WO2007145315A1

WO2007145315A1 - 基板処理システムおよび基板搬送方法

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Publication number: WO2007145315A1
Application number: PCT/JP2007/062101
Authority: WO
Inventors: Yuichi Yamamoto
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2006-06-15
Filing date: 2007-06-15
Publication date: 2007-12-21
Also published as: TWI349323B; CN101473416B; US20090248192A1; KR20090033179A; KR101087463B1; TW200810005A; JP2007335627A; JP4584872B2; CN101473416A; US8046095B2

Abstract

　基板処理システム（１００）は、システムの全体にわたってウエハ（Ｗ）の搬送を行なう主搬送ライン（２０）と、フォトリソグラフィー処理部（１ａ）内でのウエハ（Ｗ）の搬送を行なう副搬送ライン（３０）とを備えている。フォトリソグラフィー処理部（１ａ）では、レジスト塗布処理装置（２）と現像処理装置（５）とが分離して配置され、第１の露光処理装置（３ａ）と第１のＰＥＢ処理装置（４ａ）、第２の露光処理装置（３ｂ）と第２のＰＥＢ処理装置（４ｂ）は隣接配置されている。

Description

明細書

基板処理システムおよび基板搬送方法

技術分野

[0001] 本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板に対し、フォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムおよび基板搬送方法に関する。

背景技術

[0002] 半導体デバイスの製造プロセスにお、ては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」と記すことがある）にパターン形成を行なうベぐフォトリソグラフィー工程が繰り返し行なわれる。フォトリソグラフィー工程においては、半導体ウェハの表面にレジスト膜を形成するレジスド塗布処理と、レジスト塗布後のウェハに対して露光マスクを使用して露光を行なう露光処理と、露光後のウェハを現像する現像処理とが行われる。また、露光処理の前には露光前ベータ（PAB)処理、露光処理の後には露光後ベータ（ポストエタスポージャーベータ； PEB)処理が行なわれる。

[0003] 半導体製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程は、工場内の自動搬送システム（AMHS ; Automated Material Handling Systems)に接続されたフォトリソグラフィー処理部において行なわれる。従来、フォトリソグラフィー処理部は、プロセス上の制約により、レジスト塗布'現像処理装置と露光処理装置とを直列的に配置し、これを一単位として前記 AMHSとの間でウェハ Wを受渡しできるよう構成されてきた（例えば、特開 2000— 124124号公報（段落 0027、図 2など））。このような従来の装置レイァゥトでは、 AMHSによりカセット搬送されてきた複数枚のウェハは、フォトリソグラフィ一処理部のレジスト塗布'現像処理装置にカセット単位で受渡される。そして、レジスト塗布 '現像処理装置の搬送機構によりカセットからウェハ Wがー枚ずつ取出され、レジスト塗布、露光、現像などの一連の処理が行なわれる構成になっていた。

ところで、半導体装置における技術ノードの進行、すなわち微細化の進展に対応するため、最近では、二重露光などの新技術が開発されつつある。二重露光は、レジスト塗布後のウェハに対して例えば所定の線幅で露光処理した後、マスクの位置をずらして 2回目の露光処理を行なうことにより線幅を微細化し、解像度を高める技術である。しかし、二重露光技術では、文字通り露光処理が 2回行なわれることから、フォトリソグラフィー工程に要する時間が単純計算で 2倍になり、半導体装置製造のスループットを大幅に低下させてしまうことが懸念されている。

発明の開示

[0004] 本発明は、フォトリソグラフィー工程における各処理を高スループットで実施した場合でも、高ヽ信頼性が得られる基板処理システムおよび基板搬送方法を提供することを目的とする。

[0005] 本発明の第 1の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、

被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第 1の自動基板搬送ラインと、

前記第 1の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部と、前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第 2の自動基板搬送ラインと、

を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

被処理基板表面にレジストを塗布するレジスト塗布処理装置と、

被処理基板に塗布されたレジストに対し露光処理を行なう露光処理装置と、露光処理後のレジストを加熱処理する露光後ベータ処理装置と、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記レジスト塗布処理装置と前記露光後ベータ処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置され、

前記露光処理装置は、前記露光後ベータ処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行うように前記露光後ベータ処理装置に隣接配置されていることを特徴とする、基板処理システムを提供する。この場合、前記レジスト塗布処理装置、前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置は

、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡すための個別の基板受渡しポートを備えて、ることが好ま、。

[0006] 本発明の第 2の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、

を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

前記露光後ベータ処理装置に隣接配置され、加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記レジスト塗布処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置され、前記露光処理装置は、前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行なうように前記露光後べーク処理装置に隣接配置されていることを特徴とする、基板処理システムを提供する。この場合、前記レジスト塗布処理装置および前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡すための個別の基板受渡しポートを備えていることが好ましい。

[0007] 上記第 1の観点および第 2の観点の前記基板処理システムにおいて、前記第 2の自動基板搬送ラインは、前記第 1の自動基板搬送ラインカゝら独立した循環式の基板搬送ラインであることが好まし、。

[0008] また、前記第 1の自動基板搬送ラインを移動して前記各処理部との間で被処理基板の受渡しを行なう第 1の自動基板搬送装置と、

前記第 2の自動基板搬送ラインを移動して前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の受渡しを行なう第 2の自動基板搬送装置と、を備えていることが好ましい。

[0009] この場合、前記第 1の自動基板搬送装置および前記第 2の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であってもよぐあるいは、前記第 1の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であり、前記第 2の自動基板搬送装置は、被処理基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置であってもよヽ。

[0010] また、前記第 1の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第 1の制御部と、

前記第 2の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第 2の制御部と、

を備えていることが好ましい。

[0011] また、前記レジスト塗布処理装置の設置数に対して、前記露光処理装置の設置数力 S 1 : 2の比率となるように配備することが好ましい。この場合、前記フォトリソグラフィー処理部は、二重露光技術によりパターン形成を行なう処理部であることが好ましい。

[0012] 本発明の第 3の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにおいて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、前記基板処理システムは、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第 1の自動基板搬送ラインと、前記第 1の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部に専用の循環式の第 2 の自動基板搬送ラインと、を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、被処理基板表面にレジストを塗布するレジスト塗布処理装置と、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第 2の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうとともに、前記レジスド塗布処理装置と前記露光後ベータ処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を直接受渡し、前記露光処理装置は、隣接配置された前記露光後ベータ処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行うようにした、基板搬送方法を提供する。

本発明の第 4の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにおいて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、前記基板処理システムは、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第 1の自動基板搬送ラインと、前記第 1の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部に専用の循環式の第 2 の自動基板搬送ラインと、を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第 2の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうとともに、前記レジスド塗布処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を直接受渡し、前記露光処理装置は、隣接配置された前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行なうようにした、基板搬送方法を提供する。

[0014] 上記第 3の観点および第 4の観点において、前記フォトリソグラフィー処理部においては、前記各処理装置の稼働状態に応じて前記第 2の自動基板搬送ライン力被処理基板を搬入する搬入先を選択することが好ましヽ。

[0015] また、前記第 1の自動基板搬送ラインおよび前記第 2の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第 2の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では前記容器に収容した状態で被処理基板の受渡しを行なってもよヽ。

[0016] また、前記第 1の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第 2の自動基板搬送ラインでは被処理基板を一枚ずつ搬送するとともに、前記第 2の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では一枚ずつ被処理基板の受渡しを行なってもよい。

[0017] 本発明の第 5の観点は、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第 3の観点または第 4の観点の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御する

、制御プログラムを提供する。

[0018] 本発明の第 6の観点は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取り可能な記憶媒体であって、

前記制御プログラムは、実行時に、上記第 3の観点または第 4の観点の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御するものである、コンピュータ読取り可能な記憶媒体を提供する。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]図 1は、第 1実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。

