WO2007125923A1 - 単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体並びにそれらの製造方法 - Google Patents

単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体並びにそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007125923A1
WO2007125923A1 PCT/JP2007/058865 JP2007058865W WO2007125923A1 WO 2007125923 A1 WO2007125923 A1 WO 2007125923A1 JP 2007058865 W JP2007058865 W JP 2007058865W WO 2007125923 A1 WO2007125923 A1 WO 2007125923A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
walled carbon
carbon
fiber aggregate
carbon nanotube
walled
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/058865
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takeshi Saito
Satoshi Ohshima
Motoo Yumura
Original Assignee
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology filed Critical National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology
Priority to KR1020087025502A priority Critical patent/KR101355038B1/ko
Priority to JP2008513225A priority patent/JPWO2007125923A1/ja
Priority to CN2007800148312A priority patent/CN101437755B/zh
Priority to EP07742300.2A priority patent/EP2025643B1/en
Priority to US12/226,619 priority patent/US20090186223A1/en
Publication of WO2007125923A1 publication Critical patent/WO2007125923A1/ja

Links

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/12—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
    • D01F9/127—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof by thermal decomposition of hydrocarbon gases or vapours or other carbon-containing compounds in the form of gas or vapour, e.g. carbon monoxide, alcohols
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0061—Methods for manipulating nanostructures
    • B82B3/0066—Orienting nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F9/00—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments
    • D01F9/08—Artificial filaments or the like of other substances; Manufacture thereof; Apparatus specially adapted for the manufacture of carbon filaments of inorganic material
    • D01F9/12—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof
    • D01F9/127—Carbon filaments; Apparatus specially adapted for the manufacture thereof by thermal decomposition of hydrocarbon gases or vapours or other carbon-containing compounds in the form of gas or vapour, e.g. carbon monoxide, alcohols
    • D01F9/133—Apparatus therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/02—Single-walled nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/30—Purity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/36—Diameter
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913—Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2918—Rod, strand, filament or fiber including free carbon or carbide or therewith [not as steel]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]

