TW200810005A - Substrate processing system and substrate transportation method - Google Patents

Description

200810005 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於基板處理系統及基板運送方法，對半導體晶圓等 。 .之待處理基板進行包含光微影製程的處理。 【先前技術】 「於半導體設備的製造過程中，為了於半導體晶圓（以下亦稱 「晶圓」）上製作圖案，故反復進行光微影製程。而在光微影製程 中，進行以下處理：光阻塗佈處理，於半導體晶圓表面形成光阻 暴光處理，對塗佈光阻後之晶圓，使用曝光光罩以進行曝光； 頦影^理，將曝光後之晶圓加以顯影。又，於曝光處理前，進行 曝光刖之烘烤（PAB，Pre-exposure bake)處理；曝光處理後，進 行曝光後之烘烤(PEB，Post exposure bake)處理。 於半導體的製造過程中，光微影製程係於$接到工廠内之 統(AMHS，Automated Material Handling Systems)的光 處理部巾職行。自以往，光微影處理部由於製程上的限制， ^阻^佈•顯腐理裝置、曝光處理裝置採刻式配置，且以此 位’而能與該職間傳遞晶圓w所構成(例如專利文獻υ。 ifi知的裝置佈局中，複數之晶聰連同晶各運. =Ϊ後:晶陳盒單位而傳遞到光微影處理部的光阻塗佈· 盒逐片取出，進行光阻塗佈、曝光、以 又、，，了 ID應半導體裝置於技術節闕進行，亦即 ^展’近年來，不斷開發出雙重曝光等新技術。雔重 ς後 對塗佈光阻後之晶圓，以例如既定 _ 先技術係 弁置仿罟而、隹—l η无疋之、、泉中田進仃曝光處理後，移動 5 200810005 半導=置製造的生產量大幅降低之問題。 〇〇27^®tJJf 11 9^#^2〇〇〇'124^4^^^ 【發明内容】 ' &,明所m決之課| 如上所述，在半導體裝置 、^ 力提高，將來如何提高光微影，為使其生產 !:】如細上述雙重曝光技術時。具:而 】)力亦即必須使其增加到 處二=====，顯影 加，而降低信賴度。在雙重暖#制=\見α ^置的故障等問題將增 對生產之影響甚大。尤立在t习二1中’於該等裝置發生故障時， 因素。 ^而成為以成生產成本大幅增加的 本發明係有鑑於上述情形 理系統及基板運送方法，轉ϋ ^的在於提供—種基板處 之各處理後，仍然:可獲得^信賴产。〜生產1進行光微影製程 魅決課顳之丰ι 、又 為知決上述課題，束获明楚 對於待處理基板，進行供—種基板處理系統’ ，徵為.·該基:二⑽的處理。 處理處理基板個舰行處理的複數 200810005 自動ΐ板運送線，與該第1自祕板運送線之間可傳避 ^理基板而構成，且於進行該光微影製程之 影處理部的各處理裝，奴贿理基板。㈣理的先被 又，該光微影處理部包含： ί:?2ίΐ裝ϋ寺處理基板之表面上塗佈光阻; 二2於待處鳴之光阻進行曝光處理； 理^先後之;t、烤處理衣置’將曝光處理後之光阻予以加熱處 顯影處理裝置，將加熱處理後之光阻 。 而且，該光阻塗佈處理裝置、該狼理 =處;裝置三者’係分別與該“動基板運送 鄰配置於鱗光後之鱗線·待處理基板，而接 該曝光後之烘烤處理光阻塗佈處理裝置、 別之基板傳遞口，用肋上;為’分別具備個 理基板。.相2自祕錢猶之間傳遞待處 其特徵為：該基板處理系統包含. 處理二對f理基板個別進行處理的複數 待處:ii:急:運S進=1自動基板運送線之間可傳遞 影處r=:;置間以;=’—連串處理的光微 又，該九破景》處理部包含： :裝置：於待處理基板之表面上塗佈光阻； i光：之：眭泠對塗佈於待處理基板之光阻進行曝光處理； 曝先後之烘烤處理裝置，將曝光處理後之光阻扣力 200810005 理；及 處理裝置，接鄰配置於該曝光後之烘烤處理襄置，將加 熱處理後之光阻予以顯影處理。 料=:ίΓΐ佈處理裝置及該顯影處理裝置二者，係分別 自祕板運域之間可傳遞待處理基板而分開配置；又 :光後之烘烤處理裝置及該顯影處理裝置 動基板運送線之間傳遞待處理基板，而接鄰配 為’分別具備個別之基板傳遞口，用以與上述 弟2自動基板運送線之間傳遞待處理基板。 動美=述ϋίΐ及第2觀點之該基板處理系統中，該第2自 iiiii為’係獨立於該第1自動基板運送線的循環式 又。亥基板處理糸統較佳為，包含： 盘,祕板運送裝置，__第1自動基板運送線，而 與上迭各處理部間，傳遞待處理基板；及 u而 盘上’移動於該第2自動基板運送線，而 ^二處 處理裝置間，傳遞待處理基板。 可皆哭軍弟n動基板運導裝置及該第2自動基板運送裝置， 送。戋可採取丨；第」，稷數之待處理基板收納於容器而運 係單片運送裝置，將待處理基板二:g自動基板運送裝置 較佳為，係藉由雔重眼光枯 隹配置。此日守，該光微影處理部 ，你猎甶又重曝先技術而進行圖案製作的處理部。 200810005 板進^3觀點提供—種基板運送方法，在對於待處理其 板。7^趙程之處理的基板處理系統中，運送待處理^ 板個二行^理^5念言·第1自動基板運送線，於對待處理基 動基板運^ 之間’運送待處理基板;及第2自 成’且專驗進行上述光微影製程之-連串t 又，該光微影處理部包含： 置’於待處理基板之絲上塗佈光阻； 理 光後之烘烤處理裝置及4鄉，二5光，佈處理裝置、該曝 :運送線之間直接傳遞理 經由所接鄰配置的該曝光後赌二^且a曝先處理裝置 運送線之間傳遞待處理基板。’、a &置’與該第2自動基板 本發明之第4觀點提供一稽其士 板進行包含光微影製紅^53==在對於待處理基 板。 0基板處理糸統中，運送待處理基 該基板處理系統包含：第]自 板個別進行處理的複數處理部板=線，於對待處理基 動基板運送線，呈循環式，與該’ 處理基板；及第2自 待處理基㈣構成，且專胁^ ^板運送線之間可傳遞 的光微影處理部。