[図 2]図 2は、レジスト塗布処理装置の平面図。

[図 3]図 3は、図 2に示したレジスド塗布処理装置の正面図。

[図 4]図 4は、図 2に示したレジスト塗布処理装置の背面図。

[図 5]図 5は、 PEB処理装置の平面図。 [図 6]図 6は、図 5に示した PEB処理装置の正面図。

[図 7]図 7は、図 5に示した PEB処理装置の背面図。

[図 8]図 8は、現像処理装置の平面図。

[図 9]図 9は、図 8に示した現像処理装置の正面図。

[図 10]図 10は、図 8に示した現像処理装置の背面図。

[図 11]図 11は、第 1の MESの構成を示すブロック図。

[図 12]図 12は、第 2実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。

[図 13]図 13は、第 3実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。

[図 14]図 14は、第 4実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。

発明を実施するための最良の形態

[0020] 本発明者は、本発明の開発の過程で、半導体ウェハ等の被処理基板に対し、フォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう従来の基板処理システムにおいて発生する問題点について研究した。その結果、本発明者等は、以下に述べるような知見を得た。

[0021] 即ち、前述のように、微細化が進行する半導体装置製造の生産性を向上させるため、将来的にリソグラフィー工程におけるスループット向上が重要な課題となっている。具体的には、例えば上記二重露光技術を採用する場合には、フォトリソグラフィー工程の処理能力を現在の時間あたり 100〜150枚（ウェハ）力ら 200〜300枚（ゥェノ、）へ、約 2倍に増加させなければ現在と同じレベルの生産性を維持できない計算になる。

[0022] しかし、フォトリソグラフィー工程での生産性を向上させるベぐレジスト塗布 ·現像処理装置におけるウェハの処理枚数を増加させた場合、各装置の故障などのトラブルが増加して信頼性が低下することが予想される。二重露光プロセスにおいて、これらの装置に故障が生じた場合には、生産に与える影響は多大なものとなる。特に従来のフォトリソグラフィー処理部における装置レイアウトでは、レジスド塗布'現像処理装置と露光処理装置が一セットで隣接配置されていることから、レジスド塗布'現像処理装置に不具合が生じると高価な露光処理装置の稼働まで停止させてしまうことになり、生産コストを大幅に増大させてしまう要因になる。

[0023] 以下に、このような知見に基づいて構成された本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。

[0024] <第 1実施形態 >

図 1は、本発明の第 1実施形態に係る基板処理システム 100において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部 laを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。この基板処理システム 100は、システムの全体にわたってゥエノ、 Wの搬送および各処理部（例えば処理部 Al、 A2)との基板の受渡しを行なう第 1の自動基板搬送ラインである主搬送ライン 20と、フォトリソグラフィー処理部 la内でのウェハ Wの搬送を行なう第 2の自動基板搬送ラインである副搬送ライン 30とを備えている。

[0025] AMHS (Automated Material Handling Systems)として構成された主搬送ライン 20には、例えば複数の OHT (Overhead Hoist Transport) 21が設けられている。各 OHT21は、図示しないカセット内にウェハ Wを収容した状態で主搬送ライン 20を移動し、フォトリソグラフィー処理部 laをはじめとする各処理部（例えば処理部 A1、A2)へのウェハ Wの搬送を行なえるように構成されている。

[0026] また、副搬送ライン 30は、主搬送ライン 20とは独立した AMHSとして設けられており、 OHT31を備えている。この OHT31は、ループ状に形成された循環式の副搬送ライン 30を周回して移動し、フォトリソグラフィー処理部 la内の各処理装置にウェハ Wを搬送し、各処理装置との間でウェハ Wの受渡しを行なう。なお、図示は省略する力 OHT31は OHT21に比べて高!、位置の軌道を移動するように構成されて、る。

[0027] フォトリソグラフィー処理部 laは、ウェハ W表面に所定のレジストを塗布するレジスト塗布処理装置 2、レジストが塗布されたウェハ Wに対して露光処理を行なう第 1の露光処理装置 3a、露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PEB処理装置 4a、ゥェハ Wに対して露光処理を行なう第 2の露光処理装置 3b、露光処理後のレジストをカロ熱処理する第 2の PEB処理装置 4b、および露光処理されたウェハ Wを現像する現像処理装置 5を備えている。このように、フォトリソグラフィー処理部 laは、ウェハ Wに対して露光処理を 2回繰り返すことにより微細なパターンを形成する二重露光処理に適した装置レイアウトを採用している。フォトリソグラフィー処理部 laでは、レジスト塗布処理装置 2、第 1の露光処理装置 3a、第 2の露光処理装置 3bおよび現像処理装置 5が分離して配置され、第 1の露光処理装置 3aと第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと第 2の PEB処理装置 4bは隣接配置されて、る。第 1の露光処理装置 3aは、第 1の PEB処理装置 4aに隣接して配置され、第 1の PEB処理装置 4aを介して副搬送ライン 30の OHT31との間でウェハ Wを受渡し可能に構成されて！、る。同様に第 2の露光処理装置 3bは、第 2の PEB処理装置 4bに隣接して配置され、第 2 の PEB処理装置 4bを介して副搬送ライン 30の OHT31との間でウェハ Wを受渡し可能に構成されている。

[0028] また、図 1では図示を省略しているが、フォトリソグラフィー処理部 laには、レジスト塗布処理装置 2、第 1および第 2の露光処理装置 3a, 3b、第 1および第 2の PEB処理装置 4a, 4b、現像処理装置 5を一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されて！ヽる。

[0029] 本実施形態の基板処理システム 100においては、レジスト塗布処理装置 2でレジストが塗布されたウェハ Wは、第 1の露光処理装置 3aまたは第 2の露光処理装置 3bのいずれに搬送してもよい。つまり、第 1の露光処理装置 3aまたは第 2の露光処理装置 3bのうち、処理の余力が大きい方、つまり空いている露光処理装置を選択してウェハ Wを搬入できるように構成されて！、る。

[0030] レジスト塗布処理装置 2は、例えば図 2〜図 4に示すように構成される。図 2は、レジスト塗布処理装置 2を示す概略平面図、図 3その正面図、図 4はその背面図である。レジスト塗布処理装置 2は、搬送ステーションであるカセットステーション 210と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション 211と、を具備している。

[0031] カセットステーション 210は、被処理体としてのウェハ Wを複数枚、例えば 25枚単位でウェハカセット CRに搭載された状態で、副搬送ライン 30からレジスト塗布処理装置 2へ搬入し、またはレジスト塗布処理装置 2から副搬送ライン 30へ搬出する等、ウェハカセット CRと処理ステーション 211との間でウェハ Wの搬入出を行なう受渡しポートである。

[0032] カセットステーション 210においては、図 2に示すように、カセット載置台 220上に図中 X方向に沿って複数（図では 4個）の位置決め突起 220aが形成されており、この突起 220aの位置にウェハカセット CRがそれぞれのウェハ出入口を処理ステーション 2 11側に向けて 1列に載置可能となっている。ウェハカセット CRにおいてはウェハ W が垂直方向（Z方向）に配列されている。また、カセットステーション 210は、カセット載置台 220と処理ステーション 211との間に位置するウェハ搬送機構 221を有して、る

[0033] ウェハ搬送機構 221は、カセット配列方向（X方向）およびその中のウェハ Wの配列方向（Z方向）に移動可能なウェハ搬送用アーム 221aを有しており、このウェハ搬送用アーム 221aにより、いずれかのウェハカセット CRに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウェハ搬送用アーム 221aは、図 2中に示される Θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション 211側の第 3の処理グループ G