Definitions

  • Single-walled carbon nanotubes Carbon fiber assemblies containing the single-walled carbon nanotubes, and methods for producing them
  • the present invention relates to a single-walled carbon nanotube, a carbon fiber aggregate containing the same, and a method for producing the same, and more specifically, a single-walled carbon controlled to a specific diameter by a fluidized gas phase CVD method.
  • the present invention relates to a method for producing a carbon fiber aggregate containing nanotubes in a large amount and at a low cost.
  • Patent Document 1 Arc discharge methods (see Patent Document 1), laser evaporation methods (see Non-Patent Document 1), chemical vapor deposition methods (CVD methods) (see Patent Document 2) Three types of methods are known.
  • the CVD method is an effective method for synthesizing a large amount * at a low cost, and is roughly divided into the CVD method, which is a substrate CVD method that is produced by growing from a catalyst supported on a substrate or a carrier.
  • a so-called fluidized gas phase CVD method in which single-walled carbon nanotubes are synthesized by spraying a carbon-containing raw material containing a catalyst precursor or a catalyst having a very small particle diameter into a high temperature electric furnace by spraying or the like. (See Patent Document 2).
  • the fluidized gas phase CVD method is one of the most suitable methods for large-scale synthesis, which has many advantages in terms of cost, such as not using a substrate or a carrier! It is supposed to be.
  • the substrate CVD method it is possible to control the diameter of the single-walled carbon nanotube from over 2 nm to about 3 nm by controlling the diameter of the catalytic metal fine particles (see Non-Patent Document 2). It is difficult to precisely control the diameter within a diameter range below this because of the point of preparation of ultrafine metal particles that can be used as a catalyst.
  • this multi-walled carbon nanotube has a diameter as thick as 5 nm or more and is non-uniform, so that the strength of the obtained wire is only about 460 MPa and was not practically used.
  • Patent Document 1 JP-A-7-197325
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-80913
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 10-273308
  • Non-Patent Document 1 "Science”, vol. 273, 1996), p483
  • Non-Patent Document 2 Journal of Physical Chemistry B, vol. 106, 2002 (February 2002
  • Non-Patent Document 3 “2006 American Physical Society March Meeting Proceedings”, N32. 00001 (March 13, 2006)
  • the present invention is useful as an industrial material such as a high-strength carbon-based wire and the like, and is a single-walled carbon nanotube with a high-purity and controlled diameter, particularly within a range of 1.0 to 2. Onm. It is an object of the present invention to provide a uniform single-walled carbon nanotube and a method for producing the same efficiently and in large quantities at low cost.
  • a single-walled carbon nanotube having a diameter in the range of 1.0 to 2. Onm and an intensity ratio IG / ID of G band to D band in Raman spectrum of 200 or more.
  • ⁇ 2> A carbon fiber aggregate characterized in that the content of the single-walled carbon nanotube according to ⁇ 1> is 90 at.% Or more of the whole.
  • Carbon source by fluidized gas phase CVD which uses saturated aliphatic hydrocarbons that are liquid at room temperature as the first carbon source and unsaturated aliphatic hydrocarbons that are gaseous at room temperature as the second carbon source For producing single-walled carbon nanotubes or carbon fiber aggregates containing the same.
  • the method for producing single-walled carbon nanotubes according to ⁇ 3> which is an acyclic saturated aliphatic hydrocarbon or a cyclic saturated aliphatic hydrocarbon represented by n 2n + 2 to 17).
  • ⁇ 5> The method for producing a carbon fiber aggregate containing single-walled single-bonn nanotubes according to ⁇ 4>, wherein the cyclic saturated aliphatic hydrocarbon is decalin.
  • ⁇ 6> The method for producing a carbon fiber aggregate containing single-walled carbon nanotubes according to ⁇ 4>, wherein the second carbon source is ethylene or acetylene.
  • the carbon fiber aggregate including a single-walled carbon nanotube according to ⁇ 7>, wherein the shape is a ribbon shape or a sheet shape.
  • a high-strength carbon-based wire obtained by spinning a carbon fiber aggregate containing the single-walled carbon nanotubes according to ⁇ 8>.
  • the single-walled carbon nanotube according to the present invention has a diameter in the range of 1.0 to 2. Onm.
  • the intensity ratio IG / ID between the G band and the D band in the Raman spectrum is 200 or more, and it is extremely high purity and high quality, the semiconductor, mechanical and optical characteristics are uniform.
  • the wire has a structure in which single-walled carbon nanotubes are densely packed inside the wire, and each is strongly bonded by van der Waals force. Therefore, compared to a wire obtained by spinning single-walled carbon nanotubes having a non-uniform diameter distribution or carbon nanotubes having a large diameter, it provides a wire having a very high strength, so that it is greatly used in the fields of electronics and high-strength carbon materials. A significant industrial contribution.
  • a single-walled carbon nanotube with a controlled diameter particularly, a diameter of 1. Onm to 2. Onm.
  • the high-purity single-walled carbon nanotube and the carbon fiber aggregate including the same can be produced efficiently and in large quantities at low cost.
  • FIG. 1 is an explanatory view of a typical vertical single-walled carbon nanotube manufacturing apparatus used in the manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 2 is a measurement graph of optical absorption spectra of Samples 1-7.
  • FIG. 3 is a transmission electron micrograph of Sample 4.
  • Fig. 4 is a measurement graph of the intensity ratio of the G band and D band in the Raman spectra of Samples 1-7.
  • FIG. 5 is a scanning electron micrograph of the sample surface obtained by cutting a two-dimensional sheet of sample 4 into a ribbon shape.
  • FIG. 6 is a scanning electron micrograph of the surface of the carbon-based wire obtained in Example 9.
  • FIG. 7 is a graph of the tensile strength test of the carbon-based wire obtained in Example 9.
  • the method for producing single-walled carbon nanotubes or carbon fiber aggregates containing the single-walled carbon nanotubes from the carbon-containing source according to the present invention by a fluidized vapor phase CVD method comprises preparing at least two types of carbon-containing sources, It is characterized by using saturated aliphatic hydrocarbons that are liquid at room temperature, and unsaturated aliphatic hydrocarbons as the second carbon source.
  • fluid vapor phase CVD method refers to "a high temperature heating furnace (electric furnace) by atomizing a carbon-containing raw material containing a catalyst (including its precursor) and a reaction accelerator by spraying or the like.
  • Etc. is defined as “a method for synthesizing single-walled carbon nanotubes in a flowing gas phase”.
  • the carbon source generally means “an organic compound containing a carbon atom”.
  • the hydrocarbon as the first carbon source is a saturated aliphatic hydrocarbon that is liquid at room temperature, and the saturated aliphatic hydrocarbon includes both acyclic and cyclic hydrocarbons.
  • a can group compound is mentioned.
  • alkane compounds include hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, tridecane, tetradecane, pentadecane, hexadecane, and heptadecane.
  • the first carbon source preferably used in the present invention is n-heptadecane.
  • Examples of the cyclic saturated aliphatic hydrocarbon include monocyclic saturated aliphatic hydrocarbons, bicyclic saturated aliphatic hydrocarbons, condensed cyclic saturated aliphatic hydrocarbons, and the like, which are used in the present invention.
  • the primary carbon source must satisfy the liquid condition at room temperature. Examples of such cyclic saturated aliphatic hydrocarbons include cyclohexane, decalin (cis decalin, trans Tetradecahydrophenanthrene), including decalin and mixtures thereof).
  • the primary carbon source preferably used in the present invention is decalin.
  • the hydrocarbon serving as the second carbon source is an unsaturated aliphatic hydrocarbon.
  • unsaturated aliphatic hydrocarbon it is preferable to use one that is thermally decomposed at a lower temperature and V than the saturated aliphatic hydrocarbon used in the first carbon source.
  • Examples of such unsaturated aliphatic hydrocarbons include ethylene having a double bond, propylene, and acetylene having a triple bond.
  • the second carbon source preferably used in the present invention is ethylene or acetylene, more preferably ethylene.
  • the first carbon source and the second carbon source may be appropriately combined.
  • the first carbon source it is preferable to use ethylene, acetylene or the like having a lower thermal decomposition temperature as the second carbon source.
  • the usage ratio of the first carbon source and the second carbon source is determined by the diameter of the target single-walled carbon nanotube, but the ratio of the volume of the first carbon source and the second carbon source at room temperature. (Volume of the second carbon source) Expressed by Z (volume of the first carbon source), 1.0 X 10 ⁇ : L 0 X 10 5 , preferably 1.5 X 10 1 ⁇ 6.3 X 10 4 More preferably, it is 1.0 ⁇ 10 2 to 1.0 ⁇ 10 4 .
  • the ratio (volume of the second carbon source) / (volume of the first carbon source) is 1.0 X 10 5 or less. From the viewpoint of controlling the flow rate of the second carbon source and allowing the reaction to occur uniformly, the ratio is preferably 1.0 X 10 ° or more.
  • the method of introducing the first carbon source and the second carbon source into the reactor is to introduce the second carbon source before the first carbon source is introduced from the viewpoint of side reaction control.
  • the first carbon source and the second carbon source are introduced into the reactor at the same time.
  • the flow rate in this case is appropriately selected according to the volume and shape of the reactor, the flow rate of the carrier gas, etc., which are not particularly limited.
  • first carbon source and the second carbon source are preferably introduced into the reactor together with a carrier gas in order to perform the reaction quickly and uniformly.
  • the carrier gas conventionally known hydrogen or an inert gas containing hydrogen is preferably used. Used.
  • the ratio of the carrier gas and the first carbon source used is the ratio of the volume of the first carbon source and the carrier gas at room temperature (volume of the first carbon source) Z (volume of the carrier gas) is 5.0 X 10 _8 ⁇ 1. 0 X 10 "4, preferably 1. 0 X 10 _7 ⁇ 1. OX 10- 5.
  • Each of the carrier gases or a raw material mixture obtained by mixing them may be supplied to a reaction zone maintained at a temperature of 800 to 1200 ° C. in the reactor.
  • the catalyst used in the present invention is not particularly limited by the kind of metal or the form of the metal, but a transition metal compound or transition metal ultrafine particles are preferably used.
  • the transition metal compound can be decomposed in the reactor to produce transition metal fine particles as a catalyst.
  • a gas or It is preferably supplied in the form of metal clusters.
  • transition metal atom examples include iron, cobalt, nickel, scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, and the like, among which iron, cobalt, and nickel are more preferable.
  • Examples of the transition metal compound include organic transition metal compounds and inorganic transition metal compounds.
  • Examples of the organic transition metal compound may include pheucene, cobalt sen, -keck sen, iron carbol, acetyl cetate iron, iron oleate, and the like, and more preferably phen cene. It is.
  • Examples of the inorganic transition metal compound include iron chloride.
  • a sulfur compound is preferably used as the reaction accelerator according to the present invention.
  • This sulfur compound contains a sulfur atom and can interact with a transition metal as a catalyst to promote the formation of a single-walled carbon nanotube.
  • Examples of the sulfur compound include organic sulfur compounds and inorganic sulfur compounds.
  • Examples of the organic sulfur compound include sulfur-containing heterocyclic compounds such as thianaphthene, benzothiophene, and thiophene, and more preferred is thiophene.
  • Examples of the inorganic sulfur compound include hydrogen sulfide.
  • the single-walled carbon nanotube according to the present invention has a diameter in the range of 1.0 to 2. Onm, and an intensity ratio IG / ID of G band to D band in Raman spectrum is 200 or more.
  • the G band in the Raman spectrum is a vibration mode observed in the vicinity of 1590 cm_1 , and is considered to be the same vibration mode as the Raman activation mode of graphite.
  • the D band is a vibration mode observed in the vicinity of 1350 cm _1.
  • Graphite has a huge phonon density of states in this frequency range, but it is not Raman active, so it is not observed in crystalline high-grade graphite such as HOP G (Highly Oriented Pyrolytic Graphite).
  • HOP G Highly Oriented Pyrolytic Graphite
  • the intensity ratio IG / ID of peaks derived from these G and D bands can be said to be one of the most reliable purity evaluation methods with high objectivity as an index of the structure and purity of single-walled carbon nanotubes.
  • single-walled carbon nanotubes having a diameter in the range of about 1 to 2 nm and having excellent purity and uniformity are effective.
  • single-walled carbon nanotubes having such a uniform and high purity diameter range could not be obtained.
  • the substrate CVD method it is possible to control the diameter of the single-walled carbon nanotube from over 2 nm to about 3 nm by controlling the diameter of the catalytic metal ultra-superparticle, but the diameter range is less than this. It is difficult to precisely control the diameter in terms of the preparation of ultrafine metal particles as a catalyst, and by adjusting the catalyst metal or ambient temperature in the laser evaporation method, a single layer of several diameters can be used. Force capable of obtaining carbon nanotubes The diameter obtained was limited to a very limited range.
  • the intensity ratio IG / ID between the G band and the D band in the Raman spectrum is at most about 100, and partly includes structural defects and impurities. It was not high quality.
  • the single-walled carbon nanotube according to the present invention is different from the conventional one,
  • the diameter is in the range of about 1 to 2 nm, and the IG / ID has at least 200 or more, more preferably 300 or more.
  • the characteristics are homogeneous.
  • a carbon fiber aggregate that occupies 90 at.% Or more of the total content has a structure in which single-walled carbon nanotubes are densely packed inside the carbon fiber aggregate wire, and each has a structure that is strongly bonded by a van der Waalska.
  • a van der Waalska Compared to single-walled carbon nanotubes with non-uniform diameter distribution and carbon nanotubes with large diameters, it provides a wire with extremely high strength, making significant industrial contributions in the fields of electronics and high-strength carbon materials. Bring.
  • the carbon fiber aggregate can be processed into a ribbon shape, a sheet shape, a sponge shape, or the like. Further, in the carbon fiber aggregate processed into the ribbon-like form, the orientation of the single-walled carbon nanotube is random in the two-dimensional plane of the ribbon. By spinning the carbon wire by twisting the ribbon, spinning is performed. In this process, single-walled carbon nanotubes can be oriented in the direction in which the wire is twisted to produce a pseudo one-dimensional structure.
  • the carbon-based wire composed of one-dimensionally oriented single-walled carbon nanotubes has a uniform diameter
  • the single-walled carbon nanotubes are densely packed inside the wire, and each has a van der Waals force. Takes a tightly coupled structure. Therefore, it is possible to produce a wire having a very high strength compared to a wire obtained by spinning single-walled carbon nanotubes having a non-uniform diameter distribution or carbon nanotubes having a large diameter.
  • a single-walled carbon nanotube of the present invention was manufactured using a vertical single-walled carbon nanotube manufacturing apparatus as shown in FIG.
  • This equipment consists of a 4kW electric furnace 1, an inner diameter of 5. Ocm, an outer diameter of 5.5 cm, a mullite reaction tube 2, a spray nozzle 3, a first carrier gas flow meter 4, a second carrier gas flow meter 5, and a microfeeder. 6, recovery filter 7, secondary carbon source flow meter 8, and gas mixer 9.
  • the microfeeder 6 stores a raw material solution of 100: 4: 2 in weight ratio of decalin: the primary carbon source: ferrocene, an organic transition metal compound: thiophene, an organic sulfur compound.
  • the primary carbon source ferrocene
  • an organic transition metal compound thiophene
  • an organic sulfur compound ethylene
  • ethylene was used as the second carbon source, and the flow rate was controlled via the second carbon flow meter 8 and the gas mixer 9.
  • Fluidized vapor phase CVD synthesis was performed by spraying the above raw material liquid at a flow rate of 3.2 LZmin for 3 hours into reaction tube 2 in an electric furnace heated to 1200 ° C using hydrogen at a flow rate of 7 LZmin. .
  • the product was collected with a recovery filter 7.
  • the product produced by controlling the second carbon source flow rate to 0.5 sccm was designated as Sample 1.
  • the yield of Sample 1 is 18.5 mg.
  • the sample preparation method for the light absorption spectrum was the method described in Applied Physics Letters vol. 88, 2006 p. 093123-1! From sample 1 to Fig. 2, as shown in this figure, this 2420nm [this clearly shows an S1 peak, which synthesizes single-walled carbon nanotubes with controlled diameters.
  • the diameter of the single-walled carbon nanotube is estimated to be approximately 2. Onm.
  • the diameter of the present invention is 1. Onm or more and 2. Onm or less.
  • the carbon fiber aggregates satisfying the upper limit and having excellent single-walled carbon nanotubes with a controlled diameter distribution could be obtained.
  • the yield was 19.5 mg.
  • a peak at 2285 nm was observed as shown in FIG. This corresponds to a diameter of 1.9 nm.
  • the yield was 20.4 mg.
  • a peak at 2120 nm was observed as shown in FIG. This corresponds to a diameter of 1.7 nm.
  • the diameter of the produced single-walled carbon nanotubes is 0.1 to 0.2 nm smaller than that of Example 1. This means that the diameter of the single-walled carbon nanotube can be precisely controlled in steps of about 0.1 nm by appropriately adjusting the second carbon source flow rate.
  • the yield of Sample 4 was 123. Omg, which was obtained as a two-dimensional sheet-like carbon fiber aggregate.
  • a peak at 2000 nm was observed as shown in FIG. This corresponds to a diameter of 1.6 nm.
  • Sample 4 was observed with a transmission electron microscope (JEM1010, manufactured by JEOL Ltd.).
  • Figure 3 shows this transmission electron micrograph. This also confirmed that single-walled carbon nanotubes were generated. Furthermore, the average diameter of single-walled carbon nanotubes is 1.6 nm. The validity of the diameter evaluation by the light absorption spectrum was obtained.
  • Resonance Raman spectrum (manufactured by JASCO Corporation, NRS-2100, using argon laser 514.5 nm excitation light) was measured on sample 17 synthesized as described above.
  • Figure 4 shows the Raman spectrum and IG / ID for each sample. For all samples, since the IG / ID is 200 or more, the conditions of the present invention are satisfied, and in particular, some samples show values of 350 or more. It was shown that high-purity and high-quality single-walled carbon nanotubes can be synthesized.
  • Example 8 The experiment was performed in the same manner as in Example 1 except that the catalyst was iron ultrafine particles.
  • the product thus obtained is designated as sample 8.
  • sample 8 the diameter distribution of single-walled carbon nanotubes was estimated in the same manner as in Example 1.
  • an SI peak at 2420 nm was observed, and the Raman spectrum was measured.
  • the values of each showed 200 or more. This corresponds to a diameter of 2. Onm.
  • Example 8 when the diameter is 1. Onm or more and 2. Onm or less and the IG / ID is 200 or more! A carbon fiber aggregate that satisfies the / ⁇ ⁇ condition and has an excellent single-walled carbon nanotube with a controlled diameter was obtained.
  • the production method of the carbon fiber aggregate comprising the single-walled carbon nanotubes of the present invention by the fluidized gas phase CVD method is more than the carbon-based organic solvent introduced into the reactor as the carbon source. It is effective to use hydrocarbons that decompose at lower temperatures as the second carbon source. It was also confirmed that the diameter of the single-walled carbon nanotube can be reduced by increasing the flow rate of the second carbon source.
  • Sample 4 of the two-dimensional sheet-like carbon fiber aggregate of single-walled carbon nanotubes produced in Example 4 was cut into a ribbon shape, and the surface was observed with a scanning electron microscope (Hitachi, S-5000). This electron micrograph is shown in FIG. According to this single-walled carbon nanotube It can be seen that the orientation of is random within the two-dimensional plane of the ribbon, and that the product of this synthesis method is extremely pure and contains almost no impurities.
  • the ribbon-like carbon fiber aggregate was spun by twisting, finally impregnated in acetone, and dried to produce a carbon-based wire.
  • Figure 6 shows a scanning electron micrograph of this carbon-based wire. It can be seen that the single-walled carbon nanotubes are oriented in the direction in which the wire is twisted during the spinning of the carbon-based wire.
  • FIG. 7 shows the results of a tensile strength test (Shimadzu Autograph AG—lOkNIS MS type, manufactured by Shimadzu Corporation) of the carbon-based wire (thickness: 80 ⁇ m) obtained by the above method. After the stress was applied up to lGPa by the tensile strength test, the joint between the tester and the carbon-based wire rod slipped, and it was extremely strong until it broke. Therefore, it was found that the tensile strength of the obtained carbon wire was at least lGPa.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Inorganic Fibers (AREA)
  • Yarns And Mechanical Finishing Of Yarns Or Ropes (AREA)

