JPWO2007119631A1 - 帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明者が、上記課題を解決するために鋭意検討したところ、驚くべきことに、式(1):
(R1)3R2P+・A− (1)
(式中、R1は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R1が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR2はR1と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R1がアリール基のときにはR2は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、A−はビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン又はパーフルオロアルカンスルホン酸イオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩の少なくとも1種、及び式(2):
(R3)3R4P+・B− (2)
(式中、R3は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R3が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR4はR3と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R3がアリール基のときにはR4は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、B−はアニオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩の少なくとも1種との併用(但し、式(1)で表されるホスホニウム塩(1)と式(2)で表されるホスホニウム塩が同一の化合物になることはない。)を行なったところ、これらの併用によって、それぞれ単独で用いた場合に比べてより表面抵抗値が低下することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、以下の[1]〜[6]を提供するものである。
[1] 式(1):
(R1)3 R2P+・A− (1)
(式中、R1は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R1が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR2はR1と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R1がアリール基のときにはR2は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、A−はビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン又はパーフルオロアルカンスルホン酸イオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩(以下、ホスホニウム塩(1)という。)の少なくとも1種、及び式(2):
(R3)3R4P+・B− (2)
(式中、R3は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R3が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR4はR3と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R3がアリール基のときにはR4は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、B−はアニオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩(以下、ホスホニウム塩(2)という。)の少なくとも1種を有効成分として含有する(但し、ホスホニウム塩(1)とホスホニウム塩(2)が同一の化合物になることはない。)ことを特徴とする帯電防止剤。
[2] B−で示されるアニオンが、ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、含フッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである[1]に記載の帯電防止剤。
[3] 式(1)及び式(2)中、R1、R2、R3及びR4が、いずれも炭素数1〜4のアルキル基である[1]又は[2]に記載の帯電防止剤。
[4] ホスホニウム塩(1)から選ばれる少なくとも1種とホスホニウム塩(2)から選ばれる少なくとも1種との混合割合が、重量比で80:20〜20:80の割合である、請求項1〜3のいずれかに記載の帯電防止剤。
[5] [1]〜[4]のいずれかに記載の帯電防止剤を樹脂に含有せしめてなることを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。
[6] 樹脂がエポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、(メタ)アクリル樹脂又はポリエステルである[5]に記載の帯電防止性樹脂組成物。
以下、本発明を詳細に説明する。
式(1)中、R1は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。炭素数1〜4のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。アリール基としては、例えば置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、ピリジル基、キノリル基及びイソキノリル基等が挙げられ、具体的にはフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−tert−ブトキシフェニル基、4−ニトロフェニル基、ピリジル基、キノリル基及びイソキノリル基等が挙げられる。
式(1)中、R2は、R1が炭素数1〜4のアルキル基のときは、炭素数1〜4のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。炭素数1〜4のアルキル基及びアリール基としては、前記炭素数1〜4のアルキル基及び前記アリール基とそれぞれ同じものが挙げられる。アラルキル基としては、例えば前記炭素数1〜4のアルキル基が有する水素原子を前記アリール基に置換した基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ジフェニルメチル基等を例示できる。
また、R1がアリール基のときは、R2は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。炭素数1〜16のアルキル基としては、炭素数1〜16の直鎖状、分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。アリール基及びアラルキル基としては、前記アリール基及び前記アラルキル基と同じものが、それぞれ挙げられる。
式(1)中、A−は、ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン又はパーフルオロアルカンスルホン酸イオンである。ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオンとしては、式(3):