寻用於進仃上述光微影製程之一連串處理 又 該光微影處理部包含： 9 200810005 光阻塗佈處理裝置，於待處理基板之表面上塗佈光阻； 曝光處理裝置，職佈於待處理基板之姐進㈣光處理； 理 曝光後之烘烤處理裝置，將曝光處理後之光阻予以加熱處 及 顯影處理裝置’將加熱處理後之光阻予以顯影處理。 光微影處理部中’藉*該第2自動基板運送線而於各 運ί待處理基板。同時，該光阻塗佈處理裝置及該顯 係分別與該第2自動紐運送線之間直接傳遞 之、=法:㈣亚且’祕光處縣置經域接鄰配置的該曝光後 間傳遞ϋίίϊ該顯影處縣置，與該第2自動基板運送線之 庫夂觀點及第4觀點中，該光微影處理部較佳為，因 =ίί 的運概g，對於㈣第2自動基観送線將待 處理基板迗入之送入目的地加以選擇。 將滿該第1自動基板運送線及該第2自動基板運送線， 、=數之待處理基板收納於容器 影處理部的各處理裝置間，以收納 的狀傳遞待處理基板。 收納於該第1自，動基板運送線’將複數之待處理基板 逐片運送:於該第2 1動基板運送線，則將待處理基板 各ίΪ,詈^ 該第2自祕板運送線及_微影處理部的 4，衣置間’逐片傳遞待處理基板。 於實行i;!jj5觀點提供一種控制程式，其在電腦上作動;且 點或第4觀;基板處理系統，俾於進行該第3觀 有在:二:種電腦可讀取之記憶媒體，其儲存 第3=:2基基板處理系統’俾於進行該 10 200810005 發明之敔果 於本發明中，基板處理系統係分別設置 於對待處理基板個別進行處理的複數處理部之間，運 及第2自動基板運送線，與該第i自動基板運送線 遞待處理基板而構成，且於進行上述光微影製程之_連理的 光微影處理部的各處理裝置間，運送待處理基板。又，至^且 :ί;ίΐ= 細置二者，可分別與上述第2自動基 暴先處理到曝光後之烘烤處料止的時間管理，可正確地進行。 因此，能於高再現性之狀態下，進行曝光後之烘烤處理

ArF 而且，作為附帶於曝光處理裝置的必需且最低限度設備，而 將曝光後之烘烤處理裝置接鄰配置於曝光處裝 減少曝光處理裝置以外之裝置問題導致曝光處理裝置的=率= 低的風險，故可使光微影處理部的信賴度得以提高。 【實施方式】 以下，苓照圖面並就本發明之較佳實施形態加以詳細說明。 圖1顯f，於依本發明之第1實施形態的基板處理系統1〇〇 以供作貝施光微景>製程的光微影處理部la為中心之運送裝置 的概，。該基板處理系統100包含：主運送線20，係第〗自動基 板運送'，，於系統整體進行晶圓w之運送，且與各處理部傳遞基 板，及副運送線30，係第2自動基板運送線，於光微影處理部la 内，進行晶圓W之運送。 主運送線20係作為自動搬送系統(AMHS，Aut〇mated Material Handling Systems)而構成；於該主運送線2〇，裝設有例如複數之 200810005 懸吊式搬運車（OHT，Overhead Hoist Transport)21。各 〇HT21 以 處於在未圖示之晶圓匣盒内收納著晶圓W之狀態，移動於主運送 線20 ’且可朝向以光微影處理部la為首之各處理部運送晶圓界' 而構成。 又’副運送線30則裝設為獨立於主運送線的a紐JS，且包 含0HT31。該0HT31繞著形成迴圈狀的循環式副運送線3〇而移動^ 且將晶圓W加以往光微影處理部la内之各處理裝置運送，而盘夂 處理裝置間傳遞晶圓w。此外，雖並未圖示，但0HT31相較於α 係移動於較高位置之執道所構成。 、 、光微影處理部la包含：光阻塗佈處理裝置2，於晶 塗佈既定之光阻；第1曝光處理裝置3a，對於經塗阻、 W ’進= 曝光處t第1PEB處理裝置4a，將曝光處 Ϊ 理第理裝置％，對於經塗佈光阻之晶圓冗 =^處理，弟2PEB處理裝置4b，將曝光處爾之光 二處，：及顯影處理裝置5 ’將曝光心里後之晶圓 予 :理 2 ί 弟2曝光處理裝置％及顯影處理裝置5係分開二二. 而弟1曝光處理裝置3a與第贈處以及m 理裝覃3b與第2PEB處理F置4b 置/a /及弟2曝光處 裝置3a接鄰第㈣處理貝』刀别接鄰配置° » 1爆光處理 置4a而能S二處 第2曝光處理裝置⑶接 乂，傳遞晶圓W所構成。同樣地， 2PEB處理裝置4b响I_ 置4b祕置，且經由第 成。 .，、劍運达線30的0HT31間傳遞晶圓W所構 處理裝置彡處理部1a中，將光阻塗佈 理裝置4a、4b，與顯号3a、3b、第1及第2PEB處 〜處理裝置5作為-群，而裝設有複數群。 12 200810005 私;貫施形細基板處理系統1QG中，光阻塗佈處理裝置2 曝祕絲置_2曝光處 本卢ΪΦ壯罢队* 评5之，弟1曝光處理裝置^或第2曝 涂佈Ϊ^ίΪΪΪί置2如圖2〜圖4所示而構成。圖2顯示光阻 ί二二♦勺概略俯視圖；圖3係其前視圖；圖4係其後視 "if α ’其以待處理之例如25片複數晶圓

Itt iK iif盒CR的狀態，將該等複數晶圓w從副運 ^ til 及處理站m二者間送入==。210如上述般於晶 0中如圖2所示’於晶圓E盒載置台220上，沿 複數(本圖係4個）之定位突起·。晶随1 的別面向處理站211側，載置於該‘ t