Abstract

　高強度炭素系線材等をはじめとする工業材料として有用な、直径が制御され、高純度な単層カーボンナノチューブ、特に直径が１．０～２．０ｎｍの範囲内にある均一な単層カーボンナノチューブおよびその効率的、且つ大量・安価に製造する方法に関する。得られる単層カーボンナノチューブは直径が１．０～２．０ｎｍの範囲内にあり、且つラマンスペクトルにおけるＧバンドとＤバンドの強度比ＩＧ/ＩＤが２００以上であることを特徴としている。また、これらの単層カーボンナノチューブ等を第１炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第２炭素源として常温で気体の不飽和脂肪族炭化水素を用いる流動気相ＣＶＤ法によって合成する。

Description

明 細 書
単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊 維集合体並びにそれらの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、単層カーボンナノチューブ、これを含む炭素繊維集合体並びにそれら の製造方法に関し、更に詳しくは、流動気相 CVD法により含炭素源力 特定な直径 に制御された単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体を大量かつ安価に 製造する方法に関する。
背景技術
[0002] 単層カーボンナノチューブを合成するための方法として大別してアーク放電法 (特 許文献 1参照)、レーザー蒸発法 (非特許文献 1参照)、化学蒸着法 (CVD法）（特許 文献 2参照）の 3種類の手法が知られて 、る。
[0003] これらの中で CVD法は、大量 *安価に合成するための有効な方法であり、 CVD法 にも大別すると、基板や担体に担持した触媒から成長させて製造する基板 CVD法と 、触媒の前駆体若しくは粒径のきわめて小さい触媒を含む含炭素原料をスプレー等 で霧状にして高温の電気炉に導入することによって単層カーボンナノチューブを合 成する、所謂、流動気相 CVD法 (特許文献 2参照）がある。これらのうち、殊に流動気 相 CVD法は、基板や担体を用いな!/、ことやスケールアップが容易であることなどコス トの面で利点が多ぐ最も大量合成に適した方法の 1つとされている。
[0004] 基板 CVD法によれば、触媒金属微超粒子の直径を制御によって、単層カーボン ナノチューブの直径を 2nm超から 3nm程度に制御することが可能であるが（非特許 文献 2参照）、これ以下の直径範囲で直径を精密に制御することは触媒となる金属超 微粒子調製の点力 みて困難である。
[0005] また、直径 1. Onm未満の極細単層カーボンナノチューブは、レーザー蒸発法にお いて触媒金属もしくは雰囲気温度を調整することによって得られることが知られている (特許文献 3参照)。
[0006] 単層カーボンナノチューブあるいはこれを含む炭素繊維集合体においては、力学 的特性、半導体的特性、光学的特性などの実用性の観点力もみて、その直径が 1〜 2nm程度の範囲内にあり、純度および均一性に優れたものが有効であるとされてい る力 従来の方法では、このような均一性と高純度性を備えた直径範囲の単層カー ボンナノチューブを得ることはできなかった。
[0007] このように、工業材料として有用な高純度で均一な直径を有する単層カーボンナノ チューブはその製造面での困難性力もコストが高ぐ炭素繊維としての主たる用途の 一つである高強度炭素系線材などに応用されることはほとんどなぐやむを得ず、単 層カーボンナノチューブに比しそのコストの低廉な多層カーボンナノチューブを用い た炭素系線材が研究されて ヽた (非特許文献 3)。
しかしながら、この多層カーボンナノチューブは、直径が 5nm以上と太い上に不均一 であるため、得られる線材の強度は 460MPa程度に過ぎなぐ実用に供するもので はなかった。
特許文献 1 :特開平 7— 197325号公報
特許文献 2：特開 2001— 80913号公報
特許文献 3：特開平 10— 273308号公報
非特許文献 1 :「Science」誌， vol. 273, 1996年発行）， p483
非特許文献 2：「Journal of Physical Chemistry B」誌， vol. 106, 2002 (2002年 2月
16曰発行）， p2429
非特許文献 3 :「2006年アメリカ物理学会 3月会議予稿集」誌， N32. 00001 (2006 年 3月 13日発行）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 本発明は、高強度炭素系線材等をはじめとする工業材料として有用な、高純度で 直径が制御された単層カーボンナノチューブ、特に直径が 1. 0〜2. Onmの範囲内 にある均一な単層カーボンナノチューブおよびその効率的、且つ大量'安価に製造 する方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明者らは、前期課題を解決すべく鋭意検討した結果、炭素源となる原料として 特定な炭化水素を組み合わせた流動気相 CVD法を利用すると、高純度で直径が制 御された単層カーボンナノチューブが得られることを見出し、本発明を完成するに至 つた o
[0010] すなわち、この出願によれば、以下の発明が提供される。
〈1〉直径が 1. 0〜2. Onmの範囲内にあり、且つラマンスペクトルにおける Gバンドと Dバンドの強度比 IG/IDが 200以上であることを特徴とする単層カーボンナノチュー ブ。
〈2〉〈1〉に記載の単層カーボンナノチューブの含有量が全体の 90at.%以上であるこ とを特徴とする炭素繊維集合体。
〈3〉第 1炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第 2炭素源として常温 で気体の不飽和脂肪族炭化水素を用いることを特徴とする、流動気相 CVD法による 炭素源からの単層カーボンナノチューブまたはこれを含む炭素繊維集合体の製造方 法。
〈4〉第 1炭素源が、一般式 C H (n=6
n 2n+2 〜17)で表される非環式飽和脂肪族炭化水 素又は環式飽和脂肪族炭化水素であることを特徴とする〈3〉に記載の単層カーボン ナノチューブの製造方法。
〈5〉環式飽和脂肪族炭化水素がデカリンであることを特徴とする〈4〉に記載の単層力 一ボンナノチューブを含む炭素繊維集合体の製造方法。
〈6〉第 2炭素源が、エチレン又はアセチレンであることを特徴とする〈4〉に記載の単層 カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体の製造方法。
〈7〉〈3〉〜く 6〉の何れかに記載の製造方法により得られる直径が 1. 0〜2. Onmの範 囲内にある単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体。
〈8〉形状がリボン状またはシート状であることを特徴とする〈7〉に記載の単層カーボン ナノチューブを含む炭素繊維集合体。
〈9〉〈8〉に記載の単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体を紡績すること によって得られる高強度炭素系線材。
発明の効果
[0011] 本発明に係る単層カーボンナノチューブは、直径が 1. 0〜2. Onmの範囲内にあり 、且つラマンスペクトルにおける Gバンドと Dバンドの強度比 IG/IDが 200以上であり 、極めて高純度で高品質なものであるから、半導体的、力学的、光学的特性が均質 なものとなる。
[0012] したがって、この均一な単層カーボンナノチューブを紡績することによって得られる 、たとえば、線材は、線材内部に単層カーボンナノチューブが稠密にパッキングされ 、それぞれファンデルワールス力で強く結合した構造をとるため、不均一な直径分布 を有する単層カーボンナノチューブや直径の太いカーボンナノチューブを紡績した 線材に比べて、非常に強度の高い線材を与えることから、エレクトロニクス分野および 高強度炭素材料の分野等で多大な工業的貢献をもたらす。
[0013] また、本発明の単層カーボンナノチューブまたはこれを含む炭素繊維集合体の製 造方法によれば、直径が制御された単層カーボンナノチューブ殊に直径が 1. Onm 〜2. Onmの範囲内にあり、高純度の単層カーボンナノチューブおよびこれを含む炭 素繊維集合体を効率的、且つ大量'安価に製造することができる。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]図 1は、本発明の製造方法に用いられる代表的な縦型の単層カーボンナノチュ ーブ製造装置の説明図である。
[図 2]図 2は、試料 1〜7の光吸収スペクトルの測定グラフである。
[図 3]図 3は、試料 4の透過電子顕微鏡写真である。
[図 4]図 4は、試料 1〜7のラマンスペクトルにおける Gバンドと Dバンドの強度比の測 定グラフである。
[図 5]図 5は、試料 4の 2次元シートをリボン状に裁断した試料表面の走査型電子顕微 鏡写真である。
[図 6]図 6は、実施例 9で得た炭素系線材の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
[図 7]図 7は、実施例 9で得た炭素系線材の引っ張り強度試験のグラフである。
符号の説明
[0015] 1 電気炉
2 反応管
3 スプレーノズル 4 第 1キャリアガス流量計
5 第 2キャリアガス流量計
6 マイクロフィーダ一
7 回収フィルター
8 第 2炭素源流量計
9 ガス混合器
発明を実施するための最良の形態
[0016] 本発明の含炭素源から流動気相 CVD法により単層カーボンナノチューブまたはこ れを含む炭素繊維集合体を製造する方法は、含炭素源を少なくとも 2種類用意し、 第 1炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第 2炭素源として不飽和脂 肪族炭化水素を用いることを特徴として 、る。
[0017] ここでいう、「流動気相 CVD法」とは、「触媒 (その前駆体を含む)及び反応促進剤 を含む含炭素原料をスプレー等で霧状にして高温の加熱炉 (電気炉等）に導入する ことによって単層カーボンナノチューブを流動する気相中で合成する方法」と定義さ れる。
また、炭素源とは、一般に「炭素原子を含む有機化合物」を意味する。