(Rf 1SO2)(Rf 2SO2)N− (3)
(式中、Rf 1及びRf 2は同じであっても異なっていてもよく、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基を示す。)で表されるアニオンであり、Rf 1及びRf 2で示される炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。具体的には、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン[(CF3SO2)2N−]、ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミドイオン[(CF3CF2SO2)2N−]、ビス(ヘプタフルオロプロパンスルホニル)イミドイオン[(CF3CF2CF2SO2)2N−]、ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン[(CF3CF2CF2CF2SO2)2N−]、(トリフルオロメタンスルホニル)(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミドイオン[(CF3SO2)(CF3CF3SO2)N−]、(トリフルオロメタンスルホニル)(ヘプタフルオロプロパンスルホニル)イミドイオン[(CF3SO2)(CF3CF2CF2SO2)N−]、トリフルオロメタンスルホニル)(ノナフルオロブタンスルホニル)イミドイオン[(CF3SO2)(CF3CF2CF2CF2SO2)N−]等が挙げられ、好ましくはビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドイオン[(CF3SO2)2N−]、ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミドイオン[(CF3CF2SO2)2N−]である。
パーフルオロアルカンスルホン酸イオンとしては、炭素数1〜8のパーフルオロアルカンスルホン酸イオンが挙げられ、具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸イオン(CF3SO3 −)、ペンタフルオロエタンスルホン酸イオン(CF3CF2SO3 −)、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸イオン[CF3(CF2)2SO3 −]、ノナフルオロブタンスルホン酸イオン[CF3(CF2)3SO3 −]、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸イオン[CF3(CF2)7SO3 −]等が挙げられ、好ましくはノナフルオロブタンスルホン酸イオン[CF3(CF2)3SO3 −]である。
式(2)中、R3は、炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。これらはそれぞれ前記に示された炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基と同じものが挙げられる。
R4は、R3が炭素数1〜4のアルキル基のときは、炭素数1〜4のアルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。これらはそれぞれ前記に示された炭素数1〜4のアルキル基、アリール基又はアリール基と同じものが挙げられる。R3がアリール基のときは、前記の炭素数1〜16のアルキル基、前記アリール基又は前記アラルキル基と同じものがそれぞれ挙げられる。
式(2)中、B−で示されるアニオンとしては、前記ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン及び前記パーフルオロアルカンスルホン酸イオンの他、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、無機酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、アルカンカルボン酸イオン、アルキルベンゼンカルボン酸イオン、含シアノイオン又はハロゲンイオンであり、好ましくはビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、含フッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである。
パーフルオロアルカンカルボン酸イオンとしては、炭素数1〜8のパーフルオロアルカンカルボン酸イオンが挙げられる。具体的には、例えばトリフルオロ酢酸イオン(CF3COO−)、ペンタフルオロプロピオン酸イオン(CF3CF2COO−)、ヘプタフルオロブタン酸イオン[CF3(CF2)2COO−]、ペンタデカフルオロオクタン酸イオン[CF3(CF2)6COO−]等が挙げられ、好ましくはトリフルオロ酢酸イオン(CF3COO−)である。
無機酸イオンとしては、例えばテトラフルオロホウ酸イオン(BF4 −)、ヘキサフルオロリン酸イオン(PF6 −)、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン(SbF6 −)、ヘキサフルオロタンタル酸イオン(TaF6 −)等の含フッ素無機酸イオン、例えば過塩素酸イオン(ClO4 −)、硝酸イオン(NO3 −)、硫酸イオン(SO4 2−)、リン酸イオン(PO4 3−)、ホウ酸イオン(BO3 3−)等の酸素酸イオンが挙げられ、好ましくはテトラフルオロホウ酸イオン(BF4 −)、過塩素酸イオン(ClO4 −)及び硝酸イオン(NO3 −)である。
アルカンスルホン酸イオンとしては、例えばメタンスルホン酸イオン(CH3SO3 −)、エタンスルホン酸、(CH3CH2SO3 −)、ブタンスルホン酸イオン[CH3(CH2)3SO3 −]、オクタンスルホン酸イオン[CH3(CH2)7SO3 −]等が挙げられる。アルキルベンゼンスルホン酸イオンとしては、例えばパラトルエンスルホン酸イオン(p−CH3C6H4SO3 −)、デシルベンゼンスルホン酸イオン[p−CH3(CH2)9C6H4SO3 −]、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン[p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、テトラデシルベンゼンスルホン酸イオン[p−CH3(CH2)13C6H4SO3 −]、又はこれらの分枝型が挙げられ、好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸イオン[p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]である。
アルカンカルボン酸イオンとしては、例えばギ酸イオン(HCOO−)、酢酸イオン(CH3COO−)、プロピオン酸イオン(CH3CH2COO−)、ブタン酸イオン[CH3(CH2)2COO−]、オクタン酸イオン[CH3(CH2)6COO−]、デカン酸イオン[CH3(CH2)8COO−]等が挙げられる。アルキルベンゼンカルボン酸イオンとしては、例えば安息香酸イオン(C6H5COO−)、サリチル酸イオン[o−C6H4(OH)COO−]等が挙げられる。
