としては、 該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は 分散できるものが好ましい。 該溶媒としては、 クロ口ホルム、 塩化メチレン、 1， 2— ジクロロェタン、 1 , 1， 2—トリクロロェタン、 クロ口ベンゼン、 0—ジクロ口ベン ゼン等の塩素系溶媒、 テトラヒドロフラン、 ジォキサン等のエーテル系溶媒、 トルエン 、 キシレン、 トリメチルベンゼン、 メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、 シクロへキ サン、 メチルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n—ヘプタン、 n—ォク タン、 n—ノナン、 n—デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、 アセトン、 メチルェチルケ トン、 シクロへキサノン等のケトン系溶媒、 酢酸ェチル、 酢酸ブチル、 メチルベンゾェ —ト、 ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、 エチレングリコール、 ェチレ ングリコールモノブチルエーテル、 エチレングリコ一ルモノェチルエーテル、 エチレン グリコ一ルモノメチルエーテル、 ジメトキシェタン、 プロピレングリコール、 ジェトキ シメタン、 トリエチレングリコールモノェチルエーテル、 グリセリン、 1 , 2—へキサ ンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、 メタノール、 エタノール、 プロパノ一 ル、 イソプロパノール、 シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、 ジメチルスルホキ シド等のスルホキシド系溶媒、 N—メチル—2—ピロリ ドン、 N, N—ジメチルホルム アミド等のアミド系溶媒が例示される。 また、 これらの溶媒は、 1種単独で用いても複 数組み合わせて用いてもよい。 前記溶媒のうち、 ベンゼン環を少なくとも 1個以上含む 構造を有し、 かつ融点が 0で以下、 沸点が 100で以上である有機溶媒を 1種類以上含む ことが、 粘度、 成膜性等の観点から好ましい。
溶媒の種類としては、 液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、 成膜時 の均一性、 粘度特性等の観点から、 芳香族炭化水素系溶媒、 脂肪族炭化水素系溶媒、 ェ ステル系溶媒、 ケトン系溶媒が好ましく、 トルエン、 キシレン、 ェチルベンゼン、 ジェ チルベンゼン、 トリメチルベンゼン、 メシチレン、 n—プロピルベンゼン、 i—プロピ ルベンゼン、 n—ブチルベンゼン、 i —ブチルベンゼン、 s —ブチルベンゼン、 ァニソ ール、 エトキシベンゼン、 1—メチルナフタレン、 シクロへキサン、 シクロへキサノン 、 シクロへキシルベンゼン、 ビシクロへキシル、 シクロへキセニルシクロへキサノン、 n—ヘプチルシクロへキサン、 n—へキシルシクロへキサン、 メチルベンゾェ一ト、 2 —プロビルシクロへキサノン、 2—ヘプ夕ノン、 3—ヘプ夕ノン、 4一へプタノン、 2 一才クタノン、 2—ノナノン、 2—デカノン、 ジシクロへキシルケトンが好ましく、 キ シレン、 ァニソ一ル、 メシチレン、 シクロへキシルベンゼン、 ビシクロへキシルメチル ベンゾェ一トのうち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。
液状組成物に含まれる溶媒の種類は、 成膜性の観点や素子特性等の観点から、 2種類 以上であることが好ましく、 2〜3種類であることがより好ましく、 2種類であること がさらに好ましい。
液状組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、 そのうちの 1種類の溶媒は 25でにおいて 固体状態でもよい。 成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 180で以上のものであり 、 他の 1種類の溶媒は沸点が 180で未満のものであることが好ましく、 1種類の溶媒は 沸点が 200で以上のものであり、 他の 1種類の溶媒は沸点が 180で未満のものであること がより好ましい。 また、 粘度の観点から、 60でにおいて、 液状組成物から溶媒を除いた 成分の 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましく、 2種類の溶媒のうちの 1種類 の溶媒には、 25でにおいて、 液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶解 することが好ましい。
液状組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、 そのうちの 1〜2種類の溶媒は にお いて固体状態でもよい。 成膜性の観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の 溶媒は沸点が 180で以上の溶媒であり、 少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以下の溶 媒であることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 200 t:以上 300で以下の溶媒であり、 少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180で以下の溶媒であ ることがより好ましい。 また、 粘度の観点から、 3種類の溶媒のうちの 2種類の溶媒に は、 60でにおいて、 液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解す ることが好ましく、 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には、 25 において、 液状組成 物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましい。
液状組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、 粘度及び成膜性の観点から、 最も沸 点が高い溶媒が、 液状組成物に含まれる全溶媒の重量の 40~90重量％であることが好ま しく、 50~90重量％であることがより好ましく、 65〜85重量％であることがさらに好ま しい。
く用途〉
本発明の高分子化合物は、 発光材料として用いることができるだけでなく、 薄膜、 有 機半導体材料、 有機トランジスタ、 光学材料、 太陽電池又はドーピングにより導電性材 料として用いることもできる。
本発明の薄膜について説明する。 この薄膜は、 前記高分子化合物を用いてなるもので ある。 薄膜の種類としては、 発光性薄膜、 導電性薄膜、 有機半導体薄膜等が例示される 発光性薄膜は、 素子の輝度や発光電圧等の観点から、 発光の量子収率が 50%以上であ ることが好ましく、 60%以上であることがより好ましく、 70%以上であることがさらに 好ましい。
導電性薄膜は、 表面抵抗が 1 Κ Ωノロ以下であることが好ましい。 薄膜に、 ルイス酸 、 イオン性化合物等をド一プすることにより、 電気伝導度を高めることができる。 表面 抵抗が 100 Ω /口以下であることがより好ましく、 10 Ωノロ以下であることがさらに好 ましい。
有機半導体薄膜は、 電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、 好ましくは 10ー5 c m2 ZVZ秒以上であり、 より好ましくは 10— 3 c m2 ZVZ秒以上であり、 さらに 好ましくは 10—1 c m2 ZV/秒以上である。 また、 有機半導体薄膜を用いて、 有機トラ ンジス夕を作製することができる。 具体的には、 S i〇2等の絶縁膜とゲート電極とを 形成した S i基板上に有機半導体薄膜を形成し、 A u等でソース電極とドレイン電極を 形成することにより、 有機トランジス夕とすることができる。
次に、 有機トランジス夕の一態様である高分子電界効果トランジス夕を説明する。 本発明の高分子化合物は、 高分子電界効果トランジスタの材料として、 中でも活性層 として好適に用いることができる。 高分子電界効果トランジスタの構造としては、 通常 は、 ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、 さ らに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
高分子電界効果トランジスタは、 通常は支持基板上に形成される。 支持基板としては 電界効果トランジス夕としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、 ガラ ス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。 高分子電界効果トランジスタは、 公知の方法、 例えば、 特開平 5- 110069号公報に記載 の方法により製造することができる。
活性層を形成する際に、 有機溶媒可溶性の高分子化合物を用いることが製造上非常に 有利であり好ましい。 有機溶媒可溶性の高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液から の成膜方法としては、 スピンコート法、 キャスティング法、 マイクログラビアコート法 、 グラビアコート法、 バーコート法、 ロールコート法、 ワイア一バーコート法、 デイツ プコ一ト法、 スリットコート法、 キャップコート法、 キヤビラリコート法、 スプレーコ ート法、 スクリーン印刷法、 フレキソ印刷法、 オフセット印刷法、 インクジェットプリ ント法、 ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
高分子電界効果トランジス夕を作製後、 封止してなる封止高分子電界効果トランジス 夕が好ましい。 これにより、 高分子電界効果トランジスタが、 大気から遮断され、 高分 子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、 紫外線 （UV) 硬化樹脂、 熱硬化樹脂や無機の S i ON x膜 等でカバーする方法、 ガラス板やフィルムを UV硬化樹脂、 熱硬化樹脂等で張り合わせ る方法等が挙げられる。 大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタ を作製後、 封止するまでの工程を大気に曝すことなく （例えば、 乾燥した窒素雰囲気中 、 真空中等で） 行うことが好ましい。
次に、 有機太陽電池について説明する。 有機太陽電池の一態様である有機光電変換素 子で、 光起電力効果を利用する固体光電変換素子を説明する。
本発明の高分子化合物は、 有機光電変換素子の材料として、 中でも有機半導体と金属 との界面を利用するショットキー障壁型素子の有機半導体層として、 また、 有機半導体 と無機半導体あるいは有機半導体どうしの界面を利用する p nヘテロ接合型素子の有機 半導体層として、 好適に用いることができる。
さらに、 ドナー ·ァクセプ夕一の接触面積を増大させたバルクヘテロ接合型素子にお ける電子供与性高分子、 電子受容性高分子として、 また、 高分子 ·低分子複合系を用い る有機光電変換素子、 例えば、 電子受容体としてフラ一レン誘導体を分散したバルクへ テロ接合型有機光電変換素子の電子供与性共役系高分子 （分散支持体） として、 好適に 用いることができる。
有機光電変換素子の構造としては、 例えば、 p nヘテロ接合型素子では、 オーム性電 極、 例えば、 I T O上に、 p型半導体層を形成し、 さらに、 n型半導体層を積層し、 そ の上にオーム性電極が設けられていればよい。
有機光電変換素子は、 通常は支持基板上に形成される。 支持基板としては有機光電変 換素子としての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、 ガラス基板やフレキ シブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
有機光電変換素子は、 公知の方法、 例えば、 Synth. Me t . , 102, 982 (1999)に記載の方法 や Sc i ence, 270, 1789 (1995)に記載の方法により製造することができる。
次に、 本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、 陽極及び陰極からなる電極と、 該電極間に設けられ前記 高分子化合物を含む発光層とを有するものである。