23 に属するァライメントユニット（ALIM)およびエクステンションユニット（EXT)にもァクセスできるようになって、る。

[0034] 一方、処理ステーション 211は、ウェハ Wへ対して塗布を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウェハ Wが 1枚ずつ処理される。この処理ステーション 211は、図 2に示すように、中心部にウェハ搬送路 222aを有しており、この中に主ウェハ搬送機構 22 2が設けられ、ウェハ搬送路 222aの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となつている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理グループに分かれており、各処理グループにおいては複数の処理ユニットが垂直方向（Z方向）に沿って多段に配置されている。

[0035] 主ウェハ搬送機構 222は、図 4に示すように、筒状支持体 249の内側にウェハ搬送装置 246を上下方向（Z方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体 249は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウェハ搬送装置 246も一体的に回転可能となっている。ウェハ搬送装置 246は、搬送基台 247 の前後方向に移動自在な複数本の保持部材 248を備え、これらの保持部材 248によって各処理ユニット間でのウェハ Wの受け渡しを実現している。

[0036] 図 2に示すように、レジスト塗布処理装置 2においては、 5個の処理グループ G -G

21

•G -G -G 力ウェハ搬送路 222aの周囲に配置されている。これらのうち、第 1

22 23 24 25

および第 2の処理グループ G -G はレジスト塗布処理装置 2の正面側に並列に配

21 22

置され、第 3の処理グループ G はカセットステーション 210に隣接して配置され、第

23

4の処理グループ G はウェハ搬送路 222aを挟んで第 3の処理グループ G とは反

24 23 対側に配置されている。また、第 5の処理グループ G は背面部に配置されている。

25

[0037] 第 1の処理グループ G では、コータカップ（CP)内でウェハ Wを図示しないスピン

21

チャックに乗せて所定の処理を行う 2台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布処理ユニット (COT)が 2段に重ねられている。また、第 2の処理グループ G も同様に、

22

2台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布処理ユニット（COT)が 2段に重ねられている。

[0038] 第 3の処理グループ G においては、図 4に示すように、ウェハ Wを載置台 SPに載

23

せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられて、る。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（

AD)、位置合わせを行うァライメントユニット（ALIM)、ウェハ Wの搬入出を行うエタステンションユニット（EXT)、冷却処理を行うクーリングユニット（COL)、露光処理前にウェハ Wに対して加熱処理を行う 4つのホットプレートユニット（HP)が下から順に 8 段に重ねられている。なお、ァライメントユニット (ALIM)の代わりにクーリングユニット (COL)を設け、クーリングユニット (COL)にァライメント機能を持たせてもよい。

[0039] 第 4の処理グループ G においても、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ

24

ている。すなわち、クーリングユニット (COL)、クーリングプレートを備えたウェハ搬入出部であるエクステンション 'クーリングユニット（EXTCOL)、エクステンションユニット (EXT)、クーリングユニット（COL)、および 4つのホットプレートユニット (HP)が下から順に 8段に重ねられて、る。

[0040] なお、主ウェハ搬送機構 222の背部側に第 5の処理グループ G を設ける場合に、第 5の処理グループ G は、案内レール 225に沿って主ウェハ搬送機構 222から見

25

て側方へ移動できるようになって、る。

[0041] 第 1の露光処理装置 3aに隣接配備された第 1の PEB処理装置 4aは、例えば図 5から図 7に示すように構成されている。なお、第 2の PEB処理装置 4bは、第 1の PEB処理装置 4aと同様の構成であるため、以下では第 1の PEB処理装置 4aを例に挙げて説明し、第 2の PEB処理装置 4bの説明を省略する。

[0042] 図 5は、第 1の PEB処理装置 4aを示す概略平面図、図 6はその正面図、図 7はその背面図である。第 1の PEB処理装置 4aは、搬送ステーションであるカセットステーション 310と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション 311と、処理ステーション 31 1に隣接して設けられる図示しない露光処理装置との間でウェハ Wを受け渡すためのインターフェイス部 312と、を具備している。

[0043] カセットステーション 310は、被処理体としてのウェハ Wを複数枚、例えば 25枚単位でウェハカセット CRに搭載された状態で、副搬送ライン 30からこの第 1の PEB処理装置 4aへ搬入し、またはこの第 1の PEB処理装置 4aから副搬送ライン 30へ搬出する等、ウェハカセット CRと処理ステーション 311との間でウェハ Wの搬入出を行なう受渡しポートである。

[0044] カセットステーション 310においては、図 5に示すように、カセット載置台 320上に図中 X方向に沿って複数（図では 4個）の位置決め突起 320aが形成されており、この突起 320aの位置にウェハカセット CRがそれぞれのウェハ出入口を処理ステーション 3 11側に向けて 1列に載置可能となっている。ウェハカセット CRにおいてはウェハ W が垂直方向（Z方向）に配列されている。また、カセットステーション 310は、カセット載置台 320と処理ステーション 311との間に位置するウェハ搬送機構 321を有している

[0045] ウェハ搬送機構 321は、カセット配列方向（X方向）およびその中のウェハ Wの配列方向（Z方向）に移動可能なウェハ搬送用アーム 321aを有しており、このウェハ搬送用アーム 321aにより、いずれかのウェハカセット CRに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウェハ搬送用アーム 321aは、図 5中に示される Θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション 311側の第 3の処理グループ G に属するァライメントユニット（ALIM)およびエクステンションユニット（EXT)にもァクセスできるようになって、る。

[0046] 一方、処理ステーション 311は、ウェハ Wへ対して PEB処理を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウェハ Wが 1枚ずつ処理される。この処理ステーション 311は、図 5に示すように、中心部にウェハ搬送路 322aを有しており、この中に主ウェハ搬送機構 322が設けられ、ウェハ搬送路 322aの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理グループに分かれており、各処理グループでは複数の処理ユニットが垂直方向（Z方向）に沿って多段に配置されている。

[0047] 主ウェハ搬送機構 322は、図 7に示すように、筒状支持体 349の内側にウェハ搬送装置 346を上下方向（Z方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体 349は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウェハ搬送装置 346も一体的に回転可能となっている。ウェハ搬送装置 346は、搬送基台 347 の前後方向に移動自在な複数本の保持部材 348を備え、これらの保持部材 348によって各処理ユニット間でのウェハ Wの受け渡しを実現している。

[0048] 図 5に示すように、第 1の PEB処理装置 4aにおいては、 5個の処理グループ G -G

31

•G -G -G 力ウェハ搬送路 322aの周囲に実際に配置されている。これらのうち

32 33 34 35

、第 1および第 2の処理グループ G -G は第 1の PEB処理装置 4aの正面側に並列

31 32

に配置され、第 3の処理グループ G はカセットステーション 310に隣接して配置され

33

、第 4の処理グループ G はインターフェイス部 312に隣接して配置されている。また

34

、第 5の処理グループ G は背面部に配置されて、る。

35

[0049] 第 1の処理グループ G および第 4の処理グループ G では、図 6および図 7に示す

31 34

ように、ウェハ Wを載置台 SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット (COL)、クーリングプレートを備えたウェハ搬入出部であるエクステンション 'クーリングユニット (EXTCOL)、エタステンションユニット（EXT)、クーリングユニット（COL)、および 4つのホットプレートユニット (HP)が下力も順に 8段に重ねられて、る。 [0050] 第 2の処理グループ G および第 3の処理グループ G においては、図 6および図 7

32 33

に示すように、ウェハ Wを載置台 SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ュニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（AD)、位置合わせを行うァライメントユニット (ALIM)、ウェハ Wの搬入出を行うエクステンションユニット（EXT)、冷却処理を行うクーリングユニット（COL)、露光処理後のウェハ Wに対して加熱処理を行う 4つのホットプレートユニット（HP)が下力も順に 8段に重ねられている。なお、ァライメントュ- ット（ALIM)の代わりにクーリングユニット（COL)を設け、クーリングユニット（COL) にァライメント機能を持たせてもよ、。