含シアノイオンとしては、例えばジシアナミドイオン[N(CN)2 −]、チオシアン酸イオン(SCN−)等が挙げられる。ハロゲンイオンとしては、例えばフルオロイオン(F−)、クロロイオン(Cl−)、ブロモイオン(Br−)又はヨードイオン(I−)が挙げられる。
ホスホニウム塩(1)の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。なお、以下、Meはメチル基を、Etはエチル基を、Prはプロピル基を、Buはブチル基を、Phはフェニル基を、Bnはベンジル基を、Hepはヘプチル基を、Ddecはドデシル基を、Hdecはヘキサデシル基をそれぞれ表す。
例えば、テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=ビス(ヘプタフルオロプロパンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2CF2SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=ビス(ノナフルオロブタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2CF2CF2SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=(トリフルオロメタンスルホニル)(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)(CF3CF2SO2)N−]、テトラブチルホスホニウム=(トリフルオロメタンスルホニル)(ヘプタフルオロプロパンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)(CF3CF2CF2SO2)N−]、テトラブチルホスホニウム=(トリフルオロメタンスルホニル)(ノナフルオロブタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)(CF3CF2CF2CF2SO2)N−]、テトラメチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Me4P+・(CF3SO2)2N−]、テトラエチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Et4P+・(CF3SO2)2N−]、テトラプロピルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Pr4P+・(CF3SO2)2N−]、トリメチルフェニルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Me3PhP+・(CF3SO2)2N−]、トリエチルフェニルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Et3PhP+・(CF3SO2)2N−]、トリプロピルフェニルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Pr3PhP+・(CF3SO2)2N−]、トリブチルフェニルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu3PhP+・(CF3SO2)2N−]、トリメチルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Me3BnP+・(CF3SO2)2N−]、トリエチルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Et3BnP+・(CF3SO2)2N−]トリプロピルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Pr3BnP+・(CF3SO2)2N−]、トリブチルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu3BnP+・(CF3SO2)2N−]、
テトラフェニルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph4P+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルメチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3MeP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルエチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3EtP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルプロピルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3PrP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3BuP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3HepP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルドデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3DdecP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルヘキサデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3HdecP+・(CF3SO2)2N−]、トリフェニルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3BnP+・(CF3SO2)2N−]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)7SO3 −]、テトラメチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Me4P+・CF3SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Et4P+・CF3SO3 −]、テトラプロピルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Pr4P+・CF3SO3 −]、トリメチルフェニルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Me3PhP+・CF3SO3 −]、トリエチルフェニルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Et3PhP+・CF3SO3 −]、トリプロピルフェニルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Pr3PhP+・CF3SO3 −]、トリブチルフェニルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu3PhP+・CF3SO3 −]、トリメチルベンジルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Me3BnP+・CF3SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Et3BnP+・CF3SO3 −]、トリプロピルベンジルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Pr3BnP+・CF3SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu3BnP+・CF3SO3 −]、
テトラフェニルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph4P+・(CF3SO3 −)、トリフェニルメチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3MeP+・CF3SO3 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3EtP+・CF3SO3 −]、トリフェニルプロピルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3PrP+・CF3SO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3BuP+・CF3SO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3HepP+・CF3SO3 −]、トリフェニルドデシルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3DdecP+・CF3SO3 −]、トリフェニルヘキサデシルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3HdecP+・CF3SO3 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Ph3BnP+・CF3SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Et4P+・CF3CF2SO3 −]、トリエチルフェニルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Et3PhP+・CF3CF2SO3 −]、トリブチルフェニルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu3PhP+・CF3CF2SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Et3BnP+・CF3CF2SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu3BnP+・CF3CF2SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Et4P+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリエチルフェニルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Et3PhP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリブチルフェニルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu3PhP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Et3BnP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu3BnP+・CF3(CF2)3SO3 −]、
テトラフェニルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph4P+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3MeP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3EtP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルプロピルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3PrP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3BuP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3HepP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルドデシルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3DdecP+・CF3(CF2)3SO3 −]、トリフェニルヘキサデシルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3HdecP+・CF3(CF2)3SO3 −]トリフェニルベンジルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph3BnP+・CF3(CF2)3SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Et4P+・CF3(CF2)7SO3 −]、トリエチルフェニルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Et3PhP+・CF3(CF2)7SO3 −]、トリブチルフェニルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Bu3PhP+・CF3(CF2)7SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Et3BnP+・CF3(CF2)7SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート[Bu3BnP+・CF3(CF2)7SO3 −]等が挙げられ、好ましくはテトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2SO2)2N−]、テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]であり、特に好ましくはテトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]である。