列；且於晶中，晶圓_直Ϊ向Z 盒排細1&，其可沿晶随 由該晶圓運送用臂部221a，可選擇性^^!(Z =向）移動；且藉 又’晶圓運送用臂部221a係可朝^圖… 構成；並且，亦可靠近毅述之處理進= 走轉所 對準單元(ALIM)，以及延伸單元(Εχτ)二者^之弟3處理群G23的 另一方面，處理站211包含複數之—處理單元，用以實施對晶 13 200810005 連串製程；且該等複數處理單元係多段 圖2所巧 曰圓薄w /、有日曰圓運送路線222a，而其中又奘母右玄 部之處^單-222，且於該晶圓運送路線222a的周圍，配置著全 ，數之處理料分成複數之處理群= 主曰數之處理單元沿垂直方向（Z方向）而多段配置。 裝有晶内側安 亦ΓΪ之一體ϊ轉。又，晶圓運送裝置_包含 由該等固定槿杜座247之刖後方向的複數固定構件248;且藉 如圖=i i以實現於各處理單元間之晶圓W的傳遞。 G; · “ · G25配置於晶圓的2!圍③％ t及G第2 ； 路綠w r ί 21置，弟4處理群&隔著晶圓運送 置於背&㈣3處料G23的相反側；第5處理群&則配 該等gif ίϊί中，光阻塗佈處理單"^⑹呈2段重疊； 放LΙΪ 型處理單元，於塗敷槽(cp)内，將晶圓w 放，未圖示之旋轉夹盤，而進行既定之處理。又，第2處： 疊台旋轉器型處理單元之光阻塗佈處理單元(_2段重 如® 4/斤示，於第3處理群G23巾，烘箱型之處理單元 ，豐，該#單元將晶圓W放置_置台sp，進行既定之處理 广以下單元由下而上依序呈8段重疊：附著處理單元⑽ 二用以提高光阻之性的疏水化處理；解單元⑹M)， ；延伸單元(EXT)，送人送出晶圓w ;冷卻單元⑽），進行A 部处理；及4個加熱板單元(HP)，於曝光處理前，對晶圓¥進^ 14 200810005 加熱處理。糾，可驗冷卻單元⑼咖取代鮮料(ALIM)， 且令冷卻單元(COL)具備對準功能。 而於，4處理群Gy中，烘箱型之處理單元亦呈多段重疊。亦 ，，以^單2由下而上依序呈8段重疊··冷卻單元（C0L)、包含冷 钾板之晶圓送入送出部的延伸•冷卻單元(EXTC〇L)、延伸單元 (EXT)、冷部單元(c〇l)，以及4個加熱板單元㈣。 又i於主晶圓運送機構222之背部側裝設第5處理群G25時, 主晶圓運送機構222觀之，第5處理群q25可沿引導轨道225而 往側方移動。

f鄰第1曝光處理裝置3a所配置的第1ρΕβ處理裝置乜，係 ^壯ΐ圖7所示而構成。又，由於帛2ΡΕβ處理裝置4b與第1PEB 日衣‘^之結構相同，故以下擧第1PEB處理裝置乜為例進行 況月，而省略第2PEB處理裝置牝的說明。 m = Γ2 1PEB處理裝置知的概略俯視圖；圖6係其前視 H 視ΐ。第鹏處理裝置4a具備晶盒站310， 曰S ” 2站，處理站311，具有複數之處理單元；及介面部 傳遞晶理站311而裝設之未齡的曝光處理裝置間， w為係傳遞Π，其以待處理之例如25片複數晶圓 送線30往該第狀態，將該等複數晶圓W從副逢 置4a往ϋ 處夺&送入，或者從該第1PEB處理裝 &各CR ΐΐϊΐ ^T ;且晶随盒站31G如上述般於晶圓 圖中ΐΕϊΐΐ0如圖5所示’於晶圓S盒载置台320上，沿 ct 4 /1複乂數(本圖係4個）之定位突起咖a。晶盒 日日口出入口可分別面向處理站311側， ―列；錄_㈣中，晶_^= 於晶詈H圓11盒站310具有晶圓運送機構321，其仿 於日日W匣皿载置台320及處理站311二者間。 15 200810005 一晶圓運送機構321具有晶圓運送用臂部321a，其可沿晶圓匣 盒排列方向（X方向）與其中之晶圓W排列方向（Z方向）移動；且藉 由該晶圓運送用臂部321a，可選擇性地靠近任一個晶圓匣盒CR二 又’·曰=圓運送用臂部321a可朝如圖5所示之6»方向進行旋轉所構 成丄並且，亦可靠近屬後述之處理站311侧之第3處理群仏3的對 準單元(ALIM)，以及延伸單元(Εχτ)二者。

Piw矛二方面，處理站311包含複數之處理單元，用以實施對晶 ，進^ ΡΕΒ處理時之-連串製程；且該等複數處理單元多段配 於既定位置’而藉此將晶圓-逐片處理。此處理站如圖5 =擔.it部具有晶圓運送路線322a，而其中又裝設有主晶圓 、、冓，且於該晶圓運送路線322a的周圍，配置著全部 元：Γΐ複數之處理單元^複數之處理群， 理群中複數之處理單元沿垂直方向（z方向）而多段配置。 349 持體349夢由夫圖、症:上下方向（Z方向）自由升降。筒狀支 圓運i 二不馬達的旋轉驅動力，而能進行旋轉；且晶 之一體旋轉。又，晶圓運送裝置346包含 由該等蚊構件3坐=33向„的複數固定構件348;且藉 如 一以貝現於各處理早元間之晶圓W的傳遞。

Gas. G, ^ 4a f 5 5 G, . G32. 第2處理群G31 G=晶圓運送路線㈣的周圍。其中，第1及 3處理群G33接部s π 置於弟1PEB處理裝置4a的正面側；第 部犯而配置310而配置;第4處理群-接鄰介面 如圖R、同7乐5處理群G35則配置於背面侧。 箱型之i理V元呈户;二第1處理群G31及第4處理群G小烘 以進行既定的處理單:將晶瞧，載置台SP 冷卻單元(⑺丨）、4人、' 單兀由下而上依序王8段重疊： (ehcol)、延伸板之晶圓送入送出部的延伸·冷卻單元 (EXT)、冷卻單元⑼L)，以及4個加熱板單 16 200810005 元(HP)。 烘箱型之處理單元多^；?^ 理群G滅第3處理群G33中， 即以進械定的處元亦將晶圓W放置於載置台 著處理單元早凡由下而上依序呈8段重疊：附 準單元α_，進以阻十生的疏水化處理·，對 理後，w進處广及4個蝴反單元(HP)，於曝光處 代對準= 仃加熱處理。此外，可裝設冷卻單元⑼L)以取 處理群^示’於主晶圓運送機構322之背部側裝設第5 導執道33255^則|^送機構322觀之，第5處理群&可沿引 長度方向（X方向）而言，與處理站311具有相同 收隼曰_人rL所不’於此介面部312的正面部，可移動式的 面部ί置有:祕定式的緩衝晶圓11盒册呈2段配置；於背 ΐ、ί 2曰曰®达機構324具有晶圓運送用臂部324a，且續晶 324a可沿x方向、z方向移動，靠近兩晶随盒C、 BR及邊緣曝光處理裝置323。 曰u比皿lk 理站=運送用臂部324a可沿θ方向旋轉，且可靠近屬處 光户理壯番f ^里群634的延伸單元(EXT)，甚或接鄰之第1曝 处里衣置3a侧中所未圖示的晶圓傳遞台。 