[0051] 主ウェハ搬送機構 322の背部側に第 5の処理グループ G を設ける場合に、第 5の

35

処理グループ G は、案内レール 325に沿って主ウェハ搬送機構 322から見て側方

35

へ移動できるようになって、る。

[0052] インターフェイス部 312は、奥行方向（X方向）については、処理ステーション 311と同じ長さを有している。図 5、図 6に示すように、このインターフェイス部 312の正面部には、可搬性のピックアップカセット CRと定置型のバッファカセット BRが 2段に配置され、背面部には周辺露光処理装置 323が配設され、中央部にはウェハ搬送機構 32 4が配設されて、る。このウェハ搬送機構 324はウェハ搬送用アーム 324aを有しており、このウェハ搬送用アーム 324aは、 X方向、 Z方向に移動して両カセット CR'BR および周辺露光処理装置 323にアクセス可能となっている。

[0053] なお、ウェハ搬送用アーム 324aは Θ方向に回転可能であり、処理ステーション 31 1の第 4の処理グループ G に属するエクステンションユニット（EXT)や、さらには隣

34

接する露光処理装置 3a側の図示しないウェハ受け渡し台にもアクセス可能となっている。

[0054] 現像処理装置 5は、例えば図 8〜図 10に示すように構成される。図 8は、現像処理装置 5を示す概略平面図、図 9はその正面図、図 10はその背面図である。現像処理装置 5は、処理ステーション 21 laの第 1の処理グループ G および第 2の処理グルー

21

プ G に、レジスト塗布処理装置 2の処理ステーション 21 laにおけるレジスト塗布処

22

理ユニット（COT)に代えて、レジストのパターンを現像する現像ユニット（DEV)がそれぞれ 2段に重ねられて配置されていること以外は、図 2〜図 4に示したレジスト塗布処理ユニット (COT)と同様の構成である。

[0055] 再び図 1を参照するに、主搬送ライン 20の OHT21と副搬送ライン 30の OHT31は、ウェハハンドリングロボット 41を備えた複数のウェハ受け渡し部 40においてウェハ Wを受渡すことが可能に構成されて、る。

[0056] 主搬送ライン 20は、基板処理システム 100全体を管理する統括制御部としての第 1 の製造管理システム（MES； Manufacturing Execution System) 50に接続されている。この第 1の MES50は、個々の処理部や搬送系に個別に設けられた制御部（例えば、後述する MES60)と連携して工場における各工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示省略)にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。具体的には、第 1の MES50は、例えば主搬送ライン 20における各 OHT21の負荷を把握しながら、 OHT21の移動、停止、待機、各処理部（例えば処理部 Al、 A2)との間でウェハ Wの受渡しなどを管理し、搬送状態を最適化する。

[0057] また、副搬送ライン 30は、第 2の製造管理システム (MES) 60に接続されて、る。この第 2の MES60は、フォトリソグラフィー処理部 laにおける個別の制御部として機能し、フォトリソグラフィー処理部 laの副搬送ライン 30における搬送状態や、各処理装置例えばレジスト塗布処理装置 2、第 1および第 2の露光処理装置 3a, 3b、第 1および第 2の PEB処理装置 4a, 4bおよび現像処理装置 5におけるそれぞれの処理条件等の制御を行なう。より具体的には、第 2の MES60は、例えば副搬送ライン 30における各 OHT31の負荷を把握しながら、 OHT31の移動、停止、待機、各処理装置との間でウェハ Wの受渡しなどを管理し、搬送状態を最適化する。

[0058] 図 11は、第 1の MES50の構成を示す図である。第 1の MES50は、ホストコンビュータを備えたコントローラ 51と、ユーザーインターフェース 52と、記憶部 53とを備えている。コントローラ 51に接続されたユーザーインターフェース 52は、工程管理者が基板処理システム 100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システム 100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。コントローラ 51に接続された記憶部 53は、基板処理システム 100で実行されるゥェハ搬送や各種処理をコントローラ 51の制御にて実現するための制御プログラム (ソフトウエア)や搬送条件データ、処理条件データ等が記録されたレシピを格納してヽる

[0059] そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース 52からの指示等にて任意のレシピを記憶部 53から呼び出してコントローラ 51に実行させることで、コントローラ 51の制御下で、基板処理システム 100での所望の処理が行われる。また、前記制御プロダラムゃ処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えば C D— ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

[0060] なお、第 2の MES60の基本構成は、制御の対象がフォトリソグラフィー処理部 laに限定されている点を除き、第 1の MESと同様であるため、説明および図示を省略する

[0061] 以上のように構成される基板処理システム 100において、例えば他の処理部（図示せず）力も主搬送ライン 20の OHT21に受渡されたウェハ Wは、、ずれかのウェハ受渡し部 40において、ウェハハンドリングロボット 41によりフォトリソグラフィー処理部 la の副搬送ライン 30上の OHT31に受渡される。そして、副搬送ライン 30上の OHT31 は、フォトリソグラフィー処理部 la内の各処理装置との間でウェハの受渡しを行なう。

[0062] 上述したレジスト塗布処理装置 2においては、先ず、カセットステーション 210において、ウェハ搬送機構 221のウェハ搬送用アーム 221aがカセット載置台 220上の未処理のウェハ Wを収容しているウェハカセット CRにアクセスして 1枚のウェハ Wを取り出し、第 3の処理グループ G のエクステンションユニット（EXT)に搬送する。

23

[0063] ウェハ Wは、このエクステンションユニット（EXT)から、主ウェハ搬送機構 222のゥェハ搬送装置 246により、処理ステーション 211に搬入される。そして、第 3の処理グループ G のァライメントユニット (ALIM)によりァライメントされた後、アドヒージョン処

23

理ユニット (AD)に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理 (H MDS処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウェハ Wは、ウェハ搬送装置 246により、クーリングユニット (COL)に搬送されて冷却される。 [0064] アドヒージョン処理ユニット（AD)での処理が終了してクーリングユニット（COL)で冷却されたウェハ W、またはアドヒージョン処理ユニット (AD)での処理を行わな!/、ゥエノ、 Wは、引き続きウェハ搬送装置 246によりレジスト塗布処理ユニット（COT)に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウェハ Wは、第 3または第 4の処理グループ G -G のいずれかのホットプレートユニット（H

23 24

P)内でプリベータ処理され、その後いずれかのクーリングユニット（COL)にて冷却される。

[0065] 冷却されたウェハ Wは、第 3の処理グループ G のァライメントユニット（ALIM)に

23

搬送され、第 3の処理グループ G のエクステンションユニット（EXT)を介してカセット

23

ステーション 210に戻され、、ずれかのウェハカセット CRに収容される。

[0066] レジスト塗布処理装置 2においてレジストが塗布されたウェハ Wは、ー且カセットステーシヨン 210を介して副搬送ライン 30の OHT31に受渡される。そして、ウェハ Wを受け取った OHT31は、 PEB処理装置 4aのカセットステーション 310までウェハ Wを搬送し、 PEB処理装置 4aに受け渡す。 PEB処理装置 4aにおいては、先ず、カセットステーション 310において、ウェハ搬送機構 321のウェハ搬送用アーム 321aがカセット載置台 320上のレジスト塗布済みのウェハ Wを収容しているウェハカセット CRにアクセスして 1枚のウェハ Wを取り出し、第 3の処理グループ G のエクステンションュ

33

ニット (EXT)に搬送する。

[0067] ウェハ Wは、このエクステンションユニット（EXT)から、主ウェハ搬送機構 322のゥェハ搬送装置 346により、処理ステーション 311に搬入される。そして、第 3の処理グループ G のァライメントユニット (ALIM)によりァライメントされた後、第 4の処理ダル