[0018] 本発明において、第 1炭素源となる炭化水素は、常温で液体の飽和脂肪族炭化水 素であり、この飽和脂肪族炭化水素には、非環式および環式のいずれもが含まれる
[0019] 常温で液体の非環式飽和脂肪族炭化水素としては、一般式 C H で表されるアル n 2n+2
カン系化合物を挙げられる。このようなアルカン系化合物としては、たとえば、へキサ ン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ゥンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカ ン、ペンタデカン、へキサデカン、ヘプタデカンが例示される。本発明で好ましく使用 される第 1炭素源は、 n—ヘプタデカンである。
[0020] 環式飽和脂肪族炭化水素としては、単環系飽和脂肪族炭化水素、ビシクロ環系飽 和脂肪族炭化水素、縮合環系飽和脂肪族炭化水素等が挙げられ、本発明に使用さ れる第 1炭素源は常温で液体の条件を満たすことが必要である。このような環式飽和 脂肪族炭化水素としては、たとえば、シクロへキサン、デカリン (シスデカリン、トランス デカリンおよびこれらの混合物を含む）、テトラデカヒドロフエナントレンが例示される。 本発明で好ましく使用される第 1炭素源は、デカリンである。
[0021] 本発明において、第 2炭素源となる炭化水素は不飽和脂肪族炭化水素である。不 飽和脂肪族炭化水素としては、第 1炭素源で用いる飽和脂肪族炭化水素よりもより低 V、温度で熱分解するものを用いることが好ま 、。
このような不飽和脂肪族炭化水素としては、二重結合を有するエチレン、プロピレン、 三重結合を有するアセチレンなどが挙げられる。本発明で好ましく使用される第 2炭 素源は、エチレン又はアセチレン更に好ましくはエチレンである。
[0022] 本発明においては、炭素源として、上記第 1炭素源と第 2炭素源は適宜組み合わ せればよいが、第 1炭素源と第 2炭素源の分解温度と反応制御性の点力 みて、デ カリンを第 1炭素源とした場合には、第 2炭素源としてこれより熱分解温度が低い、ェ チレン、アセチレン等を用いることが好ましい。
[0023] また、第 1炭素源と第 2炭素源の使用割合は、目標とする単層カーボンナノチュー ブの直径によって定められるが、室温における第 1炭素源と第 2炭素源の体積の比（ 第 2炭素源の体積) Z (第 1炭素源の体積)で表すと、 1. 0 X 10〜： L 0 X 105、好ま しくは 1. 5 X 101〜6. 3 X 104、更に好ましくは、 1. 0 X 102〜1. 0 X 104である。
[0024] 単層カーボンナノチューブの効率的な作製の観点から、その割合 (第 2炭素源の体 積) / (第 1炭素源の体積)が 1. 0 X 105以下であることが好ましぐ第 2炭素源の流 量制御および均一に反応させるという観点から、その割合が 1. 0 X 10°以上であるこ とが好ましい。
[0025] また、第 1炭素源と第 2炭素源を反応器への導入方法は、副反応制御の点力 み て、第 1炭素源が導入される前に第 2炭素源を導入してはならず、好ましくは第 1炭素 源と第 2炭素源を同時に反応器に導入するのがよい。
[0026] この場合の流量は、特に制限はなぐ反応器の容量および形状、キャリアガスの流 量等に応じて適宜選ばれる。
[0027] また、第 1炭素源および第 2炭素源は反応を迅速、且つ、均一に行わせるために、 キャリアガスと共に反応器に導入するのが好ま 、。
[0028] キャリアガスとしては、従来公知の水素、または水素を含む不活性ガスが好ましく使 用される。
[0029] キャリアガスと第 1炭素源の使用割合は、第 1炭素源とキャリアガスの室温における 体積の比（第 1炭素源の体積) Z (キャリアガスの体積）が 5. 0 X 10_8〜1. 0 X 10"4 、好ましくは 1. 0 X 10_7〜1. O X 10—5である。
[0030] 本発明により単層カーボンナノチューブまたはこれを含む炭素繊維集合体を製造 するには、たとえば、触媒と、反応促進剤と、前記第 1炭素源と、第 2炭素源および好 ましくはキャリアガスのそれぞれをあるいはこれらを混合して得られる原料混合物を反 応器内における 800〜1200° Cの温度に維持された反応領域に供給すればよい。
[0031] 本発明で使用する触媒は金属の種類やその形態の違いに特に制限されるもので はな!ヽが、遷移金属化合物又は遷移金属超微粒子が好ましく用いられる。
前記遷移金属化合物は、反応器内で分解することにより、触媒としての遷移金属微 粒子を生成することができ、反応器内における 800〜1200° Cの温度に維持された 反応領域に、気体若しくは金属クラスタの状態で供給されるのが好ましい。
[0032] 前記遷移金属原子としては、鉄、コバルト、ニッケル、スカンジウム、チタン、バナジ ゥム、クロム、マンガン等を挙げることができ、中でもより好ましいのは鉄、コバルト、二 ッケノレである。
[0033] 前記遷移金属化合物としては、例えば、有機遷移金属化合物、無機遷移金属化合 物等を挙げることができる。前記有機遷移金属化合物としては、フエ口セン、コバルト セン、 -ッケ口セン、鉄カルボ-ル、ァセチルァセトナート鉄、ォレイン酸鉄等を挙げ ることができ、より好ましくはフエ口センである。前記無機遷移金属化合物としては塩 化鉄等を挙げることができる。
[0034] 本発明に係る反応促進剤としては、硫黄化合物が好ましく用いられる。この硫黄ィ匕 合物は、硫黄原子を含有し、触媒としての遷移金属と相互作用して、単層カーボンナ ノチューブの生成を促進させることができる。
[0035] 前記硫黄ィ匕合物としては、有機硫黄化合物、無機硫黄ィ匕合物を挙げることができる 。前記有機硫黄ィ匕合物としては、例えば、チアナフテン、ベンゾチォフェン、チォフエ ン等の含硫黄複素環式ィ匕合物を挙げることができ、より好ましくはチォフェンである。 前記無機硫黄化合物としては、例えば、硫ィ匕水素等を挙げることができる。 [0036] 本発明に係る単層カーボンナノチューブは、直径が 1. 0〜2. Onmの範囲内にあり 、且つラマンスペクトルにおける Gバンドと Dバンドの強度比 IG/IDが 200以上にある ことを特徴とする。
[0037] ここで、ラマンスペクトルにおける Gバンドとは、 1590cm_1付近に観測される振動 モードでグラフアイトのラマン活性モードと同種の振動モードであると考えられている。 一方、 Dバンドとは 1350cm_1付近に観測される振動モードである。グラフアイトはこ の振動数領域に巨大なフオノン状態密度をもつが、ラマン活性ではないために HOP G (高配向熱分解黒鉛)などの結晶性の高 ヽグラフアイトでは観測されな ヽ。しかし欠 陥が導入されると運動量保存則に破れが生じ、ラマンピークとなって観測される。そ のためこの種のピークは欠陥由来のピークとして考えられる。欠陥由来であるため結 晶性の低 、アモルファスやナノ粒子にぉ 、て、強 、強度で観測されることが知られて いる。したがって、これら Gバンドと Dバンドに由来するピークの強度比 IG/IDは単層 カーボンナノチューブの構造や純度の指標として客観性が高ぐ最も信頼できる純度 評価法の一つと言える。 IG/IDの値が高いほど、高純度で高品質なものとされる。
[0038] 本発明の背景技術の項で述べたように、単層カーボンナノチューブとしは、その直 径が l〜2nm程度の範囲内にあり、純度および均一性に優れたものが有効であると されているが、従来の方法では、このような均一性と高純度性を備えた直径範囲の単 層カーボンナノチューブを得ることはできなかった。
[0039] たとえば、基板 CVD法によれば、触媒金属微超粒子の直径を制御によって、単層 カーボンナノチューブの直径を 2nm超から 3nm程度に制御することが可能であるが 、これ以下の直径範囲で直径を精密に制御することは触媒となる金属超微粒子調製 の点からみて困難であり、また、レーザー蒸発法において触媒金属もしくは雰囲気温 度を調整することにより、何種類かの直径の単層カーボンナノチューブを得ることが できる力 得られる直径は極めて一部の範囲に限られていた。
[0040] また、いずれの方法においても、ラマンスペクトルにおける Gバンドと Dバンドの強度 比 IG/IDは高くてもせいぜい 100程度であり、一部に構造欠陥や不純物を包含する ものであって、高品質なものとはいえなかった。
[0041] これに対して、本発明に係る単層カーボンナノチューブは、従来のものとは異なり、 その直径が l〜2nm程度の範囲内にあり、かつ上記 IG/IDは少なくとも 200以上、よ り好ましくは 300以上を有するものであり、従来のものに比し、電気的、力学的、光学 的特性が均質なものである。
[0042] 殊に、その含有量が全体の 90at.%以上占める炭素繊維集合体は炭素繊維集合 体線材内部に単層カーボンナノチューブが稠密にパッキングされ、それぞれファンデ ルヮールスカで強く結合した構造をとるため、不均一な直径分布を有する単層カー ボンナノチューブや直径の太いカーボンナノチューブに比べて、非常に強度の高い 線材を与えることから、エレクトロニクス分野および高強度炭素材料の分野等で多大 な工業的貢献をもたらす。
[0043] この炭素繊維集合体はリボン状、シート状、スポンジ状などの形態に加工することが 可能である。また、上記リボン状形態に加工した炭素繊維集合体において単層カー ボンナノチューブの配向はリボンの 2次元平面内でランダムである力 このリボンを撚 ることによって炭素系線材を紡績することによって、紡績の過程で単層カーボンナノ チューブが線材を撚つた方向に配向させ、擬似的な 1次元構造を製造することもでき る。
[0044] この 1次元に配向した単層カーボンナノチューブで構成される炭素系線材は、直径 が均一であるために、線材内部に単層カーボンナノチューブが稠密にパッキングさ れ、それぞれファンデルワールス力で強く結合した構造をとる。従って不均一な直径 分布を有する単層カーボンナノチューブや直径の太いカーボンナノチューブを紡績 した線材に比べて、非常に強度の高い線材を製造することが可能である。
実施例
[0045] 以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例は、 本願発明の理解を容易にするためのものであり、これらの実施例に制限されるもので はない。すなわち、本願発明の技術思想に基づく変形、実施態様、他の例は、本願 発明に含まれるものである。