理裳置5如圖δ〜圖1G所示而構成。圖8顯示顯影處 見圖’·圖9係其前視圖；圖10係其後視圖。顯 =Γ置5於處理站21 la之第1處理群G21及第2處理群G22， =以#影光阻圖案的顯影單元⑽)分別2段重疊而配置，以取 =光阻塗佈處理裝置2之處理站211的光阻塗佈處理單元 SI:，與圖士2〜圖4所示之光阻塗佈處理裝置2形成相同的 α此，於結構相同之處’則標註相同符號而省略說明。 17 200810005 圖1 ’主運送線20之0HT21與副運送線30之〇ht31， =含曰曰圓輸送機械人41的複數之晶圓傳遞部40可傳遞晶圓而 構成。 p主十運送f 20連接於第1製造管理系統(MES，Manufacturing ;該祕係作為總括控制部，⑽管理基板 ^晉的㈣。而此第1MES5G與各個處理部或運送系統所個 控例如主、軍料i關於衣程的判斷。具體而言，帛1MES50 一邊掌 i止、待機及^0HTf的負荷’-邊管理0HT21之移動、 狀態達到最佳化/、σ处理部間傳遞晶圓w等的動作，而使運送 2MES6^製造_、統(_〇。此第 微影處理部la之^、/綠^的個別控制部而發揮功能，且對於光 阻塗佈處^置2 tTU 2 ^^態，或各處理裝置例如光 2PER卢裡壯$ /t 弟日*光處理裝置3a、3b、第1及第 進行4b與顯影處縣置5的處雜件等，分別 =⑦的ΐί體，第2咖-邊掌控例如副運送㈣ί 圖u即^第使運送狀態達到最佳化。 含主機電腦之控制哭51、傕用呪明圖。第聰50具備：包 制器51之使用者j；面.52 =者，1面52與記憶㈣。連接於控 叫吏基板處理系統⑽之運轉 統⑽；與顯示 53亦連接於控制II 51，且㈣°又’記憶部 件資料、處理條件資料等的處方^彔程式^軟體)或運送條 51進行控制，以實A. ，〜寻程式或貧料藉由控制部 處理。fr 乂貝現基板處理糸統_所實行之晶圓運送或各種 18 200810005 此外，因應所需，以來自佬用 方加以從記憶部53調出，再令㈣^丨，i2的指令等，將任意處 器5i控制之下，進行實行之。觀，於控制 述控制程式或處理條所希望的處理。又，上 帽、硬碟、軟碟、快閃式:隱體納::如 理部la以外於光微影處 式。 乐勸ϋ相冋，因此省略其說明及圖 部40中，藉由曰圓於、、日日圓W在任一個晶圓傳遞 30 OHTsI^ la 理部1a内之各處理裝置間，i行Γ圓之傳0HT31與光微影處 於上述光阻塗佈處理装置2中，首 的晶 _臂物 =日2收納著未處理晶圓w的晶_盒.以取Ξ ^曰 0 w，且將其運送到第3處理群G23之延伸單元雄出1片曰曰 行用以提高光以性 而進 精由晶®運送裝置246，運送到冷卻單元(⑽ _、晶圓W完成於附著處理單元⑽之處理，再於冷卻 〇 丄itiM w未經附著處理單元⑽處理’而接著藉 由曰日囫運迗衣置246，以運送到光阻塗佈處理單元（c〇T)，且在此 19 200810005 、，佈光阻，並形成塗佈膜。完成塗佈處理後，晶圓w在第3或第 後於任-個冷卻單元)進行冷卻。 彳了、職理，其 婉由iriiii'運送到第3處理群&的對準單元(alim)，且 由弟3處理群&的延伸單元(EXT)而回到晶圓s倉站21 〇 納於任一個晶圓匣盒CR。 收 又，於光阻塗佈處理裝置2巾，經塗佈光阻之晶圓w暫 由晶圓匣盒站210，而被傳遞到副運送線3〇之〇HT31。 二 到晶圓W之0HT31再將晶圓w運送到第1PEB處理裝置知的曰 f ΐ站311’Λ傳遞到第謂處理裝置知。於第™處理ί4 中，百先就晶圓匣盒站31〇而言，晶圓運送機構犯1 ^用臂部321a靠近放置於晶盒載置台32()上而收納著^ 第？ί ί的晶圓匣盒CR ’以取出1片晶圓w，且將其運i到

弟3處理群G33之延伸單元(ext)。 J 由主晶圓運送機構322之晶圓運送裝置346，而從該 處理站311。此外’藉由第3處理群g”之對準 早tl(ALIM)進行對準後，再經由第4處理群G34 而送入介面部312。 、狎早兀(EXT)， 晶UW在介面部312中’邊緣曝光處理裝置323進行 皮除去後’該晶圓W即被運送到接鄰介面部“ 曰光處理裝置3a，且在此裝置依據既定的圖案，於 光處理。曝光後之晶圓？再度關第_ ίί 卩 且藉由晶圓運送機構324，以運送到 ^ 4處理群G34之延伸單元(Εχτ)。此外，晶圓？藉由 =置346以運送到任一個加熱板單元Qjp)，而進行pEB理· =置（4a、、4b)接鄰於曝光處理裝置（3a、3b)而配置， 氓 ，後’可使PEB處理為止的時間管理得以正確地=先 晶圓W經由第3處理群G33之延伸單元(Εχτ)而回到晶圓^站 20 200810005 310，且收納於任一個晶圓匣盒CR。

又’於第1曝光處理裝置3a所曝光之晶圓W，經由第1PEB 處理裝置4a的晶圓匣盒站310 ’再度被傳遞到副運送線之 0HT31。之後，收到晶圓W之0HT31接著將晶圓w運送到第2pEB 處理裝置4b的晶圓匣盒站310，且傳遞到第2pEB處理裝置4b。 其後’於弟2曝光處理裝置3b及第2PEB處理裝置4b中，如上、衆 針對第1曝光處理裝置3a及第1PEB處理裝置乜所說明的順序"7 再以相同順序進行第2次曝光處理與第2次pEB處理。再、經2 次曝光處理的晶圓W經由第2PEB處理裝置4b的晶圓匣各站3]p〇， 而再度被傳遞到副運送線30之OHT31。 I 收到晶同W之OHT31將晶圓W運送到顯影處理裝置5的晶 匣盒站210，而傳遞到顯影處理裝置5。於顯影處理裝置5中，首 先就晶随盒站210而言’晶圓運送機構221的晶圓運送用 221a罪近放置於晶圓匣盒載置台22〇上而收納著雙重曝 =的晶，以取出i片晶圓w，且將其運送到、==曰 群G23之延伸單元(EXT)。 地 袖-晶Llf由主晶圓運送機構222之晶圓運送裝置246，從該廷 罩早送人處理站211a。