33

ープ G のエクステンションユニット（EXT)を介してインターフェイス部 312に搬送さ

34

れる。

[0068] ウェハ Wは、インターフェイス部 312において周辺露光処理装置 323により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部 312に隣接して設けられた第 1の露光処理装置 3aに搬送され、そこで所定のパターンにしたがってウェハ W のレジスト膜に露光処理が施される。露光後のウェハ Wは、再び第 1の PEB処理装置 4aのインターフェイス部 312に戻され、ウェハ搬送機構 324により、第 4の処理グループ G に属するエクステンションユニット（EXT)に搬送される。そして、ウェハ W

34

は、ウェハ搬送装置 346により、いずれかのホットプレートユニット（HP)に搬送されて、 PEB処理が施され、次いで、クーリングユニット（COL)により冷却される。本実施形態では、露光処理装置（3a, 3b)に隣接して PEB処理装置 (4a, 4b)を配置したので、露光処理後、 PEB処理までの時間管理を正確に行なうことができる。その後、ゥェハ Wは第 3の処理グループ G のエクステンションユニット（EXT)を介してカセットス

33

テーシヨン 310に戻され、いずれかのウェハカセット CRに収容される。

[0069] 第 1の露光処理装置 3aにおいて露光されたウェハ Wは、第 1の PEB処理装置 4aのカセットステーション 310を介して再び副搬送ライン 30の OHT31に受渡される。そして、ウェハ Wを受け取った OHT31は、次に第 2の PEB処理装置 4bのカセットステーシヨン 310までウェハ Wを搬送し、第 2の PEB処理装置 4bに受け渡す。その後は、第 2の露光処理装置 3b並びに第 2の PEB処理装置 4bにおいて、第 1の PEB処理装置 4aおよび第 1の露光処理装置 3aについて説明した手順と同様の手順で 2回目の露光処理および 2回目の PEB処理が行なわれる。その後、 2回の露光処理が施されたウェハ Wは、第 2の PEB処理装置 4bのカセットステーション 310を介して再び副搬送ライン 30の OHT31に受渡される。

[0070] ウェハ Wを受け取った OHT31は、現像処理装置 5のカセットステーション 210までウエノヽ Wを搬送し、現像処理装置 5に受け渡す。現像処理装置 5では、先ず、カセットステーション 210において、ウェハ搬送機構 221のウェハ搬送用アーム 221aが力セット載置台 220上の二重露光後のウェハ Wを収容しているウェハカセット CRにァクセスして 1枚のウェハ Wを取り出し、第 3の処理グループ G のエクステンションュ-ッ

23

HEXT)に搬送する。

[0071] ウェハ Wは、このエクステンションユニット（EXT)から、主ウェハ搬送機構 222のゥェハ搬送装置 246により、処理ステーション 21 laに搬入される。そして、第 3の処理グループ G のァライメントユニット (ALIM)によりァライメントされた後、現像ユニット（

23

DEV)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像終了後、ウェハ W はいずれかのホットプレートユニット（HP)に搬送されて PEB処理が施され、次いで、クーリングユニット (COL)により冷却される。このような一連の処理が終了した後、第 3の処理グループ G のエクステンションユニット（EXT)を介してカセットステーション

23

210に戻され、いずれかのウェハカセット CRに収容される。その後、現像処理が施されたウェハ Wは、現像処理装置 5のカセットステーション 210を介して再び副搬送ライン 30の OHT31に受渡される。このようにフォトリソグラフィー処理部 laにおける一連の工程が終了し、所定のパターンが形成されたウェハ Wは、いずれかのウェハ受渡し部 40においてフォトリソグラフィー処理部 laの副搬送ライン 30上の OHT31から主搬送ライン 20の OHT21に受渡される。そして、主搬送ライン 20の OHT21により他の処理部例えばエッチング処理部（図示せず)へ搬送され、前記パターンに基づヽてエッチングが行なわれる。エッチング処理が終了したウェハ Wについては、必要に応じて他の処理が施された後、再び主搬送ライン 20の OHT21によってフォトリソダラフィー処理部 laに搬送され、再度フォトリソグラフィー処理を繰り返し行なうことも可能である。

[0072] このように、本実施形態に係る基板処理システム 100では、主搬送ライン 20とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部 laにおいて副搬送ライン 30を設けたことにより、フォトリソグラフィー処理部 la内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができるとともに、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウェハ搬送速度を基板処理システム 100における他の処理部と切り離して制御できる。従つて、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、例えば二重露光プロセスのように、フォトリソグラフィー工程に大きな負荷が力かるような処理にも対応を図ることができる。また、複数の OHT31を配備した副搬送ライン 30自体力 Sバッファ機能を有することにより、主搬送ライン 20上にストックされる仕掛力りロット数を減少させることができ、主搬送ライン 20への負荷を抑制できる。

[0073] また、上記構成では、レジスド塗布処理装置 2と、露光処理装置 (第 1の露光処理装置 3a,第 2の露光処理装置 3b)と、現像処理装置 5とを副搬送ライン 30に対してゥェハ Wを受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の他の装置へウェハ Wを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部 laを含む基板処理システム 100の信頼性を向上させることが可能である。 [0074] また、第 1の露光処理装置 3aと露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと露光処理後のレジストを加熱処理する第 2の P EB処理装置 4bとを、それぞれ隣接して配置したので、露光処理から PEB処理までの時間管理を正確に行なうことが可能になる。従って、高い再現性の下で PEB処理を行なうことができる。例えば、 ArFレジストに代表される化学増幅型レジストを使用する場合には、 PEB処理によってレジスト中の溶解抑制剤の脱離反応が進行し、ァルカリ可溶性が決定される。このため、化学増幅型レジストでは露光処理後 PEB処理までは非常に厳密な時間管理と温度管理が求められる。露光処理から PEB処理までの処理時間が一定せず、 PEB処理でウェハ面内もしくはウェハ間の温度に不均一が生じると、線幅がばらつき、エッチング精度を低下させるなどの悪影響が生じる。本実施形態では、露光処理装置と PEB処理装置が隣接配備されていることにより、露光後の時間管理がしゃすぐ精度の高い PEB処理が可能であることから、 ArFレジストに代表される化学増幅型レジストを使用するフォトリソグラフィープロセスに特に有利に利用できる。

[0075] また、フォトリソグラフィー処理部 laの生産性向上にとって露光処理装置の稼働率を高めることが重要であるため、露光処理装置に付帯する必要最小限の設備として P EB処理装置のみを隣接配備しておくことにより、露光処理装置以外の装置のトラブルによって露光処理装置の稼働率を低下させるリスクが低減され、フォトリソグラフィ一処理部 laにおける信頼性を向上させることができる。

[0076] <第 2実施形態 >

図 12は、本発明の第 2実施形態に係る基板処理システム 101において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部 lbを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第 2の自動基板搬送ラインとして、ゥェハ Wの枚葉搬送を行なうコンベア 70を配備した。

[0077] 図 12に示すように、フォトリソグラフィー処理部 lbは、ウェハ W表面に所定のレジストを塗布するレジスト塗布処理装置 2、レジストが塗布されたウェハ Wに対して露光処理を行なう第 1の露光処理装置 3a、露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PE B処理装置 4a、ウェハ Wに対して露光処理を行なう第 2の露光処理装置 3b、露光処理後のレジストを加熱処理する第 2の PEB処理装置 4b、および露光処理されたゥェハ Wを現像する現像処理装置 5を備えている。フォトリソグラフィー処理部 lbでは、レジスト塗布処理装置 2、第 1の露光処理装置 3a、第 2の露光処理装置 3bおよび現像処理装置 5が分離して配置され、第 1の露光処理装置 3aと第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと第 2の PEB処理装置 4bは隣接配置されて、る。第 1の露光処理装置 3aは、第 1の PEB処理装置 4aに隣接して配置され、第 1の PEB処理装置 4 aを介してコンベア 70との間でウェハ Wを受渡し可能に構成されている。同様に第 2 の露光処理装置 3bは、第 2の PEB処理装置 4bに隣接して配置され、第 2の PEB処理装置 4bを介してコンベア 70との間でウェハ Wを受渡し可能に構成されて!、る。なお、各処理装置の基本的構成と配置は、図 1に示した実施形態と同様である。