[0046] 実施例 1
図 1に示すような、縦型の単層カーボンナノチューブ製造装置を使用して本発明の 単層カーボンナノチューブを製造した。 本装置は 4kWの電気炉 1、内径 5. Ocm、外径 5. 5cmのムライト製反応管 2、スプレ 一ノズル 3、第 1キャリアガス流量計 4、第 2キャリアガス流量計 5、マイクロフィーダ一 6 、回収フィルター 7、第 2炭素源流量計 8、ガス混合器 9、で構成されている。
マイクロフィーダ一 6には、第 1炭素源となるデカリン:有機遷移金属化合物であるフ エロセン：有機硫黄ィ匕合物であるチォフェンの混合比力 重量比で 100： 4： 2の原料 液を貯留し、他方第 2炭素源としてエチレンを使用し、第 2炭素流量計 8、ガス混合器 9を経て、流量制御した。
流量 7LZminの水素をキャリアガスとして、 1200° Cに加熱された電気炉中の反応 管 2に、上記原料液を 3. 2 LZminの流速で 3時間スプレーすることによって流動 気相 CVD合成を行った。生成物は回収フィルター 7で捕集した。第 2炭素源流量を 0 . 5sccmに制御して製造した生成物を試料 1とした。この試料 1の収量は 18. 5mgで めつに。
実施例 1で製造した試料 1の直径を評価するために光吸収スペクトルの測定（島津 製作所製、 UV3150)を実施した。直径が制御されている試料の場合に限って、光 吸収スペクトルにおいて明確に Sl、 S2、 Mlピークが観測されることが知られており、 さらに Synthetic Metals vol. 103、 1999年 p. 2555に記載されているように、 単層カーボンナノチューブの光吸収スペクトルにおいて、観測される S1のピーク位 置によってナノチューブのバンドギャップ E sが分かり、この E s (eV)と直径 d (nm)と
11 11
が、
E s= l/d
11
の関係にあることから、単層カーボンナノチューブの直径を概算することができる。光 吸収スペクトル用のサンプル調製法は Applied Physics Letters vol. 88、 200 6年 p. 093123— 1記載の方法を用!/、た。試料 1で ίま、図 2【こ示すよう【こ 2420nm【こ 明確に S1ピークが観測されたことから、直径が制御された単層カーボンナノチューブ が合成されて 、ることが分力つた。
観測された 2420nmの S1ピークはバンドギャップ E s=0. 51eVに対応し、上記の
11
式から単層カーボンナノチューブの直径が、ほぼ 2. Onmであると概算される。すな わち、本実施例 1により、直径が 1. Onm以上 2. Onm以下である本発明の条件の中 で上限値を満たしており、直径分布が制御された優れた単層カーボンナノチューブ 力もなる炭素繊維集合体を得ることができた。
[0048] 実施例 2
第 2炭素源流量を 5. Osccm,反応時間を 1時間にした以外は、実施例 1と同様にし て実験を行った。これによつて得られた生成物を試料 2とする。
収量は 19. 5mgであり、実施例 1と同様にして単層カーボンナノチューブの直径分 布を見積もったところ、図 2に示すように 2285nmのピークが観測された。これは、直 径が 1. 9nmであることに対応する。
[0049] 実施例 3
第 2炭素源流量を 10. Osccmにした以外は、実施例 1、 2と同様にして実験を行った 。これによつて得られた生成物を試料 3とする。
収量は 20. 4mgであり、実施例 1と同様にして単層カーボンナノチューブの直径分 布を見積もったところ、図 2に示すように 2120nmのピークが観測された。これは、直 径が 1. 7nmであることに対応する。
この実施例 2、 3の結果から、製造した単層カーボンナノチューブの直径が実施例 1 に比べて 0. 1〜0. 2nm小さくなつていることが分かる。これは、第 2炭素源流量を適 切に調節することによって、単層カーボンナノチューブの径を約 0. lnm刻みで精密 にコントロールできることを意味して 、る。
[0050] 実施例 4
原料液流量を 5. O ^ L/min,反応時間を 5時間にした以外は、実施例 3と同様にし て実験を行った。これによつて得られた生成物を試料 4とする。
試料 4の収量は 123. Omgであり、 2次元シート状炭素繊維集合体として得られた。 実施例 1と同様にして単層カーボンナノチューブの直径分布を見積もったところ、図 2 に示すように 2000nmのピークが観測された。これは、直径が 1. 6nmであることに対 応する。
試料 4を透過電子顕微鏡（日本電子社製、 JEM1010)で観察した。この透過電子顕微 鏡写真を図 3に示す。これによつても、単層カーボンナノチューブが生成していること が確認できた。さらに、単層カーボンナノチューブの平均直径が 1. 6nmであることを 確認することができ、光吸収スペクトルによる直径評価の妥当性を得た。
[0051] 実施例 5
第 2炭素源流量をそれぞれ 15. 0、 20. 0、 50. Osccm、反応時間を 4時間にした以 外は、実施例 4と同様にして 3種類の実験を行った。これによつて得られた生成物を それぞれ試料 5、 6、 7とする。
実施例 1と同様にして試料 5、 6、 7の単層カーボンナノチューブの直径分布を見積も つたところ、図 2に示すようにそれぞれ 1700nm、 1500nm、 1200nm付近に SIに 由来するピークが観測された。これは、それぞれ直径が約 1. 4nm、 1. 2nm、 1. On mであることに対応する。すなわち、本実施例 5により、試料 7は直径が 1. Onm以上 2. Onm以下である本発明の条件の中で下限値を満たして!/ヽる。
[0052] 実施例 6
上記のように合成した試料 1 7につ 、て共鳴ラマンスペクトル（日本分光社製、 NR S— 2100、アルゴンレーザー 514. 5nm励起光使用）を測定した。それぞれの試料 につ 、てラマンスペクトルと IG/IDを図 4に示す。すべての試料につ!、て IG/IDが 20 0以上であることから、本発明の条件を満たしており、特に 350以上の値を示す試料 もあることから、本発明の技術を用いることによって高純度高品質な単層カーボンナ ノチューブを合成することができることが示された。
[0053] 実施例 7
実施例 4で用いた第 1炭素源であり触媒原料液中の有機溶媒であるデカリンの代わ りにシクロへキサン、 n-へキサン、 n-デカン、 n-ヘプタデカン、灯油、 LGO (軽質軽 油）を用いる以外は、実施例 4と同様にして実験を行ったところ、実施例 4と同程度の 収量で炭素繊維集合体が得られ、透過型電子顕微鏡によって単層カーボンナノチュ ーブであることが確認された。これらの試料について実施例 1と同様にして単層カー ボンナノチューブの直径分布を見積もったところ、それぞれ 2000nm、 2300nm、 21 00nm、 2000nmに吸収スペクトルの SIのピークが観測され、また、ラマンスペクトル を測定したところ IG/IDの値がそれぞれ 200以上を示した。したがってこれらの単層 カーボンナノチューブは直径が 1. Onm以上 2. Onm以下である本発明の条件を満 たしている。 [0054] 比較例 1
実施例 1および 2で用いた第 1炭素源であり触媒原料液中の有機溶媒であるデカリン の代わりにトルエンを用いる以外は、実施例 1、 2と同様にして実験を行った力 単層 カーボンナノチューブは全く得られな力つた。
[0055] 比較例 2
実施例 5で用いた第 2炭素源であるエチレンの代わりにメタンを用いる以外は、実施 例 5と同様にして 3種類の流量で実験を行った力 得られた単層カーボンナノチュー ブの直径を制御することができな力つた。
[0056] 実施例 8
触媒を鉄の超微粒子にした以外は、実施例 1と同様にして実験を行った。これによつ て得られた生成物を試料 8とする。試料 8の生成物について実施例 1と同様にして、 単層カーボンナノチューブの直径分布を見積もったところ、試料 1と同様に 2420nm の SIピークが観測され、また、ラマンスペクトルを測定したところ IG/IDの値がそれぞ れ 200以上を示した。これは、直径 2. Onmに対応するものである。
この実施例 8の場合も、直径が 1. Onm以上 2. Onm以下であり、 IG/IDが 200以上 であると！/ヽぅ条件を満たしており、直径が制御された優れた単層カーボンナノチュー ブカもなる炭素繊維集合体を得ることができた。
また、上記実施例 4と同様に透過型電子顕微鏡で観察したところ、単層カーボンナノ チューブの平均直径が直径 2. Onmであることを確認できた。
以上の実験結果から、本発明の単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体 の流動気相 CVD法による製造方法お ヽては、炭素源として反応器内に導入するァ ルカン系の有機溶媒よりも、より低い温度で熱分解する炭化水素を第 2炭素源とする のが有効である。また、この第 2炭素源の流量を増カロさせることにより、単層カーボン ナノチューブの径を小さくできることが確認できた。
[0057] 実施例 9
実施例 4で製造した単層カーボンナノチューブの 2次元シート状炭素繊維集合体の 試料 4をリボン状に裁断し、表面を走査型電子顕微鏡（日立製作所製、 S-5000)で観 察した。この電子顕微鏡写真を図 5に示す。これによると単層カーボンナノチューブ の配向はリボンの 2次元平面内でランダムであることと、また、本合成法の生成物は 極めて高純度でほとんど不純物を含まないことが分かる。
また、上記リボン状炭素繊維集合体を撚ることによって紡績し、最後にアセトンに含 浸させた後、乾燥させることによって炭素系線材を製造した。この炭素系線材の走査 型電子顕微鏡写真を図 6に示す。炭素系線材の紡績の過程で線材を撚つた方向に 単層カーボンナノチューブが配向していることが分かる。
上記の方法で得られた炭素系線材 (太さ： 80 μ m)の引っ張り強度試験 (島津製作所 製、島津オートグラフ AG— lOkNIS MS形)を行った結果を図 7に示す。引っ張り強 度試験によって lGPaまで応力が力かった後、試験機と炭素系線材との接合部が滑 つてしまい破断するまでには至らな力つた。従って得られた炭素系線材の引っ張り強 度は少なくとも lGPa以上であることが分力つた。

