WO2007119631A1 - 帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物 - Google Patents

帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物 Download PDF

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WO2007119631A1
WO2007119631A1 PCT/JP2007/057342 JP2007057342W WO2007119631A1 WO 2007119631 A1 WO2007119631 A1 WO 2007119631A1 JP 2007057342 W JP2007057342 W JP 2007057342W WO 2007119631 A1 WO2007119631 A1 WO 2007119631A1
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WO
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ion
carbon atoms
bis
tbp
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Application number
PCT/JP2007/057342
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English (en)
French (fr)
Inventor
Yasuhiro Shiomi
Original Assignee
Koei Chemical Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Koei Chemical Company, Limited filed Critical Koei Chemical Company, Limited
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/16—Anti-static materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0075—Antistatics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/50—Phosphorus bound to carbon only

Definitions

  • the present invention relates to an antistatic agent and an antistatic resin composition containing the same.
  • quaternary phosphonium salts have been used as antistatic agents such as resins, for example (for example, Japanese Patent No. 3 37 3398, Japanese Patent No. 3 390 665, Japanese Patent No. 342 7848, 2004-002730, WO 20 0 5 066 2 59).
  • resins for example, Japanese Patent No. 3 37 3398, Japanese Patent No. 3 390 665, Japanese Patent No. 342 7848, 2004-002730, WO 20 0 5 066 2 59.
  • the surface resistance value of the resin is usually about 10 12 ⁇ or more, and depending on the application, the surface resistance value of the resin is further reduced.
  • An antistatic agent that can be used is desired. Disclosure of the invention
  • the present invention provides an antistatic agent containing a quaternary phosphoyu salt having an excellent antistatic ability, which can lower the surface resistance value more than before, and an antistatic agent comprising the same.
  • the resin composition is provided.
  • R 1 is an alkyl group or aryl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 is the same force as R 1 , an aryl group or an aryl group.
  • R 1 is an aryl group
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group
  • A— represents a bis (perfluoroalkanessulfonyl) imide ion or a perylene group. Fluoroalkane sulfonate ion)
  • R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group, and when R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 4 is the same as R 3 , Represents an alkyl group, and when R 3 is an aryl group, R 4 represents an alkyl group having from 1 to 16 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, and B- represents an anion.
  • the phosphonium salt represented by formula (1) (1) and the phosphonium salt represented by formula (2) do not become the same compound).
  • the present invention provides the following [1] to [6].
  • Equation (1) ' [1] Equation (1) ':
  • R 1 is an alkyl or aryl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 is the same as R 1 when R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • R 1 is an aryl group
  • R 2 represents an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group
  • A— represents a bis (perfluoroalkanesulfonyl) imide ion or a perylene group. Fluoroalkansnorephonate ion
  • At least one of the quaternary phosphonium salts hereinafter referred to as phosphonium salts (1)
  • formula (2) At least one of the quaternary phosphonium salts (1)), and the formula (2):
  • R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group, and when R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 4 is the same as R 3 , Quaternary phosphonium salt represented by the following formula: R 4 represents an alkyl group, R 3 represents an aryl group, R 4 represents an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, and B— represents an anion. (Hereinafter referred to as Phosphonium Salt (2)) as an active ingredient (However, Phosphonium Salt (1) and Phosphonium Salt (2) are not the same compound). Antistatic agent characterized by.
  • Anion represented by B is bis (perfluoroalkanesulfonyl) imide ion, perfluoroalkane sulfonic acid ion, perfluoroalkane carboxylic acid ion, phenolic snorphonic acid ion, anorequino
  • the antistatic agent according to [1] which is a rebenzenesulfonic acid ion, a fluorine-containing inorganic acid ion or an oxyacid ion.
  • the mixing ratio of at least one selected from the phosphonium salt (1) and at least one selected from the phosphonium salt (2) is 80: 20-2 by weight ratio.
  • R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group, and preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group.
  • the aryl group include a phenyl group, naphthyl group, pyridyl group, quinolyl group, and isoquinolyl group, which may have a substituent.
  • phenyl group 2-methylphenyl group.
  • 3_methylphenyl group 4-methylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethylphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 4_tert_butoxyphenyl group, 4_nitrophenyl group, Examples thereof include a pyridyl group, a quinolyl group, and an isoquinolyl group.
  • R 1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, preferably having 1 to 4 carbon atoms. It is an alkyl group.
  • an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and an aryl group examples thereof include the same ones as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and the aryl group.
  • Examples of the aralkyl group include groups in which a hydrogen atom having the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is substituted with the aryl group, specifically, a benzyl group, a phenethyl group, a naphthylmethyl group, a diphenyl group, and the like. A dimethyl group etc. can be illustrated.
  • R 1 is an aryl group
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group.
  • Examples of the alkyl group having 1 to 16 carbon atoms include linear and branched alkyl groups having 1 to 16 carbon atoms.
  • the aryl group and the aralkyl group are the same as the aryl group and the aralkyl group, respectively.
  • a 1 is bis (perfluoroalkanesulfonyl) imide ion or perfluoroalkanesulfonic acid ion.
  • the bis (perfluoroalkanesulfoninole) imidazole ion has the formula (3):
  • R f 1 and R f 2 may be the same or different and each represent a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Examples of the perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by 1 include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, nonafluorobutyl group and the like.
  • perfluororear / lecan sulfonate ions examples include perfluoroalkane sulfonate ions having 1 to 8 carbon atoms. Specifically, for example, trifluoromethane sulfonate ion (CFgSOg—), pentafluoroethane sulfonate ion, and the like.
  • R 3 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group, and preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. These may be the same as the alkyl groups or aryl groups having 1 to 4 carbon atoms shown above.
  • R 4 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an aryl group or an aralkyl group, and preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. These may be the same as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, aryl group, or aryl group shown above.
  • R 3 is an aryl group, examples thereof include the same alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, the same aryl group and the same aralkyl group as those described above.
  • perfluoroalkanecarboxylate ion examples include perfluoroalkanecarboxylate ions having 1 to 8 carbon atoms.
  • perfluoroalkanecarboxylate ions having 1 to 8 carbon atoms.
  • trifluorate acetate ion CF 3 COO
  • pentafluoropropionate ion CF 3 CF 2 COO—
  • heptafluorobutanoate ion [CF 3 (CF 2 ) 2 COO—
  • pentadecafluorooctanoic acid ion [CF 3 (C′F 2 ) 6 COO—] and the like, preferably trifluoroacetate ion (CF 3 COO).
  • inorganic acid ions include tetrafluoroborate ion (BF 4 _), hexafluorophosphate ion (PF 6 —), hexafluoroantimonate ion (S b F 6 —), Orotantaru acid ion (T a F 6 _) or the like of the fluorine-containing non-machine acid ion, for example, perchloric acid ion (C L_ ⁇ 4 -), nitrate ion (N0 3 I), sulfate ion (S_ ⁇ 4 2 —) ', Phosphate ions (P 0 4 3 —), borate ions (B 0 3 3 —), and other oxygen acid ions, preferably tetrafluoroborate ions (BF 4 ) chlorate ion (C 1_Rei 4 T) and nitrate ion (N0 3 -) is.
  • perchloric acid ion C L_ ⁇ 4
  • alkane sulfonate ions examples include methane sulfonate ion (CH 3 S0 3 —), ethane sulfonate, (CH 3 CH 2 S0 3 —), butane sulfonate ion [CH 3 (CH 2 ) 3 S 0 3- ], octane sulfonic acid ion '[CH 3 (CH 2 ) 7 S 0 3 —] and the like.
  • alkylbenzene sulfonate ions include p-toluene sulfonate ion (p _CH 3 C 6 H 4 S 0 3 —), decylbenzene sulfonate ion [p— CH 3 (CH 2 ) 9 C 6 H 4 S 0 3 —], Dodecylbenzene sulfonate ion [p-CH a (CH 2 ) X 1 C 6 H 4 S 0 3 ⁇ ], tetradecylbenzene sulfonate ion [p— CH 3 (CH 2 ) 13 C 6 H 4 S0 3 )], or a branched type thereof, preferably dodecylbenzenesulfonate ion [p-CH 3 (CH 2 ).
  • p _CH 3 C 6 H 4 S 0 3 — decylbenzene sulfonate ion [p— CH 3 (CH 2 ) 9 C 6 H
  • alkanecarboxylate ions examples include formate ion (HCOO), acetate ion (CH.COO—), propionate ion (CH 3 CH 2 COO), butane Acid ions [CH 3 (CH 2 ) 2 COO 1], octanoic acid ions [CH 3 (CH 2 ) 6 COO—], decanoic acid ions [CH 3 (CH 2 ) 8 COO 1] and the like.
  • alkylbenzene carboxylate ion examples include benzoate ion (C 6 H 5 CO 2 O—), salicylate ion [o_C 6 H 4 (OH) COO 1], and the like.
  • cyanogen-containing ions examples include disanamide ion [N (CN) 2 ⁇ ], thiocyanate ion (S CN—), and the like.
  • halogen ion examples include fluoro ion (F_), chloro ion (C 1—), promo ion (B r—), or iodide ion (I ⁇ ).
  • Specific examples of the phosphonium salt (1) include the following.
  • Me is a methyl group
  • Et is an ethyl group
  • Pr is a propyl group
  • Bu is a butyl group
  • Ph is a phenyl 3 ⁇ 4
  • Bn is a benzyl group
  • He is A heptyl group
  • D dec represents a dodecyl group
  • H dec represents a hexadecyl group.
  • tetrabutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [Bu 4 P + * (CF 3 S 0 2 ) 2 ⁇ -]
  • tetrabutylphosphonium bis (pentafluoroethanesulfonyl) Imidate [B u 4 ⁇ + ⁇ (CF 3 CF 2 S 0 2 ) 2 ⁇ —]
  • tetraptylphosphoyuum bis (heptafluoropropanthenophonyl) imidate [B u 4 ⁇ ⁇ ⁇ (CF 3 CF 2 CF 2 S0 2 ) 2 N-]
  • tetrabutylphosphonium bis (nonafluorobutanesulfonyl) imidate [B u 4 P +.
  • Tetraphenylenophosphophosphonium-bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [Ph 4 P + * (CF 3 S0 2 ) 2 N ⁇ ], triphenylmethylphosphoyuum bis (triphenoleomethanesulfonyl) imidate [Ph 3 Me P + -(CF 3 S0 2 ) 2 N-], triphenylethylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [P h 3 E t P + ⁇ (CF 3 S 0 2 ) 2 N—], triphenyl Norepropinorephosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [P h 3 P r P + ⁇ (CF a S 0 2 ) 2 N]], triphenylbutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) Imidate [P h 3 B u P + ⁇ (CF 3 S 0 2 ) 2
  • tetrabutylphosphonium Nonafnoreobutanesulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 (CF 2 ) 3 , S0 3 — Particularly preferred is tetrabutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfoninole) imidate [B u 4 P + ⁇ (CF 3 S0 2 ) 2 N].
  • At least one of the phosphonium salts (1) and at least one of the phosphonium salts (2) when used together with one kind, it is particularly preferred that at least one of the phosphorous salts (1) in which R 1 and R 2 are both alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and 1 3 and 1 4 are both used in combination with at least one Hosuhoniumu salt is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (2).
  • Tetrabutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [Bu 4 P +. (CF 3 S 0 2 ) 2 N] and tetrabutylphosphonium bis (pentafluoroethanesulfonyl) imidate [ B u 4 P + . (CF 3 CF 2 S 0 2 ) 2 ⁇ ] ⁇
  • Tetrabutylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [Bu 4 P +. (CF 3 S ⁇ 2 ) 2 N—] and tetrabutylphosphonium nitetra 57342 Ptylphosphonium tritrifluoro'loacetate [Bu 4 P + 'CF 3 C ⁇ —],' Tetraptinorephosphonium bis (trifnoleolomethanes / lephonyl) imidate [B u 4 P +. (CF 3 S ⁇ 2 ) 2 N 1] and tetrabutylphosphoniumnitetrafluoroborate [B u 4 P + ⁇ BF 4 —],
  • Tetraptinorephosphonium nib (trifnoleolomethanesulphonyl) imidate [ ⁇ 4 ⁇ + ⁇ (CF 3 S ⁇ 2 ) 2 N] and tetrabutylphosphonium nitrate [B u 4 P + ⁇ N ⁇ 3 —],
  • Tetrabutylphosphonium tritrifluoromethanesulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 S0 3 —] and tetrabutylphosphonium nononafluorobutanesulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 (CF 2 ) 3 S0 3 _]
  • Tetrabutylphosphonium trifluoromethanesulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 S0 3 —] and tetrabutyl phosphonium tetrapylphosphonium trifluoracetate [B u 4 P + ⁇ CF 3 CO ⁇ —],
  • Tetrabutylphosphonium trifluoromethanesulfonate [Bu 4 P + ⁇ CF 3 SO.