[0078] また、図 12では図示を省略している力フォトリソグラフィー処理部 lbには、レジスト塗布処理装置 2、第 1および第 2の露光処理装置 3a, 3b、第 1および第 2の PEB処理装置 4a, 4b、現像処理装置 5を一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されて！ヽる。

[0079] 第 1の自動基板搬送ラインである主搬送ライン 20は、基板処理システム 101の全体にわたつてウェハ Wの搬送および各処理部（例えば処理部 Al、 A2)との基板の受渡しを行なう。第 1実施形態（図 1)と同様に、主搬送ライン 20には、例えば OHT21 が設けられている。各 OHT21は、図示しないカセット内にウェハ Wを収容した状態で主搬送ライン 20を移動し、フォトリソグラフィー処理部 lbをはじめとする各処理部（例えば処理部 A1、A2)へのウェハ Wの搬送を行なえるように構成されている。

[0080] コンベア 70は、ウェハ Wを 1枚ずつ搬送する枚葉搬送ラインである。コンベア 70は、複数箇所（図 12では 4箇所）に配備されたウェハハンドリングロボット 71を介して、各処理装置の受渡しポートであるカセットステーションとの間で基板の受渡しを行なうことができるように構成されて！、る。

[0081] 本実施形態において、主搬送ライン 20の OHT21は、レジスド塗布処理装置 2の力セットステーション 210に複数枚のウェハ Wを収容したカセットを受け渡す。カセットステーシヨン 210には、枚葉搬入出ポート Pが設けられており、例えばレジスト塗布処理装置 2における処理が終了したウェハ Wは、この枚葉搬入出ポート Pに仮置きされる。そして、ウェハハンドリングロボット 71は、前記枚葉搬入出ポート Pに仮置きされたゥェハ Wをコンベア 70に次々に受け渡す。コンベア 70はループ状に構成されているため、循環式に 1枚ずつウェハ Wを移動させる。

[0082] このコンベア 70上を移動中のウェハ Wは、 ID番号によりコンベア 70内での次の搬送先や搬送時間などが管理される。例えば、レジスド塗布処理装置 2でのレジスト塗布処理が終了し、コンベア 70に供給されたウェハ Wは、 ID番号により管理されて次の搬送先が第 1の露光処理装置 3aまたは第 2の露光処理装置 3bから選択される。そして、ウェハハンドリングロボット 71により、第 1の露光処理装置 3aまたは第 2の露光処理装置 3bでの露光処理を行なうベぐ第 1の PEB処理装置 4aまたは第 2の PEB 処理装置 4bのカセットステーション 310に設けられた枚葉搬入出ポート Pへ受渡される。そして、露光処理および PEB処理が終了したウェハ Wは、第 1の PEB処理装置 4 aまたは第 2の PEB処理装置 4bのカセットステーション 310に設けられた枚葉搬入出ポート Pから、ウェハハンドリングロボット 71を介して再びコンベア 70へ搬送される。

[0083] その後、ウェハ Wは、コンベア 70からウェハハンドリングロボット 71により現像処理装置 5のカセットステーション 210に設けられた枚葉搬入出ポート Pへ受渡される。そして、現像処理装置 5において現像処理が行なわれた後、ウェハ Wは、現像処理装置 5のカセットステーション 210に搬送され、カセット CR内に収容される。このようにフオトリソグラフィー処理部 lbにおける一連の工程が終了し、所定のパターンが形成されたウェハ Wは、主搬送ライン 20の OHT21に受渡される。そして、主搬送ライン 20 の OHT21により他の処理部例えばエッチング処理部（図示せず)へ搬送され、前記パターンに基づ、てエッチングが行なわれる。

[0084] なお、主搬送ライン 20の OHT21によりカセット搬送されてきたウェハ Wは、レジスト塗布処理装置 2、第 1の PEB処理装置 4a、第 2の PEB処理装置 4bまたは現像処理装置 5のどのカセットステーションに搬入してもよい。この場合、各カセットステーションでは、カセットからウェハ Wを抜き出して直接枚葉搬入出ポート Pへウェハを仮置きする受渡し動作を行なうことができる。つまり、主搬送ライン 20の OHT21によりカセット搬送されてきたウェハ Wを、各装置での処理前に一且コンベア 70に受渡すことにより、コンベア 70をフォトリソグラフィー処理部 lb内でのバッファとして活用できるとともに、フォトリソグラフィー処理部 lbにおける各装置の稼働状況に応じて第 2の MES6 0の制御の下でフレキシブルな搬送を行なうことができる。

[0085] 本実施形態の基板処理システム 101では、主搬送ライン 20とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部 lbにおいてコンベア 70を用いることにより、フォトリソグラフィー処理部 lb内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができる。また、フォトリソグラフィー処理部 lb内の各処理装置で処理されたウエノ、 Wを、順次コンベア 70で次工程の処理を行なう処理装置へ枚葉搬送できるので、例えば力セット単位で次の処理装置へ搬送する場合に比べて待ち時間が少なぐスループットを向上させることができる。

[0086] また、コンベア 70を設けたことにより、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウェハ搬送速度を基板処理システム 101における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、二重露光プロセスのようにフォトリソグラフィー工程に大きな負荷力 Sかかるような処理にも対応を図ることができる。また、コンベア 70がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン 20上にストックされる仕掛力りロット数を減少させることができ、主搬送ライン 20への負荷を抑制できる。

また、第 1実施形態の基板処理システム 100と同様に、第 2実施形態の基板処理システム 101においても、レジスド塗布処理装置 2と、露光処理装置 (第 1の露光処理装置 3a,第 2の露光処理装置 3b)と、現像処理装置 5とをコンベア 70に対してウェハ W を受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の装置へウエノ、 Wを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部 lbを含む基板処理システム 101の信頼性を向上させることが可能である。

[0087] また、第 1の露光処理装置 3aと露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと露光処理後のレジストを加熱処理する第 2の P EB処理装置 4bとを、それぞれ隣接して配置したので、高い信頼性の下で PEB処理を行なうことができる。すなわち、露光後の時間管理がしゃすぐ精度の高い PEB処理が実現する。また、露光処理装置以外の装置のトラブルによって露光処理装置の稼働率を低下させるリスクが低減され、フォトリソグラフィー処理部 lbにおける信頼性を向上させることができる。

[0088] <第 3実施形態 >

図 13は、本発明の第 3実施形態に力かる基板処理システム 102において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部 lcを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第 2の自動基板搬送ラインとして副搬送ライン 30を配備し、この副搬送ライン 30に対し、ウェハ W表面に所定のレジストを塗布する第 1のレジスト塗布処理装置 2aおよび第 2のレジスト塗布処理装置 2b、並びに、露光処理されたウェハ Wを現像する第 1の現像処理装置 5aおよび第 2の現像処理装置 5bを、それぞれウェハ Wを直接受渡しできるように分離して並列的に配置した。

[0089] 第 1の現像処理装置 5aには、露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PEB処理装置 4aを介してウェハ Wに対して露光処理を行なう第 1の露光処理装置 3aが直列的に配置されている。第 2の現像処理装置 5bには、第 2の PEB処理装置 4bを介して第 2の露光処理装置 3bが直列的に配置されている。第 1の露光処理装置 3aは、第 1の PEB処理装置 4aおよび第 1の現像処理装置 5aを介して副搬送ライン 30の O HT31との間でウェハ Wを受渡し可能に構成されている。同様に第 2の露光処理装置 3bは、第 2の PEB処理装置 4bおよび第 2の現像処理装置 5bを介して副搬送ライン 30の OHT31との間でウエノ、 Wを受渡し可能に構成されている。なお、本実施形態では、フォトリソグラフィー処理部 lcの装置レイアウト構成が異なる点以外は、図 1 に示した第 1実施形態の基板処理システム 100と同様である