Claims

請求の範囲
[1] 直径が 1. 0〜2. Onmの範囲内にあり、且つラマンスペクトルにおける Gバンドと D バンドの強度比 IG/IDが 200以上であることを特徴とする単層カーボンナノチューブ
[2] 請求項 1記載の単層カーボンナノチューブの含有量が全体の 90at.%以上である ことを特徴とする炭素繊維集合体。
[3] 第 1炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第 2炭素源として常温で 気体の不飽和脂肪族炭化水素を用いることを特徴とする、流動気相 CVD法による炭 素源からの単層カーボンナノチューブまたはこれを含む炭素繊維集合体の製造方法
[4] 第 1炭素源が、一般式 C H (n=6〜17)で表される非環式飽和脂肪族炭化水素 n 2n+2
又は環式飽和脂肪族炭化水素であることを特徴とする請求項 3に記載の単層カーボ ンナノチューブの製造方法。
[5] 環式飽和脂肪族炭化水素がデカリンであることを特徴とする請求項 4に記載の単層 カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体の製造方法。
[6] 第 2炭素源が、エチレン又はアセチレンであることを特徴とする請求項 3に記載の単 層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体の製造方法。
[7] 請求項 3〜6の何れかに記載の製造方法により得られる直径が 1. 0〜2. Onmの範 囲内にある単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体。
[8] 形状がリボン状またはシート状であることを特徴とする請求項 7に記載の単層カーボ ンナノチューブを含む炭素繊維集合体。
[9] 請求項 8に記載の単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体を紡績するこ とによって得られる高強度炭素系線材。
PCT/JP2007/058865 2006-04-24 2007-04-24 単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体並びにそれらの製造方法 WO2007125923A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020087025502A KR101355038B1 (ko) 2006-04-24 2007-04-24 단층 카본나노튜브, 상기 단층 카본나노튜브를 함유하는 탄소섬유 집합체 및 그들의 제조 방법
JP2008513225A JPWO2007125923A1 (ja) 2006-04-24 2007-04-24 単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体並びにそれらの製造方法
CN2007800148312A CN101437755B (zh) 2006-04-24 2007-04-24 单层碳纳米管、含有该单层碳纳米管的碳纤维集合体及它们的制造方法
EP07742300.2A EP2025643B1 (en) 2006-04-24 2007-04-24 Method for producing single-walled carbon nanotubes
US12/226,619 US20090186223A1 (en) 2006-04-24 2007-04-24 Single-Walled Carbon Nanotubes, Carbon Fiber Aggregate Containing the Single-Walled Carbon Nanotubes, and Method for Producing Those