此外，藉由第3處理群G23之對準 =安後’再運送到顯影單元⑽），且在此進行曄 行PEB處理；接著藉由冷卻單元陶以冷卻述 到曰鬥=後’晶圓1經由第3處理群G23之延伸單元(EXT)，回 站210 ’且收納於任-個晶盒CR。其後，經顧聲 遞到副運送線30之_。如上所述 部40中從成狀之圖案；且於任—個晶圓傳遞 2〇Tomi ΐΐ 30 0ΗΤ31 處理部例如侧處理主運送線2g的_卜朝向其他 钱刻處理W未圖不）而運送；且依據上述圖案進行餘 21 200810005 刻二又，對完成蝕刻處理之晶圓w而言，亦 他處理後，再度藉由主運送線進行其 部1a，並反復進行再次光微影處理。 光被影處理 於此歡||下，在依本實郷態的餘 * 送線30作為獨立於主運送線2〇的運送機而糸壯^⑽中，副運 理部la。藉此，可提高往光微影處理部 久微影處 送時的自由度，·同時，可將光微影夢 口^里衣置進行運 以=系統_其他速 >上負何大之處理，亦可謀求因應。又 線30本身具有緩衝區功能，故可使主運 之 半成，得以減少，並能抑制對主運送、二=負 並列配及2曝先處理裝置3b)與顯影處理裝置5 名义注从供楚月b +田運送線30傳遞晶圓w，因此即使於任一個壯署 iiUU時性地往同種的其他裝置運送晶圓w衣以 的信賴度得以提高含先微影處理部ia之基板處理系統⑽ 予以 光阻 2；ΕΒ^" 間管理加μ確^^此可將從曝祕酬·處理為止的時 理。例如，’而能於高再現性之狀態下，進行™處 處理而進行光ρ且光^且為代表之化學放大型光阻時，藉由池 之溶解抑制劑的脫離反應，且決定驗可溶性。 須進行非常斧ίίΐ型光阻時’曝光處理後到™處理為止，必 溫度不，處理時，晶圓面内或晶圓間的 、、备生線巾田不穩定，並使餘刻精度降低等不良影 22 200810005 響。本貝施形悲藉由將曝光處理裝置與ρΕβ處 置，使曝光後鱗間管理易於進行，且能實現高精紅ΡΕΒ=， f用AFF光阻為代表之化學放大型光阻的光微 影製私中，善加利用。 和晉i、軍ΐϊΐίΐ微影處理部1a之生產力而言，提高曝光處理 衣，的運^率係重要绿題；因此作為附帶於曝光處理裝置 低僅將ΡΕβ處理裝置接鄰配置於曝光處理裝置。 驗，故可使絲猶轉la的_度得/提置^ 以供ϋΐ第2實施形態的基板處理系統1〇1中， 要。於本實施形態中，配置有輸送帶70，以作為if 送線，進行晶圓w之單片運送。 為弟2自動基板運 於晶部第1 佈光阻之晶圓w，進行曝光處理.第二、R 置3a ’對於經塗 理後之光阻予以加tit處ϋΐΕ β處理裝置如’將曝光處 阻之曰圓W、隹—Γ處 2曝光處理裝置3b，對於經塗佈来 ，曰曰因W，進仃曝光處理；第2ρΕβ處理裝置4 ^先

之光阻予以加熱處理；與顯影處理裝置5，將曝卢理ς先1理後 予以顯影處理。於_影處 阻^^ ^曰曰圓W =光處理裝置3a、第2曝歧理/置第 開而配置；而第！曝光處理裝置3a 置5係分 第2曝光處理裝置3b與第2p ?壯 目处衣置4a，以及 1曝光處理裝置3a係接鄰於第‘別接鄰配置。第 第1PER#拽壯罢/州罘斤仙處理裝置4a而裝設，且辆占 ^ 衣 a而與輪送帶70間可傳遞晶圓w所播士、、'工 又’各處理裝置的基本結:及=:=¾。成。 23 200810005 斧佈H ΐ f ΐ雖未圖示，但於光微影處理部化中，將光阻 亦即，於各群内/在5作為一群’而裝設有複數群。 配置整數倍的處理ίί持上赫處縣置之設置關的狀態下， 敕體，係第1自動基板運送線，於基板處理系統101 =在i ΓΛ主運送線20亦安裝有例如刪。各_以 ^0 ,且盒内收納著晶圓w之狀態，移動於主運送 而構成。11以光Μ影處理部1b為首之各處理部運送晶圓f • 7Q係單片運送線’用以將晶® w逐片運送。又，輸送 ;夂^理丄2曰中係4處)的晶圓輸送機械人71，而 的晶_盒站傳遞基板所構成。 之曰圓匣線2〇之0戲1將收納有複數晶圓W 圓: 裳置2的晶圓s盒站21〇。而在晶 置2^_二w目出Π P;例如完成於光阻塗佈處理裝 由於輪送帶鳴圈狀，因此採循環方 内之Ϊ;==ΪΪ送ί 7〇中’藉由1〇號碼而對輸送帶7。 則莛ώ τη啼饭而、# —其饰 巾免里且供應至輸送帶70後， 光處理，而傳遞向第1PEB處理裝置4a式筮9Dm> :置北進仃曝 晶随盒站·所裝設的單片纽裝置此的 运出口 P。再來，晶圓W完成曝 24 200810005 光處理及PEB處輯，鄉麵“裝£ 4& _ 4b的晶盒站310所裝設的單片送入送出口 p置 機械人71而再度朝輪送帶7〇運送。 、、二sa圓輪送 αίΐ 5 ί=巧晶圓輸送機械人71而從輸送帶了 〇向㈣ 處理衣置5的日日函匣盒站21〇所裝設 、 Π,、、貝〜 之後，晶圓W於轉處理裝置5進行_理ρ傳遞。 處理裝置5的晶盒站21〇，收納到晶運送到顯影 晶sm成於級影處理部lb的—連串制程I .二上所述’ 被傳遞到主運送線2〇的〇丽。其次“ 2圖案後’ 的麵，而送往其他處理部，例如由主運送㈣ 該圖案進行蝕刻。 x」知理邛（未圖不），且依據 又，晶圓W藉由主運送線20的0HT21連同 後，可送入光阻塗佈處理裝置2、第聰而來 處理裝置4b或顯影處理裝置5四者 —弟2PEB 於各晶圓匣盒站中，可從曰圓萍人,二^之3任日日圓匣盒站。此時， 送，的_連同曰‘盒暫運 = 來，臭亦二晶，，主運 理刚，暫先傳遞到輸送帶70。藉此，輸* ; 2在。I置的處 部lb内的緩衝區而活用；同時，亦70 =為光微影處理 裝置的運轉狀態，而於第2職〇之控制;，1隹^^里部lb之各 於本實施形態之基板處理系统1〇 仃虽彈性的運送。 用輸送帶70，作為獨立於主運送線2 ，、在，微影處理部lb使 往光微影處理料^錢，可提高 於能以輸送帶70進行單^送的自由度。又，由 理裝置所處理的晶圓W依序送理部ib内之各處 於以例如晶圓Μ盒為單位而送症下個置；因此相較 較短，且可使生產量提高。 