ホスホニウム塩(2)の具体例としては、前記に挙げた例の他、例えばテトラブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu4P+・CF3COO−]テトラブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu4P+・BF4 −]、テトラブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu4P+・PF6 −]、テトラブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu4P+・CH3SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、テトラブチルホスホニウム=パークロラート[Bu4P+・ClO4 −]、テトラブチルホスホニウム=ニトラート[Bu4P+・NO3 −]、テトラブチルホスホニウム=ブロミド[Bu4P+・Br−]、テトラエチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Et4P+・CF3COO−]、テトラエチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Et4P+・BF4 −]、テトラエチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Et4P+・PF6 −]、テトラエチルホスホニウム=メタンスルホナート[Et4P+・CH3SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Et4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Et4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、テトラエチルホスホニウム=パークロラート[Et4P+・ClO4 −]、テトラエチルホスホニウム=ニトラート[Et4P+・NO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Et3BnP+・CF3COO−]、トリエチルベンジルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Et3BnP+・BF4 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Et3BnP+・PF6 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=メタンスルホナート[Et3BnP+・CH3SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Et3BnP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Et3BnP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=パークロラート[Et3BnP+・ClO4 −]、トリエチルベンジルホスホニウム=ニトラート[Et3BnP+・NO3 −]、
トリブチルベンジルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu3BnP+・CF3COO−]、トリブチルベンジルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu3BnP+・BF4 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu3BnP+・PF6 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu3BnP+・CH3SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu3BnP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu3BnP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=パークロラート[Bu3BnP+・ClO4 −]、トリブチルベンジルホスホニウム=ニトラート[Bu3BnP+・NO3 −]、テトラフェニルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph4P+・CF3COO−]、テトラフェニルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph4P+・BF4 −]、テトラフェニルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph4P+・PF6 −]、テトラフェニルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph4P+・CH3SO3 −]テトラフェニルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、テトラフェニルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、テトラフェニルホスホニウム=パークロラート[Ph4P+・ClO4 −]、テトラフェニルホスホニウム=ニトラート[Ph4P+・NO3 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph3MeP+・CF3COO−]、トリフェニルメチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph3MeP+・BF4 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph3MeP+・PF6 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph3MeP+・CH3SO3 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph3MeP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph3MeP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=パークロラート[Ph3MeP+・ClO4 −]、トリフェニルメチルホスホニウム=ニトラート[Ph3MeP+・NO3 −]、
トリフェニルエチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph3EtP+・CF3COO−]、トリフェニルエチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph3EtP+・BF4 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph3EtP+・PF6 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph3EtP+・CH3SO3 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph3EtP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph3EtP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=パークロラート[Ph3EtP+・ClO4 −]、トリフェニルエチルホスホニウム=ニトラート[Ph3EtP+・NO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph3BuP+・CF3COO−]、トリフェニルブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph3BuP+・BF4 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph3BuP+・PF6 