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006119774 2006-04-24
JP2006-119774 2006-04-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007125923A1 true WO2007125923A1 (ja) 2007-11-08

Family

ID=38655449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/058865 WO2007125923A1 (ja) 2006-04-24 2007-04-24 単層カーボンナノチューブ、該単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体並びにそれらの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090186223A1 (ja)
EP (1) EP2025643B1 (ja)
JP (2) JPWO2007125923A1 (ja)
KR (1) KR101355038B1 (ja)
CN (1) CN101437755B (ja)
TW (1) TWI383952B (ja)
WO (1) WO2007125923A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009041140A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 擬似円筒状単層中空炭素繊維
JP2010216018A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Shinshu Univ ポリビニルアルコール系コンポジット繊維およびその製造方法
US8591858B2 (en) 2008-05-01 2013-11-26 Honda Motor Co., Ltd. Effect of hydrocarbon and transport gas feedstock on efficiency and quality of grown single-walled nanotubes
KR101389259B1 (ko) 2009-03-23 2014-04-24 헤레우스 노블라이트 게엠베하 탄소 적외선 히터용 탄소 밴드를 제조하기 위한 방법, 탄소 적외선 히터를 제조하기 위한 방법, 및 탄소 적외선 히터
JP2015057367A (ja) * 2008-05-01 2015-03-26 本田技研工業株式会社 高品質なカーボン単層ナノチューブの合成
WO2015083701A1 (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 国立大学法人静岡大学 カーボンナノチューブ撚糸、カーボンナノチューブ撚糸の製造方法および紡績源
JP2017210563A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光応答性分散剤と高結晶・長尺カーボンナノチューブを主要成分とする導電膜形成用インクおよびその薄膜

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG175115A1 (en) 2009-04-17 2011-11-28 Seerstone Llc Method for producing solid carbon by reducing carbon oxides
RU2455229C2 (ru) * 2010-07-02 2012-07-10 Общество с ограниченной ответственностью "НаноТехЦентр" Способ получения углеродных наноматериалов
JP6328611B2 (ja) 2012-04-16 2018-05-23 シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー 非鉄触媒で炭素酸化物を還元するための方法および構造
NO2749379T3 (ja) 2012-04-16 2018-07-28
CN104302576B (zh) 2012-04-16 2017-03-08 赛尔斯通股份有限公司 用于捕捉和封存碳并且用于减少废气流中碳氧化物的质量的方法和系统
CN104302575B (zh) 2012-04-16 2017-03-22 赛尔斯通股份有限公司 通过还原二氧化碳来产生固体碳的方法
US9475699B2 (en) 2012-04-16 2016-10-25 Seerstone Llc. Methods for treating an offgas containing carbon oxides
US9896341B2 (en) 2012-04-23 2018-02-20 Seerstone Llc Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution
US10815124B2 (en) 2012-07-12 2020-10-27 Seerstone Llc Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same
JP6284934B2 (ja) 2012-07-12 2018-02-28 シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー カーボンナノチューブを含む固体炭素生成物およびそれを形成する方法
MX2015000580A (es) 2012-07-13 2015-08-20 Seerstone Llc Metodos y sistemas para formar productos de carbono solido y amoniaco.
US9779845B2 (en) 2012-07-18 2017-10-03 Seerstone Llc Primary voltaic sources including nanofiber Schottky barrier arrays and methods of forming same
CN104936893A (zh) 2012-11-29 2015-09-23 赛尔斯通股份有限公司 用于产生固体碳材料的反应器和方法
WO2014150944A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Seerstone Llc Methods of producing hydrogen and solid carbon
WO2014151898A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Seerstone Llc Systems for producing solid carbon by reducing carbon oxides
EP3113880A4 (en) 2013-03-15 2018-05-16 Seerstone LLC Carbon oxide reduction with intermetallic and carbide catalysts
US10115844B2 (en) 2013-03-15 2018-10-30 Seerstone Llc Electrodes comprising nanostructured carbon
EP3129135A4 (en) 2013-03-15 2017-10-25 Seerstone LLC Reactors, systems, and methods for forming solid products
WO2015011755A1 (ja) * 2013-07-22 2015-01-29 村田機械株式会社 糸製造装置
JP6039534B2 (ja) 2013-11-13 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 カーボンナノチューブの生成方法及び配線形成方法
KR101599494B1 (ko) * 2014-12-04 2016-03-03 한국과학기술연구원 플라즈마 방전을 이용한 탄소나노튜브섬유 제조장치, 제조방법 및 그로부터 제조된 탄소나노튜브섬유
CN106705835B (zh) * 2015-07-14 2019-01-18 中国石油化工股份有限公司 精确测量烃类包裹体体积的方法
US10266411B2 (en) 2015-07-16 2019-04-23 Toray Industries, Inc. Method of producing carbon nanotube-containing composition
CN107002306B (zh) * 2015-07-24 2020-05-12 Lg化学株式会社 用于制造碳纳米管纤维的装置
WO2017057751A1 (ja) 2015-10-01 2017-04-06 株式会社名城ナノカーボン カーボンナノチューブの製造装置および製造方法
WO2018022999A1 (en) 2016-07-28 2018-02-01 Seerstone Llc. Solid carbon products comprising compressed carbon nanotubes in a container and methods of forming same
KR102133623B1 (ko) 2016-10-12 2020-07-13 주식회사 엘지화학 단일벽 탄소나노튜브 섬유 집합체 제조 방법
KR102098989B1 (ko) 2017-01-04 2020-04-08 주식회사 엘지화학 탄소나노튜브 섬유 집합체 강도 조절 방법
WO2018163957A1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-13 大陽日酸株式会社 カーボンナノチューブ、炭素系微細構造物、及びカーボンナノチューブ付き基材、並びにそれらの製造方法
DE102018113473B4 (de) 2017-06-12 2020-07-09 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. In-situ-Verfahren und Apparatur zur kontinuierlichen Herstellung von Garnen aus Kohlenstoffnanotubes sowie derart hergestellte Garne aus Kohlenstoffnanotubes
KR101972987B1 (ko) * 2017-12-11 2019-04-29 한국과학기술연구원 고강도 및 고전도도 탄소나노튜브 섬유 연속 제조방법
WO2019189831A1 (ja) 2018-03-30 2019-10-03 古河電気工業株式会社 カーボンナノチューブ線材
US11939219B2 (en) * 2018-12-27 2024-03-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Carbon nanotube assembled wire, carbon nanotube assembled wire bundle, and carbon nanotube structure
CN110980691B (zh) * 2019-11-27 2022-08-09 中国科学院金属研究所 一种直径可控、高纯度单壁碳纳米管的宏量制备方法
KR102358843B1 (ko) * 2019-12-19 2022-02-08 한국과학기술연구원 연속식 카본나노튜브의 제조장치
CN114808196B (zh) * 2022-04-19 2023-06-23 江西省纳米技术研究院 碳纳米管制备装置、其注入组件及碳纳米管制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07197325A (ja) 1993-12-28 1995-08-01 Nec Corp 単層カーボンナノチューブの製造法
JPH10120409A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Toyo Tanso Kk 単層ナノチューブの分離・精製方法及び金属内包ナノカプセルの分離・精製方法
JPH10273308A (ja) 1997-03-27 1998-10-13 Mitsubishi Chem Corp 単原子層カーボンナノチューブの製造方法
JP2000095509A (ja) * 1998-07-21 2000-04-04 Showa Denko Kk カ―ボンナノチュ―ブの製造方法および製造用触媒
JP2001080913A (ja) 1999-07-13 2001-03-27 Nikkiso Co Ltd 炭素質ナノチューブ、繊維集合体及び炭素質ナノチューブの製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6455021B1 (en) * 1998-07-21 2002-09-24 Showa Denko K.K. Method for producing carbon nanotubes
JP4177533B2 (ja) * 1999-10-08 2008-11-05 日機装株式会社 微細気相成長炭素繊維製造装置、微細気相成長炭素繊維の製造方法、微細気相成長炭素繊維付着防止装置及び微細気相成長炭素繊維
JP4132480B2 (ja) * 1999-10-13 2008-08-13 日機装株式会社 カーボンナノファイバースライバー糸状糸及びその製造方法
JP2001139317A (ja) * 1999-11-09 2001-05-22 Natl Inst Of Advanced Industrial Science & Technology Meti 一方向配列カーボンチューブの製造方法
WO2003072859A1 (en) * 2002-02-22 2003-09-04 Rensselaer Polytechnic Institute Direct synthesis of long single-walled carbon nanotube strands
TWI318962B (en) * 2002-12-06 2010-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Carbon nanotubes, methods and apparatus for making the same
CN100473601C (zh) * 2003-01-23 2009-04-01 佳能株式会社 制造纳米碳材料的方法
JP2004352592A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Canon Inc コイル状カーボン材料の製造方法
GB0316367D0 (en) * 2003-07-11 2003-08-13 Univ Cambridge Tech Production of agglomerates from gas phase
JP2005314206A (ja) * 2003-09-02 2005-11-10 Toray Ind Inc カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ含有組成物
CN1302986C (zh) * 2004-05-10 2007-03-07 华东理工大学 一种制备碳纳米管的方法
US20060078489A1 (en) * 2004-09-09 2006-04-13 Avetik Harutyunyan Synthesis of small and narrow diameter distributed carbon single walled nanotubes
JP4706058B2 (ja) * 2005-01-04 2011-06-22 独立行政法人産業技術総合研究所 極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07197325A (ja) 1993-12-28 1995-08-01 Nec Corp 単層カーボンナノチューブの製造法
JPH10120409A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Toyo Tanso Kk 単層ナノチューブの分離・精製方法及び金属内包ナノカプセルの分離・精製方法
JPH10273308A (ja) 1997-03-27 1998-10-13 Mitsubishi Chem Corp 単原子層カーボンナノチューブの製造方法
JP2000095509A (ja) * 1998-07-21 2000-04-04 Showa Denko Kk カ―ボンナノチュ―ブの製造方法および製造用触媒
JP2001080913A (ja) 1999-07-13 2001-03-27 Nikkiso Co Ltd 炭素質ナノチューブ、繊維集合体及び炭素質ナノチューブの製造方法