また、図 13では図示を省略している力フォトリソグラフィー処理部 lcには、第 1および第 2のレジスド塗布処理装置 2a, 2b、第 1および第 2の露光処理装置 3a, 3b、第 1および第 2の PEB処理装置 4a, 4b、第 1および第 2の現像処理装置 5a, 5bを一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されて!ヽる。

[0090] 基板処理システム 102において、例えば他の処理部（図示せず)から主搬送ライン 20の OHT21により搬送されてきたウェハ Wは、、ずれかのウェハ受渡し部 40においてフォトリソグラフィー処理部 lcの副搬送ライン 30上の OHT31に受渡される。そして、副搬送ライン 30上の OHT31は、フォトリソグラフィー処理部 lc内の各処理装置との間でウェハ Wの受渡しを行なう。具体的には、例えばフォトリソグラフィー処理部 1 cに搬送されてきたウェハ Wは、副搬送ライン 30の OHT31によって第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bの、ずれかに搬送される。この際、第 2の MES60の制御の下で第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、レジスト塗布処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウェハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。

[0091] 次に、第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bのいずれかでレジスト塗布処理がなされたウェハ Wは、露光処理のため、副搬送ライン 30を介して第 1の現像処理装置 5aおよび第 2の現像処理装置 5bのいずれかに搬送される。この際も、第 2の MES60の制御の下で第 1の現像処理装置 5aまたは第 2の現像処理装置 5bのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、現像処理装置および露光処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウェハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。そして、レジストが塗布されたウェハ Wは、露光、 PEB、現像の順に処理される。本実施形態では、現像処理装置（5a, 5b)と PEB処理装置 (4a, 4b)と露光処理装置（3a, 3b)が直列的に配置されていることにより、露光処理、 PEB処理および現像処理の一連の処理を高スループットで行うことができる。

[0092] また、副搬送ライン 30がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン 20上にストックされる仕掛力りロット数を減少させることができ、主搬送ライン 20への負荷を抑制できる。

[0093] このように、本実施形態に係る基板処理システム 102においては、主搬送ライン 20 とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部 lcにおいて副搬送ライン 30を設けたことにより、フォトリソグラフィー処理部 lc内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができるとともに、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウェハ搬送速度を基板処理システム 102における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、例えば二重露光プロセスのように、フォトリソグラフィー工程に大きな負荷が力かるような処理にも対応を図ることができる。

[0094] また、上記構成では、二つのレジスト塗布処理装置（2a, 2b)と、現像処理装置（5a , 5b)とを副搬送ライン 30に対してウェハ Wを直接受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに他の装置へウェハ Wを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部 lcを含む基板処理システム 102全体の信頼性を向上させることが可能である。

[0095] また、第 1の露光処理装置 3aと第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと第 2の PEB処理装置 4bとを、それぞれ隣接して配置したので、露光後の時間管理がしゃすぐ精度の高い PEB処理が可能である。

[0096] <第 4実施形態 >

図 14は、本発明の第 4実施形態に係る基板処理システム 103において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部 Idを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第 2の自動基板搬送ラインとして、ゥェハ Wを 1枚ずつ搬送するコンベア 70を配備し、このコンベア 70に対して、ウェハ W表面に所定のレジストを塗布する第 1のレジスト塗布処理装置 2aおよび第 2のレジスト塗布処理装置 2b、並びに、露光処理されたウェハ Wを現像する第 1の現像処理装置 5aおよび第 2の現像処理装置 5bを、それぞれウェハ Wを直接受渡しできるように分離して並列的に配置した。

[0097] 第 1の現像処理装置 5aには、露光処理後のレジストを加熱処理する第 1の PEB処理装置 4aを介してウェハ Wに対して露光処理を行なう第 1の露光処理装置 3aが直列的に配置されている。第 2の現像処理装置 5bには、第 2の PEB処理装置 4bを介して第 2の露光処理装置 3bが直列的に配置されている。第 1の露光処理装置 3aは、第 1の PEB処理装置 4aおよび第 1の現像処理装置 5aを介してコンベア 70との間でウエノ、 Wを受渡し可能に構成されている。同様に第 2の露光処理装置 3bは、第 2の P EB処理装置 4bおよび第 2の現像処理装置 5bを介してコンベア 70との間でウェハ W を受渡し可能に構成されている。なお、本実施形態では、フォトリソグラフィー処理部 Idの装置レイアウト構成が異なる点以外は、図 12に示した第 2実施形態の基板処理システム 101と同様である。

[0098] また、図 14では図示を省略している力フォトリソグラフィー処理部 Idには、第 1および第 2のレジスド塗布処理装置 2a, 2b、第 1および第 2の露光処理装置 3a, 3b、第 1および第 2の PEB処理装置 4a, 4b、第 1および第 2の現像処理装置 5a, 5bを一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されて!ヽる。

[0099] 基板処理システム 103において、例えば他の処理部（図示せず)から主搬送ライン 20の OHT21によりカセット搬送されてきたウェハ Wは、例えば、第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bのいずれかのカセットステーション 210にカセットごと受け渡される。カセットステーション 210には、枚葉搬入出ポート P が設けられており、例えば第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bでレジスト塗布処理が終了したウェハ Wは、この枚葉搬入出ポート Pに仮置きされる。そして、ウェハハンドリングロボット 71は、前記枚葉搬入出ポート Pに仮置きされたウェハ Wをコンベア 70に次々に受け渡す。コンベア 70はループ状に構成されているため、循環式に 1枚ずつウェハ Wを移動させる。

[0100] なお、主搬送ライン 20の OHT21によりカセット搬送されてきたウェハ Wは、第 1のレジスト塗布処理装置 2a、第 2のレジスト塗布処理装置 2b、第 1の現像処理装置 5a または第 2の現像処理装置 5bのどのカセットステーション 210に搬入してもよい。この場合、各カセットステーション 210では、カセットからウェハ Wを抜き出して直接枚葉搬入出ポート Pへウェハを仮置きする受渡し動作を行なうことができる。つまり、主搬送ライン 20の OHT21によりカセット搬送されてきたウェハ Wを、各装置での処理前に一且コンベア 70に受渡すことにより、コンベア 70をフォトリソグラフィー処理部 Id内でのバッファとして活用できるとともに、フォトリソグラフィー処理部 Idにおける各装置の稼働状況に応じて第 2の MES60の制御の下でフレキシブルな搬送を行なうことができる。 [0101] コンベア 70上を移動中のウェハ Wは、 ID番号により次の搬送先や搬送時間などが管理される。例えば、ループ状のコンベア 70上を搬送されるウェハ Wは、第 2の ME S60の制御の下で第 1のレジスト塗布処理装置 2aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bのどちらに搬入する力の振り分けが行われる。従って、レジスド塗布処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウェハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィーェ程のスループットを向上させることが可能になる。また、第 1のレジスト塗布処理装置 2 aまたは第 2のレジスト塗布処理装置 2bのいずれかでレジスト塗布処理が終了した後のウェハ Wは、露光処理を行なうためコンベア 70を介して第 1の現像処理装置 5aおよび第 2の現像処理装置 5bのいずれかに搬送される。この際も、第 2の MES60の制御の下で第 1の現像処理装置 5aまたは第 2の現像処理装置 5bのどちらに搬入する力の振り分けが行われる。従って、現像処理装置および露光処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウェハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。そして、レジストが塗布されたウェハ Wは、露光、 PEB、現像の順に処理される。また、本実施形態では、現像処理装置（5a, 5b)と P EB処理装置 (4a, 4b)と露光処理装置（3a, 3b)が直列的に配置されていることにより、露光処理、 PEB処理および現像処理の一連の処理を高スループットで行うことができる。