  • One] to the tetra-heptyl phosphonyl ⁇ -time Kisa Full O Russia phosphine Art [B u 4 P + ⁇ PF 6 -],
  • Tetrabutylphosphonium trifluoromethanesulfonate [ ⁇ ⁇ 4 ⁇ + ⁇ CF 3 S ⁇ 3 —] Tetrabutyl phosphonivum methanesulfonate [Bu 4 P + 'C H3SO3-],
  • Tetrabutynolephosphonium trifnoleolomethanesulphonate [ ⁇ 4 ⁇ + ⁇ CF 3 S 0 3 —] and tetrabutylphosphonium dodecylbenzenesulfonate [Bu 4 P + -p— CH 3 (CH 2 ) 11 C 6 H 4 S0 3- ],
  • Tetrabutinorephosphonium nonafnoroleptan sulfonate [B u 4 P + ⁇ CF a (CF 2 ) 3 S0 3 _] and tetrabutylphosphonium nonafrobutans sulfonate [Bu 4 P + 'CF 3 (CF 2 ) 3 S0 3 —]
  • Tetrabutylphosphonium nonaf / leolobutanesulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 (CF 2 ) 3 S0 3 —] and tetrabutylphosphonium tetraptylphosphonium trifluoroacetate [Bu 4 P + ⁇ CF 3 COO],
  • Tetraptylphosphonium nonafluorobutane sulfonate [B u 4 P + ⁇ CF 3 (CF 2 ) 3 S0 3 ] and tetraptyl phosphoyuum tetrafluoroborate [B u 4 P + ⁇ BF 4- ],
  • Tetrabutylphosphonium nonafluorobutanesulfonate [Bu 4 P + ⁇ CF 3 (CF 2 ) 3 SO. 1] and tetrabutylphosphonium nitrate [Bu 4 P + ⁇ N0 3 —] etc.
  • the mixing ratio of at least one of the phosphonium salts (1) and at least one of the phosphonium salts (2) is usually 9 5: 5 ⁇ 5: 9 5, preferably 8 0: 20 to 20: 80.
  • the method for preparing the antistatic agent of the present invention includes, for example, 1) at least one phosphonium salt (1) and at least one phosphonium salt (2), usually at 100 ° C.
  • At least one phosphonium salt (1) and at least one phosphonium salt (2) in a suitable solvent examples include a method in which the solvent is removed by mixing with stirring and then the solvent is removed if necessary, but the method is not particularly limited as long as these active ingredients are uniformly mixed.
  • the method 1) after mixing, in the case of the method 2), after removing the solvent, if necessary, it is cooled to room temperature (approximately 10 ° C to 30 ° C). Obtained as a shape.
  • the antistatic agent of the present invention can be used by mixing an additive such as a stabilizer or a solvent, if necessary.
  • the antistatic resin composition can be produced by a method such as adding such an antistatic agent to the resin composition material at the time of producing the resin composition.
  • the resin used in the antistatic resin composition of the present invention usually include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a photocurable resin (for example, an acrylic photocurable resin).
  • Thermoplastic resins include polyethylene, polypropylene, copolymers of ethylene or propylene with other vinyl monomers such as butyl acetate, hyolein, (meth) acrylic acid esters, norbornene addition polymers, norbornene Such as addition copolymers of benzene and rain, ring-opening polymer hydrogenated polymer of norbornene, ring-opening polymer hydrogenated polymer of cyclopentagen, ring-opening polymer hydrogenated polymer of cyclohexagen, etc.
  • Polyolefin Polyvinyl chloride, Polyvinyl chloride Chlorine-containing resins such as denene; Styrene resins such as polystyrene, AS resin, ABS resin, MS resin, MBS resin; (Meth) acrylol resin such as polyacrylic acid, polymethatallic acid, methyl polymethacrylate; aromatic dihydroxy compounds (for example, polycarbonates such as aromatic polycarbonate produced from bisphenol A) and carbonyl chloride or diphenyl carbonate; polyamides such as nylon 4, nylon 6, nylon 8, nylon 11, nylon 12 and nylon 6 6; Examples thereof include thermoplastic polyimides such as polyetherimides; polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate; and mixtures thereof. Of these resins, polycarbonate, polyolefin, (meth) acrylic resin and polyester are preferred.
  • thermosetting resins examples include epoxy resins (for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, phenol nopolac type epoxy resin, etc.), thermosetting polyimides. (For example, polycondensate of pyromellitic anhydride and bis (4-aminophenyl) ether, etc.), polyurethane, phenol resin: amino resin (for example, melamine resin, urea resin, etc.), among which epoxy resin is preferred .
  • epoxy resins for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, phenol nopolac type epoxy resin, etc.
  • thermosetting polyimides for example, polycondensate of pyromellitic anhydride and bis (4-aminophenyl) ether, etc.
  • polyurethane for example, melamine resin, urea resin, etc.
  • amino resin for example, melamine resin, urea resin, etc.
  • the content of the antistatic agent of the present invention in the resin composition of the present invention is 0.1 to 30 3 ⁇ 4% by weight, preferably 1 to 25% by weight, particularly preferably 2 to 2% based on the resin. 0% by weight.
  • the antistatic resin composition of the present invention can be produced by directly adding and mixing an antistatic agent during the production or processing of the resin.
  • additives include dyes, pigments, scavengers, fillers, plasticizers, antioxidants, flame retardants, and UV absorbers.
  • An excellent antistatic agent can be provided. If the antistatic agent is blended with the resin, an antistatic resin composition having a further reduced surface resistance can be produced.
  • each abbreviation represents the following phosphonium salt.
  • Tetrabutylphosphonium para-toluenesulfonate [B u 4 P + ⁇ p—CH 3 C 6 H 4 S0 3 ]
  • Tetrabutylphosphonium dodecylbenzenesulfonate [Bu 4 P + -p -CH 3 (CH 2 )
  • TEP— TF SI Tetraethylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [E t 4 P + '(CF 3 S0 2 ) 2 N]
  • TPhHe p P— TF Triphenyl heptylphosphonium bis (trifluoromethanesulfonyl) imidate [P h 3 He p P + . (CF 3 S 0 2 ) 2 N
  • TP h P-NF Tetraphenylphosphonium nonafrobutanesulfonate [Ph 4 P + 'CF 3 (CF 2 ) 3 S0 3 ]
  • Triphenylenohepetit / Rephosphonium Nitrato [P h 3 H ep P + ⁇ N0 3 "]
  • TPhBP— TF SI Triphenylptinorephosphonium bis (trifnofluoromethanesulfonyl) imidate [P h 3 B u P + ⁇ (CF 3 S ⁇ 2 ) 2 N—] Examples 1 to 7, Comparative Example 1 And 2 '
  • Bisphenol A type epoxy resin “Epicoat 8 28” (epoxy equivalent 1 8 6 gZe q, registered trademark, manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) 8. 80 g, curing agent iminobispropylamine 1.20 g, and table Mixture ratio of TBP—TF SI and TPP—TF in the weight ratio shown in 1 0.50 g (5% by weight based on the resin), TB P—TF SI alone 0.50 g or TB P—TF alone 0 50 g was mixed to obtain an epoxy resin iE composition.
  • the epoxy resin composition was poured into a circular mold having a diameter of 5 Omm ⁇ depth of 1 Omm, and heat-cured at 50 ° C. for 1 hour and further at 100 ° C.
  • test piece was allowed to stand in an atmosphere of 23 ° C. and 50% RH for 6 hours, and then the surface resistance value of the test piece was measured at 23 ° C. and 50% RH. Table 1 shows the measurement results.
  • the surface resistance value of the epoxy resin composition containing the antistatic agent of the present invention is as follows: T P—TFSA and TBP—TF
  • Test specimens were prepared and allowed to stand in the same manner as in Example 4 except that TBP-TF SI and TPP-TF were replaced with phosphonium salt (1) and phosphonium salt (2) shown in Table 2, respectively. And the surface resistance value was measured. Table 2 shows the measurement results.
  • Example 11 TBP-TFSI TBP-TFA 2.3 10 9
  • Example 12 TBP-TFSI TBP-BF4 5.OX 10 8
  • Example 13 TBP-TFSI TBP-PF6 3.OX 10
  • Example 14 TBP-TFSI TBP-MS 6.4 x 10 10
  • Example 15 TBP-TFSI TBP-PTS 2.5 10
  • Example 16 TBP-TFSI TBP-DBS 9.5X 10 9
  • Example 17 TBP-TFSI TBP-CI04 4.9x 10 9
  • Example 18 TBP-TFSI TEP-TFSI 7.7X10 9
  • Example 19 TBP-TFSI TPhBnP-TFSI 8.9X10 10
  • Example 20 TBP-TFSI TPhHepP-TF 2.O 10
  • Example 21 TBP-TFSI TPhHepP— N03 5.6X 10 9
  • Example 22 TEP-TFSI TBP- DBS 7.6X10 9
  • Example 23 TPhBP-TF
  • T P -TFSI and T P P-TF were replaced with phosphonium salt (1) and phosphonium salt (2) shown in Table 3, respectively, the preparation of specimens, The surface resistance value was measured. Table 3 shows the measurement results.
  • a test piece was prepared, allowed to stand, and the surface resistance value was measured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Ding 8? -Ding 31 was replaced with the phosphonium salt shown in Table 4. Table 4 shows the measurement results.
  • Pellet-shaped polycarbonate “Caliper” (registered trademark, manufactured by Sumitomo Dow Co., Ltd.) 3 ⁇ g is dissolved in 270 g of a mixed solution of ⁇ -methyl-2-pyrrolidone ZTHF (50/50) Prepared.
  • Power River solution 1 0 g to the weight mixing ratio shown in Table 6 T BP- TF SI and a mixture of TB P- TF 0. 025 g (2. 5 wt 0/0 relative to resin), Ding 8? - Ding? 3 1 alone 0.025 g or TPP-TF alone 0.025 g was added and mixed for 1 hour at room temperature.
  • the resulting mixture is poured into an aluminum case with a diameter of 5 Omm, and the solvent is removed at 1600 ° C for 1 hour, followed by 2100 ° C for 1 hour, and a test sheet with a thickness of about 0.4mm is obtained.
  • the test sheet was allowed to stand in an atmosphere of 23 ° C. and 50% RH for 6 hours, and then the surface resistance value of the back and front surfaces of the test sheet was measured at 23 ° C. and 50% RH. 'The results are shown in Table 6.
  • Pellet-shaped polyolefin “Z EONOR 1 0 2 0 R” (registered trademark, manufactured by ZEON Co., Ltd.) 30 g into a mixed solution of hexane / THF (8 0/2 0) Dissolved to prepare a 10 wt% EONOR 10 20 R solution.
  • ZE ONOR solution A mixture of TB P—TFSI and TPP-TF with the weight mixing ratio shown in Table 7 in 10 g 0.02 g (2% by weight based on the resin), TPP—TFSI alone 0.02 g or TPP-TF alone 0.02 g was added and mixed for 1 hour at room temperature. The resulting mixture was coated on an anoromi sheet using a bar coater (# 3 2), then dried at 120 ° C. for 1 hour, and Z EONOR 10 0 20 R having a thickness of about 5 m. A test film was prepared. The test film was allowed to stand in an atmosphere of 23 ° C. and 50% RH for 6 hours, and then the surface resistance values of the back and front surfaces of the test film were measured at 23 ° C. and 50% RH. Table 7 shows the results. 'Table 7 Surface resistance ( ⁇ )
  • Atalyl resin “SK Dyne 1435” (registered trademark, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd.) 10 parts by weight, 2 parts by weight of a mixture of TBP—TFSI and TBP—TF with the weight mixing ratio shown in Table 8
  • a coat night was prepared by adding 2 parts by weight of TBP—TF SI alone or 2 parts by weight of TBP—TF alone and 190 parts by weight of ethyl acetate as a diluent solvent.