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph3BuP+・CH3SO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph3BuP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph3BuP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=パークロラート[Ph3BuP+・ClO4 −]、トリフェニルブチルホスホニウム=ニトラート[Ph3BuP+・NO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph3HepP+・CF3COO−]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph3HepP+・BF4 −]トリフェニルヘプチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph3HepP+・PF6 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph3HepP+・CH3SO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph3HepP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph3HepP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=パークロラート[Ph3HepP+・ClO4 −]、トリフェニルヘプチルホスホニウム=ニトラート[Ph3HepP+・NO3 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Ph3BnP+・CF3COO−]、トリフェニルベンジルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Ph3BnP+・BF4 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Ph3BnP+・PF6 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=メタンスルホナート[Ph3BnP+・CH3SO3 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Ph3BnP+・p−CH3C6H4SO3 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Ph3BnP+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=パークロラート[Ph3BnP+・ClO4 −]、トリフェニルベンジルホスホニウム=ニトラート[Ph3BnP+・NO3 −]等が挙げられる。
ホスホニウム塩(1)の少なくとも1種とホスホニウム塩(2)の少なくとも1種との併用するにあたり、特に好ましくは、R1及びR2が共に炭素数1〜4のアルキル基であるホスホニウム塩(1)の少なくとも1種と、R3及びR4が共に炭素数1〜4のアルキル基であるホスホニウム塩(2)の少なくとも1種との併用である。
具体例としては、例えば、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2SO2)2N−]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=テトラブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu4P+・CF3COO−]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu4P+・BF4 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu4P+・PF6 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu4P+・CH3SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=パークロラート[Bu4P+・ClO4 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ニトラート[Bu4P+・NO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ブロミド[Bu4P+・Br−]、
テトラエチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Et4P+・(CF3SO2)2N−]とテトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=テトラブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu4P+・CF3COO−]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu4P+・BF4 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu4P+・PF6 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]テトラブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu4P+・CH3SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=パークロラート[Bu4P+・ClO4 −]、
テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ニトラート[Bu4P+・NO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=テトラブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu4P+・CF3COO−]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu4P+・BF4 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu4P+・PF6 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]テトラブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu4P+・CH3SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu4P+・p−CH3C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=パークロラート[Bu4P+・ClO4 −]、
テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]とテトラブチルホスホニウム=ニトラート[Bu4P+・NO3 −]等が挙げられる。
ホスホニウム塩(1)の少なくとも1種とホスホニウム塩(2)の少なくとも1種との混合割合は、重量比で、通常95:5〜5:95、好ましくは80:20〜20:80である。