また、 本発明の高分子発光素子としては、 （1)陰極と発光層との間に電子輸送層を設 けた高分子発光素子、 （2)陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、 (3)陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、 かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を 設けた高分子発光素子等が挙げられる。
より具体的には、 以下の a) 〜d) の構造が例示される。
a ) 陽極 Z発光層/陰極
b) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z陰極
c ) 陽極 Z発光層 電子輸送層 Z陰極
d ) 陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層ノ陰極
(ここで、 は各層が隣接して積層されていることを示す。 以下同じ。 ）
ここで、 発光層とは、 発光する機能を有する層であり、 正孔輸送層とは、 正孔を輸送 する機能を有する層であり、 電子輸送層とは、 電子を輸送する機能を有する層である。 なお、 電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。 発光層、 正孔輸送層、 電 子輸送層は、 それぞれ独立に 2層以上用いてもよい。
また、 発光層に隣接した正孔輸送層をインターレイヤ一層と呼ぶ場合もある。
発光層の成膜の方法に制限はないが、 溶液からの成膜による方法が例示される。 溶液からの成膜方法としては、 スピンコート法、 キャスティング法、 マイクログラビ ァコート法、 グラビアコート法、 バーコート法、 ロールコート法、 ワイア一バーコート 法、 ディップコート法、 スリットコート法、 キャップコート法、 キヤビラリコート法、 スプレーコート法、 スクリーン印刷法、 フレキソ印刷法、 オフセット印刷法、 インクジ エツトプリント法、 ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
高分子発光素子作製の際に、 本発明の高分子化合物を用いることにより、 溶液から成 膜する場合、 この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、 また電荷輸送材 料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、 製造上非常に有利であ る。
発光層の膜厚としては、 用いる材料によって最適値が異なり、 駆動電圧と発光効率が 適度な値となるように選択すればよいが、 例えば、 l n m〜l mであり、 好ましくは 2 nm〜500 n mであり、 さらに好ましくは 5 nm〜200 n mである。
本発明の高分子発光素子においては、 発光層に上記高分子化合物以外の発光材料を混 合して使用してもよい。 また、 本願発明の高分子発光素子においては、 上記高分子化合 物以外の発光材料を含む発光層が、 上記高分子化合物を含む発光層と積層されていても よい。
前記高分子化合物以外の発光材料としては、 公知のものが使用できる。 低分子化合物 では、 例えば、 ナフタレン誘導体、 アントラセン及びその誘導体、 ペリレン及びその誘 導体、 ポリメチン系、 キサンテン系、 クマリン系、 シァニン系等の色素類、 8—ヒドロ キシキノリン及びその誘導体の金属錯体、 芳香族ァミン、 テトラフエエルシクロペン夕 ジェン及びその誘導体、 テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等を用いることがで きる。 具体的には、 例えば、 特開昭 57-51781号、 同 59- 194393号公報に記載されている もの等、 公知のものが使用可能である。
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、 使用される正孔輸送材料として は、 ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、 ポリシラン及びその誘導体、 側鎖又は主 鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、 ピラゾリン誘導体、 ァリールァミン 誘導体、 スチルベン誘導体、 トリフエ二ルジァミン誘導体、 ポリア二リン及びその誘導 体、 ポリチォフェン及びその誘導体、 ポリピロール及びその誘導体、 ポリ （p—フエ二 レンビニレン） 及びその誘導体、 ポリ （2， 5—チェ二レンピニレン） 及びその誘導体 等が例示される。 具体的には、 該正孔輸送材料として、 特開昭 63- 70257号公報、 同 63- 175860号公報、 特開平 2- 135359号公報、 同 2- 135361号公報、 同 2-209988号公報、 同 3 - 37992号公報、 同 3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。
これらの中で、 正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、 ポリビニルカルバゾ一ル 及びその誘導体、 ポリシラン及びその誘導体、 側鎖又は主鎖に芳香族ァミン化合物基を 有するポリシロキサン誘導体、 ポリア二リン及びその誘導体、 ポリチォフェン及びその 誘導体、 ポリ （p—フエ二レンピニレン） 及びその誘導体、 ポリ （2 , 5—チェ二レン ビニレン） 及びその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、 さらに好ましくはポリ ビニルカルバゾール及びその誘導体、 ポリシラン及びその誘導体、 側鎖又は主鎖に芳香 族ァミンを有するポリシロキサン誘導体である。 低分子の正孔輸送材料の場合には、 高 分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
ポリビニルカルバゾ一ル及びその誘導体は、 例えば、 ビニルモノマーからカチオン重 合又はラジカル重合によって得られる。
ポリシラン及びその誘導体としては、 ケミカル 'レビュー （ em. Rev. ) 第 89巻、 1359頁 （1989年） 、 英国特許 GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。 合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、 特にキッビング法が好適に用 いられる。
ポリシロキサン誘導体は、 シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、 側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。 特に 正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、 低分子正孔輸送材料では、 高分子バインダ 一との混合溶液からの成膜による方法が例示される。 また、 高分子正孔輸送材料では、 溶液からの成膜による方法が例示される。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、 正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に 制限はない。 該溶媒として、 クロ口ホルム、 塩ィ匕メチレン、 ジクロロェタン等の塩素系 溶媒、 テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、 トルエン、 キシレン等の芳香族炭化水 素系溶媒、 アセトン、 メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、 酢酸ェチル、 酢酸ブチル 、 ェチルセルソルプアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
溶液からの成膜方法としては、 溶液からのスピンコート法、 キャスティング法、 マイ クログラビアコート法、 グラビアコート法、 バーコート法、 ロールコート法、 ワイア一 バーコ一卜法、 ディップコート法、 スリットコート法、 キャップコート法、 キヤビラリ コート法、 スプレーコート法、 スクリーン印刷法、 フレキソ印刷法、 オフセット印刷法 、 インクジェットプリント法、 ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 混合する高分子バインダ一としては、 電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、 また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。 該高分子バインダ一とし て、 ポリ力一ポネート、 ポリアクリレート、 ポリメチルァクリレート、 ポリメチルメタ クリレート、 ポリスチレン、 ポリ塩化ビニル、 ポリシロキサン等が例示される。
正孔輸送層の膜厚としては、 用いる材料によって最適値が異なり、 駆動電圧と発光効 率が適度な値となるように選択すればよいが、 少なくともピンホールが発生しないよう な厚さが必要であり、 あまり厚いと、 素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。 従って 、 該正孔輸送層の膜厚としては、 例えば 1 n m〜l i mであり、 好ましくは 2 nm〜 500 n mであり、 さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。
本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、 使用される電子輸送材料として は公知のものが使用でき、 ォキサジァゾール誘導体、 アントラキノジメタン及びその誘 導体、 ベンゾキノン及びその誘導体、 ナフトキノン及びその誘導体、 アントラキノン及 びその誘導体、 テトラシァノアンスラキノジメタン及びその誘導体、 フルォレノン誘導 体、 ジフエニルジシァノエチレン及びその誘導体、 ジフエノキノン誘導体、 8—ヒドロ キシキノリン及びその誘導体の金属錯体、 ポリキノリン及びその誘導体、 ポリキノキサ リン及びその誘導体、 ポリフルオレン及びその誘導体等が例示される。 具体的には、 特 開昭 63- 70257号公報、 同 63- 175860号公報、 特開平 2-135359号公報、 同 2- 135361号公報 、 同 2- 209988号公報、 同 3-37992号公報、 同 3-152184号公報に記載されているもの等が 例示される。
これらのうち、 ォキサジァゾール誘導体、 ベンゾキノン及びその誘導体、 アントラキ ノン及びその誘導体、 8—ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、 ポリキノリ ン及びその誘導体、 ポリキノキサリン及びその誘導体、 ポリフルオレン及びその誘導体 が好ましく、 2— （4—ビフエ二リル） —5— ( 4— t —ブチルフエニル） 一 1 , 3， 4—ォキサジァゾール、 ベンゾキノン、 アントラキノン、 トリス （8—キノリノール） アルミニウム、 ポリキノリンがさらに好ましい。
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、 低分子電子輸送材料では、 粉末から の真空蒸着法、 溶液又は溶融状態からの成膜による方法が、 高分子電子輸送材料では溶 液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。 溶液又は溶融状態からの 成膜時には、 高分子バインダーを併用してもよい。
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、 電子輸送材料及び/又は高分子バインダ一を 溶解させるものであれば特に制限はない。 該溶媒として、 クロ口ホルム、 塩化メチレン 、 ジクロロェタン等の塩素系溶媒、 テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、 トルエン 、 キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、 アセトン、 メチルェチルケトン等のケトン系溶 媒、 酢酸ェチル、 酢酸プチル、 ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示 される。