  • a bar coater (# 16) the coating solution was coated on the polyester film with a dry thickness of about 1.2 m, and then dried at 60 ° C for 1 hour to prepare a test film.
  • the test film was allowed to stand in an atmosphere of 15 to 20 ° C. and 50% RH for 24 hours, and then the surface resistance value of the coated surface was measured at 20 ° C. and 50% RH. Table 8 shows the results.
  • the surface resistance value of the acrylic resin composition containing the antistatic agent of the present invention is within a wide range of the weight mixing ratio of TBP-TFSI and TBP-TF.
  • B P-TF SI and TB P—TF are low compared to the case where TF is used alone. Examples 41-43, Comparative Examples 33 and 34
  • Polyester “Pylon 20 SS” (registered trademark, manufactured by Toyobo Co., Ltd.) 10 parts by weight of a mixture of TBP—TFSI and TBP—TF in the weight mixing ratio shown in Table 9;
  • TBP— A coating solution was prepared by adding 1 part by weight of TF SI alone or 1 part by weight of TPP-TF alone and 90 parts by weight of methyl ethyl ketone Z toluene (20-80) as a diluent solvent.
  • a bar coater (# 16) the coating solution was coated on the polyester film with a dry thickness of about 1.2 am, and then dried at 60 ° C for 1 hour to prepare a test film.
  • the test film was allowed to stand in an atmosphere of 15 to 20 ° C. and 50% RH for 24 hours, and then the surface resistance value of the coated surface was measured at 20 ° C. and 50% RH. Table 9 shows the results.
  • the surface resistance value of the polyester resin composition containing the antistatic agent of the present invention is within a wide range of the weight mixing ratio of TBP-TF SI and TBP-TF, and TBP-TF SI and It can be seen that TBP-TF is lower than when TF is used alone.

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Description

帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物 技術分野
本発明は、 帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物に関する
背景技術
従来、 第四級ホスホニゥム塩は、 例えば樹脂等の帯電防止剤として用いられて いる （例えば、 特許第 3 37 3398号公報、 特許第 3 390 66 5号公報、 特許第 342 7848号公報、 特開 2004— 002730号公報、 WO 20 0 5 066 2 59参照） 。 本発明者が第四級ホスホニゥム塩を 1種類のみ樹 脂に用いた場合、 樹脂の表面抵抗値は通常約 1 012 Ω程度以上であり、 用途に よっては、 樹脂の表面抵抗値をさらに低下できる帯電防止剤が望まれている。 発明の開示
本発明は、 従来に比べて、 より表面抵抗値を低下することができる、 優れた 帯電防止能を持つ第四級ホスホユウム塩を含有する帯電防止剤、.及びそれを含 有してなる帯電防止性樹脂組成物を提供するものである。
本発明者が、 上記課題を解決するために鋭意検討したところ、 驚くべきことに、 式 （1) ：
(R1) 3R2P+ · A - (1)
(式中、 R1は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R1が炭素数 1〜4のアルキル基のときには R2は R1と同じである力、 ァリール基又はァラ ルキル基を示し、 R1がァリール基のときには R 2は炭素数 1〜1 6のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 A—はビス （パーフルォロアルカンス ルホニル） ィミ ドイオン又はパーフルォロアルカンスルホン酸イオンを示 す。 ） で表される第四級ホスホニゥム塩の少なくとも 1種、 及び式 （2) ： (R3) 3R4P+ . B- (2)
(式中、 R3は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R 3が炭素数 1〜4のアルキル基のときには R 4は R3と同じであるか、 ァリール基又はァラ ルキル基を示し、 R 3がァリール基のときには R 4は炭素数：！〜 1 6のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 B-はァニオンを示す。 ） で表される 第四級ホスホニゥム塩の少なくとも 1種との併用 （但し、 式 （1) で表される ホスホニゥム塩 （1) と式 （2) で表されるホスホニゥム塩が同一の化合物に なることはない。 ） を行なったところ、 これらの併用によって、 それぞれ単独 で用いた場合に比べてより表面抵抗値が低下することを見出し、 本発明を完成 するに至った。 即ち、 本発明は、 以下の [1] 〜 [6] を提供するものである。
[1] 式 （1)' ：
(R1) 3R2P+ ' A (1)
(式中、 R1は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R1が炭素数 1〜 4 'のアルキル基のときには R 2は R1と同じである力 \ ァリール基又はァラ ルキル基を示し、 R1がァリール基のときには R 2は炭素数 1〜 1 6のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 A—はビス （パーフルォロアルカンス ルホニル） イミ ドイオン又はパーフルォロアルカンスノレホン酸イオンを示 す。 ） で表される第四級ホスホニゥム塩 （以下、 ホスホニゥム塩 （1 ) とい う。 ） の少なくとも 1種、 及び式 （2) ：
(R3) 3R4P+ · B- (2)
(式中、 R 3は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R 3が炭素数 1〜4のアルキル基のときには R 4は R3と同じであるか、 ァリール基又はァラ ルキル基を示し、 R3がァリール基のときには R4は炭素数 1〜 1 6のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 B—はァニオンを示す。 ） で表される 第四級ホスホニゥム塩 （以下、 ホスホニゥム塩 （2) とレヽう。 ） の少なく とも 1種を有効成分として含有する （但し、 ホスホニゥム塩 （1) とホスホニゥム 塩 （2) が同一の化合物になることはない。 ） ことを特徴とする帯電防止剤。 [2] B一で示されるァニオンが、 ビス （パーフルォロアルカンスルホニル） イミ ドイオン、 パーフルォロアルカンスルホン酸イオン、 パーフルォロアルカ ンカルボン酸イオン、 ァノレ力ンスノレホン酸ィオン、 ァノレキノレベンゼンスルホン 酸イオン、 含フッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである [1] に記載の帯電 防止剤。
[3] 式 （1) 及び式 （2) 中、 I 1、 R2、 R3及び R4が、 いずれも炭素数 1〜4のアルキル基である [1] 又は [2] に記載の帯電防止剤。
[4] ホスホニゥム塩 （1) から選ばれる少なく とも 1種とホスホニゥム塩 (2) から選ばれる少なくとも 1種との混合割合が、 重量比で 80 ： 20〜2
0 : 80の割合である、 請求項 1〜 3のいずれかに記載の帯電防止剤。
[5] [1] 〜 [4] のいずれかに記載の帯電防止剤を樹脂に含有せしめて なることを特徴とする帯電防止性樹脂糸且成物。 ·
[6] 樹脂がエポキシ樹脂、 ポリ ーボネート、 ポリオレフイン、 （メタ） アクリル樹脂又はポリエステルである [5] に記載の帯電防止性樹脂組成物。 以下、 本発明を詳細に説明する。
式 （1) 中、 R1は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 好まし くは炭素数 1〜4のアルキル基である。 炭素数 1〜4のアルキル基としては、 具体的には、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 イソブチル基、 s e c—ブチル基、 t e r t—ブチル基が挙げられる。 ァリ ル基としては、 例えば置換基を有していてもよいフエニル基、 ナフチル基、 ピ リジル基、 キノリル基及びィソキノリル基等が挙げられ、 具体的にはフヱニル 基、 2 _メチルフエ二ノレ基、 3 _メチルフエニル基、 4—メチルフエニル基、 2 , 4ージメチルフエニル基、 3， 5—ジメチルフエニル基、 4ーメ トキシフ ェニノレ基、 4 _ t e r t _ブトキシフエ二ノレ基、 4 _ニトロフエニル基、 ピリ ジル基、 キノリル基及びイソキノリル基等が挙げられる。
式 （1) 中、 R2は、 R1が炭素数 1〜4のアルキル基のときは、 炭素数 1〜 4のアルキル基、 ァリール基又はァラルキル基であり、 好ましくは炭素数 1〜 4のアルキル基である。 炭素数 1〜4のアルキル基及びァリール基としては、 前記炭素数 1 ~4のアルキル基及び前記ァリール基とそれぞれ同じものが挙げ られる。 ァラルキル基としては、 例えば前記炭素数 1〜4のアルキル基が有す る水素原子を.前記ァリール基に置換した基が挙げられ、 具体的には、 ベンジル 基、 フエネチル基、 ナフチルメチル基、 ジフエ二ルメチル基等を例示できる。 また、 R1がァリール基のときは、 R2は炭素数 1〜 1 6のアルキル基、 ァリ ール基又はァラルキル基である。 炭素数 1〜 1 6のアルキル基としては、 炭素 数 1〜1 6の直鎖状、 分岐鎖状めアルキル基が挙げられ、 具体的には、 メチル 基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 イソブチル基、 s e c _ブチル基、 t e r t—ブチル基、 ペンチル基、 へキシル基、 シクロへキシ ル基、 へプチル^、 ォクチル基、 2 _ェチルへキシル基、 ノニル基、 デシル、 ドデシル基、 テトラデシル基、 へキサデシル基等が挙げられる。 ァリール基及 ぴァラルキル基としては、 前記ァリール基及ぴ前記ァラルキル基と同じものが、 それぞれ挙げられる。
式 （1) 中、 A一は、 ビス (パーフルォロアルカンスルホニル) イミ ドイオン 又はパーフルォロアルカンスルホン酸イオンである。 ビス （パーフルォロアル カンスルホ二ノレ) イミ ドイオンとしては、 式 (3) ：