Non-Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"March Meeting, Preprint", 13 March 2006, AMERICAN PHYSICAL SOCIETY
APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 88, 2006, pages 093123 - 1
DILLON A.C. ET AL.: "Systematic inclusion of defects in pure carbon single-wall nanotubes and their effect on the Raman D-band", CHEMICAL PHYSICS LETTERS, vol. 401, no. 4-6, 2005, pages 522 - 528, XP004696554 *
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, vol. 106, 16 February 2002 (2002-02-16), pages 2429
SAITO T. ET AL.: "Size control of metal nanoparticle catalysts for the gas-phase synthesis of single-walled carbon nanotubes", JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, vol. 109, no. 21, 2005, pages 10647 - 10652, XP003016998 *
SAITO T. ET AL.: "Tanso Carbon Nano Tube no Sentakuteki Chokkei Seigyo Gosei", BUNSHI KOGO SOGO TORONKAI KOEN YOSHISHU (CD-ROM), 2005, pages 2B17, XP003017000 *
SCIENCE, vol. 273, 1996, pages 483
See also references of EP2025643A4
SYNTHETIC METALS, vol. 103, 1999, pages 2555
TAKESHI SAITO ET AL.: "Synthesis and Diameter-Control of Single-Walled Carbon Nanotubes by the Direct-Injection-Pyrolytic-Synthesis (DIPS) Method", THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN MAGNETICS KENKYUKAI SHIRYO, vol. EFM-05, no. 14-21, 2005, pages 5 - 10, XP003016999 *
YONGFU LIAN ET AL.: "Spectroscopic study on the centrifungal fractionation of soluble single-walled carbon nanotubes", CARBON, vol. 43, no. 13, 2005, pages 2750 - 2759, XP005004225 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009041140A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 擬似円筒状単層中空炭素繊維
US8591858B2 (en) 2008-05-01 2013-11-26 Honda Motor Co., Ltd. Effect of hydrocarbon and transport gas feedstock on efficiency and quality of grown single-walled nanotubes
JP2015057367A (ja) * 2008-05-01 2015-03-26 本田技研工業株式会社 高品質なカーボン単層ナノチューブの合成
US9174847B2 (en) * 2008-05-01 2015-11-03 Honda Motor Co., Ltd. Synthesis of high quality carbon single-walled nanotubes
US10850984B2 (en) 2008-05-01 2020-12-01 Honda Motor Co., Ltd. Synthesis of high quality carbon single-walled nanotubes
JP2010216018A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Shinshu Univ ポリビニルアルコール系コンポジット繊維およびその製造方法
KR101389259B1 (ko) 2009-03-23 2014-04-24 헤레우스 노블라이트 게엠베하 탄소 적외선 히터용 탄소 밴드를 제조하기 위한 방법, 탄소 적외선 히터를 제조하기 위한 방법, 및 탄소 적외선 히터
WO2015083701A1 (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 国立大学法人静岡大学 カーボンナノチューブ撚糸、カーボンナノチューブ撚糸の製造方法および紡績源
JPWO2015083701A1 (ja) * 2013-12-03 2017-03-16 国立大学法人静岡大学 カーボンナノチューブ撚糸、カーボンナノチューブ撚糸の製造方法および紡績源
JP2017210563A (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光応答性分散剤と高結晶・長尺カーボンナノチューブを主要成分とする導電膜形成用インクおよびその薄膜

Also Published As

Publication number Publication date
CN101437755B (zh) 2011-04-20
CN101437755A (zh) 2009-05-20
JP5645090B2 (ja) 2014-12-24
KR20080113242A (ko) 2008-12-29
TW200804179A (en) 2008-01-16
JP2013035750A (ja) 2013-02-21
EP2025643A1 (en) 2009-02-18
KR101355038B1 (ko) 2014-01-24
EP2025643B1 (en) 2018-03-07
TWI383952B (zh) 2013-02-01
US20090186223A1 (en) 2009-07-23
JPWO2007125923A1 (ja) 2009-09-10
EP2025643A4 (en) 2012-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5645090B2 (ja) 単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体の製造方法及び該方法で製造された単層カーボンナノチューブを含む炭素繊維集合体。
Terranova et al. The world of carbon nanotubes: an overview of CVD growth methodologies
US7833505B2 (en) Methods and systems for synthesis on nanoscale materials
Lee et al. Synthesis of high-quality carbon nanotube fibers by controlling the effects of sulfur on the catalyst agglomeration during the direct spinning process
Qin CVD synthesis of carbon nanotubes
Ci et al. Controllable growth of single wall carbon nanotubes by pyrolizing acetylene on the floating iron catalysts
Qiu et al. Catalytic synthesis of single-walled carbon nanotubes from coal gas by chemical vapor deposition method
Yardimci et al. The effects of catalyst pretreatment, growth atmosphere and temperature on carbon nanotube synthesis using Co–Mo/MgO catalyst
Mahanandia et al. A one-step technique to prepare aligned arrays of carbon nanotubes
Yu et al. Effect of the reaction atmosphere on the diameter of single-walled carbon nanotubes produced by chemical vapor deposition
Angulakshmi et al. Response surface methodology for optimizing process parameters for synthesis of carbon nanotubes
Donato et al. Influence of carbon source and Fe-catalyst support on the growth of multi-walled carbon nanotubes
Toussi et al. Effect of synthesis condition on the growth of SWCNTs via catalytic chemical vapour deposition
Jin et al. Low-temperature synthesis and characterization of helical carbon fibers by one-step chemical vapour deposition
Bai et al. Effects of temperature and catalyst concentration on the growth of aligned carbon nanotubes
López et al. A study of carbon nanotube formation by C2H2 decomposition on an iron based catalyst using a pulsed method
JP4706058B2 (ja) 極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体の製造方法
WO2017010523A1 (ja) カーボンナノチューブ含有組成物の製造方法
Shah et al. Parameters Involved in CVD Growth of CNT: A Review
He et al. Study of aluminum powder as transition metal catalyst carrier for CVD synthesis of carbon nanotubes
Park et al. Parametric study on synthesis of carbon nanotubes by the vertical spray pyrolysis method
Abdullayeva et al. Synthesis of carbon nanotubes from byproducts of oil refiner
WO2020027000A1 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
Firdaus et al. Effect of Reaction Time and Catalyst Feed Rate towards Carbon Nanotubes Yields and Purity by Using Rotary Reactor
Dikio A comparative study of carbon nanotubes synthesized from Co/Zn/Al and Fe/Ni/Al catalyst

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07742300

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087025502

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008513225

Country of ref document: JP

Ref document number: 200780014831.2

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007742300

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12226619

Country of ref document: US