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、 スピンコート法、 キャスティング法、 マ イクログラピアコート法、 グラビアコート法、 バ一コート法、 ロールコート法、 ワイア —バーコート法、 ディップコート法、 スリットコート法、 キャップコート法、 キヤビラ リコ一卜法、 スプレーコート法、 スクリーン印刷法、 フレキソ印刷法、 オフセット印刷 法、 インクジェットプリント法、 ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。 混合する高分子バインダーとしては、 電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、 また、 可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。 該高分子バインダーと しては、 ポリ （N—ビニルカルバゾ一ル） 、 ポリア二リン及びその誘導体、 ポリチオフ ェン及びその誘導体、 ポリ （p—フエ二レンビニレン） 及びその誘導体、 ポリ （2 , 5 —チェ二レンピニレン） 及びその誘導体、 ポリカーボネート、 ポリアクリレート、 ポリ メチルァクリレート、 ポリメチルメタクリレート、 ポリスチレン、 ポリ塩化ビニル、 ポ リシロキサン等が例示される。
電子輸送層の膜厚は、 用いる材料によって最適値が異なり、 駆動電圧と発光効率が適 度な値となるように選択すればよいが、 少なくともピンホールが発生しないような厚さ が必要であり、 あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。 従って、 該電子 輸送層の膜厚は、 例えば、 l n m〜l i mであり、 好ましくは 2 n m~500 n mであり 、 さらに好ましくは 5 n m〜200 n mである。
また、 電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、 電極からの電荷注入効率を改善する 機能を有し、 素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、 特に電荷注入層 （正孔注入 層、 電子注入層） と一般に呼ばれることがある。
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、 電極に隣接して前 記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、 また、 界面の密着性向上や混合の防止等の ために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファ一層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、 及び各層の厚さについては、 発光効率や素子寿命を勘案して 適宜選択すればよい。
本発明において、 電荷注入層 （電子注入層、 正孔注入層） を設けた高分子発光素子と しては、 陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、 陽極に隣接して電荷注入 層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
例えば、 具体的には、 以下の e)〜p)の構造が挙げられる。
e) 陽極 Z電荷注入層/発光層/陰極
f) 陽極 Z発光層 Z電荷注入層/陰極
g) 陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層 陰極
h) 陽極 Z電荷注入層/正孔輸送層 Z発光層/陰極
i) 陽極 Z正孔輸送層 発光層 電荷注入層 陰極
j ) 陽極 Z電荷注入層 正孔輸送層 Z発光層/電荷注入層ノ陰極
k) 陽極/電荷注入層 Z発光層/電荷輸送層 陰極
1 ) 陽極 Z発光層 電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
m) 陽極 Z電荷注入層 発光層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
n) 陽極 電荷注入層 Z正孔輸送層 発光層 電荷輸送層 陰極
0 ) 陽極ノ正孔輸送層 発光層/電子輸送層 電荷注入層 陰極
) 陽極/電荷注入層/正孔輸送層 発光層ノ電子輸送層 電荷注入層 陰極 電荷注入層の具体的な例としては、 導電性高分子を含む層、 陽極と正孔輸送層との間 に設けられ、 陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポ テンシャルを有する材料を含む層、 陰極と電子輸送層との間に設けられ、 陰極材料と電 子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が 例示される。
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、 該導電性高分子の電気伝導度は、 10_ 5 S/cm以上 103 S/cm以下であることが好ましく、 発光画素間のリ一ク電流を小さくす るためには、 10一5 S/cm以上 102 S/cm以下がより好ましく、 10— 5 S/cm以上 101 S/cm以下がさ らに好ましい。 通常は該導電性高分子の電気伝導度を 10—5 S/cm以上 103 S/cm以下とする ために、 該導電性高分子に適量のイオンをド一プする。
ド一プするイオンの種類は、 正孔注入層であればァニオン、 電子注入層であればカチ オンである。 ァニオンの例としては、 ポリスチレンスルホン酸イオン、 アルキルべンゼ ンスルホン酸イオン、 樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、 カチオンの例としては、 リ チウムイオン、 ナトリウムイオン、 カリウムイオン、 テトラプチルアンモニゥムイオン 等が挙げられる。
電荷注入層の膜厚は、 例えば、 1 n m〜100 n mであり、 2 n m〜50 n mが好ましい 電荷注入層に用いる材料は、 電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく 、 ポリア二リン及びその誘導体、 ポリチォフェン及びその誘導体、 ポリピロール及びそ の誘導体、 ポリフエ二レンビニレン及びその誘導体、 ポリチェ二レンビニレン及びその 誘導体、 ポリキノリン及びその誘導体、 ポリキノキサリン及びその誘導体、 芳香族アミ ン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、 金属フタロシアニン （銅フタ口 シァニン等） 、 カーボン等が例示される。
絶縁層は、 電荷注入を容易にする機能を有するものである。 この絶縁層の平均厚さは 、 通常、 0. 1 ~20 n mであり、 好ましくは 0. 5〜10 n m、 より好ましくは 1〜 5 n mであ る。 絶縁層の材料としては、 金属フッ化物、 金属酸化物、 有機絶縁材料等が挙げられる 。 絶縁層を設けた高分子発光素子としては、 陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光 素子、 陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。
具体的には、 例えば、 以下の c！)〜 ab) の構造が挙げられる。 q ) 陽極 Z絶縁層 Z発光層 陰極
r ) 陽極 Z発光層 絶縁層 陰極
s ) 陽極 Z絶縁層/発光層 Z絶縁層 陰極
t ) 陽極 Z絶縁層 正孔輸送層/発光層 Z陰極
u)陽極 正孔輸送層 発光層 絶縁層ノ陰極
V )陽極 絶縁層 Z正孔輸送層 発光層 絶縁層 Z陰極
w)陽極 Z絶緣層ノ発光層 Z電子輸送層 陰極
X )陽極 Z発光層 Z電子輸送層 絶縁層 陰極
y)陽極/絶縁層ノ発光層 電子輸送層/絶縁層 陰極
z )陽極 絶縁層 Z正孔輸送層 発光層 電子輸送層 Z陰極
aa) 陽極 正孔輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 絶縁層ノ陰極
ab) 陽極 Z絶縁層 正孔輸送層 発光層/電子輸送層 絶緣層 陰極 本発明の高分子発光素子を形成する基板は、 電極を形成し、 有機物の層を形成する際 に変化しないものであればよく、 例えば、 ガラス、 プラスチック、 高分子フィルム、 シ リコン等の基板が例示される。 不透明な基板の場合には、 反対の電極が透明又は半透明 であることが好ましい。
本発明において、 通常は、 陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半 透明であり、 陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
陽極の材料としては、 導電性の金属酸化物膜、 半透明の金属薄膜等が用いられる。 具 体的には、 酸化インジウム、 酸化亜鉛、 酸化スズ、 及びそれらの複合体であるインジゥ ム -スズ ·ォキサイド （IT0) 、 インジウム ·亜鉛 ·ォキサイド等からなる導電性ガラ スを用いて作成された膜 （NESA等） や、 金、 白金、 銀、 銅等が用いられ、 IT0、 インジ ゥム ·亜鉛 ·ォキサイド、 酸化スズが好ましい。 作製方法としては、 真空蒸着法、 スパ ッ夕リング法、 イオンプレーティング法、 メツキ法等が挙げられる。 また、 該陽極とし て、 ポリア二リン及びその誘導体、 ポリチォフェン及びその誘導体等の有機の透明導電 膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、 光の透過性と電気伝導度とを考慮して、 適宜選択することができるが 、 例えば、 10 nm〜10 mであり、 好ましくは 20 n m〜 1 ΠΙであり、 さらに好ましく は 50 ηπ！〜 500 nmである。
また、 陽極上に、 電荷注入を容易にするために、 フタロシアニン誘導体、 導電性高分 子、 力一ボン等からなる層、 あるいは金属酸化物や金属フッ化物、 有機絶縁材料等から なる層を設けてもよい。
陰極の材料としては、 仕事関数の小さい材料が好ましい。 例えば、 リチウム、 ナトリ ゥム、 カリウム、 ルビジウム、 セシウム、 ベリリウム、 マグネシウム、 カルシウム、 ス トロンチウム、 バリウム、 アルミニウム、 スカンジウム、 バナジウム、 亜鉛、 イツトリ ゥム、 インジウム、 セリウム、 サマリウム、 ユーロピウム、 テルビウム、 イツテルビゥ ム等の金属、 及びそれらのうち 2つ以上の合金、 あるいはそれらのうち 1つ以上と、 金 、 銀、 白金、 銅、 マンガン、 チタン、 コバルト、 ニッケル、 タングステン、 錫のうち 1 つ以上との合金、 グラフアイト又はグラフアイト層間化合物等が用いられる。 合金の例 としては、 マグネシウム—銀合金、 マグネシウム一インジウム合金、 マグネシウム一ァ ルミニゥム合金、 インジウム一銀合金、 リチウム一アルミニウム合金、 リチウムーマグ ネシゥム合金、 リチウム一インジウム合金、 カルシウム—アルミニウム合金等が挙げら れる。 陰極を 2層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、 電気伝導度や耐久性を考慮して、 適宜選択することができるが、 例え ば、 10 n m〜10 mであり、 好ましくは 20 n m〜 1 mであり、 さらに好ましくは 50 η m〜500 nmである。
陰極の作製方法としては、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 また金属薄膜を熱圧着す るラミネート法等が用いられる。 また、 陰極と有機物層との間に、 導電性高分子からな る層、 あるいは金属酸化物や金属フッ化物、 有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく 、 陰極作製後、 該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。 該高分子発 光素子を長期安定的に用いるためには、 素子を外部から保護するために、 保護層及びノ 又は保護力パーを装着することが好ましい。
該保護層としては、 樹脂、 金属酸化物、 金属フッ化物、 金属ホウ化物等を用いること ができる。 また、 保護カバーとしては、 ガラス板、 表面に低透水率処理を施したプラス チック板等を用いることができ、 該カバ一を熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り 合わせて密閉する方法が好適に用いられる。 スぺーサ一を用いて空間を維持すれば、 素 子がキズつくのを防ぐことが容易である。 該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガ ズを封入すれば、 陰極の酸化を防止することができ、 さらに酸化バリウム等の乾燥剤を 該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメ一ジを与えるのを 抑制することが容易となる。 これらのうち、 いずれか 1つ以上の方策をとることが好ま しい。