(Rf 1 S 02) (Rf 2S02) N— (3)
(式中、 Rf 1及び Rf 2は同じであっても異なっていてもよく、 炭素数 1〜4の パーフルォロアルキル基を示す。 ） で表されるァユオンであり、 1 ^及ぴ1 で示される炭素数 1〜4のパーフルォロアルキル基としては、 例えばトリフル ォロメチル基、 ペンタフルォロェチル基、 ヘプタフルォロプロピル基、 ノナフ ルォロブチル基等が挙げられる。 具体的には、 ビス （トリフルォロメタンスル ホニル） イミ ドイオン [ (C F a S02) 2N— ] 、 ビス （ペンタフルォロェタン スルホニル) イミ ドイオン [ (CF3CF2S〇2) 2N— ] 、 ビス （ヘプタフルォ 口プロパンスルホニル） イミ ドイオン [ (CF3CF2CF2S02) 2N— ] 、 ビ ス (ノナフルォロブタンスルホニル) イミ ドイオン [ (CF3CF2CF2CF2 S02) 2N— ] 、 (トリフノレオ口メタンスルホニノレ) (ペンタフ/レオ口エタンス ルホニル） イミ ドイオン [ (C F 3 S 02) (CF3CF2S02) N- ] 、 (トリ フノレオロメタンスルホニル) (ヘプタフルォロプロパンスノレホニノレ） イミ ドィ オン [ (C F 3 S 02) (CF3CF2CF2S02) N- ] 、 トリフルォロメタン スルホニル) (ノナフ/レオロブタンスルホニル) イミ ドイオン [ (C F a S O 2) (CF3CF2CF2CF2S02) N— ] 等が挙げられ、 好ましくはビス （ト. リ フルォロメタンスルホニル) ィ ミ ドイオン [ (C F a S 02) 2N- ] 、 ビス (ペンタフルォロエタンスルホニル) イミ ドイオン [ (CF3CF2S〇2) 2N ―] である。
パーフルォロア/レカンスルホン酸イオンとしては、 炭素数 1〜 8のパーフル ォロアルカンスルホン酸イオンが挙げられ、 具体的には、 例えばトリフルォロ メタンスルホン酸イオン （CFgSOg— ) 、 ペンタフルォロエタンスルホン酸ィ オン （CF3CF2S03— ) 、 ヘプタフルォロプロパンスルホン酸イオン [CF3 (CF2) 2 S〇3 -] 、 ノナフルォロブタンスルホン酸イオン [C F a (C F 2) 3 S〇3 -] 、 ヘプタデカフルォロオクタンスルホン酸イオン [C F 3 (C F 2) 7 S〇3-] 等が挙げられ、 好ましくはノナフルォロブタンスルホン酸イオン [C F3 (CF2) 3S03— ] である。 式 （2) 中、 R3は、 炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 好ま しくは炭素数 1〜4のアルキル基である。 これらはそれぞれ前記に示された炭 素数 1〜 4のァルキル基又はァリール基と同じものが挙げられる。
R4は、 R3が炭素数 1〜4のアルキル基のときは、 炭素数 1〜4のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基であり、 好ましくは炭素数 1〜4のアルキル 基である。 これらはそれぞれ前記に示された炭素数 1〜4のアルキル基、 ァリ ール基又はァリール基と同じものが挙げられる。 R3がァリール基のときは、 前 記の炭素数 1〜1 6のアルキル基、 前記ァリール基又は前記ァラルキル基と同 じものがそれぞれ挙げられる。
式 （2) 中、 B一で示されるァニオンとしては、 前記ビス （パーフルォロアル カンスルホニル） イミ ドイオン及び前記パーフノレオロアノレカンスノレホン酸ィォ ンの他、 パーフノレオロアルカン力ノレボン酸イオン、 無機酸イオン、 アルカンス ノレホン酸イオン、 アルキルベンゼンスルホン酸イオン、 アル力ンカルボン酸ィ オン、 アルキルベンゼンカルボン酸イオン、 含シァノイオン又はハロゲンィォ ンであり、 好ましくはビス （パーフルォロアルカンスルホニル） イミ ドイオン、 パーフルォロアルカンスルホン酸イオン、 パーフルォロアルカンカルボン酸ィ オン、 アルカンスノレホン酸イオン、 ァノレキルベンゼンスノレホン酸イオン、 含フ ッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである。
パーフルォロアルカンカルボン酸イオンとしては、 炭素数 1〜8のパーフノレ ォロアルカンカルボン酸イオンが挙げられる。 具体的には、 例えばトリフルォ 口酢酸イオン （CF3COO一） 、 ペンタフルォロプロピオン酸イオン （CF3C F2COO— ) 、 ヘプタフルォロブタン酸イオン [CF3 (CF2) 2COO— ] 、 ペンタデカフルォロオクタン酸イオン [CF3 (C'F2) 6CO〇— ] 等が挙げら れ、 好ましくはトリフルォロ酢酸イオン （CF3COO一） である。 - 無機酸イオンとしては、 例えばテトラフルォロホウ酸イオン （BF4_) 、 へ キサフルォロリン酸イオン （P F6— ) 、 へキサフルォロアンチモン酸イオン (S b F6— ) 、 へキサフルォロタンタル酸イオン （T a F6_) 等の含フッ素無 機酸イオン、 例えば過塩素酸イオン （C l〇4— ) 、 硝酸イオン （N03一） 、 硫 酸イオン （S〇4 2— )'、 リン酸イオン （P 04 3— ) 、 ホウ酸イオン （B 03 3— ) 等の酸素酸イオンが挙げられ、 好ましくはテトラフルォロホウ酸イオン （BF4 一） 、 過塩素酸イオン （C 1〇4T) 及び硝酸イオン （N03— ) である。
アルカンスルホン酸イオンとしては、 例えばメタンスルホン酸イオン (CH3 S03— ) 、 エタンスルホン酸、 （CH3CH2S03— ) 、 ブタンスルホン酸ィォ ン [CH3 (CH2) 3 S 03- ] 、 ォクタンスルホン酸ィオン' [CH3 (CH2) 7 S〇3— ] 等が挙げられる。 アルキルベンゼンスルホン酸イオンとしては、 例え ばパラトルエンスルホン酸イオン (p _CH3C6H4 S 03— ) 、 デシルベンゼン スルホン酸イオン [p— CH3 (CH2) 9C6H4S〇3— ] 、 ドデシルベンゼン スルホン酸イオン [ p - C H a (CH2) X 1 C6H4 S 03~] 、 テトラデシルベン ゼンスルホン酸イオン [p— CH3 (CH2) 13C6H4S03一] 、 又はこれらの 分枝型が挙げられ、 好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸イオン [p—CH3 (CH2).
Figure imgf000008_0001
一] である。
アルカンカルボン酸イオンとしては、 例えばギ酸イオン （HCOO一） 、 酢酸 イオン （CH。COO— ) 、 プロピオン酸イオン （CH3CH2COO一） 、 ブタン 酸イオン [CH3 (CH2) 2CO〇一] 、 オクタン酸イオン [CH3 (CH2) 6 COO—] 、 デカン酸イオン [CH3 (CH2) 8COO一] 等が挙げられる。 アル キルベンゼンカルボン酸イオンとしては、 例えば安息香酸イオン （C6H5CO O— ) 、 サリチル酸イオン [o_C6H4 (OH) COO一] 等が挙げられる。 含シァノイオンとしては、 例えばジシァナミ ドイオン [N (CN) 2- ] 、 チ オシアン酸イオン (S CN— ) 等が挙げられる。 ハロゲンイオンとしては、 例え ばフルォロイオン （F_) 、 クロロイオン （C 1— ) 、 プロモイオン （B r—) 又 はョードイオン ( I -) が挙げられる。 ホスホニゥム塩 （1) の具体例としては、 以下に示すものが挙げられる。 な お、 以下、 Meはメチル基を、 E tはェチル基を、 P rはプロピル基を、 B u はブチル基を、 P hはフエ二ル¾を、 Bnはベンジル基を、 He pはへプチル 基を、 D d e cはドデシル基を、 H d e cはへキサデシル基をそれぞれ表す。 例えば、 テトラブチルホスホニゥム =ビス (トリフルォロメタンスルホ二 ル） イミダート [Bu4P+ * (CF3S 02) 2Ν―] 、 テトラブチルホスホニゥ ム=ビス (ペンタフルォロェタンスルホニル） イミダート [ B u 4 Ρ + · (C F 3 C F 2 S 02) 2Ν— ] 、 テトラプチルホスホユウム =ビス (ヘプタフルォロプロ パンスノレホニル) イミダート [ B u 4 Ρ ÷ · (CF3CF2CF2S02) 2N -] 、 テトラブチルホスホニゥム =ビス (ノナフルォロブタンスルホニル) ィミダー ト [B u4P+ . (CF3CF2CF2CF2S〇2) 2N— ] 、 テトラブチルホスホ ニゥム = (トリフノレオロメタンスノレホニル） （ペンタフ/レオ口エタンスノレホニ ル） イミダート [B u4P+ · (CF3S02) (CF3CF2S〇2) N— ] 、 テト ラブチノレホスホニゥム= (トリフルォロメタンスルホニル） (ヘプタフノレォロ プロパンスルホニル） イミダート [Βιι4Ρ+ · (C F 3 S 02) (CF3 C F2C F2S02) N— ] 、 テトラブチルホスホニゥム- (トリフルォロメタンスルホニ ル） (ノナフルォロブタンスルホニル) イミダート [ B u 4 P + · (C F 3 S O 2) (CF3CF2CF2CF2S02) N一] 、 テトラメチルホスホニゥムニビス (トリフルォロメタンスルホニル) イミダート [Me 4 P + · (CF3S〇2) 2N 一] 、 テトラエチノレホスホニゥム=ビス (トリフノレオロメタンスルホニノレ) イミ ダート [E t 4P+ . (CF3 S02) 2N— ] 、 テトラプロピルホスホニゥム=ビ ス （トリフルォロメタンスルホニル） イミダート [Ρ Γ 4Ρ+ · (CF3S〇2) 2 N―] 、 トリメチノレフエ二ノレホスホニゥム=ビス （トリフノレ才ロメタンスノレホニ ル） イミダート [Me 3Ph P+ . (CF3S〇2) 2N— ] 、 トリェチルフエニル ホスホニゥムニビス （トリフルォロメタンスノレホニル） イミダート [E t 3P h Ρ+ · (CF3S02) 2N— ] 、 トリプロピルフエニルホスホニゥム=ビス （トリ フルォロメタンスルホニル) イミダート [ P r 3 P h P + ' (C F 3 S O 2) 2N 一] 、 トリプチノレフエ二ノレホスホニゥムニビス （トリフ /レオロメタンスノレホニ ル） イミダート [Bu3P h P+ . (CF3S〇2) 2N— ] 、 トリメチルベンジル ホスホニゥムニビス （トリフノレオロメタンスノレホニ イミダート [Me 3B n Ρ+ · (CF3S〇2) 2N— ] 、 トリェチルベンジノレホスホニゥム=ビス （トリフ ルォロメタンスノレホニル） イミダート [E t 3B n P+ · (C F 3 S 02) 2N -] 、 トリプロピルべンジルホスホニゥム-ビス （トリ：7ルォロ タンスルホニル） イミダート [P r 3Bn P+ . (CF3S02) 2N— ] 、 トリブチルベンジルホス ホニゥム=ビス （トリフノレオロメタンスルホ二ノレ） イ ミダート [ B u 3 B n P + · (CF3S〇2) 2N- ] 、
テトラフエ二ノレホスホニゥム=ビス （トリ フルォロメタンスルホニル） イミ ダート [Ph4P+ * (CF3 S02) 2N~] 、 トリフエニルメチルホスホユウム =ビス （トリフノレオロメタンスルホニル） イミダート [Ph3Me P+ - (CF3 S02) 2N―] 、 トリフエニルェチルホスホニゥム=ビス （トリフルォロメタン スルホニル) イミダート [P h 3E t P+ · (C F 3 S 02) 2N— ] 、 トリフエ二 ノレプロピノレホスホニゥム =ビス (トリフルォロメタンスルホニル) イミダート [P h 3 P r P+ · (C F a S 02) 2N一〕 、 トリフエニルブチルホスホニゥム = ビス (トリフルォロメタンスルホニル) イミダート [P h 3B u P+ · (C F 3 S 02) 2N— ] 、 トリフエニルヘプチルホスホニゥムニビス （トリフルォロメタン スルホニル） イミダート [Ph3He p P+， (C F a S 02) 2N— ] 、 トリフエ ニノレドデシグレホスホニゥム=ビス （トリフノレオロメタンスノレホニノレ） ィミダー ト [P h3D d e c P+ . ( C F 3 S〇 2) 2 N―] 、 トリフエニルへキサデシルホ スホニゥム =ビス （トリフルォロメタンスルホ-ノレ） イミダート [Ph。Hd e c P+ - (C F 3 S 02) 2N— ] 、 トリフエニルベンジルホスホ-ゥム=ビス （ト リフルォロメタンスルホニル） イミダート [Ph3'BnP+ . (C F 3 S 02) 2N -] 、
テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホ^ "一ト [B u 4 P + · CF3S〇3— ] 、 テトラブチルホスホニゥム=ペンタフルォロエタンスノレホナー ト [B u4P+ · CF3CF2 S03— ] 、 テトラブチルホスホニゥム=ノナフルォ ロブタンスルホナート [B u4P+ · CF3 (CF2) 3S〇3— ] 、 テトラプチル ホスホニゥム=ヘプタデカフルォロオクタンスルホナート [B u 4 P+ · C F 3
(C F 2) 7 S〇3 -] 、 テトラメチルホスホニゥム=トリフノレオロメタンスルホ ナート [Me 4P+ · C F3 S 03— ] 、 テトラエチルホスホニゥム=トリフルォロ メタンスルホナート [E t 4P+ · CF3S〇3一] 、 テトラプロピルホスホユウム =トリフルォロメタンスルホナート [P r4P+ ' CF3S03— ] 、 トリメチルフ ェニルホスホニゥムニトリフルォロメタンスルホナート [Me 3PhP+ ' CF3 S 03一] 、 トリエチノレフェニルホスホニゥム==トリフノレオロメタンスノレホナー ト [E t 3PhP+ · CF3S03— ] 、 トリプロピルフエニルホスホユウム=トリ フルォロメタンスルホナート [P r 3P h P+ · CF3S 03— ] 、 トリプチルフエ 二ノレホスホニゥム=トリフノレオ口メタンスノレホナート [B u 3 P h P-ト · C F a S 〇3— ] 、 トリメチノレべンジノレホスホニゥム=トリフノレオロメタンスノレホナート [Me 3B n P+ · CF3S03"] 、 トリエチルベンジノレホスホニゥム=トリフル ォロメタンスルホナート [E t 3B n P+ · C F 3 S 03— ] 、 トリプロピルべンジ ルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナ一ト [P r 3B n P+ ' CF3SO 3—] 、 トリブチノレべンジノレホスホニゥム ==トリフノレオ口メタンスノレホナート [B u 3B n P+ · CF 3 S 03 -] 、
テトラフェニルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [P h'4P + · (CF3S〇3一） 、 トリフエニルメチルホスホニゥム =トリフルォロメタン スルホナート [P h 3Me P+ · C F 3 S 03— ] 、 トリフエニノレエチルホスホニゥ ム=トリフルォロメタンスノレホナート [Ph3E t P+ · CF3S〇3一] 、 トリフ ェニノレプロピルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [ P h a P r P + · C F 3 S〇3— ] 、 トリフエニルプチルホスホニゥムニトリフルォロメタンス ルホナート [Ph3BuP+ ' CF3S03 _] 、 トリフエニルヘプチルホスホ-ゥ ム=トリフルォロメタンスルホナート [Ph3He p P+ ' CF3S〇3一] 、 トリ フエ二ノレドデシノレホスホニゥム =トリフルォロメタンスノレホナート [P h 3D d e c P+ ' CF3S03— ] 、 トリフエニルへキサデシルホスホ-ゥム=トリフル ォロメタンスルホナート [P h3Hd e c P+ ' CF3S〇3— ] 、 トリフエニルべ ンジノレホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [Ph3BnP+ ' CF3 s o。— ] 、 テトラエチノレホスホユウム=ペンタフノレオ口エタンスルホナート [E t 4P+ . CF3CF2S03—] 、 トリエチルフエ-ルホスホニゥム=ぺンタ フルォロエタンスルホナート [ E t 3 P h P + · C F 3 C F 2 S O 3つ 、 トリプチ ルフエニルホスホニゥム ==ペンタフノレォロエタンスノレホナート [B u 3P h P + · CF3CF2S〇3- ] 、 トリェチルベンジルホスホニゥム=ペンタフルォロェ タンスルホナート [E t 3B n P+ · CF3CF2 S〇3— ] 、 トリブチルベンジル ホスホニゥム=ペンタフルォロエタンスルホナート [B u3BnP+ ' CF3CF 2S〇3— ] 、 テトラェチルホスホニゥム=ノナフルォロブタンスルホナート [E t 4P+ · C F 3 (CF2) 3S03一] 、 トリェチルフエニルホスホニゥム=ノナ フルォロブタンスルホナート [E t 3 P P+ · C F 3 (CF2) 3 S〇3- ] 、 ト リプチノレフエ二ノレホスホニゥム=ノナフルォロブタンスノレホナート [ B u a P h P+ · C F 3 (CF2) 3 S 03— ] 、 ト リェチルベンジノレホスホニゥム=ノナフノレ ォロプタンスルホナート [E t 3Bn P+ ' CF3 (CF2) 3S〇3— ] 、 トリブ チルべンジルホスホニゥム =ノナフノレオロブタンスノレホナー ト [B u 3 B n P + · CF3 (CF2) 3S03_] 、
テトラフェニルホスホニゥム=ノナフルォロブタ.ンスルホナート [P h4P + · C F 3 (C F 2) 3S〇3— ] 、 トリフエニルメチルホスホニゥムニノナフルォ ロブタンスルホナート [P h3Me P+ · C F 3 (CF2) 3S03— ] 、 トリフエ ニノレエチノレホスホニゥム=ノナフル才ロブタンスノレホナート [P h a E t P+ · C F a (CF2) 3S〇3— ] 、 トリフエニルプロピノレホスホニゥム=ノナフノレォロ ブタンスルホナート [P h3P r P+ ' CF3 (CF2) 3S〇3— ] 、 トリフエ二 ノレプチノレホスホニゥム=ノナフノレォロブタンスノレホナート [P h a B u P+ · C F 3 (C F 2) 。 S〇3— ] 、 トリフエ二ノレへプチノレホスホニゥム=ノナフノレォロブ タンスルホナート [Ph3He p P+ ' CF3 (CF2) 3S〇3— ] 、 トリフエ- ルドデシノレホスホェゥム=ノナフノレォロブタンスノレホナート [P h 3D d e c P + · CF3 (CF2) 3S〇3— ] 、 トリフエニルへキサデシルホスホニゥム ノナ フルォロブタンスルホナート [P h3Hd e c P+ - CF3 (CF2) 3S03一] 、 トリフエ-/レベンジルホスホ-ゥム ==ノナフルォロブタンスノレホナート [Ph3 BnP+ ' CF3 (CF2) 3 S O 3_] 、 テトラェチルホスホニゥム=ヘプタデカ フルォロオクタンスルホナート [E t 4P+ ' CF3 (CF2) 7S03一] 、 トリ ェチノレフエ二ノレホスホニゥムニへプタデカフルォロォクタンスノレホナート [E t 3P h P+ · C F 3 (C F 2) 7S〇3— ] 、 トリブチルフエニルホスホニゥムニ ヘプタデカフルォロオクタンスルホナート [Bu3PhP+ . CF3 (CF2) 7S 〇3一] 、 トリェチルベンジノレホスホニゥム=ヘプタデカフノレオロォクタンスル ホナート [E t 3B n P + · C F 3 (C F 2) 7 S 03— ] 、 トリブチルベンジルホ スホニゥム =ヘプタデカフルォロォクタンスルホナート [B u 3Β η Ρ+ · CF3 (CF2) 7S〇 3一] 等が挙げられ、 好ましくはテトラブチルホスホニゥム=ビ ス （トリフルォロメタンスルホニル） イミダート [Bu4P+ . (CF3S〇2) 2 N一] 、 テ トラプチ/レホスホニゥムニビス （ペンタフノレォロエタンスノレホニノレ） イミダート [B u4P+ . (CF3CF2S〇2) 2N_] 、 テトラブチルホスホニ ゥム =トリフルォロメタンスルホナート [Bu4P+ ' CF3S03— ] 、 テトラブ チルホスホニゥム=ペンタフルォロエタンスルホナート [Bu4P+ . CF3CF 2 S〇3— ] 、 テトラブチルホスホニゥム=ノナフノレォロブタンスルホナート [B u4P+ · CF3 (CF2) 3,S03—] であり、 特に好ましくはテトラブチルホス ホニゥム=ビス (トリフルォロメタンスルホ二ノレ） イミダート [B u 4 P + · (CF3S02) 2N一] である。 ホスホニゥム塩 （2) の具体例としては'、 前記に挙げた例の他、 例えばテト ラブチルホスホ-ゥムニトリフルォロアセタート [B u4P+ * CF3COO— ] 、 テトラブチルホスホニゥムニテトラフルォロボラート [Bu4P+ ' BF4— ] 、 テトラブチルホスホニゥムニへキサフルォロホスファート [B u4P + · P F6 一] 、 テトラブチルホスホニゥム=メタンスルホナート [B u4P+ · CH3 S 03 一] 、 テトラブチルホスホニゥム=パラトルエンスルホナート [Bu4P+ ' p— CH3C6H4S〇3— ] 、 テトラブチルホスホ-ゥム=ドデシルベンゼンスルホナ ート [Bu4P+ ' p— CH3 (CH2) 11C6H4S03~] 、 テトラブチルホスホ ニゥム =パーク口ラート [Bu4P+ ' C l〇4_] 、 テトラプチルホスホ -ゥム =ニトラート [B u4P+ ' N03— ] 、 テトラプチルホスホニゥム=プロミ ド [Bu4P+ ' B r_] 、 テトラェチルホスホニゥムニトリフルォロアセタート [E t 4P+ · CF3COO-] 、 テトラェチルホスホニゥムニテトラフルォロボ ラート [E t 4P+ ' BF4— ] 、 テトラェチルホスホニゥム=へキサフルォロホ スフアート [E t 4P+ · P F6 -] 、 テトラェチルホスホニゥム=メタンスルホ ナート [E t 4P+ · CH3 S 03— ] 、 テトラェチルホスホニゥム=パラトルエン スルホナート [Ε ΐ 4Ρ+ · ρ— CH3C6H4S03一] 、 テトラェチルホスホニ ゥム =ドデシルベンゼンスルホナート [E t 4P+ ' p—CH3 (CH2) uC6 H4S03— ] 、 テトラェチルホスホニゥム=パーク口ラート [E t 4P + · C 1〇 4一] 、 テトラェチルホスホニゥム=ニトラート [Ε ΐ 4Ρ+ · Ν〇3一] 、 トリエ チルベンジルホスホニゥム=トリフルォロアセタート [E t 3Β η Ρ+ · C F 3C 0〇- ] 、 トリェチルベンジルホスホニゥムニテトラフルォロボラート [E t 3 BnP+ ' BF厂] 、 トリェチルベンジルホスホニゥム=へキサフノレォロホスフ アート [E t 3B nP+ ' P F6一] 、 トリエチルベンジルホスホニゥム-メタン スルホナート [E t 3B n P+ · CH3 S 03— ] 、 トリェチルベンジルホスホニゥ ム=パラトルエンスルホナ一ト [E t 3B n P+ . p— CH3C6H4S〇3一] 、 トリェチノレべンジノレホスホニゥム=ドデシノレベンゼンスノレホナート [E t 3 B n P + · p - C H 3 (CH2) 11C6H4S03""] , トリェチルベンジルホスホユウ ム=パーク口ラート [E t 3Β η Ρ+ · C 1〇4一] 、 トリェチルベンジルホスホ ニゥムニニトラート [E t 3Β η Ρ+ · Ν03— ] 、