处里衣置的f月況，等待時間 此外’藉由裝設輪送帶7〇， 圓運送速度，態域魏 200810005 L能以Ϊ生產量處理光微影製程；如雙重曝光製程，對光微 ί製上ί荷大之處理，亦可謀求因應。又，由於輸送帶70具有 缓衝區功能，故可使域送線2()上暫存之核品數得以減少'、並 能抑制對主運送線2〇所生的負荷。 ' 典 >此1，與第1實施形態之基板處理系統100相同地，於第2 I施形態之基板處理系、统1〇1 _，由於光阻塗佈處理裝置2、 第,1曝光處理裝置3a及第2曝光處理裝置3b)與顯i處 衣置5亦亚列配置，且能對輸送帶7〇傳遞晶圓w，因此即 =一個錢發生轉判題時，仍可雜地將晶IB w送往同種擊 置，，行處理。從而，可使包含光微影處理部lb之基 ^ ιοί的信賴度得以提高。 地n死 再說’由於第1曝光處理裝置Sa，以及將曝光處理後之阻 以加熱處理的第1PEB處理裝置4a ;第2曝光處理裝置洗，以 及將曝光處理叙姐予以蝴處帛謂 ，鄰配置；因此可於高信賴度之下，進行PEB處^置=係刀 ^進行曝光後的時間管理，且能實現高精度之爾處理。又，! 2曝光處理裝置以外之裝置問題導致曝光處理裝置的運轉率降 險j可使光微影處理部1b的信紐得以提高。 3貫施形態 、圖13顯示:依本發明之第3實施形態的基板處理中， 以供作貫施光微影製程的光微影處理部 運找槪 送線。而對該副運送線30，以下部於死八2ί古二f‘自動基板運 開而並列配置:第1光阻塗佈處理“及理： 置2b，.於晶圓W表面塗饰既定之光阻；第旦先户主佈處理衣 2顯影處理，，曝光處理後之晶圓以^二5,及弟 於第1顯影處理裝置5a，隔著用以盤處土春、、 加熱處理的第1PEB處理裝置如，直列配置^ 之光阻進行 處理的第1曝光處理裝置3a。棒第2 “81請行曝光 向於罘2頭影處理裝置5b，則著 26 200810005 第2PEB處理裝置4b，直列配置第2曝光處理裝置北。又，繁ί 曝光處理裝置3a經由第1PEB處理裝置4a及第1顯影處理狀詈 5^2,送線3〇的〇腿之間可傳遞晶圓w所構成。同|地， t 置北則經岭2PEB處理裝置必及第2顯影處理 GHT31之間可傳遞晶圓W所構成。此外， 於本貝把形悲中，除了光微影處理部lc的裝置佈局係 外，因為結構與圖i所示第i實施形態的基板處 同 故於相同結構標註_符號，並分別省略其朗。以⑽減 …又，圖13中雖未圖示，但於光微影處理部lc中， =2光阻塗佈處理裝置2a、2b、第i及第2曝光處理晉、％ 弟=第2PEB處理裝置4a、4b，與第！及第2顯影處理 5b作為一群，而裝設有複數群。亦即，於夂 =置、、 處理iL之?置比例的狀態下，配置整數倍的處理裝置。、上述各 於基板處理系統102中，晶圓w葬由φ谨、篆綠 從例如其他處理部（未圖示）運送主=線20之〇腿， 運送線30上之〇_與光微影處理部lc im1: ^f 行晶圓w的傳遞。具體而言 各f里裳置間，進 之控制下進行分配，以围二^之7。守，係於第2MES60 第2光阻塗佈處理裝曰曰^弗i光阻塗佈處理裝置2a或 裝置的運轉狀態，^彈=之;1此’可目應光阻塗佈處理 生產量提高。 田早性的日日®運达，且可使光微影製程之 理裝置2b 佈處理裝置2a或第2級塗佈處 副運送線30,而運送^^^理^，為進行曝光處理，經由 5b其中之一。此時，=里衣置5a及第2顯影處理裝置 W送入第1顯影處、罟^ 〃之控制下進行分配，以將晶圓 衣置5a或弟2顯影處理裝置5b其中之-。因 27 200810005 二3;、顯影處裝置及曝光處理裝置的運轉狀態，進行，彈 陡的，®運达，且可使光微影製程之 進仃田弹 光阻後之晶圓W依曝光、ΡΕΒ、顯影之順序而進^于處=外j塗传 形恶中’藉由將顯影處理裝置(5a、5b)、 ，本貫施 與曝光處縣置（3a、3b)直雜，、4b) 理、PEB處理與顯影處理之—連串處理。。產里進仃曝光處 又，由於副運送線30具有緩衝區 上暫數得以減少，並能抑制對 於此種狀態下，在依本實施形熊 /[生的負何。 運达線30係作為獨立於主運送線20的^送^構'，、而壯〇2中，副 影處理部lc。藉此，可提高往光 而衣設在光微 ?運送時㈣度；處^處理裝置進 达速度，與基板處理系統1〇2的1 =又及晶圓運 而，能以高生產量處理光微影f程他分開而控制。從 微影製程上雛之處以觸程，對於光 ' 2b)^ 2 列配置，即使於任一個褒置發生j 〇門=遞晶圓W而並 彺同種的其他裝置運送晶圓W，以進 、’仍可彈性地 影處理社之基板處理_含光微 此外，由於第！曝光處理裝置。 2曝光處理裝置3b及第2PEB處理壯w 4Lyf處理裝置4a ;第 易於進行曝光後的時間管理，且職鄰配置，因此 复支實施形態 月匕貝現南精度之Ρ0Β處理 圖14顯示，依本發明之第4电> / At =供作實施光微影製程的光微影基103中， 要。於本實施形態中，配置有私、、，册之運运裴置的概 送線，將晶圓w逐片運送。而逆ϋ作為第2自Μ板運 接傳遞晶圓W，分開而並列配: ’:下部份可分別直 罝.弟1先阻塗佈處理裴置2a及第 200810005 2光阻塗佈處理裝置2b，於晶圚w矣品浴从