本発明の高分子発光素子は面状光源、 セグメント表示装置、 ドットマトリックス表示 装置、 液晶表示装置 （例えば、 バックライト等） 等の表示装置等に用いることができる 本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、 面状の陽極と陰極が重 なり合うように配置すればよい。 また、 パターン状の発光を得るためには、 前記面状の 発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、 非発光部の有機物層 を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、 陽極若しくは陰極のいずれか一方、 又 は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。 これらのいずれかの方法でパターン を形成し、 いくつかの電極を独立に O nZO F Fできるように配置することにより、 数 字や文字、 簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。 更に、 ドットマトリックス素子とするためには、 陽極と陰極をともにストライプ状に形成して 直交するように配置すればよい。 複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分け る方法や、 カラ一フィルタ一又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、 部分カラー 表示、 マルチカラー表示が可能となる。 ドットマトリックス素子は、 パッシブ駆動も可 能であるし、 T F T等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。 これらの表示素子は 、 コンピュータ、 テレビ、 携帯端末、 携帯電話、 力一ナビゲ一シヨン、 ビデオカメラの ビューフアインダ一等の表示装置として用いることができる。
さらに、 前記面状の発光素子は、 自発光薄型であり、 液晶表示装置のバックライト用 の面状光源、 又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。 例えば照明用光 源には白色発光、 赤色発光、 緑色発光または青色発光などの発光色があげられる。 また 、 フレキシブルな基板を用いれば、 曲面状の光源や表示装置としても使用できる。 以下、 本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、 本発明はこれらに限定 されるものではない。
(合成例 1 )
N—才クチルフエノキサジンの合成
不活性雰囲気下、 フエノキサジン （1 0. 0 g) 、 水酸化ナトリウム （2 1. 9 g) 、 テトラエチルアンモニゥムブロマイド （0. 37 g) 、 ジメチルスルホキシド （34 mL) を混合し、 80でまで昇温した後、 水 18mLを加え、 1—ブロモオクタン （1 2. 9 g) を 50分で滴下した。 ついで、 90で まで昇温して 1 時間攪拌した後、 室 温へ冷却した。 ついで、 析出した固体をトルエン 1 6 OmLに溶解し、 水 （1 0 OmL ) で 2回洗浄し、 1N塩酸 （10 OmL) で 1回洗浄し、 水 （10 OmL) で 3回洗浄 し、 シリカゲルカラムに通液させ、 減圧濃縮、 真空乾燥を行い、 目的物とする N—ォク チルフエノキサジン 16. 0 g (純度 99. 4%) を得た。
1 H-NMR (299. 4 MHz, CDC 13) ； δ 0. 89 ( t , 3Η) , 1. 1 5 — 1. 47 (m, 1 OH) , 1. 65 (b r， 2 H) ， 3. 45 (b r， 2 H) , 6. 3 1 -6. 88 (b r, 8H) .
L C-MS (APP I— MS (p o s i) ) : 296 [M + H] +
(合成例 2)
3， 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジンの合成
不活性雰囲気下 N—才クチルフエノキサジン （1 5. 0 g) にジクロロメタン （55 mL) を加えて調整した溶液に、 1, 3—ジブロモ一 5， 5—ジメチルヒダントイン （ 1 5. 1 g) と N， N—ジメチルホルムアミド 1 5. 8 mLからなる溶液を室温にて 3 0分で滴下し 1時間攪拌した後、 室温にて 6時間攪拌を行った。 得られた沈澱を濾過、 メタノールで洗浄、 ついで減圧乾燥することにより、 目的とする 3, 7—ジブロモ— N —ォクチルフエノキサジンを 1 6. 6 g得た （純度 99. 7%) 。
'H-NMR (299. 4 MHz, CDC 13) ； <5 0. 89 (t, 3H) ， 1. 18 — 1. 46 (m, 1 OH) , 1. 59 (b r， 2H) , 3. 38 (b r, 2 H) ， 6. 29 (d, 2H) , 6. 73 (s, 2 H) ， 6. 88 (d， 2 H) .
LC-MS (APP I— MS (p o s i) ) : 452 [M + H] + (合成例 3 )
高分子化合物 <P— 1 >の合成
Figure imgf000073_0001
不活性雰囲気下、 2, 7—ビス （1, 3， 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） 一 9, 9ージォクチルフルオレン （1. 37 g) 、 2, 7—ジブロモ— 9, 9—ジォクチルフ ルオレン （1. 22 g) 、 3， 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジン （0. 18 g) 、 酢酸パラジウム （0. 5mg) 、 トリ （2—メチルフエニル） ホスフィン （4. 7mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 24 g, アルドリツチ製） 、 トルエン （22m 1) を混合し、 105でに加熱した。 この反応溶液に 2Mの Na2C〇3水溶液 （3. 6 ml) を滴下し、 2. 5時間還流させた。 反応後、 フエニルホウ酸 （26. Omg) を 加え、 さらに 2時間還流させた。 次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリ ゥム水溶液 (20ml) を加え 80でで 2時間撹拌した。 冷却後、 水 （25ml) で 3 回、 3%酢酸水溶液 （25ml) で 3回、 水 （25ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラ ム、 シリカゲルカラムを通すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール (80 Oml) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた。 得ら れた高分子化合物 <P— 1〉の収量は 1. 86 gであった。
高分子化合物 <P— 1>のポリスチレン換算数平均分子量は、 9. 1X 104であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 1 XI 05であった。
(実施例 1 )
高分子化合物 < P— 2 >の合成
Figure imgf000074_0001
不活性雰囲気下、 2， 7—ビス （1， 3， 2—ジォキサボロラン— 2—ィル） 一 9， 9—ジォクチルフルオレン （1. 59 g) 、 2， 7—ジブロモ— 9， 9ージォクチルフ ルオレン （1. 24g) 、 3, 7—ジブロモ— N—ォクチルフエノキサジン （0. 20 g) 、 N, N， 一ビス— （4一ブロモフエニル） — N, N' ージ— p—トルィル—アン トラセン一 9， 10—ジァミン （0. 21 g) 、 酢酸パラジウム （2. 6mg) 、 トリ (2—メチルフエニル） ホスフィン （22. 9mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 4 0g， アルドリッチ製） 、 トルエン （42ml) を混合し、 105でに加熱した。 この 反応溶液に 2Mの Na2C〇3水溶液 （5. 8ml ) を滴下し、 4時間還流させた。 反応 後、 フエニルホウ酸 （42mg) を加え、 さらに 1時間還流させた。 次いで 1. 8Mの ジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 （20ml) を加え 80でで 2時間撹拌 した。 冷却後、 水 （40ml) で 3回、 3%酢酸水溶液 （40ml) で 3回、 水 （40 ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラム、 シリカゲルカラムを通すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール （800m 1) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得ら れた固体をろ取し乾燥させた。 得られた高分子化合物 <P— 2 >の収量は 2. 23gで めった。
高分子^合物ぐ P— 2〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 8. 9X 104であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 9 X 105であった。 なお、 N， ' 一ビス— （4一ブロモフエニル） — N, N， ージ— p—トルィルーァ ントラセン一 9, 10—ジァミンは W02005Z049546号パンフレツトに記載 の方法で合成した。 (実施例 2 )
高分子化合物ぐ P— 3 >の合成
Figure imgf000075_0001
不活性雰囲気下、 2, 7—ビス （1, 3, 2—ジォキサボロラン— 2—ィル） 一 9， 9ージォクチルフルオレン （0. 49 g) 、 4, 7—ジブロモ— 2， 1, 3—べンゾチ アジアゾ一ル （0. 29 g) 、 ビストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド （ 2. lmg) , A l i qua t 336 (0. 13 g， アルドリツチ製） 、 トルエン （1 0ml ) を混合し、 105でに加熱した。 この反応溶液に 2Mの N a2 C03水溶液 （1 4ml) を滴下し、 2時間還流させた。 反応溶液を室温まで冷却後、 2， 7—ビス （1 , 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） 一9， 9ージォクチルフルオレン （2. 16 g) 、 3， 7—ジブ口モー N—才クチルフエノキサジン （0. 57 g) 、 2, 7—ジブ 口モー 9， 9—ビス （4一へキシルォキシフエニル） フルオレン （1. 86 g) 、 ビス トリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド （8. 4mg) 、 A 1 i qu a t 33 6 (0. 52 g, アルドリッチ製） 、 トルエン （40ml) を混合し、 105でに加熱 した。 この反応溶液に 2Mの Na2C〇3水溶液 （1 lml) を滴下し、 1. 5時間還流 P T/JP2007/065039
させた。 反応後、 フエニルホウ酸 （60mg) を加え、 さらに 2時間還流させた。 次い で 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 （30ml) を加え 80 で 2時間撹拌した。 室温まで冷却後、 水 （70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液 （ 70ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラム、 シリカゲルカラム を通すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール （800ml) に滴下 し、 1時間撹拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた。 得られた高分子化合物 <P 一 3〉の収量は 3. 09 であった。
高分子化合物ぐ P— 3 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 8. 0X 104であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 1. 7X 105であった。
なお、 4， 7—ジブ口モー 2, 1, 3—べンゾチアジアゾ一ルは、 US 357742 7号公報に記載の方法で合成し、 2, 7—ジブロモ— 9, 9一ビス （4一へキシルォキ シフエニル） フルオレンは WO 2004/041902号パンフレツ卜に記載の方法で 合成した。 (実施例 3)
高分子化合物 <P— 4 >の合成
Figure imgf000076_0001