トリブチノレべンジノレホスホニゥム =トリフノレオロアセタート [ B u 3 Β η Ρ + ' CF3COO— ] 、 トリブチルベンジルホスホニゥム=テトラフルォロボラー ト [B u 3B n P+ · B F 4— ] 、 トリブチルベンジルホスホニゥム=へキサフル 才ロホスファート [B u 3 B n P+ · P F 6— ] 、 トリブチノレべンジルホスホニゥ ム=メタンスルホナート [B u 3B n P+ · CH3 S〇3— ] 、 トリプチルベンジル ホスホ-ゥムニパラトノレエンスルホナート [Bu3BnP+ ' p -CH3 C6H4 S o3— ] 、 トリプチノレべンジルホスホニゥム=ドデシルベンゼンスノレホナート [B u 3B n P+ · p -CH3 (CH2) 1 ]LC6H4S03—〕 、 トリプチルペンジル ホスホニゥム=パーク口ラート [B u 3B n P+ · C 104— ] 、 トリブチルベン ジノレホスホニゥム=ニトラート [B u 3B η P+ · N03-] 、 テトラフエニノレホ スホニゥム =トリフルォロアセタート [P h 4P + · C F 3COO— ] 、 テトラフ ェニルホスホニゥム ==テトラフルォロボラート [P h4P+ ' BF4— ] 、 テトラ フエニルホスホニゥムニへキサフノレォロホスフアート [Ph4P+ ' PF6一] 、 テトラフェニルホスホニゥムニメタンスルホナート [P h 4P+ · CH3 S〇3— ] 、 テトラフェニルホスホニゥム-パラ トルエンスルホナ一ト [Ph4P+ * p -C H3C6H4S〇3— ] 、 テトラフェニルホスホニゥム=ドデシルベンゼンスルホナ ート [Ph4P+ ' p— CH3 (CH2) 11C6H4S03 _] 、 テトラフェニルホス ホニゥム: =パーク口ラート [P h4P+ · C 1 o4— ] 、 テトラフェニルホスホニ ゥム =ニトラート [Ph4P+ ' N03一] 、 トリフエニルメチルホスホニゥム= トリフルォロアセタート [P h3Me P+ · CF3COO— ] 、 トリフエ二ルメチ ルホスホニゥム=テトラフルォロポラート [Ph3Me P+ ' BF4— ] 、 トリフ ェニルメチルホスホニゥム=へキサフルォロホスファート [ P h a M e P · P F6— ] 、 トリフエニルメチルホスホニゥム=メタンスルホナート [Ph3Me P + . CH3S03— ] 、 トリフエ二ノレメチルホスホニゥム=パラトルエンスルホナ ート [P h3Me P+ · p— CH3C6H4S03一] 、 トリフエニルメチルホスホ ニゥムニドデシルベンゼンスルホナート [P h 3Me P+ · p— CH3 (CH2) x ! C6H4 S 03~] 、 トリフエニルメチルホスホニゥム=パーク口ラート [Ph3 Me P+ ' C l〇4—] 、 トリフエニルメチルホスホニゥム=二トラート [P h 3 Me P+ · N03一] 、
トリフエニルェチルホスホニゥム=トリフルォロアセタート [ P h 3 E t P + ' CF3CO〇— ] 、 トリフエニノレエチルホスホニゥム=テトラフノレオロボラー ト [P h 3E t P+ · B F4— ] 、 ト リ フエニノレエチ /レホスホニゥム=へキサフノレ ォロホスフアート [P h3E t P+ ' PF6— ] 、 トリフエ二ルェチノレホスホニゥ ム=メタンスルホナート [P h3E t P+ · CH3 S〇3一] 、 トリフエニルェチル ホスホニゥム=パラトルエンスルホナ一ト [Ph3E t P+ * p— CH3C6H4S 〇3— ] 、 トリフエニノレエチノレホスホニゥム ==ドデシノレベンゼンスルホナート [P h 3E t P+ · p -CH3 (CH2) 11C6H4,S03 _] 、 トリフエニルェチル ホスホニゥム=パーク口ラート [Ph3E t P+ ' C l 04— ] 、 トリフエニルェ チルホスホニゥムニニトラート [P h 3E t P+ · N03— ] 、 トリフエニルブチ ルホスホニゥム=トリフルォロアセタート [P h 3B u P+ · C F 3CO〇— ] 、 トリフエニルブチルホスホニゥムニテトラフノレオロボラート [P h 3B u P + · B F4— ] 、 ト リ フエニルプチノレホスホニゥム=へキサフノレォロホスフアー ト [P h3Bu P+ ' PF6— ] 、 トリフエニルプチルホスホニゥムニメタンスノレホ ナート [P h 3B u P+ · CH3 S 03 _] 、 トリフエニルプチルホスホニゥム=パ ラトルエンスルホナート [Ph3B u P+ ' p— CH3C6H4S03— ] 、 トリフ ェニルプチ/レホスホニゥム=ドデシルベンゼンスルホナート [P h 3B u P + · p— CH3 (CH2) uCeH^SOs— ] 、 トリフエニルブチルホスホニゥム =パ 一クロ ート [Ph3B u P+ ' C l〇4— ] 、 トリフエニルブチルホスホユウム -ニトラート [P h 3 B u P+ · N03— ] 、 トリフエエルへプチルホスホニゥム =トリフルォロアセタート [Ph3He p P+ ' CF3COO一] 、 トリフエニル ヘプチルホスホニゥム=テトラフルォロボラート [P h 3H e p P+ · B F4— ] 、 トリフエ二ノレへプチノレホスホニゥム=へキサフノレオ口ホスファート [P h 3H e p P+ . P F 6~] 、 トリフエニルヘプチルホスホニゥム=メタンスルホナート [P h 3H e p P+ · CH3 S 03— ] 、 トリフエニルヘプチルホスホニゥム=パラ トルエンスルホナ一ト [P h3He p P+ ' p—CH3C6H4SQ3—] 、 トリフ ェ二ノレへプチノレホスホニゥム =ドデシノレベンゼンスノレホナート [P h 3H e p P + · p— CH3 (CH2) 11C6H4S03-] 、 トリフエニルヘプチルホスホェゥ ム=.パーク口ラート [Ph3He p P+ ' C 1 04— ] 、 トリフエニルヘプチルホ スホユウム=ニトラート [P h 3H e p P+ · N03— ] 、 トリフエニルベンジル ホスホニゥム トリフルォロアセタート [P h3Bn P+ ' CF3CO〇— ] 、 ト リフエエルベンジルホスホニゥムニテトラフルォロボラート [P h 3B n P + · BF4— ] 、 ト リ フエ二ノレべンジノレホスホニゥム=へキサフノレ才ロホスフアート [P h 3 B n P+ · PF6— ] 、 トリフエ-ルペンジルホスホェゥム=メタンスノレ ホナート [Ph3BnP+ · CH3S03— ] 、 トリフエニルベンジルホスホニゥム =パラトルエンスルホナ一ト [Ph3BnP+ ' p— CH3C6H4S03— ] 、 ト リフエニルベンジルホスホニゥム=ドデシルベンゼンスルホナート [P h 3B n Ρ+ · ρ -CH3 (CH2) 11C6H4S03"] 、 トリフエ-ルペンジルホスホ- ゥム =パーク口ラート [P h 3B n P+ · C 104— ] 、 トリフエニルベンジルホ スホニゥム =ニトラート [P h 3B n P+ · N03一] 等が挙げられる。 ホスホニゥム塩 （1 ) の少なく とも 1種とホスホニゥム塩 （2) の少なく と も 1種との併用するにあたり、 特に好ましくは、 R1及び R2が共に炭素数 1〜 4のアルキル基であるホスホ-ゥム塩 （1) の少なく とも 1種と、 1 3及び1 4 が共に炭素数 1〜4のアルキル基であるホスホニゥム塩 （2) の少なく とも 1 種との併用である。
具体例としては、 例えば、
テトラブチルホスホニゥム=ビス ( トリフルォロメタンスルホニル) イミダ ート [B u4P+ . (C F 3 S 02) 2N一] とテトラブチルホスホニゥムニビス (ペンタフルォロェタンスルホニル） イミダート [B u4P+ . (CF3CF2S 02) 2『 ] 、
テトラブチルホスホニゥム =ビス (トリフルォロメタンスルホニル) イミダ ート [Bu4P+ . (CF3S02) 2N一] とテトラプチルホスホニゥム=テトラ ブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [Bu4P+ ' CF3SO
3— ] 、
テトラプチノレホスホニゥム =ビス (トリフノレオロメタンスルホニル) イミダ ート [Β ιι4Ρ+ · (CF3S02) 2N一] とテトラブチルホスホニゥム=ぺンタ フルォロエタンスルホナート [Bu4P+ · CF3CF2S03— ] 、
テトラブチルホスホニゥム =ビス (トリフノレオロメタンスノレホニル） イミダ ート [B u4P+ * (C F a S 02) 2Ν一] とテトラプチルホスホニゥム=ノナフ ルォ fc?ブタンスルホナート [Bu4P+ ' CF3 (CF2) 3S〇3一]
テトラブチルホスホ-ゥム =ビス （トリフルォロメタンスルホニル） イミダ ート [Bu4P+ . (CF3S〇2) 2N— ] とテトラブチルホスホニゥムニテトラ 57342 プチルホスホニゥムニトリフルォ'ロアセ 一ト [Bu4P+ ' CF3C〇〇—] 、' テトラプチノレホスホニゥム =ビス （トリフノレオロメタンス /レホニル） イミダ ート [B u4P+ . (CF3S〇2) 2N一] とテトラブチルホスホニゥムニテトラ フルォロボラート [B u4P + · B F4— ] 、
テトラプチノレホスホニゥム=ビス （トリフノレオロメタンスノレホニル） イミダ ート [B u4P+ . (C F 3 S 02) 2N— ] とテトラブチルホスホニゥム=へキサ フルォロホスフアート [Βια4Ρ+ · PF6一] 、
テトラプチノレホスホニゥム =ビス （トリフノレオロメタンス/レホニル） イミダ ート [Bu4P+ . (CF3S〇2) 2N一] とテトラブチルホスホニゥム=メタン スルホナート [B u4P+ · CH3S03— ] 、
テトラブチルホスホニゥム =ビス (トリフノレオロメタンス /レホニル） イミダ ート [Β ιι4Ρ+ · (CF3S02) 2N— ] とテトラブチルホスホ-ゥム=パラト ルエンスルホナート [Bu4P+ . p— CH3C6H4 S 03一] 、
テトラブチルホスホニゥム=ビス (トリフノレオ口メタンスノレホニル) イミダ ート [Bu4P+ . (CF3S〇2) 2N—] とテトラブチルホスホニゥム=ドデシ ルベンゼンスルホナート [Bu4P+ ' p— CH3 (CH2) 11C6H4S03-] 、 テトラブチルホスホニゥム=ビス （トリフルォロメタンスノレホニル） ィミダ ート [Bu4P+ . (CF3S02) 2N一] とテトラブチルホスホニゥムニパーク 口ラート [B u4P+ · C 104 -] 、
テトラプチノレホスホニゥムニビス （トリフノレオロメタンスノレホニル） イミダ ート [Βιι4Ρ+ · (CF3S〇2) 2N一] とテトラブチルホスホニゥム=ニトラ ート [B u4P+ · N〇3— ] 、
テトラプチノレホスホニゥム ==ビス （トリフノレオロメタンスノレホェ Λ^) イミダ ート [B u4P+ . (CF3S 02) 2Ν— ] とテトラブチルホスホニゥム=ブロミ ド [B u4P + · B r -] 、
テトラェチルホスホニゥム=ビス （トリフルォロメタンスノレホニル） イミダ ート [E t 4P+ . (CF3S 02) 2N一] とテトラプチルホスホニゥム=ドデシ ルベンゼンスルホナート [B u4P+ · p— CH3 (CH2) uCeH SOg— ] 、 テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [B u 4P + · CF3S〇3— ] とテトラブチルホスホニゥム=ペンタフルォロエタンスルホナー ト [Bu4P+ · CF3CF2S〇3 -] 、
テトラブチルホスホニゥムニトリフルォロメタンスルホナート [B u 4 P+ · CF3S03— ] とテトラブチルホスホニゥムニノナフルォロブタンスルホナート [B u4P+ · C F3 (CF2) 3S03_]
テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [B u 4 P + · CF3S03— ] とテトラブチルホスホニゥム=テトラプチルホスホ-ゥム=トリ フルォロアセタート [B u4P+ · CF3CO〇— ] 、
テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [B u 4 P + · CF3S〇3— ] とテトラプチルホスホニゥム=テトラフルォロボラート [B u4 P+ · B F4 -] 、
テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [B u4P + · CF3SO。一] とテトラプチルホスホニゥム=へキサフルォロホスフアート [B u4P + · PF6- ] 、
テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナート [Β ιι4Ρ+ · CF3S〇3— ] テトラプチルホスホニヴム=メタンスルホナート [Bu4P+ ' C H3SO3-] 、
テトラプチルホスホニゥム ==トリフルォロメタンスルホナート [B u 4 P + · C F 3 S 03~] とテトラブチルホスホユウム=パラトルエンスルホナート [Bu 4 P+ · p—CH3C6H4 S 03- ] 、
テトラブチノレホスホニゥム=トリフノレオロメタンスノレホナート [Βιι4Ρ+ · C F 3 S 03— ] とテトラブチルホスホニゥム=ドデシルベンゼンスルホナート [Bu4P+ - p— CH3 (CH2) 11C6H4S03-] 、
テトラプチノレホスホニゥム=トリフルォロメタンスノレホナート [B u4P + · CF3S〇3一] とテトラブチルホスホユウム =パーク口ラート [Bu4P+ ' C l
〇4— ] 、 '