予以顯影處理。 <置513將曝先處理後之晶圓W 於弟1藏影處理裝置5a，隔著用17斜遥止 加熱處理的第_處理裝置知，直歹用 處理的第1曝光處理裝置3a。而於第f旦用场曰曰圓评進行曝光 第2PEB處理裝置4b，直聽置題置5b，則隔著 曝光處理裝置3a經由第_處理裝又’第1 5;，而與輸送帶7G之_遞日日日‘===處，裝置 處理裝置3b經由第2PEB處理裝置牝及篦？ 弟2曝先 70 .^#ί4,ΒΒ ^ ί?5frΐίί；« 註相 系統101相同，故於相同結構標 ^ ’圖14中雖未圖示’但於光微影處 群，而裝設有複數群。亦即，於:=== 处理衣置之*置比例的狀態下，配置整數倍的處理_置。、处° ㈣ΐΐΐί理系統103-中’晶圓靖由主運送線别之_1， 二 /、他處理部（未圖示）連同晶圓匣盒運送過來之 气傳制第日1光阻f佈處理裝置2a或第2光阻塗佈處 罩^、、，Ά中之一的晶圓匣盒站210。而在晶圓匣盒站210設有 口 P •，例如/曰® W於第1光阻塗佈處理裝置％或Ϊ 从送出口 p。之後，晶圓輸送機械人71將被暫置於上述 ◊达出口 P的晶圓f陸續傳遞到輸送帶7〇。又，由於册I 係迴圈狀而構成，因此採循環方式使晶圓w逐片移動。▼ 又，晶圓W藉由主運送線20的0HT21連同晶圓E盒運送過來 29 200810005 2b、第1顯影處理裝置5a或〜1置^：、弟2光阻塗佈處理裝置 晶圓1盒站21〇。此日士 ^ 2藏影處理裝置5b四者中之任一 出晶圓W，而直接將：nU:圓11盒站210中，可從晶盒抽 來之後，於進^在^線！0的’1連同晶顏盒運送過 可因應光微影處理部ld之久F 賴，同時，亦 控制:，進行富彈性的運送'衣置的運轉狀恶’而於第2職〇之 送目的地黑運移動中’藉由id號碼而管理下個運 ® W 2MES60 70 裝置2a或第2光阻f阻塗佈處理 又，晶圓w於第i光阻塗佈 以後，ϋΛΛ處裳置此其中之一，完成光阻塗佈處理 影處理裝“之Γ 0目'^人可第^顯影處理裝置5a或第2顯 農置的運轉狀態，進行富的日可^、顯影置及曝光處理 5bf 實施形態中，藉由將顯影處理裝置(5、a: 而ϋ ίίί )與曝光處理m 3W直列配置， 理此一生產魏行曝光處理、pEB處理與顯影處理之二串處 用於二^1^之基板處理系統1G3中’在光微影處理部Id使 用輪达W0，作為獨立於主運送線2〇的处二苫 往光微影處理部id內之各處理裝置進行運送時. 30 200810005 於能以輸送帶70進行阜片運、主 理裝置所處_晶K 内之各處 於以例如晶DU盒為單位岐 ^ ^置，因此相較 較短，且可使生產量提高。此外，藉由’等待時間 ；〇3^ ί雙重曝光縣，對枝微影抛上 暫存具有緩衝區功能’故可使主送線20上 ίΐϊ^ΐ 5 〇 a上现、、、口構中，由於2個光阻塗佑壯里 與2個顯影處理裝置（5a、比）， 嫌 衣置（2a、2b) 並列配置，因此即使於任直接傳遞晶圓w而 =主=，他裝置魏晶圓w，崎行處 W = ’ ί 曝光處理裝置3a及第1PEB處理裝置4a ;第 易^淮第2ΡΕβ處理裝置处係分別接鄰配置，因此 易於進仃曝光後的時間管理，且能實現高精度之ΡΕΒ處理。口此 科ίΐί 詳細綱本㈣；但树明並不限 .=#形心’可進仃各種雙形。例如於第i〜第4實施形 圖12、® 13與圖⑷的裝置佈局結構中，使光阻塗佈處理裝置、 EBf理裝置、曝光處理裝置及顯影歧裝㈣設置數進一步增加 ^ t上所述，較佳為，在輯圖卜圖12、圖13與圖14所示 ^置之的狀態下，增加整體的設置數。然而，亦可例 如僅增加光阻塗佈處理裝置之設置數等，.而僅使特定裝置增加。 甚且，於上述貫施形悲之基板處理系統中，針對於半導體晶 圓進行光阻塗佈、曝光及顯影之一連串光微影製程，作成說明。 但本發明亦可適用於一種基板處理系統，其在半導體晶圓以外之 其他待處理基板，例如FPD(平面顯示器面板）用之玻璃基板上進行 31 200810005 包含光微影製程處理的基板處理。 【圖式簡單說明】 - μΪΙΪ'顯示第1實施形態之基板處理系統之光微影處理部的 裝置佈局圖。 _ 圖2係光阻塗佈處理裝置的俯視圖。 =係圖2所示光阻塗佈處理裝置的前視圖。 ί ί係圖2所示光阻塗佈處理裝置的後視圖。 圖5係ΡΕΒ處理裝置的俯視圖。 • 圖6係圖5所示ΡΕΒ處理裝置的前視圖。 圖7係圖5所示ΡΕΒ處理裝置的後視圖。 圖8係顯影處理裝置的俯視圖。 圖9係長1 8所示顯影處理裝置的前視圖。 圖10係圖8所示顯影處理裝置的後視圖。 圖11係顯示第1MES之結構的區塊圖。 裝置ϊΐί顯示第2實施形態之基板處理系統之光微影處理部的 裝置貝示第3實施形態之基板處理系統之光微影處理部的 瞻裝置=顯示第4實施形_歧_統之光微影處理部的 【主要元件符號說明】 la、lb、lc、Id〜光微影處理部 2〜光阻塗佈處理裝置 2a〜第1光阻塗佈處理裝置 2b〜第2光阻塗佈處理裝置 3a〜第1曝光處理裝置 3b〜第2曝光處理裝置 32 200810005 4a〜第1PEB處理裝置 4b〜第2PEB處理裝置 5〜顯影處理裝置 5a〜第1顯影處理裝置 5b〜第2顯影處理裝置 20〜主運送線 21〜懸吊式搬運車 30〜副運送線 31〜懸吊式？般運車 40〜晶圓傳遞部 41〜晶圓輸送機械人 50〜第1製造管理系統 51〜控制器 52〜使用者介面 53〜記憶部 60〜第2製造管理系統 70〜輸送帶 71〜晶圓輸送機械人 100、101、102、103〜基板處理系統 210〜晶圓E盒站 211、211a〜處理站 220〜晶圓匣盒載置台 220a〜定位突起 ' '221〜晶圓運送機構 ’ 221a〜晶圓運送用臂部 222〜主晶圓運送機構 222a〜晶圓運送路線 225〜引導轨道 246〜晶圓運送裝置 33 200810005 247〜運送基座 248〜固定構件 249〜筒狀支持體 310〜晶圓匣盒站 311〜處理站 312〜介面部 320〜晶圓匣盒載置台 320a〜定位突起 321〜晶圓運送機構 321a〜晶圓運送用臂部 * 322〜主晶圓運送機構 322a〜晶圓運送路線 „ 323〜邊緣曝光處理裝置 324〜晶圓運送機構 324a〜晶圓運送用臂部 325〜引導軌道 346〜晶圓運送裝置 347〜運送基座 348〜固定構件 * 349〜筒狀支持體 AD〜附著處理單元 ALIM〜對準單元 BR〜缓衝晶圓匣盒 C0L〜冷卻單元 * C0T〜光阻塗佈處理單元 - CP〜塗敷槽 CR〜晶圓匣盒 DEV〜顯影處理單元 EXT〜延伸單元 200810005 EXTC0L〜延伸•冷卻單元 G21、Gsi〜第1處理群 G22、G32〜第2處理群 G23、G33〜第3處理群 G24、G34〜第4處理群 G25、G35〜第5處理群 HP〜加熱板單元 P〜單片送入送出口 SP〜載置台 W〜半導體晶圓（待處理基板)