不活性雰囲気下、 2, 7—ビス （1， 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） —9, 9—ジへキシルフルオレン （2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9, 9—ジへキシルフ ルオレン （2. 22 g) 、 3， 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン （0. 34 g) 、 9, 10—ジブロモアントラセン （0. 07 g) 、 酢酸パラジウム （3. 4mg ) 、 トリス （4—メチルフエニル） ホスフィン （13. 7mg) , A 1 i q u a t 33 6 (0. 65 g, アルドリッチ製） 、 トルエン （50m 1 ) を混合し、 105でに加熱 した。 この反応溶液に 2Mの Na2 C03水溶液 （14ml) を滴下し、 2時間還流させ た。 反応後、 フエニルホウ酸 （60mg) を加え、 さらに 2時間還流させた。 次いで 1 . 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 （30ml) を加え 80でで 2 時間撹拌した。 室温まで冷却後、 水 （70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液 （70 ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラム、 シリカゲルカラムを通 すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール （800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた。 得られた高分子化合物 <P_ 4 >の収量は 2. 71 であった。
高分子化合物 <P— 4〉のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 0 X 105であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 1 X 1 05であった。 (実施例 4)
高分子化合物ぐ P— 5 >の合成
Figure imgf000077_0001
不活性雰囲気下、 2， 7—ビス （1, 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） —9, 9—ジへキシルフルオレン （2. 38 g) 2, 7—ジブロモ— 9, 9—ジへキシルフ ルオレン （0. 62 g) 、 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン （0. 79 g) 、 4, 7—ジブ口モー 2, 1， 3—ベンゾチアジアゾ一ル （0. 51 g) 、 4, 7 —ビス （5—プロモー 4—メチルー 2—チェニル） —2, 1, 3—べンゾチアジアゾ一 ル （0. 12 g) 、 ピストリフエニルホスフィンパラジウムジクロライド （10. 5m g) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g, アルドリツチ製） 、 トルエン （50ml) を混合し、 105 に加熱した。 この反応溶液に 2Mの Na2C〇3水溶液 （14ml) を滴下し、 2時間還流させた。 反応後、 フエニルホウ酸 （60mg) を加え、 さらに 2 時間還流させた。 次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 (3 0ml ) を加え 80でで 2時間撹拌した。 室温まで冷却後、 水 （70ml) で 3回、 3 質量％の酢酸水溶液 （70ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラ ム、 シリカゲルカラムを通すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール (800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた。 得ら れた高分子化合物 <P— 5 >の収量は 1. 78 であった。
高分子化合物 <P— 5 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 5. 1X104であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 8. 7X 104であった。
なお、 4, 7—ビス （5—ブロモー 4—メチル—2—チェニル） 一 2, 1， 3—ベン ゾチアジアゾールは、 WO 2000Z046321号パンフレツトに記載の方法で合成 した。
(実施例 5 )
高分子化合物 <P— 6 >の合成
Figure imgf000078_0001
不活性雰囲気下、 2， 7—ビス （1, 3, 2—ジォキサボロラン一 2—ィル） 一 9, 9—ジォクチルフルオレン （2. 65 g) 、 2， 7—ジブロモ— 9, 9ージォクチルフ ルオレン （2. 06 g) 、 3, 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン （0. 34 g) 、 4, 7_ビス （5—ブロモー 2—チェニル） 一 2, 1， 3—べンゾチアジアゾー ル （0. 23 g) 、 酢酸パラジウム （3. 4mg) 、 トリス （4—メチルフエニル） ホ スフィン （13. 7mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g， アルドリツチ製） 、 トルエン （50ml) を混合し、 105でに加熱した。 この反応溶液に 2Mの Na2 C 03水溶液 （14ml) を滴下し、 2. 5時間還流させた。 反応後、 フエニルホウ酸 （ 6 Omg) を加え、 さらに 2時間還流させた。 次いで 1. 8Mのジェチルジチア力ルバ ミン酸ナトリウム水溶液 （3 Oml) を加え 80でで 2時間撹拌した。 室温まで冷却後 、 水 （ 70 m 1 ) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液 （70ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラム、 シリカゲルカラムを通すことにより精製した。 得られ たトルエン溶液をメタノール （800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得られた固 体をろ取し乾燥させた。 得られた高分子化合物 <P— 6〉の収量は 2. 22 gであった 高分子化合物ぐ P— 6>のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 1X 105であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 2. 4X 105であった。
なお、 4， 7—ビス （5—ブロモ一2—チェニル） 一 2， 1， 3—ベンゾチアジアゾ —ルは、 W02000 046321号パンフレツ卜に記載の方法で合成した。
(実施例 6 )
高分子化合物 < P— 7 >の合成
Figure imgf000080_0001
不活性雰囲気下、 2, 7—ビス （1, 3, 2_ジォキサボロラン一 2—ィル） 一 9， 9ージォクチルフルオレン （2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9， 9—ジォクチルフ ルオレン （2. 41 g) 、 3， 7—ジブロモ一 N—ォクチルフエノキサジン （0. 09 g) 、 N, N， 一ビス一 （4—ブロモフエニル） 一 N, N' 一ビス一 （4一夕一シャリ ブチル一2， 6—ジメチルフエニル） ー1， 4—フエ二レンジァミン （0. 30 g) 、 酢酸パラジウム （3. 4mg) 、 トリス （4一メチルフエニル） ホスフィン （13. 7 mg) 、 A 1 i q u a t 336 (0. 65 g, アルドリツチ製） 、 トルエン （50ml ) を混合し、 105T:に加熱した。 この反応溶液に 2Mの Na2 C〇3水溶液 （14m 1 ) を滴下し、 2. 5時間還流させた。 反応後、 フエニルホウ酸 （60mg) を加え、 さ らに 2時間還流させた。 次いで 1. 8 Mのジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶 液 （30ml) を加え 80でで 2時間撹拌した。 室温まで冷却後、 水 （70ml) で 3 回、 3質量％の酢酸水溶液 （70ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミ ナカラム、 シリカゲルカラムを通すことにより精製した。 得られたトルエン溶液をメタ ノール （800ml) に滴下し、 1時間撹拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた 。 得られた高分子化合物 <P— 7 >の収量は 3. 14gであった。
高分子化合物 <P— 7 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 2X 105であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 3. 0X 105であった。 なお、 N, N' —ビス一 （4一ブロモフエニル） 一N, N' 一ビス一 （4一ターシャ リブチルー 2, 6—ジメチルフエ二ル） — 1, 4—フエ二レンジアミンは J P 2004 ノ 143419号公報に記載の方法で合成した。 (実施例 7 )
高分子化合物 <P— 8 >の合成
Figure imgf000081_0001
不活性雰囲気下、 2, 7—ビス （1， 3, 2—ジォキサボロラン— 2—ィル） —9， 9—ジォクチルフルオレン （2. 65 g) 、 2, 7—ジブ口モー 9, 9ージォクチルフ ルオレン （2. 19g) 、 3， 7—ジブ口モー N—ォクチルフエノキサジン （0. 09 g) 、 N, N， 一ビス一 （4—ブロモフエニル） 一 N， N' 一ビス一 （4—ターシャリ プチルー 2, 6—ジメチルフエニル） 一べンジジン （0. 65g) 、 ビストリフエニル ホスフィンパラジウムジクロライド （10. 5mg) 、 A l i qua t 336 (0. 6 5 g, アルドリッチ製） 、 トルエン （50ml) を混合し、 105でに加熱した。 この 反応溶液に 2Mの Na2 C03水溶液 （7ml) を滴下し、 1. 5時間還流させた。 反応 後、 フエニルホウ酸 （60mg) を加え、 さらに 5時間還流させた。 次いで 1. 8Mの ジェチルジチア力ルバミン酸ナトリウム水溶液 （30ml) を加え 80でで 4時間撹拌 した。 室温まで冷却後、 水 （70ml) で 3回、 3質量％の酢酸水溶液 （70ml) で 3回、 水 （70ml) で 3回洗浄し、 アルミナカラム、 シリカゲルカラムを通すことに より精製した。 得られたトルエン溶液をメタノール （800ml) に滴下し、 1時間撹 拌した後、 得られた固体をろ取し乾燥させた。 得られた高分子化合物 <P— 8 >の収量 は 2. 99 gであった。
高分子化合物ぐ P— 8 >のポリスチレン換算数平均分子量は、 1. 3X105であり 、 ポリスチレン換算重量平均分子量は 3. 2X 105であった。
なお、 N, N' —ビス一 （4—ブロモフエニル） 一 N， N' 一ビス一 （4—夕ーシャ リブチル— 2, 6—ジメチルフエニル） —ベンジジンは W02005Z056633号 パンフレツトに記載の方法で合成した。
(実施例 8 )
高分子化合物ぐ P— 9 >溶液の調製
高分子化合物ぐ P— 9 >をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 0. 5重量％のキシレン 溶液を作製した。 高分子化合物 <P— 9>
Figure imgf000082_0001
高分子化合物 <P— 9>は、 WO 99 54385に記載の方法で合成した。