テトラブチルホスホニゥム= トリフルォロメタンスルホナート [B u4P + · CF3S〇3— ] とテトラプチルホスホニゥム=二トラート . [B u4P+ ' N03 一] 、 テトラプチルホスホニゥム=ノナフルォロブタンスルホナート [B u4P+ · C F 3 (CF2) 3 S 03~] とテトラブチルホスホニゥム=ペンタフルォロェタン スルホナート [Bu4P+ · CF3CF2S03 _] 、
テトラブチノレホスホニゥム ノナフノレォロプタンスルホナート [B u 4 P + · CF a (CF2) 3S03_] とテトラブチルホスホユウム=ノナフルォロブタンス ルホナート [Bu4P+ ' CF3 (CF2) 3S03— ]
テトラブチルホスホニゥム=ノナフ/レオロブタンスルホナート [B u 4 P+ · CF3 (CF2) 3S03— ] とテトラブチルホスホニゥム=テトラプチルホスホニ ゥム =トリフルォロアセタート [Bu4P+ · CF3COO一] 、
テトラプチルホスホニゥム=ノナフルォロブタンスルホナード [B u 4 P+ · CF3 (CF2) 3S03一] とテトラプチルホスホユウム=テトラフルォロボラー ト [B u4P+ · BF4 -] 、
テトラブチルホスホユウム=ノナフノレォロブタンスルホナート [B u4P + · CF 3 (CF2) 3S03一] とテトラブチルホスホニゥム=へキサフルォロホスフ ァート [Bu4P+ · PF6 -] 、
テトラプチノレホスホニゥム=ノナフルォロブタンスルホナート [B u 4 P + · CF 3 (CF2) 3S03— ] テトラプチルホスホ^ゥム =メタンスルホナート [B u4P+ · CH3S03- ] 、
テトラプチノレホスホニゥム ==ノナフ レオロブタンスノレホナート [B u4P + · CF a (CF2) 3S03— ] とテトラブチルホスホニゥム パラトルエンスルホナ ート [Bu4P+ . p— CH3C6H4S03 -] 、
テトラブチルホスホニゥムニノナフルォロブタンスルホナート [ B u 4 P + · CF3 (CF2) 3S〇3一] とテトラプチルホスホニゥム=ドデシルベンゼンスル ホナート [Bu4P+ . p—CH3 (CH2) 11C6H4S03~] 、
テトラプチルホスホニゥムニノナフルォロブタンスルホナート [ B u 4 P + · CF3 (CF2) 3S03一] とテトラプチルホスホニゥムニパーク口ラート [B u 4P+ · C 1 o4- ] 、
テトラブチルホスホニゥム =ノナフルォロブタンスルホナート [B u 4 P+ · CF3 (CF2) 3SO。一] とテトラブチルホスホニゥム=ニトラート [Bu4P + · N03— ] 等が挙げられる ホスホニゥム塩 （1) の少なくとも 1種とホスホ-ゥム塩 （2) の少なくと も 1種との混合割合は、 重量比で、 通常 9 5 ： 5〜5 ： 9 5、 好ましくは8 0 : 20〜20 : 80である。 本発明の帯電防止剤を調製する方法としては、 例えば、 1) ホスホニゥム塩 (1) の少なくとも 1種とホスホニゥム塩 （2) の少なくとも 1種とを、 通常 1 00°C以上、 好ましくは 1 00°C〜1 5 o°cで、 必要であれば撹拌しながら 混合する方法、 2) 適当な溶媒中に、 ホスホニゥム塩 （1) の少なくとも 1種 とホスホニゥム塩 （2) の少なくとも 1種とを溶解させた後、 必要に応じて撹 拌しながら混合し、 溶媒を除去する方法等が挙げられるが、 これら有効成分が 均一に混合される方法であれば特に限定されない。 1) の方法の場合は混合し た後、 2) の方法の場合は溶媒を除去した後、 必要に応じて室温程度 （約 1 0°C〜30°C) まで冷却すれば、 固体又は液体状として得られる。 本発明の帯電防止剤は必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合し て用いることもできる。 かかる帯電防止剤を、 樹脂組成物製造時に樹脂組成物 材料に配合する等の方法で、 帯電防止性樹脂組成物を製造することができる。 本発明の帯電防止性樹脂組成物に用いる樹脂としては、 通常、 熱可塑性樹脂、 熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂 （例えば、 アクリル系光硬化性樹脂） が挙げら れる。
熱可塑性樹脂としては、 ポリエチレン、 ポリプロピレン、 エチレン又はプロ ピレンと他のビニルモノマー、 例えば酢酸ビュル、 ひーォレフイン、 （メタ）ァク リル酸エステル等との共重合体、 ノルボルネン類の付加重合体、 ノルボルネン 類とひ一才レインとの付加共重合体、 ノルボルネン類の開環重合体水添ポリマ 一、 シクロペンタジェンの開環重合体水添ポリマー、 シクロへキサジェンの開 環重合体水添ポリマー等のポリオレフイン ；ポリ塩化ビニル、 ポリ塩化ビニリ デン等の塩素含有樹脂；ポリスチレン、 A S樹脂、 A B S樹脂、 M S樹脂、 M B S樹脂等のスチレン樹脂； ポリアクリル酸、 ポリメタアタリル酸、 ポリメタ クリル酸メチル等の （メタ） ァクリノレ樹脂；芳香族ジヒ ドロキシ化合物 （例え ばビスフエノール A) と塩化カルボニル又はジフエエルカーボネートから製造 される芳香族ポリカーボネート等のポリカーボネート ；ナイロン 4、 ナイロン 6、 ナイロン 8、 ナイロン 1 1、 ナイロン 1 2、 ナイロン 6 6等のポリァミ ド ； ポリエーテルィミ ド等の熱可塑性ポリイ ミ ド； ポリエチレンテレフタレー ト、 ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル ； これらの混合物等が挙げ られる。 これらの樹脂の中でポリカーボネート、 ポリオレフイン、 （メタ） ァ クリル樹脂及ぴポリエステルが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、 エポキシ樹脂 (例えば、 ビスフエノール A型ェポキ シ樹脂、 ビスフエノール F型エポキシ樹脂、 水添ビスフエノール A型エポキシ 樹脂、 フエノールノポラック型エポキシ樹脂等） 、 熱硬化性ポリイミ ド （例え ば、 ピロメ リット酸無水物とビス （4ーァミノフエニル） エーテルとの重縮合 物等） 、 ポリウレタン、 フエノール樹脂： ァミノ樹脂 （例えばメラミン樹脂、 ゥレア樹脂等） 、 が例示でき、 中でもエポキシ樹脂が好ましい。
本発明における樹脂組成物への本発明の帯電防止剤の含有量は、 樹脂に対し て 0 . 1〜 3 0 ¾量％であり、 好ましくは 1〜 2 5重量％、 特に好ましくは 2 〜2 0重量％である。
本発明の帯電防止性樹脂組成物は、 樹脂の製造又は加工時に帯電防止剤を直 接添加して混合することによつて製造できる。
本発明の帯電防止性樹脂組成物には、 樹脂及び帯電防止剤以外に、 樹脂組成 物の性質を損なわない範囲で、 必要に応じて公知の添加剤を加えることが出来 る。 添加剤として、 染料、 顔料、 捕強剤、 充填剤、 可塑剤、 酸化防止剤、 難燃 剤、 紫外線吸収剤等が挙げられる。 産業上の利用可能性
本発朋によれば、 ホスホニゥム塩 （1 ) の少なく とも 1種とホスホニゥム塩 ( 2 ) の少なくとも 1種との併用によって、 従来の単独で用いた場合に比べて 優れた帯電防止剤を提供できる。 また該帯電防止剤を樹脂に配合すれば、 より 表面抵抗値を低下させた帯電防止性樹脂組成物を製造できうる。
実施例
以下、 実施例を挙げて、 本発明をより具体的に説明するが、本発明が実施例により 限定されるものでないことは言うまでもない。 なお、 以下の実施例中、 表面抵抗 値は三菱化学株式会社製ヒレスタ HT— 2 1 0を用い、 印加電圧500 Vにて 測定した。
また、 以下実施例において、 各略号はそれぞれ下記のホスホニゥム塩を示す。
TB P— TF S I ：テトラブチルホスホニゥム=ビス （トリフルォロメタン スルホ二ル） イミダート' [B u4P+ · (CF3S02) 2N一]
TB P— TF ： テトラブチルホスホニゥム=トリフルォロメタンスルホナー ト [Bu4P+ · CF3S03 -]
TB P— PF S I ：テトラプチノレホスホニゥム=ビス （ペンタフルォロエタ ンスルホニル） イミダート [Bu4P+ - (CF3CF2S02) 2N— ]
TBP— PF ： テトラプチ/レホスホニゥム =ペンタフノレオ口エタンスノレホナ ート [Bu4P+ · CF3CF2S03 -]
TB P— NF : テトラブチノレホスホニゥムニノナフ/レオロブタンスノレホナー ト [Bu4P+ · CF3 (CF2) 3S03 -]
TB P— TFA :テトラプチルホスホニゥム-トリフルォロアセタート [B u4P+ · CF3COO— ]
TB P— BF 4 ：テトラプチルホスホユウム ==テトラフルォロボラート [B u 4P + · B F4 -]
TB P— PF 6 ：テトラブチルホスホニゥム=へキサフノレオ口ホスファート [Bu4P+ · PF6 -]
TB P -MS ： テトラブチ/レホスホニゥム メタンスルホナート [B u4P + · CH3S03 -]
TB P— PT S ：テトラブチルホスホニゥム =パラ トルエンスルホナ一ト [B u4P+ · p—CH3C6H4 S03 ]
TB P— DB S ：テトラブチルホスホニゥム =ドデシルベンゼンスルホナー ト [Bu4P+ - p -CH3 (CH2)
Figure imgf000024_0001
TB P— C 1 04 :テトラブチルホスホニゥムニパーク口ラート [B u4P + · C 1 o4- ]
TB P— N03 ： テトラブチルホスホェゥムニ二トラート [B u4P+ ' C l o4- ]
TEP— TF S I ： テトラェチルホスホニゥム=ビス （トリフルォロメタン スルホニル） イミダート [E t 4P+ ' (CF3S02) 2N一]
TP hBn P— TF S I ： トリフエニルベンジルホスホニゥムニビス （トリ フルォロメタンスルホニル) イミダート [ P h a B n P + · (C F a S 02) 2N
-]
TPhHe p P— TF : トリフエ二ノレへプチルホスホニゥム =ビス （トリフ ルォロメタンスルホニル） イミダート [P h3He p P+ . (C F 3 S 02) 2N
-]
T P h P-NF ： テトラフェニルホスホニゥム=ノナフルォロブタンスルホ ナート [Ph4P+ ' CF3 (CF2) 3S03一]
TP hHe p P— NO 3 ： トリフエ二ノレへプチ/レホスホニゥム =二トラート [P h 3H e p P+ · N03"]
TPhBP— TF S I ： トリフエニルプチノレホスホニゥム=ビス （トリフノレ ォロメタンスルホニル) イミダート [ P h 3 B u P + · (CF3S〇2) 2N— ] 実施例 1〜7、 比較例 1及び 2 '
ビスフエノール A型エポキシ樹脂 「ェピコート 8 28」 （エポキシ当量 1 8 6 gZe q、 登録商標、 ジャパンエポキシレジン株式会社製） 8. 80 g、 硬化剤ィミノビスプロピルァミン 1. 20 g、 及び表 1に示す重量混合比の T B P— TF S Iと TB P— TFとの混合物 0. 50 g (樹脂に対して 5重量％ ) 、 TB P— TF S I単独 0. 50 g又は TB P— TF単独 0. 50 gを混合 し、 エポキシ樹脂 iE成物を得た。 かかるエポキシ樹脂組成物を直径 5 OmmX深 さ 1 Ommの円形金型に流し込み、 50 で1時間、 さらに 1 00°Cで 6時間 熱硬化させて試験片を作製した。 試験片を 2 3°C、 50%RHの雰囲気中に 6 時間静置した後、 23°C、 50%RHで試験片の表面抵抗値を測定した。 それ らの測定結果を表 1に示す。 表 1
Figure imgf000026_0001
表 1の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したエポキシ樹脂組成物の表面 抵抗値は、 TB P— T F S Iと TB P— T Fとの重量混合比の広い範囲で、 T
B P—TF S I及び T BP— TFをそれぞれ単独で用いた場合に比べて低いこ と力 sわ力る。 実施例 8〜 25
TBP-TF S I及び TB P— TFを、 それぞれ表 2に示すホスホニゥム塩 (1) 及びホスホニゥム塩 （2) に代えた以外は、 実施例 4と同様にして、 試 '験片の作製、 静置及び表面抵抗値の測定を行った。 それらの測定結果を表 2に 示す。
表 2
ホスホニゥム塩（1) ホスホニゥム塩（2) 表面抵抗値（Ω) 実施例 8 TBP-TFSI TBP-PFSI 1. 8X109 実施例 9 TBP-TFSI TBP-PF 1. 2X 109