本発明の帯電防止剤を調製する方法としては、例えば、1)ホスホニウム塩(1)の少なくとも1種とホスホニウム塩(2)の少なくとも1種とを、通常100℃以上、好ましくは100℃〜150℃で、必要であれば撹拌しながら混合する方法、2)適当な溶媒中に、ホスホニウム塩(1)の少なくとも1種とホスホニウム塩(2)の少なくとも1種とを溶解させた後、必要に応じて撹拌しながら混合し、溶媒を除去する方法等が挙げられるが、これら有効成分が均一に混合される方法であれば特に限定されない。1)の方法の場合は混合した後、2)の方法の場合は溶媒を除去した後、必要に応じて室温程度(約10℃〜30℃)まで冷却すれば、固体又は液体状として得られる。
本発明の帯電防止剤は必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合して用いることもできる。かかる帯電防止剤を、樹脂組成物製造時に樹脂組成物材料に配合する等の方法で、帯電防止性樹脂組成物を製造することができる。
本発明の帯電防止性樹脂組成物に用いる樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂(例えば、アクリル系光硬化性樹脂)が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン又はプロピレンと他のビニルモノマー、例えば酢酸ビニル、α−オレフィン、(メタ)アクリル酸エステル等との共重合体、ノルボルネン類の付加重合体、ノルボルネン類とα−オレインとの付加共重合体、ノルボルネン類の開環重合体水添ポリマー、シクロペンタジエンの開環重合体水添ポリマー、シクロヘキサジエンの開環重合体水添ポリマー等のポリオレフィン;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素含有樹脂;ポリスチレン、AS樹脂、ABS樹脂、MS樹脂、MBS樹脂等のスチレン樹脂;ポリアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリメタクリル酸メチル等の(メタ)アクリル樹脂;芳香族ジヒドロキシ化合物(例えばビスフェノールA)と塩化カルボニル又はジフェニルカーボネートから製造される芳香族ポリカーボネート等のポリカーボネート;ナイロン4、ナイロン6、ナイロン8、ナイロン11、ナイロン12、ナイロン66等のポリアミド;ポリエーテルイミド等の熱可塑性ポリイミド;ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル;これらの混合物等が挙げられる。これらの樹脂の中でポリカーボネート、ポリオレフィン、(メタ)アクリル樹脂及びポリエステルが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂(例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂等)、熱硬化性ポリイミド(例えば、ピロメリット酸無水物とビス(4−アミノフェニル)エーテルとの重縮合物等)、ポリウレタン、フェノール樹脂、アミノ樹脂(例えばメラミン樹脂、ウレア樹脂等)、が例示でき、中でもエポキシ樹脂が好ましい。
本発明における樹脂組成物への本発明の帯電防止剤の含有量は、樹脂に対して0.1〜30重量%であり、好ましくは1〜25重量%、特に好ましくは2〜20重量%である。
本発明の帯電防止性樹脂組成物は、樹脂の製造又は加工時に帯電防止剤を直接添加して混合することによって製造できる。
本発明の帯電防止性樹脂組成物には、樹脂及び帯電防止剤以外に、樹脂組成物の性質を損なわない範囲で、必要に応じて公知の添加剤を加えることが出来る。添加剤として、染料、顔料、補強剤、充填剤、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。
また、以下実施例において、各略号はそれぞれ下記のホスホニウム塩を示す。
TBP−TFSI:テトラブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3SO2)2N−]
TBP−TF:テトラブチルホスホニウム=トリフルオロメタンスルホナート[Bu4P+・CF3SO3 −]
TBP−PFSI:テトラブチルホスホニウム=ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミダート[Bu4P+・(CF3CF2SO2)2N−]
TBP−PF:テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロエタンスルホナート[Bu4P+・CF3CF2SO3 −]
TBP−NF:テトラブチルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Bu4P+・CF3(CF2)3SO3 −]
TBP−TFA:テトラブチルホスホニウム=トリフルオロアセタート[Bu4P+・CF3COO−]
TBP−BF4:テトラブチルホスホニウム=テトラフルオロボラート[Bu4P+・BF4 −]
TBP−PF6:テトラブチルホスホニウム=ヘキサフルオロホスファート[Bu4P+・PF6 −]
TBP−MS:テトラブチルホスホニウム=メタンスルホナート[Bu4P+・CH3SO3 −]
TBP−PTS:テトラブチルホスホニウム=パラトルエンスルホナート[Bu4P+・p−CH3C6H4SO3 −]
TBP−DBS:テトラブチルホスホニウム=ドデシルベンゼンスルホナート[Bu4P+・p−CH3(CH2)11C6H4SO3 −]
TBP−ClO4:テトラブチルホスホニウム=パークロラート[Bu4P+・ClO4 −]
TBP−NO3:テトラブチルホスホニウム=ニトラート[Bu4P+・ClO4 −]
TEP−TFSI:テトラエチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Et4P+・(CF3SO2)2N−]
TPhBnP−TFSI:トリフェニルベンジルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3BnP+・(CF3SO2)2N−]
TPhHepP−TF:トリフェニルヘプチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3HepP+・(CF3SO2)2N−]
TPhP−NF:テトラフェニルホスホニウム=ノナフルオロブタンスルホナート[Ph4P+・CF3(CF2)3SO3 −]
TPhHepP−NO3:トリフェニルヘプチルホスホニウム=ニトラート[Ph3HepP+・NO3 −]
TPhBP−TFSI:トリフェニルブチルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミダート[Ph3BuP+・(CF3SO2)2N−]
実施例1〜7、比較例1及び2
ビスフェノールA型エポキシ樹脂「エピコート828」(エポキシ当量 186g/eq、登録商標、ジャパンエポキシレジン株式会社製)8.80g、硬化剤イミノビスプロピルアミン1.20g、及び表1に示す重量混合比のTBP−TFSIとTBP−TFとの混合物0.50g(樹脂に対して5重量%)、TBP−TFSI単独0.50g又はTBP−TF単独0.50gを混合し、エポキシ樹脂組成物を得た。かかるエポキシ樹脂組成物を直径50mm×深さ10mmの円形金型に流し込み、50℃で1時間、さらに100℃で6時間熱硬化させて試験片を作製した。試験片を23℃、50%RHの雰囲気中に6時間静置した後、23℃、50%RHで試験片の表面抵抗値を測定した。それらの測定結果を表1に示す。
実施例8〜25