高分子化合物ぐ P— 2 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 2〉をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製 スパッタ法により 15 Onmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3, 4) エチレンジォキシチォフェン/ポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 /zmメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0t：、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、. ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 10 nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 2 >のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1400 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 88 nmであった。 さらに、 これを減圧下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミニゥ ムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10'4 P a以下に到 達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 530 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 初期輝度を 2000 c dZm2とし定電流で素子を駆動させた とき、 輝度が 1000 c dZm2となる輝度半減寿命は 6. 3時間であった。 また 50 mAZ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 55時間であった。 さらに発 光パワーを 20. 0 として駆動した時の輝度半減寿命は 43時間であった。 (実施例 9 )
高分子化合物ぐ P - 3 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 2 >をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3, 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 zmメンブランフィルターで濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0 、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 20 Ot:, 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 1 O nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物く P— 3〉のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 8 O :で 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4 P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 615 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 5 OmA/ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 460時間であった。 また発光パワーを 20. 0 Wとして駆動した時の輝度半減寿命 は 170時間であった。 (実施例 10)
高分子化合物ぐ P— 4 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 3〉をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3， 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 / mメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物ぐ P— 9〉のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 20 Ot:, 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 10 nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 4>のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 465 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 5 OmAZ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 4. 3時間であった。
(実施例 1 1 )
高分子化合物ぐ P— 5 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 3 >をキシレンに溶解し、 ポリマ一濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3， 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 //mメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物く P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 10 nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物く P— 5 >のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80^で 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4 P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 655 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 5 OmAZcm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 700時間であった。 (実施例 12)
高分子化合物ぐ P— 6 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 6〉をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッタ法により 15 Onmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3， 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083 ) の懸濁液を 0. 2 ;umメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物ぐ P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で
200で、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 1 Onmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 6 >のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 10 Onm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4 P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 660 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 5 OmAZ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、
320時間であった。 (実施例 13)
高分子化合物 <P - 7 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 3 >をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。 EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3, 4) エチレンジォキシチォフェン Zポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 ^mメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 10 nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 7〉のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10"4 P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 460 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 発光パワーを 20. 0 /zWとして駆動した時の輝度半減寿命は 65時間であった。
(実施例 14 )
高分子化合物ぐ P— 8 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 8〉をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I T〇膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3， 4) エチレンジォキシチォフェン Ζポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083) の懸濁液を 0. 2 xmメンブランフィルタ一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物 <P— 9 >のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 200で、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 10 nmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 8 >のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 100 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 465 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 5 OmAZ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 5. 3時間であった。
(比較例 1 )
高分子化合物ぐ P— 1 >溶液の調製
上記で得た高分子化合物 <P— 1>をキシレンに溶解し、 ポリマー濃度 1. 2重量％ のキシレン溶液を作製した。
EL素子の作製
スパッ夕法により 150 nmの厚みで I TO膜を付けたガラス基板上に、 ポリ （3, 4) エチレンジォキシチォフェン ポリスチレンスルホン酸 （Baye r製、 Bay t r onP A I 4083 ) の懸濁液を 0. 2 imメンブランフィル夕一で濾過した液を 用いて、 スピンコートにより 70 nmの厚みで薄膜を形成し、 ホットプレート上で 20 0で、 10分間乾燥した。 次に、 上記で得た高分子化合物 <P— 9〉のキシレン溶液を 用いて、 スピンコートにより 3000 r pmの回転速度で成膜し、 ホットプレート上で 200 、 15分間乾燥した。 成膜後の膜厚は約 1 Onmであった。 さらに、 上記で得 た高分子化合物 <P— 1>のキシレン溶液を用いて、 スピンコートにより 1200 r p mの回転速度で成膜した。 成膜後の膜厚は約 107 nmであった。 さらに、 これを減圧 下 80でで 1時間乾燥した後、 陰極としてバリウムを約 5 nm蒸着し、 次いでアルミ二 ゥムを約 100 nm蒸着して EL素子を作製した。 なお真空度が 1 X 10— 4P a以下に 到達した後に金属の蒸着を開始した。
EL素子の性能
得られた素子に電圧を印加することにより、 この素子から 465 nmにピークを有す る EL発光が得られた。 初期輝度を 2000 c d/m2とし定電流で素子を駆動させた とき、 輝度が 1000 c dZm2となる輝度半減寿命は 2. 4時間であった。 また 50 mAZ cm2の電流密度で駆動した時の輝度半減寿命は、 2. 1時間であった。 さらに 発光パワーを 20. 0 /zWとして駆動した時の輝度半減寿命は 25時間であった。 産業上の利用可能性
本発明の高分子化合物を発光素子に用いたとき、 輝度半減寿命が長い高分子発光素子 (高分子 LED) を与える。