[0102] 本実施形態の基板処理システム 103では、主搬送ライン 20とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部 Idにおいてコンベア 70を用いることにより、フォトリソグラフィー処理部 Id内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができる。また、フォトリソグラフィー処理部 Id内の各処理装置で処理されたウエノ、 Wを、順次コンベア 70で次工程の処理を行なう処理装置へ枚葉搬送できるので、例えば力セット単位で次の処理装置へ搬送する場合に比べて待ち時間が少なぐスループットを向上させることができる。また、コンベア 70を設けたことにより、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウェハ搬送速度を基板処理システム 103における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、二重露光プロセスのようにフォトリソグラフィー工程に大きな負荷力かかるような処理にも対応を図ることができる。 [0103] また、コンベア 70がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン 20上にストックされる仕掛力りロット数を減少させることができ、主搬送ライン 20への負荷を抑制できる

[0104] また、上記構成では、二つのレジスト塗布処理装置（2a, 2b)と、現像処理装置（5a , 5b)とを、コンベア 70に対してウエノ、 Wを直接受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の他の装置へウェハ Wを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部 Idを含む基板処理システム 103全体の信頼性を向上させることが可能である。

[0105] また、第 1の露光処理装置 3aと第 1の PEB処理装置 4a、第 2の露光処理装置 3bと第 2の PEB処理装置 4bとを、それぞれ隣接して配置したので、露光後の時間管理がしゃすぐ精度の高い PEB処理が可能である。

[0106] 本発明の第 1〜第 4の実施形態によれば、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第 1の自動基板搬送ラインと、この第 1の自動基板搬送ラインとの間で基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソダラフィー工程における一連の処理を行なう各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第 2の自動基板搬送ラインと、を別々に設け、少なくともレジスト塗布処理装置と現像処理装置を、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に並列的に分離配置した基板処理システムにお、て、露光処理装置と露光後ベータ処理装置を隣接配置したので、露光処理から露光後ベータ処理までの時間管理を正確に行なうことが可能になる。

[0107] 従って、高い再現性の下で露光後ベータ処理を行なうことが可能であり、例えば、 A rFレジストに代表される化学増幅型レジストを用いるフォトリソグラフィープロセスに特に有利に利用できる。

[0108] また、露光処理装置に付帯する必要最小限の設備として露光後ベータ処理装置のみを隣接配備しておくことにより、露光処理装置以外の装置のトラブルによって露光処理装置の稼働率を低下させるリスクが低減され、フォトリソグラフィー処理部における信頼性を向上させることができる。 [0109] 以上、いくつかの実施形態を挙げて本発明を説明した力本発明はこれらに限定されるものではなぐ種々の変形が可能である。例えば第 1〜第 4の実施形態（図 1、図 12、図 13および図 14)の装置レイアウト構成において、レジスド塗布処理装置、 PEB 処理装置、露光処理装置および現像処理装置の設置個数をさらに増加させる場合には、前記のとおり図 1、図 12、図 13および図 14に示した各装置の設置比率を維持したまま全体の設置数を増やすことが好ま、が、例えばレジスト塗布処理装置のみの設置数を増やすなど特定の装置にっ、てのみ増加させてもょ、。

[0110] さらに、上記実施形態の基板処理システムでは、半導体ウェハにレジスト塗布-露光 ·現像の一連のフォトリソグラフィー工程を行う場合について説明したが、半導体ゥェハ以外の他の被処理基板、例えば FPD (フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板にフォトリソグラフィー工程を含む処理を行う基板処理システムにも本発明を適用することができる。

産業上の利用可能性

[0111] 本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板に対し、フォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理に適用可能である。

Claims

請求の範囲

[1] 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、

前記第 1の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部と、前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第

2の自動基板搬送ラインと、

を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記露光処理装置は、前記露光後ベータ処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行うように前記露光後ベータ処理装置に隣接配置されていることを特徴とする、基板処理システム。

[2] 前記レジスト塗布処理装置、前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡すための個別の基板受渡しポートを備えて、る、請求項 1に記載の基板処理システム。

[3] 前記第 2の自動基板搬送ラインは、前記第 1の自動基板搬送ラインから独立した循環式の基板搬送ラインである、請求項 1に記載の基板処理システム。

[4] 前記第 1の自動基板搬送ラインを移動して前記各処理部との間で被処理基板の受渡しを行なう第 1の自動基板搬送装置と、

前記第 2の自動基板搬送ラインを移動して前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の受渡しを行なう第 2の自動基板搬送装置と、

を備えた、請求項 1に記載の基板処理システム。

[5] 前記第 1の自動基板搬送装置および前記第 2の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置である、請求項 4に記載の基板処理システム。

[6] 前記第 1の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であり、前記第 2の自動基板搬送装置は、被処理基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置である、請求項 4に記載の基板処理システム。

[7] 前記第 1の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第 1の制御部と、

を備えた、請求項 1に記載の基板処理システム。

[8] 前記レジスト塗布処理装置の設置数に対して、前記露光処理装置の設置数が 1： 2 の比率となるように配備した、請求項 1に記載の基板処理システム。

[9] 前記フォトリソグラフィー処理部は、二重露光技術によりパターン形成を行なう処理部である、請求項 1に記載の基板処理システム。

[10] 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、

を備え、前記フォトリソグラフィー処理部は、

を備えており、

前記レジスト塗布処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置され、前記露光処理装置は、前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行なうように前記露光後べーク処理装置に隣接配置されてヽることを特徴とする、基板処理システム。

[11] 前記レジスト塗布処理装置および前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡すための個別の基板受渡しポートを備えている、請求項 10に記載の基板処理システム。

[12] 前記第 2の自動基板搬送ラインは、前記第 1の自動基板搬送ラインから独立した循環式の基板搬送ラインである、請求項 10に記載の基板処理システム。

[13] 前記第 1の自動基板搬送ラインを移動して前記各処理部との間で被処理基板の受渡しを行なう第 1の自動基板搬送装置と、

を備えた、請求項 10に記載の基板処理システム。

[14] 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにぉヽて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、

前記基板処理システムは、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第 1の自動基板搬送ラインと、前記第 1の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部に専用の循環式の第 2 の自動基板搬送ラインと、を備え、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第 2の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうとともに、前記レジスド塗布処理装置と前記露光後ベータ処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を直接受渡し、前記露光処理装置は、隣接配置された前記露光後ベータ処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行うようにした、基板搬送方法。

[15] 前記フォトリソグラフィー処理部においては、前記各処理装置の稼働状態に応じて前記第 2の自動基板搬送ラインから被処理基板を搬入する搬入先を選択する、請求項 14に記載の基板搬送方法。

[16] 前記第 1の自動基板搬送ラインおよび前記第 2の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第 2の自動基板搬送ラインと前記フオトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では前記容器に収容した状態で被処理基板の受渡しを行なう、請求項 14に記載の基板搬送方法。

[17] 前記第 1の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第 2の自動基板搬送ラインでは被処理基板を一枚ずつ搬送するとともに、前記第 2の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では一枚ずつ被処理基板の受渡しを行なう、請求項 14に記載の基板搬送方法。

[18] 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにぉヽて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、

前記フォトリソグラフィー処理部は、

加熱処理後のレジストを現像処理する現像処理装置と、

を備えており、

前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第 2の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうとともに、前記レジスド塗布処理装置と前記現像処理装置は、それぞれ前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を直接受渡し、前記露光処理装置は、隣接配置された前記露光後ベータ処理装置および前記現像処理装置を介して前記第 2の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板の受渡しを行なうようにした、基板搬送方法。

[19] コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項 14に記載の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御する、制御プログラム。

[20] コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取り可能な記憶媒体であって、

前記制御プログラムは、実行時に、請求項 14に記載の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御するものである、コンピュータ読取り可能な記憶媒体。