TBP−TFSI及びTBP−TFを、それぞれ表2に示すホスホニウム塩(1)及びホスホニウム塩(2)に代えた以外は、実施例4と同様にして、試験片の作製、静置及び表面抵抗値の測定を行った。それらの測定結果を表2に示す。
TBP−TFSI及びTBP−TFを、それぞれ表3に示すホスホニウム塩(1)及びホスホニウム塩(2)に代えた以外は、実施例4と同様にして、試験片の作製、静置及び表面抵抗値の測定を行った。それらの測定結果を表3に示す。
TBP−TFSIを、表4に示すホスホニウム塩に代えた以外は、比較例1と同様にして、試験片の作製、静置及び表面抵抗値の測定を行った。それらの測定結果を表4に示す。
TBP−TFSI及びTBP−TFを、表5に示すホスホニウム塩及びホスホニウム塩(2)に代えた以外は、実施例4と同様にして、試験片の作製、静置及び表面抵抗値の測定を行った。それらの測定結果を表5に示す。
実施例32〜34、比較例27及び28
ペレット状のポリカーボネート「カリバー」(登録商標、住友ダウ株式会社製)30gをN−メチル−2−ピロリドン/THF(50/50)の混合溶液270gに溶解させ、10重量%カリバー溶液を調製した。カリバー溶液10gに表6に示す重量混合比のTBP−TFSIとTBP−TFとの混合物0.025g(樹脂に対して2.5重量%)、TBP−TFSI単独0.025g又はTBP−TF単独0.025gを添加し、室温で1時間混合した。得られた混合液を直径50mmのアルミケースに流し込み、160℃で1時間、続いて210℃で1時間かけて溶媒を除去し、厚さ約0.4mmの試験シートを作製した。試験シートを23℃、50%RHの雰囲気中に6時間静置した後、23℃、50%RHで試験シートの裏面と表面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表6に示す。
実施例35〜37、比較例29及び30
ペレット状のポリオレフィン「ZEONOR1020R」(登録商標、日本ゼオン株式会社製)30gをシクロヘキサン/THF(80/20)の混合溶液270gに溶解させ、10重量%ZEONOR1020R溶液を調製した。ZEONOR溶液10gに表7に示す重量混合比のTBP−TFSIとTBP−TFとの混合物0.02g(樹脂に対して2重量%)、TBP−TFSI単独0.02g又はTBP−TF単独0.02gを添加し、室温で1時間混合した。得られた混合液を、バーコーター(#32)を用いて、アルミシート上にコートした後、120℃で1時間乾燥させ、厚さ約5μmのZEONOR1020Rの試験フィルムを作製した。試験フィルムを23℃、50%RHの雰囲気中に6時間静置した後、23℃、50%RHで試験フィルムの裏面と表面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表7に示す。
実施例38〜40、比較例31及び32
アクリル樹脂「SKダイン1435」(登録商標、綜研化学株式会社製)10重量部に、表8に示す重量混合比のTBP−TFSIとTBP−TFとの混合物2重量部、TBP−TFSI単独2重量部又はTBP−TF単独2重量部、及び希釈溶剤としての酢酸エチル190重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター(#16)を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約1.2μmの厚みでコートした後、60℃で1時間乾燥させ、試験フィルムを作製した。試験フィルムを15〜20℃、50%RHの雰囲気中に24時間静置した後、20℃、50%RHでコート面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表8に示す。
実施例41〜43、比較例33及び34
ポリエステル「バイロン20SS」(登録商標、東洋紡績株式会社製)10重量部に、表9に示す重量混合比のTBP−TFSIとTBP−TFとの混合物1重量部、TBP−TFSI単独1重量部又はTBP−TF単独1重量部、及び希釈溶剤としてのメチルエチルケトン/トルエン(20/80)190重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター(#16)を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約1.2μmの厚みでコートした後、60℃で1時間乾燥させて試験フィルムを作製した。試験フィルムを15〜20℃、50%RHの雰囲気中に24時間静置した後、20℃、50%RHでコート面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表9に示す。
Claims (6)
- 式(1):
(R1)3R2P+・A− (1)
(式中、R1は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R1が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR2はR1と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R1がアリール基のときにはR2は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、A−はビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン又はパーフルオロアルカンスルホン酸イオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩(以下、ホスホニウム塩(1)という。)の少なくとも1種、及び式(2):
(R3)3R4P+・B− (2)
(式中、R3は炭素数1〜4のアルキル基又はアリール基であり、R3が炭素数1〜4のアルキル基のときにはR4はR3と同じであるか、アリール基又はアラルキル基を示し、R3がアリール基のときにはR4は炭素数1〜16のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、B−はアニオンを示す。)で表される第四級ホスホニウム塩(以下、ホスホニウム塩(2)という。)の少なくとも1種を有効成分として含有する(但し、ホスホニウム塩(1)とホスホニウム塩(2)が同一の化合物になることはない。)ことを特徴とする帯電防止剤。 - B−で示されるアニオンが、ビス(パーフルオロアルカンスルホニル)イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、含フッ素無機酸イオン又は酸素酸イオンである請求項1に記載の帯電防止剤。
- 式(1)及び式(2)中、R1、R2、R3及びR4が、いずれも炭素数1〜4のアルキル基である請求項1又は2に記載の帯電防止剤。
- ホスホニウム塩(1)から選ばれる少なくとも1種とホスホニウム塩(2)から選ばれる少なくとも1種との混合割合が、重量比で80:20〜20:80の割合である、請求項1〜3のいずれかに記載の帯電防止剤。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の帯電防止剤を樹脂に含有せしめてなることを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。
- 樹脂がエポキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、(メタ)アクリル樹脂又はポリエステルである請求項5に記載の帯電防止性樹脂組成物。
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