Claims

請求の範囲
1 . 下記式 （I ) で示される繰返し単位、 下記式 （I I ) で示される繰返し単位およ び下記式 （I I I ) で示される繰返し単位を含む高分子化合物。
Figure imgf000090_0001
〔上記式 （I ) 中、 R,および R2はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキ シ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールァ ルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン 原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環 基、 カルボキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 R ,と R2 は互いに結合して環を形成していてもよく、 R3および R4はそれぞれ独立に、 アルキル 基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基 、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールァ ルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル 基、 八ロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表 し、 aおよび bはそれぞれ独立に、 0 ~ 3から選ばれる整数を表す。 R3および R4がそ れぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
Figure imgf000091_0001
〔上記式 （I I) 中、 RNIはアルキル基を表し、 R5および R6はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリ一 ルアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 cおよび dはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R5および R6 がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
Figure imgf000091_0002
(III)
〔上記式 （I I I) 中、 A rは 2価の縮合多環式炭化水素基、 下記式 （V I) で示され る基または下記式 （X) で示される基を表す。 〕
Figure imgf000091_0003
〔上記式 （V I) 中、 Ar,、 A r 2および A r 3はそれぞれ独立に、 ァリーレン基また は 2価の複素環基を表し、 A r4および A r5はそれぞれ独立に、 ァリール基または 1価 の複素環基を表し、 Xは 0または 1を表す。 〕
Figure imgf000092_0001
〔上記式 （X) 中、 A r 7および A r 8はそれぞれ独立に、 ァリ一レン基または 2価の複 素環基を表し、 R2 2は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァ リールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリ ールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換 アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 イミ ン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル 基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 nは 0〜2から選ばれる整数を表し、 yおよび z はそれぞれ独立に 0〜2から選ばれる整数を表す。 R2 2、 1" 7ぉょび 1" 8がそれぞれ 複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
2 . 上記式 （I ) で示される繰返し単位が、 下記式 （I V) で示される繰返し単位で ある請求項 1記載の高分子化合物。
Figure imgf000092_0002
(IV)
〔上記式 （I V) 中、 R7および R8はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコ キシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリール アルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基 、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲ ン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素 環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 R7と R8は互いに結合して環を形成していてもよく、 R9および R ,。はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリー ルァルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 eおよび fはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 R9および R 10がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
3. 上記式 （IV) において eおよび fが 0であることを特徴とする請求項 2記載の 高分子化合物。
4. 上記式 （I I) で示される繰返し単位が、 下記式 （V) で示される繰返し単位で ある請求項 1〜 3のいずれか一項に記載の高分子化合物。
Figure imgf000093_0001
〔上記式 （V) 中、 RN2はアルキル基を表し、 RHおよび R12はそれぞれ独立に、 アル キル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリ一 ルアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シ リル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド 基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基 を表し、 gおよび hはそれぞれ独立に、 0〜 3から選ばれる整数を表す。 および R , 2がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
5. 上記式 （V) において gおよび hが 0である請求項 4記載の高分子化合物。
6. 上記式 （I I I) で示される繰返し単位が、 上記式 （V I) で示される繰返し単 位である請求項 1 ~ 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
7. 上記式 （V I) で示される繰返し単位が、 下記式 （VI I) で示される繰返し単 位である請求項 6記載の高分子化合物。
(VII)
〔上記式 （V I I) 中、 Ar6は、 ァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 R13、 Rl4、 5および 6はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基 、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリ一ルァ ルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基 、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシ ルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 カルボキシル基、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 iおよび jはそれぞれ独立に 0 〜4から選ばれる整数を表し、 kおよび 1はそれぞれ独立に 0〜 5から選ばれる整数を 表す。 R13、 R,4、 R， 5および R, 6がそれぞれ複数個存在する場合、 それらは同一でも 異なっていてもよい。 〕
8. 上記式 （VI I) において A r 6が下記式 （V I I I) で示される 2価の基であ る請求項 7記載の高分子化合物。
Figure imgf000094_0001
(VIII)
〔上記式 （V I I I) 中、 R，7、 R18、 R，9および R2()はそれぞれ独立に、 水素原子、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリー ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァ リールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置 換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸ィ ミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換カルボキシル基、 シァノ基またはニト 口基を表し、 Rl7と R18、 Rl9と R2()は互いに結合し環を形成していてもよい。 〕
9. 上記式 （V I I I) で示される 2価の基が、 下記式 （I X) で示される 2価の基 である請求項 8記載の高分子化合物。
Figure imgf000095_0001
(IX)
〔上記式 （I X) 中、 R21は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール 基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基 、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基 、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポ キシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 mは 0~ 8から選ばれる整数を表す。 R2, が複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
10. 上記式 （V I I I) で示される 2価の基が、 下記式 （X I I I) で示される 2価 の基である請求項 8記載の高分子化合物。
Figure imgf000095_0002
(ΧΙΠ)
〔上記式 （X I I I) 中、 R24 は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァ リール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコ キシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 ァ ミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォ キシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換 力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 pは 0〜4から選ばれる整数を表す 。 R24が複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
11. 上記式 （V I I) において A r 6が下記式 （XI V) で示される 2価の基である 請求項 7記載の高分子化合物。
Figure imgf000096_0001
(XIV)
〔上記式 （XIV) 中、 R25および R26 はそれぞれ独立に、 アルキル基、 アルコキシ 基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアル キル基、 ァリールアルコキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァ リールアルキニル基、 アミノ基、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原 子、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基 、 力ルポキシル基、 置換力ルポキシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 qおよび r はそれぞれ独立に 0〜4から選ばれる整数を表す。 R25および R26がそれぞれ複数個 存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
12. 上記式 （I I I) で示される繰返し単位が、 2価の縮合多環式炭化水素基であ る請求項 1〜 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
13. 上記式 （I I I) で示される繰返し単位が、 上記式 （X) で示される繰返し単位 である請求項 1〜 5のいずれか一項に記載の高分子化合物。
14. 上記式 （X) において Ar7およびが Ar8が、 下記式 （X I) で示される 2価の 基であることを特徴とする請求項 13記載の高分子化合物。
Figure imgf000097_0001
(XI)
〔上記式 （X I ) 中、 R2 3は、 アルキル基、 アルコキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール 基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルコキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールアルキニル基、 アミノ基 、 置換アミノ基、 シリル基、 置換シリル基、 ハロゲン原子、 ァシル基、 ァシルォキシ基 、 ィミン残基、 アミド基、 酸イミド基、 1価の複素環基、 力ルポキシル基、 置換力ルポ キシル基、 シァノ基またはニトロ基を表し、 οは 0〜 2から選ばれる整数を表す。 R2 3 が複数個存在する場合、 それらは同一でも異なっていてもよい。 〕
1 5 . 上記式 （X) において nが 0である請求項 1 3または 1 4に記載の高分子化合物
1 6 . 正孔輸送材料、 電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも 1種類の材料と、 請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物の少なくとも 1 種類とを含有する組成物。
1 7 . 請求項 1〜1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物を少なくとも 2種類含有す ることを特徴とする組成物。
1 8 . 陽極及び陰極からなる電極と、 該電極間に設けられ請求項 1〜1 5のいずれか一 項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物を含む発光層と を有する高分子発光素子。
1 9 . 請求項 1 8に記載の高分子発光素子を含む面状光源。
2 0 . 請求項 1 8に記載の高分子発光素子を含む表示装置。
2 1 . 請求項 1 ~ 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物と溶媒とを含む液状組成物
2 2 . 請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物と溶媒とを含む液状組成物。
2 3 . 請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは 1 8に記載の組成物を含む薄膜。
. 請求項 1〜 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは に記載の組成物を含む有機トランジスタ。
. 請求項 1 ~ 1 5のいずれか一項に記載の高分子化合物または請求項 1 7もしくは に記載の組成物を含む太陽電池。 '
PCT/JP2007/065039 2006-08-01 2007-07-25 Composé polymère et dispositif polymère luminescent WO2008016067A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07791723A EP2048176A4 (en) 2006-08-01 2007-07-25 POLYMER COMPOUND AND LUMINESCENT POLYMER DEVICE
US12/375,448 US20090302748A1 (en) 2006-08-01 2007-07-25 Polymer compound and polymer light emitting device
CN2007800357341A CN101516963B (zh) 2006-08-01 2007-07-25 高分子化合物和高分子发光元件

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-209599 2006-08-01
JP2006209599 2006-08-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008016067A1 true WO2008016067A1 (fr) 2008-02-07

Family

ID=38997241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/065039 WO2008016067A1 (fr) 2006-08-01 2007-07-25 Composé polymère et dispositif polymère luminescent

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20090302748A1 (ja)
EP (1) EP2048176A4 (ja)
KR (1) KR20090034398A (ja)
CN (1) CN101516963B (ja)
TW (1) TW200813111A (ja)
WO (1) WO2008016067A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008133463A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
WO2010001982A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 住友化学株式会社 フェノキサジン系高分子化合物及びそれを用いた発光素子
WO2010001984A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 住友化学株式会社 有機光電変換素子
JP2011528383A (ja) * 2008-07-02 2011-11-17 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 交互ドナーアクセプターコポリマー系の高性能で溶液加工可能な半導体ポリマー
CN102443142A (zh) * 2010-10-15 2012-05-09 海洋王照明科技股份有限公司 含芴、蒽和二噻吩并噻咯共聚物及其制备方法和应用
JP2012144721A (ja) * 2010-12-21 2012-08-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた有機ｅｌ素子
JP2013536882A (ja) * 2010-09-04 2013-09-26 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 共役ポリマー
JP2015506403A (ja) * 2012-01-31 2015-03-02 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ポリマー