実施例 10 TBP-TFSI TBP-NF 5.9 108
実施例 11 TBP-TFSI TBP-TFA 2.3 109 実施例 12 TBP-TFSI TBP-BF4 5. OX 108 実施例 13 TBP-TFSI TBP-PF6 3. OX 1010 実施例 14 TBP-TFSI TBP-MS 6.4x 1010 実施例 15 TBP-TFSI TBP-PTS 2.5 1010 実施例 16 TBP-TFSI TBP-DBS 9.5X 109 実施例 17 TBP-TFSI TBP-CI04 4.9x 109 実施例 18 TBP-TFSI TEP-TFSI 7.7X109 実施例 19 TBP-TFSI TPhBnP-TFSI 8.9X1010 実施例 20 TBP-TFSI TPhHepP-TF 2. O 109 実施例 21 TBP-TFSI TPhHepP— N03 5.6X 109 実施例 22 TEP-TFSI TBP-DBS 7.6X109 実施例 23 TPhBP-TFSI TBP-BF4 4.6X 109 実施例 24 TPhBnP-TFSI TBP-BF4 9.5X 109 実施例 25 TBP-PFSI TBP-NF 8.4 108
実施例 26〜 31
TB P -T F S I及び TB P— TFを、 それぞれ表 3に示すホスホニゥム塩 (1) 及びホスホニゥム塩 （2) に代えた以外は、 実施例 4と同様にして、 試 験片の作製、 静置及び表面抵抗値の測定を行った。 それらの測定結果を表 3に 示す。
表 3
Figure imgf000027_0001
比較例 3〜 1 9
丁8?—丁 3 1を、 表 4に示すホスホニゥム塩に代えた以外は、 比較例 1 と同様にして、 試験片の作製、 静置及び表面抵抗値の測定を行った。 それらの 測定結果を表 4に示す。
表 4
Figure imgf000028_0001
比較例 20〜 26
TB P—TF S I及び TB P— TFを、 表 5に示すホスホニゥム塩及びホス ホニゥム塩 （2) に代えた以外は、 実施例 4と同様にして、 試験片の作製、 静 置及び表面抵抗値の測定を行つた。 それらの測定結果を表 5に示す。
表 5 , ホスホニゥム塩 ホスホニゥム塩（2) 表面抵抗値（Ω) 比較例 20 TBP-DBS TBP-TFA >1. ΟΧ1013 比較例 21 TBP-DBS TBP-BF4 >1. ΟΧ1013 比較例 22 TBP-DBS TBP-PF6 >1. ΟΧ1013 比較例 23 TBP-DBS TBP— MS >1. Ο 1013 比較例 24 TBP-DBS TBP-PTS >1. ΟΧ 1013 比較例 25 TBP-DBS TBP-CI04 >1. O 1013 比較例 26 TBP-DBS TBP-N03 >1. ΟΧ1013 表 2、 表 3、 表 4及び表 5の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したェポ キシ榭脂組成物の表面抵抗値は、 ホスホニゥム塩を単独で用いた場合並びに他 のホスホニゥム塩を併用した場合に比べて低いことがわかる。 実施例 32〜 34、 比較例 27及ぴ 28
ペレット状のポリカーボネート 「カリパー」 （登録商標、 住友ダウ株式会社 製） 3◦ gを Ν—メチルー 2—ピロリ ドン ZTHF (50/50) の混合溶液 270 gに溶解させ、 10重量％力リバー溶液を調製した。 力リバー溶液 1 0 gに表 6に示す重量混合比の T BP— TF S I と TB P— TFとの混合物 0. 025 g (樹脂に対して 2. 5重量0 /0) 、 丁8 ?—丁？ 3 1単独0. 02 5 g 又は TB P— TF単独 0. 025 gを添加し、 室温で 1時間混合した。 得られ た混合液を直径 5 Ommのアルミケースに流し込み、 1 60°〇で1時間、 続い て 2 1 0°Cで 1時間かけて溶媒を除去し、 厚さ約 0. 4mmの試験シートを作 製した。 試験シートを 23°C、 50%RHの雰囲気中に 6時間静置した後、 2 3°C、 50%RHで試験シートの裏面と表面の表面抵抗値を測定した。' それら の結果を表 6に示す。
表 6 表面抵抗値（Ω)
TBP-TFSI TBP-TF
裏面 表面 比較例 27 100 0 4.9 1011 1.3X 1012 実施例 32 80 20 1. 2X109 7. 5X 1010 実施例 33 50 50 8.6X 108 1. 6X1010 実施例 34 20 80 2.8X 1010 8. 9X1010 比較例 28 0 100 3.2 1011 7. 6x 1012 表 6の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したポリカーボネート樹脂組成 物の表面抵抗値は、 TB P— TF S Iと TB P— TFとの重量混合比の広い範 囲で、 TB P— TF S I及び TB P— TFをそれぞれ単独で用いた場合に比ぺ て低いことがわかる。 実施例 3 5〜 3 7、 比較例 2 9及び 3 0
ペレッ ト状のポリオレフイン 「Z EONOR 1 0 2 0 R」 （登録商標、 日本 ゼオン株式会社製) 3 0 gをシク口へキサン/ THF (8 0/2 0) の混合溶 液 2 7 0 gに溶解させ、 1 0重量％∑ EONOR 1 0 20 R溶液を調製した。
Z E ONOR溶液 1 0 gに表 7に示す重量混合比の TB P— TF S Iと TB P 一 TFとの混合物 0. 0 2 g (樹脂に対して 2重量％) 、 TB P— TF S I単 独 0. 0 2 g又は TB P— TF単独 0. 0 2 gを添加し、 室温で 1時間混合し た。 得られた混合液を、 バーコ一ター (# 3 2 ) を用いて、 ァノレミシート上に コートした後、 1 2 0°Cで 1時間乾燥させ、 厚さ約 5 mの Z EONOR 1 0 2 0 Rの試験フィルムを作製した。 試験フィルムを 2 3°C、 5 0 %RHの雰囲 気中に 6時間静置した後、 2 3°C、 5 0%RHで試験フィルムの裏面と表面の 表面抵抗値を測定した。 それらの結果を表 7に示す。 . ' 表 7 表面抵抗値（Ω)
TBP-TFSI TBP-TF
裏面 表面 比較例 29 100 0 3. 8X1012 4. O 1012 実施例 35 80 20 2.6X 10" 3.6X 1011 実施例 36 50 50 2. 6 1010 5. 1 X101Q 実施例 3フ 20 80 7.4X 1010 9.6X 1010 比較例 30 0 100 2.3 1012 3. 8X1012 表 7の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したポリオレフイン樹脂組成物 の表面抵抗値は、 TBP— TF S I と TB P— TFとの重量混合比の広い範囲 で TB P— TF S I及ぴ TB P— TFをそれぞれ単独で用いた場合に比べて低 いことがわかる 実施例 38〜 40、 比較例 3 1及び 32
アタ リル樹脂 「 S Kダイン 1435」 （登録商標、 綜研化学株式会社製） 1 0重量部に、 表 8に示す重量混合比の TB P— TF S I と TBP— TFとの混 合物 2重量部、 T B P— TF S I単独 2重量部又は TB P— TF単独 2重量部、 及び希釈溶剤としての酢酸ェチル 1 90重量部を添加してコート夜を調製した。 バーコ一ター （# 1 6) を用いて、 コート液をポリエステルフィルム上に乾燥 厚み約 1. 2 mの厚みでコートした後、 60°Cで 1時間乾燥させ、 試験フィ ルムを作製した。 試験フィルムを 1 5〜 20°C、 50 %RHの雰囲気中に 24 時間静置した後、 20°C、 50%RHでコート面の表面抵抗値を測定した。 そ れらの結果を表 8に示す。
表 8
Figure imgf000031_0001
表 8の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したァクリル樹脂組成物の表面 抵抗値は、 TB P— TF S Iと TB P— TFとの重量混合比の広い範囲で、 T B P-TF S I及び TB P— TFをそれぞれ単独で用いた場合に比べて低いこ とがわ力 ^る。 実施例 41〜 43、 比較例 33及び 34
ポリエステル 「パイロン 20 S S」 （登録商標、 東洋紡績株式会社製） 1 0 重量部に、 表 9に示す重量混合比の TB P— TF S I と T.B P— TFとの混合 物 1重量部、 TBP— TF S I単独 1重量部又は TB P— TF単独 1重量部、 及び希釈溶剤としてのメチルェチルケトン Zトルエン （20ノ80) 1 90重 量部を添加してコート液を調製した。 バーコ一ター （# 1 6) を用いて、 コー ト液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約 1. 2 a mの厚みでコートした後、 60°Cで 1時間乾燥させて試験フィルムを作製した。 試験フィルムを 1 5〜2 0°C、 50%RHの雰囲気中に 24時間静置した後、 20°C、 50%RHでコ 一ト面の表面抵抗値を測定した。 それらの結果を表 9に示す。
表 9
Figure imgf000032_0001
表 9の結果から、 本発明の帯電防止剤を配合したポリエステル樹脂組成物の 表面抵抗値は、 TBP—TF S Iと TB P— TFのとの重量混合比の広い範囲 で、 TBP— TF S I及び TB P— TFをそれぞれ単独で用いた場合に比べて 低いことがわかる。

Claims

請求の範囲
, 1. 式 （1) :
(R1) 3R2P+ · A -. (1)
5 (式中、 R1は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R1が炭素数
1〜4のアルキル基のときには R 2は R1と同じであるか、 了リール基又はァラ ルキル基を示し、 R 1がァリール基のときには R 2は炭素数 1〜 1 6のアルキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 A はビス （パーフルォロアルカンス ルホニル） イミ ドイオン又はパーフルォロアルカンスルホン酸イオンを示0 す。 ） で表される第四.級ホスホニゥム塩 （以下、 ホスホニゥム塩 （1) とい う。 ） の少なくとも 1種、 及ぴ式 （2) ：
(R3) 3R4P+ · B- (2)
(式中、 R 3は炭素数 1〜4のアルキル基又はァリール基であり、 R 3が炭素数 1〜4のアルキル基のときには R 4は R3と同じであるか、 了リール基又はァラ ルキル基を示し、 R3がァリール基のときには R4は炭素数 1〜 1 6のァノレキル 基、 ァリール基又はァラルキル基を示し、 B はァニオンを示す。 ） で表される 第四級ホスホニゥム塩 （以下、 ホスホニゥム塩 （2) とレ、う。 ） の少なく とも 1種を有効成分として含有する （但し、 ホスホニゥム塩 （1) とホスホニゥム 塩 （2) が同一の化合物になることはない。 ） ことを特徴とする帯電防止剤。
0
2. B一で示されるァェオンが、 ビス （パーフルォロアルカンスノレホニ ル） イミ ドイオン、 パーフノレオロアルカンスルホン酸イオン、 パーフルォロア ルカンカルボン酸イオン、 アル力ンスルホン酸イオン、 アルキルべンゼンスノレ ホン酸イオン、 含フッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである請求項 1に記載 の帯電防止剤。
3. ' 式 （1) 及び式 （2) 中、 I 1、 R2、 R3及び R4が、 いずれも炭 素数 1〜 4のアルキル基である請求項 1又は 2に記載の帯電防止剤。
' 4 . ホスホユウム塩 （1 ) から選ばれる少なくとも 1種とホスホユウム 塩 （2 ) から選ばれる少なくとも 1種との混合割合が、 重量比で 8 0 ： 2 0〜 2 0 ： 8 0の割合である、 請求項 1〜 3のいずれかに記載の帯電防止剤。
5 . 請求項 1〜 4のいずれかに記載の帯電防止剤を樹脂に含有せしめて なることを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。
6 . 樹脂がエポキシ樹脂、 ポリカーボネート、 ポリオレフイン、 （メタ ) アタリル樹脂又はポリエステルである請求項 5に記載の帯電防止性樹脂組成 物。
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