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Claims (1)

1. 200810005 十、申請專利範圍： 影製=ίί鱗㈣統，舶對於聽理基板，進行包含光微 其特徵為包含： i纽對，歧油騎賴理的錢 傅达1^=板運送線’在其與該第1自動基板運送線之間可 處理部的各處理裝置之間，運送待處理基板；处的先试衫 _ 又，該光微影處理部包含： 光阻塗佈處理裝置，於待處理基板之表面上塗佈光阻. 理裝置，雌佈於待處_板之光阻進行曝光處理； 理；1先後之烘烤處理裝置，將曝光輕後之光阻予以加熱處 頌影處理裝置’將加減理後之光料域影處理. 處理其把古·+、品二她別/、以弟2自動基板運送線之間可傳遞待 後之置」3曝光處理裝置接鄰配置於該曝光 _ 自^里衣置，俾經由該曝光後之烘烤處理裝置，·而盥該第2 自動基板運送線之間傳遞待處理基板。 /、 你旁2·1神請專纖目第1項之基板處理祕，其巾，該光阻塗 處理基板。^用U弟2自動基板運送線之間傳遞待 影製板處理純，_於待處理基板，進行包含光微 其特徵為包含·· 虎理ί1i動基板運送線，於對待處理基板個別進行處理的複數 處理部之間，運送待處理基板；及 丁处獨祕 36 200810005 傳1其與該第1自動基板運送線之間可 處理部的各處理裝置間，運送待處理基板；<1的先被汾 又，該光微影處理部包含·· 二阻^佈處理裝置，於待處理基板之表面上塗佈光阻； 理裝ϊ，龍佈於賊理基板之光 · 理 ^光後之烘烤處理裝置，將曝光處理後之光阻予 殊考t處理裝置’接鄰配置於該曝光後之烘烤處理裝置，將力 熱處理後之光阻予關影處理； ^衣置將加 鱗iitif處理裝置及該顯影處理裝置二者，係以可分別 置二接光後之烘烤處理裝置及該顯影處理穿 動其杯、Μ、ί置曝光後之烘烤處理裝置，而*該第2 Ϊ 動基板運魏之間可傳遞待處理基板。 …亥弟2自 4.如申請專利範圍第3項之 & 佈處理裝置及該顯影輕裝置分 ^ ς二该光阻塗 與該第2,運送線之間;：；待=基板傳遞口 ’用" 中，★亥第°12,圍第1至4項中任—項之基板處理系统，发 環式基_送線_立於該第1自動基板運送線的猶 包含6:.如中請專利範圍第i至4項中任—項之基板處理系統，更 弟1自％基板運送裝置，移動於令笛 與該^處理部間傳遞待處理基板；及〃自動基板運送線，而 37 200810005 用待處理基板收納於容11而運送。 動基板運送以;ΐ基板處理系統’其中，該第1自 器而運送；㈣第^ f ’將稷數之待處理基板收納於容 理基板相逐^運送自動基板運达裝置係單片運送裝置，將待處 包含9.如中請專利範圍第i至4項中任一項之基板處理系歲，更 的運i 3制部’㈣於鱗1自祕板運送線上之待處理基板 的運i’鋪贿第2自祕紐送線上之待處理基板 10·如申請專利範圍第1至4項中任一 縣細設置數 ，該曝S處理裝^採 :； 程之在躲縣贿㈣行包含光微影製 赶_祕處理錢巾，運送待處理基板； 該基板處理系統包含:、 , 處理對Γ理基板個舰行處理的複數 之間送線1循環式’與該第1自動基板運送線 由減理基板而縣，且專胁進行 連串處理的光微影處理部； 衣征炙 又’該光微影處理部包含： .光阻塗佈處理裝置，於待處理基板之表面上塗佈光阻； f3理衣置’對塗佈於待處理基板之光阻進行曝理； 曝光後之烘烤處理裝置，將曝光處理後之光阻予以加熱處 38 200810005 理；及 嘁影處理裝置，將加熱處理後之光阻予以續 理』ΐί微ϊίΙΓ ’藉由該第2自動基板運送線而於各處 後之烘烤處理裝置及該顯影處理裝置三者，= 配置的雜光後之料處理裝置 杯 線之間傳遞待處理基板。 自動基板運运 13.-種基板運送方法’在對於 程之處理的基板處理系統中，運送待處理基Ϊ 3先心製 忒基板處理系統包含·· 處理二==基:對r理基板個別進行處理的複數 之間以，與該第丨自動基板運送線 連串處理縣微影2=構成’且專胁進行該光鄕製程之- 又，該光微影處理部包含· 裝置’於待處理基板之表面上塗佈光阻； 曝光ί之ΐ烤卢佈於待處理基板之光阻進行曝光處理； 理；及 /、烤處理衣置’將曝光處理後之光阻予以加熱處_ ，f加熱處理後之光阻予以顯影處理； 理裝置ϊ運送: t該第2自動基板運送線而於各處 處理袭置二者係4^；^ ’該光阻塗佈處理裝置及該顯影 處理基板；並且，i曝ϋ二^動基板運送線之間直接傳遞待 烤處_置及該顯“理^衣2由接鄰配置的該曝光後之烘 傳遞待處理基板處理衣置’而與該第2自動基板運送線之間 14. 士申明專利範圍第12或13項之基板運送方法，其中，該 39 200810005 光微處理部依各該處理裝置的運轉狀態，對於從該第2自動基 板運送線將待處理基板送入之送入目的地加以選擇。 土 兮^ 15·如申請專利範圍第12或13項之基板運送方法，其中，於 1自動基板運送線及該第2自動基板運送線，將複數之待卢 23納於容⑼運送；並且，於該第2自動基板運送線及Ϊ ίϊί處理部的各處理裝置間，以收納於該容11的狀態傳遞待處 抑?，如申請專利範圍第12或13項之基板運送方法，其中，於 =2 反運送線’將複數之待處理基板收缺容器而運送 基板運运線’則將待處理基板逐片運送；同時，於 傳遞待==運送線及該光微影處理部的各處理裝置間，逐片 17.-種可讀取之記㈣體，其儲存有在電腦 ^^且於實行雜雜柄，可控_基板處理純= 丁申#專利範圍第12項之基板運送方法。 λ、 圖式 40