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090053949A (ko) * 2006-09-13 2009-05-28 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 고분자 화합물 및 고분자 발광 소자
JP5454139B2 (ja) * 2008-05-12 2014-03-26 東レ株式会社 カーボンナノチューブ複合体、有機半導体コンポジットならびに電界効果型トランジスタ
GB2469500B (en) * 2009-04-16 2012-06-06 Cambridge Display Tech Ltd Method of forming a polymer
US8922109B2 (en) 2010-01-29 2014-12-30 Sumitomo Chemical Company, Limited Light emitting material, ink composition, thin film, light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US9617468B2 (en) 2010-01-29 2017-04-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Luminescent composition and light-emitting element using said composition
WO2012086670A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 住友化学株式会社 組成物及びブロック型共重合体
GB201210131D0 (en) 2011-11-02 2012-07-25 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting composition and device
WO2017033736A1 (ja) * 2015-08-27 2017-03-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光電変換素子および撮像素子ならびに電子機器

Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577427A (en) 1968-09-05 1971-05-04 Shell Oil Co Bromination of 2,1,3,-benzothiadiazoles and benzofurazans
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05110069A (ja) 1991-10-14 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタの製造方法
GB2300196A (en) 1995-04-10 1996-10-30 Sumitomo Chemical Co Polysilanes
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2003226744A (ja) * 2001-11-09 2003-08-12 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2004143419A (ja) 2002-08-28 2004-05-20 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
WO2004041902A2 (en) 2002-11-06 2004-05-21 Cambridge Display Technology Limited 9-aryl and bisayl substituted polyfluorenes
WO2005049546A1 (en) 2003-11-14 2005-06-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Halogenated bisdiarylaminopolycylic aromatic compounds and polymers thereof
WO2005056633A1 (ja) 2003-12-12 2005-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2006511659A (ja) * 2002-12-19 2006-04-06 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 三環アリールアミンモノマー及びポリマー及びそのデバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4505841A (en) * 1982-11-17 1985-03-19 Chevron Research Company Fused 6,6,6-membered heterocyclic electroactive polymers
TW511394B (en) * 2000-08-21 2002-11-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance and polymer light emitting device
TWI249542B (en) * 2001-11-09 2006-02-21 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light-emitting device using the same
US6984461B2 (en) * 2002-06-21 2006-01-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Blue electroluminescent polymer and organic-electroluminescent device using the same
TWI280973B (en) * 2002-08-28 2007-05-11 Sumitomo Chemical Co Polymer compound and polymer light-emitting device using the same
CN101851190B (zh) * 2005-03-04 2012-04-25 住友化学株式会社 二咔唑-9-基-取代的三芳基胺

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3577427A (en) 1968-09-05 1971-05-04 Shell Oil Co Bromination of 2,1,3,-benzothiadiazoles and benzofurazans
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05110069A (ja) 1991-10-14 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタの製造方法
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
GB2300196A (en) 1995-04-10 1996-10-30 Sumitomo Chemical Co Polysilanes
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2003226744A (ja) * 2001-11-09 2003-08-12 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP2004143419A (ja) 2002-08-28 2004-05-20 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
WO2004041902A2 (en) 2002-11-06 2004-05-21 Cambridge Display Technology Limited 9-aryl and bisayl substituted polyfluorenes
JP2006511659A (ja) * 2002-12-19 2006-04-06 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 三環アリールアミンモノマー及びポリマー及びそのデバイス
WO2005049546A1 (en) 2003-11-14 2005-06-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Halogenated bisdiarylaminopolycylic aromatic compounds and polymers thereof
WO2005056633A1 (ja) 2003-12-12 2005-06-23 Sumitomo Chemical Company, Limited 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子

Non-Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Organic Reactions", vol. 14, 1965, JOHN WILEY & SONS, INC., pages: 270 - 490
"Organic Syntheses", vol. VI, 1988, JOHN WILEY & SONS, INC., pages: 407 - 411
CHEM. REV., vol. 89, 1989, pages 1359
CHEM. REV., vol. 95, 1995, pages 2457
J. ORGANOMET. CHEM., vol. 576, 1999, pages 147
LI YANG ET AL.: "Theoretical investigations on the modulation of the polymer electronic and optical properties by introduction of phenoxazine", POLYMER, vol. 47, no. 9, 19 April 2006 (2006-04-19), pages 3229 - 3239, XP005424398 *
MACROMOLECULES, vol. 38, 2005, pages 7983 - 7991
MAKROMOL. CHEM., MACROMOL. SYMP., vol. 12, 1987, pages 229
SCIENCE, vol. 270, 1995, pages 1789
See also references of EP2048176A4
SYNTH. MET., vol. 102, 1999, pages 982
YAN ZHU ET AL.: "Phenoxazine-Based Conjugated Polymers: A New Class of Organic Semiconductors for Field-Effect Transistors", MACROMOLECULES, vol. 38, no. 19, 2005, pages 7983 - 7991, XP003021023 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008133463A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
CN102077368B (zh) * 2008-06-30 2012-08-22 住友化学株式会社 有机光电转换元件
WO2010001982A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 住友化学株式会社 フェノキサジン系高分子化合物及びそれを用いた発光素子
WO2010001984A1 (ja) * 2008-06-30 2010-01-07 住友化学株式会社 有機光電変換素子
JP2010031259A (ja) * 2008-06-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd フェノキサジン系高分子化合物及びそれを用いた発光素子
US8476397B2 (en) 2008-06-30 2013-07-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Phenoxazine polymer compound and light emitting device using the same
JP2011528383A (ja) * 2008-07-02 2011-11-17 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 交互ドナーアクセプターコポリマー系の高性能で溶液加工可能な半導体ポリマー
JP2013536882A (ja) * 2010-09-04 2013-09-26 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 共役ポリマー
US9153784B2 (en) 2010-09-04 2015-10-06 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
US9837613B2 (en) 2010-09-04 2017-12-05 Merck Patent Gmbh Conjugated polymers
CN102443142A (zh) * 2010-10-15 2012-05-09 海洋王照明科技股份有限公司 含芴、蒽和二噻吩并噻咯共聚物及其制备方法和应用
JP2012144721A (ja) * 2010-12-21 2012-08-02 Sumitomo Chemical Co Ltd 高分子化合物及びそれを用いた有機ｅｌ素子
JP2015506403A (ja) * 2012-01-31 2015-03-02 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド ポリマー

Also Published As

Publication number Publication date
EP2048176A1 (en) 2009-04-15
TW200813111A (en) 2008-03-16
CN101516963A (zh) 2009-08-26
CN101516963B (zh) 2011-11-30
US20090302748A1 (en) 2009-12-10
KR20090034398A (ko) 2009-04-07
EP2048176A4 (en) 2010-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5625271B2 (ja) 高分子化合物及びそれを用いた発光素子
JP5446079B2 (ja) 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
JP5625272B2 (ja) １，３−ジエンを含む化合物及びその製造方法
JP5144938B2 (ja) 高分子発光素子、高分子化合物、組成物、液状組成物及び導電性薄膜
WO2008016067A1 (fr) Composé polymère et dispositif polymère luminescent
JP5281800B2 (ja) ブロック共重合体並びにそれを用いた組成物、液状組成物、発光性薄膜及び高分子発光素子
JP5740967B2 (ja) 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子
JP5281801B2 (ja) ブロック共重合体および高分子発光素子
JP2008208358A (ja) ブロック共重合体および高分子発光素子
JP5162888B2 (ja) 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
WO2009151144A1 (ja) 共重合体及びそれを用いた高分子発光素子
JP5407122B2 (ja) 高分子化合物および高分子発光素子
WO2006118345A1 (ja) 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP5251043B2 (ja) 高分子化合物および高分子発光素子
WO2008032720A1 (fr) Composé polymère et dispositif polymère émettant de la lumière
JP2007119763A (ja) 高分子材料及び高分子発光素子
JP5162868B2 (ja) 高分子発光素子及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物
WO2006137434A1 (ja) 高分子材料及び高分子発光素子
JP2007031704A (ja) 高分子材料及び高分子発光素子
JP2007284580A (ja) 高分子発光素子及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物
JP5162856B2 (ja) 高分子発光素子及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物
JP5217361B2 (ja) 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
JP2007177231A (ja) 高分子系材料及びそれを用いた高分子発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780035734.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07791723

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007791723

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020097004009

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12375448

Country of ref document: US